Guia de Aulas Prticas de Eletrnica Analgica e Digital AULA PRTICA 04

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CARACTERIZAO DE DIODOS
1. OBJETIVOS: Verificar experimentalmente as caractersticas estticas e dinmicas dos diversos tipos de diodos. Critrios para escolha de um modelo para o diodo. 2. PR-REQUISITOS: Captulo 2 do livro texto. 3. RESUMO TERICO: 3.1 A Caracterstica Tenso-Corrente do Diodo

O diodo o dispositivo semicondutor elementar, constituido por uma nica juno p-n. Conhecer com detalhes as caractersticas estticas e dinmicas deste dispositivo e construir modelos simplificados para descrever o seu comportamento essencial para o projetista de circuitos. A caracterstica tenso-corrente de um diodo dada pela relao: V I D = I S exp D 1 VT (1)

onde a corrente direta ID dada em ampres e positiva de anodo para catodo. A tenso VD, dada em Volts, positiva de catodo para anodo. IS a corrente reversa no diodo. O parmetro depende do material semicondutor e prximo de 2 para o silcio. A varivel VT, denominada tenso equivalente de temperatura calculada pela expresso: T VT = (2) 11600 onde T a temperatura em graus Kelvin. Na temperatura ambiente, T=298oK, VT = 25,68mV. A figura 1 apresenta a caracterstica tenso-corrente tpica de um diodo de silcio. Pela expresso 1 podemos observar que para VD negativo a corrente ID aproximase rapidamente de IS. Para valores de VD >> VT a expresso acima pode ser simplificada para: V I D = I S exp D (3) VT

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Guia de Aulas Prticas de Eletrnica Analgica e Digital ID(A) ID(A)

VD(V a- Polarizao direta b Polarizao inversa Figura 1 Caracterstica tenso-corrente de um diodo de silcio

VD(V

Utilizando a expresso 3 pode-se determinar o valor do parmetro a partir de uma caracterstica tenso-corrente determinada experimentalmente:

VD I VT ln D I S

(4)

Para isto, toma-se um ponto da caracterstica direta do diodo (VD,ID) correspondente a cerca de 20% por cento da corrente nominal do diodo, regio onde a expresso 1 representa com maior preciso o comportamento do semicondutor. Analisando a expresso 1 observa-se que a caracterstica corrente-tenso de um diodo sensivel temperatura. Com efeito, a corrente reversa de um diodo, IS, dobra de valor para cada 10oC de aumento da temperatura. A varivel VT tambm funo da temperatura como mostra a expresso 2. Consequentemente, os fabricantes de semicondutores geralmente fornecem para os diodos, caractersticas tenso-corrente em duas ou trs temperaturas diferentes. Em outros casos, o fabricante fornece coeficientes de variao dos parmetros do diodo com a temperatura. Esta dependncia das caractersticas de um diodo com a temperatura pode ser utilizada de forma positiva. Para uma corrente direta constante, a tenso nos terminais do diodo, VD, decresce com o aumento de temperatura. Nas proximades da temperatura ambiente temos que: dV D mV 2,2 o dT C Como veremos, esta caracterstica pode ser utilizada na medio de temperatura. 25

Guia de Aulas Prticas de Eletrnica Analgica e Digital Atravs da figura 1 constata-se como caractersticas essenciais de um diodo: Em polarizao direta, a corrente no diodo muito pequena at que seja atingida a tenso de limiar V (da ordem de dcimos de volt). A partir deste valor de tenso o diodo apresenta baixa resistncia passagem da corrente. Na condio de polarizao reversa flui uma pequena corrente de catodo para anodo, pois o diodo apresenta uma alta resistncia nesta condio. claro que os termos grifados acima: corrente muito pequena, baixa resistncia, etc dependem das caractersticas do circuito onde o diodo utilizado. Estas consideraes devem ser feitas no momento da escolha de um modelo para representar o diodo em um circuito especfico.

3.2 Modelos para o Diodo Qual o melhor modelo para representar o diodo no circuito da figura 2 de modo a determinarmos a corrente e a tenso no diodo neste circuito? A resposta depende dos valores de VS e R no circuito.

