Propagación Óptica

B.3.
Propagacin de la luz en guas de onda
B.3.1.
Introduccin
Ya sabemos lo que es una onda plana. Recordemos que se caracteriza porque la amplitud de la onda en el plano normal a la direccin de propagacin es constante. Las superficies que renen todos los puntos de igual fase se llaman frentes de onda. La velocidad de la onda, tambin llamada velocidad de fase vp = / k, representa la velocidad de un punto de fase constante.
Fig. B.3.1: Frentes de onda en una onda plana.
En la mayora de las aplicaciones pticas, los haces pticos son confinados lateralmente a una regin finita del espacio. Se utilizan elementos pticos especiales para confinar estos haces y permitir la propagacin de dichos modos pticos. Una de las estructuras ms utilizadas es la estructura multicapa o de gua de onda. La gua de onda puede estar formada por materiales cristalinos o no cristalinos y se puede utilizar, por ejemplo, vidrio para producir fibras pticas. Las guas de onda de material semiconductor se utilizan con lseres semiconductores, interruptores pticos, etc. En este tema veremos como se propaga la luz en guas de onda planas y cilndricas. Tambin veremos algunos dispositivos utilizados para acoplar la luz a las guas de onda y de una gua de onda a otra.
B.3.2.
Propiedades fsicas de las guas de onda
En el tema anterior hemos considerado el caso de la interfase entre dos medios de diferentes ndices de refraccin. Ahora vamos a considerar el caso de estructuras con mltiples interfases entre materiales con diferentes ndices de refraccin. Si se tiene un especial cuidado en elegir la dependencia espacial de los ndices de refraccin, pueden obtenerse dispositivos conocidos como guas de onda. Como su nombre indica, estos dispositivos estn diseados para confinar la energa electromagntica en una estrecha regin B.3-1
Prof. Esteban Sanchis / Prof. Juan B. Ejea 11-nov-08
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Tema B.3: Propagacin de la luz en guas de onda
del espacio y guiarla a travs de un canal a un espacio reducido. Confinando la onda luminosa en dicha estrecha regin (generalmente del orden de una longitud de onda) se obtienen una serie de beneficios: Si tenemos que enviar una onda ptica de un punto a otro, la gua de onda hace de "tubera de luz" o fibra ptica siendo capaz de transmitir la informacin a varios miles de kilmetros de distancia. La onda puede verse afectada por un fenmeno fsico como es la variacin del ndice de refraccin de la gua por la que se propaga debido a la aplicacin de un campo elctrico. El cambio ocurre sobre una porcin de espacio muy reducida y afecta a toda la onda. De esta manera podemos modular la onda luminosa (moduladores). Una regin particular puede tener la propiedad de que la luz que pase a travs de ella sea amplificada. Debido a que esta regin suele ser muy pequea, se utilizan guas de onda para permitir el crecimiento de una onda ptica. Los lseres de semiconductor y amplificadores necesitarn guas de onda por esta razn.
El confinamiento de la onda luminosa en el espacio se realiza variando la constante dielctrica de la gua en el espacio. La variacin se puede hacer en una sola dimensin (guas planares) o en dos dimensiones (guas rectangulares o lineales). Tambin podemos utilizar aire como medio para confinar ondas luminosas. Por ltimo mencionar la existencia de guas cilndricas.
Fig. B.3.2: Diferentes estructuras de guas de onda.
Las guas de onda fabricadas a partir de crecimiento epitaxial de material semiconductor o dielctrico suelen ser planares o rectangulares. Las fibras pticas utilizadas en comunicaciones pticas se obtienen a partir de una fundicin (suelen ser de vidrio) y tienen una forma cilndrica. Por otra parte las guas dielctricas y de semiconductor se suelen utilizar en sistemas optoelectrnicos integrados, cuando superponemos seales electrnicas a seales pticas.
B.3-2
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B.3.2.1.
Propiedades de las fibras pticas
La principal causa de la rpida extensin en el mundo de las comunicaciones de la fibra ptica ha sido que sus propiedades son muy superiores a las de los cables metlicos. La salida de generadores pticos como el diodo lser (LD) o los LEDs debe acoplarse a la fibra ptica en la mayora de las aplicaciones, por lo que debemos conocer los principios de funcionamiento de la fibra ptica. Existen tres categoras de fibras pticas dependiendo del material utilizado en su fabricacin: silicatos, vidrio y plstico. Las fibras de silicatos estn hechas de SiO2 con la adicin de apropiados xidos metlicos para el ajuste fino del ndice de refraccin. Los xidos ms comunes utilizados para el ajuste del ndice de refraccin son TiO2, Al2O3, GeO2, y P2O5. Las guas de vidrio se fabrican a partir de vidrios de alta estabilidad qumica. Tambin se est introduciendo cada vez ms el plstico, aunque en la actualidad las guas de plstico tienen una mayor atenuacin que las de silicatos o vidrio. La fibra ptica es una gua de onda cilndrica a travs de la cual se propaga la onda ptica. Su estructura bsica es un ncleo central y una capa de recubrimiento exterior. El ncleo es un cilindro de material dielctrico transparente de ndice de refraccin nr1 y el recubrimiento es una fina capa dielctrica de ndice nr2. Existen varias clasificaciones de las fibras pticas dependiendo del perfil de ndices y del tamao del ncleo. El tamao del ncleo es el que determina cuantos modos se pueden propagar por la fibra. Un cable ptico consiste en un agrupamiento de fibras pticas.
Fig. B.3.3: Estructuras de varios tipos de guas de onda. Dependiendo del tamao del ncleo, podrn propagarse uno o ms modos. Las guas monomodo se utilizarn para guas de largo alcance, mientras que las multimodo (ms baratas) son ms utilizadas en redes locales (LANs).
B.3.3.
Guas planas: Un estudio de ptica geomtrica
Comenzamos el estudio de guas de onda haciendo un anlisis de ptica geomtrica. Esto lo podremos hacer siempre que no vare el ndice de refraccin a lo largo de una longitud comparable a la longitud de onda de la onda propagndose. Esto no es siempre cierto. An as vamos a utilizar la ptica geomtrica porque nos permite un anlisis simple e intuitivo. Pero no debemos olvidar que el anlisis completo se debe hacer a partir de la teora de ondas.
B.3-3
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En la descripcin con rayos de luz propagndose en una gua de onda, podemos imaginar el rayo de luz zigzagueando por el ncleo de la fibra existiendo una reflexin total en la interfase entre el ncleo y el recubrimiento. Utilizaremos las frmulas de Fresnel para hacer el estudio.
(b)
Fig. B.3.4: (a) Rayos reflejados y refractados de una onda incidente en una interfase plana. (b) Mitad del desfase que se produce para luz polarizada TE en funcin del ngulo de incidencia. El desfase slo se da para ngulos mayores que el ngulo crtico para reflexin total.
Si tenemos una interfase separando dos medios con ndices de refraccin nr1 y nr2, podemos obtener la relacin entre amplitudes para las ondas reflejada y transmitida, as como el cambio de fase cuando se produce una reflexin interna total. En lo siguiente llamaremos 1 y 2 a los ngulos de incidencia y refraccin, respectivamente. Para luz polarizada TE tendremos: (B.3.1) donde se ha hecho uso de la Ley de Snell y de que:
(B.3.2) (B.3.3)
B.3-4
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y operando de igual forma para luz polarizada TM: (B.3.4)
(B.3.5) El ngulo crtico es aquel que cumple que: (B.3.6)
Cuando el ngulo de incidencia 1 es mayor que c, se cumple que con lo que y tenemos la raz cuadrada de un nmero negativo. Los coeficientes de reflexin se convierten en cantidades complejas del tipo: y (B.3.7)
Utilizando las frmulas de rTE y rTM comprobamos que para el caso 1 > c que acabamos de ver, =1y =1 y los desfases TE y TM son: (B.3.8)
(B.3.9) Estos cambios en la fase para una reflexin total son muy importantes a la hora de determinar los modos permitidos en una gua de onda. Supongamos una gua de onda plana formada por una pelcula de ndice nrf = nr1 sobre un substrato de ndice nrs = nr3 y encima un recubrimiento de ndice nrc = nr2. Supongamos que se cumple la siguiente relacin entre los ndices. nr1>nr3>nr2 Como resultado de esta relacin, el ngulo crtico para la interfase pelcula - sustrato s es mayor que el ngulo crtico c para la interfase pelcula - recubrimiento. Si cambia el ngulo tenemos tres posibilidades: Para ngulos de incidencia pequeos, < s y < c, el rayo de luz puede escapar de la gua de onda. En este caso se dice que la onda presenta un modo que se denomina de radiacin. B.3-5
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Para ngulos de incidencia algo mayores, c < < s, la radiacin se refleja totalmente en el recubrimiento y se escapa por el substrato. Tales modos son llamados modos de radiacin por substrato. Finalmente, para el caso de s < y c < , la reflexin es total en ambas interfases y la radiacin est confinada a la gua. Tales casos corresponden a modos guiados de propagacin. Utilizaremos las guas de onda por su capacidad de mantener y transmitir modos guiados.
Fig. B.3.5: Luz propagndose en una gua plana, (a) en modo radiado, (b) en modo radiado por el substrato, (c) en el modo guiado.
B.3.3.1.
Modos guiados en una gua de onda plana
Vamos a estudiar las propiedades de los modos guiados en guas de onda planas. Supondremos que la luz es monocromtica de frecuencia angular y longitud de onda . Adems vamos a hacer un anlisis de rayos donde supondremos que el rayo zigzaguea a lo largo de la gua reflejndose totalmente.
Fig. B.3.6: Corte de una gua plana donde se ha dibujado el recorrido del rayo en modo guiado. El rayo recorre un camino en zig-zag. La luz que recorre la gua debe interferir constructivamente consigo misma para propagarse con xito. Si no, la interferencia destructiva destruira la onda.
B.3-6
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Recordando la definicin de vector de onda: (B.3.10) En nuestro caso, la luz se propaga con un vector de onda knr1 (vector de onda en nr1) siendo la dependencia espacial de los campos para modos guiados, una vez referidos a la geometra del sistema de la forma: (B.3.11) Podremos definir una constante de propagacin efectiva a lo largo del eje de propagacin, eje z, y una velocidad de fase relacionada con ella vp, dada por (B.3.12) Esto ser simplemente la componente z del vector de onda knr1 (vector de onda en nr1) y representa la propagacin a lo largo del eje de la gua. Un observador que avance por el eje z a la velocidad vp a la que se mueve el frente de onda no ver ms que una onda plana que va de arriba hacia abajo y de abajo hacia arriba. Examinemos ahora si rayos con cualquier ngulo y cualquier longitud de onda se pueden propagar por la gua o si existe algn tipo de restriccin en los modos guiados. Supondremos que el campo elctrico est a lo largo del eje y, paralelo a la interfase y perpendicular a z. El rayo es guiado en zig-zag a lo largo del eje z de la gua. El resultado es una propagacin efectiva del campo elctrico E a lo largo del eje z. En la figura tambin se muestran los frentes de onda de fase constante, perpendiculares a la direccin de propagacin del haz. Este haz es reflejado en B y posteriormente en C. Justo despus de su reflexin en C, el frente de onda en C se solapa al frente de onda en A del haz original. La onda interfiere consigo misma. A menos que los frentes de onda en A y en C estn en fase, los dos interferirn destructivamente destruyndose el uno al otro. nicamente determinados ngulos darn lugar a una interferencia constructiva y, en consecuencia, nicamente determinadas ondas podrn existir en la gua. La diferencia de fase entre los puntos A y C corresponde a la longitud del camino ptico AB + BC. Adems, hay que tener en cuenta que las dos reflexiones totales en B y C introducen unos cambios de fase adicionales, 2s en la interfase entre la pelcula y el substrato y 2c en la interfase entre la pelcula y el recubrimiento. Para tener una interferencia constructiva, la diferencia de fase entre A y C debe ser un mltiplo de 2: (AC) = knr1 (AB + BC) + 2s + 2c = 2, donde = 0, 1, 2, (B.3.13)
Podemos obtener fcilmente el valor de AB + BC a partir de consideraciones geomtricas. BC = h / cos y AB = BCcos(2). AB + BC = BCcos(2) + BC = BC[(2 cos2 - 1) + 1] = 2h cos Por tanto, la propagacin de la onda a lo largo de la gua necesitar que: B.3-7
(B.3.14)
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knr1 2hcos + 2s + 2c = 2, donde = 0, 1, 2, O lo que es lo mismo: knr1 hcos + s + c = , donde = 0, 1, 2, knr1 representa el vector de onda en nr1, y por tanto: knr1 = 2nr1/. (2hnr1/) cos + s + c = , donde = 0, 1, 2,
(B.3.15)
(B.3.16)
(B.3.17)
El ndice define el nmero de modos. Tngase en cuenta que s y c dependen de por lo que habr que resolver la expresin para cada de forma iterativa o grficamente. La expresin nos da los valores de permitidos y por tanto la constante de propagacin como funcin de . Esta es la relacin de dispersin para la gua. Para los modos guiados dado que es mayor que el ngulo crtico se cumple que: nr1sin > nr3 y por tanto la constante de propagacin cumple la siguiente condicin knr3 < < knr1 (B.3.19) (B.3.18)
Una forma sencilla de obtener la relacin de dispersin es de forma grfica como se muestra ms adelante para el modo = 0. Se dibujan cada uno de los trminos de la expresin de los modos de la gua en funcin de y buscamos la solucin grfica. Veamos como ejemplo dos casos, una gua simtrica (para la gua simtrica nr2 = nr3 con lo que s = c y s=c) y una gua asimtrica con desfases s y c. Si analizamos el modo fundamental ( = 0), vemos que para la gua simtrica siempre hay una solucin ya que la curva de trazo discontinuo que representa knr1hcos corta la curva de (s + c) = -2c en un punto con > c. Esto significa que no existe frecuencia de corte para el modo fundamental. Para el caso de modos de orden superior, si analizamos la expresin knr1hcos (= (s + c) para que estos modos se puedan propagar en la gua), observamos que conforme aumenta el grosor de la gua, h, ms modos se pueden propagar. En general los modos de orden superior tendrn una frecuencia de corte por encima de la cual no se podrn propagar.
B.3-8
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Fig. B.3.7: Resolucin grfica para la condicin de resonancia en modos guiados. El resultado para el modo fundamental donde knr1hcos =-(s + c) es nico (recurdese que para el caso simtrico s = c). Adems >s y >c para que el modo pueda propagarse.
Si examinamos la gua asimtrica (s c), vemos que el modo fundamental puede no propagarse si el grosor h es pequeo. Por ejemplo, en el caso mostrado en la figura slo la interseccin de la curva knr1hcos con la curva de (s + c) en la regin > s, permite propagarse al modo fundamental (en un modo guiado > s y > c). Por tanto para una gua lo suficientemente estrecha existir una frecuencia de corte para el modo fundamental. Conforme variemos el valor de k (o ), podemos ver como evoluciona el vector de propagacin de la onda . En la figura siguiente observamos la dispersin que aparece en la gua de onda, representando frente a . Los modos guiados estn delimitados por modos radiados por una parte y la regin prohibida por otra. Consideremos en esta figura una frecuencia fija a, y valores de crecientes a medida que aumenta el ngulo . Para valores pequeos de , < knr3, knr2, no habr reflexin total en ninguna superficie y se tiene un continuo de modos de radiacin. Para knr2 < < knr3, se tendrn modos de radiacin slo por substrato (nr3). A partir de = knr3 se da reflexin total en ambas superficies, pero la luz slo es guiada para los valores = que satisfacen la ecuacin vista anteriormente; las soluciones se han representado para los tres primeros modos =0, 1, 2. El valor mximo posible de es para = 90, es decir, = knr1, por lo que los valores de se han indicado como zona prohibida en la figura. Por otra parte, al aumentar la frecuencia (en realidad el producto kh) aparece un modo nuevo cada vez que se supera la frecuencia de corte caracterstica del mismo indicada tambin en la misma figura.
Fig. B.3.8: Relacin de dispersin para los modos de una gua plana asimtrica. Las frecuencias de corte de varios modos estn indicadas con flechas.
Slo recordar que el grosor donde est confinado el modo guiado no se corresponde con el grosor de la gua de onda, h, en la realidad. Existir un grosor efectivo donde est realmente confinada la onda y que viene dado por el grosor fsico de la gua, h, ms la profundidad de penetracin de los campos evanescentes en el substrato y en el recubrimiento, xs y xc. Podremos escribir, heff = h + xs + xc B.3-9
(B.3.20)
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Esta correccin no es de importancia si h >> , pero si h y son comparables la correccin es necesaria.
B.3.4.
Fibra ptica: anlisis basado en ptica geomtrica
La fibra ptica es probablemente uno de los componentes fotnicos ms importantes en sistemas de comunicacin modernos. Es por tanto de suma importancia el conocer como se propaga la luz en dichas guas. Aunque el anlisis preciso requiere la aplicacin de la teora ondulatoria, podemos aplicar la ptica geomtrica por simplicidad siempre que el ncleo de la fibra sea mayor que la longitud de onda de la luz. Este tratamiento, que se va a realizar en esta seccin proporciona una gran informacin sobre el funcionamiento de las fibras pticas. Una de las caractersticas ms importantes de la fibra ptica como conductor de luz es su eficiencia al hacerlo. Debemos por tanto conocer de qu forma acoplar la fuente de la seal luminosa para que el rayo entrante se refleje totalmente y se propague a lo largo de la gua. Para ello es necesario conocer el ngulo de reflexin total entre el ncleo y el recubrimiento de la fibra.
Fig. B.3.9: ngulo de entrada en una fibra ptica calculado mediante la ptica geomtrica. Si el ngulo es mayor que A el rayo no podr propagarse por la gua.
El ngulo crtico se obtiene aplicando la ley de Snell a un rayo propagndose de un medio de ndice nr1 a un medio de ndice nr2. Los ngulos de incidencia y refraccin vienen dados por, (B.3.21) Para reflexin total 2 = 90 de forma que el ngulo crtico 1 = 1c viene dado por (B.3.22) Consideremos ahora el caso de una fibra ptica en la que incide la luz de un medio con ndice nro. Queremos conocer el ngulo mximo de entrada de la fibra. Segn la ley de Snell, nro sin = nr1sin1 Como 1 = 90 - 1, sin1 = cos1 y, en consecuencia: (B.3.23)
B.3-10
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nro sin = nr1sin1 = nr1 cos1 11c,
(B.3.24)
La reflexin total en la interfase entre el ncleo y el recubrimiento se produce cuando
(B.3.25) o (B.3.26) Por tanto el lmite del ngulo de entrada es, nro sin = nr1 cos1 (B.3.27)
(B.3.28) o (B.3.29) El mximo ngulo de entrada ser por tanto, (B.3.30)
A la cantidad
se la llama apertura numrica, NA, de la fibra.
Observamos que la capacidad de aceptar rayos de luz por parte de la fibra ptica depende de nro, nr1 y nr2. Las investigaciones actuales se centran en aumentar la capacidad de aceptar rayos de entrada y reducir las prdidas de la gua. Como veremos ms adelante la luz emitida por un LED no est muy bien colimada. Como consecuencia, solamente una pequea fraccin de la luz emitida se acoplar dentro de la fibra ptica, porcentaje mucho menor del que se obtiene a partir de un diodo lser.
B.3.5.
Limitaciones de polarizacin en guas de onda.
Habiendo examinado el tratamiento de ptica geomtrica de las guas de onda (apartado B.3.3.) vamos a proceder a realizar un tratamiento ms riguroso aplicando la teora ondulatoria. Conozcamos primero las limitaciones a cumplir por el campo elctrico y magntico en las guas de onda planas y las cilndricas. B.3-11
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La solucin general para los campos en un modo guiado en una gua plana con el eje de la gua en direccin z son de la forma, (B.3.31) y para una gua cilndrica las soluciones son de la forma, (B.3.32) Donde es la constante de propagacin de la onda propagndose y para una longitud de onda dada, su valor se debe determinar resolviendo la ecuacin de ondas con las condiciones de contorno. En el caso de la gua plana donde el ndice de refraccin vara a lo largo del eje x. Si no varan los parmetros del material en la direccin y, podemos suponer que y = 0. Las distintas componentes de los campos elctrico y magntico tienen las siguientes expresiones: (B.3.33) (B.3.34) con expresiones similares para las dems componentes. A continuacin se sustituyen las expresiones de y en las ecuaciones de Maxwell y . El clculo se simplifica si se introducen las dos polarizaciones bsicas ortogonales (TE y TM) con lo que obtenemos un conjunto de relaciones entre Ey, Hx, Hz y un conjunto independiente de relaciones entre, Ex, Ez y Hy. El primer conjunto se corresponde con modos en los que el campo elctrico es puramente transversal al vector de propagacin (Ez=0) y son modos TE y el segundo conjunto corresponde a modos donde el campo magntico slo tiene componente transversal (modos TM, con Hz=0). Cualquier otra direccin del campo elctrico podr descomponerse en funcin de dos componentes, una paralela (TM) y otra transversal (TE).
(B.3.35)
(B.3.36)
Las relaciones son: Modos TE (Ez=0), involucran a Ey, Hx y Hz: B.3-12

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(B.3.37)
Modos TM (Hz=0), involucran a Ex, Ez y Hy:
(B.3.38)
En una gua plana tenemos por tanto una separacin natural de modos TE y TM. Obsrvese que si no hay una variacin de los parmetros del material a lo largo del eje x (es decir, no es una onda guiada), se cumple (B.3.39) y (B.3.40) En estos casos no existe componente axial de los campos y la onda se conoce con el nombre de transversal electromagntica o TEM. Este modo no es guiado ya que necesita campos elctricos en el recubrimiento que no tenemos aqu. En la siguiente figura se muestran los casos de modos TE (a) y TM (b). En (a) el campo elctrico es perpendicular al plano de incidencia (plano del papel) mientras que en (b) el campo magntico es perpendicular al plano de incidencia y, por tanto, el campo elctrico es paralelo a dicho plano.
Fig. B.3.10: Los posibles modos pueden clasificarse en (a) TE y (b) TM.
B.3-13
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Cualquier otra direccin del campo elctrico (siempre perpendicular a la direccin de propagacin del haz) podr descomponerse en funcin de dos componentes, una paralela y otra perpendicular al plano de incidencia. Como ya hemos visto, cada una de estas componentes experimenta un cambio de fase distinto, y en consecuencia necesita ngulos diferentes para propagarse a lo largo de la gua. Para el caso de una gua cilndrica (fibra ptica) los componentes no se separan en grupos desacoplados de ondas TE y TM como en las guas planas. En general aplicando el operador rotacional, (B.3.41) obtenemos las siguientes relaciones de las ecuaciones de Maxwell: (B.3.42)
(B.3.43)
(B.3.44)
(B.3.45)
(B.3.46)
(B.3.47) Como, en general, tendremos acoplamiento entre Ez y Hz, la solucin corresponder a ondas que no sern simplemente ondas linealmente polarizadas TE y TM, si no que aparecern modos hbridos en los que ni el campo elctrico ni el magntico ser puramente transversal.
B.3.6.
Modos guiados en guas planas: aplicacin de la teora ondulatoria.
Una vez analizada la gua plana desde el punto de vista geomtrico vamos a aplicar la teora ondulatoria para obtener un resultado ms riguroso. La gua plana es una estructura de tres capas donde existe una capa de ndice de refraccin alto rodeada por otras dos capas de bajo ndice de refraccin. La anchura de la gua es d. Supondremos que el ndice de refraccin de los materiales que rodean la gua es el mismo (nr2 = nr3) aunque en la realidad no tiene que ser as. B.3-14
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Fig. B.3.11: Gua plana donde vara el ndice de refraccin en direccin del eje x. La regin 1 tiene una anchura d.
Supongamos una onda propagndose en direccin del eje z. Si suponemos que no hay variacin espacial de la onda en la direccin y, las ondas de los campos elctrico y magntico son: (B.3.48) donde es la constante de propagacin. La dependencia con x se puede obtener a partir de cada uno de los dos grupos de tres ecuaciones obtenidos para los modos TE y TM a partir de las ecuaciones de Maxwell, eliminando los trminos en H (TE) o en E (TM):
(B.3.49)
Estas dos ecuaciones representan las ondas polarizadas TE y TM. En nuestro estudio el confinamiento es en direccin x, aunque esta eleccin es arbitraria. Supongamos luz polarizada TE. La ecuacin se puede rescribir: (B.3.50) donde hemos tenido en cuenta que (B.3.51) donde (B.3.52) es el vector de onda en el espacio libre. La solucin de la ecuacin diferencial antes vista puede ser de la forma
B.3-15
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; donde
para
pues
k02 > 2
(B.3.53)
(B.3.54) o de la forma ; para donde (B.3.56) Estas dos ecuaciones representan los casos de onda oscilatoria y onda crticamente amortiguada. La gua de onda esta diseada de forma que para algunos modos, los modos guiados, el campo en el ncleo sea oscilatorio y el campo en el recubrimiento sea totalmente amortiguado. Por tanto la solucin del campo elctrico ser de la forma (kx y ya las hemos definido). ; para pues k02 < 2 (B.3.55)
(B.3.57)
El campo elctrico y tambin su primera derivada tienen que ser continuos. Esta condicin nos da un conjunto de cuatro ecuaciones al igualar dichos valores en los lmites:
(B.3.58) A partir de ese conjunto de cuatro ecuaciones obtenemos los siguientes dos pares de ecuaciones:
(B.3.59)
B.3-16
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(B.3.60)
Estas ecuaciones nos dan dos condiciones para las soluciones de la ecuacin de un modo guiado. Las condiciones son las siguientes ecuaciones transcendentales (B.3.61) o (B.3.62) La primera de estas ecuaciones es para modos pares (A = D), mientras que la segunda se corresponde con los modos impares (A = D). Los modos los numeramos con un ndice m = 0, 1, 2,. La resolucin de estas expresiones se puede hacer de forma numrica o grfica. Una posible solucin grfica es representar una de estas ecuaciones donde x = kxd/2 e y = d/2. Si ahora tenemos en cuenta la expresin de y la expresin de kx podemos calcular kx2+2 y obtenemos, (B.3.63) Esta es la ecuacin de una circunferencia y para cada nr1, nr2 y d tenemos una circunferencia de radio R(d). Si dibujamos la circunferencia correspondiente sobre las curvas de las dos ecuaciones trascendentales anteriores obtendremos una interseccin por cada modo posible. Conforme aumenta el grosor de la gua aumentar el nmero de modos. Para encontrar el modo de corte para un determinado espesor hay que tener en cuenta que cortan el eje x = kxd/2 en valores y
. En consecuencia, para el espesor para el
cual el modo m llega justo a ser permitido (con un espesor menor no sera permitido): (B.3.64) y el espesor dc vale (B.3.65) Una vez conocemos kx (o ), podemos calcular la constante de propagacin de fase para un determinado k0 a partir de la expresin B.3-17
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kx2 = nr12k02 2
(B.3.66)
Fig. B.3.12: (a) Resolucin grfica para conocer los modos permitidos en una gua de onda. (b) Soluciones tpicas para el campo elctrico en modos guiados.
