SEMICONDUCTORES

JUAN JOSE TAPIA FERNANDEZ

TUTOR:
ALEX E. JIMNEZ DE LA CRUZ

INGENIERA DE SISTEMAS

UNIVERSIDAD DE CARTAGENA CREAD EL CARMEN DE BOLVAR AGOSTO 2012.

SEMICONDUCTOR Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo elctrico o magntico, la presin, la radiacin que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los elementos qumicos semiconductores de la tabla peridica se indican en la tabla adjunta. MATERIALES SEMICONDUCTORES Los primeros semiconductores utilizados para fines tcnicos fueron pequeos detectores diodos empleados a principios del siglo 20 en los primitivos radiorreceptores, que se conocan como de galena. Ese nombre lo tom el radiorreceptor de la pequea piedra de galena o sulfuro de plomo (PbS) que haca la funcin de diodo y que tenan instalado para sintonizar las emisoras de radio. La sintonizacin se obtena moviendo una aguja que tena dispuesta sobre la superficie de la piedra. Aunque con la galena era posible seleccionar y escuchar estaciones de radio con poca calidad auditiva, en realidad nadie conoca que misterio encerraba esa piedra para que pudiera captarlas. En 1940 Russell Ohl, investigador de los Laboratorios Bell, descubri que si a ciertos cristales se le aada una pequea cantidad de impurezas su conductividad elctrica variaba cuando el material se expona a una fuente de luz. Ese descubrimiento condujo al desarrollo de las celdas fotoelctricas o solares. Posteriormente, en 1947 William Shockley, investigador tambin de los Laboratorios Bell, Walter Brattain y John Barden, desarrollaron el primer dispositivo semiconductor de germanio (Ge), al que denominaron transistor y que se convertira en la base del desarrollo de la electrnica moderna. Los "semiconductores" como el silicio (Si), el germanio (Ge) y el selenio (Se), por ejemplo, constituyen elementos que poseen caractersticas intermedias entre los cuerpos conductores y los aislantes, por lo que no se consideran ni una cosa, ni la otra. Sin embargo, bajo determinadas condiciones esos mismos elementos permiten la circulacin de la corriente elctrica en un sentido, pero no en el sentido contrario. Esa propiedad se utiliza para rectificar corriente alterna, detectar seales de radio, amplificar seales de corriente elctrica, funcionar como interruptores o compuertas utilizadas en electrnica digital, etc. Lugar que ocupan en la Tabla Peridica los trece elementos con caractersticas de semiconductores, identificados con su correspondiente nmero atmico y grupo al que pertenecen. Los que aparecen con fondo. gris corresponden a metales, los de fondo verde a metaloides y los de fondo azul a no metales. Esos elementos semiconductores que aparecen dispuestos en la Tabla Peridica constituyen la materia prima principal, en especial el silicio (Si), para fabricar

diodos detectores y rectificadores de corriente, transistores, circuitos integrados y microprocesadores. Los tomos de los elementos semiconductores pueden poseer dos, tres, cuatro o cinco electrones en su ltima rbita, de acuerdo con el elemento especfico al que pertenecen. No obstante, los elementos ms utilizados por la industria electrnica, como el silicio (Si) y el germanio (Ge), poseen solamente cuatro electrones en su ltima rbita. En este caso, el equilibrio elctrico que proporciona la estructura molecular cristalina caracterstica de esos tomos en estado puro no les permite ceder, ni captar electrones. Normalmente los tomos de los elementos semiconductores se unen formando enlaces covalentes y no permiten que la corriente elctrica fluya a travs de sus cuerpos cuando se les aplica una diferencia de potencial o corriente elctrica. En esas condiciones, al no presentar conductividad elctrica alguna, se comportan de forma similar a un material aislante.

TABLA DE ELEMENTOS SEMICONDUCTORES

Nmero Atmico 48 5 13 31 49 14 32 15 33 51 16 34 52 Nombre del Elemento Cd (Cadmio) B (Boro) Al (Aluminio) Ga (Galio) In (Indio) Si (Silicio) Ge (Germanio) P (Fsforo) As (Arsnico) Sb (Antimonio) S (Azufre) Se (Selenio) Te (Telurio) VIa Va IVa Metaloide No metal Metaloide No metal Metaloide 6e
-

Grupo en la Tabla Peridica IIa

Categora Metal Metaloide

Electrones en la ltima rbita 2e 3e

-

Nmeros de valencia +2 +3

IIIa

Metal 4e 5e
-

+4 +3, -3, +5

+2, -2 +4, +6

INCREMENTO DE SEMICONDUCTOR

LA

CONDUCTIVIDAD

EN

UN

ELEMENTO

La mayor o menor conductividad elctrica que pueden presentar los materiales semiconductores depende en gran medida de su temperatura interna. En el caso de los metales, a medida que la temperatura aumenta, la resistencia al paso de la corriente tambin aumenta, disminuyendo la conductividad. Todo lo contrario ocurre con los elementos semiconductores, pues mientras su temperatura aumenta, la conductividad tambin aumenta.

