Apostila Cincia dos Materiais Prof.

Carlos Alexandre dos Santos

CAPTULO 04

CS
DIFUSO ATMICA

Co

A difuso atmica o movimento de tomos ou fluxo de massa no material. Os tomos em um cristal s ficam estticos no zero absoluto. Com o aumento da temperatura, as vibraes trmicas dispersam ao acaso os tomos para posies de menor energia. Alm disso, os movimentos atmicos podem ocorrer pela ao de campos eltrico e magntico, se as cargas dos tomos interagirem com o campo. Os principais tipos de difuso atmica so: auto-difuso e interdifuso. A auto-difuso consiste no movimento dos tomos na rede de um metal puro, no h variao na concentrao do material. A Figura 4.1 ilustra a difuso de tomos dopados na superfcie do mesmo material.

Figura 4.1. Difuso em metais puros por istopos radioativos : A) Esboo da movimentao dos tomos na rede cristalina; B) Grfico da concentrao dos tomos na distncia e no tempo.

A interdifuso o mais comum tipo de difuso, e ocorre quando tomos de um elemento se difundem em outro material, e nesse caso h variao na concentrao (Figura 4.2). A difuso s ocorrer se houver gradientes de concentrao, temperatura e presso. Para a interdifuso, os mecanismos associados difuso so queles relacionados s vacncias e interstcios. A difuso
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intersticial mais rpida que por vacncias, pois os tomos intersticiais so menores e tem maior mobilidade, alm de que h mais posies intersticiais que vacncias na rede, onde a probabilidade de movimento intersticial maior que a difuso de vacncias.

Figura 4.2. Ilustrao esquemtica da difuso qumica envolvendo dois diferentes metais.

Alguns exemplos de processos que utilizam a difuso atmica so: dopagem em materiais semicondutores para controlar a condutividade, cementao e nitretao dos aos para

endurecimento superficial, sinterizao e processos de soldagem. Alguns tratamentos combinam a ao do calor com a ao fsico-qumica do meio externo e do material, e cujo resultado a variao da composio qumica e da estrutura nas camadas superficiais do material. Para a variao da composio qumica, o material aquecido envolto em um meio ativo com o elemento a ser introduzido na superfcie, e durante a exposio por um determinado intervalo de tempo, o material enriquecido de elementos do meio externo, por difuso atmica. A grande maioria dos processos industriais de tratamentos termoqumicos inclui o enriquecimento, por difuso, das camadas superficiais da pea com metais e no-metais do meio externo, e para isso, so utilizados meios slidos, lquidos e gasosos. Um estudo sobre os processos e o entendimento das reaes termoqumicas requer primeiramente uma reviso de alguns assuntos bsicos deste processo, como as imperfeies ou defeitos na estrutura cristalina e a difuso atmica.

4.1. MECANISMOS DE DIFUSO

Para uma temperatura finita, todos os tomos dispostos em uma rede cristalina se encontram em uma condio de permanente vibrao no espao. Sendo assim, os tomos podem mudar de posio na rede e caminhar dentro da estrutura cristalina de duas maneiras: - 2 tomos
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vizinhos vibram simultaneamente em direes opostas: poder ocorrer troca de posio entre esses tomos; 2 pares de tomos sofrem modificao de posies em um sentido de giro, conforme ilustrado na Figura 4.3.

Figura 4.3. Difuso de tomos por rotao de um par ou dois pares.

Existindo uma vacncia na rede cristalina, essa dever evidentemente requerer menor energia para que um determinado tomo mova-se para essa posio do que a energia para os mecanismos anteriores, j que existe uma energia associada ao defeito cristalino (Figura 4.4). A difuso ocorre mais facilmente por um movimento aleatrio da vacncia na rede cristalina.

Figura 4.4. Difuso de tomos por vacncias.

A difuso atmica efetiva pode ocorrer por dois mecanismos diferentes: por meio de vacncias existentes na rede cristalina, ou por meio dos interstcios, que ocorre com tomos pequenos se colocando entre tomos maiores, promovendo distoro na rede e mudana de propriedades. Como os tomos intersticiais so menores que os tomos que constituem a matriz, estes possuem maior mobilidade, tornando a difuso por interstcios mais rpida que a difuso por vacncias. Adiciona-se a isto uma existncia maior de posies intersticiais do que vacncias na rede.

