INFORME PREVIO

1. Describa la operacin del JFET

Los transistores son tres zonas semiconductoras juntas dopadas alternativamente con purezas donadoras o aceptadoras de electrones. Su estructura y representacin se muestran en la tabla. Modelo de transistor FET canal n

Modelo de transistor FET canal p

Las uniones Puerta-Drenador y la Surtidor-Puerta estn polarizadas en inversa de tal forma que no existe otra corriente que la inversa de saturacin de la unin PN. La zona n (en el FET canal n) es pequea y la amplitud de la zona de deplexin afecta a la longitud efectiva del canal. La longitud de la zona de deplexin y depende de la tensin inversa (tensin de puerta). Zonas de funcionamiento del transistor de efecto de campo (FET):

ZONA HMICA o LINEAL: En esta zona el transistor se comporta como una resistencia variable dependiente del valor de VGS. Un parmetro que aporta el fabricante es la resistencia que presenta el dispositivo para VDS=0 (rds on), y distintos valores de VGS. ZONA DE SATURACIN: En esta zona es donde el transistor amplifica y se comporta como una fuente de corriente gobernada por VGS 3. ZONA DE CORTE: La intensidad de drenador es nula (ID=0).

A diferencia del transistor BJT, los terminales drenador y surtidor del FET pueden intercambiar sus papeles sin que se altere apreciablemente la caracterstica V-I (se trata de un dispositivo simtrico).

La operacin de un FET de CANAL P es complementaria a la de un FET de CANAL N, lo que sigmifica que todos los voltajes y corrientes son de sentido contrario.

2. Cules son las caractersticas del drenaje de un JFET?

Obtencin de la curva de transferencia para las caractersticas de drenaje Se observa de esta figura que cuando VGS = 0V, ID = IDSS y cuando VGS = Vp , ID = 0A , tal y como se mencion anteriormente. La curva ms ampliamente usada para el anlisis de circuitos con FET es la curva de ID en funcin de VGS. Para determinar la curva de transferencia se puede determinar una ecuacin para el nivel resultante de VGS y para un nivel dado de ID, usando la ecuacin de Shockley, es

La curva puede trazarse con un nivel satisfactorio tomando slo cuatro puntos correspondientes de VGS o de ID. Por ejemplo, si VGS = Vp / 2 se obtiene de la ecuacin de Shockley que ID = 0.25 IDSS y si tomamos ID = 0.25 IDSS, entonces de la ecuacin para VGS resulta que VGS = 0.5 Vp. De acuerdo a esto resulta la siguiente tabla prctica para dibujar la curva de transferencia con slo cuatro puntos (tcnica de los 4 puntos):

Funcin de transferencia dibujada a partir de cuatro puntos correspondientes de VGS o de ID

Zonas de operacin del FET.

3. Cules son las caractersticas de transferencia?

CARACTERISTICA DE TRANSFERENCIA La caracterstica tensin - corriente de la figura (2.03) muestra que la corriente de drenaje en la zona de saturacin del canal depende de la tensin de puerta - fuente. La caracterstica de transferencia muestra el funcionamiento del dispositivo como fuente de corriente controlada por tensin, este modo de operacin es la base para el funcionamiento del FET en circuitos amplificadores. La zona de saturacin del canal est determinada por las siguientes relaciones de las tensiones:

La expresin analtica que relaciona iD con vGS responde aproximadamente a una ley cuadrtica:

resultando la caracterstica de transferencia la mostrada en la figura para ambos tipos de transistores de efecto de campo de juntura. No existe una relacin lineal entre la entrada y la salida en un FET, la relacin entre ID y VGS se define por la ecuacin de Shockley:

Donde VGS es la variable de control y Vp e IDSS son constantes. La forma grfica de esta funcin recibe el nombre de curva de transferencia. El trmino cuadrtico dar por resultado una relacin no lineal entre ID y VGS, produciendo una curva que crece exponencialmente con las magnitudes decrecientes de VGS. La curva ms ampliamente usada para el anlisis de circuitos con FET es precisamente la curva de ID en funcin de VGS, por lo tanto, slo dando valores de IDSS y Vp en la ecuacin de Shockley se definen los lmites de la curva de transferencia y slo resta encontrar unos cuantos puntos intermedios para completar la curva de transferencia. Curva de transferencia de un FET canal n aplicando la ecuacin de Shockley La grfica anterior tambin se puede determinar a partir de las caractersticas de salida, como se muestra en la siguiente figura: