Mdulo 1 Semiconductores de potencia Versin 2 EE IIT, Kharagpur 1 Leccin 1 Power Electronics Versin 2 EE IIT, Kharagpur 2 Introduccin Esta leccin

ofrece al lector la siguiente: (I) Crear una conciencia de la naturaleza general del equipo de alimentacin electrnico; (Ii) Breve idea sobre los temas de estudio involucradas, (Iii) Las caractersticas principales de los dispositivos electrnicos de potencia principales; (Iv) una idea acerca de qu dispositivo se debe elegir para una aplicacin particular. (V) Algunas cuestiones como la unidad base y la proteccin de los dispositivos de educacin fsica y equipamiento comn a la mayora de las variedades. Power Electronics es el arte de convertir energa elctrica de una forma a otra de una manera eficiente, limpia, compacta y robusta para la utilizacin conveniente. El ascensor en un edificio moderno, equipado con un voltaje variable-Variable-Velocidad de induccin mquina de accionamiento ofrece una conduccin cmoda y se detiene exactamente en el nivel del suelo. Detrs de la escena que consume menos energa con tensiones reducidas en el motor y la corrupcin de la red de servicios pblicos. La figura. 1.1 El diagrama de bloques de un convertidor electrnico de potencia tpico Power Electronics implica el estudio de Los dispositivos semiconductores de potencia - su fsica, las caractersticas, los requisitos de accionamiento y su proteccin para la utilizacin ptima de sus capacidades, Inversor topologas su participacin, Las estrategias de control de los convertidores, Digital, analgico y la microelectrnica involucrados, capacitivos y magnticos de elementos de almacenamiento de energa,

 Rotacin y dispositivos elctricos estticos, Calidad de las formas de onda generada, electromagntica y la interferencia de radio frecuencia, Versin 2 EE IIT, Kharagpur 3 Gestin trmica El convertidor tpico en la figura. 1.1 ilustra el carcter multidisciplinario de este tema. Cmo es la electrnica de potencia distinta de la electrnica lineales? No est sobre todo en su capacidad de manejo de potencia. Mientras que la administracin de energa IC en juegos mviles de trabajo en Power principios electrnicos estn hechas para soportar slo unos pocos milivatios, grandes amplificadores de audio lineales se han valorado en unos pocos miles de vatios. La utilizacin del transistor de unin bipolar, la fig. 1,2 en los dos tipos de amplificadores de mejor simboliza la diferencia. En Electrnica de Potencia todos los dispositivos funcionan en el modo de conmutacin - ya sea "plenamente-ON" o "totalmente de 'estados. El amplificador lineal se centra en la fidelidad en la amplificacin de la seal, lo que requiere transistores de trabajar nicamente en el lineal (activa) la zona, Fig. 1.3. Zonas de saturacin y el corte de la VCE - IC avin se evitan. En un amplificador de potencia de conmutacin electrnica, slo aquellas zonas de la VCE - avin IC que han bordeado anteriormente, son adecuados. En estado de disipacin es mnimo si el dispositivo est en saturacin (o cuasi-saturacin para la optimizacin de otras prdidas). En el tambin fuera de estado, las prdidas son mnimas si el BJT se polariza inversamente. Un interruptor BJT a tratar de atravesar la zona activa tan rpido como sea posible para minimizar las prdidas por conmutacin. La figura. 1,2 transistor bipolar tpico basado (a) lineal (emisor comn) (voltaje) etapa de amplificacin y (b) amplificador de conmutacin (potencia) Versin 2 EE IIT, Kharagpur 4 Fig. 1,3 zonas de servicio para el funcionamiento de un transistor de unin bipolar como lineal y un amplificador de conmutacin Operacin lineal La operacin de conmutacin Zona activa seleccionada: Buena linealidad entre entrada / salida Zona activa evitarse: Las altas prdidas, encontrados slo durante los transitorios

Zonas de saturacin y corte fuera de evitarse: linealidad pobre Saturacin y corte-(sesgo negativo) zonas seleccionadas: bajas prdidas Transistor sesgada a funcionar alrededor del punto de reposo Ningn concepto de punto de reposo Emisor comn, colector comn, los modos comunes de base Transistor accionado directamente en la base - emisor y el colector de carga, ya sea en o emisor Transistor de salida apenas protegido Switching-Aid de la red (SAN) y otro tipo de proteccin al transistor principal Utilizacin de la calificacin de transistor de importancia secundaria Utilizacin de la calificacin de transistor optimizado Versin 2 EE IIT, Kharagpur 5 Un ejemplo que ilustra las soluciones lineales y el cambio a una especificacin de la fuente de alimentacin se har hincapi en la diferencia. 230 V regulador Series - Lnea de alta frecuencia transformador de prdidas: pesado, con prdida (un) 230 VHIGH-freq Duty-ratio (ON / OFF) de control - bajas prdidas Ncleo de ferrita HF Transfr: Light, eficiente (b) Especificaciones: Entrada: 230 V , 50 Hz, Salida: 12 V CC regulada, 20 W fig. 1,4 (a) un regulador lineal y (b) una solucin de regulador de conmutacin de la especificacin anterior La solucin lineal, fig. 1,4 (a), a esta especificacin bastante comn en primer lugar reducir la tensin de suministro a 12-0-12 V a travs de un transformador de frecuencia de energa. La salida sera rectificada mediante diodos de potencia de frecuencia, filtro de condensadores electrolticos y luego serie regulados mediante un chip o un transistor de potencia de audio. El filtro de condensador de tantalio seguira. El equilibrio de la tensin entre la salida del rectificador y la salida cae a travs del dispositivo regulador que tambin lleva la corriente a plena carga. La prdida de potencia es por lo tanto considerable. Adems, el paso hacia abajo de ncleo de hierro del transformador es pesado, y con prdidas. Sin embargo, slo dos veces a la frecuencia de la lnea de ondas aparecen en la salida y costo material y know-how tcnico requerido es bajo. En la Fig. solucin de conmutacin. 1,4 (b) utilizando un convertidor flyback MOSFET conducido, primero la tensin de lnea es rectificada y aislado luego, escalonada hacia abajo y regulada. Un ncleo de ferrita de alta frecuencia (HF) transformador se utiliza. Las prdidas son insignificantes en comparacin con la primera solucin y el convertidor es extremadamente ligero. Sin embargo significativo de alta frecuencia (relacionado con la frecuencia de conmutacin) de ruido aparecen a la salida, que slo puede ser minimizado mediante el uso de costosas 'grass' condensadores. Potencia dispositivo semiconductor - historia

Electrnica de potencia y convertidores que utilizan los hizo una ventaja cuando el primer dispositivo de Silicon Controlled Rectifier fue propuesto por Bell Labs y producido comercialmente por General Electric en los principios de los cincuenta. Los rectificadores de vapor de mercurio estaban muy en uso en ese momento y el robusto y compacto SCR comenz su sustitucin en los rectificadores y cicloconvertidores. Surgi la necesidad de extender la aplicacin de la SCR ms all del modo de la realimentacin de la accin, que aboga por medidas externas para eludir su desvo a travs de sus terminales de incapacidad de control. Varios de apagado esquemas fueron propuestos y su clasificacin propuesta fue pero se hizo cada vez ms evidente que un dispositivo con capacidad de desconexin era deseable, lo que permitira una aplicacin ms amplia. Las redes fuera de turno y el SIDA eran poco prcticos a mayores poderes. El transistor bipolar, que haba por los aos sesenta han desarrollado para manejar unas pocas decenas de amperios y bloquear unos pocos cientos de voltios, lleg como el primer competidor para el SCR. Es superior a la SCR en su capacidad de desconexin, lo que podra ser ejercido a travs de sus terminales de control. Esto permiti la sustitucin de la SCR en todos los convertidores conmutados forzados y helicpteros. Sin embargo, la ganancia (potencia) del SCR es unas dcadas superior a la de la versin transistor bipolar 2 EE IIT, Kharagpur 6 y las corrientes de base elevadas requeridas para cambiar el bipolar gener el Darlington. Tres o ms Darlingtons etapa estn disponibles como un nico chip completa con accesorios para su accionamiento conveniente. Las frecuencias ms altas de operacin se podan obtener con un bipolares discretas en comparacin con los 'rpidos' de grado inversor SCR que permitan la reduccin de los componentes del filtro. Sin embargo, la frecuencia de operacin de Darlington tuvo que ser reducido para permitir una secuencia de desactivacin de los controladores y el transistor principal. Adems, la incapacidad de la bipolar para bloquear voltajes inversos restringido su uso. El MOSFET de la energa irrumpi en la escena comercial cerca de los setenta finales. Este dispositivo tambin representa el primer matrimonio exitoso entre el circuito integrado y moderno discretas tecnologas de fabricacin de semiconductores de potencia. Su capacidad de accionamiento de voltaje - dando de nuevo una mayor ganancia, la facilidad de su puesta en paralelo y lo ms importante las frecuencias de funcionamiento mucho ms altas que llegan hasta unos pocos MHz vio que la sustitucin de bipolar tambin en el rango de sub-10 KW principalmente para el tipo de SMPS de aplicaciones. Ampliacin del VLSI instalaciones de fabricacin para el MOSFET reducido su precio vis--vis el bipolar tambin. Sin embargo, al ser un dispositivo portador mayoritario en su voltaje de estado est dictada por el RDS (ON) del dispositivo, que a su vez es proporcional a aproximadamente Puntuacin V2.3DSS del MOSFET. Por consiguiente, de alta tensin MOSFETS no son comercialmente viables. Las mejoras se estn probando en el SCR en cuanto a su capacidad de apagado principalmente mediante la reduccin de la ganancia de encendido. Las diferentes versiones del dispositivo de puerta-a su vez-off, la Puerta de apagado Tiristor (GTO), fueron propuestas por distintos fabricantes - cada uno defendiendo su propio smbolo para el dispositivo. La exigencia de una muy alta rotacin de control de la corriente a travs de la puerta y el costo relativamente ms

alto del dispositivo restringido su aplicacin slo a los inversores clasificados por encima unos cuantos cientos de KVA. La bsqueda de una forma ms eficiente, barato, rpido y robusto turn-off-able dispositivo se desarroll en distintas direcciones con unidades de MOS, tanto para el thysistor bsica y la bipolar. La puerta aislada transistor bipolar (IGBT) - bsicamente un MOSFET impulsado bipolar de las caractersticas de su terminal ha sido una propuesta exitosa con los dispositivos de puesta a disposicin en torno al 4 KV y KA 4. Su frecuencia de conmutacin de 25 KHz y la facilidad de conexin y accionamiento de la sierra que remover totalmente la bipolar de prcticamente todas las aplicaciones. Industrialmente, el MOSFET slo ha sido capaz de continuar en el sub - rango de 10 KVA principalmente debido a su alta frecuencia de conmutacin. El IGBT tambin ha hecho subir el GTO para aplicaciones por encima de 5.2 MVA. La evolucin posterior de las topologas del convertidor - en especial el inversor de tres niveles permite el uso del IGBT en los convertidores de la gama MVA 5. Sin embargo, en las clasificaciones mayores que los GTO (dispositivo 6KV/6KA de Mitsubishi) convertidores basados tena algo de espacio. Slo los convertidores basados en SCR son posibles en el ms alto rango en convertidores conmutados por lnea conmutada o de la carga, eran la nica solucin. La corriente de sobretensin, el pico de voltaje y repeticin I2t son aplicables slo a los tiristores que lo hace ms robusto, especialmente trmicamente, que los transistores de todas las variedades. 1200V versin 3 ASIPM En la actualidad hay pocos dispositivos hbridos y mdulos inteligentes de potencia (IPM) son comercializados por algunos fabricantes. Los IPMs ya han reunido una amplia aceptacin. El V 4500, 1200 A Versin 2 EE IIT, Kharagpur 7 IEGT (inyeccin mejorado con transistor de puerta) de Toshiba o 6000 V, 3500 A IGCT (Tiristores conmutados por puerta integrada) de ABB, que son prometedores en los rangos de mayor potencia. Sin embargo, estos nuevos dispositivos deben probar antes de ser aceptadas por la industria en general. El carburo de silicio es un semiconductor de banda prohibida ancha con un intersticio de banda de energa ms amplio de aproximadamente 2 eV que posee muy alta trmica, qumica y estabilidad mecnica. El carburo de silicio es el nico semiconductor de ancho de banda prohibida entre el nitruro de galio (GaN, EG = 3,4 eV), nitruro de aluminio (AlN, EG = 6,2 eV), y el carburo de silicio que posee un xido nativo de alta calidad adecuado para su uso como aislante MOS en dispositivos electrnicos El campo de ruptura de SiC es de aproximadamente 8 veces mayor que en el silicio. Esto es importante para los transistores de alta tensin de alimentacin conmutadas. Por ejemplo, un dispositivo de un tamao dado en SiC tendr una tensin de bloqueo 8 veces mayor que el mismo dispositivo en el silicio. Ms importante, la resistencia en el dispositivo de SiC ser de alrededor de dos dcadas ms bajo que el dispositivo de silicio. En consecuencia, la eficiencia del convertidor de potencia es ms alta. Adems, el SiC basados en interruptores de semiconductor puede funcionar a altas temperaturas (~ 600 C) sin grandes cambios en sus propiedades elctricas. As, el convertidor

tiene una mayor fiabilidad. Reduccin de las prdidas y de funcionamiento ms alta permitida resultado temperaturas del disipador de tamao ms pequeo. Adems, la capacidad de alta frecuencia de trabajo de SiC convertidores reduce el requisito de filtrado y el tamao del filtro. Como resultado de ello, que son compactos, fiables luz, y eficientes y tienen una alta densidad de potencia. Estas cualidades satisfacer los requisitos de convertidores de potencia para la mayora de aplicaciones y que se espera que sean los dispositivos del futuro. Las calificaciones han ido aumentando progresivamente en todos los dispositivos, mientras que los nuevos dispositivos ofrecen un rendimiento sustancialmente mejor. Con el SCR y los diodos pin-, llamado as por el intercalado intrnseco 'i'-capa entre la' p 'y' n 'capas, teniendo en su mayora estticos conmutados por aplicaciones de convertidor, se hizo hincapi sobre todo en sus caractersticas estticas - hacia adelante y revertir el bloqueo de tensin, que transportan corriente y clasificaciones sobre corriente, sobre el estado de tensin, etc y tambin en cuestiones como el funcionamiento en paralelo y en serie de los dispositivos. Como las velocidades de operacin de los dispositivos de aumento, las dinmicas (conmutacin) caractersticas de los dispositivos cobrado mayor importancia ya que la mayora de la disipacin fue durante estos transitorios. Atencin se centr en el desarrollo de redes de accionamiento eficiente y tcnicas de proteccin que se han encontrado para mejorar el rendimiento de los dispositivos y de sus capacidades de manejo de potencia pico. Cuestiones relacionadas con la conexin en paralelo se resolvieron por el diseador del sistema dentro del propio dispositivo como en MOSFETS, mientras que la topologa de convertidor estaba obligada a hacerse cargo de su operacin en serie como en convertidores multinivel. La gama de dispositivos de potencia as desarrollados durante las ltimas dcadas se puede representar como un rbol, la figura. 1,5, sobre la base de su capacidad de control y otras caractersticas dominantes. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 8 La figura. 1,5 Potencia dispositivo semiconductor variedad Diodos de potencia Diodos de silicio de poder son los sucesores de los rectificadores de selenio tienen significativamente mejoradas caractersticas directas y tensin. Se clasifican principalmente por su desvo (dinmico) caractersticas Fig. 1,6. Los portadores minoritarios en los diodos requieren un tiempo finito - trr (tiempo de recuperacin inversa) para recombinarse con cargas opuestas y neutralizar. Los valores grandes de QRR (= Q1 + Q2) - La tasa que se disipa en forma de una corriente negativa cuando el diodo y se apaga y trr (= t2 - t0) - el tiempo que se tarda en recuperar sus funciones de bloqueo, imponen fuertes tensiones actuales en el dispositivo controlado en serie. Tambin un 'Snappy' tipo de recuperacin de los efectos de diodo de alta di / dt tensiones sobre todo dispositivo de potencia asociado en el convertidor debido a la carga o inductancias parsitas presentes en la red. En trminos generales existen tres tipos de diodos usados en aplicaciones de potencia electrnicos: Frecuencia de lnea: Estos diodos diodos PIN con aplicaciones de propsito general rectificador tipo, estn disponibles en el voltaje ms alto (~ 5 kV) y corriente (~ 5 kA) y tienen excelente

sobre-corriente (rating aumento seis veces corriente nominal promedio) y sobretensiones de resistencia con capacidad. Tienen QRR relativamente grande y las especificaciones trr. SCR GTO MOSFET RECTIFICADORES IGBTINTEGRATED Q1 Q2 SNAPPY SUAVE diF / dt IRM VRM tot0 t1 t2Fig. 1,6 de apagado tpico dinmica de un soft y un diodo 'gil' ' Versin 2 EE IIT, Kharagpur 9 Diodos de recuperacin rpidos: diodos de recuperacin rpidos difusos y diodos de recuperacin rpida epitaxiales, Fred, tienen significativamente ms bajos y trrrr Q (~ 1,0 segundo?). Estn disponibles en potencias altas y se utilizan principalmente en asociacin con un rpido control de dispositivos como los helicpteros de rueda libre o DC-DC y aplicaciones rectificador. Diodos rpidos de recuperacin tambin encuentran aplicacin en instalaciones de calefaccin de induccin, UPS y traccin. Rectificadores Schottky: Estos son los ms rpidos rectificadores son dispositivos portadores mayoritarios sin QRR .. Sin embargo, estn disponibles con tensiones nominales de hasta cien voltios nominales de corriente aunque slo puede ser alto. Sus tensiones de conduccin especificaciones son excelentes (~ 0,2 V). La libertad de recuperacin de portadores minoritarios permite reducir los requisitos amortiguadores. Diodos Schottky no tienen competencia en bajos SPMS voltaje aplicaciones y en la instrumentacin. Rectificador Controlado Del Silicio (SCR) La Silicon Controlled Rectifier es el ms popular de la familia tiristor de cuatro dispositivos de la capa regenerativas. Normalmente est activado por la aplicacin de un impulso de puerta cuando una tensin de polarizacin directa est presente en los bornes principales. Sin embargo, siendo regenerativa o "enganche", no se puede desactivar a travs de los terminales de puerta especialmente en el factor de amplificacin extremadamente alta de la puerta. Hay dos tipos principales de SCR. Convertidor de grado o tiristores fase de control Estos dispositivos son los caballos de batalla de la electrnica de potencia. Ellos estn desactivados natural (lnea) y la conmutacin se polariza inversamente al menos por unos pocos milisegundos posteriores a un perodo de conduccin. No hay ninguna funcin de conmutacin rpida que se desea de estos dispositivos. Estn disponibles en capacidades de voltaje superior a 5 KV a partir de unos 50 V y corriente de unos 5 KA. Las mayores convertidores para transmisin HVDC se construyen con serie-paralelo combinacin de estos dispositivos. Tensiones de conduccin se valora dispositivo dependiente de la tensin y el rango entre 1,5 V (600 V) a 3,0 V (+5 KV). Estos dispositivos no son adecuados para cualquier "conmutacin forzada" circuito que requiere poco manejables componentes de conmutacin de gran tamao. Las capacidades dinmicas di / dt y dv / dt de la SCR han mejorado enormemente en el emisor de endeudamiento aos de cortocircuito y otras tcnicas adoptadas para la variedad ms rpido. El requisito para las unidades de compuerta de disco duro y di / dt inductores limting han sido eliminados en el proceso.

Tiristores del convertidor de grado: desvo tiempos de estos tiristores variar desde aproximadamente 5 a 50 cuando secs duro conmutada. Se les llama as de rpido o SCR inversor grado . El SCR se utiliza principalmente en circuitos que funcionan en el suministro de corriente continua y tensin alterna no est disponible para apagarlos. Redes de conmutacin tiene que ser aadido al convertidor de base slo para el apagado de la SCR. La eficiencia, tamao y peso de estas redes estn directamente relacionados con el tiempo de apagado, tq de la SCR. Los circuitos de conmutacin utilizado redes resonantes o condensadores cargados. Un buen nmero de redes de conmutacin pocos fueron diseados y algunos como el McMurray-Bedford fue ampliamente aceptada. Asimtrico, activado por la luz, invierta la realizacin de SCR muy pocas variedades de la SCR bsico se han propuesto para aplicaciones especficas. El tiristor asimtrico es conveniente cuando se trata de poderes reactivos y la luz activa SCR asistencias en paralelo y funcionamiento en serie. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 10 MOSFET La tecnologa MOSFET de la energa ha alcanzado la madurez y en su mayora es el dispositivo ms popular para SMPS, alumbrado tipo de balasto de aplicacin donde las altas frecuencias de conmutacin se desean pero voltajes de operacin son bajos. Siendo un voltaje alimentados, dispositivo portador mayoritario (comportamiento resistivo) con una zona de funcionamiento segura tpicamente rectangular, puede ser convenientemente utilizado. Utilizando procesos de fabricacin comunes, los costos comparativos de los MOSFETs son atractivas. Para aplicaciones de baja frecuencia, donde las corrientes extradas por las capacitancias equivalentes travs de sus terminales son pequeas, tambin puede ser accionado directamente por los circuitos integrados. Estas capacidades son el principal obstculo para la operacin de los MOSFETS a velocidades de varios MHz. Las caractersticas de resistencia de sus principales terminales en paralelo permiten fcil externamente tambin. En aplicaciones de alta corriente de bajo voltaje del MOSFET ofrece las mejores especificaciones de voltaje de conduccin como el RDS (ON) es la especificacin nominal de corriente dependiente. Sin embargo, las caractersticas inferiores de la inherente anti-paralelo de diodo y sus mayores prdidas de conduccin en las frecuencias de potencia y niveles de tensin restringir su aplicacin ms amplia. El IGBT Es una tensin controlada de cuatro capas dispositivo con las ventajas de la controlador MOSFET y el terminal bipolar principal. IGBTs se puede clasificar como el punch-through (PT) y la no-punch-through (TNP) estructuras. En el IGBT de punzonamiento, un mejor equilibrio entre la cada de voltaje y tiempo de apagado se puede lograr. Punch-a travs de IGBTs estn disponibles hasta aproximadamente 1200 V. IGBT NPT de hasta aproximadamente 4 KV se han reportado en la literatura y son ms robustos que los IGBTs PT en particular bajo condiciones de corto circuito. Sin embargo, tienen una mayor cada de tensin de los IGBTs PT. Sus tiempos de conmutacin puede ser controlada adecuadamente por la configuracin de la seal de accionamiento. Esto le da al IGBT una serie de ventajas: no se requieren circuitos de

proteccin, que se puede conectar en paralelo sin dificultad, y la conexin en serie es posible sin dv / dt amortiguadores. El IGBT es actualmente uno de los dispositivos ms populares en vista de las calificaciones de ancho, el cambio de velocidad de alrededor de 100 KHz una unidad de tensin fcil y una plaza Safe Operating Area desprovisto de una regin Desglose Segunda. El GTO El GTO es un dispositivo de conmutacin de potencia que se puede activar por un pulso corto de corriente de puerta y apagar con un impulso de puerta inversa. Esta amplitud de la corriente de compuerta inversa depende de la corriente del nodo que se desactive. Por lo tanto no hay necesidad de un circuito de conmutacin externo para apagarlo. Debido a que el apagado se proporciona sin pasar por las compaas directamente al circuito de la puerta, su tiempo de apagado es corto, lo cual le da ms capacidad para el funcionamiento de alta frecuencia de tiristores. Las caractersticas del smbolo GTO y apagar-se muestran en la figura. 30.3. GTOs tienen la capacidad de resistencia I2t y por lo tanto puede estar protegido por fusibles semiconductores. Para un funcionamiento fiable de los GTO, los aspectos crticos son un diseo adecuado de la puerta de desvo de circuito y el circuito amortiguador. Convertidor de Energa Topologas Un convertidor de potencia electrnico procesa el formulario a disposicin de otro que tiene una frecuencia diferente y / o magnitud de la tensin. No puede haber cuatro tipos bsicos de convertidores dependiendo de la funcin que realiza: Versin 2 EE IIT, Kharagpur 11 CONVERSION DE / A NOMBRE FUNCIN SMBOLO DC a DC Helicptero Constante de DC variable o variable continua constante DC a AC Inversor DC a AC de voltaje y frecuencia deseadas ~ AC a DC Rectificador

CA a unipolar (DC) actual ~ Cicloconvertidor, AC-PAC, Matrix converter CA a CA CA de frecuencia deseada y / o la magnitud de la lnea de CA generalmente ~~ Base / puerta circuito de accionamiento Todos los dispositivos discretos controlados y regenerativas o de otra manera tener tres terminales. Dos de ellas son las principales terminales. Una de las principales terminales y la forma de la tercera terminal de control. El factor de amplificacin de todos los dispositivos (excepto el BJT ahora prcticamente en desuso) son bastante altos, aunque a su vez-en la ganancia no es igual al desvo de ganancia. El circuito de control se requiere para satisfacer las caractersticas de los terminales de control de manera eficiente tun-en cada uno de los dispositivos del convertidor, desactivar, si es posible, una vez ms de manera ptima y tambin para proteger el dispositivo contra fallos, sobre todo sobrecorrientes. Siendo impulsado por un controlador comn, las unidades tambin deben ser aislados unos de otros como los potenciales de la terminal principal que se dobla como un terminal de control son diferentes en diversos lugares del convertidor. Gate-turn-off-bles dispositivos requieren de formas de onda precisa de puerta para la conmutacin ptima. Para ello es necesario un amplificador de ondas conformacin. Este amplificador se encuentra despus de la etapa de aislamiento. As separadas fuentes de alimentacin aisladas tambin se requieren para cada dispositivo de alimentacin en el convertidor (las que tienen un terminal de control comn - decir el emisor en un IGBT - puede requerir una menor pocos). Hay funcionalmente dos tipos de aisladores: el transformador de impulsos que puede transmitir despus de su aislamiento, en un convertidor de mltiples dispositivos, tanto la seal de la ONU y en forma de potencia y aisladores pticos que transmiten nicamente la seal. El anterior es suficiente para que un SCR sin fuentes de alimentacin aisladas en el secundario. Esta ltima es una necesidad para casi todos los otros dispositivos. La figura. 1.7 ilustra los circuitos de accionamiento tpicos para un IGBT y SCR an. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 12 IGBT VrefTIMER figura COMPARATOR. 1,7 circuito simple puerta de la unidad de disco y proteccin por un IGBT independiente y un SCR Proteccin de los dispositivos de potencia y transformadores Convertidores de potencia electrnicos a menudo operan de la red de servicios pblicos y estn expuestos a las alteraciones asociadas con ella. Incluso lo contrario, los transitorios asociados con los circuitos de conmutacin y fallos que se producen en los convertidores de tensin del punto de carga y dispositivos. Por consiguiente, varios regmenes de proteccin

debe ser incorporado en un convertidor. Es necesario proteger tanto a las principales terminales y los bornes de control. Algunas de estas tcnicas son comunes para todos los dispositivos y los convertidores. Sin embargo, las diferencias en las caractersticas principales de los aparatos requieren planes especiales de proteccin especial para esos dispositivos. El IGBT debe ser protegido contra enganche, y del mismo modo de apagado del GTO unidad debe ser inhabilitado si la corriente del nodo excede el mximo permisible apagado-able especificacin actual. Dispositivos semiconductores de potencia son comnmente protegidas contra: 1. Sobrecarga de corriente; 2. di / dt; 3. Tensin de pico o sobretensin; 4. dv / dt; 5. Gate-bajo voltaje; 6. Sobre voltaje en la puerta; 7. Calentamiento excesivo; 8. Electro-esttica de descarga; Dispositivos semiconductores de todo tipo exhibir respuestas similares a la mayora de las tensiones, sin embargo hay diferencias marcadas. El SCR es el dispositivo ms robusto en prcticamente todos los aspectos. Que tiene una calificacin I2t es la prueba de que sus capacidades trmicas internas son excelentes. Un fusible de HRC, adecuadamente seleccionados, y en coordinacin con los interruptores automticos rpidos en su mayora lo protegera. Esto a veces se convierte en una maldicin cuando el costo del fusible se vuelve excesivo. Todos los transistores BJT, especialmente el IGBT y el activamente protegido (sin ningn coste operativo!) Mediante la deteccin de la tensin de terminal principal, como se muestra en la figura. 1,7. Este voltaje est relacionado con la corriente transportada por el dispositivo. Adems, los transistores de permiso de formas de onda de corriente de puerta diseado para minimizar los picos de tensin como consecuencia del fuerte aumento corrientes principales terminales. Puerta resistencias tienen un efecto significativo sobre el encendido y el apagado tiempos de estos dispositivos - permitiendo la optimizacin de tiempos de conmutacin para la reduccin de prdidas de conmutacin y picos de tensin. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 13 Los esquemas de proteccin de sobretensiones - los prolongados y las de corta duracin - se guan por el contenido de energa de las sobretensiones. Varistores de xido de metal (MOV), capacitivos dinmicas abrazaderas de tensin y circuitos-crow-bar son algunas de las estrategias utilizadas. Para dv / dt tensiones, que de nuevo tienen un efecto similar en todos los dispositivos, las abrazaderas de RC o RCD se utilizan en funcin de la velocidad del dispositivo. Estos "amortiguadores" o "cambio de ayuda-redes", adems minimizar las prdidas de conmutacin del dispositivo - lo que reduce su aumento de temperatura.

