Circuitos Elctricos y Electrnicos 17 En el transformador que se muestra en la figura 1 tiene N P espiras de alambre sobre su lado primario y N S deespiras de alambre

en su lado secundario. La relacin entre el voltaje V P (t) aplicado al lado primario deltransformador y el voltaje V S (t) inducido sobre su lado secundario esV P (t) / V S (t) = N P /N S = aEn donde a se define como la relacin de espiras del transformadora = N P /N S La relacin entre la corriente ip(t) que fluye en el lado primario del transformador y la corriente is(t)que fluye hacia fuera del lado secundario del transformador esN P * i P (t) =N S *i S (t)i P (t) / i S (t) = 1 / aEn trminos de cantidades fasoriales, estas ecuaciones sonV P /V S = aI P /I S = 1 / aNtese que el ngulo de la fase de V P es el mismo que el ngulo de V S y la fase del ngulo I P es la misma que lafase del ngulo de I

S . La relacin de espiras del transformador ideal afecta las magnitudes de los voltajes ycorrientes, pero no sus ngulos.Las ecuaciones anteriores describen la relacin entre las magnitudes y los ngulos de los voltajes y lascorrientes sobre los lados primarios y secundarios del transformador, pero dejan una pregunta sin respuesta:dado que el voltaje del circuito primario es positivo en un extremo especifico de la espira, cul seria lapolaridad del voltaje del circuito secundario?. En los transformadores reales seria posible decir la polaridadsecundaria, solo si el transformador estuviera abierto y sus bobinas examinadas. Para evitar esto, lostransformadores usan la conveccin de puntos. Los puntos que aparecen en un extremo de cada bobina en lafigura1 muestran la polaridad del voltaje y la corriente sobre el lado secundario del transformador. Larelacin es como sigue:1.- Si el voltaje primario es positivo en el extremo punteado de la bobina con respecto al extremo nopunteado, entonces el voltaje secundario ser tambin positivo en el extremo punteado. Las polaridades devoltaje son las mismas con respecto al punteado en cada lado del ncleo.2.- Si la corriente primaria del transformador fluye hacia dentro del extremo punteado de la bobinaprimaria, la corriente secundaria fluir haca afuera del extremo punteado de la bobina secundaria.

Circuitos Elctricos y Electrnicos 18 POTENCIA DEL TRANSFORMADOR IDEALLa potencia suministrada al transformador por el circuito primario se expresa por medio de la ecuacinP ent =V P *I P * cos q P En donde q p es el ngulo entre el voltaje y la corriente secundaria. La potencia que el circuito secundariosuministra a sus cargas se establece por la ecuacin:P sal =V S *I S * cos q S

En donde q s es el ngulo entre el voltaje y la corriente secundarios. Puesto que los ngulos entre el voltaje yla corriente no se afectan en un transformador ideal, q p=q s=q . Las bobinas primaria y secundaria de untransformador ideal tienen el mismo factor de potencia.Cmo se compara la potencia que va al circuito primario del transformador ideal, con la potencia que salepor el otro lado?Es posible averiguarlo por medio de las ecuaciones de voltaje y corriente. La potencia que sale de untransformador es:P sal =V S *I S * cos qAplicando las ecuaciones de relacin de espiras nos resulta Vs = Vp / a y Is = a * Ip as queP sal = (V P /a) * a * I P * cos qP sal =V P *I P * cos q = P ent De donde, la potencia de salida de un transformador ideal es igual a su potencia de entrada.La misma relacin se aplica a la potencia reactiva Q y la potencia aparente S.Q ent =V P *I P *sen q = V S *I S *sen q = Q sal S ent =V P *I P =V S *I S =S sal Transformacin de la impedancia por medio de un transformadorLa impedancia de un artefacto o un elemento se define como la relacin fasorial entre el voltaje y lacorriente que lo atraviesan:Z L

=V L/ Z L Una de las propiedades interesantes de un transformador es que puesto que cambia los niveles de voltaje ocorriente, tambin cambia la relacin entre el voltaje y corriente y por consiguiente, la impedancia aparentede un elemento. Para entender mejor esta idea vase la siguiente figura 2.

