Tecnologas Digitales: repaso

UC3M. Profesores Celia Lpez Ongil, Luis Entrena, Mario Garca y Enrique San Milln

Microelectrnica

Contenidos
1. Familia CMOS 2. Familia TTL 3. Caractersticas de las familias CMOS y TTL 4. Tipos de Entradas y Salidas 5. Otras familias lgicas

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Familia lgicas
Las puertas lgicas procesan informacin digital (reciben 0s y 1s y generan 0s y 1s). Los valores lgicos (0 y 1) se asocian a valores de tensin (0 V y VCC, mxima tensin (0.8, 1.2, 1.5, 3.3, 5 V). La construccin de las puertas lgicas requiere el uso de dispositivos electrnicos, que sean capaces de procesar las entradas y generar las salidas, manteniendo la correspondencia entre niveles de tensin y niveles lgicos. Estos dispositivos electrnicos se pueden entender como interruptores que permiten la conexin a masa (GND) o a alimentacin (VCC). VCC A Entrada B GND UC3M
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Salida

Salida = 1 si A cierra el camino a VCC Salida = 0 si B cierra el camino a GND

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Familia lgicas
En general estos interruptores son transistores. Segn el tipo de transistor utilizado se habla de Familia lgica porque todas las puertas lgicas se generan con dicho dispositivo. La familia lgica ms extendida es la CMOS debido a su bajo consumo y alta capacidad de integracin. Utiliza el transistor MOSFET. Otras familias son la TTL (transistor bipolar: BJT), la ECL (par diferencial con BJT), BiCMOS (mixta MOSFET-BJT), etc.

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Familia CMOS
Familia basada en el transistor MOSFET (dispositivo gobernado por tensin).

MOSFET: Metal-Oxide-Semiconductor- Field-Effect Transistor Corte transversal

n+ p

n+

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Familia CMOS
Gate

Drain

Body Source

Corte transversal

Metal

Oxido de Silicio (SiO2) n+ p

n+ Silicio dopado tipo n

Silicio dopado tipo p

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Familia CMOS
Gate (puerta)

Drain (drenador)

Body (substrato)

Source (fuente) Corte transversal Drain n+ p Body n+ Gate Aislante de puerta Source

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Familia CMOS
Se genera un canal entre D y S por aplicacin de tensin en G. Gate

Drain

Substrate Source

S n+

VGS

n+ p
eee-

e-

Body GND
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Familia CMOS
Por el canal n circula corriente del drenador (D) a la fuente (S) Gate VDS D n+ p
eee-

Drain

Substrate Source

VGS

n+
e-

Body Transistor MOSFET tipo n GND

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Familia CMOS
Transistor MOSFET tipo p . Gate

Source

Substrate Drain

Corte transversal

p+ n

p+

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Familia CMOS
Transistor MOSFET tipo p . VCC VSG S p+ n Body
p+ p+ p+

Source

Gate VSD G D

Substrate Drain

p+
p+

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Familia CMOS
Transistor tipo n: La fuente est al mnimo potencial El substrato est a masa (GND) La corriente circula de Drenador a Fuente (DS) La tensin Puerta-Fuente (GS) es la que genera el canal entre D y S Transistor tipo p: La fuente est al mximo potencial El substrato est a alimentacin (VCC) La corriente circula de Fuente a Drenador (SD) La tensin Puerta-Fuente (GS) es la que genera el canal entre S y D

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Familia CMOS
La combinacin de transistores tipo p y tipo n generan la tecnologa CMOS (Complementary MOSFET). Gracias a esta tecnologa se consiguen circuitos integrados digitales de gran densidad y con muy bajo consumo 1. Los transistores tipo n proporcionan los valores bajos ( 0 lgico) 2. Los transistores tipo p proporcionan los valores altos ( 1 lgico)

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Familia CMOS
INVERSOR CMOS VCC
Transistor A

S
Transistor B

GND Casos: 1. E = 1 A no tiene canal (no conduce) B s tiene canal (s conduce) 2. E = 0 A s tiene canal (s conduce) B no tiene canal (no conduce)
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Familia CMOS
PUERTA NAND CMOS VCC

A
1 2

B A S 0 0
4

B 0 1 0 1

S 1 1 1 0

A B

on on off off on off off (on) off on (on) off off off (on) (on)

