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Integrantes del grupo:

Escobar, Nicols Ezequiel. Leites, Jonathan David.

Colegio: San Juan Bautista.

Profesora: Liliana Maglio.

Materia: Fisicoqumica.

Curso: 3B.

Ao: 2012.

Elementos conductores y semiconductores en electrnica. Trabajo Integrador. 3B. 2012.

Introduccin:
En el siguiente informe hablaremos de los elementos conductores y semiconductores en electrnica. Todos los cuerpos o elementos qumicos existentes en la naturaleza poseen caractersticas diferentes, agrupadas en la denominada Tabla de Elementos Qumicos. Desde el punto de vista elctrico, todos los cuerpos simples o compuestos estn formados por elementos. En general podemos denominar materiales conductores y semiconductores a cualquier tipo de sustancias o materiales que sometido a una diferencia de potencial elctrico proporciona un paso continuo de corriente elctrica. En general todas las sustancias en estado slido o lquido poseen la propiedad de conductividad elctrica, pero no todas las sustancias son buenos conductores.

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Corriente elctrica
Lo que conocemos como corriente elctrica no es otra cosa que la circulacin de cargas o electrones a travs de un circuito elctrico cerrado, que se mueven siempre del polo negativo al polo positivo de la fuente de suministro de fuerza electromotriz. Al descubrirse los electrones como parte integrante de los tomos y principal componente de las cargas elctricas, se descubri tambin que las cargas elctricas que proporciona una fuente de FEM (Fuerza Electromotriz), se mueven del signo negativo () hacia el positivo (+), de acuerdo con la ley fsica de que "cargas distintas se atraen y cargas iguales se rechazan". Debido al desconocimiento en aquellos momentos de la existencia de los electrones, la comunidad cientfica acord que, convencionalmente, la corriente elctrica se mova del polo positivo al negativo, de la misma forma que hubieran podido acordar lo contrario. Para que una corriente elctrica circule por un circuito es necesario que se disponga de tres factores fundamentales: _Una fuente de fuerza electromotriz (FEM) como, por ejemplo, una batera, un generador o cualquier otro dispositivo capaz de bombear o poner en movimiento las cargas elctricas negativas cuando se cierre el circuito elctrico. _Un camino que permita a los electrones fluir, ininterrumpidamente, desde el polo negativo de la fuente de suministro de energa elctrica hasta el polo positivo de la propia fuente. En la prctica ese camino lo constituye el conductor o cable metlico, generalmente de cobre. _Una carga o consumidor conectada al circuito que ofrezca resistencia al paso de la corriente elctrica. Se entiende como carga a cualquier dispositivo que para funcionar consuma energa elctrica como, por ejemplo, una bombilla o lmpara para alumbrado. Cuando las cargas elctricas circulan normalmente por un circuito, sin encontrar en su camino nada que interrumpa el libre flujo de los electrones, decimos que estamos ante un circuito elctrico cerrado. Si, por el contrario, la circulacin de la corriente de electrones se interrumpe por cualquier motivo y la carga conectada deja de recibir corriente, estaremos ante un circuito elctrico abierto. Por lo general todos los circuitos elctricos se pueden abrir o cerrar a voluntad utilizando un interruptor que se instala en el camino de la corriente elctrica en el propio circuito con el fin de impedir su paso cuando se acciona manual, elctrica o electrnicamente.

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Medicin de la intensidad de la corriente elctrica o amperaje


La intensidad de circulacin de corriente elctrica por un circuito cerrado se puede medir por medio de un ampermetro conectado en serie con el circuito o mediante induccin electromagntica utilizando un ampermetro de gancho. Para medir intensidades bajas de corriente se puede utilizar tambin un multmetro que mida mili ampere (mA). Por otra parte el ampere como unidad de medida se utiliza, fundamentalmente, para medir la corriente que circula por circuitos elctricos de fuerza en la industria, o en las redes elctricas domstica, mientras que los submltiplos se emplean mayormente para medir corrientes de poca intensidad que circulan por los circuitos electrnicos.

Tipos de corriente elctrica


En la prctica, los dos tipos de corrientes elctricas ms comunes son: corriente directa (CD) o continua y corriente alterna (CA). La corriente directa circula siempre en un solo sentido, es decir, del polo negativo al positivo de la fuente de fuerza electromotriz (FEM) que la suministra. Esa corriente mantiene siempre fija su polaridad, como es el caso de las pilas, bateras y dinamos. La corriente alterna se diferencia de la directa en que cambia su sentido de circulacin peridicamente y, por tanto, su polaridad. Esto ocurre tantas veces como frecuencia en Hertz (Hz) tenga esa corriente. A la corriente directa (C.D.) tambin se le llama "corriente continua" (C.C.). La corriente alterna es el tipo de corriente ms empleado en la industria y es tambin la que consumimos en nuestros hogares. La corriente alterna de uso domstico e industrial cambia su polaridad o sentido de circulacin 50 60 veces por segundo, segn el pas de que se trate. Esto se conoce como frecuencia de la corriente alterna.

Corriente directa o continua


La corriente directa (CD) o corriente continua (CC) es aquella cuyas cargas elctricas o electrones fluyen siempre en el mismo sentido en un circuito elctrico cerrado, movindose del polo negativo hacia el polo positivo de una fuente de fuerza electromotriz (FEM), tal como ocurre en las bateras, las dinamos o en cualquier otra fuente generadora de ese tipo de corriente elctrica. Es importante conocer que ni las bateras, ni los generadores, ni ningn otro dispositivo similar crea cargas elctricas, con lo que, todos los elementos conocidos en la naturaleza las contienen, pero para establecer el flujo en forma de corriente elctrica es necesario ponerlas en movimiento. Las cargas elctricas se pueden comparar con el lquido contenido en la tubera de una instalacin hidrulica. Si la funcin de una bomba hidrulica es poner en movimiento el lquido contenido en una tubera, la funcin de la tensin o voltaje

Elementos conductores y semiconductores en electrnica. Trabajo Integrador. 3B. 2012. que proporciona la fuente de fuerza electromotriz es, precisamente, bombear o poner en movimiento las cargas contenidas en el cable conductor del circuito elctrico. Los elementos o materiales que mejor permiten el flujo de cargas elctricas son los metales y reciben el nombre de conductores.

