III Congresso Brasileiro de Energia Solar - Belm, 21 a 24 de setembro de 2010

ESTUDO DE CLULAS FOTOVOLTAICAS DE SILCIO COMO

RADIMETROS

Jime de Souza Sampaio - jimesampaio@gmail.com
Denis G. F. David - denisgfd@ufba.br
Universidade Federal da Bahia, Instituto de Fsica
Germano Pinto Guedes - germano@uefs.br
Universidade Estadual de Feira de Santana, Departamento de Fsica


Resumo. A anlise do potencial solar de uma regio ainda fundamental para as perspectivas de aplicao.
Porm, os dados encontrados, medidos com os piranmetros, no representam com preciso o potencial solar til
converso fotovoltaica. Nesse contexto, a implementao de radimetros fotovoltaicos de silcio representa uma
soluo eficaz. Grandes indstrias de piranmetros fabricam tais dispositivos e artigos publicados j mostram sua
eficincia Com tudo isso, de interesse do Laboratrio de Energia Solar (LABENSOL) UEFS, estudar o
funcionamento de uma clula fotovoltaica atuando como radimetro. O caminho tomado foi avaliar seu funcionamento
em funo do modelo matemtico proposto, test-la em funo dos parmetros de especificao estabelecidos na
norma ISO-9060 e compar-la com um piranmetro de referncia para as medidas realizadas em condies ambientes.
Como resultado, a clula estudada mostrou ser uma boa alternativa considerando a anlise proposta. A curva I-V
medida, se ajustou ao modelo, apresentando erro mximo de 5%. No geral, os resultados para os parmetros de
especificao mantiveram-se dentro dos limites estabelecidos pela norma ISO-9060 e a comparao com o
piranmetro de referncia determinou a clula, como um radimetro fotovoltaico com preciso de 5%. Neste quesito,
segundo a WMO (World Meteorological Organisation), a clula classificada como um piranmetro de boa
qualidade. Para perspectivas de testes futuros, j existe uma proposta de substituio da fonte de radiao e de toda a
base utilizada em laboratrio, esperando, como resultado, medidas mais refinadas e testes mais equivalentes com os
propostos pelas normas estabelecidas.

Palavras-chave: Clulas Fotovoltaicas de Silcio, Radimetros, Energia Solar, Instrumentao


1. INTRODUO

As perspectivas de aplicao de sistemas eltrico-solares (fotovoltaicos) dependem da anlise do potencial solar da
regio onde se pretende utilizar. Os dados encontrados, medidos com radimetros do tipo piranmetros que respondem
numa larga faixa do espectro solar (geralmente de 0,3 a 2,2 m), no representam com preciso o potencial solar til
converso fotovoltaica com os tradicionais mdulos de silcio, semicondutor presente em 97% das clulas solares
disponveis comercialmente (sensveis apenas entre 0,3 - 1,1 m) (Greenpeace e EPIA, 2007). Nesse contexto, a
implementao de radimetros fotovoltaicos de silcio representa uma soluo eficaz. Grandes indstrias de sensores,
conceituadas no mercado de radiometria, fabricam tais dispositivos e artigos publicados j mostram sua eficincia, em
comparao com os piranmetros trmicos.
A proposta desse trabalho medir, a partir do sinal fornecido por uma clula FV (fotovoltaica), (tenso ou
corrente), qual a insolao de uma regio em estudo, analisando, com base no seu modelo terico e resultados
experimentais, como a irradincia e a temperatura so influentes nesta medida. O caminho tomado foi analisar alguns
dos parmetros propostos na norma de especificao dos piranmetros, ISO 9060, e, alm disso, comparar o
funcionamento dessa clula FV com um piranmetro de referncia quando submetidos a condies ambientes (chuva,
vento, umidade, etc). Como a produo de um sensor calibrado segundo as normas internacionais demanda
equipamentos sofisticados e de uso especfico de laboratrios de normatizao, tecnologia que o LABENSOL no
dispe, esta anlise foi realizada buscando aproximar-se ao mximo das normas de especificao, apesar das limitaes
do laboratrio utilizado no trabalho.




1.1 Radiao Solar na Atmosfera

A constante solar, ou seja, a energia mdia irradiada pelo sol por unidade de rea que chega at a terra (fora da
atmosfera), de 1367 W/m
2
(Tiwari, 2002). Entretanto, ao passar pela atmosfera, a energia sofre processos de disperso
e absorso atenuando sua intensidade at chegar ao nvel do solo.
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O maior absorvente atmosfrico o vapor
respondem pela absoro de 19% da radiao
radiao do corpo negro e a do sol dentro

Figura 1- Faixa de sensibilidade das clulas solares de silcio, compa
atmosfera e ao nvel do solo. Fonte

O valor numrico da atenuao da radia
ngulo de incidncia dos raios, normalmente indicada por AMX onde X



1.2 Clula Fotovoltaica

A clula FV um dispositivo que converte a energia solar em energia eltrica, atravs do efeito fotovoltaico. Na
presena de radiao eletromagntica, ftons com energia suficiente podem excitar eltrons para nveis de energia mais
elevados. Se essa excitao corresponder a uma energia igual ou maior que o
banda de valncia para banda de conduo do material. Tais eltrons, acelerados pelo campo eltrico interno da juno
que compe a clula, do origem a uma
apresentado na Fig. 2-A, a estrutura bsica de uma clula fotovoltaica consiste na juno
tem conectados na superfcie frontal e na base, contatos eltricos, respons
localizados na banda de conduo. Na superfcie superior, os trilhos, como so chamados os contatos, so geralmente
bem estreitos para no impedir a passagem da luz
os contatos da base e da superfcie vai conduzir uma corrente resultante da diferena de potencial, gerada no efeito
fotovoltaico. essa corrente, chamada de fotocorrente, que
alimenta os conversores DC-AC quando



Figura 2: A- Esquema de uma juno
equivalente de uma clula
(A)
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atmosfrico o vapor dgua (H
2
O), que junto com o oznio (O
respondem pela absoro de 19% da radiao na atmosfera, como pode ser visto na Fig. 1
dentro e fora da atmosfera (Souza, 2007).

Faixa de sensibilidade das clulas solares de silcio, comparada com o espectro solar dentro e fora
atmosfera e ao nvel do solo. Fonte: (Palz, 1981) (modificada)
da atenuao da radiao pela atmosfera chamada de Massa de Ar
normalmente indicada por AMX onde X um nmero dado pela equao 5
cos
1
= X
um dispositivo que converte a energia solar em energia eltrica, atravs do efeito fotovoltaico. Na
presena de radiao eletromagntica, ftons com energia suficiente podem excitar eltrons para nveis de energia mais
onder a uma energia igual ou maior que o gap, existir a transio de eltrons da
banda de valncia para banda de conduo do material. Tais eltrons, acelerados pelo campo eltrico interno da juno
, do origem a uma corrente eltrica, isto o efeito fotovoltaico. Como pode ser visto no esquema
, a estrutura bsica de uma clula fotovoltaica consiste na juno P-N
tem conectados na superfcie frontal e na base, contatos eltricos, responsveis pela captao dos eltrons livres
localizados na banda de conduo. Na superfcie superior, os trilhos, como so chamados os contatos, so geralmente
bem estreitos para no impedir a passagem da luz para o semicondutor. Um circuito resistivo fechando
vai conduzir uma corrente resultante da diferena de potencial, gerada no efeito
fotovoltaico. essa corrente, chamada de fotocorrente, que recarga baterias, acende lmpadas, aciona motores ou
AC quando os mdulos fotovoltaicos so conectados diretamente

