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Centre dElectronique et de Microoptolectronique de Montpellier

(CNRS UMR 5507) UNIVERSITE MONTPELLIER II


SCIENCES ET TECHNIQUES DU LANGUEDOC

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M2 STPI EEA / IUP GEII

UMSIE301 COMPOSANTS ELECTRONIQUES

Rappels sur la physique des composants Jonction PN

Fabien PASCAL

Rappels sur la physique des composants

Introduction Nous allons ici reprendre les notions fondamentales de physique du semiconducteur. Il ne sagit pas dune prsentation complte, mais plutt par le biais de rappels de souligner les paramtres physiques et lectriques qui entrent en jeu dans ltude des composants utiliss en lectronique intgre tout en soulignant leur importance en tant que limitations technologiques . Classiquement un cours sur la physique des semiconducteurs commence par une tude de la structure cristalline avec une approche quantique (llectron dans un puits de potentiel avec la notion fonction donde, dnergie quantifie, thorme de Bloch, concept de masse effective). Nous nous contenterons dutiliser certains rsultats issus de ces tudes comme la notion de bandes dnergie, les statistiques de distribution. Ce cours portera sur les proprits lectroniques des semiconducteurs ( lquilibre et hors quilibre thermodynamique), sur la jonction et lhtrojonction p-n et enfin sur le transistors bipolaire et le transistor bipolaire htrojonction (le transistors MOS est prsent par M. Valenza). Rfrences bibliographiques : Physique des semiconducteurs et des composants lectroniques, H. Mathieu, Masson Semiconductor Physics&Devices, D.A. Neamen, Irwin Dispositifs et circuits intgrs semiconducteurs, A. Vapaille et R. Castagn, Dunod I Mouvement des porteurs de charge dans les solides

V E
+ + + + + +

+ L

F = qE

Courant de conduction : I=

Q Nq nLSq = = = nSqv t t t J= nqv

(v : vitesse moyenne des porteurs)

Conductivit, mobilit :

I=
nqv E

V R

E=

V L R= L S

J = E avec =

soit =

v = mobilit lectronique E J = E = nq

alors

= nq

Gnralisation (lectrons et trous) : Itotal = In + Ip


Courant de diffusion : total = q (nn +pp)

Li un gradient de concentration : les porteurs de charge se dplacent afin de se rpartir uniformment dans le matriau. Ce courant est rgi par les lois de Fick. r dn(x) J n = q Dn grad n J n = q Dn dans une structure unidimensionnelle dx r dp(x) J p = q Dp grad p J p = q Dp dx avec Dn et Dp les coefficients de diffusion des lectrons et des trous respectivement.
Relations dEinstein :

Dans un SC isol : Jcond +Jdiff = 0 dou


Dn kT = n q et
Dp kT = p q

II Le semiconducteur lquilibre thermodynamique 1) Le semiconducteur intrinsque Diagramme de bandes dnergie :

Niveau du vide Ws = nergie de sortie q ( affinit lectronique) Bande de conduction e- libres W0 = nergie de libration Eg Bande interdite pas de- Eg = Ec - Ev Bande de valence e- lis

Conductivit :

n = p = ni = q (nn +pp) = q ni (n +p)


Distribution des porteurs de charges :

avec ni = AT e

3 2

Eg 2kT

Soit dn le nombre de- ayant une nergie comprise entre E et E+dE : dn = Nc(E) fn(E) dE avec Nc = densit dtat, reprsente le nombre de place disponible et fn(E) la statistique doccupation. Ainsi le nombre total de- n est :

n=

Ec

Nc(E)f

(E)dE

Pour un SC non dgnr on applique la statistique de Boltzman ainsi on montre que : n = NCe
EC E F kT

avec NC et NV densit quivalente dtat de la bande de conduction et de la bande de valence respectivement. EF est le niveau de Fermi.

p = NVe

E V E F kT

NC = 2(

2m ekT 3 )2 2 h

et NV = 2(

2m pkT h2

)2

Produit np :

produit constant ne dpend que des caractristiques du matriau SC pour un SC intrinsque np = ni2 ni = (N C N V ) 2 e
Position du niveau de Fermi :
1 Eg 2kT

np = NCNV e

Eg kT

n = p EF =

E + EV EC + EV 1 N + kT ln V C 2 2 NC 2

2) Le semiconducteur extrinsque
3

dopage n ou p dun SC Type N (basse temprature)


EC N NDi EV NAi N EV

Type P
EC

Equation de neutralit : n + NAi = p + NDi Loi daction de masse : np = ni2 Type N :