Corriente alterna
Adems de la existencia de fuentes de FEM de corriente directa o continua (C.D.) (como la que suministran las pilas o las bateras, cuya tensin o voltaje mantiene siempre su polaridad fija), se genera tambin otro tipo de corriente denominada alterna (C.A.), que se diferencia de la directa por el cambio constante de polaridad que efecta por cada ciclo de tiempo. La caracterstica principal de una corriente alterna es que durante un instante de tiempo un polo es negativo y el otro positivo, mientras que en el instante siguiente las polaridades se invierten tantas veces como ciclos por segundo o Hertz posea esa corriente. No obstante, aunque se produzca un constante cambio de polaridad, la corriente siempre fluir del polo negativo al positivo, tal como ocurre en las fuentes de FEM que suministran corriente directa. Si hacemos que una pila gire a una determinada velocidad, se producir un cambio constante de polaridad en los bornes donde hacen contacto los dos polos de dicha pila. Esta accin har que se genere una corriente alterna tipo pulsante, cuya frecuencia depender de la cantidad de veces que se haga girar la manivela a la que est sujeta la pila para completar una o varias vueltas completas durante un segundo. En este caso si hacemos una representacin grfica utilizando un eje de coordenadas para la tensin o voltaje y otro eje para el tiempo en segundos, se obtendr una corriente alterna de forma rectangular o pulsante, que parte primero de cero volt, se eleva a 1,5 volt, pasa por 0 volt, desciende para volver a 1,5 volt y comienza a subir de nuevo para completar un ciclo al pasar otra vez por cero volt. Si la velocidad a la que hacemos girar la pila es de una vuelta completa cada segundo, la frecuencia de la corriente alterna que se obtiene ser de un ciclo por segundo o Hertz (1 Hz). Si aumentamos ahora la velocidad de giro a 5 vueltas por segundo, la frecuencia ser de 5 ciclos por segundo o Hertz (5 Hz). Mientras ms rpido hagamos girar la manivela a la que est sujeta la pila, mayor ser la frecuencia de la corriente alterna pulsante que se obtiene. Seguramente sabrs que la corriente elctrica que llega a nuestras casas para hacer funcionar las luces, los equipos electrodomsticos, electrnicos, etc. es, precisamente, alterna, pero en lugar de pulsante es del tipo sinusoidal o sinodal. En Europa la corriente alterna que llega a los hogares es de 220 volt y tiene una frecuencia de 50 Hz, mientras que en la mayora de los pases de Amrica la tensin de la corriente es de 110 120 volt, con una frecuencia de 60 Hz. La forma ms comn de generar corriente alterna es empleando grandes

Elementos conductores y semiconductores en electrnica. Trabajo Integrador. 3B. 2012. generadores o alternadores ubicados en plantas termoelctricas, hidroelctricas o centrales atmicas.

Ventajas de la corriente alterna


A continuacin, les mostraremos las ventajas de la corriente alterna: _Permite aumentar transformadores. o disminuir el voltaje o tensin por medio de

_Se transporta a grandes distancias con poca de prdida de energa. _Es posible convertirla en corriente directa con facilidad. _Al incrementar su frecuencia por medios electrnicos en miles o millones de ciclos por segundo (frecuencias de radio) es posible transmitir voz, imagen, sonido y rdenes de control a grandes distancias, de forma inalmbrica. _Los motores y generadores de corriente alterna son estructuralmente ms sencillos y fciles de mantener que los de corriente directa.

Elementos Conductores:
Se dice que un cuerpo es conductor elctrico cuando se lo pone en contacto con otro cuerpo cargado de electricidad y este transmite a todos los puntos de su superficie. Los conductores son todos aquellos que poseen menos de 4 electrones en su ltima capa de valencia. Los elementos capaces de conducir la electricidad cuando son sometidos a una diferencia de potencial elctrico ms comunes son los metales, siendo el cobre el mas usado. Otro metal utilizado es el aluminio y en aplicaciones especiales, debido a su baja resistencia y dureza a la corrosin, el oro. En el comportamiento de los conductores no influye la barrera de potencial ya que esta no se interpone en las bandas de valencia por lo tanto no impide que la electricidad se transmita hacia otro material. Aunque todos los metales son conductores elctricos existen otros materiales, no metlicos, que tambin poseen la propiedad de conducir la electricidad como son el grafito, las soluciones salinas y cualquier material en estado de plasma.

Tipos y Caractersticas
Los conductores en general pueden clasificarse en: metlicos, electrolticos y gaseosos. Conductores electrolticos: La conduccin es inica; pertenecen a este grupo los llamados electrolitos, es decir, los cidos (bases o sales, disueltos o fundidos). Las molculas de estas sustancias, cuando se disuelven o funden, de disocian total o parcialmente formando iones positivos o negativos, y estos iones son portadores de cargas. En estos casos, el paso de la corriente elctrica

Elementos conductores y semiconductores en electrnica. Trabajo Integrador. 3B. 2012. corresponde a un desplazamiento de material, y viene acompaada de una reaccin qumica.

Conductores Metales
Caractersticas Fsicas: Son buenos conductores elctricos y trmicos, tienen una brillante estructura cristalina en estado slido, tienen resistencia a la fatiga o capacidad de soportar una fuerza o presin continuadas, son de mucha dureza y resisten a ser rayados. Caractersticas Qumicas: Sus valencias son positivas: Tienden a ceder electrones a los tomos con los que se enlazan, forman xidos bsicos, su energa de ionizacin es baja: reaccionan con facilidad perdiendo electrones para formar iones positivos o cationes. Caractersticas Elctricas: Tienen mucha resistencia al flujo de electricidad. Todo tomo de metal tiene nicamente un nmero limitado de electrones y de valencia con los que unirse a los tomos vecinos. La elevada conductividad elctrica y trmica de los metales se explica as por el paso de electrones a estas bandas con defecto de electrones, provocado por la absorcin de energa trmica. Conductores Lquidos: El agua, con sales como cloruros, sulfuros y carbonatos que actan como agentes reductores (donantes de electrones), conducen la electricidad. Otros lquidos pueden tener falta o exceso de electrones que se desplacen en el medio. Son iones, que pueden ser cationes (+), o aniones (-). Conductores Gaseosos: Sus valencias son negativas (se ioniza negativamente). Tienden a adquirir electrones. Tienden a formar xidos cidos.

Banda de valencia
Como ya conocemos, todos tomos que integran cualquier cuerpo material poseen rbitas o capas, denominadas tambin niveles de energa, donde giran electrones alrededor de sus ncleos. La ltima de esas capas se denomina banda de valencia y es donde giran los electrones que en unos casos el tomo puede ser ceder, como ocurre con los metales y en otros casos puede atraer o captar de la banda de valencia de otros tomos cercanos. La banda de valencia es el nivel de energa que determina que un cuerpo se comporte como conductor, aislante o semiconductor. En el caso de los metales en la ltima rbita o banda de valencia de sus tomos slo giran entre uno y tres electrones como mximo, por lo que su tendencia es cederlos cuando los excitamos empleando mtodos fsicos o qumicos. Esos nmeros con signo positivo (+), corresponden a la cantidad de electrones que pueden ceder los tomos de los metales, de acuerdo con la cantidad que contiene cada uno en la ltima rbita.

Elementos conductores y semiconductores en electrnica. Trabajo Integrador. 3B. 2012. En general la mayora de los elementos metlicos poseen conductividad elctrica, es decir, se comportan como conductores de la electricidad en mayor o menor medida. Los que poseen un solo electrn, son los que conducen la corriente elctrica con mayor facilidad. Qu son los materiales conductores? Los materiales conductores son aquellos materiales cuya resistencia al paso de la corriente es muy baja. Un buen aislante presenta una resistencia de hasta 1024 veces mayor que un buen conductor. En general podemos denominar material conductor a cualquier sustancia o material que sometido a una diferencia de potencial elctrico proporciona un paso continuo de corriente elctrica. En general todas las sustancias en estado slido o lquido poseen la propiedad de conductividad elctrica, pero algunas sustancias son buenos conductores, las mejores sustancias conductoras son los metales.

