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11/09/01

Cours d lectronique analogique


1
Shockley, Brattain et
Bardeen
SEMICONDUCTEURS
Le transistor et ses inventeurs
Le premier transistor !!!
Il s agit d un sandwich NPN ou PNP
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Cours d lectronique analogique
2
SEMICONDUCTEURS
Dans la suite nous considrerons toujours le transistor NPN
Supposons les dopages
quivalents pour les
rgions n et p (quelques
10
17
10
19
trous et
lectrons)
I - Le transistor bipolaire l quilibre
2 jonctions tte-bche
W
0
+++++ +++++ +
- - -
+ + +
- - - - - - - - - - -
E
0
eV
0
zone de charge
d'espace
W
0
+ + +
- - - - - - - - - - -
E
0
eV
0
zone de charge
d'espace
+
-
+
-
EMETTEUR BASE COLLECTEUR
Comme dans le cas d une
simple jonction ce qui est
essentiel c est la diffusion
des porteurs !
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SEMICONDUCTEURS
II - Le transistor bipolaire polaris
Polarisons tout d abord la jonction base-collecteur en inverse
W
+++++++++
- - -
+ + +
- - - - - - - - -
E
0
e(V+V
0
)
W
0
+ + +
- - - - - - - - - - -
E
0
eV
0
Zones de charge
d'espace
Emetteur
Base
Collecteur
E = V/W
-
+
Courant d'lectrons
minoritaires
Courant de trous
minoritaires
BC
BV
V
Courant de minoritaires
collecteur-base: I
S
=I
C0
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SEMICONDUCTEURS
II - Le transistor bipolaire polaris
La jonction base-collecteur tant toujours polarise en inverse, polarisons maintenant la
jonction metteur base en direct :
W
+++++++++
- - -
+ + +
- - - - - - - - -
E
0
e(V
0
+ V)
W
'
+ + +
- - - - - - - - - - -
E
0
e(V
0
- V')
zones de charge
d'espace
Emetteur
Base
C
E = V/W
-
+
Courant d'lectrons
majoritaires et
minoritaires
Courant de trous
minoritaires
BC
BV
V
Courant de trous
majoritaires
Courant de
recombinaison
E' = V'/W'
-
+
V'
I
E
I
R
I
C
I
C0
Fonctionnement Bipolaire
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Si I
E
est le courant d'metteur (courant d'lectrons majoritaires de
l'metteur vers la base et courant de trous majoritaires de la base
vers l'metteur) alors une partie de ce courant va tre perdu dans
la base (c'est le courant de recombinaison). Ce courant de
recombinaison est donc:
Courant que l'on notera dans la suite I
B
.
Le courant de collecteur IC est alors donn par :
I
C
= I
E
- I
B
+ b= I
E
- aI
E
+ b = I
E
(1-a) + b
Si I
E
= 0 alors: I
B
= 0 et I
C
= b
Cette valeur b correspond au courant d'lectrons minoritaires de la base vers le
collecteur et au courant de trous minoritaires du collecteur vers la base.
Donc b = I
C0
et :
E 0 C
E 0 C C
I I
) a 1 ( I I I
+ ++ + = == =
+ ++ + = == =
si l'on pose = 1 - a
SEMICONDUCTEURS
II - Le transistor bipolaire polaris
E R
aI I = == =
Effet largeur base sur fct bipolaire
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SEMICONDUCTEURS
II - Le transistor bipolaire polaris
Rappelons donc le fonctionnement :
La base tant d'paisseur trs faible, les lectrons (les trous) majoritaires, une fois qu'ils
ont franchi la jonction metteur-base se trouvent dans le champ de la jonction base-
collecteur o ils sont acclrs. Quelques lectrons se sont cependant recombins avec
les trous lors du franchissement de la base, et ont ainsi donn naissance au courant de
base qui est cependant trs faible.
Il s'ensuit que :
et donc que :
Dans la suite nous assimilerons le transistor un quadripole (en fait un tripole puisqu'il
n'a que "3 pattes" ! et donc une borne d'entre et une borne de sortie commune).
1 a << << << <<
1 a 1 = == =
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SEMICONDUCTEURS
III - Reprsentation du transistor
Dans le cours nous utiliserons toujours la notation 1 qui est la plus rpandue.
Ou encore :
E C E C
B B
NPN PNP
B
C
E
B
C
E
PNP
NPN
Fab BJT
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SEMICONDUCTEURS
III - Reprsentation du transistor
Puisque le transistor a trois "pattes" il y aura 3 reprsentations quadripolaires
possibles:
Base commune
Emetteur commun
Collecteur commun
B
C
E
V
BE
i
E
i
B
i
C
V
CE
B
C
E
V
BC
V
CE
i
E
i
B
i
C
B
C E
V
BE
V
CB
i
E
i
B
i
C
Base commune
Emetteur commun
Collecteur commun
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Nous allons maintenant nous intresser au montage metteur commun pour tracer les
caractristiques du transistor NPN
SEMICONDUCTEURS
IV - Caractristiques des transistors
Avec les mmes conventions que celles utilises pour le montage explicatif du
fonctionnement du transistor (montage base commune) on peut crire:
I
C
= I
E
- I
B
(1)
I
C
= I
C0
+ I
E
(2)
en tirant I
E
de (1) et en reportant sa valeur dans (2) on obtient:
I
C
= I
C0
+ (I
C
+ I
B
)
I
C
(1 - ) = I
C0
+ .I
B
B 0 C C
I ' I I + ++ + = == =
B
C
+
V
A
V
A
V
CE B
C
E
V
BE
ii
E
I
B
I
C
V
A
V
A
-
-
+
Cette relation est trs
importante car elle
permet de comprendre
les caractristiques du
transistor.
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SEMICONDUCTEURS
IV - Caractristiques des transistors
Comme dans le cas des quadripoles nous allons considrer les diffrents quadrants
suivants:
I
2
= f(V
2
)
I1 = cste
I
2
= g(I
1
)
V2 = cste
V
1
= h(I
1
)
V2 = cste
v
1
= k(V
2
)
I1 = cste
ici I
2
= I
C
, I
1
= I
B
, V
1
= V
BE
et V
2
= V
CE
V
CE
V
CE
I
C

I
B1
I
B2
I
B3
I
C
cste I CE C
B
) V ( f I
= == =
= == =
Rsistance de sortie du
montage metteur commun:
= == =
| || |
| || |
. .. .
| || |


\ \\ \
| || |


= == =
= == =
Cotg
I
V
cste I
C
CE
B
Courant de fuite
de la jonction CB
polarise en sens
inverse
I
B
=0
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SEMICONDUCTEURS
IV - Caractristiques des transistors
I
B
I
B
I
C

I
C
I
C0
'
cste V B C
CE
) I ( g I
= == =
= == =
fct . pt
B
C
alt
)
I
I
(


= == =
B
C
CC
I
I
= == =
Cofficient d'amplification en
courant :
= == =
| || |
| || |
. .. .
| || |


\ \\ \
| || |


= == =
= == =
tg
I
I
cste V
B
C
CE
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SEMICONDUCTEURS
IV - Caractristiques des transistors
I
B
I
B

V
BE
I
C0
'
V
BE
Cste V B BE
CE
) I ( h V
= == =
= == =
Courbe caractristique de la
jonction metteur base polarise en
direct.
La rsistance d'entre en metteur
commun est :
= == =
| || |
| || |
. .. .
| || |