300K n + NA = p + ND

ND >> NA
Type P :

n (majoritaires) >> p (minoritaires)

n = ND et p =

ni ND

NA >> ND
Niveau de Fermi :

p >> n

p = NA et n =

ni NA

NC ND N Dopage p : EFp = EV + kT ln V NA Distribution des porteurs de charges :

Dopage n : EFn = EC kT ln

n = ni e p = ni e

E Fn E Fi kT

majoritaires type N majoritaires type P

E Fp E Fi kT

III Le semiconducteur hors quilibre (rgime variable) 1) Gnration-Recombinaison

g = taux de gnration de porteurs = nombre de particules cres dans une unit de volume pendant une unit de temps r = taux de recombinaison La variation du nombre de porteurs par unit de volume et de temps scrit :

dn = g'r' = g + g th r' = g r dt gr T = g-r = taux net de gnration et R = r-g = taux net de recombinaison En rgime stationnaire T=R=0
Recombinaisons directes lectrons trous :

Le taux de recombinaison r est proportionnel au produit np r= Knp et r = Knp-gth lquilibre n = n0 , p = p0 et r = 0 gth = Kni2 r = K(np-ni2) hors quilibre n = n0+n et p = p0+p n p 1 = dure de vie des porteurs = r= avec n = n p K(n 0 + p 0 + n) en rgime de faible injection n = p << n0 (ou p0) ainsi pour un SC de type N n0 >> p0 p = p0+p et n = n0+n n0 1 p et r = rp = Kn 0 p

pour un SC de type P 1 n et r = rn = Kn 0 n

n , p = dure de vie des porteurs minoritaires

Recombinaisons assistes (par dfauts) :

Piges lectron = capture dun e- participant la conduction, puis remission de cet eCentres de recombinaison = capture dun e- , puis capture dun trou : dans la plupart des cas on montre que : 2 1 pn n i 1 m = , r= m 2n i + p + n CN R C = coefficient de capture NR = densit de centres de recombinaison
SC de type N : n0 >> ni >> p0 p = p0+p<< n0 et n = n0+n n0 2 p n i /n p p 0 p r = = = taux de recombinaison des porteurs m m m minoritaires si recombinaisons directe : 1 1 1 = + p m Zone dpeuple (pas de recombinaisons directes, pas de porteurs lis : n et p <<ni) :

ni 2 m 2) Equations fondamentales r

Ltat dun dispositif est dcrit lorsquon connat la concentration de porteurs libres et la valeur du champ lectrique pour toute valeur de x et de t. En utilisant ces rsultats la rponse du dispositif est alors dtermine en calculant la densit de courant circulant dans le dispositif. 2.1 Equations de continuit Suivant la direction x on regarde la diffrence entre le flux dlectrons entrant en x et sortant en x+dx.

n(x,t) = -Jn(x,t)/q

n(x+dx,t) = -Jn(x+dx,t)/q

x+dx

En exprimant la diffrence n(x+dt) n(x,t) en fonction des grandeurs prcdemment tudies (Sc lquilibre et hors quilibre) on montre aisment que : n 2n n E n = gn + n (E + n ) + Dn 2 dx n x x t de mme pour les trous on montre que : (1)

p p E 2p p = gp + p (E + p ) + Dp t x p dx x 2 2.2 Equation de Poisson En partant du thorme de Gauss on arrive : E(x, t) (x, t) + =0 x o (x,t) reprsente la densit de charge

(2)

(3)

La rsolution analytique des ces trois quations est facilement ralisable dans le cas de structures unidimensionnelles moyennant quelques approximations usuelles ( zones SC soit
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quasi neutre : charge despace trs petite avec comme consquence n=p, champs lectriques petits soit zone de charge despace :-on considrera exclusivement quelles sont constitues par les impurets ionises, absence de porteurs ). IV La jonction P-N
1) La jonction P-N lquilibre

1.1 Etude qualitative

Rgion P

Rgion N

xp

xj

xn

ZCE E

Le courant initial de diffusion Jd, induit par la double diffusion des lectrons et des trous, est instantanment compens par lapparition dun champ lectrique induit par les ions (accepteurs dans la rgion N, donneurs dans la rgion P) ioniss, gnr par les recombinaisons electrons-trous. 1.2 Etude quantitative
Diagramme de bandes dnergie. Parmtres de concentration

np = N C e Rgion P

E Cp E F kT
E F E Vp kT

pp = N V e

nn = N C e Rgion N

E Cn E F ) kT
E F E Vn kT )

pn = N V e

Calcul de Vd

Le rapport

kT n n nn kT N A N D = donne directement : Vd = ln ln 2 q np np q ni

On peut dterminer Vd par le calcul des courants : JT = Jp + Jn = 0


Calcul du champ lectrique et du potentiel

En rsolvant lquation de Poisson (cas de la jonction abrupte) on obtient : E(x) =


qN A (x + x p ) et

V(x) =

1 qN A (x + x p ) 2 + Vp dans la rgion P 2 1 qN D (x x n ) 2 + Vn dans la rgion N 2