Tipos de materiales conductores a la corriente


Cobre: Smbolo: Cu. Densidad: 8.9 Kg/dm3 Resistencia Especfica: 0.0178 Conductividad: 56 Punto de Fusin: 1085 C Propiedades: El cobre es, despus de la plata, el metal que tiene mayor conductividad elctrica; las impurezas, incluso en pequea cantidad, reducen notablemente dicha conductividad. Tambin despus de la plata el cobre es el metal que mejor conduce el calor. No es atacado por el aire seco; en presencia del aire hmedo, se forma una platina (Carbonato de Cobre), que es una capa estanca, que protege el cobre de posteriores ataques. Aplicaciones: El cobre puro, con un grado de pureza del 99.9%, se fbrica generalmente por procedimientos electrolticos. Su denominacin normalizada es KE-CU (Cobre Catdico). Industrialmente, solo se emplea como material conductor cobre electroltico. El cobre Electroltico se emplea en electrotecnia especialmente como material conductor para lneas elctricas y colectores y como material de contacto en interruptores de alta tensin. Se utiliza tambin, por su elevada conductividad trmica, por ejemplo en equipos de soldadura, tubos de refrigeracin y superficies de

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Aluminio: Smbolo: Al. Densidad: 2.7 Kg/dm3 Resistencia Especfica: 0.0278 Conductividad: 36 Punto de Fusin: 658 C Propiedades: El aluminio presenta buena conductividad elctrica y es tambin buen conductor del calor. Es fcil de conformar por laminado y estirado. Su resistencia es ala traccin, modelando, es de 90 a 120 N/mm2 y laminado en caliente de 130 a 200 N/mm2. A la inversa, el alargamiento, vara entre 35 y 3%. El aluminio se puede alear fcilmente con otros metales. Sometido a la accin del aire, se cubre de una capa de xido, que debido a su estanqueidad protege de oxidacin ulterior al metal situado bajo la misma, por lo que el aluminio es resistente a la corrosin. El aluminio se puede estaar y soldar. Como material conductor se emplea exclusivamente aluminio puro (99,5 % Al). Aplicaciones: El aluminio puro se emplea, debido a su resistencia a la corrosin y a su baja densidad, para revestimientos de cables. Su buena deformabilidad lo hace apropiado para lminas de condensadores, su buena colabilidad para jaulas de rotores y su buena conductividad para lneas areas.

Elementos conductores y semiconductores en electrnica. Trabajo Integrador. 3B. 2012. Aire Ionizado y Agua Compuesto de hidrgeno y oxgeno, de frmula H2O. Lquido incoloro, inodoro e inspido, esencial para la vida de los animales y plantas, de los que entra a formar parte. Muy abundante en la naturaleza, no se encuentra en la misma en estado puro, sino con gran variedad de sales minerales disueltas. Sus puntos de fusin (0C) y ebullicin (100C) son la base de las distintas escalas de temperatura.

Elementos Aislantes:
Se denomina aislante elctrico al material con escasa conductividad elctrica. El comportamiento de los aislantes se debe a la barrera de potencial que se establece entre las bandas de valencia y conduccin que dificulta la existencia de electrones libres capaces de conducir la electricidad a travs del material, el aislante es el que posee ms de 4 electrones en su ltima capa de valencia. El comportamiento de los aislantes se debe a la barrera de potencial que se establece entre las bandas de valencia y conduccin que dificulta la existencia de electrones libres capaces de conducir la electricidad a travs del material. Los materiales aislantes son mejor conocidos como aquellos que tiene sus electrones de valencia relativamente fijos formando enlaces no conductores elctricos. La eleccin del material aislante suele venir determinada por la aplicacin. El polietileno y polister se emplean en instalaciones de alta frecuencia, y el mylar se emplea en condensadores elctricos. Tambin hay que seleccionar los aislantes segn la temperatura mxima que deban resistir. El tefln se emplea para temperaturas altas, entre 175 y 230 C. Las condiciones mecnicas o qumicas adversas pueden exigir otros materiales. El nylon tiene una excelente resistencia a la abrasin, y el neopreno, la goma de silicona, los polisteres de

Elementos conductores y semiconductores en electrnica. Trabajo Integrador. 3B. 2012. epoxi y los poliuretanos pueden proteger contra los productos qumicos y la humedad.

Tipos y caractersticas
Aislantes Slidos: Un buen aislante entre vueltas de las bobinas de transformadores es el cartn prensado, el cual da forma a estructuras de aislamiento rgidas. En los sistemas de aislamiento de transformadores destacan las cintas sintticas, que se utilizan para envolver los conductores magnticos de los bobinados. Aislantes Lquidos: Los fluidos o lquidos dielctricos cumplen la doble funcin de aislar los bobinados en los transformadores y disipar el calor al interior de estos equipos. El lquido dielctrico ms empleado es el aceite mineral. El problema es que es altamente inflamable. Fluidos dielctricos sintticos, (hidrocarburos) con alto punto de inflamacin. Aislantes Gaseosos: Los gases aislantes ms utilizados en los transformadores son el aire y el nitrgeno, este ltimo a presiones de 1 atmsfera. Estos transformadores son generalmente de construccin sellada. El aire y otros gases tienen elevadsima resistividad y estn prcticamente exentos de prdidas dielctricas. Aislantes elctricos: El aislante perfecto para las aplicaciones elctricas sera un material absolutamente no conductor, pero ese material no existe. Los materiales empleados como aislantes siempre conducen algo la electricidad, pero presentan una resistencia al paso de corriente elctrica. Estos materiales conductores tienen un gran nmero de electrones libres (electrones no estrechamente ligados a los ncleos) que pueden transportar la corriente; los buenos aislantes apenas poseen estos electrones. Algunos materiales, como el silicio o el germanio, que tienen un nmero limitado de electrones libres, se comportan como semiconductores, y son la materia bsica de los transistores. En los circuitos elctricos normales suelen usarse plsticos como revestimiento aislante para los cables. Los cables muy finos, como los empleados en las bobinas (por ejemplo, en un transformador), pueden aislarse con una capa delgada de barniz. El aislamiento interno de los equipos elctricos puede efectuarse con mica o mediante fibras de vidrio con un aglutinador plstico. En los equipos electrnicos y transformadores se emplea en ocasiones un papel especial para aplicaciones elctricas. Las lneas de alta tensin se aslan con vidrio, porcelana u otro material cermico.