Circuitos Elctricos y Electrnicos 19 Figura 2. a) Definicin de impedancia. b) Escalamiento de la impedancia a travs de un transformadorSi la corriente secundaria se llama Is y el voltaje secundario Vs, entonces la impedancia de la carga total seexpresa porZ L =V S/ Z S La impedancia aparente del circuito secundario primario del transformador esZ L =V P /Z P Como el voltaje primario se puede expresarV P =a *V S Y la corriente primariaI P =I S / aLa impedancia del primario esZ L =V P /Z P = (a * V S ) / (I S /a) = a * (V S / I S )Z L = a * Z L

Circuitos Elctricos y Electrnicos 20 UNIDAD II ELECTRONICA ANALOGICA 2.1 CARACTERISTICAS DE LOS SEMICONDUCTORES Un semiconductor es un elemento con propiedades elctricas entre las de un conductor y un aislante. Sonmateriales que ocupan una oposicin intermedia entre los aislantes y los conductores. Los primeros poseenmuy pocas cargas mviles y, en consecuencia, presentan una resistencia muy alta al paso de la corriente(idealmente una resistencia infinita). La resistencia elctrica que presentan los segundos es muy baja(idealmente cero) debido a su riqueza en dichas cargas. Los semiconductores suelen ser aislantes a cerogrados Kelvin, y permiten el paso de corriente a la temperatura ambiente. Esta capacidad de conducircorriente puede ser controlada mediante la introduccin en el material de tomos diferentes al delsemiconductor, denominados impurezas. Cuando un semiconductor posee impurezas se dice que est dopado.Son elementos, como el germanio y el silicio, que a bajas temperaturas son aislantes. Pero a medida que seeleva la temperatura o bien por la adiccin de determinadas impurezas resulta posible su conduccin. Suimportancia en electrnica es inmensa en la fabricacin de transistores, circuitos integrados, etc.

Circuitos Elctricos y Electrnicos 21 2.2 SILICIO, GERMANIO Y MATERIALES P y N Silicio El tomo de silicio posee catorce electrones. De stos, los cuatro ms alejados del ncleo son los electronesde valencia que participan en los enlaces con otros tomos. El silicio es, por tanto, un tomo tetravalente .El silicio que se utiliza para fabricar dispositivos electrnicos es un monocristal cuya estructura cristalina sedenomina de diamante. Se utiliza en aleaciones, en la preparacin de las siliconas, en la industria de lacermica tcnica y, debido a que es un material semiconductor muy abundante, tiene un inters especial enla industria electrnica y microelectrnica como material bsico para la creacin de obleas o chips que sepueden implantar en transistores, pilas solares y una gran variedad de circuitos electrnicos. Cada tomo desilicio est unido a otros cuatro mediante enlaces covalentes. Un enlace covalente se forma entre dos tomosque comparten dos electrones. Cada uno de los electrones del enlace es aportado por un tomo diferente.Resulta muy engorroso trabajar con la representacin cristalina tridimensional. Por ello suele recurrirse a unesquema bidimensional, denominado modelo de enlaces, en el que se representa la caracterstica esencial dela estructura cristalina: cada tomo est unido a cuatro tomos vecinos mediante enlaces covalentes. En estemodelo cada tomo dedica sus cuatro electrones de valencia a constituir cuatro enlaces covalentes. Germanio El germanio pertenece a la misma familia qumica que el carbono, el silicio y el plomo; se parece a estoselementos en que todos ellos forman derivados orgnicos como el tetraetilo de

germanio y el tetrafenilo degermanio. Se encuentra en pequeas cantidades en yacimientos de plata, cobre y cinc, as como en el mineralgermanita, que contiene un 8% de germanio. El elemento y sus compuestos tienen numerosas aplicaciones.Los cristales de germanio convenientemente tratados tienen la propiedad de rectificar o permitir el paso de lacorriente elctrica en un solo sentido. Su uso es en semiconductores y transistores. En forma de monocristalespara la fabricacin de elementos pticos (lentes, prismas y ventanas) para espectroscopa infrarroja:Espectroscopios, detectores de infrarrojos. El alto ndice de refraccin del xido de germanio lo hace til parala fabricacin de lentes gran angular de cmaras fotogrficas y objetivos de microscopio.

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