En resumen, la conductividad de un elemento semiconductor se puede variar aplicando uno de los siguientes mtodos: Elevacin de su temperatura Introduccin de impurezas (dopaje) dentro de su estructura cristalina Incrementando la iluminacin.

Con relacin a este ltimo punto, algunos tipos de semiconductores, como las resistencias dependientes de la luz (LDR Light-dependant resistors), varan su conductividad de acuerdo con la cantidad de luz que reciben. Resistencia dependiente de la luz (LDR), conocida tambin como fotorresistor o clula fotoelctrica. Posee la caracterstica de disminuir el valor de su resistencia interna cuando la intensidad de luz que incide sobre la superficie de la celda aumenta. Como material o elemento semiconductor utiliza el sulfuro de cadmio (CdS) y su principal aplicacin es en el encendido y apagado automtico del alumbrado pblico en las calles de las ciudades, cuando disminuye la luz solar. En dependencia de cmo varen los factores de los puntos ms arriba expuestos, los materiales semiconductores se comportarn como conductores o como aislantes. La conductividad elctrica de los cuerpos materiales () constituye la capacidad que. Tienen de conducir la corriente elctrica. La frmula matemtica para hallar la. Conductividad es la siguiente:

Como se puede apreciar en esta frmula, la conductividad () se obtiene hallando primeramente el resultado de la recproca de la resistencia (o sea, 1/R) multiplicndolo a continuacin por el resultado que se obtiene de dividir la longitud del material (L) entre su rea (A). En esa frmula se puede observar tambin que la resistencia (R) es inversamente proporcional a (), por lo que, a menor resistencia en ohm de un cuerpo, la conductividad resultante ser mayor. SEMICONDUCTORES "INTRNSECOS" Los materiales semiconductores, segn su pureza, se clasifican de la siguiente forma: 1. 2. Intrnsecos Extrnsecos

Se dice que un semiconductor es intrnseco cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni tomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida ser igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conduccin. Cuando se eleva la temperatura de la red cristalina de un elemento semiconductor intrnseco, algunos de los enlaces covalentes se rompen y varios electrones pertenecientes a la banda de valencia se liberan de la atraccin que ejerce el ncleo del tomo sobre los mismos. Esos electrones libres saltan a la banda de conduccin y all funcionan como electrones de conduccin, pudindose desplazar libremente de un tomo a otro dentro de la propia estructura cristalina, siempre que el elemento semiconductor se estimule con el paso de una corriente elctrica. Como se puede observar en la ilustracin, en el caso de los semiconductores el espacio correspondiente a la banda prohibida es mucho ms estrecho en comparacin con los materiales aislantes. La energa de salto de banda (Eg) requerida por los electrones para saltar de la banda de valencia a la de conduccin es de 1 eV aproximadamente. En los semiconductores de silicio (Si), la energa de salto de banda requerida por los electrones es de 1,21 eV, mientras que en los de germanio (Ge) es de 0,785 eV.

Estructura cristalina de un semiconductor intrnseco, compuesta solamente por tomos de silicio (Si) que forman una celosa. Como se puede observar en la ilustracin, los tomos de silicio (que slo poseen cuatro electrones en la ltima rbita o banda de valencia), se unen formando enlaces covalente para completar ocho electrones y crear as un cuerpo slido semiconductor. En esas condiciones el cristal de silicio se comportar igual que si fuera un cuerpo aislante. SEMICONDUCTORES "EXTRNSECOS" Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta alteracin, esos elementos semiconductores permiten el paso de la corriente elctrica por su cuerpo en una sola direccin. Para hacer posible, la estructura molecular del semiconductor se dopa mezclando los tomos de silicio o de germanio con pequeas cantidades de tomos de otros elementos o "impurezas".