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Elementos Semiconductores:
Un semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante dependiendo del campo elctrico en el que se encuentre, capaz de conducir la electricidad mejor que un aislante, pero peor que un metal. La conductividad elctrica, que es la capacidad de conducir la corriente elctrica cuando se aplica una diferencia de potencial, es una de las propiedades fsicas ms importantes. Ciertos metales, como el cobre, la plata y el aluminio son excelentes conductores. Por otro lado, ciertos aislantes como el diamante o el vidrio son muy malos conductores. A temperaturas muy bajas, los semiconductores puros se comportan como aislantes. Sometidos a altas temperaturas, mezclados con impurezas o en presencia de luz, la conductividad de los semiconductores puede aumentar de forma espectacular y llegar a alcanzar niveles cercanos a los de los metales. Las propiedades de los semiconductores se estudian en la fsica del estado slido. El elemento semiconductor ms usado es el silicio, aunque idntico comportamiento presentan las combinaciones de elementos de los grupos II y III con los de los grupos VI y V respectivamente. De un tiempo a esta parte se ha comenzado a emplear tambin el azufre. La caracterstica comn a todos ellos es que son tetravalentes, teniendo el silicio una configuracin electrnica sp. Los semiconductores, en los que el salto de energa es pequeo, del orden de 1 eV, por lo que suministrando energa pueden conducir la electricidad; pero adems, su conductividad puede regularse, puesto que bastar disminuir la energa aportada para que sea menor el nmero de electrones que salte a la banda de conduccin; cosa que no puede hacerse con los metales, cuya conductividad es constante, o mas propiamente, poco variable con la temperatura.

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Elementos conductores y semiconductores en electrnica. Trabajo Integrador. 3B. 2012. La mayor o menor conductividad elctrica que pueden presentar los materiales semiconductores depende en gran medida de su temperatura interna. En el caso de los metales, a medida que la temperatura aumenta, la resistencia al paso de la corriente tambin aumenta, disminuyendo la conductividad. Todo lo contrario ocurre con los elementos semiconductores, pues mientras su temperatura aumenta, la conductividad tambin aumenta. La conductividad de un elemento semiconductor se puede variar aplicando uno de los siguientes mtodos: Elevacin de su temperatura. Introduccin de impurezas (dopaje) dentro de su estructura cristalina. Incrementando la iluminacin.

Semiconductores Intrnsecos
En un semiconductor intrnseco tambin hay flujos de electrones y huecos. Esto se debe a que por accin de la energa trmica se producen los electrones libres y los huecos por pares, por lo tanto hay tantos electrones libres como huecos con lo que la corriente total es cero. Un semiconductor intrnseco es un semiconductor puro. Un cristal de silicio es un semiconductor intrnseco si cada tomo del cristal es un tomo de silicio. A temperatura ambiente, un cristal de silicio se comporta ms o menos como un aislante, ya que tiene solamente unos cuantos electrones libres y sus huecos producidos por excitacin trmica. Flujo de electrones libres Supongamos que la energa trmica ha producido un electrn libre y un hueco. El electrn libre se halla en una rbita grande en el extremo derecho del cristal. Debido a la placa cargada negativamente, el electrn libre es repelido hacia la izquierda. Este electrn puede pasar de una rbita grande a la siguiente hasta alcanzar la placa positiva. Flujo de huecos Estos huecos que atrae el electrn de valencia del punto A, provoca que el electrn de valencia se mueva hacia el hueco. Esta accin no es la misma que la recombinacin, en la cual un electrn libre cae en un hueco. En vez de un electrn libre, se tiene un electrn de valencia movindose hacia un hueco. Cuando el electrn de valencia en el punto A se mueve hacia la izquierda, crea un nuevo hueco en el punto A. El efecto es el mismo que si el hueco original se desplazara hacia la derecha. El nuevo hueco en el punto A puede atraer y capturar otro electrn de valencia. De esta forma, los electrones de valencia pueden desplazarse a lo largo de la trayectoria. Esto quiere decir que el hueco se puede mover en el sentido opuesto a lo largo de la trayectoria A-B-C-D-E-F.

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Semiconductores Extrnsecos
Una forma de aumentar la conductividad de un semiconductor es mediante el dopado. El dopado supone que deliberadamente se aaden tomos de impurezas a un cristal intrnseco para modificar su conductividad elctrica. Un semiconductor dopado se llama semiconductor extrnseco. Existen dos materiales extrnsecos de gran importancia para la fabricacin de dispositivos semiconductores: el tipo N y el tipo P. Cuando a la estructura molecular cristalina del silicio o del germanio se le introduce cierta alteracin, esos elementos semiconductores permiten el paso de la corriente elctrica por su cuerpo en una sola direccin. Para hacer posible, la estructura molecular del semiconductor se dopa mezclando los tomos de silicio o de germanio con pequeas cantidades de tomos de otros elementos o "impurezas". Generalmente los tomos de las impurezas corresponden tambin a elementos semiconductores que, en lugar de cuatro, poseen tres electrones en su ltima rbita [como el galio (Ga) o el indio (In)], o que poseen cinco electrones tambin en su ltima rbita [como el antimonio (Sb) o el arsnico (As)]. Una vez dopados, el silicio o el germanio se convierten en semiconductores extrnsecos y sern capaces de conducir la corriente elctrica. En la actualidad el elemento ms utilizado para fabricar semiconductores para el uso de la industria electrnica es el cristal de silicio (Si) por ser un componente relativamente barato de obtener. La materia prima empleada para fabricar cristales semiconductores de silicio es la arena, uno de los materiales ms abundantes en la naturaleza. En su forma industrial primaria el cristal de silicio tiene la forma de una oblea de muy poco grosor (entre 0,20 y 0,25 mm aproximadamente), pulida como un espejo. Semiconductor Tipo N: Un Semiconductor tipo N se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso negativas o electrones).Cuando el material dopante es aadido, ste aporta sus electrones ms dbilmente vinculados a los tomos del semiconductor. Hay sin embargo, un quinto elemento adicional debido al tomo de impureza, que est desasociado con cualquier enlace covalente particular. Este electrn sobrante, enlazado dbilmente a su tomo padre (antimonio), es relativamente libre de moverse dentro del material nuevamente formando de material tipo N. Los tomo de impureza insertado ha donado un electrn relativamente "libre" a la estructura, a las impurezas con cinco electrones de valencia se les denomina tomos donadores. En el material tipo N, a los electrones se les conoce como portadores mayoritarios, mientras que a los huecos se les denomina portadores minoritarios.

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Elementos conductores y semiconductores en electrnica. Trabajo Integrador. 3B. 2012. Semiconductor Tipo P: Un Semiconductor tipo P se obtiene llevando a cabo un proceso de dopado, aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso positivos o huecos).Cuando el material dopante es aadido, ste libera los electrones ms dbilmente vinculados de los tomos del semiconductor. Este agente dopante es tambin conocido como material aceptor y los tomos del semiconductor que han perdido un electrn son conocidos como huecos. El propsito del dopaje tipo P es el de crear abundancia de huecos.

Fabricacin de semiconductores
Para que un fabricante pueda adoptar un semiconductor, debe producirlo inicialmente como un cristal absolutamente puro. Controlando posteriormente la cantidad de impurezas, puede determinar con precisin las propiedades del semiconductor. Inicialmente resultaba ms fcil producir cristales puros de germanio que de silicio. Por esta razn los primeros dispositivos semiconductores estaban hechos de germanio. Despus mejoraron las tcnicas de fabricacin y se pueden obtener cristales puros de silicio.

