Tema 6

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DISPOSITIVOS ELECTRNICOS II
Dispositivos Electrnicos II
CURSO 2010-11
Tema 6 Tema 6
RESPUESTA EN RESPUESTA EN FRECUENCIA DE FRECUENCIA DE AMPLIFICADORES AMPLIFICADORES

Miguel ngel Domnguez Gmez Camilo Quintns Graa
DEPARTAMENTO DE TECNOLOGA ELECTRNICA
UNIVERSIDAD DE VIGO
ESCUELA TCNICA SUPERIOR DE INGENIEROS DE TELECOMUNICACIN
DE-II DE-
Tema 6: Respuesta en frecuencia
INDICE INDICE
RESPUESTA EN FRECUENCIA (I) RESPUESTA EN FRECUENCIA (I)
DE-II DE-
INDICE INDICE

1. INTRODUCCIN
1.1. Circuitos equivalentes 1.2. Objetivo 1.3. Diagramas de Bode
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INDICE INDICE

1. INTRODUCCIN
2. MODELO EN PI DEL TRANSISTOR BIPOLAR
DE-II DE-
INDICE INDICE

1. INTRODUCCIN
2. MODELO EN PI DEL TRANSISTOR BIPOLAR 3. MODELO DEL TRANSISTOR UNIPOLAR EN ALTA FRECUENCIA
DE-II DE-
INDICE INDICE

1. INTRODUCCIN
2. MODELO EN PI DEL TRANSISTOR BIPOLAR 3. MODELO DEL TRANSISTOR UNIPOLAR EN ALTA FRECUENCIA 4. RESPUESTA DE LA GANANCIA DE CORRIENTE DE UNA ETAPA EN EMISOR COMN CON SALIDA EN CORTOCIRCUITO
DE-II DE-
INDICE INDICE

1. INTRODUCCIN
2. MODELO EN PI DEL TRANSISTOR BIPOLAR 3. MODELO DEL TRANSISTOR UNIPOLAR EN ALTA FRECUENCIA 4. RESPUESTA DE LA GANANCIA DE CORRIENTE DE UNA ETAPA EN EMISOR COMN CON SALIDA EN CORTOCIRCUITO 5. RESPUESTA DE LA GANANCIA DE CORRIENTE DE UNA ETAPA EN EMISOR COMN CON CARGA RESISTIVA
DE-II DE-
INTRODUCCIN INTRODUCCIN
1. INTRODUCCIN 1. INTRODUCCIN
1.1 CIRCUITOS EQUIVALENTES 1.1 CIRCUITOS EQUIVALENTES Estudio de las propiedades dinmicas de los amplificadores en pequea seal incluyendo las capacidades en el anlisis: Condensadores de acoplo y desacoplo -> Hacen que la ganancia disminuya Condensadores de acoplo y desacoplo en bajas frecuencias (BF) Capacidades internas del transistor Capacidades internas del transistor -> Hacen que la ganancia disminuya en alta frecuencia (AF)
BF
Frecuencias medias
AF
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B.F.
Frecuencias medias
A.F.
Circuitos equivalentes del transistor

a) Frecuencias medias: - Ignorar las capacidades internas del transistor - Considerar los condensadores de acoplo y dasacoplo como cortocircuitos - Considerar la ganancia constante b) Bajas frecuencias: - Ignorar las capacidades internas del transistor - Incluir los condensadores de acoplo y desacoplo - Si s=jw -> => aproximar los resultados a frecuencias medias c) Alta frecuencia: - Incluir las capacidades internas del transistor - Considerar los condensadores de acoplo y desacoplo como cortocircuitos - Si s=jw -> 0 => aproximar los resultados a frecuencias medias
DE-II DE-
1.2 OBJETIVO 1.2 OBJETIVO Obtener una estimacin de la curva de respuesta en frecuencia de un amplificador mediante un anlisis manual aproximado. -Anlisis de cada una de las tres zonas (BF, F. Medias, AF) por separado. -Utilizacin de circuitos equivalentes sencillos para los transistores.
Simulacin por ordenador (ORCAD PSPICE) Simulacin por ordenador (ORCAD PSPICE) Permite obtener curvas de respuesta en frecuencia de gran precisin.
Anlisis manual aproximado Anlisis manual aproximado - Idea de las principales razones fsicas de que una curva tenga una determinada forma. - Sugiere como mejorar el diseo.
DE-II DE-
1.3 DIAGRAMAS DE BODE 1.3 DIAGRAMAS DE BODE
Expresin de la ganancia
* Respuesta general
K s q (s + z1 )(s + z 2 )L (s + z M ) A( s ) = (s + p1 )(s + p2 )L (s + pN )
q
* Para excitacin senoidal
j j j K P ( j ) z + 1 z + 1 L z + 1 1 2 M A( j ) = j j j p + 1 p + 1 L p + 1 1 2 N
KP = K
z
m =1 N n =1
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* En decibelios
A( j ) dB = 20 log K P + 20q log j + 20 log j

