Tema 7.

Propiedades elctricas de los materiales

1.

Generalidades
Portadores elctricos y enlace atmico Teora de bandas

2.

Conductividad elctrica
Metales Aislantes (cermicos) y polmeros Semiconductores

3.

Aislantes y propiedades dielctricas

Aislamiento elctrico Polarizacin y constante dielctrica Piezoelectricidad y ferroelectricidad

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ndice

Importancia de las propiedades elctricas

En materiales conductores, p.ej. metales (hilo de cobre), se precisa una alta conductividad elctrica para transportar corriente elctrica y energa sin prdidas En materiales aislantes, p.ej. cermicos o polmeros, se precisa una conductividad elctrica muy baja (dielectricidad) para impedir la ruptura dielctrica del material y los arcos elctricos entre conductores En materiales semiconductores:
P.ej.: dispositivos fotoelctricos. Se necesita optimizar sus propiedades elctricas para que con ellos se puedan fabricar fuentes prcticas y eficientes de energas alternativas P. ej. Transistores, circuitos lgicos, etcEl estudio y posterior mejora de sus propiedades elctricas permite la fabricacin de chips y ordenadores ms rpidos y pequeos.

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Generalidades

Los portadores elctricos y el enlace atmico (I)

La carga elctrica (y su movimiento) es la responsable de las propiedades elctricas de un material Tipos de cargas elctricas mviles en un material: electrones, huecos (espacios dejados por los electrones) e iones Tipos de enlaces segn los materiales:
Metlico: los electrones estn compartidos por todos los ncleos atmicos del material (nube electrnico). Facilidad de movimiento. Covalente: los electrones estn compartidos por un par de tomos. Alto grado de localizacin electrnica y gran dificultad de movimiento por el material. Inico: iones positivos y negativos forman el material mediante fuertes interacciones electrostticas, por tanto, los electrones tienen una gran dificultad de movimiento por el material.

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Generalidades

Los portadores elctricos y el enlace atmico (II)

Movimiento de la carga elctrica (segn el tipo de enlace atmico)

Movimiento de la carga elctrica en el interior de un material (modelo microscpico)

a) En ausencia de un campo elctrico externo: movimiento aleatorio (colisiones con el entorno) sin direccin espacial r preferente < v > = 0 b) En presencia de un campo elctrico externo, E: la carga elctrica se desplaza por el material por medio de colisiones con el entorno y en una direccin resultante paralela a E

r < v > 0 I 0 corriente elctrica

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Generalidades

Modelo microscpico de la conduccin elctrica (I)

1.

En su movimiento por el material, las cargas elctricas colisionan con su entorno:

Red de ncleos atmicos y sus vibraciones (dependientes de la temperatura) Imperfecciones de la red de ncleos: defectos puntuales (impurezas, vacantes), defectos de lnea (dislocaciones) y defectos de superficie (fronteras de grano, lmites de la muestra, maclas,) Resto de las cargas elctricas ..

2. 3.

Las colisiones se resisten al movimiento libre de la carga elctrica y limitan su velocidad hasta cierto valor mximo, vm El tipo y nmero de colisiones depende, por tanto, de la estructura cristalina del material y de la temperatura. Propiedad intrnseca del material, resistividad elctrica, .
Generalidades 5

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Modelo microscpico de la conduccin elctrica (II)

1. Para un material de longitud l, seccin A y resistividad elctrica , la resistencia elctrica total que ofrece al movimiento de la corriente elctrica es R En cada colisin las cargas elctricas pierden cierta energa cintica que debemos reponer si queremos mantener una corriente elctrica constante, I. La energa necesaria para cada carga es V (ley de Ohm): La energa perdida por toda la corriente elctrica I en un tiempo t se transfiere al material cuya temperatura se eleva y comienza a irradiar calor (efecto Joule)
1) R = l A 2) V = IR

2.

3.

