INSTITUTO POLITCNICO NACIONAL CENTRO DE ESTUDIOS CIENTFICOS Y TECNOLGICOS JUAN DE DIOS BTIZ PAREDES

MANUAL DE PRACTICAS DE LA CARRERA DE TCNICO EN SISTEMAS DIGITALES DISPOSITIVOS ELECTRONICOS

EDGAR M. RAMIREZ RODRIGUEZ

CONTENIDO
NORMAS DE LAS PRACTICAS .... 4 PRACTICA 1: IDENTIFICACION Y APLICACIN DEL UJT...5 PRACTICA 2: CARACTERISTICAS DEL JFET..... 8 PRACTICA 3: APLICACIONES DEL JFET......13 PRACTICA 4: APLICACIN DEL MOSFET15 PRACTICA 5: IDENTIFICACION DEL SCR19 PRACTICA 6: CIRCUITO DE DISPARO SCR...22 PRACTICA 7: APLICACIONES DEL DIAC Y TRIAC.25 PRACTICA 8: PRINCIPIOS DE OPTOELECTRONICA........28 PRACTICA 9: DISPOSITIVOS OPTOACOPLADORES.32 PRACTICA 10: APLICACIN DE SENSORES........35 PRACTICA 11: USO Y APLICACIN DE LAS FUENTES CONMUTADAS.......43

Normas de prcticas
1. La realizacin de la prctica es obligatoria para todos los alumnos que cursen la asignatura. 2. Las prcticas consistirn de sesiones de laboratorio y la entrega de una evidencia escrita. 3. Los alumnos sern divididos en equipos de trabajo de mximo 4 integrantes cada equipo. 4. El cambio de equipo NO est permitido. 5. La composicin de los integrantes de equipo quedara establecida en la primera prctica de laboratorio y quedara inalterable para el resto del semestre. 6. Se aceptaran hasta 2 faltas justificadas en laboratorio para acreditar la asignatura. 7. Los conceptos que se evaluaran en el laboratorio son: memorias de la prctica y trabajos voluntarios en el curso. 8. En caso de ms de una falta no recuperada no se acreditara la asignatura. 9. La nota obtenida en la prctica supondr el 40% de la evaluacin final de la asignatura. 10. Ser obligatoria la presentacin de una memoria de la practica por cada equipo en el laboratorio, la cual debe de contener: introduccin, descripcin del trabajo realizado en la prctica, los resultados obtenidos, su justificacin y las conclusiones individuales, as como las incidencias que estime oportuno indicar. 11. La entrega se realizara a los 8 das de efectuada la practica o cuando el profesor titular lo crea conveniente. 12. Las prcticas solo se recibirn en el da y horario indicados. 13. La presentacin fuera del plazo de la memoria de prcticas se valorara como no presentada. 14. Cualquier duda que no resuelva esta normativa queda a criterio del profesor titular y sus auxiliares.

No DE PRCTICA: DEL UJT

OBJETIVO

IDENTIFICACION Y APLICACIN
Tiempo estimado de realizacin: 2hr

Identificar las caractersticas tcnicas de funcionamiento de un transistor de unijuntura para aplicarlos en circuitos de control de potencia de cargas.

MARCO TERICO
La electrnica de potencia (o electrnica de las corrientes fuertes) es una tcnica relativamente nueva que se ha desarrollado gracias al avance tecnolgico que se ha alcanzado en la produccin de dispositivos semiconductores, y se define como "la tcnica de las modificaciones de la presentacin de la energa elctrica" o bien como "la aplicacin de la electrnica de estado slido para el control y la conversin de la energa elctrica". La electrnica de potencia combina la energa, la electrnica y el control. El control se encarga del rgimen permanente y de las caractersticas dinmicas de los sistemas de lazo cerrado. La energa tiene que ver con el equipo de potencia esttica, rotatoria o giratoria, para la generacin, transmisin, distribucin y utilizacin de la energa elctrica. La electrnica se ocupa de los dispositivos y circuitos de estado slido requeridos en el procesamiento de seales para cumplir con los objetivos del control deseados. En la figura 1 se puede apreciar un esquema bsico de bloques de un sistema electrnico de potencia.

Figura 1: Diagrama a bloques del convertidor de potencia operando en lazo cerrado.

Los dispositivos semiconductores se pueden operar como interruptores mediante la aplicacin de seales de control a la terminal de compuerta de los tiristores y a la base de los transistores. La salida requerida e obtiene mediante la variacin del tiempo de conduccin de estos dispositivos de conmutacin. El transistor de unijuntura es un dispositivo electrnico utilizado con los tiristores para producir pulsos de disparo, los cuales controlan en forma exacta circuitos de control de potencia como pueden ser: controles de velocidad de motores, controles de temperatura, controles de luminosidad, etc. En este caso vamos a utilizar un transistor de unijuntura para producir una forma de onda tipo diente de sierra, la cual puede ser capaz de producir el disparo de un triac en aplicaciones de potencia. El circuito propuesto en esta prctica de laboratorio funciona de la siguiente manera: El condensador se carga hasta que se carga el voltaje de disparo del UJT, cuando esto sucede este

se descarga a travs de la unin E-B1. El condensador se descarga hasta que llega a un voltaje que se llama de valle (Vv), aproximadamente de 2.5 volts de corriente continua, con este voltaje el UJT se apaga, es decir, deja de conducir entre E-B1 y el condensador vuelve nuevamente a iniciar su carga como se muestra en la figura 2. Ahora bien, si deseamos variar la frecuencia de oscilacin del UJT podemos modificar tanto el condensador C como la resistencia R1. Es importante reconocer que el valor de R1 debe estar entre ciertos limites para que el circuito pueda oscilar, estos valores se obtienen a travs de las siguientes frmulas:
R1 mximo=(Vs-Vp)/Ip ---------------------------------------------- (1) R1 mnimo=(Vs-Vv)/Iv ------------------------------------------------ (2)

Figura 2: Circuito bsico de un oscilador de relajamiento con UJT.

Figura 3: Forma de onda del Oscilador de relajacin.

MATERIAL Y HERRAMIENTAS A UTILIZAR

1 UJT 2N6028 o equivalente. 1 Potencimetro 50K 1 Protoboard 1 Multmetro Digital con puntas de prueba 1 Osciloscopio de doble trazo con puntas de prueba 1m Alambre calibre 22 de una lnea 1 R1=Resistencia de 50 K a watt 1 R2=Resistencia de 330 a watt 1 R3=Resistencia de 47 a watt 1 R4=Resistencia de 27K a watt 1 R5=Resistencia de 500 K a watt 1 R6=Resistencia de 16 K a watt 1 C= Condensador de 0.1 F a 250 volts 1 fuente de alimentacin de voltaje de corriente contina a 20 V

DESARROLLO
1. Buscar en el Manual de Semiconductores ECG la disposicin de terminales del UJT y anotarla en una hoja de especificaciones. 2. Mediante el uso del Multmetro Digital medir el voltaje de la fuente de alimentacin para comprobar que est proporcionando los 12 volts de corriente continua necesarios (VB). 3. Armar en el protoboard el circuito de la figura 4, teniendo cuidado con el desarrollo de las conexiones.

Figura 4: Circuito prueba de UJT.

4. Alimentar el circuito armado mediante la fuente de 12 volts. 5. Para diferentes valores de VB escriba en una tabla los valores de Vo Valor de la fuente VB Valores de Vo

6. Armar en el protoboard el circuito oscilador de relajacin (figura 2), teniendo cuidado con las conexiones para evitar posibles daos a los componentes. 7. Mediante el uso del Multmetro digital, medir el voltaje de la fuente de alimentacin para comprobar que est proporcionando los 20 volts de corriente continua. 8. Conectar el circuito armado en el protoboard a la fuente de alimentacin de 20 volts de corriente continua. 9. Conectar a la salida del circuito un osciloscopio de doble trazo para poder visualizar la forma de onda caracterstica del UJT. 10. Graficar la seal obtenida en el punto 9.

CONCLUSIONES

No DE PRCTICA:
OBJETIVO

CARACTERISTICAS DEL JFET

Tiempo estimado de realizacin: 2hr

El alumno comprender y aprender a determinar dos de los parmetros elctricos ms importantes de los transistores denominados JFETs, y una vez obtenidos experimentalmente los valores de dichos parmetros, mediante la aplicacin de la ecuacion De Shockley, obtendr la curva de transferencia del JFET.

MARCO TERICO
La construccin bsica del JFET de canal-n se muestra en la figura 5. Observe que la mayor parte de la estructura es el material tipo n que forma el canal entre las capas difundidas en material tipo p. En ausencia de cualquiera de los potenciales aplicados, el JFET tiene dos uniones p-n bajo condiciones sin polarizacin. El resultado es una regin de agotamiento en cada unin. Recurdese tambin que una regin de agotamiento es aquella regin carente de portadores libres y por lo tanto incapaces de permitir la conduccin a travs de la regin.

Figura 5: Estructura fsica de un JFET

En la figura 6 se ha aplicado un voltaje positivo VDS y a travs del canal y la compuerta se ha conectado en forma directa a la fuente para establecer la condicin VGS = 0 V. En el instante que el voltaje VDD ( = VDS) se aplica, los electrones sern atrados hacia la terminal de drenaje, estableciendo la corriente convencional ID con la direccin definida de la figura 6. La trayectoria del flujo de carga revela con claridad que las corrientes de fuente y drenaje son equivalentes (ID = Is). Bajo las condiciones que aparecen en la figura 6, el flujo de carga es relativamente permitido y limitado nicamente por la resistencia del canal n entre el drenaje y la fuente.