E(x) =

qN D (x x n )

et V(x) =

1 E(0)(x n + x p ) 2 Ainsi la longueur de la zone de charge despace w scrit : Vn-Vp = Vd =


2 1 1 ( + )Vd q NA ND En reprenant les quations ci-dessus on montre que :

w=

xn =

1 kT ( ) q ND

N N 2 1 kT ln A 2 D o le terme ( ) = LDn = longueur de Debye ND q ND ni 1+ NA N N 2 1 kT ln A 2 D o le terme ( ) = LDp = longueur de Debye NA q NA ni 1+ ND

xp =

1 kT ( ) q NA

2) La jonction P-N polarise en direct

2.1 Etude qualitative


Rgion P Rgion N

xp

xj=0

xn

Wp Zone de diff des lectrons : np(x)

ZCE E

Wn Zone de diff des trous : pn(x)

Va

q(Vd-Va)

q(Va)

2.1 Etude quantitative


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distribution des porteurs de charge minoritaires

Pour calculer la distribution des porteurs minoritaires dans les zones quasi-neutres on doit rsoudre les quations de continuits qui deviennent ici (sachant que E = 0, g = 0 et en n p p n = 0) : et supposant que t t
d 2 p n (x) p n 2 =0 dx 2 Lp

avec Ln,p longueur de diffusion =

D n,p n,p

d 2 n p (x) dx
2

n p Ln
2

=0

Les conditions aux limites sont :


qVa p n (x n ) = p n 0 e kT

qVa n p (-x p ) = n p 0 e kT
n p (x ) = n p0

et

p n (x +) = p n0

Pour un composant court (Wn <Lp et Wp<Ln) on obtient : qVa sinh[(x n + Wn x)/L p ] pn = pn(x) pn0 = pn0 (e kT 1) sinh[Wn /L p ] qVa sinh[(x Wp x p )/L n ] np = np(x) np0 = np0 (e kT 1) sinh[Wp /L n ] Pour un composant long (Wn>Lp et Wp>Ln) on obtient : x -x n qVa L p (e kT 1) e xp + x qVa L kT 1) e p (e

pn = pn(x) pn0 = pn0

np = np(x) np0 = np0

Calcul de la densit de courant totale JT

Si on nglige les phnomnes de g-r dans la ZCE les densits de courant dlectrons et de trous dans cette zone sont constantes et comme le flux de courant est conservatif dans toute la diode on a JT = Jp(xn) + Jn(-xp) = cste En dehors de la ZCE il ny a quune composante de diffusion : JT = JD
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En x = xn En x = -xp

Jp(xn) = -qDp Jn(-xp) = -qDn

dp n (x) dx

x =x n

dn p (x) dx
x = x p

Ainsi en drivant les quations prcdentes on obtient pour un composant long : qVa qD p p n0 qD n n p0 JT = Jp(xn) + Jn(-xp) = ( + ) (e kT 1) Lp Ln En posant JS = ( qD p p n0 Lp Ln jonction P-N polarise en direct :

qD n p p0

) on retrouve lexpression classique du courant dans un

qVa J = JS (e kT 1) Pour un composant court on obtient la mme expression mais avec :


2 2 2 n 2 Dp Wp n i D p 1 n Dn Wn n D 1 coth( )+ i coth( ) q JS = q i )+ i n Lp NA Ln L n N D Wn N A Wp ND Lp 2 2

( p n0

n n = i et n p0 = i ) ND NA

rem : dans le cas dune jonction P-N quelconque on a NA(x) et ND(x)cste. Les mmes calculs conduisent : JS =
qD p n i
x n + Wn 2

qD n n i
x p Wp -x p

xn

N D (x)dx

(x)dx

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Profils des courants dlectrons et de trous dans la jonction P-N

composant court

composant long

3 La jonction P-N polarise en inverse

3.1 Etude qualitative

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3.2 Largeur de la zone de charge despace. Capacit de transition. Nous avons montr que W =
2 1 1 ( + )Vd dans la jonction non polarise ; si on q NA ND

polarise la jonction en inverse on a alors Vd Vd + VR La capacit de transition Ct est lie a la variation dQ des charges stockes dans la ZCE quand la tension applique varie dVR. Ct =
dx p dQ dx = qN D n = qN A = dVR dVR dVR q N A N D 2(Vd + VR )(N A + N D )

