Componentes Electrnicos y Medidas

Prctica 11. Simulacin con Pspice: transistores

PRCTICA 11. SIMULACIN CON PSPICE DE CIRCUITOS CON COMPONENTES ACTIVOS (TRANSISTORES).

De manera anloga a como en la prctica 5 realizamos simulaciones con PSPICE de algunos circuitos con componentes pasivos (resistencias, condensadores, bobinas, y diodos) que habamos visto en la primera parte del curso, dedicaremos ahora una prctica a simular con PSPICE circuitos con componentes activos (es decir, con transistores, tanto bipolares como de efecto campo). Recordemos que la diferencia entre componentes activos y pasivos se encuentra en la capacidad de los componentes activos para que una potencia elctrica acte sobre otra, controlndola, regulndola o amplificndola. Por el contrario, los componentes pasivos se caracterizan slo por su relacin entre tensin y corriente, que puede venir dada por una funcin lineal (resistencias, condensadores, bobinas) o no lineal (diodos), pero que en ningn caso incluye una funcin activa de control o amplificacin por parte de una fuente o seal elctrica sobre otra. La funcin de un componente activo muchas veces incluye la transferencia de energa de una fuente de potencia hacia una seal a la que controla o amplifica. La fuente de potencia proporciona la energa para que el componente (p. ej. un transistor) realice su funcin sobre la seal. Usualmente esto se realiza mediante la polarizacin del transistor en un punto de operacin de continua. Por este motivo, comenzaremos por una simulacin de las caractersticas de continua del transistor bipolar 2N2222.

CARACTERSTICAS DE ENTRADA Y DE SALIDA DEL TRANSISTOR BIPOLAR Para la simulacin de la caracterstica de entrada realizaremos el siguiente circuito:

Q1 B V_BE 0V

C Q2N2222 0V E V_CE

Con objeto de poder trazar en la misma grfica varias caractersticas de entrada correspondientes a distintos valores de tensin colector-emisor ser necesario hacer un barrido paramtrico sobre VCE. En el men de simulacin, seleccione barrido DC. A continuacin, en

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barrido primario, introduzca como variable el nombre de la fuente de tensin situada entre base y emisor. En tipo de barrido seleccione lineal, entre 0 y 0.7 V en incrementos de 0.01 V. Despus seleccione la casilla de barrido paramtrico e introduzca como variable de barrido el nombre de la fuente de tensin entre colector y emisor. En tipo de barrido marque la casilla de lista de valores, e introduzca los valores de tensin colector-emisor para los que quiere calcular las caractersticas de entrada, p. ej. 0, 0.1, 0.2, 1 y 5 voltios. Finalmente ejecute la simulacin y represente la corriente de base frente a la tensin base-emisor, limitando el eje vertical de la grfica a valores de corriente entre 0 y 20 A (con el fin de poder ver y comparar todas las caractersticas exponenciales). Se obtendr una grfica como la siguiente:
20uA

10uA

0A 0V 100mV IB(Q1) 200mV 300mV V_V_BE 400mV 500mV 600mV 700mV

Para las caractersticas de salida puede hacer un circuito como el siguiente:

Q1 B I_B 0A

C Q2N2222 0V E V_CE

En el perfil de simulacin seleccione de nuevo barrido DC. Como barrido primario debemos introducir en este caso la fuente de tensin situada entre colector y emisor con valores entre 0 y 10 V en incrementos de 0.01 V por ejemplo. Despus se debe marcar la casilla de barrido paramtrico e introducir aqu el nombre de la fuente de corriente que fija la corriente de base, con la lista de valores: 6, 8, 10, 12, 16, y 20 A. Tras ejecutar la simulacin se deber obtener una grfica de las caractersticas de salida para esos valores de corriente de base, como la que se muestra a continuacin:

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4.0mA

2.0mA

0A 0V 2V IC(Q1) 4V V_V_CE 6V 8V 10V

Compare los resultados de la simulacin con sus medidas experimentales. A continuacin puede echar un vistazo a los parmetros PSPICE que el programa utiliza para simular el transistor 2N2222. Con este fin, seleccione el transistor sobre el esquemtico y en el men edit haga clic sobre Pspice model. Se abrir un editor que permite modificar y crear modelos de componentes. Como podr observar en el modelo del 2N2222, la descripcin de un modelo de dispositivo comienza por la instruccin .model seguida del nombre del dispositivo precedido de una letra que indica la clase de componente de que se trata (Q para transistores bipolares, D para diodos, M para transistores MOSFET y J para transistores JFET). A continuacin viene el tipo de dispositivo (en este caso NPN), y finalmente los valores de los parmetros del modelo. En el caso del 2N2222 podr reconocer algunos parmetros del modelo que hemos estudiado para el transistor bipolar, tales como I S, BF ( F), BR ( R), VAF, etc. El resto de los parmetros corresponde a otros efectos que ocurren en el transistor bipolar y que no hemos estudiado. Puede ser interesante hacer la siguiente prueba: sustituir los valores de los parmetros Pspice del modelo Q2N2222 por aqullos que resulten de nuestras medidas experimentales (obtenidas en la prctica 6) y comprobar la influencia que esto tiene en los resultados de la simulacin. Los parmetros que no conocemos podemos simplemente eliminarlos del modelo, ya que en tal caso Pspice tomar para ellos unos valores por defecto que tiene asignados para cada clase y tipo de dispositivo. Para hacer esta prueba borre todos los parmetros que no conozca, de tal modo que queden solamente I S, BF y VAF, cuyos valores numricos puede deducir de sus medidas experimentales realizadas en la prctica 6. Una vez sustituidos esos valores guarde el nuevo modelo en una nueva biblioteca de modelos dentro de su directorio de trabajo (p. ej. si selecciona save as el editor dar a esta biblioteca el mismo nombre que el de su archivo con la extensin .lib). Finalmente, volviendo al editor de esquemas, sustituya el
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transistor 2N2222 de la biblioteca Pspice por el de la biblioteca que acaba de crear (en el men de insertar componente busque su nueva biblioteca utilizando la opcin add library). Al realizar la simulacin ver que el resultado se aproxima ms a sus medidas en el rango de valores en que stas se realizaron.