Figura 6: Operacin del JFET.

En cuanto el voltaje VDS se incrementa de 0v a unos cuantos voltios, la corriente aumentar segn se determina por la ley de Ohm, y la grfica de ID contra VDS aparecer como se ilustra

en la figura 7. La relativa linealidad de la grfica revela que para la regin de valores inferiores de VDS la resistencia es esencialmente una constante. A medida que VDS se incrementa y se aproxima a un nivel denominado como Vp en la figura 7, las regiones de agotamiento de la figura 6 se ampliarn, ocasionando una notable reduccin en la anchura del canal. La reducida trayectoria de conduccin causa que la resistencia se incremente, y provoca la curva en la grfica de la figura 7. Cuanto ms horizontal sea la curva, ms grande ser la resistencia, lo que sugiere que la resistencia se aproxima a "infinito" ohmiaje en la regin horizontal. Si VDS se incrementa hasta un nivel donde parezca que las dos regiones de agotamiento se "tocaran", como se ilustra en la figura 4, se tendra una condicin denominada como estrechamiento (pinch-off). El nivel de VDS que establece esta condicin se conoce como el voltaje de estrechamiento pellizco y se denota por Vp, como se muestra en la figura 7. En realidad, el trmino "estrechamiento" es un nombre inapropiado en cuanto a que sugiere que la corriente ID disminuye, al estrecharse el canal, a 0 A. Sin embargo, como se muestra en la figura 8, es poco probable que ocurra este caso, ya que ID mantiene un nivel de saturacin definido como IDSS en la figura 7.

Figura 7: Caracterstica ID-VDS para un JFET de canal n.

Figura 8: JFET en condicin de estrechamiento.

MATERIAL Y HERRAMIENTAS A UTILIZAR

3 JFETs 2N5457, 2N2844 2N5245 1 Protoboard 1 Multimetro 1 Generador de seales 1 osciloscopio 2 Fuentes variables 1 R1 1 M a watt 1 R2 1.2 K a watt 1 R3 220 a watt 2 R4 100K a watt 1 R5 de 10K a watt 1 Potencimetro 10 K

1 LED

1 Interruptor deslizable un polo un tiro

DESARROLLO
Prueba del J FET: Se comprueba con un ohmmetro en la escala de Rx1 Rx10. Entre compuerta y Fuente o compuerta y Drenador debe marcar como si fuera un diodo de silicio; es decir alta resistencia en un sentido y baja en el inverso. Entre Drenador y Fuente, el valor hmico exclusivamente del material del canal. Su valor vara entre 2K y 10K, siendo el mismo en ambos sentidos. Medicin IDSS y Vp 1 Arme el circuito mostrado en la Fig. 9A, coloque un ampermetro entre el circuito y la fuente de voltaje, encienda esta y observe tanto el ampermetro como el LED. 2 Arme y conecte el divisor de voltaje de la Fig. 9B y conecte el terminal central a la compuerta (retirarla previamente del nivel de referencia), gire el potencimetro y observe la corriente, con el voltmetro mida la tensin VGS en el momento en que ID se hace cero.

Fig. 9 A Prueba JFET

Fig. 9 B Prueba JFET

Escriba los resultados para la Fig. 9A en la siguiente tabla:

MAGNITUD VDS VGS VGD IS ID IG VALOR MEDIDO V V V mA mA mA

Escriba los resultados para la Fig. 9B en la siguiente tabla:

MAGNITUD VDS VGS VGD IS ID IG De donde deducimos que : IDSS = VP = mA V VALOR MEDIDO V V V mA mA 0 mA

AUTOPOLARIZACION Arme el circuito mostrado y haga las medidas de ID as como las tensiones en los diferentes nudos y puntos del circuito.

Figura 11. Auto polarizacin

Con los resultados se llena la siguiente tabla: MAGNITUD VG VS VD VDS VALOR MEDIDO VALOR CALCULADO

IS ID IG INTERRUPTOR ANALOGO

Figura 10: Interruptor Analogo

1. Arme el circuito de la figura 10, asegrese que el interruptor S1 se encuentra abierto

y que la fuente de corriente contina esta a 10V. 2. Coloque el generador de funciones a 1000 Hz y 0.1 Vpp. 3. Coloque el osciloscopio en el punto Vo. 4. Llene la tabla con las graficas de resultado.

Interruptor Abierto

Seal

Cerrado

CONCLUSIONES

No DE PRCTICA:
OBJETIVO

APLICACIONES DEL JFET

Tiempo estimado de realizacin: 2hr

Verificar el funcionamiento de un JFET en polarizacin por divisor de voltaje y auto polarizacin. Experimentar circuitos con JFET cuando opera como amplificador.

MARCO TERICO
En los transistores bipolares, una pequea corriente de entrada controla la corriente de salida; en el caso de los FET, es un pequeo voltaje de entrada el que controla la corriente de salida. La corriente que circula en la entrada es generalmente despreciable. Esto es una gran ventaja, cuando la seal proviene de un dispositivo tal como un micrfono de condensador o un transductor piezo elctrico, los cuales proporciona corrientes insignificantes. Los FETS son bsicamente de dos tipos: los JFET y los IGFET, tambin conocidos como MOSFET. El JFET est constituido por una barra de silicio tipo N, introducido en un anillo tipo P. Los terminales del canal N se denominan SOURCE y DRAIN. El anillo forma el tercer terminal del JFET llamado GATE. Inicialmente circula una corriente por la compuerta, pero posteriormente la corriente circula nicamente desde el surtidor al Drenador sin cruzar la juntura PN. El voltaje aplicado entre el DRAIN y SOURCE (VDS), no debe sobrepasar el voltaje de ruptura (tpicamente 50 V) por que destruir el dispositivo. Si se aplica polarizacin directa de la compuerta, circula una alta corriente por la compuerta que puede destruir el JFET si no esta limitada por una resistencia en serie con la compuerta. VDS (V) Potencia (W) VALORES COMERCIALES PARA EL JFET 25,30,40,50 0.15, 0.3,1.8,30 1 R3 220 a watt 1 R4 470 K a watt 1 R5 82 K a watt 1 R6 1.5 K a watt 1 R7 820 a watt 1 C1 47 F 2 C2 4.7 F

MATERIAL Y HERRAMIENTAS A UTILIZAR

Dos fuentes de voltaje variable Generador de Funciones Un multimetro Un osciloscopio de doble trazo 1 JFET K373 o similar 1 R1 1M a watt 1 R2 1.2 K a watt

DESARROLLO
ANALISIS DE PEQUEA SEAL

Figura 12. Amplificador

Apague la fuente y agregue al circuito anterior los condensadores y la fuente de seales, energice la fuente y aplique una seal de 0.01 V ( 10 mV a 1KHz) a travs de Vi y mida tanto la salida VO como Vi con ayuda del Osciloscopio y determinar la ganancia AC del amplificador de tensin. Con los resultados se llena la siguiente tabla: MAGNITUD Vi Vo Av POLARIZACION POR DIVISOR DE TENSION Arme el circuito mostrado y haga las medidas de ID as como las tensiones en los diferentes nudos y puntos del circuito. VALOR MEDIDO VALOR CALCULADO

Figura 13. Divisor de voltaje

Con los resultados se llena la siguiente tabla: MAGNITUD VALOR MEDIDO VALOR CALCULADO

VG VS VD VDS IS ID IG

CONCLUSIONES

No DE PRCTICA: 4
OBJETIVO

APLICACIN DEL MOSFET

Tiempo estimado de realizacin: 2hr

El alumno comprender y aprender a medir las caractersticas del modo de empobrecimiento y de enriquecimiento de un transistor MOSFET.

MARCO TERICO
MOSFET Este FET se construye con la terminal de compuerta aislada del canal con el dielctrico dixido de silicio (SiO2), y ya sea en modo de empobrecimiento o bien de enriquecimiento. A continuacin se definen estos dos tipos. MOSFET de empobrecimiento Las construcciones de los MOSFET de empobrecimiento de canal n y de canal p se muestran en la figura 14 y 15 respectivamente. En cada una de estas figuras se muestran la construccin, el smbolo, la caracterstica de transferencia y las caractersticas iD-VGS. El MOSFET de empobrecimiento se construye (como se muestra en la figura 14(a) para el canal n y en la figura 15(a) para el canal p) con un canal fsico construido entre el drenaje y la fuente cuando se aplica una tensin, VDS. El MOSFET de empobrecimiento de canal n de la figura 14 se establece en un sustrato p, que es silicio contaminado de tipo p. Las regiones contaminadas de tipo n de la fuente y el drenaje forman conexiones de baja resistencia entre los extremos de canal n y los contactos de aluminio de la fuente (S) y el drenaje (D). Se hace una capa de silicio de SiO 2, que es un aislante, en la parte superior del canal n, como se muestra en la figura 14(a). Se deposita una capa de aluminio sobre el aislante de SiO2 para formar la terminal de compuerta (G). El desempeo del MOSFET de empobrecimiento, es similar al del JFET, como puede verse en las figura 14(c) y 15(c). El JFET se controla por la unin pn entre la compuerta y el extremo de drenaje del canal. No existe dicha unin en el MOSFET de enriquecimiento, y la capa de SiO 2 acta como aislante. Para el MOSFET de canal n, mostrado en la figura 14, una VGS negativa saca los electrones, de la regin del canal, empobrecindolo. Cuando VGS alcanza Vp, el canal se estrecha. Los valores positivos de VGS aumentan el tamao del canal, dando por resultado un aumento en la corriente de drenaje. Esto se indica en las curvas caractersticas de la figura 14(c).