Puertas de todos los dispositivos deben estar protegidos contra sobretensiones (por lo general + 20 V), especialmente para los ms impulsados por tensin. Esto se consigue con la ayuda de abrazaderas de Zener - el zener ser tambin un dispositivo de accin muy rpida. Proteccin contra problemas como temperaturas excesivas y de casos de EDS siga bien puesta prcticas. Forzado de refrigeracin tcnicas son muy importantes para los convertidores de mayores velocidades y ambientes enteros son enfriados por aire para bajar la temperatura ambiente. Preguntas objetivas tipo Qs # 1 Qu es el dispositivo semiconductor de alimentacin tiene a) La ms alta velocidad de conmutacin; b) Mejor calificada de tensin / corriente; c) Caractersticas Fcil de unidad; d) Puede ser ms eficaz en paralelo; e) Puede ser protegido contra sobrecorrientes con un fusible; f) Gate-apagar capacidad con caractersticas regenerativas; g) Es fcil conducir y alta capacidad de manejo de potencia Respuesta: a MOSFET); b) SCR; c) MOSFET; d) MOSFET; e) SCR; (f) GTO; (g) IGBT Qs # 2 Un SCR requiere 50 mA de corriente de puerta para encenderlo. Tiene una carga resistiva y se suministra desde una fuente de 100 V DC. Especifique los datos del transformador de impulsos y el circuito que le sigue, si el circuito conductor tensin de alimentacin es de 10 V y es la cada de la puerta-ctodo alrededor de 1 V. Respuesta: Las calificaciones ms importantes del transformador de pulsos son voltiossegundos su calificacin, el voltaje de aislamiento y la relacin de vueltas. El volt-seg se decide por el producto de la primaria pulso de voltaje multiplicado por el periodo para el que el pulso se aplica al devanado Si la tensin de impulso primario = (Tensin de alimentacin - coche cada transistor) El tiempo de encendido de l SCR puede estar en el rango de 50 secs para un SCR de esta clasificacin. Por consiguiente, los segundos voltios pueden estar en el rango de 9 x 50 = 450 volt-secs = 2,5 KV, IThe transformador de impulsos puede ser elegido como: 1:01, 450 Vs, Visol M = 150 mA El circuito mostrado en la figura. 1.7 puede ser usado. Diodos 1N4002 Resistencia en serie

= (Tensin de alimentacin - gota por transistor - puerta-ctodo gota) / 100mA = (10 -1 -1) / 100 E-3 = 80 Ohm = 49 57 Ohm (valor inferior ms cercano disponible) Versin 2 EE IIT, Kharagpur 14 Mdulo 1 Semiconductores de Potencia Versin 2 EE IIT, Kharagpur 1 Leccion 1 Power Electronics Versin 2 EE IIT, Kharagpur 2 Introduccin This offers leccion al lector la Siguiente: (I) CREAR Una Conciencia de la Naturaleza en general del Equipo de Alimentacin electrnico; (Ii) Breve idea Sobre los Temas de Estudio involucradas, (Iii) Las characteristics Principales de los Dispositivos Electrnicos de Potencia Principales; (Iv) Una idea about QU dispositivo s debe elegir prr Una application particular. (V) ALGUNAS cuestiones Como. La Unidad de base y La Proteccin De Los Dispositivos de Educacin Fsica y Equipamiento COMUN A La Mayora De Las Variedades. Power Electronics es el arte de convertir Energa Elctrica de Una forma de Otra Manera Eficiente DE UNA, Limpia, compacta y robusta prrafo la utilizacin Conveniente. El ascensor en edificio moderno de la ONU, Equipado con sin voltage variable-VariableVELOCIDAD de induccin Mquina de accionamiento offers Una Conduccin Cmoda y s detiene Exactamente en el Nivel del Suelo. Detrs de la Escena Que consume MENOS ENERGIA estafadores Tensiones reducidas EN EL motor y La Corrupcin de la Red de Pblicos Servicios. La Figura. 1.1 El diagrama de bloques de la ONU CONVERTIDOR electrnico de Potencia tpico Power Electronics implicaciones El Estudio de

 Los Dispositivos Semiconductores de Potencia - su Fsica, las characteristics, los Requisitos de accionamiento y Su Proteccin Para La utilizacin ptima de Sus Capacidades, Inversor topologas Su Participacin, Las Estrategias de Control de los convertidores, Digital, analgico y la microelectrnica involucrados, capacitivos y magnticos de Elementos de storage de Energa, Rotacin y Dispositivos Elctricos estticos, Calidad de las Formas de onda generada, electromagntica y la interferencia de Radio Frecuencia, Versin 2 EE IIT, Kharagpur 3 Gestin Trmica El CONVERTIDOR tpico en la Figura. 1,1 Ilustra el Carcter Multidisciplinario de Este TEMA. Como es la electrnica de Potencia Distinta de la electrnica lineales? No est Sobre Todo en Su Capacidad de Manejo de Potencia. MIENTRAS Que la Administracin de Energa IC en Juegos Mviles de Trabajo en Energa Principios Electrnicos Estan Hechas prrafo soportar SLO UNOS Pocos milivatios, Grandes amplificadores de audio lineales s Han valorado en UNOS Pocos millas de Vatios.

La utilizacin del transistor de unin bipolar, la fig. 1,2 en los dos Tipos de amplificadores de Mejor simboliza la difference. En Electrnica de Potencia Todos los Dispositivos funcionan en el Modo de conmutacin - ya sea "plenamente-ON" o "totalmente de 'El amplificador lineal ESTADOS s Centra en la fidelidad en la amplificacin de la seal, Lo Que Requiere transistores de Trabajar unicamente. .. en el lineal (activa) la zona, Fig. 1.3 Zonas de saturacin y el corte de la VCE - IC Avin s evitan En Un amplificador de Potencia de conmutacin electrnica, Slo Aquellas Zonas de la VCE -. Avin IC Que Han bordeado anteriormente , adecuados hijo. en Estado de disipacin es Mnimo si el dispositivo no est en saturacin (o cuasi-saturacin Para La Optimizacin de OTRAS Perdidas). En el also Fuera de Estado, las perdidas mnimas hijo si el BJT s polariza inversamente. Un Interruptor BJT un TRATAR de atravesar la zona activa tan Rpido COMO mar Posible prrafo minimizar las perdidas Por conmutacin. La Figura. 1,2 transistor bipolar tpico basado (a) lineal (emisor comn) (voltage) Etapa de amplificacin y (b) amplificador de conmutacin (Potencia) Versin 2 EE IIT, Kharagpur 4 La figura. 1,3 Zonas de Servicio Para El funcionamiento de la ONU transistor de unin bipolar COMO lineal y sin amplificador de conmutacin

Operacin lineal La Operacin de conmutacin Zona activa Seleccionada: Buena linealidad Entre Entrada / salida Zona activa evitarse: Las Altas perdidas, Encontrados SLO Durante los transitorios Zonas de saturacin y corte Fuera de evitarse: linealidad pobre Saturacin y corte-(sesgo Negativo) Zonas seleccionadas: Bajas Perdidas Transistor sesgada a funcionar Alrededor del punto de reposo Ningun Concepto de punto de reposo Emisor Comn, Colector Comn, modos los Comunes de la base Transistor accionado directamente en la base - emisor y el colector de Carga, ya en mar o emisor Transistor de salida apenas Protegido Switching-Aid de la red (SAN) Y OTRO pisos de Proteccin al director transistor Utilizacin de la calificacion de transistor de importancia Secundaria Utilizacin de la calificacion de transistor Optimizado Versin 2 EE IIT, Kharagpur 5 Un EJEMPLO Que Ilustra las Soluciones lineales y El Cambio a Una especificacin de la fuente de Alimentacin s Hara Hincapi en la difference. 230 V Regulador Series - Lnea de Alta Frecuencia transformador de Perdidas: pesado, con loss (des) 230 VHIGH-freq Duty-ratio (ON / OFF) el control de - Bajas Perdidas Ncleo de ferrita HF Transfr: luz, Eficiente (b) ESPECIFICACIONES : Entrada: 230 V, 50 Hz, Salida: 12 V CC Regulada, 20 W fig. 1,4 (a) sin Regulador lineal y (b) Una Solucin de Regulador de conmutacin de la especificacin anterior La Solucin lineal, fig. 1,4 (a), una especificacin this Bastante Comn en imprimacin Lugar Reducir la Tensin de Suministro de 12-0-12 V a Travs De Un transformador de frecuencia de Energa. La salida seria rectificada MEDIANTE diodos de Potencia de frecuencia, FILTRO DE Condensadores electrolticos y LUEGO serie regulados MEDIANTE chip de la ONU o sin transistor de Potencia de audio. El FILTRO DE condensador de tantalio seguira. El Equilibrio de la Tensin Entre la salida del rectificador y la salida cae a Travs del dispositivo Regulador Que also lleva la Corriente de plena Carga. La Perdida de Potencia Es Por lo Tanto considerable. Ademas, el paso HACIA abajo de ncleo de hierro del transformador es pesado, y con perdidas.

Sin embargo, SLO DOS VECES a la Frecuencia de la lnea de ondas aparecen en la salida y Costo de material y know-how Tcnico Requerido es bajo. En la fig. Solucin de conmutacin. 1,4 (b) utilizando sin CONVERTIDOR flyback MOSFET conducido, Primero la Tensin de lnea es rectificada y aislado LUEGO, escalonada HACIA abajo y Regulada. Un ncleo de ferrita de Alta Frecuencia (HF) transformador s utiliza. Las perdidas hijo insignificantes en COMPARACION con La Primera Solucin y el CONVERTIDOR es extremadamente ligero. Sin embargo significativo de Alta Frecuencia (relacionado con la Frecuencia de conmutacin) de ruido aparecen A La Salida, QUE SOLO Puede Ser Condensadores minimizado MEDIANTE EL USO costosas de 'hierba'. Potencia dispositivo semiconductor - historia Electrnica de Potencia y convertidores Que utilizan los hiz Una Ventaja CUANDO El Primer dispositivo de Silicon Controlled Rectifier FUE Propuesto Por los Laboratorios Bell y Producido comercialmente Por General Electric en los Principios de los Cincuenta. Los rectificadores de vapor de mercurio Esteban Muy en la USO en ESE Momento y el robusto y Compacto SCR Comenzo Su sustitucin bao cicloconvertidores los angeles RECTIFICADORES y. Surgio la necesidad de extender la Aplicacin de La Ms All del Modo SCR de la realimentacin de la Accin, Que Aboga Por Medidas Externas prrafo eludir Su desvo a Travs de Sus terminales de Incapacidad de control de. Varios de Apagado Esquemas were propuestos y Su clasificacion propuesta FUE Pero s se hiz Cada Vez Que MS evidente sin dispositivo con Capacidad de Desconexin era Deseable, Lo Que permitira Una Amplia application MS. Las Redes Fuera de turno y el SIDA Eran Poco Prcticos un Poderes Mayores. El transistor bipolar, Que Habia Por los Aos Sesenta Han DESARROLLADO prrafo manejar Unas Pocas Decenas de Amperios y bloquear UNOS Pocos cientos de Voltios, Lleg Como El Primer competidor prrafo el SCR. Es un superior la SCR en Su Capacidad de Desconexin, Lo Que Podria Ser ejercido un Travs de Sus terminales de control de. sto permitio la sustitucin de la SCR Todos en los convertidores conmutados forzados y Helicpteros. Sin embargo, la Ganancia (Potencia) del SCR es Unas decadas superiores a la de la version transistor bipolar 2 EE IIT, Kharagpur 6 y las corrientes de base de elevadas requeridas prr switch to el bipolar Genero el Darlington. Tres o MS Darlingtons Etapa ESTAN DISPONIBLES Como un nico ficha Completa con accesorios prr Su accionamiento Conveniente. 'Rpidos' Las frecuencias MS Altas de Operacin s podian Obtener con la ONU bipolares discretas en COMPARACION con los de grado inversor SCR Que permitan la reduccion de los components del filter. Sin embargo, la Frecuencia de Operacin de Darlington tuvo Que Ser Reducido prr permitir Una Secuencia de desactivacin de los controladores y el director transistor. Ademas, la Incapacidad de la bipolar prrafo bloquear voltajes inversos restringido Su USO. El MOSFET de la Energa irrumpi en La Escena comerciales Cerca de los setenta episodios finales. Este dispositivo also represen El Primer matrimonio exitoso Entre el circuito Integrado y moderno discretas Tecnologas de Fabricacin de Semiconductores de Potencia. Su Capacidad de accionamiento de voltage - Dando de Nuevo Una Ganancia alcalde, la facilidad de Puesta en Paralelo Do y lo mas Importante Las frecuencias de funcionamiento Mucho Ms

Altas Que llegan Hasta UNOS Pocos MHz violencia de Me sustitucin de bipolar Also in el Rango de sub -10 kW principalmente prr El Tipo de SMPS de Aplicaciones. Ampliacin del VLSI Instalaciones de Fabricacin Para El MOSFET Su Precio Reducido vis--vis el bipolar also. Sin embargo, al servicio de las Naciones Unidas dispositivo portador Mayoritario EN SU voltage de Estado est dictada Por El RDS (ON) del dispositivo, Que un su Vez es proporcional a approximately Puntuacion V2.3DSS del MOSFET. Por consiguiente, de Alta Tensin MOSFETs no viables comercialmente hijo. Las Mejoras Se estan probando en el SCR en Cuanto un su Capacidad de Apagado principalmente MEDIANTE la reduccion de la Ganancia de Encendido. Las Diferentes Versiones del dispositivo de puerta-un su Vez-off, la Puerta de Apagado Tiristor (GTO), were Propuestas Por distintos Fabricantes -. Cada UNO Defendiendo Su Propio Simbolo el prrafo dispositivo La exigencia de Alta Rotacin Una muy de Control de la Corriente a Travs de la puerta y el Costo MS relatively alto del dispositivo restringido Su application Solo a los Inversores Clasificados Por Encima UNOS Cuantos cientos de KVA. La Busqueda de Una forma MS Eficiente, barato, rapido y robusto de apagado-able dispositivo en s DESARROLLO Distintas DIRECCIONES con unidades de MOS, Tanto Para El thysistor Bsica y la bipolar. La puerta Aislada transistor bipolar (IGBT) - basicamente sin MOSFET impulsado bipolar de las characteristics of your terminales ha Sido Exitosa Una propuesta con los Dispositivos de Puesta a Disposicin En torno al 4 KV y KA 4. SU Frecuencia de conmutacin de 25 kHz y La facilidad de conexion Y accionamiento de la Sierra Que removedor Totalmente l bipolares de practicamente sabor Todas applications LAS. Industrialmente, el MOSFET SLO ha Sido Capaz de Continuar en el sub - Rango de 10 KVA principalmente debido un su Alta Frecuencia de conmutacin. El IGBT also ha Hecho subir el GTO prrafo applications Por Encima de 5,2 MVA. La Evolucin posterior de las topologas del CONVERTIDOR - en especial el inversor de tres Niveles permite el USO del IGBT en los convertidores de la Gama MVA 5. Sin embargo, en las clasificaciones Mayores Que los GTO (dispositivo 6KV/6KA de Mitsubishi) convertidores basados Tenia Algo de Espacio. Slo con Invitacin los convertidores basados en SCR hijo Posibles en El Ms Alto Rango en convertidores conmutados Por lnea conmutada o de la Carga, Eran La nica Solucin. La Corriente de sobretensin, EL PICO DE VOLTAJE Y repeticin I2t hijo aplicables en solitario de Los tiristores QUE HACE LO MS ROBUSTO, especialmente trmicamente, Que los angeles transistores de sabor Todas Variedades LAS. 1200V versin 3 ASIPM En la Actualidad heno Pocos Dispositivos Hbridos y mdulos Inteligentes de Potencia (IPM) hijo comercializados Por algunos Fabricantes. Los IPMs ya Han reunido Una Amplia Aceptacin. El V 4500, 1200 A Versin 2 EE IIT, Kharagpur 7 IEGT (Inyeccin Mejorado con transistor de puerta) de Toshiba o 6000 V, 3500 A IGCT (Tiristores conmutados Por Puerta Integrada) de ABB, Que hijo prometedores en los Rangos de alcalde Potencia. Sin embargo, ESTOS Nuevos Dispositivos Debn ProBAR entradas obligatorias de servicio aceptadas Por La Industria en general.

El carburo de silicio es semiconductor de banda sin prohibida ancha con sin intersticio de banda de Energa MS Amplio de approximately 2 eV Que pose Trmica Muy alta, Qumica y Mecnica Estabilidad. El carburo de silicio es el unico semiconductor de ancho de banda prohibida Entre el nitruro de galio (GaN, EG = 3,4 eV), nitruro de aluminio (AlN, EG = 6,2 eV), y el carburo de silicio Que pose sin xido Nativo de ALTA CALIDAD adecuado prr Su USO COMO aislante MOS en Dispositivos Electrnicos El campo de ruptura de SiC es de Aproximadamente 8 Veces Mayor Que en el silicio. ESTO it Importante Para Los transistores de Alta Tensin de Alimentacin conmutadas. Por Ejemplo, sin dispositivo de des Tamano friso en SiC Tendra Una Tensin de Bloqueo 8 Veces Mayor Que El Mismo dispositivo en el silicio. MAS Importante, La Resistencia en el dispositivo de SiC de sueros Alrededor de dos decadas MS Bajo Que el dispositivo de silicio. En Consecuencia, la Eficiencia del CONVERTIDOR de Potencia es Mas Alta. Ademas, el carburo de silicio basados en interruptores de semiconductores Florerias funcionar Altas Temperaturas un (~ 600 C) sin Grandes Cambios en el SUS Propiedades Elctricas. ASI, EL CONVERTIDOR TIENE Una alcaldesa Fiabilidad. Reduccion De Las Perdidas Y DE MAS ALTA funcionamiento permitida Resultado Temperaturas Del disipador de pelotas MS PEQUEO. Ademas, la Capacidad de Alta Frecuencia de Trabajo de convertidores de SiC reducir el requisito de Filtrado y el tamano del filter. Como Resultado de ola, Que Compactos hijo, fiables Luz, y eficientes y Tienen Una Alta densidad de Potencia. ESTAS cualidades satisfacer los Requisitos de convertidores de Potencia Para La Mayora de Aplicaciones y Que Se Espera Que sean los Dispositivos del Futuro. Las calificaciones Han ido aumentando progresivamente en los Dispositivos de Todos, MIENTRAS Que Los Nuevos Dispositivos ofrecen sin Rendimiento Mejor sustancialmente. Con el SCR y los diodos pin-, CAPAS 'y' 'i'-Entre la capa' Llamado ASI Por El intercalado intrnseco p n ', teniendo en Su Mayora estticos conmutados Por applications CONVERTIDOR, s hiz Hincapi Sobre Todo en SUS characteristics estticas - Hacia Adelante y revertir el Bloqueo de tensin, Que transportan Corriente y clasificaciones Sobre Corriente, Sobre el Estado de la tensin, etc y en cuestiones also Como El funcionamiento en Paralelo y en serie de los Dispositivos. Como las velocidades de Operacin de los Dispositivos de aumento, las Dinmicas (conmutacin) CARACTERISTICAS DE LOS DISPOSITIVOS cobrado importancia del ya alcalde QUE LA MAYORIA DE la disipacin FUE DURANTE ESTOS transitorios. Atencin en el Centro propiamente Desarrollo de Redes de accionamiento Eficiente y Tcnicas de Proteccin Que Se Han encontrado prr mejorar el Rendimiento de los Dispositivos y de Sus Capacidades de Manejo de pico Potencia. Cuestiones Relacionadas con La Conexin en Paralelo Se resolvieron Por El Diseador del Sistema Dentro del proprio dispositivo Como en MOSFETS, MIENTRAS Que la Topologa de CONVERTIDOR estba obligada a hacerse cargo de Su Operacin en serie Como en convertidores multinivel. La Gama de Dispositivos de Potencia ASI desarrollados Durante las ltimas Dcadas Se Puede representar Como un rbol, la figurativa. 1,5, Sobre La Base de Su palabra capacidad de controlar y Otras characteristics dominantes. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 8 La Figura. 1,5 Potencia dispositivo semiconductor Variedad Diodos de Potencia

Diodos de silicio de Poder hijo los Sucesores de los rectificadores de selenio significativamente TIENEN Mejoradas characteristics Directas y tensin. Se clasifican principalmente Por Su desvo (Dinmico) characteristics fig. 1,6. Los Portadores minoritarios en los diodos require sin Tiempo Finito - trr (Tiempo de Recuperacin inversa), prrafo recombinarse con cargas Opuestas y neutralizar. Los Grandes Valores de QRR (= Q1 + Q2) - La TASA Que Se disipa en forma de Corriente Una negativa CUANDO el diodo y s Apaga y trr (= t2 - t0) - El Tiempo Que Se tarda en Recuperar SUS Funciones de Bloqueo, imponen fuertes Tensiones Actuales en el dispositivo Controlado en serie. 'Snappy' Also sin pisos de Recuperacin de los Efectos de diodo de Alta di / dt Tensiones Sobre Todo dispositivo de Potencia Asociado en el CONVERTIDOR debido a la Carga o inductancias parsitas Presentes en la red. En tres de Trminos Generales existencial Tipos de diodos Usados en Aplicaciones de Potencia Electrnicos: Frecuencia de lnea: Ests diodos diodos PIN con Aplicaciones de Propsito General rectificador pisos, ESTAN DISPONIBLES en el voltage MS alto (~ 5 kV) y Corriente (~ 5 kA) y TIENEN excelente sobre-Corriente (rating aumento SEIS Veces Corriente nominal security Adecuada) y sobretensiones de Resistencia con Capacidad. Tienen QRR relatively grande y las ESPECIFICACIONES trr. MOSFET SCR GTO RECTIFICADORES IGBTINTEGRATED Q1 Q2 SNAPPY SUAVE diF / dt IRM VRM tot0 t1 t2Fig. 1,6 de Apagado tpico Dinmica De Un suave y sin diodo 'gil' ' Versin 2 EE IIT, Kharagpur 9 Diodos de Recuperacin Rpidos: diodos de Recuperacin Rpidos difusos y diodos de Recuperacin Rpida epitaxiales, Fred, TIENEN MS significativamente bajos y trrrr Q (~ 1,0 Segundo?). ESTAN DISPONIBLES en potencias Altas y s utilizan principalmente en Asociacin con el control de las Naciones Unidas Rpido Dispositivos de Como los Helicpteros de rueda libre o DC-DC Y APLICACIONES rectificador. Diodos Rpidos de Recuperacin also encuentran en application Instalaciones de CALEFACCIN de induccin, UPS y Traccin. Rectificadores Schottky: Ests hijo los rectificadores MS Rpidos hijo Dispositivos Portadores mayoritarios pecado QRR .. Sin embargo, ESTAN DISPONIBLES Tensiones nominales con up to CIEN Voltios nominales de Corriente aunque SLO Puede Ser alto. Sus Tensiones de Conduccin ESPECIFICACIONES hijo Excelentes (~ 0,2 V). La Libertad de Recuperacin de Portadores minoritarios permite Reducir los angeles Requisitos amortiguadores. Diodos de Schottky no Tienen Competencia en bajos SPMS voltage Aplicaciones y en la Instrumentacin. Controlado Del Silicio rectificador (SCR) La rectificador controlado de silicio ES EL MS populares de la Familia tiristor de Cuatro Dispositivos de la capa regenerativas. Normalmente ESTA ACTIVADO POR LA APLICACIN De Un Impulso de puerta CUANDO UNA tensin de polarizacin DIRECTA ESTA Presente En Los Bornes Principales. Sin embargo, siendo Regenerativa o "enganche", no Se Puede Desactivar un Travs de los terminales de puerta especialmente en el factor de amplificacin extremadamente Alta de la puerta. Hay dos Tipos Principales de SCR.

CONVERTIDOR de grado o tiristores Fase de control de Ests Dispositivos hijo los caballos de batalla de la electrnica de Potencia. Sentencia Ellos estan desactivados natural (lnea) y la conmutacin s polariza inversamente al Menos Por UNOS Pocos milisegundos Posteriores a la ONU Periodo de Conduccin. No Hay Ninguna Funcion de conmutacin rapida Que Se DESEA de Ests Dispositivos. ESTAN DISPONIBLES en Capacidades de Voltaje superior un KV 5 partir de UNOS 50 V y Corriente de UNOS 5 KA. Las Mayores convertidores prrafo transmisin HVDC de Se construyen estafadores serie-Paralelo combinacion de Ests Dispositivos. Tensiones de Conduccin s Valora dispositivo Dependiente de la Tensin y el Rango Entre 1,5 V (600 V) a 3,0 V (5 KV). ESTOS DISPOSITIVOS ningn hijo adecuados prr any "conmutacin forzada" circuito Que Requiere Poco manejables Componentes de conmutacin de gran tamano. Las Capacidades Dinmicas di / dt y dv / dt de la SCR Han Mejorado enormemente en el emisor de endeudamiento Aos de cortocircuito y Otras Tcnicas adoptadas Para La Variedad MS RAPIDO. El requisito prr las unidades de disco de compuerta duro y di / dt inductores Han Sido limting eliminados en el Proceso. Tiristores del CONVERTIDOR de grado: Tiempos de desvo ESTOS tiristores Variar desde Aproximadamente 5 a 50 CUANDO secs duro conmutada. Se les llama Asi de Rpido o SCR inversor Grado . El SCR de Se utiliza principalmente bao Circuitos Que funcionan EN EL SUMINISTRO DE CORRIENTE CONTINUA Y tensin alterna no est Disponible prrafo apagarlos. Redes de conmutacin TIENE Que servicio aadido al CONVERTIDOR de base de Solo para el Apagado de la SCR. La Eficiencia, Tamao y peso de Redes ESTAS ESTAN RELACIONADOS directamente con El Tiempo de Apagado, tq de la SCR. Los circuitos de conmutacin utilizado Redes resonantes o Condensadores Cargados. Un buen numero de Redes de conmutacin Pocos were Disenados y algunos de COMO EL McMurray-Bedford FUE ampliamente aceptada. Asimtrico, ACTIVADO Por La Luz, Invierta l realizacion de SCR MUY POCAS Variedades De La SCR Bsico de han sE Propuesto prr Aplicaciones especficas. El tiristor asimtrico es Conveniente when s Trata de Poderes Reactivos y la luz activa SCR Asistencias en Paralelo y funcionamiento en serie. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 10 MOSFET La tecnologia MOSFET de la Energa ha Alcanzado l Madurez Y EN SU MAYORIA it El mas popular de dispositivo SMPS para, alumbrado Tipo de balasto de aplicacion Donde las Altas frecuencias de conmutacin de Se DeSean per voltajes bajos de Operacin hijo. Siendo sin voltage alimentados, dispositivo portador Mayoritario (Comportamiento resistivo) Con Una zona de funcionamiento segura tipicamente rectangular, Puede Ser utilizado convenientemente. Utilizando Procesos de Fabricacin Comunes, Los Costos comparativos de los MOSFETs atractivas hijo. Para Aplicaciones de Baja Frecuencia, Donde las corrientes extradas Por las capacitancias equivalentes Travs de Sus terminales hijo Pequeas, also Puede Ser accionado directamente Por los circuitos Integrados. ESTAS Capacidades hijo el director obstculo Para La Operacin de los MOSFETs una velocidades de MHz Varios. Las characteristics de Resistencia de Sus Principales terminales en Paralelo permiten easy also externamente. En Aplicaciones de Alta Corriente de Bajo Voltaje del MOSFET offers LAS

MEJORES ESPECIFICACIONES Voltaje de Conduccin de Como El RDS (ON) es la especificacin nominal de Corriente Dependiente. Sin embargo, las Inferiores de la characteristics tanto inherentes anti-Paralelo de diodo y Sus Mayores perdidas de Conduccin En Las frecuencias de Potencia Y Niveles de tensin restringir sU APLICACIN MS Amplia. El IGBT Es Una Tensin Controlada de Cuatro CAPAS dispositivo con las VENTAJAS de la IC con controlador y el terminal de bipolar principal. IGBTs Se Puede clasificar Como El ponche de paso (PT) y La no-punch-through (TNP) Estructuras. En el IGBT de punzonamiento, ONU Mejor Equilibrio Entre La caida de voltage y Tiempo de Apagado Se Puede lograr. Punch-a Travs de IGBTs estan DISPONIBLES up to approximately 1200 V. IGBT NPT up to approximately 4 KV s Han reportado en la literatura y robustos Son Mas Que los IGBTs PT en especial el Bajo conditions de corto circuito. Sin embargo, Tienen Una alcaldesa Cada de Tensin de los IGBTs PT. Sus Tiempos de conmutacin Puede Ser Controlada adecuadamente Por La configuracion de la seal de accionamiento. sto le da al IGBT Una serie de VENTAJAS: No Se require circuitos de Proteccin, Que Se Puede Conectar bao Paralelo Dificultad pecado, Y La Conexin en serie it Posible pecado du / dt amortiguadores. El IGBT es actualmente UNO de los Dispositivos MS POPULARES en vista de las calificaciones de Ancho, El Cambio de Velocidad de Alrededor de 100 KHz Una Unidad de Tensin y Fcil Una plaza fuerte operativo Area desprovisto de Una regin Desglose Segunda. El GTO El GTO es sin dispositivo de conmutacin de Potencia Que Se Puede Por Activar sin pulso corto de Corriente de puerta y APAGAR con la ONU impulso de puerta inversa. This amplitud de la Corriente de compuerta inversa Depende de la Corriente del nodo Que Se desactive. Por lo Tanto heno sin necesidad de des circuito de conmutacin externo prrafo apagarlo. Debido a Que el Apagado s proporciona pecado Pasar Por las Compaas directamente al circuito de la puerta, Su Tiempo de Apagado es corto, LO CUAL LE MAS DA Capacidad Para El funcionamiento de Alta Frecuencia de tiristores. Las characteristics Simbolo del GTO y APAGAR-se muestran en la Figura. 30.3. GTO Tienen l Capacidad de Resistencia I2t Y POR TANTO he aqu Florerias ESTAR PROTEGIDO POR Semiconductores fusibles. Para funcionamiento sin tificables de los GTO, los Aspectos Crticos de la ONU hijo Diseo adecuado de la puerta de desvo de circuito y el circuito amortiguador. CONVERTIDOR de Energa Topologas Un CONVERTIDOR de Potencia electrnico PROCESA el Formulario a Disposicin de Otro Que TIENE Una Frecuencia Diferente y / o magnitud de la tensin. No Florerias Cuatro Tipos Bsicos Haber de convertidores dependiendo de la Funcin Que Realiza: Versin 2 EE IIT, Kharagpur 11 CONVERSION DE / A NOMBRE