Esquema de uma juno P-N de uma clula FV de silcio. Fonte: (Souza, 2007); B
equivalente de uma clula FV alimentando uma carga R
c
.
(B)

unto com o oznio (O
3
) e o oxignio (O
2
)
que contrasta as curvas de

rada com o espectro solar dentro e fora da
Massa de Ar (AM) que funo do
um nmero dado pela equao 5.
(5)

um dispositivo que converte a energia solar em energia eltrica, atravs do efeito fotovoltaico. Na
presena de radiao eletromagntica, ftons com energia suficiente podem excitar eltrons para nveis de energia mais
, existir a transio de eltrons da
banda de valncia para banda de conduo do material. Tais eltrons, acelerados pelo campo eltrico interno da juno
o efeito fotovoltaico. Como pode ser visto no esquema
N de um semicondutor, que
veis pela captao dos eltrons livres
localizados na banda de conduo. Na superfcie superior, os trilhos, como so chamados os contatos, so geralmente
semicondutor. Um circuito resistivo fechando a conexo entre
vai conduzir uma corrente resultante da diferena de potencial, gerada no efeito
acende lmpadas, aciona motores ou
diretamente rede eltrica.

. Fonte: (Souza, 2007); B- Circuito eltrico
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Para a construo do modelo fotovoltaico, deve
dispositivo composto por uma juno de semicondutor, cujo
como uma fonte de tenso ou corrente, e que por apresentar imperfeies na estrutura cristalina ou tambm pela
presena de contatos eltricos no semicondutor, apresenta resistncias parasitas. Desta forma, pode
circuito equivalente para uma clula fotovoltaica alimentando uma carga representada por uma resistncia
configurao apresentada na Fig. 2-B.
Nesse esquema, a clula fotovoltaica, composta por uma juno
caracterstico por apresentar a mesma estrutura de juno. O gerador de
representa a gerao de corrente I
s
[A] na presena de luz. As resistncias
em paralelo respectivamente, representam a presena das resistncias parasitas. A carga resistiva
pela corrente I [A], que pode ser obtida diretamente da tenso
Com base no esquema do circuito eltrico apresentado na Fig.
atravessa a carga resistiva R
c
. O modelo matemtico equivalente a este circuito, que descreve o comportamento da
clula fotovoltaica, apresentado na Eq.
gerador, produzindo a fotocorrente I
s
; o segundo a equao de um diodo, devido clula ter a mesma estrutura de
juno desse dispositivo; e o terceiro representa as perdas de corrente gerad



O segundo termo da Eq. (6) descreve a corrente que atravessa um diodo polarizado, onde
mxima de saturao do diodo [A], m
trmico [V] ( e kT V
T
= ; onde e a carga do eltron (1,6 x 10
pois, na presena de radiao, a corrente que atravessa a carga
observando esquema eltrico da Fig. 2
justificando o sinal negativo. A presena de resistncias parasitas est associada principalme
clula, entrando como um termo negativo no balano de potncia
potncia gerada, Eq. (7), dada por:


Estudos da estrutura de bandas de energia
aumento da temperatura. Com esse aumento, ftons com energias menores conseguem excitar os eltrons da banda de
valncia para a banda de conduo, resultando,
mais ftons com energia de excitao suficiente, implicar em mais eltrons chegando banda de conduo,
estabelecendo uma relao de direta proporcionalidade entre a corrente solar
superfcie, conforme a Eq. (8) (Soto, 2004)


onde, G
r
[w/m]e T
r
[C] so Irradincia e temperatura da clula nas condies de referncia.
Das resistncias parasitas que compem o modelo FV, Eq. (8),
semicondutor dopado e tambm est associada resistncia entre os contatos entre o metal e o semicondutor.
Idealmente deve ser bem pequena, mas como compe o expoente do termo associado ao semicondutor
seu crescimento antecipa a queda de corrente caracterstica do comportamento da curva
suave. Assim, a resistncia em srie pode ser entendida como a inclinao da curva
Eq. (9) (Soto, 2004).


R

A resistncia em paralelo representa as perdas de corrente da clula e est associada s imperfeies do cristal do
semicondutor. Idealmente esta resistncia seria infinita, representando
Eq. (6), a diminuio da resistncia em paralelo, est associada ao aumento do termo que determina as quedas de
corrente na regio entre a potncia mxima e o curto
I-V na regio de curto-circuito, como apresentado na

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Para a construo do modelo fotovoltaico, deve-se levar em considerao que a clula fotovoltaica um
dispositivo composto por uma juno de semicondutor, cujo gap depende da temperatura, que na presena de luz atua
fonte de tenso ou corrente, e que por apresentar imperfeies na estrutura cristalina ou tambm pela
presena de contatos eltricos no semicondutor, apresenta resistncias parasitas. Desta forma, pode
fotovoltaica alimentando uma carga representada por uma resistncia
Nesse esquema, a clula fotovoltaica, composta por uma juno pn, representada por um diodo [
caracterstico por apresentar a mesma estrutura de juno. O gerador de corrente [
[A] na presena de luz. As resistncias R
s
e R
p
[], que so as resistncias em srie e
amente, representam a presena das resistncias parasitas. A carga resistiva
[A], que pode ser obtida diretamente da tenso V [V] nos terminais da clula.
Com base no esquema do circuito eltrico apresentado na Fig. 2-B, pode-se determinar a corrente
. O modelo matemtico equivalente a este circuito, que descreve o comportamento da
clula fotovoltaica, apresentado na Eq. (6) (Soto, 2004), caracterizado por trs termos: O primeiro est relacionado ao
; o segundo a equao de um diodo, devido clula ter a mesma estrutura de
juno desse dispositivo; e o terceiro representa as perdas de corrente gerada pelas resistncias parasitas.
p
s mV
IR V
s
R
IR V
I I I
T
s
+

|
|

\
|
=
+
1 e
0
,
descreve a corrente que atravessa um diodo polarizado, onde
o fator de idealidade do diodo, R
S
a resistncia em srie [
a carga do eltron (1,6 x 10
-19
C)). Convencionalmente, a fotocorrente positiva,
pois, na presena de radiao, a corrente que atravessa a carga R
c
se deve aos eltrons foto
. 2-B, o nico sentido de conduo de corrente pelo diodo contrario a
justificando o sinal negativo. A presena de resistncias parasitas est associada principalmente s perdas de potncia da
negativo no balano de potncia. Neste termo R
p
a resistncia em paralelo [
IV P =
Estudos da estrutura de bandas de energia mostram que existe uma diminuio do gap
aumento da temperatura. Com esse aumento, ftons com energias menores conseguem excitar os eltrons da banda de
da de conduo, resultando, em um pequeno aumento da fotocorrente. Por outro lado, a chegada de
mais ftons com energia de excitao suficiente, implicar em mais eltrons chegando banda de conduo,
estabelecendo uma relao de direta proporcionalidade entre a corrente solar I
s
e a intensidade solar que chega at
(Soto, 2004).
( ) [ ]
r ccr
r
s
T T I
G
G
I + = ,
[C] so Irradincia e temperatura da clula nas condies de referncia.
Das resistncias parasitas que compem o modelo FV, Eq. (8), a resistncia em srie a prpria resistncia do
semicondutor dopado e tambm est associada resistncia entre os contatos entre o metal e o semicondutor.
Idealmente deve ser bem pequena, mas como compe o expoente do termo associado ao semicondutor
seu crescimento antecipa a queda de corrente caracterstica do comportamento da curva I-V
Assim, a resistncia em srie pode ser entendida como a inclinao da curva I-V na regio de circuito aberto,
CA
V V
s
dI
dV
R
=
|