Figura 14. MOSFET de empobrecimiento de canal n.

Figura 15. MOSFET de empobrecimiento de canal p.

Ntese que el MOSFET de empobrecimiento puede operar tanto para valores positivos como negativos de VGS. Se puede utilizar la misma ecuacin de Shockley (ec.1) a fin de aproximar las curvas para valores negativos de VGS. Obsrvese, sin embargo que la caracterstica de transferencia continua para valores positivos de VGS. Como la compuerta esta aislada del canal, la corriente de compuerta es sumamente pequea (10-12 A) y VGS puede ser de cualquier polaridad. Como puede verse en las figuras 14(b) y 15(b), el smbolo para el MOSFET posee una cuarta terminal, el sustrato. La flecha apunta hacia adentro para un canal n y hacia afuera para un canal p. El MOSFET de empobrecimiento de canal p, que se muestra en la figura 15, es igual que el de la figura 14, excepto que se invierten los materiales n y p al igual que las polaridades de las tensiones y corrientes.

MOSFET de Enriquecimiento
El MOSFET de enriquecimiento se muestra en la figura 16. Este difiere del MOSFET de empobrecimiento en que no tiene la capa delgada del material n sino que requiere de una tensin positiva entre la compuerta y la fuente para establecer un canal. Este canal se forma por la accin de una tensin positiva compuerta a fuente, VGS, que atrae electrones de la regin del sustrato ubicada entre el drenaje y la compuerta contaminados de tipo n. Una VGS positiva provoca que los electrones se acumulen en la superficie inferior de la capa de xido. Cuando la tensin alcanza el valor de umbral, VT, han sido atrados a esta regin los electrones suficientes

para que se comporte como canal n conductor. No habr una corriente apreciable iD hasta que VGS excede VT. No existe un valor IDSS para el MOSFET de enriquecimiento, ya que la corriente de drenaje es cero hasta que el canal se ha formado. IDSS es cero para VGS=0. Para valores de VGS > VT, la corriente de drenaje en saturacin se puede calcular de la ecuacin:

i D = k (VGS VT ) 2 (ec1)
El valor de k depende de la construccin del MOSFET y, en principio, es funcin del largo y ancho del canal. Un valor tpico para k es 0.3 mA / V2 ; la tensin de umbral, VT, es especificada por el fabricante.

Figura 16. MOSFET de enriquecimiento de canal n.

El MOSFET de enriquecimiento de canal p se muestra en la figura 17; como puede verse, exhibe caractersticas similares pero opuestas a las del MOSFET de enriquecimiento de canal n.

Figura 17. MOSFET de enriquecimiento de canal p.

Aunque se halla ms restringido en su intervalo de operacin que el MOSFET de empobrecimiento, el MOSFET de enriquecimiento es til en aplicaciones de circuitos integrados debido a su tamao pequeo y su construccin simple. La compuerta para el MOSFET de canal n y de canal p es un deposito de metal en una capa de xido de silicio. La construccin comienza con un material de sustrato (de tipo p para canal n; de tipo n para canal p) sobre el cual se difunde material del tipo opuesto para formar la fuente y el drenaje. Ntese

que el smbolo para el MOSFET de enriquecimiento, que se ilustra en las figuras 16 y 17, muestra una lnea quebrada entre fuente y drenaje para indicar que no existe un canal inicial.

MATERIAL Y HERRAMIENTAS A UTILIZAR 1 IRF640 1 R1 1K a 1watt 1 R2 470 a 1watt 1 MTP2955V 1 Push button NA 1 protoboard 1 Bateria de 9V 1 Generador de funciones 1 Led 1 Osciloscopio DESARROLLO
Comprobacin MOSFET Canal N Armar el siguiente circuito para la comprobacin de los MOSFET Canal N

Figura 18. Circuito comprobador MOSFET Canal N.

Medicin de las caractersticas del modo de empobrecimiento del MOSFET . En el protoboard implemente el siguiente circuito, teniendo mucho cuidado en la manipulacin del MOSFET ya que es susceptible a las descargas electrostticas.

Figura 19. Circuito de Test MOSFET como interruptor.

a) Ajuste el voltaje del generador de funciones en 5 V onda cuadrada a 1000HZ. b) Calcule o proponga el valor de Rgs, de RL y Vdd.
RGS RL Vdd

c) Registra la curva que aparece en la pantalla del osciloscopio (Vout).

CONCLUSIONES

No DE PRCTICA: 5
OBJETIVO

IDENTIFICACION DEL SCR

Tiempo estimado de realizacin: 2hr

El alumno mediante la elaboracin de circuitos bsicos que emplean tiristores (SCR, DIAC y TRIAC) comprender la operacin y funcionamiento de estos dispositivos.

MARCO TERICO
SCR (SILICON CONTROLLED RECTIFIER) El SCR es un dispositivo de cuatro capas muy similar al diodo Shockley, con la diferencia de poseer tres terminales: nodo, ctodo y puerta (gate). Al igual que el diodo Shockley, presenta dos estados de operacin: abierto y cerrado, como si se tratase de un interruptor.

Figura 20: Construccin bsica y smbolo del SCR

CARACTERISTICA TENSION INTENSIDAD Tal y como se aprecia en la Figura 21 la parte de polarizacin inversa de la curva es anloga a la del diodo Shockley.

Figura 21: Caracterstica del SCR

En cuanto a la parte de polarizacin positiva, el diodo no conduce hasta que se recibe un pulso de tensin en el terminal de puerta (gate). Una vez recibido, la tensin entre nodo y ctodo cae hasta ser menor que un voltio y la corriente aumenta rpidamente, quedando limitada en la prctica por componentes externos. Podemos ver en la curva cuatro valores importantes. Dos de ellos provocarn la destruccin del SCR si se superan: VRB e IMAX. VRB (Reverse Breakdown Voltage) es, al igual que en el diodo Shockley, la tensin a partir de la cual se produce el fenmeno de avalancha. IMAX es la corriente mxima que puede soportar el SCR sin sufrir dao. Los otros dos valores importantes son la tensin de cebado VBO (Forward Breakover Voltage) y la corriente de mantenimiento IH, magnitudes anlogas a las explicadas para el diodo Shockley. METODOS DE CONMUTACION Para que el dispositivo interrumpa la conduccin de la corriente que circula a travs del mismo, sta debe disminuir por debajo del valor IH (corriente de mantenimiento). Hay dos mtodos bsicos para provocar la apertura el dispositivo: interrupcin de corriente andica y conmutacin forzada. Ambos mtodos se presentan en las figuras Figura 22

Figura 22: Apertura del SCR mediante interrupcin de la corriente andica

En la Figura 22 se observa cmo la corriente andica puede ser cortada mediante un interruptor bien en serie (figura izquierda), o bien en paralelo (figura derecha). El interruptor en serie simplemente reduce la corriente a cero y hace que el SCR deje de conducir. El interruptor en paralelo desva parte de la corriente del SCR, reducindola a un valor menor que IH. En el mtodo de conmutacin forzada, que aparece en la Figura 23, se introduce una corriente opuesta a la conduccin en el SCR. Esto se realiza cerrando un interruptor que conecta una batera en paralelo al circuito.

Figura 23: Desconexin del SCR mediante conmutacin forzada

DESCONEXION AUTOMATICA DEL SCR EN CORRIENTE CONTINUA

I.- OBJETIVO:
El alumno estudiar la desconexin automtica del SCR en corriente continua, adems de la aplicacin del dispositivo LDR. II.- MATERIAL Y EQUIPO A UTILIZAR: 1 Puente de Diodos 1 BT106 1 BD139 1 Diodo 1N4007 1 Diodo Zener 9V1 1 LDR 1K 1 Resistencia 220 III.- DESARROLLO DE LA PRCTICA:

1 Resistencia 390 1 Resistencia 1K 1 Resistencia variable 50K/50% 1 Capacitor 1000 F a 25 V 1 Lmpara 10 W/12 V Osciloscopio Tensin Alterna de 12 V/50 Hz

Montar el circuito de la figura 24 alimentndolo a una tensin alterna de 12V de la

salida del transformador. Exponer inicialmente la LDR a la mayor cantidad de luz posible observando que la lmpara no se ilumina. Cubrir la LDR con cualquier cuerpo opaco Comprobar que la lmpara se ilumina. Explicar el funcionamiento de este circuito y comprobar con el osciloscopio el momento de la desconexin del SCR. Representar grficamente la seal visualizada con el osciloscopio midiendo entre cada uno de los extremos del diodo con respecto a masa.

Figura 24: Desconexin automtica del SCR.

Seal V/div

representar:

Figura 25: Grafica de salida

CONCLUSIONES

No DE PRCTICA:
OBJETIVO

CIRCUITO DE DISPARO SCR

Tiempo estimado de realizacin: 2hr

El alumno har el anlisis del control de un tiristor en este caso un SCR alimentado en corriente alterna.

MARCO TERICO
APLICACIONES DEL SCR en CA Una aplicacin muy frecuente de los SCR es el control de potencia en alterna en reguladores (dimmer) de lmparas, calentadores elctricos y motores elctricos. En la Figura 26 se muestra un circuito de control de fase de media onda y resistencia variable. Entre los terminales A y B se aplican 120 V (AC). RL representa la resistencia de la carga (por ejemplo un elemento calefactor o el filamento de una lmpara). R1 es una resistencia limitadora de la corriente y R2 es un potencimetro que ajusta el nivel de disparo para el SCR. Mediante el ajuste del mismo, el SCR se puede disparar en cualquier punto del ciclo positivo de la onda en alterna entre 0 y 180, como se aprecia en la Figura 26.

