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Cours d’Electronique Analogique

ENSPS - 1ière année. Année universitaire : 2003/2004

Thomas Heiser
Laboratoire PHASE-CNRS
(Physique et Applications des Semiconducteurs)
Campus Cronenbourg
tel: 03 88 10 62 33
mail: heiser@phase.c-strasbourg.fr

http://www-phase.c-strasbourg.fr/~heiser/EA2004/

1

Contenu du cours
1. Quelques rappels utiles

2. Les Diodes

3. Applications des diodes

4. Le Transistor bipolaire

5. Les Transistors à effet de champ

6. Rétroaction et amplificateur opérationnel

Bibliographie
☛ Traité de l ’électronique analogique et numérique (Vol.1), Paul Horowitz & Winfield Hill, Elektor,1996
☛ Principes d’électronique, Alberto P. Malvino, McGraw-Hill, 1991
☛ Electronique: composants et systèmes d'application, Thomas L. Floyd, Dunod, 2000
☛Microélectronique, Jacob Millman, Arvin Grabel, Ediscience International, 1994
2

1. Les bases
I
1.1 Composants linéaires et loi d’Ohm … :

I
• Résistance électrique = composant linéaire :
V V R
V=RI loi d’Ohm

✎ Le ”modèle linéaire” ne décrit le comportement réel du composant que dans un “domaine de
fonctionnement (linéaire)” fini.

• Généralisation aux circuits en “régime harmonique” (variation sinusoïdale des tensions et courants) :

V (ω ) = Z (ω )⋅ I (ω )

C L
composant linéaire :
“impédance” : Z (ω ) =
1 Z (ω ) = jLω
jCω

3

2 Source de tension. source de courant : 1.1.2.1 Sources idéales : I I source de courant Io Io V charge idéale : V → le courant fourni par la source est indépendant de la charge I source de V Vo tension idéale : Vo V charge I → la tension aux bornes de la source est indépendante de la charge 4 .

5 . 1.2 Sources réelles : domaine de fonctionnement linéaire ou “domaine de linéarité” I source de courant Io ↔ schéma réelle : équivalent V → Le domaine de linéarité défini la “plage de fonctionnement” du composant en tant que source de courant Schéma équivalent: hyp : V∈domaine de linéarité I V → I = Io − Ri Io Ri V charge ⇒ I ≅ cst = I o V  tant que I >> courant dans la résistance interne   Ri = “résistance interne”  Ri  (Gi = 1/Ri = conductance interne) source de “courant”↔ Ri >> V/I = Ze = “impédance d’entrée” de la charge.2.

domaine de linéarité source de tension I réelle : V Vo ↔ schéma Vo V charge équivalent I Schéma équivalent: hyp : V∈domaine de linéarité I → V = Vo − Ri I Ri Vo V charge ⇒ V ≅ cst = Vo tant que la chute de potentiel aux bornes de Ri est faible devant V (Ri I << V ) source de “tension” ↔ Ri << Ze 6 .

7 ..Transformation de schéma : “vu” de en fait. Ri la avec charge V Vo ≡ Io I o = o = “courant de court-circuit” Ri (charge remplacée par un Ri court-circuit) [Vo = tension en “circuit ouvert” du dipôle] V Vo V puisque I = Io − = − → V = Vo − Ri I Ri Ri Ri ➨ selon la valeur de Ze/Ri on parle de source de tension (Ze>>Ri) ou source de courant (Ze<<Ri) Sources liées Lorsque la tension (ou le courant) délivrée par une source dépend de la tension aux bornes d’un des composants du circuit ou du courant le parcourant. Vous verrez des exemples de sources liées dans le cas des transistors.. la source est dite “liée”.

1.3 Théorème de Thévenin : ☛ Tout circuit à deux bornes (ou dipôle) linéaire.circuit ) ou Rth = R AB en absence des tensions et courants fournies par les sources non-liées. et des sources de courant non-liées par un circuit ouvert (Io=0)] 8 . constitué de résistances. A I Rth I A V ≡ Vth V = “générateur de Thévenin” B B ! Calcul de Vth: Vth = V (circuit ouvert ) ! Vth V (circuit ouvert ) Calcul de Rth: Rth = = I (court .circuit ) I (court . [remplacement des sources de tension non-liées par un fil (Vo=0). de sources de tension et de sources de courant est équivalent à une résistance unique RTh en série avec une source de tension idéale Vth.

Mesure de Rth : ■ Au multimètre : exceptionnel… puisqu’il faut remplacer toutes sources non-liées par des court- circuits ou des circuits ouverts tout en s’assurant que le domaine de linéarité s’étend jusqu’à V=0V. ☛ “Générateur de Norton” = source de courant équivalente au générateur de Thévenin ☛ Rth= “impédance de sortie” du montage. ■ A partir de la mesure de V(I) : V Vth pente = . 9 .Rth Vth mesures 2 générateur équivalent de Thévenin I V ! = Rcharge = Rth ↔ méthode de “division moitié” I V =Vth 2 ☛ En régime harmonique le théorème de Thévenin se généralise aux impédances complexes.

Les Diodes 2. cf cours Capteurs 1A et Option: Physique des dispositifs électrique 2A) 10 .2. conducteur parfait) Vd sous polarisation “inverse” (Vd<0) la diode = circuit ouvert ☛ Ce type de composant est utile pour réaliser des fonctions électroniques telles que le redressement d’une tension. ☛La diode (même idéale) est un composant non-linéaire ☛ Aujourd’hui la majorité des diodes sont faites à partir de matériaux semiconducteurs (jonction PN ou diode Schottky. la mise en forme des signaux (écrêtage. la diode = court-circuit (i. Vd tension d’une diode idéale : sous polarisation “directe” (Vd≥0).1 Définition Id Id ■ Caractéristique courant.e. …).

2.5 Vo1 Vd ■ Pour Vd <0.1µA . le courant augmente rapidement avec une variation à peu près linéaire ➥ la diode est dite “passante” ➥ mais Id n’est pas proportionnel à Vd (il existe une “tension seuil”~ Vo) 11 . augmente avec la température ■ Pour Vd >> ~0.5 -1 -0.5 0 0.2 Caractéristiques d’une diode réelle à base de Silicium hyp: régime statique (tension et courant Id indépendants du 140 temps) comportement linéaire 100 60 20 Is -2 -1. Is . la diode se comporte comme un bon isolant : Is ~ 1 pA . ➥ la diode est dite “bloquée” ➥ dans ce domaine son comportement est approximativement linéaire ➥ le courant “inverse”.7.

5 -1 -0.5 0 0. Id 140 100 60 20 -2 -1.5 Vo1 Vd ■ Zone « du coude » : Vd ∈[0. T la température en °Kelvin Is = courant inverse ➥ le comportement est fortement non-linéaire ➥ forte variation avec la température ☛ VT (300K) = 26 mV 12 .38 10-23 J/K= constante de Boltzmann e= 1.~ Vo] : augmentation exponentielle du courant   ηV   avec 1≤η≤ 2 (facteur “d’idéalité”) I d ≅ I s exp d  − 1   VT   VT = k • T/e k = 1.6 10-19Coulomb.

Limites de fonctionnement : ■ Zone de claquage inverse Id Ordre de grandeur : VdId=Pmax Vmax = quelques dizaines de Volts Vmax Vo Vd ✎ peut conduire à la destruction pour une diode non conçue pour fonctionner dans cette zone. V » (Peak Inverse Voltage) ou claquage par effet « P.R. ✎ Vmax = « P.I.V » (Peak Reverse Voltage) Zener ou Avalanche ■ Limitation en puissance Il faut que VdId=Pmax ■ Influence de T : diode bloquée : Id = IS double tous les 10°C (diode en Si) diode passante : Vd (à Id constant) diminue de ~2mV/°C 13 .

(Id.1 Point de fonctionnement ■ Comment déterminer la tension aux bornes d’une diode insérée dans un circuit et le courant qui la traverse? Id Val Vd Id .3 Diode dans un circuit et droite de charge 2.2.Vd) remplissent ces deux conditions 14 . Vd. ? RL VR ➪ Id et Vd respectent les Lois de Kirchhoff ➪ Id et Vd sont sur la caractéristique I(V) du composant ➪ Au point de fonctionnement de la diode.3.

2 Droite de charge Val − Vd ■ Loi de Kirchoff : L → I d = = Droite de charge de la diode dans le circuit RL Caractéristique I(V) Id Val/RL Q IQ Q= Point de fonctionnement « Droite de charge » Vd VQ Val ➪ Connaissant Id(Vd) on peut déterminer graphiquement le point de fonctionnement ☛ procédure valable quelque soit la caractéristique I(V) du composant ! ➪ On peut “calculer” le point de fonctionnement en décrivant la diode par un modèle simplifié.2. 15 .3.

4. Vd = Val 16 .1.4 Modéles Statiques à segments linéaires ↔ hyp: Id.2. Vd constants 2. Vd = 0 Ri Val Id Ri diode “bloquée” Val< 0 Vd Val ⇔ Vd < 0 Val I d = 0. “Première” approximation: Diode « idéale » ↔ On néglige l’écart entre les caractéristiques réelle et idéale Id ● pas de tension seuil Id ● conducteur parfait sous polarisation directe Vd Vd ● Vd <0: circuit ouvert ■ Schémas équivalents : Ri Id pente=1/Ri diode “passante” Val ⇔ Id ≥ 0 Val >0 Vd V Ri Val I d = al .

2 Seconde approximation ● tension seuil Vo non nulle Id Id ● caractéristique directe verticale Vd (pas de “résistance série”) ● Vd <0: circuit ouvert Vd Vo ☛ Pour une diode en Si: Vo ≈ 0. Vd = Vo Ri Val Id Ri diode “bloquée” Val ⇔ Vd < Vo Val<Vo Vd Val I d = 0.6-0. Vd = Val 17 .4.2.7 V schémas équivalents : ■ Schémas équivalents Ri Id diode “passante” pente=1/Ri V ⇔ Id ≥ 0 Val o Val >Vo Vd V − Vo Ri Vo Val I d = al .

3 3ième Approximation Caractéristique réelle pente = 1/Rf ● tension seuil Vo non nulle Id ● résistance directe Rf non nulle Vd ● Vd <0: résistance Rr finie pente = 1/Rr~0 Modélisation ☛ Pour une diode en silicium. Vd Vo = 0.5 1 1 q. Rr >> MΩ.7V.q.4.5 0 0. Vo ■ Schémas équivalents schémas équivalents : Id Val >Vo : pente=1/Ri Ri Vo diode passante Vd Val Vd Id ⇔ I d ≥ 0 et Vd ≥ Vo Vo Val Rf → Vd = Vo + R f I d Id Ri Val <Vo : Vd diode bloquée Val ⇔ Vd < Vo Val Rr 18 .6-0.5 -1 -0. 10Ω. Rf ~ -2 -1.2.

■ Les effets secondaires (influence de la température.) sont pris en compte par des modèles plus évolués (modèles utilisés dans les simulateurs de circuit de type SPICE). …. 19 .Remarques : V ■ Rf ≠ d Id ■ Le choix du modèle dépend de la précision requise. non-linéarité de la caractéristique inverse.

. Démarche (pour débutant.4 Calcul du point de fonctionnement via l’utilisation des schémas équivalents : Problème: le schéma dépend de l’état (passante ou bloquée) de la diode.4. Démarche pour étudiants confirmés.. Un coup d’œil attentif suffit pour trouver l’état (passant/bloqué) de la diode ! Le calcul de Q se fait tout de suite avec le bon schéma équivalent.2.. il y a eu erreur sur l’état supposé de la diode.): a) choisir un schéma (ou état) en vous aidant de la droite de charge b) trouver le point de fonctionnement Q de la diode c) vérifier la cohérence du résultat avec l’hypothèse de départ S’il y a contradiction... Recommencer le calcul avec l’autre schéma. 20 ..

66V Rf = 15Ω Rr =1MΩ En partant de l’hypothèse d’une diode bloquée: → Vd ≈ 5V > Vo K En utilisant la 2ième approximation: (Rf = 0. (Id>0)] > Val = 5V RL= Vd OK! 1kΩ Vo Rf V − Vo Id L → I d = al = 4. Exemple : Calcul de Q du circuit suivant.6V ➨ La 2ième approx. hypothèse initiale : diode passante [↔Vd >Vo . Rr = ∞) L → I d = 4. en utilisant la 3ième approximation pour la diode.4mA et Vd = 0.6V (↔ Si) 5V 1kΩ et Vd = Vo + R f I d = 0.33mA Informations sur la diode: > R f + RL Vo = 0. est souvent suffisante pour une étude rapide du fonctionnemnt d’un circuit 21 .

Autres exemples : Caractéristiques des diodes : 1) Rf = 30Ω. Is=0 et RR infinie 50Ω Calcul de Id et Vd pour : Val 1MΩ a)Val = -5V b) Val = 5V Conseil: simplifier le circuit d’abord avant de vous lancer dans des calculs 2) R1 = 1kΩ Etude du signal de sortie en fonction de l’amplitude du signal d’entrée : • à fréquence nulle : ventrée = Ve (constant) ventrée vsortie • avec ventrée signal basse fréquence telque le modèle statique reste Vref=2V valable (période du signal < temps de réponse de la diode ↔pas d’effet “capacitif” ou ) 22 . Vo=0.6V.

7k VV os V1 V2 2V Déterminer Vs . VD1 et VD2 pour : a) V1 = V2= 5V b) V1 = 5V V2= 0V c) V1 = 0V V2= 0V 23 . Vo=0.6V. Is=0 et RR infinie D2 R R 270 270 4.3) D1 Caractéristiques des diodes : Rf = 30Ω.

