CARACTERSTICAS del DIODO

Sergio A. Dorado (262043), Edgar Durn (261942), Sebastin Serna (285887)

Abstractby this article it is explored a new circuit element known as junction diode. A diode is a non-linear semiconductor element that provides new functionalities into a system, given by its typical i-v characteristic. Through this paper it is explored the diodes physical behaviour, the changes due to temperature variations and it is measured an important characteristic for diodes in high-power applications known as reverse recovery time. Keywords pn junction, semiconductor junction diode, reverse recovery time

I. INTRODUCCIN

OS circuitos lineales tienen limitaciones a la hora de efectuar ciertas funciones. Es por ello que, para la solucin de distintos tipos de problemas, fue necesario ampliar los conocimientos de teora de circuitos y disear nuevos dispositivos que tuvieran ciertas caractersticas, las cuales deban traducirse en un circuito en un procesamiento especfico de una seal, fuera del alcance del producido por un elemento lineal. Dichos elementos son los elementos de circuito no lineales, siendo de ellos el ms fundamental el diodo rectificador. Los elementos no lineales de circuitos tienen una gran variedad de aplicaciones. Entre ellas, se resaltan las que tienen al diodo como principal protagonista. En lo que concierte al diodo rectificador, la ms fundamental de sus aplicaciones resulta ser la generacin de seales DC a partir de seales AC, y, en general, la sntesis de seales de varias formas de onda. Asimismo, muchos circuitos digitales lgicos y de memoria se basan en el funcionamiento del diodo y de otros elementos no lineales. El principal objetivo de este artculo es profundizar en las caractersticas bsicas del diodo rectificador: su curva caracterstica de corriente-voltaje, los efectos que tiene la temperatura en su funcionamiento, as como una caracterstica bastante especial denominada tiempo de recuperacin inversa. El tiempo de recuperacin inversa del diodo est asociado con un cambio brusco en su polarizacin: de operar en la zona directa se pasa en un intervalo muy corto de tiempo a operar en la zona inversa. Con el modelo ms sencillo del diodo, se puede entender un poco ms de esta interesante situacin. II. MARCO TERICO
a) Caracterizacin del diodo

El diodo puede considerarse como el dispositivo electrnico de caracterstica i-v no lineal ms bsico y fundamental. Existen muchos tipos de diodos, siendo los ms conocidos y los ms utilizados los rectificadores, los zeners y los diodos emisores de luz (LEDs), entre otros. Vale la pena sealar que el presente artculo se centra en el funcionamiento y las caractersticas del diodo rectificador [1]. Todo diodo se caracteriza por tener tres regiones de funcionamiento: regin de polarizacin directa, regin de polarizacin inversa y regin de ruptura. Los rectificadores se disean para operar en la regin de polarizacin directa, mientras que los zeners estn especialmente diseados para operar en la regin de ruptura. Sin embargo, sto no quiere decir que un diodo rectificador no pueda operar en regin de ruptura, ni que un zener no pueda operar en regin de rectificacin. La principal diferencia radica en los parmetros de voltaje y corriente que caracterizan a cada dispositivo en la correspondiente regin de operacin. Para comprender el funcionamiento del rectificador, se tienen varios modelos matemticos, cada uno de los cuales tiene sus respectivas ventajas y desventajas. Algunos de los modelos ms utilizados son el modelo ideal, el modelo exponencial, el modelo de cada de voltaje constante, el modelo lineal por partes y el modelo de pequea seal. Se expondrn de manera breve el modelo ideal y el modelo exponencial, por ser los ms importantes para caracterizar al dispositivo en esta prctica de laboratorio. De manera general, el smbolo circuital del diodo se indica en la figura 1. El diodo cumple con la convencin pasiva de signos. El terminal positivo se conoce como nodo, y el negativo como ctodo. Se indica de manera genrica que la corriente apunta en la direccin de la flecha formada del nodo hacia el ctodo.

Fig. 1. Representacin circuital del diodo [2].

El modelo ideal del diodo trata nicamente con dos regiones de funcionamiento: la regin de polarizacin directa y de polarizacin inversa. Cuando el diodo opera en la regin directa, el modelo utilizado es el de un corto-circuito, mientras que en la regin inversa, se modela el dispositivo como un circuito abierto.

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Fig. 2. Representacin del diodo correspondiente al modelo ideal [3].

El dispositivo se dice que est encendido cuando la cada de tensin es igual a cero, y la corriente que circula en la direccin del diodo es positiva. En cambio, se dice que el dispositivo es negativo cuando el voltaje entre nodo y ctodo es negativo, y la corriente que circula por el dispositivo es igual a cero. Este comportamiento se resume en la caracterstica i-v del diodo.

comportamiento asinttico de la grfica alrededor de este valor. Por ello, uno de los modelos ms utilizados para el dispositivo es el modelo de cada constante del diodo, el cual lo modela como una fuente ideal de tensin de 0.7 V que implica una cada en el mismo valor cuando el diodo se encuentra en polarizacin directa. En la regin de polarizacin inversa, la corriente se mantiene en un valor prcticamente nulo durante un largo intervalo de valores de tensin. Cuando se alcanza un voltaje denominado voltaje zener de rodilla, se producen grandes cambios de corriente en un pequeo intervalo de tensin. Dicha regin se conoce como la regin de ruptura y es caracterstica de los diodos zener.

Fig. 3. Caracterstica i-v del modelo ideal del diodo [4].

El modelo ideal es adecuado para ilustrar el comportamiento del dispositivo en varias aplicaciones. Sin embargo, dista bastante de la curva real del dispositivo.
Fig. 5. Curva real del dispositivo ilustrando las tres regiones de operacin [6].

Un modelo mucho ms adecuado y cercano a la realidad es el modelo exponencial:

Los parmetros de este modelo son: Is: La corriente de saturacin es la corriente que existe cuando el diodo se encuentra en condiciones de polarizacin inversa. Generalmente, este valor est en el orden de microamperes para dispositivos de uso general, aunque para aplicaciones de alta potencia tiene unos valores un poco ms altos [7]. Vt: Voltaje trmico. Definido por:

Fig. 4. Caracterstica i-v del diodo real [5].

