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Fsica de Semiconductores

Curso 2006 Ing. Electrnica- 3er. Ao, V cuat.

Trabajo Prctico Nro. 3: Bloque Slidos: Semiconductores intrnsecos Objetivos: Estudiar las caractersticas fsicas y elctricas de los semiconductores puros (intrnsecos). Introducir los conceptos de Nivel de Fermi, conductividad y efectos de la temperatura. Introduccin: En los tomos aislados, es decir alejados unos de otros de modo que no hay interaccin entre ellos, los electrones externos se distribuyen energticamente segn valores discretos determinados por las soluciones de la ecuacin de Schrdinger. En un slido cristalino, en cambio, las interacciones entre los tomos de la red producen una distribucin energtica mucho ms complicada. Los niveles permitidos se acumulan en bandas de energa (bandas permitidas) separadas por intervalos de energa prohibidos (bandas prohibidas). Dentro de cada banda permitida los niveles energticos se encuentran tan cerca entre s que se pueden considerar las bandas permitidas como continuas. Cuando x (separacin entre tomos) tiende a infinito, la energa toma valores discretos. Cuando x es muy pequeo, entonces, los niveles se convierten en bandas de energa, como se muestra en la siguiente figura. Se suele utilizar un modelo de bandas ms sencillo, en el cual las bandas se consideran planas como se ilustra en la figura. Banda de conduccin Banda prohibida Banda de valencia

A T = 0 K en un slido cristalino los electrones ocuparan los niveles de energa ms bajos posibles. De este modo, se pueden tener dos situaciones: 1- la banda permitida de mayor energa est parcialmente ocupada 2- la banda permitida de mayor energa est vaca y todas las dems llenas. La banda de mayor energa, vaca o parcialmente llena, se denomina Banda de conduccin (BC) y la siguiente de menor energa Banda de valencia (BV). En la banda de conduccin los electrones pueden aumentar su energa, por ejemplo por efecto de un campo elctrico, pasando a niveles superiores de energa siempre que se cumpla el principio de exclusin de Pauli. Fuera de la temperatura del cero absoluto habr un desplazamiento de carga elctrica que provocar la circulacin de una corriente. Por lo tanto, cualquier desplazamiento de cargas en el cristal debido a electrones libres se debe al movimiento de estos dentro de las bandas de energa que estn parcialmente ocupadas. Esta condicin constituye la diferencia entre los materiales clasificados en metales, aislantes y semiconductores.

2 E EC EC EG = 8 eV SiO2 EV Aislante EV Semiconductor Metal EG = 1.12 eV Si EV EC E E

En un aislante el nmero de electrones es el suficiente como para llenar completamente cierto nmero de bandas de energa. La ltima banda llena est separada de la prxima banda vaca por una regin de energa prohibida EG ("gap" de energa) tan ancha que, a temperaturas fsicamente posibles, no se pueden excitar electrones para que atraviesen esta regin, de modo que es muy difcil la circulacin de una corriente. En el caso de un metal, la gran concentracin de tomos que existe en el slido da origen a un desdoblamiento de los niveles de energa, donde se superponen las bandas de conduccin y de valencia. Los electrones siempre pueden encontrar estados sin ocupar en su movimiento a travs de la red provocando la conduccin de corriente. En un semiconductor el ancho de la regin prohibida EG es lo suficientemente pequeo como para que exista una probabilidad apreciable de que los electrones, que ocupan estados de energa en la parte superior de la banda de valencia, adquieran la energa necesaria, por ejemplo por efecto trmico, para efectuar un salto EG hasta llegar a ocupar estados energticos vacos en el fondo de la banda de conduccin y de esta forma iniciar un proceso de conduccin. En los semiconductores reales el diagrama E-k es complejo porque depende de la orientacin del vector k respecto a los ejes de la red. La figura que sigue muestra esta relacin para tres tipos de semiconductores: Germanio, Silicio y Arseniuro de Galio. El ancho de la banda prohibida del Germanio es 0.7 eV, del Silicio es 1.12 eV y el Arseniuro de Galio 1.4 eV.