Cada valor de m est relacionado con un valor de ngulo permitido (m) que corresponde a una onda con una trayectoria concreta en la direccin z. Cada una de estas ondas viajeras tiene un patrn Ey para el campo elctrico que constituye el modo de propagacin. El entero m identifica estos modos y es llamado nmero del modo. La energa luminosa puede ser transportada a lo largo de la gua a travs de uno o ms de estos modos de propagacin, como se muestra en la siguiente figura. Fijarse que los modos penetran en el recubrimiento y se reflejan en un plano aparente dentro de ste. El ngulo permitido m es mayor cuanto mayor es m, de manera que modos de rdenes superiores presentarn mayor nmero de reflexiones pero tambin penetrarn mucho ms en el recubrimiento. Para m=0, m est cercano a 90 y la onda viaja de forma axial. Si es enviada luz hacia el ncleo de la gua esta podr viajar nicamente en los modos permitidos. Estos modos viajan por la gua recorriendo trayectorias diferentes. Cuando estos alcanzan el final de la gua constituyen el haz de luz emergente. Si se enva un haz de corta duracin hacia la gua de ondas, la luz emergente ser un pulso de luz ms ancho que el anterior pues la energa luminosa se habr propagado a diferentes velocidades a lo largo de la gua. El pulso luminoso por tanto se ensancha cuando atraviesa la gua. Este fenmeno ser tratado ms adelante con mayor profundidad.
B.3-18
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Fig. B.3.13: Esquema que muestra la propagacin de la luz en una gua de ondas. El pulso entrante a la gua se separa en distintos modos que se propagan en la gua a distintas velocidades. Al final de la gua, los modos se combinan para constituir el pulso de luz de salida el cual es ms ancho que el de entrada.
B.3.6.1.
Factor de confinamiento ptico
Un parmetro de suma importancia en guas pticas es la fraccin de energa en la regin 1 de la gua de onda. Este parmetro se llama factor de confinamiento ptico . Su definicin es (B.3.67)
Conociendo kx y se puede calcular. Adems si normalizamos la onda con respecto a kx el factor de confinamiento vale (B.3.68)
El valor de depende fuertemente del nmero del modo considerado, el grosor de la gua y la diferencia entre nr1 y nr2.
Fig. B.3.14: Factor de confinamiento en funcin del grosor de la gua de onda.
B.3.7.
Modos guiados en fibras pticas. Aplicacin de la teora ondulatoria.
Al igual que hemos hecho con la guas planas debemos realizar un estudio ms exhaustivo sobre la fibras pticas basndonos en la ptica ondulatoria para conocer los modos que se pueden propagar por ellas. El simple tratamiento basado en la ptica geomtrica es B.3-19
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adecuado si el tamao del ncleo de la fibra es mucho mayor que la longitud de onda de la luz que se propaga a travs de la fibra. Este es el caso de fibras multimodo las cuales son utilizadas en menor cantidad de aplicaciones. En la mayor cantidad de aplicaciones de comunicacin ptica, las fibras son monomodo (se propaga a travs de ellas un nico modo) con dimetros del ncleo que se aproximan al micrmetro. En tales casos es necesario un estudio basado en ptica ondulatoria. Dicho tratamiento, al igual que suceda en las guas planas, conducir a unos modos guiados bien definidos que describirn la forma de las ondas de luz que se pueden propagar por la gua. En el caso de una gua de ondas plana, la ecuacin de ondas se resuelve en coordenadas cartesianas x, y, z. En el caso de una gua de ondas cilndrica (fibra ptica) es apropiado trabajar en un sistema de coordenadas cilndrico utilizando r, y z.
Fig. B.3.15: Coordenadas cilndricas y su relacin con las coordenadas cartesianas.
La solucin general en dichas coordenadas de los campos elctrico o magntico ser de la forma: (B.3.69) donde el nmero entero l describe la dependencia azimutal del campo y es la constante de propagacin. Para resolver el problema se utiliza la misma tcnica utilizada en las guas planas, es decir, debemos obtener las ecuaciones que satisface el campo en las regiones del ncleo y del recubrimiento, aplicar las condiciones de contorno y como consecuencia obtener los valores permitidos de l y . Este tratamiento es ms complejo en una gua de ondas cilndrica, ya que la separacin de campos elctricos y magnticos en soluciones de modos TE y TM nicamente no es posible. La simetra cilndrica produce otras posibles polarizaciones como son los modos hbridos EH y HE, adems de las polarizaciones TE y TM. Para una gua de ondas cilndrica de ndice escaln, haciendo la aproximacin de un campo escalar, la ecuacin de ondas en el sistema de coordenadas cilndrico ser (para un radio del ncleo a):
B.3-20
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(B.3.70)
Se definen los parmetros: (B.3.71) y (B.3.72) donde NA es la apertura numrica de la fibra (es decir, ). Los modos
guiados vendrn dados a partir del conjunto de valores {, l } que satisfacen las ecuaciones de ondas mostradas anteriormente cuando se aplican las condiciones de contorno al campo. El parmetro V recibe el nombre de parmetro de frecuencia normalizada (al cual se le suele llamar simplemente parmetro V) y determina el nmero de modos que se pueden propagar en una fibra ptica. Este parmetro se puede expresar en funcin del dimetro, d=2a, (B.3.73) donde d es el dimetro del ncleo, es la longitud de onda de operacin (longitud de onda en el espacio libre) y nr1 y nr2 los ndices de refraccin de ncleo y recubrimiento, respectivamente. Este parmetro es un nmero adimensional. La condicin de corte para la cual se propaga un nico modo (modo de orden cero) es V = 2,405. Luego el mximo radio del ncleo de la fibra ptica para que se propague un solo modo por ella, es decir, que la fibra sea monomodo ser: (B.3.74) Siempre que se cumpla la condicin V 2,405, la fibra ptica ser monomodo (se propagar en ella un nico modo). Por una fibra se propagarn ms de un modo cuando se supere dicho valor crtico. Por otro lado el nmero de modos para una fibra de gran dimetro viene dado aproximadamente por la siguiente expresin: (B.3.75)
B.3-21
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El principal resultado que se obtiene despus de un laborioso clculo matemtico es que el campo electromagntico puede propagarse dentro de la estructura como un conjunto de patrones de campo llamados modos naturales. Estos modos naturales (tambin llamados verdaderos o exactos) pueden ser totalmente transversales (modos TE y TM) o pueden tener componentes longitudinales, es decir a lo largo de la direccin de propagacin (modos hbridos HE y EH). En la prctica, se suele aplicar la llamada aproximacin de "modos guiados dbilmente". Esta aproximacin se basa en la suposicin de que la diferencia entre los ndices de refraccin de ncleo y recubrimiento es mucho menor que la unidad, nr1-nr2<<1, la cual es cierta en la totalidad de fibras pticas prcticas (en stas nr1-nr2 es de alrededor de 0,2 o menor). Bajo esta condicin, los modos naturales se combinan dando lugar a modos linealmente polarizados (LP) que son los que realmente existen en el interior de la fibra. Las componentes longitudinales de dichos modos LP es muy pequea, de forma que pueden ser tratados, en la mayor parte de los casos, como modos transversales. Estos modos LP son los distintos rayos luminosos que pueden propagarse por el interior de la fibra.
Fig. B.3.16: Lneas de campo para los cuatro modos naturales de orden ms bajo en una fibra ptica.
Fig. B.3.17: Ejemplo de cmo los modos HE21 + TE01 y HE21 + TM01 componen modos linealmente polarizados LP11 (la zona oscurecida muestra la distribucin de intensidad y las flechas los campos elctricos o magnticos transversales))
Todos los rayos -modos- que se propagan dentro de una fibra ptica pueden ser divididos en dos categoras: rayos meridionales y rayos oblicuos. Los rayos meridionales son los que cruzan por una lnea imaginaria que marca el centro de la fibra; mientras que los rayos B.3-22
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oblicuos se propagan sin cruzar el eje central de la fibra. Hasta ahora, nicamente hemos visto el caso de rayos meridionales. Estos rayos tienen nicamente dos componentes- radial y axial y pueden componerse a partir de nicamente modos naturales transversales TE y TM. Los rayos oblicuos, por otra parte, son ms sofisticados ya que tienen una componente azimutal. Un anlisis terico muestra que estos estn compuestos de modos que deben incluir elementos longitudinales. Por tanto, en la composicin de los rayos oblicuos intervienen siempre los modos naturales hbridos EH y HE.
Fig. B.3.18: Rayos meridionales y oblicuos. (a) Trayectoria de un rayo meridional en la fibra: secciones longitudinal (izquierda) y transversal (derecha); (b) Trayectoria de un rayo oblicuo en la fibra: secciones longitudinal (izquierda) y transversal (derecha).
B.3.8.
Propagacin de paquetes de onda: dispersin y velocidad de grupo
Hemos visto que caracterizamos las ondas pticas mediante su forma de onda dada por su campo elctrico y magntico (en general representado por ) y expresadas como, (B.3.76) donde k es el vector de onda y la onda se propaga en direccin x (por simplicidad). Si examinamos esta forma de onda, observamos que la densidad de energa asociada a ella (*) es uniforme en todos los puntos a lo largo del eje x y es constante en el tiempo. Esto no es una forma muy fsica de describir un pulso ptico propagndose en el espacio. En una situacin fsicamente real, se est interesado en la descripcin de pulsos pticos localizados en el espacio y que se propagan de un punto a otro. Tales situaciones se describen mediante la construccin de paquetes de ondas. Vamos a analizar en esta seccin las propiedades de los B.3-23
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paquetes de ondas y como afectan las propiedades de un medio a la propagacin del paquete de ondas. Un paquete de ondas como veremos est formado por la superposicin de un conjunto de ondas planas de amplitud y frecuencia variables que se propagan superpuestas, en nuestro caso en la direccin x.
Fig. B.3.19: (a) Esquema de una onda unidimensional que se extiende por todo el espacio. (b) Al combinar varias ondas obtenemos un paquete de ondas que est localizado en el espacio. El paquete est centrado en x0 y tiene una dispersin de x, cumplindose que k x1.
Volviendo al caso de una onda unidimensional con un vector de onda k0, (B.3.77) vemos que si un estado no estuviese formado a partir de una nica componente k0 sino por un conjunto de componentes con vector de onda alrededor de k0, k, la funcin de onda valdra entonces, (B.3.78) y estara centrada alrededor de x0. La probabilidad (||2) decae desde su mximo valor en x0 a un valor muy pequeo en una distancia /k. Si k es pequeo, el nuevo paquete de ondas tiene esencialmente las mismas propiedades que en k0, pero est localizado en el espacio y es por tanto muy til para describir el movimiento del pulso. Un paquete de ondas ms til se puede obtener multiplicando el integrando de la expresin anterior por un factor de peso gausiano f(k-k0), (B.3.79)
B.3-24
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(B.3.80) (x, x0) representa un paquete de ondas gausiano en el espacio que se amortigua rpidamente conforme nos alejamos de x0. Si consideramos el estado original , la onda estaba distribuida por todo el espacio hasta el infinito y tena un valor de k determinado. Al construir el paquete de ondas hemos perdido precisin en el vector k al variar ste en k y hemos ganado en precisin de x en el espacio real. Se puede comprobar que la anchura del paquete de ondas en el espacio real (x) y en el espacio de k cumple la relacin k x 1 Podemos repetir el mismo procedimiento para una onda de tipo eit (B.3.82) (B.3.81)
y obtener as un paquete de ondas que est localizado en tiempo y en frecuencia, estando relacionadas las anchuras de dicha localizacin t 1 (B.3.83)
B.3.8.1.
Movimiento de un paquete de ondas.
Veamos ahora como se desplaza un paquete de ondas por el espacio y el tiempo. Para ello necesitamos aadir la dependencia temporal de la funcin de onda, es decir el trmino eit. (B.3.84) Si tiene una dependencia con k similar a la que tiene en el vaco, = ck podemos escribir (B.3.86) Lo que significa simplemente que el paquete de ondas se mueve con su centro en x x0 = ct (B.3.87) (B.3.85)
y su forma no cambia con el tiempo. En realidad tenemos un medio diferente del vaco y la relacin entre y k es ms compleja. En general ser de la forma, B.3-25
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(B.3.88) Si llamamos
(B.3.89)
obtenemos (B.3.90) si fuese cero, el paquete de ondas se movera con su pico centrado en, x x0 = vgt es decir, con una velocidad de grupo dada por (B.3.92) y para distinto de cero, la forma del paquete de ondas cambia. Para comprobarlo supongamos un paquete de ondas gausiano, (B.3.93) Entonces (B.3.94) Para resolver esta integral completamos el cuadrado en el integrando restando y sumando trminos (B.3.91)
(B.3.95) El valor de la integral es
B.3-26
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Si multiplicamos y dividimos por (1 it(k)2)
(B.3.96) La probabilidad ||2 tiene la siguiente dependencia temporal y espacial,
(B.3.97) Esto es una distribucin gausiana centrada alrededor de x = x0 + vgt y la anchura media en el espacio real es (B.3.98) Para tiempos cortos en los que se cumple que 2t2(k)4 << 1 (B.3.99)
la anchura no vara con respecto a su valor inicial, pero conforme pasa el tiempo, si 0, el paquete de ondas comenzar a dispersarse. Hemos introducido la velocidad de grupo que representa cual es la velocidad con la que se propaga el paquete de ondas a travs del medio. Esta velocidad se tiene que distinguir de la velocidad de fase (B.3.100) que representa la velocidad de un punto en el cual la fase permanece constante. En el vaco ambas velocidades coinciden, pero en un medio son diferentes. De hecho, dependiendo de la dispersin de un medio, la velocidad de fase puede ser mayor que la velocidad de la luz, c. La velocidad de grupo, que representa la propagacin del paquete de ondas (o informacin) siempre es menor que c.
B.3.8.2.
Dispersin en una gua de onda
La relacin entre y k en un medio, es decir la relacin de dispersin, describe una de las propiedades pticas ms importantes de un material. En general, dicha relacin no tiene porque ser lineal, y como resultado, cuando se propagan pulsos por ese medio, se altera su forma. Si la gua de onda est hecha de varios materiales se aaden ms efectos de dispersin, ya que la relacin k se modifica para los modos guiados. La relacin de dispersin en una gua de onda suele ser muy compleja y requiere clculo numrico para su resolucin. De todas maneras vamos a ver las propiedades fsicas ms importantes relacionadas con una gua de onda, utilizando un modelo simple para la relacin de dispersin. B.3-27
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Si c es la frecuencia de corte de un modo, podemos suponer una relacin de dispersin de forma "desplazada", 2 = c2 + k2v2 (B.3.101)
Fig. B.3.20: Relacin de dispersin de un modo guiado con frecuencia de corte c.
La velocidad de fase para la gua de onda viene dada por (B.3.102) Podemos ver que la velocidad de fase puede ser mayor que la velocidad de la luz, c, cuando tienda a c. Pero la velocidad de fase no representa propagacin de energa, por lo que no es ninguna contradiccin con la teora de la relatividad. La velocidad de grupo es (B.3.103) que siempre ser menor que la velocidad de la luz. Para encontrar la dispersin que sufre un pulso, debemos conocer la segunda derivada de con respecto a k. (B.3.104) Si no hubiese dispersin debida al guiado de las ondas, es decir =0, la velocidad de grupo vg coincidira con v y con la velocidad de fase vp y c sera cero. Como resultado de la dispersin, un pulso inyectado en una gua se ensanchar conforme viaje por la gua. El valor de la anchura de un pulso inyectado en t=0 con anchura x(t=0) transcurrido un tiempo t valdr, segn lo visto en el apartado anterior: (B.3.105)
B.3-28
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Obsrvese que no hemos asignado dispersin que provenga del material en si, lo que s se da en la realidad. La dispersin del material puede contribuir con un valor de , que puede tener un valor positivo o negativo, por lo que podremos encontrar guas cuya dispersin se acerque a cero gracias a la combinacin del factor de dispersin debido al guiado de la onda y el factor de dispersin debido al material.
B.3.8.2.1.
Dispersin en fibras pticas
La mayor parte de las fibras pticas son utilizadas para la transmisin de la informacin a larga distancia. Por tanto, una caracterstica importante de la fibra ptica ser tener un gran ancho de banda para la transmisin de la informacin y tener pocas prdidas. El ancho de banda de la fibra ptica est determinado por el efecto de dispersin. Intuitivamente la dispersin es debida a que rayos luminosos que entran a la fibra con diferentes ngulos atravesarn caminos diferentes dentro de la fibra. As por ejemplo en la figura que se muestra a continuacin el rayo 1, que es un rayo axial, tiene el camino ms corto en el interior de la fibra, el rayo 2 atraviesa un camino ms largo y el 3 atraviesa un camino todava ms largo. Debido a las diferentes longitudes de los caminos, el tiempo del trayecto de cada uno de estos rayos es diferente y estos no llegan al final del cable al mismo tiempo. Como consecuencia, cuando se introduce una excitacin del tipo de un pulso estrecho, este pulso energtico se ensancha, y a la salida del cable es ms ancho que a la entrada. Este efecto limita la rapidez del pulso que la fibra puede llegar a manejar y, por tanto, afecta al ancho de banda de la fibra.
nr2
nr1
Fig. B.3.21: (a) Camino de los rayos en una fibra multimodo. (b) Dispersin de pulsos para una fibra de cambio de ndice escaln.
Las fibras con varios caminos posibles son las fibras multimodo y, como hemos visto, provocan una gran dispersin del pulso y un ancho de banda limitado. Este fenmeno es llamado dispersin modal. A continuacin vamos a realizar un clculo del tiempo de ensanchamiento del pulso. El rayo que viaja segn el eje necesitar un tiempo: (B.3.106) donde L es la longitud de la fibra y v = c / nr1 (nr1 es el ndice de refraccin del ncleo de la fibra). El rayo C de la siguiente figura necesitar un tiempo:
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(B.3.107) donde el ngulo C est relacionado con el ngulo crtico cumplindose que sin(c)=cos(C) y por tanto que cos C = nr2 / nr1. En consecuencia, la anchura del pulso para el caso de dispersin modal ser: (B.3.108) donde nr1: ndice del ncleo, nr2: ndice del recubrimiento, L: longitud de la fibra, c: velocidad de la luz.
Fig. B.3.22: Dispersin modal (a) Pulso original. (b) Modos en la fibra ptica. (c) Pulsos obtenidos considerando cada modo individualmente. (d) Pulso resultante.
En una fibra ptica tambin puede existir la llamada dispersin cromtica. La dispersin cromtica en una fibra ptica tiene dos mecanismos: dispersin debida al material y dispersin de la gua de onda. La dispersin debida al material es debida a que tanto el ndice de refraccin como la velocidad de propagacin dependen de la longitud de onda. Cuando rayos de diferente longitud de onda entran a la fibra. Como, diferentes longitudes de onda tendrn diferentes tiempos de propagacin, se tiene tambin una dispersin del pulso. Este tipo de dispersin es importante en fibras multimodo.
Fig. B.3.23: Todas las fuentes de excitacin son inherentemente no-monocromticas y emiten dentro de un espectro de longitudes de onda. Las ondas con diferentes longitudes de onda en el ncleo viajan a diferentes velocidades de propagacin debido a la dependencia de la longitud de onda con el ndice de refraccin n1. Las ondas llegan al final de la fibra en tiempos diferentes y, como consecuencia, el pulso de salida est ensanchado.
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El ensanchamiento del pulso debido a la dispersin cromtica basada en el mecanismo de dispersin debida al material puede ser calculado a partir de la siguiente ecuacin: (B.3.109) donde D() es un parmetro de dispersin cromtica (en ps/nmkm); L es la longitud de la fibra en km y es la anchura espectral de la fuente luminosa en nm, es decir, la caracterstica de en cuantas longitudes de onda la fuente radia.
Fig. B.3.24: Parmetro de dispersin cromtica, D().
La dispersin cromtica de la gua de onda, es bastante ms difcil de comprender y para ello vamos a reconsiderar el comportamiento del modo m=0. El perfil de intensidad del modo m=0 en funcin de la posicin a lo largo del dimetro de la fibra se muestra en la siguiente figura (a). A partir de esta representacin observamos que no toda la luz est contenida dentro del ncleo, como hemos asumido en los dems casos: en la prctica parte de la luz "se difunde" hacia el recubrimiento. Esta luz no se pierde, pues esta viaja como parte del modo m=0, pero dado que viaja en un material de ndice de refraccin menor, viaja ms rpidamente que la luz que viaja por el ncleo. En consecuencia, tenemos dispersin. El grado de dispersin depender de la proporcin de energa luminosa contenida en el recubrimiento: si slo una pequea cantidad de luz est presente en el recubrimiento el efecto conjunto sobre el perfil de pulso de salida de esta luz que llega antes que el pulso principal ser pequeo (b). Si, sin embargo, es mucha la cantidad de luz que viaja por el recubrimiento esto afectar en gran manera al perfil del pulso de salida, obtenindose una gran dispersin (c).
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Fig. B.3.25: (a) Perfil de intensidad del modo m=0 en la fibra. (b) Perfil del pulso de salida si poca luz viaja por el recubrimiento. (c) Perfil del pulso de salida si mucha luz viaja por el recubrimiento.
La cantidad de luz que viaja en el recubrimiento depende del valor del parmetro V y cuando V se acerca a cero la dispersin se incrementa. La frmula que nos da este tipo de dispersin es: (B.3.110) donde es el ancho de banda de la fuente y el valor de z depende de V. La variacin de z con V se muestra en la siguiente tabla. V 1,3 2,405 >3 z 1,0 0,2 tiende a cero
En fibras multimodo el valor de la dispersin cromtica basada en la dispersin de la gua de onda es despreciable frente a la dispersin total por lo que los trminos dispersin cromtica y dispersin del material son totalmente intercambiables. En cambio en fibras monomodo la dispersin basada en el mecanismo de dispersin de la gua de onda es una componente importante de la dispersin total y no puede ser despreciada. El ensanchamiento total del pulso cuando se tienen ambos tipos de dispersin (modal y cromtica) se suele calcular utilizando la siguiente frmula: (B.3.111) Para fibras monomodo tmodal es cero y para fibras multimodo twg es despreciable. Por ltimo, la dispersin de modos de polarizacin (PMD), es la que aparece en guas monomodo y se debe a que en realidad los modos transversales que aparecen en una B.3-32
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gua monomodo en realidad se descomponen en dos modos lineales que se propagan generalmente de forma ortogonal por el ncleo de la fibra. Estos dos modos transportan la mitad de la energa cada uno y la dispersin aparece alhaber una diferencia entre los ndices de refraccin de la gua en una direccin (x, por ejemplo) y otra (y, por ejemplo). Es decir si la fibra no tiene un simetra axial perfecta con respecto a su ndice de refraccin, los dos modos se propagarn a diferente velocidad resultando al final de la gua un pulso luminosos ms ancho.
Fig. B.3.26: (a) Propagacin de dos modos transversales ortogonales en una fibra monomodo ideal; (b) propagacin de dos modos transversales ortogonales en una fibra monomodo real. Aparece la dispersin de modos de polarizacin (PMD).
El retraso introducido por este tipo de dispersin viene dado por la siguiente expresin, (B.3.112) Obsrvese que el factor de dispersin no depende de la longitud de onda y el retraso solo se ve afectado por el camino recorrido. Esta dispersin es mucho menor que la dispersin cromtica, pero si se usan fibra s de dispersin cromtica cero, entonces ser un factor a tener en cuenta. "Bit rate" y ancho de banda La dispersin en fibras pticas causa una restriccin significativa del "bit rate" y el ancho de banda. El "bit rate" (por algunos llamado "data rate") es el nmero de bits que puede ser transmitido por segundo a travs de un canal de informacin. Se mide en bits/s. Es una medida directa de la capacidad de transporte de informacin de la red de transmisin digital. Esto es la razn de que tambin se le llame "velocidad de la transmisin de la informacin". El ancho de banda es el rango de frecuencias dentro del cual una seal puede ser transmitida sin deterioro significativo. Es medido en Hz y es la caracterstica de capacidad de transmisin de informacin del canal de comunicaciones utilizado para transmisin analgica. Estas dos caractersticas, en consecuencia, son obviamente bastante diferentes. El "bit rate" para transmisin digital y el ancho de banda para transmisin analgica, pueden observarse en la siguiente figura, (a) y (b). No hay que confundir por otra parte el ancho de banda elctrico y el ancho de banda ptico. La relacin entre el "bit rate" (BR) y el ancho de banda (BW) que suele ser a menudo utilizada en la literatura puede ser obtenida considerando el peor caso posible, es decir, la secuencia 1-0-1-0-1...Si representamos la forma de onda de los pulsos por una forma de onda
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tipo seno, encontramos que un periodo del seno cubre dos bits. Obviamente el "bit rate" es dos veces mayor que la frecuencia, lo cual da lugar a la siguiente ecuacin: (B.3.113)
Fig. B.3.27: "Bit rate" y ancho de banda (a) "Bit rate" de una seal digital. (b) Ancho de banda de una seal analgica. (c) Pulsos digitales y seal senoidal.
Clculo del "bit rate": A continuacin vamos a ver con un ejemplo como la dispersin restringe el "bit rate". Supongamos que se quiere transmitir informacin a 10Mbits/s. Esto significa que se quiere transmitir 10x106pulsos cada segundo; en otras palabras, la duracin de cada ciclo son 100ns. Para simplificar vamos a suponer que la duracin de los pulsos de entrada es despreciable. Sin embargo, estos pulsos se ensancharn debido al efecto de la dispersin. Supongamos que cada pulso se ensanche 84,76ns cada kilmetro. Por tanto, la duracin de cada pulso ser de 84,76ns despus del primer kilmetro de transmisin y 169,52ns despus del segundo. Despus del segundo kilmetro los pulsos son tan anchos que se superponen y la luz ya no transporta ninguna informacin. Lo mismo sucede cuando se intenta incrementar el "bit rate" incluso en una transmisin a corta distancia. La dispersin limita de forma severa el "bit rate" de un enlace de fibra ptica a un mximo del orden de 12Mbit/s.