Se puede ilustrar un poco ms en detalle cada una de las regiones de operacin del dispositivo haciendo un pequeo acercamiento en las escalas de los ejes. En la regin de polarizacin directa, cuando en el intervalo de los 0.5 a los 0.7 V, se alcanzan grandes cambios en corriente debido a pequeos cambios en tensin. A partir de 0.7 V, podemos decir que existe una especie de

ELECTRNICA ANLOGA I (2016495-1) UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA donde k es la constante de Boltzmann, Q es la magnitud de la carga fundamental del electrn y T es la temperatura del medio en grados Kelvin. Usualmente, para operaciones a condiciones normales, se toma el voltaje trmico como una constante, siendo ella de 25mV [8]. De esta ecuacin, se puede ver con claridad que el funcionamiento del dispositivo depende de muchas variables, pero, de manera general, puede simplificarse su estudio. Sin embargo, es muy importante tener en cuenta todos estos parmetros y su posible impacto en el funcionamiento del diodo. En especial, la corriente de saturacin y el voltaje trmico dependen de la temperatura. Un aumento de temperatura produce un desplazamiento de la curva del dispositivo hacia la izquierda. La corriente de saturacin inversa ser casi igual al doble en magnitud por cada 10C de incremento en la temperatura [9]

Podemos definir en el diodo unos niveles de resistencia de acuerdo al tipo de circuito en el cual se encuentre operando el dispositivo. La resistencia esttica o DC surge de alimentar al diodo con un voltaje continuo que produce una corriente que no vara en el tiempo. Dicho valor de tensin tendr su correspondiente punto de corriente en la curva del dispositivo, situndose as en una regin llamada punto de operacin. La resistencia se obtiene al localizar el respectivo punto de operacin y aplicar la siguiente frmula [13]:

Los niveles de resistencia esttica del diodo no son fijos, sino que dependen del punto de operacin del dispositivo. En el punto de inflexin y hacia abajo, habr mayores valores de resistencia, en tanto que en las partes verticales de la curva, correspondientes tanto a la regin de polarizacin directa como de ruptura, las resistencias sern grandes [14]. Si se aplica una seal senoidal en vez de una seal DC, la situacin cambia por completo puesto que la seal de entrada cambiar de manera instantnea el punto de operacin hacia arriba y hacia abajo en la correspondiente regin de funcionamiento del dispositivo. No obstante, si se trabaja con una pequea seal que produzca una variacin muy pequea en tensin, que a su vez provoque un cambio de muy baja magnitud en corriente, se puede calcular un valor conocido como resistencia dinmica del diodo [15]:

Fig. 6. Curva del dispositivo a varias temperaturas [10].

Manteniendo constante la corriente del diodo, se ve que la tensin decrece en 2mV por un incremento de 1C en la temperatura. Este hecho ser muy importante a la hora de analizar los resultados del laboratorio [11].

Aplicando conceptos de clculo diferencial, se puede llegar a la siguiente expresin para la resistencia dinmica del diodo, la misma definida para el modelo de pequea seal, expresada en trminos de una constante de ajuste (n), el voltaje trmico y la corriente en DC del dispositivo:

b)

El diodo como dispositivo semiconductor

Fig. 7. Curva caracterstica del dispositivo ante un aumento de temperatura [12].

Bsicamente, el diodo es un dispositivo semiconductor basado en la unin pn. La unin pn se realiza al poner en contacto un material semiconductor de tipo p con otro material semiconductor del tipo n. Tcnicamente, se habla de unin pn cuando se establecen en un mismo cristal semiconductor, mediante implantacin de iones o difusin de dopantes, una

ELECTRNICA ANLOGA I (2016495-1) UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA regin de tipo p y otra de tipo n. La operacin del dispositivo se caracteriza por estas particularidades en la frontera. Se dice que un semiconductor es de tipo p cuando sus portadores de carga son de signo positivo. No obstante, en la realidad no acontece que un protn se mueva de un lugar a otro en una red conductora. Lo que realmente ocurre es que, al romperse un enlace covalente formado por los electrones de valencia de un tomo, un electrn queda libre, dejando un in positivo con carga neta positiva. As, el espacio libre dejado por el electrn se conoce como hueco. El ion positivo atrae a un electrn de un tomo vecino, que a su vez deja un hueco. Por ende, se puede decir que dicho hueco se "mueve" dentro de la red cristalina del semiconductor, pero, como representa la ausencia de una carga negativa, la magnitud de carga es positiva. Es as, que un semiconductor de tipo p se caracteriza por tener huecos como portadores de carga huecos, mientras que un semiconductor de tipo n en dicha funcin a los electrones [16]. En el diodo, se establece una regin denominada regin de agotamiento la cual est formada por iones inmviles de gran tamao, unos negativos y otros positivos, que crean una especie de barrera que mantiene alejados a los portadores mayoritarios y evita la conduccin en condiciones de circuito abierto [17]. Se habla de polarizacin directa cuando la regin de tipo p se conecta a un terminal positivo, y la regin de tipo n se conecta a un terminal negativo. Lo anterior es equivalente a notar que el nodo se encuentra a una tensin ms elevada que el ctodo. Los portadores mayoritarios se repelen hacia la regin de agotamiento (los electrones se alejan del terminal negativo y los huecos del terminal positivo). As, se establece una circulacin de corriente en el dispositivo, alimentada por el circuito externo [18]. En cambio, la polarizacin inversa ocurre cuando se conecta un terminal de tensin negativo a la parte positiva del diodo, y un terminal positivo a la pata negativa. De esta manera, los electrones son atrados hacia la terminal positiva, y los huecos hacia la terminal negativa, alejndose de la unin. No obstante, se genera un flujo de portadores minoritarios que constituyen la ya mencionada corriente de desplazamiento. Hablamos de tiempo de recuperacin cuando ocurre un cambio brusco en el estado del diodo, es decir, cuando pasa de estar encendido a estar apagado de manera repentina. Ahora bien, si se cambia la polaridad del dispositivo -conectar el nodo a una tensin ms baja que el ctodo, o invertir la polaridad de los terminales conectados al diodo-, ocurre un proceso de recombinacin, debido a la atraccin de las terminales hacia los portadores de carga mayoritarios. No obstante, el diodo no pasa inmediatamente de un estado de encendido a un estado de apagado, sino que se efecta un proceso de transicin, el cual tiene una duracin que puede llegar a ser importante dependiendo de la aplicacin en la cual se utilice el semiconductor [19]. El tiempo transcurrido entre el momento en el cual se cambi la polaridad de la fuente, y el momento en el que los portadores se han reorganizado para adoptar su configuracin de polarizacin inversa, se conoce tiempo de recuperacin