\ \\ \
| || |


= == =
= == =
tg
I
V
r
cste V
B
BE
CE
kt
eV
0 B B
BE
e I I = == =
B
BE
B
I .
kT
e
V
I
= == =


B
3
B B
BE
I
2510
I . e
kT
I
V

= == = = == =


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SEMICONDUCTEURS
IV - Caractristiques des transistors
V
CE

~ 0
V
BE
V
BE
~ 0
V
CE
Tension
de seuil
i
B
= 0
i
B1
i
B2
cste I CE BE
B
) V ( k V
= == =
= == =
Le cofficient de raction en
metteur commun est donn par :
En fait 0car il y a crantage
du potentiel collecteur-base par la
base.
= == =
| || |
| || |
. .. .
| || |


\ \\ \
| || |


= == =
= == =
tg
V
V
cste I
CE
BE
B
Les valeurs de , , r et sont en gnral
donnes par le constructeur.
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SEMICONDUCTEURS
V - Le transistor idal
La caractristique I
B
= f(V
BE
) est une
caractristique de diode polarise en direct,
on peut donc dans le cas du silicium idaliser
cette caractristique par:
I
B
V
BE
0.6 V 0
De mme I
C0
est indpendant de la tension
collecteur metteur et
pour I
B
= 0, est faible devant
I
B
ds que I
B
# 0

= == =
1
I
' I
0 C
0 C
I
C
V
CE
0
I
B1
I
B2
I
B3
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SEMICONDUCTEURS
V - Le transistor idal (suite)
Le schma quivalent du transistor idal est donc:
B
E
C
I
C
= I
B
I
B
+ -
0.6 V
Nota : Les constructeurs ne donnent trs souvent que les caractristiques :
I
B
= f(V
BE
)
I
C
= f(V
CE
)
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SEMICONDUCTEURS
VI - Amplification par transistor
Considrons un transistor mont en metteur commun et polarisons-le comme nous
l'avons fait pour les quadripoles.
C'
R
B
+
-
+
-
R
C
C
E
B
E
C
E
B
v
BE
, V
BE
V
CE tot
=
V
CE
+ v
CE
C"
v
CE
i
~
On a : E
B
= V
BE
+ R
B
I
B
(entre)
E
C
= V
CE
+ R
C
I
C
(sortie)
Ce sont les quations des droites de charge d'entre et de sortie.
Regardons maintenant ce qui se passe dans les trois quadrants i
C
= f(v
CE
), i
C
= g(i
B
) et
v
BE
= h(i
B
) afin de comprendre le principe de l'amplification.
Sur ce schma on voit en rose et
vert les circuits de polarisation
d'entre (EB et RB) et de sortie
(EC et RC). Par ailleurs on
distingue aussi les circuits
permettant d'appliquer un
signal alternatif sur l'entre (v
et C') et de rcuprer le signal
de sortie (C"). A noter que le
circuit est attaqu en courant.
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SEMICONDUCTEURS
VI - Amplification par transistor
i
C
v
CE
v
BE
E
C
E
B
i
B
Q(I
B0
, I
C0
)
E
C
/R
C
Q(I
C0
, V
CE0
)
Q(I
B0
, V
BE0
)
E
B
/R
B
V
CE
Tot
i
B
=I
B0
sin t
Composante alternative
sinusodale dphase de
par rapport la tension
d'entre
I
Btot
= I
B
+ i
B
V
CEtot
= E
C
- R
C
I
Ctot
avec I
Ctot
= I
C
+ i
C
V
CEtot
= E
C
- R
C
(I
C
+ i
C
)
= V
CE
- R
C
i
C
posons v
CE
= -R
C
i
C
donc V
CEtot
= V
CE
+ v
CE
En vert, composantes alternatives
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Nous avons attaqu le montage en courant. Nous voyons bien d'aprs le
schma prcdent que si le courant i
B
est sinusodal, la tension d'entre, v
BE
est, elle,
trs dforme compte tenu de la caractristique non linaire de la premire jonction
(la jonction base metteur).
Que se serait-il pass si nous l'avions attaqu en tension ?
Nous aurions alors appliqu une tension sinusodale et le courant i
B
aurait
t dform, ce qui aurait entran une dformation (distorsion) de i
C
et par voie de
consquence une dformation importante de v
CE
.
IL FAUT TOUJOURS ATTAQUER LE TRANSISTOR EN COURANT
COMMENT FAIRE ?
SEMICONDUCTEURS
VI - Amplification par transistor
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SEMICONDUCTEURS
VII Attaquer le transistor en courant
Comment attaquer le transistor en courant ?
Il y a 2 montages possibles:
A - Montage 2 alimentations
Le courant de base a deux composantes :
I
B
et i
B
(I
B
est la composante continue et i
B
est la composante alternative)
e
g
R
g
R
B
E
B
R C
E
C
C
dec
B
C
E
i
B
+I
B
~
R
ec (continu)

R
ev (variable = alternatif)
= r diff
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I
B
V
BE
R
ec
R
ev
Dans tous les cas Rev et Rec sont faibles
puisqu'elles correspondent aux rsistances
d'entre d'une diode polarise en direct.
Le courant de repos est donn par:
ec B
B
B
R R
E
I
+ ++ +
= == =
Si l'on veut un courant IB stable on choisira
R
B
>>R
ec
et dans ce cas :
B
B
B
R
E
I
En rgime dynamique
(alternatif, sinusodal), et si C
dec
est grande (1/jC
dec
) trs faible),
toute la tension se trouve aux
bornes de Rev d'o :
g
g
B
R
e
i = == =
Maintenant si Rg
est grand devant
Rev alors:
ev g
g
B
R R
e
i
+ ++ +
= == =
SEMICONDUCTEURS
VII Attaquer le transistor en courant
A Montage 2 alimentations (suite)
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SEMICONDUCTEURS
VII Attaquer le transistor en courant
A Montage 1 alimentation
e
g
R
g
R
B
R
C
E
C
C
dec
B
C
i
B
+I
B
E
I
B
+
-
~
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SEMICONDUCTEURS
VIII Comportement du transistor en dynamique
A Cas des signaux de basse frquence et de faible amplitude notion de circuit
quivalent
On va sintresser au montage metteur commun. En ralit, si lon considre ce montage
particulier et que lon considre la matrice hybride les coefficients de cette matrice ont
toutes un sens physique important
[ [[ [ ] ]] ]
( (( (

( (( (



= == =
( (( (

( (( (



2
1
2
1
v
i
. H
i
v
Soit :
Notons h
ije
les lments de la matrice hybride
et v
1
=V
BE
, v
2
=V
CE
, i
1
=I
B
et i
2
=I
C
.
On a donc :
r
I
V
h
cste V
B
BE
e 11
CE
= == = | || |
. .. .
| || |

\ \\ \
| || |


= == =
= == =
r = rsistance dentre = rsistance diffrentielle
de la jonction base metteur polarise en direct
= == =
| || |
| || |
. .. .
| || |


\ \\ \
| || |


= == =
= == =cste I
CE
BE
e 12
B
V
V
h
= coefficient de raction 0
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SEMICONDUCTEURS
VIII Comportement du transistor en dynamique
A Cas des signaux de basse frquence et de faible amplitude notion de circuit
quivalent (suite)
= == =
| || |
| || |
. .. .
| || |


