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Electronique De Puissance

Encadr par : Mme BENOMAR Fait par :

2011-2012

AIT EL HADJ Nabil


2me Gnie Electrique EAI

2nd year Electrical Engineering, EHTP, 2011/212

Power-Electronics

Nabil AIT EL HADJ

Contents
1. 2. b. c. d. .Avant-Propos et notations ........................................... 3 . Choix et protection dune diode ...................................... 4 a. Diodes rapides ................................................... 4 Choix d'une diode............................................... 4 Refroidissement .................................................. 5 Protection .................................................... 5

e. Limitation de la surtension inverse par circuit R-C .......................... 5

EXEMPLE DAPPLICATION. - Soit une diode stockant Qs 30 C lorsque IF = 10 A et

prsentant une VRRM de 600 V. On dsire ouvrir cette diode, dispose dans une branche dinductance srie L = 2H, en appliquant une tension inverse V R=250V. Calculons le circuit R-C ncessaire. .............................................. 12 f. 3. Protection dun thyristor blocable .................................... 13 .Protection thermique des composants de puissance ........................ 19 a. Origines des pertes dans les composants ................................ 19 i) ii) iii) iv) o o o v) o o o 4. Pertes en conduction ........................................... 19 Pertes en commutation ........................................ 19 Ncessit de la protection des lments ............................ 19 Protection Contre la chaleur :dimensionnement des radiateurs ............ 19 Les radiateurs : ................................................ 19 Rsistance thermique : ........................................... 20 Les ventilateurs : ............................................... 20 Dissipateurs thermiques ........................................ 21 Analogie en modle lectrique et modle thermique ..................... 21 Modle du dissipateur ........................................... 21 Exemples de dissipateurs ......................................... 22

Exemple: ....................................................... 22 .Etude des MOS et des transistors de puissance ............................ 25 a. Les transistors bipolaires (Bipolar Junction Transistor : BJT) : ................. 25 i) ii) b. i) Fonctionnement : .............................................. 25 Grandeurs caractristiques :...................................... 26 Les transistors MOSFET (Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor) : ... 26 Fonctionnement : .............................................. 27

ii) c. i) ii) d. i) ii)

Grandeurs caractristiques :...................................... 27 Fonctionnement : .............................................. 27 Grandeurs caractristiques :...................................... 28 Les thyristors GTO (Gate Turn Off) :................................. 34 Fonctionnement : .............................................. 34 Grandeurs caractristiques : ...................................... 34

Les transistors IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) : .................... 27

Autres renseignements utiles ......................................... 31

5.

.Etude du circuit daide la commutation dun transistor de puissance ........... 35 a. ETUDE DUN CALC .............................................. 35 i) ii) o o o o o o o o Dfinition .................................................... 35 Le cas de la commutation du transistor dans un hacheur ................. 35 CALC lamorage ............................................. 36

Problme de blocage : Linnductance L est charge et on ne peut pas interrompre son courant sans provoquer une surtension. .............................. 36 Problme de lamorage : Le condensateur C est charg et on le court-circuite avec le transistor(courant ICC trs lev) ....................................... 36 Constitution .................................................. 37 Fonctionnement des transistors MOS ................................. 38 Caractristiques ................................................ 38

Rsistance apparente ltat passant ................................. 39


Avantages et inconvnients ....................................... 40

2.
o 6.

Aire de scurit ................................................ 40 . Les commutations ............................................. 41


.Comparaison entre les2 diffrents interrupteurs entirement commandables : ...... 42 1 2 3 4 5 6 7 ---------------------------------------------------------- 6 ---------------------------------------------------------- 8 ---------------------------------------------------------- 9 --------------------------------------------------------- 11 --------------------------------------------------------- 13 --------------------------------------------------------- 14 --------------------------------------------------------- 18

Figure Figure Figure Figure Figure Figure Figure

Ce travail, dans sa partie protection des diodes et thyristor, est fait la base de louvrage de JeanLouis DALMASSO: Electronique de puissance commutation; Edition Belin, Bibliothque Universitaire Mohammed Sekkat, Casablanca, Maroc La suite est faite partir dautres documents en franais et en anglais sur net

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I,V ,u VK, iK

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Electronique de puissance a pour ambition la conversion des ondes lectriques (DC to DC,DC to AC,AC to AC,AC to DC) et la commande de la puissance lectrique ainsi convertie au moyen de composants lectroniques. Ainsi, Ltude des composants de puissance semi-conducteur devient une ncessit pour llectronique de puissance. La physique des semi-conducteurs nest pas le but de ce paragraphe, nous allons dcrire simplement les principales caractristiques externes des composants et qui dtermine le type de protection ainsi leurs rles. Ils peuvent tre classs en trois groupes : les diodes, composants non commandables, o les tats ON et OFF dpendent des grandeurs lectriques du circuit, les thyristors, composants commandables uniquement lamorage (passage de ltat OFF ltat ON). les interrupteurs entirement commandables : les transistors bipolaires (BJT), les transistors effet de champ grille isole (MOSFET), les transistors hybrides des deux premiers (IGBT), le thyristor command louverture (GTO).

1.

.Avant-Propos et notations

Index des notations :

VF, VFR, iF VT, iT t0,tf w(O), ou Wtot(O), WF(0), Th(0),WT(0) w (F) ou Wtot (F) Qs, QRR

o Valeurs instantanes de grandeurs fonctions du temps o d.d.p. aux bornes dun interrupteur K, intensit du courant traversant cet interrupteur (gnralement lis par la convention rcepteur ) o Tension directe, tension inverse, intensit du courant direct dune diode o Tension directe, intensit du courant direct (thyristor, triac) o Dates douverture et de fermeture o nergie dissipe durant louverture (0) ou la fermeture (F) dun interrupteur dans un circuit (pas dindice ou tt ), dans une diode (indice F), un thyristor (Th) ou un transistor (T) o Quantit dlectricit (ou charge lectrique) stocke dans un composant ou recouvre la commutation

Lorsquune diode est traverse par un courant direct permanent dintensit iF sa jonction nest pas lectriquement neutre et stocke une charge Qs telle que : Qs = .iF o est la dure moyenne de vie des porteurs minoritaires dans la zone de la jonction ; la valeur de est fonction des dimensions et du dopage du cristal ; elle augmente avec la temprature de travail et diminue lorsque lintensit du courant direct, iF , augmente. La charge Qs peut valoir de quelques dizaines de nano coulombs quelque micro coulombs pour une diode rapide de quelque dizaines dampres

a. Diodes rapides Les diodes rapides ont, toutes choses gales par ailleurs (tension inverse maximale VRRM, intensit maximale du courant direct permanent ou moyen I FAv), une charge stocke Qs de valeur infrieure, pour un mme courant direct, celle dune diode ordinaire (de redressement). En rduisant Qs (donc aussi QRR) : o on diminue la dure du recouvrement inverse (donc la dure douverture) :
Cest le but recherch : une diode rapide est une diode rapide louverture ; o on rduit les pertes supplmentaires de commutation louverture :

2.

