FET - TRANSISTORES DE EFEITO DE CAMPO Os transistores de Efeito de Campo, JFET e MOSFET's, tem como caractersticas bsicas e controle de uma

corrente por um campo eltrico aplicado. A corrente flui entre os terminais chamado Suplidouro - S, e Dreno - D, e o campo devido a uma tenso aplicada entre um terminal de controle, a porta "Gate" - G, e o suplidouro. Este compartimento anlogo a das vlvulas eletrnicas pentodo. A vantagem prtica dos FET's que os torna cada vez mais comuns, principalmente os MOSFET's, sua alta inpedncia de entrada, no necessria praticamente nenhuma corrente de entrada na porta para o controle da corrente de dreno. JFET O primeiro FET desenvolvido foi o de juno, FET (Junction Field Efect Transistor). H dois tipos: Canal N e Canal P. Sua estrutura consiste numa barra de material semicondutor N (ou P), envolvida no centro com material P (ou N), a regio N (ou P) esta parte, estreita, chamado canal, por influir a corrente controlada.

Estrutura do JFET canal N Obs.: No FET de canal P invertem-se camadas semicondutores N e P

Smbolos Note que em torno de um canal forma-se uma regio de potencial na juno PN. Esta barreira restringe a rea de conduo de canal ao outro. FUNCIONAMENTO

Na figura acima temos o circuito de teste JFET com uma fonte varivel Ves, que controla a corrente do canal ID. Note que Ves, na polarizao reversa (- no gate P). Inicialmente fazemos Ves = 0. O canal N est normalmente aberto, pois a barreira de potncia mnima, assim, circula uma corrente mxima chamado IDSS, caracterstica do JFET para Vds. Agora vamos aumentar Ves, fazendo que a largura da barreira de potencial aumente. Ento a rea de conduo diminui, que diminui a corrente de dreno. O campo eltrico entre a porta e o supridouro repele eltrons ao canal, nas proximidades da juno e a corrente fica confinada ao centro, diminuindo. Este o efeito de campo, que d nome ao transistor. Quando maior a tenso reversa Ves, menor a corrente de dreno, com Vds fixa. Se aumentarmos gradualmente, chegar num ponto em que a corrente se anular. A tenso Vgs nesse ponto chamado Vgsoff ou Vgscorte, a tenso de estrangulamento do canal, ou de corte. CURVAS CARACTERSTICAS H dois tipos: Transcundncia; Dreno.

Curva de Transcundncia Esta curva, vlida para Vds > Vgs de corte, descreve o controle de corrente de dreno pela tenso porta / apridouro. a curva da regio ativa do JFET.

Curva Caracterstica de Dreno anloga caracterstica de coletor do transistor bipolar, e semelhante caracterstica de placa e uma vlvula pentodo. Descreve o comportamento nas trs regies de operao, para diversos valores de Vgs. REGIO DE OPERAO Na regio ativa, a corrente de dreno controlada pela tenso Vgs, e quase no varia com tenso Vds (compartimento de fonte de corrente controlada). Nesta o JFET pode funcionar como multiplicador de fonte-de-corrente. O JFET est nesta regio quando Vds > Vescorte nas curvas caractersticas a parte horizontal da curva para uma certa Vgs (toda a rea fora de saturao, hachurada, e entre as curvas Vgs1 e Vgs6) A saturao ocorre quando Vds < Vgscorte. Aqui a corrente ID depende tanto de Vgs como Vds (comportamento de resistor controlado). Nas curvas caractersticas de dreno, a reta inclinada que une cada curva a origem do grfico. Repare que as inclinao, relacionada resistncia do canal, diferente em cada uma das curvas (valores de Vgs). Nesta regio, o JFET atua como resistor controlado por tenso, ou chave, conforme a aplicao. Quando Vgs Vgscorte, o JFET est na regio de corte, e a corrente de dreno nula. Usada na operao como chave (alternando com a saturao - chave fechada). APLICAES 1) Fonte de Corrente:

O valor de RS e a curva do JFET determinam a corrente ID. O circuito opera o JFET fica na regio ativa, ou seja, Vds> Vgscorte, isso impe limite ao valor de RL. O circuito usado em polarizao, sendo freqncia dentro dos amplificadores operacionais e outros CI's analgicos.

2) Amplificadores: Na operao como amplificadores, usamos o conceito da Transcondutncia, que define o ganho dos FET's.

A Transcondutncia, gm ou g, a relao entre a variao na corrente Id e a variao em Vgs que a provoca. Nos FET, a Transcondutncia maior para tenso Vgs de polarizao menor e corrente ID maior. Assim, o ganho determinado pela polarizao como nos bipolares e vlvulas), e o tipo de FET. a) Polarizao: A corrente de dreno de JFET segue a relao quadrtica.

Os valores de IDSS e Vgscorte variam conforme o tipo e o exemplar, dentro de limites amplos. Uma polarizao somente pode ser feita atravs de ajuste de trimpot, ou atravs de uma fonte de corrente com bipolar. O tipo mais comum a autopolarizao.

Obs.: Nos amplificadores dreno comum Rd no usado. Ele no altera a corrente de dreno. A corrente circula em Rs, surgindo uma queda de tenso nele. A porta est aterrada atravs de Rg, e ento a tenso em Rs aparece entre S e G, polarizando o JFET com uma tenso reversa, que se ope corrente de dreno (Suplidouro), regulando-a atravs de realimentao negativa. A corrente ento fica dada pelas caractersticas do FET e o valor de Rs. Tambm se usa polarizao por diviso de tenso, semelhante usada com transistor bipolar, mas menos exata (pouco melhor que a autopolarizao).

b) Supridouro comum: a mais usada, pois oferece ganho de tenso. O sinal de entrada aplicado entre a porta e o Suplidouro, e a sada colhida no dreno. A fase invertida. A impedncia de entrada muito grande, j que a juno porta-suplidouro est polarizada reversamente, circulando apenas uma desprezvel corrente de fuga. Na prtica, a impedncia dada pelo resistor RE de polarizao. J a de sada um pouco menor que RD. O ganho de tenso dado por:

Seu valor na prtica fica entre 3 e 30 vezes, em geral (bem menor que no bipolar). comum na entrada de instrumentos de medio, e dentro de C.I. analgicos, pela alta impedncia.

Obs: Cent. pode ser omitido, em algumas aplicaes. Nos amplificadores com acoplamento direto, todos os capacitores so dispensados, mas o ganho diminui.