m =1
zm
+1
20 log j
n =1
a) Factor constante
pn
+1
Factor constante
dB
- Positivo si |KP| > 1 (Amplificacin)
KP
20 log K P
- Negativo si |KP| < 1 (Atenuacin)
20log|KP|
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b) Cero en =0 -20 dB si =0.1
20 log =
0 dB si =1 +20 dB si =10 +40 dB si =100
Pendiente positiva de +20 dB por dcada Corta al eje de frecuencias en =1 c) Polo en =0

+20 dB si =0.1
20 log
= 20 log
0 dB si =1 -20 dB si =10 -40 dB si =100
Pendiente negativa de -20 dB por dcada Corta al eje de frecuencias en =1
DE-II DE-
b) Cero en =0 -20 dB si =0.1

Cero en =0
dB
20 log =
0 dB si =1 +20 dB si =10 +40 dB si =100

0
+20 dB/dec 1

+20 dB si =0.1
20 log
= 20 log
0 dB si =1 -20 dB si =10 -40 dB si =100
DE-II DE-
b) Cero en =0 -20 dB si =0.1

Cero en =0
dB
20 log =
0 dB si =1 +20 dB si =10 +40 dB si =100

0
+20 dB/dec 1

+20 dB si =0.1
Polo en =0
dB 0 1 -20 dB/dec
20 log
= 20 log
0 dB si =1 -20 dB si =10 -40 dB si =100
1/j
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d) Cero en =|zi|
Cero en =|zi|
20 log j
zi
0 dB si <<|zi|
dB
+1
20 log
j/zi + 1
zi
si >>|zi|
+20 dB/dec 0 |zi|
(+20 dB por dcada) Para =|zi| => 20log|j+1| +3 dB e) Polo en =|pk|
20 log j
1 +1
=
dB
Polo en =|pk| 1/(j/pk + 1)

|pk| -20 dB/dec
pk
20 log j
pk
0 dB si <<|pk|
+1
20 log
pk
si >>|pk|
(-20 dB por dcada) Para =|pk| => -20log|j+1| -3 dB
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DE-II DE-
Adicin grfica de diagramas de Bode (mdulo)

Se expresa la funcin compleja A(s) como cociente de polinomios con trminos constante, ceros o polos en el origen, ceros y polos Se calcula y representa el trmino constante KP en dB para =1 rads-1 Se aade el termino cero/polo en el origen: recta de pendiente 20 dB/dec, que pasa por (1 rads-1, Kp)
Se aade la contribucin de ceros (zn) y polos (pm): - desde la menor frecuencia de corte, en orden creciente de - cada curva no aade cambio hasta la frecuencia de corte (o dB) Un cero o polo de multiplicidad k, proporciona cambios de pendiente de 20k dB/dec
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DE-II DE-
Expresin de la ganancia (fase)

* Para excitacin senoidal
j j j K P ( j ) z + 1 z + 1 L z + 1 M 2 1 A( j ) = j j j p + 1 p + 1 L p + 1 N 2 1
q
* En grados
N [ A( j )] = c + q 90 + arctg arctg m =1 z m n =1 pn
M
c =
0 si Kp0 180 si Kp<0
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* Aproximacin asinttica
arctg a
arctg 0 = 0 arctg = 90
si <<a si >>a si =a
Polo en =p dB 0 0,1 p p 10 p
arctg [1] = 45
0,1 a arctg = 5,7 a 10 a arctg = 84,3 a

- Zm suma 90 en dos dcadas - pn resta 90 en dos dcadas
-20
fase 0 -45 -90 0,1 p p 10 p
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* Ejemplo
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MODELO EN PI MODELO EN PI DEL TRANSISTOR DEL TRANSISTOR
2. MODELO EN PI DEL TRANSISTOR 2. MODELO EN PI DEL TRANSISTOR