Figura 26: (a) Conduccin durante 180 (b) Conduccin durante 90

Cuando el SCR se dispara cerca del principio del ciclo (aproximadamente a 0), como en la Figura 26 (a), conduce durante aproximadamente 180 y se transmite mxima potencia a la carga. Cuando se dispara cerca del pico positivo de la onda, como en la Figura 26(b), el SCR conduce durante aproximadamente 90 y se transmite menos potencia a la carga. Mediante el ajuste de RX, el disparo puede retardarse, transmitiendo as una cantidad variable de potencia a la carga.

Cuando la entrada en AC es negativa, el SCR se apaga y no conduce otra vez hasta el siguiente disparo durante el ciclo positivo. Es necesario repetir el disparo en cada ciclo como se ilustra en la Figura 27. El diodo se coloca para evitar que voltaje negativo en AC sea aplicado a la gate del SCR.

Figura 27: Disparos cclicos para control de potencia

MATERIAL Y HERRAMIENTAS A UTILIZAR.

1 Diodo 1N4007 1 interruptor 1 foco a 6 W/12V 1 R1 1 K 1 R2 220 1SCR BT 106

DESARROLLO: 1. Montar el circuito de la figura alimentarlo en alterna mediante un transformador de 2. 3. 4. 5. 6. 7.

12V. Comprobar que la lmpara no se encienda; si esto sucediera es seal de que el tiristor se encuentra en mal estado. Pulsar a continuacin el interruptor comprobando que la lmpara se ilumina. Soltar el interruptor comprobando que la lmpara se apague de nuevo. Recordar lo que suceda cuando el tiristor era alimentado por corriente continua y la diferencia que hay cuando lo alimentamos con corriente alterna. Razonar por qu sucede esto. Con el osciloscopio de doble traza medir la seal que se aplica al tiristor y la que aparece en el nodo del mismo anotarlo y Dibujarlo.

Figura 28 SCR en CA

Seal Vdiv:
P U E R T A A N O D O

Tensin

APLICACIONES DEL SCR en CD

OBEJTIVOS:
El alumno realizar el anlisis y estudio de la estructura interna de un tiristor. Funcionamiento y utilidad de este tipo de componente en DC.

DESARROLLO:
1. Montar el circuito de la figura poniendo atencin en no confundir las terminales del elemento que visto frontalmente de izquierda a derecha son: ctodo, nodo y puerta. 2. Aplicar una tensin de alimentacin de 12 V y pulsar a continuacin en el interruptor de encendido, comprobando que aunque se suelte este, la lmpara contina encendida. Pulsar a continuacin el interruptor de apagado, comprobando que la lmpara se apaga. Analizar y medir el circuito razonando por qu sucede esto. 3. Nombrar las distintas formas que hay para la conexin y desconexin de un tiristor. 4. Explicar el funcionamiento del circuito.

Figura 29 SCR en DC

CONCLUSIONES

No DE PRCTICA:
OBJETIVO

APLICACIONES DEL DIAC Y TRIAC

Tiempo estimado de realizacin: 2hr

El alumno mediante la elaboracin de circuitos bsicos que emplean DIAC comprender la operacin y funcionamiento de estos dispositivos.

MARCO TERICO EL DIAC

Es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos. Es un dispositivo de dos terminales que funciona bsicamente como dos diodos Shockley que conducen en sentidos opuestos.

Figura 30: Construccin bsica y smbolo del diac

La curva de funcionamiento refleja claramente el comportamiento del diac, que funciona como un diodo Shockley tanto en polarizacin directa como en inversa. Cualquiera que sea la polarizacin del dispositivo, para que cese la conduccin hay que hacer disminuir la corriente por debajo de la corriente de mantenimiento IH. Las partes izquierda y derecha de la curva, a pesar de tener una forma anloga, no tienen por qu ser simtricas.

Figura 31: Caracterstica V-I del diac

MATERIAL Y HERRAMIENTAS A UTILIZAR

-Diodo 1N4007 -Resistencias de 6.8K a 1 W -Resistencia de 100 ohms a W -Potencimetro de 100K -Capacitor electroltico de 220 F. -Diac DB3 -SCR TIC106D

- Triac para 400V y 15 A; tipo MAC 223-6 o equivalente

- Resistencias de 4.7 K a 1/2W - Capacitor de .47 F a 100 V no polarizado - Fusible de 1 A - Socket con foco 60 W para 127V

DESARROLLO DESTELLADOR DE LUCES

1.-Montar el circuito de la figura 32 2.-Alimentar el circuito y variar el potencimetro observando que ocurre para distintos valores de resistencia del mismo. 3.-Realizar las mediciones oportunas y anotarlas con el fin de explicar el funcionamiento del circuito. 4.-Cambiar el condensador de 250 F por otros condensadores de capacidad fija y ver que ocurre.

Figura 32: Destellador con DIAC

EL TRIAC Este dispositivo es simular al diac pero con un nico terminal de puerta (gate). Se puede disparar mediante un pulso de corriente de gate y no requiere alcanzar el voltaje VBO como el diac.

Figura 33: Construccin bsica y smbolo del TRIAC.

En la curva caracterstica se indica que para diferentes disparos, es decir, para distintas corrientes aplicadas en gate, el valor de VBO es distinto. En la parte de polarizacin positiva, la curva de ms a la izquierda es la que presenta un valor de VBO ms bajo, y es la que mayor

corriente de gate precisa en el disparo. Para que este dispositivo deje de conducir, como en el resto de los casos, hay que hacer bajar la corriente por debajo del valor IH.

Figura 34: Caracterstica V-I del triac

Al igual que el SCR, se emplean para controlar la potencia suministrada a una carga. El triac puede dispararse de tal modo que la potencia en alterna sea suministrada a la carga durante un tiempo determinado de cada ciclo. La diferencia con el SCR es que se puede disparar tanto en la parte positiva que en la negativa del ciclo, de tal manera que la corriente en la carga puede circular en los dos sentidos.

Figura 35 Control bsico de potencia con un Triac

DIMMER
1.-Montar el circuito de la figura 36 2.-Alimentar el circuito y variar el potencimetro observando que ocurre para distintos valores de resistencia del mismo. 3.-Realizar las mediciones de Corriente y anotarlas.

Figura 36: DIMMER con DIAC y TRIAC

CONCLUSIONES

No DE PRCTICA: 8

PRINCIPIOS DE OPTOELECTRONICA
Tiempo estimado de realizacin: 4hr

OBJETIVO Muestra reconoce y explica el funcionamiento de varios circuitos optoelectrnicas. MARCO TERICO Optoelectrnica La optoelectrnica es el nexo de unin entre los sistemas pticos y los sistemas electrnicos. Los componentes opto electrnicos son aquellos cuyo funcionamiento est relacionado directamente con la luz. Una fotorresistencia es un componente electrnico cuya resistencia disminuye con el aumento de intensidad de luz incidente. Puede tambin ser llamado fotorresistor, fotoconductor, clula fotoelctrica o resistor dependiente de la luz, cuyas siglas (LDR) se originan de su nombre en ingls light-dependent resistor. Un fototransistor est hecho de un semiconductor de alta resistencia. Si la luz que incide en el dispositivo es de alta frecuencia, los fotones son absorbidos por la elasticidad del semiconductor dando a los electrones la suficiente energa para saltar la banda de conduccin. El electrn libre que resulta (y su hueco asociado) conduce electricidad, de tal modo que disminuye la resistencia. Un dispositivo fotoelctrico puede ser intrnseco o extrnseco. En dispositivos intrnsecos, los nicos electrones disponibles estn en la banda de la valencia, por lo tanto el fotn debe tener bastante energa para excitar el electrn a travs de toda la banda prohibida. Los dispositivos extrnsecos tienen impurezas agregadas, que tienen energa de estado a tierra ms cercano a la banda de conduccin puesto que los electrones no tienen que saltar lejos, los fotones ms bajos de energa (es decir, de mayor longitud de onda y frecuencia ms baja) son suficientes para accionar el dispositivo. Las clulas de sulfuro de cadmio El sulfuro de cadmio o las clulas de sulfuro del cadmio (CdS) se basan en la capacidad del cadmio de variar su resistencia segn la cantidad de luz que pulsa la clula. Cuanta ms luz pulsa, ms baja es la resistencia. Aunque no es exacta, incluso una clula simple de CdS puede tener una amplia gama de resistencia de cerca de 600 ohmios en luz brillante a 1 o 2 M en oscuridad. Las clulas son tambin capaces de reaccionar a una amplia gama de frecuencias, incluyendo infrarrojo (IR), luz visible, y ultravioleta (UV). Un fotodiodo es un semiconductor construido con una unin PN, sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Para que su funcionamiento sea correcto se polariza inversamente, con lo que se producir una cierta circulacin de corriente cuando sea excitado por la luz. Debido a su construccin, los fotodiodos se comportan como clulas fotovoltaicas, es decir, en ausencia de luz exterior generan una tensin muy pequea con el positivo en el nodo y el negativo en el ctodo. Esta corriente presente en ausencia de luz recibe el nombre de corriente de oscuridad. Principio de operacin Un fotodiodo es una unin P-N o estructura P-I-N. Cuando una luz de suficiente energa llega al diodo, excita un electrn dndole movimiento y crea un hueco con carga positiva. Si la absorcin ocurre en la zona de agotamiento de la unin, o a una distancia de difusin de l, estos portadores son retirados de la unin por el campo de la zona de agotamiento, produciendo una fotocorriente. Fotodiodos de avalancha Tienen una estructura similar, pero trabajan con voltajes inversos mayores. Esto permite a los portadores de carga fotogenerados el ser multiplicados en la zona de avalancha del diodo, resultando en una ganancia interna, que incrementa la respuesta del dispositivo. Una clula fotoelctrica, tambin llamada clula, fotoclula o celda fotovoltaica, es un dispositivo electrnico que permite transformar la energa luminosa (fotones) en energa elctrica (electrones) mediante el efecto fotoelctrico Al grupo de clulas fotoelctricas se le conoce como panel fotovoltaico. Los paneles fotovoltaicos consisten en una red de clulas conectadas como circuito en serie para aumentar la tensin de salida hasta el valor deseado (usualmente se utilizan 12V 24V) a la vez que se conectan varias redes como circuito paralelo para aumentar la corriente elctrica que es capaz de proporcionar el dispositivo. La eficiencia de

conversin media obtenida por las clulas disponibles comercialmente (producidas a partir de silicio monocristalino) est alrededor del 12%. La vida til media a mximo rendimiento se sita en torno a los 25 aos, perodo a partir del cual la potencia entregada disminuye. El tipo de corriente elctrica que proporcionan es corriente continua, por lo que si necesitamos corriente alterna o aumentar su tensin, tendremos que aadir un inversor y/o un convertidor de potencia