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Fig. B.3.28: Ensanchamiento del pulso tras la transmisin (a) Pulsos de entrada. (b) Pulsos despus de 1km de transmisin. (c) Pulsos despus de 2km de transmisin. Bit rate: 10Mbit/s.
La velocidad de transmisin de los datos, por tanto, est relacionada con la anchura de los pulsos. Por ejemplo, si la anchura del pulso es 1ns, la velocidad de transmisin de los datos no puede superar los 109bit/s; si lo hiciese, los pulsos se solaparan. Desde un punto de vista prctico, siempre se quiere tener un intervalo de tiempo entre pulsos para asegurar una transmisin segura. Vamos a suponer, para nuestro propsito, que la velocidad de los datos de entrada al sistema de comunicacin basado en fibra ptica ha sido escogida adecuadamente y lo que necesitamos calcular es qu distorsin de la seal ser introducida al sistema. Si llamamos t a la anchura del pulso debida a la dispersin del sistema se cumple que: (B.3.114) El coeficiente 1/4 es aceptado generalmente a nivel industrial. Si se tiene en cuenta nicamente la dispersin modal, el "bit rate" causado por esta dispersin en fibras multimodo de ndice escaln ser: (B.3.115) Si se tiene en cuenta nicamente la dispersin cromtica: (B.3.116)
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y el "bit rate" total: (B.3.117)
Los fabricantes especifican el ancho de banda de la fibra ptica como producto ancho de banda-longitud. Estos hacen la medida del ancho de banda en una pieza especfica de fibra y multiplican el resultado por la longitud de la fibra. Si el ancho de banda medido en una fibra ptica de 2km de longitud es 300MHz, entonces el fabricante especifica que el producto ancho de banda-longitud es 600MHzkm. Fibra ptica con ndice de refraccin que vara gradualmente y fibra monomodo Una primera solucin para solucionar el problema de la dispersin modal es la utilizacin de una fibra ptica cuyo ndice de refraccin vara de forma gradual. Recordemos primeramente cual es la razn fsica del problema. En la siguiente figura, dentro del ncleo, el modo numerado como cero viaja a lo largo del eje central y los modos con nmeros superiores viajan con un ngulo menor o igual al ngulo de propagacin crtica. Recordemos, por otra parte, que la velocidad de la luz, v, dentro de un material se define en funcin de su ndice de refraccin n: v = c/n, donde c es la velocidad de la luz en el vaco. Por tanto, una posible solucin ser disear el ncleo con diferentes ndices de refraccin de manera que el haz que tenga que recorrer una distancia ms larga lo haga a una velocidad mayor y el haz que tenga que recorrer una distancia ms corta se propague a la velocidad ms pequea. Tales fibras son llamadas fibras multimodo con ndice de refraccin variado gradualmente.
Fig. B.3.29: Fibra multimodo con ndice de refraccin que vara de forma gradual (a) Perfil del ndice de refraccin. (b) Propagacin de los modos. (c) Principio de funcionamiento de una fibra multimodo con ndice de refraccin que vara de forma gradual.
En (a) observamos como el ndice de refraccin vara de forma gradual desde n1 en el centro del ncleo hasta n2 en el lmite con el recubrimiento. En realidad, el ncleo puede ser visto como un conjunto de finas capas cuyo ndice de refraccin cambia ligeramente de una a B.3-36
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otra de manera que la capa en el eje central tiene un ndice de refraccin n1 y la capa que limita con el recubrimiento un ndice de refraccin n2 (b). As es como en la realidad se construye dicho tipo de fibra. El rayo en su camino de capa a capa sufre una secuencia de refracciones, hasta que el ngulo de incidencia iguala el valor del ngulo crtico y el rayo sufre una reflexin interna total. El rayo que viaja ms cercano al recubrimiento (mayor distancia) se propaga a una velocidad mayor debido a que encuentra un ndice de refraccin menor. Por tanto, las fracciones de un mismo pulso debidas a los diferentes modos llegarn al receptor ms o menos simultneamente. En consecuencia, la dispersin modal se reducir y se incrementar el "bit rate". El ensanchamiento del pulso en este tipo de fibra tGI viene dado por la siguiente expresin: (B.3.118) La dispersin por tanto se reduce en un factor (B.3.119) Donde ts es la dispersin modal para una fibra ptica de ndice escaln. El ancho de banda de una fibra ptica con cambio de ndice escaln brusco es de slo 5MHz debido a la dispersin. Para una fibra de ndice gradual, el ancho de banda es de 0,77GHz, mejorando pues mucho el ancho de banda. Una solucin todava mejor para resolver el problema de la dispersin modal es la utilizacin de una fibra monomodo. El nmero de modos que se pueden propagar en la fibra depende del dimetro de la fibra y de la diferencia entre los ndices de refraccin nr1 y nr2. Disminuyendo sus valores es posible obtener una fibra en que se propague un nico modo.
Fig. B.3.30: Fibra monomodo de ndice escaln (a) Perfil del ndice de refraccin. (el ndice de refraccin relativo = (nr1-nr2)/n donde n = (nr1+nr2)/2) (b) Propagacin del modo.
Con una fibra monomodo se puede obtener una transmisin de bits de hasta 200Gbits/s km. B.3-37
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Para reducir la dispersin cromtica se debern utilizar lseres (fuentes monocromticas) en vez de LEDs.
B.3.8.3.
Atenuacin en fibras pticas
La atenuacin en fibras pticas o prdidas son muy importantes. A ellas se debe que para transmitir una seal haya que colocar amplificadores repetidores a lo largo del recorrido de la fibra. Adems conociendo los mecanismos que producen estas prdidas se pueden mejorar las fibras para reducir la atenuacin. La atenuacin se debe bsicamente a tres mecanismos: 1. Absorcin debido a la interaccin de los electrones de los tomos con la radiacin. Los picos de absorcin se producen en la regin del ultravioleta decayendo rpidamente hacia el infrarrojo. La expresin emprica que la describe en fibras de silicio es (B.3.120) donde AA = Atenuacin debida a la absorcin UV a una longitud de onda (dB/km); A0: constante 1,108dB/km; 0: constante 4,58m, : longitud de onda (m). 2. Absorcin debido a la interaccin con la vibracin molecular. Esta prdida tiene el pico en el infrarrojo (10m para silicio). La expresin que la describe es (B.3.121) donde AI = Atenuacin debida a la interaccin a una longitud de onda (dB/km); B0: constante 41011 dB/km; I: constante 48m, : longitud de onda (m). Esta componente tiene un pico en el infrarrojo disminuyendo rpidamente hacia el ultravioleta. 3. Scattering de Rayleigh. Este efecto es debido a las fluctuaciones de origen termodinmico en la composicin de la fibra. El tamao de dichas fluctuaciones es menor que la longitud de onda de la luz. En este proceso no se absorbe la energa de luz o se transforma en calor si no que este fenmeno permite a la energa de la luz escapar de la fibra. La expresin emprica que la describe en guas multimodo es (B.3.122) donde AR = Atenuacin debida al scattering de Rayleigh a una longitud de onda (dB/km); C0: constante 0,7dBm4/km; : longitud de onda. Para guas monomodo la atenuacin debido a este fenmeno es menor. B.3-38
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La atenuacin total de la fibra de silicio se obtiene sumando estos tres efectos. Adems de los efectos descritos hasta ahora hay tambin factores externos que producen prdidas, como las propias tcnicas de fabricacin, impurezas en los materiales, etc. La impureza que ms afecta a la fibra es el radical OH del agua que produce un pico de atenuacin en 1,38m. La magnitud del pico depender de la concentracin de las impurezas y vara normalmente entre 0,5dB/km y 2dB/km. Otros factores son las imperfecciones en la gua, tales como defectos en el material y defectos durante el proceso de fabricacin. Dobleces (o microdobleces) en la fibra pueden causar distorsin del ncleo e incrementar las prdidas. Como consecuencia, la curva de atenuacin real es algo diferente de la prevista. La curva real estara dentro de la zona sombreada de la grfica. Esta curva muestra que la atenuacin real presenta dos mnimos que, para el caso de una fibra de silicio estn uno alrededor de 1,3m y otro alrededor de 1,6m.
Fig. B.3.31: Prdidas en guas de silicio.
B.3.8.4.
Clasificacin de fibras pticas
La clasificacin ms til es por ancho de banda, atenuacin y apertura numrica. Estas caractersticas dependen de los materiales de fabricacin. La fibra ms comn es la de silicio aunque en la actualidad tambin estn ganando terreno las de plstico. Las fibras de plstico estn compuestas en su mayora por polimetilmetacrilato (PMMA) y poliestireno. Sus ndices de refraccin son 1,49 y 1,59 respectivamente por lo que se suele utilizar el PMMA como recubrimiento y el poliestireno como ncleo. Las fibras de plstico son muy econmicas y muy fciles de usar. Se producen con dimetros de hasta 1mm y se pueden cortar con una hoja de afeitar. Debido a su flexibilidad se pueden doblar fcilmente y como su ndice de refraccin vara de forma escalonada su apertura numrica vale 0,5. La gran desventaja de las fibras de plstico son sus prdidas. Poseen varias ventanas en las regiones de 500nm y 700nm, regiones del visible donde es fcil de obtener LEDs para utilizar como fuentes de luz. Aunque la atenuacin en dichas ventanas es del orden de 100dB/km a 200dB/km. La dispersin es de unos 200ns/km a 600ns/km que se corresponde a B.3-39
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un nmero de bits de menos de 5MB/skm. Adems el ndice de refraccin del plstico depende mucho de la temperatura, limitando la temperatura mxima de uso a 100C. Para mejorar algo las fibras de plstico tambin se fabrican fibras de silicio con recubrimiento de plstico mejorando algo las desventajas de las fibras de plstico. Aun as las fibras de plstico son excelentes para aplicaciones donde no se requiere un alto nmero de bits y para transmisin de informacin a cortas distancias, por ejemplo la interconexin de ordenadores en un edificio. La solidez o fortaleza especfica del silicio de las fibras es parecida a la del acero, pero como su dimetro es muy pequeo la solidez absoluta de una fibra es muy pequea y se debe proteger de fuerzas externas. La superficie de la fibra se debe proteger de ralladuras y se debe evitar que se tuerzan en exceso para no aumentar as su atenuacin. Se deben pues recubrir con algn protector y construir en cables. La construccin de un cable de fibra ptica, que contiene mltiples fibras es diferente para un cable submarino que debe soportar presiones superiores a 100GN/m2, estar protegido de organismos marinos y durar varias dcadas que para un cable que slo debe interconectar unos ordenadores en un edificio.
Material Todo plstico Tipo Recubrimiento / ncleo Dimetro [m] 200-600 450-1.000 NA 0,5-0,6 Atenuacin [dB/km] 330-1000 Ancho de banda [MB/s km] bajo Aplicacin
Multimodo con Indice escaln Recubrimiento Multimodo de plstico con Indice escaln Silicio Multimodo con ndice escaln Silicio Multimodo con ndice gradual Silicio monomodo con ndice escaln Silicio
Bajo coste, conexiones cortas (100m) 50-100 0,2-0,3 4-15 4-15 Bajo coste, corto recorrido, bajo 125-300 ancho de banda 50-400 0,16-0,50 4-50 6-25 Bajo coste, corto recorrido, bajo 125-300 ancho de banda 30-60 0,2-0,3 2-10 150-2.000 Recorrido medio, ancho de banda 100-150 medio, fuente lser 0,08-0,15 0,5-5 500-40.000 Largo recorrido, 3-10 m gran ancho de 50-125 m banda, sistemas lser monomodo Hasta Sistemas 100.000.000 intercontinentales de gran ancho de banda Fig. B.3.32: Resumen de las caractersticas de las fibras pticas.
La fibra ptica debe estar protegida de: 1. Ralladuras en su superficie. Por ellas puede escapar el flujo. Se suelen recubrir con un material plstico. 2. Tensin longitudinal. Se suele incluir un alma de acero en un cable de fibra. Adems se les da una disposicin helicoidal lo que le permite soportar cierta tensin al cable. 3. Torsiones fuertes. Se evita cubriendo el cable de fibra con algn material que le d dureza e impida que se pueda doblar. B.3-40
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4. Infiltracin de agua. Para ello se aaden geles o siliconas para bloquear el agua. La infiltracin de agua es un problema muy grave en cables submarinos que sufren altas presiones. 5. Roedores. Cables enterrados requieren recubrimientos de acero para evitar que algn animal pueda daar el cable. 6. Temperatura. El material del cable tiene que tener coeficientes de expansin compatibles, para evitar que la temperatura puede transmitir una tensin no adecuada a la fibra ptica. Se podrn distinguir tres tipos bsicos de cable, a. Cables con mnima proteccin para interiores. b. Cables para telecomunicaciones que irn colgados o enterrados. Requieren proteccin adicional as como una mayor fuerza. c. Cables de aplicaciones especiales, como los utilizados en aplicaciones militares o para cables submarinos.
Fig. B.3.33: Ejemplos de cables de fibra ptica.
B.3.9.
Dispositivos acopladores de luz: acopladores de gua a gua
Hemos visto hasta ahora que la propagacin de la luz por fibras pticas se puede realizar por varios modos. En la realidad cuando se propaga un modo por una fibra ptica se va transformando en otro modo diferente. El acoplamiento de la luz de un modo a otro es un B.3-41
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tema importante a conocer en optoelectrnica. La teora que trata este tema es la teora de modos acoplados, basada en la teora de la perturbacin que nos dice que la transferencia de un modo a otro se debe a perturbaciones encontradas en el camino ptico. Adems es imprescindible conocer el proceso de transferencia de energa electromagntica de una gua a otra. Los dispositivos encargados de este proceso son acopladores.
B.3.9.1.
Teora de los modos acoplados y acoplador direccional
Un acoplador direccional es un dispositivo que nos permite acoplar una seal ptica de una gua de onda a otra aprovechando el hecho de que la onda penetra en la zona de recubrimiento del ncleo de la gua. El acoplador clsico tiene dos entradas y dos salidas y acopla la luz que entra por una entrada a la otra gua. Esto sera su funcionamiento pasivo y en su modo de funcionamiento activo se aplica un campo elctrico a la estructura lo que permite segn el campo elctrico acoplar la onda luminosa a una u otra salida. Esta ltima posibilidad es de extrema importancia en un sistema de comunicaciones pticas y puede ser utilizada para dirigir seales. Supongamos que tenemos un sistema en el que dos guas planas monomodo sobre un mismo substrato. Las dos guas son paralelas la una a la otra y estn separadas una distancia g durante un espacio de longitud L. Fuera de esta longitud de interaccin L, las guas se separan. La razn de este acercamiento de las dos guas est en proporcionar un pequeo acoplamiento entre los modos pticos de las dos guas. De esta forma, cuando las ondas progresan a travs de la estructura (a lo largo de la direccin z), la energa ptica se transfiere de una a otra.
Fig. B.3.34: (a) Esquema de un acoplador direccional. Las dos guas estn separados por un gap g a lo largo de un tramo L. (b) Transferencia de potencia ptica de una gua a otra si suponemos que la potencia ptica penetra inicialmente en la gua 1.
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Para comprender el funcionamiento del acoplador direccional, vamos a utilizar un modelo sencillo de modos acoplados para describir cmo la luz se transfiere de una gua a la otra. Para simplificar vamos a suponer que nicamente dos modos, uno por cada gua de onda, intervienen en la propagacin del pulso. A los modos los llamaremos 1 y 2. Vamos a suponer que las constantes de propagacin (proyecciones de cada vector de onda en la direccin de propagacin) son iguales en ambas guas, 1= 2 = .
(B.3.123)) Sea A1 y A2 la amplitud de cada uno de los modos incluyendo la dependencia de fase con la direccin de propagacin z. Si no existe interaccin entre ambas guas, es decir su separacin es muy grande, las expresiones que nos proporcionan las amplitudes de ambos modos son
(B.3.124)
con: A1(z) = A2(z) = (B.3.125) (B.3.126)
En una acoplador direccional, el gap g entre ambas guas es lo suficientemente pequeo como para que las ondas evanescentes de ambos modos 1 y 2 se solapen. Este solape es la perturbacin que acopla a ambos modos. Se puede demostrar que este acoplo viene determinado por una constante de acoplamiento K para los dos modos en las dos guas cumplindose que:
(B.3.127)
donde la constante de propagacin al ser la componente z del vector de onda podr escribirse de forma general de la siguiente forma: (B.3.128) donde es el coeficiente de prdidas en la gua y r es la parte real de dicha constante de propagacin. Supongamos que inicialmente slo acoplamos luz en la gua 1 en z = 0, de forma que A1(0) = 1 y A2(0) = 0. El sistema de dos ecuaciones diferenciales y dos incgnitas presenta las siguientes soluciones para los dos modos acoplados: B.3-43
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A1(z) = A2(z) = La potencia ptica en las guas en un punto z es P1(z) = A1A1* = cos2(K z)e z P2(z) = A2A2* = sin2(K z) e z O de otra forma: P1(z) = P2(z) =
(B.3.129) (B.3.130)
(B.3.131) (B.3.132)
(B.3.133) (B.3.134)
A partir de estas dos expresiones se observa que, a lo largo de la regin de acoplo, la potencia de la primera fibra puede ser transferida completamente a la segunda y viceversa. En otras palabras, hay un intercambio peridico de la potencia entre las dos fibras. La distancia mnima a la que se produce una transferencia de potencia completa de la gua 1 a la 2 es: (B.3.135) a esa distancia P1(L1) = 0. Si los vectores de onda no son iguales, es decir si las guas no estn en fase (1 2), entonces no se acoplar toda la energa de una gua a otra. Si llamamos, 2 = | 1 2| 0 Se puede demostrar que si A1(0) = 1 y A2(0) = 0, entonces (B.3.137) de donde se observa que si 2 >>K2 no existe acoplamiento de luz. (B.3.136)
B.3.9.2.
Acopladores de gua plana a gua plana
El acoplamiento de guas planas es otro aspecto importante. Si ambas guas se pueden hacer sobre el mismo substrato existirn dos posibilidades de acoplamiento. En la primera los ncleos tienen ndices nr1 y nr3 y estos deben ser mayores que cualquier otro ndice de la estructura. El acoplamiento se produce debido a los campos evanescentes de los modos. Al igual que en el caso del acoplador direccional existir una transferencia de energa si Kz = /2 donde K es la constante de acoplamiento y z es la distancia de solape. Aunque para una B.3-44
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transferencia completa los factores de propagacin deben ser los mismos. Como esto no es siempre posible se tendr que utilizar otra solucin para esos casos. Para acoplar en este ltimo caso las guas, se utilizar un medio intermedio de ndice nr2>nrs. Cuando la radiacin llega al final de la gua 1 no va hacia el substrato sino que es confinada en la capa intermedia y de ah es acoplada en la gua 2. Si la capa intermedia es diseada adecuadamente se pueden conseguir acoplamientos de hasta un 100%. Si las dos guas planas no comparten el mismo substrato entonces se colocan una gua encima de la otra colocando entre ambas un medio para el acoplamiento. El medio intermedio ser un medio de ndice de refraccin menor o sea un "grating". El "grating" (enrejado) nos permite un acoplamiento de alto rendimiento, siempre que la longitud sea la justa y adems vara el ndice de refraccin longitudinalmente por lo que algunas longitudes de onda se reflejan y otras se transmiten.
Fig. B.3.35: Formas de acoplar dos guas planas. (a) Las dos guas comparten el mismo substrato. (b) El uso de capas adicionales permite acoplar el modo de una gua a otra. (c) Un enrejado acopla dos guas diferentes.
B.3.9.3.
Acopladores de guas planas a lineales
Para acoplar un modo de una gua plana a una gua lineal (rectangular) se debe buscar un mecanismo para reducir la dimensin transversal del modo planar para coincidir con el modo lineal. Una posibilidad es "introducir" la onda mediante una especie de embudo o bocina ("horn") que acopla la energa de una gua a otra. Tcnicas ms modernas permiten hacer el acoplamiento a travs de un prisma, que es la terminacin de la gua plana.
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Fig. B.3.36: (a) Acoplamiento de una gua plana y una gua lineal mediante una bocina. (b) Uso de un prisma y gap de aire para acoplar ambas guas.
B.3.9.4.
Acopladores de guas de onda a fibras pticas
Este tipo de acoplamientos es de extrema importancia ya que en la actualidad las fibras pticas son muy utilizadas. La gua de onda puede ser una fuente de luz como un lser semiconductor o puede ser un elemento pasivo que transporte la energa ptica. No slo habr que realizar un acoplamiento con el mayor rendimiento posible si no que adems dicho rendimiento no debe cambiar con el tiempo. Dos tcnicas muy extendidas son el acoplamiento "butt" y el acoplamiento por lente. En el acoplamiento "butt" se alinea cuidadosamente la fibra con la gua y se pone en contacto fsico con ella. La fibra luego se mantiene en esa posicin mediante algn tipo de epoxy (resina semiconductora) o fijacin mecnica. Si se acopla utilizando lentes se introduce una lente entre la fibra y la gua para un mayor rendimiento. Tambin se pueden acoplar fibras y guas a partir de los campos evanescentes.
B.3.9.5.
Empalme, conectores y acopladores de fibras pticas
La unin de fibras pticas requiere muchos componentes, siendo los ms comunes, los empalmes, los conectores y los acopladores. Estos componentes sirven para conectar las fibras pticas con sus dispositivos terminales. En comunicaciones de baja frecuencia, su efecto en la calidad de la conexin es despreciable, pero en comunicaciones pticas, las prdidas que introducen se tienen que tener en cuenta. Un buen conector o empalme debe transmitir todo el flujo que le llega de una fibra a la siguiente y para ello la seccin de los ncleos de las fibras tiene que ser igual y la alineacin casi perfecta. Teniendo en cuenta los dimetros de las fibras pticas (desde unas pocas micras a varios cientos de micras) no es fcil conseguir estos objetivos.
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Fig. B.3.37: Acoplamiento ideal (a) y real (b).
Podemos definir un rendimiento de acoplamiento, (B.3.138) donde P2: potencia ptica (flujo radiante) despus de la unin, P1: potencia ptica antes de la unin. Las prdidas de potencia tambin se suelen describir en decibelios, Ls = 10 logc donde Ls son las prdidas de acoplamiento en dB. Los tres factores principales que influyen en las prdidas son la conexin, el alineamiento y si el modo de propagacin es uno o varios. El modo que llega a una unin no es necesariamente el que se transmite por la siguiente fibra, si no que aparecen otros modos debido a irregularidades en la gua que pueden desaparecer despus de un recorrido de fibra. Las prdidas dependern pues de a qu distancia de la unin se haga la medida. Las conexiones las podemos clasificar en dos grupos: 1. Conectores. Los extremos de las fibras se alinean mecnicamente con un tercer medio, normalmente aire, entre ellas. 2. Empalmes. Los extremos de las fibras se sueldan de forma que no existe ningn tercer medio entre sus extremos. Tambin se pueden usar pegamentos con caractersticas pticas parecidas a las de las fibras. Dado que hay muchos factores que afectan a las prdidas no existe una sola ecuacin que las describe. Daremos pues las ecuaciones ms importantes. Las prdidas en los conectores de fibras monomodo o multimodo se deben a: Prdidas de Fresnel: son causadas por una reflexin existente en la interfase aire/fibra debido a la diferencia en los ndices de refraccin del aire y de la fibra. (B.3.140) (B.3.139)
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donde F: rendimiento de acoplamiento teniendo en cuenta las prdidas de Fresnel, n1: ndice de refraccin de la fibra, n0: ndice de refraccin del aire (=1). y LF = 10logF (B.3.141)
Estas prdidas no se pueden evitar y aparecen en todos los conectores que tienen aire entre los extremos de las fibras. Para calcular las prdidas debidas a las otras causas, tambin existen expresiones empricas, pero dependen de parmetros muy difciles de obtener. Por ello es ms usual utilizar grficas. A partir de dichas grficas puede estimarse la magnitud de las prdidas.
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Fig. B.3.38: Prdidas de conexin en fibras de ndice escaln e ndice gradual. El caso A es para una fibra muy corta, el B para una fibra larga y el C para una fibra muy larga donde el empalme est en su mitad.
Como ya hemos dicho las prdidas no slo dependen de la prdida de flujo, si no tambin de la distribucin de potencia entre modos. Cuando aparece una irregularidad en la fibra el modo que se est propagando se desdobla en mltiples modos la mayora de los cuales se atenan mucho ms rpidamente que el modo original, por lo que a una cierta distancia de la irregularidad tendremos el modo estable o tal vez todava la mezcla de varios modos. Una conexin en la fibra introduce una irregularidad y las prdidas debidas a la conexin se miden bajo las siguientes condiciones: a. medida en un cable corto acoplado a una fuente de perfil ancho de intensidad (como por ejemplo un LED) b. medida al final de una fibra de gran longitud (1km) despus de la conexin. Por ltimo mencionar las prdidas introducidas por el incorrecto alineamiento de las fibras. En una fibra multimodo el dimetro es de 50m a 120m y el desplazamiento lateral de sus centros en unas dcimas de micra ya produce unas prdidas considerables. Para una fibra monomodo el problema es an mayor. Adems de ofrecer un buen alineamiento, un conector debe ser fcil de usar, ser resistente y de un coste reducido, lo que es difcil de cumplir. Los conectores pueden ser divididos en tres grupos: 1. Los extremos de las fibras se insertan en un preciso surco en forma de V lo que las alinea de forma automtica. Aunque para ello se requiere un recubrimiento muy uniforme para no deformar el ncleo al insertar las fibras en el surco.
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2. Una especie de "enchufe" junto con un sistema de guiado que ajusta los extremos de las fibras. Aunque este mtodo es ms preciso, tambin es ms caro ya que requiere elementos mecnicos de precisin. 3. Se utilizan dos lentes para expandir y luego volver a encoger (colimar) el haz de luz y as hacer ms fcil su alineacin. Esta tcnica tambin requiere una alineacin angular de precisin. Adems se introducen prdidas aadidas debido a reflexiones y absorciones en las lentes.
Fig. B.3.39: Tipos de conectores bsicos.