3) E = RI 2t
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Modelo microscpico de la conduccin elctrica (III)

Algunos parmetros tiles:
Conductividad elctrica, =1/ La densidad de corriente elctrica por unidad de rea: J=nqvm, o bien, J=E La movilidad de los portadores, =vm/E, o bien, =/nq
Sin embargo, este modelo no explica las diferencias entre las propiedades elctricas de los distintos metales (p.ej.) TEORA DE BANDAS
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Teora de bandas en la conduccin elctrica (I)

Niveles electrnicos en un tomo aislado
Orbitales s, p, d, f: niveles de energa discretos y nmeros cunticos Ocupacin de los orbitales: Principio de exclusin de Pauli (dos electrones en cada distinto nivel de energa)

Niveles electrnicos en un slido (unin de N tomos, donde N es del orden de 1023)

Necesidad de superponer N orbitales s, N orbitales p, N orbitales d Ocupacin de los N orbitales: Principio de exclusin de Pauli (dos electrones en cada distinto nivel de energa). Los orbitales de cada tomo deben, por tanto, diferenciarse levemente de los de otro tomo para que el slido pueda contener los 2N electrones Ensanchamiento de los orbitales en una banda (o rango de energas)

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Generalidades

Teora de bandas en la conduccin elctrica (II)

Los electrones del slido rellenan progresivamente las bandas de menor a mayor energa. Las bandas internas llenas NO colaboran al transporte de carga elctrica pues no hay posibilidad de excitar un electrn a otro nivel vaco. La banda externa o ltima S puede colaborar a las propiedades elctricas del material: Banda externa llena: los electrones pueden ser excitados a otra banda superior (necesariamente vaca) Banda externa no llena: los electrones pueden ser excitados a niveles energticos superiores (vacos) de la misma banda o a otra banda superior (necesariamente vaca)

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Generalidades

Teora de bandas en la conduccin elctrica (III)

La ltima banda de orbitales electrnicos de un slido que contenga electrones se denomina banda de valencia La primera banda de orbitales electrnicos de un slido que contenga niveles de energa vacos (no ocupados) se denomina banda de conduccin La energa del ltimo nivel energtico ocupado a T=0 K se denomina energa de Fermi Conduccin elctrica de carga: un aporte de energa adicional excita a los electrones de la banda de valencia hasta los niveles de la banda de conduccin:
-La carga elctrica podr ser transportada por dichos electrones de la banda de conduccin o por los huecos dejados en la banda de valencia (corriente elctrica de electrones o huecos) -La fuente de energa adicional puede ser la excitacin trmica o la aplicacin de un potencial elctrico externo
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La conductividad elctrica en los metales (I)

Estructura de bandas de los metales de la columna IA (tabla peridica), p.ej. el sodio
En el caso del sodio, 1s22s22p63s1 La ltima banda s est semillena (banda de valencia) y muy lejos de la siguiente banda p. Existe entre ellas una gran diferencia energtica: gap de energa Sin embargo, los electrones (3s) son excitados muy fcilmente dentro de la misma banda a los niveles vacos. La banda 3s es, simultneamente, la banda de valencia y de conduccin Alta conductividad elctrica

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La conductividad elctrica en los metales

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La conductividad elctrica en los metales (II)

Estructura de bandas de los metales de la columna IIA (tabla peridica), p.ej. el magnesio
En el caso del Magnesio, 1s22s22p63s23p0 La ltima banda s est llena y se solapa con la ltima banda p vaca (bandas de valencia y conduccin mezcladas). Los electrones (3s) son excitados muy fcilmente a niveles vacos superiores y muy cercanos (3p). Alta conductividad elctrica

Estructura de bandas de los metales de la columna IIIA (tabla peridica), p.ej. el aluminio
En el caso del Magnesio, 1s22s22p63s23p1 La ltima banda s est llena y se solapa con la ltima banda p semillena (bandas de valencia y conduccin mezcladas). Los electrones (3s y 3p) son excitados muy fcilmente a niveles vacos superiores y muy cercanos (3p). Alta conductividad elctrica.

