Tema 1: Principios Bsicos de Semiconductores

PRINCIPIOS BASICOS DE SEMICONDUCTORES PRINCIPIOS BASICOS DE SEMICONDUCTORES

1.8. TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO FET (TRANSISTOR EFECTO DE CAMPO) 1.8.1. INTRODUCCIN o FET: o Dispositivo: Unipolar. Controlado por tensin. 1.8.2. TIPOS DE FET o JFET: Transistor de efecto de campo de unin. o MOSFET: Transistor efecto de campo metal-xido-semiconductor. o Terminales: Fuente o Surtidor (S). Drenaje o Drenador (D). Puerta (G). o Analogas FET-BJT: S E. G B. D C. Ojo, la polarizacin no es la misma! 1.8.2.1. JFET o Teniendo en cuenta el dopado de la barra de silicio: JFET de canal n (nJFET). JFET de canal p (pJFET). S, D : tipo p. pJFET G : tipo n.

Adoracin Hermoso Fernndez

Tema 1: Principios Bsicos de Semiconductores o Simbologa :

D D

S, D : tipo n. nJFET G : tipo p.

G S

G S

nJFET Curvas caractersticas nJFET:

pJFET

Vp (VGS2 < VGS) Vp o VSS: tensin de estrangulamiento ISS: corriente de estrangulamiento. SATURACIN: ID deja de crecer y se hace constante a IDSS (estrangulamiento). ID solo depende de VGS. El transistor se comporta como una fuente de corriente dependiente de VGS. REGIN LINEAL (HMICA): IDS crece proporcionalmente a VDS para la misma VGS. El transistor es una resistencia variable dependiente de VGS. CORTE: No existe corriente de drenador (IDS = 0).

pFET voltajes y corrientes de signo contrario

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Tema 1: Principios Bsicos de Semiconductores FUNCIONAMIENTO nJFET

Zonas de deflexin G D S VGS + + VDS VGS + G P

D IDS P Canal N S + VDS

VGS = 0 o Se crea zona de deplexin (ausente de carga). o VDS directa. o VDS zona de deplexin . o VDS < Vp nJFET = pequea resistencia CONDUCCIN. o VDS = Vp las dos zonas de deplexin se unen o dejan de crecer (ID = IDSS) SATURACIN. VDS fija, variando VGS o VGS ms negativa (diodo G-S: inversamente) zona de deplexin estrechamiento del canal en las proximidades de S resistencia del canal aumenta ID . o VGS menos negativa zona de deplexin ensanchamiento del canal resistencia del canal ID .

Polarizacin inversa al BJT pJFET o Se invierten polaridades de VDS y VGS. o En curvas VGS es positiva. `

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Tema 1: Principios Bsicos de Semiconductores 1.8.2.2. MOSFET

o No se forma unin semiconductora entre canal y puerta. o Puerta separada del canal mediante una capa de SiO2 (metal-xidosemiconductor). o El xido es aislante IG prcticamente nula, mucho menor que en los JFET. los MOS se emplean para tratar seales de muy baja potencia. o Existe un cuarto terminal llamado sustrato (B). o Prestaciones similares a las del JFET. o Existen dos tipos de Mosfet: Empobrecimiento. Enriquecimiento. o En ambos tipos Mosfet: canal p y canal n. 1.8.2.2.1. MOSFET DE EMPOBRECIMIENTO o Sin tensin en la puerta (G) existe canal de conduccin. FUNCIONAMIENTO nMOS

SiO2 G VGS

D IDS P Canal N S B + VDS

VGS = 0 o IDS circula libremente. VGS negativa (polarizacion inversa) o IBG acta como barrera e IDS = 0. o VGS ms negativa IBG IDS. VGS positiva (polarizacion directa) o Camino libre para poder circular IDS. Adoracin Hermoso Fernndez

Tema 1: Principios Bsicos de Semiconductores o Simbologa:

D B G S G S D B

nMOS

pMOS

1.8.2.2.2. MOSFET DE ENRIQUECIMIENTO o Para existencia de canal de conduccin hay que aplicar tensin en la puerta. o nMOS: sustrato (B) tipo p en el que se han difundido dos regiones (D, S) tipo n. nMOS
S G D

n Sustrato P

o pMOS: sustrato (B) tipo n en el que se han difundido dos regiones (D, S) tipo p.

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Tema 1: Principios Bsicos de Semiconductores FUNCIONAMIENTO nMOS

VGS + S n G IDS Sustrato P B n D VDS +

o VGS provoca la existencia o no de canal de conduccin entre D y S. o VDS proporciona la corriente IDS. VGS = 0 o G = S = B = 0 IDS = 0. VGS positiva y mayor que VT o VT: tensin umbral. o Inyeccin de electrones en B, recombinndose con los huecos existentes en dicha zona. o Los electrones libres se aglutinan en las proximidades de SiO2 creacin canal de conduccin entre D y S (Inversin superficial) IDS en funcin de VDS. o A medida que VGS ms positiva anchura de canal mayor.

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Curvas de transferencia

I DS (mA)

I DS (mA)

4 3 2 1

-4 -3 -2 -1

-4

VT

4 NMOS

12

VGS (V)

-VT

-4 PMOS

-8

-12

VGS (V)

VGS IDS nMOS: pMOS: VGS < VT VGS > VT ____________ CORTADO

Destruccin de transistor. VGS > VT. VT: positiva

VGS < VT. VT: negativa ______________ CONDUCCIN

pMOS voltajes y corrientes de signo contrario.

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nMOS

I DS

VGS

VDS

VT = 0,40V

nMOS (Saturacin): VDS VGS - VT

V DS = 0,80 0,40 = 0,40V V DS = 1,20 0,40 = 0,80V

( A) (B )

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pMOS

I DS

VGS

V DS

VT = 0,4V

pMOS (Saturacin): VDS VGS - VT

VDS = 1,00 ( 0,40) = 0,60V VDS = 1,20 ( 0,40) = 0,80V

( A) (B )

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Tema 1: Principios Bsicos de Semiconductores o Simbologa:

D B G S G S D B

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G S

G D

nMOS

pMOS

o Aplicaciones:

PRINCIPALES VENTAJAS Impedancia de entrada alta y de salida baja Bajo ruido Baja capacidad de entrada Control por voltaje Capacidad pequea de acoplamiento Pequeo tamao

USOS Adaptador de impedancias, buffer aislador o separador. Sintonizadores de FM, equipo para comunicaciones Instrumentos de medicin, equipos de prueba Amplificadores operacionales, rganos electrnicos, controles de tono Audfonos para sordera, transductores inductivos Integracin en gran escala, computadores, memorias

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1.9. TRANSISTORES MOSFET DE SIMETRA COMPLEMENTARIA (CMOS) o Compuesto por nMOS y pMOS de enriquecimiento.

S2 B2 n NMOS Sustrato P G2 D2 n

D D1 p

G G1

S1 B1 p

PMOS

Sustrato N

o Circuito equivalente.

S1

G1 S G

PMOS D NMOS G D

G2 S2

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