\
|
=
CC
I I
P
dI
dV
R
=
|

\
|
=

A resistncia em paralelo representa as perdas de corrente da clula e est associada s imperfeies do cristal do
semicondutor. Idealmente esta resistncia seria infinita, representando nenhuma perda. Dentro do modelo FV da
, a diminuio da resistncia em paralelo, est associada ao aumento do termo que determina as quedas de
corrente na regio entre a potncia mxima e o curto-circuito. Assim, pde ser equacionada como a inclina
como apresentado na Eq. (9).

que a clula fotovoltaica um
depende da temperatura, que na presena de luz atua
fonte de tenso ou corrente, e que por apresentar imperfeies na estrutura cristalina ou tambm pela
presena de contatos eltricos no semicondutor, apresenta resistncias parasitas. Desta forma, pode-se representar um
fotovoltaica alimentando uma carga representada por uma resistncia R
c
[], pela
, representada por um diodo [ ],
] associado ao diodo,
que so as resistncias em srie e
amente, representam a presena das resistncias parasitas. A carga resistiva R
c
[] alimentada
se determinar a corrente I [A] que
. O modelo matemtico equivalente a este circuito, que descreve o comportamento da
caracterizado por trs termos: O primeiro est relacionado ao
; o segundo a equao de um diodo, devido clula ter a mesma estrutura de
pelas resistncias parasitas.
(6)
descreve a corrente que atravessa um diodo polarizado, onde I
0
a corrente inversa
cia em srie [] e V
T
o potencial
C)). Convencionalmente, a fotocorrente positiva,
se deve aos eltrons foto-gerados, por outro lado,
, o nico sentido de conduo de corrente pelo diodo contrario a I
s,

nte s perdas de potncia da
a resistncia em paralelo []. A
(7)

gap do semicondutor com o
aumento da temperatura. Com esse aumento, ftons com energias menores conseguem excitar os eltrons da banda de
nte. Por outro lado, a chegada de
mais ftons com energia de excitao suficiente, implicar em mais eltrons chegando banda de conduo,
e a intensidade solar que chega at sua
(8)


resistncia em srie a prpria resistncia do
semicondutor dopado e tambm est associada resistncia entre os contatos entre o metal e o semicondutor.
Idealmente deve ser bem pequena, mas como compe o expoente do termo associado ao semicondutor, no modelo FV,
V da clula tornando-a mais
na regio de circuito aberto,
(9)
A resistncia em paralelo representa as perdas de corrente da clula e est associada s imperfeies do cristal do
nenhuma perda. Dentro do modelo FV da
, a diminuio da resistncia em paralelo, est associada ao aumento do termo que determina as quedas de
de ser equacionada como a inclinao da curva
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2. INSTRUMENTAO

Para desenvolver o estudo proposto neste trabalho um mdulo fotovoltaico de silcio policristalino com 36 mm de
largura e 51,5 mm de comprimento, composto por cinco clulas em srie, Fig. 3-A. Neste trabalho o mdulo ser
chamado de clula em teste. O conjunto montado sobre uma placa de fenolite (tpica de circuitos eletrnicos) e a
superfcie sensvel, est recoberta por uma camada de resina transparente.



Figura 3: A- Clula fotovoltaica em estudo; B-Esquema de montagem da clula FV para o estudo.

Na configurao proposta para a realizao do estudo, encontra-se ligada nos terminais da clula em teste,
ocupando o lugar da resistncia de carga R
c
no circuito eltrico equivalente, Fig. 2-B, uma resistncia de 1. Essa
configurao permite que a clula opere na regio prxima a corrente de curto-circuito. Pode-se notar comportamento
da clula em curto-circuito, Eq. (10) (Soto, 2004), em funo da irradiancia e temperatura, bem semelhante ao
comportamento da corrente solar I
s,
em relao aos mesmos parmetros.

) (
r ccr
r
cc
T T I
G
G
I + = (10)

A medida de corrente, para este modo, realizada de forma indireta atravs da medida da tenso nos terminais da
resistncia de 1. As tenses mximas medidas nesse modo se encontram na ordem das dezenas de mV (milivolt).
Em todo o estudo, a temperatura da clula em teste foi medida por um sensor de temperatura de calibrado, o
LM35CZ (National Semiconductors), que est localizado na superfcie inferior da clula em teste, livre da incidncia
direta da luz, Fig. 3-B. Caracterizado como um sensor ativo (necessita de alimentao externa para sua operao), este
se encontra alimentado com tenso V
cc
=12V. Suas principais caractersticas so apresentadas na Tab. 1.

Tabela 1: Principais caractersticas do sensor de temperatura LM35CZ.

Caracterstica Valor
Sensibilidade

10 mV/C
Preciso (a 25 C)

0,5 C
Faixa de leitura

- 40 a 110 C

Para medir a intensidade solar global, e obter os dados de irradincia tomados como referncia, utilizou-se o
piranmetro CM21 (Kipp&Zonen), devidamente calibrado e classificado como padro secundrio segundo a norma ISO
9060. Esse modelo de piranmetro j foi citado na literatura como referncia na comparao com outros instrumentos
(Storch, 2004; SolData Intruments, 2009). As principais caractersticas so apresentadas na Tab. 2.

Tabela 2: Principais caractersticas do piranmetro de referncia CM21.

Caracterstica Valor
Sensibilidade 10,08 V/W.m
Faixa espectral de resposta 0,335 a 2,200 m
Tempo de resposta 5 s (95% da resposta)
Dependncia com a temperatura < 1% (de -20 a 50 C)
Preciso 2%
Erro com a inclinao 0,2%
Seletividade espectral 2%

(B)
(A)
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3. METODOLOGIA DE TESTES

A necessidade de medidas idnticas de uma mesma grandeza realizada por sensores diferentes, fora o
estabelecimento de normas que garantam as uniformidades das medidas. Dentre as inmeras normas de calibrao e
especificao de sensores de radiao solar, podem
relacionadas ao processo de calibrao e a ISO
A especificao segundo a norma ISO 9060 tem como base a anlise dos seg
Resposta; Compensao do ponto zero; No
Seletividade Espectral; Resposta Temperatura e Resposta Inclinao
especificao dos piranmetros tem como base a anlise desses parmetros
concentra em analisar alguns dos parmetros de especificao
instantneas e de longa durao da radiao solar, realizadas p
fazem parte do estudo.
Os testes com a clula, exceto os que utilizam radiao solar direta, foram realizados em uma base para testes
desenvolvida no Laboratrio de Energia Solar da UEFS, Fig