Los empalmes son conexiones permanentes en las fibras pticas. En un empalme, los extremos de las fibras estn permanentemente conectados por fusin, soldadura o pegados. Por tanto, las prdidas de Fresnel son eliminadas. Las prdidas ms importantes en un empalme son las debidas al desplazamiento lateral del extremo de la fibra. La alineacin de los extremos de las fibras en un empalme es lo ms importante, cuando estos estn limpios y tienen cortes paralelos. Una tcnica de empalme muy utilizada es el empalme capilar donde los extremos de las fibras son insertados en un fino tubo de cermica o vidrio cuyo dimetro es ligeramente mayor que el dimetro de las fibras. Un pegamento transparente se aplica a travs de un pequeo orificio existente en el tubo.
Fig. B.3.40: Prdidas en un empalme debidas al desplazamiento lateral de la fibra.
Otra tcnica de empalme utiliza un bloque con un surco en forma de V. Una vez encaradas las fibras se aade una gota de pegamento y se realiza el empalme.
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Fig. B.3.41: Tcnicas bsicas de empalmes por pegado.
Con el empalme por fusin o soldadura se puede obtener una unin casi perfecta. Sin embargo, el proceso es ms complejo y requiere de un equipo altamente sofisticado. Un dispositivo de empalme por fusin consta de dos bloques de alineamiento con sendos surcos en forma de V donde se insertan los extremos de las guas. Uno de los bloques puede ser manipulado para alcanzar un alineamiento casi perfecto (este proceso es observado al microscopio). Mediante el uso de dos electrodos se realiza una descarga elctrica para fusionar las fibras. Lseres o microllamas pueden ser tambin utilizadas. Antes de la fusin, los extremos de las fibras se sueldan con el mismo arco o fuente de calor.
Fig. B.3.42: Dispositivo para empalmes por fusin de fibras.
Los acopladores direccionales, cuyo comportamiento terico ya hemos visto, son dispositivos que acoplan la seal de una fibra a otra. Se utilizan en la implementacin de redes para distribuir la misma seal (energa ptica) a mltiples usuarios o para la construccin de un enlace ptico bidireccional. En la siguiente figura se muestran algunas configuraciones de acoplador direccional.
Fig. B.3.43: Acopladores pticos bsicos.
En (a) se muestra un acoplador en Y o divisor de la seal ptica. En un acoplador en Y la potencia de entrada por el puerto de entrada 1 se divide entre los puertos de salida 2 y 3. Cuando la divisin de potencia entre las dos salidas no es la misma, el dispositivo es llamado acoplador en T. El puerto de salida de menor potencia puede ser utilizado para monitorizar la potencia en la lnea principal. En (b) se muestra un combinador ptico en el que las seales de entrada de los puertos 1 y 2 se combinan en un nico puerto de salida 3. En (c) se muestra un B.3-51
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acoplador en X o acoplador 22 en que se conjugan tanto la divisin como la combinacin. Aqu, las seales de los puertos de entrada 1 y 2 se dividen entre los dos puertos de salida 3 y 4. Partiendo de los esquemas mostrados son posibles muchas otras configuraciones. Por ejemplo, el acoplador en estrella N M en que las seales procedentes de los N puertos de entrada se dividen entre los M puertos de salida. Tambin es posible implementar multiplexores y demultiplexores pticos. Un acoplador ptico ideal es unidireccional; es decir, no hay potencia transferida entre los distintos puertos de entrada siendo toda la potencia de entrada transferida desde los puertos de entrada a los puertos de salida. En acopladores reales, puede ocurrir que parte de la seal se transfiera entre distintos puertos de entrada y que parte de la potencia se pierda en la transferencia desde la entrada a la salida. Es decir, que aunque en los acopladores ideales no hay prdidas, estas s que aparecen en la realidad y son debidas a energa que se acopla entre las diferentes entradas (cuando hay ms de una) y las propias prdidas producidas al transferirse energa de la entrada a la salida. Estas caractersticas se especifican mediante el uso de una serie de trminos que vamos a ver a continuacin. La direccionalidad o aislamiento mide el aislamiento entre dos puertos de entrada i y j y se define como (B.3.142) donde Dij es la direccionalidad o aislamiento de los puertos de entrada i y j (dB), Pi es la potencia aplicada al puerto de entrada i (W) y Pj es la potencia medida en el puerto de entrada j (W). Esta medida se realiza terminando todos los dems puertos pero sin aplicar potencia. Las prdidas en el acoplador se expresan como rendimiento de transmisin que se define como, (B.3.143) donde Po es la potencia total medida en todos los puertos de salida (W) y Pi la potencia total aplicada a todos los puertos de entrada (W). El rendimiento de transmisin tambin lo podemos expresar en funcin de las prdidas de acoplamiento en dB LC = 10logT (B.3.144)
Existen mltiples formas de realizar un acoplador. Las ms sencillas se muestran en la siguiente figura.
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Fig. B.3.44: Construccin simple de acopladores.
La manera ms sencilla de realizar un acoplador es la fusin de dos fibras de manera que el flujo que circula a travs de una de ellas pueda escapar a la otra, formando un acoplador en Y (a). Varias fibras pueden ser retorcidas y unidas conjuntamente formando un acoplador en estrella 4 4, (b). Otro mtodo consiste en llevar los extremos de las fibras a una seccin mezcladora transparente donde el flujo de los puertos de entrada es dirigido a los puertos de salida (c). Se pueden tambin formar acopladores a partir de vidrio y substrato semiconductor. Existen dispositivos acopladores mucho ms sofisticados llamados multiplexores por divisin de longitud de onda (WDM) que pueden insertar (o extraer) seales de una determinada banda de frecuencias en un nodo de la red. En la siguiente figura se ilustra el principio de funcionamiento de un acoplador WDM.
Fig. B.3.45: Acoplador WDM.
Este acoplador se disea para trabajar con dos o ms longitudes de onda simultneamente y para su manejo es necesario consultar las especificaciones que nos proporciona el fabricante en lo que respecta a la direccionalidad o aislamiento. En el ejemplo de la figura, luz con longitud de onda 1 es dirigida desde el puerto 1 al 2, pero, desafortunadamente, penetra en el puerto 4. De manera similar, la propagacin de la luz con longitud de onda 2 desde el puerto 1 al 4 es deseada pero no su aparicin en el puerto 2. Las direccionalidades
(B.3.145) nos indican qu parte de la seal de longitud de onda 1 alcanza la salida de la seal de longitud de onda 2 y viceversa. Como, en este caso esto es un efecto no deseado, la direccionalidad o aislamiento en dB deber tener un valor apreciable (del orden de 30 o 40dB).
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B.3.10. Acoplamiento rayo-gua de onda

La conversin de un rayo de luz en el vaco (aire) a un modo de una gua es una compleja tarea que requiere dispositivos especiales o acopladores. Los rayos de luz se generan por fuentes de luz como lseres y LEDs. En general no sern ondas planas con la amplitud uniforme perpendicular a la direccin de propagacin, si no con un perfil de amplitud no uniforme en el espacio. Se puede asociar cierta anchura o dispersin transversal al rayo. Si el perfil de dicha amplitud transversal es similar a un modo particular de la gua de onda a la cual debemos acoplar el rayo, es relativamente fcil acoplar el rayo utilizando acopladores transversales. Generalmente estos acopladores no son muy eficientes y es ms recomendable utilizar prismas, "gratings" (enrejados) o cortes para una mayor eficiencia en el acoplamiento.
B.3.10.1. Acopladores transversales En estos acopladores se aprovecha la naturaleza de los campos del propio rayo (producido por ejemplo por un lser) de forma que mediante una lente se acopla directamente el modo del rayo al modo de la gua. La lente permite enfocar el rayo directamente a la gua. Aunque los acopladores transversales son muy eficientes en teora, en la vida real esto no es as debido a prdidas de acoplamiento no exacto del rayo y el perfil del modo de la gua, alineamiento incorrecto, etc.
Fig. B.3.46: (a) Acoplamiento transversal de un rayo a una gua de onda. Hay que hacer coincidir el modo del rayo con el modo de la gua. (b) Acoplamiento transversal para el caso en el que el lmite de la gua es cortado a un ngulo dado para el acoplamiento de la luz.
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B.3.10.2.
El acoplador prisma
Otra forma muy comn de acoplamiento de un rayo a una gua es mediante la utilizacin de un prisma como acoplador. En este sistema se aprovechan las ondas evanescentes producidas en la reflexin interna total en un prisma y se acoplan dichas ondas a los campos de "cola" de un modo guiado de una gua plana. Cuando se acoplan una onda evanescente y la onda del modo guiado, la energa se va transfiriendo de forma peridica en la distancia de interaccin entra la una y la otra como ya hemos visto antes en un acoplador direccional. Si la distancia de interaccin se selecciona cuidadosamente, podemos transferir toda la energa del rayo al modo guiado.
Fig. B.3.47: La parte superior izquierda de esta figura muestra los campos evanescentes en un prisma donde la luz sufre un proceso de reflexin interna total. En la parte inferior izquierda de la figura se muestra el modo guiado en una gua plana donde la superficie de cubierta es aire. Si se reduce la distancia entre el prisma y la gua plana se acoplarn los modos. Si la longitud de interaccin, L, se escoge apropiadamente se puede transferir la energa del prisma a la gua.
En la figura anterior se observa un rayo incidente que incide sobre el prisma con un ngulo de incidencia igual a (B.3.146) donde nra y nrp son los ndices de refraccin del medio menos denso y el ndice de refraccin del prisma. Un campo de "cola" penetra en el medio menos denso, como se muestra en la figura, debido a los campos evanescentes producidos por el proceso de reflexin interna total. Al otro extremo del medio menos denso est la gua plana que tiene como recubrimiento dicho medio menos denso de ndice de refraccin nra. En la figura podemos observar el perfil del campo debido a un modo que se propaga en la gua de onda. Si se reduce el gap de la regin intermedia "a" se produce un pequeo acoplamiento entre los campos evanescentes del prisma y del modo en la gua plana. Como ya se coment para el caso de un acoplador direccional, una transferencia de energa puede tener lugar si la distancia de interaccin L es escogida tal que
B.3-55
CEF
(B.3.147) donde K es el coeficiente de acoplamiento. Si adems ambos modos estn en fase la transferencia de energa ser completa. La condicin que se ha de cumplir para que estn en fase es, kp sin = (B.3.148)
siendo kp el vector de onda en el medio menos denso (gap) y la constante de propagacin en la gua. A partir de la figura puede observarse como la distancia de interaccin est relacionada con la anchura del rayo y para un rayo de anchura 2W, L valdr L = 2W sec (B.3.149)
De manera que en un diseo apropiado (para el gap) se habr de asegurar que el coeficiente de acoplo sea tal que optimice la transferencia de energa. El acoplador prisma es bastante eficiente y se consiguen eficiencias de hasta el 80%, valores muy adecuados para un acoplamiento rayo-gua en la gran mayora de aplicaciones.
B.3.10.3.
El acoplador de enrejado
El acoplador de enrejado es otro acoplador importante y eficiente de un rayo a un modo guiado. El acoplador de enrejado consiste en exponer material fotosensible (fotoresistencia) a un patrn de interferencia con la periodicidad deseada.
Fig. B.3.48: Esquema de un acoplador de enrejado. En un acoplador correctamente diseado hay pocas prdidas de energa radiante por el rayo reflejado y transmitido. Sin embargo, comparado con el acoplador prisma, existen unas prdidas de transmisin que reducen la eficiencia del acoplador de enrejado.
B.3-56
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El funcionamiento del acoplador de enrejado se basa en el principio de modos acoplados que ya hemos visto en el acoplador prisma. Pero hay que tener en cuenta que debido a la periodicidad natural del enrejado, las constantes de propagacin en el enrejado son de la forma, (B.3.150) donde d es la distancia peridica del enrejado. Se observa como por tanto el enrejado tiene una constante de propagacin enr diferente para cada longitud de onda. Si la influencia del enrejado sobre la gua es pequea, 0 ser parecida a la constante de propagacin en la gua (sin enrejado), es decir, 0 . Para conseguir que las fases sean iguales entre las regiones enrejado-gua y el aire, se debe cumplir que, ka sin = enr (B.3.151)
donde ka es el vector de onda en el aire y es el ngulo de incidencia. Si las fases coinciden se puede llegar a acoplar hasta un 70% de la energa del rayo al modo guiado. La gran ventaja del acoplador de enrejado frente al acoplador prisma es su estructura planar lo que lo hace muy atractivo para sistemas optoelectrnicos integrados. Sin embargo, la eficiencia del acoplamiento no es tan buena debido a la presencia del haz transmitido ya que no hay reflexin interna total. Adems de los acopladores vistos hasta ahora, existen acopladores de corte y hologrficos. En los acopladores de corte, los lmites de la pelcula de la gua se van cortando reduciendo as su grosor por ejemplo digamos desde d hasta 0. Como consecuencia de esto, cuando un modo guiado se propaga hacia el lmite de la gua se convierte en un modo radiado. El rayo emergente, suele ser divergente lo que limita el uso de esta tcnica. En el acoplador hologrfico se combina un holograma con un enrejado lo que permite acoplar un rayo lser con alta eficiencia a una gua.
B.3.10.4.
Fuentes luminosas para fibras pticas y detectores
Para fibras pticas las fuentes de luz deben cumplir algunos requisitos. Deben transmitir en las ventanas de longitud de onda de mnimas prdidas que estn en 850nm, 1300nm o 1650nm. El perfil de intensidad debe ser el adecuado para un mximo acoplamiento de energa a la fibra. Y para transmisin de datos a alta velocidad los tiempos de subida y bajada deben ser muy cortos. Adems se deben tener en cuenta los costes, la fiabilidad y el envejecimiento de las fuentes de luz. Los LEDs y los diodos lser son los dispositivos que cumplen estos requisitos. El LED es ms barato y se puede utilizar hasta frecuencias de varios cientos de megahercios. Los diodos lser son ms caros y se utilizan para mayores frecuencias de transmisin. Adems son menos fiables que los LEDs.
B.3-57
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Parmetro Potencia de salida Potencia acoplada a la fibra Ancho de banda en 800nm Ancho de banda en 1300nm Tiempo de subida Respuesta en frecuencia Coste
LED 1 a 10 0,0005 a 0,5 35 a 50 70 a 100 2 a 50 <500 bajo
Diodo lser 1 a 100 0,5 a 5 2a3 3a5 <1 >500 alto
unidad mW mW nm nm ns MHz
Fig. B.3.49: Comparacin entre el LED y el diodo lser.
Nosotros vamos a hacer un mayor nfasis en el LED ya que es el componente principal para comunicaciones a corta distancia. En la siguiente tabla enumeramos los principales LEDs utilizados como fuentes de luz para fibras pticas. Material GaP GaP/GaAsP AlGaAs GaAs InGaAs InaASP Longitud de onda [nm] 570 580-650 650-900 900 1000-1300 900-1700 Gap energtico entre bandas [eV] 2,18 2,14-1,91 1,91-1,38 1,38 1,24-0,95 1,38-0,73
Fig. B.3.50: LEDs utilizados como fuentes para fibras pticas.
Las estructuras de LED bsicas para fibras pticas son el LED emisor por superficie (SLED) y el LED emisor por borde (ELED).
Fig. B.3.51: SLED y ELED.
En el SLED el flujo se irradia perpendicularmente a las capas p-n y a travs de esas capas. Existen dos tipos, los de tipo pozo y los de superficie plana.
B.3-58
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(c) Surface-emitting LED (Lambertian Source)
Fig. B.3.52: Construccin tpica de un SLED.
El patrn de radiacin de un SLED est prximo al patrn Lambertiano. Por tanto, los SLEDs son difciles de acoplar a una fibra con una estrecha apertura y, por esta razn, se utilizan ms con fibras multimodo que tienen mayor apertura numrica. La fibra en ocasiones es soldada al SLED de tipo pozo para un mejor acoplamiento. Esta estructura se llama de "cola de cerdo" y necesita un conector adicional para conectar la fibra y la fuente. La desventaja es que dicho SLED slo se podr acoplar a la fibra que tiene soldada. El ELED (led emisor por borde) emite radiacin en un plano paralelo a las capas p-n, de forma parecida al diodo lser. El resultado es que el patrn de radiacin es elptico y, por tanto no es simtrico. Como los ngulos de radiacin en ambas direcciones son menores que los de un SLED, los ELEDs son los preferidos para fibras monomodo.
Fig. B.3.53: Estructura y patrn de radiacin de un ELED.
B.3-59
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Un tipo especial de ELED son los diodos superluminiscentes (SLD) que son una mezcla de LED y diodo lser. En un SLD se produce una amplificacin de luz por emisin estimulada, aunque este diodo no tiene un mecanismo de realimentacin como los diodos lser. El resultado son intensidades mayores y anchos de banda ms estrechos. En comunicaciones pticas es imprescindible conocer la potencia ptica (el trmino flujo, aunque representa la misma cantidad, no es casi utilizado). La potencia ptica generada por un LED se puede calcular de la siguiente ecuacin: PLED = qiDVG (B.3.152)
donde q: eficiencia cuntica de la unin (fotones por electrn), iD: corriente por el LED (A), VG: gap de energa de la unin p-n (eV) Como la eficiencia cuntica depende del diseo de la unin y no suele ser conocida, no se puede utilizar esta expresin para calcular la potencia de salida del LED, aunque s nos indica que la potencia depende de la corriente. Slo una pequea parte de la potencia de salida se puede acoplar a la gua. La cantidad acoplada depende del tipo de fibra y el perfil de radiacin del LED. En el caso de un SLED y una fibra con cambio de ndice de refraccin escaln, la potencia acoplada a la fibra se puede calcular a partir de PF = PLEDT NA2 (B.3.153)
donde PF: potencia acoplada a la fibra, T: coeficiente de transmisin del medio entre el LED y la fibra, NA: apertura numrica de la fibra. El coeficiente de transmisin considera las prdidas en el medio y las prdidas de Fresnel en la superficie de la fibra. Es relativamente comn acoplar slo un 5% de la potencia de salida del SLED a la fibra. Para mejorar el acoplamiento entre la fuente y la fibra se puede utilizar una lente, que separada o unida al LED, sirve para estrechar el rayo de salida del LED. Adems es imprescindible el conocer las condiciones trmicas y de disipacin trmica para conseguir una vida til larga y una buena fiabilidad.
Fig. B.3.54: Tcnicas para mejorar el acoplamiento de un SLED a una fibra.
B.3-60
CEF
B.3.10.4.1.
Circuitos de excitacin de LEDs
El ancho de banda de la comunicacin es una de las caractersticas ms importantes en una conexin con fibra ptica. Los tiempos de subida y bajada de la fuente son factores determinantes en dicho ancho de banda. El valor de estos tiempos depende del tiempo de vida de los portadores () en la unin y del tipo de LED utilizado. Se puede mejorar la respuesta de un LED con circuitos especiales de excitacin (circuitos generadores de pico). Mediante dichos circuitos se distorsiona la forma de onda que ataca al LED para as obtener una transferencia ms rpida durante los periodos de paso a ON y a OFF.
Fig. B.3.55: Forma de onda con pico para mejorar la respuesta de un LED.
Los circuitos bsicos utilizados para la excitacin de LEDs pueden ser con conexin en serie o en paralelo. La conexin en paralelo es algo superior a la serie. En la siguiente figura se muestran algunos circuitos de excitacin tpicos de LEDs, con o sin generacin de pico para la aceleracin de la conmutacin. Adems podemos encontrar las frmulas de diseo de estos circuitos. Adems decir que los circuitos serie se suelen disear para que suministren una pequea corriente continua al diodo de forma que su conmutacin a ON sea ms rpida. Circuitos de aceleracin (generadores de pico) diseados cuidadosamente pueden mejorar el tiempo de subida e incrementar el ancho de banda en al menos un factor dos. Para anchos de banda todava mayores o pulsos ms rpidos es conveniente utilizar diodos lser. Los diodos lser son utilizados para grandes velocidades de datos ("data rate") y lneas de transmisin largas.
B.3-61
CEF
Tema B.3: Propagacin de lacc-VD-VSAT V luz en guas de onda

R1
Fig. B.3.56: Circuitos ms comunes para excitar un LED.
B.3.10.4.2.
Detectores de fibra ptica
Los detectores utilizados con fibras pticas son en casi todos los casos fotodiodos. Aunque este dispositivo ser tratado con mayor profundidad ms adelante, en este apartado se va a presentar desde la perspectiva de la fibra ptica. En fibras pticas la mayora de los clculos se basan en la potencia ptica expresada en dBm. El nivel de referencia del dBm es 1mW. Por tanto, la potencia teniendo en cuenta esta referencia se puede expresar como: o (B.3.154)
donde dBm1: nivel de potencia de P1 en dBm, P1: potencia de P1 en mW, P0: nivel de referencia de potencia (= 1mW) B.3-62
CEF
Un fotodiodo de unin es una fuente de corriente constante. Su buen funcionamiento puede ser evaluado a partir de la responsividad del fotodiodo, la cual puede expresarse como responsividad en corriente a partir de la relacin entre la corriente que circula por ste y la potencia aplicada o como responsividad en tensin teniendo en cuenta la cada de tensin en los extremos de la carga RL. Teniendo en cuenta el circuito equivalente del diodo (a), la responsividad se puede expresar como, (B.3.155) y REv = REi RL (B.3.156)
donde REi: es la responsividad en corriente (A/W), REv: responsividad en tensin, P: potencia ptica aplicada (W), iD: corriente por el fotodiodo (A), : eficiencia cuntica de la unin (electrones/fotones), : longitud de onda (nm), e: carga del electrn 1,6010-19C, h: constante de Planck 6,6310-34Js, c: velocidad de la luz 3,00108m/s, RL: resistencia de carga ().
Fig. B.3.57: Circuito equivalente del fotodiodo PIN y sus caractersticas.
Ya hemos visto que la eficiencia cuntica depende del material semiconductor y de la construccin de la unin. Para Si y InGaAs vale alrededor de 0,8, y para Ge vale 0,55 en la longitud de onda de respuesta mxima. El fotodiodo siempre se utiliza inversamente polarizado lo que reduce su capacidad de unin y corriente en la oscuridad. La tensin de salida VL del circuito tipo en bornes de la carga RL es VL = P REiRL (B.3.157)
En el ejemplo de la figura el fotodiodo est inversamente polarizado con VB = 20V y la tensin de salida en la carga vale VL = 5V y teniendo en cuenta que VD = VBVL la tensin en el fotodiodo vale VD = 15V. El fotodiodo tendr una respuesta lineal siempre que permanezca inversamente polarizado (es decir, VD 0), lo que corresponde a una potencia ptica mxima para el fotodiodo en la zona lineal, B.3-63
CEF
(B.3.158) En el ejemplo de la figura, REi = 0,5A/W, RL = 1M y la potencia mxima vale Pmax=20/(0,5106) = 40W, que es la potencia aplicada en el punto de corte de la recta de carga con la curva de iD. Se han dibujado dos rectas de carga ms sobre la caracterstica del fotodiodo: una para RL = 2M y otra para RL = 0,5M. Cuando la resistencia de carga se incrementa, la tensin en la carga tambin se incrementa. Al mismo tiempo, sin embargo, disminuye el rango de potencia lineal. El tiempo de respuesta o respuesta en frecuencia del circuito est determinado por el tiempo de respuesta (subida/bajada) y la capacidad de unin del fotodiodo y el valor de la resistencia de carga. El tiempo de respuesta del fotodiodo depende de su construccin y viene dado por el fabricante. Para fotodiodos PIN de aplicaciones en optoelectrnica suele ser 1ns. La constante de tiempo debida a la capacidad de unin del diodo y a la resistencia de carga causa un tiempo de respuesta debido al circuito de la forma tC = 2,1910-12 RL CD (B.3.159)
donde tC = tiempo de respuesta del circuito (s), CD = Capacidad del fotodiodo (pF) y RL = Resistencia de carga (). La combinacin de los tiempos de respuesta del fotodiodo y del circuito da como resultado un tiempo de respuesta conjunto llamado constante de tiempo del receptor, tR: (B.3.160) Este tiempo de respuesta del receptor limita el ancho de banda del sistema. El punto de cada de 3dB determinante del ancho de banda puede ser calculado a partir de tR, (B.3.161) donde fR es el ancho de banda del circuito receptor (Hz). Para reducir la influencia de la capacidad de unin del fotodiodo, se puede utilizar un circuito de conversin de corriente a tensin. En ste se utiliza un operacional. El fotodiodo y la fuente que lo polariza inversamente estn conectados al pin inversor y, como el no inversor est conectado a tierra y la tensin en los dos pines es la misma, el potencial en el pin inversor es cero. Por tanto la tensin de la fuente de alimentacin est siempre aplicada al fotodiodo. Como el operacional no drena corriente toda ella pasa por la resistencia de realimentacin RF. La tensin de salida ser por tanto V= iDRF. Este circuito tiene dos ventajas. La lnea de carga es prcticamente una recta vertical en las caractersticas del fotodiodo (resistencia cero) ya que no hay prcticamente resistencia de carga y as el circuito tiene un gran margen dinmico. Adems la constante de tiempo del circuito no estar determinada por la constante de tiempo CDRL, sino que vendr determinada por la resistencia de realimentacin RF y su capacidad parsita CF, por lo que eligiendo una resistencia de bajo valor y con muy poca capacidad parsita, se puede mejorar en gran medida el ancho de banda. B.3-64
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V0
Fig. B.3.58: Convertidor corriente tensin.
Adems de los fotodiodos PIN, tambin se suelen utilizar fotodiodos de avalancha como detectores en sistemas de fibra ptica. Los fotodiodos de avalancha tienen la ventaja de que tienen un mecanismo interno de ganancia que mejora su responsividad hasta en un factor cien. Tambin tienen un tiempo de subida de menos de 1ns. Son pues de utilidad en circuitos de alta frecuencia, donde se necesiten tiempos de subida muy cortos, ya que son capaces de suministrar una corriente apreciable a una resistencia de bajo valor. Su desventaja es que necesitan de una tensin inversa del orden de 100V.
B.3-65
B.4. Deteccin de luz e imgenes
B.4.1.
Introduccin
En este tema vamos a estudiar como la interaccin entre la luz y los electrones en un material produce una serie de efectos fsicos que nosotros aprovecharemos para el procesado de informacin. Ya vimos que el procesamiento de la informacin involucra tres acciones, i) deteccin de luz, ii) generacin de luz y iii) modulacin de luz. El primero de los puntos que vamos a estudiar en este tema, la deteccin de luz, se encarga de extraer la informacin que transporta un rayo de luz. Los componentes fotnicos deben ser capaces de convertir las seales luminosas en electrnicas y las seales electrnicas sern procesadas por dispositivos microelectrnicos avanzados.