4.2. FATORES QUE INFLUEM NA DIFUSO Entre as principais caractersticas da estrutura cristalina que favorecem o fluxo de tomos, pode-se citar: baixo empacotamento atmico; baixa densidade ou massa especfica; raio atmico pequeno; ligaes fracas (Van der Waals); baixo ponto de fuso; e presena de imperfeies cristalinas. Os principais fatores que dificultam a difuso so: alto empacotamento
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atmico; alta densidade ou massa especfica; raio atmico grande; ligaes fortes (inicas e covalentes); alto ponto de fuso e alta qualidade cristalina. A Figura 4.5 apresenta exemplos de microestruturas de camadas superficiais de aos com baixo e mdio teores de carbono submetidos cementao slida, nitretao gasosa, boretao em caixa e ao tratamento superficial com laser.

SAE 1020 Cementao, 100x (A)

SAE 1020 Cementao, 200x (B)

SAE 1020 Descarbonetao, 200x (C)

SAE 1012 Nitretao, 50x (D)

SAE 1045 Boretao, 50x (E)

SAE 1045 Tmpera a laser, 500x (F)

Figura 4.5 Microestruturas de camadas: (A e B) cementada [Nuclemat], (C) descarbonetada

[Nuclemat],

(D) nitretada [Vendramin, 2004], (E) boretada [Bjar, 2006] e (F) tratada a laser [Cheung, 2003].

Energia de Ativao: o interesse est nos tomos com energia suficiente para se moverem. Boltzmann props uma expresso para estimar a relao entre estes e a quantidade total de tomos do material:
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D N = f ( e K .T ) N total Q

(4.1)

onde: n = no de tomos com energia suficiente para difundir; N = no total de tomos; QD = energia de ativao [erg/tomo]; K = Constante de Boltzmann [1,38x10-23 J/atom.K ou 8,62x10-5 eV/atom.K]. A Figura 4.6 apresenta uma representao da variao da energia de ativao com alguns aspectos da estrutura do material. Conforme observa-se para a superfcie externa do material a quantidade de energia de ativao menor, aumentando para as regies de contornos de gros e vacncias e intersticiais.
Vacncias e intersticiais Contorno de gro Superfcie

Figura 4.6 Variao da energia de ativao.

Velocidade de Difuso: pode ser determinada por uma expresso conforme:

V = c.(e

QD R.T

EQUAO DE ARRHENIUS

(4.2)

onde: c = Constante; QD = Energia de ativao proporcional ao nmero de stios disponveis para o movimento atmico (tabelado) [J/mol ou cal/mol]; R = Constante dos Gases [= 8,314 J/mol.K ou 1,987 cal/mol.k]; T = Temperatura [K]. A Figura 4.7 apresenta uma representao da variao da velocidade de difuso em funo da variao de temperatura. Conforme se observa, quanto maior a temperatura maior a velocidade de difuso atmica.

EQUAO DE ARRHENIUS logV = logc- Q/2,3R.(1/T) Y= b + mx

Equao da reta

Figura 4.7 Variao da velocidade de difuso em funo da temperatura.

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4.3. DIFUSO NO ESTADO ESTACIONRIO VELOCIDADE DE DIFUSO EM TERMOS DE FLUXO DE DIFUSO:

J=

M A.t

em ( kg/m2.s ) ou ( at/m2.s )

(4.3)

onde: M = massa (ou nmero de tomos) [kg]; A = rea [m2]; t = tempo [s].

Figura 4.8 Variao da velocidade de difuso em funo da temperatura.

PRIMEIRA LEI DE FICK: expressa velocidade de difuso em funo da Concentrao, independente do tempo:

J = D.

dC dx

(4.4)

onde: J = M / A.t fluxo de tomos [kg/m2.s ou tomos/m2.s]; D = Coeficiente de Difuso ou Difusividade [m2/s ou cm2/s]; dC/dx = Gradiente de concentrao em funo da distncia [kg/m4 ou tomos/cm4].

