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JFET- MOS

Le Transistor JFET et MOS

A. Oumnad

JFET- MOS

I-4 Transistor effet de champs jonction

Vgs

G Substrat P
zone dpeuple

S Canal n
zone dpeuple

Substrat P

Vds fig. 1.4 JFET

augmente plus le canal sera 'trangl'. Pour VDS=0, quelque soit la valeur de VGS, on aura toujours VGS=VGD, donc la zone de dpltion aura la mme largeur tout le long du canal. Pour VDS > 0, la tension inverse de la jonction est VGS du cot source et VGD=-VDS+VGS du cot du drain soit |VGD|=|VDS|+|VGS|, donc la zone de dpltion sera plus large de ce cot et de ce fait le canal sera plus troit. Regardons ce qui se passe si on prend VGS=0 (grille et source court-circuites) et on fait augmenter VDS progressivement. On observe (voir figure 1.7) que pourles valeurs faibles de VDS, un courant ID proportionnel VDS circule dans le canal qui se comporte donc comme une rsistance RDS. Au fure et mesure que VDS augmente, le canal s'trangle du cot du drain car VDS=VDG, il arrive un moment o la largeur du canal devient tellement etroite qu'il se produit un fainomaine de saturation ( *) du courant ID, qui n'augmente quasiment plus mme si on continue d'augmenter VDS. La tension VDS qui provoque ce fenomne est dite tension de pincement Vp .Le courant ID correspondant est not IDSS et la rsistance du canal avant pincement est note RDSon. Si on refait la mme chose mais cette fois ci avec une tension VGS non nulle, au dbut, pour VDS=0, on a VGD=VGS, ce qui donne une zone de dpletion rgulire le long de tout le canal qui, ainsi, voit sa largeur rduite. Ds que VDS commence augmenter, ID augmente proportionnellement mais avec, cette fois, une pente plus faible car la rsistance du canal est plus leve. Au fure et mesure que VDS augmente, le canal s'trangle du cot du drain car VDG=VDS+|VGS| . Au moment o VDG=Vp, le canal est pinc et il y a saturation du courant ID. Remarquons que le pincement se fait pour une valeur de V'p de VDS infrieure Vp. V'p = Vp - |VGS| = Vp + VGS

Le schma de principe d'un transistor effet de champ canal n est donn par la figure 1. Il comprend deux parties fondamentales, un canal de silicium type n dont les extrmits sont dites Drain et Source et deux zones de type p formant la grille. Dans son utilisation la plus courante, le drain sera port un potentiel positif par rapport la source, alors la grille (pour un canal n) sera porte un potentiel ngatif ou nul par rapport a la source ce qui polarisera en inverse les jonctions PN (Grille-Canal) produisant ainsi 2 zones de charge d'espace (zone de dpltion ou zones dpeuple) autour des jonctions. Ces zones ne contiennent pas de porteur, donc elles sont isolantes et leur profondeur augmente avec |VGS| et auusi mais d'une faon asymtrique avec VDS puisque VDS=VDG+VGS Plus cette profondeur

* Des tudes ont montr que cela est du une saturation de la vitesse des lectrons dans la zone trangle

JFET- MOS

ID

ID

V'p=Vp+Vgs

1 Rdson

Vds=Vp

Idss

Vgs=0 -0.4 -0.8 -1.2 -1.6 -2 -2.4 Vds Vp

Vgsoff

Vgs

Fig. 1.6 Courbes caractristiques d'un JFET

Si maintenant on applique une tension VGS=-Vp, mme pour VDS nulle, le canal est pinc sur toute sa longueur. Il ne peut y avoir de courant ID mme si on fait augmenter VDS, on dit que le FET est bloqu. Pour viter toute confusion ( ) on notera VGSoff la valeur de VGS qui bloque le transistor et Vp la valeur de de VDS qui provoque la saturation de courant ID pour VGS=0. Si on observe le rseau de caractristiques ID=f(VDS)Vgs=Cte, on s'aperoit qu'on peut distinguer deux modes de fonctionnement du FET :

Pour VDS < V'p, le FET se comporte comme une rsistance, d'o l'appelation Zone rsistive ou Zone Ohmique de cette rgion.

ID =

VDS R DS

avec

R DS =

R DSON 1 + VGS Vp

Pour VDS > V'p, Le courant ID ne dpent quasiment pas de VDS. Cette rgion est dite Zone de saturation.

V I D = I DSS 1 GS V GSOFF

I-5.3 Paramtres dynamiques d'un JFET Si on s'intresse aux variations de courant et de tension autour d'un point de fonctionnement donn, on peut reprsenter le FET par les paramtres dynamiques gm et selon la relation :

Id = gm.vgs + 1/. vds


gm = Id/Vgs Vds=Cte est la transconductance ou la pente du FET 1/ = Id/vgs Vgs=Cte est la conductance de sortie du FET. On pose aussi =Vds/Vgs Id=Cte c'est le coefficient d'amplification. On a = . gm En drivant l'expression de Id par rapport Vgs on obtient

gm =

2I DSS V V 1 GS = g mo 1 GS VGSOFF VGSOFF VGSOFF

Bien que tout le monde soit peut prs d'accord que Vgsoff= -Vp, certains auteurs donnent des valeurs diffrentes comme |Vgsoff| = Vp + 0.9

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Vds Vgs

0 G p S n D S n

1 G p D S

2 G

3 G

4 G

p G

p G G G G

S -1

-2

-3

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I-5.3.1 Schma quivalent Il est reprsent sur la fig. 4, il traduit schmatiquement la relation gnrale :
Vgs

gm.vgs r S Vs

Id = gm vgs + 1/ vds

I-5.4 Polarisation d'un JFET

fig 1.9 Schma quivalent en dynamique d'un JFET

Le fait de se donner un point de fonctionnement Qo(VDSo,IDo) dtermine parfaitement la valeur VGS0 de VGS qui peut tre dtermine soit partir de l'quation cidessous soit graphiquement partir de la droite de charge VDD=RDID+VDS+RSID qui est aussi bien dfinie puisqu'elle passe par le point Qo et coupe l'axe VDS au point Vdd.

