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ECOLE POLY TECHNIQUE UNIVER SITAIRE DE MON TPELLIER

Dép artement Electroniqu e, Robotique & Informatiq ue Industrielle

3 èm

e Année

ANNE E 2010-2011

Initiation aux Circuits Intégrés Analogiques CMOS

Support de c ours et textes de TD

Pascal Noue t, nouet@lirmm.fr

http://www.lirmm.fr/~nouet /homepage/lecture_ressources.html

http://www.lirmm.fr/~nouet /homepage/lecture_ressources.html ECOLE POLYTECHNIQUE UNIVE RSITAIRE DE MONTPELLIER UNIVERSITE

ECOLE POLYTECHNIQUE UNIVE RSITAIRE DE MONTPELLIER

UNIVERSITE MONTPELLIER II SCIENCE S ET TECHNIQUES DU LANGUEDOC Place Eugène Bataillon 34095 MONTPELLIER CEDEX 5

Tél. : 04 67 14 31 60 –

Fax : 04 67 14 45 14

E-mail : scola@polyte ch.univ-montp2.fr

34095 MONTPELLIER CEDEX 5 Tél. : 04 67 14 31 60 – Fax : 04 67

Cours CIA - ERII3 - Chapitre I

01/02/2011

Contexte

Contexte • PCB = carte électronique, circuit imprimé – Assemblage de composants individuels (fabriqués, triés,

• PCB = carte électronique, circuit imprimé

– Assemblage de composants individuels (fabriqués, triés, testés)

– R, L, C, Transistors Bipolaires, Circuits Intégrés Standards, Circuits Intégrés Spécifiques

– On peut réparer une carte (pas toujours vrai)

– On utilise majoritairement des transistors bipolaires

• ASIC = Application Specific Integrated Circuits

• SOC = System On Chip

– Assemblage et fabrication des composants en même temps

• Transistors MOS complémentaires CMOS

• Quelques R et C – des blocs entiers réutilisés (hiérarchie)

– Coûts récurrents énormes Grands volumes, grand nombre de fonction

– On ne peut pas réparer un Circuit Intégré !!! (presque vrai)

• La conception doit-être robuste aux impondérables inévitables

pas réparer un Circuit Intégré !!! (presque vrai) • La conception doit-être robuste aux impondérables inévitables

Polytech’Montpellier Département Electronique, Robotique & Informatique Industrielle 3 ème Année

Initiation aux Circuits Intégrés Analogiques CMOS

Chapitre I – Le transistor MOS : un générateur de courant contrôlé en tension

Pascal Nouet – 2010/2011

nouet@lirmm.fr

I – Le transistor MOS : un générateur de courant contrôlé en tension Pascal Nouet –
Le transistor MOS : Condition de conduction • MOST à canal N • MOST à
Le transistor MOS : Condition de
conduction
• MOST à canal N
• MOST à canal P
V dd
V dd
V g > V =0 > 0
V
V g < V dd +V tp
g
tn
P+
N+
N+
N+
P+
P+
Puits N
Substrat P
0
V tp <
Je me souviens :
> V
– Condition de conduction du MOS :
V gs
t
– V tn et V tp sont différents

Objectifs du cours

Objectifs du cours • Comprendre les bases indispensables pour la conception de circuits intégrés analogiques –

• Comprendre les bases indispensables pour la conception de circuits intégrés analogiques

– Les transistors MOS N et P en régime de saturation

– La polarisation et le dimensionnement

– Le comportement petit-signal

– Les structures élémentaires

• Miroirs et sources de courant

• Amplificateurs et charges actives

• Montages en cascade ou cascode

• Evaluation des connaissances

– Dimensionner et polariser une petite structure par rapport à un cahier des charges

– Déterminer ses performances à l’aide d’une étude petit- signal

Plan du chapitre

Plan du chapitre • Rappels de physique du composant – Régimes de conduction pour l’analogique –

• Rappels de physique du composant

– Régimes de conduction pour l’analogique

– Symboles et représentations

– Modèles en grand signal

• Etages de polarisation élémentaires

• Modèles petit-signal

• Sensibilité à V dd des structures de polarisation

Le transistor MOS : Condition de saturation • MOST à canal N • MOST à
Le transistor MOS : Condition de
saturation
• MOST à canal N
• MOST à canal P
V dd
V d < V dd +V gs -V tp
V ds > V gs -V tn
V g > V tn > 0
V g < V dd +V tp
P+
N+
N+
N+
P+
P+
Puits N
Substrat P
V ch = V eff = V gs -V tn
V ch = -V eff = V gs -V tp
Je me souviens :
– Tension effective de grille :
V
=
V
V
=
V
eff
gs
tn
gs
V tp
> V
– Tension de saturation du MOS :
V ds
eff

Cours CIA - ERII3 - Chapitre I

01/02/2011

Symbole

Symbole • Le transistor MOS à canal N Grille, G V dd Drain, D Source, S

• Le transistor MOS à canal N

Grille, G

V dd

Symbole • Le transistor MOS à canal N Grille, G V dd Drain, D Source, S

Drain, D

Source, S

Le transistor MOS à canal P

V dd

Grille, G

Source, S • Le transistor MOS à canal P V dd Grille, G Source, S Drain,

Source, S

Drain, D

Je me souviens : – Il existe d’autres symboles tout aussi autorisés – Le drain
Je me souviens :
– Il existe d’autres symboles tout aussi autorisés
– Le drain et la source sont définis par la polarisation et donc
le sens de conduction peut s’inverser
– Le transistor MOS a quatre terminaisons électriques