COEFICIENTE DE DIFUSO ou DIFUSIVIDADE (D): d indicao da velocidade de difuso. Depende: da natureza dos tomos em questo, do tipo de estrutura cristalina e da temperatura, e pode ser calculado por:

D = D o .e(

QD ) R.T

(4.5)

onde: Do = constante de difuso para um determinado sistema [tomos e estrutura valor tabelado]; Qd = energia de ativao proporcional ao nmero de stios disponveis para o movimento atmico [J/mol]; R = Constante dos Gases [= 8,314 J/mol.K]; T = Temperatura [K]. A temperatura apresenta influncia significativa na cintica do processo, pois com o aumento da temperatura as vibraes entre os tomos no reticulado cristalino aumentam, aumentando os interstcios e facilitando o fluxo difusivo ou de massa. Vale destacar que o
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coeficiente de difuso dos tomos de carbono no ferro CCC maior que no CFC (Figura 4.9), pois o sistema CCC tem um fator de empacotamento menor: CCC FE = 0,68, CFC FE = 0,74. A Tabela 4.1 a seguir apresenta alguns valores para as principais propriedades relacionadas a difuso atmica de alguns sistemas metlicos.

ccc

Figura 4.9 Coeficiente de difusividade em funo da temperatura.

Pesquisas publicadas recentemente mostram que h mnima variao no valor do coeficiente de difuso do carbono no ao, em funo da equao utilizada para o clculo do coeficiente de difuso. Os diferentes valores do coeficiente de difuso para as diferentes equaes encontradas na literatura so apresentados na Tabela 4.2.

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Tabela 4.2 Valores do coeficiente de difuso do carbono na austenita temperatura de 950C para diversas expresses [Gupta, 2002; Sarkar, 2008].
EQUAES D [m2/s] 1,70x10-11

D = (0,07 + 0,06C) . exp(

- 3200 )x10 - 4 R.T

C ??

Log D = [(0,37C - 9,08) + (0,04C - 1,87)] . f c .1x10 -4

D = 0,918x10
-10

,
,

f c ??

1,66x10-11 3,08x10-11 1,00x10-11

. exp(

- Qd ) . exp[-0993( 1 - a c )] T

a c ??

D = 8,05x10-12 . exp(1,08C)
D = D o . exp( - Qd ) , D o = 7,92x10 R.T
-4

m 2 /s , Q d = - 175008 J/ mol
-4

2,63x10-11 1,57x10-11 1,42x10-11

D = 0,47 . exp(-1,6C) . exp[

- (37000 - 6600C) ]x10 R.T

, R em cal/mol

D = 4,53x10 -7. [1 + y c (1 - y c ) .

8339,9 1 ] . exp{[-( ) - 2,221x10 - 4 ] . (17767 - y c . 26436)} T T

y c = x c /(1 - x c ) , x c frao molar de carbono

4.4. DIFUSO NO ESTADO NO-ESTACIONRIO

Como o processo difusivo nos tratamentos termoqumicos ocorre em condio noestacionria ou transitria, a concentrao (C) do material varia no tempo (t) e na posio (x) de acordo com a Segunda Lei de Fick, determinada por [Smith, 1998; Van Vlack, 1981]:

C 2C = D. 2 t x
onde: x a posio a uma distncia qualquer a partir da superfcie do material [m];

(4.6)

D o coeficiente de difuso ou difusividade do elemento a ser difundido na soluo slida do material [m2/s]. Para resolver a Equao 4.6, deve-se escolher um mtodo de resoluo matemtica analtica ou numrica e assumir determinadas condies limites ou condies de contorno. Entre as principais consideraes empregadas na descrio matemtica do processo, citam-se: antes da difuso os tomos do soluto esto distribudos uniformemente no meio externo; o coeficiente de difuso permanece constante durante todo o processo; o valor de x na superfcie 0 e aumenta a medida que avana-se em profundidade no slido; e considera-se t = 0 imediatamente antes da difuso. Adotando um mtodo analtico baseado na resoluo do espao semi-infinito com concentrao constante na superfcie exposta ao meio (Cs) em um ponto distante (x) da superfcie do material, a concentrao (Ct,x) depende da composio na superfcie (Cs), da concentrao inicial (Co) no material, do coeficiente de difuso (D) e do tempo (t) desde o incio do processo, resultando em [Callister, 1994]:

C t,X C o CS Co

x = 1 erf 2. D.t

(4.7)

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ou

x C t,X = C S (C S C o ).erf 2. D.t

(4.8)

onde erf(Z), denominada de Funo Erro de Gauss, encontra-se a seguir.