B.4.2.
Breve repaso de la estructura de bandas en un semiconductor.
La descripcin de un electrn en un semiconductor se hace a partir de la ecuacin de Schrdinger: (B.4.1) donde U(r) es la energa potencial a la que estn sometidos los electrones dentro del semiconductor, la cual debido a la naturaleza cristalina del material tiene la misma periodicidad R que la estructura (B.4.2) El teorema de Bloch nos dice que la solucin para la funcin de onda del electrn en una estructura peridica es de la forma: (B.4.3) La parte peridica uk(r) tiene la misma periodicidad que el cristal: (B.4.4) La funcin de onda tiene la siguiente propiedad: (B.4.5) Cuando se soluciona la ecuacin de Schrdinger para un electrn libre (es decir, U(r)=0), la k que aparece en la funcin de onda del electrn est relacionada con el momento B.4-1
CEF
Tema B.4: Deteccin de luz e imgenes
de dicho electrn p=k donde es la constante de Planck normalizada, es decir, =h/2=1,0551034Js. En el caso de un electrn en un semiconductor, la cantidad k hace el mismo papel pero como incluye el efecto de los tomos del cristal sobre el electrn (U(r)) se le suele llamar momento del electrn en el cristal o momento del cristal. A partir del valor del momento, vamos a examinar la relacin que existe entre las ecuaciones que nos proporcionan la energa satisfechas por un electrn libre y por un electrn en un cristal: Electrn libre: Electrn en el cristal: donde mo es la masa del electrn libre. La relacin entre E y k en el semiconductor es la estructura de bandas en dicho semiconductor. Los niveles energticos permitidos para un electrn en el semiconductor (es decir, las soluciones para E de la ecuacin de Schrdinger) no representan un continuo como sucede para el electrn libre (U(r)=0) sino que existen bandas de energa no permitida para los electrones. Es decir, que no puede existir ningn electrn en el semiconductor con un valor de energa que est dentro de dicha banda. Las dos primeras bandas de energa permitida son las bandas de valencia (electrones de valencia) y la banda de conduccin, existiendo entre ellas una banda prohibida. En dicha estructura de bandas el mximo de la banda de valencia en la mayor parte de los materiales semiconductores ocurre a k=0, es decir para un momento igual a cero. El mnimo de la banda de conduccin en algunos semiconductores tambin ocurre a k=0. Tales semiconductores son llamados semiconductores de gap directo o simplemente semiconductores directos (GaAs, InP, InGaAs, etc). En otros semiconductores, el mnimo de la banda de conduccin no ocurre para k=0 sino en otros puntos. Son los llamados semiconductores de gap indirecto o simplemente semiconductores indirectos (Si, Ge, AlAs, etc). (B.4.6) (B.4.7)
Fig. B.4.1: (a) Semiconductor directo. (b) Semiconductor indirecto.
Para un semiconductor directo cerca del mnimo de la banda de conduccin, la relacin E-k es de la forma: B.4-2
CEF
(B.4.8) donde Ec es el valor mnimo de energa permitida dentro de la banda de conduccin. Por tanto, cerca de los lmites de la banda de conduccin el electrn del semiconductor se comporta como si tuviese una masa menor que la del electrn libre, la cual es llamada masa efectiva en la banda de conduccin o simplemente masa efectiva del electrn: (B.4.9) De forma similar cerca del mximo de la banda de valencia, la relacin E-k es de la forma: (B.4.10) donde Ev es el valor mximo de energa permitida dentro de la banda de valencia y es la masa efectiva de los electrones en la banda de valencia. Dado que es en esta banda en la que se producen los "huecos" o deficiencias de electrones, tambin es llamada masa efectiva del hueco. Dicha masa efectiva es mucho mayor que la masa efectiva en la banda de conduccin y adems es negativa.
B.4.3.
Propiedades pticas de los semiconductores.
En este apartado vamos a discutir cmo los electrones responden a campos electromagnticos o sea a fotones. La interaccin de electrones y fotones es la base de todos los componentes fotnicos. Existen dos tipos de interaccin ("scattering") entre electrones y fotones: i) Absorcin de fotones en que el electrn gana energa absorbiendo un fotn; y ii) emisin en que el electrn emite un fotn y pierde energa. El proceso de emisin puede ser de dos tipos: emisin espontnea y emisin estimulada. La emisin espontnea ocurre incluso si no hay fotones presentes mientras que la estimulada ocurre debido a la presencia de fotones. Como se ha visto con anterioridad, la luz se representa por ondas electromagnticas. Estas ondas electromagnticas, que viajan a travs de un medio, como un semiconductor en nuestro caso, se describen a partir de las ecuaciones de Maxwell que demuestran que la dependencia del vector campo elctrico de tales ondas es de la forma: (B.4.11) donde z es la direccin de propagacin, la frecuencia, nr el ndice de refraccin (la parte real) y es el coeficiente de absorcin del medio. Si es cero, la onda se propaga sin atenuarse con una velocidad c/nr. Sin embargo, si no es cero, el flujo fotnico P (E*E) cae exponencialmente de la forma: B.4-3
CEF
(B.4.12) La absorcin de la luz puede ocurrir por una gran variedad de razones incluyendo la absorcin por parte de impurezas del material o la absorcin intrabanda donde electrones de la banda de conduccin absorben la radiacin. Sin embargo la interaccin ms importante en semiconductores en lo que se refiere a dispositivos fotnicos es la transicin de banda a banda. En este caso, en el proceso de absorcin de un fotn, un fotn interacciona con un electrn de la banda de valencia causando que dicho electrn pase a la banda de conduccin. En el proceso inverso, un electrn de la banda de conduccin se recombina con un hueco de la banda de valencia para generar un fotn. Estos dos procesos tienen obviamente una gran importancia en la deteccin de luz y en dispositivos emisores de luz. Las velocidades de los procesos de emisin y absorcin de luz son determinadas por la mecnica cuntica. En la interaccin han de cumplirse los principios de conservacin de la energa y de la conservacin del momento. i) Conservacin de la energa:
Aplicando el principio de conservacin de la energa, en los procesos de absorcin y emisin, si Ei y Ef son las energas inicial y final de los electrones, se ha de cumplir: Absorcin: Emisin: (B.4.13) (B.4.14)
donde es la energa del fotn. Como la mnima diferencia energtica entre los estados de la banda de valencia y la banda de conduccin es la anchura de la banda prohibida Eg, para que la absorcin ocurra, la energa del fotn debe ser mayor que la anchura de la banda prohibida. ii) Conservacin del momento:
Adems de la conservacin de la energa, tambin se ha de conservar el momento para el sistema formado por electrones y fotn. El vector de onda del fotn es: (B.4.15) La energa del fotn ha de ser superior a la anchura de la banda prohibida, es decir que estamos hablando de fotones con una energa del orden de 1eV lo cual corresponde a una longitud de onda de 1,24m. Por tanto, los valores de kph sern de alrededor de 1041. En una representacin tpica de la estructura de bandas de un semiconductor el valor de k suele variar entre 0 y 11 por lo que las transiciones pueden considerarse prcticamente verticales. Otra forma de decirlo es que nicamente transiciones "verticales" en k son permitidas dentro de la estructura de bandas del semiconductor.
B.4-4
CEF
Fig. B.4.2: (a) Un electrn de la banda de valencia "absorbe" un fotn pasando a la banda de conduccin. (b) En el proceso inverso, un electrn se recombina con un hueco para emitir un fotn. La conservacin del momento asegura que nicamente las transiciones verticales son permitidas.
En consecuencia, los valores de k para electrn y hueco pueden suponerse iguales dado que las transiciones son verticales por lo que si aplicamos de nuevo la conservacin de energa para un valor de la energa del fotn superior a la anchura de la banda prohibida: (B.4.16) donde es la masa reducida del sistema electrn - hueco.
Debido a que k ha de conservarse, en semiconductores indirectos las transiciones pticas requieren de la ayuda de vibraciones de la estructura para satisfacer la conservacin de k, como vamos a ver a continuacin. Esto hace que exista una gran diferencia entre las propiedades pticas de semiconductores directos e indirectos. En un semiconductor indirecto (ver b) en la siguiente figura) un electrn de la parte inferior de la banda de conduccin no puede recombinarse directamente con un hueco de la parte superior de la banda de valencia porque para que el electrn pase a la parte superior de la banda de valencia, su momento debe variar al pasar desde kcb hasta kcv, lo cual no est permitido por la ley de conservacin del momento. El proceso de recombinacin en este tipo de semiconductores tiene lugar a travs de un "centro de recombinacin" a un nivel energtico Er dentro de la banda prohibida (ver c) en la siguiente figura). Estos centros de recombinacin pueden ser defectos en la estructura cristalina o impurezas. El electrn primeramente es capturado por el defecto en Er. Este cambio en la energa y en el momento del electrn debido al proceso de captura se transfiere a vibraciones en la estructura, es decir, a fonones. As como la radiacin electromagntica es cuantizada en funcin de fotones, las vibraciones de la estructura cristalina se cuantizan en funcin de fonones. Las vibraciones en la estructura viajan por el cristal como una onda y estas ondas se llaman fonones. El electrn capturado en Er puede fcilmente caer a un estado vaco en la parte superior de la banda de valencia y, por tanto, recombinarse con un hueco. En la mayor parte de semiconductores de gap indirecto, la transicin de Ec a Ev produce la emisin de bastantes vibraciones de la estructura. Sin embargo, existen semiconductores de gap indirecto, tales como el GaP en el que se introducen impurezas de nitrgeno y con el que se consigue que la transicin del electrn desde Er a Ev involucre la emisin de un fotn. B.4-5
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(a)
(b)
(c)
(d) Fig. B.4.3: (a) Proceso de recombinacin directa en un semiconductor directo (b) Semiconductor indirecto. (c) Proceso de recombinacin indirecta en la mayor parte de semiconductores indirectos. (d) Proceso de recombinacin indirecta en GaP.
B.4.4.
Absorcin ptica en un semiconductor
Para que un material semiconductor sea til como detector debe cambiar alguna de sus propiedades al incidir sobre l la radiacin. La propiedad ms comnmente utilizada es la conversin de luz en pares electrn - hueco que pueden ser detectados en un circuito elctrico escogido apropiadamente. Cuando incide un fotn sobre un semiconductor puede excitar a un electrn hacindolo saltar de la banda de valencia a la banda de conduccin siempre que la energa de dicho fotn sea igual o mayor que la energa del gap de energa entre ambas bandas. El proceso de absorcin del fotn es ms intenso cuando el fotn puede causar directamente que un electrn en la banda de valencia vaya a la de conduccin. Dado que el momento del fotn es extremadamente pequeo en la escala de momentos, la conservacin del momento requiere que las transiciones electrn - hueco sean verticales en k. Tales transiciones son nicamente posibles cerca de los lmites de las bandas en semiconductores directos. Para tales semiconductores puede demostrarse que el coeficiente de absorcin del semiconductor es: (B.4.17) donde mr*: masa reducida del sistema electrn - hueco, nr: ndice de refraccin, : energa del fotn, Eg: anchura de la banda prohibida, pcv: momento necesario para la transicin.
B.4-6
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Si sustituimos los valores de las constantes en la expresin anterior para un semiconductor directo como es el GaAs (nr=3,66), el coeficiente de absorcin vale, (B.4.18) El coeficiente de absorcin es una propiedad del material. La mayor parte de la absorcin de fotones tiene lugar en una distancia 1/. A ese valor se le suele llamar longitud de penetracin . Para un semiconductor indirecto, las transiciones verticales en k no son posibles, y los electrones pueden absorber un fotn nicamente si un fonn (o vibracin de la estructura cristalina) participa en el proceso. Si K es el vector de onda de las vibraciones de la estructura que se propagan por el cristal, entonces es el momento del fonn. Cuando un electrn en la banda de valencia es excitado a la banda de conduccin hay un cambio en su momento en el cristal que no puede ser proporcionado por el momento del fotn incidente ya que es muy pequeo comparado con el cambio necesario en el momento. Por tanto, la diferencia de los momentos debe ser equilibrada por el momento del fonn: (B.4.19) El proceso de absorcin se dice que es indirecto pues depende de las vibraciones de la estructura cristalina, las cuales a su vez dependen de la temperatura. Como la interaccin del fotn con el electrn de la banda de valencia necesita de un tercer "participante", la vibracin de la estructura, la probabilidad de absorcin de un fotn no es tan alta como en semiconductores de gap directo. Durante el proceso de absorcin, un fonn puede ser absorbido o emitido. Si es la frecuencia de las vibraciones de la estructura cristalina, entonces h es la energa del fonn. Por otra parte, si es la frecuencia del fotn su energa ser h. La conservacin de la energa requiere que: h = Eg h (B.4.20)
Fig. B.4.4: Proceso de absorcin en una transicin de banda a banda en un semiconductor directo y en un semiconductor indirecto. a) Un electrn en la banda de valencia "absorbe" un fotn y pasa a la banda de conduccin. La conservacin del momento asegura que nicamente son permitidas transiciones verticales b) En semiconductores indirectos un fonn o vibracin de la estructura debe participar.
El proceso de absorcin no se inicia exactamente en Eg, pero est muy prximo a dicho valor ya que h es pequeo (< 0,1eV). Estos procesos no son tan fuertes como los B.4-7
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procesos que no involucran un fonn (semiconductores directos). El coeficiente de absorcin de materiales de gap indirecto es del orden de 100 veces ms pequeo que para el caso de gap directo para un misma diferencia entre la energa del fotn y la anchura de la banda prohibida ( Eg). De la expresin del coeficiente de absorcin para un semiconductor directo se observa que vale cero por encima de una longitud de onda de corte c, que vale (B.4.21) En la siguiente figura se muestran la anchura de la banda prohibida y las longitudes de onda de corte de varios semiconductores junto con la respuesta relativa del ojo humano.
(a) (b) Fig. B.4.5: (a) Gap energtico y longitudes de onda de corte de diferentes materiales. El gran rango de variacin de Eg permite una gran versatilidad en los sistemas detectores.(b) Coeficiente de absorcin () en funcin de la longitud de onda () para distintos semiconductores.
En la siguiente figura se muestran algunos semiconductores y las caractersticas ms importantes de los sistemas basados en dichos tipos de material.
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Fig. B.4.6: Los materiales ms utilizados para componentes fotnicos.
Existirn mltiples materiales semiconductores que permiten realizar la absorcin en cualquier frecuencia de luz del visible, infrarrojo y ultravioleta. Materiales como GaAs, InP y InGaAs tienen una fuerte absorcin ptica en los lmites de las bandas ya que la absorcin ptica puede ocurrir sin la participacin de un fonn. Por otra parte, en materiales indirectos como el Si y el Ge la fuerza de la absorcin es dbil cerca de los lmites de las bandas. Sin embargo, esto no significa que estos materiales no puedan ser utilizados como detectores (desafortunadamente no pueden ser utilizados como lseres, cmo se ver ms adelante). Para la deteccin de una seal ptica se debe absorber la luz. Si L es la longitud de la muestra de semiconductor, la fraccin de luz incidente que es absorbida en la muestra es: = 1eL donde P0 es la potencia ptica incidente. Por lo que para una absorcin fuerte se debe cumplir que, (B.4.22) Si queremos detectar la emisin de un lser de GaAs (1,45eV) con Si, necesitamos un material de un grosor L 10m a 20m. Si la deteccin la queremos hacer con Ge slo necesitaramos L 1m, an siendo el Ge un material de gap indirecto. Los detectores pueden clasificarse en "intrnsecos" y "extrnsecos". En un detector intrnseco la generacin de un par electrn - hueco es producida mediante una transicin de "banda a banda", es decir, un electrn se transfiere desde la banda de valencia a la de conduccin. Pero esta no es la nica forma de detectar fotones. En los llamados detectores "extrnsecos" se dopa el semiconductor con una determinada impureza lo que crea estados energticos intermedios dentro de la banda prohibida. Los detectores extrnsecos son detectores muy importantes por su capacidad de deteccin de radiacin de longitud de onda larga. Los detectores intrnsecos de banda a banda necesitan una anchura de la banda prohibida muy estrecha para detectar una radiacin de longitud de onda larga lo que hace muy difcil la fabricacin de detectores de buena calidad para detectar dichas longitudes de onda con dichos materiales. Por otra parte, en detectores extrnsecos la energa de la radiacin puede ser mucho menor que la anchura de la banda prohibida. Los semiconductores extrnsecos son capaces de funcionar hasta longitudes de onda de 120m a bajas temperaturas con determinadas impurezas en el Ge o en el Si (semiconductores de gap indirecto). Sin embargo, el coeficiente de absorcin para detectores extrnsecos es muy pequeo (10cm1) de forma que se necesita un material bastante grueso.
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Fig. B.4.7: Detector extrnseco, donde existe un nivel en la gap energtico, gracias al dopado, a donde pueden ir los electrones excitados.
Una vez conocido el coeficiente de absorcin de un semiconductor, hay que conocer la velocidad a la que se generan los pares electrn - hueco. Para calcular dicha velocidad supongamos un rayo de luz de potencia ptica (flujo) (en W) Pop(0) incidiendo sobre un semiconductor. La potencia ptica por unidad de rea para un dispositivo de rea A y en un punto x vale, (B.4.23) La energa absorbida por segundo y por unidad de rea en una regin de grosor dx, entre los puntos x y x+dx vale (siendo dx muy pequeo) (B.4.24) Si esta energa absorbida produce un par electrn - hueco de energa , la velocidad de generacin de portadores por unidad de volumen GL vale, (B.4.25) siendo (x) la densidad de flujo de fotones incidiendo en un punto x (en unidades cm s ).
2 1
Cuando la luz incide sobre un semiconductor genera pares electrn-hueco lo cual cambia la conductividad del material generando una corriente fotnica (fotocorriente). La eficiencia del proceso de conversin de fotones recibidos a pares electrn-hueco es medida a travs de la eficiencia cuntica del detector, la cual se define como: (B.4.26) La corriente fotnica medida IL en el circuito externo es debida al flujo de portadores por segundo en los terminales del detector. Luego, el nmero de pares e-h por segundo ser IL/e. Si Pop es la potencia ptica incidente entonces el nmero de fotones incidentes por segundo es . Por tanto, la eficiencia cuntica Q puede tambin ser definida como: (B.4.27) Hay que tener en cuenta la longitud del semiconductor y el coeficiente de reflexin del material que lo constituye. Si la longitud es mayor que la longitud de penetracin ( ) la mayor parte de los fotones son absorbidos. Pero si la longitud del semiconductor es del orden de la longitud de penetracin no todos los fotones sern absorbidos. Por otra parte no toda la luz incidente es absorbida de forma que si se reducen las reflexiones en la superficie del semiconductor, se incrementa la absorcin en el semiconductor. De ah que un primer factor que interviene en la eficiencia cuntica es la llamada eficiencia cuntica externa que B.4-10
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incluye la influencia del coeficiente de absorcin del semiconductor a la longitud de onda de inters, de la estructura del dispositivo y del coeficiente de reflexin: (B.4.28) para una muestra de semiconductor de longitud W. Por otra parte, no todos los fotones absorbidos dan lugar a pares electrn hueco que contribuyan a la corriente fotnica sino que algunos pueden ceder su energa de otras maneras como ya se indic anteriormente (Apartado B.4.3). Esto se tiene en cuenta en la llamada eficiencia cuntica interna (Qi). La eficiencia cuntica es el producto de la eficiencia cuntica interna y la externa y en consecuencia, es siempre menor que la unidad. (B.4.29) Una importante propiedad del detector viene descrita por su responsividad, la cual nos da la corriente fotnica IL producida por una determinada potencia ptica Pop a una determinada longitud de onda. Dicha responsividad Rph vale, (B.4.30) A partir de la definicin de la eficiencia cuntica del detector, [A/W] En la ecuacin anterior Q tambin depende de la longitud de onda. La responsividad de un detector tiene una gran dependencia de la longitud de onda de los fotones incidentes. Es por ello que Rph es tambin llamada responsividad espectral o sensibilidad radiante. La caracterstica Rph frente a representa la respuesta espectral del detector, la cual es proporcionada normalmente por el fabricante. En un detector ideal la eficiencia cuntica es del 100% (Q=1) y Rph se incrementa de forma lineal con hasta llegar a c. En la prctica, la eficiencia cuntica limita la responsividad del detector la cual estar por debajo de la lnea del detector ideal. Si la longitud de onda est por encima de la longitud de onda de corte, los fotones no sern absorbidos y no se generar corriente fotnica. Si la longitud de onda es menor que c, la energa del fotn ser mayor que el gap energtico y la diferencia de energa se disipar en forma de calor. En la siguiente figura se muestra la respuesta espectral de un detector ideal y de un detector (fotodiodo) de silicio. La eficiencia cuntica de un fotodiodo de silicio bien diseado en el rango de longitudes de onda entre 700nm -900nm puede estar cercana al 90%-95%. (B.4.31)
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Fig. B.4.8: Respuesta espectral de un fotodiodo ideal y de un fotodiodo comercial tpico de silicio.
Para que haya una corriente fotnica debida a la existencia de los pares e-h generados se necesita aplicar un campo elctrico. Esto puede conseguirse aplicando una tensin externa al material semiconductor o utilizando un diodo de unin p-n. La primera posibilidad conduce al detector fotoconductivo en el cual los pares e-h generados por la luz cambian la conductividad del semiconductor. Por otra parte, el diodo p-n (o el diodo p-i-n) es muy utilizado como fotodetector y aprovecha el campo elctrico existente en la unin p-n aadido a una polarizacin inversa aplicada externamente para "recoger" los electrones y huecos generados. El diodo p-n puede ser utilizado en una gran variedad de modos dependiendo de la tensin de polarizacin aplicada y las distintas configuraciones de la carga. Adems de los diodos, tambin es posible utilizar transistores para detectar seales pticas. Los fototransistores ofrecen una alta ganancia debido a la ganancia del transistor aadida a la deteccin por lo que son muy utilizados.
B.4.5.
Corriente fotnica en un diodo p-n y en un diodo p-i-n
Cuando incide la luz sobre un diodo p-n y genera pares e-h, algunos de estos portadores son recogidos en sus terminales y dan lugar a una corriente fotnica. Para simplificar el tratamiento vamos a suponer que el diodo es longitudinal, que el coeficiente de reflexin R es 0 (no hay parte de la luz que se refleja en el material) y que los portadores en exceso se generan uniformemente a una velocidad constante GL. En la siguiente figura se muestra un diodo de unin p-n en condiciones de polarizacin inversa con una zona de agotamiento de anchura W que es iluminado. Los pares electrnhueco generados en la zona de agotamiento, son barridos rpidamente fuera de ella por el campo elctrico existente sin que tengan posibilidad de recombinarse durante el trnsito. Por tanto, los electrones pasarn a la zona n y los huecos a la p. La corriente fotnica generada a partir de los fotones absorbidos en la zona de agotamiento es por tanto, (B.4.32) donde A es el rea del diodo y el signo negativo es introducido al tratarse de una corriente en polarizacin inversa. Como los electrones y huecos contribuyen en IL1 movidos
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por la accin de campos elctricos muy fuertes la respuesta es muy rpida y esta componente de la corriente es llamada fotocorriente espontnea.
Fig. B.4.9: Diodo de unin p-n con dibujo de las concentraciones de portadores con y en ausencia de luz.
Adems de los portadores generados en la zona de agotamiento, tambin se generan pares electrn-hueco en las zonas neutras de tipo p y n del diodo. Podemos suponer que los huecos generados en la zona n a una distancia menor o igual a Lp (longitud de difusin de los huecos en la regin n) del lmite con la zona de agotamiento (x = 0) sern capaces de entrar en la zona de agotamiento donde el campo elctrico los llevar a la zona p y contribuirn a la corriente. De forma similar, los electrones generados a una distancia menor o igual que Ln (longitud de difusin de los electrones en la regin p) del lmite con la zona de agotamiento sern tambin recogidos contribuyendo a la corriente. Por tanto, la corriente fotnica proviene de todos los portadores generados en la regin del diodo (W + Lp + Ln). Vamos a calcular la corriente fotnica utilizando la base terica del funcionamiento del diodo. Aplicando la ecuacin de continuidad y suponiendo que se generan pares electrnhueco uniformemente a una frecuencia GL. La ecuacin de continuidad en estado estacionario para huecos (portadores minoritarios) en la regin n es (B.4.33) donde Dp: coeficiente de difusin de los huecos (portadores minoritarios) y p: tiempo de vida medio antes de la recombinacin de los huecos en la regin n. La densidad de portadores en exceso es pn = pn(x) pn. Utilizando las condiciones de contorno (la tensin de polarizacin del diodo es positiva para polarizacin directa y negativa para polarizacin inversa). Si el fotodiodo est cortocircuitado (V=0) o en polarizacin inversa (V<0), podemos suponer que es cero. (B.4.34) donde x = 0 es un extremo de la zona de agotamiento. B.4-13
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Supondremos que no hay recombinacin en la zona de agotamiento (es decir, que la zona de agotamiento es menor que la longitud de difusin de los huecos en dicha zona, W<Lp,z.dea.=(Dpp)1/2 al cumplirse que el tiempo de vida medio de los huecos en dicha regin p) y que la zona n es ms larga que la longitud de difusin de los huecos en dicha regin Lp (diodo largo). La solucin de la ecuacin de continuidad considerando la velocidad de generacin es la suma de la solucin homognea ms la solucin particular. La ecuacin homognea es para GL = 0, (B.4.35) cuya solucin es de la forma (B.4.36) La ecuacin particular es de la forma (B.4.37) o pn'' = GL p En consecuencia, la solucin completa es: (B.4.39) Aplicando las condiciones de contorno en x = 0, obtenemos el valor de C. Esto nos da la concentracin en exceso de huecos en la zona neutra de tipo n (B.4.40) (B.4.38)
Por tanto la corriente de huecos generada en la zona neutra de tipo n debida a fotones absorbidos es: (B.4.41) La corriente debida a los electrones la podremos calcular de forma similar, de forma que la corriente total debida a los portadores generados tanto en las zonas neutras como en la zona de agotamiento es: IL = InL + IpL + IL1 = - eGL(Lp + Ln + W)A (B.4.42)
Debemos tener en cuenta que la corriente generada en las zonas neutras tiene un tiempo de respuesta ms lento, ya que los portadores se mueven por difusin (en las zonas B.4-14
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neutras no hay campos elctricos). Debe ser tenido en cuenta tambin que la generacin de pares e-h no es uniforme y depende de la profundidad de penetracin de los fotones. Habr pues que sustituir GL por una velocidad de generacin promedio para una descripcin ms exacta. Un tipo de fotodiodo de unin p-n que resuelve el problema del excesivo tiempo de respuesta debido a los portadores generados en las zonas neutras es el fotodiodo p-i-n. En la siguiente figura se muestra un esquema de un detector p-i-n. El fotodiodo est inversamente polarizado de manera que la zona de agotamiento ocupa la totalidad de la zona intrnseca en la cual existe un fuerte campo elctrico.