\ \\ \
| || |


= == =
= == =cste V
B
C
e 21
CE
I
I
h = gain en courant

= == =
| || |
| || |
. .. .
| || |


\ \\ \
| || |


= == =
= == =
1
V
I
h
cste I
CE
C
e 22
B
= rsistance de sortie en metteur commun
Si lon pose v
be
= V
BE
, v
ce
= V
CE
, i
b
= I
B
et i
c
= I
C
on peut alors crire:
ce b be
v ri v + ++ + = == =
ce b c
v
1
i i

+ ++ + = == =
Mais comme 0 il vient :
b be
ri v = == =
ce b c
v
1
i i

+ ++ + = == =
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SEMICONDUCTEURS
VIII Comportement du transistor en dynamique
A Cas des signaux de basse frquence et de faible amplitude notion de circuit
quivalent (suite)
b be
ri v = == =
ce b c
v
1
i i

+ ++ + = == =
Ces quations nous permettent de tracer le schma quivalent
suivant :
R
g
r

R
c
~
V
BE
i
B
i
C
i
B
V
CE
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SEMICONDUCTEURS
VIII Comportement du transistor en dynamique
A Cas des signaux de basse frquence et de faible amplitude notion de circuit
quivalent (suite)
Les expressions prcdentes peuvent aussi scrire :
Avec :
r
g
m

= == =
r
v
i
be
b
= == =
ce be m c
v
1
v g i

+ ++ + = == =
R
g
r

R
c
~
i
C
i
B
V
CE
V
th
V
BE
Et on peut crire :
c ce be m
i v v g = == =
Par ailleurs :
0 v i v
th c ce
= == =
be be m th
v .
r
v g v

= == = = == =
En utilisant NORTON il vient :
Ceci est le gain en tension
du transistor ( noter le
signe ngatif qui indique
que le montage est inverseur
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SEMICONDUCTEURS
VIII Comportement du transistor en dynamique
B Cas des signaux de haute frquence et de faible amplitude schma de Giacoletto
Nous avons vu que les jonctions possdaient des capacits parasites assez faibles pour
qu'elles ne gnent pas le fonctionnement basse frquence mais dont l'importance se
faisait sentir haute frquence. Dans un transistor, nous avons deux jonctions (base-
metteur et base collecteur) et donc deux capacits parasites.
Comme la jonction base-metteur est polarise en direct nous devons considrer sa
capacit de diffusion Cd et comme la jonction base-collecteur est polarise en inverse
nous devons considrer sa capacit de transition Ct.
r

V
BE
i
B
i
C
i
B
V
CE
C
t
C
d
Considrons alors le
schma quivalent du
montage metteur commun
en rajoutant ces capacits
parasites
Dans ce schma, on devrait voir chuter vers 0 la rsistance d'entre quand on
augmente la frquence. Il n'en est rien Il n'en est rien.
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SEMICONDUCTEURS
VIII Comportement du transistor en dynamique
B Cas des signaux de haute frquence et de faible amplitude schma de Giacoletto
En fait on ne peut pas ngliger la rsistance de contact entre la connexion de base et la base
elle-mme. De plus les zones de charge d'espace ne concident pas avec les limites
gomtriques de la base. De ce fait il faut aussi considrer la rsistance du matriau dont est
faite la base. On doit donc considrer que mme haute frquence la rsistance de base
vaudra une certaine valeur rbb', laquelle s'ajoute la rsistance active de la jonction base-
metteur rb'e. Cela nous amne au schma quivalent suivant connu sous le nom de schma
de GIACOLETTO.
r
b'e
i
B
i
C i
B
V
CE
C
t
C
d
r
bb'
b'
V
b'e
En fait le point b' est une base fictive.
Cependant rbb' qui est une rsistance de
contact est toujours trs faible devant r
b'e
.
Donc basse frquence Z
Cd
est trs grand
devant r
b'e
et on retrouve le schma
quivalent basse frquence c'est dire
que:
(o cofficient d'amplification en BF) et
que g
m
V
b'e
= g
m
r
b'e
i
b
=
0
i
b
.
e 11
m
0
e ' b
h
g
r = == =

= == =
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SEMICONDUCTEURS
VIII Comportement du transistor en dynamique
C Frquence de transition
Du fait de ces capacits parasites le gain du transistor diminue avec la frquence du
signal d'attaque.
On dfinit alors la frquence de transistion f
T
comme la frquence pour laquelle le
module du cofficient d'amplification en courant (qui est alors une grandeur
complexe) devient gal 1 (f
T
est toujours donne par le constructeur).
Dans la suite nous nous intressons uniquement au grandeurs variables (grandeurs
alternatives) qui seront notes, comme prcdemment, i
b
, i
c
, v
ce
, v
be
.
On a :
0 v
b
c
ce
i
i
= == =
| || |
| || |
. .. .
| || |


\ \\ \
| || |
= == =
(Sortie en court circuit)
Dans ce cas, les deux capacits Cd et Ct sont en parallle et valent :
et cette capacit, C, est en parallle avec r
b'e
t d
C C C + ++ + = == =
+ ++ +
= == =
| || |
. .. .
| || |

\ \\ \
| || |

+ ++ +
= == =
C jr 1
r
jC
1
r jC
r
Z
e ' b
e ' b
e ' b
e ' b
b
e ' b
e ' b m
b m e ' b m c
i .
C jr 1
r g
Zi g v g i
+ ++ +
= == = = == = = == =
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SEMICONDUCTEURS
VIII Comportement du transistor en dynamique
C Frquence de transition
On obtient alors :
e ' b
0
b
c
r jC 1 i
i
+ ++ +

= == = = == =
avec :
0
= g
m
r
be
2
e ' b
0
) r C ( 1 + ++ +

= == =
1 = == =
1
) r C ( 1
2
e ' b T
0
= == =
+ ++ +

1 r C
e ' b T
>> >> >> >> 1
r C
e ' b T
0
= == =


e ' b
0
m
r
g

= == =
Comme :
C
g
m
T
= == =
11/09/01
Cours d lectronique analogique
30
SEMICONDUCTEURS
VIII Comportement du transistor en dynamique
D Frquence de coupure
La frquence de coupure est dfinie comme la frquence laquelle le gain en courant, ,
a diminu de 3dB, cest dire :
2
0

= == =
1 r C
e ' b
= == =

e ' b
Cr
1
= == =

Relation entre frquence de transition et frquence de coupure :