Generalmente los tomos de las impurezas corresponden tambin a elementos semiconductores que, en lugar de cuatro, poseen tres electrones en su ltima rbita [como el galio (Ga) o el indio (In)], o que poseen cinco electrones tambin en su ltima rbita [como el antimonio (Sb) o el arsnico (As)]. Una vez dopados, el silicio o el germanio se convierten en semiconductores extrnsecos y sern capaces de conducir la corriente elctrica. En la actualidad el elemento ms utilizado para fabricar semiconductores para el uso de la industria electrnica es el cristal de silicio (Si) por ser un componente relativamente barato de obtener. La materia prima empleada para fabricar cristales semiconductores de silicio es la arena, uno de los materiales ms abundantes en la naturaleza. En su forma industrial primaria el cristal de silicio tiene la forma de una oblea de muy poco grosor (entre 0,20 y 0,25 mm aproximadamente), pulida como un espejo.

A la izquierda se muestra la ilustracin de una oblea (wafer) o cristal semiconductor de Silicio pulida con brillo de espejo, destinada a la fabricacin de transistores y circuitos Integrados. A la derecha aparece la cuarta parte de la oblea conteniendo cientos de Minsculos dados o chips, que se pueden obtener de cada una. Esos chips son los que despus de pasar por un proceso tecnolgico apropiado se convertirn en transistores o circuitos integrados. Una vez que los chips se han convertido en transistores o circuitos integrados sern desprendidos de la oblea y colocados dentro.de una cpsula protectora con sus correspondientes conectores externos. El segundo elemento tambin utilizado como semiconductor, pero en menor proporcin que el silicio, es el cristal de germanio (Ge). Durante mucho tiempo se emple tambin el selenio (S) para fabricar diodos semiconductores en forma de placas rectangulares, que combinadas y montadas en una especie de eje se empleaban para rectificar la corriente alterna y convertirla en directa. Hoy en da, adems del silicio y el germanio, se emplean tambin combinaciones de otros elementos semiconductores presentes en la Tabla Peridica.

Placa individual de 2 x 2 cm de rea, correspondiente a un antiguo diodo de selenio.

Entre esas combinaciones se encuentra la formada por el galio (Ga) y el arsnico (As) utilizada para obtener arseniuro de galio (GaAs), material destinado a la fabricacin de diodos lser empleados como dispositivos de lectura en CDs de audio. Lente (sealada con la flecha) detrs de la cual se encuentra instalado un diodo lser de arseniuro de galio (GaAs) empleado para leer datos de texto, presentaciones multimedia o msica grabada en un CD. En esta ilustracin el. CD se ha sustituido por un disco similar transparente de plstico comn.

En el caso del silicio (Si) y el germanio (Ge) cuando se encuentran en estado puro, es decir, como elementos intrnsecos, los electrones de su ltima rbita tienden a unirse formando "enlaces covalentes", para adoptar una estructura cristalina. Los tomos de cualquier elemento, independientemente de la cantidad de electrones que contengan en su ltima rbita, tratan siempre de completarla con un mximo de ocho, ya sea donndolos o aceptndolos, segn el nmero de valencia que le corresponda a cada tomo en especfico. Con respecto a los elementos semiconductores, que poseen slo cuatro electrones en su ltima rbita, sus tomos tienden a agruparse formando enlaces covalentes, compartiendo entre s los cuatro electrones que cada uno posee, segn la tendencia de completar ocho en su rbita externa. Al agruparse de esa forma para crear un cuerpo slido, los tomos del elemento semiconductor adquieren una estructura cristalina, semejante a una celosa. En su estado puro, como ya se mencion anteriormente, esa estructura no conduce la electricidad, por lo que esos cuerpos semiconductores se comportan como aislantes.