. Choix et protection dune diode

o on attnue lintensit maximale du courant inverse :

Ou, ce qui revient au mme, on permet des vitesses dextinction plus importantes sans accrotre IRM ; o on diminue de mme la surtension inverse :

On ralise des diodes de faible charge stocke directe (de quelques centimes de micro coulombs quelques micro coulombs pour des diodes de plusieurs centaines de volts de V RRM et dune dizaine dampres de IFAV) en rduisant les dimensions de la jonction, ce qui a aussi pour effet de diminuer les valeurs de la surtension de fermeture Vpp et du temps de recouvrement direct tfr : une diode rapide est aussi rapide la fermeture. Mais on fragilise aussi le composant et on diminue la valeur de la tension inverse davalanche (suprieure VRRM) ; rciproquement, plus la tension inverse supporter est faible et plus on peut rduire les dimensions et la charge4 stocke au courant nominal, ce qui augmente la rapidit de la diode. Comme dans le cas de tout autre composant cette opration se dcompose en plusieurs tapes : analyse des performances attendues du composant (compte tenu du montage raliser) : valeurs moyenne et efficace du courant direct maximal, valeur maximale de la tension inverse bloque, dures de commutation ou valeurs des vitesses dtablissement et dextinction du courant direct,... valuation des effets associs aux commutations de la diode : surtension directe de fermeture, courant inverse et surtension inverse de blocage, temps de recouvrement direct et inverse,... recherche dun composant de performances satisfaisantes dont le comportement en commutation soit acceptable ; on a vu, lors de lanalyse des consquences de louverture dune diode (transition gnratrice de forts parasites), que ce choix dbouche souvent sur un
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b. Choix d'une diode

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compromis dans la mesure o il est impossible de rduire simultanment tous les effets secondaires des commutations. On peut, entre autres, rencontrer les alternatives suivantes : pour rduire les dures de commutation, les surtensions et surintensits inverses, rchauffement, on choisit des diodes rapides mais ces composants sont plus fragiles. Il faut valuer assez prcisment la valeur maximale de la tension supporter au blocage ; on ne peut systmatiquement prvoir une marge confortable de scurit en tension inverse car la rapidit dune diode est dautant plus grande quelle a t construite pour bloquer une tension inverse VRRM plus petite ; pour limiter les surtensions inverses et liminer loscillation ventuelle du courant de recouvrement on peut souhaiter utiliser des diodes remonte progressive du courant mais les pertes supplmentaires louverture sont alors telles quaux frquences de travail leves rchauffement du composant peut devenir inacceptable.

c. Refroidissement On a tabli les expressions approches des pertes de puissance au niveau dun composant durant les diffrentes phases dun fonctionnement priodique de frquence / : rgime de conduction :
commutation la fermeture : commutation louverture :

On en dduit la puissance totale de lnergie vacuer :

Compte tenu des tempratures maximales admissibles de jonction (T vj) et dambiance (Tamb), des rsistances thermiques entre jonction et botier (T thjc) et entre botier et radiateur (Rthch) on Peut dterminer la rsistance thermique du radiateur utiliser pour refroidir la diode :

La scurit dune diode en fonctionnement est assure lorsque le composant, bien adapt au travail qui lui est demand, est dispos sur un radiateur bien dimensionn et, ventuellement, protg par un fusible bien calcul. Il se peut toutefois que le compromis qui a t impos, lors du choix de la diode, par les composants disponibles ne rende pas acceptables tous les effets induits par ses commutations (et surtout le courant inverse, la surtension inverse et les oscillations ventuelles de la tension et du courant louverture) ou ne permette pas la diode de supporter les surcharges parasites dues aux autres lments du montage. On peut alors disposer des circuits annexes destins rduire les contraintes imposes au composant. Exemple : circuit R-C en parallle pour limiter la surtension inverse louverture.

d. Protection

e.

Limitation de la surtension inverse par circuit R-C

Un circuit R-C, dispos en parallle aux bornes de la diode, rduit la surtension inverse provoque, au blocage, par linductance de fuite de la branche o le courant steint. Tant que la diode est passante (cest--dire approximativement jusqu la date t 02 o lintensit du courant direct vaut - IRM) le circuit R-C na pas deffet et le condensateur est charg sous tension :

Figure 1

ngligeable, en valeur absolue, devant la tension inverse de blocage VR :

Si la capacit C du condensateur est trs grande devant celle, CF, de la diode bloque, lintensit iC du courant appel par le condensateur lors de la monte de la tension inverse vFR =- vF (blocage de D) est trs suprieure celle, iFR, du courant inverse de recouvrement de la diode. La branche en commutation est alors quivalente au schma de la figure 1 et les grandeurs lectriques ic (t), VC(t) et VFR (t) doivent satisfaire :

Avec : Do : Le type dvolution de ce circuit du second ordre dpend des solutions de lquation 6 2 + RC.r + 1 = 0, cest--dire du signe du discriminant : = R2C24.LC: caractristique : LC.r le discriminant est strictement positif lorsque :

Les solutions de lquation caractristique sont alors relles :

et les grandeurs cherches sexpriment :

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o: t' = t t02. En tenant compte de la continuit du courant dans la branche inductive (ic (t02) IRM) et de celle de la d.d.p. aux bornes du condensateur de capacit C (Vc (tO2) 0) on tablit que :

et

Si on est assez loin du rgime amorti critique

la tension inverse VFR (t') se

confond rapidement avec le terme de plus grande constante de temps et son amplitude maximale sexprime approximativement :

Si on note :

on peut encore crire :

La valeur maximale de la tension inverse VFR applique la diode vaut VFR1 si la d.d.p. qui apparat aux bornes du composant la date t 02 (t' = 0) lui est infrieure ; or :

Comme x ne peut tre que suprieure lunit (rgime amorti) on a ncessairement :

sera suprieur a

ds que :

,soit :

( )

Do deux types de formes donde pour la tension inverse VFR (t) :

aux faibles valeurs de k (fortes valeurs de C) la valeur maximale de la tension inverse supporte par la diode, VRM, est donne par : La surtension inverse est trs limite mais la constante de temps du rgime amorti (de lordre de RC) est grande (cf. figure 2, courbe 1) ; aux fortes valeurs de k (faibles de C) la constante de temps du rgime transitoire est de faible valeur mais la surtension inverse :
Figure 2

peut tre trs importante (courbe 2 de la figure 2) ; le discriminant A est ngatif lorsque le rgime

transitoire est alors un rgime oscillant amorti car les solutions de lquation caractristique sont complexes :

Do :

Les conditions initiales (Vc (t = 0) 0, ic (t = 0) IRM) imposent :

On en dduit lexpression de la tension inverse VFR aux bornes de la diode :

En notant langle tel que

cos = RC , il vient

Pour que VFR (t') passe par un maximum il faut que :

soit: Do deux cas de figure :


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si

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le premier maximum a lieu lorsque : (courbe 1 de la figure 3).

si

le premier maximum se produit pour : (courbe 2 de la figure 3).

Lamplitude du premier maximum sexprime donc ,

Figure 3

o n = 0 En remarquant que :

si

peuvent sexprimer en fonction de : et on voit que :

O : et

La valeur maximale de la tension inverse applique la diode durant le blocage sera gale VFR1 si cette valeur est suprieure celle, VFR0, de VFR (t) la date t02 (t' = 0) ; or :

On conoit aisment, au vu des formes dondes de VFR (t), que, pour les rgimes assez amortis (constante de temps rde lordre de grandeur de la priode du rgime oscillant, ou infrieure) : la tension inverse maximale sera gale VFR0 lorsque VFR (t) a la forme de la courbe 2 de la figure 3, cest--dire si : alors

la tension inverse maximale VRM vaudra VFR1 (courbe 1 de la figure 3) si :

Alors : le changement de rgime sopre lorsque : soit pour : On a construit (figure 4) les courbes montrant lvolution du rapport

(Tension maximale inverse divise par la tension inverse bloquer) en fonction du paramtre pour les diffrentes valeurs de k. On retrouve quaux fortes valeurs
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de x (rgime trs amorti) la valeur maximale V RM est gale la valeur initiale ( la date t 02) VFR0, tandis quaux faibles valeurs de x (rgime peu amorti) la valeur maximale de VFR (t) est celle du premier maximum du rgime transitoire oscillant. On a reprsent en trait continu les fonctionnements o V RM = VFR1, en trait discontinu ceux o VRM = VFR0. On observe sur ce rseau de courbes que le rapport prsente en gnral (pour k

suprieur lunit) un minimum pour une valeur particulire de x.

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Figure 4

MM. Zastrow et Galloway ont propos dutiliser ce rseau de courbes pour calculer les valeurs des composants du circuit R-C de protection dune diode contre les surtensions inverses provoques, louverture, par linductance srie de la branche en commutation. En pratique, ils ont construit le rseau des courbes : o : K=Cte et

Connaissant la valeur maximale VRRM de la tension inverse que peut supporter le composant protger et la valeur VR de la tension bloquer au moment de louverture, on calcule ,

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valeur maximale du rapport de surtension inverse acceptable ; le rseau de courbes fournit la valeur maximale KM de k (ou KM pour K = k2) qui permet de respecter cette contrainte, et la valeur XM de x (ou XM pour X = 2.x) associe au minimum de De la valeur maximale KM de k on dduit la valeur minimale de C ; en effet : amne :

De labscisse xM du minimum de

on tire la valeur de la rsistance R :

EXEMPLE DAPPLICATION. - Soit une diode stockant Qs 30 C lorsque I F = 10 A et


prsentant une VRRM de 600 V. On dsire ouvrir cette diode, dispose dans une branche dinductance srie L = 2H, en appliquant une tension inverse VR=250V. Calculons le circuit R-C ncessaire. Solution : le composant peut supporter :

Le rseau de la figure 4 montre que lon satisfait cette condition si et Do Et


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(on prendra C = 0,1 F = 100 nF).