Prise en compte de la résistance de sortie

Prise en compte de la résistance de sortie I ds (A) I ds / V ds
I ds (A) I ds / V ds = 0,61 µA/V I dsat = 122,5
I ds (A)
I ds / V ds = 0,61 µA/V
I dsat = 122,5 µA
µ C
W
2
n
ox
I
=
[
1
+
(
V
-V
)]
ds
V eff
n
ds
eff
2
L
µ C
W
2
ox
= n
I dsat
V eff
2
L
I ds
V ds
3
1
=
5.10
V
n
I dsat
V gs = 1,5 V
V eff = 1 V
NMOS W=20µm et L=10µm
V ds (V)
Polarisation du transistor MOS en régime de saturation • Polarisation par tension de grille et
Polarisation du transistor MOS
en régime de saturation
• Polarisation par tension de grille et résistance
V dd
⇒ V
V G
V dd
eff
◊I
+
R p
R p
V t
W
dsat
V eff
>V
choix I
eff
dsat
D
G
L
G
D
R
I
⇒ V
( >
V
)
>V
p
dsat
ds
eff
eff
V
+V
R p
R
◊I
p
dsat
eff
t
⇒ V
D
choix de
V
et de
I
V dd
V dd
eff
dsat
R
◊I
R p
p
dsat
G >V
W ⇒ V
eff
S
V
+V
S L
eff
t
S
+
V
V eff
t
⇒ R
I
et
V
>V
p
dsat
ds
◊I
G
R p
eff
R p
dsat

Modèle simple du transistor MOS en régime de saturation

Modèle simple du transistor MOS en régime de saturation • Le transistor MOS à canal N
• Le transistor MOS à canal N G D V gs > V tn V
• Le transistor MOS à canal N
G
D
V gs > V tn
V ds > V eff
S
S
Le transistor MOS à canal P S S V gs < V tp < 0
Le transistor MOS à canal P
S
S
V gs < V tp < 0
V ds < -V eff < 0
G
D

• Conduction si

V gs

>

V

t

Saturation si

I dsat

µC

= ox

2

W

2

V

eff

=

V gs

V

t

V

L eff

 

avec

!!! V < !!! eff V gs
!!!
V
<
!!!
eff
V gs
Je me souviens : – La valeur du générateur de courant – Le générateur de
Je me souviens :
– La valeur du générateur de courant
– Le générateur de courant n’est pas idéal
– µ n et µ p sont différents

V ds

> V

eff

Plan du chapitre

Plan du chapitre • Rappels de physique du composant • Etages de polarisation élémentaires – Polarisation

• Rappels de physique du composant

• Etages de polarisation élémentaires

– Polarisation par résistance

– Polarisation en courant

– Structures auto-polarisées

• Modèles petit-signal

• Sensibilité à V dd des structures de polarisation

Polarisation du transistor MOS en régime de saturation • Polarisation par source de courant et
Polarisation du transistor MOS
en régime de saturation
• Polarisation par source de courant et tension de grille
V dd
I
, V
(choix de V
)
V dd
p
G
eff
G
I
>V
p
W
eff
+V
V eff
t
S
S
V
+
V t
eff
I
G
p
V
⇒ V
V dd
V dd
G
eff
V
+
V
eff
t
>V
W
I
eff
p
I
; V
G
p
eff
D
L
D
G
I
⇒ V
p
ds min
+V
V eff
t

V

S

;
L

Cours CIA - ERII3 - Chapitre I

01/02/2011

Polarisation du transistor MOS en régime de saturation

Polarisation du transistor MOS en régime de saturation • V eff Auto-polarisation V dd V eff

V eff

Auto-polarisation V dd V eff R D +V t
Auto-polarisation
V dd
V
eff
R
D
+V
t
V dd R D 1 1 +V V eff t D 2 2 +V V
V dd
R
D 1
1 +V
V eff
t
D 2
2 +V
V eff
t

V dd

V + V eff 1 t D 1,2 V +V D eff 2 t 3
V
+
V
eff 1
t
D
1,2
V
+V
D
eff
2
t
3
V
+V
eff
3
t
V dd + V V eff 1 t D +V V eff 2 t W
V dd
+
V
V eff 1
t
D
+V
V eff
2
t
W
et I
, R
dsat ⇒
L

V dd

+ V t D R Choix de V eff
+
V
t
D
R
Choix de V
eff
Je n’oublie pas : – V eff , W/L et I dsat sont liés entre
Je n’oublie pas :
– V eff , W/L et I dsat sont liés entre eux
– De vérifier la cohérence finale (V ds > V eff )
– Les potentiels des nœuds internes sont compris
entre le potentiel le plus haut et le potentiel le
plus bas
Modèle petit-signal du transistor MOS en régime de saturation • Transistor à canal N G
Modèle petit-signal du transistor
MOS en régime de saturation
• Transistor à canal N
G
D
µ C
W
n
ox
I
=
2 [ 1
+
(
V
-V
)]
ds
V eff
n
ds
eff
2
L
S
S
◊ I
• Effet d’une petite variation de V gs
dsat
= 2
g m
V
∂ I
∂ I
W
eff
ds
dsat
=
µ C
V
=
g
n
ox
L eff
m
∂ V
∂ V
W
gs
eff
g
=
2µ C
I
m
n
ox
dsat
L
• Effet d’une petite variation de V ds
v g
v d
∂ I
1
ds
=
=
=
. I
g ds
n
dsat
g m .v gs
∂ V
r ds
v gs
ds
r ds
v s

Modèle petit-signal du transistor MOS en régime de saturation

petit-signal du transistor MOS en régime de saturation • Cas particulier : transistor auto-polarisé D V
• Cas particulier : transistor auto-polarisé D V +V eff tn S v d i
• Cas particulier : transistor auto-polarisé
D
V
+V
eff
tn
S
v d
i ds
v g
g m .v gs
v gs
r ds
v gs
v ds
v s
v g
v ds
i
=
+
g
v
g
v
ds
m
ds
m
ds

r ds

S V + V eff tp D v s g m .v gs r ds
S
V
+
V
eff
tp
D
v s
g m .v gs
r ds
v d
i ds
v
i ds
d
1/g m
V ds

v s

v ds

Plan du chapitre

Plan du chapitre • Rappels de physique du composant • Etages de polarisation élémentaires • Modèles

• Rappels de physique du composant

• Etages de polarisation élémentaires

• Modèles petit-signal

– NMOS en régime statique
– PMOS en régime statique
– Cas particulier du transistor auto-polarisé