Fig. B.4.10: Fotodiodo PIN. Los portadores generados en la zona de agotamiento son arrastrados y contribuyen a la corriente. Detalle de la concentracin de huecos en exceso en la zona n.
Si la zona intrnseca es gruesa, la fotocorriente IL es dominada por los portadores que se generan en la zona de agotamiento (la zona intrnseca) y que son arrastrados ya que los portadores generados en las zonas neutras contribuyen nicamente en una fraccin muy pequea a dicha fotocorriente como vamos a ver a continuacin. Como la fotocorriente es dominada por la fotocorriente espontnea, la respuesta del dispositivo ser rpida. Vamos a suponer que la zona p sea lo suficientemente estrecha como para poder despreciar la absorcin en dicha regin. De esa forma si R es el coeficiente de reflexin del material, los fotones que llegan a la zona de agotamiento son (1 R) por los fotones incidentes. Podemos tener adems en cuenta que conforme van penetrando los fotones en el material disminuye su intensidad porque van siendo absorbidos, por lo que la velocidad de generacin de pares e-h, GL, vendr dada por la expresin, (B.4.43) donde 0(1-R) es el flujo de fotones (nmero de fotones por cm2 y por segundo) en x= 0. La mxima corriente IL suponiendo que la zona intrnseca es menor que las longitudes de difusin de electrones y huecos en dicha regin (no hay recombinacin): B.4-15
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(B.4.44) (B.4.45) donde W es la anchura de la zona de agotamiento, A es el rea del diodo y el signo negativo es introducido al tratarse de una corriente inversa. Como los electrones y huecos contribuyen en IL1 movidos por la accin de campos elctricos muy fuertes la respuesta es muy rpida y esta componente de la corriente constituye la fotocorriente espontnea. En lo siguiente consideraremos R = 0. Calcularemos a continuacin la contribucin de los huecos (portadores minoritarios) de la zona n a la corriente. Aplicando la ecuacin de continuidad y suponiendo que se generan pares electrn-hueco a una frecuencia GL(x). La ecuacin de continuidad en estado estacionario para huecos en la regin n es: (B.4.46) donde Dp: coeficiente de difusin de los huecos (portadores minoritarios) y p: tiempo de vida medio antes de la recombinacin de los huecos en la regin n. Dicha ecuacin puede escribirse tambin de la siguiente forma teniendo en cuenta que la densidad de portadores en exceso es pn = pn(x) pn. (B.4.47) La densidad de portadores es pn(x) y utilizando las condiciones de contorno (la tensin de polarizacin del diodo es positiva para polarizacin directa y negativa para polarizacin inversa). (B.4.48) donde x = W es un extremo de la zona de agotamiento por lo que los huecos son inmediatamente arrastrados por el intenso campo elctrico presente. Hay que tener en cuenta que GL(x) tiende a 0 cuando x tiende a infinito. Supondremos que no hay recombinacin en la zona de agotamiento (es decir, que la zona intrnseca es menor que la longitud de difusin de los huecos en dicha zona, W < Lp, z. de a.= (Dpp)1/2 al cumplirse que el tiempo de vida medio de los huecos en dicha regin p), y que la zona n es ms larga que la longitud de difusin de los huecos en dicha regin Lp (diodo largo). La solucin de la ecuacin de continuidad considerando la velocidad de generacin es, (B.4.49)
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cuya solucin es de la forma (B.4.50) Siendo (B.4.51) Por tanto la corriente de huecos generada en la zona neutra de tipo n debida a fotones absorbidos es (B.4.52) El segundo trmino que es independiente del flujo luminoso es la corriente de prdidas del diodo inversamente polarizado y en el contexto de fotodetectores se denomina corriente de oscuridad. Esta ser la corriente que circular por el dispositivo inversamente polarizado an cuando no haya luz alguna iluminando al mismo. La presencia del trmino indica que, en general, nunca se incorporarn a la fotocorriente todos los pares e-h generados en la zona n. Slo los huecos generados a una distancia Lp de x = W alcanzarn la zona intrnseca y contribuirn a la corriente; los dems se recombinarn antes y se perdern. La corriente es la suma de IpL e IL1 ya que hemos supuesto que la zona p es muy estrecha y no hay absorcin. (B.4.53) A partir de esta expresin es posible obtener un valor ms aproximado para la eficiencia cuntica para el fotodiodo PIN teniendo en cuenta nicamente la contribucin luminosa. Para mayor generalidad, se ha introducido a posteriori la eficiencia cuntica interna y el coeficiente de reflexin del material: (B.4.54) en la que, a diferencia de la expresin B.4.29, ya aparece la dependencia de Qe y Q de los portadores (huecos) que se llegan a perder por recombinacin. En general si consideramos el fotodiodo conectado a una carga externa, como se muestra en la siguiente figura, y tanto el caso de polarizacin directa como inversa, si la cada de tensin nodo-ctodo en el diodo es V, la corriente total ser la suma de la corriente fotnica (generada por la luz) ms la corriente por el fotodiodo en ausencia de luz (tener en cuenta que la corriente fotnica fluye en sentido contrario a la corriente del diodo en polarizacin directa): B.4-17
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(B.4.55)
donde Rs: la resistencia serie del diodo, n: es el factor de idealidad del diodo, V: tensin entre bornes del diodo e IL es el valor absoluto de la corriente obtenida en B.4.53 exceptuando la corriente inversa en oscuridad (I0) que ya aparece en el primer trmino. El fotodiodo se puede utilizar en dos modos de funcionamiento diferentes. En el modo fotovoltaico, utilizado en clulas solares, no hay tensin externa aplicada (Vapp=0). En este modo, utilizado para la generacin de potencia, la corriente fotnica alimenta una carga. En el modo fotoconductivo, utilizado en detectores, el diodo est polarizado inversamente.
Fig. B.4.11: Circuito equivalente del fotodiodo.
En el circuito equivalente la unin es representada como un diodo, la resistencia de la zona de agotamiento es RSH y la capacidad de la unin es CD (=Cj), ambas conectadas en paralelo al diodo. La resistencia de los semiconductores de tipo n y p junto con la de los contactos elctricos se representa por una resistencia serie RS. La corriente introducida en la unin por la radiacin es representada por una fuente de corriente constante IL, en paralelo al diodo. Para un fotodiodo de silicio, valores tpicos son: RSH = 107 a 1012, dependiendo de la temperatura CD = (=Cj decenas de pF) capacidad de unin, dependiendo de la tensin de polarizacin inversa. RS = de 5 a 10. La capacidad Cj de la unin p-n, como ya se sabe, puede ser considerada como dos placas cargadas aisladas por la zona de agotamiento: (B.4.56) donde es la permitividad dielctrica del semiconductor, A el rea activa (rea fotosensible) del fotodiodo y W la anchura de la zona de agotamiento. Como la anchura W de la zona de agotamiento en la unin p-n del fotodiodo es funcin de la tensin inversa aplicada (W ), cuanto mayor es la tensin inversa aplicada mayor es la anchura de la zona de agotamiento y menor es la capacidad Cj de la unin.
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En la siguiente figura se muestran las caractersticas del fotodiodo en oscuridad y en presencia de radiacin:
Fig. B.4.12: Cuadrantes de funcionamiento del fotodiodo.
La curva caracterstica tiene cuatro cuadrantes. En el cuadrante I, el fotodiodo est directamente polarizado y acta de manera similar a un diodo de unin, aunque esta aplicacin no es la adecuada para un fotodiodo. En el cuadrante II el fotodiodo no tiene respuesta. El cuadrante III muestra las caractersticas del fotodiodo en el modo de polarizacin inversa, que es el modo utilizado para la deteccin de radiacin. El cuadrante IV corresponde al modo fotovoltaico (clula solar) en que el fotodiodo es utilizado para proporcionar potencia. Aplicando las leyes de Kirchof al circuito equivalente del fotodiodo: (B.4.57) donde IL es la corriente fotnica que depende de la longitud de onda, ID es la corriente a travs del diodo que representa la unin, ISH la corriente a travs de la resistencia de la zona de agotamiento RSH e Iext la corriente en la carga. En condiciones de no radiacin (oscuridad) la corriente es: (B.4.58) donde I0 es la corriente de oscuridad e IRL es la corriente por la carga que ser aproximadamente igual a IDD. El valor de la corriente de oscuridad depende del material semiconductor, dopado, geometra de la unin y de la temperatura. La corriente de oscuridad se incrementa en un factor 10 cada 25 de incremento de la temperatura. Junto con el ruido constituye un lmite para la sensibilidad del fotodiodo. Cuando se ilumina es generada una corriente fotnica cuyo valor hemos obtenido con anterioridad y que, en funcin de la incidencia radiante E (W/m2) y de la eficiencia cuntica Q es: (B.4.59) B.4-19
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donde A es el rea del fotodiodo. La corriente fotnica vara de forma lineal con la incidencia radiante, mantenindose as en un rango de siete a nueve dcadas. Esta propiedad convierte al fotodiodo en un valioso dispositivo de medida en el modo fotoconductivo (polarizacin inversa). La corriente total en presencia de radiacin IDL sigue la expresin vista con anterioridad: (B.4.60) En condiciones de circuito abierto (RL>>RSH), la tensin en circuito abierto del fotodiodo Voc puede obtenerse haciendo IDL=0 en la expresin anterior: (B.4.61) En condiciones normales IL >> Io, y la expresin anterior puede simplificarse: (B.4.62) Como ILE, a temperatura constante, la tensin de circuito abierto de un fotodiodo es una funcin logartmica de la incidencia radiante en un rango de varias dcadas. El dispositivo ser til si se desea una respuesta de tipo logartmico. Debe ser tenido en cuenta, sin embargo, que la condicin RL>>RSH no es fcil de cumplir ya que RSH est en el rango de megaohms. En el cuadrante IV, un fotodiodo puede proporcionar potencia a una carga, es el caso de las clulas solares que estudiaremos ms adelante. Los fotodiodos de seal son utilizados en el cuadrante III con polarizacin inversa para un funcionamiento lineal. En el caso de que se desee una respuesta logartmica debe operar en circuito abierto en el cuadrante IV. En el cuadrante III, la tensin inversa puede tomar cualquier valor por debajo de la tensin de ruptura VRmax que es especificada por el fabricante. Al aumentar el valor absoluto de la tensin de polarizacin inversa, aumenta ligeramente la corriente de oscuridad y el rango de operacin lineal y disminuye la capacidad de la unin (como se coment con anterioridad) y el tiempo de respuesta.
Fig. B.4.13: Efecto de la tensin de polarizacin en el fotodiodo.
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El tiempo de respuesta y, por tanto, el ancho de banda del fotodiodo est determinado por dos mecanismos bsicos. i) La primera restriccin al tiempo de respuesta viene del hecho de que los portadores de carga generados necesitan algn tiempo para ser "recogidos" por la corriente fotnica. Este tiempo es llamado tiempo de trnsito ttr. El tiempo de trnsito tiene dos aportaciones. Por una parte se tienen los portadores generados en la zona de agotamiento, los cuales se mueven por arrastre a la velocidad de arrastre. Ante campos elctricos fuertes la velocidad de arrastre de los portadores de carga (vn=nE y vp=pE) no vara linealmente con el campo elctrico aplicado sino que adquiere un valor de saturacin, vsat.
Fig. B.4.14: Velocidad de arrastre en funcin del campo elctrico para electrones y huecos en el Si.
Por lo tanto, para una anchura de la zona de agotamiento W, el tiempo de trnsito debido a los portadores generados en la zona de agotamiento es aproximadamente: (B.4.63) donde vsat es la velocidad de saturacin. Con valores tpicos de W 10m y vsat10 m/s, tenemos ttr100ps aunque puede llegar a ser incluso tan pequeo como 1ps.
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Los portadores generados en las zonas neutras se mueven por difusin. As, los electrones tardan un tiempo en recorrer la distancia Ln (longitud de difusin) por difusin, donde Dn es el coeficiente de difusin de los electrones. De igual forma los huecos tardan un tiempo en recorrer por difusin la distancia Lp. Recordar que aquellos portadores que estn a una distancia superior a Ln o Lp de la zona de agotamiento desaparecen por recombinacin. Un valor tpico de Ln=1m y Dn=3,410-4m2s-1 nos proporciona n3ns. Tiempos de difusin tpicos son del orden de 1ns a 10ns. Es decir, que el proceso de difusin limita la respuesta del dispositivo de manera que la respuesta en frecuencia del dispositivo se degrada tanto ms cuanto mayor sea la fraccin de la corriente que es generada en las zonas neutras. Conviene disear por tanto el dispositivo de forma que la mayor parte de la energa sea absorbida en la zona intrnseca. Esta limitacin es menos importante en el fotodiodo p-i-n en que predomina la fotocorriente espontnea. En consecuencia, considerando ambas aportaciones al tiempo de trnsito, el tiempo de respuesta del fotodiodo tD W/Vsat.
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ii) La segunda restriccin en el tiempo de respuesta deriva de la capacidad de la unin p-n, CD. Si observamos el circuito equivalente del fotodiodo junto con su carga, se tiene un circuito RC cuya constante de tiempo es: RC = (RS+RL) || RSHCD RLCD Esta constante de tiempo causa un tiempo de respuesta tRC = 2,19RC. El tiempo total de respuesta es tD + tRC. Al aumentar la tensin de polarizacin inversa disminuye CD, por lo que disminuye el tiempo de respuesta del fotodiodo. Este tiempo de respuesta limita el ancho de banda del fotodiodo. El punto de cada de 3 dB determinante del ancho de banda puede ser calculado a partir de la expresin: (B.4.65) (B.4.64)
Fig. B.4.15: Fotodiodo en polarizacin inversa (VB representa la tensin de polarizacin inversa).
Generalmente se utilizan amplificadores operacionales junto al fotodiodo para su uso como detector como se muestra en la siguiente figura. Si se necesita utilizar el fotodiodo en todo su rango lineal (de siete a nueve dcadas), entonces se debe disear muy cuidadosamente el amplificador teniendo en cuenta el ruido producido (pues ste es amplificado). Hay dos fuentes de ruido predominantes en fotodiodos de unin: ruido "shot" y ruido trmico. El ruido "shot" es un ruido que aparece cuando los portadores de carga tienen que atravesar una barrera de potencial (diodos y transistores). El proceso de atravesar la barrera consiste en microscpicos pulsos de corriente, de manera que la contribucin macroscpica de todos ellos da lugar a un ruido en la corriente del detector, cuyo valor rms es el ruido "shot". El ruido trmico (tambin llamado ruido Johnson) es causado por el movimiento trmico aleatorio de electrones y huecos. Este ruido aparece incluso cuando el dispositivo est desconectado de cualquier circuito. El ruido "shot" debe ser considerado a niveles de seal ms altos y el trmico a niveles ms bajos. Como el fotodiodo no es puramente resistivo sino que presenta una capacidad CD, sta puede llegar a influir en la respuesta en frecuencia del amplificador que incluso puede llegar a oscilar a altas frecuencias. Para evitar este problema, se emplea el circuito (b) en que la B.4-22
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resistencia de realimentacin RF y la capacidad CF en paralelo con sta determinan la respuesta en frecuencia. Cuando se requiere una respuesta rpida deben ser seleccionados fotodiodos con baja CD y utilizar resistencias de carga tambin bajas.
Fig. B.4.16: Circuitos tpicos de polarizacin con amplificador de un fotodiodo.
Cuando se requiere una respuesta logartmica, el diodo debe operar sin polarizacin en condicin de circuito abierto. Como la resistencia RSH del fotodiodo es muy grande (del orden de 108), el amplificador operacional utilizado debe tener una impedancia de entrada extremadamente grande (amplificador FET).
Fig. B.4.17: Circuitos tpicos de polarizacin con amplificador para el caso de respuesta logartmica.
Comparados con los fotoconductores que veremos ms adelante, los fotodiodos son dispositivos muy estables. Sus coeficientes de temperatura dependen de la longitud de onda, pero a la longitud de onda de respuesta mxima estos coeficientes son muy bajos, menos del 0,1%/C. Su nica dependencia con la temperatura importante es el valor de la resistencia RSH y la corriente de oscuridad, pero sus efectos son nicamente significativos a muy bajos niveles de funcionamiento.
B.4-23
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Fig. B.4.18: nicos parmetros del fotodiodo que dependen fuertemente con la temperatura (en la fotorresistencia casi todos los parmetros dependen de la temperatura).
La respuesta espectral de los fotodiodos de unin vara desde el ultravioleta hasta el infrarrojo, dependiendo principalmente del material semiconductor, pero tambin del diseo de la unin y del material empleado en la ventana. Respuestas espectrales tpicas se muestran en la siguiente figura.
Fig. B.4.19: Respuesta espectral de distintos fotodiodos de unin.
B.4.5.1.
Seleccin del material y respuesta en frecuencia del detector P-I-N
El primer factor a tener en cuenta es elegir un material que tenga un buen coeficiente de absorcin a las frecuencias a detectar. Para aplicaciones de comunicaciones donde se utilizan fuentes pticas de GaAs / AlGaAs (1,45eV) generalmente para redes locales, se utilizan detectores de Si siempre que no se requieran altas velocidades. Los detectores de Si deben tener una longitud de absorcin (L) mayor que 10m. Para longitudes de onda mayores, se utilizarn detectores de Ge. Una longitud de onda importante es la de 1,55m utilizada en comunicaciones a larga distancia ya que las prdidas de propagacin en la fibra ptica a esa longitud de onda son mnimas. Para aplicaciones de alta velocidad se necesitan detectores de gap directo para poder disminuir las longitudes de absorcin a una micra o menos. Por ello, los detectores de InGaAs son ampliamente utilizados en aplicaciones de comunicacin a larga distancia. Para aplicaciones de visin nocturna se utilizan materiales como HgxCd1xTe, InAs y InSb, que tienen un gap muy estrecho. Su problema principal es su alta corriente de oscuridad I0, que se reduce enfriando los dispositivos a temperaturas incluso por debajo de la del He lquido. Una vez elegido el material debemos, i) Minimizar la reflexin en la superficie. Esto se hace aplicando capas antireflectantes que pueden reducir la reflexin de un 40% a un 2% o 3%.
B.4-24
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ii)
Maximizar la absorcin en la zona de agotamiento. Sin embargo, el incrementar la anchura de la zona de agotamiento no es una buena opcin en lo que respecta a la velocidad del dispositivo. Se pueden utilizar espejos metlicos para incrementar la longitud de interaccin ptica provocando que el haz ptico tome ms de un camino a travs del dispositivo. Minimizar la recombinacin de portadores. Para mejorar el rendimiento es deseable disminuir la recombinacin en la zona de agotamiento tanto como sea posible. Esto se consigue con el uso de materiales muy puros, sin impurezas, para evitar la existencia de estados energticos intermedios dentro de la banda prohibida y as evitar que los portadores queden atrapados en estos. Minimizar el tiempo de trnsito. Si se pretende una alta velocidad, los tiempos de trnsito deben ser minimizados, lo que significa que la zona de agotamiento debe ser lo ms corta posible y el campo elctrico lo mayor posible.
iii)
iv)
Adems de todo lo mencionado hasta ahora el tiempo de respuesta est determinado por el propio circuito teniendo en cuenta el circuito equivalente del diodo. Para conseguir una buena respuesta a alta frecuencia, se debe reducir la resistencia serie Rs y la capacidad de unin CD, lo que se consigue reduciendo el rea A ya que si incrementamos W se aumenta el tiempo de trnsito (ver expresin de CD). Si se optimiza CD y Rs entonces la velocidad slo est limitada por el tiempo de trnsito, que depende de la anchura de la zona de agotamiento W y de la velocidad de saturacin. Luego, un buen funcionamiento a alta frecuencia requiere trabajar con zonas de agotamiento estrechas.
B.4.5.2.
La clula solar
Uno de los usos ms importantes de los fotodiodos p-n es la conversin de energa luminosa en energa elctrica. Esta aplicacin del fotodiodo p-n se denomina clula solar. La clula solar funciona sin que se le aplique ningn tipo de fuente externa y es la energa luminosa la que se encarga de generar tensin entre sus bornes y corriente. Para calcular los parmetros ms importantes de una clula solar consideremos primero un fotodiodo en circuito abierto de forma que su corriente I es cero. La ecuacin que describe este estado es, (B.4.66) donde Voc es la tensin en bornes del fotodiodo, llamada tensin de circuito abierto. El valor de esta tensin es por tanto, (B.4.67) Para altas intensidades de luz, la tensin en circuito abierto puede ser tal que el producto eVoc alcance el valor de la anchura de la banda prohibida, Eg. En el caso de clulas B.4-25
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solares de Si y con iluminacin solar (sin absorcin atmosfrica), el valor de eVoc es de aproximadamente 0,7eV (Voc=0,7V). El segundo caso de importancia en la clula solar es cuando sta est en cortocircuito y por tanto R = 0 y V = 0. La corriente de cortocircuito vale entonces I = Isc = IL (B.4.68)
Para caracterizar las clulas solares se suele representar la corriente suministrada por ella en funcin de la tensin en sus bornes.
Fig. B.4.20: Curva caracterstica de una clula solar. Obsrvese el punto de mxima potencia.
Tambin debemos conocer la potencia suministrada por la clula solar, (B.4.69) La potencia mxima se suministra a una tensin y una corriente determinada, Vm e Im como se muestra en la anterior figura. Este punto de la curva de la clula se llama punto de mxima potencia. El rendimiento de conversin de la clula solar se define como la relacin de potencia ptica de entrada y la potencia elctrica de salida. Cuando la clula funciona bajo condiciones de mxima potencia, el rendimiento de la conversin vale, (B.4.70) Otro parmetro muy utilizado es el factor de forma Ff, que se define como, (B.4.71) Normalmente suele valer Ff = 0,7.
B.4-26
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Es importante tener en cuenta que fotones con una energa menor que el gap de energa de la banda prohibida (Eg), no generarn pares e-h. Tambin se tendr que fotones con una energa mayor que la anchura de la banda prohibida producirn electrones y huecos con la misma diferencia de energa (Eg) independientemente de lo grande que sea Eg. La energa en exceso de Eg se disipar en forma de calor. Por tanto el rendimiento de la clula solar depender de cmo de bien se ajusta el gap de energa de la banda prohibida al espectro de la luz solar incidente. En la siguiente figura se muestra el espectro de la luz solar. Tambin se muestran las longitudes de onda de corte para el silicio y el GaAs. En las clulas solares de GaAs el ajuste es mejor por lo que proporcionan rendimientos superiores. Sin embargo, en la actualidad las clulas solares de GaAs son mucho ms caras por lo que su uso est muy restringido, frente a las de Si que son mucho ms econmicas. En consecuencia, las clulas solares de GaAs se utilizan fundamentalmente en aplicaciones espaciales debido a su mayor rendimiento, mientras que las de silicio (o silicio amorfo) se utilizan en aplicaciones en las que el coste es un factor importante.
Fig. B.4.21: Espectro de la radiacin de la luz solar con y sin absorcin por parte de la atmsfera. Tambin se muestran las longitudes de onda de corte de GaAs y Si.
En la prctica la clula solar es un componente de muy bajo rendimiento y se aplican muchas tcnicas para mejorarlo. Tal y como hemos visto una clula solar nicamente puede capturar una pequea fraccin del espectro de emisin solar. Para mejorar el rendimiento, en lugar de utilizar una clula solar de una sola capa se puede utilizar una construccin multicapa en forma de sandwich. En sta, las capas inferiores se disean para capturar la radiacin que cae fuera del rango de respuesta de la capa superior. Cada capa responde a un segmento diferente del espectro solar y as se aprovecha mejor la radiacin incidente. El rendimiento de una clula solar de una nica capa es de alrededor del 12%, mientras que la de una de tres capas est entre el 18% y el 20%.
B.4-27
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Fig. B.4.22: Respuesta de una clula solar de una nica capa y de una multicapa.
La potencia suministrada depende como hemos visto de la carga aplicada, ya que al punto de mximo potencia le corresponde una sola recta de carga. En la siguiente figura se muestran la curva caracterstica de la clula solar Vactec VTS28 que tiene un rea de 3,9cm2 y una corriente de cortocircuito de 86mA para una incidencia radiante (o irradiacin) solar de 100mW/cm2 (a plena luz solar). Tambin se muestran tres rectas de carga, con resistencias de carga de 4,5, 5,7 y 7,5. Estas representan las siguientes condiciones de salida: RL () 4,5 5,7 7,5 Vo(V) 0,35 0,40 0,45 Io(mA) 78 70 60 Po(mW) 27,3 28,0 27,0
Fig. B.4.23: Curva caracterstica de la clula solar Vactec VTS28 que tiene un rea de 3,9cm2 y una corriente de cortocircuito de 86mA para una incidencia radiante (o irradiacin) solar de 100mW/cm2 (a plena luz solar).
La recta de carga que forma el rea ms grande, definida por el punto de cruce de la curva caracterstica y los ejes I/V, produce la potencia de salida mxima. Como se puede observar en el ejemplo, la representacin de la potencia de salida es bastante plana y, en consecuencia, la eleccin de la resistencia de carga no es muy crtica. Si el fabricante no B.4-28
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proporciona la curva caracterstica de la clula o el punto de mxima potencia, se puede escoger sin demasiado error la carga ptima igual a la resistencia Rs que vale: (B.4.72) En nuestro caso, el valor de RLopt = 0,57/0,086 = 6,6. Adems se necesitar ms de una clula para obtener la tensin y corriente necesaria en una aplicacin. El nmero de clulas en paralelo y en serie que se necesitan se calcula a partir de: y (B.4.73)
donde, VD: tensin deseada, iD: corriente deseada, iL: corriente de salida de la clula, VL: tensin de salida de la clula.
Fig. B.4.24: Panel solar formado por mltiples clulas.
B.4.6.