Si la branche commutant avec la diode avait prsent une inductance de fuite L = 1 mH, la valeur C naurait pas t modifie mais il aurait fallu un rsistor de rsistance :

REMARQUE. - Le circuit R-C doit tre calcul pour la valeur maximale de lintensit du
courant direct ouvrir ; pour les valeurs plus faibles de I F, QRR est aussi plus petite, de mme que k (toutes choses gales par ailleurs : VR et C) et la surtension inverse est moindre (pour une mme valeur de x, fixe par C et R).

REMARQUE. - Le thyristor blocable se comporte lamorage comme un thyristor

conventionnel mais la description de son ouverture commande (et plus particulirement les dernires proprits nonces) montre quil est alors plutt comparable un transistor bipolaire.
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Protection dun thyristor blocable Lenvironnement du thyristor doit assurer sa scurit en fonctionnement, cest--dire : ltat bloqu viter que la tension directe applique nexcde le maximum acceptable de faon rptitive, VDRM, au-del duquel un amorage spontan, et souvent destructeur, risquerait de se produire : pendant la mise en conduction limiter la vitesse daccroissement de lintensit du courant direct (et rduire en mme temps la tension directe applique pendant la monte du courant) ; ltat passant interdire lintensit du courant danode de dpasser la valeur maximale admissible ITSM : pendant louverture du composant, commande inverse, limiter la vitesse daccroissement de la tension directe et la surtension applique de faon raliser un blocage sr. On peut alors associer au thyristor blocable, qui se comporte comme un transistor bipolaire, une aire de scurit (SOA) louverture, portion du plan VAK iA o peut voluer, sans danger pour le composant, le point figuratif de son fonctionnement pendant la commutation. Laire de scurit est dautant plus grande, de mme que lintensit du courant danode contrlable, que la vitesse de monte de VAK est plus faible (cf. figure 5). Des procds passifs de protection peuvent tre mis en uvre : fusibles (contre les surintensits) ; crteurs (contre les surtensions). bobines (pour limiter la vitesse dtablissement de iA). Figure 5 La possibilit de commander louverture offerte par ce composant peut amener le protger contre les surintensits au moyen dune ouverture prventive : un capteur dtecte le dpassement de courant et enclenche le processus douverture ; il conviendra toutefois de tenir compte du retard invitable avec lequel sexcutera louverture, de limiter en consquence la vitesse de croissance du courant direct (bobine) et de prvoir que le courant ouvrir effectivement sera plus intense que le courant dtect par le capteur (dans le cas dun court-circuit de la charge, par exemple). Enfin, pour amliorer la sret du blocage et rduire les pertes de commutation on limite la vitesse dtablissement de la tension directe VAK en disposant un circuit RT-DT-C entre les bornes A (anode) et K (cathode) du composant (figure 6). On va analyser les effets de ce dispositif de protection dans le cas simplifi suivant : les diodes D et DT sont parfaites (pas de surtension directe la mise en conduction) ; lintensit du courant de charge est suppose constante et note l 0 ; lintensit du courant direct du thyristor dcrot vitesse constante partir de la date

f.

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t0, cest--dire que : O :

on reprsente au moyen de la bobine Lc linductance du cblage entre le thyristor et la charge, au moyen de LT linductance parasite du circuit de protection RT-DT-C ; ltat du montage est dcrit, juste avant la date t0 laquelle commence lextinction du courant direct, par :

Les diffrentes phases du fonctionnement se dcrivent ainsi : partir de la date t0 lintensit iA(t) volue suivant : Si linductance LT est telle que :

la diode de roue libre D ne peut entrer en conduction la date t0 (car VAK = Vc VL < U pour Vc = 0) et le montage volue comme celui de la figure 6.b ; do :
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Figure 6

or; Donc Do: : car Vc (t0) = 0

Le courant direct du thyristor steint la date t01 :

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o : et :

condition que la diode D soit toujours bloque la date t 01, cest--dire que soit :

ou, si on admet que

Le thyristor est bloqu aprs t0I et le rcepteur impose un courant dintensit constante dans Lc, C et LT. (figure 6.d) : do; VL =VL = 0 et:

La diode D entre en conduction la date t 02 dfinie par : soit :

Le montage volue comme le circuit de la figure 6 et :

Les solutions de ce systme dquations satisfaisant aussi aux conditions de continuit : sexpriment :

O :

Lintensit ic (t) change de signe la date t 03 :


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Alors:

Aprs linstant t03 lintensit ic (t) ne peut tre que ngative (du fait que : Vc (t03)>U) et la diode DT se bloque. Le circuit est alors quivalent celui de la figure 6.e. Les grandeurs ic (t) et Vc (t) sont les solutions du systme :

satisfaisant aux conditions de continuit : Si la rsistance RT du rsistor est suprieure la valeur critique :

les grandeurs ic (t), Vc (t) et VAK (t) tendent vers leurs valeurs finales : ic = 0, vc = VAK = U au terme dun rgime transitoire apriodique somme de deux composantes exponentielles de constantes de temps 1 et 2 :

On peut admettre que ce rgime transitoire est termin la date : La figure 6 indique les formes dondes de ic (t), Vc (t) et VAK (t) dans le cas volontairement simplifi o on suppose que /A (t) steint de faon linaire. On voit que la tension directe VAK prsente un premier maximum la fin de lextinction de i A(t), damplitude :

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On rduit la valeur de V1 en augmentant la capacit C du condensateur mais on augmente en mme temps la dure totale des phnomnes lis louverture :

Lamplitude maximale de la tension directe applique au thyristor :

et la surtension directe correspondante :

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sont aussi diminues aux fortes valeurs d la capacit C. Lnergie dissipe dans le composant (entre les dates t0 et t0i dans le cas simplifi o le courant direct steint f0i) sexprime :

ou, si on admet que : Do le supplment moyen de puissance dveloppe dans le thyristor pendant le blocage forc lors dun travail en rgime permanent de frquence f:

Enfin, la vitesse maximale daccroissement de la tension directe sexprime :

Le circuit R-D-C imposera au thyristor blocable une vitesse de monte de la tension directe infrieure lors de louverture courant maximal dintensit IoM si :

Le choix dUn condensateur de capacit plus leve rduirait encore davantage la vitesse dtablissement de la tension directe, la surtension, les pertes en commutation louverture et donc rchauffement du composant. Mais on a vu que la dure de la transition augmente avec la valeur de C et il faut prvoir une phase de dcharge de C dans Thb, la fermeture de ce dernier, qui sera dautant plus longue et dissipatrice dans les composants que la valeur de C sera plus grande. Lnergie perdue dans le circuit R-D-C pendant louverture est essentiellement localise dans RT et dissipe aprs la date t03 ; on montre que ic (t) sexprime alors :

Et que : Cette nergie est indpendante des valeurs de C et R T ; elle correspond lnergie lectromagntique emmagasine dans les bobines LT et Lc la date t02. Elle est totalement perdue dans RT aprs t03 alors que le condensateur restitue la source de tension lexcdent de charge reu entre t02 et t03.

