LOS TRANSISTORES MOSFET

Los lectores que siguen el curso de fuentes conmutadas pueden observar que muchos circuitos comerciales incluyen transistores de efecto de campo de compuerta aislada y muchos desconocen la diferencia entre stos y los transistores bipolares. En esta nota describiremos bsicamente a los dos modelos clsicos dando sus smbolos y curvas caractersticas. EL TRANSISTOR MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO Existen cuatro tipos principales de transistores MOSFET. Didcticamente conviene analizar primero el ms comn de todos que es el de canal N de empobrecimiento (o de deplexin), prcticamente el nico usado en fuentes de alimentacin y luego se har una referencia a los otros tipos en futuras entregas. El FET de semiconductoroxidometal, o MOSFET posee cuatro electrodos llamados fuente compuerta drenaje y sustrato. A diferencia del JFET, FET de juntura o simplemente FET o transistor de efecto de campo, la compuerta est aislada galvnicamente del canal. Por esta causa, la corriente de compuerta es extremadamente pequea, tanto cuando la tensin de compuerta es positiva como cuando es negativa. La idea bsica se puede observar en la figura 1, en donde se muestra un corte de un MOSFET de empobrecimiento de canal N. Se compone de un material N (silicio con impurezas dadoras) con una zona tipo P a la derecha y una compuerta aislada a la izquierda. A similitud de una vlvula electrnica, en donde los electrones libres circulan desde el ctodo a la placa, en un MOSFET circulan desde el terminal de fuente al de drenaje, es decir desde abajo hacia arriba en el dibujo. En la vlvula lo hacen por el vaco y en el MOSFET por el silicio tipo N. La zona P se llama sustrato (algunos autores la llaman cuerpo) y opera como si fuera una pared que presenta una dificultad a la circulacin electrnica. Los electrones deben pasar por un estrecho canal entre la compuerta y el sustrato. La idea es que el silicio tipo N es un buen conductor, pero en la zona del sustrato se agregan impurezas tipo P que cancelan esa conductividad haciendo que esa zona sea aisladora. Sobre el canal se agrega una delgada capa de dixido de silicio (vulgarmente vidrio) que opera como aislante. Sobre esta finsima capa de vidrio se realiza una metalizacin que opera como compuerta. Dado que la compuerta es aislada, se puede colocar en ella un potencial tanto negativo como positivo, tal como se puede observar en la figura 2: FIGURA 1

FIGURA 2

FIGURA 3

FIGURA 4 a) Tensin de puerta negativa b) Tensin de puerta positiva

En la parte (a) se muestra un MOSFET de empobrecimiento con una tensin de compuerta negativa. La alimentacin VDD, obliga a los electrones libres a circular desde la fuente hacia el drenaje. Estos circulan por el canal estrecho a la izquierda del sustrato P. La tensin de compuerta controla el ancho del canal. Cuanto ms negativa sea la tensin de compuerta, menor ser la corriente que circula por el MOSFET debido a que el campo elctrico empuja a los electrones contra el sustrato. Inclusive una tensin suficientemente negativa podr, eventualmente, cortar la circulacin de corriente. Cuando se pone tensin positiva en la compuerta, el canal N tiene toda su capacidad libre y el MOSFET se comporta como una llave cerrada. En las curvas de la figura 3 se puede observar el paralelismo extremo entre una vlvula y un MOSFET. En a se puede observar la familia de curvas para diferentes tensiones de compuerta. Observe que la corriente de drenaje se mantiene prcticamente constante independientemente de la tensin de drenaje-fuente, salvo en la zona inicial que se llama zona hmica y que no es utilizada cuando el transistor funciona como llave. La familia de curvas se suele dividir en dos secciones. Las que estn por debajo de cero y hasta VGSoff se llama seccin de empobrecimiento y las que estn por encima seccin de enriquecimiento. Esto significa que el canal no slo se puede angostar; en efecto, si se

colocan tensiones positivas en la compuerta las lagunas del sustrato son repelidas y el canal se ensancha. En b se puede observar la curva de transferencia de un MOSFET de empobrecimiento en donde Idss es la corriente de drenaje con la puerta en cortocircuito. Como la curva se extiende hacia la derecha, sta no es la mxima corriente de drenaje. En efecto, tensiones positivas de compuerta generan una corriente de drenaje mayor. El smbolo elctrico de un MOSFET de canal N de empobrecimiento puede observarse en la figura 4 al lado de su dibujo en corte. La compuerta se representa como una lnea vertical con una salida hacia la izquierda. A su derecha se dibuja el canal como otra lnea vertical fina, con una salida superior que es el drenaje y otra inferior que es la fuente. La flecha, en el sustrato P, apunta hacia adentro en el MOSFET de canal N de estrechamiento como indicando que el canal es estrecho.

CONCLUSIONES En esta entrega nos introdujimos en el mundo de los transistores MOSFET, presentando a aquel que ms se utiliza en la fuentes de alimentacin modernas: el MOSFET de empobrecimiento de canal N. En efecto, ste es el ms adecuado para realizar llaves digitales y salvo cuando se necesiten MOSFET complementarios, los otros no tienen aplicacin prctica. Si Ud. Desea ms informacin sobre este tema, la puede tomar sin cargo de nuestra web, con la clave mosfet.

Autor: Ing. Alberto H. Picerno