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TRANSISTOR BIPOLAR TRANSISTOR BIPOLAR

Funcionamiento general
Estructura, dopados, bandas de energa y potenciales
Curvas, parmetros relevantes
Niveles de concentracin de portadores
d Ecuaciones de DC
Modelo de Ebers-Moll
Modelo de pequea seal Modelo de pequea seal
Polarizacin
Anlisis de circuitos
Aplicaciones
Introduccin a la Electrnica
Generalidades Generalidades Generalidades Generalidades
Los transistores BJT (Bipolar Junction Transistor) son componentes de 3
terminales, y representan la extensin natural de los diodos, por el hecho que terminales, y representan la extensin natural de los diodos, por el hecho que
estn compuestos por un par de junturas P-N.
Bipolar Entran en juego tanto electrones como huecos.
Existen dos variantes posibles de configuracin, llamadas PNP y NPN, en
funcin de la naturaleza del dopado que tengan.
A los terminales se los llama Emisor, Base y Colector. A los terminales se los llama Emisor , Base y Colector .
Constructivamente, el Emisor tiene un dopaje mucho ms alto que la Base; y a su
vez la Base tambin tiene un dopaje mayor que el Colector.
Introduccin a la Electrnica
Configuraciones Configuraciones Configuraciones Configuraciones
Representacin esquemtica:
Posibles configuraciones (modelo cuadripolo):
Introduccin a la Electrnica
Curvas Curvas Curvas Curvas
Estos dispositivos presentan curvas
parametrizadas, debido al nmero de p
corrientes y tensiones presentes.
Existe una zona llamada de saturacin,
una de corte y una activa. y
Un transistor:
Est en corte si la juntura BE no est
polarizada. polarizada.
Est en saturacin si la juntura CB
queda polarizada en directa.
Caso contrario se encuentra trabajando Caso contrario se encuentra trabajando
en la zona activa, siempre que la juntura
BE est en directa y CB en inversa.
Introduccin a la Electrnica
Zonas de trabajo Zonas de trabajo Zonas de trabajo Zonas de trabajo
Si bien el transistor BJT pareciera ser Si bien el transistor BJT pareciera ser
un dispositivo simtrico (Colector-
Emisor), constructivamente el
Colector tiene una superficie mucho p
mayor que el Emisor. Por este
motivo, si bien es posible el
funcionamiento en inversa, las
caractersticas son totalmente
diferentes y la performance en
amplificacin es muy pobre.
Introduccin a la Electrnica
Electrosttica Electrosttica Electrosttica Electrosttica
En condiciones de equilibrio, sin potenciales
elctricos externos, se lo puede ver
simplemente como la unin de dos diodos. p
Los anchos de las zonas de vaciamiento son
diferentes debido a las diferencias de los
dopajes en cada sector Recordar que a mayor dopajes en cada sector. Recordar que a mayor
dopaje, menor es el ancho.
Introduccin a la Electrnica
Electrosttica Electrosttica Electrosttica Electrosttica
Para un transistor NPN
Volviendo al BJT PNP, si polarizamos la
juntura BE en directa y la CB en inversa
(modo de trabajo en zona activa), los
niveles de energa en el transistor sern
La barrera de potencial de la juntura BE p j
disminuye a causa de la polarizacin
directa, mientras que la de la juntura CB
aumenta por la polarizacin inversa.
Introduccin a la Electrnica
Funcionamiento Funcionamiento Funcionamiento Funcionamiento
La polarizacin directa de la juntura BE origina
una circulacin de corriente por difusin. una circulacin de corriente por difusin.
Los huecos que pasan de Emisor a Base son
acelerados por el campo elctrico presente en la
d i i CB ll l C l zona de vaciamiento en CB y llegan al Colector.
Asimismo existe una corriente de electrones de
Base a Emisor. Como el dopado de Base es
mucho menor que el de Emisor, la corriente de
electrones ser inferior a la de huecos, siendo en