FUNCION Simbolo DC a DC Helicptero Constante de corriente continua variable o variables continua Constante DC a AC Inversor DC a AC de Voltaje y Frecuencia Deseadas ~ AC a DC Rectificador CA unipolar (DC) real ~ Cicloconvertidor, AC-PAC, Matrix converter CA de una CA CA de frecuencia Deseada y / o la magnitud de la lnea de CA generalmente ~~ Base / puerta circuito de accionamiento Todos los Dispositivos discretos Controlados y regenerativas o de Otra Manera Tener tres terminales. Dos de las principales 'Ellas hijo terminales. Una de las Principales terminales y la forma de la terminal de Tercera de control. El factor de amplificacin de los Dispositivos Todos (EXCEPTO EL BJT Ahora practicamente en desuso) hijo Bastante altos, aunque un su Vez-en la Ganancia no es Igual al desvo de ganancia. El circuito de control de s Requiere prr satisfacer las characteristics de los terminales de control de Manera Eficiente de tun-en Cada Uno de los Dispositivos del CONVERTIDOR, Desactivar, si es Posible, Una Vez Mas De Manera ptima y also prr Proteger el dispositivo contra Fallos, Sobre Todo sobrecorrientes. Siendo impulsado Por Un controlador para Comn, las Unidades also Debn servicio Aislados de UNOS Otros Como los potenciales de terminal de la capital Que Se dobla Como un terminal de control de de son Diferentes en Diversos Lugares del CONVERTIDOR. Puerta-turn-off-bles Dispositivos require de Formas de onda Precisa de puerta Para La conmutacin Optima. Para Ello es necessary sin amplificador de ondas conformacin. Este amplificador s encuentra despues de la Etapa De Aislamiento. ASI separadas Fuentes de Alimentacin aisladas also s require prr Cada dispositivo de Alimentacin en el CONVERTIDOR (las Naciones Unidas Que Tienen terminales de control de

comn - Decir el emisor en la ONU IGBT - Florerias requerir Una Menor Pocos). Hay dos funcionalmente Tipos de Aisladores: el transformador de impulsos Que Florerias transmitir DESPUES DE SU Aislamiento, En Un CONVERTIDOR de Mltiples Dispositivos, Tanto la seal de la ONU y en forma de Potencia y Aisladores pticos Que transmiten unicamente la seal. El anterior es Suficiente prr Que sin pecado SCR Fuentes de Alimentacin aisladas en el Secundario. This is an necesidad de ltima PARA TODOS CASI Los Otros Dispositivos. La Figura. 1,7 Ilustra los circuitos de accionamiento Tpicos PARA UN IGBT y SCR an. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 12 IGBT VrefTIMER Figura COMPARATOR. 1,7 circuito sencillo puerta de la Unidad de Proteccin y discoteca Por Un IGBT Independiente y sin SCR Proteccin de los Dispositivos de Potencia Transformadores Y Convertidores Electrnicos de Potencia a Menudo Operan de la Red de Servicios Pblicos y estan expuestos a las Alteraciones Asociadas con Ella. Incluso lo contrario, los transitorios Asociados con los circuitos de conmutacin y Fallos Que Se Producen en los convertidores de Tensin del punto de Carga y Dispositivos. Por consiguiente, varios regmenes de Proteccin debe Incorporado en servicio sin CONVERTIDOR. Es un necessary Proteger Tanto las Principales terminales y los bornes de control. ALGUNAS ESTAS de Tcnicas hijo Comunes PARA TODOS los Dispositivos y los convertidores. Sin embargo, las diferencias en las characteristics Principales de los aviones require Aparatos Especiales de Proteccin especial prr OEN Dispositivos. El IGBT debe Ser Protegido contra enganche, y del Mismo Modo de Apagado del GTO Unidad debe Ser inhabilitado si la Corriente del nodo EXCEDE EL Mximo permisibles Apagado-able especificacin actual. Dispositivos Semiconductores de Potencia hijo comnmente Protegidas contra: 1. Sobrecarga de Corriente; 2. di / dt; 3. Tensin de pico o sobretensin; 4. dv / dt; 5. Bajo voltage Gate-; 6. Sobre Voltaje en la puerta; 7. Calentamiento excesivo; 8. Electro-Esttica de Descarga; Dispositivos Semiconductores de Todo Tipo exhibir Respuestas ha Similares a la Mayora de las Tensiones, el pecado embargo heno Marcadas diferencias. El SCR es el dispositivo MS robusto en Todos los Aspectos practicamente. Que TIENE UNA calificacion I2t Es La Prueba de Que hor Capacidades Trmicas Excelentes hijo Internas. Un fusible de HRC, Seleccionados adecuadamente, y en Coordinacin con los interruptores automticos Rpidos EN SU most lo protegera. ESTO A Veces Se convierte en Una maldicin CUANDO EL Costo del fusible s Vuelve

excesivo. Todos los transistores BJT, especialmente el IGBT y el activamente Protegido (sin ningun coste Operativo!) MEDIANTE la deteccin de la principal tensin del terminal de, Como Se Muestra en la Figura. 1,7. Este voltage est relacionado con la Corriente transportada Por El dispositivo. Ademas, los transistores de Permiso de Formas de Onda de Corriente de puerta Diseado prr minimizar los Picos de tensin de Como Consecuencia del Fuerte aumento Corrientes terminales Principales. Puerta sin resistencias Tienen Efecto Sobre el significativo Encendido y Apagado el ESTOS Tiempos de Dispositivos - permitiendo la Optimizacin de Tiempos de conmutacin Para La Reduccion de perdidas de conmutacin y picos de tensin. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 13 Los Esquemas de Proteccin de sobretensiones - los prolongados y las de corta duracion - SE Guian Por El Contenido de Energa de las sobretensiones. Varistores de xido de metal (MOV), capacitivos Dinmicas Abrazaderas de Tensin y circuitos-crow-bar hijo ALGUNAS de las Estrategias utilizadas. Par du / dt Tensiones, QUE TIENEN UN de Nuevo Efecto parecido en Todos los Dispositivos, las Abrazaderas de RC o RCD s utilizan en function de la VELOCIDAD del dispositivo. Ests "amortiguadores" o "cambio de ayuda-Redes", ademas minimizar las perdidas de conmutacin del dispositivo - Lo Que Reduce Su aumento de Temperatura.

= 80 Ohm Mdulo 1 Semiconductores de potencia Versin 2 EE IIT, Kharagpur 1 Leccin 3 Energa bipolar transistor de unin (BJT) Versin 2 EE IIT, Kharagpur 2 Caractersticas de estructura, principios de funcionamiento, caractersticas y especificaciones de transistores de unin bipolar de potencia. Objetivo: Al finalizar el alumno ser capaz de 1. Distinguir entre, corte, activa y saturacin operacin regin de un transistor de unin bipolar. 2. Dibujar las caractersticas de entrada y salida de un transistor de unin y explicar su naturaleza. 3. Enumerar las caractersticas ms destacadas de construccin de un BJT de potencia y explicar su importancia. 4. Dibuje las caractersticas de salida de un BJT de potencia y explicar los lmites operativos aplicables bajo condiciones de polarizacin directa e inversa. 5. Interpretar clasificaciones fabricante hoja de datos para un BJT Power. 6. Diferenciar entre las caractersticas de un conmutador ideal y un BJT. 7. Dibujar y explicar el giro de las caractersticas de un BJT. 8. Dibujar y explicar el Turn Off caractersticas de un BJT.

9. Calcular las prdidas de conmutacin y conduccin de un BJT Power. 10. Disear un circuito de base unidad BJT. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 3 3.1 Introduccin Poder transistor de unin bipolar (BJT) es el dispositivo semiconductor primero en permitir el control total de su Activar y Desactivar operaciones. Se simplifica el diseo de un gran nmero de circuitos de potencia electrnicos que utilizan forzados tiristores conmutados en ese momento y tambin ayud a conseguir una serie de nuevos circuitos. Posteriormente, muchos otros dispositivos que se pueden clasificar como "transistores" se han desarrollado. Muchos de ellos tienen un rendimiento superior en comparacin con el BJT en algunos aspectos. Ellos tienen, por ahora, casi completamente reemplazado BJT. Sin embargo, debe hacerse hincapi en que el BJT fue el dispositivo semiconductor primero se aproximan mucho a un conmutador ideal de alimentacin totalmente controlado. Otros "transistores" tienen caractersticas que son cualitativamente similares a las del BJT (aunque la fsica de la operacin puede diferir). Por lo tanto, ser conveniente estudiar las caractersticas y el funcionamiento de un BJT con cierta profundidad. Desde el punto de vista de la construccin y operacin BJT es un bipolar (es decir, portador minoritario) dispositivo controlado por corriente. Se ha utilizado a nivel de potencia de la seal por un largo tiempo. Sin embargo, las caractersticas de construccin y operacin de un BJT de energa es muy diferente de su homlogo nivel de la seal debido a la exigencia de un alto voltaje de bloqueo en el estado "OFF" y una alta capacidad de carga en el estado "ON". En este mdulo, la construccin, el principio de funcionamiento y las caractersticas de un BJT energa sern exploradas. 3.2 Modo de funcionamiento bsico de un transistor de unin bipolar Un transistor de unin consiste en un cristal semiconductor en el que se intercala regin ap tipo entre dos regiones de tipo n. Esto se llama un transistor n-p-n. Alternativamente, un regin tipo n puede ser colocado entre dos regiones de tipo p para dar un transistor pnp. Fig. 3.1 muestra los smbolos y las representaciones esquemticas de un NPN y un transistor pnp. Los terminales de un transistor son llamadas emisor (E), la base (B) y colector (C) como se muestra en la figura. VBB VCC RC RB VBE VCE iB B (p) iC es decir, E (n) C (n) +-VBB VCC RC VBE VCE iB B (n) iC es decir, E (p) C (p) Versin 2 EE IIT, Kharagpur 4 La figura. 3.1: transistor bipolar de unin bajo diferentes condiciones de polarizacin. (A) n - p n transistor; (b) p - n - p transistor. (Emisor) (Base) (Collector) nnp (E) (B) (C) JCB JCB JBE 0BE Si no hay tensiones externas de empuje se aplica (es decir; VBB y VCC estn en circuito abierto) todas las corrientes de transistores debe ser cero. El transistor estar en condiciones de equilibrio trmico con los posibles obstculos en el emisor y la base y las funciones colector base, respectivamente. Correspondientes anchuras capa de agotamiento y ser. Es evidente a

partir del diagrama que los transportistas tipo P en la regin de base de un transistor npn se encuentran atrapados en un "pozo de potencial" y no puede escapar. Del mismo modo, en los portadores de transistor PNP de tipo p en las regiones de emisor y colector estn separados por una "colina potencial". oCBOBEWOCBW Cuando los voltajes de polarizacin se aplican como se muestra en la figura, la unin de baseemisor (JBE) se convierte en polarizacin directa donde como base de la unin de colector est polarizado inversamente. Barrera de potencial y ancho de la capa de agotamiento en JBE reduce to y respectivamente. Ambas cantidades aumentar en JABEWCB. Como la barrera de potencial en J (AA CBCB, W SER se reduce a un gran nmero de portadores minoritarios se introducen en Base a las regiones de emisor y como se muestra en la figura. 3,1 (para npn AAnEpBP, n ABEACBACBW ABEW ApEn ANBP APCN ANEP ApBn ANCP ABEACBACBW ABEW Versin 2 EE IIT, Kharagpur 5 y AApEnBn transistor, transistor p para p-n-p). Una porcin de los portadores minoritarios que alcanzan las bases recombina con portadores mayoritarios. El resto, distender hasta el borde de la regin de agotamiento en JCB donde son arrastrados a la regin del colector por el campo elctrico de gran tamao. Bajo esta condicin, el transistor se dice que es en la regin activa. Como VBE se incrementa inyecta carga minoritarios en la regin de base aumenta y tambin lo hace la corriente de base y el colector de corriente. Para una tensin de colector fijo VCC sesgo, el CCV voltaje reduce con el aumento de la corriente de colector debido a la cada creciente en el RC resistencia externa. Por lo tanto, la barrera de potencial en JCB empieza a reducir. En un momento JCB se convierte en polarizacin directa. Las barreras potenciales y los anchos de agotamiento de la capa bajo esta condicin se indica en la figura. 3,1 de variables con un guin estupendo "s". Debido a la polarizacin directa de JCB habr inyeccin de portadores minoritarios en la base de esta unin tambin como se muestra en la figura. 3,1. La cada de tensin total entre el colector y el emisor ser la diferencia entre las cadas de tensin de polarizacin directa en JBE y JCB. Bajo esta condicin, el transistor se dice que es en la regin de saturacin. Desde el principio de funcionamiento descrito anteriormente se puede formar una idea cualitativa de la entrada (iB vs VBE) y la salida (HI vs VCE) caractersticas de un transistor. En la siguiente seccin estas caractersticas de un transistor npn se trataron cualitativamente. Explicacin similar se aplica a un transistor pnp. Cuando un voltaje de polarizacin VBB de polaridad apropiada se aplica en todo el JBE cruce la barrera de potencial en este cruce se reduce y en un momento de la unin se convierte en polarizacin directa. La corriente que atraviesa esta unin se rige por la ecuacin de unin pn polarizada para una tensin de colector emisor dado. Los corriente de base IB est relacionado con la recombinacin de portadores minoritarios inyectados en la base del emisor. La tasa de recombinacin es directamente proporcional a la cantidad de portadores minoritarios exceso almacenada en la base. Dado que, en un transistor normal el emisor es mucho ms

fuertemente dopada en comparacin con la base es casi totalmente la corriente JBE cruce determinada por la distribucin de portadores minoritarios en exceso en la base. Por lo tanto, se puede concluir que la relacin entre Ib y VBE sern similares a las caractersticas IV de un diodo de unin pn. VCE, sin embargo tener algn efecto sobre esta caracterstica. Como VCE aumenta la polarizacin inversa de los aumentos de JCB y la regin de agotamiento en JCB mueve ms profundamente en la base. La anchura efectiva de la base por lo tanto reduce, reduciendo la tasa de recombinacin en la regin de base y por lo tanto la corriente de base. Por lo tanto IB para un VBE dada se reduce con el aumento de VCE, como se muestra en la figura. 3,2 (a). Se ha mencionado antes que slo una fraccin (denotado por la letra "") de los portadores minoritarios totales inyectados en la base alcanza unin JCB donde son arrastrados en la regin del colector por el gran campo elctrico en la JCB. Estos portadores minoritarios constituyen el componente principal de la corriente de colector total. El otro componente de la corriente de colector se compone de la saturacin inversa pequea corriente de polarizacin inversa de la unin JCB. Por lo tanto, IC = Ics IE + (3,1) Donde Ics es la corriente inversa de saturacin de la unin JCB Pero IE = IB + IC (3,2) Versin 2 EE IIT, Kharagpur 6 CSCI I = I1 +-1- (3,3) Al definir 1- IC = IB + ( +1) Ics (3,4) se denomina ganancia de seal grande de emisor comn de corriente del transistor y se mantiene bastante constante para una amplia gama de IC, como se muestra en la figura. 3,2 (c). Fig: 3 (b) muestra las caractersticas completas fuera put (IC vs VCE) de un transistor NPN. Con VBB = 0 o negativa, se inyecta poco de portadores minoritarios en la base del lado emisor. Por lo tanto, Ib = 0 y iC es insignificantemente pequea. El transistor se dice que est en el "cortado" regin bajo esta condicin. Como VBB se incrementa desde cero, la corriente de base comienza a fluir. De la ecuacin (3,4) que se espera que la corriente de colector debe aumentar proporcionalmente independiente de VCE. Sin embargo la figura 3.2 (b) indica un ligero aumento de la IC con la VCE para un iB dadas. Se espera porque con VCE aumentar un valor mayor de VBE se requiere para mantener un determinado iB (Fig. 3,2 (a)). Por lo tanto, el componente de "IE" de la corriente del colector aumentar. ICS es, para todo fin prctico, independiente de VCE. Este es el modo "amplificador" activa o de funcionamiento de un transistor. En la regin activa como iB aumenta iC tambin aumenta. Para un valor dado de VCC, VCE reduce con el aumento de iC debido a una cada mayor en una carga externa (es decir, Rc en la

Fig. 3,1). En un momento dado la JCB unin se convierte en polarizacin directa. VCE, ahora es slo la diferencia entre los voltajes a travs de dos polarizado JBE unin y JCB (unos pocos voltios mano milisegundos). Esto es cuando el transistor entra en el modo de saturacin de operacin. La relacin de IC / IB en el inicio de saturacin se denomina Min y es un parmetro importante para un transistor de potencia. En saturacin iC est casi completamente determinado por la carga externa y aumento adicional en iB cambios iC o VCE muy poco. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 7 vCEincreasing (a) iB vBE (C) Fig. 3,2: entrada y salida caractersticas de una n - p - n transistor. (A) Las caractersticas de entrada, (b) Caractersticas de salida, (c) la ganancia de corriente *+ Caractersticas Saturacin Corte (b) el aumento del IB VCE = iB 0iB1 IB6 iB5 IB4 IB3 iB2iC activo Ejercicio 3.1 Llene los espacios en blanco (s) con la palabra adecuada (s) a) En condiciones de polarizacin directa de un gran nmero de portadores ___________________ se introducen en la regin de base. b) Algunos portadores de carga minoritarios alcanzar __________________ base con portadores mayoritarios all y el resto de ellos ___________________ al colector. c) Cuando la unin base-emisor de un BJT est polarizado directamente, mientras que la unin base-colector se polariza inversamente el BJT se dice que es en la regin _______________. d) Cuando ambos BE & CB unin de un BJT estn sesgadas inversa que se dice que es en la regin _________________. e) Cuando ambos BE & CB unin de un BJT estn sesgados hacia adelante que se dice que es en la regin _______________. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 8 Respuesta: (a) las minoras, (b) se recombinan, difusa, (c) activos; (d) de corte, (e) la saturacin. Ejercicio 3.2 Por qu la corriente de colector de un BJT en los aumentos de la regin activa con tensin de colector creciente de una base de corriente dada. Respuesta: En la regin activa cuando el voltaje VCE aumenta el ancho de la capa de agotamiento en los aumentos de unin CB y reduce la anchura de la base efectiva. Por lo tanto, para una recombinacin VBE dada de portadores minoritarios en la regin de la base reduce la corriente de base y reduce tambin. Para la base principal de corriente constante con el aumento VCE, VBE debe aumentar. Por lo tanto, para una base de corriente constante el nmero de portadores minoritarios en la regin de base se incrementar y, en consecuencia, la corriente de colector aumentar.

Ejercicio 3.3 A BJT de potencia tiene IC = 20 A a IB = 2,5 Ics A. = 15 mA. Averige y . Respuesta: Ic = IB + ( + 1) Ics = (IB + Ics) + ICS. = 7,95, 3.3 Caractersticas constructivas de un BJT Poder Transistores de potencia frente a los mismos requisitos conflictivos de diseo (es decir, gran tensin de estado de bloqueo y de gran densidad en estado actual) como la de un diodo de potencia. Por lo tanto, es natural extender algunas de las caractersticas de fabricacin de los diodos de potencia para BJT de potencia. Seccin A continuacin se resumen algunas de las caractersticas de construccin de un BJT Power. Desde Transistores de potencia son predominantemente del tipo npn, en este apartado y, posteriormente, slo este tipo de transistor ser discutido. un BJT de alimentacin tiene un capas orientadas verticalmente alternantes de tipo n y los materiales semiconductores de tipo p, como se muestra en la figura 3.3 (a). La estructura vertical es preferible para los transistores de potencia, ya que maximiza el rea de la seccin transversal a travs del cual fluye la corriente en estado. Por lo tanto, la resistencia y el poder estatal muchacha se minimiza. Con el fin de mantener una gran ganancia de corriente "" (y por lo tanto reducir el arrastre de la base actual) el emisor de dopaje densidad se realiza en varios rdenes de magnitud mayor que la regin de base. El espesor de la regin de base tambin se hace tan pequeo como sea posible. Con el fin de bloquear la tensin durante gran estado "OFF" a menos contaminado "regin deriva colector" se introduce entre la regin de base moderadamente dopado y la regin del colector fuertemente dopado. La funcin de esta regin de deriva es similar a la de un diodo de potencia. Sin embargo, la donacin densidad de dopaje de la regin de base que est siendo "moderada" de la regin de agotamiento no penetra considerablemente en la base. Por lo tanto, la anchura de la regin de base en un transistor de potencia no puede ser tan pequeo como el de un transistor de nivel de seal. Esta anchura de la base comparativamente ms grande tiene un efecto adverso sobre la ganancia de corriente () de un transistor de potencia que Versin 2 EE IIT, Kharagpur 9 tpicamente vara dentro de 5-20. Como se discute ms adelante la regin de deriva colector tiene efecto significativo sobre las caractersticas puestas fuera de un BJT de alimentacin. Transistores Prcticas de energa tienen sus emisores y bases intercaladas como dedos estrechos. Esto es necesario para evitar "desplazamiento actual" y el consecuente "break segunda abajo". Adems de la estructura de emisor mltiple tambin reduce la resistencia hmica parasitaria en la ruta de la base actual.

Estas caractersticas de construccin de un BJT de potencia se muestra esquemticamente en la Fig. 3,3 (a). Fig.3.3 (b) muestra la fotografa de algunos transistores de potencia disponibles en la comunidad en diferentes paquetes. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 10 (B) La figura. 3.3: Caractersticas constructivas de un transistor de potencia bipolar de juntura (A) Esquema de la Construccin, (B) Fotografa de paquetes comerciales. Ejercicio 3.4 Llene los espacios en blanco (s) con la palabra adecuada (s) una densidad) El dopaje de emisor de un BJT de alimentacin es varios rdenes de magnitud ______________ que la densidad de dopaje base. b) Regin Collector deriva se introdujo en un BJT de encendido para bloquear la tensin _______________. c) la densidad de dopaje de la regin de base en un BJT de potencia es ________________. d) Potencia BJT tiene ________________ ganancia DC actual en comparacin con la seal de nivel de transistores. e) En un BJT de alimentacin dedo mltiple y estrecha como la estructura de emisor distribuido se utiliza para evitar ___________________ emisor. Respuesta: (a) superior, (b) inversa de alta, (c) moderado, (d) baja, (e) el hacinamiento actual. Ejercicio 3.5 Cules son las caractersticas de fabricacin de un transistor de potencia que afectan la ganancia de corriente continua? La densidad de dopaje grande del emisor aumenta la ganancia de corriente continua. base moderadamente dopado recuperar de anchura relativamente grandes tienden a reducir la ganancia de corriente continua. La anchura de la base en un transistor de potencia no puede ser reducido por debajo de un cierto nivel para evitar "llegar a travs" de la regin de base bajo voltaje grande aplicada. Varias regiones de emisor estrechas distribuidas uniformemente sobre la seccin transversal completa dispositivo tambin tiende a mejorar la ganancia de corriente continua, reduciendo al mnimo "el hacinamiento actual". 3,4 salida iv caractersticas de un transistor de potencia

Una tpica salida (IC vs VCE) caractersticas de un transistor de potencia npn tipo se muestra en la Figura 3.4 Un transistor de potencia exposiciones "Cortar", "activa" y "regiones de saturacin" de la operacin en sus caractersticas de salida similar a un transistor de nivel de seal. En realidad las caractersticas de salida de la Versin 2 EE IIT, Kharagpur 11 Power Transistor en la "Corte" y "activos" regiones son cualitativamente idnticas a un transistor de nivel de seal. Ciertas restricciones cuantitativas, sin embargo, que se analizan a continuacin. Activo disipacin total de energa primaria por rotura lmite de corte de tensin de VSUS VCE0 (IB = 0) VCB0 (iB <0) segundo descanso por Saturacin Saturacin lmite Quasi Hard aumento IB IC CE iB9iB8iB7 iB6iB5iB4iB3iB2iB1iB 0 Fig. 3,4 de salida (IC - VCE) caractersticas de un n p - n tipo de transistor de potencia IB10 En la regin de corte (iB 0), la corriente de colector es casi cero. La tensin mxima entre el colector y el emisor bajo esta condicin se denomina "tensin mxima de bloqueo directo con base terminal abierto (IB = 0)" y se denota por VCEO. Para todo fin prctico, esto es el voltaje mximo que se puede aplicar en la direccin de avance (C positivo con respecto a E) a travs de un transistor de potencia desde un transistor de potencia se espera ver cualquier tensin significativa hacia adelante solamente con Ib = 0. Esta tensin de bloqueo sin embargo se puede aumentar a un valor VCBO manteniendo el terminal de emisor abierto. En este caso iB <o. En realidad VCBO es la tensin de ruptura de la unin base colector. Sin embargo, puesto que la configuracin de la base abierta es ms comn el valor de VCEO es utilizado por los fabricantes como la tensin mxima de un transistor de potencia. Transistores de potencia tienen poca capacidad de soportar tensin inversa debido a la rotura bajo tensin hacia abajo de la unin base-emisor. Por lo tanto, revertir tensin (C negativo con respecto a E) no deberan aparecer a travs de un transistor de potencia. En la regin activa de la relacin de la corriente de colector de corriente de base (ganancia de CC ()) se mantiene bastante constante hasta cierto valor de la corriente de colector despus de lo cual cae rpidamente. Los fabricantes suelen proporcionar una grfica que muestra la variacin de como una funcin de la corriente de colector para temperaturas de unin diferentes y tensiones de colector-emisor. Este grfico es til para el diseo de la unidad de base de un transistor de potencia. Tpicamente, el valor de la ganancia de corriente continua de un transistor de potencia es mucho ms pequea en comparacin con su homlogo nivel de la seal. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 12 La mxima tensin colector-emisor de un transistor de potencia que pueden soportar en la regin activa est determinada por la avalancha colector Base romper tensin. Este voltaje, denotado por VSUS en la figura 3.4, es generalmente ms pequeo que VCEO. Los VSUS tensin pueden ser alcanzados slo para valores relativamente bajos de corriente del colector. A mayor corriente de colector del lmite en el "disipacin de potencia total" define el lmite de la regin activa como ilustra en la Fig. 3,4.

A niveles an ms altos de las corrientes de colector de la regin activa admisible est adems restringido por un modo de falla potencial llamado "el segundo break down". Aparece en las caractersticas de salida del BJT como una cada brusca en la tensin de colector-emisor en las corrientes de colector de gran tamao. La cada de tensin de colector es acompaado a menudo por el aumento significativo de la corriente de colector y un aumento sustancial de la disipacin de potencia. Lo ms importante es esta disipacin no se extienda uniformemente por todo el volumen del dispositivo, pero se concentra en las regiones altamente localizadas. Este calentamiento localizado es un efecto combinado de la uniformidad intrnseca no de la distribucin de densidad de corriente de colector a travs de la seccin transversal del dispositivo y el coeficiente de temperatura negativo de resistivamente de dispositivos portadores minoritarios que conduce a la formacin de "filamements actuales" (reas localizadas de densidad de corriente muy alta) por un positivo feed-back mecanismo. Una vez que los filamentos se forman corrientes localizados "fuera de control trmico" toma rpidamente la temperatura de la unin ms all del lmite de seguridad y el dispositivo se destruye. Es en la regin de saturacin que las caractersticas de salida de un transistor de potencia difiere significativamente de su homlogo de nivel de seal. De hecho, la regin de saturacin de un transistor de potencia se puede subdividir en una regin de saturacin cuasi y una regin de saturacin dura. Apariencia de la regin de saturacin casi en las caractersticas de salida de un transistor de potencia es una consecuencia directa de la introduccin de la regin de deriva en la estructura de un transistor de potencia. En la regin de saturacin casi la unin base-colector est polarizado directamente, pero la regin de deriva ligeramente dopado no es completamente cortocircuitada por inyeccin de portadores minoritarios en exceso de la base. La resistividad de esta regin depende en cierta medida de la corriente de base. Por lo tanto, en la regin de saturacin cuasi, la corriente de base todava conserva cierto control sobre el colector de corriente, aunque el valor de disminuye significativamente. Tambin, puesto que la resistividad de la regin de deriva es todava significativa la cada de tensin total a travs del dispositivo en este modo de operacin es mayor para un colector de corriente dado, comparado con lo que ser en la regin de saturacin duro. En la regin de difcil control de saturacin de base pierde corriente sobre la corriente de colector que est totalmente determinado por la carga de colector y la tensin de polarizacin VCC. Este comportamiento es similar a lo que sucede en un transistor de seal, excepto que la regin de deriva de un transistor de potencia contina ofreciendo una pequea resistencia incluso cuando est completamente en cortocircuito (por inyeccin de portadores en exceso de la base). Por lo tanto, para las corrientes de colector ms grandes, la cada de tensin de colector-emisor es casi proporcional a la corriente del colector. Los fabricantes suelen ofrecer las parcelas de la variacin de VCE (sat) vs iC para diferentes valores de corriente de base y temperatura de la unin. Las curvas muestran la variacin de VCE (sat) con iB para diferentes valores de Ic y temperatura de la unin tambin son proporcionados por algunos fabricantes. Lmites operativos aplicables en un transistores de potencia estn representados de forma compacta en dos diagramas llamado Forward Bias Safe Operating Area (FBSOA) y el rea de polarizacin inversa de funcionamiento seguro. (RBSOA) aplicable a iB> 0 y 0 iB condiciones

respectivamente. Tpicas zonas de operacin segura de los transistores de potencia se muestra en la figura 3,5. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 13 iC ICM Corriente continua 10-2seg 10-3seg 10-4 seg 10-5seg iC VCB0 CE (VBE <0) VCE0 (VBE = 0) ICM Entrar CE VSUS (A) (B) La figura. 3.5: Las zonas de seguridad de funcionamiento de un transistor de potencia. (A) FBSOA; (b) RBSOA. El lmite superior horizontal de la FBSOA est determinada por la corriente de colector mxima admisible (ICM) que no se debe exceder incluso como un pulso. Si se supera este lmite de corriente puede causar cable de unin o metalizacin de la oblea para vaporizar o de lo contrario fallar. Desde un transistor de potencia no tiene ninguna capacidad de voltaje inverso apreciable bloqueo que normalmente no se utilizan en circuitos de corriente alterna. Sin embargo, si la corriente de colector, por alguna razn no es en corriente continua o un pulso, el valor rms de la forma de onda de la corriente de colector no debe exceder este lmite.