Figura
A base tem uma estrutura para fixar o sensor que o permite girar
da radiao. O eixo de rotao se encontra no nvel da superfcie do sensor. Uma lmpada dicri
EXN com lente (FLC), alimentada pela fonte de tenso estabilizada ADV
radiao. A lmpada se encontra dentro de uma estrutura que a mantm resfriada e faz a colimao da radiao em
direo superfcie do sensor.
O espelho dicrico no fundo da lmpada reflete a luz na regio do visvel e absorve a luz para alguns
comprimentos de onda do infravermelho, tendo como efeito resultante uma fonte de radiao com temperatura de cor na
ordem de 4700K, enquanto que a lmpada hal
temperatura de cor de 2900K.
A lmpada encontra-se fixada numa estrutura de trilhos, com escala graduada, que permite a mudana e
distncia entre a lmpada e o sensor, e conseqentemente variao da intensidade que chega at o sensor, mantendo a
alimentao da lmpada constante e, assim, o mesmo espectro de radiao.
Para a comparao das medidas instantneas
de referncia, ambos foram submetidos simultaneamente s mesmas condies ambientais. Os sensores foram
colocados lado a lado, sobre uma plataforma instalada prximo ao telhado do prdio do LABOFIS, Fig


Figura
Os dados foram adquiridos e gravados pelo
tratamento atravs de uma interface serial. Um programa exclusivo do fabricante faz a decodificao dos dados
gravados, possibilitando exportar esses dados em formato de texto. A aquisio, pelo Nomad 2,
intervalos desejados, 24h por dia, onde os dados de todos os canais ligados so gravados simultaneamente. No caso
desse trabalho, os dados utilizados para as anlises foram adquiridos no intervalo entre 6 e 18h, com 1 (uma) aquisio
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A necessidade de medidas idnticas de uma mesma grandeza realizada por sensores diferentes, fora o
estabelecimento de normas que garantam as uniformidades das medidas. Dentre as inmeras normas de calibrao e
especificao de sensores de radiao solar, podem-se destacar, para os piranmetros, as normas ISO
librao e a ISO-9060 que especifica e classifica estes sensores.
A especificao segundo a norma ISO 9060 tem como base a anlise dos seguintes parmetros
Compensao do ponto zero; No-Estabilidade; No Linearidade; Resposta Direcional (para radiao direta);
Seletividade Espectral; Resposta Temperatura e Resposta Inclinao (Freire, 2008). Levando em considerao que a
m como base a anlise desses parmetros, o estudo realizado nesse tr
concentra em analisar alguns dos parmetros de especificao no prottipo em estudo. Comparaes entre as medidas
instantneas e de longa durao da radiao solar, realizadas pela clula em teste e o piranmetro de referncia tambm
Os testes com a clula, exceto os que utilizam radiao solar direta, foram realizados em uma base para testes
desenvolvida no Laboratrio de Energia Solar da UEFS, Fig. 4.
Figura 4- Base para testes em laboratrio.

A base tem uma estrutura para fixar o sensor que o permite girar e conseqentemente variar
eixo de rotao se encontra no nvel da superfcie do sensor. Uma lmpada dicri
EXN com lente (FLC), alimentada pela fonte de tenso estabilizada ADV-3062D (Genrica), utilizada como fonte de
radiao. A lmpada se encontra dentro de uma estrutura que a mantm resfriada e faz a colimao da radiao em
O espelho dicrico no fundo da lmpada reflete a luz na regio do visvel e absorve a luz para alguns
nfravermelho, tendo como efeito resultante uma fonte de radiao com temperatura de cor na
nquanto que a lmpada halgena que compe a lmpada dicrica, segundo o fabricante, t
se fixada numa estrutura de trilhos, com escala graduada, que permite a mudana e
distncia entre a lmpada e o sensor, e conseqentemente variao da intensidade que chega at o sensor, mantendo a
alimentao da lmpada constante e, assim, o mesmo espectro de radiao.
Para a comparao das medidas instantneas e de longa durao, realizadas com a clula em teste
ncia, ambos foram submetidos simultaneamente s mesmas condies ambientais. Os sensores foram
colocados lado a lado, sobre uma plataforma instalada prximo ao telhado do prdio do LABOFIS, Fig


Figura 5- Sensores expostos radiao solar.

Os dados foram adquiridos e gravados pelo data logger Nomad 2 (Secondwind), podendo ser baixados para o
tratamento atravs de uma interface serial. Um programa exclusivo do fabricante faz a decodificao dos dados
gravados, possibilitando exportar esses dados em formato de texto. A aquisio, pelo Nomad 2,
intervalos desejados, 24h por dia, onde os dados de todos os canais ligados so gravados simultaneamente. No caso
desse trabalho, os dados utilizados para as anlises foram adquiridos no intervalo entre 6 e 18h, com 1 (uma) aquisio

A necessidade de medidas idnticas de uma mesma grandeza realizada por sensores diferentes, fora o
estabelecimento de normas que garantam as uniformidades das medidas. Dentre as inmeras normas de calibrao e
se destacar, para os piranmetros, as normas ISO-9846, ISO-9847
ca e classifica estes sensores.
uintes parmetros: Tempo de
Estabilidade; No Linearidade; Resposta Direcional (para radiao direta);
Levando em considerao que a
, o estudo realizado nesse trabalho se
no prottipo em estudo. Comparaes entre as medidas
e o piranmetro de referncia tambm
Os testes com a clula, exceto os que utilizam radiao solar direta, foram realizados em uma base para testes

e conseqentemente variar o ngulo de incidncia
eixo de rotao se encontra no nvel da superfcie do sensor. Uma lmpada dicrica de 50W, modelo
3062D (Genrica), utilizada como fonte de
radiao. A lmpada se encontra dentro de uma estrutura que a mantm resfriada e faz a colimao da radiao em
O espelho dicrico no fundo da lmpada reflete a luz na regio do visvel e absorve a luz para alguns
nfravermelho, tendo como efeito resultante uma fonte de radiao com temperatura de cor na
na que compe a lmpada dicrica, segundo o fabricante, tem
se fixada numa estrutura de trilhos, com escala graduada, que permite a mudana e medida da
distncia entre a lmpada e o sensor, e conseqentemente variao da intensidade que chega at o sensor, mantendo a
clula em teste e o piranmetro
ncia, ambos foram submetidos simultaneamente s mesmas condies ambientais. Os sensores foram
colocados lado a lado, sobre uma plataforma instalada prximo ao telhado do prdio do LABOFIS, Fig. 5.
Nomad 2 (Secondwind), podendo ser baixados para o
tratamento atravs de uma interface serial. Um programa exclusivo do fabricante faz a decodificao dos dados
gravados, possibilitando exportar esses dados em formato de texto. A aquisio, pelo Nomad 2, realizada em
intervalos desejados, 24h por dia, onde os dados de todos os canais ligados so gravados simultaneamente. No caso
desse trabalho, os dados utilizados para as anlises foram adquiridos no intervalo entre 6 e 18h, com 1 (uma) aquisio
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por minuto. Dos 7 canais analgicos disponveis para aquisio no Nomad 2, trs foram utilizados durante as medidas:
CH1 Tenso do piranmetro; CH2 Tenso da clula em anlise; CH3 Tenso do sensor de temperatura.