Com o aumento do tempo de exposio ou da temperatura de tratamento, a zona de difuso cresce, e o teor do elemento que difunde aumenta nessa zona, conforme pode ser observado na Figura 4.104.

CS
Concentrao, C Concentrao, C

CS

C x Co x = 1 erf CS Co 2. D.t

CS - Co Cx Cx - Co Co 0 x
Distncia da Interface, X

Co X 0

t2 > t1 t1 > 0 s t =0s

Distncia da Interface, X

(A)

(B)

Figura 4.10 (A) Perfil de concentrao em um instante de tempo qualquer e (B) Variao do

perfil de concentrao na zona de difuso, em vrios instantes de tempo, com concentrao na superfcie constante.

EXEMPLO: Um ao com 0,35% C est exposto a uma atmosfera isenta de carbono a temperatura de 1227oC (1400 K) durante um tempo de 10 horas. Determine a que profundidade o teor de carbono ser de 0,15%. Dados: z erf(z) T = 1400 K D = 6,9x10-11 m2/s 0,40 0,4284 0,45 0,4755
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C x Co x = 1 erf Cs Co 2. D.t
x = 0,4286 erf 2. D.t

resultando em:

x 0,15 0,35 = 0,5714 = 1 erf 0 0,35 2. D.t

e da Tabela de ERF z =

x 2. D.t

= 0,4002

x = 2. D.t = 2.(0,4002 ). ( 6,9 x10 11 m 2 / s).(3,6 x10 4 s)

x = 1,26 x10 3 m

= 1,26 mm

A Tabela 4.3 apresenta os principais parmetros de difuso para as ligas ferrosas e noferrosas empregadas nos clculos dos perfis de concentrao.

Tabela 4.3 Parmetros de difuso atmica em metais [Callister, 1994].

ESPCIES DIFUSIVAS Fe Fe C C Cu Cu Cu Zn Al Mg SUBSTRATO Fe- CCC Fe- CCC Fe- CCC Fe- CCC Cu Al Ni Cu Al Al Do [m2/s] 2,8 . 10-4 5,0 . 10-5 6,2 . 10-7 2,3 . 10-5 7,8 . 10-5 6,5 . 10-5 2,7 . 10-5 2,4 . 10-5 2,3 . 10-4 1,2 . 10-4 ENERGIA DE ATIVAO [J/mol] [eV/tomo] 251000 284000 80000 148000 211000 136000 256000 189000 144000 131000 2,60 2,94 0,83 1,53 2,19 1,41 2,65 1,96 1,49 1,35 EQUAO (4.2) T [oC] D [m2/s] 500 3,0 . 10-21 900 1,8 . 10-15 900 1,1 . 10-17 1100 7,8 . 10-16 500 2,4 . 10-12 900 1,7 . 10-10 900 5,9 . 10-12 1100 5,3 . 10-11 500 4,2 . 10-19 500 4,1 . 10-14 500 1,3 . 10-22 500 4,0 . 10-18 500 4,2 . 10-14 500 1,9 . 10-13

Embora a difuso superficial desempenhe um importante papel em um grande nmero de fenmenos metalrgicos, a difuso em contorno de gro de interesse tambm devido ao fato de que a rea de contorno de gro muitas vezes maior que a da superfcie livre, alm de formar uma grande rede no volume do material, criando caminhos livres para a movimentao dos tomos. Para o caso da difuso intersticial do carbono ou nitrognio na estrutura CCC do ferro, esses tomos ocupam posies no meio das arestas do cubo e nos centros de suas faces, chamados de interstcios tetradricos, conforme ilustra a Figura 4.11B. Para o caso da estrutura CFC, os mesmo tomos ocupam posies nos interstcios octadricos, conforme mostrado na Figura 4.11C.

