Transistores Efeito de Campo

O principio de funcionamento de um transistor efeito de campo est baseado na modulao da largura de um canal, portanto sua capacidade de corrente, por uma tenso aplicada. Desta forma transistores efeito de campo so dispositivos controlados por tenso ao contrario do transistor tradicional (transistor bipolar ou BJT Bipolar Junction Transistor) que so controlados por corrente. Existem basicamente dois tipos de transistor efeito de campo: MOSFET (MetalOxide-Semicondutor FET) tambm chamados de IGMOS (Insulated Gate MOS Transistor MOS e o JFET (Junction FET) sendo que os primeiros so mais usados, principalmente em circuitos integrados e ultimamente como dispositivos de potencia. Cada tipo pode ser encontrado com duas polaridades: canal N e canal P. Existem muitas diferenas entre os transistores efeito de campo e o tradicional, sendo que as trs principais so:

Tipo de controle da corrente: no FET por tenso no tradicional por corrente. A impedncia de entrada: no FET muito alta (>1M) e no tradicional baixa (devido juno PN polarizada diretamente). O tipo de portador: No FET um tipo (eltron livre ou lacuna) no tradicional so eltron e lacuna. Ganho de tenso: No FET menor do que no BJT.

Transistor Efeito de Campo de Juno A figura 1a mostra, de forma simplificada, a estrutura fsica de um transistor efeito de campo de juno canal N, a figura 1b a simbologia para canal N e a figura 1c para canal P. O dispositivo tem trs terminais: O dreno (D) a fonte (S Source em ingls ) e a porta (G Gate em ingls). A dopagem da regio da porta muito maior do que a do canal, desta forma a regio de depleo (regio de carga espacial) ser muito maior do lado do canal.

(a)

(b)

(c)

Figura 1: ( a ) Estrutura fsica JFET canal N ( b ) simbologia JFET canal N ( c ) simbologia JFET canal P

Observar na simbologia que a seta no meio, ou mesmo a estrutura, pode sugerir que possamos trocar o dreno pela fonte, o que verdade em alguns dispositivos, mas no em todos, por isso mesmo a simbologia onde a seta est mais prxima da fonte. Na literatura sobre o tema possvel encontrar as duas. O sentido da seta mostra o sentido de conduo como em um diodo comum da juno gate (P)-canal (N). Para explicar o funcionamento consideraremos o JFET canal N, para o outro se invertem os sentidos da corrente e das tenses. Consideremos inicialmente VDS=0 e apliquemos uma tenso VGS com a polaridade indicada na figura 2a e que polariza reversamente a juno PN. Inicialmente o canal estar todo aberto e entre e dreno e fonte existira um canal com uma determinada resistncia. Como a tenso aplicada na resistncia zero a corrente resultante ser zero (ID=0). Se a tenso de porta for aumentada, aumenta a polarizao reversa o que faz a regio de carga espacial avanar mais no canal at fech-lo totalmente, figura 2b. Observe que a regio de depleo avana mais no canal do que no lado da porta, isso porque a dopagem da porta maior.

(a)

(b)

Figura 2: ( a ) polarizando a porta com tenso negativa ( b ) fechando totalmente o canal

A tenso de porta que provoca o fechamento total do canal chamada de tenso de pinamento (pinch-off em ingls), VP, sendo uma quantidade negativa no caso de canal N e positiva para o canal P. Agora consideremos VGS=0 e apliquemos uma tenso entre dreno e fonte com a polaridade indicada na figura 8.3. O que acontece com a corrente quando VDS varia? Inicialmente com o VDS pequeno o canal praticamente no se altera e dentro de certos limites o dispositivo se comporta como uma resistncia. medida que VDS aumenta, a corrente de dreno aumenta provocando uma queda de tenso ao longo do canal que faz com que o estreitamento no seja uniforme. Na figura 3b a corrente de dreno provoca entre o ponto A e a fonte uma tenso VA e entre o ponto B e a fonte uma tenso VB estando claro que VA>VB. Estas tenses so aplicadas na juno de forma reversa e no ponto onde a tenso reversa maior a regio de carga espacial avana mais no canal,isto , o estreitamento maior prximo do dreno.

(a)

(b)

Figura 3: ( a ) Polarizando o dreno com uma tenso pequena (0,1V)( b ) o pinamento atingido (VP)

O estreitamento maximo quando a tenso de dreno for igual tenso de pinamento em modulo.Se a tenso de dreno aumentar mais ainda, as regies de carga espacial no se tocam, ao invs disso o estreitamento aumenta ao longo do canal conforme figura 4 e a corrente de dreno se mantem aproximadamente constante em IDSS, isto , o dispositivo passa a se comportar como uma fonte de corrente constante. Na pratica existe um pequeno aumento em ID quando VDS aumenta alem de VP.