Pour une jonction dissymtrique on par exemple NA>>ND alors :


qN D donc dans le cas dune jonction abrupte dissymtrique cette 2(Vd + VR ) relation peut se mettre sous la forme :

Ct =

1 2Vd + VR = ainsi en traant la courbe 1/C2 en fonction de la tension applique C qN D t on dtermine ND en calculant la pente de la courbe. Rem : Si la jonction est polarise en direct Vd Vd + Va Ctdir Ctinv

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4 Schma quivalent petit signal de la jonction P-N

4.1 Caractristique courant tension + rgime alternatif

Caractristique relle : influence de la rsistance srie rs

VR

4.2 Polarisation inverse Si on nglige la composante de courant de gnration recombinaison, le courant en inverse est li uniquement au courant de saturation IS (cas de la figure ci-dessus). Dans ce cas la dVR . Dans cette configuration de polarisation nous devons rsistance dynamique rdinv = dI S prendre en compte la variation des charges en limite de la ZCE induite par le rgime variable. Ainsi nous retrouvons la capacit de transition Ct prsente dans le paragraphe ci-dessus. Le schma quivalent est le suivant : rdinv

Ct
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4.3 Polarisation directe La rsistance dynamique dune jonction polarise en direct est dVa rd = dId qVa Id = IS (e kT 1) ainsi

nous avons montr que


Va = V0

1/rd =

q Id 0 kT

Comme dans le cas de la polarisation inverse nous avons une capacit de transition Ct lie aux charges stockes dans la ZCE. Par contre le courant de diffusion qui est la composante principale de courant ici (sauf aux faibles polarisations) induit une capacit dite de diffusion qui traduit en rgime variable les variations des porteurs minoritaires injects de part et dautre de la ZCE comme le montre la figure ci-dessous.

Pour calculer cette capacit il faut reprendre les quations de continuits en prenant en compte cette fois les variations temporelles lies au rgime variable par exemple :

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2 p n p n p n 2 = t x 2 Lp
V(t) = Va + v en prenant le cas du rgime alternatif : v = v e en basse frquence on montre que la rsolution de lquation de continuit (ici on a la condition q(Va + ve jt ) kT limite : p (0, t) = p e ) conduit lexpression suivante pour la composante
n n0

jt

alternative du courant de diffusion :


qVa q v kT (p n D p p + n p D n n ) e id = kT
2

avec p,n =

1 + j p ,n L p,n

Ainsi limpdance dynamique Yd =

q i = Gd +j Cd permet de retrouver rd = 1 /Gd = Id 0 kT v

qVa q 2 kT p n D p p n p D n n + et dobtenir la capacit de diffusion en basse frquence : Cd = e 2L 2L n kT p Dans le cas dune jonction dissymtrique par exemple si NA>>ND (np petit) Cd = Schma quivalent q p 2kT Jd

rd rs Cd Ct

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5 Etude qualitative de la diode tunnel Dans une diode tunnel les rgions P et N sont fortement dopes (SC dgnrs). Ainsi & la largeur de la ZCE est faible (100 A ) et le champ lectrique suffisant pour que la probabilit quun lectron traverse la barrire de potentiel soit non ngligeable. Les figures ci-dessous reprsente ce phnomne ainsi que la caractristique I-V de cette diode dont la particularit est davoir une rsistance dynamique diffrentielle ngative, ce qui permet dutiliser ce type de composant pour la ralisation doscillateurs.

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6 Etude qualitative de lhtrojonction Ici la jonction (P-N ou n-N ou p-P) est ralise avec des matriaux SC diffrents. La principale caractristique des htrojonctions rside dans la diffrence des bandes interdites des deux matriaux (gap) : un grand gap et un petit gap. En fonction du recouvrement ou non des gap mis en jeu ainsi que de la diffrence ou non du type de dopant il existe plusieurs type dhtrojonctions. Le choix sera fonction de lobjectif vis pour composant, ralis partir dune htrojonction (diode laser htrojonction, photodiode htrojonction, composants utilisant un gaz 2D , transistors bipolaire htrojonction, ). Notons que la caractristique principale est la diffrence de gap g qui se rpartie en une diffrence de niveau de bande de conduction EC et de bande de valence EV . La premire figure ci-dessous illustre ces diffrences au niveau des bandes dnergie. La deuxime figure prsente le principe du gaz bi-dimentionnel utilis dans les transistors HEMT par exemple.

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Si la plupart des composants htrojonction sont base de matriaux III-V, lhtrojonction Si-SiGe est de plus en plus utilise en microlectronique aujourdhui (voir chapitre suivant sur les transistors bipolaire s).

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