Rsum Intermdiaires entre isolants et conducteurs, les semi-conducteurs ont des proprits mises profit dans les composants lectroniques. Quelques considrations gnrales rappellent les mcanismes de liaisons inter-atomiques et les niveaux dnergie entre la conduction et la valence. Ceci permet de dcrire les proprits des semi-conducteurs intrinsques vis vis des isolants et des conducteurs dans le mcanisme de recombinaison des lectrons libres et des trous (vacance dlectron) au sein des rseaux cristallins. On remarque cependant une grande dpendance de la quantit de charges libres avec la temprature, ce qui conduit mieux contrler ces porteurs de charges par dopage du semi conducteur : entre type N, si des lectrons supplmentaires sont introduits, et type P si des charges positives (dfauts dlectrons) apparaissent. Ces deux types de semi-conducteurs sont assembls. La jonction PN ainsi constitue commence par un processus de diffusion qui instaure un champ lectrique. Celui-ci se stabilise pour constituer une barrire de potentiel dont lexpression est dtermine partir de considrations simples de physique des semi-conducteurs. La polarisation de cette jonction par une source de tension extrieure montre un comportement dissymtrique qui est lorigine de la premire grande application des semi-conducteurs dops : la diode jonction.
Sommaire I. Dfinition dun semi-conducteur.......................................................................... 2 I.1. I.2. I.3. I.4. Structure cristalline et bandes dnergie..........................................................................2 Conducteur Isolant Semi-conducteur .........................................................................2 Notion de trou : gnration et recombinaison ............................................................3 Semi-conducteur dop ....................................................................................................3
II. Assemblage de semi-conducteurs : jonction PN.................................................. 4
II.1. Ralisation physique ......................................................................................................4 II.2. Etude lquilibre (jonction non polarise).....................................................................4 II.2.1. Processus de diffusion............................................................................................................ 4 II.2.2. Stabilisation de la diffusion.................................................................................................... 4
II.3. Barrire de potentiel ......................................................................................................5 II.4. Etude de la jonction polarise ........................................................................................5
II.4.1. Polarisation directe (potentiel le plus positif sur P) .................................................................. 5 II.4.2. Polarisation inverse (potentiel le plus positif sur N).................................................................5
III. Bibliographie..................................................................................................... 5
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I. Dfinition dun semi-conducteur
I.1. Structure cristalline et bandes dnergie Une structure cristalline est constitue dun assemblage rgulier datomes (Figure 1). Ils mettent en commun des lectrons de leur couche priphrique pour constituer des liaisons covalentes. La couche lectronique priphrique assure la stabilit de latome. Elle est complte lorsquelle comporte 8 lectrons pour atteindre la saturation (la couche priphrique ne peut en comporter davantage). Si Si Si
Si
Si
Si
Si
Si Si Figure 1: Structure cristalline.
Dans cette description, les rsultats de mcanique quantique montrent que chaque lectron possde un niveau dnergie dtermin. Les deux dernirs sont : la bande de valence si llectron est attach latome ; la bande de conduction si cet lectron se libre de latome (On dit alors quil est libre). Des bandes interdites sparent tous ces niveaux. Pour illustrer ce phnomne, la reprsentation nergtique de la Figure 2 est particulirement adapte. La distance nergtique sparant les bandes de conduction et de valence est appele gap . Sa valeur dtermine la plus ou moins bonne conductivit du matriau : plus le gap est faible, plus le matriau est conducteur. Energie W Bande de conduction Energie croissante avec lloignement du noyau Gap Bande de valence
Figure 2 : Reprsentation nergtique.