inversa. Esta caracterstica no depende de la seal de entrada, por lo tanto, no depende de la frecuencia de operacin del diodo. Sin embargo, la temperatura llega a tener una cierta influencia. A diferencia de los materiales conductores, los semiconductores presentan la propiedad de incrementar su conductividad y por ende disminuir su resistencia- a medida que se incrementa la temperatura. Por ello, las corrientes a travs del diodo llegan a ser ms grandes ante las mismas tensiones. As, a temperaturas elevadas, el tiempo de recuperacin del dispositivo crece, porque se incrementa el nmero de portadores de carga, y la reorganizacin de los mismos tarda algunos instantes adicionales. En base a esta caracterstica, existen unos diodos llamados high-speed diodes los cuales tienen un tiempo de recuperacin mucho menor respecto a los diodos de uso comn, o rectificadores. En las hojas de datos, los fabricantes especifican valores de tiempos de recuperacin mximos para los rectificadores de la familia del 1N4001-07 de mximo 30s. Bajo ciertas condiciones especiales de operacin, los tiempos de recuperacin del 1N4148 estn en los 4ns.

III. PROCEDIMIENTO Y ANLISIS DE RESULTADOS La prctica se compuso de dos partes:

a)

Caracterizacin de la curva del diodo y su variacin con la temperatura. Medida del tiempo de recuperacin inversa.
Materiales

b)

1 osciloscopio de dos canales 1 generador de funciones 1 multmetro Fluke 1 fuente dual Resistencias de 1/4 W Resistencias de 10 W Diodo 1N4004 Diodo 1N4148 Sondas
Caracterizacin de la curva del diodo y su variacin con la temperatura

Para este experimento, se realiz el siguiente montaje con un diodo 1N4004 y la fuente dual. Como ampermetro y voltmetro se tomaron dos multmetros Fluke en estos respectivos modos de funcionamiento. A continuacin se muestra el esquemtico del circuito y el montaje realizado.

ELECTRNICA ANLOGA I (2016495-1) UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA 23.5 25 0.819 0.822 213.8 227.2

Al graficar los datos obtenidos por las mediciones, logramos reconstruir la curva del diodo, que exhibe justamente el comportamiento exponencial esperado.

Fig. 8. Esquemtico para la caracterizacin de la curva del diodo [20].

Fig. 9. Montaje del circuito [21].

En la siguiente tabla, se muestran los resultados para las mediciones realizadas en el diodo a las temperaturas indicadas. TABLA I VOLTAJES Y CORRIENTES EN EL DIODO A TEMPERATURA AMBIENTE (20-25C)

Fig. 10. Curva del diodo a 20C [22].

Voltaje fuente (V)

Voltaje en el diodo (V) 0 0.686 0.728 0.748 0.762 0.774 0.782 0.789 0.795 0.8 0.803 0.807 0.811 0.813 0.816

Corriente (mA)

0 1.5 3 4.5 6 7.5 9 10.5 12 13.5 15 16.5 18 19.5 21

0 8.4 22.2 35.7 49.5 64.8 77.7 91.9 106.5 121 134.1 148.3 163.2 175.3 189.5

Para los datos registrados aumentando la temperatura del diodo, no tenemos una exactitud acerca de la temperatura en la cual se efectuaron las mediciones, porque el calentamiento se realiz acercando un cautn al diodo. Sin embargo, como se puede observar en la tabla, existi una variacin de tensin en el diodo ante el mismo voltaje de fuente. A menor tensin, se observ una mayor corriente, o lo que es lo mismo, la misma corriente se present a un valor menor de tensin en el diodo respecto al experimento efectuado a temperatura ambiente. Lo anterior se debe a la caracterstica semiconductora del diodo. Ya se mencion en el marco terico que al aumentar la temperatura, se aumenta el nmero de portadores de carga mayoritarios, y por tanto, una corriente mayor fluye a travs del dispositivo. Lo anterior resulta en un desplazamiento a la izquierda de la curva del dispositivo. TABLA II VOLTAJES Y CORRIENTES EN EL DIODO AUMENTANDO SU
TEMPERATURA

Voltaje fuente (V)

Voltaje en el diodo (V) 0 0.663 0.705 0.724 0.736 0.743

Corriente (mA)

0 1.5 3 4.5 6 7.5

0 8.2 22.5 36.3 50.2 64.4

ELECTRNICA ANLOGA I (2016495-1) UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA 9 10.5 12 13.5 15 16.5 18 19.5 21 23.5 25 0.752 0.758 0.762 0.768 0.772 0.773 0.777 0.78 0.782 0.785 0.787 78.4 92.7 106.7 121.7 135.6 148.3 162.4 176.4 189.9 213.5 229.1 Tensin a 20C (V) 0.686 0.728 0.748 0.762 0.774 0.782 0.789 0.795 0.8 0.803 0.807 0.811 0.813 0.816 0.819 0.822
Fig. 12. Comparacin de las curvas de diodo obtenidas [24]. TABLA IV

VARIACIN DE LA TENSIN CON LA TEMPERATURA Tensin a ms alta temperatura (V) 0.663 0.705 0.724 0.736 0.743 0.752 0.758 0.762 0.768 0.772 0.773 0.777 0.78 0.782 0.785 0.787

Variacin en el voltaje (V) 0.023 0.023 0.024 0.026 0.031 0.03 0.031 0.033 0.032 0.031 0.034 0.034 0.033 0.034 0.034 0.035

Incremento trmico (C) 1.15 1.15 1.2 1.3 1.55 1.5 1.55 1.65 1.6 1.55 1.7 1.7 1.65 1.7 1.7 1.75

Fig. 11. Curva del diodo aumentando la temperatura [23].

A continuacin, se hace una comparacin de los valores de temperatura del diodo ubicando las curvas obtenidas en cada experimento en un mismo grfico. Como era de esperarse, se ve un desplazamiento hacia la izquierda. En la tabla III se establece una variacin en la tensin punto a punto y un correspondiente incremento trmico, calculado a partir del hecho que la variacin de la curva con la tensin es de 20mV/C. En el apndice se puede ver esta grfica a mayor escala.

