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2012

INFORME DISPARADOR DE UJT CON SCR I.- INTRODUCCION En esta prctica se realice la construccin de un circuito de disparo para regular l potencia de un motor AC de un UJT con SCR. La informacin para la construccin del circuito fue a travs del libro ELECTRONICA INDUSTRIAL (dispositivos y sistemas) del autor TIMOTHY J. MALONEY, ya que con esta ayuda me he guiado para el esquema circuital y la composicin del circuito con SCR. II.- OBJETIVOS El principal objetivo de este laboratorio es llegar a conocer el funcionamiento del circuito disparador para regular la potencia de un motor AC con SCR y sus diferentes componentes utilizados en el presente circuito. III.- RESUMEN El primer paso fue comprar los componentes necesarios para realizar el circuito Realizamos el circuito en el programa PROTEUS y verificamos su funcionamiento Realizamos el quemado de placa con el circuito ya terminado y verificamos su funcionamiento IV.- MARCO TEORICO En el marco terico describimos los componentes y el material que utilizamos en el circuito de disparo para regular la potencia de un motor AC con un SCR que son los que nombran a continuacin: 1.- La resistencia elctrica de un objeto es una medida de su oposicin al paso de corriente. La resistencia de cualquier objeto depende nicamente de su geometra y de su resistividad, por geometra se entiende a la longitud y el rea

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del objeto mientras que la resistividad es un parmetro que depende del material del objeto y de la temperatura a la cual se encuentra sometido. 2.- El SCR (Silicon Controlled Rectifier o Rectificador Controlado de Silicio, Figura 1), es un dispositivo semiconductor biestable formado por tres

uniones pn con la disposicin pnpn (Figura 2). Est formado por tres terminales, llamados nodo, Ctodo y Puerta. La conduccin entre nodo y ctodo es controlada por el terminal de puerta. Es un elemento unidireccional (sentido de la corriente es nico), conmutador casi ideal, rectificador y amplificador a la vez. Interruptor casi ideal. Soporta tensiones altas. Amplificador eficaz. Es capaz de controlar grandes potencias. Fcil controlabilidad. Relativa rapidez. Caractersticas en funcin de situaciones pasadas (memoria). 3.- El funcionamiento y utilizacin de los transistores de potencia es idntico al de los transistores normales, teniendo como caractersticas especiales las altas tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar. NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin. Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector. PG

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La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la direccin en la que lacorriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo. El otro tipo de transistor de unin bipolar es el PNP con las letras "P" y "N" refirindose a las cargas mayoritarias dentro de las diferentes regiones del transistor. Pocos transistores usados hoy en da son PNP, debido a que el NPN brinda mucho mejor desempeo en la mayora de las circunstancias. Los transistores PNP consisten en una capa de material semiconductor dopado N entre dos capas de material dopado P. Los transistores PNP son comnmente operados con el colector a masa y el emisor conectado al terminal positivo de la fuente de alimentacin a travs de una carga elctrica externa. Una pequea corriente circulando desde la base permite que una corriente mucho mayor circule desde el emisor hacia el colector. La flecha en el transistor PNP est en el terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo. 4.- El transistor UJT (transistor de unijuntura - Unijunction transistor) es un dispositivo con un funcionamiento diferente al de otrostransistores. Es un dispositivo dedisparo. Es un dispositivo que consiste de una sola unin PN Fsicamente el UJT consiste de una barra de material tipo N

conconexiones elctricas a sus dos extremos (B1 y B2) y de una conexin hecha con un conductor dealuminio (E) en alguna parte a lo largo de la barra de material N. En el lugar de unin el aluminio crea una regin tipo P en la barra, formando as una unin PN. 5.- Condensadores : Son dispositivos que almacenan cargas elctricas; se dice que dos cuerpos forman un condensador cuando entre ellos existe un campo elctrico. En general un condensador se compone esencialmente de dos conductores (armaduras) aislados y separados por un dielctrico (aislador. Pueden conducir cc durante un instante, aunque funcionan bien como PG

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conductores en circuitos de ca; esta propiedad los convierte en dispositivos muy tiles para impedir que la cc entre a determinada parte de un circuito elctrico. 6.- Capacitor cermico los capacitores con dielctrico de cermica son una nica familia con una constante dielctrica relativamente alta, son dediseo fsico de fcil fabricacin, en donde se puede encontrar una gran variedad de formatos.

V.- MARCO PRCTICO El circuito a implementar es el siguiente:

El UJT 2N4947 tiene los siguientes datos que sirven para el clculo en la seleccin de los componentes:

Si DZ1 tiene voltaje de ruptura zener de 20 V, en entonces la corriente a travs de R1 antes del disparador est dada por:

Dado que R2 y R1 son desconocidas por el momento se realiza el calculo de IR1 Max, es de la siguiente manera:

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Para calcular la REmin y REmax del UJT:

RE promedio geomtrico:

RE= 100k o 120k potencimetro. Clculo de Ce, como la lnea es de 50 Hz el semicilo dura 10 ms, por lo tanto el valor de Ce es de Ce=0.082 uF. ReCe=10x10ms, se conoce Re, se despeja y sale: Ce=0.082 uF Seleccin de Rd, si DZ1 puede disipar una potencia de 1 W, puede disipar casi 2W durante el semiciclo positivo, porque la potencia disipada durante el semiciclo negativo es despreciable, debido a la pequea cada de voltaje del diodo cuando se polariza directamente, por tanto la corriente promedio por el zener durante el semiciclo positivo ser:

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Rd se debe seleccionar de tal manera que no deje pasar ms de 100 mA, en promedio durante el semiciclo positivo. Como la lnea es de 220 V se realiza el prximo clculo: Vlinea Vs = 220-20V=200 V Por tanto, Rd=200V/100mA= 2k Naturalmente Rd debe escogerse de mayor valor, para as obtener un margen de seguridad en la disipacin de potencia de 2 a 1, se considera aceptable. Esto nos lleva a Rd=4,4k La potencia es: PRd= V^2/Rd= 200^2/4,4k= 9,9 W VI.- MATERIALES Rectificador Controlado de Silicio (SCR) Transistor UJT 2N4947 Resistencias de 100 ohm, 1k, 4.7k de 10w Capacitor 0.082 uf, Diodo zener de 20v Potencimetro de 100k Foco Placa VII.- CONCLUSIN En conclusin el circuito del UJT con SCR tiene la funcin de controlar tanto en cargas inductivas, resistivas y capacitivas la corriente que pasa a travs de la carga. Tomando en cuenta solamente los ciclos positivos y no permitiendo el paso de los semiciclos negativos cuando se trabaja con corriente alterna, ya que el SCR es unidireccional. Dentro de la prctica es necesario el realizar los clculos porque es la nica forma de realizar un buen diseo, adems los datasheet son muy importante ya que estos nos da muchos datos que necesitamos a la hora de realizar los clculos. PG