2.5 Comportement dynamique d ’une diode 2. ou encore composantes alternatives (AC) ) ☛ n’a d’intérêt que s’il y a des sources variables! Notation : lettres majuscules pour les composantes continues lettres minuscules pour les composantes variables 24 .1 Prélude : Analyse statique / dynamique d’un circuit L’ Analyse statique … se limite au calcul des valeurs moyennes des grandeurs électriques (ou composantes continues. ou encore composantes statiques) ☛ = Analyse complète du circuit si seules des sources statiques sont présentes L’ Analyse dynamique … ne concerne que les composantes variables des tensions et courants (ou “signaux” électriques.5.

Illustration : Etude la tension aux bornes d’un composant inséré dans un circuit. R1 hypothèses: ve = signal sinusoïdale ve Ve = source statique R2 V(t) Ve ➨ Analyse statique : V (t ) ="V " = ? ➨ Analyse dynamique : v(t ) = V (t ) − V = ? Calcul complet V (t ) = R2 [Ve + ve (t )] = R2 Ve + R2 ve (t ) R1 + R2 R1 + R2 R1 + R2 V v(t) 25 .

Par le principe de superposition : ☛ Comme tous les composants sont linéaires. le principe de superposition s’applique ➨ la source statique Ve est à l’origine de V . et ve est à l’origine de v R1 Analyse statique : ve = 0 R2 Ve V V= Ve R2 R1 + R2 “schéma statique” du circuit R1 Analyse dynamique : Ve = 0 R2 ve v(t ) = ve (t ) R2 v R1 + R2 “schéma dynamique” ☛ Une source de tension statique correspond à un “court-circuit dynamique” 26 .

[puisque i(t)=0!] 27 .Autres exemples: R1 R2 1) ve Io R3 V(t)=V+v(t) R1 R2 Schéma statique R1R3 V= Io V R1 + R2 + R3 Io R3 Schéma dynamique R1 R2 R3ve (t ) v(t ) = ve R3 v R1 + R2 + R3 ☛ Une source de courant statique est équivalent en régime dynamique à un circuit ouvert.

2) ☛ C = composant linéaire caractérisé par une impédance qui Val dépend de la fréquence du signal R1 C Rg vg R2 V (t) ω Schéma statique : à fréquence nulle C = circuit ouvert Val R2 R1 →V = Val R1 + R2 R2 V 28 .

le condensateur peut être remplacé par un court-circuit. Schéma dynamique : 1 Zc = iCω R2 // R1 1 →v = avec Z g = Rg + R1 R2 // R1 + Z g iCω ZC vg Rg ω R2 v schéma équivalent dynamique R2 // R1 pour ω suffisamment élevée : Z g ≈ Rg et v= vg R2 // R1 + Rg ☛ A “haute” fréquence (à préciser suivant le cas). 29 .

☛ Le principe de superposition n’est plus valable en présence de composants non-linéaires ! Extrapolations possibles: ■ le point de fonctionnement reste dans un des domaines de linéarité du composant non- linéaire ■ l’amplitude du signal est suffisamment faible pour que le comportement du composant reste approximativement linéaire. 30 .

direct 100Ω ☛ la diode peut être remplacée par le modèle linéaire suivant : 0. 2.2 Fonctionnement d’une diode dans un de ses domaines de linéarité (D.5 ⋅ sin (100 ⋅ 2π ⋅ t ) 0. “inverse” Exemple : ☛ le point de fonctionnement reste dans le D.L. Rf = 10Ω .L.L. “direct” Tant que le pt.5.) : Id D.5 -1 -0.5 0 0. la diode peut être décrite par le -2 -1. Vo = 0.L. de fonctionnement reste Vd dans le D.6V 31 .6V V(t) 5V 1kΩ 10 Ω diode: Si.L.5 1 1 modèle linéaire approprié Vo D.

L.6V V = … = 4.45 ⋅ sin (100 ⋅ 2π ⋅ t ) 1kΩ ☛ ATTENTION. 100Ω Schéma statique : 0.6V 10Ω 5V 1kΩ représente la diode seulement si le pt de fonctionnement reste dans le D. l’utilisation des modèles à segments linéaires n’est plus valable si le point de fonctionnement passe dans la zone du coude 32 .5 ⋅ sin (100 ⋅ 2π ⋅ t ) 10Ω ve = 0. sous 100Ω Schéma dynamique : polarisation directe 0.

3 Modèle faibles signaux (basses fréquences) hypothèse: variation suffisamment lente (basse fréquence) pour que la caractéristique “statique” reste valable. ■ Variations de faible amplitude autour du point de fonctionnement statique Q : ➨ la caractéristique Id(Vd) peut être approximée par la tangente en Q pente : dI d ➪ id ≅ ⋅ vd dI d dVd Q Id dVd Q ➪ schéma équivalent dynamique correspondant au point Q : I dQ 2|id| Q −1 Vd dI d ≡ = “résistance dynamique” dVd Q Vo de la diode 2| v| VdQ ☛ Ce schéma ne peut être utilisé QUE pour une analyse dynamique du circuit ! 33 .2.5.

r f = ≅  I se VT − I s  =η T dVd dV Vd  d   Id    25 ☛ à température ambiante : r f ≈ Ω (η = 1) I d (mA) ☛ proche de Vo la caractéristique I(V) s’écarte de la loi exponentielle ➥ rf ne devient jamais inférieur à Rf (voir courbe expérimentale. rf ≈ Rf ➨ Pour Vd < 0 . p11) 34 . ~Vo] . rf ≈ Rr −1 −1   ηVd  dI d  d   V ➨ Pour Vd ∈ [0.■ Notation : −1 dI d rf = = résistance dynamique pour VdQ> 0 dVd V > 0 d −1 dI d rr = = résistance dynamique pour VdQ < 0 dVd V <0 d ➨ Pour Vd >> Vo.

■ Résumé des schémas équivalents faibles signaux. basse fréquence : Id ≡ Q rf ≈ Rf Vd Id ≡ Q V rf = T Vd I dQ Id Q Vd ≡ rr ≈ Rr >>MΩ ☛ hyp : la fréquence est suffisamment faible pourque id et vd soient en phase → impédance réelle (résistance dynamique) 35 .

Rf = 10Ω .6 Analyse statique : Id ≈ = 2.2 ⋅ 10−3 sin 103 ⋅ 2π ⋅ t ) 1kΩ ➨ Amplitude des ondulations résiduelles : 1.6V . Vo = 0.1 ⋅ sin 103 ⋅ 2π ⋅ t ) ve Vd(t) 5 − 0. Vd ≈ 0.2 mV v ve ~ 12Ω 36 . Z c = 16Ω << Ra 2. Rb Température : 300K 1kΩ C 2kΩ 5V Ve Ra 10µF D ( ve = 0.Exemple : diode: Si.2 Schéma dynamique : 2kΩ ( → v ≈ 1.62V 2000 26 Analyse dynamique : r f ≈ = 12Ω.2mA.

4 Réponse fréquentielle des diodes ■ Limitation à haute fréquence : Pour des raisons physiques. bloqué →passant) (!signaux de grande amplitude) ➪ du point de fonctionnement statique (pour des petites variations) 37 . le courant Id ne peut suivre les variations instantanées de Vd au delà d’une certaine fréquence.2.5. ➨ apparition d’un déphasage entre Id et Vd ➨ le modèle dynamique basse fréquence n’est plus valable ■ Le temps de réponse de la diode dépend : ➪ du sens de variation (passant →bloqué.

300K. rsc Cd ∝ T = “capacité de diffusion” ☛ à basse fréquence : rc + rs = rf ☛ la séparation en deux résistances tient mieux compte des phénomènes physiques en jeu. sous polarisation directe (VdQ >0) ☛ une petite variation de Vd induit une grande variation Id. dont la valeur augmente avec Id (cf physique des composants) Modèle faible signaux haute fréquence (Vd >0) : rc ≡ I dQ ☛ Ordre de grandeur : Cd ~ 40 nF à 1mA. 38 . c’est -à-dire des charges qui traversent la diode ☛ A haute fréquence. des charges restent “stockées” dans la diode (elle n’arrivent pas à suivre les variations de Vd) ☛ ~ Comportement d’un condensateur.■ Variation de Vd de faible amplitude.

■ Variation de Vd de faible amplitude. bien supérieure à Is. ☛ à haute fréquence. ☛ Ce comportement peut encore être modélisé par une capacité électrique : Modèle faible signaux haute fréquence (Vd < 0) : rr 1 Ct ∝ = capacité de “transition” ou “déplétion” Vd − Vo ➪ Ordre de grandeur : ~pF 39 . sous polarisation inverse (VdQ < 0) : ☛ une variation de Vd entraîne une variation du champ électrique au sein de la diode. qui à son tour déplace les charges électriques. ce déplacement donne lieu à un courant mesurable.

lorsque la diode bascule d’un état passant vers un état bloqué et vice-versa. VQ Vg Vo t R -VR Vo Vd Vd Vg -VR temps de réponse Id (VQ-Vo)/R -VR/R ➪ le temps de réponse dépend du courant avant commutation.■ Diode en « commutation » : Temps de recouvrement direct et inverse Le temps de réponse fini de la diode s’observe aussi en « mode impulsionnel ». ➪ ordre de grandeur : ps → ns 40 .

2.6 Quelques diodes spéciales

2.6.1 Diode Zener
☛ Diode conçue pour fonctionner dans la zone de claquage inverse, caractérisée par une
tension seuil négative ou « tension Zener » (VZ)

■ Caractéristiques
VZ : tension Zener (par définition: VZ >0)
Id
Imin : courant minimal (en valeur absolue) au delà
-Vz Vd duquel commence le domaine linéaire “Zener”
-Imin
Imax : courant max. supporté par la diode
(puissance max:Pmax ~VZImax)

dI d
RZ : “résistance Zener” =
-Imax dVd V <V
d z

Ordre de grandeur : VZ ~1-100 V , Imin ~0,01- 0,1mA, Pmax ↔ régime de fonctionnement
ex: 1N759 41

■ schémas équivalents
➪ Modèle statique :
hyp : Q ∈ domaine Zener

Rz
Vd
Id

Id
Vz
+
-Vz Vd
-Imin
Q ➪ Modèle dynamique, basses fréquences, faibles
pente signaux :
1/Rz
−1
 dI 
-Imax rz =  d  ≅ Rz pour |Id| >Imin
 d Q
dV
 

42

2.6.2 Diode tunnel

➪ Exploite l’effet tunnel à travers la jonction PN (cf. Mécanique quantique)

■ Caractéristique I(V) :
I

Q ➪ rf négative, utile pour les circuits résonnants

V

Illustration : Le pont diviseur comme amplificateur

Vpol fixe Q dans la partie décroissante de I(V)

vs R !
vg = >1
vg R + r f

Vpol R vs ☛ Cet type d’amplificateur est peu utilisé parce qu’on peut faire mieux...

43

6. cours Capteurs) ➥ Vo ≠ 0.3 Diode électroluminescente (ou LED) ■ Principe : La circulation du courant provoque la luminescence ➪ Fonctionnement sous polarisation directe (V > Vo) ➪ L’intensité lumineuse ∝ courant électriqueId ☛ Ne marche pas avec le Si (cf.7V ! (AsGa: ~1.2.3V) 44 .

1 Limiteur de crête (clipping) ■ Fonction : Protéger les circuits sensibles (circuits intégrés.6 Pmax ≈ Vo ⋅ I d max ≅ Vo ⋅ (si Ze >> q. Exemple : clipping parallèle Rg (diode // charge) circuit à Vg Ve Ze protéger Fonctionnement : droite de charge I ➪ quand Vg(t) > Vo= 0.7V : Ve ≅ Vo d Vg Ze ➪ quand Vg(t)< Vo : Ve ≅ Vg Rg Q Z e + Rg Vd=Ve Vo ☛ Protection contre les tensions supérieures à ~1V Ve Limite d’utilisation : Puissance maximale tolérée par la diode : Vg − 0.q. Ω ) Rg 45 .3. amplificateur à grand gain…) contre une tension d’entrée trop élevée ou d’une polarité donnée. Applications des Diodes Un aperçu qui sera complété en TD et TP. 3.

la diode est bloquée et le circuit protégé… ➨ Pour Vg > Vo : Ve ≅ Vg − 0.Clipping série : Rg circuit à Vg Ve(t) Ze protéger Fonctionnement : ➨ Tant que Vg < Vo .6 Vg I d max ≈ ≈ Rg + Z e Rg + Z e 46 ☛ Comment peut-on modifier le circuit pour protéger la charge contre des tensions positives? .6 ( )Z Ze ≈ Vg − 0.6 ≅ Vg e + Rg ➨ Le circuit est protégé contre toute tension inférieure à Vo (en particulier les tensions négatives) Limite d’utilisation : Puissance maximale tolérée par la diode : Vg − 0.

.Protection contre une surtension inductive +20V ■ ouverture de l’interrupteur : +20V ■ Protection par diode : dI ➪ V =L → −∞ ➪ Vmax<0 ~ .7V I I A ➪risque de décharge électrique à ➪ la conduction de la travers l’interrupteur ouvert diode engendre un courant transitoire et diminue la ☛ L’interrupteur pourrait être un tension inductive. 47 .7V V L dt V ➪ VA → +∞ ➪ VA ≤ ~20.0. transistor..