este caso un dispositivo que funciona en base a p q
huecos.
La Base debe tener un ancho menor a la longitud
de difusin para minimizar la recombinacin de difusin para minimizar la recombinacin.
Introduccin a la Electrnica
Funcionamiento Funcionamiento Funcionamiento Funcionamiento
I
EP
= Corriente de difusin de huecos desde E a B.
I
CP
= Corriente de difusin de huecos que logra atravesar la B y llega a C. Si la Base est I
CP
Corriente de difusin de huecos que logra atravesar la B y llega a C. Si la Base est
bien diseada, la recombinacin de huecos en esa zona es prcticamente nula I
EP
I
CP
.
I
EN
= Corriente de difusin de electrones de B a E (<< I
EP
)
I = Corriente de s t r in in ers de ele trones (<< I ) I
CN
= Corriente de saturacin inversa de electrones (<< I
CP
)
I
B
= Corriente de Base. Muy pequea, debido a que I
E
I
C
Introduccin a la Electrnica
Parmetros relevantes Parmetros relevantes Parmetros relevantes Parmetros relevantes
Para el caso antes visto de un transistor PNP,
en la configuracin Emisor comn, la en la configuracin Emisor comn, la
corriente de salida vendr dada por I
C
(huecos), mientras que la de entrada ser la I
B
(electrones) (electrones).
En este caso habr una ganancia de corriente
que vendr dada por I
C
/I
B
.
Parmetros de mrito en un transistor:
Eficiencia del Emisor
Factor de transporte Factor de transporte
Ganancia de corriente en Base comn
Ganancia de corriente en Emisor comn
Introduccin a la Electrnica
Parmetros relevantes Parmetros relevantes Parmetros relevantes Parmetros relevantes
Eficiencia del Emisor
La relacin entre la corriente de huecos que va de E a B (caso PNP) y la de La relacin entre la corriente de huecos que va de E a B (caso PNP) y la de
electrones que viaja de B a E depende de la relacin de dopado que exista
entre ambas zonas. Cuanto mayor sea la diferencia, menor ser la corriente de
l ( d l I ) electrones (y por ende la I
B
)
La relacin existente entre la corriente de portadores del Emisor y la corriente
total del Emisor se lo conoce como Eficiencia del Emisor.
Cuanto ms cercano a 1 sea , menor ser la I
B
y mayor ser la ganancia de
corriente en configuracin Emisor comn.
Introduccin a la Electrnica
Parmetros relevantes Parmetros relevantes Parmetros relevantes Parmetros relevantes
Factor de transporte de Base
Los portadores mayoritarios inyectados desde el Emisor a la Base por difusin Los portadores mayoritarios inyectados desde el Emisor a la Base por difusin
se convierten en minoritarios en esa zona. Parte de ellos se recombinan en la
Base y parte llegan a la juntura CB para continuar su trayectoria por el
Colector.
La relacin entre la corriente que llega a la juntura CB y la que ingresa por la
juntura BE se denomina Factor de transporte de la Base y viene expresada
por: por:
L i d bi i d b i d l i I La corriente de recombinacin debe ser provista por parte de la corriente I
B
,
por lo cual cuanto ms cercano a 1 sea este factor, menor ser la I
B
.
Introduccin a la Electrnica
Parmetros relevantes Parmetros relevantes Parmetros relevantes Parmetros relevantes
Ganancia de corriente en Base comn
En la zona activa de trabajo, la I
C
puede ser representada por: En la zona activa de trabajo, la I
C
puede ser representada por:
l d
dc
es la ganancia de corriente en Base comn.
I
CBO
es la corriente de Colector con I
E
= 0.
Por otro lado:
S bi d Sabiendo que:
Llegamos a: g
Introduccin a la Electrnica
Parmetros relevantes Parmetros relevantes Parmetros relevantes Parmetros relevantes
Ganancia de corriente en Emisor comn
En la zona activa de trabajo la I puede ser representada En la zona activa de trabajo, la I
C
puede ser representada
por:

dc
es la ganancia de corriente en Emisor comn.
I
CEO
es la corriente de Colector con I
B
= 0.
Con la ecuacin , sabiendo que
b obtenemos:
Igualando con la 1 ecuacin se llega a
Como I
CEO
es despreciable, la ganancia de corriente ser:
Introduccin a la Electrnica
Transistor en zona activa directa Transistor en zona activa directa Transistor en zona activa directa Transistor en zona activa directa
En la zona de trabajo activa se aplica
un potencial en directa en la juntura
Base-Emisor, e inversa en Base-
Colector.
n
pB
(0) = n
pB
*e
Vbe/UT
(0) *
Vbe/UT
p
nE
(0) = p
nE
*e
Vbe/UT
Los gradientes de concentracin Los gradientes de concentracin
generan una densidad de corriente por
difusin, cuyo valor vendr dado por:
N P N
j = D*q*
n
/
x
N P N
Introduccin a la Electrnica
Funcionamiento activa directa Funcionamiento activa directa Funcionamiento activa directa Funcionamiento activa directa
Corriente de electrones desde el
Emisor (mayoritarios) a la Base
(minoritarios) (minoritarios).
Corriente de menor amplitud de
huecos de Base a Emisor.
Pequea corriente de huecos entre Pequea corriente de huecos entre
Base y Colector (corriente de fuga)
Introduccin a la Electrnica
Ecuaciones en zona activa directa Ecuaciones en zona activa directa Ecuaciones en zona activa directa Ecuaciones en zona activa directa
Introduccin a la Electrnica
Transistor en zona activa inversa Transistor en zona activa inversa Transistor en zona activa inversa Transistor en zona activa inversa
En la zona de trabajo inversa se aplica
un potencial en directa en la juntura un potencial en directa en la juntura
Base-Colector, e inversa en Base-
Emisor.
n
pB
(W
B
) = n
pB
*e
Vbc/UT
p
nC
(W
B
) = p
nC
*e
Vbc/UT
p
nC
(
B
) p
nC
Los gradientes de concentracin
generan una densidad de corriente por
difusin, cuyo valor vendr dado por:
j = D*q* /
N P N
j D q
n
/
x
N P N
Introduccin a la Electrnica
Funcionamiento activa inversa Funcionamiento activa inversa Funcionamiento activa inversa Funcionamiento activa inversa
Corriente de electrones desde el
Colector (mayoritarios) a la Base
(minoritarios).
Corriente de menor amplitud de
huecos de Base a Colector.
Debido a la diferencia de dopados, la
rri nt d B r m r l d corriente de Base ser mayor a la de
Colector (ganancia pobre).
Introduccin a la Electrnica
Ecuaciones en zona activa inversa Ecuaciones en zona activa inversa Ecuaciones en zona activa inversa Ecuaciones en zona activa inversa
Introduccin a la Electrnica
Ecuaciones globales Ecuaciones globales Ecuaciones globales Ecuaciones globales
Introduccin a la Electrnica
Ecuaciones globales Ecuaciones globales Ecuaciones globales Ecuaciones globales
Introduccin a la Electrnica
Modelo Modelo Ebers Ebers Moll Moll (NPN) (NPN) Modelo Modelo Ebers Ebers--Moll Moll (NPN) (NPN)
Introduccin a la Electrnica
Modelo simplificado Modelo simplificado Ebers Ebers Moll Moll Modelo simplificado Modelo simplificado Ebers Ebers--Moll Moll
P f i i i Para funcionamiento en zona activa se
desprecia la corriente inversa:
Introduccin a la Electrnica
Modelo de pequea seal Modelo de pequea seal Modelo de pequea seal Modelo de pequea seal
Modelo Lineal Incremental (MLI).
Vlido en un entorno del punto de operacin.
til para clculos manuales.
Modelo de parmetros h (hbrido).
M d l d p t ( d it i ) Modelo de parmetros y (admitancia).
Modelo de parmetros s (scattering).
Notacin:
b
Q
B B
i I i + =
Introduccin a la Electrnica
Modelo de parmetros Hbridos Modelo de parmetros Hbridos Modelo de parmetros Hbridos Modelo de parmetros Hbridos
Introduccin a la Electrnica
Modelo de parmetros Hbridos Modelo de parmetros Hbridos Modelo de parmetros Hbridos Modelo de parmetros Hbridos
Vlido para la zona de trabajo Activa.
P i d l i d l d l i lifi d d Eb M ll Partimos de las ecuaciones del modelo simplificado de Ebers Moll:
T BE
U v
ES E
e I i
/
=
B F E F C
i i i | o = =
E
F
B
i i
1
1
+
=
|
Introduccin a la Electrnica
Modelo de parmetros Hbridos Modelo de parmetros Hbridos Modelo de parmetros Hbridos Modelo de parmetros Hbridos
Resistencia de entrada:
B
U v
ES B
I e I i
T BE
|
|