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La conductividad elctrica en los metales

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La conductividad elctrica en los metales (III)

Estructura de bandas de los metales de transicin Columnas IIIB hasta VIIIB, (p.ej. desde el Sc hasta el Ni):
Banda d parcialmente ocupada Solapamiento d-s Interacciones magnticas que dificultan la conductividad elctrica (orbitales f)

Columna IB: Cu, Ag y Au

Banda d llena: electrones d fuertemente ligados al ncleo Banda s semillena: electrones s dbilmente ligados al ncleo No hay solapamiento d-s. LA conduccin (alta) se debe a los electrones s.

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La conductividad elctrica en los metales

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La conductividad elctrica en un metal con defectos

En un metal puro la conductividad elctrica est determinada por su estructura de bandas. El valor de depende del nmero de portadores y de la movilidad de los mismos, . El valor de depende a su vez de la velocidad de desplazamiento de las cargas elctricas dentro del material. En un metal real (con defectos) la movilidad y velocidad de las cargas elctricas depende crticamente del nmero y tipo de defectos estructurales. A mayor nmero de defectos, menor distancia entre colisiones, menor movilidad y menor conductividad elctrica. Factores que afectan a la conductividad elctrica:
La temperatura Las imperfecciones de la red cristalina El procesamiento y endurecimiento del material

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La conductividad elctrica en los metales

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Factores que afectan a la conductividad elctrica (I)

Los electrones se desplazan por el material como ondas electromagnticas que ajustan su periodicidad a la de la red cristalina. Cualquier irregularidad en esta red cristalina provoca una dispersin (colisin) de dicha onda electrnica y, por tanto, una disminucin de su movilidad y velocidad (disminucin de la conductividad elctrica).

La temperatura
Un aumento de la temperatura del material supone un aumento de la energa de vibracin de los tomos de la red cristalina. Los tomos oscilan en torno a sus posiciones de equilibrio y dispersan a las ondas electrnicas. Disminucin de la movilidad de los electrones y de la conductividad elctrica. Aumento lineal de la resistividad elctrica con la temperatura. T=r(1+aT)

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La conductividad elctrica en los metales

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Factores que afectan a la conductividad elctrica (II)

Las imperfecciones de la red
Los defectos reticulares (vacantes, impurezas, dislocaciones, fronteras de grano,) son irregularidades de la red cristalina y, por tanto, dispersan las ondas electrnicas. Aumento de la resistividad del material: dependiente del nmero de imperfecciones e independiente de la temperatura Ejemplo: resistividad, D, debida a una fraccin atmica de tomos de solucin slida o de impurezas presentes en el material, x. D=b(1-x)x

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La conductividad elctrica en los metales

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Factores que afectan a la conductividad elctrica (III)

El procesamiento y endurecimiento de un material
Todos los mecanismos de procesamiento de un material destinados a aumentar su resistencia mecnica se basan en la creacin de irregularidades cristalinas en el material. Por tanto, todos estos mtodos de procesamiento aumentan a su vez la resistividad elctrica. Endurecimiento por solucin slida: introduccin de impurezas o vacantes Endurecimiento por dispersin o envejecimiento: introduccin de precipitados en el material Endurecimiento por deformacin en fro: creacin de dislocaciones Endurecimiento por control del tamao de grano: creacin o aumento de fronteras de grano Los mtodos de endurecimiento del material son ms o menos perjudiciales para la conductividad elctrica del material segn sean las distancias entre las irregularidades introducidas: distancias pequeas, menor movilidad de los electrones y mayor resistividad elctrica Los mtodos de reblandecimiento de los materiales (templados) disminuyen las irregularidades internas del material y mejoran sus propiedades elctricas conductoras
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La conductividad elctrica en cermicos y polmeros (I)

Estructura de bandas en los materiales aislantes (cermicos y polmeros)
Fuertes enlaces covalente o inicos La banda de valencia est llena y muy alejada energticamente de la banda de conduccin. El gap es tan grande que los electrones no pueden ser excitados para el transporte o conduccin de la carga elctrica. Aislantes elctricos

f (E) =
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( E EF ) / kT

+1
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La conductividad elctrica en cermicos y polmeros

