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Proteo e seletividade

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Captulo XIII Proteo de Bancos de Capacitores Shunt


Por Cludio Mardegan*

A utilizao de bancos de capacitores em sistemas eltricos industriais tem crescido ultimamente devido ao fato de se constituir uma forma simples, prtica e econmica de corrigir o fator de potncia. Entretanto, a sua aplicao necessita de certos cuidados, pois podem ocorrer alguns efeitos colaterais. Alguns cuidados e ateno devem ser tomados, entre outros, quando se chaveia um banco. Um disjuntor pode interromper vrios kAs de corrente indutiva, mas suportar uma corrente capacitiva de apenas algumas centenas de ampres. Normas e guias Existem vrias normas e guias para a proteo de capacitores, entre as quais podem ser citadas: IEEE Std C37.99-2002 Guide for protection of shunt capacitors banks IEEE Std 18-2002 Shunt Power Capacitors

IEC 831-1 1988 Shunt Power Capacitors of the self healing type for a.c. systems having a rated voltage up to and including 660 V ABNT NBR 5282 JUN 1998 Capacitores de potncia em derivao para sistemas de tenso acima de 1000 V Especificao

Tipos de conexes dos bancos de capacitores Shunt


Os bancos de capacitores shunt trifsicos so comumente conectados em uma das seguintes formas: Delta Estrela no aterrada Estrela aterrada Dupla estrela no aterrada Dupla estrela aterrada necessrio lembrar que quando os bancos de capacitores ficam com potncia acima de 3.100 kVAr, prtica utilizar as conexes em dupla estrela no aterrada e com neutros interligados. H tambm a possibilidade de utilizar os bancos na configurao H. Ultimamente, encontram-se no mercado fornecedores de bancos em que os capacitores suportam mais do que 10% de sobretenso. Dessa forma recomenda-se sempre consultar os respectivos fabricantes dos equipamentos.

Principais protees de um banco de capacitores


As protees mais usuais de um banco de
Figura 1 Conexes mais usuais de banco de capacitores.

capacitores podem ser resumidas em:

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De sobrecorrente para falta na barra e/ou circuito do banco; De sobrecorrente para faltas nas unidades do banco; De sobretenso permanentes nas unidades restantes devido falha de unidades individuais; De sobretenso na barra do banco de capacitores; De surto de tenso do sistema; Descarga de corrente de unidades paralelas; De corrente inrush devido ao chaveamento; De arcos sobre a estrutura do capacitor;

Corrente inrush
Na energizao de um banco de capacitores, ocorre um transitrio eletromagntico que se traduz pelo aumento dos valores de corrente e de frequncia. Os valores atingidos nesse transitrio e sua durao dependem do instante em que est passando a tenso, da capacitncia, da indutncia do circuito, da carga inicial do capacitor no instante da energizao e dos amortecimentos promovidos pelas resistncias do circuito. Observaes importantes sobre a corrente inrush de banco de capacitores: Quando o banco de capacitores est descarregado, sua impedncia praticamente nula e assim os valores de corrente podem atingir valores expressivos. Quando existe um banco nico na barra, a corrente inrush deste banco menor que a corrente de curto-circuito no ponto de instalao do banco de capacitores. Quando um capacitor chaveado, estando um outro j energizado na mesma barra (conhecido como chaveamento back to back), as correntes de energizao tendem a ser ainda maiores, considerando que a contribuio de corrente do banco j conectado na barra limitada apenas pela indutncia dos capacitores e dos barramentos. Quando um banco chaveado back to back, a corrente inrush poder exceder o valor da corrente de curto-circuito no ponto onde est o banco de capacitores. Normalmente a corrente inrush mxima suportada por um banco de capacitores de 100xIn. Deve-se consultar sempre o fabricante e tambm verificar qual a norma de fabricao do capacitor para certificar este valor. A forma de onda no senoidal e aparece uma onda de alta frequncia sobreposta senide da onda de tenso. A durao do transitrio normalmente varia da ordem de uma frao de ciclo a alguns ciclos da frequncia do sistema. A Figura 2 apresenta o grfico de uma simulao feita do chaveamento de um banco de 30 MVAr em 69 kV, atravs de um programa de transitrios eletromagnticos.