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une surintensit du courant direct lors de la fermeture de ce composant. En effet, au courant direct dintensit iL provenant de la charge sajoute, dans le thyristor, le courant de dcharge du condensateur, dintensit :

REMARQUE. - La prsence du circuit R-D-C entre les bornes du thyristor blocable provoque

(dans nos conventions ; voir figure 7) ; les vitesses de monte de ces courants ne sont pratiquement limites que par linductance du cblage. La forme de iA (t) (figure7) permet de prvoir les consquences de ce phnomne : avantage : dans le cas dun courant de charge stablissant lentement (rcepteur trs inductif sans diode de roue libre ou bien trs forte inductance Lc du cblage) la dcharge du condensateur peut favoriser lenclenchement du composant en amenant plus rapidement lintensit au-del de la valeur IL de lintensit du courant daccrochage. Figure 7 Mais la dcharge de C ne dure que quelques constantes de temps RTC et si, la dcharge tant termine, lintensit iL (t) nest toujours pas suffisante pour maintenir la conduction du composant il convient de continuer fournir le courant de commande iG (t).

inconvnients : la vitesse de monte


dexcder la valeur critique

de lintensit du courant direct risque indique par le constructeur ;par ailleurs, du fait de

Cette surintensit la mise en conduction le thyristor est le sige dun supplment de pertes fermeture.

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a. Origines des pertes dans les composants i) Pertes en conduction En conduction, le passage du courant lectrique dans le matriau semiconducteur dun composant de puissance provoque llvation de sa temprature par effet Joule. La puissance dissipe rsultante peut tre exprime partir des lments du modle lectrique quivalent en conduction. Pour la diode et le thyristor, ce modle apparat la Figure ci-contre :

3. .Protection puissance

thermique

des

composants

de

La puissance dissipe en conduction sexprime :

En conclusion, lvaluation de la puissance dissipe ncessite la dtermination des courants moyen et efficace dans le composant. La puissance dissipe provient aussi des pertes par commutations (changements dtat du composant entre les tats bloqu et passant). Elle sexprime par la relation :

ii) Pertes en commutation

O POFF-ON est la puissance dissipe la fermeture, t mi sa dure, PON-OFF la puissance dissipe louverture, tdi sa dure, ID le courant tablir ou couper, V la tension du rseau et f la frquence des commutations La somme des deux puissances prcdente provoque llvation de la temprature de fonctionnement qui diminue la dure de vie du composant pouvant provoquer sa destruction. La temprature du composant est limite en vacuant la puissance produite laide de dissipateurs thermiques (radiateurs) qui favorisent la conduction et la convection thermiques iv) Protection Contre la chaleur :dimensionnement des radiateurs o Les radiateurs : Ds qu'un composant lectronique est travers par un courant lectrique, il a tendance produire de la chaleur (pertes par effet Joule). Cette chaleur n'est gnralement pas perceptible avec des composants qui sont traverss par de faibles courants, mais elle est nettement perceptible avec des composants o circulent plusieurs ampres ;il suffit d'approcher la main d'un rgulateur d'alimentation, d'un ampli BF fonctionnant forte puissance ou d'un microprocesseur en pleine activit pour constater que "c'est chaud". Pour que la chaleur soit vacue dans l'air ambiant : on dit que la chaleur s'vacue par convection naturelle. Mais parfois, si on laisse faire la nature, la chaleur est produite plus

iii) Ncessit de la protection des lments

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vite qu'elle n'est vacue, et le composant chauffe de plus en plus ... jusqu' arriver sa destruction par fusion (cas d'une rsistance par exemple) ou par "emballement thermique" (cas des semi-conducteurs). Dans ces derniers cas, il va falloir "aider" le composant vacuer la chaleur plus vite qu'elle n'est produite, ou au moins aussi vite. On utilise pour cela un radiateur, appel aussi refroidisseur ou dissipateur. Le "fonctionnement" d'un dissipateur est simple : il augmente la surface du composant en contact avec l'air, amliorant ainsi l'vacuation de la chaleur. On peut dj en tirer une rgle : le dissipateur doit tre en contact intime (thermiquement) avec le composant pour jouer efficacement son rle. o Rsistance thermique : Une rsistance thermique s'exprime en "degrs Celsius par watt" (C/W). En fait, il faudrait utiliser des "degrs Kelvin" (K), mais comme les calculs ne font intervenir que des diffrences de tempratures, cela est sans importance. Les watts dont il est question ici sont les watts dissiper en chaleur (ceux que produit le composant par effet Joule). La formule de base utiliser pour le refroidissement des semi-conducteurs est PD = (T1 - T0 ) / Rth PD : est la puissance (en W) dissiper. Elle dpend de l'utilisation du composant, et donc du montage. T1 et T0 : sont les tempratures (en C) en deux points diffrents (par exemple sur la puce et sur l'extrieur du botier) Rth : est la rsistance thermique entre ces deux points On peut remarquer l'analogie avec la loi d'Ohm : PD serait l'intensit, (T1 - T0) la tension et Rth la rsistance. o Les ventilateurs : Les radiateurs montre qu'on peut "aider" un composant particulier (rgulateur, transistor de puissance, ...) vacuer vers l'air ambiant la chaleur qu'il produit, mais : Dans certains cas, il n'existe pas de radiateur pour vacuer assez vite toute la chaleur produite (cas des amplificateurs de trs grande puissance, par exemple). L'air ambiant est en fait celui se trouvant l'intrieur du coffret : il faut aussi que cet air chaud s'vacue et soit remplac par du froid pour que la "temprature ambiante du coffret" n'augmente pas. C'est pourquoi dans certains cas on ne peut pas se contenter d'une vacuation de chaleur par 20 convection naturelle, mme avec l'adjonction de radiateurs (appels aussi "dissipateurs"). On a alors recours une ventilation force, notamment au moyen d'un ou plusieurs ventilateurs. Le principe de "fonctionnement" d'un ventilateur peut tre dcrit simplement : - Il "pousse" l'air chaud hors du coffret et le remplace par de l'air froid qu'il "aspire" l'extrieur du coffret. - Cet air froid est rchauff par le systme qui se trouve l'intrieur du coffret - Le ventilateur "pousse" cet air chaud hors du coffret et le remplace par de l'air froid qu'il "aspire" l'extrieur du coffret. Et ainsi de suite ... Le but de la ventilation est de ne pas dpasser une certaine temprature dans le coffret, cette limite va intervenir. Mais supposons qu'on veuille limiter la temprature l'intrieur du coffret 50C, par exemple : on imagine bien que cela sera plus difficile si le systme se trouve dans un appartement surchauff que s'il est dans une chambre froide : l'"effort" fournir dans le
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premier cas sera plus important. C'est pourquoi on s'intressera la diffrence de temprature entre l'intrieur et l'extrieur du coffret. On exprime celle-ci en C (degrs Celsius). Si on reprend la description simplifie du fonctionnement d'un ventilateur indique plus haut, on voit bien que celui-ci doit "prendre de vitesse" la production de chaleur afin que l'air froid amen de l'extrieur n'ait pas le temps de trop s'chauffer. Intuitivement, on se rend bien compte que le dbit d'air (appel aussi dplacement d'air) impos par le ventilateur va tre dterminant. Et c'est bien une caractristique essentielle d'un ventilateur. On exprime cette caractristique en m3/mn (mtre cube par minute) ou en CFM (ft3/mn = Cubic Feet per Minute). On peut aussi se rendre compte intuitivement que : Plus la quantit de chaleur vacuer est importante, plus vite l'air va se rchauffer, plus le dbit devra tre important Plus la diffrence de temprature entre l'intrieur du coffret (qu'on impose) et l'extrieur est faible, plus vite l'air atteindra la temprature limite et donc plus le dbit devra tre important. v) Dissipateurs thermiques o Analogie en modle lectrique et modle thermique Par analogie, le modle thermique de la Figure ci-contre montre le flux thermique Pd (en watts) vacuer (puissance provenant de leffet Joule). Ce flux est assimil un courant lectrique qui scoule dans la rsistance thermique Rth (en C/W) pour provoquer la chute de temprature T (en C). La capacit thermique Cth (en J/C) traduit laspect transitoire du phnomne caractris par sa constante de temps RthCth. o Modle du dissipateur Sans se proccuper de lvolution transitoire, le flux thermique Pd qui mne de la jonction du composant lair ambiant traverse diffrentes rsistances thermiques places en srie. Pour favoriser lvacuation, il faut minimiser la rsistance globale en augmentant la surface de dissipation, sa nature ou en forant la convection (ventilation). Le comportement thermique suit les lois de Kirchhoff des circuits linaires conformment la Figure 3 pour tre modlis classiquement tel qu la Figure 4 :

La rsistance thermique jonction-botier (RthJB) dpend du composant. Cette valeur est donne par le constructeur dans la fiche technique du composant ;

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La rsistance botier-radiateur (RthBR) dpend du moyen de fixation. Le serrage et la graisse de silicone la favorise. Les isolants lectriques (mica) laugmentent ; La rsistance thermique radiateur-air ambiant (RthRA) est favorise si la surface de dissipation est importante : les radiateurs de faible encombrement avec une grande surface dchange (ailettes). La convection amliore les rsultats : la ventilation. o Exemples de dissipateurs o Extraits de documents techniques

Figure 5 : Quelques profils de petits radiateurs et courbes de rsistances thermiques.