|
c c 1
/
T
B
F
ES
BE
Q
BE
B
ie
ie
U v v h
g =
|
|
.

\
+ c
=
c
=
1 |
U U |
C
F T
B
T
ie i
I
U
I
U
h r
|
= = =
Responde a la inversa de la pendiente de la
curva i
B
vs v
BE
Introduccin a la Electrnica
Modelo de parmetros Hbridos Modelo de parmetros Hbridos Modelo de parmetros Hbridos Modelo de parmetros Hbridos
Transferencia Directa:
F
b
c
Q
B
C
fe
i
i
i
i
h | = =
c
c

Q
Introduccin a la Electrnica
Modelo de parmetros Hbridos Modelo de parmetros Hbridos Modelo de parmetros Hbridos Modelo de parmetros Hbridos
Conductancia de Salida:
Ef E l C i i d i Efecto Early Correccin ecuacin de i
C
.
|
|
.
|

\
|
+ =
CE
C C
V
v
i i 1 '
|
.

\ A
C C
V
C C
oe o
V
I
v
i
h g =
c
c
=
A
Q
CE
V v c
C
A
o
I
V
h
r = =
1
C oe
I h
Introduccin a la Electrnica
Modelo de parmetros Hbridos Modelo de parmetros Hbridos Modelo de parmetros Hbridos Modelo de parmetros Hbridos
Efecto Early
Introduccin a la Electrnica
Modelo de parmetros Hbridos Modelo de parmetros Hbridos Modelo de parmetros Hbridos Modelo de parmetros Hbridos
Transferencia Inversa:
C BE C BE BE
I v i v v
h
c c c c

A
C
C
BE
CE
C
C
BE
Q
CE
BE
re
V i v i v
h
c
=
c c
=
c

T BE BE
U v v c c 1
C
T
B
BE
F C
BE
I i i
=
c
=
c |
T C T
U I U
h = =
Habitualmente se lo desprecia (250V/V)
A A C
re
V V I
h = =
Introduccin a la Electrnica
Modelo de parmetros Hbridos Modelo de parmetros Hbridos Modelo de parmetros Hbridos Modelo de parmetros Hbridos
M d l Hb id b j f i Modelo Hbrido para bajas frecuencias
Modelo altas frecuencias. Incorpora capacidades de difusin y de
vaciamiento en las junturas. j
Introduccin a la Electrnica
Curvas tpicas Curvas tpicas Curvas tpicas Curvas tpicas
Introduccin a la Electrnica
M d l Hb id M d l Hb id Modelo Hbrido Modelo Hbrido
T
C
Q
BE
C
m
U
I
v
i
g =
c
c