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Do circuito da Figura 4 pode-se dizer que, a partir do fechamento da chave, uma corrente i(t) ir circular e, pela Lei de Kirchoff, das tenses pode-se tirar: Equao 1 Como se pode observar, a soluo no domnio do tempo acaba ficando um pouco complexa e o que se faz passar para o domnio da frequncia atravs das transformadas de Laplace que transforma as equaes diferenciais em equaes algbricas como segue: Equao 2
Figura 2 Chaveamento de capacitor de 30 MVAr em 69 kV single na barra. Corrente = 4074,5 Ap e frequncia = 528,8 Hz.

Isolando-se o valor da corrente I(s) na Equao 2, tem-se:

A Figura 3 apresenta o grfico de uma simulao feita, por meio de um programa de transitrios eletromagnticos, do chaveamento de um segundo banco de capacitores de 30 MVAr em 69 kV, estando j energizado na mesma barra um banco de 30 MVAr. Aplicando-se a antitransformada de Laplace, fica: Equao 3

Chamando-se de:

Equao 4 Equao 5

Aplicando a Equao 5 na 4, tem-se:


Figura 3 Chaveamento de capacitor de 30 MVAr em 69 kV back to back, estando um banco de capacitores tambm de 30 MVAr j energizado na barra. Corrente = 9431,8 Ap e frequncia = 2341,9 Hz.

Equao 6

Como pode ser observado nas simulaes, o valor da corrente inicialmente muito alto, porm o valor cai abruptamente e em torno de 100 ms praticamente j atingiu o valor de regime.

Aplicando-se a Equao 5 em 6 e, manipulando, fica:

(a) Valor da corrente inrush (a1) Chaveamento nico (banco singelo)


A Figura 4 mostra o modelo de circuito representativo de um capacitor singelo sendo chaveado na barra.

Equao 7 Equao 8

Equao 9

Equao 10

Equao 11 A frequncia de chaveamento do banco simples dada pela


Figura 4 Circuito equivalente de um banco de capacitores sendo chaveado.

Equao 5, a qual pode ser expressa em Hz e em H e F, conforme mostrado na Equao 9.

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A tabela a seguir apresenta a indutncia tpica dos bancos Equao 12 e dos barramentos.
Tabela 1 InduTncIa TpIca de barramenTos e bancos

(a2) Chaveamento de mais de um banco na barra (banco de mltiplos estgios)


Ao chavear um banco (ou um novo estgio de um mesmo banco), havendo outro j energizado na barra, praticamente, a nica impedncia que ir limitar o chaveamento ser a impedncia dada pela indutncia entre os bancos (visto que esta muito menor que a indutncia da rede). Dessa maneira, a corrente de chaveamento que aparece atinge valores elevados. A Figura 5 traz o circuito representativo desta situao.

Tenso [kV] < 15.5 38 48.3 72.5 121.0 145.0 169.0 242.0

Indutncia da barra [mH/m] 0,7021 0,7808 0,8399 0,8399 0,8563 0,8563 0,8793 0,935

Indutncia tpica dos capacitores [mF] 5 5 10 10 10 10 10 10

Ao manipular a Equao 13, chega-se ento Equao 14.

Equao 14

Em que: kVFF = Tenso entre fases do banco em kV; Leq = Indutncia equivalente entre os bancos em micro-henries [H]; I1, I2 = Corrente nominal dos bancos j energizado (banco 1) e do banco chaveado (2) em [A]. A frequncia de chaveamento deste banco mltiplo dada pela Equao 15. Equao 15

A Equao 16 expressa a frequncia em Hertz e L em H. Equao 16

Os valores de corrente de chaveamento, frequncia e os respectivos tempos de durao do inrush podem ser utilizados no programa ATP (Alternative Transient Program). As frequncias
Figura 5 Circuito equivalente do chaveamento de um banco mltiplo na barra.

de chaveamento de banco so da ordem de kHz e a durao do transitrio de chaveamento de alguns semiciclos da frequncia de chaveamento.