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Figure 6 : Des profils plus imposants o Une lvation de temprature dpassant les limites permises, peut donner lieu : - Un changement des caractristiques du composant (drive thermique). - Un changement tel que la puissance dissipative devienne plus faible que la puissance normale. - La destruction de la jonction. Une bonne vacuation thermique permet dutiliser le semis conducteur: - Dans de meilleures conditions de fiabilit et de maintien de ces caractristiques. - A une puissance suprieure celle admissible sans radiateur Exemple: Un transistor, de puissance nominale de 10 W, avec dissipateur ne peut fonctionner que
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Sous 2 W sans radiateur.

o Puissance dissipe Lopposition lvacuation de la chaleur dun lment est caractrise par sa rsistance thermique Rth.

o La rsistance thermique Elle sexprime en C/W (degr Celsius par Watt) Lunit de rsistance thermique est la rsistance qui donne lieu une variation de temprature de 1C pour une dissipation de puissance de 1 W.

Dans un dispositif lectronique, il y a intrt ce que les rsistances thermiques, soient aussi faibles que possible. o Dfinition des grandeurs. On dfinira par: * Tj = temprature de jonction * Tfb = temprature de fond de botier ou t case = temprature du botier * Tr = temprature du radiateur * Tamb = temprature ambiante * Rth = rsistance thermique totale *Rth j-fb = rsistance thermique entre la jonction et le fond de botier *Rth fb-r = rsistance thermique entre le fond de botier et le radiateur *Rth r-amb = Rsistance thermique entre le radiateur et lair ambiant *Rth fb-amb Rsistance thermique entre le fond de botier et lair ambiant sans radiateur o Mthode de rsolution Recherche des caractristiques du composant refroidir. - Courant et tension ltat passant. - Tj : temprature de la jonction. - Rth j-fb certain constructeur lappelle Rth j-c. - Rth j-a (rsistance thermique sans dissipateur). - Rth fb-r en gnral 0.5 C/W. Calcul de la puissance dissipe. Exemple:
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* Pour un thyristor Pd = Vtm * I0 Vtm tension efficace aux bornes du thyristor ltat passant I0 Courant efficace qui le traverse * Pour une diode Pd = Vfm* I0 On prend une temprature ambiante de 25C. Rgulateur de type TO220 Botier plastique Le constructeur donne pour le rgulateur (Memotech page 234 et 250) Temprature de jonction maxi : 150C Rth j-case Rsistance thermique jonction botier TO220 max 3/W Rth j-amb Rsistance thermique jonction air ambiant Botier TO220 max 50/W Choix du radiateur a) Calcul de la puissance dissipe par le rgulateur: Pd = U x I U tension aux bornes du rgulateur I courant qui le traverse 12 2 On suppose que la tension, en entre du rgulateur, est parfaitement filtre ( ), la tension de sortie du rgulateur est constante 5V, le courant qui le traverse est gal au courant nominal 1A Pd = (16.9-5) * 1 = 12 W b) calcul de Rth Rth = 150 - 25/12 = 10.5 C/W c) Calcul de Rth r-amb Rth rad-amb = Rth - Rth j-case - Rth fb-r Rth rad-amb = 10.5 - 3 - 0.5 = 7 C/W d) Choix du radiateur On choisit le radiateur en fonction du type de botier ici un type TO220, soit un radiateur de 24 type WA 203, avec une longueur de 37.5 mm ( Memotech page 536), de manire limiter lencombrement. On peut galement choisir un radiateur adapt au botier chez un fabricant ( type K18/2 chez HBN avec des dimensions similaires). e) Calcul du courant maxi sans radiateur Rth = 50C/W P= 150 - 25 / 50 = 2.5 W Imax = 2.5 / (-5) = 0.2 A, le rgulateur dans ce cas ne peut dbiter que 0.2 A si on nutilise pas de radiateur. Rgulateur mtallique. de type TO3 Botier

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Le constructeur donne pour le rgulateur (Memotech page 234 et 250) Temprature de jonction maxi : 150 C Rth j-case Rsistance thermique jonction botier TO3 max 4 C/W Rth j-amb Rsistance thermique jonction air ambiant Botier TO3 max 35 C/W Choix du radiateur a) Calcul de la puissance dissipe par le rgulateur: Pd= (-5) * 1 = 12 W b) calcul de Rth Rth = (150 - 25)/12 = 10.5 C/W c) Calcul de Rth rad-amb Rth rad-amb = Rth - rth j-case - Rth fb-r Rth rad-amb = 10.5 - 4 - 0.5 = 6 C/W d) Choix du radiateur Pour un type TO3 on dispose de radiateur du type WA131 Avec une longueur de 37.5 mm e) Calcul du courant maxi sans radiateur Rth max = 35C/W P= 150 - 25 / 35 = 3.6 W Imax = 3.6 / (12 v2 -5) = 0.3 A, le rgulateur dans ce cas Ne peut dbiter que 0.3 A si on nutilise pas de radiateur.

4.

.Etude des MOS et des transistors de puissance

a. Les transistors bipolaires (Bipolar Junction Transistor : BJT) : i) Fonctionnement :

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Les transistors de puissance sont des transistors spcialement adapts et conus pour un fonctionnement tout ou rien (interrupteur). Contrairement au thyristor, la base du transistor contrle la conduction pendant toute sa dure, permettant ainsi dassurer le blocage.

Daprs la caractristique relle du transistor, il semble vident que le point de fonctionnement doit se trouver sur lun des segments en trait gras, pour viter davoir simultanment du courant et de la tension. Lors de la commutation, passage de ltat ouvert (ferm) ltat ferm (ouvert), il va y avoir forcment des pertes, appeles pertes par commutation. Il existe des circuits auxiliaires appels CALC (snubber) pour diminuer les pertes dans le composant (CALC = circuit daide la commutation). ii) Grandeurs caractristiques : Temps de commutation : quelques centaines de ns quelques s. Transistor de puissance : VCE = 1000 V ; IC = 1000 A ; f = 5 kHz. Gain en courant, < 10, configuration Darlington pour diminuer le courant de base. Complexit et cot de la commande. Faibles pertes en conduction. Ce composant est de moins en moins utilis dans les nouveaux produits. b. Les transistors MOSFET (Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor) :

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Issus de la microlectronique, il est apparu dans des applications de llectronique de puissance, dans les annes 1975-1980. Ses principaux atouts sont des performances dynamiques leves (trs grande frquence de travail), ainsi quune commande trs facile mettre en uvre. Son principal inconvnient reste ses pertes en conduction cause par une rsistance Drain-Source (RDSON) importante.