Tcnicas de fabricacin
La materia prima se somete primero a una serie de reacciones qumicas y a un proceso de refinacin de zona para formar un cristal poli cristalino del nivel deseado de pureza. Los tomos del cristal poli cristalino se acomodan al azar, mientras que en el cristal deseado los tomos se acomodan en forma simtrica, uniforme, con estructura geomtrica en enrejado. La magnitud de estas corrientes se incrementa hasta que se desarrolle suficiente calor para fundir la regin del material semiconductor. La operacin final antes de que la fabricacin del semiconductor se lleve a cabo es la formacin de un solo cristal de germanio o silicio. Esto se puede lograr usando la tcnica de Czochralski o la de zona flotante, la ltima es la que se ha diseado recientemente. La tcnica de zona flotante elimina la necesidad de tener simultneamente un proceso de zona de refinamiento y de formacin de un solo cristal. Ambos pueden lograrse al mismo tiempo utilizando esta tcnica. Una segunda ventaja

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Elementos conductores y semiconductores en electrnica. Trabajo Integrador. 3B. 2012. de este mtodo es la ausencia del grafito o del cristal de cuarzo, que a menudo introduce impurezas en el germanio o en el lingote de silicio. Dos soportes sostienen la barra de germanio o silicio en la posicin vertical dentro de un conjunto de bobinas de induccin mviles de RF.

El efecto Hall
En esencia, el efecto Hall dice que cuando un conductor que lleva corriente se coloca en un campo magntico, se genera un voltaje en la direccin perpendicular tanto a la corriente como al campo magntico. Esta observacin proviene de la desviacin de los portadores de carga hacia uno de los lados del conductor como resultado de la fuerza magntica experimentada por los portadores de carga. El efecto tambin da lugar a una tcnica para medir los campos magnticos. Para observar el efecto Hall, un campo magntico se aplica a un conductor que lleve corriente. Tanto los portadores de carga positivas como negativas son desviados hacia arriba en el campo magntico. El voltaje Hall es medido entre puntos. La cantidad 1/nq se conoce como coeficiente Hall, RH. El signo y magnitud de RH proporciona el signo de los portadores de carga y su densidad. Hay que hacer notar que para semiconductores como el silicio y el germanio la frmula no es del todo vlida ya que slo pueden ser explicadas las discrepancias si se aplica un modelo basado en la naturaleza cuntica de los slidos.

Nivel de Fermi
Los nmeros de portadores libres (electrones y huecos) en cualquier parte macroscpica del semiconductor son relativamente grandes, lo suficientemente grandes como para aplicar las leyes de la mecnica estadstica con el fin de determinar las propiedades fsicas. Una propiedad importante de los electrones en los cristales es su distribucin, en el equilibrio trmico, entre los estados permitidos de energa. Las consideraciones bsicas de las maneras de poblar

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Elementos conductores y semiconductores en electrnica. Trabajo Integrador. 3B. 2012. los estados permitidos de energa, con partculas sujetas al principio de exclusin de Pauli, conduce a una funcin de distribucin para los electrones en la energa, que se llama funcin de distribucin de Fermi-Dirac. La funcin de distribucin de Fermi-Dirac, es conocida simplemente como funcin de Fermi, y describe la probabilidad de que un estado en la energa, E, se llene por medio de un electrn. A temperaturas finitas, la funcin de Fermi no cambia tan abruptamente; se tiene una probabilidad pequea de que algunos estados, por encima del nivel de Fermi, estn ocupados y algunos estados por debajo de l estn vacos. La funcin de Fermi slo representa una probabilidad de ocupacin y no contiene informacin alguna acerca de los estados disponibles para ser ocupados y, por lo tanto, no puede especificar la poblacin de electrones de una energa dada. Una aplicacin de la fsica cuntica a un sistema revelar la informacin acerca de la densidad de estados disponibles.

Tecnologa de los semiconductores


Difusin El proceso de difusin generalmente comprende dos pasos. Primero, los tomos contaminantes se colocan sobre o cerca de la superficie, mediante un paso de depsito gaseoso, o bien, cubriendo con una capa que contenga la impureza contaminante deseada. Despus le sigue una difusin de introduccin, la cual mueve a los tomos contaminantes. La forma de la distribucin del contaminante queda determinada principalmente por la manera en que se coloca el contaminante cerca de la superficie, mientras que la profundidad de la difusin depende principalmente de la temperatura y del tiempo de la difusin de introduccin. Dado que las caractersticas de los dispositivos semiconductores dependen de la naturaleza del perfil del contaminante, resulta til analizar un poco ms el proceso de difusin. Cuando los tomos contaminantes se colocan sobre un trozo de silicio y esto se calienta hasta una temperatura lo suficientemente alta, los tomos contaminantes emigran en el cristal. Este movimiento ocurre debido al estado de concentracin de los tomos contaminantes, con los tomos movindose desde la regin de alta concentracin, cercana a la superficie, hacia las regiones de concentracin ms baja. La difusin de los tomos contaminantes surge de la misma manera que la corriente de difusin de los portadores libres. La principal diferencia entre los dos casos es la temperatura necesaria, antes de que ocurra la migracin. Comnmente, los tomos contaminantes deben hacer su camino a travs de la red, encontrando lugares vacantes dejados por el silicio, mientras que los portadores libres en la banda de valencia o de conduccin pueden moverse sin que esto se lleve a efecto. Se requieren temperaturas del orden de los 1000 C para suministrar la energa necesaria para que se presente una difusin apreciable de los tomos contaminantes tpicos.

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Implantacin inica
A veces se utiliza sta tcnica como una alternativa a la difusin, con el fin de introducir tomos contaminantes en regiones seleccionadas de un dispositivo semiconductor. Primero se ioniza el tomo contaminante deseado y, a continuacin, se acelera mediante un campo elctrico, hasta una energa alta (tpicamente, de 20 a 200 keV). Esto hace que los iones de alta energa choquen contra la superficie del conductor y penetren en las regiones expuestas de la oblea. Tpicamente, la penetracin es de menos de una micra hacia debajo de la superficie y, durante una implantacin, se hace un dao considerable al cristal. Como consecuencia, se requiere un tratamiento subsiguiente de recocido, para restaurar la calidad de la red cristalina y asegurar que los tomos contaminantes implantados estn localizados en posiciones de sustitucin en donde actuarn como donadores o aceptores. Si se desea, despus de que se han implantado los iones, pueden redistribuirse a travs de una difusin subsiguiente. Pueden usarse varios materiales, tales como fotorresistencias o metales, para evitar que los iones entren a regiones seleccionadas de la oblea, precisamente como se usa el xido para evitar que las impurezas contaminantes entre a porciones de una oblea, durante un depsito gaseoso. Sin embargo, a diferencia de la difusin, la implantacin de iones permite un control preciso del nmero de tomos contaminantes que entra a la oblea, como iones elctricamente cargados, durante la implantacin, es posible contar las cargas por medio de un aparato relativamente sencillo, y puede darse por terminada la implantacin, cuando se ha puesto la cantidad deseada. Adems del control del nmero total de tomos contaminantes, la implantacin de iones ofrece tambin una pureza ms alta de las especies contaminantes que la que se obtiene con la difusin gaseosa.