• Sensibilité à V dd des structures de polarisation

Modèle petit-signal du transistor MOS en régime de saturation

petit-signal du transistor MOS en régime de saturation • Transistor à canal P S S G
• Transistor à canal P S S G D
• Transistor à canal P
S
S
G
D

I ds

µ

= p

C

ox

W

V eff

2 [ 1

+

p (

V ds

- V

) ]

2

L

eff

◊ I dsat = 2 g m V eff V = g eff m W
◊ I
dsat
= 2
g m
V
eff
V
=
g
eff
m
W
g
=
2µ C
m
p
ox
I dsat
L
v s
g m .v gs
v gs
r ds
v g
v d

• Effet d’une petite variation de V gs

ds

V

gs

dsat

V

eff

=

µ C

p

ox

L

• Effet d’une petite variation de V ds

I

1

I

I

W

ds

V

ds

=

g ds

=

r ds

=

p

. I

dsat

MOS en régime de saturation :

 
MOS en régime de saturation :  

aide-mémoire

 

• Modèle fort-signal

 

I

ds

=

µC

2

ox

W

L

V

eff

2

[

1

+

(

V

ds

- V

eff

)

]

 

G

D I ds S
D
I
ds
S
 

S

S

G

S I ds D
S
I
ds
D

avec

V

eff

=

V

gs

V

t

 
 

NMOS

PMOS

• Modèle petit-signal

 

=

W

V

 

=

2.

I

dsat

 

v

g

g m .v gs r ds
g m .v gs
r ds

v

d

g m .v gs r ds
g m .v gs
r ds

v

s

g

m

µC

ox

L

eff

V

     

eff

 

v

gs

 

v

gs

 

1

 

v

s

v

g

v

d

r

ds

=

I

 

NMOS

PMOS

 

dsat

 

Cours CIA - ERII3 - Chapitre I

01/02/2011

Plan du chapitre

Plan du chapitre • Rappels de physique du composant • Etages de polarisation élémentaires • Modèles

• Rappels de physique du composant

• Etages de polarisation élémentaires

• Modèles petit-signal

• Sensibilité à V dd des structures auto-polarisées

– à base de transistor

– Polarisation par résistance

– Polarisation par source de courant

Stabilité des structures d’auto- polarisation

Stabilité des structures d’auto- polarisation V dd V V = R . I dd out p

V dd

V V = R . I dd out p p R p V out µ
V
V
=
R
. I
dd
out
p
p
R
p
V
out
µ C
W
ox
2
I
= n
p
V eff
2
L
W
L
∂ I
p
=?
∂ V
dd
v dd
∂ I
i
g
p
p
m
= =
R p
∂ V
v
1 + g
R
dd
dd
m
p
v out
∂ V
v
1
out
out
1
= =
g
∂ V
1 +
g
R
m
dd
v dd
m
p
W V ; I ⇒ R ; V ; out p p eff L µ
W
V
; I
⇒ R
;
V
;
out
p
p
eff
L
µ C
W
ox
(
) 2
I
= n
V
R I
V
p
dd
p
p
t
2
L
=100
µA
;
V
= 2,5
V
;
V
= 5
V
I p (µA)
I p
out
dd
200
180
160
140
120
100
80
Droite de charge (Vdd=5V)
60
Droite de charge (Vdd=6V)
40
Idsat(W/L=0,62)
20
Idsat(W/L=2)
0
0
1
2
3
4
V
(V)
5
out
Stabilité des structures d’auto- polarisation V out3 V out2 V out1 V dd V dd
Stabilité des structures d’auto-
polarisation
V
out3
V out2
V out1
V dd
V dd
V dd
I
R p
R g
p
V out1
V out 2
V out3
W
L
I out3
I out2
I out1

Stabilité des structures d’auto- polarisation

Stabilité des structures d’auto- polarisation V dd 2 . C = 100 µA V / ;
V dd 2 . C = 100 µA V / ; n ox V µ
V dd
2
.
C
=
100
µA V
/
;
n
ox
V
µ C
out
W
ox
(
I
= p
V
pp
dd
2
L
∂ I
p
=?
∂ V
dd
v dd
∂ I
i
g
g
p
= mp
p
mn
=
1
∂ V
v
+ g
g
dd
dd
g mn
mp
mp
v out
∂ V
v
g mp
out
out
1
= =
g
mn
∂ V
v
+ g
dd
dd
g mn
mp
2 . C = 40 µA V / ; V = 0,7 V V ;
2
.
C
=
40
µA V
/
;
V
=
0,7
V V
;
=
0,8
V
p
ox
tn
tp
) 2
µ C
W
n
ox
V
V
I
=
(
V
V
) 2
out
tp
pn
out
tn
2
L
=100
µA
;
V
= 2,5
V
;
V
= 5
V
I p
I p (µA)
out
dd
300
Ipn (W/L=0,62)
Ipp (W/L=1,73 ; Vdd=5V)
250
Ipp (W/L=1,73 ; Vdd=6V)
200
150
100
50
0
0
1
2
3
4
5
(V)
V out

Stabilité des structures d’auto- polarisation

Stabilité des structures d’auto- polarisation V dd µ C W n ox I = ( V

V dd

µ C W n ox I = ( V R I ds out g p
µ C
W
n
ox
I
=
(
V
R
I
ds
out
g
p
2
L
V out
V
V
dd
out
I
=
I
+
ds
p
R
g
v dd
∂ I
i
g
p
ds
m
= =
R g
∂ V
1 + g
R
dd
v dd
m
g
v out
∂ V
v
1
1 out
out
= =
g
∂ V
1 +
g
R
m
dd
v dd
m
g
2 V ) t W ∂ I ds V ; I ⇒ =? out ds
2
V
)
t
W
I
ds
V
;
I
=?
out
ds
L
V
dd
I (µA)
I
=100
µA
;
V
= 2,5
V
;
V
= 5
V
p
p
out
dd
160
140
120
100
80
60
In (W/L=0,62)
40
Ip+I(Rg) ; Rg=100k
Ip+I(Rg) ; Rg=1MOhm
20
Ip+I(Rg) ; Rg=100k ; Vdd=6V
0
0
1
2
3
4
5
V
(V)
out