RESPUESTA EN FRECUENCIA DEL AMPLIFICADOR EN EMISOR COMN En esta seccin realizaremos la simulacin correspondiente a la prctica 7: amplificador en emisor comn. Se pueden hacer diversas simulaciones en relacin con esta prctica, pero quizs la ms ilustrativa sea la respuesta en frecuencia del amplificador. Deber obtenerse una grfica como la que se muestra a continuacin:
50

25

10Hz 100Hz DB(V(V_o))

1.0KHz

10KHz Frequency

100KHz

1.0MHz

10MHz

Compare la grfica que obtiene de la simulacin con la resultante de las medidas experimentales y verifique que la posicin de los ceros y los polos (frecuencias que delimitan los puntos de inflexin o cambio de pendiente) coinciden con las previstas a partir de los valores de los condensadores de emisor (C E) y de acoplo (C 1 ).

FUENTE DE CORRIENTE Como simulacin correspondiente a la prctica 8 se puede realizar por ejemplo la de la fuente de corriente. Para variar la resistencia de carga ser necesario utilizar el componente PARAM para definir un parmetro correspondiente al valor de esta resistencia y que luego podamos variar mediante un barrido DC. El funcionamiento de PARAM ya se explic en la prctica 5 con motivo de la simulacin de la caracterstica I-V del diodo. Recuerde que como valor de la resistencia debe introducir el nombre que haya dado al parmetro entre llaves. Como resultado de la simulacin puede presentar la corriente por la carga frente a la tensin colector-emisor, de tal modo que se aprecie cmo la corriente permanece prcticamente
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constante en el valor establecido (en este caso 5 mA) hasta que el transistor entra en saturacin (cuando la tensin colector-emisor baja por debajo de unos 0.2 V). El resultado es el siguiente:
6.0mA

4.0mA

2.0mA

0A

0V

IC(Q1)

2V

4V

6V V(V_C)- V(Q1:e)

8V

10V

11V

AMPLIFICADOR DIFERENCIAL En cuanto a la prctica del amplificador diferencial, pueden realizarse varias simulaciones ilustrativas. Quizs la ms interesante sea aplicar una tensin diferencial a la entrada y ver la salida diferencial, como se muestra en el siguiente esquema:

Al poner una base a tierra e introducir la seal por otra, lo que se tiene es una entrada puramente diferencial. Para ver la salida diferencial podemos utilizar unos marcadores llamados voltage differential dentro del men advanced markers, que automticamente nos

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representarn en la salida la diferencia de tensin entre los dos puntos marcados. Recordemos que la ganancia en modo diferencial va a ser muy elevada, por lo que debemos introducir una amplitud pequea (p. ej. 1 mV) en el generador de seal (VSIN). A partir de la amplitud que alcance la salida podremos calcular la ganancia. Compruebe que sta coincide con su valor terico -gmRC, (donde gm=IC /Vt ), que ser adems muy aproximadamente el que obtuvo a partir de sus medidas en el laboratorio. Como transistores para la simulacin puede utilizar cualquiera, ya que lo nico importante es que sean iguales. P. ej. puede utilizar el 2N2222. El resultado de la simulacin (transient) es el siguiente:
200mV

0V

-200mV 0s

V(Q1:c,Q2:c)

2ms V(Vs:+)

4ms Time

6ms

8ms

10ms

TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO MOS La ltima simulacin de esta prctica corresponder a alguna de las aplicaciones que hemos visto del MOSFET. Quizs lo ms sencillo sea simular la respuesta del interruptor MOSFET en conmutacin para poner de manifiesto su capacidad de entrada. Para ello le introducimos una seal cuadrada a la entrada con una frecuencia un poco elevada, p. ej. 10 kHz, y vemos las dificultades que tiene para conmutar a esa frecuencia. Como generador de onda cuadrada utilice la fuente VPULSE y no olvide que adems del periodo (PER) y la anchura del pulso (PW) es necesario especificar tambin los tiempos de subida y bajada (TR y TF), aunque sean muy pequeos. Como transistor MOSFET de potencia puede usar el IRFZ34 de la biblioteca Pwrmos.

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R2 10 Vo R1 Vi 10k M1 IRFZ34 5V V1

0 0

5.0V

2.5V

SEL>> 0V

V(Vi:+)

5.0V

2.5V

0V

0s

V(VO)

0.2ms

0.4ms Time

0.6ms

0.8ms

1.0ms