Mecanismo de conduccin de un Semiconductor


Cuando a un elemento semiconductor le aplicamos una diferencia de potencial o corriente elctrica, se producen dos flujos contrapuestos: uno producido por el movimiento de electrones libres que saltan a la banda de conduccin y otro por el movimiento de los huecos que quedan en la banda de valencia cuando los electrones saltan a la banda de conduccin. Si analizamos el movimiento que se produce dentro de la estructura cristalina del elemento semiconductor, notaremos que mientras los electrones se mueven en una direccin, los huecos o agujeros se mueven en sentido inverso. Por tanto, el mecanismo de conduccin de un elemento semiconductor consiste en mover cargas negativas (electrones) en un sentido y cargas positivas (huecos o agujeros) en sentido opuesto. Ese mecanismo de movimiento se denomina "conduccin propia del semiconductor", que para las cargas negativas (o de electrones) ser

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Elementos conductores y semiconductores en electrnica. Trabajo Integrador. 3B. 2012. "conduccin N", mientras que para las cargas positivas (de huecos o agujeros), ser "conduccin P".

Diodos
El diodo es un componente electrnico que consiste simplemente en la unin de dos cristales semiconductores extrnsecos, uno tipo N y otro tipo P. Al unirlos, parte del exceso de electrones del tipo N pasa al cristal tipo P, y parte de los huecos del tipo P, pasan al cristal tipo P. Crendose en la unin una franja llamada zona de transicin que tiene un campo elctrico que se comporta como una barrera que se opone al paso de ms electrones desde la zona N hacia la zona P y de huecos desde la zona P a la zona N. Qu pasara si se conecta un diodo a una pila? Pueden ocurrir dos casos: _Polarizacin directa: En este caso se conecta el polo positivo al cristal P y el polo negativo al cristal N. Esto hace que la zona de transicin se haga mucho ms estrecha, rompiendo la barrera y permitiendo libremente el paso de la corriente. En este caso, el diodo conduce. _Polarizacin inversa: En este caso el polo positivo se conecta al cristal N y el polo negativo al cristal P. Esto hace que la zona de transicin se haga mucho ms ancha, reforzando la barrera que impide el paso de la corriente. En este caso el diodo no conduce.

Aplicaciones del diodo


Las aplicaciones del diodo son mltiples. Sin embargo, la aplicacin ms conocida e importante es la que lo emplea como rectificador. Un rectificador es un sistema capaz de convertir una seal de entrada alterna sinodal en otra que

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Elementos conductores y semiconductores en electrnica. Trabajo Integrador. 3B. 2012. tenga el mismo sentido, paso previo para convertir corriente alterna en continua. Antes de rectificar la corriente, se emplea un transformador que reduce el valor de la tensin. Ejemplos: _Rectificador de media onda: Es un rectificador que consta de un solo diodo, el cual slo deja pasar media onda de la seal alterna. As, se elimina la parte negativa de la onda alterna. Esto se debe a que el diodo slo permite el paso de la corriente si est polarizado directamente. Esto es, si la corriente sigue el sentido del nodo (+) al ctodo (-). _Rectificador de onda completa Un Rectificador de onda completa es un circuito empleado para convertir una seal de corriente alterna de entrada (Vi) en corriente continua de salida (Vo) pulsante. A diferencia del rectificador de media onda, en este caso, la parte negativa de la seal se convierte en positiva o bien la parte positiva de la seal se convertir en negativa, segn se necesite una seal positiva o negativa de corriente continua. Otras aplicaciones del diodo son: _Diodo Zener. _Diodo Schottky (o de barrera). _Diodo Tnel (o Esaki). _Diodo Varicap o Varactor. Diodo Zener: Es un tipo de diodo semiconductor diseado para trabajar en polarizacin inversa y con corrientes ms elevadas que las admitidas por los diodos comunes. Esa caracterstica evita que este diodo se destruya cuando alcanza el punto denominado tensin de ruptura, cuestin que ocurrira si se empleara un diodo normal en determinados circuitos. El diodo Zener posee un amplio uso como regulador de tensin o voltaje, ya que permite mantener en todo momento los valores constantes de tensin en los circuitos electrnicos donde se emplea. Diodo Schottky o de barrera: El diodo Schottky en lugar de construirse a partir de dos cristales semiconductores de unin tipo p-n, utiliza un metal como el aluminio (Al) o el platino (Pt) en contacto con un cristal semiconductor de silicio (Si) menos dopado que el empleado en la fabricacin de un diodo normal. Esta unin le proporciona caractersticas de conmutacin muy rpida durante los cambios de estados que ocurren entre la polarizacin directa y la inversa, lo que posibilita que pueda rectificar seales de muy altas frecuencias, as como

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Elementos conductores y semiconductores en electrnica. Trabajo Integrador. 3B. 2012. suprimir valores altos de sobrecorriente en circuitos que trabajan con gran intensidad de corriente. Diodo Tnel o Esaki: El diodo tnel guarda cierto parecido con el Zener, con la diferencia que los cristales de silicio que forman la unin p-n se fabrican ms dopados. Esta caracterstica le otorga propiedades diferentes debido a que la zona de deplexin que normalmente se forma alrededor de la unin o juntura pn es ms reducida, cuestin que lo hace idneo para su uso en aplicaciones de alta velocidad de conmutacin. Se emplean en osciladores de alta frecuencia, en circuitos amplificadores con bajo nivel de ruido que operan a frecuencias por debajo de los mil mega Hertz y como interruptores electrnicos. Diodo Varicap o Varactor: En general todos los diodos poseen cierta capacitancia en el mismo punto de unin p-n. En el caso de los diodos varicap estos permiten que su capacitancia vare a medida que la tensin que se les aplica en polarizacin inversa se incrementa. Esta caracterstica se explota para utilizarlos en sustitucin de los tradicionales condensadores variables del tipo mecnico (formado por chapas metlicas fijas y movibles, o por bobinas o inductancias), para sintonizar las estaciones de radio y los canales de televisin.

Cul es la diferencia existente entre conductor, semiconductor y aislante? Es sencillo, los conductores son todos aquellos que poseen menos de 4 electrones en la capa de valencia, el semiconductor es aquel que posee 4 electrones en la capa de valencia y el aislante es el que posee ms de 4 electrones en la capa de valencia. En un aislante, los electrones se hallan fuertemente ligados a sus tomos. Un aislante es un material que no transporta la corriente elctrica. Las fuerzas elctricas externas no son lo bastante fuertes como para apartar los electrones de sus molculas madre en un material as. En consecuencia, los electrones no se mueven cuando es aplicado un voltaje, y no fluye ninguna corriente. La madera, el plstico, el caucho y el cristal son ejemplos de aislantes.