El Germanio (Ge) y el Silicio (Si), se denominan semiconductores de banda de energa indirecta porque sus mnimos energticos en la banda de conduccin para los electrones, estn alejados del valor k=0; mientras que el Arseniuro de Galio (AsGa) se denomina semiconductor de banda de energa directa porque su mnimo energtico en la banda de conduccin est justo en el valor k=0. Esta caracterstica tiene importancia en las propiedades pticas de dichos materiales.

3 A T= 0 K todos los enlaces estn completos. La banda de valencia est llena y la de conduccin vaca, por lo tanto en el material no hay electrones libres. A temperaturas mayores que 0 K los electrones pueden ganar energa y pasar desde la banda de valencia a la banda de conduccin. En la banda de valencia cada nivel desocupado corresponde a la rotura de un enlace covalente, electrn que pas a la banda de conduccin. Este enlace roto pasa a ser completado por otro electrn. Se puede describir este mecanismo como si se desplazara el enlace roto en lugar del electrn, y considerar al enlace roto como una carga elctrica mvil que se denomina hueco con una masa efectiva mp diferente a la masa del electrn. De esta forma la corriente elctrica est formada por dos tipos de portadores: los electrones de la banda de conduccin y los huecos de la banda de valencia. Las figuras que siguen muestran el concepto de hueco visualizado desde el diagrama sencillo de bandas y desde el modelo del enlace covalente.

E EC EG EV

Electrn Hueco

La figura que sigue muestra la direccin y sentido de la velocidad de electrones y huecos y del flujo de corriente J en respuesta a un campo elctrico E. E ve

Je Jh

h vh

El campo elctrico E acta sobre electrones y huecos, y como sus cargas y velocidades son opuestas los flujos de corriente se suman. Cuando el semiconductor se encuentra en estado puro se denomina semiconductor intrnseco. En un semiconductor intrnseco la concentracin de electrones n es igual a la concentracin de huecos p porque por cada electrn que se encuentra en la banda de conduccin hay un hueco en la banda de valencia. Al producirse este proceso se dice que se gener un par electrn-hueco. Por lo tanto, para un semiconductor intrnseco: n = p = ni = pi Tanto ni como pi dependen de la temperatura T, para cada temperatura se llega a un equilibrio para el cual se cumple que el producto n.p es una constante. n.p = ni2 = pi2 = constante (ley de accin de masas)

4 Se puede encontrar (ver ejercicio 1) que la cantidad de electrones en la banda de conduccin est dada por:
n = NC e- (EC - EF)/kT

donde NC es la densidad efectiva de estados en la banda de conduccin expresada por:

2 m * n kT NC = 2 h2

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La cantidad de huecos en la banda de valencia queda determinada por una expresin similar:
p = NV e(EV - EF)/kT

donde NV es la densidad efectiva de estados en la banda de valencia:

2 m * p kT NV = 2 h2
m*n y m*p son las masas efectivas de electrones y huecos. Observacin:

3/2

Si se pretende validar la aplicacin de la segunda ley de Newton a un electrn en una red cristalina peridica se obtiene: F = m* a donde m* se denomina masa efectiva y est dada por:
m*= (h/2)2 d 2E dk 2
De este modo, asignando a los electrones en la red peridica una masa efectiva m* podemos tratarlos como si fuesen libres, y describir su movimiento en presencia de un campo aplicado de la misma forma que para un electrn libre. Las propiedades de la red cristalina determinan el valor de m* ya que determinan la forma de la funcin E(k) y de su derivada segunda d2E/dk2.

Cuando se aplica un campo elctrico E al material semiconductor se produce la circulacin de una corriente debida al movimiento tanto de los electrones como de los huecos. Se define la conductividad [ cm]-1 de la muestra semiconductora intrnseca como:

= q n n + q p p = q ni ( n + p)
n y p son la movilidades de electrones y huecos, definidas como la velocidad promedio de los portadores por unidad de campo elctrico. Conociendo la conductividad de la muestra semiconductora se puede expresar la densidad de corriente J por: J=E (ley de Ohm microscpica)

La resistividad de la muestra se define como la inversa de la conductividad: = 1/

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Ejercicios propuestos 1- En la figura se representan la funcin densidad de estados N(E), nmero de estados por unidad de energa y de volumen, y la funcin de probabilidad f(E) de que los estados ocupados a T > 0 K. Explicar cmo a partir de estas funciones se pueden obtener el nmero de electrones en la banda de conduccin y el nmero de huecos en la banda de valencia. Representar grficamente las distribuciones de electrones y huecos.