Como se puede observar en la tabla, el incremento en tensin debido a un incremento de 1C en temperatura es aproximadamente de -20mV, lo cual concuerda con lo terico. Ahora, se muestra la grfica que se obtiene al linealizar la grfica anterior para determinar los valores de la corriente de saturacin y del coeficiente de ajuste (n). El procedimiento matemtico parte de la suposicin que es un valor muy pequeo el cual puede despreciarse. Por ende, se tiene la siguiente expresin para el modelo exponencial:

Luego de cierto tratamiento matemtico, puede llegarse a la siguiente expresin:

A partir de esta ecuacin, puede determinarse tanto el valor de la corriente de saturacin como de n. La corriente de saturacin se obtuvo a partir del trmino independiente de la ecuacin anterior, luego de hacer una regresin con ayuda de software de anlisis de datos. Se

ELECTRNICA ANLOGA I (2016495-1) UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA muestra el resultado en un factor adecuado de unidades, as como la ecuacin de regresin.

Fig. 14. Grfica de tensin contra corriente linealizada para el diodo a temperatura superior a la ambiente [26]. Fig. 13. Grfica de tensin contra corriente linealizada para el diodo a temperatura ambiente [25].

TABLA VI DATOS LINEALIZADOS DE LA GRFICA PARA EL DIODO A

TEMPERATURA SUPERIOR

TABLA V DATOS LINEALIZADOS DE LA GRFICA PARA EL DIODO A

TEMPERATURA AMBIENTE

Voltaje 0.663

Ln (Corriente) 2.104134154 3.113515309 3.591817741 3.916015027 4.165113633 4.361823927 4.529368473 4.670021158 4.801559 4.909709376 4.999237249 5.090062428 5.172754144 5.246497618 5.363636833 5.434158589 y = 27.005x - 12.1 5.51nA

Voltaje (V) 0.686 0.728 0.748 0.762 0.774 0.782 0.789 0.795 0.8 0.803 0.807 0.811 0.813 0.816 0.819 0.822 Ecuacin

Ln (Corriente) 2.128231706 3.100092289 3.575150689 3.90197267 4.171305603 4.352855257 4.520701029 4.668144985 4.795790546 4.89858579 4.999237249 5.094976443 5.166498792 5.244389025 5.365040999 5.425830687 y = 24.168 x - 14.502 500 pA

0.705 0.724 0.736 0.743 0.752 0.758 0.762 0.768 0.772 0.773 0.777 0.78 0.782 0.785 0.787 Ecuacin

Los resultados y su anlisis muestran que la corriente de saturacin aumenta al incrementarse la temperatura del dispositivo. Esto concuerda con lo esperado puesto que en los textos se referencia un incremento aproximado en magnitud de en un 100% por cada 10C en los cuales suba la temperatura [27]. Como se pudo ver en los resultados, el incremento fue tan pronunciado, lo que indica un calentamiento significativo del dispositivo.

ELECTRNICA ANLOGA I (2016495-1) UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA Ahora, se procede con el clculo del coeficiente de emisin, denominado tambin como coeficiente de ajuste. El valor terico para diodos de silicio est en valores cercanos a 1. A continuacin se muestran los valores calculados para este parmetro. TABLA VII VALOR CALCULADO DEL COEFICIENTE DE EMISIN

El cual es un valor bastante pequeo, conforme a lo esperado dado que el diodo se modela como una batera en serie con un corto circuito diodo ideal-.
c) Tiempo de recuperacin inversa del diodo

Temperatura ambiente 1.63

Temperatura aumentada 1.35

Como se mencion en el marco terico, este parmetro del diodo puede tener mucha importancia a la hora de disear un sistema de alta potencia. Para calcularlo, se mont el siguiente circuito:

Pueden aparecer grandes imprecisiones en la determinacin de este valor debido a que una medida que est alterada en una cifra decimal respecto a la real, infiere de manera significativa en escala logartmica. No obstante, el valor calculado est bastante cerca del valor terico del coeficiente, por lo que se puede decir que la aproximacin es bastante buena. Finalmente, se determin la resistencia dinmica del diodo. Este valor no es nico, puesto que a medida que se cambia la regin de operacin del dispositivo, el valor puede aumentar o disminuir. Por ello, para valores grandes tanto de corriente como de tensin en magnitud-, la resistencia dinmica es bastante pequea. Para valores pequeos de corriente y de tensin, la resistencia puede llegar a ser grande. En este caso, se calcul la resistencia dinmica en la regin creciente de la curva, en la cual la exponencial puede aproximarse como una lnea recta. Para ello, se hizo un ajuste lineal de los datos. El inverso de la pendiente de la recta de ajuste correspondera a la resistencia dinmica del diodo prcticamente constante- en esa regin.

Fig. 16. Esquemtico del circuito de prueba [28].

Fig. 17. Montaje del circuito [29].

Para este experimento, se gener una onda cuadrada de 10 Vp, y se trabaj con la misma a distinta frecuencia. Previamente, se realizaron simulaciones con Spice, con tal de tener una intuicin de los resultados que se podan obtener en el laboratorio. Los resultados de dichas simulaciones se presentan a continuacin: TABLA VIII TIEMPOS DE RECUPERACIN DE ACUERDO A LAS SIMULACIONES
Fig. 16. Curva ajustada linealmente del diodo en la regin de conduccin [27].

Tiempo de recuperacin As, se obtuvo que la resistencia dinmica del diodo en esa regin era de Frecuencia 1N4002 1N4148

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200 Hz 600 Hz 20 kHz 200 kHz Promedio