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Transistores
El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. Al primero se le llama transistor NPN, en tanto que al segundo transistor PNP. Caractersticas de los Transistores: _El consumo de energa es relativamente baja. _El tamao de los transistores es relativamente ms pequea que los tubos de vaco. _El peso. _Una vida larga til (muchas horas de servicio). _Puede permanecer mucho tiempo en deposito (almacenamiento). _No necesita tiempo de calentamiento. _Resistencia mecnica elevada. Los transistores pueden reproducir el fenmeno de la fotosensibilidad (fenmenos sensibles a la luz). Una unin p-n de un transistor tiene polarizacin inversa, ambos potenciales de polarizacin se aplican a un transistor PNP, con el flujo resultante indicado de portadores mayoritarios y minoritarios. Los espesores de las regiones de agotamiento, indican con claridad cul unin tiene polarizacin directa y cul polarizacin inversa. Habr una gran difusin de portadores mayoritarios a travs de la unin p-n con polarizacin directa hacia el material tipo n. Debido a que el material tipo n del centro es muy delgado y tiene baja conductividad, un nmero muy pequeo de estos portadores tomar esta trayectoria de alta resistencia hacia la terminal de la base. La magnitud de la corriente de base casi siempre se encuentra en el orden del micro amperes, comparando con mili amperes para las corrientes del emisor y del colector. La mayor cantidad de estos portadores mayoritarios se difunden a travs de la unin con polarizacin inversa, hacia el material tipo p conectado a la terminal del colector. La razn de esta relativa facilidad con la cual los portadores mayoritarios pueden atravesar la unin con polarizacin inversa se comprender con facilidad si se considera que para el diodo con polarizacin inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecern como portadores con polarizacin inversa, los portadores mayoritarios inyectados aparecern como portadores minoritarios en el material tipo n.

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Configuraciones
Configuracin de Base Comn Para la configuracin de base comn con transistores PNP y NPN, la terminologa de la base comn se deriva del hecho de que la base es comn tanto a la entrada como a la salida de la configuracin. A su vez, por lo regular la base es la terminal ms cercana a, o que se encuentra en, el potencial de tierra. Para el transistor la flecha en el smbolo grfico define la direccin de la corriente del emisor (flujo convencional) a travs del dispositivo. Para describir en su totalidad el comportamiento de un dispositivo de tres terminales, como los amplificadores de base comn se requiere de dos conjuntos de caractersticas, uno para el punto de excitacin o parmetros de entrada y el otro para el lado de la salida. El conjunto de entrada para el amplificador de base comn relacionar la corriente de entrada (IE). El conjunto de caractersticas de la salida o colector tiene tres regiones bsicas de inters: la regin activa, de corte y de saturacin. La regin activa es la que suele utilizarse para los amplificadores lineales (sin distorsin). Debido a las mejoras en las tcnicas de fabricacin, el nivel de ICBO para los transistores de propsito general (en especial los de silicio) en los rangos de potencia baja y mediana, por lo regular es tan bajo que puede ignorarse su efecto. Sin embargo, para las unidades de mayor potencia ICBO, as como para el diodo (ambas corrientes de fuga inversas) son sensibles a la temperatura. A mayores temperaturas, el efecto de ICBO puede convertirse en un factor importante debido a que aumenta muy rpidamente con la temperatura. En la regin de corte, tanto la unin base-colector como la unin emisor-base de un transistor tienen polarizacin inversa.

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Elementos conductores y semiconductores en electrnica. Trabajo Integrador. 3B. 2012. En la regin de saturacin, tanto la unin como el emisor-base estn en polarizacin directa. Configuracin de colector comn La configuracin de colector comn se utiliza sobre todo para propsitos de acoplamiento de impedancia, debido a que tiene una alta impedancia de entrada y una baja impedancia de salida, contrariamente a alas de las configuraciones de base comn y de un emisor comn.

Polarizacin en configuracin del emisor comn


Se lo denomina configuracin de emisor comn debido a que el emisor es comn o hace referencia a las terminales tanto de entrada como de salida (en este caso, es comn tanto a la terminal de base como a la de colector). Una vez ms, se necesitan dos conjuntos de caractersticas para describir por completo el comportamiento de la configuracin de emisor comn: uno para el circuito de entrada o base-emisor y otro para el circuito de salida o colector-emisor. En la regin activa de un amplificador de base comn la unin del colector-base se encuentra polarizada inversamente, mientras que la unin base-emisor se encuentra polarizada directamente. Para propsitos de amplificacin lineal (la menor distorsin), el corte para la configuracin de emisor comn se definir mediante IC = ICEO.

Reguladores De Voltaje
Regulador de transistor con diodo zener. Como los diodos zener presentan una zona de ruptura tpica a una determinada tensin inversa (Vz). Si se utiliza esta propiedad que corresponde a una fuente ideal de voltaje para entregar una tensin constante o estabilizada a una carga que presenta como caracterstica un consumo variable, para su funcionamiento. Tambin este dispositivo debe resguardar las posibles fluctuaciones o variaciones de la tensin ondulatoria residual de entrada. Este circuito es el ms sencillo de los reguladores y es el de alimentacin de potencia regulada, que esta hecho a base de diodo zener. Para este efecto se determina una corriente Mxima (I. Mx.) que mantiene la tensin zener sin destruir el diodo, con la cual se puede calcular la potencia mxima. Tambin se determina una corriente Mnima (I. Mn.) para mantener la tensin zener.

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Elementos conductores y semiconductores en electrnica. Trabajo Integrador. 3B. 2012. Una fuente de tensin estabilizadora puede ser afectada por la demanda de corriente o por la variacin de la tensin de entrada, las que afectan la fuente de forma extrema de dos formas: 1. La fuente deja de regular. 2. Queman el diodo zener. Esto nos permite determinar el valor de Rs, (resistencia que asume las variaciones de tensin de entrada), de manera tal que cumpla con el criterio de: 1. Mantener la regulacin de tensin en el peor de los casos. 2. Especificar requisitos que debe cumplir el diodo zener. Por tanto la condicin que debe cumplir el circuito para que exista regulacin en las condiciones ms crticas es que permita pasar una corriente total IT tal que mantenga el diodo zener regulando. Por otra parte, la condicin que debe cumplir el circuito para que el diodo zener no se queme cuando se tienen las condiciones crticas que afectan a este, es que la corriente total IT sea menor o igual a la corriente mxima que soporta el diodo (Iz. Mx.).

Principio de funcionamiento:
_Una fraccin de la tensin de salida % Vo, es comparada con la tensin de referencia Vr. si la tensin de muestra Vm es igual a la tensin de referencia Vr la etapa de Control no acta. _Si la tensin de muestra Vm es menor que la tensin de referencia Vr, el elemento de control debe reducir su cada de tensin en sus extremos. _Si la tensin de muestra Vm es mayor que la tensin de referencia Vr, la cada de tensin en el elemento de control ha de aumentar. _El circuito de control, generalmente es un transistor con colector comn o emisor comn. _El circuito de referencia de tensin requiere de una fuente constante actuando como tensin de referencia, que para este caso es un diodo zener. _El amplificador , es un bloque que tambin lo realiza el mismo transistor y amplifica lo que se conoce como tensin de error , donde dicha tensin controla la base del transistor y lo hace conducir ms o menos . _Para este caso el transistor de control, asume las variaciones de tensin que se pueden provocar por la tensin de lnea o por el consumo de corriente de la carga. _La regulacin lograda por este circuito es pobre y se puede incrementar aumentando la ganancia del amplificador de error o realimentando el circuito.