= == =
0 T

T
= gain x bande passante
11/09/01
Cours d lectronique analogique
31
1 1 - - Puissance moyenne fournie au circuit collecteur Puissance moyenne fournie au circuit collecteur
Puissance fournie instantane : p
f
= E
C
.i
ctot
= E
C
I
C
+E
c
i
c
comme ic est sinusodal et donc :
La puissance moyenne fournie par l'alimentation est indpendante de l'amplitude
du signal sinusodal.
0 i
c
= == =
C C f
I E p = == =
SEMICONDUCTEURS
IX Bilan de puissance
c C c
i I i
tot
+ ++ + = == =
ce CE ce
v V v
tot
+ ++ + = == =
Posons :
{
et E
C
= tension de polarisation du collecteur
On dfinit alors :
11/09/01
Cours d lectronique analogique
32
2 2 - - Puissance instantan Puissance instantan e absorb e absorb e par la charge e par la charge
Soit R
C
la rsistance de charge, alors :
p = R
C
i
ctot
2
= R
C
(I
C
+ i
c
)
2
= R
C
I
C
2
+ 2R
C
I
C
i
c
+ R
C
i
c
2
SEMICONDUCTEURS
IX Bilan de puissance (suite)
3 3 - - Puissance moyenne absorb Puissance moyenne absorb e par la charge e par la charge
Comme :
0 i car 0 i I R 2
c c C C
= == = = == =
2
c C
2
C C
i R I R p + ++ + = == =
Puissance utile
11/09/01
Cours d lectronique analogique
33
SEMICONDUCTEURS
IX Bilan de puissance (suite)
4 4 Rendement du circuit collecteur Rendement du circuit collecteur
C C
2
c C
f
2
c C
I E
i R
p
i R
= == = = == =
5 5 Puissance dissip Puissance dissip e dans le circuit collecteur e dans le circuit collecteur
=
Puissance fournie Puissance fournie
-
Puissance moyenne absorbe par la charge Puissance moyenne absorbe par la charge
2
c C
2
C C C C dissipe
i R I R I E P = == =
On remarque que en
l'absence de signal
sinusodal la puissance
dissipe dans la jonction
collecteur-base est plus
importante.
11/09/01
Cours d lectronique analogique
34
5 5 Puissance dissip Puissance dissip e dans le circuit collecteur (suite) e dans le circuit collecteur (suite)
SEMICONDUCTEURS
IX Bilan de puissance (suite)
La limite est donc fixe par le continu.
Le fabricant donne en gnral la puissance maximale pouvant tre dissipe par le
transistor, Pmax.
Dans ce cas on doit toujours avoir :
I
C
V
CE
P
max
(c'est l'quation d'une hyperbole)
Zone interdite
Zone permise
I
C
V
CE
11/09/01
Cours d lectronique analogique
35
SEMICONDUCTEURS
X Problmes lis la temprature
Rcrivons l'expression du courant collecteur dans le montage metteur commun:
B
0 C
C
I
1 1
I
I


+ ++ +

= == =
IC0 est le courant de fuite de la jonction collecteur-base polarise en inverse. Il s'agit
d'un courant de minoritaires. Ce courant est trs sensible la temprature et donc ,
comme est grand ( 0.98),
1
I
0 C
variera de manire trs importante avec la
temprature, T. Il y aura donc un dplacement des caractristiques I
C
= f(V
CE
) avec T.
11/09/01
Cours d lectronique analogique
36
SEMICONDUCTEURS
X Problmes lis la temprature
I
C
V
CE
Q'
Q
Caractristiques
T
0
Caractristiques
T > T
0
De ce fait, la puissance dissipe peut
augmenter ce qui va se traduire par
une augmentation de la temprature
qui va provoquer un nouveau
dplacement des caractristiques ...
et ainsi de suite...
Phnomne demballement thermique Destruction du transistor
Il faut donc stabiliser le transistor mont en metteur commun
Le facteur de stabilisation
est dfini comme :
0
C
C
I
I
S


= == =
Dans le cas du montage metteur
commun:
B
0 C
C
I
1 1
I
I


+ ++ +

= == =


= == =
1
I
I
0
C
C

= == =
1
1
S
= 50 si = 0,98
11/09/01
Cours d lectronique analogique
37
SEMICONDUCTEURS
X Problmes lis la temprature (suite)
Stabilisation du montage par rsistance dmetteur
+
-
E
C
R
1
R
C
R
E
R
2
N
M
2 1
2 C
th
R R
R E
V
+ ++ +
= == =
2 1
2 1
th
R R
R R
R
+ ++ +
= == =
R
V
TH
+
-
E
C
R
C
R
E
TH
O
P
V
OP
I
C
I
B
V
BE
Calculons le gnrateur quivalent
de Thvenin entre M et N.
Si I
C
augmente alors V
OP
augmente. Si on
nglige V
BE
alors :
diminue
th
OP th
B
R
V V
I

= == =
11/09/01
Cours d lectronique analogique
38
SEMICONDUCTEURS
X Problmes lis la temprature (suite)
Stabilisation du montage par rsistance dmetteur
Calculons le cofficient de stabilisation:
V
th
= R
th
I
B
+ V
BE
+ R
E
(I
C
+ I
B
) (1)
en tirant I
B
de (1) et en reportant dans l'expression de I
C
, il vient :
) 1 ( R R
) R R ( I
) 1 ( R R
V
I
th E
th E C
th E
th
C
0
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ +

= == = 1 S 0
R
R
E
th

Si alors
E
th
E
th
th E
th E
C
C
C
C
R
R
) 1 ( 1
R
R
1
) 1 ( R R
R R
dI
dI
I
I
S
0 0 + ++ +
+ ++ +
= == =
+ ++ +
+ ++ +
= == =


= == =
On choisit en gnral
S 5 10
11/09/01
Cours d lectronique analogique
39
SEMICONDUCTEURS
XI Les trois montages fondamentaux
A - MONTAGE EMETTEUR COMMUN
Dans le cas de composants au silicium (E
g
> 1eV) le montage simple qui consiste en 1
rsistance de base, une rsistance de collecteur et l'metteur la masse est possible,
condition que l'on ne travaille pas forte puissance. Aussi nous allons tudier tout
d'abord ce montage puis celui avec rsistance de stabilisation d'metteur puis nous les
comparerons.
i) Montage simple i) Montage simple
+
-
E
R
B
R
C
Schma quivalent
e 21
22
e 11
h ,
h
1
, h r = == = = == = = == =
v
be
R
B
r R
c
i
b
i
b
v
ce
11/09/01
Cours d lectronique analogique
40
SEMICONDUCTEURS
XI Les trois montages fondamentaux
A - MONTAGE EMETTEUR COMMUN (suite)
i) Montage simple (suite) i) Montage simple (suite)
e 11
B e 11
B e 11
e
h
R h
R h
Z
+ ++ +
= == =
C
C
C
s
R
R
R
Z = == =
+ ++ +

= == =
Impdance dentre
Impdance de sortie Gain en courant
Gain en tension
= == =
I
G
Si >> R
C
Si R
B
>> h
11e
e e e e
11
C
11
s
B 11
B s
B 11
C s
be
ce
V
h
R
h
Z
i . h
i . . Z
i h
i . Z
v
v
G

= == =

= == =

= == = = == = = == =
Si >> R
C
11/09/01
Cours d lectronique analogique
41
SEMICONDUCTEURS
XI Les trois montages fondamentaux
A - MONTAGE EMETTEUR COMMUN (suite)
ii) Montage avec rsistance de stabilisation ii) Montage avec rsistance de stabilisation
Montage quivalent
+
-
E
C
R
1
R
C
R
E
R
2
C
1
C
2
C
E
?
b E b 1
i ) 1 ( R i . r v + ++ + + ++ + = == =
) 1 ( R r
v
i
E
1
b
+ ++ + + ++ +
= == =
) 1 ( R r
v R
i R i . R v
E
1 C
b C c C 2
+ ++ + + ++ +