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i) Fonctionnement : Ce composant est command en tension par VGS ( loppos du BJT command par son courant de base). Lorsque VGS est nul alors le courant de drain est nul, le composant est ouvert. Lorsque VGS est suprieur 10 V (en gnral les MOSFET de puissance sont commands en +15 V), VDS est nulle, le composant est ferm. Vu des bornes Grille et Source, le transistor quivaut une capacit de quelques centaines de picofarads (10-12 F). Le temps douverture et de fermeture, correspondent la dcharge et la charge de cette capacit. Les temps de commutation sont donc brefs. ii) VDS (V) 100 500 1 000 Grandeurs caractristiques : ID (A) 40 20 qq A RDSON ( ) 0,04 0,3 qq

Le tableau prcdent montre les diffrents calibres des MOSFET de puissance. Lorsque ce composant doit supporter une tension importante ses bornes, sa rsistance ltat passant augmente, entranant des pertes par conduction importantes. Cest pour cette raison que le courant de charge dcrot. c. Les transistors IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) : Les concepteurs ont voulu regrouper les avantages des BJT et des MOSFET : Tension leve ltat ouvert (caractristique BJT), Tension faible ltat ferm (faibles pertes) (caractristique BJT), Facile commander (caractristique MOSFET), Bonnes performances dynamiques(caractristique MOSFET). Les IGBT sont trs rpandus dans les systmes de conversion conus depuis les annes 1990. Il remplace les BJT et GTO dans le domaine des moyennes et fortes puissances.

i) Fonctionnement : Ce composant est command en tension. Lamorage est identique celui du MOSFET. Lors de louverture, "leffet transistor" va ralentir le blocage. Les charges stockes sliminent par recombinaison, ce qui a pour consquence ltablissement dun courant

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diminuant trs lentement. Il est appel courant de "queue" et est responsable de lessentiel des pertes par commutation de lIGBT. Grandeurs caractristiques : Les pertes par commutation ( louverture essentiellement) dun IGBT et la chute de tension directe, sont lies et rsultent dun compromis. Le compromis idal diffre selon lapplication. Il consiste obtenir les pertes totales (par conduction et par commutation) les plus faibles possibles pour une surface de silicium donne (cot). Ainsi, les fabricants dIGBT proposent plusieurs gammes : Des IGBT avec une faible chute de tension (1,8 2,5 V) mais des pertes par commutation assez importantes (utilisation frquence peu leve), Des IGBT avec des pertes par commutation rduites mais une chute de tension leve (4 V) pour une frquence de travail (de dcoupage) leve. Quelques ordres de grandeur des IGBT de puissance : VCE = 4,5 kV ; IC = 1,2 kA ; fdec = 20 kHz 50 kHz (REE n5 mai 2002). La figure suivante montre sous quelles formes sont disponibles les IGBT. Un module est constitu de deux interrupteurs forms par lassociation dun IGBT en parallle (inverse) avec une diode (= voir paragraphes Hacheur 4 quadrants et onduleur monophas). ii)

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Ces composants sont de plus en plus utiliss dans les systmes modernes de traitement de lnergie lectrique, comme les onduleurs, les redresseurs MLI, les convertisseurs multiniveaux,

IGBT signifie Insulated Gate Bipolar Transistor.


Ce nouveau composant, de dimensions lgrement suprieure celles d'un transistor courant, a t conu par TOSHIBA et HITACHI qui se sont fixs pour objectif la ralisation d'un composant rpondant aux caractristique suivantes:

Supporter une tension leve de Collecteur (il existe des IGBT pouvant supporter des tensions de l'ordre de 1000 V).
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Accepter un courant lev (il existe des IGBT supportant jusqu' 400 A). Assurer des commutations rapides (certains IGBT sont capables de commuter 12 A en moins de 15 ns). Ne ncessiter pour sa commande qu'un courant faible rsultat d'une attaque en haute impdance. Dissiper performances gales moins de chaleur que les autres semi-conducteurs.

Les IGBT font figure de transistors gants compars aux transistors traditionnels. En ralit leur dimensions sont plus que raisonnables en gard leur performances. En figure 1, il vous est montr les dimensions relles d'un IGBT que vous pouvez comparer au MOSFET, et de transistors de moyenne et basse puissance.

Les trois pattes de l'IGBT sont dnommes G (Gate), E (Emetteur), C (Collecteur). En thorie on peut considrer un IGBT comme un composant hybride, car il est form de plusieurs semi-conducteurs associs (voir fig. 2).

FIGURE-2 Sur le schma, on dcouvre un MOSFET plac de faon commander partir d'un signal de trs basse puissance, un transistor final de puissance qui contrle lui-mme la base d'un second transistor.

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Sur les schmas lectroniques, l'IGBT est reprsent comme en fig. 3. On remarque que la base est double. Le sens de la flche de l'metteur indique qu'il s'agit d'un canal N ou d'un canal P.

FIGURE-3 Tous les IGBT de moyenne puissance conviennent pour raliser des amplificateurs de puissance, des alimentations, etc... Ceux-ci sont en botier plastique de 20 x 25 mm.

Il existe certains IGBT de basse puissance de dimensions plus rduite ainsi que des IGBT de plus haute puissance de dimensions bien plus imposantes, semblables de gros relais de puissance et dont les broches (GEC) sont de gros borniers vis.

Les IGBT trouvent de trs vastes domaines d'application dans les branches les plus diverses de
l'lectronique et de l'industrie.

1) Commutation de puissance dans les secteurs civils et militaires. 2) Alimentation pour courant lev. 3) Appareillage mdical. 4) Contrle des moteurs en robotique. 5) Amplificateur de puissance HI-FI. 6) Four induction magntique.
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7) Charge dynamique de puissance. 8) Alimentation dcoupage. 9) Soudure lectrique l'arc.

La liste n'est pas exhaustive, mais ces domaines d'application concernent peu les amateurs qui font de l'lectronique leur hobby. En effet, nous nous verrions assez mal vous proposer des applications pour l'aronautique ou l'armement. Actuellement, il n'existe pas d'IGBT utilisable en haute frquence (la frquence maximale d'utilisation tant gnralement comprise entre 1 2 MHz ; temps de commutation moyen de 0,5 s). Pour l'instant, leur domaine d'application privilgi concerne la basse frquence et la commutation.
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Autres renseignements utiles

l'IGBT est un semi-conducteur qui est pilot en tension comme l'est le MOSFET ou le FET et non en courant, contrairement aux transistors bipolaires (PNP-NPN) Une particularit trs importante de l'IGBT est la tension de polarisation de la Gate, puisque la moindre variation de tension peut faire monter brusquement le courant collecteur.

Se rfrant la figure 4, on peut observer que pour une tension d'environ 2 V sur la Gate (cette tension est d'ailleurs une caractristique des IGBT), l'IGBT entre en conduction, ce seuil dpass, et l'on obtient brusquement une variation importante du courant collecteur.

FIGURE-4

Si nous appliquons sur l'entre un signal sinusodal d'une amplitude de 0,5 V, il est possible d'obtenir sur le collecteur un courant d'environ 4 10 A. Par comparaison, un transistor de puissance (voir graph. 5) doit ncessairement tre pilot en courant, et pour obtenir sur le collecteur une variation de courant de 3 5 A, il faut appliquer sur la base un courant de 40 80 mA.

FIGURE-5 Pour un MOSFET de puissance (voir graph. 6), noter que la courbe rsultante est quasi analogue celle d'in IGBT, avec la seule diffrence que la tension de seuil sur la Gate se situe
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aux environs de 4 V.

FIGURE-6

La courbe du FET (fig. 7) se distingue forcment de celle du transistor, des MOS de puissance et des IGBT puisqu'il n'existe pas actuellement de FET de puissance. En fait une variation minime de tension sur la Gate du FET entrane une petite variation du courant sur son Drain.

FIGURE-7

Une autre caractristique des IGBT est leur trs basse rsistance interne Emetteur/Collecteur 32 condition de saturation. en Comparons la valeur de la rsistance interne des IGBT par rapport aux MOSPOWER et aux transistors de puissance : Amenons saturation ces trois semi-conducteurs sur une charge qui puisse absorber 4 A, nous pourrons ainsi comparer la dissipation de chaleur pour chacun d'eux :

16 x 8.10-3 = 120 mW pour l'IGBT 16 x 1,1 = 17,6 W pour le MOSPOWER

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16 x 3 = 48 W pour le transistor Comme vous pouvez le constater, alors que le transistor de puissance est dj en surchauffe, le MOSPOWER est tide, tandis que l'IGBT restera pratiquement froid. La basse rsistance de saturation nous fait donc obtenir un bon facteur d'amortissement sur les charges inductives, relais, moteurs, haut-parleur, etc... Pour expliquer ce qu'est le facteur d'amortissement, notion souvent voque lorsque l'on parle d'un final de puissance audio, servons-nous d'un exemple :

FIGURE-8

Si nous injectons une impulsion lectrique dans un haut-parleur, sa membrane sera instantanment projete en avant pour retourner sa position initiale le plus rapidement possible. Si la rsistance metteur/collecteur est leve, la membrane ne stoppera pas sur la position de dpart, mais continuera osciller pendant un temps trs bref modifiant le son qu'il doit reproduire. Utilisant les IGBT, nous avons une basse rsistance metteur /collecteur, ainsi l'oscillation de la membrane sera immdiatement amortie, n'apportant plus de modification au son reproduire. Nous pouvons encore ajouter au palmars de l'IGBT l'immunit l'effet d'avalanche contrairement aux transistors. L'effet d'avalanche est le dfaut commun tous les transistors. Ce problme surgit lors de l'augmentation de la temprature du botier. Plus cette temprature crot, plus le courant de collecteur augmentera, et il faudra ajouter aux tages en cause un circuit de compensation en temprature et un radiateur de refroidissement adquat afin d'viter la destruction de leur jonction. Cet inconvnient n'existe pas avec les IGBT puisque leur botier peut supporter de trs hautes tempratures.