A Figura 5(a) mostra o banco sendo chaveado. A Figura 5(b) mostra a associao equivalente da indutncia e a Figura 5(c) o equivalente final. Analisando ainda a Figura 5(c), vemos que corresponde Figura 4. Logo, a Equao 8 pode ser aplicada, a qual, na condio de valor mximo, corresponde ao seno igual a 1, cujo resultado aplicado Equao 13.

Pontos a serem protegidos


Os capacitores, assim como os motores eltricos, constituem equipamentos muitos sensveis, como pode ser visto pelas prescries normativas de projeto das normas IEEE Std 18 e C37.99. Os capacitores podem:

Equao 13

Operar permanentemente com 110% de Vn (incluindo-se sobretenses harmnicas);

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Operar at 180% de In (incluindo a fundamental e as harmnicas); Operar no mximo a 115% kVAr nominal para a fundamental; Operar permanentemente com 135% dos kVAr nominais (desde que no exceda a 110% Vn). Nota: Deve-se sempre consultar o fabricante para verificar as condies de suportabilidade do respectivo banco.

Para proteo de um capacitor ou banco, deve-se prever a limitao da: Sobretenso em 10%; Sobrecorrente de 130% a 135% (Conforme norma de fabricao). Ajustes recomendados: Pick up sobrecorrente: 1,2 x In Temporizao da unidade temporizada: acima do ponto (0.1 s; Inrush) Instantneo: > 1,1 x Inrush

(a) Pick up da unidade temporizada


Deve ser escolhido em funo da norma em que o capacitor foi fabricado. Normalmente deve ser ajustado entre 1.2 e 1.35 x In. Valor sugerido: 1.2. Embora a corrente permissvel possa ser maior (por exemplo 8 x In ANSI), a limitao imposta pela potncia.

Bancos em dupla estrela


Bancos em mdia e alta tenses normalmente so conectados em dupla estrela, pois, dessa forma, podem ser utilizados capacitores de menor isolao, implicando menor custo. A estrela normalmente isolada, porm, interligada e, nessa interligao, instalado um rel que consegue identificar desequilbrios de corrente que surgem em funo da queima de algum fusvel de alguma lata (unidade) de capacitor.

(b) Temporizao da unidade


No deve atuar para a corrente de energizao do banco. Assim, seu ajuste deve ficar acima do Ponto (Inrush [A]; 0.1 s), embora, parte das vezes este transitrio pode durar menos que 100 ms para o valor da corrente inrush.

(c) Pick up da unidade instantnea


Deve ser ajustada para 110% do valor da corrente de energizao. Assim, deve-se promover o ajuste deste rel, montando uma tabela, excluindo lata por lata (unidade por unidade), de modo que a tenso fique abaixo de 110%, limite mximo normalizado para a fabricao dos capacitores.

(d) Resumo dos critrios de proteo

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Apresenta-se a seguir as principais equaes para banco dupla estrela. Equao 25

Tenso remanescente nas unidades restantes do grupo e corrente de desequilbrio no neutro de bancos dupla-estrela
(a) Tenso no restante do grupo
A Equao 17 apresenta o clculo da sobretenso das unidades restantes de um grupo.

Equao 26

(d) Corrente de falta com uma unidade curto-circuitada


Apresenta-se a seguir a Equao 34 para o clculo corrente de falta na fase, para um banco em dupla estrela. Equao 27

Equao 17 Equao 28

(b) Corrente de desequilbrio


A Equao 18 traz o clculo da corrente de desequilbrio no neutro da dupla estrela na sada (queima de fusveis) de um grupo. Equao 29 Equao 30 Equao 31 Em que: P = Nmero de unidades em paralelo por grupo S = Nmero de grupos srie por perna F = Nmero de fusveis queimados Equao 33 Equao 32

Equao 18

(c) Tenso remanescente em cada grupo srie com o grupo em falta


A Equao 26 apresenta o clculo da tenso remanescente em cada grupo srie com o grupo em falta para um banco em dupla estrela.