La siguiente lmite aplicable en el FBSOA (lneas verdes) corresponde a la restriccin a la disipacin de potencia mxima admisible y la temperatura mxima de la unin. Desde FBSOA se muestra en una escala log-log constantes disipacin de potencia (Pd = iC VCE) Los lmites aparecen como lneas rectas. Este lmite es diferente para CC y funcionamiento por impulsos, debido a la constante de tiempo trmica del dispositivo. El "DC" lmite es aplicable a la prdida de potencia media si el transistor se mantiene continuamente en el estado de conduccin (saturacin activo, o casi saturacin). Por otro lado de los lmites de potencia de impulsos de disipacin son aplicables a la duracin de conduccin hasta el valor marcado en ellos (las cifras a la derecha de la figura 3,5 (a)). Pulsadas lmites de disipacin de potencia se especifican para un valor bajo (1% -2%) del ciclo de trabajo y son tiles para la configuracin de la trayectoria de conmutacin del transistor como se ver ms adelante. El tercer lmite de la FBSOA (lnea roja) surge debido a la "segunda ruptura hacia abajo" modo de fallo de un transistor de potencia. Se muestran las combinaciones limitantes de tensin de colector y la corriente de modo que descanso segunda abajo no se produce. En la escala loglog de la FBSOA este lmite tambin aparece como un lmite recto. Al igual que el lmite de potencia de disipacin mxima, el segundo descanso por lmite tambin es diferente de "DC" y "Pulsed" operacin de diferentes duraciones de pulso. La interpretacin de la duracin del pulso (marcado en el lado derecho de la figura 3,5 (a)) corresponde a un lmite en particular es tambin mismo. El lmite final de la FBSOA corresponde a la avalancha polarizado romper la tensin (VSUS) del transistor y aparecen como una lnea vertical en el FBSOA en VCE = VSuS Versin 2 EE IIT, Kharagpur 14 El FBSOA de un transistor de potencia se da a una temperatura caso especificado. Tanto el lmite mximo de consumo de energa y el segundo descanso abajo lmites son para reducir la potencia segn las caractersticas de derating proporcionados por los fabricantes cuando la temperatura caso supera el valor especificado. En contraste con la FBSOA, la RBSOA (Fig. 3,5 (b)) se traza en una escala lineal y tiene una forma ms rectangular. RBSOA SOA es un cambio desde un transistor no puede conducir la corriente de cualquier duracin apreciable en condiciones polarizacin inversa. En esencia, muestra las combinaciones permisibles de limitacin de VCE e IC con base-emisor inversa unin parcial. El lmite horizontal superior corresponde a la corriente de colector mxima admisible (ICM) y es la misma que en el FBSOA. El lmite del lado vertical derecho corresponde a la avalancha romper la tensin del transistor con polarizacin inversa. Si el terminal de base est abierta (i, e, Ib = 0) entonces esta tensin es VCEO. Si un voltaje negativo se aplica a travs de la unin como el lmite del lado derecho de la RBSOA aumenta algo a la VCBO valor a valor bajo de la corriente de colector. Adems de los lmites aplicables sobre las caractersticas de salida como se representa en la FBSOA y la RBSOA, limitando especificacin con respecto a la unin de base-emisor tambin es proporcionada por el fabricante. Las especificaciones tpicas que se proporcionan son VEBO: Este es el mximo voltaje permitido polarizacin inversa en la unin BE

IB: corriente mxima admisible base promedio a una temperatura caso dado. IBM: base mxima de pico de corriente admisible en un caso determinado temperatura y de la duracin del pulso especificado. Las caractersticas de entrada (IB Vs VBE) a una temperatura caso dado tambin se proporciona. Ejercicio 3.6 Llene los espacios en blanco (s) con la palabra adecuada (s) a) En la "Corte" colector actual regin de un transistor de potencia es _____________. b) En la regin __________________ de un transistor de potencia la ganancia de corriente continua se mantiene bastante constante. c) la regin de saturacin de un transistor de potencia puede ser dividido en _______________ regin y regin ______________________. d) Operacin regin activa de un BJT El poder es limitado sobre todo por la consideracin _______________. e) "La segunda avalancha" en un BJT de energa se produce debido a ________________ de la distribucin de la corriente de colector. Respuesta: (a) despreciable, (b) activos, (c) la saturacin de Quasi, saturacin dura, (d) La disipacin de potencia, (e) no uniformidad. 3,5 caractersticas de conmutacin de un transistor de potencia En un circuito electrnico de potencia del transistor de potencia se emplea generalmente como un interruptor es decir, que funciona tanto en el "cut off" (apagado) o saturacin (interruptor ON) regiones. Sin embargo, la operacin Versin 2 EE IIT, Kharagpur 15 caractersticas de un transistor de potencia difiere significativamente de un conmutador ideal controlado en los siguientes aspectos. Se puede llevar a cabo solamente una cantidad finita de corriente en una direccin cuando "ON" Se puede bloquear solamente una tensin finita en una direccin. Cuenta con una cada de tensin en "ON" condicin Lleva una pequea fuga de corriente durante la condicin OFF La operacin de conmutacin no es instantnea Se necesita una capacidad sin control de cero para la conmutacin

De stas, la naturaleza exacta y la implicacin de los dos primeros se ha discutido en profundidad en la seccin anterior. Los idealidades no tercera y cuarta dan lugar a la prdida de potencia denomina la prdida de potencia de conduccin. En esta seccin, la naturaleza y las implicaciones de las ltimas dos idealidades no sern discutidos en detalle. Ejercicio 3.7 Llene los espacios en blanco (s) con la palabra adecuada (s) a) un conmutador ideal puede conducir la corriente en direcciones ______________. Mientras que un transistor de potencia conduce corriente en direccin _______________. b) En el transistor de potencia no habr prdida de potencia debido al estado el ________________ y _________________ estado OFF. c) A diferencia de un conmutador ideal la conmutacin de un transistor de potencia no es ____________. Respuesta: (a) dos, uno, (b) una cada de tensin, la corriente de fuga; (c) instantneo. 3.5.1 Activar las caractersticas de un transistor de potencia De la descripcin del principio bsico de funcionamiento de un transistor de potencia presentan en las secciones anteriores, es evidente que los portadores minoritarios se debe mover a travs de diferentes regiones de un transistor de potencia con el fin de hacer que cambiar entre No cortar y regiones de saturacin de la operacin. El retardo de tiempo en la operacin de conmutacin de un transistor de potencia es debido al tiempo empleado por los portadores minoritarios para alcanzar niveles apropiados de densidad en diferentes regiones. El nivel exacto de densidades de portadores minoritarios (y anchuras de agotamiento regin) que se requieren para la conmutacin adecuada se determina por la tensin de colector y la corriente de colector de empuje durante la conmutacin, ambos de los cuales son determinados por los circuitos externos. La velocidad a la que estas densidades se alcanzan est determinada por la forma de onda de corriente de base. Por lo tanto, las caractersticas de conmutacin de un transistor de potencia siempre se especifica en relacin con el circuito de carga externo y la forma de onda de corriente de base como se muestra en la Fig. 3,6 que muestra un circuito inductivo sujeta de conmutacin con una unidad de base plana. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 16 VBB VCC iD DIL RB iB Q VCE VBE iC + - (a) Versin 2 EE IIT, Kharagpur 17 Fig. 3.6 Encender caractersticas de un transistor de potencia, (a) la conmutacin de circuitos, (b) Cambio de formas de onda VCE (sat) IL VCC ILVCE (sat) VCC Pe VCE IL IL ic id iB BBBE (sat) BV-VRVBE sb VBB VBE 0 ttttt (b) td tri tfv1 tfv2 Las formas de onda de conmutacin mostrados en la Fig. 3,6 (b) son el ampliada y en cierta medida "idealizada" versin de las formas de onda real que se observa en un sujeto circuito

inductivo de conmutacin como se muestra en la Fig.3.6 (a). Algunas hiptesis de simplificacin se han hecho para sacar estas formas de onda. Estos son Versin 2 EE IIT, Kharagpur 18 El inductor de carga se ha supuesto que ser lo suficientemente grande para que la corriente de carga no cambia durante Encienda perodo. Las caractersticas de recuperacin inversa de D ha sido ignorada. Todos los elementos parsitos han sido ignoradas. Antes de t = 0, el transistor (Q) se encontraba en el estado "OFF". A fin de utilizar la rotura mayor tensin hacia abajo (VCBO) de la unin base-emisor de un transistor de potencia es generalmente una polarizacin inversa durante el estado OFF. En esta condicin slo los flujos de fugas insignificantes corriente a travs del transistor. Prdida de potencia debida a esta corriente de fuga es despreciable en comparacin con otros componentes de la prdida de potencia en un transistor. Por lo tanto, no se muestra en la figura 3.6 (b). Los flujos de carga, toda la corriente a travs del diodo y VCE se sujeta a VCC (aproximadamente). Para activar el transistor en el instante t = 0, la tensin de polarizacin de base VBB cambios en un valor positivo adecuado. Esto inicia el proceso de redistribucin de la carga en la unin base-emisor. El proceso es similar a la carga de un condensador. En efecto, la unin sesgada inversa de base-emisor es a menudo representada por un condensador dependiente de la tensin, el valor del cual est dada por el fabricante como una funcin de la tensin inversa de base-emisor sesgo. La corriente de base en aumento que fluye durante este perodo puede ser pensado como este condensador de la corriente de carga. Finalmente, en t = td la unin BE se polariza. La tensin de la unin y la corriente de base se establece en sus valores de estado estacionario. Durante este perodo, llamado el "tiempo de subida demora" no circula corriente de colector apreciables. Los valores de VCE iO y permanece esencialmente en sus niveles de estado OFF. Al final del tiempo de retardo (td ON) la densidad de portadores minoritarios en la regin de base se aproxima rpidamente su distribucin en estado estacionario y el colector de corriente comienza a elevarse, mientras que la corriente del diodo (id) empieza a caer. En t = tdON + tri la corriente del colector es igual a la corriente de carga IL (ID y se convierte en cero). En este punto comienza D bloqueando tensin inversa y VCE se suelta. tri es llamado el tiempo de subida de corriente del transistor. Al final del tiempo de subida de corriente del diodo D recupera la capacidad de bloqueo inverso. El VCE tensin de colector que hasta ahora ha sido sujetado a VCC debido a la realizacin de diodo "D" comienza a caer hacia su tensin de saturacin VCE (SAT). La cada inicial de VCE es rpida. Durante este perodo. Conmutacin atraviesa la trayectoria a travs de la regin activa de las caractersticas de salida del transistor Al final de este rpido descenso (tfv1) el transistor entra en "cuasi regin de saturacin". La cada de VCE en la regin de saturacin cuasi es considerablemente ms lento. Al final de esta cada lenta (tfv2) el transistor entra en "saturacin dura" regin y la tensin de colector se instala a la saturacin de nivel de

voltaje VCE (SAT) que corresponde a la corriente de carga IL. Encienda el proceso termina aqu. El giro total a tiempo es as, TSW (ON) = td (ON) + tri + + tfv1 tfv2. La prdida de potencia se produce en todo momento durante el funcionamiento de un transistor de potencia. Sin embargo, la corriente de fuga de colector es generalmente despreciable y prdida de potencia debida sta se puede mover descuidado en comparacin con la prdida de potencia durante la condicin. Prdida de potencia se produce durante el encendido de un transistor de potencia debido a la existencia simultnea de no-cero VCE e IC durante tri, tfv1 y tfv2. La energa perdida durante estos perodos se llama el giro en la prdida y el dado por el rea bajo la curva de la figura Pl 3.6 (b). El giro en la prdida promedio se obtiene dividiendo esta rea (tri + + tfv1 tfv2). Para Turn seguro en esta prdida de potencia media debe ser menor que el lmite establecido en el mximo Versin 2 EE IIT, Kharagpur 19 disipacin de potencia en el FBSOA correspondiente a una anchura de impulso superior a tri + + tfv1 tfv2. Restriccin similar con respecto a la segunda ruptura hacia abajo tambin deben ser observados. Tiempo de encendido se puede reducir mediante el aumento de la corriente de base. Base actual por grande que aumenta la cantidad de portadores en exceso en la regin de deriva base y el colector que tiene que ser eliminado durante Apagar. Como se ver ms adelante esto aumenta el tiempo de apagado. El giro en el tiempo de retardo sin embargo se puede reducir al aumentar la corriente de base al inicio de la vuelta en proceso. Esto se puede conseguir mediante la conexin de una pequea capacitancia a travs de RB. Esto aumenta la velocidad de aumento de VBE & IB. Por lo tanto, encienda disminuye el tiempo de retardo. Sin embargo, en el estado de equilibrio iB resolver bajas para un valor determinado por RB & VBB y ningn efecto adverso en el tiempo de apagado se observa. En la figura 3.6 (b) la recuperacin de la corriente inversa de D se ha descuidado. Si esta corriente no es insignificante despus de Turn seguridad ON operacin la suma de la corriente de carga y la recuperacin inversa del diodo de corriente debe ser menor que la clasificacin de la ICM transistor. Rotura de puente trmico y segundo establecen lmites tambin deben ser observados. Cabe sealar que hay alguna prdida de potencia en la unin BE tambin. Esta prdida de potencia depende de la ganancia de corriente del transistor durante la saturacin duro. Dado que la ganancia de corriente reduce durante la saturacin (normalmente entre 5-10) esta prdida de potencia puede llegar a ser significativa. Los fabricantes suelen proporcionar los valores de td (ON), tri, tfv como funciones del IC para una base determinada temperatura actual y la caja. Ejercicio 3.8 Llene los espacios en blanco (s) con la palabra adecuada (s) a) Para una conmutacin ms rpida de los portadores _______________ BJT se barri rpidamente de la regin ________________.

b) La inversa unin sesgada de base-emisor se puede representar como un __________________ ______________ dependiente. c) En la regin casi saturacin colector-emisor de tensin cae a una tasa ______________. d) Encienda el retraso puede ser reducido __________________ la tasa de aumento de la corriente de base. Respuesta: (a) las minoras, base, (b) la tensin, el condensador, (c) lento, (d) el aumento. 3.5.2 Desactivar caractersticas de un transistor de potencia Durante apagar un transistor de potencia hace que la transicin de saturacin para cortar regin de operacin. As como en el caso de enciende, una redistribucin sustancial de los portadores de carga minoritarios estn involucrados en la vuelta apagado proceso. Formas de onda idealizadas de varias variables importantes en el sujeto circuito inductivo conmutacin de la fig. 3,6 (a) durante la vuelta apagado proceso de Q se muestra en la Fig. 3,7 (a) Versin 2 EE IIT, Kharagpur 20 VBE (sat) VBB VBB VBE IB IC t IL IL VCC tt tt Identificacin VCE Pe ts VCE (Sat) TRV1 TRV2 tfi (a) Versin 2 EE IIT, Kharagpur 21 Invierta actual recuperacin de la tensin de recuperacin de DForward D Fig. 3.7: Desactivar, las caractersticas de un BJT. (A) las formas de onda de conmutacin (b) Cambio de trayectoria El "apagar" el proceso comienza con la tensin de excitacin de base va a un valor negativoVBB. La tensin de base-emisor sin embargo no cambia de su valor de polarizacin directa de VBE (sat) inmediatamente, debido a los portadores minoritarios en exceso, almacenadas en la regin de base. Una corriente de base negativa comienza a eliminar este exceso de portador a una velocidad determinada por la tensin de base de accionamiento negativo y la resistencia de la base de accionamiento. Despus de un tiempo "ts" llamado el tiempo de almacenamiento del transistor, la carga restante almacenada en la base se hace insuficiente para soportar el transistor en la regin de saturacin duro. En este punto, el transistor entra en la regin de saturacin cuasi y la tensin de colector comienza a elevarse con una pequea pendiente. Despus de un intervalo de tiempo ms "TRV1" el transistor completa atraviesa a travs de la regin de saturacin cuasi y entra en la regin activa. La carga almacenada en la regin de base en este momento es insuficiente para soportar toda la corriente de base negativa. VBE comienza a caer hacia adelante-VBB y la corriente de base negativa empieza a reducir. En la regin activa, VCE aumenta rpidamente hacia VCC y al final del intervalo de tiempo "TRV2" excede a encender D. VCE permanece sujeta en VCC, a partir de entonces por el diodo de la realizacin de D. Al final de la carga de base TRV2 almacenado ya no puede soportar la corriente de carga completa a travs del colector y la corriente de colector comienza a caer. Al final de la corriente de cada tiempo tfi el colector de corriente se hace cero y las ruedas libres de carga de corriente a travs del diodo D. Apague proceso del transistor termina en este punto. El giro total fuera de tiempo est dada por T (OFF) = ts + + TRV1 TRV2 + tfi

Al igual que en el caso de "activar" la prdida de potencia considerable tiene lugar durante apagar debido a la existencia simultnea de IC y VCE en los intervalos TRV1, TRV2 y tfi. La ltima huella de la figura 3,7 (a) muestra el perfil de la prdida de potencia instantnea durante estos intervalos. La energa total pasado por desactivar la operacin est dada por el rea bajo esta curva. Por su vez seguro fuera de la disipacin de potencia media durante TRV1 + + TRV2 tfi debe ser menor que el lmite de disipacin de potencia establecido por el FBSOA correspondiente a una anchura de impulso superior a TRV1 + + TRV2 tfi. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 22 Apague intervalos de tiempo de un transistor de potencia estn fuertemente influenciadas por las condiciones de funcionamiento y el diseo de la base de accionamiento. Los fabricantes suelen especificar estos valores como funciones de colector de corriente para la corriente de base dado positivo y negativo y temperaturas de la carcasa. Las variaciones de estos intervalos de tiempo como funcin de la relacin de positivo a corrientes de base negativas para diferentes corrientes de colector tambin se especifican. En esta seccin y la preciosa una conmutacin de cargas inductivas se han considerado. Sin embargo, si la carga es resistiva. El diodo de rueda libre D no ser utilizado. En este caso, el voltaje de colector (VCE) y la corriente de colector (IC) va a caer y levantarse, respectivamente juntos durante encender y suben y bajan respectivamente juntos durante apagar. Otras caractersticas del proceso de conmutacin permanecer mismo. La prdida de conmutacin de potencia en este caso tambin ser sustancialmente menor. Ejercicio 3.9 Llene los espacios en blanco (s) con la palabra adecuada (s) a) Apague proceso en un BJT est asociado con la transicin de la regin a la regin _______________ ______________. b) la corriente _______________ negativa es necesaria para eliminar el exceso de portadores de carga de la regin de ______________ de un BJT durante Apague proceso. c) VCE aumenta rpidamente en la regin ________________. Respuesta: (a) Saturacin de corte, (b) la base, base, (c) activos. 3.5.3 Conmutacin de Trayectoria y prdidas de conmutacin de un transistor de potencia Se ha mencionado en las secciones anteriores que la prdida de energa tiene lugar en un transistor de potencia durante cada operacin de conmutacin. Prdida de potencia instantnea durante la conmutacin se puede calcular y se representa como se muestra en la Fig. 3,6 (b) y 3,7 (a). Las reas bajo las curvas indican la prdida de energa durante cada operacin de conmutacin (encender y apagar). Indicando estas reas como EON y EOFF durante Encienda y apague las operaciones respectivamente se puede escribir. () () () () = VI ONCCLriCCCEf1Lfv1CEf1Lfv2CEsat1E t + V + V + Vit Vit + 3,52 Cuando VCEf1 es el valor de VCE al final del intervalo de tfv1

Del mismo modo () () () = OFFCECEr1Lrv1CEr1CCLrv2CCLfi1E Vsat + VIT + V + Vit Vit + 3,62 Si la frecuencia de conmutacin del transistor es FSW, entonces la prdida de conmutacin de potencia media est dada por () () = E + SWONOFFSWP Ef 3,7 Versin 2 EE IIT, Kharagpur 23 Por otra parte la prdida de energa de conduccin est dada por el rea rayada en la figura negro 3,6 (b) y 3,7 (a). A partir de estas cifras la prdida de potencia est dada por conduccin () () () () = CCELONdrifv1fv2sSWP VsatIT-Ton-tt-t + t f 3,8 Donde TON es el perodo durante el cual el voltaje de excitacin de base siguen siendo positivas. Por lo general, ts-TSW (ON) << TON, tanto () () () = CCELON SWCELP VsatI Tf = 3,9 VsatID Donde D es el cambio debidamente ciclo. Para un dado y VCC IL y diseo de la unidad base, EON y EOFF son constantes. Por lo tanto, la prdida de potencia de conmutacin es proporcional a la frecuencia de conmutacin. Al ser un dispositivo portador minoritario un BJT tiene comparativamente mayores tiempos de conmutacin (en comparacin con algunos otros dispositivos ampliamente categorizados como transistores) y la prdida por lo tanto, mayor potencia de conmutacin para una frecuencia dada. Por otro lado un BJT tiene el ms bajo en VCE cada de tensin de estado (sat) entre todos los interruptores controlados completamente. Por lo tanto, un BJT es adecuado para la conmutacin de corriente grande en la frecuencia de conmutacin moderada (alrededor de unos pocos kHz). En BJT basados en circuitos de alta frecuencia tienden a ser ineficientes debido a una mayor prdida de alimentacin conmutada. Incluso sin ninguna restriccin a la prdida de poder cambiar la frecuencia mxima de conmutacin de un BJT est limitado por su Encienda y apague veces. El valor de la frecuencia de conmutacin mxima viene dada por () () () () = SWSWSW1FMax 3.10TON + TOFF Para una corriente de colector dada y diseo de la unidad base. Para la operacin de conmutacin seguro, sin embargo, no es suficiente para restringir simplemente la prdida de potencia de conmutacin. Ser necesario restringir la trayectoria de conmutacin (una trama instantnea de IC vs VCE durante la conmutacin con el tiempo como un parmetro) dentro de la regin FBSOA / RBSOA correspondiente a una anchura de impulso superior a TSW (ON) o TSW (OFF). Fig. 3,7 (b) muestra estas trayectorias de conmutacin superpuestos sobre la FBSOA / RBSOA. En este diagrama la lnea verde corresponde a la curva de la trayectoria, mientras que la lnea azul corresponde a la opcin Desactivar trayectoria. Estas trayectorias son rectangulares en la naturaleza. Puntuacin claramente lleno de tensin

(VCEO) o corriente (ICM) del transistor no puede ser utilizada en tal trayectoria. La situacin se agrava a. Cuando el voltaje de recuperacin inversa de recuperacin actual y hacia delante de D se considera Conmutacin de circuitos de ayuda o "amortiguadores" (como se les conoce popularmente) se utilizan para mejorar el rendimiento de conmutacin de un transistor de potencia. Sirven dos finalidad especfica. Forma de la trayectoria de conmutacin de tal manera que el voltaje y la corriente de un transistor puede ser utilizado plenamente. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 24 Reducir la prdida de potencia de conmutacin en el interior del dispositivo. La figura. 3,8 muestra un circuito de proteccin tpica para un transistor de potencia y las trayectorias de conmutacin correspondientes. VBB IL RB iB + iC Q VCE - (a) VCC D + CS RS DS LS Versin 2 EE IIT, Kharagpur 25 Fig. 3,8 (a) muestra el mismo circuito inductivo sujeta conmutacin de la fig 3,6 (a) pero con los elementos amortiguadores. El LS inductor conectado entre la carga y el colector es el giro en snubber. En desacopla el colector de la tensin de alimentacin durante enciende. Por lo tanto, como la unin se convierte en VBE VCE polarizado empieza a caer. Al mismo tiempo ic tambin comienza a elevarse hacia IL. La trayectoria de conmutacin resultante se muestra por la lnea continua en la figura verde 3,8 (b). Esto debe compararse con el giro en la trayectoria unsnubbed (roto lnea verde). En el caso unsnubbed, se eleva la corriente de colector hasta el valor mximo antes de VCE empieza a caer de VCC. VCC, por lo tanto, debe ser necesariamente menor que VCE (SUS). En el amortiguador VCE trayectoria asistida disminuye sustancialmente antes ic se eleva a un valor apreciable. Por lo tanto, VCC se puede hacer ms grande que VCE (SAT) y puede ser elegido ms cerca de VCEO.

Llene los espacios en blanco (s) con la palabra adecuada (s)

(B)

Referencias

Resumen de la leccin

1.

2.

3.

4. Tambin

5.

6. 7.

1.

2.

3.

4.

5.

6.

7. Mdulo 1 Semiconductores de potencia Versin 2 EE IIT, Kharagpur 1 Leccin 4 Tiristores y triacs Versin 2 EE IIT, Kharagpur 2 Objetos didcticos Al terminar el alumno ser capaz de Explicar el principio de funcionamiento de un tiristor en trminos de la "analoga transistor dos". Dibujar y explicar las caractersticas iv de un tiristor.

 Dibujar y explicar las caractersticas de puerta de un tiristor. Interpretar calificacin Hoja de datos de un tiristor. Dibujar y explicar las caractersticas de conmutacin de un tiristor. Explicar el principio de funcionamiento de un triac. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 3 4.1 Introduccin Aunque el diodo semiconductor grande era un precursor a tiristores, el rea de la electrnica moderna comenz realmente con la llegada de los tiristores. Uno de los primeros desarrollos fue la publicacin del concepto interruptor PNPN transistor en 1956 por JL Moll y otros en los Laboratorios Bell, probablemente para uso en aplicaciones de seal de Bell. Sin embargo, los ingenieros de General Electric rpidamente reconoci su importancia para conversin de potencia y control y en los nueve meses anunci el primer comercial de Silicon Controlled Rectifier en 1957. Esta tena una capacidad de conduccin de corriente continua de 25A y una tensin de bloqueo de 300V. Tiristores (tambin conocido como el rectificadores de silicio controlado o SCR) han recorrido un largo camino desde este comienzo modesto y luz de encendido de alta ahora dispara tiristores con el bloqueo de voltaje en exceso de corriente nominal 6kv y continuo superior a 4KA estn disponibles. Ellos han reinado supremo desde hace dos dcadas enteras en la historia de la electrnica de potencia. En el camino de un gran nmero de otros dispositivos con gran similitud con el tiristor bsico (inventado originalmente como un dispositivo de tipo de fase de control) han sido desarrollados. Incluyen, tiristor del inversor de grado rpido, Silicon Controlled Switch (SCS), luz activado SCR (LASCR), tiristor asimtrico (ASCR) Tiristor de conduccin inversa (RCT), Diac, Triac y la Puerta de apagar tiristor (GTO). Desde el punto de construccin y operativos de vista un tiristor es una capa de cuatro, tres terminales, portador minoritario semi-controlado dispositivo. Se puede activar por una seal de corriente, pero no se puede desactivar sin interrumpir la corriente principal. Se puede bloquear la tensin en ambas direcciones, pero puede conducir la corriente slo en una direccin. Durante la conduccin que ofrece cada de tensin muy baja debido a una interna latch-up mecanismo. Tiristores han ya tiempos de conmutacin (medidos en decenas de ms) en comparacin con un BJT. Esto, junto con el hecho de que un tiristor no se puede desactivar mediante una entrada de control, han eliminado tiristores de alta frecuencia de conmutacin en aplicaciones que implican una entrada de CC (es decir, choppers, inversores). Sin embargo, en la frecuencia de alimentacin de corriente alterna aplicaciones donde la corriente pasa por cero, naturalmente, tiristor siguen siendo populares debido a su prdida por conduccin bajo su capacidad de voltaje de bloqueo inverso y el requisito de control de potencia muy bajo. De hecho, en una potencia muy alta (por encima de 50 MW) AC - DC (convertidores de fase controlada) o AC - AC (ciclo-convertidores) convertidores, tiristores siguen siendo el dispositivo de eleccin. 4.2 Caractersticas constructivas de un tiristor

La figura 4.1 muestra el smbolo esquemtico, construccin esquemtica y la fotografa de un tiristor tpico. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 4 A G K (a) (c) Ap n-p n + n KG + (b) la fig. 4.1: Caractersticas constructivas de un thysistor (a) Circuito Symbol, (b) La construccin esquemtica, (c) Fotografa Como se muestra en la figura 4.1 (b) el cristal primario es ligeramente dopado de tipo n a cada lado de la cual dos capas de tipo p con altos niveles de dopaje en dos rdenes de magnitud se cultivan. Como en el caso de los diodos de potencia y la capa de transistores agotamiento se extiende principalmente en la ligeramente dopado n-regin. El espesor de esta capa est determinado por la tensin necesaria de bloqueo del dispositivo. Sin embargo, debido a la modulacin de conductividad por los portadores de las regiones p fuertemente dopadas en ambos lados durante la condicin del "estado ON" cada de tensin es menor. Los exteriores n + capas se forman con los niveles ms altos de dopaje entonces ambos las capas de tipo p. Los primeros acls p capa como "nodo" terminal mientras que el fondo capas n + acta como el "ctodo". La "puerta" conexiones de los terminales se hacen a la capa p inferior. Como se muestra ms adelante, que para un mejor rendimiento de conmutacin que se requiere para maximizar el rea de contacto perifrico de la puerta y las regiones de ctodo. Por lo tanto, las regiones ctodo estn finamente distribuida entre los contactos de puerta de la capa de tipo p. Un "Involute" estructura, tanto para la puerta y las regiones de ctodo es una estructura de diseo preferido. 4.3 Principio de funcionamiento bsico de un tiristor El principio de funcionamiento subyacente de un tiristor se entiende mejor en trminos de la "analoga transistor dos" tal como se explica a continuacin. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 5 Ap n-p n + n KG + (a) Kp pp nn-GAJ1 J2 J3 J2 J3 (b) n + fig. 4,2: Dos analoga transistor de una construccin de tiristor. (A) Esquema de Construccin, (b) la divisin esquemtica en el transistor componente (c) Circuito equivalente en trminos de dos transistores. A (2) Q2 (c) G K Q1 (1) IK IG IA IC1 IC2 a) Esquema de la construccin, b) Esquema divisin en transistor componente c) Circuito equivalente en trminos de dos transistores. Vamos a considerar el comportamiento de este dispositivo con pnpn adelante voltaje aplicado, es decir nodo positivo con respecto al ctodo y el terminal de puerta abierta. Con esta polaridad de la tensin J1 y J3 se polariza mientras J2 polarizada inversamente. Bajo esta condicin. () () 11Aco122Kco2ic = I + I 4.1ic = I + I 4.2