Modelo de Giacoletto
Para frecuencias f<< 1/B, siendo B el tiempo medio de trnsito de los minoritarios a travs de la base, el comportamiento del transistor puede ser representado por este modelo:
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DE-II DE-
B base interna del transistor (no accesible) rbb rbe Resistencia de dispersin de base (100 ) Representa la resistencia hmica desde B al contacto externo B Resistencia de la unin base-emisor (1 k) Representa la corriente de recombinacin en la base ante el exceso de minoritarios inyectados Resistencia de salida (80 k) Resistencia de salida debida al aumento de IC con VCE (modulacin de la anchura de la base) Resistencia de realimentacin interna por efecto Early (4 M) Tiene en cuenta el efecto Early (modulacin de la anchura de la base al variar VCB) Capacidad de la unin base-emisor Bajo polarizacin directa coincidir con la capacidad de difusin de la unin base-emisor (100 pF) Capacidad de la unin colector-base Coincide prcticamente con la capacidad de transicin de la unin colector-base (3 pF) Transconductancia (50 mA/V) Expresa el hecho fsico de que el exceso de minoritarios inyectados en la base, y por tanto la corriente de colector, es proporcional a Vbe
MODELO EN PI MODELO EN PI DEL TRANSISTOR DEL TRANSISTOR
rce
rbc
Cbe
Cbc
gm
gm =
IC Vb 'e V
ce = 0
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MODELO DEL MODELO DEL TRANSISTOR TRANSISTOR UNIPOLAR UNIPOLAR
3. MODELO DEL TRANSISTOR UNIPOLAR PARA ALTA 3. MODELO DEL TRANSISTOR UNIPOLAR PARA ALTA FRECUENCIA FRECUENCIA
JFET gm rd Cgs, Cgd Cds 0,1 10 mA/V 0,1 1 M 1 10 pF 0,1 1 pF
MOSFET 0,1 20 mA/V 1 50 k 1 10 pF 0,1 1 pF
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DE-II DE-
Estudio de la ganancia en tensin de una etapa en fuente comn

MODELO DEL MODELO DEL TRANSISTOR TRANSISTOR UNIPOLAR UNIPOLAR
Cgd RD
+ + + +
vi
-
vo
-
vi = vgs
-
Cgs
gmvi
rd
RD
vo
-
(vi vo ) s C gd
vo = g m vi + AV (s ) = (rd // RD )
s C gd g m 1 1 s C gd + R +r D d
* A frecuencias medias
AV (s ) = g m (rd // RD )
* A frecuencias altas AV -> 1 (el efecto de los condensadores es disminuir la ganancia en alta frecuencia)
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DE-II DE-
RESPUESTA DE LA GANANCIA RESPUESTA DE LA GANANCIA DE CORRIENTE DE UNA DE CORRIENTE DE UNA ETAPA EN EMISOR COMN ETAPA EN EMISOR COMN
4. RESPUESTA DE LA GANANCIA DE CORRIENTE DE 4. RESPUESTA DE LA GANANCIA DE CORRIENTE DE UNA ETAPA EN EMISOR COMN CON SALIDA EN UNA ETAPA EN EMISOR COMN CON SALIDA EN CORTOCIRCUITO CORTOCIRCUITO
Anlisis de la ganancia en corriente inherente al transistor en funcin de la frecuencia. El anlisis con salida en cortocircuito asegura que se reflejen las limitaciones del dispositivo, por si mismo, independientemente de los componentes externos del transistor. * Circuito equivalente rbb B Ii
+
Cbc C rbe Cbe gmvbe rce IL E B
vbe
-
rbb B Ii
+
C rbe Cbe+ Cbc gmvbe IL E
vbe
-
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DE-II DE-
rbb B Ii
+
RESPUESTA DE LA GANANCIA RESPUESTA DE LA GANANCIA DE CORRIENTEDE UNA ETAPA DE CORRIENTEDE UNA ETAPA EN EMISOR COMN EN EMISOR COMN
B C rbe
-
vbe
Cbe+ Cbc
gmvbe
IL E
1 I i = vb 'e + s(Cb 'e + Cb 'c ) rb 'e I L = g m vb 'e