I.2. Conducteur Isolant Semi-conducteur
Un matriau isolant possde un gap lev. Tous les lectrons de la couche priphrique sont utiliss dans les liaisons chimiques covalentes. A la temprature de 0 K, il ny a pas dlectrons dans la bande de conduction. Une lvation de la temprature peut toutefois apporter lnergie ncessaire au passage de certains lectrons dans la bande de conduction, mais temprature ambiante, cette probabilit est trs faible, et le matriau reste isolant. Dans un matriau conducteur, les liaisons chimiques nutilisent pas tous les lectrons de la couche priphrique. Ceux qui sont excdentaires sont alors libres de circuler et se dplacent naturellement dans la bande de conduction (mme 0 K). Ceci se traduit par un gap nul ou ngatif : les bandes de conduction et de valence se chevauchent. Un matriau semi-conducteur (SC) est un isolant possdant un faible gap. Il est parfaitement isolant 0 K, mais devient progressivement conducteur lorsque la temprature augmente ou par apport dnergie sous une forme quelconque (lumire ou tout rayonnement lectromagntique, chauffage, etc.). Il reste cependant proche de lisolant temprature ambiante. Sil est pur on dit que le semi-conducteur est intrinsque cest un lment chimique de valence 4 (la couche priphrique comporte 4 lectrons). Exemples de semi-conducteurs purs (entre parenthses le symbole puis le numro atomique) : carbone (C, 6), silicium (Si, 14), germanium (Ge, 32). Remarque : semi-conducteurs composs avec des lments de valence 3 et 5 (ex : Arsniure de gallium, GaAs).
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I.3. Notion de trou : gnration et recombinaison
Lorsquun lectron quitte la bande de valence pour atteindre la bande de conduction, il se dplace librement dans le rseau. Latome quil laisse nest plus neutre, mais sionise positivement. Cet atome dispose donc dune place inoccupe appele trou (o n dit aussi lacune ). Un lectron venant dun atome voisin peut alors occuper la place libre en laissant un trou son tour : cest le mcanisme de recombinaison dune paire lectron-trou illustr la Figure 3. Electron quittant la bande de valence
Si
Si
Si
Si
Si
Si
Si
La place libre constitue un trou reprsentant une charge positive.
Figure 3 : Recombinaison paire lectron-trou.
Le mouvement des charges ngatives saccompagne donc ncessairement dun mouvement des trous dans le sens inverse. La rsistivit lectrique du matriau semi-conducteur est trs sensible aux variations de la temprature. Pour la matriser, les recombinaisons sont contrles par dopage du semi-conducteur.
I.4. Semi-conducteur dop
Un semi-conducteur dop est une structure cristalline dans laquelle on a introduit des atomes trangers de valence 3 ou 5. Ltat lectronique sen trouve modifi : le dopage accrot la conductibilit du cristal tout en le maintenant entre lisolant et le conducteur.
I.4.1. Semi-conducteur dop P
En substituant des atomes de valence 3 (bore, aluminium, gallium, indium), des lectrons manquent pour complter les couches priphriques voisines (Figure 4). Ceci entrane la prsence de charges positives excdentaires : le semi-conducteur est dop P (ou type P). A temprature ambiante, tous les atomes dopants sont ioniss. Chacun a gnr un trou qui est libre de circuler dans le rseau. Tout en restant globalement neutre, on distingue donc deux types de porteurs de charges : des trous libres ; des ions ngatifs fixes (les atomes dopants qui gagnent un lectron).
I.4.2. Semi-conducteur dop N
En choisissant un dopant de valence 5 (phosphore, arsenic, antimoine), le semi-conducteur contient des lectrons excdentaires qui traduisent des charges ngatives supplmentaires : le semiconducteur est de type N (Figure 5). A temprature ambiante, tous les atomes dopants sont ioniss, mais le matriau reste neutre. Chacun a libr un lectron qui circule dans le rseau. On distingue alors deux types de porteurs de charges : des lectrons libres ; des ions positifs fixes (les atomes dopants qui perdent un lectron).
Si
Si e +
Si
Latome de valence Si 5 Si (ici de phosphore) fournit un lectron excdentaire e dans le rseau.
Si e-
Latome de valence 3 (ici de bore) cre une lacune + e dans le rseau.
Si
Si
Si
Si
Si Si Si Figure 4 : Semi-conducteur de type P.
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Si Si Si Figure 5 : Semi-conducteur de type N.
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II. Assemblage de semi-conducteurs : jonction PN
II.1. Ralisation physique On dispose de deux barreaux semi-conducteurs. Le premier de type N est juxtapos au second de type P. Cest la frontire des deux matriaux que lon met en place une jonction. Electrons mobiles Trous mobiles e + + e + + Anions fixes e e+ e+ e+ e+ e+
N e e +
Cations fixes
Figure 6 : Mise en place de la jonction (juste avant). Dans chaque rgion, on recense diffrents porteurs : la rgion N contient des ions positifs (cations) fixes et des lectrons mobiles qui constituent lessentiel des porteurs. On dit alors quils sont majoritaires. La rgion P contient des ions ngatifs (anions) fixes et des trous mobiles (Figure 6). La quantit de charges reste globalement la mme : Chaque rgion est lectriquement neutre.