Exercices : Quelle est la forme de V(t) pour chacun des circuits suivants ? (1) Vg Rc V (2) Vg Rc V Dz V1 V2 (3) Détecteur de fronts de montée C T R Rc V RC >> T 48 .

C.3.2 Redressement ■ Objectif: Transformer un signal alternatif en tension continue stable (ex: pour l’alimentation d’un appareil en tension continue à partir du secteur) Redressement simple alternance Vs ≈ Vm − 0.7 220V 50Hz Vs Rc (cf avant) t Ri =résistance de sortie du transformateur Vm =amplitude du signal du secondaire avec filtrage passe-bas : R ➪ Le condensateur se charge à travers R (+Rf ) et se décharge à travers Rc: 220V R C << RcC Vs 50Hz Vs Rc ondulation résiduelle ↔R. f t 49 ☛ mauvais rendement : la moitié du signal d’entrée n’est pas exploitée .

D2 et D3 = bloquées Vi Vs Rc Parcours du courant : D3 D4 ➪ quand Vi < ~ -1.4V 50 .4V : D1 D2 D1 et D4 = passants.4V : D1 et D4 = bloquées. D2 et D3 = passantes Parcours du courant : Vs .4V t Vi < 1.Redressement double alternace (pont de Graetz) R ■ Fonctionnement ➪ quand Vi > ~1. Vi ~1.

avec filtrage : 50 Ω R D1 D2 Rc=10kΩ Vi Vs 200µF D3 D4 Vs avec condensateur sans condensateur ➪ Ondulation résiduelle réduite 51 .

4 I d max → i R (mA) ID2 ➪ Idmax dépend de R et C Vs 60 40 Vsecondaire [Vm =10V] 20 régime transitoire ➪ Diodes de puissance ✎ Les 4 diodes du pont de Graetz existe sous forme d’un composant unique (ou discret) 52 .Courant transitoire de mise sous tension : ☛ C est initialement déchargé ↔ VC ≈ 0 ➨ Id peut devenir trop élevé V − 1.

puisqu’à secteur chaque instant seule la moitié du ~ bobinage secondaire est utilisé transformateur à point milieu ■ Alimentation symétrique : +Val secteur ~ masse -Val 53 .Autres configurations possibles : ■ Utilisation d’un transformateur à point milieu : ☛ mauvais rendement.

Vc > 0.Vc <0. la diode est bloquée Rg C Rg C Vc Vc Vg Vd Vg Vd ➨ C se charge et Vc tend vers Vg ➨Vc = constant (C ne peut se décharger!) ➨ Vd = 0 ➨ Vd = Vg +Vc ➥ ~ composante continue 54 ☛ Quelle est l’effet de la tension seuil Vo de la diode (non prise en compte ci-dessus) ? .) ● Lorsque Vg .3. la diode est passante ● Lorsque Vg .3 Restitution d ’une composante continue (clamping) ■ Fonction : Décaler le signal vers les tensions positives (ou négatives) ↔ reconstitution d’une composante continue (valeur moyenne) non nulle Exemple : Rg C Vg(t) Vc Vd D Fonctionnement : On supposera la diode idéale (1ière approx.

7V Vd t (s) 55 . ● Cas particulier : Rg C Vg = Vm sin (ω ⋅ t ) pour t > 0 Vg(t) Vc Vd Vc = 0 pour t < 0 (C déchargé) D ➨ Phase transitoire au cours de laquelle le condensateur se charge C=1µF Simulation Rg =1kΩ Vg f= 100hz Vm =5V Vc charge du condensateur Vd ≈0.

Vm composante continue Exercice : Modifier le circuit pour obtenir une composante continue positive.➪Charge de C avec une constante de temps de RgC à chaque fois que la diode est passante ➪Décharge de C avec une constante de temps RrC ➪ le circuit rempli ses fonctions. si pour f >>1/RrC (≈105hz dans l’exemple) : ➥ en régime permanent: Vd ≈ Vg . 56 .

f=50Hz.4 ≈ 2 ⋅ Vm t ☛ Il ne s’agit pas d’une bonne source de tension.3. clamping redresseur monoalternance VD1 .4 Multiplieur de tension ■ Fonction : Produire une tension de sortie continue à partir d’un signal d’entrée variable. Exemple : doubleur de tension Rg C Vg = Vm sin (2πf ⋅ t ) pour t > 0 Vm=10V. La tension continue est généralement un multiple de l’amplitude du signal d’entrée. puisque le courant de sortie (dans Rc) doit rester faible (~ résistance interne élevée) régime transitoire / permanent 57 . C=10µF Vg ~ VD1 VRc Rc>> Rg C Rc=100kΩ. le courant d’entrée du redresseur est faible (~ impédance d’entrée élevée) → VRc ≅ 2 ⋅ Vm − 1.VRc ☛ En régime établi.

➩ l’impédance d’entrée de la charge doit être >> Rf + Rtransformateur+Rprotection ☛ source “flottante” ↔ nécessité du transformateur 58 .Autre exemples : Doubleur de tension source AC charge ➩ ≡ assemblage de deux redresseurs monoalternance en parallèle.

il existe : ➪ soit comme composant discret ➪ soit sous forme de circuit intégré. ➪ être utilisé comme une source de courant ➪ agir comme un interrupteur commandé ( = mémoire binaire) ➤ essentiel pour l’électronique numérique ➪ .. allant de quelques unités (ex: AO) à quelques millions de transistors par circuit (microprocesseurs) 59 .. Transistor bipolaire 4.1 Introduction ■ le Transistor = l’élément “clef” de l’électronique il peut : ➪ amplifier un signal ➤amplificateur de tension.. faisant partie d’un circuit plus complexe. de courant.e..4.. de puissance. i.

■ on distingue le transisor bipolaire du transistor à effet de champ ➪ différents mécanismes physiques ■ Ils agissent. comme une source de courant commandée ➪ transistor bipolaire : commandé par un courant ➪ transistor à effet de champ: commandé par une tension Icontrôle I commandé = A ⋅ I contrôle I commandé = G ⋅ Vcontrôle Vcontrôle source de courant source de courant commandée par un commandée par une courant tension A = “gain” en courant G = transconductance. en 1ière approx.. ☛ Idéalement : l’étage d’entrée ne dépend pas de l’étage de sortie. 60 .

(cf après) ☛ Symétrie NPN/PNP: Les transistors PNP et NPN ont un comportement analogue à condition d’inverser les polarités des tensions.2 Structure et fonctionnement d’un transistor bipolaire ■ Structure simplifiée Transistor NPN Transistor PNP E E diode « EB » diode « EB » émetteur P+ N+ couplage B B entre les N base P diodes P N collecteur diode « BC » diode « BC » C C ☛ Un transistor bipolaire est constitué de trois zones semiconductrices différentes. l’émetteur. 61 . ☛Les deux « jonctions PN » (ou diodes!) émetteur/base et base/collecteur se partagent la région centrale : la « base ». la base et le collecteur. Le couplage entre les jonctions est à l’origine de l’ « effet transistor »: le courant dans l’une des diodes (généralement dans la jonction base/émetteur) détermine le courant dans la seconde. qui se distinguent par la nature du dopage.4.

■ Effet transistor ☛ Conditions de polarisation : Jonction EB : directe Jonction BC: inverse = MODE ACTIF du transistor Exemple: Transisor NPN RE N + P N RC E C IE r e.7V. et non vice versa… 62 .7V. E IC VEE IB VCC B ➪ si VEE > ~ 0. un champ électrique intense existe à l’interface Base/Collecteur ➪ La majorité des électrons injectés par l’émetteur dans la base sont collectés par le champ ➨ IC ~IE et IB = IE -IC << IE ➪ Le courant IC est contrôlé par IE . IE >> 0 ➪ La jonction EB est dyssimétrique (dopage plus élevé côté E) ➨ courant porté essentiellement par les électrons (peu de trous circulent de B vers E) ➪ VCC > 0. le courant circule entre l’émetteur et la base ➨ VBE ~ 0.

0. ■ Symboles C C ☛ la flèche indique le sens du courant dans l’état actif B B E E PNP NPN ■Conventions : VCB VCB IC IC IB VCE IB VCE IE IE VBE VBE NPN PNP ➪ IE = IB+IC 63 .■ Premières différences entre le transistor bipolaire et la source commandée idéale. VCB > .5V ➪ I B non nul = fraction de IE ne participant pas à la commande de IC .7V.. ➪ Contraintes de polarisation : VBE > ~ 0..

64 .…) sont liées: VEE VCB VCC VEB IB ➪ différentes repésentations équivalentes des caractéristiques électriques existent ● Configuration “Base Commune” ( base = électrode commune) ➪ Caractéristiques : IE (VEB.VBC).VCE.IE) ● Configuration “Emetteur Commun” (émetteur= électrode commune) ➪ Caractéristiques : IB (VBE . IC (VCB . IB. IB) ☛ La représentation des caractéristiques en configuration “collecteur commun” est plus rare.3 Caractéristiques du transistor NPN VCE ■ Choix des paramètres : ☛ Les différentes grandeurs électriques (IE.VCB). IC (VCE. IC (VBC . RE IE IC RC VBE. VCE).IE) ou IE (VBE.4.

VCB) 1 VEB (V) -0.6-0. -15 I E ≅ I s exp BE  − 1   VT   2 ➪ très peu d’influence de IC (resp.7V 65 .5 Jonction EB bloqué Jonction EB passante IE ~ 0.1 -0.■Caractéristiques en configuration BC : CAS DU TRANSISTOR NPN « caractéristique d’entrée » IE (VEB.5 V IE >0.5 VBE (V) 0. VCB) : hypothèse: diode BC bloquée (mode usuel) ➪ ~ caractéristique d’une jonction PN IE (mA)  V   VCB=0 . VBE < 0. VBE ≈ 0.1 0.

99 αF = “gain en courant continue en BC” 66 . ➪ pour VCB > ~-0.5 1. avec αF proche de 1. IE) : Ic (mA) IE (mA) VBE ↑ 2.7.5V.5 1.5 0 -0. I B = I E − I C = I E (1 − α F ) ➪ pour IE = 0. mode actif IC (VCB.0. la jonction BC est passante. on a IC = courant de saturation inverse de la jonction BC ~ 0 ➤ Transistor en “mode bloqué” ➪ pour VCB ≈ -0.5 1 2 3 VCB (V) ≡ jonction PN polarisée en inverse tension seuil de la jonction BC αF IE . IC n’est plus controlée par IE ➤ Transistor en “mode saturé” Ordre de grandeur : αF ~0.0 1 IC ≈ I E 0.95 .0 1.5 0. on a IC =α ➤ En mode actif.

5 > 1V 0.3 ➪ VBE > 0.1 0.2 0.5 0 VBE (V) 0.■Caractéristiques en configuration EC : « caractéristique d’entrée » IB (VBE. jonction PN passante ☛ IB <<IE ↔ charges non collectées par le champ électrique de la jonction BC I B = (1 − α F )I E ➪ Influence non-négligeable de VCE sur αF ↔ “Effet Early” 67 .6V.1V N P E N 3 IB 1. VCE) : hypothèse: diode BC bloquée (mode usuel) IB (µA) IC IE r VCE= 0.

7V et VCB >~ -0.250 ☛ Grande dispersion de fabrication sur hFE. IB) : Ic(mA) Ib= 20 µA 2 15µA 10µA 1 5µA VCE (V) 1 3 5 Transistor bloqué Transistor saturé Mode actif IC = “ICO” ➪ Mode actif : BE passant.2 V αF I C = α F I E = α F (I C + I B ) ⇒ I C = I B =" hFE " I B hFE = “gain en courant 1−αF continue en EC” = “βF” ordre de grandeur : hFE ~ 50 . ➪ Effet Early : αF tend vers 1 lorsque VCE augmente → hFE augmente avec VCE ➪ Mode saturé : Diode BC passante -> IC ~ indépendant de IB ➤ hFE diminue lorsque VCE → 0 68 .5 V ➤ VCE = VCB +VBE > -0.IC (VCE.5 + 0.7 ~0. BC bloquée → VBE ≈ 0.

■ Modes actif / bloqué / saturé Transistor NPN Configuration EC : Mode actif : VBE ≈ 0.2V E E E E Mode actif Mode bloqué Mode saturé ☛ VCC = source de tension externe alimentant la maille contenant C et E (cf plus loin) 69 VCC ne peut pas dépasser cette valeur! .7V ~ 0.7V hFE IB ~0.8V VCE ≈ 0.8V ~0.2V I c ≠ hFE I B C B B IB C B C C B ≅ ~0.3V < VCE < VCC I c ≈ hFE I B Mode bloqué : IB ≅ 0 VCE ≅ VCC IC ≈ 0 Mode saturé : VBE ≈ 0.

3V < VCE < VCC (< 0) I c ≈ hFE I B Mode bloqué : IB ≅ 0 VCE ≅ VCC IC ≈ 0 Mode saturé :VBE ≈ −0.2V I c ≠ hFE I B C B B IB C B C C B ≅ ~0.8V E E E E Mode actif Mode bloqué Mode saturé 70 .7V hFE IB ~0.2V ~0.8V VCE ≈ −0.7V ~ −0. Transistor PNP Configuration EC : Mode actif : VBE ≈ −0.