= == = = == = = == =
) 1 ( R r
R
v
v
G
E
C
1
2
V
+ ++ + + ++ +

= == = = == =
v
1
R
2
r R
c
v
2
i
b
i
b
R
E
R
1
C
1
C
2
11/09/01
Cours d lectronique analogique
42
SEMICONDUCTEURS
XI Les trois montages fondamentaux
A - MONTAGE EMETTEUR COMMUN (suite)
ii) Montage avec rsistance de stabilisation (suite) ii) Montage avec rsistance de stabilisation (suite)
On remarque qu'avec cette configuration le gain en tension, G
V
est trs affaibli par la
rsistance d'metteur.
Afin de pallier cet inconvnient, l'ide est de mettre une capacit, C
E
, en parallle avec
la rsistance d'metteur.
Ainsi, alors qu'en continu (polarisation) rien n'est chang, en alternatif la rsistance
d'metteur est fortement diminue par la mise en parallle de la capacit C
E
.
Exprimons l'impdance place dans l'metteur en prsence de la capacit C
E
.
+ ++ +
= == =
E E
E
E
C jR 1
R
Z
Le gain est donc maintenant donn par :
) 1 ( Z r
R
G
E
C
V
+ ++ + + ++ +

= == =
11/09/01
Cours d lectronique analogique
43
SEMICONDUCTEURS
XI Les trois montages fondamentaux
A - MONTAGE EMETTEUR COMMUN (suite)
ii) Montage avec rsistance de stabilisation (suite) ii) Montage avec rsistance de stabilisation (suite)
C'est dire encore :
1
r
) C R ( 1
R
2
E E
E
+ ++ +
<< << << <<
+ ++ +
(1)
Si R
E
C
E
>> 1 alors : et la condition (1) devient :


E
E
C
1
Z
1
r
C
1
E
+ ++ +
<< << << <<

On cherche alors la condition pour laquelle le gain en tension est proche de celui
obtenu sans la rsistance d'metteur, c'est dire que :
r
R
) 1 ( Z r
R
C
E
C

= == =
+ ++ + + ++ +


Il faut donc que : r ) 1 .( Z
E
<< << << << + ++ +
1
r
Z
E
+ ++ +
<< << << <<

+ ++ +
>> >> >> >>
r
1
C
E
11/09/01
Cours d lectronique analogique
44
SEMICONDUCTEURS
XI Les trois montages fondamentaux
A - MONTAGE EMETTEUR COMMUN (suite)
ii) Montage avec rsistance de stabilisation (suite) ii) Montage avec rsistance de stabilisation (suite)
La condition "trs infrieur " est en gnral remplie si l'on prend un facteur 100, c'est
dire que:




+ ++ +
= == =
r
. 100
r
) 1 .( 100
C
E
Comme on le voit sur la formule ci-contre,
cette condition dpend de la frquence. On
choisira toujours la frquence la plus basse pour faire le calcul.
Une fois la capacit C
E
"bien choisie" c'est dire que le gain en tension est identique
celui obtenu sans la rsistance d'metteur, l'impdance d'entre de l'tage, R
i
, vaut :
r R
r . R
R
i
+ ++ +
= == =
2 1
2 1
R R
R R
R
+ ++ +
= == =
o
Si R
1
et R
2
>> r alors R
i
r = h
11e
11/09/01
Cours d lectronique analogique
45
Calculons maintenant ce que doit valoir la capacit d'entre, C
1
cest dire que C
1
n'ait
pas d'influence sur le fonctionnement de l'tage amplificateur.
SEMICONDUCTEURS
XI Les trois montages fondamentaux
A - MONTAGE EMETTEUR COMMUN (suite)
ii) Montage avec rsistance de stabilisation (suite) ii) Montage avec rsistance de stabilisation (suite)
Il faut que : cest dire que : r Z
1
C
<< << << <<
r
C
1
1
<< << << <<

On s'aperoit que C
1
est fois plus faible que C
E
.
Comme pour le calcul de C
E
on choisit un facteur 100 et :


r
100
C
1
Impdance dentre : Impdance de sortie :
Si C
E
et C
1
sont choisies comme ci-dessus
alors et R
1
et R
2
>> r :
r R
i
= == =
C C
C
C
S
R si R
R
R
R >> >> >> >>
+ ++ +

= == =
11/09/01
Cours d lectronique analogique
46
SEMICONDUCTEURS
XI Les trois montages fondamentaux
B - MONTAGE BASE COMMUNE
i) Montage i) Montage deux sources (peu usit deux sources (peu usit ) )
E C
B
ii) Montage ii) Montage une source une source
+
-
E
C
R
1
R
C
R
E
R
2
C
1
C
2
C
B
Entre
Sortie
11/09/01
Cours d lectronique analogique
47
SEMICONDUCTEURS
XI Les trois montages fondamentaux
B - MONTAGE BASE COMMUNE (suite)
ii) Montage ii) Montage une source; sch une source; sch ma ma quivalent quivalent
Gain en courant
1
1 i
i
G
e
c
I

+ ++ +

= == = = == =
Impdance dentre
Gain en tension
e
11
1
i .
1
h
v
e
+ ++ +
+ ++ +
= == =
1
i R
i R v
e C
b C 2
+ ++ +

= == = = == =
+ ++ +

= == = = == =
e
11
C
1
2
v
h
R
v
v
G
tage E
tage E
tage E e
Z R
Z R
Z // R Z
+ ++ +
= == = = == =
v
1
r

R
c
i
e
i
b
R
E
C
1
C
2
R
2
R
1
C
B
i
b
2
v
1
h
i
v
Z
e
11
e
1
tage
+ ++ +
+ ++ +
= == = = == =
11/09/01
Cours d lectronique analogique
48
SEMICONDUCTEURS
XI Les trois montages fondamentaux B - MONTAGE BASE COMMUNE (suite)
ii) Montage ii) Montage une source; sch une source; sch ma ma quivalent (suite) quivalent (suite)
Faisons maintenant les calculs avec la capacit de dcouplage C
B
+ ++ +

= == =

= == =
B B
jC 1 jC
1
// ' : devient
Le gain en tension devient alors :
+ ++ +

+ ++ +

= == =
B
11
C
V
jC 1
h
R
' G
e
Si l'on veut que ce gain soit maximum, il faudra choisir
la capacit CB telle que :
e 11
B
h
jC 1
<< << << <<
+ ++ +

e 11
2
B
h
) C ( 1
<< << << <<
+ ++ +

Si 1 ) C (
2
B
>> >> >> >>
<< << << <<

B
C
1
Il reste comme
autre condition
remplir
e 11
B
h
C
1
<< << << <<

Comme dans le cas du
montage metteur commun on
choisit un facteur 100, c'est
dire que :
100
h
C
1 e 11
B
= == =

soit

= == =
e 11
B
h
100
C
11/09/01
Cours d lectronique analogique
49
SEMICONDUCTEURS
XI Les trois montages fondamentaux B - MONTAGE BASE COMMUNE (suite)
ii) Montage ii) Montage une source; sch une source; sch ma ma quivalent (suite) quivalent (suite)
Si on choisit cette valeur de la rsistance C
B
, l'impdance d'entre du montage sera:
E tage e
R // Z Z = == =
avec :
1
h
Z
e 11
tage
+ ++ +
= == =
Dans ces conditions le gain en tension
sera :
e 11
C
V
h
R
' G

