TRABAJO PRCTICO TEMA

UNION P-N

CURSO ALUMNO CARRERA

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FISICA ELECTRNICA LUIS MENDOZA BECERRA INGENIERIA DE SISTEMAS

UNION P-N

Diodo de unin PN polarizado

Se entiende como polarizacin de una unin p-n a la aplicacin externa de una diferencia de potencial continua o con un determinado sentido a la unin. La polarizacin del diodo puede ser en directa o en inversa, como veremos a continuacin. Unin p-n polarizada directamente La unin p-n est polarizada directamente cuando a la regin p se le aplica un potencial mayor que a la regin n. Para ello, tal y como se ve en las Figuras 5.1 y 5.2, se debe conectar el polo positivo de la batera al nodo del diodo (zona p) y el polo negativo al ctodo (zona n).

Unin p-n polarizada en directa.

Representacin circuital del diodo polarizado en directa y conexin real

En estas condiciones podemos observar los siguientes efectos: Los huecos de la regin p y los electrones de la regin n son empujados hacia la unin por el campo elctrico Epol a que da lugar la polarizacin. Por lo tanto, se reduce la anchura de la zona de transicin. El campo elctrico de la polarizacin Epol se opone al de la unin Eu. As, se reduce el campo elctrico de la unin y, consecuentemente, la barrera de potencial. Recordar que, como vimos en el Tema 4, la barrera de potencial sin polarizacin es VJ=Vo. Con la polarizacin directa de la unin p-n se reduce en la forma VJ=Vo-V, siendo V la tensin directa aplicada a dicha unin, tal y como se muestra en la figura siguiente.
Vp VJ=Vo-V Vn

I v

LA LEY DE SHOCKLEY

En este applet se explica la ecuacin corriente-tensin de un diodo ideal PN (tambin llamada ecuacin de Shockley). Se podr investigar con la ecuacin I=Io[exp(qV/kT)-1] al trabajar con el programa.Todas las componentes que componen la corriente total del diodo se muestran mediante una animacin visual interactiva. Puede verse que la corriente de arrastre es independiente de la polarizacin aplicada. Para la corriente de inyeccin con polarizacin directa se puede observar su dependencia exponencial con la polarizacin directa aplicada. Conociendo la distribucin del exceso de portadores minoritarios en ctodo resulta fcil conocer la corriente transportada por ellos puesto que es debida fundamental a difusin. Observando el diagrama se ve que entra una corriente I de electrones por un lado y por el otro sale una corriente I debida a huecos. Esto significa que en el diodo tiene lugar una transformacin por medio de la recombinacin, de la corriente de huecos en corriente de electrones y viceversa. Por ello, la corriente que atraviesa el diodo ser igual al nmero total de portadores recombinados por unidad de tiempo en todo el diodo puesto que cada recombinacin requiere un electrn, que entra por ctodo y un hueco, que entra por nodo. Sin embargo en el modelo ideal la recombinacin en la zona dipolar vale cero y resulta ms cmodo determinar la corriente del diodo sumando las corrientes de electrones y huecos en un punto en el que ambas sean conocidas simultneamente. el diodo directa o inversamente, pues en polarizacin directa se establecen enseguida corrientes muy elevadas a poca diferencia de potencial que se aplique al diodo, mientras que en polarizacin inversa, por muy alta que sea la tensin nunca se obtiene una corriente mayor que Jsat, que viene a ser del orden de 100 pA/cm2. Segn esto el diodo se comporta casi como un cortocircuito en polarizacin directa y casi como un circuito abierto en polarizacin inversa. El convenio que se ha utilizado en el programa es el siguiente: Puntos mviles: rojo = huecos, azul = electrones .Regiones coloreadas: rojo = tipo-p, azul = tipo-n. p(x=0) = concentracin de huecos en exceso en la frontera de deplexin (x=0) = concentracin de electrones en exceso en la frontera de deplexin Lp = longitud de difusin de huecos. Ln = longitud de difusin de electrones. I = corriente total In(x) = corriente de electrones (curva azul) Ip(x) = corriente de huecos (curva roja) Cerca de la frontera de la zona de deplexin, la concentracin de huecos minoritarios est por encima de la concentracin en equilibrio trmico debido a esos huecos inyectados elctricamente. En la regin neutra hay dos procesos activos para los huecos minoritario sin yectados: (1) difusin y (2) recombinacin.