MATERIAL Y HERRAMIENTAS A UTILIZAR

R= 100 K R= LDR R = 2K2 R4 = 330 Transistor NPN BC547 Transistor NPN BD137 D1 = Diodo LED R = 1 K Rel para 5V P1= R. variable 10 K Diodo 1N4007 2 x R=10K IC1=A.O. 741

DESARROLLO
Encendido por ausencia de luz Cuando la LDR recibe luz, disminuye su resistencia (tendr un valor comprendido entre varios cientos de ohmios y algn K), por lo que en el divisor de tensin formado por R1 y LDR, prcticamente toda la tensin de la pila estar en extremos de R1 y casi nada en extremos de la LDR, en estas condiciones no le llega corriente a la base, el transistor estar en corte y el diodo no lucir. Cuando la luz disminuye, la resistencia de la LDR aumenta (puede llegar a valer varios cientos de K) por lo que la cada de tensin en la LDR aumenta lo suficiente para que le llegue corriente a la base del transistor, conduzca y se encienda el diodo LED.

Figura 37: Encendido por ausencia de luz

1. Comprueba los valores de la LDR con luz y sin luz. 2. Calcula los valores de tensin que habra en bornes de la LDR en las condiciones anteriores. 3. Monta el circuito de la figura 37 y comprueba su funcionamiento. Encendido por presencia de luz Cuando la LDR recibe luz, disminuye su resistencia (tendr un valor comprendido entre varios cientos de ohmios y algn K), por lo que en la R1 habr una cada de tensin suficiente como para hacer que circule corriente por la base del transistor, que conduzca y se encienda el LED. Cuando la luz disminuye, la resistencia de la LDR aumenta (puede llegar a valer varios cientos de K); en estas condiciones toda la tensin estar prcticamente en la LDR y casi nada en R1 con lo que no circular suficiente corriente por la base del transistor y ste permanecer en corte y diodo LED apagado

Figura 38: Encendido por presencia de luz

1. Comprueba los valores de la LDR con luz y sin luz. 2. Calcula los valores de tensin que habra en bornes de R1 en las condiciones anteriores. 3. Compara el valor de la resistencia R1 con el valor de R1 en el circuito anterior y justifcalo. 4. Monta el circuito y comprueba su funcionamiento. Activacin de un rel por luz Cuando la luz incida directamente sobre la LDR su resistencia disminuye y aumenta el potencial elctrico en la base de T1, lo cual hace que ambos transistores se saturen y, por tanto, el rel se activar y su contacto se cerrar. Por el contrario, cuando no incide luz sobre la LDR, aumenta su resistencia y disminuye el potencial de base de T1, por lo que ambos transistores se cortarn, el rel se desactiva y su contacto permanecer abierto. El potencimetro permite un ajuste fino de las condiciones ambientales de luz

Figura 39: Activacin de un rele por luz

1. Monta el circuito y comprueba su funcionamiento. 2. Acta sobre el potencimetro y comprueba cmo se modifica la sensibilidad a la luz Rel accionado por falta de luz Cuando la luz incide sobre la resistencia LDR disminuye su resistencia, y por tanto tambin disminuye la cada de tensin en la entrada (V+) del A.O.; la tensin en la entrada inversora (V-) del amplificador operacional la regulamos por medio VR1 de modo que sea mayor que la existente en la entrada no inversora (V+), por lo que la tensin de salida de dicho amplificador operacional en estas condiciones ser de 0 V, (ya que no se emplea polarizacin negativa). En estas circunstancias el transistor estar cortado y el rel desactivado. Si, por el contrario, la luz no incide sobre la LDR, su resistencia ser elevada y la cada de tensin en (V+) ser mayor que (V-) por lo que la tensin de salida del amplificador operacional

ser igual a la de la alimentacin (V CC = 9 V). Este hecho provoca la saturacin del transistor y la activacin del rel Por medio de la resistencia variable VR1 podemos regular el nivel de iluminacin con el que deseamos que se active el rel

Figura 40: Rele accionado por falta de luz

1. Monta el circuito en la placa protoboard 2. Mide las tensiones V+ y V- del A.O. y saca conclusiones 3. Regula la VR1 para el nivel de iluminacin deseado 4. Modifica el valor de R1 y observa lo que sucede

CONCLUSIONES

No DE PRCTICA: 9 DISPOSITIVOS OPTOACOPLADORES

Tiempo estimado de realizacin: 2hr

OBJETIVO
Muestra reconoce y explica el funcionamiento de varios Circuitos opto acopladores, as como identificar el tipo de elemento que contienen los encapsulados

MARCO TERICO
Son conocidos como optoaisladores o dispositivos de acoplamiento ptico, basan su funcionamiento en el empleo de un haz de radiacin luminosa para pasar seales de un circuito a otro sin conexin elctrica. Estos son muy tiles cuando se utilizan por ejemplo, Microcontroladores PICs y/o PICAXE si queremos proteger nuestro microcontrolador este dispositivo es una buena opcin. En general pueden sustituir los rels ya que tienen una velocidad de conmutacin mayor, as como, la ausencia de rebotes.

Figura 41: Circuito tpico con optoacoplador

La gran ventaja de un optoacoplador reside en el aislamiento elctrico que puede establecerse entre los circuitos de entrada y salida. Fundamentalmente este dispositivo est formado por una fuente emisora de luz, y un fotosensor de silicio, que se adapta a la sensibilidad espectral del emisor luminoso, todos estos elementos se encuentran dentro de un encapsulado que por lo general es del tipo DIP. Qu tipo de Optoacopladores hay? Existen varios tipos de optoacopladores cuya diferencia entre s depende de los dispositivos de salida que se inserten en el componente. Segn esto tenemos los siguientes tipos: Fototransistor: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada por un transistor BJT. Los mas comunes son el 4N25 y 4N35

Figura 42: foto transistor

Fototriac: se compone de un optoacoplador con una etapa de salida formada por un triac . Fototriac de paso por cero: Optoacoplador en cuya etapa de salida se encuentra un triac de cruce por cero. El circuito interno de cruce por cero conmuta al triac slo en los cruce por cero de la corriente alterna. Por ejemplo el MOC3041

Figura 43: foto triac

Optotiristor: Diseado para aplicaciones donde sea preciso un aislamiento entre una seal lgica y la red.

MATERIAL Y HERRAMIENTAS A UTILIZAR

555 330 4N25 10K BC327 Rele 12 V Fuente 5 v Fuente 12V 1N4007

DESARROLLO
Armar el circuito 555 en su forma astable y conectar su salida a la entrada de datos del siguiente circuito. Ntese que se debe conectar a la resistencia en serie que est conectado al emisor del 4N25.

Figura 44: Aislador de datos

Conocer el funcionamiento del Optotriac MOC 3040. 1. Montar el circuito de la figura 45 2. Conectar a 5 Vcc el circuito emisor del opto acoplador y a 127 Vac ( corriente alterna), el triac BT137. 3. Medir las intensidades y voltajes que se indican en la tabla adjunta con el interruptor abierto y cerrado. 4. Visualizar en el osciloscopio las seales en la puerta, entre A1 y A2 del triac y en la lmpara.

Figura 45: Control del luz

CONCLUSIONES

No DE PRCTICA:
OBJETIVO

10

APLICACIN DE SENSORES
Tiempo estimado de realizacin: 2hr

Muestra reconoce y explica el funcionamiento de varios Sensores, as como sus aplicaciones.