Transconductancia
Q
ie
h r
H
oe
o
h
r
1

oe
Introduccin a la Electrnica
Modelo de alta frecuencia Modelo de alta frecuencia Modelo de alta frecuencia Modelo de alta frecuencia
Para contar con un modelo de pequea seal que sea vlido tambin en altas
frecuencias, es necesario agregar las capacidades que surgen a partir de las
j nt r d l tr n i t r f n i n mi nt int rn junturas del transistor y su funcionamiento interno.
Capacidades inherentes al funcionamiento de un BJT:
Capacidad de Difusin. p
Capacidades de Vaciamiento.
Introduccin a la Electrnica
Capacidad de Difusin Capacidad de Difusin Capacidad de Difusin Capacidad de Difusin
Variaciones de tensin directa provocan variaciones en la concentracin de
portadores en la Base.
Introduccin a la Electrnica
Capacidad de Difusin Capacidad de Difusin Capacidad de Difusin Capacidad de Difusin
Carga de electrones minoritarios en Base:
Multiplicando y dividiendo por D
nB
/W
B
se llega a:
Tiempo de trnsito de Base: Tiempo de trnsito de Base:
Introduccin a la Electrnica
Capacidades de Vaciamiento Capacidades de Vaciamiento Capacidades de Vaciamiento Capacidades de Vaciamiento
Variaciones de tensin inversa en la juntura provocan variaciones en el ancho
de la zona de vaciamiento.
Para la juntura BE en directa tenemos: Para la juntura BE en directa tenemos:
Capacidad de entrada total del BJT:
Introduccin a la Electrnica
Capacidades de Vaciamiento Capacidades de Vaciamiento Capacidades de Vaciamiento Capacidades de Vaciamiento
En la juntura BC la tensin aplicada en zona activa es inversa, por lo cual se
produce un efecto de modulacin en el ancho de la zona de vaciamiento.
En el caso de transistores integrados, debe agregarse la capacidad entre
Colector y Sustrato.
Introduccin a la Electrnica
Modelo pequea seal alta frecuencia Modelo pequea seal alta frecuencia Modelo pequea seal alta frecuencia Modelo pequea seal alta frecuencia
Introduccin a la Electrnica
Ejemplo Ejemplo Ejemplo Ejemplo
Calcular la ganancia de tensin Vo/Vi para el siguiente circuito: Calcular la ganancia de tensin Vo/Vi para el siguiente circuito:
Considerar:
I
C
= 1mA
20V
C

F
= 200
V
A
= 100V
S l i
BC548
10k
Vo
Solucin:
h
ie
=
F
*U
T
/I
C
= 5K
h
fe
=
F
= 200
BC548
1k


Vi
f
1/h
oe
= V
A
/I
C
= 100K
h
re
= U
T
/V
A
= 250*10
-6
Vo/Vi 330
Introduccin a la Electrnica
Polarizacin Polarizacin Polarizacin Polarizacin
La polarizacin de un circuito define el punto de operacin del dispositivo
activo. En base a esto quedan determinadas sus caractersticas de
funcionamiento y los parmetros del modelo de pequea seal. y p p q
Polarizacin fija
Polarizacin con divisor resistivo
Polarizacin con resistencia de emisor
Polarizacin por realimentacin de Colector Polarizacin por realimentacin de Colector
Introduccin a la Electrnica
Anlisis grfico Anlisis grfico Anlisis grfico Anlisis grfico
Introduccin a la Electrnica
Anlisis grfico Anlisis grfico Anlisis grfico Anlisis grfico
Introduccin a la Electrnica
Polarizacin fija Polarizacin fija Polarizacin fija Polarizacin fija
Es simple de realizar, pero trae problemas de estabilidad del punto de trabajo.
Introduccin a la Electrnica
Polarizacin con divisor resistivo Polarizacin con divisor resistivo Polarizacin con divisor resistivo Polarizacin con divisor resistivo
Introduccin a la Electrnica
Polarizacin con resistencia de Emisor Polarizacin con resistencia de Emisor Polarizacin con resistencia de Emisor Polarizacin con resistencia de Emisor
Muy buena estabilidad trmica y
Realimentacin negativa
Introduccin a la Electrnica
Polarizacin realimentacin Colector Polarizacin realimentacin Colector Polarizacin realimentacin Colector Polarizacin realimentacin Colector
Muy buena estabilidad trmica y
Realimentacin negativa
Introduccin a la Electrnica
Ejemplo Ejemplo Ejemplo Ejemplo
Hallar los puntos de trabajo de ambos BJT. h
FE
= =100 p j J
FE