Conclusion

Conclusion • Le transistor MOS utilisé en Analogique – Régime de fonctionnement saturé I d s

• Le transistor MOS utilisé en Analogique

– Régime de fonctionnement saturé I dsat =f(V gs )

• Amplificateur de transconductance

• Convertisseur tension-courant

• Résistance de sortie I ds =I dsat .f(V ds )

• Modèle petit-signal du MOS

– Source de courant : i ds =g m .v gs

– Résistance de sortie : g ds = .I dsat

v g v d g m .v gs r ds v gs v s
v g
v d
g m .v gs
r ds
v gs
v s

• Stabilité des points de polarisation

– Bonne lors d’une polarisation en courant

Etude des sources de courant CMOS

Cours CIA - ERII3 - Chapitre II

01/02/2011

Polytech’Montpellier Département Electronique, Robotique & Informatique Industrielle 3 ème Année

Initiation aux Circuits Intégrés Analogiques CMOS

Chapitre II – Les sources de courant

Pascal Nouet – 2010/2011

nouet@lirmm.fr

aux Circuits Intégrés Analogiques CMOS Chapitre II – Les sources de courant Pascal Nouet – 2010/2011

II - Les sources de courant

II - Les sources de courant • Les miroirs de courant élémentaires – Miroir de courant

• Les miroirs de courant élémentaires

– Miroir de courant simple

– Miroir de courant à source dégénérée

– Miroir de courant cascode

– Miroir de courant Wilson

– Autres miroirs de courant élémentaires

• Les sources de courant élémentaires

• Un aperçu des sources de courant avancées

Miroir de courant simple

Miroir de courant simple i S v I in gs2 I S 1/g m1 g m
i S v I in gs2 I S 1/g m1 g m .v gs2 r
i S
v
I in
gs2
I S
1/g m1
g m .v gs2
r ds2
v
s
T
T
1
2
Vs
• Dynamique de sortie (W/L fixé)
2
I
µ C
W
in
n
ox
V
=V
=
I
=
I
=
I
=
V
2 si
V
>
V
dsat
eff
S
in
dsat
L eff
S
dsat
µ C
W L
2
n
ox
• Analyse petit-signal
v
1
s
=
=
Effet d’une variation
de tension de sortie
r ds 2
i
s
I dsat

Introduction

Introduction • Qu’est-ce qu’une bonne source de courant ? • Un générateur délivrant un courant constant

• Qu’est-ce qu’une bonne source de courant ?

• Un générateur délivrant un courant constant quelque soit :

• La tension à ses bornes,

– Résistance de sortie élevée

– Dynamique de sortie élevée

• La tension d’alimentation,

• La température, …

• Source de courant & CIA

– Elément de base à tout montage

– Un étage de référence auto-polarisé et une ou plusieurs sorties obtenues par miroir de courant

Miroir de courant simple

Miroir de courant simple T I in I S T 1 2 Vs • Polarisation en

T

I in I S T 1 2 Vs
I in
I S
T
1
2
Vs

• Polarisation en fort signal calcul de W/L

– T 2 doit agir en source de courant

• Forte résistance de sortie – régime saturé

• Plage de fonctionnement : V ds ≥ X => V eff X

– T 1 est saturé (V gs = V ds )

• Courant de saturation :

• Technologie utilisée calcul de W/L minimum

I

dsat

=

µ C

n

ox

W

2 L

V

eff

2

=

I

in

W

L

2 I

in

µ C

n

ox

X

W L ≥ 2 I in µ C n ox X 2
W L ≥ 2 I in µ C n ox X 2

2

Miroir de courant simple :

caractérisation de R out

Miroir de courant simple : caractérisation de R o u t I ds (A) Effet de
I ds (A) Effet de I dsat I in I S 8,00E+01 5,00E-01 T 1
I ds (A)
Effet de I dsat
I in
I S
8,00E+01 5,00E-01
T 1
T 2
Vs
7,00E+01 4,50E-01
rds y
(Mohms)
= 0,0044x
4,00E-01
6,00E+01
3,50E-01
5,00E+01 3,00E-01
g
(
µA V
/
) =
1 (
V
1 )
I
(
µA
)
ds
dsat
(
M
)
4,00E+01 2,50E-01
r ds
3,00E+01 2,00E-01
gds (µA/V)
1,50E-01
Linéaire (gds (µA/V))
2,00E+01
1,00E-01
1,00E+01 5,00E-02
0,00E+00 0,00E+00
(µA)
0,00E+00 0,00E+00
2,00E+01 2,00E+01
4,00E+01 4,00E+01
6,00E+01 6,00E+01
8,00E+01 8,00E+01
I I
1,00E+02
1,00E+02
(µA)
ds
ds
V ds (V)

Cours CIA - ERII3 - Chapitre II

01/02/2011

Miroir de courant simple :

caractérisation de R out

Miroir de courant simple : caractérisation de R o u t I ds (A) Effet de
I ds (A) Effet de la longueur I in I S 1,40E+01 y = 0,093x
I ds (A)
Effet de la longueur
I in
I S
1,40E+01
y = 0,093x + 2,718
rds (Mohms)
T 1
T 2
Vs
1,20E+01
1,00E+01
8,00E+00
6,00E+00
4,00E+00
(
V
/
µm
)
L µm
(
)
V e
r
+ r
ds
0
2,00E+00
I
(
A
)
dsat
0,00E+00
0,00E+00
2,00E+01
4,00E+01
6,00E+01
8,00E+01
L (µm)
1,00E+02
V ds (V)

Résistance de sortie du miroir de courant

Résistance de sortie du miroir de courant • Influence de I d s a t –

• Influence de I dsat

– La résistance de sortie est divisée par 2 lorsque le courant double

T

• Influence des dimensions

I in I S T 1 2 Vs
I in
I S
T
1
2
Vs

– La résistance de sortie est multipliée par 2 lorsque la longueur du transistor double (à W/L constant)

• Modèles « concepteur » utilisés

– Travail à

Cas général r ds

 