34 s 3.6 s 3.86 s 2.5 s 10.99 s

20 ns 216 ns 56 ns 18 ns 77.5 ns

TABLA IX TIEMPOS DE RECUPERACIN MEDIDOS EN EL LABORATORIO

Tiempo de recuperacin Frecuencia 1N4004 7.5 s 7.5 s 7.5 s 2.3 s* 1N4148

200 Hz

No se puede determinar No se puede determinar 400 ns 400 ns

600 Hz

20 kHz 200 kHz

altas, se tiene un perodo menor de la seal, y el cambio de polaridad se producir en un instante de tiempo menor, lo cual permitir distinguir mejor en la grfica la distorsin generada por la reorganizacin de los portadores. Para el caso del 4004, fue muy sencillo distinguir el tiempo de recuperacin a frecuencias altas. Este parmetro pasaba inadvertido a escalas normales para frecuencias bajas, pero pudo observarse gracias al tipo de osciloscopio utilizado. En cambio, para el 4148, no se observ la curva cuando se trabajaron frecuencias bajas. A medida que se aument la frecuencia, fue posible distinguir la curvatura buscada, realizando una medicin de 400 ns aproximadamente para el parmetro de inters. El tiempo especificado por el fabricante fue de 4 ns, bajo ciertas condiciones de prueba. Este hecho nos gener cierta incertidumbre inmediata, la cual buscamos erradicar al efectuar una medicin a la frecuencia ms alta que podamos generar con el generador de seales. Para 1MHz, observamos exactamente la misma caracterstica que para 200kHz y 20kHz, con un tiempo en el rango de 400 a 500 ns. Por tanto, concluimos que con el montaje establecido, no se recrearon las condiciones de prueba especificadas por el fabricante en la hoja de datos, y por lo tanto, el valor que se encontr dist en una gran proporcin del valor informado. Vale la pena sealar que, a pesar de esta gran diferencia, el tiempo de recuperacin del diodo 4148 es mucho menor que el tiempo de recuperacin del 4004. Lo anterior confirma el por qu estos diodos se llaman diodos de alta velocidad. Las simulaciones y las imgenes del osciloscopio obtenidas en el laboratorio y correspondientes a cada medicin, estn consignadas en el apndice. IV. RESPUESTAS A PREGUNTAS SUGERIDAS

Es bastante notorio que hay una gran diferencia entre los tiempos de recuperacin simulados y los medidos a travs del circuito en la prctica. Se podra pensar que todo se debe al tipo de diodo, ya que en las simulaciones se trabaj con un 4002, mientras que en la prctica se mont el circuito con un 4004. Sin embargo, en el datasheet del fabricante el tiempo mximo de recuperacin es de 30 s para ambos diodos, por lo que el tipo de dispositivo no es un factor que se tenga que considerar. La temperatura ambiente pudo tener alguna influencia, pero no debera ser tan notoria, teniendo en cuenta que el simulador contextualiza el circuito en condiciones muy cercanas a las experimentadas. Por ende, la causa de tal diferencia est en el simulador. En primer lugar, no se pudo generar una onda perfectamente cuadrada. En la parte descendente siempre hubo una especie de rampa, la cual no permita que el cambio de polaridad en el diodo fuera tan brusco como debiera ser si la onda fuera de forma ideal. Adicionalmente, como el simulador trabaja punto a punto, los intervalos de tiempo tan pequeos que representaban los tiempos de recuperacin pudieron ser ignorados o descartados por considerarse, errneamente, como una equivocacin en los clculos. Los resultados experimentales muestran que el no depende de la frecuencia de la seal en la que se est trabajando. La frecuencia acta como una herramienta que permite visualizar el , puesto que ante frecuencias ms

A continuacin, se da respuesta a las preguntas sugeridas en la gua de trabajo. Cul frecuencia es mejor para trabajar el tiempo de recuperacin inversa y por qu? Justifique su respuesta. Como se pudo observar en el anlisis de resultados, la frecuencia de la seal no afecta en lo absoluto el tiempo de recuperacin inversa de los diodos. El nico aspecto en el cual puede llegar a afectar la frecuencia es la facilidad con la cual se realiza el proceso de medicin: a frecuencias ms altas, fue mucho ms sencillo visualizar el cambio en la curva generado por la reorganizacin de los portadores. Recordemos que a mayor frecuencia, menor perodo de la seal, y el se convierte entonces en un lapso mucho ms significativo respecto al perodo total de la seal. Este hecho es bastante importante cuando se consideran diodos, como el 1N4148, con un tiempo de recuperacin bastante pequeo, el cual prcticamente es invisible a frecuencias bajas. Qu cambio se obtuvo al variar la temperatura en la primera parte de la prctica? Al analizar las tablas de voltaje y corriente en el diodo para las diferentes tensiones entregadas por la fuente, los resultados muestran que al aumentar la temperatura del diodo, el voltaje

ELECTRNICA ANLOGA I (2016495-1) UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA disminuye en unas cuantas dcimas de voltio, mientras que la corriente se mantuvo prcticamente constante. Esto coincidi con las predicciones tericas, debido que al aumentar la temperatura, la curva caracterstica del dispositivo se corre hacia la izquierda. Entonces, a menores valores de voltaje se consiguen las mismas corrientes. Una relacin bastante sencilla, obtenida a partir del modelo exponencial del diodo, existe entre la temperatura y la tensin:

10

para el ensayo prctico. Aparte, se present el inconveniente de que ambos diodos (1N4148) de los dos montajes realizados, estaban daados, por lo que la medida fue sobre un diodo prestado, el cual pudo tener una configuracin distinta por ms que se tratase de la misma referencia. De todas maneras, es preciso recordar que en un diodo de alta velocidad hay un gran efecto de la temperatura en el valor de este parmetro. En general, la medida fue bastante acertada con el diodo rectificador normal, mientras que en el segundo caso la medida no concuerda con los datos del fabricante. Es preciso sealar que la mayor parte de los errores al medir el tienen su causa en errores humanos y en los instrumentos, puesto que en ciertos casos se seleccionan dispositivos los cuales no pueden mostrar una escala tan fina para detallar una caracterstica tan especial como la asociada a la medicin del valor del parmetro en cuestin. Compare sus resultados tericos con los simulados, qu puede concluir al respecto? resultados