= == =
Impdance de sortie
~ R
E
h
11e
R
c

R
g
R
E
h
11e
R
c

R
g

i
b
v
i
b
i
NORTON
Si on supprime les sources, limpdance en parallle avec R
C
vaut :
) h // R // R (
e 11 E g
+ ++ +
C S
R Z = == = Comme cette rsistance est trs grande limpdance de sortie vaut donc :
11/09/01
Cours d lectronique analogique
50
SEMICONDUCTEURS
XI Les trois montages fondamentaux
C - MONTAGE COLLECTEUR COMMUN
-
+
E
R
E
M
E
C
B
v
s
v
e
+
-
E
R
E
M
E
C
B
v
s
v
e
En effet :
- pour les continus
V
BC
= V
BE
+V
EM
+ V
MC
V
EC
= V
EM
+ V
MC
= V
EM
+ E
- pour les alternatifs
v
e
= v
BC
= v
BE
+ v
EM
= v
BM
v
s
= v
EM
= v
EC
On retrouve bien les mmes quations pour les 2 montages. Le second montage est
cependant plus facile analyser.
11/09/01
Cours d lectronique analogique
51
SEMICONDUCTEURS
XI Les trois montages fondamentaux
C - MONTAGE COLLECTEUR COMMUN (suite)
R
E
R
2
R
1
h
11e
Ib
i
b
(+1)i
b
v
1
v
2
v
+
-
E
R
E
M
E
C
B
v
2
1
R
2
R
1
Soit le schma de polarisation et le schma quivalent suivants :
Gain en tension b E e 11 1
i . ) R ) 1 ( h ( v + ++ + + ++ + = == =
b E 2
i R ) 1 ( v + ++ + = == =
Gain en courant
1 G
i
+ ++ + = == =
1
R ) 1 ( h
R ) 1 (
v
v
G
E e 11
E
1
2
V

+ ++ + + ++ +
+ ++ +
= == = = == =
11/09/01
Cours d lectronique analogique
52
SEMICONDUCTEURS
XI Les trois montages fondamentaux
C - MONTAGE COLLECTEUR COMMUN (suite)
Impdance dentre
E e 11
b
1
tage
R ) 1 ( h
i
v
Z + ++ + + ++ + = == = = == =
2 1 tage e
R // R // Z Z = == =
Impdance de sortie
~
R
g
R
1
h
11e
R
E

i
b
i
b
v
s
R
2
V
0
Si l'on suppose que R
1
et R
2
sont grandes
on peut les ngliger.
On peut alors crire: v
s
= V
0
-(R
g
+ h
11e
)i
b
par ailleurs le courant, i, qui circule dans
R
E
est gal : i = ( + 1)i
b
,donc:
1
i ) h Rg (
v v
e 11
0 s
+ ++ +
+ ++ +
= == =
En remplaant maintenant v
s
par R
E
i
il vient:
) 1 (
i ). h R (
i R v
e 11 g
E 0
+ ++ +
+ ++ +
+ ++ + = == =
Le gnrateur de THEVENIN
qui attaque la rsistance R
E
a
pour impdance interne :
1
h R
e 11 g
+ ++ +
+ ++ +
11/09/01
Cours d lectronique analogique
53
SEMICONDUCTEURS
XI Les trois montages fondamentaux
R
C
R
C
Impdance de sortie
montage
Impdance de sortie
transistor
R
E
//R
B
R
B
//h
11e
Impdance dentre
montage
R
E
h
11e
Impdance dentre
transistor
- ( + 1)
Gain en puissance
1
Gain en tension
- 1 - ( + 1)
Gain en courant
Base
commune
Collecteur
commun
Emetteur
commun
e 11
C
h
R

e 11
C
2
h
R

1
h R
e 11 g
+ ++ +
+ ++ +
E
e 11 g
R //
1
h R
+ ++ +
+ ++ +
e 11
C
h
R
e 11
C
h
R

1
h
e 11
+ ++ +
1
h
// R
e 11
E
+ ++ +
11/09/01
Cours d lectronique analogique
54
SEMICONDUCTEURS
XII Les diffrentes classes damplification
A A Classe A Classe A
A1 Petits signaux
Entre Sortie
E
R
C
R
B
Supposons que l'tage de sortie a
comme unique rsistance de charge la
rsistance de collecteur
Droite de charge statique
V
CE
I
C
Q
Saturation
Blocage
E
E/Rc
Ico
Dans ce cas, si lon veut un signal de sortie
maximum sans dformations, on aura tout
intrt choisir un point de fonctionnement
au milieu de la droite de charge
11/09/01
Cours d lectronique analogique
55
SEMICONDUCTEURS
XII Les diffrentes classes damplification
A A Classe A Classe A
A1 Petits signaux
Supposons maintenant une liaison
capacitive (extraction dun signal
variable) entre l'tage amplificateur et
la charge (il pourrait s'agir de
l'impdance d'entre d'un tage
suivant).
E
R
C
R
B
R
Ch
V
CE
I
C
Q
E
E/Rc
Ico
E/2
Droite de charge
statique
Droite de charge
dynamique
Pour travailler en classe A, et avoir le maximum de signal de sortie,
il faut que le point de polarisation soit centr sur la droite de charge dynamique.
11/09/01
Cours d lectronique analogique
56
SEMICONDUCTEURS
XII Les diffrentes classes damplification
A A Classe A Classe A
A1 Petits signaux (suite)
Comment calculer le montage afin que lon soit centr sur la droite de charge
dynamique ?
V
CE
I
C
Q
E/Rc
Ico
Droite de charge dynamique
a/2
a/2(Rc //Rch)
Ch C
R // R
a
a
E
Considrons maintenant la droite
de charge dynamique. Elle coupe
l'axe V
CE
en a et l'axe I
C
en :
Si l'on suppose que le point de
fonctionnement est centr sur la
droite de charge dynamique alors
ses coordonnes sont :
Ch C
R // R
a
2
a
) R // R ( 2
a
Ch C
Q
11/09/01
Cours d lectronique analogique
57
SEMICONDUCTEURS
XII Les diffrentes classes damplification
A A Classe A Classe A
A1 Petits signaux (suite)
Ce point appartient aussi la droite de charge statique; il rpond donc
l'quation :
E - V
CE
= R
C
I
C
) R R ( 2
a
R
2
a
E
Ch C
C
+ ++ +
= == =
Ch
Ch C
R
R R
1
E
2
a
+ ++ +
+ ++ +
= == =
Remplaons maintenant V
CE
et I
C
par les coordonnes de Q, il vient :
11/09/01
Cours d lectronique analogique
58
SEMICONDUCTEURS
XII Les diffrentes classes damplification
A A Classe A Classe A
A2 Signaux forts
Q
Cas limite : Vbe/Ib
Cas intermdiaire
Il faut alors tenir compte d'une
rsistance moyenne qui est
donne par la pente de la droite
qui joint les deux points extrmes
correspondant au maximum et au
minimum de I
B
appliqu.
On voit que dans le cas de
signaux forts on ne peut plus
utiliser l'approximation :
Pente pour petits
signaux
B
3
e 11
I
10 . 25
h

= == =
11/09/01
Cours d lectronique analogique
59
SEMICONDUCTEURS
XII Les diffrentes classes damplification
A A Classe A Classe A
A3 Un montage de puissance en classe A : Le DARLINGTON Le DARLINGTON
I
b
E

1
.I
b
-
1
.
2
.I
b
Considrons le montage suivant :
G
I
=
1
.
2
Exemple : si
1
=
2
= 100 alors G
I
= 10
4
!
Cette augmentation de gain peut, en effet, tre mise a profit pour augmenter de faon
importante l'impdance d'entre du montage.
En effet, dans le cas de petits signaux on sait que .
Pour un I
C
donn il permet donc de rduire considrablement I
B
par rapport un
transistor unique et donc d'augmenter h
11e
.
B
3
e 11
I
10 . 25
h

