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UNION P-N

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http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/4.L a_ley_de_Shockley/Applet4.html http://webpersonal.uma.es/~ECASILARI/Docencia/Applets/Ap plet3/DiodoConmutaApplet.html

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Se denomina unin PN a la estructura fundamental de los componentes electrnicos comnmente denominados semiconductores, principalmente diodos y transistores BJT. Est formada por la unin metalrgica de dos cristales, generalmente de Silicio (Si), aunque tambin se fabrican de Germanio (Ge), de naturalezas P y N segn su composicin a nivel atmico. Estos tipos de cristal se obtienen al dopar cristales de metal puro intencionadamente con impurezas, normalmente con algn otro metal o compuesto qumico.

Polarizacin directa de la unin P - N En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial, permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo polarizado directamente conduce la electricidad. Se produce cuando se conecta el polo positivo de la pila a la parte P de la unin P - N y la negativa a la N. En estas condiciones podemos observar que:

El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que estos electrones se dirigen hacia la unin p-n. El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n. Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n. Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atrado por el polo positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.

De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica constante hasta el final. Polarizacin inversa de la unin P - N En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin:

El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n, los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1, con lo que se convierten en iones positivos. El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio, tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos. Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.

En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada corriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del diodo, tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual que la corriente inversa de saturacin, la corriente superficial de fugas es despreciable. LA LEY DE SHOCKLEY

Un diodo Shockley es un dispositivo de dos terminales que tiene dos estados estables: OFF o de alta impedancia y ON o baja impedancia. No se debe confundir con el diodo de barrera Schottky. Est formado por cuatro capas de semiconductor tipo n y p, dispuestas alternadamente. Es un tipo de tiristor . La caracterstica

V-I se muestra en la figura. La regin I es la regin de alta impedancia(OFF) y la III, la regin de baja impedancia. Para pasar del estado OFF al ON, se aumenta la tensin en el diodo hasta alcanzar Vs, tensin de conmutacin. La impedancia del diodo desciende bruscamente, haciendo que la corriente que lo atraviese se incremente y disminuya la tensin, hasta alcanzar un nuevo equilibrio en la regin III (Punto B). Para volver al estado OFF, se disminuye la corriente hasta Ih, corriente de mantenimiento. Ahora el diodo aumenta su impedancia, reduciendo, todava ms la corriente, mientras aumenta la tensin en sus terminales, cruzando la regin II, hasta que alcanza el nuevo equilibrio en la regin I (Punto A).

DESCRIPCIN DE LA LEY DESHOCKLEY

Es la representacin de la evolucin de la corriente en un diodo PN en funcin de la polarizacin, el dopaje, el tipo de semiconductor y la temperatura.

Teniendo recombinacin, corrientes y parmetros a la vez

Teniendo, corrientes y parmetros a la vez

Teniendo solo parmetros Teniendo Recombinacin y parmetros a la vez

CAPACIDAD DEL DIODO CONMUTACIONA medida que la tensin de polarizacin inversa aumenta, la carga almacenada en la zonade carga espacial tambin aumenta. La carga en la zona espacial es similar a la cargaalmacenada en un condensador de placas paralelas. Cj: capacidad de transicin. Cdif: capacidad de difusin.DESCRIPCIN DE LA CONMUTACIN DE UN DIODOSe simula la conmutacin de un diodo, pudiendo cambiar la tensin aplicada en susbornas de positiva a negativa y viceversa Para ello se dispone del esquema de un circuitocon dos fuentes de tensin (una positiva y otra negativa) y un conmutador, un circuito depolarizacin (que incluye una resistencia) y un diodo de unin.Observamos que el grfico de conmutacin al hacer clic el usuario en el comandoparmetros circuitos, nos muestra una ventana donde podemos modificar la tensininversa y directa del circuitos.

La primera grfica representa la tensin seleccionada en el circuito

la segunda la corriente que circula por el diodo

La tercera la carga acumulada en las zonas neutras del diodo (aplicando la aproximacinde diodo Asimtrico, y la ltima grfica es la tensin que cae en bornas del diodo. Estacuatro grficas se van actualizando en el tiempo y se irn desplazando hacia la derechaconforme avance el tiempo

En la parte superior de la derecha del programa aparecen las ecuaciones que rigen elcomportamiento del diodo en el experimento que se simula. Se muestran las ecuacionesliterales para la carga del diodo, latensin en bornas del diodo y para losperfiles de los minoritarios en elnodo y al ctodo. Justo debajo decada una de estas ecuaciones semuestran las mismas perosustituyendo cada variable por al valor actual que tiene en la simulacin.

Para modificar los parmetros del diodo se debe presionar el botn del panel superior "Parmetros Diodo". Cuando se hace se despliega una nueva ventana donde se podrn modificar los parmetros: las concentraciones de impurezas del nodo y el ctodo, los tiempos medios de vida de los minoritarios, las contantes de difusin de los huecos y electrones, el rea de la unin, la tensin de disrupcin y la capacidad media equivalente de la unin para inversa. Tras introducir los nuevos valores es necesario pulsar el botn "Aceptar" de la ventana de los parmetros del circuito para que tengan efecto los cambios.

En el panel inferior aparecen ocho botones que permiten configurar la apariencia de lazona de las funciones temporales y la simulacin temporal del applet. Los cuatro botones de la izquierda permiten ocultar o mostrar cada una de las grficas de las funciones. As se podr ocultar alguna de ellas si no se est interesado en ella en algn momento para centrarse en la evolucin y caractersticas de otras. Los cuatro botones de la derecha permiten variar la velocidad de simulacin. Con dos de ellos se puede acelerar o frenar la simulacin y con los otros dos se puede detener y avanzar paso a paso. El botn de siguiente paso slo estar activo cuando la simulacin est pausada.