4. RESULTADOS

Seguindo o proposto neste trabalho, ou seja, estudar um dispositivo FV operando como radimetro, atravs de
uma anlise da influencia de parmetros como insolao e temperatura sobre seu funcionamento, avaliao do
dispositivo em funo de seu modelo terico e comparao com um radimetro calibrado, sero apresentados, nesse
captulo, os resultados da composio do modelo terico e dos testes experimentais, os quais serviram de base para as
concluses de todo o estudo.

4.1 Comparao com o Modelo Terico

Para a anlise do comportamento da clula, em funo do modelo FV, Eq. (6), foi necessria a construo da curva
I-V da clula em teste, Fig. 6, obtida a partir dos dados resultantes das medidas da tenso e corrente associadas a
diferentes resistncias de carga R
c
.

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
0,00
0,01
0,02
0,03
0,04
0,05
(c)
(a)
(b)
Curva: Corrente x Tenso

C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
Tenso (V)
(a)
0,00
0,02
0,04
0,06
0,08
0,10
Curva: Potncia x Tenso

P
o
t

n
c
i
a

(
W
)


Figura 6- Curva IV caracterstica da clula e potncia gerada.

As condies de referncia da curva I-V acima foram: intensidade G
r
= 1000W/m e temperatura T
r
= 307 K.
Convencionalmente, devido s suas relevncias tcnicas, trs pontos especficos do comportamento da curva I-V da
clula fotovoltaica, so destacados: (a) corrente de curto-circuito; (b) ponto de mxima potncia; (c) tenso de circuito
aberto. Os dados de corrente e tenso relacionados a esses pontos especficos so utilizados na composio do modelo
terico de funcionamento de um dispositivo fotovoltaico, permitindo assim, uma anlise prvia da dimenso de um
sistema fotovoltaico em funo dos parmetros climticos da regio onde se pretende aplicar esse sistema. Os valores
de tenso de circuito aberto, corrente de curto-circuito e os valores tenso e correntes para potncia mxima, so

Tabela 3: Tenso e Corrente nos pontos de potncia mxima, circuito aberto e curto-circuito

Ponto Tenso (V) Corrente (V)
Curto-circuito (V
cc
) 0,000 (I
cc
) 0,0426
Circuito Aberto (V
ca
) 2,736 (I
ca
) 0.0000
Potncia mxima (V
pm
) 2,231 (I
pm
) 0,0399

As resistncias em srie (R
s
) e em paralelo (R
p
) , tendo como base a Eq. (9), foram obtidas com ajustes lineares da
curva I-V na regio de curto-circuito para R
p
e na regio de tenso de circuito aberto para R
s
. O critrio adotado, foi
ajustar linearmente os 10 pontos mais prximos da corrente de curto-circuito ou tenso de circuito aberto. Como o
coeficiente angular da reta de ajuste da curva I-V, est associada derivada da corrente em funo da tenso, foi
possvel, ento, encontrar os valores das resistncias parasitas. Os valores encontrados para R
p
e R
s
foram 1,87K e
7,09, respectivamente.
A construo do modelo matemtico para a clula em teste depende do clculo dos cinco parmetros associados a
ele. Dessa forma, partindo da anlise do comportamento da clula nos pontos de corrente de curto-circuito, potncia
mxima e tenso de circuito aberto, levando em considerao que os parmetros R
s
e R
p
j foram determinados,
podemos encontrar os parmetros I
s
, I
0
e m a partir das equaes 11 a 13: (Phang et al, 1984).

III Congresso Brasileiro de Energia Solar - Belm, 21 a 24 de setembro de 2010


( ) ( )
(

|
|

\
|
+
+
=

p
R
ca
V
cc
pm
p
ca
p
pm
I
I
R
V
cc pm R
V
cc t
ca s pm pm
I ln I I ln V
V R I V
m (11)

|
|

\
|

|
|

\
|
=
t
ca
p
ca
cc o
mV
V
R
V
I I exp

(12)

(

|
|

\
|
+
|
|

\
|
+ = 1 exp 1
t
s cc
o
p
s
cc s
mV
R I
I
R
R
I I (13)

Os resultados para os cinco parmetros do modelo encontrados so apresentados na Tab. 4.


Tabela 4: Parmetros encontrados para o modelo fotovoltaico de cinco parmetros.

Parmetro I
s
(A) I
0
(A) R
s
() R
p
() m
Valor 0,0428 3,43 x 10
-15
7,33 1,87 x 10
3
3,54

Substitudo os dados da Tab. 4 na equao de corrente do modelo fotovoltaico, Eq. (6) foi possvel a construo da
curva I-V terica para a clula em estudo, Fig. 7.



Figura 7- Comparao entre as curvas IV experimental e modelo

Como pode ser visto na Fig. 7, o modelo descreve bem o comportamento da clula em teste nos pontos de corrente
de curto-circuito e tenso de circuito aberto, para a regio onde se encontra o ponto de potncia mxima o modelo prev
potncias menores em relao ao comportamento encontrado. No ponto de potncia mxima, em especfico, o erro
relativo, Er [%], do modelo em relao curva experimental foi 4,78%. Em mdia Er = 8,34%.
Levando em considerao os erros encontados, simulaes do modelo matemtico para diversos valores de R
p
e R
s

foram realizadas, supondo que a disparidade entre as curvas experimental e do modelo FV tenha origem na
determinao desses parmetros. O procedimento realizado foi o mesmo utilizado para a determinao do modelo FV
apresentado na Fig. 7. Os valores dos cinco prarmetros do modelo matemtico para a clula em teste, calculados para
alguns valores de R
p
e R
s
so apresentados na Tab. 5.

Tabela 5: Parmetros encontrados para o modelo fotovoltaico de cinco parmetros.

Parmetro I
s
(A) I
0
(A) R
s
() R
p
() m
Valor
0,0426 1,51 x 10
-7
12,00 1000

8,25
0,0427 9,05 x 10
-13
4,00 1100 4,21
0,0431 3,24 x 10
-158
12,00 1000 0,028

Substitudo os dados da Tab. 6 na equao de corrente do modelo fotovoltaico, Eq. (6) foi possvel a construo
das curvas I-V simulada para a clula em estudo, que, juntamente com a curva experimental e o modelo encontrado so
apresentadas na Fig. 8-A.
0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
0,00
0,01
0,02
0,03
0,04
0,05

C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
Tenso (V)
Curva Experimental
Modelo

III Congresso Brasileiro de Energia Solar - Belm, 21 a 24 de setembro de 2010

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
0,00
0,01
0,02
0,03
0,04
0,05


C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
Tenso (V)
Experimental
Rs=12; Rp=1000
Rs=7,33; Rp=1870 (modelo)
Rs=4; Rp=1100
Rs=0,1; Rp=2000

0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0
0
10
20
30
40
50


E
r
r
o

r
e
l
a
t
i
v
o

(
%
)
Tenso (V)
Regio de max. potncia
Rs=12; Rp=1000
Rs=7,33; Rp=1870 (modelo)
Rs=4; Rp=1100
Rs=0,1; Rp=2000

Figura 8: A- Curvas I-V (simuladas, modelo e experimental); B- Comportamento do valor absoluto do erro relativo
das Curvas I-V (simuladas e modelo calculado) em relao a curva exprimental.

