Tratamentos Trmicos em Materiais Tratamentos Trmicos em Materiais

Cermicos Cermicos
Prof. Daniel Thomazini
UNIVERSIDADE FEDERAL DE ITAJUB
Engenharia de Materiais
Processamento de Materiais Cermicos
Objetivos da aula
Essa aula tem como objetivo:
Mostrar a importncia dos tratamentos trmicos no
processamento cermico;
Quais os mecanismos presentes durante a densificao dos
corpos cermicos;
A influncia da fase lquida na sinterizao;
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Definies Definies
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Introduo
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Sinterizao:
o processo de transformar p em um corpo slido usando
calor:
Est baseado no movimento dos contornos de gros.
Por razes histricas, o principal mtodo de processamento
de corpos cermicos;
Tambm usado na metalurgia do p em materiais metlicos:
Controle do tamanho dos gros
fortemente influenciado pela:
Granulometria;
Formato dos gros;
Empacotamento.
Processo de Sinterizao
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Princpio:
Juno de partculas sem fuso;
Pode haver a adio de um aditivo fundente;
Processo de Sinterizao
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As As partculas partculas tendem tendem a ser a ser facetadas facetadas no no plano plano paralelo paralelo aos aos planos planos de de empacotamento empacotamento, ,
{111} se {111} se cbica cbica ou ou (0001) se hexagonal. (0001) se hexagonal.
Processo de Sinterizao
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When crystalline powder particles join together, the junction is a
grain boundary (GB).
It is likely that the solid body thus formed will not be 100% dense,
so it will contain pores.
Pores are a structural component of the solid body. They often
behave like grains of a different material.
Although sintering explicitly involves solid powder grains, a liquid
may form if a component that has a low melting temperature is
present. This is then known as liquid-phase sintering (LPS). We
must thus consider lms, tubes, and droplets (or particles) of
noncrystalline material. There may be no trace of the liquid when
the sample is examined at room temperature after sintering; such a
liquid is referred to as a transient phase.
After and during sintering, some grains will grow, consuming
others. This process is known as grain growth and is essentially an
Ostwald ripening process.
Processo de Sinterizao
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Estgios da sinterizao:
Primeiro estgio:
Rearranjo: leve movimento de
rotao das partculas adjacentes para
aumentar os pontos de contato
Formao do pescoo: Difuso nos
pontos de contato
Segundo estgio:
Crescimento do pescoo: os
tamanhos dos pontos de contato
cresce e a porosidade decresce.
Crescimento de gro: Partculas
maiores agora chamadas de gro
crescem consumindo os gros
menores.
Terceiro estgio:
Sinterizao final: Remoo final da
porosidade por difuso de vazios ao
longo dos contornos de gro
Processo de Sinterizao
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Foras capilares e de superfcie
H uma diferena de presso (Ap) entre a parte interna e
externa de uma superfcie curvada
r > 0 : dentro do material;
r < 0 : fora do material superfcie cncava.
r
P
2
= A
AAPP: diferena de presso; : diferena de presso;
: energia livre de superfcie; : energia livre de superfcie;
rr: raio de curvatura (+ ou : raio de curvatura (+ ou --); );
Modelo de Sinterizao
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Modelo de Sinterizao
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Modelo de Sinterizao
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Modelo de Sinterizao
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Micrografia
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Crescimento de gros Crescimento de gros
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Introduo
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O crescimento dos gros est relacionado com o
deslocamento dos contornos de gros aps a remoo
da porosidade.
r
V
G
2
= A
AAGG: Energia livre; : Energia livre;
: energia livre de superfcie; : energia livre de superfcie;
VV: volume molar; : volume molar;
rr: raio de curvatura (+ ou : raio de curvatura (+ ou --); );
Introduo
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Sinterizao e Difuso
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Qdo h transporte de material do CG para o pescoo
(difuso de rede) pode ser definido a taxa de crescimento
da rea do pescoo entre as partculas
5
1
5
3
5
1
* 3
40
t r
kT
D a
r
x
|
|
.
|

\
|
=

aa
33
: volume de vacncia difundida; : volume de vacncia difundida;
DD
**
: coeficiente de difuso : coeficiente de difuso
5
2
5
6
5
2
* 3
0 0
2
20
3
3
t r
kT
D a
L
L
V
V
|
|
.
|

\
|
=
A
=
A
DERIVANDO DERIVANDO
Sinterizao e Difuso
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