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FIGURE-9 Le graphique figure 9 permet de comparer l'augmentation de temprature du courant de collecteur entre un transistor et un IGBT par rapport la croissance en temprature de leurs botiers respectifs. Ajoutons encore qu'il est possible d'associer en parallle deux IGBT pour doubler le courant de sortie. L'unique conseil que l'on peut donner est d'insrer en srie sur la l'auto-oscillation. d. Les thyristors GTO (Gate Turn Off) :

i) Fonctionnement : Par rapport au thyristor classique, le thyristor GTO est en plus commandable louverture par un courant, iG, ngatif. Ce composant entirement commandable est 3 segments la diffrence des transistors prcdents. Du point de 34 de sa commande, il se rapproche plus du BJT, puisque la vu gchette est parcourue en permanence lors de la phase de conduction, par le courant iG. Sa commande est donc plus difficile mettre en uvre que pour les composants grille isole. Un autre inconvnient est la prsence de pertes importantes lors de louverture (le courant met un certain temps sannuler), ce qui limite les possibilits de monte en frquence. ITH = 5 kA. ii) Grandeurs caractristiques : Composants utiliss en fortes puissances (traction ferroviaire) : VTH= 5 kV ; Lors du blocage, le courant iG, qui est ngatif, peut atteindre jusqu 1/3 du courant iTH(t).

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5.

.Etude du circuit daide la commutation dun transistor de puissance


a. ETUDE DUN CALC i) Dfinition

Ce sont les circuits daide a la commutation, ces dispositifs sont ncessaire a la limitation des pertes au niveau temps de blocage ou bien de commutation ce qui revient a dire puissance.

Fig. Circuit daide la commutation(CALC) ii) Le cas de la commutation du transistor dans un hacheur

Au blocage de T, la tension VCE augmente alors que IC =I. Lorsque VD>0 ceci quivaut VCE= E. La diode samorce et IC peut diminuer lorsque VD>0 cest dire VCE= E. A lamorage de T, le courant IC augmente alors que VCE=E. Ensuite, la diode D se bloque et VCE peut diminuer .

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o CALC lamorage

On ajoute une inductance L en srie pour ralentir la monte du courant et permettre VCE dvoluer indpendemment :

courant sans provoquer une surtension. Il faut rajouter un circuit pour assurer la continuit du courant dans linductance au moment de blocage du transistor. Il faut aussi dissiper lnergie stocke dans linductance pendant le temps que le transistor est bloqu. On vite ainsi une accuumulation dnergie. Le transistor ne doit dissiper cette nergie. Solution : Circuit de dcharge :Diode+Rsistance La rsistance RL limite la surtension RLIM A lamorage, il faut que L soit entirement dcharge. Contrainte plus importante : rapport cyclique maximal a. CALC au blocage
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o Problme de blocage : Linnductance L est charge et on ne peut pas interrompre son

On ajoute un condensateur C aux bornes de T pour ralentir la monte de la tension courant et permettre IC dvoluer indpendamment :
o Problme de lamorage : Le condensateur C est charg et on le court-circuite avec le
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transistor(courant ICC trs lev) Il faut rajouter un circuit pour limiter le courant de court-circuit au moment de lamorage du transistor. Il faut aussi dissiper lnergie stocke dans le condensateur pendant le temps que le transistor est amorc . On vite ainsi un accumulation d nergie. Le transistor ne doit pas dissiper cette nergie. Solution : Circuit de dcharge :Diode+Rsistance La rsistance RC limite le courant VC /RC Avant le prochain blocage, il faut que C soit entirement dcharg. La dcharge complte de C doit seffectuer pendant lamorage de T. Contrainte plus importante : rapport cyclique minimal.

V. MOS

DE PUISSANCE

L'apparition des MOS de puissance est due aux nouvelles technologies qui ont permis d'offrir su courant un chemin vertical, c'est- dire perpendiculaire la surface, comme dans le transistor bipolaire. On a d'abord ralis des transistors type VMOS, le V caractrisant la fois le trajet vertical du courant et la forme en V de l'entaille ralise la surface de la pastille. Actuellement, les composants de puissance les plus usits sont du type DMOS, le D indiquant le procd de double diffusion utilis pour leur fabrication. La technologie MOS (Metal Oxide Semiconductor) tire son nom de la constitution des lments : une lectrode mtallique est place sur un oxyde mtallique lisolant du substrat semi-conducteur. o Constitution On distingue deux types de transistors MOS suivant que lon se base sur un substrat de type P ou N. On y diffuse deux rgions trs fortement dopes de nature contraire au substrat qui forment le drain et la source. Entre les deux on effectue une oxydation du silicium pour constituer un isolant sur lequel on place une grille mtallique. La Figure 1 illustre le rsultat pour un transistor MOS canal P (associ son symbole) et la Figure 2 pour un transistor canal N. On note que la flche rappelle la diode canalsubstrat.

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o Fonctionnement des transistors MOS


Les deux transistors ont des fonctionnements totalement symtriques. Les explications seront dveloppes pour le canal N. Le substrat est plac au potentiel le plus faible du montage de manire bloquer les jonctions substratdrain/ source. La grille forme un condensateur avec le substrat. Elle est place un potentiel positif qui attire des charges ngatives pour constituer un canal entre le drain et la source. La modulation de la tension vGS (grille-source) agit sur les charges constituant le canal en modifiant sa rsistivit : la rsistance du canal est contrle par la tension de grille. Dans lautre cas, on ouvre compltement le canal procurant une rsistance quivalente faible (quelques kW) : le transistor est quivalent un interrupteur ferm. Si la tension vGS est nulle, le canal est totalement ferm (pas de charges), la rsistance est trs grande (quelques GW) ce qui rend le transistor quivalent un interrupteur ouvert. Lapplication du transistor MOS en numrique est ainsi toute trace. o Caractristiques

a. Caractristique de sortie

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Le courant ID ne peut passer que si la tension vGS , suprieure la tension de seuil VGS(Th) , cre des canaux de type N. La section de ces canaux est alors fonction , de lcart vGS -VGS(Th) . Pour les faibles valeurs de vDS , infrieures quelques volts, le courant i D est faible, son passage dans les canaux n'en modifie pas la rsistivit, le courant i D crot proportionnellement DS v . Lorsque iD est assez grand pour que les flux d'lectrons saturent les canaux, i D reste pratiquement constant lorsque vDS augmente; les caractristiques sont horizontales. La valeur de vDS correspondant la saturation des canaux est appele tension de "pincement" V P . En lectronique de puissance, on demande au transistor de fonctionner en interrupteur: L'interrupteur sera ouvert pour v GS infrieur VGS(Th) ; en fait, on ralisera
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l'ouverture en faisant vGS =0 . La rsistance RDSOFF entre drain et source est alors pratiquement infinie. L'interrupteur sera ferm lorsque vGS sera suffisant pour qu' D i donn la chute de tension vDS soit minimale. L'augmentation de vGS rduit vDS caractristique dentre

La grille tant isole, il n'y a thoriquement pas de courant circulant entre grille et source en rgime statique. En fait, il y a un petit courant de fuite trs infrieur au micro-ampre. L'impdance d'entre trs leve, constitue le principal avantage du transistor MOS sur le transistor bipolaire. On verra que l'impdance d'entre est essentiellement capacitive. On peut tracer des caractristiques de transfert donnant i D en fonction de vGS vDS constant. Elles montrent comment, ds que vGS a dpass la tension de seuil VGS(Th) , le courant D i crot rapidement. La pente des caractristiques de transfert est appele transconductance drecte gFS . L'augmentation de la temprature accrot le nombre de porteurs minoritaires dans les zones P, mais elle diminue la mobilit des porteurs majoritaires. Quand la temprature crot, la tension de seuil diminue, mais i D crot ensuite moins vite en fonction de vGS . o Rsistance apparente ltat passant

La rsistance RDSON augmente avec le courant ID et diminue avec la tension VGS.