As curvas simuladas, Fig. 8-A, mostram uma significativa influencia das resistncias parasitas no perfil das curvas
I-V. Com de R
p
= 12 e R
s
= 1K, obteve-se o melhor ajuste na regio de potncia mxima dentre as curvas em
relao curva experimental, com Er = 0,79% no ponto de potncia mxima, Fig.8-B. Apesar de obter, visualmente, um
melhor resultado, Fig. 8-A, a curva com R
p
= 0,1 e R
s
= 2K, apresentou Er = 6,51% no ponto de potncia mxima
alm de apresentar erros relativos significativos na regio prximo ao curto-circuito. O melhor ajuste encontrado nas
simulaes foi obtido para R
p
= 4 e R
s
= 1,1K, que apresentou Er = 3,84% no ponto de potncia mxima e, em
mdia pra curva toda, Er = 3,02%. Para as outras curvas o erro relativo mdio foram maiores que 6%.

4.2 Medida de Dependncia da Resposta com a Temperatura

Para a anlise da dependncia com temperatura para os piranmetros, a norma ISO-9060 estabelece como
parmetro a medida da temperatura ambiente do local onde esto sendo realizados os testes. Entretanto, toda a
construo do modelo fotovoltaico leva em considerao a influncia da temperatura do semicondutor para converso
fotovoltaica. Desta forma, o teste de dependncia com a temperatura, realizado nesse trabalho, leva em conta a
temperatura do sensor, que medida na superfcie posterior da clula em teste, como mostrado na Fig. 3-B.
Incidindo radiao com potncia constante de 1000W/m sobre a superfcie sensvel da clula em teste, a uma
temperatura inicial de 18C, fez-se variar a temperatura da clula em teste, medindo-se a sua respectiva resposta
incidncia de radiao. O prottipo foi aquecido com o uso de um jato de ar quente, chegando at a temperatura de
58C. A Fig. 8-A mostra o comportamento da resposta da clula em teste em funo da temperatura.


Figura 8: A- Dependncia da resposta da clula em teste com a temperatura; B- Aquecimento da clula ao longo do
tempo.

O comportamento da clula em teste no intervalo de temperatura compreendido entre 18 e 30C, no condiz com o
modelo terico. Como pode ser notado na Fig. 8-A, clula em teste mostrou um comportamento linear apenas para
temperaturas superiores a 30C. Tal efeito se deve ao tempo de difuso do calor at chegar ao sensor de temperatura,
representando a inrcia trmica do sistema cristal de silcio + placa de fenolite. Uma anlise mais detalhada da evoluo
da temperatura com o tempo, como apresentado na Fig. 8-B, evidenciou um aumento mais acentuado da temperatura
10 20 30 40 50 60
0,035
0,036
0,037
0,038


Pontos Experimentais
Ajuste Linear
C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
Temperatura (C)
0 200 400 600 800 1000 1200 1400 1600
10
20
30
40
50
60

T
e
m
p
e
r
a
t
u
r
a

(

C
)
Tempo (s)
Aquecimento da Clula FV

(A) (B)
(A)
(B)
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para incio do processo, em especfico, no intervalo entre 18 e 35C, seguido por um crescimento de temperatura
aproximadamente constante e linear para o resto do intervalo. O resultado encontrado para o perodo de no linearidade
evidencia que o aquecimento da clula em teste aconteceu de forma mais rpida que o tempo de difuso do calor pelo
semicondutor e placa de fenolite, assim, pode-se entender que o semicondutor da clula em teste estava mais quente do
que o sensor de temperatura acusava, e por tal motivo apresentou este aumento de corrente mais acentuado nesse
perodo. Para o intervalo acima de 35C, o aquecimento mais lento possibilitou a existncia do equilbrio de
temperatura entre o semicondutor e sensor trmico, tendo como resultado, o processo de evoluo da resposta com a
temperatura acontecendo como esperado no modelo matemtico.
Dentro deste contexto, o coeficiente de temperatura do sensor, correspondente ao coeficiente angular da reta de
ajuste da curva corrente versus temperatura, foi obtido para respostas associadas a temperaturas superiores a 30 C.
Como a clula em teste est configurada para operar na regio de curto-circuito, o coeficiente encontrado
= 5,32 x 10
-5
representa o coeficiente de temperatura da corrente de curto-circuito da clula fotovoltaica. A variao
percentual da I
cc
em relao temperatura foi de 0,15%C
-1
. Para um intervalo de temperatura de 50C essa variao
percentual chega a 7,5%.

4.3 Medida da Resposta com o ngulo de Incidncia

Como determina a Lei dos cosenos de Lambert, a intensidade de radiao que chega at uma superfcie
proporcional ao cosseno ngulo de incidncia. Portanto, pode-se definir a potncia irradiada sobre a superfcie do sensor
G
s
em funo do ngulo de incidncia, Eq. (14), atravs da relao:

G
s
= Gcos
s
, (14)

onde
s
o ngulo de incidncia em relao normal da superfcie do sensor e G a potncia irradiada.
A base construda para os testes na clula FV composta por um dispositivo de fixao do sensor, que permite
variaes no ngulo de incidncia da radiao, Fig. 9-A. Esse ngulo de incidncia medido atravs de um gonimetro
que est alinhado com o eixo central da superfcie do sensor. Com esse dispositivo foi possvel analisar o
comportamento da clula em teste segundo a Lei de Lambert.
O procedimento para a medida de resposta com o coseno foi realizado mantendo irradiao constante de
1000W/m, e temperatura em torno de 27C. A resposta da clula em teste foi medida para ngulos compreendidos no
intervalo de 0 a 90 variado passos de 5. Com a medida da resposta da clula em teste irradincia com incidncia
normal superfcie, calculou-se, com base na Eq. (14), a resposta terica da clula em teste para sucessivos ngulos de
incidncia. Os dados da resposta, medidos para estes ngulos, so comparados atravs do erro relativo com resposta
esperada, calculada anteriormente. Os valores absolutos dos erros para cada ngulo so apresentados na Fig. 9-B.


Figura 9: A- Vista superior da base de testes, destacando sistema graduado de deslocamento angular dos sensores; B-
Erros da resposta da clula em teste em relao ao ngulo de incidncia, calculados em relao ao valor esperado pela
lei de Lambert.

Como pode ser visto na Fig. 9-B, para incidncias at 60 os erros foram inferiores a 2%, chegando a 4,9% com a
radiao incidindo com o ngulo de 70. Para ngulos maiores, os erros crescem de forma significativa, passando de
30% para incidncia a 85. Poder-se-ia indicar a utilizao de um difusor na superfcie do semicondutor ou um sistema
de seguimento do movimento aparente do sol de como possvel soluo. As reflexes na interface ar-resina tornam-se
muito significativas para ngulos superiores a 70 prejudicando o funcionamento da clula em teste como sensor.
Entretanto, tal prejuzo no se faz to significativo, pois, nota-se que para um dia com cu claro, a quantidade de
energia medida antes das 7h e aps as 15h (horrio solar) que esto relacionados a ngulos solares maiores que -70 e
70, respectivamente, correspondem a cerca de 5% do total de energia medida durante todo o dia.