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Tetradrico
Qd
Vacncia Contorno

Meio da aresta
Superfcie

Meio da aresta Centro da face

Incio

Fim

Meio da aresta

Centro da lateral

(A)

(B)

(C)

Figura 4.11 (A) Energia de ativao para difuso; e posies ocupadas por tomos intersticiais: (B) Estrutura CCC, (C) Estrutura CFC. Exemplo: Para as estruturas cristalinas CCC e CFC existem 2 tipos de stios intersticiais: para a estrutura CCC o maior stio encontrado nas posies 0, e , isto , sobre as faces {100} da clula unitria (conhecido como stio intersticial tetradrico), e para a estrutura CFC esse stio maior est localizado no centro de cada uma das arestas da clula unitria (conhecido como stio intersticial octadrico). Demonstre que a solubilidade do carbono maior na austenita (Fe - CFC) do que na ferrita (Fe - CCC), determinando o raio (r) de um tomo de impureza que se ajusta nesses stios em termos do raio atmico (R) da matriz. CCC Face (100) : stio intersticial no centro da lateral.

a a 2 + = (R + r) 2 4
e como a = 4.R / 31/2
CFC Face (100) : stio intersticial no centro da lateral.

4.R 4.R = R 2 + 2.R.r + r 2 + 2. 3 4. 3

r 2 + 2.R.r 0,667 R 2 = 0 r = 0,291.R

a = 2.R + 2.r e como a = 2.R.21/2

r=

a 2.R 2

r=

2.R. 2 2.R 2

r = 0,41.R

Nos processos reais de tratamento termoqumico, os fenmenos no so to simples, j que ocorre variao da concentrao na superfcie do material. Alm disso, o princpio visto anteriormente refere-se soluo slida de somente dois componentes. Os princpios de formao da zona de difuso na soluo de muitos componentes so mais complexos, pois a variao da concentrao de um elemento influencia na atividade termodinmica dos outros elementos e na distribuio dos mesmos. Como exemplo, pode-se citar os aos com elementos formadores de carbonetos, os quais diminuem a atividade do carbono, e conseqentemente favorecem um enriquecimento de carbono nas camadas superficiais e o empobrecimento do mesmo nas camadas seguintes. Tambm pode-se citar a saturao de elementos no formadores
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de carbonetos, que elevam a atividade do carbono, afastando-o da superfcie.

Cementao

O primeiro processo de tratamento termoqumico empregado pelo homem foi a cementao, ou seja, o enriquecimento de carbono na superfcie de materiais ferrosos. Investigaes realizadas na Europa Central mostraram a existncia de artefatos de aos cementados e tratados datados de 300 anos antes de Cristo. Registros tambm indicam que os Egpcios e Romanos, no terceiro sculo antes de Cristo, j realizavam a cementao em diversos utenslios, principalmente armas e peas de meios de transporte, objetivando elevar a resistncia com o aumento da dureza superficial. Estes povos utilizavam como meio cementante o carvo vegetal na forma de pequenos gravetos que eram acondicionados junto com as peas em potes de argila. Tal montagem de carga era ento aquecida em uma fogueira ou em um forno tipo iglu, passando vrias horas em elevada temperatura. Durante vrios sculos o processo de cementao no apresentou inovaes relevantes no que se refere ao agente cementante e aos procedimentos operacionais do processo. Somente no sculo XVII foi introduzido o uso de carvo resultante da carbonizao de ossos de animais, havendo inclusive relatos do uso de carvo de ossos humanos e farinha de sangue bovino. At o incio do sculo XIX tambm era comum o emprego da raspa de chifre como ativador, tratando-se de um tipo de p ou grnulo que durante a cementao favorecia a gerao do monxido de carbono e nitrognio livre, permitindo obter camadas de razovel espessura em tempos relativamente curtos. Com a revoluo industrial e a necessidade de melhoria da resistncia ao desgaste, a cementao passou a representar o principal tratamento trmico na fabricao de ferramentas, mquinas e equipamentos, alm de componentes mecnicos para a indstria de bicicletas, automotiva e evidentemente para a rea militar. O processo consiste na difuso de tomos de carbono na superfcie do ao, geralmente hipoeutetides com baixos teores de carbono em temperaturas acima da temperatura crtica A3, onde o ferro se encontra na forma alotrpica austenita ( - CFC) e apresenta alta solubilidade de carbono. A cementao por si s eleva pouco a dureza superficial do material tratado, enriquecendo essa regio com um teor de carbono um pouco acima de um ao eutetide (0,8%C a 1,0%C). Para se obter alta dureza na superfcie, o processo deve ser seguido de tmpera para obteno da estrutura martenstica e revenido posterior. O teor de carbono decresce medida que se penetra em profundidade no material e, particularmente importante que esse decrscimo seja gradual e suave, e no abrupto e repentino, o que pode conferir pea fragilizao na interface plana entre superfcie cementada e material base. A Figura 4.12 ilustra as etapas de tratamento, incluindo o aquecimento at a temperatura de austenitizao, manuteno durante um perodo de tempo e o resfriamento posterior at a temperatura ambiente.