Donde 1 y 2 son las ganancias actuales de Q1 y Q2 respectivamente, mientras que Ico1 y ICO2 son corrientes inversas de saturacin de las uniones CB de Q1 y Q2 respectivamente. Ahora en la figura 4.2 (c). () () (C1c2AAKG i + i = 4,3 I & I = I 4,4 I = 0 Combinando la ecuacin 4.1 y 4.4 () () () == Co1co2coA1212I + III + +1- 4.51- Version 2 EE IIT, Kharagpur 6 Dnde est la fuga inversa total actual de Jcoco1co2II + I 2 Ahora bien, mientras VAK es pequeo Ico es muy baja y ambos 1 y 2 son mucho menores que la unidad. Por lo tanto, el total de corriente andica IA es slo ligeramente mayor que Ico. Sin embargo, como VAK se incrementa hasta el alud romper la tensin de J2, Ico comienza a aumentar rpidamente debido a la avalancha proceso de multiplicacin. Como Ico aumenta incremento tanto 1 y 2 y 1 + 2 unidad enfoques. Bajo esta condicin actual nodo grande empieza a fluir, limitada slo por la resistencia de carga externa. Sin embargo, la cada de tensin en la resistencia externa provoca un colapso de voltaje a travs del tiristor. Las uniones CB de ambos Q1 y Q2 se vuelven polarizado directamente y la cada de tensin total a travs del dispositivo se establece a aproximadamente equivalente a una cada de diodo. El tiristor se dice que est en "ON" del Estado. Justo despus de encender Ia si es ms grande que una corriente especfica denominada IL Latching Corriente, 1 y 2 permanecer lo suficientemente alto como para mantener el tiristor en estado ON. La nica manera de que el tiristor apagado, es logrando IA por debajo de una determinada corriente llamada corriente de mantenimiento (IH), donde 1 y 2 sobre empieza a reducir. El tiristor puede recuperar la capacidad de bloqueo directo una vez que el exceso de carga almacenada en J2 se elimina por la aplicacin de una tensin inversa a travs de A & K (es decir, K positivo con respecto A). Es posible activar un tiristor mediante la aplicacin de una puerta de corriente positiva (que fluye desde la puerta al ctodo) sin aumentar la tensin directa a travs del dispositivo hasta el forward-over nivel. Con una ecuacin de la corriente de puerta positivo 4,4 se puede escribir como () KAGI = I + I 4,6 Combinando con las ecs. 4,1 a 4,3 () () 2GcoA12I + II = 4,71 + Obviamente, con lo suficientemente grande IG el tiristor se puede activar para cualquier valor de Ico (y por lo tanto VAK). Esto se llama a su vez puerta asistida sobre de un tiristor. Este es el mtodo usual por el que se activa un tiristor ON. Cuando una tensin inversa se aplica a travs de un tiristor (es decir, ctodo positivo con respecto a anose.) Uniones J1 y J3 se polarizan inversamente mientras J2 est polarizada. De estos, la unin J3 tiene un reverso muy baja tensin de romper ya que tanto el + n y p regiones a ambos lados de esta unin son fuertemente dopada. Por lo tanto, la tensin inversa aplicada

est casi enteramente soportado por la unin J1. El valor mximo de la tensin inversa est restringido por a) La intensidad de campo mxima en la unin J1 (avalancha romper) b) un punzn a travs de la ligeramente dopada n-capa. Puesto que las capas p en cada lado de la regin n tienen niveles de dopaje casi iguales de la avalancha romper voltaje de J1 y J2 son casi iguales. Por lo tanto, el avance y retroceso de la pausa por la tensin de un tiristor son casi equal.Up a la descomposicin de voltaje de la corriente inversa J1 del tiristor permanece prcticamente constante y aumenta considerablemente despus de esta tensin. As, las caractersticas inversas de un tiristor es similar a la de un solo diodo. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 7 Si una corriente de compuerta positiva se aplica durante la condicin de polarizacin inversa, la unin J3 se convierte en polarizacin directa. De hecho, los transistores Q1 y Q2 trabajan ahora en la direccin opuesta con los papeles de sus respectivos emisores y colectores intercambiados. Sin embargo, la inversa 1 y 2 ser significativamente menor que sus contrapartes de enganche delantero del tiristor no se produce. Sin embargo, invertir la corriente de fuga del tiristor aumenta considerablemente el aumento de la prdida de estado de alimentacin en OFF del dispositivo. Si una tensin directa de repente se aplica a travs de un tiristor polarizacin inversa, habr considerable redistribucin de cargas a travs de las tres uniones. La corriente resultante puede llegar a ser lo suficientemente grande como para satisfacer la condicin 1 + 2 = 1 y por lo tanto activar el tiristor. Esto se llama a su vez en dvdt de un tiristor y debe ser evitado. Ejercicio 4.1 1) Llene el espacio en blanco (s) con la palabra correspondiente (s) i. Un tiristor es un dispositivo controlado portador ________________ semi. ii. Un tiristor se puede conducir la corriente en direccin ________________ y el voltaje de bloque en direccin ________________. iii. Un tiristor se puede activar mediante la aplicacin de una tensin directa mayor que la tensin directa ________________ o mediante la inyeccin de un pulso de corriente positiva ________________ bajo condiciones de polarizacin directa. iv. Para apagar un tiristor la corriente del nodo debe ser llevado adelante ________________ corriente y una tensin inversa debe ser aplicado por un tiempo mayor que el tiempo de ________________ del dispositivo. v Un tiristor puede activar debido a ________________ delantero grande. Respuestas: (i) las minoras, (ii) uno, dos, (iii) romper por encima, puerta, (iv) de la posesin, apague;

(V) dvdt 2. Espera un tiristor para encender si un impulso de puerta positiva se aplica bajo condiciones de polarizacin inversa (i. e ctodo positivo con respecto al nodo)? Respuesta: La analoga transistor dos de tiristor se muestra en la Fig. 4,2 (c) indica que, cuando una tensin inversa se aplica a travs del dispositivo de las funciones de los emisores y los colectores de los transistores de constituyentes se invertir. Con un impulso de puerta positivo aplicado, puede parecer que el dispositivo debe encenderse como en la direccin de avance. Sin embargo, los transistores de constituyentes tienen ganancia de corriente muy baja en la direccin inversa. Por lo tanto no tiene valor razonable de la corriente de puerta va a satisfacer la vuelta en la condicin (ie1 + 2 = 1). De ah que el dispositivo no se encender. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 8 4.4 Caractersticas de estado estacionario de un tiristor 4.4.1 estticos de salida iv caractersticas de un tiristor VAK ig IA A + K - Fig. 4.3: Las caractersticas estticas de salida de un tiristor VBRF VBRF VBRR Ig IA IG4> IG3> ig2> IG1> ig = 0 IG4> IG3> ig2> IG1> ig = 0 es VAK IG1 IG2 IG3 IG4 IH IL VH El smbolo de circuito en el lado izquierdo del recuadro define las convenciones de polaridad de las variables utilizadas en esta figura. Con ig = 0, VAK tiene que aumentar hasta romper hacia delante sobre VBRF voltaje antes de corriente del nodo importante empieza a fluir. Sin embargo, en VBRF forward tiene lugar la recogida y el voltaje a travs del tiristor cae a VH (Tensin de mantenimiento). Ms all de este punto de tensin a travs del tiristor (VAK) permanece casi constante en VH (1-1.5v), mientras que la corriente del nodo se determina por la carga externa. La magnitud de la corriente de puerta tiene un efecto muy fuerte sobre el valor de la tensin de rotura superior como se muestra en la figura. La figura de la derecha en el recuadro muestra una grfica tpica de la pausa hacia delante sobre voltaje (VBRF) como una funcin de la corriente de puerta (Ig) Despus de "activar" el tiristor no es ms afectado por la corriente de puerta. Por lo tanto, cualquier impulso de corriente (de magnitud requerido), que es ms largo que el mnimo necesario para "encender" es suficiente para controlar el efecto. La anchura de impulso de puerta mnimo es decidido por el circuito externo y debe ser suficientemente largo para permitir que la corriente de nodo a elevarse por encima de la retencin de corriente (IL) de nivel. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 9 El lado izquierdo de la figura muestra los 4,3 ida y caractersticas iv del tiristor. Una vez que el tiristor est activada la nica forma de apagarlo es por lo que el tiristor corriente por debajo corriente de mantenimiento (IH). El terminal de puerta no tiene control sobre el proceso de desconexin. En circuitos de corriente alterna con carga resistiva esto sucede

automticamente durante cruce por cero negativo de la tensin de alimentacin. Esto se denomina "conmutacin natural" o "conmutacin de lnea". Sin embargo, en algunos circuitos de corriente continua disposicin tiene que ser hecho para asegurar esta condicin. Este proceso se denomina "conmutacin forzada". Durante el bloqueo inverso si ig = 0, entonces slo corriente de saturacin inversa (es) fluye hasta que la tensin inversa alcanza inversa romper la tensin (VBRR). En este punto comienza actuales aumentando drsticamente. Gran tensin inversa y la corriente genera calor excesivo y destruye el dispositivo. Si ig> 0 durante la condicin de polarizacin inversa que aumenta la corriente de saturacin inversa, como se explica en la seccin anterior. Esto puede evitarse mediante la eliminacin de la corriente de puerta, mientras que el tiristor est polarizado inversamente. Las caractersticas de salida esttica IV de un tiristor depende fuertemente de la temperatura de la unin como se muestra en la figura 4,4. 25 75 125 150 Tj Tj = IA VBRF VAK 150 135 25 75 125 125 Tj = 75 25 135 150 Fig. 4,4: Efecto de la temperatura de la unin (Tj) en la salida de i - v caractersticas de un tiristor. 4.4.2 Caractersticas Tiristores Puerta El circuito de la puerta de un tiristor se comporta como un diodo de baja calidad con alto cada en estado de tensin y ruptura inversa inicial bajo voltaje. Esta caracterstica por lo general no es nica, incluso dentro de la misma familia de dispositivos y muestra una considerable variacin de dispositivo a dispositivo. Por lo tanto, la hoja de datos del fabricante proporciona el lmite superior e inferior de esta caracterstica, como se muestra en la figura 4,5. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 10 Cargar lineVng Vg min Vg Vg max E hgbfedc Ig Ig max min Ig S2 S1 Pgav Max Fig. 4.5: caractersticas puerta de un tiristor. Pgm EKARg ig Vg Cada tiristor tiene un lmite mximo voltaje de la puerta (Vgmx), lmite de corriente de compuerta (Igmax) y la puerta de lmite de potencia media mxima disipacin () gavMaxP. Estos lmites no debe superarse con el fin de evitar daos permanentes a la unin ctodo puerta. Tambin existen lmites mnimos de Vg (Vgmin) y Ig (Igmin) para a su vez fiable sobre el tiristor. Una puerta sin tensin de disparo (GNV) tambin se especifica por los fabricantes de tiristores. Todas las seales de ruido espurio debe ser inferior a este Vng tensin con el fin de evitar que a su vez no deseada sobre del tiristor. El rea de la puerta de accionamiento til de un tiristor es entonces BCDEFG h. Haciendo referencia al circuito de excitacin de puerta en el inserto de la ecuacin de la lnea de carga est dada por Vg = E - Rgig Una lnea de carga tpica se muestra en la Fig. 4,5 por los S1 S2 lnea.

El punto de funcionamiento real ser en algn lugar entre S1 y S2 en funcin del dispositivo particular. Para una utilizacin ptima de las calificaciones de compuerta de la lnea de carga debe ser desplazada hacia adelante de la curva gavMaxP sin violar clasificaciones de gMaxV o IgMax. Por lo tanto, para una fuente de corriente continua e CF representa la lnea de carga ptima de la que los valores ptimos de E & Rg puede ser determinada. Sin embargo, es habitual para activar un tiristor utilizando voltaje pulsado y actual. Mximo curvas de disipacin de energa para la operacin pulsada (PGM) permite una mayor corriente de puerta para fluir que a su vez reduce el tiempo de subida del tiristor. El valor de Pgm depende de la anchura del impulso (TON) del impulso de corriente de puerta. TON debe ser mayor que el tiempo de subida del tiristor. Para mayor TON Versin 2 EE IIT, Kharagpur 11 de 100 ms, la curva media de disipacin de energa se debe utilizar. Para TON menos de 100 ms de la siguiente relacin debe ser mantenida. () gmgavMaxONpp PP 4.9Where = T f, f = frecuencia del pulso. La magnitud de la tensin de puerta y corriente requerida para activar un tiristor es inversamente proporcional a la temperatura de la unin. La unin ctodo puerta tambin tiene un inverso mximo (es decir, la puerta negativo con respecto al ctodo) especificacin de voltaje. Si hay una posibilidad de que el voltaje de la puerta ctodo inversa que supere este lmite a la proteccin de tensin inversa usando diodo como se muestra en la figura 4,6 se debe utilizar. La figura. 4.6: Puerta Ctodo tensin inversa circuito de proteccin. E Rg G K A (a) E K A (b) Ejercicio 4.2 1) Llene el espacio en blanco (s) con la palabra correspondiente (s) i. Adelante romper las sobretensiones de un tiristor disminuye con el aumento de la corriente ________________. ii. Tensin inversa ________________ de un tiristor es ________________ de la corriente de puerta. iii. Invierta saturacin actual de un ________________ tiristor con compuerta actual. iv. En la corriente de puerta pulsada la activacin de un tiristor de la anchura de impulso de puerta actual debe ser mayor que el tiempo de ________________ del dispositivo. v Para evitar que a su vez no deseado en un tiristor de todas las seales de ruido espurias entre la puerta y el ctodo debe ser menor que la tensin de ________________ puerta. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 12

Respuesta: (i) la puerta, (ii) se descomponen, independiente, (iii) el aumento, (iv) Poner a ON, (v) la no gatillo. 2) Un tiristor tiene una puerta de lmite de potencia media mxima disipacin de 0,2 vatios. Se activa con corriente de puerta pulsada a una frecuencia de impulsos de 10 kHz y debidamente relacin de 0,4. Suponiendo que el ctodo puerta cada de tensin a ser de 1 voltio. Para saber la magnitud mxima admisible corriente de puerta. Respuesta: En el perodo de impulso de puerta actual es 4ONS0.4T = T == sec = 40 ms <100 s.fs10 Por lo tanto, la disipacin de potencia pulsada puerta lmite Pgm se puede utilizar. De la ecuacin 4,9 () Gmgavgm PMax0.2or P P = .5 vatios watts Pero Pgm = Ig Vg; Vg = 1 V gMax.5I == 0.5Amps.1 4.5 Calificaciones Tiristores Algunas especificaciones tiles de un tiristor ligado a sus caractersticas de estado estacionario como se encuentran en un tpico "hoja de datos del fabricante" se discutir en esta seccin. 4.5.1 Las tensiones nominales Cresta de trabajo hacia delante fuera de tensin de estado (VDWM): Se especficos del mximo hacia adelante (es decir, el nodo positivo con respecto al ctodo) de bloqueo de voltaje estado que un tiristor puede soportar durante el trabajo. Es til para calcular el mximo voltaje RMS de la red de CA en la que se puede usar el tiristor. Un margen de 10% de aumento en la tensin de red de CA se debe considerar durante el clculo. Pico estado fuera repetitivo de tensin directa (VDRM): Se refiere a la tensin de pico delante transitoria que un tiristor puede bloquear en varias ocasiones en el estado OFF. Esta evaluacin se especifica a una temperatura mxima de la unin permisible con puerta de circuito abierto o con una resistencia especificada de desviacin entre la puerta y el ctodo. Este tipo de tensin transitoria repetitivo puede aparecer a travs de un tiristor debido a la "conmutacin" de otros tiristores o diodos en un circuito convertidor. Pico no repetitiva estado de apagado de tensin directa (VDSM): se refiere al valor de pico permisible de la tensin directa transitoria que no se repite. Este tipo de sobre voltaje puede ser causado debido a la operacin de conmutacin (es decir, la apertura o cierre del interruptor o descarga atmosfrica) en una red de suministro. Su valor es de aproximadamente 130% de VDRM. Sin embargo, VDSM es menor que la ruptura hacia adelante sobre VBRF tensin. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 13

Cresta de trabajo tensin inversa (VDWM): Es la tensin inversa mxima (es decir, el nodo negativo con respecto al ctodo) que un tiristor puede con soporte continuamente. Normalmente, es igual al valor de pico negativo de la tensin de alimentacin de CA. Tensin inversa de pico repetitiva (VRRM): Especifica el pico de tensin inversa transitoria que puede ocurrir varias veces durante la condicin de polarizacin inversa del tiristor a la temperatura mxima de la unin. No repetitiva de pico de tensin inversa (VRSM): Representa el valor de pico de la tensin inversa transitoria que no se repite. Su valor es de aproximadamente 130% de VRRM. Sin embargo, VRSM es menos de ruptura inversa abajo VBRR tensin. La figura 4.7 muestra las diferentes tensiones nominales de tiristores en una escala comparativa. VBRR VRSM VRRM VRWM VDWM VDRM VDSM VBRF VAK IA fig. 4.7: Las tensiones nominales de un tiristor. 4.5.2 Rangos de intensidad Mxima corriente RMS (IRMS): Calefaccin de los elementos resistivos de un tiristor tales como articulaciones metlicas, cables e interfaces depende de las Irms forward corriente RMS. Puntuacin de RMS actual se utiliza como un lmite superior para la corriente continua, as como pulsos de onda de corriente. Este lmite no debe superarse en una base continua. Mxima corriente promedio (IAV): Es el valor medio mximo permitido de la corriente directa que tal i. Temperatura de la unin mxima no se supera ii. Lmite de corriente RMS no se supere Los fabricantes suelen proporcionar los "hacia adelante promedio caractersticas reduccin de la corriente", que muestra IAV como una funcin de la temperatura de la caja (Tc) con la conduccin ngulo actual como un parmetro. La forma de onda de corriente se supone que se forma a partir de una onda sinusoidal de medio ciclo de la frecuencia de alimentacin como se muestra en la figura 4,8. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 14 = 180 = 120 = 30 = 60 TC ( C) Fig. 4.8: Caractersticas medias de derating Corriente directa IavAmps120 100 0 20 40 60 80 60 80 100 120 140 Corriente de supresin mxima (ISM): Especifica el mximo permitido no repetitiva actual del dispositivo puede soportar. El dispositivo se supone que est operando bajo la tensin nominal de bloqueo, corriente directa y temperation unin antes de que la corriente de sobretensin se produce. Despus de la oleada del dispositivo debe ser desconectado del circuito y se dej enfriar. Corrientes transitorias se supone que son ondas sinusoidales de frecuencia de potencia con una duracin mnima de los ciclos de . Los fabricantes proporcionan al menos tres calificaciones diferentes picos actuales de diferentes duraciones.

Por ejemplo sMsMsM1I 3000 = A = 2100 para cycle2I A durante 3 cyclesI = 1800 A durante 5 ciclos Alternativamente, una trama de nmeros IsM vs aplicables ciclo tambin se pueden proporcionar. Mximo integral cuadrado de la intensidad ( i2dt): Esta evaluacin en trminos de A2S es una medida de la energa que el dispositivo puede absorber por un corto tiempo (menos de un ciclo de frecuencia de potencia media). Esta clasificacin se utiliza en la eleccin del fusible de proteccin conectado en serie con el dispositivo. Latching Corriente (IL): Despus de encender el impulso de puerta debe mantenerse hasta que la corriente del nodo llega a este nivel. De lo contrario, despus de la retirada de impulso de puerta, el dispositivo se apagar. Corriente de retencin (IH): La corriente del nodo se debe reducir por debajo de este valor para desactivar el tiristor. Cada de tensin directa mxima (VF): Por lo general se especifica como una funcin de la corriente directa instantnea a una temperatura dada unin. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 15 Disipacin de potencia promedio Pav): especifica como una funcin de la corriente continua media (IAV) para ngulos de conduccin diferentes, como se muestra en la figura 4,9. La forma de onda de corriente se supone que es la onda sinusoidal medio ciclo (o de onda cuadrada) para la frecuencia de alimentacin. 30 60 90 = 180 Pav IAV IF t fig. 4.9: Promedio de disipacin de energa vs corriente directa en un tiristor promedio. En el diagrama anterior () () FAV oavFF o1I = i = vi 4.1021P d d 4.112 4.5.3 Especificaciones Gate Corriente de puerta a gatillo (IGT): Valor mnimo de la corriente de puerta debajo de la cual a su vez fiable sobre el tiristor no se puede garantizar. Por lo general, se especifica en un determinado forward sobre voltaje. Puerta de voltaje a gatillo (VGT): Valor mnimo de la puerta ctodo de tensin por debajo del cual a su vez fiable sobre el tiristor no se puede garantizar. Se especifica en el descanso mismo una tensin como IGT. Para no desencadenar tensin de puerta (VGNT): el valor mximo de la tensin compuertactodo por debajo del cual puede ser el tiristor garantiza que permanecer apagado. Todos tensin de ruido espurio en el circuito excitador de puerta debe estar por debajo de este nivel. Inversa pico de voltaje de la puerta (VGRM): tensin inversa mxima que puede aparecer entre la puerta y los terminales de ctodo sin daar la unin.

Versin 2 EE IIT, Kharagpur 16 Disipacin de energa promedio Gate (PGAR): La potencia media disipada en la unin puertactodo no deben exceder este valor para los pulsos de compuerta actuales ms amplios de 100 ms. Pico de corriente de compuerta hacia adelante (IGRM): La corriente de compuerta hacia adelante no debe exceder este lmite, incluso en forma instantnea. Ejercicio 4.3 1) Llene el espacio en blanco (s) con la palabra correspondiente (s) i. Pico no repetitiva sobre voltaje puede aparecer a travs de un tiristor debido a ________________ ________________ o sobretensiones en una red de suministro. ii. Puntuacin de VRSM de un tiristor es mayor que la clasificacin ________________ pero menor que la clasificacin ________________. iii. Mxima promedio actual de un thristor puede llevar depende de la ________________ del tiristor y la ________________ de la forma de onda actual. iv. La calificacin ISM de un tiristor se aplica a formas de onda de corriente de ________________ duracin de medio ciclo de la frecuencia de alimentacin donde la calificacin como i2dt aplica a ________________ duraciones actual de medio ciclo de la frecuencia de alimentacin. v La puerta no gatillo especificacin de tensin de un tiristor es til para evitar su vez no deseado en el tiristor de ________________ debido a seales de tensin en la puerta. Respuesta: (i) el cambio, rayos, (ii) VRRM, VBRR, (iii) la temperatura de la caja, la conduccin ngulo; (iv) mayor, menor, (v) el ruido 2. Un tiristor tiene un mximo nominal de corriente promedio 1200 Amps, para un ngulo de conduccin de 180 . Encuentra la calificacin correspondiente para = 60 . Supongamos que la onda de corriente a ser de media onda sinusoidal ciclo. Respuesta: El factor de forma de la mitad de las ondas sinusoidales de ciclo para un ngulo de conduccin viene dada por () 2 ORM o11 - sen 2 Sin dI22F.F === Iav11-Cos Sin d2 Para = 180 , F.F = 2 calificacin RMS corriente del tiristor 1200 = = 1885 Amps.2 Para = 60 , FF 32 = - = 2,77834 Desde calificacin RMS corriente no debe exceder Versin 2 EE IIT, Kharagpur 17

Mximo IAV para = 60 = = 1200 679,00 Amps.34 - 34 4,6 caractersticas de conmutacin de un tiristor Durante Activar y Desactivar proceso de un tiristor se somete a diferentes voltajes a travs de ella y corrientes diferentes a travs de ella. Las variaciones en el tiempo de la tensin a travs de un tiristor y la corriente a travs de l durante Activar y Desactivar constituyen las caractersticas de conmutacin de un tiristor. 4.6.1 Activar caractersticas de conmutacin Un tiristor polarizado est activada mediante la aplicacin de una tensin de puerta positiva entre la puerta y el ctodo, como se muestra en la figura 4,10. La figura. 4.10: Activar las caractersticas de un tiristor. v Fig. 4,10 muestra las formas de onda de la corriente de compuerta (IG), la tensin de ctodo nodo de corriente (iA) y el nodo (VAK) en una escala de tiempo expandida durante enciende. El circuito de referencia y las formas de onda asociada se muestra en el recuadro. El perodo total de conmutacin siendo mucho ms pequeo en comparacin con el tiempo de ciclo, iA y VAK antes y despus de la conexin aparecer plana. Como se muestra en la figura 4.10 hay un tiempo de transicin "tonelada" de un estado de avance de remitir el estado. Este tiempo de transicin se llama la vuelta tiristor de tiempo y se puede dividir en tres intervalos separados a saber, (i) tiempo de retardo (td) (ii) tiempo de subida (tr) y (iii) tiempo de propagacin (tp). Estos tiempos se muestra en la figura 4,10 para una carga resistiva. A iA ig Versin 2 EE IIT, Kharagpur 18 Retardo de tiempo (td): Despus de conectar la corriente de puerta del tiristor comenzar a realizar sobre la parte del ctodo que est ms prxima a la puerta. Esta zona empieza a propagarse en la realizacin de una velocidad finita hasta que la regin entera se convierte en ctodo conductor. El tiempo empleado por este proceso constituyen el giro en el tiempo de retardo de un tiristor. Se mide desde el instante de la aplicacin de la corriente de puerta al instante en que la corriente del nodo se eleva a 10% de su valor final (o VAK cae al 90% de su valor inicial). El valor tpico de "td" es una micro segundos pocos. El tiempo de subida (tr): Para una carga resistiva, "tiempo de subida" es el tiempo empleado por la corriente de nodo a subir del 10% de su valor final al 90% de su valor final. Al mismo tiempo, el voltaje VAK cae de 90% de su valor inicial de 10% de su valor inicial. Sin embargo, las actuales caractersticas de cada y elevacin de voltaje estn fuertemente influenciadas por el tipo de la carga. Para carga inductiva la tensin cae ms rpido que el actual. Mientras que para una carga capacitiva VAK cae rpidamente en el principio. Sin embargo, como la corriente aumenta, la tasa de cambio de la tensin de nodo disminuye sustancialmente.

Si la corriente del nodo se eleva demasiado rpido tiende a permanecer confinada en una zona pequea. Esto puede dar lugar a locales "puntos calientes" y daar el dispositivo. Por lo tanto, es necesario limitar la velocidad de aumento de la Adidt estado ON actual mediante el uso de un inductor en serie con el dispositivo. Valores usuales de Adidt mxima permitida est en el intervalo de 20-200 A / ms. Spread de tiempo (TP): Es el tiempo empleado por la corriente de nodo a levantarse de 90% de su valor final al 100%. Durante este tiempo de conduccin se extiende sobre toda la seccin transversal del ctodo del tiristor. El intervalo de propagacin depende de la zona del ctodo y en la estructura de la puerta del tiristor. 4.6.2 Desactivar caractersticas de conmutacin Una vez que el tiristor est encendido, y su corriente de nodo est por encima del nivel actual de enclavamiento de la puerta pierde el control. Se puede desactivar slo por la reduccin de la corriente del nodo por debajo de corriente de mantenimiento. El desvo tq tiempo de un tiristor se define como el tiempo entre la corriente andica instantnea se convierte en cero y el instante en que el tiristor recupera capacidad de bloqueo directo. Si la tensin hacia adelante se aplica a travs del dispositivo durante este perodo, el tiristor se enciende de nuevo. Durante tiempo de apagado, portadores minoritarios en exceso de todas las cuatro capas de la tiristor debe ser eliminado. En consecuencia tq se divide en dos intervalos, el tiempo de recuperacin inversa (trr) y el tiempo de recuperacin de puerta (tqr). Fig. 4,11 muestra la variacin de la tensin de nodo de corriente del ctodo y el nodo con el tiempo durante desactivar la operacin en escala ampliada. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 19 La corriente del nodo se hace cero en el tiempo t1 y empieza a crecer en la direccin negativa con el Adidt mismo hasta el tiempo t2. Esta corriente negativa elimina el exceso de portadores de uniones J1 y J3. En el momento t2 densidades de portadores en exceso en estas uniones no son suficientes para mantener la corriente inversa y la corriente de nodo comienza a disminuir. El valor de la corriente andica en el tiempo t2 se llama la recuperacin de la corriente inversa (TIR). La corriente andica inversa reduce el nivel de corriente de saturacin inversa por t3. Carga total retirado de las uniones entre t1 y t3 se llama la carga de recuperacin inversa (QRR). Inversin rpida descomposicin de corriente durante el intervalo t2 t3 acoplado con el inductor didt limitante puede causar un gran pico de voltaje inverso (RFV) a aparecer a travs del dispositivo. Esta tensin debe ser limitada por debajo de la calificacin VRRM del dispositivo. Hasta el momento t2 el voltaje a travs del dispositivo (VAK) no cambia considerablemente de su valor en estado. Sin embargo, despus de que el tiempo de recuperacin inversa, el tiristor recupera la capacidad de bloqueo inverso y comienza VAK vi despus de la tensin de alimentacin. Al final del perodo de recuperacin inversa (trr) cargas atrapadas todava existen en la unin J2, que impide que el dispositivo de bloqueo de voltaje directo justo despus trr. Estas cargas atrapadas slo se eliminan por el proceso de recombinacin. El tiempo necesario para este proceso de recombinacin para completar