Ai ( f ) = gm =
Ai (s ) =
gm 1 + s(Cb 'e + Cb 'c ) rb 'e

h fe = h fe f 1 + j f
1 + j 2f (Cb 'e + Cb 'c ) 1 + j 2f (Cb 'e + Cb 'c ) rb 'e rb 'e

hfe= gm rbe
1 f = 2 (Cb 'e + Cb 'c ) rb 'e
20
DE-II DE-
El mdulo de la ganancia de corriente es:
Ai =
h fe f 1+ f
2
Si
Si
f = f Ai =
( BF )
h fe 2
Por lo que f representa la frecuencia de corte a 3 dB
f << f Ai = h fe
( para
RL = 0 )
A qu frecuencia |Ai|=1?
A esa frecuencia se le llama fT (frecuencia de transicin) y su valor es:
fT 1 + = h fe f
Como fT>>f se puede despreciar el 1 y el resultado Aproximado sera:
gm gm fT h fe fT f h fe = f 2 (Cb 'e + Cb 'c ) 2Cb 'e
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DE-II DE-
Ai se puede expresar en funcin de fT en vez de f:
Ai
h fe 1 + jh fe f fT
fT depende de la corriente de polarizacin de colector presentando un mximo. Valores tpicos: f = 1,6 MHz fT = 80 MHz
El diagrama de Bode de la ganancia de corriente
|Ai| dB |pk| hfe 3 dB
fT (MHz) 300 200 100 1 10 IC (mA) 100
0 f fT
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DE-II DE-
RESPUESTA DE LA GANANCIA DE RESPUESTA DE LA GANANCIA DE CORRIENTE EN EMISOR COMN CORRIENTE EN EMISOR COMN CON CARGA RESISTIVA CON CARGA RESISTIVA
5. RESPUESTA DE LA GANANCIA DE CORRIENTE DE 5. RESPUESTA DE LA GANANCIA DE CORRIENTE DE UNA ETAPA EN EMISOR COMN CON CARGA UNA ETAPA EN EMISOR COMN CON CARGA RESISTIVA RESISTIVA
* Circuito equivalente
rbb B Ii
+
Cbc IL rbe Cbe gmvbe rce RL E C
vbe
-
23
DE-II DE-
Teorema de Miller
En muchos circuitos, una impedancia Z puentea la entrada y la salida de un amplificador, dando como resultado una compleja funcin de ganancia difcil de obtener y de interpretar.
RS
V1
V2
VS
Z1
gmV1
ZL
El teorema de Miller origina un circuito de polos aislados con aproximadamente la misma frecuencia de corte superior que el amplificador original
+ +
Z
+
I1 Z1
I2 Z2
V1 I1
-
I2 V2
-
<=>
V1
-
V2
-
Z1 =
Z 1 K
Z2 =
Z 1 1 K
K=
V2 V1
Ganancia de Miller
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DE-II DE-
Z
+ +
I1 Z1
I2 Z2
V1 I 1
-
I2 V2
-
<=>
V1
-
V2
-
Z1 =
Z 1 K
Z2 =
Z 1 1 K
K=
V2 V1
V1 V2 V1 = Z Z1
En efecto:
Z V1 Z Z Z1 = = = V1 V2 1 V2 1 K V1 Z V2 Z Z Z2 = = = 1 V1 V2 V1 1 1 V2 K
V2 V1 V2 = Z Z2
En los circuitos que se van a estudiar:
Z =
K
1 j C
(impedancia de un condensador)
Ganancia de Miller aproximada -gmRL (nmero negativo y grande)
= R
(carga resistiva)
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DE-II DE-
RS
V1
V2
VS
Z1
gmV1
ZL
RS CM C
VS
Z1
gmV1
RL
CM = C (1 K )
CM Condensador Miller (muy grande) (1-K) Multiplicador Miller o Efecto Miller
1 C 1 C K
Debido al multiplicador Miller, el condensador Miller del circuito de entrada suele ser responsable de un polo en alta frecuencia a una frecuencia sorprendentemente pequea
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DE-II DE-
Anlisis del circuito equivalente
* Circuito equivalente rbb B Ii