Id

VDD RD+RS
= VGS0 0

I Do VGSo = VGSoff 1 I DSS


La somme RD+RS peut tre determine soit partir de la loi d'Ohm dans la maille de sortie ce qui donne

ID0

Qo

VGS0

R D + RS =

VDD VDSo I Do

VDS0

VDD

VDS

soit graphiquement puisque la droite de charge coupe l'axe ID au point VDD/(RD+RS).

Fig. 1.10 Point de fonctionnement

VGS = VG-VS Or VG est fix par la tension de polarisation de la grille. (en gneral VG=0, exemple : cas de la polarisation automatique, figure si-contre) . Peu importe la valeur de VG du moment qu'elle soit connue. Cela nous permet de connaitre la tension sur la sourse.

Vdd Rd G D S

VSo = VGSo-VG VSo = RS IDo Cela nous donne RS puis RD


.

Rg

Rs

Fig. 1.11 Polarisation automatique

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I-5 Transistor MOS (Mtal Oxyde semi-conducteur)


Le fonctionnement de ce genre de transistor est un peut similaire celui du JFET par le fait qu'ici aussi on va moduler le courant ID par la modulation de la largeur d'un canal conducteur. Ici, on ne se servira pas d'une jonction PN pour y arriver. La grille mtallique est isole du canal par une fine couche d'oxyde de silicium fortement isolant. Il existe deux types de transistors, MOS dpltion et MOS enrichissement. I-5.1 MOS enrichissement

Canal n
D G B S G

Canal P
D B S

D
metal isolant

D
metal isolant

n p B

n B

Id

Id

Vgb Vth Vth Vgb-Vth

Vgb

ID

Vgb-Vth

ID

Vgb Vgb <= Vth Vds

|Vgb|

Vgb >= Vth Vds

Fig. 1.7 MOS enrichissement


En l'absence de potentiel sur la grille un tel transistor ne comporte pas de canal de conduction donc ID=0, on dit que transistor est normalement bloqu. Les zones constituant le

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drain est la source forment avec le substrat deux jonction PN et selon la polarit de VDS, il y aura toujours une jonction polarise en inverse. Si on applique une tension VGB sur la grille par rapport au substrat, en vertu des lois de l'lectrostatique, une charge gale et oppos celle de la grille apparatra en face de la grille sur l'autre 'lectrode' qui n'est rien d'autre que la partie du substrat qui est juste en face de la grille. La premire quantit des porteurs constituant cette charge vont servir compenser la charge inhrente au type du semi-conducteur constituant le substrat. Lorsque toutes les charges sont compenses, des porteurs minoritaires sont cumuls et il y a cration d'un canal, on dit qu'il y a inversion de canal. Un courant ID apparat alors si une tension VDS non nulle est applique. La tension VGB partir de laquelle il y a inversion du canal est dite tension de seuil VTH, Cette tension dpend des caractristiques gomtriques et physique du transistor et de la diffrence de potentiel entre la source est le substrat :

Vth ( VSB ) Vth ( 0) + 0. 5 VSB


Pour les valeur faibles de VDS, le canal se comporte comme une rsistance :

R DS =

1 2 k ( VGS Vth )

avec k =

W L

W est la largeur du canal, L sa longueur et une caractristique de la technologie. Pour les technologies actuelles, elle est de l'ordre de 2.5 3.5 A/V2. D'une faon similaire au JFET, le fait d'augmenter VDS, provoque la diminution de la largeur du canal du cot drain et il arrive un moment (|VDS| = |VGS-VTH|) o il y a pincement du canal donc saturation du courant ID., qui partir de cet instant dpend peu de VDS. Pour un canal P, la tension VDS doit tre ngative, sinon il n'y a pas de saturation de ID. Avant saturation : Aprs saturation :

I D 2 k ( VGS Vth ) VDS k ( VDS ) 2 I D k ( VGS Vth ) 2

I-5.2 MOS dpltion Pour ce type de transistor, il existe un canal de conduction pour VGB=0, transistor normalement ON. Le fait de polariser la grille par rapport au substrat va selon la polarit de VGB, soit chasser les porteurs du canal; appauvrissement, soit les attirer; enrichissement. L aussi, la tension VDS doit tre ngative pour un canal P, sinon la zone de saturation de ID n'est jamais atteinte.

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Canal n
D G B S G

Canal P
D B S

D
metal isolant

D
metal isolant

p B
Id

n B
Id

Vgb Vth Vth

Vgb

ID

Vgb-Vth

Vgb-Vth

ID

Vgb< 0 Vgb>0 Vgb=0 Vgb<0 Vds Vds Vgb=0 Vgb> 0

Fig. 1.8 MOS dpltion