(entre t3 y t4) es llamado el tiempo de recuperacin de puerta (TGR). El intervalo de tiempo tq = trr + tgr se denomina "dispositivo de apagar el tiempo" del tiristor. No hay tensin hacia adelante debe aparecer a travs del dispositivo antes de que el tiempo tq para evitar su giro involuntario sucesivamente. Un diseador de circuito debe proporcionar un intervalo de tiempo tc (tc> tq) durante el cual se aplica una tensin inversa a travs del dispositivo. tc es llamado el "circuito apagar el tiempo". v AK VAK Vi ig iA escala ampliada TTVI fig. 4.11: Desactivar caractersticas de un tiristor. iA vi t i Versin 2 EE IIT, Kharagpur 20 El QRR recuperacin de inversin es una funcin del pico de corriente directa antes de apagar y su tasa de decreaseAdidt. Los fabricantes suelen proporcionar parcelas de QRR como una funcin de Adidt para diferentes valores de pico de la corriente directa. Tambin proporcionan el valor de la actual recuperacin Irr inversa para un determinado andAdidt IA. Alternativamente Irr puede ser evaluada a partir de las caractersticas dadas QRR siguientes relaciones similares como en el caso de un diodo. Como en el caso de un diodo de las magnitudes relativas de los intervalos de tiempo t1 t2 y t2 t3 depende de la construccin del tiristor. En la recuperacin normal "grado convertidor" tiristores son casi iguales para una recuperacin especificado corriente directa y corriente inversa. Sin embargo, en una recuperacin rpida "grado inversor" tiristor el intervalo t2 t3 es insignificante en comparacin con el intervalo t1 t2. Esto a su vez ayuda a reducir el tiempo total fuera tq del tiristor (y por lo tanto les permiten operar a una frecuencia de conmutacin ms alta). Sin embargo, el gran pico de voltaje debido a esta "recuperacin snappy" aparecer a travs del dispositivo despus de que el dispositivo se apague. A su vez Tpica de veces de convertidor y tiristores del convertidor de grado estn en el intervalo de 50-100 ms y ms 5-50 respectivamente. Como se ha mencionado en la introduccin tiristor es el dispositivo de eleccin en los niveles de potencia ms altos. A estos niveles de potencia (varios cientos de megavatios) la fiabilidad del convertidor de potencia por tiristores es de primordial importancia. Por lo tanto, medios de proteccin adecuado se ha hecho contra sobrecorriente posible sobretensin, y el turno deseado en cada tiristor. En el nivel ms alto de potencia (sistema de transmisin HVDC) Los convertidores de tiristores operan desde niveles de tensin de la red de ms de varios cientos de voltios kilo y llevar a cabo varias decenas de amperios kilo de corriente. Por lo general, emplean un gran nmero de tiristores conectados en serie, en paralelo combinacin. Para la utilizacin mxima de la capacidad del dispositivo es importante que cada dispositivo en esta serie comparten combinacin en paralelo de la tensin de bloqueo y el estado actual igualmente. Circuitos especiales de igualacin se utilizan para este propsito. Ejercicio 4.4 1) Llene el espacio en blanco (s) con la palabra correspondiente (s)

i. Un tiristor se activa mediante la aplicacin de un impulso de puerta de ________________ actual cuando est sesgada ________________. ii. A su vez total en el tiempo de un tiristor se puede dividir en ________________ tiempo tiempo ________________ y ________________ tiempo. iii. Durante el tiempo de aumento de la velocidad de aumento de la corriente del nodo debe ser limitada para evitar la creacin de ________________ local. iv. Un tiristor se puede desactivar por lo que su corriente de nodo por debajo ________________ actual y la aplicacin de una tensin inversa a travs del dispositivo de duracin mayor que el tiempo ________________ del dispositivo. Reverse v cargo recuperacin de un tiristor depende de la ________________ de la corriente directa justo antes de apagar y su ________________. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 21 vi. Tiristores del inversor grado han ________________ desactivar tiempo en comparacin con un tiristor grado de conversin. Respuesta: (i) positivo, hacia adelante, (ii) la demora, subida, propagacin, (iii) los puntos calientes (iv) ttulos, apagar, (v) la magnitud, la tasa de disminucin (vi) ms rpido 2. Con referencia a la figura 4,10 encontrar expresiones para (i) activar la prdida de potencia y (ii) la prdida de energa de conduccin del tiristor como una funcin de la ngulo de encendido. Despreciar a su vez el tiempo de retardo y la propagacin tiempo y asumir variacin lineal de la tensin y la corriente durante el turno en el perodo. Tambin se supone constante en el estado de tensin VH en todo el tiristor. Respuesta: (i) Para un ngulo de disparo de la tensin de polarizacin directa a travs del tiristor justo antes de encender es ONiiV = 2V pecado; V = value RMS de tensin de alimentacin. Actual despus de que el tiristor se activa para una carga resistiva es ONiONVVI == 2 SinRR Despreciando tiempo de retardo y la propagacin y suponiendo variacin lineal de la tensin y la corriente durante el turno en akiHONtV = 2 V Sin 1 -. donde V ha sido neglected.t iaON2 V sinti = tR conmutacin total prdida de energa ONON2 t t2ONaka o oONON2222ONON2VittE = vi dt = Sin 1 - dtttR2Vit2Vi = Sin 1 - = Sin tR233R

EON se produce una vez cada ciclo. Si la frecuencia de alimentacin es de f entonces el turno promedio de prdida de potencia est dada por. 22ONONONViP = E f = Sint f3R (Ii) Si el ngulo de disparo es el tiristor conduce a - ngulo. Corriente instantnea a travs del dispositivo durante este perodo es Sin ti ia2 V = R < t R Donde tON y VH se han descuidado por la simplicidad. prdida total de energa en un ciclo de conduccin es Versin 2 EE IIT, Kharagpur 22 () iiHCakaH 12 V2 VE V = V i dt = V Sin d = 1 + CosRR Prdida media potencia conduccin () iHCc2 VV = P = Ef = 1 + cos2 R Fusible si 220 V 50 HZ Vi i1 3. En la fase solo ideal totalmente controlado convertidor T1 y T2 se disparan en un ngulo de disparo despus del paso por cero positivo va de Vi mientras que T3 y T4 son disparados ngulo despus del cero negativo va cruce de Vi, Si todos los tiristores tienen un desvo tiempo de 100 ms, averiguar el valor mximo permisible de . Respuesta: Como T1 y T2 se disparan a un ngulo despus de cruce cero positivo va de Vi, T3 y T4 son sometidos a una tensin negativa de-Vi. Desde esta tensin siguen siendo negativas durante un tiempo (-), ngulo (despus de lo cual se vuelve positivo-Vi) para 0offMax conmutacin segura ( - Max). t = 178,2 4.7 El Triac El triac es un miembro de la familia de tiristor. Pero a diferencia de un tiristor que lleva a cabo slo en una direccin (de nodo a ctodo) un triac se puede realizar en ambas direcciones. As, un triac es similar a dos espalda con espalda (anti paralelo) conectada thyristosr pero con slo tres terminales. Como en el caso de un tiristor, la conduccin de un triac se inicia mediante la inyeccin de un pulso de corriente en el terminal de puerta. La puerta pierde el control sobre la conduccin una vez que el triac est encendido. El triac se apaga solo cuando la corriente a travs de los terminales principales se convierten en cero. Por lo tanto, un triac puede ser categorizado como un portador minoritario, un semi-controlado bidireccional dispositivo. Ellos son ampliamente utilizados en los atenuadores lmpara residenciales, control de calentador y para el control de velocidad de la serie pequea sola fase y motores de induccin. 4.7.1 Construccin y principio de funcionamiento La figura. 4,12 (a) y (b) muestran el smbolo de circuito y la seccin transversal esquemtica de un triac respectivos. A medida que el Triac se puede realizar en ambas direcciones de los trminos "nodo" y "ctodo" no se utilizan para Triacs. Los tres terminales estn marcados

como MT1 (terminal principal 1), MT2 (Terminal principal 2) y la puerta por G. Como se muestra en la figura 4,12 (b) el terminal de puerta est cerca de MT1 y est conectado a ambos Versin 2 EE IIT, Kharagpur 23 Regiones N3 y P2 por contacto metlico. Del mismo modo MT1 est conectado a N2 y regiones P2 mientras MT2 est conectado a N4 y regiones P1. MT1 MT2 G MT2 (b) N4 N2 N3 N3 N2 N1 N1 P1 P1 P2 P2 P2 G MT1 fig. 4,12: smbolo de circuito o de construccin esquemtica de un Triac (a) Circuito smbolo (b) Esquema de la construccin. (A) Desde un Triac es un dispositivo bidireccional y puede tener sus terminales en varias combinaciones de voltajes positivos y negativos, hay cuatro combinaciones posibles potenciales de electrodo como se indican a continuacin 1. Positivo con respecto a MT1 MT2, G positiva con respecto a MT1 2. Positivo con respecto a MT1, MT2 G negativo con respecto a MT1 3. Negativo con respecto a MT1, MT2 G negativo con respecto a MT1 4. MT2 negativo con respecto a MT1, G positiva con respecto a MT1 La sensibilidad de disparo es mayor con las combinaciones 1 y 3 y se utilizan generalmente. Sin embargo, para el control bidireccional y el modo de disparo puerta uniformes a veces desencadenar los modos 2 y 3 sean. 4 Modo de disparo se suele averded. Fig. 4.13 (a) y (b) explicar el mecanismo de conduccin de un triac en los modos de disparo 1 y 3, respectivamente. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 24

Versin 2 EE IIT, Kharagpur 25

La figura. Como se muestra en la figura.

La

1) Llene el espacio en blanco (s) con la palabra correspondiente (s) i. ii. iii. iv.

vi.

vii. viii.

Referencias 1. 2.

Resumen de la leccin

1.

2.

3. 4.

5.

1. i.

ii.

2.

3.

4. Entonces

5.

Mdulo 1 Semiconductores de potencia Versin 2 EE IIT, Kharagpur 1 Leccin 5 Puerta Apagar Tiristor (GTO) Versin 2 EE IIT, Kharagpur 2 Objetivo instruccional Al terminar el alumno ser capaz de Diferenciar entre las caractersticas de construccin de un tiristor GTO y un. Explicar el mecanismo de apagado de un GTO. Diferenciar entre la salida del estado estacionario y las caractersticas de puerta de un tiristor GTO y un. Dibujar y explicar las caractersticas de conmutacin de un GTO. Dibujar el diagrama de bloques de una unidad de accionamiento GTO puerta y explicar las funciones de los diferentes bloques. Interpretar hoja de datos del fabricante de un GTO.

Versin 2 EE IIT, Kharagpur 3 Introduccin El tiristor ha imperado durante ms de dos dcadas en la industria de la electrnica de potencia y lo sigue haciendo en el nivel ms alto del poder. Es, sin embargo, siempre ha sufrido la desventaja de ser un dispositivo semi-controlado. A pesar de que puede ser activado mediante la aplicacin de un impulso de puerta, sino para apagar la corriente principal tena que ser interrumpida. Esto demostr ser particularmente inconveniente en DC a AC y DC a DC circuitos de conversin, donde la corriente principal no natural se convierte en cero. Un voluminoso y caro "circuito de conmutacin" tuvo que ser utilizado para garantizar la adecuada apagado del tiristor. La velocidad de conmutacin del dispositivo fue tambin relativamente lenta incluso con tiristor rpido grado inversor. El desarrollo de la Puerta Apagar tiristor (GTO) ha ocupado de estas desventajas de un tiristor en gran medida. Aunque se ha hecho una entrada bastante tarde (1973) en la familia tiristor la tecnologa ha madurado rpidamente para producir dispositivo comparable en el rating (5000V, 4000Amp) con el mayor tiristor disponible. En consecuencia, se ha sustituido el tiristor conmutado forzado inversor de grado en todas las CC a CA y de CC a CC circuitos convertidores. Como tiristor GTO es un portador de corriente minora controlada (es decir bipolar) del dispositivo. Difieren de tiristor GTO convencional en que, estn diseados para que se apague una corriente negativa se enva a travs de la puerta, lo que provoca una inversin de la corriente de puerta. Una corriente de compuerta relativamente alto se debe desactivar el dispositivo con el giro normal de las ganancias en el rango de 4-5. Durante la conduccin, por otra parte, el dispositivo se comporta como un tiristor con muy bajo en el estado de cada de tensin. Varias variedades de GTO se han fabricado. Los dispositivos con capacidad de bloqueo inverso igual a su voltaje hacia adelante se denominan "GTO" simtricas. Sin embargo, la variedad ms lamo de la disponible en el mercado hoy en da GTO no tiene ninguna tensin inversa apreciable (20-25V) el bloqueo de la capacidad. Son los llamados "GTO asimtricos". GTO de conduccin inversa (RC-GTO) constituyen la tercera familia de GTO. Aqu, un GTO est integrado con un diodo de rueda libre anti-paralela a la misma oblea de silicio. En esta leccin se describe la construccin, principio de funcionamiento y caracterstica de "GTO asimtricos" solamente. 5.2 Caractersticas constructivas de un GTO Fig. 5,1 muestra el smbolo esquemtico y dos secciones diferentes transversal esquemtica de un GTO. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 4 A K G (A) Fig. 5,1: smbolo de circuito o de la seccin transversal esquemtica de un GTO (a) Smbolo Circuito, (b) estructura de nodo cortocircuito GTO, (c) Tampn de capa de estructura de GTO. nodo Short. p + np n + n + CG (b) p + p + n + n + (c) AnodeContact n-p n + n + n + Gp C Tampn capa J1 J2 J3

Al igual que un tiristor, un GTO es tambin un dispositivo de cuatro capas pnpn tres conexiones. Con el fin de obtener eficiencia alta emisor en el extremo del ctodo, la capa n + ctodo est altamente dopado. Por consiguiente, la descomposicin de voltaje de la funcin J3 es baja (tpicamente 20-40V). El tipo p regin cancela requisito dopaje en conflicto. Para mantener la eficiencia buen emisor del nivel de dopado de esta capa debe ser baja, por otro lado, desde el punto de vista de la buena accin de propiedades, resistivamente de esta capa debe ser tan bajo como sea posible requiere un nivel de dopado de esta regin a ser de altura. Por lo tanto, el nivel de dopaje de esta capa es altamente calificado. Adems, con el fin de optimizar su vez actual capacidad de desactivacin, la unin ctodo puerta debe ser altamente interdigitados. A 3000 Amp GTO puede estar compuesto de upto 3.000 segmentos de ctodo individuales que se accede a travs de un un contacto comn. El diseo ms popular ofrece mltiples segmentos dispuestos en anillos concntricos alrededor del centro del dispositivo. El mximo voltaje de bloqueo del dispositivo est determinada por el nivel de dopado y el espesor de la regin de la base tipo n siguiente. Con el fin de bloquear varios kV de tensin directa el nivel de dopaje de esta capa se mantiene relativamente bajo, mientras que su grosor se hace considerablemente ms alta (unos pocos cientos de micras). Byond la mxima tensin directa permitida ya sea el campo elctrico en la unin principal (J2) excede un valor crtico (avalancha se rompen) o la base n completamente agota, lo que permite su campo elctrico para tocar el emisor nodo (punzn a travs). La unin entre la base n y p nodo + (J1) se denomina la "unin nodo". Para buen giro en las propiedades de la eficacia de esta unin nodo debe ser tan alta como sea posible requiere una fuertemente dopada p + regin andica. Sin embargo, la capacidad de apagar un GTO ser pobre con vuelta muy bajo de prdidas actuales y alto. Hay dos enfoques bsicos para resolver este problema. En el primer mtodo, fuertemente dopados capas + n se introducen en la capa p + nodo. Ellos hacen contacto con el contacto de nodo metlico misma. Por lo tanto, los electrones viajen a travs de la base puede alcanzar directamente el contacto de metal del nodo sin causar inyeccin de huecos desde el nodo p +. Este es el clsico "estructura de nodo cortocircuito GTO" como se muestra en la figura 5.1 (b). Debido a la presencia de estos "cortos" nodo de la capacidad de voltaje de bloqueo inverso GTO se reduce a la inversa romper Versin 2 EE IIT, Kharagpur 5 voltaje de la unin J3 (mximo voltios 20-40). Adems, un gran nmero de "cortos nodo" reduce la eficiencia de la unin nodo y degrada el giro en el rendimiento del dispositivo. Por lo tanto, la densidad de los "cortos nodo" han de ser elegidos por un compromiso cuidadoso entre el cambio y desactivar el rendimiento. En el otro mtodo, una capa tampn moderadamente dopado tipo n est yuxtapuesta entre la base de tipo n y el nodo. Como en el caso de un diodo de potencia y BJT esta capa tampn de densidad relativamente alta cambia la forma del patrn de campo elctrico en la regin N-base de triangular a trapezoidal y en el proceso, ayuda a reducir drsticamente su anchura. Sin embargo, esta capa tampn en un convencional "nodo cortocircuito" estructura GTO habra aumentado la eficiencia de los pantalones cortos de nodo. Por lo tanto, en la nueva

estructura de los pantalones cortos de nodo estn completamente prescindir y una capa delgada p + de tipo se introducen como nodo. El diseo de esta capa es tal que los electrones tienen una alta probabilidad de cruzar esta capa de inyeccin de huecos sin estimular. Esto se llama la "estructura de emisor transparente" y se muestra en la Fig. 5,1 (c). Ejercicio 5.1 Llene los espacios en blanco (s) con la palabra adecuada (s) i. Un GTO es un dispositivo controlado por _______________ _______________ portador. ii. Un GTO tiene capas y terminales _______________ _______________. iii. Un GTO se puede activar mediante la inyeccin de una corriente de compuerta _______________ y apagado mediante la inyeccin de una puerta _______________ actual. iv. Los cortos de nodo de un GTO mejora el rendimiento _______________ pero degrada el rendimiento _______________. v La capacidad de tensin inversa de bloqueo de un GTO es pequeo debido a la presencia de _______________. Respuesta: (i) corriente minoritaria, (ii) cuatro, tres, (iii) positivo, negativo, (iv) apagar, encender, (v) los pantalones cortos de nodo. 5.3 Principio de funcionamiento de un GTO GTO ser una estructura monoltica pnpn como un thryistor puede ser su principio bsico de funcionamiento se explica en una manera similar a la de un tiristor. En particular, la estructura pnpn de un GTO puede ser sin embargo de que consta de un pnp y un transistor npn conectado en la configuracin regenerativa como se muestra en la figura 5,2. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 6 Hole actual corriente de electrones A pnpnnp GC (a) A n GC ap IK IG IA IC1 IC2 iB IB2 Hole actual corriente de electrones A pnpnnp C (b) G pnp GA Fig. 5.2: Distribucin actual en un GTO (a) Durante el turno de: ( b) Durante apagar. Desde la "analoga transistor dos" (Fig. 5,2 (a)) de la estructura GTO se puede escribir. () () () C1pACBO1B1C 2nkCBO2kAGAB1C1i = I + I 5.1i = i = I + I 5.2I = I + I y I = i + i 5.3 () () () NGCBO1CBO2AnpI + i + i = 5,41 iCombining-+ Con VAK aplica tensin directa inferior a la ruptura hacia delante sobre voltaje tanto ICBO1 y ICBO2 son pequeas. Adems, si IG es cero IA es slo ligeramente superior a (ICBO1 + ICBO2). Bajo esta condicin, tanto n y ap son pequeos y (ap + n) << 1. El dispositivo se dice que est en el modo de bloqueo directo. Para encender el dispositivo o bien el voltaje del nodo se puede elevar hasta ICBO1 y ICBO2 aumenta en proceso de multiplicacin por alud o mediante la inyeccin de una corriente de

puerta. La ganancia de corriente de los transistores de silicio aumenta rpidamente a medida que aumenta la corriente del emisor. Por lo tanto, cualquier mecanismo que causa un aumento momentneo de la corriente de emisor se puede utilizar para encender el dispositivo. Normalmente, esto se realiza mediante la inyeccin de corriente en la regin de base p a travs de la puerta de contrato externo. Como n + ap aproxima a la unidad de la corriente del nodo tiende a infinito. Fsicamente como n + ap se acerca a la unidad del dispositivo empieza a regenerar y cada transistor conduce su compaero a la saturacin. Una vez en la saturacin, todos los cruces asumir una polarizacin directa y la cada de potencial total a travs del dispositivo se hace aproximadamente igual a la de un solo diodo pn. La corriente del nodo est restringido nicamente por el circuito externo. Una vez que el dispositivo ha sido encendido de esta manera, la corriente de puerta externo ya no es necesaria para mantener la conduccin, ya que el proceso de regeneracin es auto-sostenible. La reversin a la modalidad de bloqueo se produce solamente cuando la corriente del nodo se lleva por debajo de la "corriente de mantenimiento" de nivel. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 7 Para desactivar un GTO de conduccin del terminal de puerta est sesgada negativo con respecto al ctodo. Los huecos inyectados desde el nodo son, por lo tanto, extrado de la base de p a travs de la metalizacin de la puerta en el terminal de puerta (Fig. 5,2 (b)). La cada de tensin resultante en la base de p por encima del emisor N empieza polarizacin inversa de la unin J3 y de inyeccin de electrones se detiene aqu. El proceso se origina en la periferia de la base de p y los segmentos de emisor n y el rea todava la inyeccin de electrones se reduce. La corriente del nodo est lleno de gente en filamentos de mayor densidad y mayor en las zonas ms remotas del contacto de la puerta. Esta es la fase ms crtica del proceso GTO apagar desde regiones muy localizadas de alta temperatura pueden causar fallas en el dispositivo a menos que estos filamentos actuales son rpidamente extinguido. Cuando el filamento ltima desaparece, inyeccin de electrones se detiene por completo y la capa de agotamiento comienza a crecer en tanto J2 y J3. En este punto, el dispositivo comienza una vez ms el bloqueo de tensin. Sin embargo, aunque la corriente ha dejado de ctodo al nodo a la puerta de corriente contina circulando (Fig. 5,2 (b)) como los portadores de base n exceso se difunden hacia J1. Esta "corriente de cola" y luego decae exponencialmente a medida que las compaas de base n exceso de reducir a la recombinacin. Una vez que la corriente de cola ha desaparecido por completo qu el dispositivo recuperar sus caractersticas de estado estacionario de bloqueo. "Shorts" (o nodo emisor transparente) ayuda a reducir la corriente de cola ms rpido al proporcionar una ruta alternativa a los electrones n base para alcanzar el contacto del nodo sin causar inyeccin agujero apreciable de nodo. Ejercicio 5.2 Llene los espacios en blanco (s) con la palabra adecuada (s) i. Despus de un GTO se convierte en la corriente de compuerta puede ser _______________. ii. Un GTO de conduccin vuelve a la modalidad de bloqueo cuando la corriente cae por debajo del nodo _______________ actual.

iii. Para desactivar un GTO de conduccin del terminal de puerta est sesgada _______________ con respecto a la _______________. iv. "Filamentos corrientes" producidos durante el proceso de apagado de un GTO puede destruir el dispositivo mediante la creacin de _______________ local. v "pantalones cortos nodo" ayudar a reducir el _______________ corriente en un GTO. Respuesta: (i) que se retir, (ii) de la posesin, (iii) negativamente, el ctodo, (iv) punto caliente, (v) la cola. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 8 5.4 Caractersticas del estado estacionario y dinmico de un GTO 5.4.1 Salida de estado estacionario y las caractersticas de compuerta IG vg Min Max (b) Fig. 5.3: caractersticas de un estado estacionario Caractersticas de salida GTO (a), (b) las caractersticas Gate. VAK IG IA vg + - VBRR VBRF VAK IA IL IL + - (a) Esta caracterstica en el primer cuadrante es muy similar a la de un tiristor, como se muestra en la figura. 5,3 (a). Sin embargo, la corriente de enganche de un GTO es considerablemente ms alto que un tiristor de calificacin similar. La corriente de fuga hacia adelante tambin es considerablemente ms alto. De hecho, si la corriente de la puerta no es suficiente para encender un GTO que funciona como un transistor de alta tensin de baja ganancia con nodo de corriente considerable. Cabe sealar que un GTO puede bloquear clasificar voltaje directo slo cuando la puerta est sesgada negativamente con respecto al ctodo durante el estado de bloqueo directo. Por lo menos, una resistencia de bajo valor debe ser conectado a travs del terminal de ctodo puerta. Al aumentar el valor de esta resistencia se reduce la tensin de bloqueo directo de la GTO. GTO asimtricos tienen pequeas (20-30 V) revertir romper la tensin. Esto puede provocar que el dispositivo funcione en "avalancha inversa" bajo ciertas condiciones. Esta condicin no es peligrosa para el GTO siempre que el tiempo y la avalancha actual son pequeas. El voltaje de la puerta durante este perodo debe seguir siendo negativo. Fig. 5,3 (b) muestra las caractersticas de puerta de un GTO. La zona comprendida entre el mnimo y el mximo de las curvas refleja la variacin de parmetros entre GTO individuales. Estas caractersticas son vlidas para CC y de baja frecuencia corrientes AC de la puerta. No dan voltaje correcto cuando el GTO se enciende con alto andGdIdt diadt. VG en este caso es mucho mayor. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 9 5.4.2 Caractersticas dinmicas de un GTO fig. 5.4: Cambio de caractersticas de un di GTO.iA, VAK VD 0.9VD 0.1VD Ig Vg td tr IGM tON VT IG IGQ QgQ VGR ttail Itail 0.9IL 0.1IL VDM IL VD ts tf tt dig / dt gQdidt ig vg Vd RL IL / dt limitar L didt La figura 5.4 muestra las caractersticas de conmutacin de un GTO y se refiere al circuito de conmutacin de corriente continua carga resistiva se muestra en el lado derecho. Cuando el

GTO est fuera de la corriente del nodo es cero y VAK = Vd. Para activar el GTO, un pulso de corriente de puerta positiva se inyecta a travs del terminal de puerta. Una corriente de puerta sustancial asegurar que todos los segmentos de ctodo GTO se encienden simultneamente y en un corto tiempo. Hay un retraso entre la aplicacin del impulso de puerta y de la cada de tensin del nodo, llamado el giro en el tiempo de retardo td. Despus de este tiempo la tensin de nodo comienza a caer mientras que las salidas de corriente del nodo de subir a su IL valor estable. Dentro de un intervalo de tiempo tr ms que alcanzar el 10% de su valor inicial y el 90% de su valor final, respectivamente. tr es llamado el tiempo de subida de corriente (tiempo de cada de tensin). Tanto td y mximo permitido en el estado Adidt son mucho ms corriente de compuerta dependientes. Alto valor de I gM y digdt a su vez, reduce en estos tiempos y el aumento mximo de la carga en Adidt estado. Cabe sealar que el valor grande de ig (IgM) y digdt se requieren durante td y tr solamente. Despus de este perodo de tiempo, tanto vg ig y se sienta a su valor estable. Un mnimo sobre el Ton perodo de tiempo (min) se requiere para la conduccin homognea de corriente de nodo en el GTO. Este tiempo es tambin necesario para el GTO de ser capaz de apagar su corriente andica nominal. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 10 Para desactivar un GTO el terminal de puerta est sesgada negativamente con respecto al ctodo. Con la aplicacin de la polarizacin negativa de la corriente de compuerta comienza a crecer en la direccin negativa. Sin embargo, la tensin de nodo, la corriente o el voltaje de la puerta no cambia apreciablemente de sus niveles de estado en un periodo de tiempo adicional llamado el tiempo de almacenamiento (ts). El tiempo de almacenamiento aumenta con el desvo de corriente de nodo y disminuye withgQdidt. Durante el tiempo de almacenamiento de la corriente de carga en el extremo del ctodo es desviado gradualmente al terminal de puerta. En el extremo de la puerta del tiempo de almacenamiento actual alcanza su valor mximo negativo IGQ. En este punto, tanto las uniones J2 y J3 del GTO comienza tensin de bloqueo. Por consiguiente, tanto el ctodo puerta y el voltaje del ctodo nodo comienza a elevarse hacia su valor final, mientras que la corriente del nodo comienza a disminuir hacia cero. Al final del tiempo de cada actual "TF" la corriente del nodo llega a 10% de su valor inicial despus de que tanto la corriente del nodo y la corriente de compuerta contina fluyendo en la forma de una corriente de cola por un perodo adicional de ttail. Un GTO se utiliza normalmente con un giro de RC snubber. Por lo tanto, VAK no comienzan a subir sensiblemente hasta tf. En este punto comienza VAK aumenta rpidamente y supera el voltaje de CC Vd (VDM) (debido a la resonancia de condensador amortiguador con inductor didt limitante) antes de poner en su valor estacionario Vd. Un GTO no se debe volver a activar dentro de un perodo mnimo de apagado (min) para evitar el riesgo de fracaso debido a su vez localizada ON. GTOs tienen tpicamente su vez bajo de ganancia en el rango de 4-5. 5.4.3 GTO puerta circuito de accionamiento Una unidad de puerta GTO tiene que cumplir con las siguientes funciones. Gire el GTO por medio de un pulso de alta corriente (IGM) Mantener conduccin a travs de la provisin de una corriente continua de puerta (IG, tambin conocido como el "umbral posterior actual").

 Gire el GTO con un impulso de puerta de alta corriente negativa. Reforzar el estado de bloqueo del dispositivo por una tensin de puerta negativa. A disposicin de compuerta de accionamiento tpico de una gran potencia GTO es el programa de la figura 5.5. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 11 La figura. 5.5: Circuito Tarjeta de potencia de un GTO. (A) Diagrama de bloques, (b) Esquema de conexiones de la etapa de salida ON OFF R1R2R3C2T1T2A KG + + + --- (b) HFDC a AC INV. H.F TXFH.F. AC a la Lgica DCRectifier Control de Salida Etapa Elctrico Fibra Optica Cable ptico-ElectricalConverter ABCDEF (a) En el diagrama de bloques de la figura 5,5 (a) se supone que hay una diferencia de potencial de varios kVs entre el control maestro y las unidades individuales de la puerta. Los impulsos de manera intermitente durante un GTO se comunica a las unidades individuales a travs de la puerta de cables de fibra ptica. Estas seales pticas se convierten en seales elctricas por un convertidor elctrico ptico. Estas seales elctricas a travs de la lgica de control y luego produce la seal de ON y OFF para la etapa fuera puesto que a su vez enva puerta positiva y negativa actual a la GTO. Dependiendo de la exigencia de la lgica de control tambin puede supervisar la conduccin GTO por el control de la tensin de compuertactodo. Cualquier fallo se retransmiten a travs de cable de fibra ptica para el control maestro. Fuente de alimentacin para las unidades de puerta de accionamiento se deriva de una fuente de alimentacin comn a travs de un SMPS de alta frecuencia (Bloques A, B y C) disposicin. Fig. 5,5 (b) muestra la implementacin del circuito de la etapa de salida. El interruptor superior T1 enva impulsos positivos puerta a la puerta GTO. En el momento de encender la T1, C2 acta casi como un cortocircuito y la versin 2 EE IIT, Kharagpur 12

la corriente de compuerta positiva est determinada por la combinacin en paralelo de R1 y R2. Sin embargo, en el estado estacionario slo R1 determina la corriente de compuerta IG. El interruptor T2 parte inferior se utiliza para empujar la puerta GTO negativo con respecto al ctodo. Dado que los flujos negativos relativamente grandes compuertas actuales durante apaga, no se utiliza la resistencia externa en serie con T2. En cambio, la resistencia estado ON de T2 se utiliza para este propsito. En la prctica, un gran nmero de interruptores estn conectados en paralelo para obtener la calificacin de corriente requerida de T2. Un bajo valor de resistencia R3 est conectada entre la puerta y los terminales de ctodo de la GTO para asegurar la tensin mnima de bloqueo directo. Ejercicio 5.3 Llene los espacios en blanco (s) con la palabra adecuada (s)

i. El _______________ _______________ actual y corriente directa de un GTO son considerablemente ms altos en comparacin con un tiristor. ii. Si la corriente de puerta es suficiente un GTO puede operar como un _______________ baja ganancia. iii. Invierta tensin de bloqueo de _______________ GTO es pequeo. iv. Para asegurarse de que todos los segmentos de ctodo GTO se encienden simultneamente la magnitud de la corriente debe ser _______________ _______________. v valor alto de corriente de compuerta y dig / dt aumenta la capacidad de _______________ de un GTO durante enciende. vi. Durante el tiempo de almacenamiento de la corriente de carga en un GTO se desva desde el _______________ al terminal _______________. vii. GTO han reducido apagar ganancia _______________. viii. Despus de que el tiempo de cada de corriente durante apagar de un GTO el nodo de corriente continua por algn tiempo ms en la forma de un _______________. ix. La unidad de control de puerta de un GTO debe proporcionar _______________ continuo puerta segura durante SOBRE perodo y _______________ continuo puerta negativo durante el periodo OFF. x. En la unidad de accionamiento de puerta de un GTO de una resistencia de bajo valor est conectado entre la puerta y los terminales de ctodo para asegurar la tensin _______________ mnimo. Respuesta: (i) de enganche, las fugas; transistor (ii), (iii) asimtrica; (iv) la puerta, alta, (v) di / dt; (Vi) del ctodo, puerta; (vii), o (viii) la corriente de cola; (ix) la corriente, voltaje, (x) bloqueo directo. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 13 5,5 GTO Valoraciones 5.5.1 Tensin en estado estacionario y corriente VDRM: Es la mxima tensin repetitiva adelante el GTO se puede bloquear en la direccin hacia adelante asumiendo la forma de onda sinusoidal de frecuencia de voltaje de lnea. Es importante sealar que GTO puede bloquear tensin nominal slo si la puerta est polarizada inversamente o por lo menos conectada al ctodo a travs de una resistencia de bajo valor. Fabrica generalmente proporcionan la capacidad adelante Voltaje de ruptura de la GTO principales en funcin de la tensin de compuerta inversa (ctodo y / o resistencia) para un forwarddvdt dado.