IB et IE ≠0 en mode bloqué ICVCE =Pmax fiches techniques : 71 . BC) ➪ Puissance maximale dissipée : Pmax =VCE IC ➪ Courants de saturations inverses : ➤IC .■ Valeurs limites des transistors ➪ Tensions inverses de claquage des jonctions PN (EB.

diminue avec T ➪ ou réciproquement : pour VBE maintenue fixe. à IB.E constant.■ Influence de la température ☛ La caractéristique d’une jonction PN dépend de la température ➪ les courants inverses (mode bloqué) augmentent avec T ➪ VBE. IE (et donc IC) augmente avec T ➪ Risque d’emballement thermique : T ↑⇒ I C ↑ ⇒ Puissance dissipée ↑ ⇒ T ↑ L ➨ Necessité d’une contre-réaction dans les amplificateurs à transistors bipolaires : T ↑ ⇒ I C ↑ ⇒ VBE ↓ ⇒ I B ↓ ⇒ I C ↓ 72 .

Exemple : ● Comment déterminer IB. VBE.4 Modes de fonctionnement du transistor dans un circuit ↔ Point de fonctionnement ■ Droites de charges : Le point de fonctionnement est déterminé par les caractéristiques du transistor et par les lois de Kirchhoff appliquées au circuit. VCE ? +VCC Droites de charges : Rc V − VBE Vth = Rth I B + VBE → I B = th Rth Rth V − VCE VCC = RC I C + VCE → I C = CC Vth RC 73 . IC.4.

3 VBEQ Ic(mA) ➪ VCE sat ≤ VCEQ ≤ VCC Q VCC − VCE sat VCC I CO ≤ I c ≤ ≈ ICQ ← IBQ Rc Rc V − VCE I C = CC RC ☛ Q fixe le mode de fonctionnement du transistor ICO VCEsat VCEQ VCE (V) 74 .7V.7V V − VBE (diode passante → I B = th transistor actif ou saturé) Rth Q IBQ VBE (V) 0.1 0. ■ Point de fonctionnement IB ➪ VBEQ ≈0.6-0.2 0. dès que Vth> 0.

75 .7V Vth =1V → I BQ = 10 µA → I C Q = 1mA ☛ On a bien : ~0.Exemple : Calcul du point de fonctionnement +VCC=10V Rc=3kΩ Vcc Rc Rth=30kΩ Rth IB hFE =100 hFE IB Vth 0.3 <VCEQ < VCC → VCE Q = 7V Résultat cohérent avec le mode actif du transistor.

3V et I CQ = 3.2mA VCEQ VCE (V) 76 .(réduction de Rth) Q Q a atteint la limite de la zone correspondant au mode actif → VCE Q ~ 0.● Remplacement de Rth par 3kΩ : +VCC=10V Rc=3kΩ L → I BQ = 100 µA Rth=3kΩ L → I C Q = 10mA hFE =100 L → VCE Q = −20V !! Vth =1V ☛ Résultat incompatible avec le mode actif ➪le modèle donne des valeurs erronnées Cause : Ic(mA) ← IBQ En ayant augmenté IBQ.

■ Quelques circuits élémentaires : VBE < 0.8V.2 VCC VCC VCE I RC = CC ≅ Vcc VBEmin − 0.8V ~0.7V → Mode bloqué t<0 : Transistor interrupteur: +VCC RC +VCC RB Rc “Interrupteur VBB ouvert” 0. telque RcIc ~VCC →VCE ~qq.2V <<VCC V − 0. 100mV IC Interrupteur fermé VCC Vcc “Interrupteur Rc RC fermé” RB Interrupteur ouvert ~0.7V I RC = 0 RB t t>0 : VBE > ~0.7 RC RC I Bmin ≅ ≅ 77 ( interrupteur fermé) Rc hFE RB .

7V Rc → I ≈ BB RE I “quelque soit” Rc … tant que le transistor est en mode actif •E VBB RE Domaine de fonctionnement : (VBB > 0.Transistor source de courant : VCC charge V − 0.7V ) ≈ 0 < VCE = VCC − (RC + RE )I C < VCC Source de courant V ● Rcmax ≅ cc − RE I pour Rc supérieure à Rcmax → transitor saturé ☛ Rcmin = 0 78 .

7k I 10k charge 79 . la plage de tension 10V 15V charge 560Ω 10k I Vz =5.6V 4.Exercices : Calculer le courant dans la charge.

amplificateur de tension : hypothèses : ●Point de fonctionnement “au repos” : +VCC Transistor en mode actif lorsque vB = 0 (amplificateur “classe A”) RC ● Amplitude du signal vB suffisamment faible IC B pourque le transistor soit à chaque instant actif • ● Modèle 1ière approximation pour le transistor vB •E V − 0. ☛ Comment fixer le point de fonctionnement au repos de manière optimale? 80 .Transistor.7 VSortie → IE ≈ B ≈ I C = I c + ic (IB <<IC) RE VBB RE v En négligeant la variation de VBE : → ic ≈ B RE Enfin : VSortie = Vcc − Rc I C = Vs + vs avec : Vs = Vcc − RI c R Rc et vs = − Rc ic = − c vb Le “signal”vB est amplifié par le facteur Av = − RE RE ☛ Av = “∞” pour RE =0 ?? voir plus loin pour la réponse...

81 . ● Il doit être à l’intérieur du domaine de fonctionnement du transisor (IC(B) < Imax.… ) ➤ stabilité thermique. (coefficient de température des différents paramètres du transistor :VBE.4.6 Circuits de polarisation du transistor ● Le circuit de polarisation fixe le point de repos (ou point de fonctionnement statique) du transistor ● Le choix du point de repos dépend de l’application du circuit... hFE.…)....) ● Les principales caractéristiques d’un circuit de polarisation sont : ➤ sensibilité par rapport à la dispersion de fabrication du transistor (incertitude sur hFE . VCE (BE) <Vmax.

82 .■ Circuit de polarisation de base (à courant IB constant) IC Dispersion de fabrication: Vcc hFE mal défini Rc RC Q1 2 transistors IC1 même IB différents RB Q2 VCC IC2 VCE VCE1 VCE2 Vcc V − VBE Vcc − 0.7 I B = cc ≅ RB RB Q : I c = hFE I B et VCE = Vcc − Rc I c Conséquence : ∆ hFE ⇒ ∆ Ic ⇒ ∆ VCE →Le point de repos dépend fortement de hFE = inconvénient majeur → Circuit de polarisation peu utilisé. Vcc Exemple : Transistor en mode saturé ↔ RB tel que I B > I Bsat ≈ Rc hFE en prenant pour hFE la valeur minimale garantie par le constructeur.

7V RC ➪ Le transistor se comporte comme un diode.7V V − 0.7 → IC ≈ RC + RB RC hFE RB Le point de fonctionnement reste sensible à hFE Propriété intéressante du montage : Le transistor ne peut rentrer en saturation puisque VCE ne peut être inférieur à 0. 83 .7 Cas particulier : RB=0 → I C ≈ CC VCE = 0.■ Polarisation par réaction de collecteur +VCC VCC − 0.

« polarisation à courant (émetteur) constant » +VCC +VCC Vth − 0.7 ➪ Peu sensible à hFE : si << RE → I C ≈ th hFE RE ➪ Bonne stabilité thermique 84 .7 IC ≈ I E ≅ RE + Rth / hFE R1 RC Rc Rth VCE = VCC − (RC + RE )I C R2 R2 Vth avec Vth = VCC et R1 + R2 RE Rth = R1 // R2 Rth V − 0.■ Polarisation par diviseur de tension .

si l’augmentation de IE résulte d’un échange de transistors (dispersion de fabrication) 85 . +VCC Une façon de comprendre la stabilité du montage : R1 RC RE introduit une contre-réaction R2 RE Augmentation de IE augmente VE augmente VBE et IE diminuent contre-réaction VBE I diminue de 2mV/°C E VB ~Vth Règles « d’or » pour la conception du montage : • Rth/RE ≤ 0.1 hFEmin RE ↔ IR2 ≈10 Ib • VE ~VCC/3 " Diminuer Rth augmente le courant de polarisation IR1 ☛ Idem.1 hFEmin ou encore R2 < 0.

■ Polarisation par un mirroir de courant +VEE ● Q1 .7 ● Q1 : VBC =0 → ~ diode → I p ≅ Q2 Rp Q1 IC ● En mode actif.Q2 = transistors appariés (circuit intégré) VEE − 0. les courants de bases Ip sont négligeables (1ière approx.) Rp Rc ● Q2 : VEBQ = VEBQ → IC ≅ I p 1 2 ☛ Q2 agit comme un “mirroir de courant”. fixe le courant Ip ☺ Point de fonctionnement ne dépend pas explicitement de hFE Imperfection : Effet Early → I C V augmente avec VCE ↔ Rc (jusqu’à ~25% !) BE 86 .

Amélioration possible +VEE ● RE introduit une contre-réaction : RE VBEQ RE 2 1 ( comme VBEQ = VBEQ − RE I C − I p ) VBEQ 2 1 Q2 Si IC augmente (variation de VCE). Ip Rp Rc avec RE <<RC 87 . VBEQ diminue 2 Q1 IC et s’oppose à l’augmentation initiale.

4 0.4.2 0.7 Modèle dynamique ● Variation de faibles amplitudes autour d’un point de fonctionnement statique ● Comportement approximativement linéaire ➪ Modèles équivalents ■ Caractéristique d’entrée :  V   I B ≅ I s exp BE  − 1 hFE +VCC   VT   IB dr RC oit ed ec IC ha iB B rg e • IBQ Q t vB vB •E VSortie VBEQ VBE 0 0.6 VBB RE vBE t Pour vB petit: ∂I B IE v hie = “résistance d’entrée dynamique” du ib ≅ ⋅ vbe ≅ vbe = be transistor en EC ∂VBE Q hFE ⋅ VT " hie " 88 .

Notation : h V " hie " = FE T = “résistance d’entrée dynamique” du transistor en EC IE B ib C hie vbe E ✎ hie↔ « i » pour input. ☛ A température ambiante (300K) on a : 26 ⋅ hFE hie ≅ (Ω ) I E (mA) 89 . h pour paramètre hybride (cf quadripôle linéaire) ☛ Ne pas confondre hie avec l’impédance d’entrée du circuit complet. (voir plus loin). « e » pour EC.

1MΩ E 90 ☛ Le modèle dynamique ne dépend pas du type (NPN ou PNP) du transistor .■ Caractéristique de sortie en mode actif : droite de charge Ic ic=hfe ib En première approximation : t IBQ+ib Q IBQ ic ≅" h fe "ib B ib ic C VCE hie hfeib VCEQ vce hfe = gain en courant dynamique E ≈ hFE en Q (*) ∂I c En tenant compte de l’effet Early: ic = h feib + hoe vce où hoe = ∂VCE Q B ib ic C hoe −1 = impédance de sortie du transistor en EC hfeib hie hoe-1 Ordre de grandeur : 100kΩ .

Note sur hFE et hfe : droite de charge tangente en Q Ic Ic IB (µA) ic = h feib 20 Q Q 15 droite passant par l’origine 10 1 5 IC = hFE I B VCE IB (µA) on a généralement : h fe ≅ hFE sauf à proximité du domaine saturé 91 .

N.4k RE=2. N 92 → VS = VCC − Rc ICQ = 10V .2k hFE=100 C Vs=VS+vs vg VS R2 R2 RE RE signal composante continue Analyse statique : on ne considère que la composante continue des courants et tensions → C = circuit ouvert (aucun courant moyen circule à travers C).■ Analyse statique / analyse dynamique Exemple: Amplificateur de tension VCC VCC A.: Vcc=15V R1 Rc R1 Rc R1=47k R2=27k statique Rc=2.N I EQ ≅  1  ≅ ICQ = 2. ➪ Point de fonctionnement statique Q (cf avant)  R2   VCC − VBE  R + R2 mode actif A.2mA RE A.

Analyse dynamique : Hypothèses : transistor en mode actif → schéma équivalent du transistor Schéma dynamique du circuit : R1 Rc ib 1 (circuit ouvert) iCω hie hoe-1 R2 hfeib vg vs transistor RE en négligeant hoe. ib 1 iCω hie R1 // R2 hfeib vg vs Rc RE 93 ...

☛ Pour C suffisamment élevée on peut négliger son impédance devant les résistances : ib hie R1 // R2 hfeib vg vs i RE Rc RE Calcul de la fonction de transfert vs/vg : ( ) v g = hieib + RE iRE = hie + h fe RE ib vs =− Rc ⋅ h fe =− Rc vg hie + RE ⋅ h fe h RE + ie vs = − Rc ⋅ h fe ⋅ ib h fe ☛ Pour RE >> hie/hfe on retrouve le résultat de la page 94. 94 .

IR2 T RL Vs =VS + vs 15 ± 2V R2 ondulation résiduelle = 500Ω composante continue En statique : Ve = 15V 0. I C ≈ 97 mA et I B = C ≈ 2mA hFE 95 .0012 + C → I R1 = e = 0.Autre exemple : R1=10Ω Régulateur de tension .1 − I Dz 500 et 10 I V − VS I RL = = 0.4V Imin = 1 mA IC Transistor de puissance DZ charge: RL = 25Ω hFE = h fe = 50 hoe −1 ~∞ Ve = B .6V → VS ≈ 10 V I R2 = = 1. C IDz DZ = diode Zener avec |VZ|=9.5 A RL h fe R1 I ⇒ I DZ ≈ 3mA .6 VD ≈ VZ et VBE ≈0.2mA I C = I R1 − I DZ − I RL = 0.4 A I Dz = I R2 + I B = 0.