1 GND 1

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Familia CMOS: Ejercicio

VCC B A C 0 0 0 0 1 1 1 1 B C 0 0 1 1 0 0 1 1 0 1 0 1 0 1 0 1
1 2 3 4 5 6

PUERTA ?? CMOS

A
1

S A
4

B
5 6

GND
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Familia TTL
Familia basada en el transistor BJT (dispositivo gobernado por corriente). TTL: Transistor-transistor Logic BJT: Bipolar Junction Transistor C B ib E V
La inyeccin de corriente en la base genera un incremento de potencial que permite el paso de corriente entre el emisor y el colector.

n p n

Emitter Base Collector

ic

E
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C
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Familia TTL
Para utilizar el transistor bipolar como interruptor es necesario usar dos elementos. El primero (T1) funciona gobernado por la tensin que pongamos en el emisor (Entrada). Si conectamos el emisor a masa (0), T1 est saturado y en su colector habr un 0. Si conectamos el emisor a alimentacin (1), T1 est polarizado en inversa y habr un 1 en su colector. El colector de T1 es la base de T2. Si en la base de T2 hay un 0, T2 est cortado y la Salida vale 1 Si en la base de T2 hay un 1, T2 est saturado y la Salida vale 0.
VCC

RTL

POR TANTO: Si Entrada = 0 Salida = 1 Si Entrada = 1 Salida = 0

Salida Entrada
T1 GND T2

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Familia TTL
Para introducir ms entradas se utiliza el transistor multi-emisor Si A B son un 0 (0 V) el transistor est saturado y en el colector hay un 0 Si en A y en B hay un 1 (Vcc) el transistor est polarizado en inversa y la corriente circulara de emisor a colector

A B

T1

Base comn Colector comn

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Familia TTL
Para mejorar la inmunidad al ruido y la rapidez de conmutacin, se aade salida en Totemple (dos transistores en la etapa de salida para que uno ponga los 0s y otro los 1s)

VCC
CASOS:

TTL

A B

T3 T2 T1

S
T4

1. A y B = 1. T1 polarizado en inversa T2 saturado T4 saturado Salida = 0 2. A o B = 0 T1 saturado T2 cortado T4 cortado T3 saturado Salida = 1 PUERTA LGICA NAND

GND

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Caractersticas de los circuitos integrados

1. Tensin de alimentacin 2. Tensiones de Entrada y Salida 3. Inmunidad al ruido 4. Velocidad 5. Consumo 6. Intensidades de Entrada y Salida 7. Fan-out mximo

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Caractersticas de los circuitos integrados:

Tensin de alimentacin
Caracterstica Tension de alimentacin CMOS 0,8 15 V TTL 5V

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Caractersticas de los circuitos integrados:

Inmunidad al ruido
Caracterstica
Tension de alimentacin
VOH VOL
0V 0.05V

CMOS 0,8 15 V
VIH VIL VOH
VDD VDD-0.05 VDD 0V 0.7* VDD 0.3* VDD

TTL 5V
VOL VIH VIL

Niveles de tensin

VDD

Entrada

Salida

VDD

1
VDD- 0.05 V

1
0.7*VDD 0.3*VDD

0.05 V

0
0V 0V

CMOS

Margen de ruido

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Caractersticas de los circuitos integrados:

Niveles de tensin
Caracterstica
Tension de alimentacin
VOH VOL
0V 0.05V

CMOS 0,8 15 V
VIH VIL VOH
5V 2.4 V VDD VDD-0.05 VDD 0V 0.7* VDD 0.3* VDD

TTL 5V
VOL
0V 0.4 V

VIH
5V 2V

VIL
0V 0.8 V

Niveles de tensin

5V

Entrada

Salida

5V

1
2.4 V 2V 0.8 V

0.4 V

0
0V 0V

TTL

Margen de ruido

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Caractersticas de los circuitos integrados:

Inmunidad al ruido
Caracterstica
Tension de alimentacin
VOH VOL
0V 0.05V

CMOS 0,8 15 V
VIH VIL VOH
5V 2.4 V VDD VDD-0.05 VDD 0V 0.7* VDD 0.3* VDD

TTL 5V
VOL
0V 0.4 V

VIH
5V 2V

VIL
0V 0.8 V

Niveles de tensin Inmunidad al ruido

Depende de VDD
Margen de ruido

0.4 V

CMOS

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VDD

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Caractersticas de los circuitos integrados:

Velocidad
Caracterstica
Tension de alimentacin
VOH VOL
0V 0.05V

CMOS 0,8 15 V
VIH VIL VOH
5V 2.4 V VDD VDD-0.05 VDD 0V 0.7* VDD 0.3* VDD

TTL 5V
VOL
0V 0.4 V

VIH
5V 2V

VIL
0V 0.8 V

Niveles de tensin Inmunidad al ruido Velocidad de respuesta (retardo de propagacin)

