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TRANSISTOR IGBT

El transistor bipolar de puerta aislada (IGBT, del ingls Insulated Gate Bipolar Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado en circuitos de electrnica de potencia. Este dispositivo posee la caractersticas de las seales de puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitacin del IGBT es como el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT. Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no haban sido viables hasta entonces, en particular en los Variadores de frecuencia as como en las aplicaciones en maquinas elctricas y convertidores de potencia que nos acompaan cada da y por todas partes, sin que seamos particularmente conscientes de eso: automvil, tren, metro, autobs, avin, barco, ascensor, electrodomstico, televisin, domtica, Sistema de Alimentacin Interrumpida o SAI (en Ingls UPS), etc. El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 20 kHz y ha sustituido al BJT en muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias energa como fuente conmutada, control de la traccin en motores y cocina de induccin. Grandes mdulos de IGBT consisten en muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes del orden de cientos de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios. Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington hbrido. Tiene la capacidad de manejo de corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse en conduccin. Sin embargo las corrientes transitorias de conmutacin de la base pueden ser igualmente altas. En aplicaciones de electrnica de potencia es intermedio entre los tiristores y los mosfet. Maneja ms potencia que los segundos siendo ms lento que ellos y lo inverso respecto a los primeros.

Circuito equivalente de un IGBT

Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin de control de puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una seal elctrica de entrada muy dbil en la puerta.

Simbologa: Es un componente de tres terminales que se denominan GATE (G) o puerta, COLECTOR (C) y EMISOR (E) y su smbolo corresponde al dibujo de la figura siguiente.

Curva Carcateristica:

Estructura electrnica La estructura recuerda mucho la de un transistor MOSFET de potencia donde se utilizan obleas dopadas de Tipo N sobre las que se deposita una fina capa epitaxial. El IGBT est construido de forma casi idntica. La capa epitaxial presenta el mismo espesor y se dopa igual que en un FET. Sin embargo, existe una importante diferencia: el material de partida es una oblea dopada Tipo P en lugar de Tipo N. La unin PN adicional, as creada, inyecta portadores (huecos) en la regin epitaxial Tipo N reduciendo su resistividad y rebajando la cada de tensin en conduccin. A este proceso se le conoce tambin por "Modulacin de la Conductividad" y puede contribuir a incrementar la capacidad de conduccin de corriente hasta 10 veces ms. Por otro lado, la adicin de esta capa Tipo P, introduce un nuevo transistor parsito que con el NPN inherente a la estructura de un MOSFET, conforma un Tiristor parsito, el cul en caso de ser activado puede destruir al IGBT.

Tecnologas de fabricacin Aparece en dcada de los 80 Entrada como MOS, Salida como BJT Velocidad intermedia (MOS-BJT) Tensiones y corrientes mucho mayores que MOS (1700V-400Amp) Geometra y dopados anlogos a MOS (con una capa n- mas ancha y menos dopada) Soporta tensiones inversas (no diodo en antiparalelo). No el PT Tiristor parsito no deseado Existen versiones canal n y canal p