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La rsistance RDSON augmente avec la temprature TJ .Pour un accroissement de temprature de 25C. la rsistance RDSON augmente de 14%. En effet au lieu de tracer les caractristiques donnant la (chute de) tension DS v en fonction de D i l'tat passant, on a conserv l'habitude de donner, en fonction de ce courant, les variations de la rsistance apparente ON DS R pour diverses valeurs de GS v. Puisque: Rds = Vds /ID Les courbes correspondantes se dduisent de celle de la figure . Si on compare les caractristiques d'un MOS et d'un bipolaire aptes couler le mme courant et bloquer la mme tension, on voit qu' l'tat passant le bipolaire a une chute de tension nettement plus faible que le MOS; c'est un des principaux inconvnients de ce dernier. Plus lente que la technologie bipolaire, on peut dire que la technologie MOS est favorise par un faible encombrement sur substrat favorisant une intgration dense, une trs faible consommation dnergie car les transistors sont commands en tension sans courant statique, une large immunit au bruit et une sortance leve. Autre avantage, celui de ne ncessiter que lintgration de transistors, qui peuvent tre employs en tant que rsistances. Ceci permet luniformisation de la fabrication pour rpondre favorablement la complexit des composants numriques. 2. Aire de scurit
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o Avantages et inconvnients

Dans le plan des caractristiques de sortie, o les axes sont d'ordinaire gradus en coordonnes logarithmiques, l'aire de scurit en rgime continu du MOSFET est limite par: le courant maximal de drain en rgime continu iD (segment BC); le tension drain - source maximale VBR DSS correspondant au claquage (segment DE); la puissance maximale dissipable (segment CD); la limite impose par RDS ON ; pour les faibles valeurs de vDS , il est impossible d'obtenir des valeurs plus leves de iD (segment AB). Contrairement au transistor bipolaire, le MOS n'est pas sensible au phnomne d'emballement thermique. En effet, le coefficient de temprature positif de la rsistance RDSON rduit le courant qui suit les trajets o, la temprature ayant une valeur plus forte, la rsistivit est accrue. Pour les impulsions brves, l'aire de scurit est tendue jusqu'au contour en traits interrompus A B C E. Le courant maximal admissible devient I DM ; la limite correspondant
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la puissance maximum dissipable a disparu. Pour des impulsions plus longues, les limites de l'aire de scurit se trouvent entre les deux tracs de la figure ci-dessous ces limites doivent indiquer la dure maximale des impulsions.

o . Les commutations a. Les capacits parasites et leur charge. Dans un transistor MOS ce sont les capacits parasites qui, par le temps ncessaire pour les charger ou les dcharger, limitent la rapidit des commutations. On peut distinguer: - la capacit grille-source CGS . Son dilectrique est la couche d'oxyde isolant la grille. Cette capacit est peu sensible aux variations de la tension vDS ; - la capacit grille-drain CGD . Elle rend compte de la zone de charge d'espace qui se forme dans la rgion P au-dessous de la grille. Elle varie beaucoup avec la tension vDS , passant d'une valeur comparable CGS , quand le transistor est passant ( vDS faible), une valeur ngligeable quand il est bloqu ( vDS fort). - la capacit drain-source CDS . Son importance est moindre car ses effet sont masqus par ceux de CGD .

Ces capacits doivent tre regardes comme des grandeurs interconnectes, qui ne peuvent tre mesures individuellement. La figure ci-dessous montre la croissance de la tension vGS en fonction de la charge QG, apporte la gchette par le courant iC lors d'un amorage. On part de l'tat bloqu: vGS nul, vDS ayant la valeur Vcc impose par la source alimentant le transistor. On peut distinguer schmatiquement trois tronons sur cette courbe: - Le tronon OA correspond la charge de la capacit d'entre sous la pleine tension vDS. Ciss est alors peu diffrent de CGS. La charge fournir pour qu'un courant de drain ID puisse traverser le canal dpend de lintensit de ce courant. - Le tronon AB correspond la dcroissance de vDS depuis Vcc jusqu' vDSON. La tension vGS ne varie pas. La charge fournie sert faire varier la tension aux bornes de CGD; elle est

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d'autant plus forte que la valeur initiale Vcc de vDS l'tait elle-mme. - Le tronon BC correspond la fin de la charge de la capacit d'entre, le transistor tant conducteur. Cette capacit est alors gale CGS +CGDON, elle est indpendante de ID et de Vcc. La quantit d'lectricit QG2 permet de calculer le temps de fermeture, partir de la valeur du courant de grille iG, du courant de drain iD = I et de la tension initiale Vcc. Le trac en traits interrompus OA'B'C' correspond un courant I suprieur I; le trac en traits mixtes OABC, une tension Vcc' suprieure Vcc.

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6. .Comparaison entre les diffrents interrupteurs entirement commandables :

Ce tableau reprsente les caractristiques des diffrents interrupteurs. Il est bien vident quun tel tableau ne peut pas faire apparatre les subtilits entre les diffrents semiconducteurs. Il permet davoir une vue densemble de leurs performances.

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Puissance dutilisation
BJT MOSFET IGBT GTO Moyen Faible Moyen Fort

Rapidit de commutation
Moyen Rapide Moyen Lent

On doit rester trs prudent lorsque l'on dsire comparer les diffrents interrupteurs prsents dans les prcdents paragraphes car de nombreuses proprits rentrent en compte et les caractristiques de ces composants voluent encore de faon rapide et importante. L'utilisateur doit garder l'esprit qu'en plus des amliorations apportes ces divers composants, d'autres composants entirement nouveaux sont en cours d'tude. Les progrs dans la technologie des semi-conducteurs conduira sans aucun doute dans un avenir proche vers des puissances d'utilisation suprieures, des temps de commutation plus brefs et des cots plus faibles. a. __ Comparaison entre : GTO/Thyristor Comme le thyristor, le GTO peut tre command de l'tat off l'tat on par une impulsion de courant brve applique sur la gchette. Le GTO peut en plus tre command de l'tat on l'tat off par application d'une tension Gchette-Cathode ngative, crant un fort courant ngatif de gchette. Ce fort courant ngatif de gchette doit seulement tre maintenu pendant quelques microsecondes (durant le temps de commutation on-off), mais il doit avoir une amplitude importante, typiquement un tiers du courant d'anode devant tre annul. La chute de tension l'tat on (2 3V) aux bornes d'un GTO est suprieure un thyristor classique. Les temps de commutation pour un GTO sont de l'ordre de quelques microsecondes. De par leur capacit supporter des tensions importantes (suprieures 4,5kV) et de forts courants (suprieurs plusieurs kA), les GTOs sont utiliss dans les applications de trs forte puissance des frquences allant de quelques centaines de Hz 10kHz. b. __Comparaison entre : MCT/GTO Les MCTs sont de nouveaux composants qui viennent d'apparatre sur le march commercial. On constate d'aprs la caractristique i-v que les MCTs possdent de nombreuses proprits du GTO (faible tension sous un fort courant et commande par impulsion). Le MCT est un composant command en tension comme l'IGBT ou le MOSFET, et la mme nergie est ncessaire pour commuter un MCT, un IGBT ou un MOSFET. Le MCT possde deux principaux avantages vis vis du GTO, une commande plus simple pour commuter de l'tat on l'tat off (un fort courant ngatif n'est pas ncessaire) et des temps de commutation plus brefs (de l'ordre de quelques microsecondes). Les MCTs prsentent galement de plus faibles tensions l'tat on compars aux IGBTs ayant des caractristiques similaires par ailleurs. Les MCTs sont actuellement disponibles pour des tensions de l'ordre de 1500V et des courants de 50A quelques centaines d'ampres.

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