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Circuitos Amplificadores
Redes de acoplamiento Cuando un sistema est compuesto por ms de una etapa de transistores, es necesario conectar, o acoplar, los transistores entre s. Existen muchas formas comunes de lograr esta interpretacin entre amplificadores. En las siguientes secciones se analizan los acoplamientos directo, capacitivo, por transformador y ptico.

Acoplamiento directo Dos amplificadores estn acoplados si este es directamente a la salida del primer amplificador que se conecta en forma directa a la entrada del segundo sin utilizar capacitores. La salida en ca de la primera etapa est superpuesta con el nivel de cd esttico de la segunda etapa. El nivel de cd de la salida de la etapa anterior se suma al nivel de cd de polarizacin de la segunda etapa. Para compensar los cambios en los niveles de polarizacin, en amplificador utiliza diferentes valores de fuentes de tensin de cd en lugar de una fuente de Vcc sencilla. El acoplamiento directo se puede utilizar de manera efectiva al acoplar en amplificador EC a uno ES. El amplificador acoplado directamente tiene una buena respuesta en frecuencias pues no existen elementos de almacenamiento en serie (es decir, sensibles a la frecuencia) que afecten la seal de salida en baja frecuencia. Acoplamiento capacitivo Constituye la forma ms simple y efectiva de desacoplar los efectos del nivel de cd de la primera etapa amplificador, de aquellos de la segunda etapa. En capacitor separa el componente de cd de la seal de ca. Por tanto, la etapa anterior no afecta la polarizacin de la siguiente. Para asegurar que la seal no cambie de manera significativa por la adicin de un capacitor, es necesario que est se comporte como cortocircuito para todas las frecuencias a amplificar.

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Elementos conductores y semiconductores en electrnica. Trabajo Integrador. 3B. 2012. Acoplamiento por transformador Se puede utilizar un transformador para acoplar dos etapas del amplificador. Este tipo de acoplamiento se utiliza a menudo cuando se amplifican seales de alta frecuencia. Las transformaciones son ms costosas que los capacitores, aunque sus ventajas pueden justificar el costo adicional. A travs de una eleccin adecuada de la razn de vueltas, se puede utilizar un transformador para aumentar ya sea la ganancia de tensin o bien la de corriente fondo. Por ejemplo, encina etapa de salida del amplificador vez potencia, en transformador se utiliza para aumentar la ganancia de corriente. Existen otros beneficios asociados con el uso de un transformador. Por ejemplo, el transformador se puede sintonizar para resonar de manera que se convierta en un filtro pasabanda (filtro que pasa las frecuencias deseadas y atena las frecuencias que quedan fuera de la banda requerida). Acoplamiento ptico Muchas aplicaciones requieren el acoplamiento ptico de circuitos electrnicos. Estas aplicaciones se pueden clasificar como sigue: - dispositivos sensibles a la luz y emisores de luz. - detectores y emisores discretos para sistemas de fibra ptica. - mdulos interruptor / reflector que detectan objetos que modifican la trayectoria de la luz. - aisladores / acopladores que transmiten seales elctricas sin conexiones elctricas.

Capacitores y condensadores
La propiedad fundamental de un capacitor o condensador es almacenar energa elctrica de forma prcticamente instantnea, para descargarla de la misma forma. La estructura ms simple de un capacitor se compone de dos placas metlicas denominadas armaduras, enfrentadas una con la otra sin llegar a tocarse. Entre esas dos placas existe un material aislante, denominado dielctrico, que puede ser aire, mica, cermica, papel, o cualquier otro material apropiado que cumpla con esa funcin. Adems, cada placa tiene acoplada su correspondiente alambre terminal conductor de la corriente para poderla conectar al circuito elctrico o electrnico. Para cargar de energa elctrica un capacitor es necesario conectar los dos extremos de alambre conductor a una fuente de fuerza electromotriz (F.E.M.) externa como, por ejemplo, una batera. As la placa conectada al polo positivo (+) de la batera se carga positivamente, mientras que la conectada al polo negativo () se carga negativamente.

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Conclusin:
La conclusin que hemos sacado de este informe es que, no todos los elementos son conductores. Hay elementos semiconductores y otros que funcionan como aislantes. Descubrimos las propiedades y clasificaciones de cada uno de estos, que son los transistores, los capacitores y condensadores y los diodos y como actan en la corriente elctrica. Por ultimo, aprendimos que un cuerpo es conductor elctrico cuando se lo pone en contacto con otro cuerpo cargado de electricidad y este transmite a todos los puntos de su superficie. Adems, que un elemento semiconductor es una sustancia que se comporta como conductor o como aislante dependiendo del campo elctrico en el que se encuentre, capaz de conducir la electricidad mejor que un aislante, pero peor que un metal. Y por ultimo que se denomina aislante elctrico al material con escasa conductividad elctrica. El comportamiento de los aislantes se debe a la barrera de potencial que se establece entre las bandas de valencia y conduccin que dificulta la existencia de electrones libres capaces de conducir la electricidad a travs del material.

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Bibliografa:
Paginas Web:
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Libros:
Magnetti, Ren Csar (Abril, 2009). Fisicoqumica 2. Partido de Merlo- Provincia de Buenos Aires, Argentina. Ediciones Personales. Bosak, Alejandro; Taddei Federico (Enero, 2012) Fsico-Qumica 3es. San Isidro, Buenos Aires, Argentina. Estrada. Biosac, Anna; Gallo Ana; Gamero Silvia; Monner Jordi; Muoz Antonio; Grau Anna Mara (Febrero, 2003) Enciclopedia escolar. Barcelona, Espaa. Ocano.

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ndice
Introduccion_____________________________________________________ 1 Corriente elctrica________________________________________________ 2 Tipos de corriente elctrica_______________________________________ 3,4 Elementos Conductores y Tipos y Caractersticas_____________________ 5,6 Tipos de materiales conductores de la corriente_____________________ 7,8,9 Elementos Aislantes_______________________________________________ 9 Tipos y caractersticas____________________________________________ 10 Elementos Semiconductores_______________________________________ 11 Semiconductores Intrnsecos_______________________________________ 12 Semiconductores Extrnsecos______________________________________ 13 Fabricacin de semiconductores y Tcnicas de fabricacin_______________ 14 El efecto Hall y Nivel de Fermi_____________________________________ 15 Tecnologa de los semiconductores__________________________________ 16 Implantacin inica y Mecanismo de conduccin de un Semiconductor_____ 17 Diodos y Aplicaciones del diodo______________________________ 18,19,20 Transistores________________________________________________ 21,22 Polarizacin de la configuracin del emisor comn y Reguladores De Voltaje______________________________________________________23,24 Circuitos Amplificadores__________________________________________ 25 Capacitores y condensadores______________________________________ 26

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