donde es una constante de ajuste que se denomina coeficiente de temperatura que tiene el valor de -2.5 mV/C para diodos de germanio y -2mV/C para diodos de silicio. es la nueva temperatura es una temperatura de referencia, usualmente ambiente. es el voltaje del diodo a esa temperatura. es el voltaje a la nueva temperatura. Existe una relacin lineal con una pendiente negativa. Por tanto, mayor temperatura, menor voltaje. El del diodo encontrado concuerda con el dado por el fabricante? Sustente su respuesta. En esta prctica se deba encontrar el tiempo de recuperacin inversa para dos diodos diferente, por lo que esta pregunta se responder para los dos casos por separado: 1N4004: En este caso el tiempo mximo de recuperacin inversa dado por el fabricante es de 30 s (ver apndice). Se especifica como tiempo mximo, no como valor nico, dado que este parmetro puede variar con la temperatura principalmente, entre otros factores, debido a la caracterstica semiconductiva del diodo. Los tiempos medidos durante la prctica fueron en promedio 7.5 s, y segn el fabricante el de este diodo, a 25C, es de mximo 30 s. En sntesis, los encontrados estuvieron dentro del rango determinado por el fabricante en el datasheet. 1N4148: En este caso los resultados fueron bastante imprecisos ya que el es tan slo de 4ns, a unas condiciones especficas de funcionamiento. Por ms que se intent ampliar la escala para visualizar el fenmeno, no fue posible distinguir un valor exacto en frecuencias bajas para este parmetro. En altas frecuencias, no se tena la nitidez deseada, pero se alcanz a distinguir la curva que caracteriza el instante en el cual los portadores se estn reorganizando. De todas maneras, los valores obtenidos, en el rango de cientos de nanosegundos, estuvieron distantes de los dados por el fabricante. Razones para este comportamiento hay bastantes. En primer lugar, el fabricante especifica este valor de con una corriente, una resistencia, y otros parmetros de prueba, que en totalidad no se tuvieron en cuenta

En la siguiente tabla se comparan los datos dados por el fabricante para la caracterstica de inters, y un promedio de los datos ya mostrados obtenidos por simulaciones. TABLA X COMPARACIN DE TIEMPOS DE RECUPERACIN SIMULADOS
CON LOS DEL DATASHEET DEL DIODO RESPECTIVO

Diodo 1N4004 1N4148

promedio simulaciones 10.99 s 77.5 ns

mximo fabricante 30 s 4 ns

Los tiempos de recuperacin inversa calculados por medio de las simulaciones no son demasiado fiables, dado que la seal generada no fue perfectamente cuadrada: present una serie de rampas en el descenso de la onda, lo que se tradujo en que el cambio brusco de polaridad que se deseaba provocar en el diodo fuera muchsimo ms suave. Analizando el diodo 1N4004, el tiempo de recuperacin inversa es mucho menor al dado por el fabricante, pero se encuentra en el mismo orden de magnitud. Aparte del ya mencionado factor de la rampa de bajada de la onda, la temperatura tambin pudo haber jugado un papel importante para la diferencia entre ambos valores: el simulador trabaja con una temperatura de 27C, y el fabricante que trabaja en condiciones lmite para dar un valor mximo de la caracterstica deseada. Como se ha tratado antes en este artculo, los resultados fueron ms similares a los obtenidos en el laboratorio (aproximadamente 17C). Para el 1N4148, se ve la mejora significativa de la medida simulada en relacin a la calculada en el laboratorio -400 ns-, aunque sigue siendo bastante elevada en comparacin a la del datasheet. Esta diferencia puede atribuirse en un gran

ELECTRNICA ANLOGA I (2016495-1) UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA porcentaje a la rampa de descenso, puesto que la temperatura de simulacin -27C- es bastante cercana a la temperatura de prueba -25C-. V. CONCLUSIONES Esta prctica sirvi para confirmar la validez del modelo exponencial como la ms completa descripcin matemtica del funcionamiento del diodo semiconductor. A travs del calentamiento del dispositivo, se vio el efecto de la temperatura en un semiconductor, contrario a la influencia de la misma en un material conductor, tal como un cable o una resistencia de carbn. A medida que se calent el dispositivo, se obtuvo una mayor corriente a tensiones menores o la misma corriente a una menor tensin-. Se observ el desplazamiento de la curva caracterstica hacia la izquierda, y se calcularon los parmetros de corriente de saturacin y de coeficiente de emisin, incluidos en el modelo exponencial. Asimismo, se verific que la resistencia dinmica del diodo es una cantidad bastante pequea cuando se trabaja en regin de polarizacin directa. Por otra parte, el tiempo de recuperacin inversa se pudo calcular con facilidad para el 1N4004 a frecuencias mediasaltas. No se puede decir lo mismo para el 1N4148, el cual fue imposible de observar a frecuencias bajas, y produjo muchas dificultades a la hora de analizar la curva en frecuencias altas (considerando incluso la ms alta entregada por el generador de seales). Al comparar los resultados obtenidos con las simulaciones y los datos dados por el fabricante, se concluye que las simulaciones no son exactas ni efectivas a la hora de calcular este parmetro, y que los valores obtenidos en el laboratorio se hallan mediante ciertas condiciones estndar que no contemplan en su totalidad los valores lmites en los cuales se realizan las pruebas por parte del fabricante. En sntesis, fue una prctica bastante interesante, la cual sirvi para comprender algunos conceptos no muy usuales en la teora pero de mucha importancia en las aplicaciones, as como para detallar el funcionamiento del diodo. REFERENCIAS
[1] [2] [3] [4] [5] [6] [7] [8] [9] [10] [11] [12] [13] [14] [15] [16] [17] [18] [19] [20] A. Sedra. Microelectronic circuits. Oxford University Press. Sixth edition. p. 166. Ibid. p. 167. Ibid. p. 167. Ibid. p. 167. Ibid. p. 174. Ibid. R. Boylestad. "Electronic devices and circuit theory". Seventh edition. p. 12. R. Boylestad. "Electrnica: Teora de circuitos". Sexta edicin. p. 16. Ibid. p. 17. Ibid. p. 14. A. Sedra. Microelectronic circuits. p. 177. Ibid. p. 178. R. Boylestad. Electrnica: Teora de circuitos. p. 18. Ibid. p. 19. Ibid. p. 19. W. Smith. Fundamentos de ciencia e ingeniera de materiales. McGraw-Hill. Cuarta edicin. p. 810. A. Sedra. "Circuitos microelectrnicos". Oxford University Press. Cuarta edicin. p. 157. <https://www.circuitlab.com/circuit/jyymtc/diode-reverse-recoverytime-demo/> [en lnea] [citado el 28 de Agosto de 2012]. Op. Cit. p. 155-167. Tomado de la gua del laboratorio. [21] [22] [23] [24] [25] [26] [27] [28] [29] Tomada por Sergio A. Dorado. Grfica obtenida a travs de Origin Lab. Ibid. Ibid. Ibid. Ibid. Generada con Origin. Tomada de la gua del laboratorio. Tomada por Sergio A. Dorado.