0 20 40 60 80
0
5
10
15
20
25
30

E
r
r
o

(
%
)
ngulo de incidncia ()

(A) (B)
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4.4 Testes com Insolao Global

Este teste permitiu uma avaliao do comportamento da clula em teste para medidas instantneas e tambm
medidas de longa durao. Os dados utilizados nesses testes foram coletados num perodo de cinco dias subseqentes
(de 7 a 11 de junho de 2009) em que a clula em teste juntamente com o piranmetro de referncia foram submetidos s
mesmas condies ambientes. Das medidas de sinal de corrente da clula em teste e piranmetro foi possvel realizar a
calibrao do dispositivo em teste, possibilitando ento encontrar sua sensibilidade S [A/W/m], Fig. 10. O
Comportamento da corrente corrigida I
corr
em funo da intensidade solar pode ser visto na Fig. 10.




Figura 10- Curva de calibrao da clula em teste com utilizao do piranmetro de referncia.

O coeficiente angular da reta de ajuste encontrado, que justamente a sensibilidade da clula em teste, foi:
S = 7,09 x 10
-5
A/W/m
2

Como a sensibilidade conhecida, pode-se ento determinar a quantidade de radiao que chega at a superfcie
da clula em teste, usando como parmetro de medida seu sinal de resposta, que nesse caso a corrente. Assim, a
poncia irradiada pelo sol medida pela clula em teste :

S
I
P
sol
= (15)

Entretanto, como o resultado apresentado no item 4.2 evidencia uma influncia significativa da corrente da clula
em teste com a temperatura, os dados de corrente da clula em teste, utilizados para o calculo da irradincia sobre a
superfcie da clula em teste, Eq. (15), foram corrigidos em relao temperatura segundo a relao apresentada na Eq.
(16), obtida com base na Eq. (10):

, (16)


onde I
corr
[A] e I [A] so a corrente da clula em teste corrigida em relao temperatura e corrente medida,
respectivamente, o coeficiente de temperatura da clula em teste, apresentado no item 4.2 e T
r
= 25 C.
Durante os 5 dias de anlise, as leituras realizadas pelo piranmetro resultaram na soma de irradincia de:
Ep= 17,7 MW/m e a clula em teste, calculada com base na Eq. (15), obteve a soma de irradincia Ec=18,4kWh/m.
Dessa forma, o erro E
r
das medidas de longa durao da clula em teste, em relao ao piranmetro foi:

E
r
= 3,9%

O dia 30 de julho de 2009 foi escolhido como um dia representativo para anlise das medidas instantneas, pois
apresenta um intervalo de insolao direta, na parte da manh, e um perodo nublado durante a tarde, permitido uma
anlise mais abrangente dos efeitos das condies ambientes sobre a clula em teste. Usando as medidas de corrente da
clula em teste realizadas para o dia analisado, com o auxlio da Eq. (15), foi possvel calcular a energia irradiada sobre
a clula em teste e assim, comparar o resultado com a medida realizada pelo piranmetro de referncia. Na Fig. 11-A,
so contrastadas as medidas de irradincias realizadas pela clula em teste e piranmetro de referncia.
Visualmente as curvas da Fig. 11-A se encontram muito prximas em quase todo dia, a exceo do incio da
manh e final da tarde, onde as discrepncias aumentam (desvio da lei de Lambert). Os picos pronunciados esto
associados aos efeitos de reflexo causados pelas nuvens, que medida que vo se aproximando do ponto de cobertura
0 200 400 600 800 1000 1200
0,000
0,015
0,030
0,045
0,060
0,075
0,090


C
o
r
r
e
n
t
e

(
A
)
Irradincia (W/m
2
)
Pontos Experimentais
Ajuste Linear
III Congresso Brasileiro de Energia Solar - Belm, 21 a 24 de setembro de 2010

do sol, refletem a luz na direo do sensor, aumentando assim a quantidade de radiao medida. Essa explicao para os
picos pode ser referendada pela queda de irradincia logo aps seu aparecimento, originada da interrupo da
iluminao direta do sol causada pela nuvem. Uma anlise estatstica mais detalhada mostrando as discrepncias entre
as curvas da Fig. 11-A apresentada na Fig. 11-B.
06:00 08:00 10:00 12:00 14:00 16:00 18:00
0
200
400
600
800
1000
1200


I
r
r
a
d
i

n
c
i
a

(
W
/
m
2
)
Tempo (HH:mm)
Piranmetro
Clula FV

08:00 10:00 12:00 14:00 16:00
0
1
2
3
4
5
0 100 200 300 400


R
a
z

o

d
a
s

i
r
r
a
d
i

n
c
i
a
s

(
c

l
u
l
a
/
p
i
r
a
n

m
e
t
r
o
)

Tempo (hh:mm)
Razo das irradiancias
Frequncia


Model: GaussAmp
Chi^2/DoF = 412.0237
R^2 = 0.93197

y0 0 0
xc 1 0
w 0.028 0.00189
A 340.64 20.29


Figura 11: A- Curvas das leituras de irradincia solar do piranmetro de referncia e clula em teste; B- Curvas da razo
entre as irradincias solar lidas (clula/piranmetro) / histograma de freqncias das razes para a regio de interesse
(em destaque).

Nos extremos da Fig. 11-B, pode-se notar que a razo assume valores grandes se comparados com o esperado 1
(um). Nestas regies as leituras esto muito prximas do fundo de escala do sistema de aquisio (NOMAD) gerando
dados no confiveis, Alem disso, incidncias com ngulos acima de 70, como apresentado neste trabalho, carregam
erros significativos, confirmando a presena de erros to expressivos. Por isso, a anlise estatstica das medidas
instantneas foi realizada apenas para o perodo compreendido entre as 8 e s 16h.
Dentro da regio de interesse, a Fig. 11-B exibe alguns picos no decorrer da evoluo. Se comparados os tempos,
com os apresentados nas curvas da Fig. 11-A, perceptvel que estes picos acontecem nas regies onde existe uma
queda ou ascenso de irradincia pronunciada, que, como j falado, esto associadas passagem de nuvens. Nesses
pontos, a diferena entre os tempos de resposta dos sensores torna-se mais evidente, ou seja, efeito capacitivo na leitura
do piranmetro leva a um atraso na leitura para quedas ou ascenses intensas, resultando em erros mais significativos
nesses pontos. Nas regies onde no h passagem de nuvens observa-se um comportamento mais constante da razo
entre os sinais dos sensores. Dos dados compreendidos no intervalo de anlise, foi construdo um histograma que
permitiu a anlise do desvio padro desses dados. Com um ajuste para uma distribuio gaussiana foi possvel
encontrar a raiz da varincia w = 0,028, que justamente duas vezes o desvio padro da distribuio dos dados,
portanto: = 1,4%.