= == =
Ce montage peut tre
considr comme un
transistor unique dont
le gain serait
1
.
2
. Il
n'est pas uniquement
intressant pour le gain
en courant qu'il
procure.
11/09/01
Cours d lectronique analogique
60
SEMICONDUCTEURS
XII Les diffrentes classes damplification
B B Classe B, classe AB Classe B, classe AB : amplificateurs symtriques ou : amplificateurs symtriques ou push push- -pull pull
E
V
CE
I
C
Q
E
R
E
~
A
B
B B
Transistor PNP
R
E
~
A
B
A
B
A
Transistor NPN
Considrons maintenant les
deux montages collecteur-
commun suivants en supposant
que Q se trouve sur l'axe V
CE
.
11/09/01
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61
SEMICONDUCTEURS
XII Les diffrentes classes damplification
B B Classe B, classe AB Classe B, classe AB : amplificateurs symtriques ou : amplificateurs symtriques ou push push- -pull pull (suite) (suite)
Si les deux transistors ont des caractristiques identiques (en particulier mme et
mme caractristique I
B
= f(V
BE
)) on peut les associer comme sur le schma suivant :
E
R
E
~
B
A
B
-E
A
En fait ce montage introduit une
distorsion appele distorsion de
recouvrement. Elle est lie au fait que
chacune des diodes base-emetteur a une
tension de seuil. On ne pourra avoir un
signal de sortie que lorsque les alternances
positives ou ngatives auront dpass cette
tension de seuil.
Signal dentre Signal de sortie
11/09/01
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62
SEMICONDUCTEURS
XII Les diffrentes classes damplification
B B Classe B, classe AB Classe B, classe AB : amplificateurs symtriques ou : amplificateurs symtriques ou push push- -pull pull (suite) (suite)
Pour pallier ce dfaut il faut donc
appliquer une lgre polarisation
chaque diode base-emetteur (que l'on
appelle aussi polarisation d'entretien) de
sorte que chacune des diodes ait un point
de fonctionnement > V
seuil
. Cela revient
aussi dplacer lgrement le point Q de
telle manire que l'on soit entre la classe
A et la classe B pures. On appelle ce
mode de polarisation classe AB.
Il existe plusieurs manires de raliser
cette polarisation d'entretien.
R
2
E
R
E
~
R
1
R
2
R
1
V
CE1
V
CE2
I
C
I
C
2.V
BE
Polarisation par diviseur de tension
11/09/01
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63
SEMICONDUCTEURS
XII Les diffrentes classes damplification
B B Classe B, classe AB Classe B, classe AB : amplificateurs symtriques ou : amplificateurs symtriques ou push push- -pull pull (suite) (suite)
Ce montage prsente de nombreux problmes mais en particulier celui de la stabilit
en temprature. En effet, le courant de base tant fix par la valeur des rsistances R
1
et R
2
, toute augmentation de la temprature va entraner une augmentation de I
C
qui
ne sera pas compense. Il y aura donc drive importante des caractristiques d'autant
plus que ce type de montage est utilis pour la puissance.
Pour pallier ce problme on a recours au Miroir Electronique
E
R
1
I
C
I
1
I
B
I
2
I
B
+ I
C
D
A
Supposons que la diode D ait une caractristique
courant-tension I = f(V) gale la caractristique
de transconductance du transistor IC = f(V
BE
).
Alors
/
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SEMICONDUCTEURS
XII Les diffrentes classes damplification
B B Classe B, classe AB Classe B, classe AB : amplificateurs symtriques ou : amplificateurs symtriques ou push push- -pull pull (suite) (suite)
I
B
V
BE
I
C
V
BE
I
2
I
C
Au point A (base du transistor)
on a :
I
1
= I
2
+ I
B
c'est dire:
I
1
= I
C
+ I
B
Comme I
B
<< I
C
I1 = IC
Miroir Electronique (suite)
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Cours d lectronique analogique
65
En conclusion le courant qui arrive en A est gal au courant collecteur.
Le circuit diode-transistor s'appelle le miroir lectronique et le courant collecteur le
courant rflchi.
Dans le cas de composants discrets, cette association n'est jamais totalement parfaite.
D'une part la diode n'a jamais exactement la mme caractristique que celle de
transconductance du transistor, d'autre part sa temprature peut tre lgrement
diffrente de celle du transistor. Pour pallier ce dfaut on l'installe gnralement sur
le radiateur qui supporte le transistor.
Ce type de montage est, par contre, presque parfait dans le cas de circuits intgrs
linaires. En effet, dans ce cas les caractristiques peuvent tre identiques du fait de la
fabrication simultane des deux lements et d'autre part le couplage thermique est
quasi-parfait.
SEMICONDUCTEURS
XII Les diffrentes classes damplification
B B Classe B, classe AB Classe B, classe AB : amplificateurs symtriques ou : amplificateurs symtriques ou push push- -pull pull (suite) (suite)
Miroir Electronique (suite)
11/09/01
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66
SEMICONDUCTEURS
XII Les diffrentes classes damplification
B B Classe B, classe AB Classe B, classe AB : amplificateurs symtriques ou : amplificateurs symtriques ou push push- -pull pull (suite) (suite)
On va utiliser cette notion de miroir lectronique
pour raliser la polarisation du "push-pull"
D
2
E
R
E
~
R
1
D
2
R
1
V
CE1
V
CE2
I
C
I
C
2.V
BE
I
1
= I
C
1
BE
C
R 2
V 2 E
I

= == =
I
B
V
BE
T augmente
Le courant qui parcourt les deux diodes (D1 et D2) est
dtermin par les 2 rsistances R1. De ce fait si la
temprature augmente, la tension VBE diminue
(environ 2,5mV/C), ce qui a tendance augmenter IC.
Cependant cette augmentation est extrmement faible si
E est trs grand devant VBE et ainsi IC est presque
parfaitement stabilis.
11/09/01
Cours d lectronique analogique
67
AM1[ 10] : 100[ C]
AM1[ 1] : 25[ C]
AM1[ 2] : 33, 33[ C]
AM1[ 3] : 41, 67[ C]
AM1[ 4] : 50[ C]
AM1[ 5] : 58, 33[ C]
AM1[ 6] : 66, 67[ C]
AM1[ 7] : 75[ C]
AM1[ 8] : 83, 33[ C]
AM1[ 9] : 91, 67[ C]
Tension d'entre [V]
0.00 250.00m 500.00m 750.00m 1.00
C
o
u
r
a
n
t