(1) Difusin: Hay ms huecos cerca de la frontera de deplexin que en el interior de la regin-n. Por lo tanto se produce una difusin trmica, resultando en un flujo neto de huecos (rojo) alejndose de esa frontera. (2) Recombinacin: La concentracin de huecos tender a recuperar su valor en equilibrio trmico, y entonces intentar librarse del exceso de huecos (p(x=0)). Este exceso de huecos sufre una recombinacin con los electrones que son los portadores mayoritarios que aniquilan los huecos y electrones formando pares (flujo vertical de puntos rojos). Algunos electrones perdidos (portadores mayoritarios) son rpidamente repuestos a travs del contacto hmico y el cable metlico del lado ms lejano de la regin tipo-n. Este mismo argumento se aplica a los electrones minoritarios inyectados .El diagrama de en medio puede ser visto como un diagrama de bandas, pero la banda a travs de la regin de deplexin no se muestra aqu. Los procesos de difusin y recombinacin conjuntamente producen un perfil de concentracin exponencial para los huecos minoritarios, como puede verse en el la segunda grfica (parte inferior derecha en rojo). Para una determinada polarizacin directa constante, el nmero de huecos inyectados a travs de la unin por unidad de tiempo iguala al nmero de huecos perdidos por recombinacin, establecindose entonces una situacin estacionaria (es decir, constante en el tiempo).La componente de huecos de la corriente total se muestra en la curva en rojo de la tercera figura. Desde la izquierda a la derecha, la corriente de huecos en la regin tipo-p es una corriente de arrastre (debida al pequeo campo elctrico en la regin neutra tipo-p, en rojo),corriente de arrastre en la regin de deplexin (debida al campo elctrico en su interior), y corriente de difusin en el lado-n (azul) debido al gradiente de concentracin .La concentracin de huecos minoritarios en exceso llega a cero en un determinado punto. Los electrones (azul) son inyectados desde el lado-n (azul) a el lado-p (rojo) atravesando la unin (o regin de deplexin, gris).Siguen el mismo proceso que los huecos. Cuando el applet aparece por primera vez en la pantalla, comenzar automticamente la animacin. En el panel de control superior tenemos una serie de botones que sirven para controlar esta animacin. Si se quiere cambiar algn parmetro hay que pulsar el botn Parar, de este modo se detiene la animacin y se activan tanto los controles del panel superior como los inferiores. En las casillas de verificacin superiores se puede seleccionar los diagramas que se deseen que aparezcan, as como los parmetros caractersticos dentro de los mismos. Una vez realizada la seleccin hay que volver a activar la animacin con el botn Inicio para poder observar los cambios realizados. Tambin se dispone del botn Pausa para poder detener momentneamente la animacin. Pero en este caso no se pueden modificar los parmetros. Hay que continuar la ejecucin pinchando de nuevo en el mismo botn que habr cambiado su etiqueta anterior y ahora reflejar Continuar .En el panel de control inferior hay cuatro listas desplegables. La primera de ellas es para cambiar la polarizacin, donde podremos seleccionar tanto valores positivos como negativos. De este modo se puede estudiar el comportamiento del dispositivo con polarizacin directa e inversa. En segundo lugar tenemos el control de temperaturas que servir para observar los cambios relativos respecto a variaciones de 5 en torno a la temperatura ambiente que se utiliza por defecto. Los dos ltimos controles son de sobra conocidos ya que no es la primera vez que aparecen en el tutorial. Obviamente seleccionarn el nivel de las impurezas aceptoras y donadoras en nodo y ctodo respectivamente.