Introduccin a la Electrnica
Configuracin Emisor Comn Configuracin Emisor Comn Configuracin Emisor Comn Configuracin Emisor Comn
Alta impedancia de entrada Alta impedancia de entrada
Gana en tensin
Gana en corriente
Introduccin a la Electrnica
Configuracin Base comn Configuracin Base comn Configuracin Base comn Configuracin Base comn
Gran ancho de banda Gran ancho de banda.
Baja impedancia de entrada
Gana en tensin
No gana en corriente
Introduccin a la Electrnica
Configuracin Colector comn Configuracin Colector comn Configuracin Colector comn Configuracin Colector comn
Buen ancho de banda Buen ancho de banda.
Alta impedancia de entrada
Baja impedancia de salida j p
No gana en tensin
Gana en corriente
Seguidor de Emisor
Introduccin a la Electrnica
Teorema de Miller Teorema de Miller Teorema de Miller Teorema de Miller
Un componente dispuesto entre el puerto de entrada y salida puede trabajarse Un componente dispuesto entre el puerto de entrada y salida puede trabajarse
de la siguiente forma:
K = ganancia de tensin entre puerto de salida y entrada
Introduccin a la Electrnica
Ejemplo Ejemplo Ejemplo Ejemplo
Resolver el siguiente circuito Resolver el siguiente circuito
Introduccin a la Electrnica
Ejemplo Ejemplo Ejemplo Ejemplo
Resolver el siguiente circuito: Resolver el siguiente circuito:
Introduccin a la Electrnica
Ejemplo Ejemplo Ejemplo Ejemplo
Capacitor en Emisor Capacitor en Emisor
Introduccin a la Electrnica
Configuracin Configuracin Cascode Cascode Configuracin Configuracin Cascode Cascode
Alta impedancia de entrada Alta impedancia de entrada
Gran ancho de banda
Alta impedancia de entrada p
Gana en tensin y corriente
Introduccin a la Electrnica
Amplificador clase B Amplificador clase B Amplificador clase B Amplificador clase B
Se utiliza en etapas de potencia como
ser amplificadores de audio
Al carecer de polarizacin presenta
distorsin de cruce por cero distorsin de cruce por cero
Logra una eficiencia del 78%
Introduccin a la Electrnica
Amplificador clase AB Amplificador clase AB Amplificador clase AB Amplificador clase AB
Se polariza para eliminar la distorsin de cruce por cero
Disminuye levemente la eficiencia
Introduccin a la Electrnica
Aplicaciones Aplicaciones Inversor lgico Inversor lgico Aplicaciones Aplicaciones - - Inversor lgico Inversor lgico
Utilizado en las primeras familias lgicas para implementar una funcin Utilizado en las primeras familias lgicas para implementar una funcin
NOT
Introduccin a la Electrnica
Aplicaciones Aplicaciones Driver de rel Driver de rel Aplicaciones Aplicaciones Driver de rel Driver de rel
Introduccin a la Electrnica
Fuente de Corriente bsica Fuente de Corriente bsica Fuente de Corriente bsica Fuente de Corriente bsica
Introduccin a la Electrnica
Fuente de Corriente bsica Fuente de Corriente bsica Fuente de Corriente bsica Fuente de Corriente bsica
I id d R I
C
considerando R
0
Variacin de I
C2
en funcin de V
CE2
Resistencia de Salida
Equivalente Thevenin
Introduccin a la Electrnica
Fuente de Corriente modificada Fuente de Corriente modificada Fuente de Corriente modificada Fuente de Corriente modificada
Introduccin a la Electrnica
Fuente de Corriente Fuente de Corriente Widlar Widlar Fuente de Corriente Fuente de Corriente Widlar Widlar
Se utiliza para aplicaciones que requieran
corrientes de polarizacin de baja intensidad
(del orden de los 5 A), sin tener que utilizar
resistencias elevadas. Este circuito tambin resistencias elevadas. Este circuito tambin
presenta una impedancia de salida mayor.
Va =
Introduccin a la Electrnica
Fuente de Corriente Fuente de Corriente Widlar Widlar Fuente de Corriente Fuente de Corriente Widlar Widlar
Va =
Se debe iterar para hallar I
C2
en funcin de I
R
.
Introduccin a la Electrnica
Fuente de Corriente Wilson Fuente de Corriente Wilson Fuente de Corriente Wilson Fuente de Corriente Wilson
La fuente de corriente Wilson proporciona
una resistencia de salida grande, como as
tambin una baja dependencia de la corriente
de salida respecto a
F
.
VVa =
Introduccin a la Electrnica