Introduccin a la Energa Solar Fotovoltaica

Doctor Jos Francisco Sanz Requena. Universidad Europea Miguel de Cervantes

PRINCIPIOS FSICOS DE LOS DISPOSITIVOS FOTOVOLTAICOS

TOMOS ESTABLES E INESTABLES: Se llama tomo estable al que tiene completa de electrones su ltima rbita o al menos dispone en ella de ocho electrones. Los tomos inestables, que son los que no tienen llena su rbita de valencia ni tampoco ocho electrones en ella, tienen una gran propensin a convertirse en estables, bien desprendindose de los electrones de valencia o bien absorbiendo del exterior electrones libres hasta completar la ltima rbita; en cada caso realizaran lo que menos energa suponga.

CUERPOS CONDUCTORES Y AISLANTES: Los cuerpos conductores son aquellos cuyos tomos permiten fcilmente el paso de electrones a su travs. Un buen ejemplo de conductor es el Cobre (Cu) que dispone de un electrn inestable en su cuarta rbita con una gran tendencia a desprenderse.

Semiconductores
Son elementos, como el germanio y el silicio, que a bajas temperaturas son aislantes. Pero a medida que se eleva la temperatura o bien por la adiccin de determinadas impurezas resulta posible su conduccin. Su importancia en electrnica es inmensa en la fabricacin de transistores, circuitos integrados, etc... Los semiconductores tienen valencia 4, esto es 4 electrones en rbita exterior de valencia. Los conductores tienen 1 electrn de valencia, los semiconductores 4 y los aislantes 8 electrones de valencia.

Cristales de silicio

Esta unin de un electrn libre y un hueco se llama "recombinacin", y el tiempo entre la creacin y desaparicin de un electrn libre se denomina "tiempo de vida".

CUERPOS SEMICONDUCTORES INTRINSECOS: Es un semiconductor puro. A temperatura ambiente se comporta como un aislante porque solo tiene unos pocos electrones libres y huecos debidos a la energa trmica. En un semiconductor intrnseco tambin hay flujos de electrones y huecos, aunque la corriente total resultante sea cero. Esto se debe a que por accin de la energa trmica se producen los electrones libres y los huecos por pares, por lo tanto hay tantos electrones libres como huecos con lo que la corriente total es cero. SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS: Comoquiera que las corrientes que se producen en el seno de un semiconductor intrnseco a la temperara ambiente son insignificantes, dado el bajo valor de portadores libres, para aumentarlos se les aaden otro cuerpos, que se denominan impurezas. De esta forma es como se obtienen los semiconductores extrnsecos tan importantes en la energa solar fotovoltaica.

Dopado de un semiconductor
Los tomo de valencia 5 tienen un electrn de ms, as con una temperatura no muy elevada (a temperatura ambiente por ejemplo), el 5 electrn se hace electrn libre. Esto es, como solo se pueden tener 8 electrones en la rbita de valencia, el tomo pentavalente suelta un electrn que ser libre. Siguen dndose las reacciones anteriores. Si metemos 1000 tomos de impurezas tendremos 1000 electrones ms los que se hagan libres por generacin trmica (muy pocos).

Los tomo de valencia 3 tienen un electrn de menos, entonces como nos falta un electrn tenemos un hueco. Esto es, ese tomo trivalente tiene 7 electrones en la orbita de valencia. Al tomo de valencia 3 se le llama "tomo trivalente" o "Aceptor". A estas impurezas se les llama "Impurezas Aceptoras". Hay tantos huecos como impurezas de valencia 3 y sigue habiendo huecos de generacin trmica (muy pocos). El nmero de huecos se llama p (huecos/m3).

SEMICONDUCTORES EXTRNSECOS TIPO N: Es el que est impurificado con impurezas "Donadoras", que son impurezas pentavalentes. Como los electrones superan a los huecos en un semiconductor tipo n, reciben el nombre de "portadores mayoritarios", mientras que a los huecos se les denomina "portadores minoritarios".

En la figura se presenta la estructura cristalina del Silicio (Si) dopado con Antimonio (Sb) al introducirse un tomo de impurezas de este elemento, hecho por el que recibe el nombre de semiconductor extrnseco.

SEMICONDUTORES EXTRNSECOS TIPO P: Es el que est impurificado con impurezas "Aceptoras", que son impurezas trivalentes. Como el nmero de huecos supera el nmero de electrones libres, los huecos son los portadores mayoritarios y los electrones libres son los minoritarios. En la figura se presenta la estructura cristalina del Silicio (Si) dopado con Aluminio (Al). Por cada tomo de impurezas trivalente que se aade al semiconductor intrnseco aparece en la estructura un hueco, o lo que es lo mismo, la falta de un electrn.

Estructura

EFECTO FOTOVOLTAICO

EFECTO FOTOVOLTAICO
El efecto fotovoltaico, por cuya formulacin recibi Albert Einstein su premio Nobel en 1921, slo se produce sobre los materiales denominados semiconductores, como el silicio, con el que tambin se fabrican los microchips informticos. La mayor parte de las clulas solares son de silicio, el segundo elemento ms abundante sobre nuestro planeta. Para producir electricidad solar, es necesario contar con un panel o mdulo solar compuesto por una o ms clulas solares. Cuando la luz del sol incide sobre las clulas, el material absorbe las partculas de luz, denominadas fotones. Cada fotn contiene una pequea cantidad de energa. que puede provocar la liberacin de electrones en el material de la clula solar.

En el efecto fotoelctrico se observaba que si un haz de luz incida en una placa de metal produca electricidad en el circuito. Presumiblemente, la luz liberaba los electrones del metal, provocando su flujo. Sin embargo, mientras que una luz azul dbil era suficiente para provocar este efecto, incluso la ms fuerte e intensa luz roja no lo provocaba. De acuerdo con la teora ondulatoria, la fuerza o amplitud de la luz se hallaba en proporcin con su brillantez: La luz ms brillante debera ser ms que suficiente para crear el paso de electrones por el circuito. Sin embargo, extraamente, no lo produca. Einstein lleg a la conclusin de que los electrones eran expelidos fuera del metal por la incidencia de fotones. Cada fotn individual acarreaba una cantidad de energa E, que se encontraba relacionada con la frecuencia de la luz, mediante la siguiente ecuacin:

Zona carga espacial (ZCE)

+ -

Estructura de una Celda Solar

Estructura

Principio de operacin de una Celda Solar

Generacin de corriente
La corriente generada se llama fotocorriente y se representa por IL

+ + -

Generacin de corriente

+
V

+ -

- - - - + + + + + + + + + +

IL

IV