E EC EF EV N(E) 0

f(E) 1/2 1

2- Demostrar que a una dada temperatura T el producto n.p=ni2 es una constante y no depende del nivel de Fermi. 3- Suponiendo que el nivel de Fermi se encuentra exactamente en el centro de la banda prohibida a T=300 K.

a) Calcular la probabilidad que un estado de energa en el fondo de la banda de conduccin est ocupado por un electrn para Si, Ge y GaAs. (Obtener datos de tablas)1. b) Calcular la probabilidad que un estado de energa en el tope de la banda de valencia est vaco para los mismos materiales semiconductores.
4- a) Encontrar una expresin que permita calcular la diferencia entre el nivel de Fermi intrnseco y el centro de la banda prohibida (EFi - EG/2).

b) Vara EFi con la temperatura? Justificar la respuesta. c) En alguna condicin coincidir el nivel de Fermi con el centro de EG?.
5- Suponiendo que la masa efectiva de los huecos en un material es 4 veces la masa efectiva de los electrones calcular la temperatura a la cual el nivel de Fermi estar un 10% por encima del punto medio de la banda prohibida. Considerar EG= 1 eV. 6- a) Suponiendo que las movilidades de electrones y huecos no varan con la temperatura calcular la conductividad de una muestra de silicio a T= 300K, 400K, 500K, 600K. Utilizar datos de tablas y grficos dados.

b) Graficar en forma aproximada = f(T).

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Ver Tabla: Propiedades de Ge, Si y GaAs

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7- A una barra de Ge de 10 cm de longitud y 2 cm2 de seccin se le aplica una diferencia de potencial de 10 V entre sus extremos. Los datos del material son: ni=2.36x1019 m-3, n(300K)= 0.39 m2/Vs y p(300K) = 0.182 m2/Vs. Determinar: a) la resistividad del material, b) la resistencia de la barra, c) la corriente que circula por la barra. Concentracin intrnseca de portadores en funcin de la temperatura para diferentes semiconductores (Ge, Si, GaAs).

Bibliografa sugerida:

Fundamentos de semiconductores, R. Pierret Dispositivos semiconductores, J. Singh Semiconductor physics & devices, D. Neamen Dispositivos electrnicos para circuitos integrados, R. Muller & T. Kamins Introduccin a la fsica de los semiconductores, R. Adler, A. Smith & R. Longini

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Tabla: Propiedades del Germanio, Silicio y Arseniuro de Galio

Propiedad

Ge

Si

GaAs

Unidad

Peso atmico o molecular Nmero atmico Densidad

72.6 32 5.32

28.1 14 2.33 12 5.0x1022 1.21 Indirecta 1.11 1.5x1010 230.000 1420 1300 500

144.6

5.32 13 2.21x1022 1.52 Directa 1.42 2.25x106 4x108 1238 8500 450

g/cm3

Constante dielctrica relativa r 16 Densidad atmica Ancho de la banda prohibida EG a T=0K Tipo de EG Ancho de la banda prohibida EG a T=300K ni (300K) Resistividad intrnseca (300K) Punto de fusin Movilidad n (300K) Movilidad p (300K) Densidad efectiva de estados: Banda de conduccin, NC Banda de valencia, NV Masa efectiva de electrones Masa efectiva de huecos Conductividad trmica Constante de la red Campo de disrupcin 1.04x1019 6.1x1018 4.4x1022 0.74 Indirecta 0.66 2.5x1013 45 937 3800 1800

(tomos/cm3) eV

eV cm-3 .cm C cm2/Vs cm2/Vs

2.8x1019 1.02x1019

4.7x1019 7x1018

cm-3 cm-3

mn=0.22 m mn=0.33 m mn=0.072 m mp=0.31 m mp=0.56 m mp=0.50 m 0.6 0.566 8 1.5 0.543 30 0.81 0.565 35 W/cmC nm V/m