11

ELECTRNICA ANLOGA I (2016495-1) UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA

12

VI.
a) Simulaciones

APNDICE

Para los diodos 1N4002 de la misma familia del 1N4004-, y 1N4148 se realizaron simulaciones a cada una de las siguientes frecuencias: 200 Hz 600 Hz 20 kHz 200 kHz

Adicionalmente, se muestra la grfica de la corriente en el diodo. Las grficas y las simulaciones aqu mostradas fueron generadas utilizando el simulador Spice. Se advierte que las simulaciones realizadas tienen muchos errores respecto a las observaciones hechas en el laboratorio, principalmente debido a que, a pesar de configurar la forma de onda, no se consigui una seal cuadrada perfecta que provocara un cambio brusco e instantneo de polaridad, lo cual no permiti tener unos resultados tan precisos como se quisiera. Asimismo, como el simulador funciona al calcular punto a punto los valores de la simulacin, se contaba con mucha incertidumbre debido a que los resultados entre ejecucin y ejecucin en muchos instantes variaban demasiado, debido a errores en el clculo punto a punto o a la cach del programa. Es importante sealar que el programa simula los circuitos a una temperatura de 25C. De la misma manera, en algunas grficas se muestra un cursor, que es una ayuda del software. Con los datos que entregaba el software a travs de esta funcin fue posible calcular los simulados. 1N4002 200 Hz

1.

Fig. 1. Esquemtico.

Fig. 2. Corriente en el diodo.

ELECTRNICA ANLOGA I (2016495-1) UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA 2. 1N4002 600 Hz

13

Fig. 3. Esquemtico.

Fig. 4. Corriente en el diodo.

3.

1N4002 20 kHz

Fig. 5. Esquemtico.

Fig. 6. Corriente en el diodo.

4.

1N4002 200 kHz

ELECTRNICA ANLOGA I (2016495-1) UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA

14

Fig. 7. Esquemtico.

Fig. 8. Corriente en el diodo.

5.

1N4148 200 Hz

Fig. 9. Esquemtico.

Fig. 10. Corriente en el diodo.

ELECTRNICA ANLOGA I (2016495-1) UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA

15

6.

1N4148 600 Hz

Fig. 11. Esquemtico.

Fig. 12. Corriente en el diodo.

7.

1N4148 20 kHz

Fig. 13. Esquemtico.

Fig. 14. Corriente en el diodo.

8.

1N4148 200 kHz

ELECTRNICA ANLOGA I (2016495-1) UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA

16

Fig. 15. Esquemtico.

Fig. 16. Corriente en el diodo.

b)

Mediciones del tiempo de recuperacin en el osciloscopio

El osciloscopio utilizado para la prctica fue un Tectronix TDS-210. El proceso para realizar la medicin fue relativamente sencillo, ya que nos concentramos en la rampa descendiente de la curva de tensin en la resistencia, ajustamos la escala de segundos por divisin hasta un valor preciso que permitiera visualizar el fenmeno. Las imgenes que se muestran a continuacin fueron tomadas en el laboratorio. En la parte inferior se puede indicar el nmero de cuadros por divisin en la pantalla del osciloscopio. 1. 1N4004 200 Hz

Fig. 17. Tiempo de recuperacin en el osciloscopio.

2.

1N4004 600 Hz

ELECTRNICA ANLOGA I (2016495-1) UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA

17

Fig. 18. Tiempo de recuperacin en el osciloscopio.

3.

1N4004 20 kHz

Fig. 19. Tiempo de recuperacin en el osciloscopio.

4.

1N4004 200 kHz

ELECTRNICA ANLOGA I (2016495-1) UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA

18

Fig. 20. Tiempo de recuperacin en el osciloscopio.

5.

1N4148 200 Hz

Fig. 21. Tiempo de recuperacin en el osciloscopio.

ELECTRNICA ANLOGA I (2016495-1) UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA 6. 1N4148 600 Hz

19

Fig. 22. Tiempo de recuperacin en el osciloscopio.

7.

1N4148 20 kHz

Fig. 23. Tiempo de recuperacin en el osciloscopio.

8.

1N4148 200 kHz

ELECTRNICA ANLOGA I (2016495-1) UNIVERSIDAD NACIONAL DE COLOMBIA

20

Fig. 24. Tiempo de recuperacin en el osciloscopio.

Fig. 25. Comparacin entre las curvas del diodo obtenidas en clase (ampliado).

1N4001 THRU 1N4007

GENERAL PURPOSE PLASTIC RECTIFIER
Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts
DO-204AL

Forward Current - 1.0 Ampere

FEATURES

1.0 (25.4) MIN. 0.107 (2.7) 0.080 (2.0) DIA.

0.205 (5.2) 0.160 (4.1)

The plastic package carries Underwriters Laboratory Flammability Classification 94V-0 Construction utilizes void-free molded plastic technique Low reverse leakage High forward surge current capability High temperature soldering guaranteed: 250C/10 seconds, 0.375" (9.5mm) lead length, 5 lbs. (2.3kg) tension

MECHANICAL DATA
1.0 (25.4) MIN. 0.034 (0.86) 0.028 (0.71) DIA.
NOTE: Lead diameter is 0.026 (0.66)

0.023 (0.58)

for suffix "E" part numbers

Case: JEDEC DO-204AL molded plastic body Terminals: Plated axial leads, solderable per MIL-STD-750, Method 2026 Polarity: Color band denotes cathode end Mounting Position: Any Weight: 0.012 ounce, 0.3 gram

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25C ambient temperature unless otherwise specified.

SYMBOLS

1N 4001

1N 4002

1N 4003

1N 4004

1N 4005

1N 4006

1N 4007

UNITS

*Maximum repetitive peak reverse voltage *Maximum RMS voltage *Maximum DC blocking voltage *Maximum average forward rectified current 0.375" (9.5mm) lead length at T A=75C *Peak forward surge current 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load (JEDEC Method) TA=75C *Maximum instantaneous forward voltage at 1.0A *Maximum full load reverse current full cycle average 0.375" (9.5mm) lead length at TL=75C *Maximum DC reverse current at rated DC blocking voltage Typical reverse recovery time (NOTE 1) Typical junction capacitance (NOTE 2) Typical thermal resistance (NOTE 3) Maximum DC blocking voltage temperature *Operating junction and storage temperature range TA= 25C TA=100C

VRRM VRMS VDC I(AV)

50 35 50

100 70 100

200 140 200

400 280 400 1.0

600 420 600

800 560 800

1000 700 1000

Volts Volts Volts Amp

IFSM VF IR(AV)