Figura 4: Aspecto do canal quando a tenso de dreno aumenta alem de VP

Se a tenso de dreno aumentar mais ainda, eventualmente ser atingida uma tenso que provocar a ruptura da juno, destruindo o dispositivo. Esta tenso designada por BVDSS

Veja este vdeo sobre JFET (em ingls): http://www.allaboutcircuits.com/videos/66.html

Curvas Caractersticas de Dreno Se a tenso de porta for fixada, digamos em V GS=0V, e a tenso de dreno for variada, o grfico da corrente de dreno em funo da tenso de dreno obtido, IDxVDS, tendo VGS como parmetro. A Figura 5a mostra o circuito para obter as curvas caractersticas de dreno. O grfico da figura 5b mostra a curva de dreno do JFET quando V GS=0 e a tenso de dreno varia, para um JFET (2N4393) canal N com VP=-2,81V. Inicialmente com VDS=0 a corrente de dreno ID tambm zero. Com VDS aumentando e inicialmente bem menor do que V P o comportamento de uma resistncia, isto , se a tenso de dreno dobrar de valor a corrente de dreno tambm dobra de valor. Dizemos que a regio de operao chamada de regio hmica (o JFET se comporta como uma resistncia controlada por VGS). medida que a tenso de dreno se aproxima da tenso de pinamento (V P) e o canal se aproxima do estreitamento mximo, a curva comea a se inclinar (resistncia do dreno aumenta). A corrente de dreno para V DS=VP denominada de IDSS, corrente na saturao. Se a tenso de dreno aumentar alem desse valor a variao da corrente de dreno fica constante em IDSS. Por exemplo para o transistor 2N4393 IDSS=30mA. Dizemos que o dispositivo entrou na regio de saturao, regio de amplificao ou patamar. Se a tenso de dreno aumentar mais ainda, eventualmente ser atingida uma tenso, BVDSS para a qual a juno PN sofrer ruptura.

(a)

(b)
Figura 5: Curva caracterstica de dreno para VGS=0V para JFET com VP=-2V

Se agora for aplicada uma tenso, de porta de digamos VGS=-1V, e o procedimento repetido, isto , a tenso de dreno variada a partir de zero,

ser obtida uma curva semelhante da Figura 5b porem com um valor de corrente na saturao menor que IDSS. O valor de VDS que provocar o pinamento ser menor, neste caso aproximadamente 1,8V. De uma forma geral o valor de VDS que provoca o pinamento dado por:

O conjunto de curvas para os diferentes valores de VGS chamado de curvas caractersticas de dreno, Figura 6.

Figura 6: Curva caracterstica de dreno para diversos valores de VGS obtendo as curvas de dreno (getting drain curves)

Curva Caracterstica de Transferncia As curvas caractersticas de transferncia relacionam a sada, corrente de dreno (ID), com a entrada, tenso de porta (VGS). Essas curvas so obtidas para um valor de VDS, por exemplo VDS=5V, Figura 7a. O grfico de IDxVGS

chamado de curva caracterstica de transferncia, pois transfere os valores de entrada para a sada, Figura 7b.

(a)

(b) Figura 7: ( a ) curva caracterstica de dreno ( b ) curva caracterstica de transferncia Obtendo a curva de transferncia

A equao que relaciona corrente de dreno com tenso de porta dada aproximadamente por:

onde IDSS a corrente de dreno na saturao para V GS=0 e VP a tenso de pinamento. Exemplo: Se VGS=-1V transistor 2N4393? qual a corrente de dreno considerando o

Como Vp=-2,81V e IDSS=36mA ento:

Valor que pode ser obtido diretamente da curva da Figura 7

Parmetros do JFET Todo semicondutor caracterizado por parmetros os quais determinaro limites de operao e valores de ganho, esses parmetros tambm so usados para modelar o componente.
Transcondutncia Esse um importante parmetro de um FET, sendo definido por: com VDS=constante

Derivando ID em relao a VGS na expresso:

obtem-se a expresso da transcondurancia (gm) em funo de ID e VGS.

Esse parmetro numericamente igual inclinao (derivada) em um determinado ponto da curva de transferncia. A figura 8 mostra o significado da transcondutncia.

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Figura 8: Obtendo a transcondutncia a partir da curva caracterstica de transferncia Obtendo a transcondutncia a partir da curva de transferencia

Exemplo: Qual o valor da transcondutncia em VGSQ=-1V ?

O valor da transcondutncia tambm pode ser obtido diretamente da curva de transferncia se o ponto Q conhecido. Se o ao redor do portanto o valor ponto Q ponto Q resulta estimado da VGSQ=-1V em uma transcondutncia ser: a variao

Resistncia de Sada A resistncia de sada definida como sendo: com VGS=constante que representa fisicamente a inclinao da curva na regio de saturao, Figura 9. Idealmente o valor de rO deveria ser infinito, isto , na regio de saturao para uma variao de tenso de dreno a variao da corrente de dreno seria zero e portanto na saturao as curvas seriam paralelas ao eixo horizontal. Na pratica existe uma pequena inclinao indicando que a corrente tem um pequeno acrscimo de valor quando a tenso de dreno aumenta.

Figura 9: Obtendo a resistncia de sada a partir da curva caracterstica de dreno