5. CONCLUSES E PERSPECTIVAS

Com a finalidade de estudar uma clula fotovoltaica como um sensor, um pequeno mdulo de silcio comercial foi
testado. Esses testes analisam alguns parmetros utilizados na especificao dos piranmetros segundo a norma ISO-
9060. Um modelo matemtico baseado na fsica dos semicondutores foi elaborado de maneira a caracterizar a clula em
teste dentro das condies de uso como radimetro. Por fim, uma anlise das mdias exposio direta do sol tambm
foi estabelecida, configurando a clula como um sensor que est submetido s condies de operao e trabalho.
O comportamento da clula em teste em relao ao seu comportamento terico foi satisfatrio, apesar da
disparidade entre as curvas terica e experimental na regio do joelho da curva chegando a 5%. As simulaes
mostraram que a metodologia para a determinao das resistncias parasitas precisa ser melhorada, considerando que a
curva de melhor ajuste tem valores de R
p
e R
s
menores aos encontrados. Para isso
A dependncia com a temperatura apresentada pela clula em teste tambm foi considerada como satisfatria,
apesar dos problemas com a forma do aquecimento, o resultado mostra que a clula em teste se comporta como previsto
no modelo. Alem disso, a variao de 7,5% para um intervalo de temperatura de 50C se encaixa dentro dos padres de
especificao dos piranmetros (WMO, 2008; Freire, 2008), sendo tambm, mesmo valor encontrado para outros
piranmetros fotovoltaicos como o LI-200 (LI-COR, Inc., 2005) ou SP-LITE (Campbell Scientific, Inc, 2004).
A clula em teste segue a lei de Lambert numa ampla faixa (0 a 70) com erros inferiores a 5%. Como foi visto,
para ngulos de incidncia maiores os erros tornam-se mais significativos. Os resultados poderiam ser melhorados com
a utilizao de um difusor na superfcie do semicondutor ou um sistema de seguimento do movimento aparente do sol.
Porm, as leituras de irradiao solar realizadas com sensor fixo para ngulos de incidncia, maiores que 70,em um dia
claro, correspondem a menos de 5% da irradincia diria total,o que est compreendido dentro da preciso da clula em
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teste. Desta forma, tendo em vista que as medidas realizadas por este prottipo so destinadas principalmente para o
dimensionamento de sistemas FV, o mais econmico e prtico usar sua clula em teste sem difusor ou seguidor.
As medidas com incidncia direta do sol apresentaram erros inferiores a 4% mostrando que a clula em teste tem
um bom retrospecto trabalhando em condies ambientes, alm de estar de acordo com as exigncias das normas de
especificao (WMO, 2008).
Como j abordado nesse trabalho, sabe-se que o levantamento do potencial solar de uma determinada regio tem
fator decisivo nas perspectivas de aplicao de sistemas de solares como fonte de energia desta regio. Nas aplicaes
termo-solares a energia efetiva a ser utilizada, encontra-se na regio do visvel e prximo infravermelho do espectro
solar. Para a perspectiva de aplicao de sistemas fotovoltaicos, o silcio a principal tecnologia encontrada. Nesse
contexto os piranmetros fotovoltaicos de silcio passam a ser alternativas eficazes no levantamento do potencial solar.
Principalmente para as aplicaes dos sistemas fotovoltaicos, pois, um piranmetro de FV de silcio vai medir o
potencial solar til converso fotovoltaica desse material. a forma mais precisa para medir este potencial.
Os maiores problemas encontrados nesse trabalho esto relacionados ao espectro de irradincia das fontes de luz usadas
para simular a luz solar, que ainda precrio. Devido apario de vrios tipos de clulas fotovoltaicas com respostas
espectrais diferentes (silcio amorfo, CIS, CdS, etc.), a necessidade de uma fonte com resposta espectral mais prxima
da emisso solar fica maior. Como perspectiva para uma maior confiabilidade dos testes realizados, alm da realizao
de todos os testes, existe a proposta de criao de uma base para especificao de radimetros, que se baseia nos testes
propostos na norma ISO-9060, seguindo os padres de espectro, temperatura e irradincia. Essa base permitir os testes
em piranmetros trmicos ou fotovoltaicos, alm de outros tipos de radimetros de rea reduzida.


REFERNCIAS

Freire, L. A. D., 2008. Desenvolvimento de um Piranmetro Fotovoltaico. Diss. de Mestrado, PROTEN, UFPE, Recife
Greenpeace and EPIA, 2007. Solar Generation 4, Bruselas.
Grupo de Trabalho de Energia Solar (CRESCEB e CEPEL), 2004. Manual de Engenharia para Sistemas Fotovoltaicos,
CRESCEB, Rio de Janeiro.
LI-COR, Inc., 2005. Li-cor terrestrial Radiation Sensors Introdution Manual, Documento disponvel na internet, site:
ftp://ftp.licor.com/perm/env/Radiation_Sensors/Manual/TerrestrialSensors_Manual.pdf. Acessado 15 /de 2009
Campbell Scientific, Inc, 2004. SP-LITE Silicon Pyranometer Introdution Manual, Documento disponvel na internet,
site: http://www.campbellsci.com/documents/manuals/retired/sp-lite.pdf. Acessado em 15 de fevereiro de 2009.
Lima, A. A., 2008. Construo de uma Geladeira Solar a Adsoro do lcool e Carvo Ativado. Trabalho de Concluso
de Curso, Departamento de Fsica, UEFS, Feira de Santana.
Phang J. C. H. Chan D. S. H. Philips J. R., 1984. Accurate analytical method for the extraction of solar-cell model
parameters. Electron Lett, 20(10):40618.
Soto, W. D., 2004. Improved and Validation of Model for Photovoltaic Array Performance, Masters Dissertation, Solar
Energy Laboratory, University Wisconsin, Madison.
Souza, J. V. D., 2007. Contribuies em Solarimetria para a Composio de uma Rede Baiana de Radimetros.
Trabalho de Concluso de Curso, Escola Politcnica, UFBA, Salvador.
Tiwari, G. N., 2002. Solar Energy, Narosa Plubishing House.
WMO, 2008. WMO GUIDE TO METEOROLOGICAL INSTRUMENTS AND METHODS OF OBSERVATION,
parte I, captulo 7, 7 edio. Documento disponvel na internet, site:
http://www.wmo.int/pages/prog/www/IMOP/publications/CIMO-Guide/CIMO_Guide-7th_Edition-2008.html.
Acessado em 10 setembro de 2009.


STUDY OF SILICON PHOTOVOLTAIC CELLS HOW RADIOMETERS

Abstract. The analysis of solar potential of a region is fundamental for the prospects of application.. But the data
measured with pyranometers not represent accurately the potential useful solar for photovoltaic conversion. In this
context, the implementation of photovoltaic radiometers represents an effective solution. Big industries of pyranometers
already manufacture these devices and published articles also shown their efficiency. Howsoever, the interest of
Laboratrio de Energia Solar (LABENSOL) -UEFS, is study the operation of a photovoltaic cell as radiometer. The
way taken was to evaluate its operation in relation to the proposed mathematical model, test it against the parameters
of the specification set out in ISO-9060 and compare it with a reference pyranometer for the measurements performed
at ambient. As a result, the cell studied was efficient considering the proposed analysis. The measured I-V curve, fits the
model, with maximum error of 5%. Overall, the results for the specification parameters remained within the limits set
by ISO-9060 and comparison with the reference pyranometer determined the cell such as photovoltaic pyranometer
with an accuracy of 5%. In this variable, according to the WMO (World Meteorological Organisation), the cell is
classified as a pyranometer of "good quality". As Prospects of future testing, there is already a proposal to replace the
radiation source and the whole basis used in the laboratory, waiting, as a result, more refined measures and tests
equivalent to those for proposed by established norms.

Key words: Photovoltaic Silicon Cells, Radiometers, Solar Energy, Instrumentation