Efficacité de régulation ↔ ondulation résiduelle : Ve varie de ± 2V.4Ω hie <<R2 . C i vs = (Rz + hie )⋅ ib i h fe + 1 h fe Rz ve ib RL vs hie hfeib 96 . C Rz ib RL vs ve hie hfeib R2 R1 ( ) i = h fe + 1 ⋅ ib vs Rz + hie Rz + hie = ≅ ≈ 0. quelle est la variation résultante de Vs ? Etude dynamique du montage : h fe ⋅ 25mV I c ≅ 100mA → hie ≅ ≅ 13Ω R1 I E (mA) .

C i 0.7 ve (Rz + R2 ) // RL + R1 97 . R1 .4Ω ve RL vs Rz + hie v h fe Rz + hie → s ≈ = = 0.03 << 1 ve Rz + hie + R Rz + hie + h fe R1 1 h fe ☛ Le même montage sans transistor aurait donnée une ondulation résiduelle de vs ≈ (Rz + R2 )// RL ≈ 0.

☛ En mode actif : ➤ la jonction EB introduit une capacité de diffusion Cd ➤ la jonction BC introduit une capacité de transition Ct .■ Modèle dynamique hautes fréquences ☛ Aux fréquences élevées on ne peut pas négliger les capacités internes des jonctions EB et BC. Schéma équivalent dynamique hautes fréquences B rce Ct iC C iB ’ Cd hfe iB’ ro hFE rse E ☛ Ces capacités influencent le fonctionnement du transistor aux fréquences élevées et sont responsable d ’une bande passante limitée des amplificateurs à transistor bipolaire (cf plus loin). 98 .

8 Amplificateurs à transistors bipolaires 4.4.1 Caractéristiques d’un amplificateur amplificateur +VCC Rg ie Ze il ve Zs vg vs source -VEE vL RL charge ● Fonction: amplifier la puissance du “signal” ➥ tout amplificateur est alimentée par une source d’energie externe (ici: VCC et (ou) VEE) v ● L’entrée de l’amplificateur est caractérisée par son impédance d’entrée Z e = e ie ● La sortie agit comme une source de tension vs caractérisée par son impédance de sortie Zs ☛ Zs = résistance de Thévenin équivalent au circuit vu par RL 99 .8.

● Gain en tension : +VCC Rg Comme Zs ≠ 0 le gain en tension dépend de la charge ie Ze iL Définitions ve Zs vg vs vL v Gain “en circuit ouvert” : Av = = s source -VEE vL ve R = ∞ ve RL L charge v RL Gain “sur charge” : AvL = L = Av ve RL + Z s v Ze Gain “composite”: Avc = L = AvL ➙ Comme Ze ≠ ∞ . Avc diffère de AvL (tient compte de la v g Ri + Z e résistance de sortie de la source) i A Z ● Gain en courant : Ai = L = vL e ie RL v i ● Gain en puissance : A p = L L = Avc ⋅ Ai v g ie 100 .

☛ L’amplificateur “idéal” : ● Gains indépendants de l’amplitude et de la fréquence (forme) du signal d’entrée ● Impédance d’entrée élevée ➙ peu de perturbation sur la source ● Impédance de sortie faible ➙ peu d’influence de la charge ☛ La réalité... ■ Domaine de linéarité : distorsion du signal pour des amplitudes trop élevées ↔ Nonlinéarité des caractéristiques électriques des composants ↔ la tension de sortie ne peut dépasser les tensions d’alimentation ■ Bande passante limitée : le gain est fonction de la fréquence du signal ↔ capacités internes des composants ↔ condensateurs de liaison ↔ Impédances d’entrée (sortie) dépendent de la fréquence 101 .

8.2 Amplificateur à émetteur commun (EC) ■ Particularités des amplificateurs EC : ● Le transistor en mode actif ● Le signal d’entrée est appliqué (“injecté”) à la base du transisor ● La sortie est “prise” sur le collecteur ● La borne de l’émetteur est commune à l’entrée et à la sortie ➪ ”Emetteur commun” ■ Les différences d’un amplificateur EC à l’autre sont : ● Le circuit de polarisation ● Les modes de couplages avec la source du signal et la charge. 102 .4. ● La présence éventuelle de condensateurs de “découplage” (cf plus loin).

et qu’elle influence le point de repos du transistor. vg. et la charge RL. 103 . ☛ Cc évite que la charge “voit” la composante continue de VC. << RL C Bω CCω ☛ CB est nécessaire pour que le point de fonctionnement statique (vg=0) ne soit pas modifié par la présence du générateur de signaux.Exemple : VCC R1 RC ➪ Polarisation par diviseur de tension CB ➪ Couplage “capacitif” avec la source. CC RL vs vg hypothèses : R2 RE ◆ Point de repos du transistor: mode actif (↔ choix des résistances) ◆ A la fréquence du signal les impédances condensateurs “de liaison” sont négligeables : 1 1 ↔ << R1 // R2 .

■ Analyse statique : Les condensateurs agissent comme des circuits ouverts ➥ circuit de polarisation à pont diviseur ■ Analyse dynamique : rB = R1 // R2 rc = RL // RC RC ie ib R1 vg rB rc C hie hfeib ve vL vg RL vL RE i RE R2 RE ( ) iRE = h fe + 1 ⋅ ib rc ⋅ h fe ☛ Gain en circuit ouvert : ● Gain en tension (sur charge): Av = vL = − L ve hie + RE ⋅ h fe Remplacer rc par Rc 104 .

100 à qq. ve ➪ Impédance d’entrée vue de la source : Ze ' ( RE h fe + 1 ) [ ( ) ] [ ] v Ze Z e = e = rB // hie + h fe + 1 RE ≅ rB // h fe RE ie ➥ schéma équivalent “vu de la source” : ( VRE = RE h fe + 1 ⋅ ib ) ➪ Impédance d’entrée vue après les résistances de polarisation : ( ) Z e ' = hie + h fe + 1 RE ≅ h fe RE (hie ~qq. 1k Ohms) ● Gain en courant : ie iL h fe vg rB i hie hfeib rc Ai = L = − ie 1+ ( ) hie + h fe + 1 RE ve rB RE 105 . ie ● Impédance d’entrée : ☛ Ze dépend de l’endroit d’où vous “regardez” rB hie h feib l’entrée de l’amplificateur.

● Impédance de sortie : ☛ Zs dépend de l’endroit d’où vous “regardez” la sortie. hfeib Rc RL ➪ Impédance de sortie vue de la charge (RL): Z s = Rc Zs ’ Zs ☛ Zs de l’ordre de quelques kΩ ↔ loin d’une source de tension idéale ↔ AvL diminue lorsque RL < ~Rc ☛ Parfois RC constitue aussi la charge de l’amplificateur (tout en permettant la polarisation du transistor) ➪ Impédance de sortie vue de Rc : Z s' = " ∞" ☛ ne tient pas compte de l’effet Early (hoe) ☛approximativement vraie tant que le transistor est en mode actif 106 .

avec vg court-circuité = vs / is ! A is ib ● (1) : [ ] vs = hoe −1 is − h feib + RE (is + ib ) rB hie hfeib h −1 oe vs (2) : 0 = hieib + RE (is + ib ) RE ● B vs −1  h fe RE  RE hie Z s = = hoe 1 +  +  hie + RE  hie + RE is 107 . ie iL Avec l’effet Early : vg rB ve hie hfeib h −1 Rc vsortie oe RE Zs ’ Méthode de calcul possible (en fait la plus simple ici) : Zs’ = RThAB = résistance entre A et B.

● Droite de charge dynamique et dynamique de sortie : droite de charge dynamique: pente 1/(rc+RE). passe par Qrepos Ic vce vce = vL − RE ic = −(rc + RE )ic vce ic → ic = − IBQ rC + RE droite de charge statique Q(repos) V − VCE I C = CC RC + RE VCE vce t ☛ le point de fonctionnement reste sur une droite de charge dite dynamique 108 .

La forme du signal de sortie change lorsque le point de fonctionnement touche les limites. du domaine linéaire. rc vs = − rcic = vce ⇔ vs ∝ vce rc + RE VCEQ Ic Ic Q(repos) droite de charge ICQ IBQ IBQ Q(repos) VCE VCE VCEQ (rc + RE )ICQ vce ➪ Point de repos optimale pour une dynamique maximale : VCEQ ≅ (rc + RE )I CQ 109 . bloquée ou saturée.

■ Amplificateur EC avec émetteur à la masse : ☛ RE est nécessaire pour la stabilité du point de fonctionnement statique. VCC R1 RC pour CE ou f suffisamment* élevé : ie ib CB CC vg rB hie rc RL vs hfeib vg ve R2 RE CE h *: RE // C E << ie 110 h fe .. ☛ RE diminue considérablement le gain.. “Remède” : découpler (“shunter”) RE par un condensateur en parallèle ➪ seul le schéma dynamique est modifié.

ib ● Impédance de sortie : Z s = hoe −1 // Rc (vue de la charge RL) 111 ..● Gain en tension (sur charge): rc ⋅ h fe r ☛ le gain dépend fortement de rf Av L = − = − c >> gain avec RE (résistance interne de la fonction BE) hie rf (la contre-réaction n’agit plus en dynamique…) kT rI or rf ≅ → AvL ≅ − c C IC kT ☛ Le gain dépend de IC → distorsion du signal aux amplitudes élevées v ● Impédance d’entrée de la base : Z e = e = hie significativement réduit..

● Droite de charge dynamique et dynamique de sortie : vce = −ic rc “droite de charge dynamique” Ic vce ic ICQ Q droite de charge statique VCEQ VCE rc I CQ ( ➪ Il y a déformation du signal dès que : vs > min VCEQ . rc I CQ ) ➪ Le point de repos optimal correspond à VCEQ = rc I CQ 112 .

q. plus loin).q. kΩ ) Impédance d’entrée de la base du transistor: Z e ≅ hie (de q. 113 .■ L’amplicateur EC en résumé : ●Emetteur à la masse : R R Gain en circuit ouvert : Av = − C h fe = − C >> 1 en valeur absolue hie rf Impédance de sortie : Z s ≅ RC (de q. hfe ~100-200) ☛ L’inconvénient du faible gain peut être contourné en mettant plusieurs étages amplificateur EC en cascade (cf. kΩ ) ●Avec résistance d’émetteur (amplificateur « stabilisé »): RC R Gain en circuit ouvert : Av ≅ − ≈ C r f + RE RE Impédance de sortie : Z s ≅ RC Impédance d’entrée de la base: ( ) Z e = hie + h fe + 1 RE (élevée.

114 .4.8. ● La présence éventuelle de condensateurs de “découplage”.3 Amplificateur à collecteur commun (CC) ou encore montage « émetteur suiveur » ■ Particularités des amplificateurs CC : ● Le transistor en mode actif ● Le signal d’entrée est appliqué (“injecté”) à la base du transisor ● La sortie est “prise” sur l’émetteur ● La borne du collecteur est commune à l’entrée et à la sortie ➪ ”Collecteur commun” ■ Les différences d’un amplificateur CC à l’autre sont : ● Le circuit de polarisation ● Les modes de couplages avec la source du signal et la charge.

vg 115 . C B vg isortie hypothèse: Mode actif E R2 RE vs RL Ze Analyse simplifiée (« 1ière approximation ») : Mode actif ↔ VBE ≅ 0.7V → VE = VB − 0.Exemple: VCC R1 ➪ Polarisation par diviseur de tension C ➪ Couplage “capacitif” avec la source. et la charge RL. vg.7V → vs = vE ≅ vB = v g v → Av = s ≈ 1 L’émetteur “suit” la base.

■ Analyse dynamique : transistor ientrée ib B C hie hfeib R1//R2 iL E vg RE vs RL Ze RE RE  kT  ● Gain en tension en circuit ouvert : Av = ≅ ≅1  RE >> r f =  RE + hie RE + r f  I E h fe + 1 rE ● Gain en tension sur charge : Av = ≅ 1 avec rE = RE // RL L rE + r f [ ( ● Impédance d’entrée : Z e = rB // hie + h fe + 1 rE >> 1 ) ] vs iL RL Z Ze ● Gain en courant : Ai = = = AvL e ≈ >> 1 ientrée vg RL RL Ze 116 .

● Impédance de sortie hie ib is v hfeib vs Zs = s rB RE is v = 0 vs g [ ( )] vs = RE ⋅ is − h fe + 1 ib   ( )hvs   → vs = RE ⋅ is + h fe + 1 vs = − hie ⋅ ib   ie  hie RE RE hie h fe + 1 hiehie ! Zs = = = RE // ≈ = rf ( hie + RE h fe + 1 ) hie + RE h fe +1 h fe h fe + 1 117 .

118 .● Dynamique de sortie VCC droite de charge dynamique : pente 1/rE Ic R1 droite de charge statique C C B Q(repos) V − VCE I C = CC isortie RE vg E VE = VCC − VCE R2 RE vs rE I CQ VCE RL VEmax ≈ VCC -0.2V VEmin ≈ 0 V ➪ Point de repos optimal : VCEQ ≈ rE I CQ ☛ Le point optimal dépend de la charge.

L’amplicateur CC en résumé : Av ≅ 1 Z e = R1 // R2 //( hie + h fe rE ) ≅ h fe RE peut être de l’ordre de quelques 100kΩ Rg + hie Rg + hie Z s = RE // ≈ inférieure à quelques dizaines d ’Ohms h fe + 1 h fe RL i Z Av L = Av ≈ Av Ai = L = Av L e >> 1 ≈ hfe si RE constitue la charge RL + Z s ie RL (i = i et i ≈ i ) L c e b Intérêts du montage : Faible impédance de sortie Impédance d ’entrée élevée Applications : « Etage . exemple : 1 Amplificateur de puissance (cf plus loin) 119 .tampon » ! Isolement d ’une source à haute impédance de sortie d ’une charge à basse impédance.