Figura 2 - Anlise de um circuito a diodo A soluo exata, pode ser determinada a partir da reta de carga do circuito: ID = V D VS + R R (6)

Esta expresso, descreve a relao entre ID e VD no circuito em questo. Quando superposta caracterstica corrente-tenso do diodo, temos na interseo das duas curvas o ponto de operao do circuito, denominado ponto quiescente, como mostra a figura 3.1. Esta soluo no entanto muito complexa se a fonte VS varivel no tempo. Um modelo mais simples pode ser obtido aproximando as caractersticas direta e inversa por trechos lineares como mostra a figura 3.2. Neste caso, o diodo ser representado como um resistor de valor elevado quando polarizado reversamente e uma bateria em srie com uma pequena resistncia em polarizao direta. Este modelo deve ser usado por exemplo, quando a resistncia do circuito, R, da ordem de grandeza da resistncia direta do diodo. Se a resistncia do circuito, R, muito maior que a resistncia direta do diodo, a queda

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Guia de Aulas Prticas de Eletrnica Analgica e Digital nesta resistncia pode ser desprezada e o modelo da figura 3.3 mostra-se adequado. Se alm disto a tenso da fonte VS for muito maior que a tenso de limiar do diodo, V, o diodo ideal da figura 3.4 conduz a resultados de anlise satisfatrios. ID 3.1

VD

Curva Caracterstica ID

Polarizao Direta R

Polarizao Reversa

R RD V VS RD

3.2

VS VD

ID R 3.3 VS V R VS

VD

ID R 3.4 VS R VS

VD Figura 3 Modelos estticos para o diodo 27

Guia de Aulas Prticas de Eletrnica Analgica e Digital 3.3 Capacitncias de Juno e Tempos de Comutao Devido concentrao de portadores minoritrios nos dois lados da juno p-n quando polarizada diretamente, no possvel fazer o diodo passar bruscamente do estado de conduo para o corte polarizando-o reversamente. necessrio que os portadores minoritrios desam a barreira de potencial e que seja reestabelecida a condio de equilbrio. Neste momento, flui uma corrente reversa elevada pela juno, como mostra a figura 4. Este efeito associado no modelo do diodo a uma capacitncia em paralelo denominada capacitncia de difuso. Na polarizao reversa, a largura da barreira de potencial depende do valor da tenso externa aplicada. O efeito semelhante a um capacitor de placas paralelas onde a distncia entre placas varivel. A esta capacitncia denomina-se capacitncia de transio. Estas capacitncias, limitam a mxima frequncia de operao do diodo. Na figura 4, o tempo decorrido entre o instante em que a tenso reversa foi aplicada e o instante em que o diodo efetivamente recuperou sua capacidade de bloqueio denominado tempo de recuperao reversa (trr). VD VF t VR ID trr t

Figura 4 Comutao de um diodo tempo de recuperao reversa

4. PARTE EXPERIMENTAL Testando os diodos: 1 - Teste um diodo 1N4148 utilizando o multmetro na posio de teste de diodos. Conecte a ponta de prova preta ao terminal COM e a vermelha ao terminal VmA. Com a ponta vermelha no anodo e a preta no catodo o diodo esta polarizado diretamente e a leitura indica a queda de tenso no diodo. Invertendo a polaridade das pontas de prova o multmetro deve indicar sobrefaixa da leitura. Um diodo em curto deve dar indicao zero em ambas as polaridades. Um diodo aberto deve dar indicao de sobrefaixa em ambas as polaridades.

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Determinando experimentalmente as caractersticas tenso-corrente: 2 Faa a montagem indicada na figura abaixo para determinar as caractersticas de polarizao direta e inversa do diodo. Preencha a tabela abaixo.Utilize a fonte varivel de 0 a 15 V disponvel na bancada. Sabendo que a impedncia de entrada do multmetro igual a 10 M explique a conexo dos multmetros para medio da caracterstica reversa.

ID (mA) VD (V) ID (nA) VD (V)

10

20

30

40

50

60

70

80

90

10

14

10

3 - Determine atravs da expresso 4 a constante . Trae no MATLAB as caractersticas direta e reversa dadas pela expresso 1 e a caracterstica experimental. Compare os resultados com as caractersticas tpicas do diodo fornecidas no catlogo do fabricante.

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Guia de Aulas Prticas de Eletrnica Analgica e Digital 4 - Determine os parmetros deste diodo para cada um dos modelos da figura 4. Traando a caracterstica IxV no osciloscpio: 5 - As curvas caractersticas do diodo podem ser observadas no osciloscpio utilizando-se o circuito mostrado na figura abaixo e substituindo o sinal de dente de serra da varredura interna do osciloscpio por um sinal externo. A polaridade do sinal do canal 2 deve ser invertida para obtermos a polaridade correta da corrente no diodo.

6 - Troque o diodo da montagem acima por um diodo zener de 10V. Explique esta nova caracterstica. Medindo o tempo de recuperao reversa: 7 - A montagem abaixo permitir a medio do tempo de recuperao reversa do diodo 1N 4148. Neste caso alimente o circuito com uma tenso quadrada de +/- 5V e aumente gradativamente a frequncia at que o tempo de comutao do diodo no seja desprezvel. Mea ento o tempo de recuperao reversa do diodo. Troque o diodo nesta montagem pelo diodo retificador 1N4007. Mea o trr deste diodo. Compare os resultados. 8 Discuta com o professor de aula prtica o significado de todos os parmetros dos

diodos 1N4148 e 1N4007 no catlogo do fabricante.