V e

(

V

/

)

µm

(

)

L µm

+ r

0

r

ds

I

dsat

(

A

)

– L

longueur constante

i

v

s =

s

longueur constante i v s = s 1 r ds = ∂ I ∂ V ds

1

r

ds

=

I

V

ds

ds

longueur constante i v s = s 1 r ds = ∂ I ∂ V ds
longueur constante i v s = s 1 r ds = ∂ I ∂ V ds
longueur constante i v s = s 1 r ds = ∂ I ∂ V ds

V

(

1 )

I

dsat

(

A

)

Miroir de courant à source dégénérée

Miroir de courant à source dégénérée Effet de R s 25,0 rout (MOhms) 20,0 y =
Effet de R s 25,0 rout (MOhms) 20,0 y = 0,9914x + 3,4627 50µA I
Effet de R s
25,0
rout (MOhms)
20,0
y = 0,9914x + 3,4627
50µA
I S
15,0
T 1
T 2
10,0
R s
R s
5,0
0,0
0
5
10
15
20
Rs(k
25
)

Miroir de courant simple :

caractérisation de R out

Miroir de courant simple : caractérisation de R o u t I ds (A) Effet du
I ds (A) Effet du rapport de dimensions I in I S 4,5 T 1
I ds (A)
Effet du rapport de dimensions
I in
I S
4,5
T 1
T 2
4,0
rds (Mohms)
Vs
3,5
3,0
2,5
2,0
1,5
1,0
0,5
0,0
0
10
20
30
40
50
W/L
V ds (V)

Miroir de courant à source dégénérée

Miroir de courant à source dégénérée I in I S T T 1 2 R R
I in I S T T 1 2 R R s s
I in
I S
T
T
1
2
R
R
s
s

• T 2 doit être saturé

i S v g2 1/g m1 g m2 .v gs2 r ds2 v s v
i
S
v
g2
1/g m1
g m2 .v gs2
r ds2
v
s
v
s2
R
R
s
s

I

dsat

=

µ C

n

ox

W

V

2

=

I

in

V

> R I

+V

v

S

r ds

 

(

1+

g

 

R

s

)

2

L eff

 

S

S

in

eff

i

s

2

m

2

• Effet du 2 nd ordre (substrat)

v

i

S

s

r ds

2

[

1 +

(

g

m

2

+

g

s

)

R

s

]

Miroir de courant cascode

Miroir de courant cascode I in I S T 4 T 2 T 3 T 1
I in I S T 4 T 2
I in
I S
T 4
T 2

T 3

T 1

V S

i S v g4 1/g m3 r g m4 .v gs4 ds4 v s4 v
i
S
v
g4
1/g m3
r
g m4 .v gs4
ds4
v
s4
v
s
v
g2
1/g m1
r
g m2 .v gs2
ds2
v
s2

• T 2 et T 4 doivent être saturés

I d

1

= I

d

2

= I

d

3

= I

d

4

= I

in

I

dsat

=

µ C

n

ox

W

V

eff

2

=

I

in

V >V

+2 V

v S

g

r

r

2 L

 

S

tn

eff

i

S

m4 ds2 ds4

• Effet du 2 nd ordre (substrat)

v

S

(

 

+

 

)

 
 

g m4

g

s4

r

r

ds2 ds4

i

s

Cours CIA - ERII3 - Chapitre II

01/02/2011

Miroir de courant cascode

Miroir de courant cascode I ds (A) Effet de W/L 800 700 600 200µA I S
I ds (A) Effet de W/L 800 700 600 200µA I S 500 T 3
I ds (A)
Effet de W/L
800
700
600
200µA
I S
500
T 3
T 4
400
300
rout (MOhms)
T 1
T 2
200
100
0
1
10
W/L
100
V ds (V)

Miroir de courant Wilson

Miroir de courant Wilson I ds (A) 800 Effet de W/L 700 600 500 400 200µA
I ds (A) 800 Effet de W/L 700 600 500 400 200µA I S 300
I ds (A)
800
Effet de W/L
700
600
500
400
200µA
I S
300
rout (MOhms)
T 3
T 4
200
100
T 1
T 2
0
1
10
W/L
100
V ds (V)

Miroirs de courant PMOS

Miroirs de courant PMOS • Toutes les structures étudiées ont une version PMOS • Les caractéristiques

• Toutes les structures étudiées ont une version PMOS

• Les caractéristiques sont transposables facilement : V smax , r out V dd V
• Les caractéristiques sont transposables
facilement : V smax , r out
V dd
V dd
V dd
V dd
R S
R S
T 1
T 2
T 1
T 2
T 1
T 2
I S
T 1
T 2
T 3
T 4
T 3
T 4
I S
I in
I S
I S
I in
I in
I in
r
r
r
g
r r
out
ds
out
m
ds ds
Miroir de courant Wilson i x I in 1/g m3 r I S v g
Miroir de courant Wilson
i
x
I in
1/g m3
r
I S
v
g m4 .v gs4
ds4
gs4
v
T 3
T 4
x
g m1 .v gs1
v
1/g m2
r ds1
gs1
T 1
T 2
• T 1 et T 4 doivent être saturés
= I
= I
= I
= I
I d
1
d
2
d
3
d
4
in
µ C
W
v S
2
I
=
n
ox
V
=
I
V >V
+2 V
g
r
r
S
tn
eff
m4 ds1 ds4
dsat
eff
in
2 L
i
s
v
• Effet substrat
S (
+
g
)
r
r
g m4
s4
ds1 ds4
i
s
Comparaison des résistances de sortie R 1,00E+10 ( ) out Miroir simple SD1 1,00E+09 SD2
Comparaison des résistances de
sortie
R
1,00E+10
(
)
out
Miroir simple
SD1
1,00E+09
SD2
Cascode
1,00E+08
Wilson
1,00E+07
1,00E+06
1,00E+05
1,00E+04
1,00E+03
V (V)
0,00
0,50
1,00
1,50
2,00
2,50
3,00
3,50
S

