P4.

Halla la resistividad del silicio en las circunstancias siguientes (para ello, desprecia la disminucin de la movilidad de los portadores de carga con la temperatura): a) Silicio puro a 300 K. b) A 300 K dopado con indio en una concentracin de 51020 m-3. c) Silicio puro a 500 K (ni (500 K) = 3,71020 m-3). d) A 500 K dopado con indio en una concentracin de 51020 m-3. La resistividad de un material semiconductor viene dada por:

De este modo, en cada apartado del problema tendremos: a) Al tratarse de silicio puro, la concentracin de electrones y huecos es la misma, e igual a la concentracin intrnseca a la temperatura dada, con lo que,

?
b) Puesto que la concentracin de impurezas es mucho ms grande que la concentracin intrnseca, y se trata de una impureza aceptora, tendremos que la concentracin de huecos es aproximadamente igual a la de impurezas, p 51020 m-3 Como esta concentracin es mucho ms grande que la concentracin de electrones, en el clculo de la resistividad podemos despreciar el trmino que depende de la concentracin de electrones, con lo que,

c) Al igual que en el apartado a) tenemos que p = n = ni, de modo que,

d) Aplicando la ley de accin de masas, y la ley de la neutralidad elctrica tenemos que,

cuya solucin es, p = 6,951020 m-3 n = 1,971020 m-3 con lo que la resistividad viene dada por,

3.A una barra de germanio de 2 cm2 de seccin y longitud 10 cm se le aplica una diferencia de potencial de 10 V entre sus extremos. Con estos datos, y las propiedades del germanio, calcula a 300 K: a) Resistividad del germanio. b) Resistencia de la barra. c) Velocidad de arrastre de electrones y huecos. d) Intensidad de corriente. a) La resistividad del germanio viene dada por:

?
b) Suponiendo que la barra de germanio es cilndrica y homognea, su resistencia es:

c) La velocidad de arrastre, tanto para electrones como huecos, es igual al producto de la movilidad por el campo elctrico aplicado: va = E y al tratarse de un conductor cilndrico homogneo, el campo elctrico es igual a la diferencia de potencial entre sus extremos dividido por la longitud del mismo, con lo que,

De modo que la velocidad de arrastre para los electrones es,

y para los huecos,

d) La intensidad que circula ser

P2. Un semiconductor intrnseco contiene 1020 pares electrnhueco por m3. Calcula la resistividad, sabiendo que las movilidades son n = 0,2 m2/Vs y p= 0,06 m2/Vs. La resistividad es igual a la inversa de la conductividad, y sta, para un semiconductor, viene dada por,

= e (p p + n n)
donde e es la carga del electrn, p y n son respectivamente las concentraciones de huecos y electrones, y p y n sus movilidades. En este caso, puesto que se trata de un semiconductor intrnseco p = n, con lo que,

= 1,610-191020(0,2 + 0,06) = 4,16 -1m-1

Sea una barra de silicio a 300 K de seccin 2 mm2, cuya concentracin de electrones, no uniforme, sigue la ley n = Ax, siendo A = 21019 m-4. Determina la corriente de difusin existente en la barra.

Puesto que en la barra solamente vara la concentracin de electrones, nicamente tendremos corrientes de difusin debidas a stos, cuya densidad de corriente viene dada por,

En esta expresin, e representa la carga del electrn, Dn es la constante de difusin de electrones, que podemos determinar utilizando la relacin de Einstein,

Puesto que la concentracin de electrones vara nicamente en la direccin x, podemos tomar nicamente la componente x del gradiente de concentraciones

de este modo, el mdulo de la densidad de corriente ser igual a, J = 1,610-193,510-3210-19 = 0,0112 C/sm2 con lo que la intensidad de corriente ser, I = JS = 0,0112210-6 = 2,2410-8 A = 22,4 nA