CONMUTACIN DEL TRANSISTOR

En este applet se simula la conmutacin de un diodo, pudiendo cambiar la tensin aplicada en sus bornas de positiva a negativa y viceversa. Para ello se dispone del esquema de un circuito con dos fuentes de tensin (una positiva y otra negativa) y un conmutador, un circuito de polarizacin (que incluye una resistencia) y un diodo de unin. Este esquema se situa en la parte superior derecha del applet y se puede conmutar entre tensiones haciendo "click" con el ratn en la zona entre las dos fuentes de tensin. Al iniciar la aplicacin aparecer un mensaje y una flecha que seala la mencionada zona sensible. El usuario puede modificar todos los parmetros del circuito presionando el botn del panel superior con el texto "Parmetros ciscuito". Al presionarlo aparecer una ventana con tres campos editables donde se pueden introducir los valores numricos deseados para la tensin directa (VF), la tensin inversa (VR) y la resistencia de polarizacin (R). Tras introducir los nuevos valores es necesario pulsar el botn "Aceptar" de la ventana de los parmetros del circuito para que tengan efecto los cambios. Debajo del circuito aparecen cuatro grficas que varan en el tiempo y donde se representan los parmetros ms importantes que controlan el comportamiento del diodo. La primera grfica representa la tensin seleccionada en el circuito; la segunda la corriente que circula por el diodo; la tercera la carga acumulada en las zonas neutras del diodo (aplicando la aproximacin de diodo asimtrico) y la ltima grfica es la tensin que cae en bornas del diodo. Esta cuatro grficas se van actualizando en el tiempo y se irn desplazando hacia la derecha conforme avance el tiempo. En la parte superior de la derecha del programa aparecen las ecuaciones que rigen el comportamiento del diodo en el experimento que se simula. Se muestran las ecuaciones literales para la carga del diodo, la tensin en bornas del diodo y para los perfiles de los minoritarios en el nodo y al ctodo. Justo debajo de cada una de estas ecuaciones se muestran las mismas pero sustitutendo cada variable por al valor actual que tiene en la simulacin. Algunos de los parmetros son constantes en el tiempo (hasta que se modifican por parte del usuario), pero otros se modifican instantneamente conforme evoluciona el tiempo. Tambin, a la derecha de las grficas, se nuestran los valores intantneos para estas funciones temporales. Para modificar los parmetros del diodo se debe presionar el botn del panel superior "Parmetros Diodo". Cuando se hace se despliega una nueva ventana donde se podrn modificar los parmetros: las concentraciones de impurezas del nodo y el ctodo, los tiempos medios de vida de los minoritarios, las contantes de difusin de los huecos y electrones, el rea de la unin, la tensin de disrupcin y la capacidad media equivalente de la unin para inversa. Tras introducir los nuevos valores es necesario pulsar el botn "Aceptar" de la ventana de los parmetros del circuito para que tengan efecto los cambios. Debajo de las ecuaciones apare una imagen donde se representa, instantneamente, los perfiles de minoritarios que hay en el nodo y en el ctodo, as como la anchura de la zona espacial de carga. El valor de los perfiles para x=0 (junto a la zona dipolar) se muestra tambin, as como el

valor de los que penetra la zona dipolar en las zonas N y P del diodo. Debajo, para todo momento, aparece el estado en que se encuentra el diodo (Directa, Inversa o Disrupcin). En el panel inferior aparecen ocho botones que permiten configurar la apariencia de la zona de las funciones temporales y la simulacin temporal del applet. Los cuatro botones de la izquierda permiten ocultar o mostrar cada una de las grficas de las funciones. As se podr ocultar alguna de ellas si no se est interesado en ella en algn momento para centrarse en la evolucin y caractersticas de otras. Los cuatro botones de la derecha permiten variar la velocidad de simulacin. Con dos de ellos se puede acelerar o frenar la simulacin y con los tros dos se puede detener y avanzar paso a paso. El botn de siguiente paso slo estar activo cuando la simulacin est pausada. Por defecto aparecer un nuevo valor en las funciones cada microsegundo. Este parmetro no podr ser modificado por el usuario.