II.2. Etude lquilibre (jonction non polarise)
On met en contact les deux semi-conducteurs.
II.2.1. Processus de diffusion
Les porteurs mobiles ont tendance occuper tout lespace disponible. Ils se rpandent donc par diffusion dans la rgion oppose. Ces porteurs se recombinent avec ceux de signe oppos. Initialement neutre, la rgion libre prend la charge des ions fixes dont le signe est contraire celui des porteurs (Figure 8). Recombinaisons des paires lectron/trou
N + e +
+ +
+ + e +
e+
e+ e+
+ +
Les cations restent fixes
Les anions restent fixes
Figure 7 : Recombinaisons des paires lectron-trou.
II.2.2. Stabilisation de la diffusion
La recombinaison des porteurs libres laisse alors apparatre deux rgions charges de signes contraires : des cations du ct N, des anions du ct P. Cette rgion est appele zone de charge despace (ZCE). r E
N + e +
Is Id
+ + + e+ e+
+ + e + +
Du fait du dsquilibre de charges, un champ lectrique E apparat dans la ZCE. Il cre un Zone de charge despace mouvement de charges oppos au contenant les ions fixes. mouvement de diffusion. A lquilibre la jonction est le sige de deux Figure 8 : Apparition d'une zone de charge d'espace. courants gaux et opposs : un courant de diffusion Id concernant de chaque ct les porteurs majoritaires. un courant de conduction (ou de saturation) Is concernant les porteurs minoritaires attirs par le champ E. YC/RN sc0-Semi-conducteurs.doc janvier 03 V 1.9 4/5 lments de physique des semi-conducteurs
II.3. Barrire de potentiel
Pour simplifier ltude, on envisage une densit de porteurs libres constante de part et dautre de la jonction au niveau de la ZCE (on dit que la jonction est abrupte). Les longueurs XN et xP sont les profondeurs de recombinaison de part et dautre de la jonction. La neutralit de la ZCE impose :
N xP -xN 0 E Emax
N x N = P xP (car mme section).
Avec lquation de Poisson r ( divE = )
et
moyennant quelques hypothses, le profil du champ lectrique dans la ZCE est linaire. Le champ est maximal sur la ligne de jonction : Emax = xN N xP P
0 U U0
0 ZCE
Figure 9 : Densit de charges , champ E et tension U.
r Par dfinition, E =gradV . Le profil du potentiel interne de la jonction est parabolique. Une diffrence de potentiel apparat aux bornes de la ZCE, cest la barrire de potentiel U0 : U 0 = 1 Emax(xP + xN ) 2
Remarque : U0 0,7 V pour le silicium et U0 0,3 V pour le germanium.
II.4. Etude de la jonction polarise
II.4.1. Polarisation directe (potentiel le plus positif sur P) Lapplication dune tension vd la jonction dans le sens direct tend abaisser, voire inverser la barrire de potentiel. Le champ E ne bloque donc plus les porteurs majoritaires : le courant de diffusion augmente rapidement avec vd. La jonction devient passante et le courant suit une loi exponentielle : vd
P id
VD
Figure 10 : Polarisation en direct.
id = is (e
UT
k : constante de Boltzman (1,38.1023 JK 1) 1) avec UT = kT T : temprature en Kelvin (K) (tension thermodynamique) q q : charge de l'lectron (1,6 1019 C)
II.4.2. Polarisation inverse (potentiel le plus positif sur N)
Dans le cas dune polarisation inverse, vd renforce la barrire de potentiel. Le courant de diffusion est diminu et le courant de saturation est favoris car le champ E est plus important. Ce dernier reste cependant faible car il ne concerne que les porteurs minoritaires. La jonction est bloque et le courant inverse est faible. N iS VD P
Figure 11 : Polarisation en inverse.
III. Bibliographie Philippe Leturcq et Grard Rey. Physique des composants actifs semi-conducteurs. Dunod. 1978. ISBN 2-04-010385-6. J.-D. Chatelain. Dispositifs semi-conducteurs. Trait 3E. Dunod. 1979.