Depende de VDD tpHL; tpLH ns

(frecuencias hasta GHz)

0.4 V tpHL; tpLH ns

(ms rpido que CMOS)

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Caractersticas de los circuitos integrados:

Consumo
Caracterstica
Tension de alimentacin
VOH VOL
0V 0.05V

CMOS 0,8 15 V
VIH VIL VOH
5V 2.4 V VDD VDD-0.05 VDD 0V 0.7* VDD 0.3* VDD

TTL 5V
VOL
0V 0.4 V

VIH
5V 2V

VIL
0V 0.8 V

Niveles de tensin Inmunidad al ruido Velocidad de respuesta (retardo de propagacin) Consumo

Depende de VDD tpHL; tpLH ns

(frecuencias hasta GHz) Consumo esttico = 0 W Consumo dinmico = funcin (freq) Mucho menor que en TTL

0.4 V tpHL; tpLH ns

Ms rpido que CMOS Consumo esttico = VCC* ICC

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Caractersticas de los circuitos integrados:

Intensidades de E y S
Caracterstica
Tension de alimentacin
VOH VOL
0V 0.05V

CMOS 0,8 15 V
VIH VIL VOH
5V 2.4 V VDD VDD-0.05 VDD 0V 0.7* VDD 0.3* VDD

TTL 5V
VOL
0V 0.4 V

VIH
5V 2V

VIL
0V 0.8 V

Niveles de tensin Inmunidad al ruido Velocidad de respuesta (retardo de propagacin) Consumo

Depende de VDD tpHL; tpLH ns

(frecuencias hasta GHz) Consumo esttico = 0 W Consumo dinmico = funcin (freq) Mucho menor que en TTL IOH IOL IIH IIL 1mA 1mA
0A 0A

0.4 V tpHL; tpLH ns

Ms rpido que CMOS Consumo esttico = VCC* ICC

Intensidades de E y S

IOH

IOL

IIH
40 A

IIL
-1.6 mA

-400 A 16 mA

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Caractersticas de los circuitos integrados:

Capacidad de entrada
Caracterstica
Tension de alimentacin
VOH VOL
0V 0.05V

CMOS 0,8 15 V
VIH VIL VOH
5V 2.4 V VDD VDD-0.05 VDD 0V 0.7* VDD 0.3* VDD

TTL 5V
VOL
0V 0.4 V

VIH
5V 2V

VIL
0V 0.8 V

Niveles de tensin Inmunidad al ruido Velocidad de respuesta (retardo de propagacin) Consumo

Depende de VDD tpHL; tpLH ns

(frecuencias hasta GHz) Consumo esttico = 0 W Consumo dinmico = funcin (freq) Mucho menor que en TTL IOH IOL IIH IIL 1mA 1mA
0A 0A

0.4 V tpHL; tpLH ns

Ms rpido que CMOS Consumo esttico = VCC* ICC

Intensidades de E y S Fan-out mximo UC3M

IOH

IOL

IIH
40 A

IIL
-1.6 mA

-400 A 16 mA

Depende de la capacidad de puerta 5 pF. Fan out mayor que en TTL

Depende de corrientes de E y S. Fan-out alrededor de 10.

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Caractersticas de los circuitos integrados:

Entradas no conectadas
Caracterstica
Entrada no conectada

CMOS
Conectar a 0 a 1 porque puede tomar cualquier valor segn los condensadores parsitos

TTL
Equivale a tener un 1 lgico

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Familias lgicas: compatibilidad TTL-CMOS

Causas de incompatibilidad

1. Tensin de alimentacin 2. Tensiones de Entrada y Salida 3. Intensidades de Entrada y Salida

Soluciones:

1. Salidas en colector abierto 2. Familia intermedia HCT 3. Adaptacin de niveles UC3M

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Familias lgicas: Tipos de Entradas y Salidas

Entradas 1. Normal 2. Con resistencia de Pull-up y pull-down
Fijan el valor por defecto de la entrada cuando no se pone ningn valor externamente
VCC

Pull-up

3. Bidireccional Salidas

C S B

1. Normal 2. Triestado 3. Colector abierto UC3M IO Buffer

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Familias lgicas: Otras familias lgicas

ECL
1. 2. 3. 4. Utiliza transistores bipolares Los transistores nunca estn saturados Las entradas son diferenciales Inconvenientes 5. Alto consumo Son necesarias fuentes de corriente y referencias de tensin Gran tamao Alta velocidad

Ventajas

AsGA
1. 2. Gran velocidad respecto a dispositivos en Silicio Precio elevado

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