Miroirs non-symétriques

Miroirs non-symétriques • Les transistors de la branche de sortie ont un W/L différent des transistors

• Les transistors de la branche de sortie ont un W/L différent des transistors de la branche de référence (en général X>1 pour amplifier le courant)

• Etant donné que les V eff des transistors sont identiques,

le courant de sortie est mis à l’échelle :

T

I in I S T 1 2 Vs 1 : X r r out ds
I in
I S
T
1
2
Vs
1
:
X
r
r
out
ds
I in I S T 3 T 4 Vs T 1 T 2 1 :
I in
I S
T 3
T 4
Vs
T 1
T 2
1
:
X
r
g
r r
out
m
ds ds
I X ◊I s in I in I S T T 3 4 Vs T
I
X ◊I
s
in
I in
I S
T
T 3
4
Vs
T
T 1
2
1
:
X
r
g
r r
out
m
ds ds

Cours CIA - ERII3 - Chapitre II

01/02/2011

Miroirs à plusieurs sorties

 
Miroirs à plusieurs sorties  

• On peut créer autant de sorties que nécessaire à partir d’une seule branche de référence.

 

• Les sorties peuvent fournir des courants différents

 

• Les résistances de sortie peuvent-être différentes

 
V S2 I V S2 S1 I in I S1 = nX W W =
V
S2
I
V
S2
S1
I in
I S1
= nX
W
W
= n
L
L
 

I

 

I

S2

 

I

S1

=

in

=

X

 

W

 

V

S2

 

V

> 2.V

V

L

= n

W

I

S2

= nX

I

in

V

S1

I

S1

S1

V

S2

eff

> 2.V

eff

+

+

tn

V

tn

I

S1

 

I

in

 

I

S2

 

L

W W = n L L W W = n L L
W
W
= n
L
L
W
W
= n
L
L

= nX

= n

2

=

=

X

W

 

r

out1

2

V

S1

>

V

eff

1

;

V

S2

>

V

eff

 

1

L

= n

V

eff

n

2

I

in

r

out1

n

I

in

; r

out2

 

n

X.I

in

r

out2

V

eff

n

2

X.I

in

Source de courant idéale vs. réelle

Source de courant idéale vs. réelle I S V dd R OUT I 0 V dd
I S V dd R OUT I 0 V dd V out Consommation ? I
I S
V dd
R OUT
I 0
V dd
V out
Consommation ?
I s
V min

V OUT

Polarisation par transistor

Polarisation par transistor • Source de courant NMOS V dd V dd V V dd dd

• Source de courant NMOS

V dd

V dd V V dd dd T p R p T p R p V
V dd
V
V
dd dd
T p
R p
T p
R p
V out > V eff
I bias
I bias
I out
I bias
I bias
I out
T 3
T 4
> V tn +2V eff
T 2
T 1
V 1
T 1
T 2
1
:
X
1
:
X
– Dynamique de sortie V eff

V dd

V dd T p R p I bias I bias I out T 3 T
V dd
T p
R p
I bias
I bias
I out
T 3
T 4
> V tn +2V eff
T 1
T 2
1
:
X

– Courant de sortie (I out ) W/L de T 2 (T 4 )

– X Courant de référence (I in ) W/L de T 1 (T 3 ), T p

II - Les sources de courant

II - Les sources de courant • Les miroirs de courant élémentaires • Les sources de

• Les miroirs de courant élémentaires

• Les sources de courant élémentaires

– Polarisation par résistance

– Polarisation par transistor

– Sensibilité à V dd

– Sensibilité à la T°

– Sources avec sortie à V dd

• Un aperçu des sources de courant avancées

Polarisation par résistance

Polarisation par résistance • Source de courant NMOS V dd V dd R p R p
• Source de courant NMOS V dd V dd R p R p V out
• Source de courant NMOS
V dd
V dd
R p
R p
V out > V eff
I bias
I out
I bias
I out
T 3
T 4
> V tn +2V eff
T 2
T 1
V 1
T 1
T 2
1
:
X
1
:
X
V dd R p I bias I out T 3 T 4 > V tn
V dd
R p
I bias
I out
T 3
T 4
> V tn +2V eff
T 1
T 2
1
:
X

– Dynamique de sortie V eff

– Courant de sortie (I out ) W/L de T 2 (T 4 )

– X Courant de référence (I in ) W/L de T 1 (T 3 ), R p

Etude de la sensibilité à V dd

Etude de la sensibilité à V d d I S V dd R OUT I 0
I S V dd R OUT I 0 V dd V out Consommation ? I
I S
V dd
R OUT
I 0
V dd
V out
Consommation ?
I s
V min
V out fixe

V OUT

Cours CIA - ERII3 - Chapitre II

01/02/2011

Polarisation par résistance

Polarisation par résistance V dd R p V out =2V (>V eff1 ) I bias I
V dd R p V out =2V (>V eff1 ) I bias I out T
V dd
R p
V out =2V (>V eff1 )
I bias
I out
T 2
T 1
V 1
V
=
V
+
V
1
eff
1
tn
C ox
2
I
= n
◊ W
◊ V
bias
L eff 1
2
V
V 1
= dd
R
p
I bias
I
= I
(
T
=
T
)
bias
out
1
2
v dd R p i out 1/g m1 g m2 .v 1 v 1 r
v dd
R p
i out
1/g m1
g m2 .v 1
v 1
r ds2
v
dd
i
=
g
.
v
=
g
out
m
2
1
m
2
1 + g
R
m
1
p
I
i
g
V
◊ v dd
out
out
m
2
dd
=
=
(
)
I
I
1 + g
R
I
V
out
out
m
1
p
out
dd
I
g
V
V
out
m
2
dd
dd
=
(
)
I
1 + g
R
I
V
out
m
1
p
out
dd

Sensibilité à V dd des miroirs élémentaires

Sensibilité à V d d des miroirs élémentaires I out (A) V I dd out V
I out (A) V I dd out V dd = 1,21 ◊ I out V
I out (A)
V
I
dd
out
V dd
=
1,21
I out
V dd
R p
V out =2V
I bias
I out
T 2
T 1
V
I
dd
out
V dd
=
2,77
I out
V dd
V out =2V
T 3
I out
I bias
T 2
T 1