El fotoconductor o fotoresistencia
Este dispositivo es muy sencillo y tiene la estructura que se muestra esquemticamente en la siguiente figura donde dos electrodos se conectan al semiconductor, que tiene el coeficiente de absorcin deseado sobre unas longitudes de onda de inters determinadas. Cuando fotones con apropiada longitud de onda inciden sobre l, se generan pares electrn hueco que son arrastrados por el campo elctrico. El resultado es un incremento en la conductividad del semiconductor (disminucin de la resistividad y resistencia) y un cambio en la corriente externa I. Un circuito tpico de aplicacin es el mostrado en (b) es donde se utiliza el cambio que experimenta la corriente elctrica cuando se produce una incidencia luminosa. Vamos a considerar que el fotoconductor presenta contactos hmicos, es decir, que los contactos metal-semiconductor no limitan el flujo de la corriente como sucede en el caso de una unin tipo Schottky.
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Fig. B.4.25: a) Geometra de la fotorresistencia y b) circuito tpico de aplicacin.
Con contactos hmicos, el fotoconductor presenta una ganancia fotoconductiva, ya que la corriente fotnica externa es debida al flujo de ms de un electrn por fotn absorbido. Para comprender este efecto vamos a hacer uso de la siguiente figura. En ella, un fotn absorbido produce un electrn y un hueco, que se mueven por arrastre en sentidos contrarios (a). La velocidad de arrastre del electrn es superior a la del hueco por lo que el electrn abandona la muestra rpidamente. Pero la muestra sin embargo debe ser neutra lo que significa que debe entrar otro electrn en la muestra desde el electrodo negativo (b). Este nuevo electrn puede tambin moverse rpidamente por arrastre como antes y dejar la muestra mientras el hueco est todava movindose lentamente por arrastre en la muestra (c). Por tanto, debe entrar otro electrn a la muestra para mantener la neutralidad, y as sucesivamente hasta que el hueco alcanza el electrodo negativo o se recombina con alguno de estos electrones que entran a la muestra. La corriente fotnica externa corresponde por tanto al flujo de muchos electrones por fotn absorbido, lo que representa una ganancia. De ah que la ganancia dependa del tiempo de trnsito y de los tiempos efectivos de recombinacin, as como de las movilidades de electrones y huecos.
Fig. B.4.26: Un fotoconductor con contactos hmicos (contactos que no limitan la entrada de portadores) presenta una ganancia.
B.4-30
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Si suponemos que una muestra es sbitamente iluminada, se generarn pares e-h que aumentarn la conductividad del material. Si se aplica un campo elctrico externo los electrones y los huecos se movern en sentidos contrarios dando lugar a una corriente. Los portadores permanecern en el semiconductor hasta que o bien se hayan recombinado o bien hayan sido extrados del dispositivo por los contactos. En ausencia de luz la conductividad valdr (n0 y p0 son las concentraciones de e y h en la oscuridad), 0 = e(nn0 + pp0) (B.4.74)
La seal ptica genera una densidad de portadores en exceso igual a n = p, con lo que la conductividad despus de la aplicacin de la seal luminosa valdr, = e[n(n0 +n) + p(p0 + p)] (B.4.75)
La velocidad de incremento en la concentracin de portadores en exceso es igual a la velocidad de generacin (luminosa) GL menos la velocidad de recombinacin de tal exceso de portadores Re. Por otra parte, la velocidad de recombinacin de estos portadores en exceso es el cociente entre el exceso de portadores generados y el tiempo de vida media (, tiempo efectivo hasta la recombinacin) de dichos portadores. Por tanto, para los electrones: (B.4.76) En consecuencia se incrementar desde el instante en que se hace incidir la luz sobre el semiconductor hasta que se alcance el estado estacionario:
(B.4.77) donde es el tiempo efectivo de recombinacin para los electrones en exceso. Haciendo uso de la anterior expresin, la concentracin de portadores en exceso vendr dada por p = n = GL donde GL es la velocidad de generacin de pares e-h. El cambio de conductividad del material debido a la seal ptica se llama fotoconductividad y viene dado por, = e p(n + p) = e n(n + p) En presencia de un campo elctrico E, la densidad de corriente J = I / A vale, J = (Jd + JL) = (0 + )E B.4-31
(B.4.78)
(B.4.79)
(B.4.80)
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donde Jd es la densidad de corriente en la oscuridad. La fotocorriente es pues, IL = JL A = EA =ep (n + p)AE = e GL (n + p) A E donde A es el rea del fotoconductor. El nmero de electrones por segundo que fluyen por el circuito externo puede ser obtenido a partir de la expresin de la fotocorriente: (B.4.82) Sin embargo la velocidad de fotogeneracin de electrones (es decir, de pares electrnhueco) es: (B.4.83) donde L es la longitud del fotoconductor. La ganancia fotoconductiva ser por tanto, simplemente: (B.4.81)
(B.4.84)
La ecuacin anterior puede ser simplificada teniendo en cuenta los tiempos de trnsito (tiempo necesario para atravesar el semiconductor) de electrones y huecos que son:
(B.4.85) Hay que tener en cuenta que nE y pE son las velocidades de los electrones y huecos respectivamente y que puede que stas no varen linealmente con el campo elctrico. Para campos elctricos fuertes, nE y pE son las velocidades de saturacin que son independientes del campo elctrico. Utilizando estos tiempos de trnsito la ganancia G queda: (B.4.86) e IL puede escribirse: B.4-32
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(B.4.87) donde ILp = eGLAL (B.4.88)
Es la llamada fotocorriente primaria ILP que sera la fotocorriente generada si G fuese la unidad, es decir, si la corriente fotnica externa fuese debida al flujo de un nico electrn por fotn absorbido. La ganancia fotoconductiva puede ser bastante grande mientras se mantenga
grande lo que requiere un tiempo de recombinacin grande y un tiempo de trnsito corto. El tiempo de trnsito ttr,e puede hacerse ms corto aplicando un campo elctrico mayor y disminuyendo la longitud L del canal fotoconductivo. La aplicacin de un campo elctrico grande, sin embargo, puede conducir a un incremento en la corriente de oscuridad y, por tanto, mayor ruido. Por otra parte, la velocidad de respuesta del dispositivo est limitada por el tiempo de recombinacin de los portadores inyectados, de forma que un mayor conduce a un dispositivo ms lento. En dispositivos de Si donde puede ser muy grande, se pueden llegar a obtener ganancias de hasta 1000 o ms. Pero el aumento de ganancia se paga con una prdida de velocidad. Por tanto el producto ganancia - ancho de banda permanece constante. Aunque el detector fotoconductivo puede llegar a tener una gran ganancia, tambin presenta mucho ruido ya que tiene una gran corriente de oscuridad (como se puede comprobar a partir de la expresin de la conductividad). Por el contrario, diodos p-n o p-i-n inversamente polarizados tienen corrientes de oscuridad muy bajas y por tanto una mejor relacin seal/ruido.
B.4.6.1.
Caracterizacin elctrica de fotoconductores
Como en la mayora de los dispositivos fotnicos la respuesta espectral de los fotoconductores depende del gap de energa existente en el material, siendo la expresin que determina la longitud de onda de corte c la vista con anterioridad: (B.4.89) Material PbSe PbS Ge Si CdSe CdS Gap de energa (eV) 0,23 0,42 0,67 1,12 1,80 2,40 c (nm) 5390 2590 1850 1110 690 520
B.4-33
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Aparte de los materiales que se muestran en la tabla anterior existen dispositivos de Ge o Si dopado con gaps energticos de hasta 0,04eV que se corresponden con una mxima longitud de onda de respuesta de alrededor de 30m. Debido a que la anchura de la banda prohibida es baja, estos materiales presentan corrientes trmicas muy altas y necesitan un buen sistema de refrigeracin para su correcto funcionamiento. Para longitudes de onda menores que la mxima c la responsividad disminuye de forma lineal con la longitud de onda. En un detector se define la potencia equivalente del ruido (NEP) como la potencia aplicada al detector que produce una seal de salida igual al valor RMS del ruido de salida del detector. Dicha magnitud es un parmetro til cuando se comparan detectores similares bajo condiciones similares. Un detector con un NEP menor indica que es ms sensible al realizar las medidas. La recproca del NEP es la detectividad D, que suele darse normalizada D* para un detector de rea AD y para una anchura de banda del ruido f: (B.4.90) La detectividad normalizada de los detectores mostrados en la tabla anterior vara entre aproximadamente 108 y 109. Los fotoconductores que utilizan un sistema de refrigeracin y operan a temperaturas criognicas alcanzan valores de detectividad normalizada por encima de 1011. En consecuencia, estos ltimos presentan ventajas frente a los detectores trmicos en aplicaciones donde se requiera una respuesta espectral no demasiado ancha, simplicidad y bajo coste.
Fig. B.4.27: Respuesta espectral de varios materiales.
La conductividad (o resistencia) de un fotoconductor aumenta (o disminuye) si aumenta la irradiacin. La relacin es casi logartmica en un rango muy amplio. La relacin resistencia - iluminacin se describe con la siguiente ecuacin, (B.4.91) donde, Ra: resistencia () bajo iluminacin Ea, Rb: resistencia () bajo iluminacin Eb; Ea, Eb: iluminacin (lx) y : pendiente caracterstica de la curva resistencia - iluminacin. B.4-34
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La pendiente entre dos puntos a y b de la curva resistencia - iluminacin puede ser calculada de la siguiente forma: (B.4.92) suele valer entre 0,55 y 0,9. En los datos del fabricante generalmente se puede encontrar y los valores de la resistencia para unos valores determinados de iluminacin o una familia de curvas. Tambin se suele dar informacin sobre la fuente de luz utilizada que suele ser tungsteno a una temperatura color de 2856K y que corresponde a una bombilla incandescente normal.
Fig. B.4.28: Curva caracterstica de iluminacin/resistencia de una fotorresistencia.
El valor de la resistencia y su responsividad depende del material fotosensible y de la construccin del detector. Como la mayor parte de los dispositivos conectados al detector no responden a un cambio en la resistencia, sino que requieren un cambio en la tensin o en la corriente, el fotoconductor requiere el uso de una fuente de polarizacin y una resistencia de carga RL. En fotoconductores, la responsividad suele expresarse de forma relativa como el cambio relativo en la resistencia dividido por el cambio relativo en la iluminacin (o flujo luminoso):
(B.4.93)
B.4-35
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donde RERc: es la responsividad relativa, Rc/Rc: variacin relativa de la resistencia, E/E: cambio relativo de iluminacin (o bien flujo luminoso). De acuerdo con esta definicin, si la iluminacin cambia un 10% y la resistencia se modifica un 4%, la responsividad vale 0,4. A partir de la expresin de la relacin resistencia iluminacin obtenemos, (B.4.94) y para valores pequeos de Rc/Rc y E/E podemos hacer la siguiente aproximacin, (B.4.95) Por tanto para un fotoconductor con = 0,5 un aumento de iluminacin del 10% disminuye la resistencia un 5%. Para = 1,0 un aumento de iluminacin del 10% disminuye la resistencia un 10%.
Fig. B.4.29: Circuitos de polarizacin de una fotorresistencia y sus curvas de respuesta.
Como la utilizacin del fotoconductor en un circuito con polarizacin requiere de una resistencia serie RL (Fig. B.4.29 (a) y (c)), la definicin de responsividad se modifica ya que el cambio relativo en la resistencia se traduce ahora en un cambio relativo en la tensin de salida. (B.4.96)
B.4-36
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As la responsividad relativa expresada en funcin de Rc es, para cada uno de los circuitos: (B.4.97)
En el circuito (a) si aumentamos RL aumentar la tensin de salida pero al mismo tiempo disminuir la responsividad. En este caso, RERL/RERC = Rc/(RL+Rc) es el factor en el que disminuye la responsividad del circuito con respecto a la responsividad natural del fotoconductor. En el caso del circuito de polarizacin (b) el comportamiento es el contrario al caso anterior, es decir, la responsividad aumenta al aumentar el valor de RL (RERL/RERC=RL/(RL+Rc)) aunque disminuye la tensin de salida. Por tanto, deberemos elegir en cualquiera de los dos casos entre una mayor tensin de salida o una mayor responsividad. Los fotodetectores estn limitados en sus aplicaciones por la corriente mxima que circula por ellos as como la tensin mxima aplicable. Tampoco se debe exceder la potencia mxima que son capaces de disipar. Suelen tener tambin unos mrgenes muy amplios de tolerancias entre el 30% y el 50%.
Fig. B.4.30: Limites de potencia a disipar y tensin mxima de una fotorresistencia.
Los tiempos de subida y bajada tambin sufren de una gran tolerancia. Estos dependen no nicamente del material semiconductor sino que varan de forma muy acusada con la iluminacin, pudiendo llegar a ser del orden de 1 segundo para bajos niveles de iluminacin. En el mejor de los casos son del orden de unos milisegundos, no siendo pues muy til el fotodetector para comunicaciones pues en estas se requiere una gran velocidad de transmisin de datos. Su utilidad se limita pues al control, lectura de tarjetas o aplicaciones similares.
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Fig. B.4.31: Tiempos de subida y cada de una fotorresistencia tpica.
Su dependencia con la temperatura tambin es muy acusada y depende del material, tcnica de fabricacin e iluminacin. Esto hace que no pueda ser especificado para este tipo de detector un coeficiente de temperatura fijo.
Fig. B.4.32: Efectos de la temperatura sobre una fotorresistencia.
Un fenmeno muy caracterstico de los fotoconductores es el efecto memoria y es que el valor de la resistencia depende de cual ha sido la iluminacin anterior. Si, por ejemplo, iluminamos una fotoconductor con 1000lx durante varias horas y despus se ilumina con 1lx la resistencia que medimos (RL) es mucho mayor que si la clula hubiese estado en la oscuridad (RD). RL/RD puede llegar a valores de 5 para iluminaciones en el orden de 0,1lx.
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Fig. B.4.33: Efecto memoria en una fotorresistencia.
Podemos pues concluir que el fotoconductor no es muy estable y por tanto poco til para medidas precisas, pero es muy econmico, sencillo y de larga duracin. An as es conveniente tener en cuenta en el diseo sus amplios mrgenes de variacin.
B.4.7.
El fotodetector de avalancha
Existe un tipo de fotodetector que en su funcionamiento emplea el efecto de avalancha a fin de obtener altas ganancias. Mientras que en el fotodiodo p-i-n la ganancia ser como mximo uno, en el fotodiodo de avalancha (APD), la ganancia puede ser muy grande. El principio del efecto avalancha se produce cuando un electrn (hueco) altamente energtico genera un par electrn - hueco. Normalmente este proceso, que ocurre en presencia de elevados campos elctricos, limita el funcionamiento a alta potencia de los dispositivos electrnicos, pero en los APD es aprovechado para multiplicar los portadores generados por un fotn. El proceso de multiplicacin por avalancha requiere que el electrn inicial tenga una energa algo mayor que el gap de energa ya que tanto la energa como el momento deben ser conservados como ya se coment en este tema. A los coeficientes de ionizacin por impacto de los electrones y huecos se les llama imp y imp respectivamente, que dependen fuertemente de la anchura de la banda prohibida del material. En la siguiente figura se muestran sus valores para algunos semiconductores importantes.
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Fig. B.4.34: Coeficientes de ionizacin por impacto de electrones y huecos a 300K en funcin del campo elctrico para Ge, Si, In0.53Ga0.47As y InP.
Si el campo elctrico es constante entonces imp es constante y el nmero de veces que el electrn inicial provoca ionizacin por impacto al recorrer una distancia x es: (B.4.98) Debido a la multiplicacin de portadores, los APD tienen una muy alta ganancia y es por ello que son ampliamente utilizados en sistemas de comunicacin ptica. Sin embargo, como el proceso multiplicativo es un proceso estadstico, la generacin de portadores presenta una fluctuacin y la fotocorriente resultante tiene un exceso de ruido. Es decir que el APD es un dispositivo bastante ruidoso. Los APD tienen una gran ganancia lo que nos permite detectar seales pticas muy dbiles, aunque el producto ganancia - ancho de banda se mantiene constante lo que nos indica que la deteccin de seales dbiles se hace a costa de una reducida velocidad de respuesta. Adems requieren tensiones inversas bastante elevadas para su funcionamiento y una temperatura estable. Los diodos p-i-n tienen en la actualidad una fiabilidad mayor que los APD lo que limita su uso a aplicaciones donde se requiere una alta ganancia.
B.4.7.1.
Diseo de un APD
Lo ms importante de un APD es tener una zona de absorcin que sea lo suficientemente ancha como para permitir la absorcin. Esta regin debe tener una anchura de al menos 1/() y puede valer desde una micra para semiconductores de gap directo hasta varias decenas de micras para semiconductores de gap indirecto. En general se diferencia entre la zona de absorcin y la zona de avalancha (especialmente si la zona de absorcin es mayor de una micra), debido a la dificultad de mantener un campo elctrico muy grande constante en una regin grande de absorcin. Para que se inicie el proceso de avalancha son necesarios campos elctricos 105V/cm. Si el campo no es uniforme en esta zona de B.4-40
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absorcin, se pueden producir oscilaciones de carga locales y la salida del dispositivo pasa a ser impredecible y difcil de controlar. En la siguiente figura (a) se muestra la estructura de un APD de silicio. sta es del tipo n -p--p+. La zona n+ es estrecha y es la zona que es iluminada a travs de una ventana. A continuacin se tienen tres capas de tipo p con diferentes niveles de dopado para modificar adecuadamente (como se ver a continuacin) la distribucin del campo elctrico a lo largo del APD. La primera es una fina capa de tipo p y la segunda es una gruesa capa de tipo p muy dbilmente dopada (casi intrnseca) llamada capa y la tercera capa fuertemente dopada p+. l diodo est inversamente polarizado para as incrementar el campo en la zona de agotamiento. La distribucin espacial de carga neta a travs del APD se muestra en (b) y es debida a la concentracin de impurezas dopantes ionizadas. En ausencia de polarizacin la zona de agotamiento de la unin n+-p est limitada a las zonas n+ y p, no extendindose ms all de esta ltima capa. Pero, cuando la polarizacin inversa aplicada es suficiente, la zona de agotamiento se extiende por la zona , pudiendo incluso llegar a la p+. Por tanto, el campo elctrico (presente en toda la zona de agotamiento) se extender desde la zona n+ en que se tienen impurezas dadoras ionizadas positivamente hasta la zona p+, en que se tienen impurezas aceptoras ionizadas negativamente.
+
El campo elctrico viene dado por la integracin de la densidad espacial de carga neta net a lo largo del diodo para una tensin de polarizacin inversa Vr aplicada (c). El campo elctrico E es mximo en la unin metalrgica de las zonas n+ y p, disminuyendo lentamente a lo largo de la zona p. En la capa disminuye muy poco ya que la densidad espacial de carga en esta zona es muy pequea. El campo decae al final de la estrecha porcin de la zona de agotamiento que se extiende sobre la capa p+.
Fig. B.4.35: a) Esquema de APD polarizado para tener una ganancia por avalancha, b) Densidad de carga espacial neta a lo largo del APD, c) perfil del campo elctrico donde se diferencian las zonas de absorcin y de avalancha.
B.4-41
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La absorcin de fotones y, por tanto, la fotogeneracin tiene lugar principalmente en la gruesa capa . En sta, el campo es prcticamente uniforme y es posible disear la estructura de forma que sea bastante grande como para que todos los portadores se muevan con su velocidad de saturacin (vs(e) o vs(h)). Por tanto, los pares electrn-hueco son arrastrados por dicho campo a velocidades de saturacin hacia las capas n+ y p+ respectivamente. Cuando los electrones arrastrados alcanzan la capa p, estn sujetos a un campo elctrico todava mayor y, por lo tanto, adquieren suficiente energa cintica (mayor que Eg) para ionizar por impacto y provocar la generacin de un nuevo par electrn-hueco. Estos nuevos pares electrn-hueco pueden de nuevo ser acelerados por el intenso campo elctrico en esta regin y alcanzar suficiente energa cintica para causar de nuevo ionizacin por impacto y producir ms pares electrn-hueco lo que conduce a una avalancha de procesos de ionizacin por impacto. Por tanto, a partir de un nico electrn que entra en la capa p se puede generar un gran nmero de pares electrn-hueco, todos los cuales contribuyen a la fotocorriente observada. El APD posee un mecanismo de ganancia interno de forma que la absorcin de un solo fotn conduce a la generacin de un gran nmero de pares electrn-hueco.
Fig. B.4.36: (a) Esquema del proceso de ionizacin por impacto.
Otra razn para mantener la fotogeneracin dentro de la regin y razonablemente separada de la regin de avalancha es la minimizacin del ruido. Tal y como se coment, la multiplicacin por avalancha es un proceso estadstico y, por tanto, existe una fluctuacin de la generacin de portadores que conduce a un ruido presente en la fotocorriente. Este se puede minimizar si la ionizacin por impacto se restringe al portador con mayor coeficiente de ionizacin por impacto, que para el caso del silicio es el electrn. Por ello, la estructura vista anteriormente del APD permite a los electrones fotogenerados alcanzar la regin de avalancha pero no a los huecos fotogenerados. La multiplicacin de portadores en la regin de avalancha depende de la probabilidad de que se produzca una ionizacin por impacto, que a su vez depende fuertemente del campo elctrico en dicha regin y, por tanto, de la tensin de polarizacin inversa. El factor multiplicativo por avalancha efectivo o conjunto M de un APD se define como: (B.4.99) donde Iph es la fotocorriente del APD resultado del proceso de multiplicacin por avalancha e Ipho es la fotocorriente primaria sin multiplicaciones, es decir, la que es medida en ausencia de multiplicacin por avalancha, por ejemplo, bajo una pequea polarizacin inversa Vr. El factor multiplicativo M depende de la tensin de polarizacin inversa y tambin de la temperatura y puede expresarse de forma emprica como:
B.4-42
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(B.4.100)
donde Vbr es la tensin de ruptura por avalancha, R es una resistencia efectiva de regiones semiconductoras ms contactos, I es la corriente total y n es un ndice caracterstico para ajustar los datos experimentales que depende a su vez de la temperatura. Por tanto, tanto Vbr como n dependen fuertemente de la temperatura. En el APD, por tanto, la ganancia depender mucho de la temperatura (adems de la tensin inversa aplicada). Es por tanto muy importante mantener el dispositivo a una temperatura constante. La velocidad de los APD depende de tres factores. El primero es el tiempo que tarda el electrn fotogenerado en cruzar desde la regin de absorcin (capa ) hasta la regin de multiplicacin (capa p). El segundo es el tiempo que tarda el proceso de avalancha en producirse en la regin p y generar pares electrn-hueco. El tercero es el tiempo que tarda el ltimo hueco producido en el proceso de avalancha en llegar hasta la regin . El tiempo de respuesta de un APD a un pulso ptico es, por lo tanto, algo mayor que el de una estructura p-i-n. Sin embargo, el APD no requiere de una amplificacin electrnica que s necesita el fotodiodo p-i-n y que puede dar lugar a que la velocidad conjunta sea incluso inferior a la del APD. Uno de los inconvenientes de esta simple estructura de APD es que el campo en las zonas laterales de la unin n+p alcanza su valor de ruptura por avalancha antes de que se alcance en las regiones de la unin n+p que estn situadas bajo el rea iluminada. En el caso ideal la multiplicacin por avalancha debera ocurrir nicamente y de forma uniforme en la regin iluminada para favorecer la multiplicacin por avalancha de la fotocorriente primaria y no se debera producir el efecto multiplicativo de la corriente de oscuridad (debida a pares electrn-hueco generados trmicamente) que es la que est presente en las zonas no iluminadas. En la prctica en un APD de silicio se colocan unas guardas en los laterales de la zona central n+ de forma que la tensin de ruptura en estos laterales sea mayor y, por tanto, la avalancha queda ms confinada a la regin iluminada. Las capas n+ y p son muy estrechas (<2m) para reducir la absorcin en dichas regiones de forma que la absorcin ocurra fundamentalmente en la capa ms gruesa.
Fig. B.4.37: (a) Estructura de un APD de Si sin guarda. (b) Estructura ms prctica de un APD de Si.
En materiales de gap directo, en principio no es necesaria la gran zona de absorcin vista con anterioridad y los dispositivos se pueden construir con zonas de absorcin y avalancha finas (las cuales pueden llegar a ser incluso la misma regin fsica). Pero para B.4-43
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materiales de gap estrecho, los campos elctricos necesarios para producir una ionizacin por impacto produciran una corriente de prdidas excesiva debido al efecto tnel entre bandas. Para evitarlo se utilizan dos zonas diferenciadas para la absorcin y la multiplicacin, tal y como tambin hemos visto para el APD de Si. Estos son los APD basados en componentes de las columnas III y IV de la tabla peridica y se llaman SAM APD (separate absorption and multiplication). Un esquema se muestra en la siguiente figura. El InP es el material que presenta una mayor anchura de la banda prohibida. El campo elctrico es mximo en la unin p+-n de InP y es all donde tiene lugar el proceso de multiplicacin por avalancha. Los fotones incidentes en la capa de InP no son absorbidos por el InP pues la energa del fotn es menor que la anchura de la banda prohibida de dicho material, por lo que la atraviesan y son absorbidos en la capa n de InGaAs. La multiplicacin ocurre, por tanto, en materiales de gap mayor mientras que la absorcin tiene lugar en materiales de gap estrecho. Se utiliza una regin de dopado gradual para evitar que los huecos generados en la absorcin queden atrapados en la discontinuidad existente en la banda de valencia entre el InGaAs y el InP.
Fig. B.4.38: Fotodiodo de avalancha tipo SAM. El proceso de avalancha ocurre en la zona InP y la absorcin en la regin InGaAs.
B.4.8.