MARCO TERICO
Un sensor es un dispositivo capaz de detectar magnitudes fsicas o qumicas. y transformarlas en variables elctricas. Las variables de instrumentacin pueden ser por ejemplo: temperatura, intensidad lumnica, distancia, aceleracin, inclinacin, desplazamiento, presin, fuerza, torsin, humedad, pH, etc. Un sensor es un tipo de transductor que transforma la magnitud que se quiere medir o controlar, en otra, que facilita su medida. Pueden ser de indicacin directa (e.g. un termmetro de mercurio) o pueden estar conectados a un indicador (posiblemente a travs de un convertidor analgico a digital, un computador y un display) de modo que los valores detectados puedan ser ledos por un humano. Por lo general, la seal de salida de estos sensores no es apta para su lectura directa y a veces tampoco para su procesado, por lo que se usa un circuito de acondicionamiento, como por ejemplo un puente de Wheatstone, amplificadores y filtros electrnicos que adaptan la seal a los niveles apropiados para el resto de la circuitera. Tipos de sensores Sensores reflectivos y por intercepcin (de ranura) Los sensores de objetos por reflexin estn basados en el empleo de una fuente de seal luminosa (lmparas, diodos LED, diodos lser, etc.) y una clula receptora del reflejo de esta seal, que puede ser un fotodiodo, un fototransistor, LDR, incluso chips especializados, como los receptores de control remoto. Con elementos pticos similares, es decir emisor-receptor, existen los sensores "de ranura" (en algunos lugares lo he visto referenciado como "de barrera"), donde se establece un haz directo entre el emisor y el receptor, con un espacio entre ellos que puede ser ocupado por un objeto. LDR (Light-Dependent Resistor, resistor dependiente de la luz) Un LDR es un resistor que vara su valor de resistencia elctrica dependiendo de la cantidad de luz que incide sobre l. Se le llama, tambin, fotorresistor o fotorresistencia. El valor de resistencia elctrica de un LDR es bajo cuando hay luz incidiendo en l (en algunos casos puede descender a tan bajo como 50 ohms) y muy alto cuando est a oscuras (puede ser de varios megaohms). Fotoceldas o celdas fotovoltaicas La conversin directa de luz en electricidad a nivel atmico se llama generacin fotovoltaica. Algunos materiales presentan una propiedad conocida como efecto fotoelctrico, que hace que absorban fotones de luz y emitan electrones. Cuando se captura a estos electrones libres emitidos, el resultado es una corriente elctrica que puede ser utilizada como energa para alimentar circuitos. Esta misma energa se puede utilizar, obviamente, para producir la deteccin y medicin de la luz.

Fotodiodos El fotodiodo es un diodo semiconductor, construido con una unin PN, como muchos otros diodos que se utilizan en diversas aplicaciones, pero en este caso el semiconductor est expuesto a la luz a travs de una cobertura cristalina y a veces en forma de lente, y por su diseo y construccin ser especialmente sensible a la incidencia de la luz visible o infrarroja. Todos los semiconductores tienen esta sensibilidad a la luz, aunque en el caso de los fotodiodos, diseados especficamente para esto, la construccin est orientada a lograr que esta sensibilidad sea mxima. Fototransistores Los fototransistores no son muy diferentes de un transistor normal, es decir, estn compuestos por el mismo material semiconductor, tienen dos junturas y las mismas tres conexiones externas: colector, base y emisor. Por supuesto, siendo un elemento sensible a la luz, la primera diferencia evidente es en su cpsula, que posee una ventana o es totalmente transparente, para dejar que la luz ingrese hasta las junturas de la pastilla semiconductora y produzca el efecto fotoelctrico. CCD y cmaras de vdeo La abreviatura CCD viene del ingls Charge-Coupled Device, Dispositivo Acoplado por Carga. El CCD es un circuito integrado. La caracterstica principal de este circuito es que posee una matriz de celdas con sensibilidad a la luz alineadas en una disposicin fsico-elctrica que permite "empaquetar" en una superficie pequea un enorme nmero de elementos sensibles y manejar esa gran cantidad de informacin de imagen (para llevarla al exterior del microcircuito) de una manera relativamente sencilla, sin necesidad de grandes recursos de conexiones y de circuitos de control. Microinterruptores No es necesario extenderse mucho sobre estos componentes (llamados "microswitch" en ingls), muy comunes en la industria y muy utilizados en equipos electrnicos y en automatizacin. Con seguridad con la recopilacin de imgenes que presentamos a la izquierda ser suficiente.

Sensores de presin

En la industria hay un amplsimo rango de sensores de presin, la mayora orientados a medir la presin de un fluido sobre una membrana. En robtica puede ser necesario realizar mediciones sobre fluidos hidrulicos (por dar un ejemplo), aunque es ms probable que los medidores de presin disponibles resulten tiles como sensores de fuerza (el esfuerzo que realiza una parte mecnica, como por ejemplo un brazo robtico), con la debida adaptacin. Se puede mencionar un sensor integrado de silicio como el MPX2100 de Motorola, de pequeo tamao y precio accesible. Sensores de fuerza Un sensor de fuerza ideal para el uso en robtica es el sensor FlexiForce. Se trata de un elemento totalmente plano integrado dentro de una membrana de circuito impreso flexible de escaso espesor. Esta forma plana permite colocar al sensor con facilidad entre dos piezas de la mecnica de nuestro sistema y medir la fuerza que se aplica sin perturbar la dinmica de las

pruebas. Los sensores FlexiForce utilizan una tecnologa basada en la variacin de resistencia elctrica del rea sensora. La aplicacin de una fuerza al rea activa de deteccin del sensor se traduce en un cambio en la resistencia elctrica del elemento sensor en funcin inversamente proporcional a la fuerza aplicada. Sensores de contacto (choque) Para detectar contacto fsico del robot con un obstculo se suelen utilizar interruptores que se accionan por medio de actuadores fsicos. Un ejemplo muy clsico seran unos alambres elsticos que cumplen una funcin similar a la de las antenas de los insectos. En ingls les llaman "whiskers" (bigotes), relacionndolos con los bigotes sensibles de los animales como por ejemplo los perros y gatos. Tambin se usan bandas metlicas que rodean al robot, o su frente y/o parte trasera, como paragolpes de autos. Piel robtica El mercado ha producido, en los ltimos tiempos, sensores planos, flexibles y extendidos a los que han bautizado como "robotic skin", o piel robtica. Uno de estos productos es el creado por investigadores de la universidad de Tokio. Se trata de un conjunto de sensores de presin montados sobre una superficie flexible, diseados con la intencin de aportar a los robots una de las capacidades de nuestra piel: la sensibilidad a la presin. Micrfonos y sensores de sonido El uso de micrfonos en un robot se puede hallar en dos aplicaciones: primero, dentro de un sistema de medicin de distancia, en el que el micrfono recibe sonidos emitidos desde el mismo robot luego de que stos rebotan en los obstculos que tiene enfrente, es decir, un sistema de sonar; y segundo, un micrfono para captar el sonido ambiente y utilizarlo en algn sentido, como recibir rdenes a travs de palabras o tonos, y, un poco ms avanzado, determinar la direccin de estos sonidos. Como es obvio, ahora que se habla tanto de robots para espionaje, tambin se incluyen micrfonos para tomar el sonido ambiente y transmitirlo a un sitio remoto. Rangers (medidores de distancia) ultrasnicos Los medidores ultrasnicos de distancia que se utilizan en los robots son, bsicamente, un sistema de sonar. En el mdulo de medicin, un emisor lanza un tren de pulsos ultrasnicos y espera el rebote, midiendo el tiempo entre la emisin y el retorno, lo que da como resultado la distancia entre el emisor y el objeto donde se produjo el rebote. Se pueden sealar dos estrategias en estos medidores: los que tienen un emisor y un receptor separados y los que alternan la funcin (por medio del circuito) sobre un mismo emisor/receptor piezoelctrico. Este ltimo es el caso de los medidores de distancia incluidos en las cmaras Polaroid con autorango, que se obtienen de desarme y se usan en la robtica de experimentacin personal. Hay dos sensores caractersticos que se utilizan en robots: 1. Los mdulos de ultrasonido contenidos en las viejas cmaras Polaroid con autorango, que se pueden conseguir en el mercado de usados por relativamente poco dinero. 2. Los mdulos SRF de Devantech, que son capaces de detectar objetos a una distancia de hasta 6 metros, adems de conectarse al microcontrolador mediante un bus I2C. Medidores de distancia por haz infrarrojo La empresa Sharp produce una lnea de medidores de distancia basados en un haz infrarrojo, que forman la familia GP2DXXX. Estos sensores de infrarrojos detectan objetos a distintos rangos de distancia, y en algunos casos ofrecen informacin de la distancia en algunos modelos, como los GP2D02 y GP2D12. El mtodo de deteccin de estos sensores es por triangulacin. El

haz es reflejado por el objeto e incide en un pequeo array CCD, con lo cual se puede determinar la distancia y/o presencia de objetos en el campo de visin. En los sensores que entregan un nivel de salida analgico para indicar la distancia, el valor no es lineal con respecto a la distancia medida, y se debe utilizar una tabla de conversin. Acelermetros, sensores de vibracin Un acelermetro es un dispositivo que permite medir el movimiento y las vibraciones a las que est sometido un robot (o una parte de l), en su modo de medicin dinmica, y la inclinacin (con respecto a la gravedad), en su modo esttico. De los antiguos acelermetros mecnicos, de tamao grande y dificultoso de construir, porque incluan imanes, resortes y bobinas (en algunos modelos), se ha pasado en esta poca a dispositivos integrados, con los elementos sensibles creados sobre los propios microcircuitos. Estos sensores, disponibles en forma de circuito integrado, son los que se utilizan normalmente en robtica experimental. Uno de los acelermetros integrados ms conocidos es el ADXL202, muy pequeo, verstil y de costo accesible. Sensores pendulares (Inclinmetros) Queda claro que la inclinacin de un robot se puede medir con facilidad utilizando las caractersticas de medicin esttica del sensor ADXL202 que descibimos aqu arriba. Las ventajas de este sensor son grandes, debido a su pequeo tamao, slida integracin y facilidad de conexin con microcontroladores. De todos modos, existen otras soluciones para determinar la posicin de la vertical (en base a la fuerza de la gravedad), y las listaremos brevemente. El mercado ofrece dispositivos con diversas soluciones mecnicas, todas basadas en un peso, a veces suelto aunque flotando en un medio viscoso, a veces ubicado sobre una rueda cargada sobre un lado de su circunferencia, en ocasiones una esfera. Hasta hay sensores basados en el movimiento de un lquido viscoso y conductor de la electricidad dentro de una cavidad. Las partes mviles en muchos casos estn sumergidas en aceite, para evitar que la masa que hace de pndulo quede realizando movimientos oscilantes. Los sensores pueden estar basados en efecto capacitivo, electroltico, de torsin (piezoelctrico), magntico (induccin sobre bobinas) y variacin resistiva. Contactos de mercurio Tambin para medir inclinacin, aunque en este caso sin obtener valores intermedios, sino simplemente un contacto abierto o cerrado, existen las llaves o contactos de mercurio, que consisten en un cilindro (por lo general de vidrio) en el que existen dos contactos a cerrar y una cantidad suficiente de mercurio que se puede deslizar a un extremo u otro del cilindro y cerrar el contacto. Girscopos El girscopo o giroscopio est basado en un fenmeno fsico conocido hace mucho, mucho tiempo: una rueda girando se resiste a que se le cambie el plano de giro (o lo que es lo mismo, la direccin del eje de rotacin). Esto se debe a lo que en fsica se llama "principio de conservacin del momento angular". En robots experimentales no se suelen ver volantes giratorios. Lo que es de uso comn son unos sensores de pequeo tamao, como los que se utilizan en modelos de helicpteros y robots, basados en integrados cuya "alma" son pequesmas lenguetas vibratorias, construidas directamente sobre el chip de silicio. Su deteccin se basa en que las piezas cermicas en vibracin son sujetas a una distorsin que se produce por el efecto Coriolis.