V dd (V)

Sensibilité à V dd 1,50E+02 I (µA) out Miroir simple et résistance 1,40E+02 Miroir simple
Sensibilité à V dd
1,50E+02
I
(µA)
out
Miroir simple et résistance
1,40E+02
Miroir simple et transistor
Cascode ou wilson et résistance
1,30E+02
Cascode ou Wilson et transistor
1,20E+02
1,10E+02
1,00E+02
9,00E+01
8,00E+01
2,90
3,00
3,10
3,20
3,30
3,40
3,50
3,60
V (V)
3,70
dd
 

Polarisation par transistor

 
  Polarisation par transistor  
 

V

dd

 
 

V out =2V (>V eff1 )

 

1/g

 

I out

 
  I o u t    
 
T 3 I bias T 2 T V 1 1
T
3
I bias
T
2
T
V
1
1

V

1

=

V

eff

1

+

V

tn

 

1/g

v dd m3 i out v g m2 .v 1 m1 1 r ds2
v
dd
m3
i
out
v
g m2 .v 1
m1
1
r ds2
 

i

out

=

i

bias

=

g

m1

g

m3

v

dd

;

g

m1

=

2I

bias

I

bias

=

n

C

2

ox

1

W

L

1

2

eff 1

V

 

2I

bias

g

m1

+

g

m3

g

m1

g

m3

 

2I

V

eff 1

bias

 

I

bias

=

p

C

2

ox

W

3

L

(

V

dd

 

V

1

V

tp

)

2

g

m3

=

I

out

=

V

eff 3

i

out

=

g

+

2 V

m1

g

dd

m3

=

v

V

eff 1

dd

=

+

V

eff 3

2 V

dd

V

dd

I

=

I

 

(

T

1

=

3

T

2

)

 

I

out

I

out

V

eff 1

+

V

eff 3

 

V

dd

V

eff 1

+

V

eff 3

V

dd

bias

out

 

Sensibilité à V dd des miroirs élémentaires

Sensibilité à V d d des miroirs élémentaires I out (A) V I dd out V
I out (A) V I dd out V dd = 1,21 ◊ I out V
I out (A)
V
I
dd
out
V dd
=
1,21
I out
V dd
R p
V out =2V
I bias
I out
T 2
T 1
V dd
I out
V dd
=
1,55
I out
V dd
R p
V out =2V
T 3
I out
T
4
T
T 2
1
V dd (V)

Polarisation par résistance

Polarisation par résistance • Une augmentation de température réduit le courant de saturation d’un transistor V
• Une augmentation de température réduit le courant de saturation d’un transistor V dd R
Une augmentation de température
réduit le courant de saturation
d’un transistor
V dd
R p
V out =2V (>V eff1 )
I
(µA)
I bias
I out
1,06E+02
out
T 2
1,04E+02
T 1
V 1
Polarisation par résistance
1,02E+02
1,00E+02
9,80E+01
-0,08 %/°C
9,60E+01
9,40E+01
9,20E+01
Temp.(∞C )
-40,00
-20,00
0,00
20,00
40,00
60,00
80,00

Cours CIA - ERII3 - Chapitre II

01/02/2011

Polarisation par résistance

Polarisation par résistance • La valeur de la résistance augmente V dd avec la température =
• La valeur de la résistance augmente V dd avec la température = R (1
• La valeur de la résistance augmente
V dd
avec la température
=
R
(1
+
TCR.T )
R p
V out =2V (>V eff1 )
R p
p0
1,15E+02
(µA)
I out
I bias
I out
Résistance fixe
T 2
1,10E+02
TCR=1e-3 /°C
T 1
V 1
1,05E+02
1,00E+02
9,50E+01
-0,08 %/°C
-0,08%/°C
9,00E+01
-0,157 %/°C
8,50E+01
8,00E+01
Temp.(∞C )
-40,00
-20,00
0,00
20,00
40,00
60,00
80,00

Sortie Cascode

Sortie Cascode V dd • L’effet Cascode est bénéfique (CR) R p V out =2V 1,15E+02
V dd • L’effet Cascode est bénéfique (CR) R p V out =2V 1,15E+02 T
V dd
• L’effet Cascode est bénéfique (CR)
R p
V out =2V
1,15E+02
T 3
(µA)
I out
I out
T
4
1,10E+02
Cascode avec R et TCR=1e-3 /°C
Polarisation par R avec TCR=1e-3 /°C
Cascode pplarisé par PMOS
T
T 2
1
1,05E+02
0,036 %/°C
V dd
1,00E+02
V dd
T
3
R
p
9,50E+01
V out =2V
-0,036 %/°C
I
bias
T
3
I
out
T
4
9,00E+01
-0,157 %/°C
T
T 2
1
8,50E+01
Temp.(∞C )
-40,00
-20,00
0,00
20,00
40,00
60,00
80,00

Source indépendante de V dd

Source indépendante de V d d • Choisir un courant à fournir I b i a

• Choisir un courant à fournir I bias

• Choisir le rapport de dimensions

– En général : un carré parfait

• I bias ne dépend pas de V dd

– Hypothèse : le courant est le même dans les deux branches (T 1 ,T 2 )

– I bias est fonction de T 4 , T 5 et R

 

1

2

2

L


I

bias

=

4 ◊ ◊  2 C R W + 4   p ox
4
2
C
R
W
+
4
p
ox
W W 5 = 4 ◊ L L 5 4 V dd R T 4
W
W
5
=
4
L
L
5
4
V dd
R
T 4
T 5
V B
I bias
I bias
I bias
V A
T 3
T 2
T 1