Equao 34

Para se determinar a corrente de falta no grupo curto-circuitado, utiliza-se a Equao 35. Equao 19 Em que: IN = Corrente nominal do capacitor. Equao 35

Equao 20

Equao 21

(e) Nmero mnimo de unidades por grupo para uma sobrenteso de 10%
Na equao seguinte, determinado o nmero mnimo de unidades por grupo para uma sobretenso de 10%.

Equao 22

Equao 36 Equao 37 Equao 38

Equao 23

Equao 24

Equao 39

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Exemplo 1
Dado um banco de capacitores de 3600 kVAr, instalado em 13.8 kV, em um local em que o nvel de curto-circuito de 8519 A. A caracterstica do banco apresentada a seguir. Pede-se para ajustar as protees do banco. Conexo: dupla estrela no aterrada kVAr de 1 unidade = 200 Nmero de grupos srie por fase (S) = 1 Nmero de unidades em paralelo por grupo (P) = 3 kVn 1 unidade = 7,967 TC de fase = 400-5 A TC do neutro da dupla estrela = 15-5 A

O valor da corrente inrush calculado como segue:

A durao 0.1 s. Assim, a temporizao do rel deve ficar acima deste tempo, ou seja, 0.15 s. Escolhendo uma caracterstica muito inversa, fica:

A unidade instantnea tem que ser ajustada 10% acima do valor da corrente inrush:

Soluo
.... O clculo a seguir mostra a sobretenso nas unidades restantes. Do grupo, quando so retiradas unidades e a corrente de .... desequilbrio no neutro, sabe-se que a sobretenso das unidades restantes do grupo e a corrente de desequelbrio no neutro da dupla estrela so dadas por:

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Com nenhuma unidade retirada (F=0), para P=3 e S=1, fica:

10% de sobretenso. Neste caso, com uma unidade retirada, d-se o alarme e, com duas, d-se o trip. Ajuste da unidade de alarme

Com uma unidade retirada (F=1), para P=3 e S=1, fica: .... Ajuste da unidade de trip .... Com duas unidades retiradas (F=2), para P=3 e S=1, fica: Nota: O valor de 0.9 utilizado para garantir que, mesmo com .... .... A tabela a seguir resume o exposto:
N de Tenso nas Tenso nas Tenso nas Corrente no unidades unidades unidades restantes unidades restantes neutro da dupla retiradas restantes (pu) (kVsistema) (pu - kVBanco) estrela (A) 0 1,000 7,967 1,000 0,00 1 1,059 8,436 1,059 13,29 2 1,125 8,963 1,125 28,24 3 1,200 9,561 1,200 45,18 *CLUDIO MARDEGAN engenheiro eletricista formado pela Escola Federal de Engenharia de Itajub (atualmente Unifei). Trabalhou como engenheiro de estudos e desenvolveu softwares de curto-circuito, load flow e seletividade na plataforma do AutoCad. Alm disso, tem experincia na rea de projetos, engenharia de campo, montagem, manuteno, comissionamento e start up. Em 1995 fundou a empresa EngePower Engenharia e Comrcio Ltda, especializada em engenharia eltrica, benchmark e em estudos eltricos no Brasil, na qual atualmente scio diretor. O material apresentado nestes fascculos colecionveis uma sntese de parte de um livro que est para ser publicado pelo autor, resultado de 30 anos de trabalho. CONTINUA NA PRXIMA EDIO Confira todos os artigos deste fascculo em www.osetoreletrico.com.br Dvidas, sugestes e comentrios podem ser encaminhados para o e-mail redacao@atitudeeditorial.com.br

subtenso na barra, a proteo ir operar adequadamente.

Como se sabe, o banco no deve ficar submetido mais do que