La conductividad elctrica en cermicos y polmeros (II)

Conduccin en materiales inicos (cermicos)

Medio alternativo de transporte de carga elctrica: difusin o movimiento de iones La movilidad de los iones es varios rdenes de magnitud menor que la de los electrones: i=ZqD/kT Conductividad elctrica inica es muy pequea: i=nZqi Las impurezas y vacantes aumentan la conductividad inica
a) b) Las impurezas pueden tambin difundirse y ayudar al movimiento de los iones (o de la corriente elctrica) Las vacantes son necesarias para la difusin substitucional de los iones

El aumento de la temperatura favorece la difusin y, por tanto, la conductividad inica

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La conductividad elctrica en cermicos y polmeros

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La conductividad elctrica en cermicos y polmeros (III)

Conduccin en polmeros
Habitualmente son materiales aislantes, p.ej. los plsticos Mtodos para la reduccin de la resistividad elctrica en un polmero: 1. Adicin de compuestos inicos, precipitados o impurezas en la matriz polimrica:
Los iones migran a la superficie del polmero, atraen la humedad y sta disipa la electricidad esttica (materiales protectores para las descargas elctricas) Polmeros con fibras de carbono recubiertas de nquel / Polmeros con una mezcla hbrida de fibras metlicas y de carbono, vidrio o aramidas: materiales con elevada rigidez y conductividad elctrica, materiales de proteccin contra la radiacin electromagntica

2.

Fabricacin de polmeros con una buena conductividad elctrica inherente:

Dopado de polmeros con impurezas con exceso/defecto de electrones: la carga elctrica se desplaza saltando de un tomo a otro de la cadena Proceso de ligadura cruzada de las cadenas polimricas: la carga elctrica se mueve fcilmente de una cadena a otra

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La conductividad elctrica en cermicos y polmeros

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La conductividad elctrica en semiconductores (I)

Estructura de bandas en materiales semiconductores: C, Si, Ge y Sn (columna IVA)
Dos electrones en los ltimos orbitales s y otros dos en los ltimos orbitales p (ns2 np2) Hibridacin s-p en cada tomo: se forman cuatro orbitales para ocho electrones (dos llenos y dos vacos) En el material se forman dos bandas, una con 4N niveles energticos llenos (banda de valencia) y otra con 4N niveles energticos vacos (banda de conduccin) Diferencia de energa entre ambas bandas es el gap de energa semiconductor, Eg.

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La conductividad elctrica en semiconductores

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La conductividad elctrica en semiconductores (II)

La conduccin elctrica en los semiconductores intrnsecos, Si y Ge
Un aporte de energa trmica o una diferencia de potencial externa es suficiente para que un nmero ne de electrones de la banda de valencia salte el pequeo gap semiconductor y llegue a la banda de conduccin. En la banda de valencia se formar (o quedar) un nmero idntico de huecos nh En esta situacin, la carga elctrica es transportada por los ne electrones (corriente elctrica negativa) y los nh huecos (corriente elctrica positiva) La conductividad elctrica ser: =neqe+nhqh=nq(e+h)

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La conductividad elctrica en semiconductores

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La conduccin elctrica en los semiconductores intrnsecos, Si y Ge (continuacin) Efecto de la temperatura o la diferencia de potencial
Al aumentar el aporte energtico, aumenta el nmero de electrones que pueden superar el gap semiconductor y, por tanto la conductividad elctrica de un material semiconductor intrnseco El nmero de electrones (o huecos) que a una temperatura dada, T, supera la barrera energtica del gap es (segn una ley tipo Arrhenius): ne= nh= n0exp(-Eg/2kT) La conductividad del semiconductor intrnseco ser: =noq(e+h)exp(-Eg/2kT) Aumenta con la temperatura!
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La conduccin elctrica en los semiconductores extrnsecos