Polarisation par transistor

Polarisation par transistor V dd • NMOS et PMOS sont soumis au V out =2V (>V

V dd

• NMOS et PMOS sont soumis au V out =2V (>V eff1 ) T 3
• NMOS et PMOS sont soumis au
V out =2V (>V eff1 )
T 3
même phénomène
I out
I bias
1,20E+02
I
(µA)
T 2
out
Polarisation par R constante
-0,2 %/°C
T
1,15E+02
Polarisation par R avec TCR=1e-3 /°C
1
V 1
Polarisation par PMOS
1,10E+02
1,05E+02
1,00E+02
9,50E+01
-0,08 %/°C
9,00E+01
-0,157 %/°C
8,50E+01
8,00E+01
Temp.(∞C )
-40,00
-20,00
0,00
20,00
40,00
60,00
80,00

II - Les sources de courant

II - Les sources de courant • Les miroirs de courant élémentaires • Les sources de

• Les miroirs de courant élémentaires

• Les sources de courant élémentaires

• Un aperçu des sources de courant avancées

– Stabilité aux variations de la tension d’alimentation

– Stable à V dd et résistance de sortie élevée

– Augmentation de la dynamique de sortie

Source indépendante de V dd

Source indépendante de V d d • Variantes et améliorations – Sortie à V d d

• Variantes et améliorations

– Sortie à V dd

– Augmentation de la stabilité réduction des V ds

– Réduction de la consommation

miroir non symétrique

V dd T T T 4 8 3 I out V out T 2 T
V
dd
T
T
T
4
8
3
I
out
V
out
T
2
T
W
W
1
2
=
1
R
1
L
L
2
1

V dd

R T T 4 5 V B V D T T 3 6 V C
R
T
T
4
5
V
B
V D
T
T
3
6
V
C
I
10.I bias
bias
I
bias
V A
T
7
T
T
2
1

W

L

5

5

W L 5 5 = ◊ W 4 L 4

= ◊

W 4

L

4

Cours CIA - ERII3 - Chapitre II

01/02/2011

Source indépendante de V dd

Source indépendante de V d d • Stabilité en V d d R, T 4 et

• Stabilité en V dd

R, T 4 et T 5 imposent I bias indépendant de V dd

• Gestion de la consommation

Miroirs asymétriques

• Adaptation à V dd

T 3 et T 6 peuvent-être supprimés

• Augmentation de R out

sortie Cascode Problème : dynamique de sortie

V dd R T 4 T 5 V B V D T 3 T 6
V dd
R
T 4
T 5
V B
V D
T 3
T 6
V C
10.I bias
I bias
I bias
V A
T 7
T 2
T 1
T 7c
T 2c
T 1c

Augmentation de la dynamique de sortie

Augmentation de la dynamique de sortie • Mise en œuvre : le miroir de courant cascode

• Mise en œuvre : le miroir de courant cascode à large plage de fonctionnement

V dd

R T 7 T T 6 8 V B I I bias I bias bias
R
T
7
T
T
6
8
V
B
I
I
bias
I
bias
bias
I
bias
V
A
T
1
T
T
9
5
T
T
3
2
V
C
W W 7 = 6 ◊ ( > 1) L L 7 6 = V
W
W
7
=
6
(
>
1)
L
L
7
6
= V
+
V
avec
V
V eff
6
eff
7
R
R
V
= ◊
V
eff
6
eff
7
W
W
1 W
2
3
5
W 4
= =
=
L 1 L
L
L
2
3
5

=

R

I

bias

W 9

L

9

=

4

Caractéristiques des sources de courant

Caractéristiques des sources de courant • Bilan   Sensibilité à Résistance de Plage de Vdd sortie

• Bilan

 

Sensibilité à

Résistance de

Plage de

Vdd

sortie

fonctionnement

Miroir simple

±25%

625k

> 0,8V

indépendante de V dd

±2,3%

500k

> 0,9V

indépendante de V dd + Cascode

±0,02%

80M

> 1V

indépendante de V dd + Cascode large excursion

±9%

3,54M

> 0,3V

±2,25%

4,88M

> 0,3V

Augmentation de la dynamique de sortie • Principe V = V V eff gs tn
Augmentation de la dynamique de
sortie
• Principe
V
=
V
V
eff
gs
tn
I bias
I S
= V
=
V
+
V
V ds1
gs1
eff
tn
T 3
R
V
= V
+
R.I
V
=
V
+
V
V s
gs3
ds1
bias
s3
eff
tn
⇒ =
V
V
=
R.I
V
ds2
s3
bias
eff
T 1
T 2
V
2.V
0,4V
d 3
eff
Compromis entre tension de sortie minimale et résistance de sortie élevée…

Augmentation de la dynamique de sortie (variantes)

Augmentation de la dynamique de sortie (variantes) V dd R T 7 T T 6 8

V dd

R T 7 T T 6 8 V B I I bias I V bias
R
T
7
T
T
6
8
V
B
I
I
bias
I
V
bias
bias
C
I
bias
V
T
A
4
T
1
T
T
9
5
T
T
3
2

V dd =5V

     

R

R
     
 

T

7

 
             
 
             
         

T

         

6

   

T

T 8 T 81
T
8
T
81
6     T T 8 T 81
6     T T 8 T 81

T

T     71
 
T     71
 

71

V

B

61

   
V B 61      
 

I

 

I

bias

V

     

bias

bias   C
 

C

  I bias    
 

I

bias

   
 
  V A T 4     T

V

A

T

4

   

T

T

9

T 5
T
5
 

T

3

 

T

2

1

10.I bias

Fin du 2 ème chapitre

Fin du 2 è m e chapitre • J’ai appris

• J’ai appris

Cours CIA - ERII3 - Chapitre III

01/02/2011

Polytech’Montpellier Département Electronique, Robotique & Informatique Industrielle 3 ème Année

Initiation aux Circuits Intégrés Analogiques CMOS

Chapitre III – Etages Amplificateurs CMOS

Pascal Nouet – 2010/2011

nouet@lirmm.fr

Circuits Intégrés Analogiques CMOS Chapitre III – Etages Amplificateurs CMOS Pascal Nouet – 2010/2011 nouet@lirmm.fr

Amplificateur source commune

Amplificateur source commune • Polarisation par résistance • Dimensionnement – V e f f < V

• Polarisation par résistance

• Dimensionnement

– V eff < V out On choisit V out</