Termistores Un termistor es un resistor cuyo valor vara en funcin de la temperatura. Existen dos clases de termistores: NTC (Negative Temperature Coefficient, Coeficiente de Temperatura Negativo), que es una resistencia variable cuyo valor se decrementa a medida que aumenta la temperatura; y PTC (Positive Temperature Coefficient, Coeficiente de Temperatura Positivo), cuyo valor de resistencia elctrica aumenta cuando aumenta la temperatura. La lectura de temperaturas en un robot, tanto en su interior como en el exterior, puede ser algo extremadamente importante para proteger los circuitos, motores y estructura de la posibilidad de que, por friccin, esfuerzo, trabas o excesos mecnicos de cualquier tipo se alcancen niveles peligrosos de calentamiento. RTD (Termorresistencias) Los sensores RTD (Resistance Temperature Detector), basados en un conductor de platino y otros metales, se utilizan para medir temperaturas por contacto o inmersin, y en especial para un rango de temperaturas elevadas, donde no se pueden utilizar semiconductores u otros materiales sensibles. Su funcionamiento est basados en el hecho de que en un metal, cuando sube la temperatura, aumenta la resistencia elctrica. Termocuplas El sensor de una termocupla est formado por la unin de dos piezas de metales diferentes. La unin de los metales genera un voltaje muy pequeo, que vara con la temperatura. Su valor est en el orden de los milivolts, y aumenta en proporcin con la temperatura. Este tipo de sensores cubre un amplio rango de temperaturas: -180 a 1370 C. Diodos para medir temperatura Se puede usar un diodo semiconductor ordinario como sensor de temperatura. Un diodo es el sensor de temperatura de menor costo que se puede hallar, y a pesar de ser tan barato es capaz de producir resultados ms que satisfactorios. Slo es necesario hacer una buena calibracin y mantener una corriente de excitacin bien estable. El voltaje sobre un diodo conduciendo corriente en directo tiene un coeficiente de temperatura de alrededor de 2,3 mV/C y la variacin, dentro de un rango, es razonablemente lineal. Se debe establecer una corriente bsica de excitacin, y lo mejor es utilizar una fuente de corriente constante, o sino un resistor conectado a una fuente estable de voltaje. Circuitos integrados para medir temperatura Existe una amplia variedad de circuitos integrados sensores de temperatura (se puede encontrar una lista en el link de abajo con la informacin detallada). Estos sensores se agrupan en cuatro categoras principales: salida de voltaje, salida de corriente, salida de resistencia y salida digital. Con salida de voltaje podemos encontrar los muy comunes LM35 (C) y LM34 (K) de National Semiconductor. Con salida de corriente uno de los ms conocidos es el AD590, de Analog Devices. Con salida digital son conocidos el LM56 y LM75 (tambin de National). Los de salida de resistencia son menos comunes, fabricados por Phillips y Siemens. Pirosensores (sensores de llama a distancia) Existen sensores que, basados en la deteccin de una gama muy angosta de ultravioletas, permiten determinar la presencia de un fuego a buena distancia. Con los circuitos que provee el fabricante, un sensor de estos (construido con el bulbo UVTron) puede detectar a 5 metros de distancia un fsforo (cerilla) encendido dentro de una habitacin soleada. En el mercado de

sensores industriales se puede encontrar una variedad amplia de sensores de llama a distancia, algunos que detectan tambin ultravioleta y otros que se basan en los infrarrojos, aunque por lo que pude ver, la mayora son de tamao bastante grande. Otro sensor que se utiliza en robtica, en este caso sensible a los infrarrojos, es el mdulo TPA81. Sensores de humedad La deteccin de humedad es importante en un sistema si ste debe desenvolverse en entornos que no se conocen de antemano. Una humedad excesiva puede afectar los circuitos, y tambin la mecnica de un robot. Por esta razn se deben tener en cuenta una variedad de sensores de humedad disponibles, entre ellos los capacitivos y resistivos, ms simples, y algunos integrados con diferentes niveles de complejidad y prestaciones. Para el uso en robtica, por suerte, se puede contar con mdulos pequeos, verstiles y de costo accesible, como el SHT11 de Sensirion. Sensores magnticos En robtica, algunas situaciones de medicin del entorno pueden requerir del uso de elementos de deteccin sensibles a los campos magnticos. En principio, si nuestro robot debe moverse en ambientes externos a un laboratorio, una aplicacin importante es una brjula que forme parte de un sistema de orientacin para nuestro robot. Otra aplicacin es la medicin directa de campos magnticos presentes en las inmediaciones, que podran volverse peligrosos para el "cerebro" de nuestro robot si su intensidad es importante. Una tercera aplicacin es la medicin de sobrecorrientes en la parte motriz (detectando la intensidad del campo magntico que genera un conductor en la fuente de alimentacin). Tambin se podrn encontrar sensores magnticos en la medicin de movimientos, como el uso de detectores de "cero movimiento" y tacmetros basados en sensores por efecto Hall o pickups magnticos. Sistema de posicionamiento global Si bien nos puede parecer demasiado lujo para nuestros experimentos, lo cierto es que un sistema de posicionamiento global (GPS, Global Positioning System) aporta una serie de datos que pueden ser muy tiles para un robot avanzado. Un ejemplo de este servicio es el mdulo DS-GPM, fabricado por Total Robots, que entrega datos de latitud, longitud, altitud, velocidad, hora y fecha y posicin satelital. Estos datos se comunican desde los registros del mdulo a travs de interfaces I2C y RS232. Si bien no es barato, en realidad no es tan inaccesible: un dispositivo de estas caractersticas se vende en el mercado de EEUU a un valor cercano a los us$ 400. Receptores de radiobalizas Por medio de un grupo de emisores de radiofrecuencia codificados, ubicados en lugares conocidos por el sistema, es posible establecer con precisin la posicin de un robot, con slo hacer una triangulacin. Al efecto el robot debe poseer una antena de recepcin direccional (con reflector parablico, o similar) que pueda girar 360, y as determine la posicin de las radiobalizas. En el robot es posible usar receptores integrados muy pequeos y de bajo costo, como el RWS-433, o el RXLC-434, y otros similares, que trabajan en frecuencias de entre 303 y 433 Mhz. La eleccin de los transmisores dependern de la distancia a que se ubiquen las radiobalizas, pero si se trata de reas acotadas es posible utilizar los mdulos transmisores hermanados con los anteriores, como el TWS-433 y el TXLC-434

Sensores de proximidad Los sensores de proximidad que se obtienen en la industria son resultado de la necesidad de contar con indicadores de posicin en los que no existe contacto mecnico entre el actuador y el detector. Pueden ser de tipo lineal (detectores de desplazamiento) o de tipo conmutador (la conmutacin entre dos estados indica una posicin particular). Hay dos tipos de detectores de proximidad muy utilizados en la industria: inductivos y capacitivos. Los detectores de proximidad inductivos se basan en el fenmeno de amortiguamiento que se produce en un campo magntico a causa de las corrientes inducidas (corrientes de Foucault) en materiales situados en las cercanas. El material debe ser metlico. Los capacitivos funcionan detectando las variaciones de la capacidad parsita que se origina entre el detector propiamente dicho y el objeto cuya distancia se desea medir. Se emplean para medir distancias a objetos metlicos y no metlicos, como la madera, los lquidos y los materiales plsticos.

MATERIAL Y HERRAMIENTAS A UTILIZAR

R1: Termistor 15K R2: Resistor 1.5K R3: Resistor 1K R4: Resistor 47 R5: Resistor 680 VR1: Trimmer 22K C1: capacitor electroltico 100uF Q1: Transistor 2N2712 (NPN) o similar Q2: Transistor BD140 (PNP) o similar M: Motor DC 12 V. 1 integrado LM 555 1 rel 12 V 5 pines 1 2N3904 1 1N4004 1 diodo 1N4148 2 led; 1verde y 1 rojo 3 R 1K 1 capacitor 10uF/25V

DESARROLLO
Control de motor por temperatura Este controlador de velocidad de un ventilador por medio de temperatura, establecer la velocidad del motor segn la temperatura que se est sensando. A mayor temperatura, a mayor velocidad girar el motor. Para variar la velocidad del motor DC, se vara el voltaje que se aplica entre sus terminales. Para medir la temperatura se utiliza un termistor (R1) que debe colocarse lo ms cercano posible del lugar donde se desea sensar le temperatura. Del diagrama, se puede observar que el termistor (R1) y el resistor (R2) forman un divisor de voltaje. Se recomienda que el valor de R2 sea ms o menos un dcimo del valor de R1.