+
Cbc IL rbe Cbe gmvbe rce RL E C
vbe
-
Aplicando Miller a Z=1/jCbc se obtiene:
1 Z1 = jCb 'c (1 K ) 1 Z2 = 1 j C b ' c 1 K
27
DE-II DE-
A efectos de anlisis el circuito se puede transformar en el siguiente:
rbb B Ii
+
B C rbe
-
vbe
Cbe+ Cbc (1-K)
gmvbe
IL
Cbc (1-1/K)
RL E
Se ha despreciado rce por suponer que RL << rce (vlido si RL 2K)
Si se supone que |K| >> 1, y que su valor no depende de la frecuencia, entonces:
1 C b ' c 1 Cb ' c K
28
DE-II DE-
rbb B Ii
+
B C rbe
-
vbe
Cbe+ Cbc (1-K)
gmvbe
IL
Cbc (1-1/K)
RL E
Vce K= = g m RL Vb 'e
(se toma el valor de BF) Valores tpicos entre 20 y 200
La entrada produce un polo por efecto de Cbe+ Cbc (1-K) cuya constante de tiempo resulta del orden de cientos de ns La salida produce un polo por efecto de Cbc (1-1/K) Cbc cuya constante de tiempo es del orden de varios ns
El ancho de banda queda limitado por el circuito de entrada (por lo que queda como entrada despus de aplicar Miller)
29
DE-II DE-
La frecuencia de corte a 3 dB es:
1 fH = 2 rb 'e C
C = Cb 'e + Cb 'c (1 + g m RL )
Deduccin de la ganancia de corriente:
1 I i = vb 'e + s C rb 'e
I L = g m vb 'e
h fe = g m rb 'e
h fe f 1 + j f H
h fe g m rb 'e vb 'e = = Ai ( f ) = vb 'e (1 + rb 'e j C ) 1 + j rb 'e C

Ai = h fe f 1+ f H
2
Esta expresin es similar a la obtenida para salida en cortocircuito si cambiamos f por fH. fH < f => menor ancho de banda
En todo el clculo se ha supuesto el amplificador alimentado por un generador ideal de corriente Ii

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2. MODELO EN PI DEL TRANSISTOR BIPOLAR

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Circuitos equivalentes del transistor

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1.3 DIAGRAMAS DE BODE 1.3 DIAGRAMAS DE BODE

* Para excitacin senoidal

Tema 6: Respuesta en frecuencia

A( j ) dB = 20 log K P + 20q log j + 20 log j

- Positivo si |KP| > 1 (Amplificacin)

- Negativo si |KP| < 1 (Atenuacin)

b) Cero en =0 -20 dB si =0.1

0 dB si =1 +20 dB si =10 +40 dB si =100

Pendiente positiva de +20 dB por dcada Corta al eje de frecuencias en =1 c) Polo en =0

0 dB si =1 -20 dB si =10 -40 dB si =100

Pendiente negativa de -20 dB por dcada Corta al eje de frecuencias en =1

b) Cero en =0 -20 dB si =0.1

0 dB si =1 +20 dB si =10 +40 dB si =100

Pendiente positiva de +20 dB por dcada Corta al eje de frecuencias en =1 c) Polo en =0

0 dB si =1 -20 dB si =10 -40 dB si =100

Pendiente negativa de -20 dB por dcada Corta al eje de frecuencias en =1

b) Cero en =0 -20 dB si =0.1

0 dB si =1 +20 dB si =10 +40 dB si =100

Pendiente positiva de +20 dB por dcada Corta al eje de frecuencias en =1 c) Polo en =0

0 dB si =1 -20 dB si =10 -40 dB si =100

Pendiente negativa de -20 dB por dcada Corta al eje de frecuencias en =1

(+20 dB por dcada) Para =|zi| => 20log|j+1| +3 dB e) Polo en =|pk|

Tema 6: Respuesta en frecuencia

Polo en =|pk| 1/(j/pk + 1)

(-20 dB por dcada) Para =|pk| => -20log|j+1| -3 dB

Adicin grfica de diagramas de Bode (mdulo)

Tema 6: Respuesta en frecuencia

Expresin de la ganancia (fase)

Tema 6: Respuesta en frecuencia

0 si Kp0 180 si Kp<0

Tema 6: Respuesta en frecuencia

0,1 a arctg = 5,7 a 10 a arctg = 84,3 a

fase 0 -45 -90 0,1 p p 10 p

Tema 6: Respuesta en frecuencia

MODELO EN PI MODELO EN PI DEL TRANSISTOR DEL TRANSISTOR

2. MODELO EN PI DEL TRANSISTOR 2. MODELO EN PI DEL TRANSISTOR

Tema 6: Respuesta en frecuencia

MODELO EN PI MODELO EN PI DEL TRANSISTOR DEL TRANSISTOR

Tema 6: Respuesta en frecuencia

MODELO DEL MODELO DEL TRANSISTOR TRANSISTOR UNIPOLAR UNIPOLAR

JFET gm rd Cgs, Cgd Cds 0,1 10 mA/V 0,1 1 M 1 10 pF 0,1 1 pF

MOSFET 0,1 20 mA/V 1 50 k 1 10 pF 0,1 1 pF

Estudio de la ganancia en tensin de una etapa en fuente comn