Funcionamiento de IGBT: Consideremos que el IGBT se encuentra bloqueado inicialmente. Esto significa que no existe ningn voltaje aplicado al gate. Si un voltaje VGS es aplicado al gate, el IGBT enciende inmediatamente, la corriente ID es conducida y el voltaje VDS se va desde el valor de bloqueo hasta cero. LA corriente ID persiste para el tiempo tON en el que la seal en el gate es aplicada. Para encender el IGBT, la terminal drain D debe ser polarizada positivamente con respecto a la terminal S. LA seal de encendido es un voltaje positivo VG que es aplicado al gate G. Este voltaje, si es aplicado como un pulso de magnitud aproximada de 15, puede causar que el tiempo de encendido sea menor a 1 s, despus de lo cual la corriente de drain iD es igual a la corriente de carga IL (asumida como constante). Una vez encendido, el dispositivo se mantiene as por una seal de voltaje en el gate. Sin embargo, en virtud del control de voltaje la disipacin de potencia en el gate es muy baja. EL IGBT se apaga simplemente removiendo la seal de voltaje VG de la terminal gate. La transicin del estado de conduccin al estado de bloqueo puede tomar apenas 2 micro segundos, por lo que la frecuencia de conmutacin puede estar en el rango de los 50 kHz. EL IGBT requiere un valor lmite VGS(TH) para el estado de cambio de encendido a apagado y viceversa. Este es usualmente de 4 V. Arriba de este valor el voltaje VDS cae a un valor bajo cercano a los 2 V. Como el voltaje de estado de encendido se mantiene bajo, el gate debe tener un voltaje arriba de 15 V, y la corriente iD se autolimita. El IGBT se aplica en controles de motores elctricos tanto de corriente directa como de corriente alterna, manejados a niveles de potencia que exceden los 50 kW.

Caractersticas de un IGBT
IDmax Limitada por efecto Latch-up. VGSmax Limitada por el espesor del xido de silicio. Se disea para que cuando VGS = VGSmax la corriente de cortocircuito sea entre 4 a 10 veces la nominal (zona activa con VDS=Vmax) y pueda soportarla durante unos 5 a 10 μs. y pueda actuar una proteccin electrnica cortando desde puerta. VDSmax es la tensin de ruptura del transistor pnp. Como α es muy baja, ser VDSmax=BVCB0 Existen en el mercado IGBTs con valores de 600, 1.200, 1.700, 2.100 y 3.300 voltios. (anunciados de 6.5 kV). La temperatura mxima de la unin suele ser de 150C (con SiC se esperan valores mayores) Existen en el mercado IGBTs encapsulados que soportan hasta 400 o 600 Amp.

La tensin VDS apenas vara con la temperatura ⇒ Se pueden conectar en paralelo fcilmente ⇒ Se pueden conseguir grandes corrientes con facilidad, p.ej. 1.200 o 1.600 Amperios. En la actualidad es el dispositivo mas usado para potencias entre varios kW y un par de MW, trabajando a frecuencias desde 5 kHz a 40kHz.

Encapsulados Capsula aislada

http://www.gte.us.es/~leopoldo/Store/tsp_6.pdf

Por lo que: El IGBT se suele usar cuando se dan estas condiciones: Bajo ciclo de trabajo Baja frecuencia (< 20 kHz) Aplicaciones de alta tensin (>1000 V) Alta potencia (>5 kW)

Aplicaciones tpicas del IGBT: Control de motores Sistemas de alimentacin ininterrumpida Sistemas de soldadura Iluminacin de baja frecuencia (<100 kHz) y alta potencia

Entre sus aplicaciones principales se encuentran: Control de motores, sistemas de alimentacin ininterrumpida, sistemas de soldadura, iluminacin de baja frecuencia y alta potencia. Estn presentes en la circuitera de los automviles, trenes, metros, autobuses, aviones y barcos pero tambin de los electrodomsticos del hogar mediante la interconexin de diversos IGBT que controlan los motores elctricos. Generalmente es utilizado en sistemas o aparatos que requieren circuitos de electrnica realmente potentes y con velocidades de conmutacin de hasta 20 KHz. Los IGBTs han estado en todo momento con nosotros y han sido claves en el desarrollo de la electrnica de potencia. Algunos fabricantes de tecnologas de consumo ya los estn utilizando para mejorar sus dispositivos o darles nuevas capacidades. Un ejemplo de las ltimas aplicaciones es que estos transistores ha permitido integrarlos en los telfonos mviles para dotar a sus cmaras de un flash de xenon realmente potente. Otro ejemplo curioso de aplicacin de esta tecnologa es su utilizacin para activar o desactivar los pxeles en las pantallas tctiles de nueva generacin, sistemas de iluminacin de edificios o centrales de conmutacin telefnica. Incluso ya existen algunos desfibriladores que incorporan IGBTs.