30.0 1.1 30.0 5.0 50.0 30.0 15.0 50.0 25.0 +150 -50 to +175

Amps Volts A A s pF C/W C C

IR trr CJ RJA RJL TA TJ, TSTG

NOTES: (1) Measured on Tektronix Type "S" recovery plug-in. Tektronix 545 Scope or equivalent, IFM=20mA, IRM=1mA (2) Measured at 1.0 MHz and applied reverse voltage of 4.0 Volts (3) Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead at 0.375" (9.5mm) lead length, P.C.B. mounted *JEDEC registered value

4/98

RATINGS AND CHARACTERISTIC CURVES 1N4001 THRU 1N4007

FIG. 2 - MAXIMUM NON-REPETITIVE PEAK FORWARD SURGE CURRENT FIG.1 - FORWARD CURRENT DERATING CURVE AVERAGE FORWARD RECTIFIED CURRENT, AMPERES

30
PEAK FORWARD SURGE CURRENT, AMPERES

1.0

60 HZ RESISTIVE OR INDUCTIVE LOAD

8.3ms SINGLE HALF SINE WAVE (JEDEC Method) TA=75C

0.8
0.2 x 0.2 (5.0 x 5.0mm) COPPER PADS

25

0.6

20

0.4

15

0.2
0.375 (9.5mm) LEAD LENGTH

10

5.0 0 25 50 75 100 125 150 175 1 10

NUMBER OF CYCLES AT 60 HZ

100

AMBIENT TEMPERATURE, C

FIG. 4 - TYPICAL REVERSE CHARACTERISTICS FIG. 3 - TYPICAL INSTANTANEOUS FORWARD CHARACTERISTICS INSTANTANEOUS REVERSE CURRENT, MICROAMPERES

1,000

20
INSTANTANEOUS FORWARD CURRENT, AMPERES

10
TJ=25C PULSE WIDTH=300s 1% DUTY CYCLE

100
TJ=150C

10
TJ=100C

0.1

0.1
TJ=25C

0.01 0.6

0.8

1.0

1.2

1.4

1.6

1.8

INSTANTANEOUS FORWARD VOLTAGE, VOLTS

0.01 0

20

40

60

80

100

PERCENTAGE OF PEAK REVERSE VOLTAGE, %

FIG. 5 - TYPICAL JUNCTION CAPACITANCE

100

TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE, C/W

TJ=25C f=1.0 MHz Vsig=50mVp-p

FIG. 6 - TYPICAL TRANSIENT THERMAL IMPEDANCE

100

JUNCTION CAPACITANCE, pF

10

10

1 0.1

10

100

0.1 0.01

0.1

1
t, PULSE DURATION, sec.

10

100

REVERSE VOLTAGE, VOLTS

1N4148
Vishay Semiconductors

Small Signal Fast Switching Diodes

Features
Silicon epitaxial planar diodes Electrically equivalent diodes: 1N4148 - 1N914 Compliant to RoHS Directive 2002/95/EC and in accordance to WEEE 2002/96/EC Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition

Applications
Extreme fast switches

94 9367

Mechanical Data
Case: DO-35 Weight: approx. 105 mg Cathode band color: black Packaging codes/options: TR/10K per 13" reel (52 mm tape), 50K/box TAP/10K per ammopack (52 mm tape), 50K/box

Parts Table
Part 1N4148 Ordering code 1N4148-TAP or 1N4148-TR Type marking V4148 Remarks Ammopack/tape and reel

Absolute Maximum Ratings

Tamb = 25 C, unless otherwise specified
Parameter Repetitive peak reverse voltage Reverse voltage Peak forward surge current Repetitive peak forward current Forward continuous current Average forward current Power dissipation VR = 0 l = 4 mm, TL = 45 C l = 4 mm, TL 25 C tp = 1 s Test condition Symbol VRRM VR IFSM IFRM IF IFAV Ptot Ptot Value 100 75 2 500 300 150 440 500 Unit V V A mA mA mA mW mW

Thermal Characteristics
Tamb = 25 C, unless otherwise specified
Parameter Thermal resistance junction to ambient air Junction temperature Storage temperature range Test condition l = 4 mm, TL = constant Symbol RthJA Tj Tstg Value 350 175 - 65 to + 150 Unit K/W C C

Document Number 81857 Rev. 1.3, 29-Oct-10

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1N4148
Vishay Semiconductors Electrical Characteristics
Tamb = 25 C, unless otherwise specified
Parameter Forward voltage Reverse current Test condition IF = 10 mA VR = 20 V VR = 20 V, Tj = 150 C VR = 75 V Breakdown voltage Diode capacitance Rectification efficiency Reverse recovery time IR = 100 A, tp/T = 0.01, tp = 0.3 ms VR = 0, f = 1 MHz, VHF = 50 mV VHF = 2 V, f = 100 MHz IF = IR = 10 mA, iR = 1 mA IF = 10 mA, VR = 6 V, iR = 0.1 x IR, RL = 100 Symbol VF IR IR IR V(BR) CD r trr trr 45 8 4 100 4 Min. Typ. Max. 1000 25 50 5 Unit mV nA A A V pF % ns ns

Typical Characteristics
Tamb = 25 C, unless otherwise specified
1.2 1.0 I F = 100 mA

1000

VF - Forward Voltage (V)

IR- Reverse Current (nA)

Tj = 25 C 100

0.8 10 mA 0.6 0.4 0.1 mA 0.2 0 - 30 1 mA

Scattering Limit 10

1
0 30 60 90 120
94 9098

10 VR- Reverse Voltage (V)

100

94 9169

Tj - Junction Temperature (C)

Figure 1. Forward Voltage vs. Junction Temperature

Figure 3. Reverse Current vs. Reverse Voltage

1000 1N4148 IF - Forward Current (mA) 100 Scattering Limit 10

1 TJ = 25 C 0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0

0.1
94 9170

VF - Forward Voltage (V)

Figure 2. Forward Current vs. Forward Voltage

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1N4148
Vishay Semiconductors Package Dimensions in millimeters (inches): DO-35_02
1.75 (0.069) 25.4 (1.000) min. 1.5 (0.059)

Cathode identification

0.55 (0.022) max.

25.4 (1.000) min.

3.4 (0.134) max.

Document no.: 6.560-5004.12-4 Created - Date: 17. March 2008

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Revision: 12-Mar-12

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