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LEITURA COMPLEMENTAR 03
CAPACITORES ELETROLTICOS DE ALUMNIO

Basicamente, todo capacitor composto de duas armaduras e de um dieltrico interposto s armaduras. Embora isto tambm seja verdade para os capacitores eletrolticos, a principal diferena em relao aos outros tipos de capacitores reside no fato de que um dos eletrodos, o catodo, constituido de um fluido condutor, o eletrlito. O outro eletrodo, o anodo, constituido de uma folha de alumnio em cuja superfcie formada, por deposio eletroltica, uma camada de xido de alumnio que serve como dieltrico. A figura 1 apresenta um corte de um capacitor eletroltico de alumnio

anodo em folha de alumnio pelcula de xido de alumnio papel embebido em eletrlito (catodo) folha de alumnio para contato com o eletrlito
Figura 1 - Camadas de um capacitor eletroltico em alumnio O processo de formao da camada de xido de alumnio denominada oxidao andica. Aplica-se de catodo para anodo uma tenso muito superior tenso nominal do capacitor, que cria por deposio eletroltica uma camada de xido de alumnio sobre a placa de anodo. Esta tenso denominada tenso de formao. A espessura da camada praticamente proporcional tenso de formao (ou de oxidao) aplicada. Como durante este processo ocorre liberao de gases e calor, ele realizado com o capacitor ainda aberto. Aps a formao da camada de xido, o processo de eletrodeposico no ocorre para tenses abaixo da tenso de formao. A tenso de formao utilizada portanto bem maior que os valores das tenses de pico e nominal especificadas para o capacitor. Como em outros capacitores, sua capacitncia diretamente proporcional rea das armaduras em confronto e inversamente proporcional distncia entre ambas. Nos capacitores eletrolticos, essa distncia determinada pela espessura da camada de xido. O xido de alumnio apresenta, sobre os outros dieltricos no s a vantagem de poder ser obtido em filmes de menor espessura mas tambm a vantagem de suportar altas tenses eltricas. A taxa de crescimento da camada de xido de aproximadamente 0,0012

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Guia de Aulas Prticas de Eletrnica Analgica e Digital m/Volt, isto , mesmo em capacitores de tenso mais elevada (630V) teremos, no mximo, um afastamento entre armaduras de 0,7 m, que explica em parte sua alta capacitncia especfica (a espessura mnima de um dieltrico como o papel por exemplo, 6 a 8 m). Outro fator o aumento da superfcie dos eletrodos resultante da cauterizao eletroqumica, processo que torna a folha de alumnio do anodo rugosa. Como o catodo do capacitor eletroltico constituido por eletrlito, este preenche idealmente as reentrncias da folha de anodo, aumentando de forma significativa a rea das armaduras. O capacitor eletroltico construdo da forma descrita acima s funciona convenientemente quando ligamos o plo positivo folha de alumnio de anodo e o plo negativo outra folha. Se fizermos a ligao de maneira contrria, inicia-se o processo de deposio de uma camada de xido sobre a folha de alumnio para contato com o catodo. Durante este processo ocorre liberao de calor e formao de gases no interior do capacitor. O capacitor eletroltico , portanto empregado em aplicaes com tenso contnua exigindo altos valores de capacitncias (1F at 105 F). Deve-se salientar que uma componente alternada pode estar sobreposta tenso contnua. Existem tambm capacitores eletrolticos no polarizados (bipolares). Nestes, forma-se uma segunda camada de xido sobre a folha de contato com o catodo, formada nas mesmas condies da primeira. Uma construo deste tipo permite tanto um funcionamento sob tenso contnua em qualquer polaridade, como em tenses alternadas. Especificaes: Tenso Nominal - a tenso para a qual o capacitor foi construdo. Os valres normalmente encontrados so: Baixa Tenso (V) 10 16 25 40 Alta Tenso (V) 160 250

6,3

63

100

350

Tenso de Pico - a mxima tenso que pode ser aplicada ao capacitor por curtos perodos de tempo, at 5 vezes por minuto durante 1 hora. Normalmente de 1,1 a 1,15 vezes a tenso nominal. Corrente nominal de ondulao - o valor eficaz da corrente alternada que pode ser aplicada ao capacitor. Este valor depende da frequncia e temperatura de operao. Corrente de fuga - Devido s caractersticas particulares da camada de xido de alumnio que serve como dieltrico, flui uma pequena corrente mesmo aps um longo perodo de aplicao de tenso contnua pura, denominada corrente de fuga. A corrente de fuga pode ser considerada uma medida da qualidade do capacitor.

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Guia de Aulas Prticas de Eletrnica Analgica e Digital Fator de perdas - tg a relao entre a resistncia srie e a reatncia capacitiva do circuito equivalente do capacitor

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