[
A
]
0.00
100.00m
200.00m
300.00m
400.00m
500.00m
AM1[ 1] : 25[ C]
AM1[ 2] : 33, 33[ C]
AM1[ 3] : 41, 67[ C]
AM1[ 4] : 50[ C]
AM1[ 5] : 58, 33[ C]
AM1[ 6] : 66, 67[ C]
AM1[ 7] : 75[ C]
AM1[ 8] : 83, 33[ C]
AM1[ 9] : 91, 67[ C]
AM1[ 10] : 100[ C]
Variation de la caractristique courant-tension
d'une diode en fonction de la temprature
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Cours d lectronique analogique
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SEMICONDUCTEURS
XII Les diffrentes classes damplification
C C Classe C Classe C
Au lieu d'appliquer une sinusode sur la base du transistor on applique des impulsions.
Comment peut-on raliser ceci simplement partir d'un signal sinusodal ?
~
E
1k
1M
Circuit de restauration ngative
+ Vo
- Vo
100 k I
C
V
CE
Q
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Cours d lectronique analogique
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SEMICONDUCTEURS
XII Les diffrentes classes damplification
C C Classe C Classe C (suite) (suite)
Diode de protection
V rupture < -20V
~
E
100 k
1M
C
L
Rponse 1 impulsion
Rponse 1 une srie
d'impulsions
Il peut y avoir un problme avec ce
type de montage: c'est le claquage de
la jonction base-metteur du
transistor car la tension inverse
applique est d'environ 2V
0
. Pour
beaucoup de transistor cette tension
de claquage est de l'ordre de quelques
volt. Un moyen pour viter cet
inconvnient est de placer une diode
qui peut admettre de trs fortes
tensions inverses en srie avec la
jonction.
Si l'on place maintenant un circuit accord
dans le collecteur, on aura :
En sortie on aura une tension sinusodale
presque parfaite si le circuit rsonant est
accord sur la frquence d'attaque et si le
coefficient de surtension du circuit LC est
lev.
11/09/01
Cours d lectronique analogique
70
SEMICONDUCTEURS
XIII Les bilans de puissance des classes damplification
A A Classe A Classe A
E = 10V
R
C
= 1000
V
CE
= 5V
I
C
= 5 mA
Considrons un ampli classe A centr sur la
droite de charge statique.
Puissance utile dans la charge :
2
I R
i . R P
2
CM C
2
C C u
= == = = == =
Supposons que le signal de sortie
explore toute la droite de charge, alors :
Puissance fournie au circuit :
CM f
I . E P= == =
Rendement :
E 2
I R
I . E 2
I R
CM C
CM
2
CM C
= == = = == =
Si M au milieu de la droite de charge statique alors :
2
E
I R
CM C
= == =
et
% 25
4
1
= == = = == =
V
CE
I
C
M
E/Rc
Ico
V
CEM
I
CM
t sin I I i
CM CM C
+ ++ + = == =
11/09/01
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71
SEMICONDUCTEURS
XIII Les bilans de puissance des classes damplification
B B Classe B Classe B
D
2
E
R
E
~
R
1
D
2
R
1
V
CE1
V
CE2
I
C
I
C
2.V
BE
I
1
= I
C
2
E
V V V
CE 2 CE 1 CE
= == = = == = = == =
Au repos il ny a pas de puissance consomme
V
CE
I
C
M
E/2
I
Cmax
4
I . E
) t sin I . t sin
2
E
( i . v Pu
C
max C C CE
= == = = == = = == =
Puissance utile sur un demi cycle (1 seul transistor,
cest dire entre 0 et et entre et 2 )
Soit pour les deux transistors:
2
I . E
P
C
u
= == =
Suite
11/09/01
Cours d lectronique analogique
72

= == =

= == =



= == = = == =

C C 0
C
C f
I . E
2
I . E
2
t sin I
.
2
E
i .
2
E
P
SEMICONDUCTEURS
XIII Les bilans de puissance des classes damplification
B B Classe B Classe B (suite) (suite)
La puissance fournie par
transistor est gale :
Soit pour les deux transistors :

= == =
C
f
I . E
2 P
Le rendement, , est donc gal :
% 5 . 78
4 I . E
2
2
I . E
P
P
C
C
f
u
= == =

= == =

= == = = == =
11/09/01
Cours d lectronique analogique
73
SEMICONDUCTEURS
XIII Les bilans de puissance des classes damplification
C C Classe C Classe C
Le calcul complet est assez compliqu. On peut dmontrer que le rendement de la classe
C est voisin de 100%
11/09/01
Cours d lectronique analogique
74
SEMICONDUCTEURS
XIV Lamplificateur diffrentiel
V
s1
V
s2
+ E
- E
Rc Rc
R
E
V
e1
V
e2
L'amplificateur diffrentiel est quivalent 2
amplificateurs metteurs communs coupls par
une rsistance Ra.
Schma quivalent :
Rc Rc
R
E
V
e1
V
e2
h
11e
h
11e

i1

i2
i
1
i
2
) i i .( R . i . h v
2 1 E 1 e 11 1 e
+ ++ + + ++ + = == =
) i i .( R . i . h v
2 1 E 2 e 11 2 e
+ ++ + + ++ + = == =
) i i .( h v v
2 1 e 11 2 e 1 e
= == =
11/09/01
Cours d lectronique analogique
75
SEMICONDUCTEURS
XIV Lamplificateur diffrentiel (suite)
Dautre part :
1 C 1 s
i . R v = == =
2 C 2 s
i . R v = == =
C
1 s
1
R .
v
i

= == =
C
2 s
2
R .
v
i

= == =
) v v (
R
h
v v
1 s 2 s
C
e 11
2 e 1 e


= == =
) v v (
h
R
v v v
2 e 1 e
e 11
C
2 s 1 s s


= == = = == =
e
1
est appele entre inverseuse et e
2
lentre
non inverseuse
Cette impdance est faible. Pour
obtenir une impdance forte il
faut introduire une rsistance
supplmentaire dans chacun des
metteurs.
On dfinit limpdance
diffrentielle dentre
comme :
e 11
2 1
2 e 1 e
ed
h
i i
v v
Z = == =


= == =
11/09/01
Cours d lectronique analogique
76
SEMICONDUCTEURS
XIV Lamplificateur diffrentiel (suite)
V
s1
V
s2
+ E
- E
Rc Rc
R
E
V
e1
V
e2
On peut aussi crire :
C
E e 11
2 s 1 s 2 e 1 e
R
R ) 1 ( 2 h
) v v ( v v

+ ++ + + ++ +
+ ++ + = == = + ++ +
et
C
e 11
1 s 2 s 2 e 1 e
R
h
) v v ( v v

= == =
) v v (
h
R
2
1
) v v (
R ) 1 ( 2 h
R
2
1
v
2 e 1 e
e 11
C
2 e 1 e
E e 11
C
2 s

| || |
| || |
. .. .
| || |


\ \\ \
| || |

+ ++ + + ++ +
| || |
| || |
. .. .
| || |


\ \\ \
| || |
+ ++ + + ++ +

= == =
) v v (
h
R
2
1
) v v (
R ) 1 ( 2 h
R
2
1
v
2 e 1 e
e 11
C
2 e 1 e
E e 11
C
1 s

| || |
| || |
. .. .
| || |


\ \\ \
| || |

+ ++ +
| || |
| || |
. .. .
| || |


\ \\ \
| || |
+ ++ + + ++ +

= == =
11/09/01
Cours d lectronique analogique
77
SEMICONDUCTEURS
XIV Lamplificateur diffrentiel (suite)
On prend gnralement le signal en sortie de lun ou lautre
des transistors. Donc si lon veut que cette sortie soit
reprsentative de la diffrence des tensions dentre il faut
que R
E
soit trs grand.
Un excellent moyen est de remplacer la rsistance R
E
par un transistor comme ceci:
Ainsi, on remplace la rsistance par un gnrateur
de courant cest dire que lon introduit maintenant
une trs grande impdance dans lmetteur des deux
transistors ce qui se traduit par une minimisation du
premier terme de lquation ci-dessous
) v v (
h
R
2
1
) v v (
R ) 1 ( 2 h
R
2
1
v
2 e 1 e
e 11
C
2 e 1 e
E e 11
C
1 s

| || |
| || |
. .. .
| || |


\ \\ \
| || |

+ ++ +
| || |
| || |
. .. .
| || |


\ \\ \
| || |
+ ++ + + ++ +

= == =
V
s1
V
s2
+ E
- E
Rc Rc
V
e1
V
e2
+ E