CONVERSIN DEL SILICIO EN SEMICONDUCTOR "TIPO-N" O EN "TIPO-P" Tanto los cristales de silicio (Si) como los de germanio (Ge) en estado puro se pueden convertir en dispositivos semiconductores, capaces de conducir la corriente elctrica si para ello alteramos su estructura molecular cristalina introduciendo ciertas cantidades de "impurezas". Para realizar ese cambio ser necesario introducir tomos de otros elementos semiconductores apropiados que posean tres electrones en su banda de valencia o ltima rbita (tomos trivalentes) o tambin cinco electrones en esa propia rbita (tomos pentavalentes). A tales efectos se consideran impurezas los siguientes elementos con tomos trivalentes: aluminio (Al), galio (Ga) e indio (In). Tambin se consideran impurezas los tomos pentavalentes de arsnico (As), fsforo (P) o de antimonio (Sb). Cuando aadimos a la estructura cristalina del silicio o del germanio una pequea cantidad de tomos de un elemento pentavalente en funcin de impurezas, estos tomos adicionales reciben el nombre de "donantes", porque cada uno dona o cede uno de sus cinco electrones a la estructura cristalina del semiconductor. Si, por el contrario, los tomos que se aaden como impurezas son trivalentes, se denominan entonces "aceptantes, porque cada uno tendr que captar o aceptar un electrn procedente de la propia estructura cristalina del silicio o del germanio. La conductividad que presente finalmente un semiconductor dopado depender de la cantidad de impurezas que contenga en su estructura cristalina. Generalmente para una proporcin de un tomo de impureza que se aade por cada 100 millones de tomos del elemento semiconductor, la conductividad aumenta en 16 veces. SEMICONDUCTOR DE SILICIO "TIPO-N" Como ya conocemos, ni los tomos de silicio, ni los de germanio en su forma cristalina ceden ni aceptan electrones en su ltima rbita; por tanto, no permiten la circulacin de la corriente elctrica, por tanto, se comportan como materiales aislantes. Pero si la estructura cristalina de uno de esos elementos semiconductores la dopamos aadindole una pequea cantidad de impurezas provenientes de tomos de un metaloide como, por ejemplo, antimonio (Sb) (elemento perteneciente los elementos semiconductores del Grupo Va de la Tabla Peridica, con cinco electrones en su ltima rbita o banda de valencia), estos tomos se integrarn a la estructura del silicio y compartirn cuatro de sus cinco electrones con otros cuatro pertenecientes a los tomos de silicio o de germanio, mientras que el quinto electrn restante del antimonio, al quedar liberado, se podr mover libremente dentro de toda la estructura cristalina. De esa forma se crea un semiconductor extrnseco tipo-N, o negativo, debido al exceso de electrones libres existentes dentro de la estructura cristalina del material semiconductor.

Si a un semiconductor tipo-N le aplicamos una diferencia de potencial o corriente elctrica en sus extremos, los electrones libres portadores de cargas negativas contenidos en la sustancia impura aumentan. Bajo esas condiciones es posible establecer un flujo de corriente electrnica a travs de la estructura cristalina del semiconductor si le aplicamos una diferencia de potencia o corriente elctrica. No obstante, la posibilidad de que al aplicrseles una corriente elctrica los electrones se puedan mover libremente a travs de la estructura atmica de un elemento semiconductor es mucho ms limitada que cuando la corriente fluye por un cuerpo metlico buen conductor. SEMICONDUCTOR DE SILICIO "TIPO-P" Si en lugar de introducir tomos pentavalentes al cristal de silicio o de germanio lo dopamos aadindoles tomos o impurezas trivalentes como de galio (Ga) (elemento perteneciente al Grupo IIIa de la Tabla Peridica con tres electrones en su ltima rbita o banda de valencia), al unirse esa impureza en enlace covalente con los tomos de silicio quedar un hueco o agujero, debido a que faltar un electrn en cada uno de sus tomos para completar los ocho en su ltima rbita. En este caso, el tomo de galio tendr que captar los electrones faltantes, que normalmente los aportarn los tomos de silicio, como una forma de compensar las cargas elctricas. De esa forma el material adquiere propiedades conductoras y se convierte en un semiconductor extrnseco dopado tipo-P (positivo), o aceptante, debido al exceso de cargas positivas que provoca la falta de electrones en los huecos o agujeros que quedan en su estructura cristalina.

MECANISMO DE CONDUCCIN DE UN SEMICONDUCTOR Cuando a un elemento semiconductor le aplicamos una diferencia de potencial o corriente elctrica, se producen dos flujos contrapuestos: uno producido por el movimiento de electrones libres que saltan a la banda de conduccin y otro por el movimiento de los huecos que quedan en la banda de valencia cuando los electrones saltan a la banda de conduccin.

Si analizamos el movimiento que se produce dentro de la estructura cristalina del elemento semiconductor, notaremos que mientras los electrones se mueven en una direccin, los huecos o agujeros se mueven en sentido inverso. Por tanto, el mecanismo de conduccin de un elemento semiconductor consiste en mover cargas negativas (electrones) en un sentido y cargas positivas (huecos o agujeros) en sentido opuesto. Ese mecanismo de movimiento se denomina "conduccin propia del semiconductor", que para las cargas negativas (o de electrones) ser "conduccin N", mientras que para las cargas positivas (de huecos o agujeros), ser "conduccin P".