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Austenita

Austenita rica C

T [ C]
o

T 50 C
o

TTT Tcrtica

Atmosfera rica em C

Resfriamento
Perlita Ferrita e Perlita

Ferrita e Perlita

t [h] tempo de tratamento

Figura 4.12 Esquema simplificado da realizao do tratamento de cementao.

Geralmente a mxima dureza atingida depois da tmpera nos aos ao carbono ocorre para um teor de carbono em torno de 0,77%, atingindo valores em torno de 65 HRC para resfriamento em gua. Para teores inferiores a esse, o material apresenta valores mais baixos medida que se afasta da composio eutetide, pois a dureza da martensita tambm diminui com o decrscimo de carbono. Para teores superiores a 0,8%C, a dureza cai devido maior reteno de austenita, como acontece com os aos contendo nquel, alm da possibilidade de formao de carbonetos. Como resultado da reteno da austenita, pode-se ter uma situao em que se tem uma dureza mais baixa na superfcie do material do que a desejada
[Kraus, 2005].

Alm do aumento da dureza

superficial, a cementao tambm induz a tenses de compresso na superfcie do material, e estas se contrapem s tenses de trao que levam a trincas superficiais, melhorando a resistncia fadiga. A cintica do processo de cementao depende de vrios fatores que exercem influncia tanto na velocidade de difuso, espessura da camada cementada como na profundidade e composio qumica da regio difundida.

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EXERCCIOS PROPOSTOS 1.) Suponha que uma chapa fina de ferro a 700C, tenha um de seus lados exposta a uma

atmosfera carborizante (rica em carbono) e seu outro lado a uma atmosfera descarborizante. Supondo que o estado estacionrio seja alcanado, calcule o fluxo de tomos de carbono que se difundem atravs desta chapa se a concentrao de carbono nas posies de 5 e 10 mm da superfcie 1,2 e 0,8 kg/m3, respectivamente. Assuma que o coeficiente de difuso do carbono do ferro nesta temperatura 3.10-11 m2/s.

2.) Para algumas aplicaes necessrio endurecer a superfcie dos aos para conferir maior

resistncia ao desgaste. Um maneira de fazer isso atravs do processo de cementao gasosa, na qual h um aumento da concentrao de carbono na superfcie atravs da introduo de tomos de carbono (proveniente de um gs, como o metano) por difuso elevadas temperaturas. Considerando um ao cuja concentrao inicial de carbono 0,25% que seja submetido cementao 900C e que a concentrao de carbono na superfcie seja aumentada e mantida a 1,2%, calcule quanto tempo necessrio para tingir uma concentrao de 0,8% de Carbono a 0,5 mm abaixo da superfcie. D= 1,6.10-11 m2/s.
3.) Os coeficientes de difuso do cobre no alumnio a 500C e 600C so 4,8.10-14 m2/s e 5,3.10-13

m2/s, respectivamente. Calcule o tempo aproximado a 500C que ir produzir os mesmos resultados da difuso (em termos da concentrao do cobre em algum ponto especfico no alumnio) se a mesma fosse realizada 600C durante 10 h.

4.) Explique como os defeitos cristalinos contribuem para a difuso.

5.) Explique porque a difuso de intersticiais mais rpida que a difuso de vacncias.

6.) A difuso mais rpida no contorno de gro ou na superfcie? Por qu?

7.) Quais so as principais foras motrizes para que ocorra a difuso?

8.) Cite 3 exemplos prticos de processos que so baseados em fenmenos difusivos.

9.) Quais so os principais parmetros que governam a difuso?

10.) De que depende o coeficiente de difuso?

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11.) Quais so os principais fatores da estrutura dos materiais que favorecem a difuso?

12.) Quais so os principais fatores da estrutura dos materiais que dificultam a difuso?

13.) A difuso de uma impureza intersticial se d mais facilmente no ferro CCC ou no ferro CFC?

Explique.

14.) A purificao do gs hidrognio pode ser feita por difuso usando uma folha de paldio.