VRRM: Es la tensin mxima inversa repetitiva el GTO es capaz de soportar. Para todos los GTO asimtricos este valor est en el rango de 20-30 V, ya que est determinado por la unin ctodo puerta romper tensin. Debido a la estructura de nodo cortocircuito del GTO el nodo - unin base (J1) no bloquea cualquier tensin inversa. A diferencia de VDRM, nmero de VRRM puede ser excedido durante un tiempo corto sin destruir el dispositivo. Esta "avalancha inversa" capacidad del GTO es til en ciertas situaciones, como se explica en la figura 5.6. VD IG1 VG1 VG2 G1 G2 D1 D2 IL ID2 (a) (b) VG1 IG1 IL IG1 VG1 IL VD VD VG2 ID2 Vfr> VRRM ttFig. 5.6: capacidad avalancha inversa de un GTO (a) pierna fase fuente de tensin del inversor, (b) Voltaje, formas de onda actual. En la fase de pierna fuente de voltaje del inversor mostrado en la Fig. 5,6 (a), como el G1 GTO se apaga la corriente a travs de l (IG1) empieza a reducir. La diferencia de corriente (IL - IG1) se transfiere a la capacitancia snubber de G1 y el voltaje a travs de G1 (VG1) comienza a aumentar. Cuando si se hace igual a la tensin continua VD enlace, D2 est polarizado. Sin embargo, debido a la tensin de recuperacin en avance de D2 (VFR) la tensin inversa a travs de G2 puede exceder la capacidad de VRRM G2 y conducirlo en avalancha inversa. Esta condicin no es peligrosa para G2 siempre que el tiempo y la avalancha actual son pequeas (normalmente dentro de 10 ms y 1000 A, respectivamente). Sin embargo, la tensin de puerta debe permanecer negativo durante este tiempo. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 14 VDC: Esta es la mxima tensin continua DC el dispositivo puede soportar. Si se excede este voltaje no conduce inmediatamente a fallo del dispositivo, pero la probabilidad de un fallo de la radiacin csmica aumenta progresivamente con el voltaje de CC aplicado. IFAVM y IFRMS: Son promedio mxima y RMS en el estado actual, respectivamente. Se especifican a una temperatura caso dado suponiendo media onda sinusoidal de corriente de estado a la frecuencia de alimentacin. IFSM: Este es el mximo permitido valor de pico de una frecuencia de la energa media sinusoidal no repetitiva corriente de sobrevoltaje. El pulso se supone que se aplican en un instante cuando el GTO est funcionando a su temperatura mxima de la unin. El voltaje a travs del dispositivo justo despus del pico debe ser cero. 2idt: Este es el valor lmite de la corriente transitoria integral oleada asumiendo medio ciclo de onda sinusoidal actual. La temperatura de unin se supone que est en el valor mximo antes del aumento de la tensin y a travs del dispositivo despus de la oleada se supone que es cero. La calificacin i2t de un fusible semiconductor debe ser inferior a este valor con el fin de proteger el GTO. Parcelas de ambos IFSM y como funciones de la anchura del pulso sobretensiones son generalmente realizadas por el fabricante. 2idt VF: Esta es la trama de la instantnea vs Cada de tensin instantnea corriente directa a temperaturas de unin diferentes. Pav: Para algunas formas de onda de corriente frecuente (por ejemplo, onda sinusoidal, onda cuadrada) la trama de la media en estado de disipacin de potencia en funcin de la media de

la corriente en estado es proporcionado por los fabricantes en una temperatura de unin dada. IH: Esta es la corriente de mantenimiento de la GTO. Esta corriente, en caso de un Gto1, es considerablemente mayor en comparacin con un tiristor de calificacin similar. Grave problema puede surgir debido a la variacin de la corriente del nodo debido a que el GTO puede "des-enganche" en un momento en su caso. Este problema se puede evitar por la alimentacin de una corriente continua en la puerta (llamado el "back porch" actual) durante SOBRE perodo del dispositivo. Esta corriente DC puerta debe ser aproximadamente 20% mayor que el disparo de la puerta (IGT) a la temperatura mnima esperada unin. critdi: dt Este es el valor mximo permisible de la velocidad de cambio de corriente de conduccin durante enciende. Este valor es muy dependiente de la magnitud puerta de corriente de pico y la tasa de aumento de la corriente de puerta. Una corriente de puerta sustancial asegura que todos los segmentos de ctodo GTO se encienden simultneamente y dentro de un tiempo corto, para que no punto caliente local se crea. Thegdidtand IgM valores especificados en las condiciones de funcionamiento deben, por lo tanto, ser considerados como valores mnimos. 5.5.2 Puerta de especificacin Ig vs Vg: Es un grfico de puerta de corriente instantnea como una funcin de la tensin de puerta. Esta caracterstica es vlida para CC y de baja frecuencia corrientes AC de la puerta. No definen la puerta Versin 2 EE IIT, Kharagpur 15 tensin cuando el GTO se enciende de alto voltaje del nodo con alta di / dt andgdidt. Vg en este caso es mucho mayor. Generalmente, la impedancia del ctodo de puerta de un GTO es mucho menor que la de un tiristor convencional. Vgt, Igt: IGT es el disparo de la puerta y VGT, el voltaje de puerta ctodo instantnea cuando Igt est fluyendo hacia la puerta. IGT tiene una dependencia de temperatura de la unin fuerte y aumenta muy rpidamente con temperatura de la unin reducida. Igt simplemente especifica el porche trasero de corriente mnima necesaria para encender el GTO en un didtand bajo la mantienen en la conduccin. Vgrm: Es la mxima tensin repetitiva compuerta inversa, superior a la que conduce la unin ctodo puerta en ruptura por avalancha. IGRM: Es la puerta de atrs pico repetitiva actual en Vgrm y Tj (max). Igqm: Es el giro negativo mximo de corriente de compuerta. La unidad de puerta debe ser diseada para suministrar esta corriente en cualquier condicin. Es una funcin de apagar nodo gdidt actual, durante apagar y la temperatura de la unin. 5.5.3 Especificaciones relacionadas con el comportamiento de conmutacin

td, tr,: Estos son a su vez el tiempo de retardo y el tiempo de cada de tensin de nodo, respectivamente. Ambos de ellos se puede reducir con mayor gdidt e IgM para un turno dado en el nodo anddidt tensin, corriente. ton (min): Este es el tiempo mnimo que el GTO requiere establecer actual nodo homognea. Este tiempo es tambin necesario para el GTO de ser capaz de apagar su corriente andica nominal. EON: Es la energa disipada durante cada turno de operacin. Fabricantes especificarlos como funciones de giro en corriente andica para giro diferente en di / dt y EON voltaje nodo se reduce con el aumento de IgM. IFgqm: Es la corriente andica mxima que puede ser repetitiva apagado por una corriente de puerta negativa. Se puede aumentar aumentando el valor de la desviacin hacia la capacitancia snubber que limita el dv / dt en apagar. Una excavacin negativo grande / dt durante apague tambin ayuda a aumentar IFgqm. TS: La ts tiempo de almacenamiento se define como el tiempo entre el inicio de la puerta de la corriente negativa y la disminucin de la corriente de nodo. Alto valor de la curva de corriente del nodo y temperatura de la unin se incrementa, mientras que un gran empuje negativo / dt durante el turno de ella disminuye. tf: Este es el tiempo de cada de corriente del nodo. No puede ser influido por la puerta de control. toff (min): Este es el tiempo mnimo antes de que el GTO puede ser activado de nuevo por una corriente de puerta positivo. Si el dispositivo se vuelve a arrancar durante este tiempo, a su vez localizada sobre puede destruirla. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 16 Eoff: Esta es la energa disipada durante cada turno de operacin del GTO. Aumenta Eoff con aumento de la temperatura de apagado de corriente de nodo y de paso mientras se reduce con apagar la capacitancia snubber. Ejercicio 5.4 Llene los espacios en blanco (s) con la palabra adecuada (s) i. Un GTO puede bloquear clasificar voltaje directo slo cuando la puerta es _______________ sesgado con respecto a la _______________. ii. Un GTO puede operar en la regin inversa _______________ por un corto tiempo. iii. La actual cartera de un GTO es _______________ mucho en comparacin con un tiristor. iv. Despus de una corriente transitoria de la tensin a travs de un GTO se debe reducir a _______________.

v La impedancia de entrada de un ctodo GTO es _______________ mucho en comparacin con un tiristor. vi. El giro en di / dt capacidad de un GTO se puede aumentar la magnitud creciente en _______________ de la corriente de compuerta y _______________ durante enciende. vii. El giro en el tiempo de retardo y tiempo de subida de corriente de un GTO se puede reducir mediante el aumento de la corriente de puerta _______________ y _______________ durante encender. viii. La corriente andica mxima que se puede apagar repetidamente se puede aumentar aumentando el desvo _______________ y _______________ amortiguador negativo. Respuesta: (i) negativamente, el ctodo; (ii) avalancha; ms grande (iii); cero (iv); ms pequeo (v), (vi) pico, dig / dt, (vii) la magnitud, dig / dt, (viii) la capacitancia, dig / dt. Referencia 1) "producto GTO GCT y gua", ABB semiconductores AG, 1997. 2) "Tiristores GTO", Makoto Azuma y Kurata Mamora, Proceedings of the IEEE, vol.76, No. 4, abril 1988, pp 419-427. 3) "Power Electronics", PS, Bimbhra Publlishers Khanna, 1993. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 17 Resumen de la leccin GTO es una capa de cuatro, tres terminales dispositivo controlado por corriente portadora minora. Un GTO se puede activar mediante la aplicacin de un impulso de puerta de corriente positiva cuando est polarizado directamente y apagado mediante la aplicacin de una puerta de corriente negativa. Un GTO tiene un "nodo cortocircuito" y la estructura altamente inter-digitalizada puerta ctodo para mejorar la compuerta apagar el rendimiento. Debido a la presencia de "cortos nodo" un GTO pueden bloquear slo una pequea tensin inversa. Son los llamados "GTO asimtricos". El delantero caractersticas iv de un GTO es similar a la de un tiristor. Sin embargo, tienen corriente relativamente mayor posesin y disparo de la puerta. El giro en di / dt capacidad de un GTO es significativamente mejorada mediante el uso de una mayor tasa de puerta de pico de corriente y gran cantidad de aumento de la corriente de puerta.

 Debido a la participacin relativamente mayor corriente de un GTO una continua corriente de compuerta bajo valor (llamado el porche trasero de corriente) debe inyectarse durante todo el perodo en el GTO. GTO tienen a su vez relativamente bajo de ganancia de corriente. La unidad de puerta GTO unidad debe ser capaz de inyectar grandes corrientes de puerta positivos y negativos con gran tasa de aumento para la conmutacin satisfactorio del dispositivo. Un GTO puede bloquear nominal de tensin slo cuando la unin ctodo puerta est polarizada inversamente. Un GTO puede operar con seguridad en la "avalancha inversa" regin durante un corto tiempo proporcionado la unin ctodo puerta est polarizado inversamente. Los tiempos de retardo de conmutacin y la prdida de energa de un GTO se puede reducir mediante el aumento de la magnitud corriente de puerta y su tasa de subida. La desconexin mximo de corriente del nodo de un GTO se puede aumentar aumentando el desvo capacitancia snubber. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 18 Problemas y Respuestas Prctica Versin 2 EE IIT, Kharagpur 19 1. 2. 3. 4. 5. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 20

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Versin 2 EE IIT, Kharagpur 21

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4. En Versin 2 EE IIT, Kharagpur 22

5. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 23 Mdulo 1 Semiconductores de potencia Versin 2 EE IIT, Kharagpur 1

Leccin 6 Metal Oxide Semiconductor transistor de efecto de campo (MOSFET) Versin 2 EE IIT, Kharagpur 2 Caractersticas de estructura, principio de funcionamiento y las caractersticas de Power Metal Oxide Semiconductor transistor de efecto de campo (MOSFET). Objetivos pedaggicos Al terminar el alumno ser capaz de Diferenciar entre el mecanismo de conduccin de un MOSFET y BJT a. Explicar las caractersticas ms destacadas de construccin de un MOSFET. Dibujar las caractersticas de salida iv de un MOSFET y explicarlo en trminos del principio de funcionamiento del dispositivo. Explicar la diferencia entre el rea de operacin segura de un MOSFET y BJT a. Dibujar las caractersticas de conmutacin de un transistor MOSFET y explicarlo. El diseo del circuito de accionamiento de puerta de un MOSFET. Interpretar la clasificacin del fabricante Hoja de datos de un MOSFET. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 3 6.1 Introduccin Histricamente, los dispositivos semiconductores bipolares (es decir, diodos, transistores, tiristores, tiristores, GTO etc) han sido los ms adelantados en la bsqueda de un interruptor electrnico de potencia ideal. Desde la invencin del transistor, el desarrollo de los interruptores de estado slido con una mayor capacidad de manejo de potencia ha sido de inters para gastar la aplicacin de estos dispositivos. El BJT y el tiristor GTO se han desarrollado en los ltimos 30 aos para servir a la necesidad de la industria de la electrnica de potencia. Su principal ventaja sobre los tiristores han sido la velocidad de conmutacin superior y la capacidad de interrumpir la corriente y sin inversin de la tensin del dispositivo. Todos los dispositivos bipolares, sin embargo, sufren de un conjunto comn de desventajas, a saber, (i) velocidad de conmutacin limitada debido a la redistribucin considerable de portadores de carga minoritarios asociados con cada operacin de conmutacin, (ii) el requisito de control de potencia relativamente grande que complica el diseo del circuito de control . Adems, los dispositivos bipolares no pueden instalarse en paralelo fcilmente. La dependencia de la industria de la electrnica de potencia a los dispositivos bipolares fue impugnada por la introduccin de una nueva tecnologa de puerta MOS dispositivo controlado por el poder en la dcada de 1980. La potencia MOS transistor de efecto de campo (MOSFET)

evolucionaron a partir de la tecnologa de circuitos integrados MOS. El nuevo dispositivo prometido niveles de entrada extremadamente bajo consumo de energa y ninguna limitacin inherente a la velocidad de conmutacin. Por lo tanto, se abri la posibilidad de aumentar la frecuencia de funcionamiento en sistemas electrnicos de potencia que resulta en la reduccin en tamao y peso. Las solicitudes iniciales de ganancia infinita corriente para el MOSFET de potencia eran, sin embargo, se diluy por la necesidad de disear el circuito de excitacin de puerta para dar cuenta de las corrientes de impulsos necesarios para cargar y descargar la capacitancia de entrada alta de estos dispositivos. En la alta frecuencia de operacin de la potencia de accionamiento requerida puerta se convierte en importante. MOSFETs tambin tienen comparativamente mayor en estado resistencia por unidad de rea de la seccin transversal del dispositivo que aumenta con el valor de tensin de bloqueo del dispositivo. Por consiguiente, el uso de MOSFET se ha restringido a baja tensin (menos de aproximadamente 500 voltios) aplicaciones en las que la Resistencia en estado alcanza valores aceptables. Velocidad de conmutacin inherentemente rpido de estos dispositivos puede ser utilizado con eficacia para aumentar la frecuencia de conmutacin ms all de varios cientos de kHz. Desde el punto de vista del principio de funcionamiento de un MOSFET es un dispositivo controlado por voltaje portador mayoritario. Como el nombre sugiere, el movimiento de los portadores mayoritarios en un MOSFET es controlada por la tensin aplicada sobre el electrodo de control (llamado puerta) que est aislada por una capa de xido de metal delgada del cuerpo semiconductor a granel. El campo elctrico producido por la tensin de puerta modular la conductividad del material semiconductor en la regin entre las principales terminales de transporte de corriente llamados el drenaje (D) y la fuente (S). Los MOSFET de potencia, al igual que su homlogo circuito integrado, pueden ser de dos tipos (i) Tipo de agotamiento y (ii) tipo de accesorio. Ambos pueden ser tanto de tipo de canal n o tipo de canal p en funcin de la naturaleza del semiconductor a granel. Fig. 6,1 (a) muestra el smbolo esquemtico de estos cuatro tipos de MOSFETs junto con sus caractersticas de drenaje de corriente de fuente de tensin vs puerta-(caractersticas de transferencia). Versin 2 EE IIT, Kharagpur 4 Gdid SGDID SDID GSDID GSID VGS n-MOSFET de canal tipo agotamiento ID VGS canal p agotamiento typeMOSFET ID VGS n-MOSFET de canal Mejora tipo ID VGS p-MOSFET de canal Mejora tipo (a) (b) Figura 6.1: Diferentes tipos de MOSFET de potencia. (A) Smbolos y caractersticas de transferencia (b) Fotografa de n-MOSFET de canal tipo de mejora. De la Fig. 6,1 (a), se puede concluir que los MOSFET de agotamiento de tipo normalmente en los detectores de es decir, con el terminal de puerta abrir una corriente de drenaje distinto de cero puede fluir en estos dispositivos. Esto no es conveniente en las aplicaciones de electrnica de potencia muchos. Por lo tanto, los MOSFETs de tipo de mejora (en particular de la variedad de canal n) es ms popular para aplicaciones de electrnica de potencia. Este es el tipo de MOSFET que ser discutido en esta leccin. Fig. 6,1 (b) muestra la fotografa de algunos comercialmente disponibles de canal n MOSFET de potencia de tipo de mejora. 6.2 Caractersticas constructivas de un MOSFET de la energa

Como se mencion en la introduccin, MOSFET de la energa es un dispositivo que se desarroll a partir de la tecnologa de circuitos integrados MOS. Los primeros intentos para desarrollar MOSFETs de alta tensin estaban rediseando MOSFET lateral para aumentar su capacidad de voltaje de bloqueo. La tecnologa resultante fue llamado MOS laterales dobles deffused (OGD). Sin embargo, pronto se dieron cuenta de que Versin 2 EE IIT, Kharagpur 5 voltaje mucho mayor detalle y corriente podra lograrse recurriendo a una estructura orientada verticalmente. Desde entonces, DMOS verticales (VDMOS) estructura ha sido adaptada por prcticamente todos los fabricantes de MOSFET de la energa. Un MOSFET de potencia utilizando la tecnologa VDMOS tiene orientado verticalmente estructura de tres capas de la alternancia de tipo p y los semiconductores de tipo n, como se muestra en la Fig. 6,2 (a) que es la representacin esquemtica de una estructura MOSFET sola clula. Un gran nmero de estas clulas estn conectadas en paralelo (como se muestra en la figura 6.2 (b)) para formar un dispositivo completo. FIELDOXIDEn + n + n + n + n + p (cuerpo) p (cuerpo) n(deriva de drenaje) DrainGateconductorGateoxide (a) Conductor SourceFieldoxideGate Versin 2 EE IIT, Kharagpur 6 Las dos capas finales + n etiquetados "Fuente" y "Drain" estn fuertemente dopado con aproximadamente el mismo nivel. El tipo p capa media se denomina el cuerpo (o sustrato) y su nivel de dopaje moderado (2 a 3 rdenes de magnitud menor que n + regiones en ambos lados). La regin de deriva n-drenaje tiene la menor densidad de dopaje. Espesor de esta regin determina la tensin de ruptura del dispositivo. El terminal de puerta se coloca sobre las regiones de tipo N y P de la estructura de la clula y est aislado del cuerpo de semiconductor ser una capa delgada de dixido de silicio (tambin llamado el xido de puerta). La fuente y la regin de drenaje de todas las clulas en una oblea estn conectados a los contactos metlicos mismas para formar la fuente y los terminales de drenaje del dispositivo completo. Del mismo modo todos los terminales de puerta tambin estn conectados juntos. La fuente est construida de muchos (miles) en forma de pequeas reas poligonales que estn rodeados por las regiones de la puerta. La forma geomtrica de las regiones de fuente, a la misma medida, influye en la resistencia estado ON del MOSFET. GSDParasitic BJT MOSFETGSDBody diodeFig. 6,3: BJT parasitaria en una clula MOSFET. n + n + n + n-DBody resistencia propagacin BJTGSp Parasitarias Una caracterstica interesante de la clula MOSFET es que la alterna n + n-p n estructura + incrusta un BJT parasitarias (con su base y el emisor en cortocircuito por la metalizacin de origen) en cada clula MOSFET como se muestra en la figura 6,3. La resistencia distinto de cero entre la base y el emisor de la parasitaria BJT npn surge debido a la resistencia del cuerpo difusin del sustrato de tipo p. En el diseo de las clulas MOSFET se tiene especial cuidado para que esta resistencia se reduce al mnimo y la operacin de conmutacin del BJT parasitarias se suprime. Con un circuito corto efectiva entre el cuerpo y la fuente de la BJT permanecen siempre en cortar y su unin colector-base se representa como un diodo antiparalelo (llamado el diodo de cuerpo) en el smbolo de circuito de un MOSFET de potencia.

6.3 Principio de funcionamiento de un MOSFET A primera vista podra parecer que no hay camino para cualquier flujo de corriente entre la fuente y los terminales de drenaje desde por lo menos una de las uniones pn (fuente - cuerpo y el cuerpo de drenaje-) ser una polarizacin inversa para cualquier polaridad de la aplicada tensin entre la fuente y el drenador. No hay posibilidad de inyeccin de corriente desde el terminal de puerta o bien desde el xido de puerta es un aislante muy bueno. Sin embargo, la aplicacin de una tensin positiva en el terminal de puerta con respecto a la fuente se secreta de la superficie de silicio por debajo de la puerta de xido en una capa de tipo n o "canal", lo que conecta la fuente al drenaje como se explica a continuacin. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 7 La regin de la puerta de un MOSFET que se compone de la metalizacin de puerta, la puerta (silicio) y la capa de xido de silicio p-cuerpo forma un condensador de alta calidad. Cuando un pequeo voltaje es de aplicacin a esta estructura de condensador con terminal de puerta positivo con respecto a la fuente (nota que el cuerpo y la fuente estn en cortocircuito) se forma una regin de agotamiento en la interfaz entre el SiO2 y el silicio como se muestra en la figura 6.4 (a). + + + + + + + + + + + Puerta Electrodo layerboundary agotamiento. Electrodo fuente Si02 ionizada acceptorVGS1n + np (a) + + + + + + + + + + + Puerta Electrodo layerboundary agotamiento. Fuente Electrodo Si02 ionizada n acceptorVGS2 + np (b) Electrn libre VGS2> Vgs1 Version 2 EE IIT, Kharagpur 8 + + + + + + + + + + + Puerta Electrodo layerboundary agotamiento. Electrodo Fuente Si02 n ionizada acceptorVGS3 + np (c) VGS3> VGS2> Vgs1 Inversin layerwith electronsFig libre. 6.4: Control de puerta de la conduccin del MOSFET. (A) El agotamiento formacin de la capa; (b) la acumulacin de electrones libres, (c) Formacin de capa de inversin. La carga positiva inducida en la metalizacin puerta repele los portadores mayoritarios agujero de la regin de interfase entre el xido de la puerta y el cuerpo de tipo p. Esto expone a los aceptores de carga negativa y una regin de agotamiento se crea.

El aumento posterior en VGS provoca la capa de agotamiento de crecer en espesor. Al mismo tiempo, el campo elctrico en la interfase xido-silicio se hace ms grande y comienza a atraer electrones libres, como se muestra en la figura 6.4 (b). La fuente inmediata de electrones es electrn-hueco generacin por ionizacin trmica. Los agujeros son repelidos en la mayor parte de semiconductores por delante de la regin de agotamiento. Los agujeros adicionales son neutralizados por los electrones de la fuente. Como VGS aumenta an ms la densidad de electrones libres en la interfase se vuelve igual a la densidad del agujero libre en la mayor parte de la regin del cuerpo ms all de la capa de agotamiento. La capa de electrones libres en la interfase se llama la capa de inversin y se muestra en la Fig. 6,4 (c). La capa de inversin tiene todas las propiedades de un semiconductor de tipo n y es una va conductora o "canal" entre el drenaje y la fuente que permite el flujo de corriente entre el drenaje y la fuente. Dado que la conduccin actual de

este dispositivo se realiza a travs de un n-tipo "canal", creada por el campo elctrico debido a la tensin puerta-fuente se denomina "tipo de mejora n-MOSFET de canal". El valor de VGS en el que se considera que la capa de inversin que se han formado se llama el "Gate - Fuente de tensin de umbral VGS (th)". Como VGS se incrementa ms all de VGS (th) de la capa de inversin obtiene algo de lo ms grueso y ms conductivo, ya que la densidad de electrones libres se incrementa an ms con el aumento de VGS. La capa de inversin pantallas de agotamiento de la capa adyacente a la misma desde VGS crecientes. El espesor de la capa de empobrecimiento ahora se mantiene constante. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 9 Ejercicio 6.1 (despus de la seccin 6.3) 1. Llene los espacios en blanco (s) con la palabra adecuada (s) i. Un MOSFET es un dispositivo controlado ________________ ________________ portador. ii. MOSFETs de tipo de mejoras son normalmente dispositivos ________________ mientras MOSFETs agotamiento de tipo son normalmente dispositivos ________________. iii. El terminal de puerta de un MOSFET est aislado del semiconductor por una capa delgada de ________________. iv. La clula incorpora un MOSFET ________________ parsito en su estructura. V. El voltaje de puerta-fuente en la que se forma la capa ________________ en un MOSFET se llama el voltaje ________________. vi. El espesor de la capa de ________________ permanece constante al voltaje de puertafuente se aumenta la tensin de Byond ________________. Respuesta: (i) la tensin, mayor, (ii) OFF, ON, (iii) SiO2, (iv) BJT, (v) umbral de inversin, y (vi) umbral de agotamiento,. 2. Cules son las principales diferencias constructivas entre un MOSFET y BJT a? Qu efecto tienen sobre el mecanismo de conduccin de corriente de un MOSFET? Respuesta: Un MOSFET como un BJT se alternan capas de semiconductores tipo py n. Sin embargo, a diferencia de BJT del tipo p regin del cuerpo de un MOSFET no tiene una conexin elctrica externa. El terminal de puerta est aislada para el semiconductor por una capa delgada de SiO2. El cuerpo mismo est en cortocircuito con n + Tipo de fuente de la metalizacin de origen. As, la inyeccin de portadores minoritarios a travs de la interfaz de origen de cuerpo se impide. De conduccin en un MOSFET se produce debido a la formacin de una alta densidad n del tipo de canal en la regin del cuerpo de tipo p debido al campo elctrico producido por la tensin de compuerta-fuente. Este canal tipo n se conecta n tipo de fuente + y regiones de drenaje. Conduccin de corriente tiene lugar entre el drenaje y la fuente a travs de este canal debido a flujo de electrones (portadores mayoritarios solamente). Donde como en un BJT, la conduccin de corriente se produce debido a la inyeccin de portadores minoritarios a travs de la unin base-emisor. As, un MOSFET es un

dispositivo controlado por voltaje portador mayoritario, mientras que un BJT es un portador minoritario dispositivo bipolar. 6.4 El estado estable de salida iv caractersticas de un MOSFET El MOSFET, como el BJT es un dispositivo de tres terminales donde el voltaje en el terminal de puerta controla el flujo de corriente entre los terminales de salida, fuente y drenador. El terminal fuente es comn entre la entrada y la salida de un MOSFET. Las caractersticas de salida de un MOSFET es entonces un trazado de la corriente de drenaje (ID) como una funcin de la tensin de drenaje-fuente (VDS) con fuente de tensin de puerta (VGS) como un parmetro. Fig. 6,5 (a) muestra las caractersticas de tal. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 10 Electrnica Drift Velocity ElectricField (c) Identificacin del VGS VGS (th) Fuente regin de resistencia Drainresistancen + n-p (b) n + Drift regin resistanceChannel resistencia iD DGS fig. 6.5: Salida iv caractersticas de un MOSFET de potencia (a) caractersticas iv, (b) los componentes de la resistencia en el estado ON, (c) Desviacin de electrones vs velocidad del campo elctrico, (d) la transferencia de Corte (VGS <VGS (th)) Vgs1 Vgs2 VGS3 VGS4 VGS5 VGS6 aumento VGS VGS VGS - (t) = VDS Activo [VGS-VGS (th)] <VDS hmica RDS (on) iD VDSS vDS (a) (d) Con voltaje de puerta-fuente (VGS) por debajo de la tensin de umbral (VGS (th)) el MOSFET funciona en el modo de corte. No hay corrientes de fuga de corriente en este modo y la aplicacin de drenaje-fuente de tensin (VDS) es compatible con la unin cuerpo-colector pn. Por lo tanto, el voltaje mximo aplicado debe ser inferior a la tensin de avalancha romper de este cruce (VDSS) para evitar la destruccin del dispositivo. Cuando VGS se incrementa ms all de Vgs (th) Consumo de corriente empieza a fluir. Para valores pequeos de VDS (VDS <(VGS - Vgs (th)) iD es casi proporcional a vDS consecuencia de este modo de operacin se denomina "modo hmico" de la operacin en aplicaciones de electrnica de potencia un MOSFET se maneja en la corte.. o en el modo hmico La pendiente de la VDS -. iD caractersticas de este modo se llama la Resistencia en estado activo del MOSFET (RDS (on)) Varias resistencias fsicas, como se muestra en la Figura 6.5 (b) contribuir a RDS (on). . Tenga en cuenta que RDS (ON) se reduce con el aumento de la vGS. Esto se debe principalmente a la reduccin de la resistencia del canal a un mayor valor de Versin 2 EE IIT, Kharagpur 11 VGS. Por lo tanto, es deseable en aplicaciones de electrnica de potencia, para usar como un gran voltaje de puerta-fuente posible, sujeta a la dielctrico romper lmite de la capa de puerta-xido. Al valor an mayor de VDS (VDS> (VGS - VGS (th)) el iD -. Caractersticas VDS se desva de la relacin lineal de la regin hmica y por unos vGS dadas, iD tiende a saturar con el aumento de vDS El mecanismo exacto detrs esto es ms bien complejo. Ser suficiente indicar que, en mayor drenaje de corriente de la cada de tensin en la resistencia del canal tiende a disminuir la anchura del canal en el extremo de drenador de capa de deriva. Adems, en gran valor del

campo elctrico, producida por la drenaje grande - voltaje de la fuente, la velocidad de deriva de los electrones libres en el canal tiende a saturarse como se muestra en la Fig. 6,5 (c) Como resultado, la corriente de drenaje se vuelve independiente de VDS y determinado nicamente por la puerta -.. vGS de fuente de voltaje Esto es el modo activo de funcionamiento de un MOSFET. teora simple, de primer orden predice que la regin activa en la corriente de drenaje est dado aproximadamente por 2DGSGSi = K (v-v (t)) (6,1) Donde K es una constante determinada por la geometra del dispositivo. En el lmite entre la hmico y la regin activa DSGSGSv = v-v (t) (6,2) Por lo tanto, 2DDSi = Kv (6,3) La ecuacin (6,3) se muestra por una lnea de puntos en la figura 6,5 (a). La relacin de la ecuacin (6,1) se aplica razonablemente bien con los MOSFET de nivel lgico. Sin embargo, para los MOSFET de potencia las caractersticas de transferencia (ID vs VGS) es ms lineal, como se muestra en la Fig. 6,5 (d). En este punto, la similitud de las caractersticas de salida de un MOSFET con la de un BJT debera ser evidente. Ambos tienen tres modos distintos de funcionamiento, a saber, (i) cortar, (ii) activos y (iii) los modos de saturacin para hmicas (BJT). Sin embargo, hay algunas diferencias importantes tambin. A diferencia de BJT un MOSFET de potencia no sufre segundo descomponen. La ruptura primario baja tensin de un MOSFET sigue siendo igual en el corte y en los modos activo. Esto debe ser contrastado con tres voltajes de interrupcin diferente abajo (VSUS, VCEO y VCBO) de un BJT. La resistencia del estado ON de un MOSFET en la regin hmica tiene coeficiente de temperatura positivo, que permite poner en paralelo MOSFET sin ningn arreglo especial para compartir la corriente. Por otro lado, VCE (SAT) de un BJT tiene coeficiente de temperatura negativo de hacer la conexin en paralelo de los BJT ms complicados. Como en el caso de un BJT los lmites de funcionamiento de un MOSFET se compacta representados en un rea de funcionamiento seguro (SOA) diagrama, como se muestra en la figura 6,6. Como en el caso de la FBSOA de un Versin 2 EE IIT, Kharagpur 12 BJT el SOA de un MOSFET se representa en un grfico log-log. En la parte superior, el SOA est limitado por el valor absoluto mximo admisible de la corriente de drenaje (IDM), que no se debe exceder, incluso bajo condiciones de funcionamiento por impulsos. A la izquierda, la restriccin opera surgir debido al valor no cero de RDS (on) correspondiente a Vgs = VGS (Max). A la derecha, la primera restriccin operativa es debido al lmite en el mximo aumento admisible temperatura de la unin que depende de la disipacin de potencia en el interior del