Los semiconductores extrnsecos son semiconductores intrnsecos (Si o Ge) con un pequeo contenido de impurezas:
a) b) Impurezas con exceso de electrones respecto al Si o al Ge, p.ej. los elementos de la columna VA con cinco electrones, N, P, As y Sb Impurezas con defecto de electrones respecto al Si o al Ge, p.ej. los elementos de la columna IIIA con tres electrones, B, Al y Ga

El electrn o hueco en exceso est dbilmente ligado al ncleo de la impureza y, por tanto, puede ser excitado muy fcilmente. Estructura de bandas de un semiconductor extrnseco con impurezas donoras (con exceso de electrones), llamado tipo n
El electrn extra slo debe superar un gap muy pequeo, Ed para acceder a la banda de conduccin.
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La conduccin elctrica en los semiconductores extrnsecos (continuacin)

Estructura de bandas de un semiconductor extrnseco con impurezas aceptoras (con defecto de electrones o exceso de huecos), llamado tipo p
El hueco extra slo debe superar un gap muy pequeo, Ea para acceder a la banda de valencia.

Las impurezas aaden al semiconductor intrnseco un nivel de energa adicional el que se sitan los electrones o huecos extras: a) muy cerca de la banda de conduccin (electrones de las impurezas donoras) b) muy cerca a la banda de valencia (huecos de las impurezas aceptoras)
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La conduccin elctrica en los semiconductores extrnsecos (continuacin)

Efecto de la temperatura o la diferencia de potencial
Un aporte energtico puede ahora excitar: a) electrones de las impurezas (muy fcilmente, gap pequeo) y b) electrones del semiconductor intrnseco (difcilmente, gap grande) El nmero de electrones o huecos excitados a una temperatura T ser:

Eg E ntotal = nimpurezas + nintrnseco = n0 exp d + 2n0 exp kT kT

Dado que Eg>>Ed, a temperaturas no muy altas los electrones o huecos excitados provendrn mayoritariamente de las impurezas y, por tanto, ntotal es aproximadamente nimpurezas.

nimpurezas q e = q e n0 exp

Ed kT

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La conductividad elctrica en semiconductores

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La conduccin elctrica en los compuestos semiconductores

Semiconductores estequiomtricos: formados con elementos de estructuras cristalinas y de bandas muy similares al Si y al Ge.
Ejemplos clsicos: compuestos formados con elementos de la columna IIIA (ns2np1) y VA (ns2np3) Hibridacin de los orbitales s-p (cuatro por tomo) y formacin de dos bandas en todo el material con 4N orbitales disponibles cada una de ellas: la de valencia llena y la de conduccin vaca. Existencia de gap en el compuesto semiconductor Posibilidad de dopar (tipo n o p) al compuesto semiconductor Altas movilidades de los portadores de carga en estos compuestos, alta conductividad elctrica

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La conduccin elctrica en semiconductores

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La conduccin elctrica en los compuestos semiconductores (continuacin)

Semiconductores no estequiomtricos o imperfectos: compuestos inicos que tienen un exceso de aniones(-) (produciendo un semiconductor tipo p) o cationes(+) (produciendo uno tipo n)
Habitualmente xidos y sulfuros 1. Ejemplo: ZnO (aislante) con exceso de Zn. Los tomos extra de Zn se ionizan (Zn2+) y quedan libres los electrones. Semiconductor tipo n (exceso de electrones) 2. Ejemplo: FeO (aislante) donde se substituyen tres iones Fe2+ por dos iones Fe3+. Creacin de una vacante en el material aceptora de electrones. Semiconductor tipo p (defecto de electrones)

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La conduccin elctrica en semiconductores

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Aplicaciones de los semiconductores (dispositivos elctricos) (I)

Termistores: basados en la fuerte dependencia trmica de la conductividad elctrica de los semiconductores
Ejemplos: termmetros, alarmas contra incendio (un aumento brusco de la temperatura provoca una gran variacin de corriente elctrica en el termistor, lo que permite activar la alarma)