Calcule quantos kilogramas de hidrognio passa por hora atravs de uma lmina de paldio de 6 mm de espessura e de rea de 0,25 m2 a 600C. Suponha que o coeficiente de difuso do hidrognio 1,7.10-8 m2/s, que a presso do hidrognio nos lados de alta e baixa presso de 2 e 0,4 Kg/m3 , respectivamente e que o estado estacionrio seja atingido.

15.) Uma chapa fina de ferro CCC de 2,0 mm de espessura foi exposto a uma atmosfera

carborizante (rica em carbono) em um lado e descarborizante no outro lado a 675 C. Depois de alcanado o estado estacionrio, o ferro foi rapidamente resfriado at a temperatura ambiente. A concentrao de carbono determinada em ambos os lados da chapa foi 0,0015 e 0,0068% em peso. Calcule o coeficiente de difuso se o fluxo difusivo foi de 7,36.10-9 Kg/m2.s.

16.) Determine o tempo necessrio para cementao para alcanar uma concentrao de carbono

de 0,3% a uma posio de 4mm da superfcie de um ao que continha inicialmente 0,1% de carbono. A concentrao de carbono na superfcie deve ser mantida em 0,9% e o tratamento foi realizado a 1100C. Use o coeficiente de difuso tabelado para o ferro .

17.) Para um ao determinou-se que o tempo de 15 horas para o processo de cementao

promove um aumento na concentrao de carbono para 0,35% a 2,0 mm da superfcie da pea. Estime o tempo necessrio para alcanar a mesma concentrao de carbono a 6 mm da superfcie.
18.) A que temperatura o coeficiente de difuso do zinco no cobre alcanar o valor de 2,6.10-16

m2/s.
19.) Os coeficiente de difuso do Nquel no Ferro a 1473 K e 1673 K so 2,2.10-15 m2/s e

4,8.10-14 m2/s, respectivamente. A - Determine os valores de Do e da energia de ativao (Qo). B - Qual o valor de D a 1300C?

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20.) O Carbono difundido atravs de uma lmina de ao de 15 mm de espessura. A

concentrao de carbono nas duas faces so 0,65 e 0,30 Kg/m3 de Fe, os quais so mantidas constantes. Se Do e a energia de ativao so 6,2.10-7 m2/s e 80.000 J/mol, respectivamente, calcule a temperatura na qual o fluxo de difuso ser 1,43.10-9 Kg/m2.s.

21.) Duas chapas metlicas, A e B, so colocadas em contato ntimo uma com a outra. Depois de

30 horas de aquecimento a 1000 K e subsequente resfriamento at a temperatura ambiente a concentrao de A em B foi de 3,2% a 15 mm da superfcie do metal B. Se outro processo de aquecimento fosse realizado com esses mesmos metais por 30 horas mas a uma temperatura de 800 K, a que posio da superfcie encontraramos a concentrao de A em B de 3,2%? Assuma Do = 1,8.10-5 m2/s e Qo = 152 KJ/mol.

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RESOLUO
1.) 2,4.10 2.) 7,1 h 3.) 110,4 h 4.) Facilitam a movimentao atmica 5.) Existem mais interstcios que vacncias 6.) Na superfcie pois existem mais defeitos 7.) Gradiente composicional, temperatura e presso 8.) Cementao, dopagem e tratamentos trmicos 9.) Estrutura cristalina, energia de ativao e gradiente composicional/trmico 10.) Do par substrato/elemento a ser difundido 11.) baixo empacotamento atmico; baixa densidade ou massa especfica; raio atmico pequeno; ligaes fracas (Van der Waals); baixo ponto de fuso; e presena de imperfeies cristalinas. 12.) alto empacotamento atmico; alta densidade ou massa especfica; raio atmico grande; ligaes fortes (inicas e covalentes); alto ponto de fuso e alta qualidade cristalina 13.) No CCC. Maior D 14.) 4,1.10-3 Kg/h 15.) 2,3.10-11 m2/s 16.) 31,3 h 17.) 135 h 18.) 901 K 19.) A - Do = 3,5.10-4 m2/s e Qo = 316 KJ/mol -14 2 B - 1,1.10 m /s 20.) 1044 K 21.) 1,6 mm
-9

kg/m2/s

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