MOSFET. Este lmite es diferente para DC (continua) y de la operacin pulsada de anchos de pulso diferentes. Como en el caso de un BJT las reas pulsadas operativos seguros son tiles para la configuracin de la trayectoria de conmutacin de un MOSFET. Un MOSFET no sufre "rotura segunda oportunidad" y no hay lmite de operacin correspondiente aparece en la SOA. El lmite de funcionamiento definitivo a la extrema derecha de la SOA surge debido a la tensin mxima permisible fuente de drenaje (VDSS), que se decide por la avalancha romper la tensin de la unin de drenaje del cuerpo pn. Este es un lmite instantneo. No hay distincin entre el sesgada hacia adelante y los SOAs polarizacin inversa para el MOSFET. Ellos son idnticos. Log (iD) IDM limitar la disipacin Max.Power (Timax) breakdownlimitFig 10-10-4 seg 5 seg 103seg Tensin primaria. 6.6: rea de operacin segura de un MOSFET. DC RDS (on) lmite (VGS = VGS (max)) Log (VDS) VDSS Debido a la presencia de la "diodo cuerpo" paralelo anti, un MOSFET no puede bloquear cualquier tensin inversa. El diodo de cuerpo, sin embargo, puede conducir una corriente RMS igual a IDM. Tambin cuenta con una capacidad de aumento sustancial de conduccin de corriente. Cuando una polarizacin inversa puede bloquear una tensin igual a VDSS. Para un funcionamiento seguro de un MOSFET, el lmite mximo de la tensin de fuente de puerta (VGS (Max)) debe ser observado. Si se supera este lmite de tensin causar dielctrico descomposicin de la capa de xido de puerta delgado y el fracaso permanente del dispositivo. Cabe sealar que incluso carga esttica inadvertidamente poner en el xido de la puerta por la manipulacin descuidada puede destruirla. El usuario del dispositivo debe a s mismo a tierra antes de manipular cualquier MOSFET para evitar cualquier problema relacionado con cargo esttico. Ejercicio 6.2 Llene los espacios en blanco (s) con la palabra adecuada (s) i. Un MOSFET funciona en el modo ________________ cuando VGS <VGS (th) Versin 2 EE IIT, Kharagpur 13 ii. En la regin hmica de funcionamiento de un MOSFET vGS - VGS (th) es mayor que ________________. iii. RDS (on) MOSFET de ________________ con vGS crecientes. iv. En la regin de funcionamiento activo de la iD corriente de drenaje es una funcin de ________________ solo y es independiente de ________________. v La ruptura principal por la tensin de MOSFET es ________________ de la corriente de drenaje. vi. A diferencia de un BJT MOSFET no sufre ________________. vii. ________________ Coeficiente de temperatura de RDS (on) MOSFETs de facilitar ________________ fcil de los dispositivos.

viii. En un MOSFET de la energa de la nave de la relacin entre la ID y VGS - VGS (th) es casi ________________ en el modo activo de funcionamiento. ix. El rea de funcionamiento seguro de un MOSFET est restringido en el lado izquierdo por el lmite de ________________. Respuesta: (i) Corte, (ii) vDS, (iii) disminuye, (iv) VGS, VDS, (v) independientes, (vi) segundo quiebre abajo, (vii) positivos, en paralelo, (viii) lineales ( ix) RDS (on); 6,5 caractersticas de conmutacin de un MOSFET 6.5.1 Modelos de circuito de una clula MOSFET Como cualquier dispositivo de semiconductores de potencia otro un MOSFET se utiliza como un interruptor en todos los convertidores electrnicos de potencia. Como un interruptor MOSFET opera ya sea en el modo de corte (apagado) o en el modo hmico (interruptor). Al hacer la transicin entre estos dos estados que atraviesa a travs de la regin activa. Al ser un dispositivo portador mayoritario el proceso de conmutacin en un MOSFET no implica ningn retraso inherente debido a la redistribucin de los portadores de carga minoritarios. Sin embargo, la formacin del canal de conduccin de un MOSFET y su desaparicin requieren la carga y descarga de la capacitancia de la puerta-fuente que contribuye a los tiempos de conmutacin. Hay varios condensadores de otros en una estructura MOSFET que tambin estn implicados en el proceso de conmutacin. A diferencia de los dispositivos bipolares, sin embargo, estos tiempos de conmutacin puede ser controlado completamente por el diseo del circuito de puerta de accionamiento. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 14 CGD CGD1 CGD2 VGS idealizadas reales - VGS (th) = VDS VDS (b) CGS GDSCGD (cortar) CGS GDSCGD iD = f (VGS) (Activo) GDSCGD CGS RDS (ON) (hmica) (c) Figura. 6.7: modelo de circuito de un MOSFET (a) capacitancias MOSFET (b) Variacin de los modelos EGC con VDS circuito (c). Escurrir bodydepletion capa de n + n-P (A) + n CGD DGS Fig. 6,7 (a) muestra tres capacitancias importantes inherentes a una estructura MOSFET. El condensador ms prominente en una estructura MOSFET est formado por la capa de xido de puerta entre la puerta y la metalizacin n + la regin de fuente de tipo. Tiene el mayor valor (unos pocos nano faradios) y se mantiene ms o menos constante para todos los valores de VGS y VDS. El condensador ms grande prxima (unos pocos cientos de pico hacia delante) est formado por el desage - regin del cuerpo agotamiento directamente debajo de la puerta de metalizacin en la regin de deriva n-drenaje. Siendo una capacitancia capa de agotamiento su valor es una funcin fuerte de la tensin de fuente de drenaje vDS. Para valores bajos de VDS (VDS <(VGS - VGS (th))) el valor de la EGC (CGD2) es considerablemente mayor que su valor para gran vDS como se muestra en la figura 6.7 (b). Aunque la variacin de CGD entre CGD1 CGD2 es continua y un cambio en el valor de CGD en VDS = VGS - Vgs (th) se supone por simplicidad. La capacitancia de valor ms bajo se forma entre el drenaje y los terminales de origen debido a la fuga - capa de agotamiento cuerpo de distancia de la puerta de metalizacin y por debajo de la fuente de metalizacin. Aunque esta capacidad es importante para algunas consideraciones de diseo (como el diseo de amortiguador, etc

conmutacin de voltaje cero), no afecta apreciablemente la "conmutacin dura" rendimiento de un MOSFET. En consecuencia, ser descuidado en nuestra discusin. A partir de la versin 2 EE IIT, Kharagpur 15 por encima de la discusin y las caractersticas de estado estable de un MOSFET de modelos de circuitos de un MOSFET en tres modos de funcionamiento pueden extraerse como se muestra en la Fig. 6,7 (c). 6.5.2 Conmutacin de formas de onda El comportamiento de conmutacin de un MOSFET se describir en relacin con el circuito inductivo sujeta mostrada en la figura 6,8. Por simplicidad la corriente de carga se supone que permanece constante durante el intervalo de conmutacin pequeo. Tambin el diodo DF se supone que es ideal sin corriente de recuperacin inversa. La puerta se supone que est impulsado por una fuente de tensin ideal dando una tensin de paso entre cero y VGG en serie con una resistencia Rg puerta externa. VD DF si IO VGG Rg CGD CGS iDVDS ig +-fig. 6.8: Sujeta circuito inductivo conmutacin utilizando un MOSFET. + Para apagar el MOSFET en adelante, los cambios de voltaje de excitacin de puerta de cero a VGG. La fuente de voltaje puerta, que era inicialmente cero comienza a elevarse hacia VGG con una constante de tiempo 1 = Rg (CGS + CGD1) como se muestra en la figura 6,9. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 16 VGG ttttig iD, si 2 = Rg (CGS + CGD2) iD 2 I0ros tonelada (ON) VGS VGS (th VGSI0) igI0 VDS gggVR 1 = Rg (CGS + CGD1) 1 gggVR-I0 I0 igI0 si si iD toff td (off) trvi TRV2 tfi tdON tri tfv1 tfv2 fig. 6.9: Sw Tenga en cuenta que durante este periodo la tensin de drenaje vDS se sujeta a la tensin de alimentacin VD a travs del diodo de rueda libre DF. Por lo tanto, CGS y CGD se puede suponer que se conecta en paralelo con eficacia. Una parte de la puerta de corriente total CGS ig cargos mientras se descarga la parte otros CGD. Hasta que llega vGS Vgs (th) no drenar la corriente fluye. Este perodo de tiempo se denomina tiempo de subida demora (td (ON)). Tenga en cuenta que td (ON) puede ser controlado mediante el control de Rg. Byond td (ON) iD se incrementa linealmente con VGS y en un tiempo ms tri (tiempo de subida actual) llega a Io. El valor correspondiente de vGS ig y se marcan como VGS Io y ig Io respectivamente en la figura 6,9. En este punto, la corriente de carga completa se ha transferido a la MOSFET de la DF diodo de rueda libre. iD no aumenta Byond este punto. Dado que en la ID de la regin activa y vGS estn relacionadas linealmente, tambin se convierte en vGS fija en el valor vGSIo. La puerta actual ig ahora las descargas CGD y la tensin de drenaje empieza a caer. () () GGGGSoDSGSGDGDGDGDgiV-VIdddv = v + v = v == 6.4dtdtdtCCR Version 2 EE IIT, Kharagpur 17

La cada de VDS se produce en dos intervalos distintos. Cuando el MOSFET est en la regin activa (VDS> (VGS -.. VGS (th)) CGD = CGD1.Since CGD1 << CGD2, vDS cae rpidamente Este tiempo de cada rpida de vDS est marcado en la figura tfv1 6,9 Sin embargo, una vez en la regin hmica, CGD = CGD2 >> CGD1. Por lo tanto, la velocidad de cada de VDS disminuye considerablemente (tfv2). vDS Una vez que llegue a su valor de estado en (RDS (on) Io) vGS queda suelta y se incrementa hacia VGG con una constante de tiempo 2 = Rg (CGS + CGD2). Tenga en cuenta que todos los periodos de conmutacin se puede reducir por VGG aumentando o / y Rg decreciente. El giro total en el tiempo es TON = td (EN) + tri + + tfv1 tfv2. Para apagar el MOSFET OFF, VGG se reduce a cero activar el proceso inverso exacto de la vuelta a tomar su lugar. Las formas de onda correspondiente y los intervalos de conmutacin se muestran en la Figura 6.9. El giro total de tiempo toff = td (off) + + TRV1 TRV2 + tfi. 6.5.3 MOSFET Gate Drive MOSFET, que es un dispositivo controlado por tensin, no requiere una puerta de corriente continua para mantenerlo en el estado ON. Sin embargo, se requiere para cargar y descargar la compuerta-fuente y los condensadores de drenaje de puerta en cada operacin de conmutacin. Los tiempos de conmutacin de un MOSFET depende esencialmente de la velocidad de carga y descarga de estos condensadores. Por lo tanto, si la carga rpida y descarga de un MOSFET se desea a la frecuencia de conmutacin rpida que la unidad de puerta requisito de potencia puede ser significativo. Fig. 6,10 (a) muestra un circuito de puerta de accionamiento tpico de un MOSFET. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 18 Nivel lgico impulso de puerta VGG VD RG R1Q1 Q2 Q3 (a) VGG 1G1RR + ( +1) VGG GR (b) VD DF IL GSDB RB (c) GRRS D RG (d) Fig. 6.10: puerta MOSFET circuito. (A) Puerta de circuito de control, (b) Circuito equivalente durante encender y apagar, (b) Efecto de la BJT parasitarias, (d) la conexin en paralelo de los MOSFET. Para apagar el MOSFET de la entrada de nivel lgico en el bfer de inversin est en estado alto para que el transistor Q3 se apaga y se enciende Q1. El circuito de la parte superior de la figura 6,10 (b) muestra el circuito equivalente durante enciende. Tenga en cuenta que, durante su vez en Q1 permanece en la regin activa. La resistencia de puerta efectivo es RG + R1 / (1 + 1). Cuando, 1 es la ganancia de corriente continua de Q1. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 19 Para apagar el MOSFET de la entrada de nivel lgico est en estado bajo. Q3 y Q2 se enciende Q1 todo se apaga. El circuito equivalente correspondiente est dada por el circuito inferior de la figura 6,10 (b) El tiempo de conmutacin del MOSFET se puede ajustar por la eleccin de un valor apropiado de RG. La reduccin de RG se encajona la velocidad de conmutacin del MOSFET. Sin embargo, se debe tener precaucin al tiempo que aumenta la velocidad de conmutacin del MOSFET para no encender el BJT parasitarias en la estructura MOSFET inadvertidamente. La capacitancia de drenaje-fuente (CDS) est conectado realmente a la base del BJT parasitarias

en la regin del cuerpo de tipo p. La fuente de cuerpo corto tiene algo de resistencia no nula. Una muy rpido aumento de voltaje drenador-fuente enviar desplazamiento de corriente suficiente a travs de CDS y RB, como se muestra en la figura 6,10 (c). La cada de voltaje a travs de RB puede ser suficiente para encender el BJT parasitarias. Este problema se evita en gran parte en un diseo moderno MOSFET mediante el aumento de la eficacia de la breve cuerpo de cdigo. Los dispositivos son ahora capaces de DVDs / dt superiores a 10.000 V / ms. Por supuesto, este problema tambin se puede evitar reduciendo la velocidad de conmutacin de MOSFET. Desde MOSFET Resistencia en estado tiene coeficiente de temperatura positivo que pueden poner en paralelo sin tomar ninguna precaucin especial para el uso compartido de corriente igual. Para paralelo dos MOSFETs los terminales de drenaje y fuente estn conectados entre s como se muestra en la figura 6,10 (d). Sin embargo, pequeas resistencias (R) estn conectados a puertas individuales antes de unirlos. Esto es debido a que las entradas de la puerta son altamente capacitivo casi sin prdidas. Algunos inductancia parsita de cableado sin embargo pueden estar presentes. Esta inductancia parsita y la capacitancia MOSFET puede dar lugar a oscilaciones no deseadas de alta frecuencia de la tensin de puerta que puede dar lugar a perforacin de la capa qxide puerta debido al incremento de la tensin durante las oscilaciones. Esto se evita con la resistencia de amortiguacin R. Ejercicio 6.3 1. Llene los espacios en blanco (s) con la palabra adecuada (s) i. La capacitancia puerta-fuente de un MOSFET es el ________________ entre los tres capacitancias. ii. La capacitancia de transferencia de puerta-drenaje de un MOSFET tiene valor grande en la regin ________________ y valor pequeo de la regin ________________. iii. Durante el giro en el tiempo de retardo de la puerta MOSFET de voltaje de la fuente se eleva desde cero hasta el voltaje ________________. iv. El tiempo de cada de tensin de un MOSFET es ________________ proporcional a la resistencia de la puerta de carga. v A diferencia de BJT los tiempos de retardo de conmutacin en un MOSFET se puede controlar mediante el diseo apropiado del circuito ________________. Respuesta: (i) el mayor, (ii) hmica, activos, (iii) Umbral, (iv) la inversa, (v) control de puerta. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 20 2. Un MOSFET de la energa tiene los siguientes datos CGS = 800 pF, 150 pF = CGD, gf = 4; Vgs (th) = 3 V; Se utiliza para conmutar una carga inductiva sujeta (Fig. 6,8) de 20 amperios con una tensin de alimentacin VD = 200V. La tensin de control de puerta se VGG = 15V, y Rg = 50 resistencia puerta. Averige valor mximo de ddidt y DSdvdt durante encender.

Respuesta: Durante el turno de () Dfgsgsigv-v (t) gsDfdvdi = gdtdt Pero () gsgggsGSGDgdvV-VC + C = DTR () () GsDffggGSGDdvdig = g = V-vdtdtRC + C () () () () fgggsDfgggsMinMaxgGSGDgGSGDgV-v (t) = Vv = dig dtRC + CDN + C DgsgsDdisince para v <v (t) i == 0DT () 9D-12Maxdi4 = 15-3 = 1,01 10Asecdt50 950 10 De la ecuacin (6,4) ggGSoDSGDgV-V, R = DTC Idv Por Io = 20 A, vgs (t) = 3V, y gf = 4 oGSogsfI20V, I = + v (t) = +3 = 8 voltsg4 6DS-12dv15-8 == 933 10 10Vsec.dt150 50 6.6 Clasificaciones MOSFET Steady lmites de funcionamiento de estado de un MOSFET se suelen especificar de forma compacta como un rea de operacin segura (SOA) diagrama. Los siguientes lmites se especifican. VDSS: Este es el drenaje-fuente romper la tensin. Si se supera este lmite va a destruir el dispositivo debido a avalancha de romper la unin cuerpo-drenaje pn. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 21 IDM: Esta es la corriente mxima que no debe ser sobrepasado, incluso bajo condiciones de impulsos de funcionamiento actual con el fin de evitar daos permanentes a los cables de unin. Lmites de potencia de disipacin continua y pulsada: Se indican el valor mximo permitido de la VDS, Identificacin del producto para la duracin del pulso se muestra en contra de cada lmite. Sobrepasar estos lmites puede causar la temperatura de la unin a subir ms all del lmite aceptable. Todos los lmites de operacin segura de la zona se especifican a una temperatura caso dado. Adems, varios parmetros importantes con respecto al rendimiento dinmico del dispositivo tambin se especifican. Estos son Tensin de umbral de la puerta (VGS (th)): El MOSFET permanece en la regin de corte cuando vGS en debajo de este voltaje. VGS (th) disminuye con la temperatura de la unin. Fuente de drenaje en la resistencia del estado (RDS (on)): Esta es la pendiente de la iD Caractersticas VDS en la regin hmica. Su valor disminuye con el aumento vGS y aumenta

con la temperatura de la unin. RDS (on) determina la prdida de estado de energa en ON en el dispositivo. Transconductancia directa (gfs): Es la relacin de iD y (VGS - Vgs (th)). En un circuito MOSFET de conmutacin determina el nivel de voltaje de sujecin de la puerta - fuente de tensin y por lo tanto influye en DVD / dt durante encender y apagar. Puerta-fuente tensin de ruptura: Si se supera este lmite va a destruir la estructura de la puerta del MOSFET dielctrico debido a la descomposicin de la capa de xido de la puerta. Cabe sealar que este lmite puede por superado incluso por deposicin de carga esttica. Por lo tanto, la precaucin se debe tener especial mientras que la entrega MOSFETs. Capacitancias de entrada, de salida y de transferencia inversa (CGS, CGD y CDS): El valor de estas capacidades se especifican en un momento dado de drenaje-fuente y el voltaje compuerta-fuente. Ellos son tiles para disear el circuito de accionamiento de puerta de un MOSFET. Adems del MOSFET principal, las especificaciones relativas a la "diodo cuerpo" tambin se proporcionan. Las especificaciones dadas son Invierta romper voltaje: Este es el mismo que VDSS Permanece encendido actual estado (ES): Este es el valor RMS de la corriente continua que puede fluir a travs del diodo. Pulsado ENCENDIDO estado actual (ISM): Este es el valor mximo admisible de RMS del estado ON corriente a travs del diodo dada como una funcin de la duracin del pulso. Cada de tensin directa (Vf): Teniendo en cuenta como una funcin instantnea de la corriente directa del diodo. Invierta el tiempo de recuperacin (trr) y la corriente de recuperacin inversa (TIR): Se especifican como funciones del diodo actual justo antes recuperacin inversa y su pendiente decreciente (DIF / dt). Versin 2 EE IIT, Kharagpur 22 Ejercicio 6.4 Llene los espacios en blanco (s) con la palabra adecuada (s) i. La tensin mxima que un MOSFET puede con stand es ________________ de la fuga de corriente. ii. El FBSOA y RBSOA de un MOSFET son ________________. iii. La fuente de tensin de umbral de puerta de un MOSFET con ________________ temperatura de la unin, mientras que el ________________ estado de resistencia con temperatura de la unin. iv. El xido de puerta de un MOSFET puede ser daado por la electricidad ________________.

v La ruptura inversa descendente de la tensin del diodo de cuerpo de un MOSFET es igual a ________________ mientras que su valoracin RMS corriente de avance es igual a ________________. Respuesta: (i) independiente; (ii) idnticos, (iii) disminuye, aumenta, (iv) estticas, (v); VDSS IDM. Referencia [1] "La evolucin de la tecnologa MOS-Bipolar semiconductor de potencia", B. Jayant Baliga, Proceedings of the IEEE, vol.76, n 4, abril de 1988. [2] "Electrnica de Potencia, Demanda Convertidores y Diseo" Third Edition, Mohan, Undeland, Robbins. John Wiley & Sons Publishers 2003. [3] GE - MOSFET de la energa hoja de datos. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 23 Resumen de la leccin MOSFET es un dispositivo controlado por voltaje portador mayoritario. un MOSFET de potencia tiene una estructura vertical de capas alternas py n. Los principales terminales de transporte de corriente de un MOSFET de canal n modo de mejora se llama el drenaje y la fuente y se componen de semiconductores tipo n +. El terminal de control se llama la puerta y est aislado forma el semiconductor a granel por una fina capa de SiO2. Tipo de cuerpo semiconductor p + n separa tipo de fuente y drenaje regiones. Un canal de conduccin de tipo n se produce en la regin del cuerpo de tipo p cuando un voltaje positivo mayor que un umbral de voltaje se aplica a la puerta. conduccin de corriente en un MOSFET se produce por flujo de electrones desde la fuente al drenaje a travs de este canal. Cuando el voltaje de la fuente es la puerta por debajo del nivel umbral de un MOSFET permanece en el "cortar" la regin y no realiza ninguna corriente. Con vGS> Vgs (th) y VDS <(VGS - Vgs (th)), el consumo de corriente en un MOSFET es proporcional a VDS. Esta es la "regin hmica" de las caractersticas del MOSFET de salida. Para grandes valores de VDS la corriente de drenaje es una funcin de Vgs solo y no depende de VDS. Esto se conoce como la "regin activa" del MOSFET. En aplicaciones de electrnica de potencia MOSFET una opera en el "cortado" y las regiones hmicos solamente.

 La resistencia en estado de un MOSFET (VDS (ON)) tiene un coeficiente de temperatura positivo. Por lo tanto, los MOSFETs pueden ser fcilmente en paralelo. Un MOSFET no sufre segundo descomponen. El rea de funcionamiento seguro (SOA) de un MOSFET es similar a la de un BJT, excepto que no tiene un descanso segundo lmite hacia abajo. A diferencia de BJT la mxima capacidad de soportar la tensin directa de un MOSFET no depende de la corriente de drenaje. El rea de operacin segura de un MOSFET no cambia bajo para adelantar o retroceder condiciones de polarizacin. El desage - unin cuerpo en una estructura MOSFET constituyen un diodo anti-paralelo conectado entre la fuente y el drenador. Esto se llama el MOSFET "cuerpo -. Diodo" El diodo cuerpo de un MOSFET tiene el mismo descanso por voltaje y corriente directa como el MOSFET principal. Los retardos de conmutacin en un MOSFET se deben a la carga y descarga finito momento de la entrada y condensadores de salida. Tiempos de conmutacin de MOSFET puede ser controlado completamente por el diseo externo de control de puerta. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 24 El condensador de entrada junto con la resistencia de excitacin de puerta determinar el aumento de corriente y el tiempo de cada de un MOSFET durante la conmutacin. El condensador de transferencia (CGD) determina el aumento de tensin de drenaje y bajada. RDS (on) MOSFET de la Determinacin de las prdidas de conduccin durante SOBRE perodo. RDS (on) se reduce con mayores vgs. Por lo tanto, para minimizar la conduccin de energa vgs prdida mxima admisible deben ser utilizados con sujecin a romper dielctrico de la capa de xido de la puerta. La capa de xido de puerta puede ser daado por la electricidad esttica. Por lo tanto MOSFETs debe ser manejado slo despus de descargar un auto a travs de conexin a tierra adecuada. Para la clasificacin de voltaje similar, un MOSFET tiene una prdida de conduccin relativamente mayor y menor prdida de conmutacin en comparacin con un BJT. Por lo tanto, los MOSFETs son ms populares para alta frecuencia (> 50 kHz) de baja tensin (<100 V) circuitos. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 25

Problemas y Respuestas Prctica Versin 2 EE IIT, Kharagpur 26 Problemas de la prctica 1. Cmo espera que la capacitancia fuente compuerta de un MOSFET de Varry con tensin de puerta de origen. Explique su respuesta. 2. La capa de xido de puerta de un MOSFET es 1000 Angstrom de espesor Suponiendo una ruptura intensidad de campo de 5 106 V / cm y un factor de seguridad de 50%, averiguar la fuente de tensin mxima permisible de la puerta. 3. Explicar por qu en un circuito de voltaje MOSFET de conmutacin de alta tensin de la subida y el tiempo de cada es siempre mayor que la cada de corriente y tiempos de subida. 4. Un MOSFET tiene los siguientes parmetros VGS (th) = 3V, gfs = 3, CGS = 800 PF, CGD = 250 PF. El MOSFET se utiliza para conmutar una carga inductiva de 15 amperios de suministro de 150V. La frecuencia de conmutacin es 50 kHz. El circuito excitador de puerta tiene un voltaje de excitacin de 15V y la resistencia de salida de 50. Descubre las prdidas de conmutacin en el MOSFET. Versin 2 EE IIT, Kharagpur 27 Respuesta a los problemas de la prctica 1. Cuando el voltaje de puerta es cero el espesor de la capacitancia de la puerta-fuente es aproximadamente igual al espesor de la capa de xido de puerta. A medida que la tensin de la fuente compuerta aumenta la anchura de la capa de empobrecimiento en la regin del cuerpo tambin aumenta p. Puesto que la capa de agotamiento es una regin de cargas inmviles que en efecto incrementa el espesor de la capacitancia de la puerta-fuente y por lo tanto el valor de esta capacitancias disminuye con vGS crecientes. Sin embargo, como vGS se incrementa an ms electrones libres generados por ionizacin trmica son atrados hacia la puerta de xido-semiconductor interfaz. Estos electrones libres proyectar la capa de agotamiento parcial y la capacitancia de compuerta-fuente comienza a aumentar de nuevo. Cuando vGS est por encima de VGS (th) de la capa de inversin completamente pantallas de la capa de agotamiento y el espesor efectivo de la capacitancia de la puerta-fuente se convierte de nuevo igual al espesor de la capa de xido. 2.

3.

4.