4.8.4 Amplificateur à base commune (BC)

■ Particularités des amplificateurs BC :

● Le transistor en mode actif

● Le signal d’entrée est appliqué (“injecté”) à l’émetteur du transisor

● La sortie est “prise” sur le collecteur

● La borne de la base est commune à l’entrée et à la sortie ➪ ”Base commune”

VCC

RC hfeib
E C
R1
RL rc
RE hie
ib B

R2 RE vg

120

hfeib
■ Propriétés :
E C

ve RE rc
hie
h fe rc
● Gain en tension : Av L = ib B
hie

Ze Zs
h fe
● Gain en courant : Ai = ≈1
hie
+ h fe + 1
RE

hie h kT
● Impédance d’entrée : Z e = RE // ≈ ie ≈ r f = quelques Ω.
h fe + 1 h fe + 1 I CQ

● Impédance de sortie : Z s = "∞" (hoe = 0) −1
sinon Z s = hoe comportement en source
de courant

121

Exemple d’application : convertisseur courant - tension

quadripôle équivalent à l’étage BC
R
is
ie
vg
Ze Ai ie RL
Zs

vg vg
ie = ≈ ⇒ vs = RL ⋅ is ≈ RL ⋅ Ai ⋅ ie
R + Ze R tant que RL <<Zs.

~indépendant de Ze tension de sortie ∝ courant d’entrée

☛ Lorsque vg = 0, (ie=0), la sortie est “vue par la charge” comme une résistance très grande (hoe-1)
(cf. charge active)

122

avec r = R1 // R2 // Z e + Rg ZE diminue le gain 2π rC (voir ampli stabilisé) Ze = impédance d ’entrée de l ’étage 1 Fréquence de coupure inférieure du f co = { montage = max f ci . Limitation à basse fréquence ↔ condensateurs de liaison et de découplage Limitation à haute fréquence ↔ capacités internes au transistor Basse fréquence C et Ce ≠ court circuit +VCC filtres passe-haut RC Rg C ib C R1 hie hfeib RG dynamique R1 // R2 RC RL RL vg RE CE R2 RE Z E = RE // C E ≠ 0 1 fci = .4. f co } 2π (RL + RC )C 123 .8.5 Influence de la fréquence du signal ☛ On se limitera au montage EC pour illustrer l’influence de la fréquence du signal sur les performances d’un amplificateur à transistor bipolaire.

Cbe court-circuite la jonction base-émetteur → ib diminue Cbc crée une contre-réaction.Hautes fréquences Rg ib Cbc hie hfeib Rc // RL R1 // R2 Cbe qualitativement: aux fréquences élevées. avec 1 f ch ≅    h fe 2π Cbe + Cbc 1 + [ RL  hie // Rg // R1 / 2 ]   hie  124 . On montre que : Comportement en filtre passe-bas.

6 Couplage entre étages ■ Objectif Coupler plusieurs “étages” pour améliorer les propriétés du circuit. couplage capacitif) 125 .faible distorsion .8.impédance d’entrée élevée . dispersion) .C en entrée ● Zs faible ↔ étage C. Exemple : Amplificateur avec .impédance de sortie faible Solution possible : ● stabilité et faible distorsion ↔ EC stabilisé (RE) ● gain élevé ↔ plusieurs étages en cascades ● Ze élevée ↔ étage C...gain en tension élevé .C en sortie Difficultés du couplage : ◆ Polarisation de chaque étage ◆ Gain sur charge : chaque étage “charge” l’étage précédent ◆ Réponse en fréquence de l’ensemble (cf.4.bonne stabilité (thermique.

C.CC +VCC R1 RC R1 R1 CL CL CL CL ventrée charge RE R2 RE R2 R2 RE’ CE C.■ Couplage capacitif ☛ Utilisation de condensateurs de liaison. C.C. E. etc. 126 .C. CL Exemple: amplificateur à trois étages CC .EC . ➪ Les points de fonctionnement des 3 étages sont indépendants (en statique CL = circuit ouvert) (dans l’hypothèse où la résistance interne de Vcc négligeable…) ➪ Les paramètres dynamiques (gains.C. impédances) ne sont pas indépendants ➥ ex: l’impédance d’entrée du 3ième étage (= charge de l’étage E.) détermine le gain sur charge du 2ième étage.

C >> Z s EC → AvL ≠ étages ≅ Av Rc h feT2 AvCC ≈ 1 → AvL montage ≈ Av E.C. × AvL 3 ét.C = − hieT2 127 loin) Inconvénient: les condensateurs imposent une fréquence de coupure basse au montage (cf. plus . E. +VCC R1 RC R1 R1 CL CL T1 T2 T3 CL CL ventrée charge RE R2 RE R2 R2 RE ’ CE C.C.C >> Z s CC et Z eC. ier ier ier AvL montage = AvL 1 ét. comme Z e E. C.C. × AvL 2 ét.

“Darlington” AvL ≈ -40 = gain en circuit ouvert (2. 30V Un exemple : 24k hfe ~100 5k 27k T4 T3 vs T2 2.4k T1 680 vg Av ≈ -10 AvL ~1 2 suiveurs E.C.■Couplage direct ➪ Pas de fréquence de coupure basse ➪ Les circuits de polarisation des différents étages ne sont pas indépendants.C.4k x hfe>> 27k) ➪ Amplificateur de tension stabilisé : Av = AvEC #1 × AvEC #2 ≈ AvEC #1 × AvEC #2 L L T T T [ ] ➪ Ze élevée : Z e ≈ h fe1 Z eT2 ≈ h fe1 h fe2 ⋅ 5000 = 50 MΩ ➪ Zs ≈ 24 kΩ 128 . E.

7 mA et I E1 = ⇒ VC 4 ≈ 6V hFET2 129 .3V ⇒ I C4 ≈ I E4 ≈ 1mA → VCE4 ≈ 3.7V T2 I E3 2.4V → T2 en mode actif T T T → VE 3 ≈ 0.7V ⇒ I C3 ≈ I E3 ≈ 1mA T → VCE3 ≈ 2.7V T 0.4k → T1 en mode actif T1 680 vg T → VCE2 = −1.3V → T3 en mode actif T T T T → VE 4 ≈ 2.● Analyse statique : VCC= 30V 24k ☛ VCC polarise en directe les deux jonctions EB de T1 et T2 5k 27k (transistors PNP) 3V T4 ☛ En statique.7V T3 T1 vs → VCE = −0. vg = 0 0.6V → T4 en mode actif I E2 T I E 2 ≅ 5.

Autre exemple : amplificateur à « alimentation fractionnée » (tension positive et négative) 30V 20k 27k 24k T3 200k T2 5.4k E.C.4 5.C.C.1 2 130 . le gain total est approximativement égal au produit des gains individuels : 27 24 20 1 Av = Avétage #1 ⋅ Avétage # 2 ⋅ Avétage #3 ⋅ Pont diviseur ≅ − ⋅ = −60 10 2.7 ☛ Les impédances d’entrée des transistors T2 et T3 . et celle du pont diviseur étant très élevées devant les résistances de sortie de chaque étage. Av ≈ 2.1k 200k VSortie T1 vg 2. Av ≈ -4 -10V E. 10k Av ≈ -10 E.

3 2.3 ≈ 1mA.7 T1 : I E = = 1mA.4 T3 : I E = 5.1 131 .3k -10V Statique : 10 − 0. VC = 6V 9.7 3 − 0.● Analyse statique : 30V 20k 10V 27k 24k 6V 200k T3 3V T2 1mA 5. VC = 3V T2 : I E = ≈ 1mA.4k 1mA 9.1k 200k VSortie T1 1mA vg 2. VC = 10V Vs=0V 5.

■ Couplage par transformateur : condensateur d ’accord: le circuit résonnant. LC. limite la étage EC transmission aux fréquences proches de la fréquence de résonnace    Av = − Z c   r f   condensateur de découplage (masse en alternatif) (EC) polarisation par diviseur de tension transmission du signal d’un étage à l ’autre par le transformateur Application majeure: essentiellement en radiofréquences (>500kHz) exemple: syntonisation d ’une station radiophonique ou d ’un canal de télévision 132 .

4.8.7 Amplificateurs de puissance
■ Impédance de sortie et amplicateur de puissance

Puissance moyenne fournie par l’amplificateur :
Zs
2
 RL 
iL  vs 
vL 2  RL + Z s  RL ⋅ vs 2
vs RL P = vL (t ) ⋅ iL (t ) = = =
2(RL + Z s )2
vL 2 RL 2 RL
charge

1
cos 2 ωt = , vL = amplitude du signal
2
étage de sortie dP 2
v
d’un amplificateur Puissance maximale: ⇔ = 0 L → RL = Z s → Pmax = s
dRL 8 ⋅ Zs
(“adaptation” d’impédance)

☛ Pour vs constant, Pmax augmente quand Zs diminue
A.N. vs=1V : Zs=10kΩ → Pmax=0.012mW | Zs=10Ω → Pmax=12mW

Rg Etage CC
gain en puissance en conditions
Zs d’adaptation d’impédance avec et
vg Ze vg charge sans étage amplificateur = Zs /Rg
133

■ Amplificateur de Darlington
➪ Amplificateur comprenant deux étages émetteur-suiveur montés en cascade

Vcc ● Gain en tension :
“Darlington” ☛ L’impédance d’entrée de T1 est très élevée et ne
“charge” pas beaucoup T2
R1
→ Av ≅ 1
T2
R2 T1
vg
vs ● Impédance d’entrée du Darlington :
RE ☛ L’impédance d’entrée élevée de T1 constitue la
résistance d’émetteur (RE) de T2

T1: hfe1 T2:hfe2 → Z e ≈ h fe2 ⋅ Z eT1 ≈ h fe2 ⋅ h fe1 ⋅ RE >> 1

● Gain en courant :

T T T T T
iE1 iE1 ib1
iE1 iE2
Ai = = = = h fe1 ⋅ h fe2
T2 T1 T2 T1 T2
ib ib ib ib ib
134

● Impédance de sortie du Darlington :

hieT2
+ hieT1
Vcc Z sT2 + hieT1 h fe hieT2
→ Zs ≈ ≈ 2 ≈2
h fe h fe1 h fe1 h fe2
1
R1

T2 T1 kT ⋅ h fe1 kT hieT2
puisque hie = = =
R2 I E T1 e ⋅ I E1 e ⋅ I E2 h fe2
vg 2

I E1 vs
I E1
RE I E2 = I B1 =
hFE1

h
Etage CC unique : Z s = ie
h fe

Pmax (étage CC avec Darlington ) >> Pmax (simple étage CC )
135

➪ Utilisé fréquemment pour les applications d ’isolement entre étages (Ze très élevée. Il se comporte comme un seul transistor à gain en courant extrêmement élevé. ➪ Darlington = “supertransistor” bipolaire…. (ex: 2N2785: hfe=2000-20000. nommé transistor Darlington.) ➪ Existe aussi avec des transistors PNP. Zs très faible) ➪ Utilisé fréquemment comme étage de sortie des amplificateurs de puissance (Zs très faible) 136 . ➪ Existe sous forme de composant discret à trois bornes.

■ Amplificateur Push-Pull
● Amplificateur classe A / classe B
☛ Dans les montages amplificateur vus précédemment, les transistors sont à chaque
instant en mode actif
➨ Amplificateur de “classe A”
Avantages:
➤ faible distorsion (en cas d’amplificateur stabilisé)
➤simplicité
Inconvénients :
➤ Amplitude de sortie limitée (typ: 0.2<VCE<Vcc ! vCEmax~Vcc/2)
➤ Importante consommation en absence du signal : courants de polarisation non nuls

+VCC

R1 RC
(
Palimentation ≅ Vcc ⋅ I CQ + I p )
Ip I CQ
ex: Vcc = 15V, IC=1mA, Ip = 0.1mA => P ~ 15mW
R2
RE en absence de signal…

Amplificateur classe B: transistor bloqué en absence de signal d’entrée. (ex: Push-Pull)
Avantages: Inconvénients :
➤ faible consommation, dynamique de sortie élevée ➤ Distorsion du signal 137

● Push Pull
Principe de fonctionnement
Exemple :
● Transistors bloqués au point de repos
(amplificateur « classe B »).

+Vcc R1 et R2 sont telles que (lorsque vg=0) on a

R1 ICNPN
VBE NPN < ~ 0.6 et VEB PNP < ~ 0.6V
B
NPN
↔ Transistors bloqués (de justesse): IB~0 =>IC~0
R2
NPN PNP
P VCE + VEC = VCC NPN VCC PNP
~1.2V VCE ≈ ≈ VEC
vg
R2
ICNPN ≅ ICPNP Q 2 Q
RL
vsortie
B’ PNP ICNPN ICPNP
R1 ICPNP VP

IB~0 IB~0
IC VCENPN

0 NPN PNP VCC VCEPNP
VCE VCE
-VCC Q Q 0 138

émetteur suiveur ● En présence d’un signal d’entrée chaque transistor
est alternativement actif ou bloqué (! « Push-Pull »)
+Vcc
R1 ➪ Si v g>0 → NPN actif, PNP bloqué
R1 i
B b
NPN
hie hfe ib = étage C.C
R2 vg>0 R1
vsortie
P
~1.2V RL
vg
R2 RL
vsortie
B’ PNP h
(
Av ≅ 1, Zs = ie , Ze = R1 // hie + h fe RL
h fe
)
R1

Droite de charge dynamique
v
IC ic = − CE droite de charge statique
☛ Il n’y a pas de courant dynamique dans RL VCEQ ~VCC/2
les deux résistances R2 , puisque VBB est
constante. ➪ Amplitude max : VCC/2

IB=0
VCC/2 VCE
➪ si vg<0 → NPN bloqué, PNP actif … 139

Formation du signal de sortie IC IC vg ib NPN ≅ NPN PNP h feRL VCE VEC t ibPNP Signal de sortie: vsortie NPN actif t PNP actif ☛ Plus grand domaine de fonctionnement 140 .

les deux transistors seront bloquées pendant une fraction du cycle.Difficultés de cet exemple ● positionnement du point de repos VBEQ trop faible IC ICsat t t VCE transistors bloqués ➨ Distorsion de croisement : Si VBE trop faible au repos. ● Risque d’emballement thermique (pas de contre-réaction) 141 .