Transductores (medidores) de presin: al aplicarse presin sobre un semiconductor, sus tomos y sus estructura de bandas se comprimen, disminuyendo el gap semiconductor. Esto hace que la conductividad y la corriente elctrica aumenten bajo la accin de una presin mecnica
Ejemplo de semiconductor no estequiomtrico o imperfecto

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Aplicaciones de los semiconductores (dispositivos elctricos) (II)

Diodos o dispositivos de unin p-n: rectificadores de corriente

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Aplicaciones de los semiconductores (dispositivos elctricos) (III)

Transistores o uniones n-p-n/p-n-p: amplificacin de corriente, puertas o dispositivos lgicos (circuitos integrados, chips de memoria, microprocesadores,)

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Aislantes y propiedades dielctricas

Aislamiento elctrico
En un gran nmero de aplicaciones elctricas y electrnicas se necesita materiales que impidan el paso de corriente elctrica o la aslen: aislantes cermicos y plsticos (polmeros). Alta resistencia elctrica y muy baja conductividad elctrica. Gap energtico entre las bandas de conduccin y de valencia muy grande. Comportamiento dielctrico. Bajo altos campos o voltajes elctricos, un material dielctrico puede perder su capacidad para impedir el paso de corriente elctrica entre dos conductores, ruptura dielctrica. Espesor del dielctrico muy pequea, d Campo o voltaje elctrico aplicado excesivo, V Por tanto, un aislante elctrico debe ser material dielctrico con una resistencia dielctrica alta:

V Resistencia dielctrica = max = d max

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Polarizacin y constante dielctrica (I)

Polarizacin
En un material dielctrico, los electrones estn fuertemente ligados a sus respectivos ncleos atmicos sin poder abandonar sus posiciones de equilibrio. Al aplicar un campo elctrico externo, cada tomo del dielctrico se distorsiona levemente: su nube electrnica se desplaza una distancia muy pequea respecto a su posicin inicial, igual que su ncleo de carga positiva lo hace en sentido contrario. El resultado es un tomo deformado con un polo de carga positivo y otro negativo, dipolo elctrico, p=qd. El resultado final en todo el material es la formacin de Z dipolos por unidad de volumen, polarizacin del dielctrico, P=Zqd

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Aislantes y propiedades dielctricas

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Polarizacin y constante dielctrica (II)

Tipos de polarizacin
Electrnica Inica Molecular

Dependencia de la polarizacin de un material dielctrico

Constante dielctrica del material, Campo elctrico externo, E Temperatura (desorden trmico)
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Polarizacin y constante dielctrica (III)

Aplicacin: acumulacin de carga elctrica en los condensadores dielctricos
Cualquier material o asociacin de materiales metlicos puede acumular carga elctrica en sus superficies. Condensador. La inclusin de un material dielctrico aumenta el nivel de carga almacenado en el condensador e impide su descarga (alta resistencia dielctrica y elctrica). C=(A/d) Asociacin de materiales metlicos separados por un dielctrico: condensador dielctrico. Aplicaciones: almacn de carga o energa, atenuador de oscilaciones elctricas en la red...

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Aislantes y propiedades dielctricas

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Piezoelectricidad
Propiedad de algunos materiales dielctricos basada en la estrecha relacin ente su estructura cristalina y la polarizacin.
a) Al aplicar una diferencia de potencial, el material se polariza, sus tomos y molculas se distorsionan y el material en su conjunto cambia de tamao: electrostriccin Al aplicar una presin sobre el material dielctrico, ste se contrae, sus tomos y molculas cambian de tamao y se forman dipolos elctricos. Esta polarizacin produce, a su vez, una diferencia de potencial entre los extremos del material: Piezoelectricidad

b)

Nota: La piroelectricidad es un fenmeno anlogo pero causado por el calentamiento del material dielctrico
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Ferroelectricidad
Normalmente, al retirar el campo elctrico de un material polarizado una parte o todos de sus dipolos formados desaparecen debido al desorden trmico. En los materiales ferroelctricos, el ordenamiento de los dipolos es tan intenso que un gran nmero de ellos permanece orientados incluso despus de retirar el campo elctrico externo.
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