Figura 46: Control de motor con temperatura.

Al subir la temperatura el valor del termistor disminuir causando que el transistor Q1 se sature cada vez ms (conduzca cada vez ms corriente). El voltaje del colector de Q1 esta conectado ala base Q2. El voltaje en la base de Q2 disminuir. Al disminuir el voltaje en la base de Q2, este se saturara cada vez mas, haciendo que el voltaje colector emisor (Vce) sea cada vez menor y por consiguiente se incremente el voltaje en la termi9nal superior del motor. El valor mximo aplicable al motor CC es ligeramente menor de 12 V. Detector de Humedad El detector de humedad es uno de los circuitos de mayor aplicacin en el automatismo electrnico. Tiene mucha utilidad en el sector agropecuario; adems nos sirve en nuestros experimentos caseros para varias aplicaciones como detector de mentiras y similares. Creamos un oscilador con el LM555. Abrimos la lnea que conduce entre el pin 7 y 6 que est conectada al pin de disparo.

Figura 47: Control de humedad con 555.

Al quedar en el aire la lnea ve una alta resistencia, la cual es la del aire y por tanto quedar encendido un led al azar. Bajamos esta resistencia con un material hmedo, el cual tendr en paralelo la resistencia del aire con la del material hmedo. Al ocurrir esta disminucin en la resistencia se logra poner a oscilar LM555 y se puede visualizar en los diodos verde y rojo. La velocidad de oscilacin ser proporcional al grado de humedad del material a medir, es decir cunto ms hmedo, mas rpido ser la oscilacin. Luego amplificamos esta seal y colocamos en la salida en rel para aplicar este circuito al control real de aparatos los cuales pueden manejarse a un voltaje diferente al de la tarjeta, el cual es 12 VDC.

CONCLUSIONES

No DE PRCTICA:
OBJETIVO

11

USO Y APLICACIN DE LAS FUENTES CONMUTADAS

Tiempo estimado de realizacin: 2hr

Muestra reconoce y explica el funcionamiento de la fuente conmutada.

MARCO TERICO
Una fuente conmutada es un dispositivo electrnico que transforma energa elctrica mediante transistores en conmutacin. Mientras que un regulador de tensin utiliza transistores polarizados en su regin activa de amplificacin, las fuentes conmutadas utilizan los mismos conmutndolos activamente a altas frecuencias (20-100 Kilociclos tpicamente) entre corte (abiertos) y saturacin (Cerrados). La forma de onda cuadrada resultante es aplicada a transformadores con ncleo de ferrita (Los ncleos de hierro no son adecuados para estas altas frecuencias porque...) para obtener uno o varios voltajes de salida de corriente alterna (CA) que luego son rectificados (Con diodos rpidos)y filtrados (Inductores y condensadores)para obtener los voltajes de salida de corriente continua (CC). Las ventajas de este mtodo incluyen menor tamao y peso del ncleo, mayor eficiencia por lo tanto menor calentamiento. Las desventajas comparndolas con fuentes lineales es que son ms complejas y generan ruido elctrico de alta frecuencia que debe ser cuidadosamente minimizado para no causar interferencias a equipos prximos a estas fuentes. Las fuentes conmutadas son de circuitos relativamente complejos, pero podemos siempre diferenciar cuatro bloques constructivos bsicos:

Figura 48: Diagrama a bloques de la fuente conmutada

En el primer bloque rectificamos y filtramos la tensin alterna de entrada convirtindola en una continua pulsante. El segundo bloque se encarga de convertir esa continua en una onda cuadrada de alta frecuencia (10 a 200 kHz.), La cual es aplicada a una bobina o al primario de un transformador. Luego el tercer bloque rectifica y filtra la salida de alta frecuencia del bloque anterior, entregando as una continua pura. El cuarto bloque se encarga de comandar la oscilacin del segundo bloque. Este bloque consiste de un oscilador de frecuencia fija, una tensin de referencia, un comparador de tensin y un modulador de ancho de pulso (PWM). El modulador recibe el pulso del oscilador y modifica su ciclo de trabajo segn la seal del comparador, el cual coteja la tensin continua de salida del tercer bloque con la tensin de referencia. Aclaracin: ciclo de trabajo es la relacin entre el estado de encendido y el estado de apagado de una onda cuadrada. En la mayora de los circuitos de fuentes conmutadas encontraremos el primer y el tercer bloque como elementos invariables, en cambio el cuarto y en segundo tendrn diferentes tipos de

configuraciones. A veces el cuarto bloque ser hecho con integrados y otras veces nos encontraremos con circuitos totalmente transistorizados. El segundo bloque es realmente el alma de la fuente y tendr configuraciones bsicas: BUCK , BOOST, BUCK-BOOST.

Figura 49: Configuraciones de la fuente conmutada

Buck: el circuito interrumpe la alimentacin y provee una onda cuadrada de ancho de pulso variable a un simple filtro LC. La tensin aproximada es Vout = Vin * ciclo de trabajo y la regulacin se ejecuta mediante la simple variacin del ciclo de trabajo. En la mayora de los casos esta regulacin es suficiente y slo se deber ajustar levemente la relacin de vueltas en el transformador para compensar las prdidas por accin resistiva, la cada en los diodos y la tensin de saturacin de los transistores de conmutacin. Boost: el funcionamiento es ms complejo. Mientras el Buck almacena la energa en una bobina y ste entrega la energa almacenada ms la tensin de alimentacin a la carga. Buck-Boost: los sistemas conocidos como Flyback son una evolucin de los sistemas anteriores y la diferencia fundamental es que ste entrada a la carga slo la energa almacenada en la inductancia. El verdadero sistema Boost slo puede regular siendo Vout mayor que Vin, mientras que el Flyback puede regular siendo menor o mayor la tensin de salida que la de entrada. En el anlisis de los sistemas Boost comenzamos por saber que la energa que se almacena en la inductancia es entregada como una cantidad fija de potencia a la carga: Po = ( L I fo) / 2 ; I es la corriente de pico en la bobina, fo es la frecuencia de trabajo, L es el valor de la inductancia. Este sistema entrega siempre una cantidad fija de potencia a la carga sin fijarse en la impedancia de la carga, por eso es que el Boost es muy usado en sistemas de flash fotogrficos o en sistemas de ignicin del automotor para recargar la carga capacitiva, tambin es usado como un muy buen cargador de bateras. Pero cuando necesitamos alimentar un sistema electrnico con carga resistiva debemos conocer muy bien el valor de resistencia para poder calcular el valor de la tensin de salida: Vo = ( Po.Rl )^ = I ( L fo Rl )^, donde Rl es el valor de resistencia del circuito. En este caso la corriente de la bobina es proporcional al tiempo de conectado o al ciclo de trabajo del conmutador y la regulacin para cargas fijas se realiza por variacin del ciclo de trabajo.

MATERIAL Y HERRAMIENTAS A UTILIZAR

2 Capacitor 100 F/ 16V 3 resistencias 1K 1 Amplificador operacional Lm741 1 Generador de funciones 1 Osciloscopio

DESARROLLO
Construya el siguiente filtro pasa bajos con amplificador operacional.

Figura 50: Filtro Activo pasa bajos

Figura 51: Curva de respuesta de un filtro pasa bajos

Si se seleccionan los capacitores de modo que: C1=C2= C y R1=R2=R3=R El valor de la frecuencia de corte se obtiene con la siguiente formula: Fc= 0.0481/ RC Y la ganancia del filtro ser Av= Vo /V in = R2/R1 Si se expresa esta ganancia en decibeles Av= 20 log Vo/Vin Compruebe el funcionamiento del filtro graficando la seal de entrada y de salida del circuito si el generador de funciones esta en onda senoidal a 60 Hz.

Vari la seal de entrada a 1000Hz y grafique el resultado

Filtro activo pasa banda con Amplificador Operacional En un filtro activo la salida puede ser de igual o de mayor magnitud que la entrada.

Figura 52: Filtro activo pasa banda con Amplificador Operacional

El filtro Pasa Banda tiene la siguiente curva de respuesta de frecuencia. Dejar pasar todas las tensiones de la seal de entrada que tengan frecuencias entre la frecuencia de corte inferior f1 y la de corte superior f2. Las tensiones fuera de este rango de frecuencias sern atenuadas y sern menores al 70.7 % de la tensin de entrada. La frecuencia central de este tipo de filtro se obtiene con la siguiente frmula:
fo = 1 / [ 2C x (R3R)1/2]

Figura 53: frecuencia central del filtro pasa banda

Si se seleccionan los capacitores y resistores de modo que: C1 = C2 = C y R1 = R2 = R El ancho de banda ser: BW El factor de calidad Q = fo / BW. = f2 f1 = 1.41 R / [ CR3 (R3R)1/2 ]

Las lneas discontinuas verticales sobre f1 y f2 y la lnea horizontal del 70.7% representan la respuesta de un filtro pasa banda ideal. Proponga un valor de frecuencia de entrada y vea como cambia la salida del circuito, grafique los cambios.

CONCLUSIONES