Polarisation par diodes Point de repos +Vcc choix de R1 : ID ~0 R1 comme VD =Vbe →IE ~ID ~0 NPN ☛ Idéalement D1. D2 = diodes de D1 caractéristiques appariés aux transistors ID 2 ⋅ V BE Stabilité thermique vg D2 RL ID(VD) et IE (VBE) même dépendance en température PNP vsortie T ↑ ⇒ I D ↑⇒ VD ↓ ⇒ VR1 ↓⇒ I D ↓ . R1 contre-réaction I D ≅ I E ≅ constant Remarques: ● L ’amplificateur Push-Pull existe aussi avec des paires de Darlington ➤ Zs plus faible → puissance maximale supérieure 142 .

V.8.7 + 2 RE I E B V − 0.7 I E ≅ EE 2 RE ➪ Tension continue en sortie : Vs = VCC − Rc I E 143 . +Vcc ➪ Sortie = collecteur d ’un transistor Rc Rc hypothèse : T1 et T2 appariés (circuit intégré) Vs RB T1 T2 ■ Régime statique : (V− = V+ = 0 ) E RB V+ IE IE V− ➪ Par symétrie : IE1=IE2=IE RE 2IE -VEE ➪ Pour RB <<hfeRE : VR = RB I B << 2 RE I E → VEE ≈ 0.4.8 Amplificateur différentiel ➪ Deux signaux d’entrée. V+.

■ Régime dynamique: +Vcc ● Mode différentiel: Rc Rc hyp: V+ = −V− =" ve " Vs → I E1 = I E + ie 1 et I E2 = I E − ie RB 2 T1 T2 avec IE la composante continue du courant émetteur. ➪ E constitue une masse dynamique ! d ’où le « gain en mode différentiel » : Rc Rc v Rc h fe vs Ad = s = >> 1 ve hie RB E RB ve − ve ☛ V+ = entrée non-inverseuse ☛ V. V+ E RB V− Pour de signaux d’entrée de faible amplitude : ie ≅ ie RE 1 2 Par conséquent : I RE = I E1 + I E2 = 2 I E -VEE ➪ Le courant dans RE n’a pas changé. et la tension en E reste constante.= entrée inverseuse étage EC Rc h fe Rc h fe vs = − (− ve ) = ve 144 hie hie .

● Mode commun: +Vcc hyp: V+ = V− = ve → I E1 = I E + ie Rc Rc et I E2 = I E + ie Vs ⇒ I RE = I E1 + I E2 = 2(I E + ie ) RB T1 T2 ⇒ VE = 2 RE ⋅ (I E + ie ) = 2 RE I E + 2 RE ie V+ E RB V− RE ➪La tension en E équivaut à celle d’un étage unique ayant une résistance d ’émetteur double. D ’où le -VEE schéma équivalent : Rc Rc vs Rc RB RB vs ≅ − ve 2 RE E E’ ve ve d’où le «gain en mode commun »: 2RE 2RE Rc Ac = − << 1 pour RE >> RC 2 RE 2 étages EC stabilisés indépendants 145 .

différentielle = étage d’entrée des Amplificateur opérationnel. ↔ Impédance d’entrée et CMRR très élevés 146 . par le principe de superposition : vs = Ad vmd + Ac vmc = Ad  vmd − mc   CMRR  Ad 2h fe RE où CMMR = = = « taux de réjection en mode commun » Ac hie (common mode rejection ratio) ☛ Intérêts de l’amplificateur différentiel : Entrées en couplage direct (seule vmd est amplifiée) ➪ Ampli.● Signaux d’entrée quelconques : On peut toujours écrire : V + V− V+ − V− V+ = + + = Vmc + Vmd 2 2 V + V− V+ − V− V− = + − = Vmc − Vmd 2 2 V + V− V − V− avec Vmc = + et Vmd = + 2 2  v  D’où.

7 → I EE ≅ I E3 ≅ cc R 147 . RB V+ V− IEE ☛ il suffit que RE soit élevée en régime dynamique ! R ➪ Solution = source de courant (↔ R.T3) T3 D IE3 hyp: D et T3 = appariés -VEE V + VEE − 0.D.● Polarisation par miroir de courant 2h fe RE Il faut CMRR = >> 1 hie +Vcc Choisir RE très élevée pose plusieurs problèmes: ➪ nécessite une augmentation de l’alimentation Rc Rc pour maintenir Ic (donc le gain) constant Vs ➪ incompatible avec la technologie des circuits RB T1 T2 intégrés.

148 . ➪ En dynamique.Schéma équivalent: en dynamique +Vcc Vs vs IEE hoe-1 hoe-1 -VEE ➪ hoe-1 (effet Early de T3) est de l’ordre de quelques 100kΩ. hoe-1 joue le même rôle que RE et augmente considérablement CMRR.

Transistors à effet de champ ou FET (field effect transistor) VGS 5. ID VGS ● Le phénomène physique est non linéaire ➪ Aux faibles valeurs de VDS : caractéristique ID (VDS) VGS ’ quasi-linéaire.1 Introduction ■ Principe de base grille source G FET = Source de courant commandée en tension drain S ID ● Le courant (ID) circule entre la source S et drain D via D le “canal”: canal (N) $ canal N : ID >0 de D vers S avec VDS > 0 $ canal P : ID >0 de S vers D avec VSD > 0 ● IG ≈ 0 VDS ● La conductivité électrique du canal semiconducteur est modulée par une effet du champ électrique induit par la tension VGS entre la grille G et la source S. 5. de pente modulée par VGS ☛~résistance variable VDS ➪ Aux valeurs de VDS plus élevées : régime de ~résistance chute de tension dans le canal agit saturation modulée par sur la conductivité ☛ ~source de courant commandée par VGS VGS → saturation de ID 149 (= mode actif) .

■ Différents types de FET ● JFET : FET à jonction : La grille et le canal forme une jonction PN Symboles : S D S D G G JFET à canal P JFET à canal N JFET à canal P : Mode de fonctionnement habituel : VGS >0 => la jonction Grille/Source est polarisée en inverse => la zone conductrice du canal rétrécit (apparition d’une « zone déplétée de porteurs ») => ID diminue lorsque VGS augmente ➨ Le courant de grille est très faible : courant inverse d’une diode (~nA) JFET à canal N : Mode de fonctionnement habituel : VGS < 0 => ID diminue lorsque VGS augmente en valeur absolue 150 .

Caractéristique d’un JFET (N): [VGS <0. VDS>0]   2 VDS = VGS + VP ID (mA) VGS=0 I D ≅ I DSS 1 − GS  V  VGS  16 I DSS  off  12 transistor bloqué 8 VGS=-1V 4 0 VGS(V) -2 -1. VGSoff >0.5 -1 -0. VGS. Pour VGSoff < VGS < 0 : ID = sature lorsque VDS =VP +VGS où VP = tension de pincement du canal avec VP ≅ −VGS off 2   I D ≅ I DSS 1 − GS  V Dans la zone de saturation on a:  VGS   off  151 ☛ JFET(P): VDS.. VP <0.5 2V 4 6 8 VDS (V) P VGSoff Pour VGS ≤ VGSoff : ID = 0 ! le canal est totalement déplété. Transistor bloqué ↔VGS >VGSoff .

constant) augmente 152 .● MOSFET (Métal Oxide Semiconducteur – FET) à appauvrissement (ou à “déplétion”) Symboles : canal N D canal P D G G NMOS S PMOS S La grille est séparée du canal par un isolant (l’oxide de Si) ! IG=0 Elle forme un condensateur avec le canal. Le canal est conducteur lorsque VGS = 0 MOSFET (N): le semiconducteur est de « type N » ! les électrons sont mobiles ⇒VGS < 0 ! charge positive dans le canal ! appauvrissement de porteurs libres ⇒ conductivité du canal diminue ! ID (à VDS>0. constant) diminue ⇒ VGS >0 ! charge négative dans le canal ! accumulation d’électrons libres ⇒ conductivité du canal augmente ! ID (à VDS>0.

Caractéristique d’un MOSFET (N) : VDS = VGS + VP I DS (VGS )V I DS (VDS )V DS GS ID ID VGS> 0 I DSS VGS=0 appauvrissement accumulation VGS< 0 VGS VGSoff 2 VDS   I D ≅ I DSS  1 − GS  V  V GS off    153 .

MOSFET (P): VGS <VS (tension seuil) => apparition de trous sous la grille. Cet « enrichissement » local en trous forme le canal.● MOSFET à “enrichissement” : symboles : MOSFET : canal N / canal P ☛ d’autres symboles existent ☛ la ligne pointillée indique que le canal est inexistant tant que VGS < Vseuil ◆ Idem MOSFET à appauvrissement sauf que pour VGS=0 le canal n’est pas conducteur !« MOS normalement bloqué » MOSFET (N): VGS >VS (tension seuil) => apparition d’électrons sous la grille. 154 . Cet « enrichissement » local en électrons forme le canal.

VGS(V) Vs VDS (V) ID V = α (VGS − Vs )2 DS 155 .Caractéristique d’un MOSFET (N) à enrichissement : ID ID .

souvent inférieure à 0.2 Modes de fonctionnement et schémas équivalents ■ Mode “résistance variable” : VDS = VGS + VP ID Q VDS G D = RDS S résistance fonction de VGS 1 Pour VGS > VP . et VDS <VGS +VP :RDS ≅ avec k = constante  V  k ⋅ (VGS + VP ) − DS  dépendant du composant  2  ☛ Condition: VDS suffisamment faible (<VGS+VP ).05Ω − 10 kΩ ( ) RDS off = RDS VGS < VGS off (canal N) > MΩ 156 . ☛ Dans ces conditions.5V. JFET: “RDS(on)” = RDS pour VGS ≈ 0 MOSFET enrichissement: “RDS(on)” = RDS pour VGS élevée (~10V). 5. Source et Drain peuvent être inversés. ordre de grandeur: RDS on = 0.

5 -1 -0.■ Mode “source de courant commandée” ou mode “actif” : ID Pour VDS > VGS + VP .5 VGSoff S tient compte de l’augmentation de vds avec id (équivalent de l’effet Early) ☛ caractéristique ID(VGS) non-linéaire : gm (VDS) 157 . ID est commandée par VGS Q ≠ VGS 2   I D ≅ I DSS 1 − GS  V  VGS   off  VDS ID est commandé par VGS id = g m v gs avec g m = ∂ I D =“transconductance” ∂ VGS V ID (mA) DS 16 12 ➪ schéma linéaire équivalent: Q 8 G id D 4 v gs g m v gs vds 0 ρ VGS(V) -2 -1.

avec g = 2 I DSS V  VGS  mo = pente pour VGS=0  off  V GS off ☛ gm varie linéairement avec VGS .JFET et MOSFET à déplétion   g m = g mo 1 − GS .1 − 1kΩ ) 158 . avec g mo = 2α ( Ordre de grandeur : gm=1 . MOSFET à enrichissement g m = g mo (VGS − Vs ).10 mA/V (mS ou mmho) g m −1 = 0.

3 Quelques circuits de polarisation ➪ Objectif : fixer le point de fonctionnement au repos ■ Polarisation automatique par résistance de source: +VDD RD 1 ID ID V − VDS ID = − VGS I D = DD ID RS R D + RS IG ≈ 0 G D S RG ID Q ≠ VGS Q Q’ RS Q’ VGS VP VDS VGSQ VDSQ Dipersion de fabrication 2   I D ≅ I DSS 1 − GS V    VGS    off   ➪ ID . VDS . VGS .5. V  I D = − GS  159 RS  .

■ Polarisation par pont diviseur +VDD ID V −V RD I D = th GS RS R1 Q Q’ Vth D RS S VGS R2 RS VGSQ Vth ☛ meilleure stabilité du point de repos (du point de vu ID) 160 .

■ Polarisation par réaction de drain (MOSFET à enrichissement) +VDD V − VDS I G ≈ 0 → VGS = VDS I D = DD RD RD RG ID ID Q D . VGS ↑ S VGS(V) VDS (V) VDD I G ≅ 0 → VGS = VDS 161 .

4 Montages amplificateurs ■ Amplificateur source commune Exemple : VCC ● hypothèse: Mode actif . C très élevées RD JFET R1R2 R1 R// = C C vg vgs R1 + R2 D vs RD vs R// gmvgs S vg R2 RS C Ze Zs ➪ Gain en tension (circuit ouvert) : Av = − g m RD ➪Impédance d’entrée : Z e = R// ➪Impédance de sortie : Z S = RD ☛ gm = fonction de VGS → distorsion “quadratique” 162 .5.

Stabilisation par une résistance de source : VCC JFET R1 RD vg vgs gmvgs RD D R// vs S vs vg R2 rS rS RS Gain en tension : v g = v gs + rs g m v gs et vs = − g m v gs RD v g R RD d’où : Av = s = − m D = − vg 1 + rs g m 1 + rs gm ☛ L’influence de gm sur le gain est réduite si rs>>1/gm. Le gain en tension est plus faible. ☛ rs introduit une contre-réaction: v gs = v g + rs vs (vs et vg en opposition de phase. Av <0) 163 .

c g m Rs + 1 Rs + g m −1 164 .■ Amplificateur drain commun ve G JFET D VCC R1 vg vGS R1//R2 gmvGS D S vg S R2 RS vs RS vs Ze Zs g m RS RS ➪ Gain en tension (circuit ouvert) : Av = = ≈1 1 + g m RS g m −1 + RS ➪Impédance d’entrée : Z e = R1 // R2 vsc.o. Rs g m −1 = Rs // g m −1 Rs ➪Impédance de sortie : Zs = = = isc.

165 . avec une transconductance qui varie linéairement avec la tension grille . les FET ont un domaine de linéarité réduite (caractéristique quadratique) et un gain en tension plus faible. le MOSFET à déplétion peut aussi fonctionner en régime d ’accumulation (VGS positive ou négative.leur point de repos : le JFET ne peut fonctionner qu’en déplétion (VGS>0 pour canal N).leur impédance d’entrée (plus élevée pour un MOSFET que pour un JFET) .Remarques: Tout FET se comporte comme une source de courant commandée en tension. Les différents FET se distinguent par . Par contre l’impédance d’entrée est beaucoup plus grande. D’où leur utilisation fréquente en tant que interrupteur.source. Pour des raisons de taille. les MOSFET sont particulièrement bien adaptés aux circuits intégrés. quelque soit le type du canal) le MOSFET à enrichissement ne fonctionne que régime d ’inversion (VGS>Vs) En comparaison avec le transistor bipolaire.

5. commandé par Vcom ☛ En choississant R >> RDS on .5 FET comme résistances variables : quelques exemples avec un JFET(N) 1 ☛ Pour VGS > VGSoff et VDS <VGS +VP : RDS ≅  V  k ⋅ (VGS + VP ) − DS   2  ex: R vsortie RDS → vsortie = ventrée ventrée RDS + R = atténuateur variable. vsortie varie entre ~0 et ventrée Vcom ☛ Imperfection: RDS dépend de VDS → réponse non-linéaire 166 .

Amélioration possible: 1 RDS ≅  V  k ⋅ (VGS + VP ) − DS   2  R vsortie ventrée R1 → VGS = VDS Vcom + (I G ≈ 0) 2 2 1 R1 → RDS ≈ Vcom k (Vcom + VP ) ➩ Linéarité presque parfaite 167 .

en parallèle à RDS 100k Rc 5k ➪ Av = − =− hie hie Vcom RE + RDS (Vcom ) + 100k h fe h fe 168 . elle correspond à une 1µF résistance très grande. la source de courant fixe IC 1mA ➪ En dynamique.Application: Commande électronique de gain Etage EC avec rE =RDS (//200k) exemple: 15V 5k 75k 1µF signal de sortie signal d’entrée 50k ➪ En statique.

vs B ? A → vs = ve 1 + AB !Rétroaction positive : l’action de la sortie sur l’entrée renforce la variation du signal de sortie ex: A>0.6. Contre-réaction et amplificateur opérationnel ■ Circuit bouclé et rétroaction !Circuit bouclé : ve e A vs La sortie agit sur l’entrée vs = A ⋅ e = A(ve − B ⋅ vs ) B. B < 0 vs ↑→ Bvs ↓→ e ↑→ vs ↑ L (sans déphasage) ➪ la sortie diverge !les composants sortent du domaine linéaire ➥ par exemple : transistor sature A vs = ve comportement non-linéaire ! A.B modifiés 1 + AB ☛ Montage transistor avec rétroaction positive: transistor en saturé/bloqué 169 .

B >0 (sans déphasage) vs ↑→ Bvs ↑→ e ↓→ vs ↓ L A ➪ la sortie converge vers : vs = ve = G ⋅ ve 1 + AB • G = gain en boucle fermée : • G<A 1 • Si AB >>1 . G ≈ ⇒la variation ou toute incertitude sur A n’affecte pas G.vs B ex: A>0. B ⇒ Amélioration de la linéarité ☛ B = “taux de réinjection” 170 .!Rétroaction négative ou « contre-réaction » : ve e A vs L’action de la sortie sur l’entrée atténue la variation du signal de sortie B.

Exemple: VCC ic R1 RC hie i e hfeib CB E CC vg Rc vs RL RE ie ve vs R2R E [vs ↑⇔ i ↑] → ic = ie ↓ → vE = RE ie ↓ → e ↑ → ib ↑ → ic ↑ → vs ↓ RE ! contre-réaction  v  R Rc ! 1 vE = RE ie ≅ RE  − s  = − E vs = B ⋅ vs ⇒ Av ≅ − =  Rc  Rc RE B e = v g − B ⋅ vs indépendant de hie et hfe! 171 .

et même charge RL // ZeB vr = B ⋅ vs rL A= Av ≈ Av si Ri << rL = RL // Z eB rL + Ri !Court-circuit virtuel : vs ve vi = = << ve pour AB>>1 A 1 + AB v vi → 0 pour A → +∞ avec ie = i ≈ 0 = court-circuit “virtuel”. à cette variation. puisque i~0 Ze “Explication qualitative ”: si vi “tentait” d’augmenter. vs A L→ G = = ve 1 + AB retour: !A= Gain en “boucle ouverte” : vr B Ze B = vs/vi avec boucle de réaction ouverte. l’augmentation importante de vs (A fois plus élevée… ) s’opposera. 172 . via B.parallèle” (contre réaction en tension): ➩ Entrée en série avec le circuit de ie rétroaction Av.vi Ri ➩ Sortie en parallèle avec B ve vi Ze vs RL !Gain en “boucle fermé”: Ampli.■ Montage “Série .

F. laquelle s’oppose à la diminution de vs… ➨ l’impédance de sortie est réduite (0 si A→∞) ☛ L’impédance de sortie est diminuée par la rétroaction 173 .F . une diminution de RL fera chuter la tension vs.=“boucle fermée” ☛ L’impédance d’entrée est augmentée par la rétroaction : Qualitativement : la contre-réaction maintient vi proche de 0 ➩ ie≈0 ↔ ZeB.F. ➪ la diminution de vs induit.. via la contre-réaction. ≈+∞ !Impédance de sortie Qualitativement : ➪ En présence de l’impédance de sortie ZsB. = e= i = = Z e (1 + A ⋅ B ) >> Z e Ze ie ie ie vr B ☛ B.F.vi v v + B ⋅ vs vi (1 + AB ) ve vi vs RL Ze B. une augmentation de vi . ie !Impédance d’entrée Ri Av.

<< Ri 2 1 + Av B Conclusion ☛ Si A →∞ : Gain stable.106.vi ve vs RL v (R = +∞ ) Lorsque RL = Z s B. Zs nulle !! ➥ utilisation d’un amplificateur opérationnel (A~104 . Ri très faible.F on a vs (RL ) = s L 2 vr B Ze B Zs A(RL ) vs (RL ) = RL A(RL ) = B B ve avec Av et ri = Ri // Z E ≈ Ri si Z E >> Ri 1 + A(RL )⋅ B RL + ri Av → vs = ve ri + (1 + Av B ) RL v (R = ∞ ) ri ⇒ vs = s L ↔ RL = = Z s B. Ri Calcul de ZsB. Ze très élevée) 174 .F . linéarité parfaite.F: vi Av. Ze infinie.

■ Amplificateur opérationnel Architecture d’un amplificateur opérationnel: + Amplificateur Etage Ajustement Emetteur amplificateur composante suiveur sortie . hfe >>1) et RC élevée ↔ charge active Ajustement DC pas de composante continue en sortie Emetteur suiveur impédance de sortie faible Configuration Push-Pull : domaine de linéarité 175 .. augmente le gain total (Av>>1) Etage amplificateur ex: montage émetteur commun avec transistor composite (Darlington. Darlington) continue amplification de v+-v. MOSFET...différentiel (EC. (gain élevé en « mode différentiel ») Amplificateur atténuation de v+ + v− (gain <<1 en « mode commun ») différentiel 2 Ze élevée ↔ Darlington.

12V Paire différentielle avec “Darlington” sources (mirroirs) de courant EC Darlington Push-Pull 176 . ● Le schéma simplifié (!) du LM741 : 1.

AO parfait) VCC R vi A.● Exemples de circuits avec rétroaction négative : Sources de courant VCC ➪ Par contre-réaction : vi≈0 R Vcc − Ve R1 ➪ I sortie ≅ (hyp: hFE élevé .O. Ve (à l’effet Early près) Isortie VEE R2 charge ☛ tension de commande = Vcc-Ve Version avec tensionde commande Vcc reférencée par rapport à la masse : R3 R1 Ve Isortie R1 L → I sortie = Ve R2 R3 R2 177 . ☛ Isortie ≈ indépendant de la charge.

→ V+ = V− → V A = 5.4 augmenterait ➩ VA augmenterait A 741 B I1 10 max I sortie < Z s Darlington 5.6V 178 .3k ➩ Vs= VB -1.6V avec radiateur entrée sortie : 10V 12V à 30V (régulé) 0 à 10 A → I1 = 1mA → Vsortie = 10V (non régulée) ☛ Si VA diminuait →V+>V- Darlington ➩ VB augmenterait 10k 4.6k DZ:5.Régulateur transistor Contre réaction : de puissance (ex: 2N3055).

Ad=105 → vd = 100µV ~ court-circuit entre les deux entrées ➪ L’entrée inverseur constitue une « masse virtuelle » ↔ v-= 0 avec i-=0 ! 179 . avec vs = Ad vd R2 R1 R 1 A →∞ R → vs = −vi 2 d → − vi 2 R1  R  1 R1 1 + 1 + 2   R1  Ad d’où le gain en tension du montage : v R Av = s = − 2 = indépendant de Ad !!.■ ANNEXE: Rappel de quelques montages de base avec A. vi R1 (à condition que Ad >>1+R2/R1) ☛ vd=vs/Ad << vi ex : vs= 10V. ie’= 0 et i2 = (− vd ) − vs v − (− vd ) = i1 = i . i2 R2 Amplificateur inverseur i1 R1 ie - vd Ad + vi ie ’ vs A.O. idéal → ie . ne dépend que des éléments passifs.O.

si vd ↓.O. i2 R2 Amplificateur non.inverseur i1 R1 ie - vd Ad + ie ’ vs vi v −v −v v R2 A. idéal → ie. vs = Ad vd ↓↓ ( Ad >> 1) ⇒ v− ↓ ⇒ vd = −v− ↑ rapidement à 0 Symbolisme d’automatisme: vd vs vs = Ad (vi − Bvs ) ⇒ s = v Ad vi . Ad vi 1 + Ad B v- B vs 1 R2 R1 Pour Ad>>B-1. vs = Ad vd ↑↑ ( Ad >> 1) ⇒ v− ↑ ⇒ vd = −v− ↓ vd se stabilise par contre. = =1+ avec B= vi B R1 R1 + R2 180 . ie’= 0 et Ad infini vd = 0 i1 = i2 = i s = i → s =1+ R2 R1 vi R1 Interprétation: Contre-réaction en tension si vd ↑.

idéal : Vs = 0 lorsque Vd=0. des transistors d’entrée de l’amplificateur différentiel.= I+ = 0 Imperfections de l ’A.O.en raison de la dispersion. même faible. En absence de signaux à l’entrée : V+ − V− = Vd o (Vdo=différence des tensions VBE des 2 transistors) Schéma équivalent : Vd o + I+ vd Ze Zs ..O. I+ = courants de polarisation (courant de base) des transistors + I+ I. réel : I- - I.≠ I+ ≠ 0 → Vs ≠ 0 même en absence de signaux d’entrée. V+ ≠ V. I.● Influence des imperfections de l ’AO: courants et tension d’offset A. Ad vd Vsoffset I- 181 .

Exemple : amplificateur inverseur ou non-inverseur : (schémas identiques en absence de signaux d’entrée) Hypothèse : Vdo= 0mV.1V I+ Vs ☛ Vsoffset est d ’autant plus élevée que R2 est grande. I-=I+=100nA I R1 + I R2 = I − Circuit sans compensation : En première approximation: pour Ad suffisamment élevé.Méthode de compensation : ☛ Pour maintenir Vsoffset faible on cherche à ce que les résistances vues des deux entrées soient identiques.  Ad  . vd ≈0 (masse virtuelle) I R2 R2 (1MΩ) VR1 = 0 ⇒ I R1 = 0  V  V− = − s ~ 0  R1(100k Ω) I. 182 . d ’où I R2 ≈ I − I R1 vd Ad + et Vs offset = R2 I − = 0.

on garde vd =V+-V. ✎ lorsque I+≠ I-.Circuit avec compensation : Méthode de compensation : insertion d’une résistance appropriée entre la masse et l’entrée non-inverseur R2 lorsque Vs = 0. on aurait : Vs offset = − I offset R2 + Vd o 1 + 2   R1  :-(( :-)) 183 .≈ I+ . V− = − I − ⋅ (R1 // R2 ) = − I − ⋅ " R// " R1 I- - Ad En prenant R+ = R// on aura : V+ = − I + R// vd + R+ I+ Vs En conséquence si I. il faudrait choisir I+R+= I-R//  R  ☛ Si Vdo ≠ 0 et I+-I-=Ioffset.= 0 et Vs=0.