El fototransistor
Aunque el APD tiene una elevada ganancia, es un dispositivo muy ruidoso debido a la naturaleza aleatoria del proceso de multiplicacin de portadores. La utilizacin de transistores B.4-44
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bipolares como fototransistores permite tambin obtener ganancia debido al efecto transistor y adems reduce considerablemente el ruido frente al APD. El principio bsico de funcionamiento del fototransistor se muestra en la siguiente figura (b). En un fototransistor ideal, el campo elctrico est nicamente presente en las zonas de agotamiento (SCL = space charge layer). El terminal de base del fototransistor est generalmente sin conectar y se tiene una tensin aplicada entre los terminales de colector y emisor como ocurre en el normal funcionamiento de un BJT en configuracin de emisor comn. Cuando, al iluminar la regin de base, un fotn incidente es absorbido en la zona de agotamiento (SCL) entre base y colector, se genera un par electrn - hueco. El campo elctrico presente en la zona de agotamiento separa el electrn y el hueco arrastrndolos en sentidos opuestos. El movimiento de estos portadores da lugar a la llamada fotocorriente primaria Ipho que fluye desde el colector hacia la base. Esta fotocorriente primaria constituye de forma efectiva una corriente de base aunque la base est sin conectar. Cuando el hueco fotogenerado entra en la zona neutra de base arrastrado por el campo elctrico constituye la corriente de base y provoca por el efecto transistor la inyeccin de gran cantidad de electrones desde el emisor. Esto es debido a que slo una pequea fraccin de los electrones inyectados por el emisor pueden recombinarse con huecos presentes en la base, lo que hace que el emisor tenga que inyectar un gran nmero de electrones para neutralizar este hueco extra en base. Estos electrones (excepto uno) se difunden a travs de la base y alcanzan el colector, constituyendo una fotocorriente amplificada Iph. Esta inyeccin de electrones en la base puede argumentarse tambin de la siguiente forma. La fotogeneracin de pares electrn - hueco en el colector disminuye la resistencia de esta regin, lo que disminuye la tensin VBC presente en la unin base-colector. Como VBE+VBC=VCC, la tensin base-emisor VBE debe aumentar. Luego se produce un incremento en la tensin de polarizacin directa de la unin base - emisor lo que produce un incremento en la inyeccin de electrones en la base, IE .
(a)
B.4-45
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(b) Fig. B.4.39: a) Esquema del fototransistor, b) principio de funcionamiento del fototransistor.
Como la fotocorriente primaria Ipho generada por el fotn absorbido es amplificada como si fuese la corriente de base: (B.4.101) donde es la ganancia en corriente (o hFE) del transistor. La ganancia total se debe calcular multiplicando este resultado por , que corresponde a la fraccin de luz absorbida por la unin b-c del transistor. Las prdidas debido a la reflexin y transmisin a travs del dispositivo reducen el valor de que ser menor que la unidad. La construccin del fototransistor es similar a la de un transistor ordinario salvo que se ilumina la regin de base y se ha de tener en cuenta en su construccin que la absorcin de la radiacin incidente ha de ser en la unin base-colector. Para proporcionar al transistor una sensibilidad direccional se suelen utilizar lentes.
Fig. B.4.40: Fototransistor y su diagrama de deteccin de radiacin.
Aunque tiene alta ganancia y bajo ruido, el uso del fototransistor est limitado por su alto tiempo de respuesta debido a la capacidad asociada a su unin b-c. Debido a estos tiempos de respuesta elevados no puede competir con el fotodiodo, teniendo adems una B.4-46
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menor linealidad. Esta menor linealidad es debida principalmente a la no linealidad de con la corriente de colector. Las curvas del fototransistor son las mismas que las del transistor excepto que en vez de corriente de base se utiliza la irradiacin para su caracterizacin. Por otra parte la tolerancia de la responsividad del fototransistor es muy alta (del 50% al +100%) y vara principalmente con el nivel de radiacin y con la temperatura. Por tanto hay que tener en cuenta una gran variacin de parmetros en el diseo con fototransistores.
Fig. B.4.41: Curvas caractersticas del fototransistor.
Como en un fotodiodo, la corriente de oscuridad es el principal factor que limita la sensibilidad de la deteccin. La corriente de oscuridad es funcin de la temperatura ambiente y de las condiciones de funcionamiento. La corriente de oscuridad se incrementa en un factor 10 por cada 20C de incremento de la temperatura ambiente. Tambin es funcin de la cada de tensin colector - emisor.
Fig. B.4.42: Curvas de corriente de oscuridad del fototransistor.
Tal y como hemos visto con anterioridad, el tiempo de subida en un fotodiodo es bastante pequeo siendo una transicin rpida. En el caso de un fototransistor, el tiempo de subida es mayor ya que se ve afectado por las capacidades de las uniones base-emisor y baseB.4-47
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colector y por los tiempos de vida media de los portadores en la zona de agotamiento de la unin del transistor. Un valor tpico es del orden de pocos microsegundos. Adems, debido a la capacidad de la unin los tiempos de subida y de bajada dependen de la resistencia de carga. Cuanto mayor es la resistencia de carga, mayor es el tiempo de subida y menor el ancho de banda del dispositivo.
Fig. B.4.43: Curva tpica del fototransistor de frecuencia de corte frente a resistencia de carga.
Como la ganancia del fototransistor es proporcional al valor de la resistencia de carga, no es posible obtener una rpida respuesta y una alta ganancia, por lo que habra que buscar una solucin de compromiso. Sin embargo, el problema puede ser solucionado utilizando un transistor en configuracin de base comn, que presenta una impedancia de entrada muy baja.
Fig. B.4.44: Circuito con fototransistor para funcionamiento a alta frecuencia.
La respuesta espectral de un fototransistor de Si cubre desde el rango de la luz visible hasta el infrarrojo como se muestra en la siguiente figura:
B.4-48
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Fig. B.4.45: Respuesta espectral tpica de un fototransistor de silicio.
B.4.9.
Detectores metal - semiconductor
Estos fotodetectores se basan en el principio de los diodos Schottky. Su ventaja principal es que es un dispositivo de portadores mayoritarios por lo que no sufre retrasos debidos al tiempo de vida de los portadores minoritarios. Existen dos configuraciones. La primera es una estructura de mesa con una capa n+ sobre un substrato semiaislante. La capa activa que absorbe la luz est ligeramente dopada (Nd~1015cm3) y se deposita sobre ella una fina capa de metal semitransparente. La pelcula de metal es lo suficientemente gruesa para que se forme la barrera Schottky (de 300 a 400) pero lo suficientemente delgada para que la atraviese la luz. Se suele aplicar material dielctrico antireflectante y el rea del dispositivo se mantiene pequea (del orden de 105cm2) para una mejor absorcin de la luz. En la siguiente figura tambin se muestra el diagrama de bandas del dispositivo donde se puede observar la altura de la barrera Schottky ebn y la cada de potencial a lo largo de la barrera. Cuando incide la luz sobre el diodo, ste puede responder de dos formas: i) > ebn. En este caso los electrones excitados pueden saltar la barrera Schottky. Como consecuencia, aparecer una fotocorriente que fluir por el dispositivo. Esta corriente se sumar a la corriente de oscuridad en el diodo en polarizacin inversa. > Eg. En este caso se producirn pares electrn - hueco en el semiconductor. Como suceda en el caso del fotodiodo, los portadores generados en la zona de agotamiento sern arrastrados fuera de dicha zona produciendo la corriente fotnica.
ii)
B.4-49
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Fig. B.4.46: a) Esquema de un detector de barrera de tipo Schottky, b) perfil de las bandas de energa del detector.
En dispositivos de alta velocidad la zona de agotamiento slo mide unas pocas micras con lo que se obtienen altas velocidades (hasta 150GHz). Otro tipo de detector basado en una unin metal-semiconductor es el metalsemiconductor-metal (MSM) en el que hay dos barreras Schottky cercanas la una a la otra. En la prctica se utiliza una estructura interdigitada como la mostrada en la siguiente figura. Tanto los electrodos como la regin fotosensible estn sobre la misma cara del semiconductor, por lo que a esta estructura se la llama planar. A los contactos metlicos planos se les llama "dedos" (fingers). La distancia entre los "dedos" es pequea (del orden de 1m a 5m) por lo que al aplicar una tensin de polarizacin entre los contactos, toda la regin entre los dos "dedos" constituye una zona de agotamiento en la que hay presente un campo elctrico relativamente alto. Un fotn absorbido en la zona entre los "dedos" crea un par electrn-hueco, siendo cada uno de estos portadores arrastrado en un sentido diferente por el campo elctrico y dando lugar a una corriente. Si en ausencia de luz se aplica una tensin de polarizacin a travs de los "dedos", una unin estar inversamente polarizada y la otra directamente polarizada. Sin embargo, como todo el semiconductor forma una zona de agotamiento, la corriente en la unin polarizada directamente no es la alta corriente de electrones de una unin polarizada directamente. En su lugar tenemos una corriente debida a los huecos inyectados desde el metal sobre la barrera ebp (Fig. B.4.47b). Como consecuencia la corriente de oscuridad del dispositivo es el resultado de las corrientes de saturacin de electrones y huecos, cuya densidad de corriente ser: B.4-50
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(B.4.102) donde y son las constantes de Richardson efectivas para el electrn y el hueco.
La densidad de corriente de oscuridad es normalmente mayor que la de los diodos p-i-n. Sin embargo, se pueden conseguir valores suficientemente bajos para la mayor parte de aplicaciones. La ventaja de los detectores MSM es que presentan una ganancia interna incluso para bajos valores de la tensin de polarizacin, valores para los que el proceso de ionizacin por impacto no puede tener lugar. Se han fabricado tanto en sistemas de GaAs como InGaAs por lo que son aplicables tanto a redes locales como a comunicaciones a larga distancia. Otra ventaja de este tipo de fotodetector es que su estructura planar da lugar a una baja capacidad parsita de forma que es posible obtener un mayor ancho de banda (300GHz). Debido tambin a su estructura planar su fabricacin es ms fcil. Un inconveniente que presenta es su relativamente baja responsividad, que vara entre 0,4 y 0,7A/W. El estudio de los fotodetectores MSM continua en la actualidad estando en desarrollo todava, por lo que se espera que un gran nmero de estos dispositivos compitan en el mercado en un futuro prximo.
Fig. B.4.47: a) Esquema del detector MSM utilizando "dedos" entrelazados Schottky, b) perfil de bandas del fotodiodo MSM polarizado.
B.4.10. El amplificador receptor

Hasta ahora slo hemos hablado de detectores pero tambin es importante tener en cuenta los amplificadores necesarios a continuacin de la deteccin para procesar adecuadamente la informacin. La fotocorriente suele ser muy pequea y tiene que ser B.4-51
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amplificada. Para diodos p-i-n es imprescindible la amplificacin ya que el dispositivo no presenta ganancia. Para sensibilidades altas, la ganancia interna puede ser proporcionada por un fototransistor, fotoconductor n-i-n o un APD. Los detectores p-i-n y APD son los detectores ms utilizados en aplicaciones en que se requieren altas velocidades y alta sensibilidad. El detector p-i-n est basado en materiales de gap directo para tener una zona de absorcin corta y alta velocidad y los APD estn fabricados de Si, Ge y semiconductores compuestos como el InGaAs. En un APD es necesario mantener estables los valores de tensin y temperatura lo que hace que el sistema sea ms caro y menos fiable (especialmente si ste est situado en una regin de difcil acceso). Por esta razn por ejemplo, se utilizan fotodiodos p-i-n en lugar de APDs en comunicaciones pticas a larga distancia bajo el mar. El esquema general de un sistema receptor se muestra en la siguiente figura. La amplificacin es proporcionada por un transistor que puede ser un transistor de efecto de campo o un transistor bipolar. La eleccin del transistor es muy importante en el diseo del receptor, el cual queremos que tenga una alta ganancia y un bajo nivel de ruido. Es por ello que se suele utilizar un transistor de efecto de campo (FET) en el sistema preamplificador receptor pues ofrece un menor nivel de ruido, adems de poder trabajar hasta muy altas frecuencias. Los avances en tecnologa FET han venido por la utilizacin de semiconductores compuestos y por el empleo de dispositivos basados en el uso de heteroestructuras como los MODFET. Tambin los recientes avances en tecnologa HBT estn siendo explotados para su utilizacin en un sistema receptor integrado HBT-detector.
Fig. B.4.48: Esquema de un sistema receptor de seal ptica. La etapa de entrada est detallada.
Despus del preamplificador existir un ecualizador que le dar al pulso de nuevo su forma original (pues ste es normalmente distorsionado en el proceso de deteccin) y a continuacin el postamplificador amplificar el pulso hasta el nivel deseado. Por ltimo un filtro limitar el ancho de banda del sistema receptor al valor elegido. Adems del ruido del propio detector, existen otras fuentes de ruido que limitan las prestaciones del sistema receptor. Estas incluyen el ruido en la resistencia de carga RL y el ruido en el canal del transistor. A bajas frecuencias (aprox. 500MHz) el ruido dominante es el de la resistencia de carga. A frecuencias mayores el ruido predominante es el del canal del transistor. B.4-52
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B.4.11. Dispositivos de carga acoplada (CCD)

La tecnologa CCD se basa en la necesidad de tener que detectar toda una imagen y por tanto utilizar muchos detectores formando una matriz que transfieren su informacin a una memoria. Esta tecnologa ha reemplazado los tubos de vaco por circuitos integrados que producen imgenes de alta resolucin. En la actualidad existen CCDs de hasta 2 millones de pixels. El elemento principal de la tecnologa CCD es la capacidad que aparece en uniones metal - aislante - semiconductor (MIS) o metal - xido - semiconductor. En un condensador MOS si le aplicamos tensin positiva con respecto al metal (para un semiconductor de Si de tipo p; negativa para Si de tipo n) a la puerta para generar un zona de agotamiento en el semiconductor, aparece un pozo de potencial bajo la puerta donde pueden quedar atrapados los electrones.
Fig. B.4.49: a) Condensador MOS, b) perfil de banda de un condensador MOS con polarizacin positiva y sin luz, c) efecto de una seal ptica, i.e. acumular electrones en el pozo de potencial.
Cuando incide una seal ptica en el condensador MOS, se crean pares electrn-hueco como en cualquier otro semiconductor y los electrones caen en el pozo de potencial. Los huecos generados son arrastrados lejos de la unin xido - semiconductor debido a la
B.4-53
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presencia del campo elctrico. La carga de los electrones almacenados en el pozo es proporcional a la luz incidente y por tanto da informacin del nivel de gris de la imagen. En una CCD se conecta una matriz de condensadores MOS, como se muestra en la siguiente figura y se expone dicha matriz a una imagen durante un cierto tiempo, para a continuacin transferir las cargas producidas en cada condensador MOS a una memoria. Para ello hay que cambiar los potenciales aplicados a la puerta en una secuencia de reloj. En la figura tenemos representado el caso en que en la zona intermedia V2 tenemos un exceso de electrones bajo la puerta. Si la tensin V3 en la siguiente puerta se incrementa a un valor mayor que V2 (por ejemplo V1=5V; V2=10V, y V3=15V), la barrera para la carga de electrones de la derecha desaparecer y los electrones caern en el pozo de potencial de la tercera capacidad MOS. En consecuencia, se tiene una transferencia de carga. Esta secuencia de paquetes de carga crea una seal elctrica que puede ser almacenada en una memoria para ser rellamada ms tarde si fuera necesario.
Fig. B.4.50: Matriz de condensadores MIS (metal-insulator-semiconductor) donde aplicando una tensin apropiada a cada condensador, podemos transferir la informacin de cada condensador hacia el exterior.
Fig. B.4.51: a) Matriz CCD donde cada condensador est conectado a su tercer vecino, b) evolucin de la carga del condensador dependiendo de la secuencia de tensin aplicada mostrada en c).
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B.4.12. Detectores avanzados

Los aspectos ms importantes a tener en cuenta en un detector son: i) ii) iii) la capacidad de sintonizarlos velocidad integracin
El primero de los aspectos, la posibilidad de sintonizar un detector se puede realizar utilizando distintos materiales con diferentes gaps energticos que permiten detectar fotones de diferentes energas. En la actualidad lo ms problemtico es la deteccin de longitudes de onda largas. Estas longitudes de onda son importantes en la visin nocturna, la visin trmica (mdica) y visin a travs de la niebla. Para estas tcnicas se utilizan materiales de gap estrecho como las aleaciones de HgCdTe o InAsSb. Estos materiales no son muy duros y por tanto ms propensos a defectos y de difcil procesado. En la actualidad tambin se estn estudiando estructuras avanzadas de pozos cunticos. La velocidad de los detectores est controlada por la constante de tiempo RC y por el tiempo de trnsito de los portadores. Por tanto el diseo de la velocidad del dispositivo se hace empleando las mismas ya conocidas tcnicas aplicadas a semiconductores. Los dispositivos se hacen lo ms pequeos posibles y para materiales como el InGaAs se consiguen anchos de banda de hasta 150MHz. Para alta velocidad e integracin se utilizan los diodos Schottky con los que se ha llegado a alcanzar anchos de banda de hasta 150GHz. En la actualidad se est investigando en integrar transistores a los detectores para obtener mejores ganancias, pero las tcnicas actuales an no producen resultados lo suficientemente satisfactorios, ya que las estructuras hbridas an son superiores a los integrados optoelectrnicos.
B.4-55
B.5. El diodo de emisin de luz (LED)
B.5.1.
Introduccin
Una importante componente del procesado ptico de la informacin es la generacin de seales pticas. Las seales pticas se utilizan en comunicaciones donde los resultados que se obtienen al utilizar fibras pticas para la transmisin de la informacin son mucho mejores que los obtenidos mediante la utilizacin de cables metlicos. Las seales pticas son necesarias para la proyeccin de la informacin en dispositivos visualizadores. Los haces pticos son necesarios tambin en sistemas de memoria basados en lectura ptica. El diodo emisor de luz o LED es uno de los dispositivos fotnicos ms sencillos y tiene importantes aplicaciones tanto para visualizacin como para generar seales pticas en comunicaciones. Comparado con el diodo lser (LD) su fabricacin es mucho ms sencilla pues no requiere una cavidad ptica especial para su funcionamiento. Aunque sus desventajas son una baja seal ptica, un espectro muy ancho y de luz no coherente y una respuesta bastante lenta.
B.5.2.
Materiales para los LEDs
La simplicidad del LED lo hace muy atractivo como componente para la visualizacin y las aplicaciones de comunicacin. El LED puede operar hasta frecuencias de modulacin de 1GHz. La anchura espectral de la seal ptica de un LED es del orden de kBT lo que se traduce en un margen de longitudes de onda entre 200 -300 a temperatura ambiente. Aunque esto es un espectro bastante amplio, para el ojo humano representa un solo color. Como aplicacin reciente cabe destacar la utilizacin de LEDs como luces traseras en vehculos y en semforos. La estructura bsica de un LED es una unin p-n la cual est directamente polarizada inyectndose electrones y huecos en las zonas p y n respectivamente. La carga correspondiente a los portadores minoritarios inyectados en cada una de estas zonas se recombina con la correspondiente a la de los portadores mayoritarios bien en la zona de agotamiento o bien en las zonas neutras. En semiconductores de gap directo, esta recombinacin da lugar a una emisin de luz (fotones), es decir, que en estos materiales de alta calidad domina la recombinacin radiante. Sin embargo, en materiales de gap indirecto el rendimiento de la emisin de luz es bastante pobre, la mayor parte de las recombinaciones tiene un rendimiento muy bajo generando mas bien calor que luz. Los dispositivos emisores de luz (LEDs) son una de las clases de dispositivos que ha dado mayor mpetu a la industria de los componentes semiconductores. Como el silicio (Si) es un material de gap indirecto, y la recombinacin radiante en l es muy pobre, dicho material que domina todas las dems reas de la electrnica, no es un material utilizado cuando se habla de emisin de luz (LEDs). As, las consideraciones a tener en cuenta a la hora de elegir un material para la fabricacin de LEDs son las siguientes. B.5-1
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Tema B.5: El diodo emisor de luz (LED)
Energa de emisin: La luz emitida por un dispositivo es cercana a la anchura de la banda prohibida del semiconductor. El deseo de tener una emisin energtica particular tiene una serie de motivaciones. Por una parte si buscamos colores determinados para la emisin de luz se debe elegir un material para cada color. A menudo se seleccionan aleaciones de materiales ya que tienen una mayor flexibilidad en el rango de anchuras de banda asequibles. Por otra parte, si se requieren fuentes para comunicaciones pticas se han de elegir materiales que puedan emitir en las longitudes de onda de 1,55m o 1,3m pues en dichas longitudes de onda se tienen dos mnimos en la representacin de las prdidas en la fibra ptica como se puede observar en la siguiente figura. Esto es especialmente cierto en comunicaciones a larga distancia, es decir, de cientos o incluso miles de kilmetros. Materiales como el GaAs que emiten a 0,8m, pueden todava ser utilizados en redes locales (LANs) para comunicaciones dentro de un edificio o un rea local.
Fig. B.5.1: Atenuacin ptica frente a la longitud de onda para una fibra ptica. Las prdidas son principalmente por absorcin y scattering.
Disponibilidad del substrato: Casi todas las fuentes luminosas en optoelectrnica dependen de las tcnicas de crecimiento epitaxial cristalino empleadas en las que se produce el crecimiento de una fina capa activa (de pocas micras) sobre un substrato (el cual es de alrededor de 200m). En tecnologa de crecimiento epitaxial es muy importante la disponibilidad de substratos de alta calidad. Si no es posible encontrar un substrato cuya estructura cristalina sea congruente con la de la capa activa del dispositivo, ste podr presentar dislocaciones u otro tipo de defectos que pueden afectar seriamente a su funcionamiento. Los substratos ms importantes disponibles para su aplicacin en emisin luminosa son el GaAs y el InP. Existen unos pocos semiconductores y aleaciones de estos que presentan estructuras cristalinas congruentes con estos substratos. Materiales que no se acoplen bien a estos dos ltimos materiales tienen un problema por las tcnicas de fabricacin existentes en la actualidad. Las aleaciones de GaxAl1xAs se acoplan muy bien a substratos de GaAs; las de In0,53Ga0,47As y In0,52Al0,48As se acoplan bien al substrato de InP; el InGaAsP es un material compuesto de cuatro elementos cuya composicin se puede adaptar para acoplarse bien al InP B.5-2
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emitiendo a 1,55m; y por ltimo est el GaAsP que presenta un amplio rango de variacin de anchuras de banda prohibida disponibles. En la actualidad est aumentando el inters por los materiales con grandes gaps de energa tales como ZnSe, ZnS, SiC, AlInGaP y GaN capaces de emitir luz azul o verde. El motivo es permitir avances en la tecnologa de los visualizadores y en aplicaciones de memoria ptica de alta densidad (una longitud de onda ms corta permite la lectura de caractersticas ms pequeas). Es posible tambin ya encontrar en el mercado LEDs de SiC y de GaN aunque slo por parte de determinados fabricantes. Es importante tambin tener en cuenta que aleaciones como GaAlAs y GaAsP pasan de ser semiconductores directos a indirectos segn las relaciones de la aleacin como puede ser visto en la siguiente figura. Para una eficiente emisin de luz necesitamos trabajar en el caso de semiconductor directo.
Fig. B.5.2: Gap energtico de a) AlxGa1xAs y b) GaAs1xPx en funcin de la composicin de la aleacin. Se observa que pasa de directo a indirecto.
Como vimos en el anterior tema, la conservacin del momento causa que en semiconductores de gap directo se produzcan fuertes transiciones radiantes. Algunos materiales de gap indirecto, sin embargo, pueden tener tambin una eficiencia radiante razonable si se dopan con unas impurezas adecuadas. Estas impurezas crean niveles energticos en la banda prohibida, que constituyen un punto intermedio en el camino del electrn bien hacia la banda de conduccin o hacia la de valencia. Las velocidades de absorcin o de emisin son, sin embargo, ms pequeas que en semiconductores de gap directo. Como la eficiencia de la emisin de luz es pobre en estos materiales, estos pueden ser utilizados en la fabricacin de LEDs pero no en la de diodos lser en que se requieren eficiencias radiantes mayores.
B.5.3.
Funcionamiento del LED
El LED es una unin p-n directamente polarizada en la que se inyectan electrones y huecos en una regin en donde se recombinan. En general, la recombinacin se puede producir por procesos radiantes o no radiantes. En una recombinacin radiante electrn y hueco se recombinan emitiendo un fotn. En una recombinacin no radiante, la B.5-3
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recombinacin da lugar a calor o vibraciones de la estructura. Se puede definir un tiempo de vida para los portadores que se recombinen de forma radiante (r) y otro para los que se recombinen de forma no radiante (nr) siendo el tiempo de recombinacin total (para por ejemplo un electrn n): (B.5.1) La eficiencia cuntica interna para el proceso radiante se define entonces como
(B.5.2)
En semiconductores directos de alta calidad, la eficiencia cuntica interna es cercana a la unidad. En materiales indirectos el rendimiento es del orden de 102 a 103.
B.5.3.1.
Inyeccin de portadores y emisin espontnea
El LED es, en esencia, un diodo p-n directamente polarizado. Los electrones y los huecos inyectados como portadores minoritarios atraviesan la unin y se recombinan bien por recombinacin radiante, bien por recombinacin no radiante. El diodo debe ser diseado para que la recombinacin radiante sea lo ms fuerte posible.
Fig. B.5.3: Figura en que se observa la inyeccin de portadores en una unin. Los huecos inyectados en la zona profunda generan fotones que no saldrn a la superficie por ser reabsorbidos. Los fotones generados por los electrones al estar ms cerca de la superficie s que sern emitidos al exterior.
En condiciones de polarizacin directa los electrones son inyectados desde la zona n a la p mientras que los huecos son inyectados desde la zona p a la n. La corriente de polarizacin directa, en general consta de tres componentes: i) Corriente de difusin de los electrones inyectados a travs de la unin a la zona p, ii) Corriente de difusin de los huecos inyectados a travs de la unin a la zona n; iii) Corriente de recombinacin en la zona de agotamiento de anchura W debida a la presencia de impurezas o defectos que permiten la B.5-4
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existencia de niveles energticos en la banda prohibida. Las densidades de estas tres corrientes son: (B.5.3)
(B.5.4)
(B.5.5)
donde Jn y Jp son las densidades de corriente de difusin de electrones y de huecos, Dn y Dp son las constantes de difusin de electrones y huecos en las regiones p y n, np y pn son las concentraciones de electrones y huecos en las zonas neutras p y n alejadas de la unin, V es la tensin aplicada, W la anchura de la zona de agotamiento, ni la concentracin intrnseca y el tiempo de recombinacin en la zona de agotamiento el cual depende de la concentracin de estados energticos intermedios.
Fig. B.5.4: Unin p-n directamente polarizada. Concentraciones en exceso de portadores minoritarios inyectados y longitudes de difusin Ln y Lp para una unin de tipo p+n (pn>>np).
El LED se disea de forma que los fotones se emiten desde la parte superior del diodo (zona p) y no de la parte inferior (n), ya que en este ltimo caso tendran una alta posibilidad de ser absorbidos antes de emerger. En consecuencia es preferible que la inyeccin de electrones en la zona p sea mucho mayor que la de huecos en la zona n, de forma que la corriente pase a estar dominada por los electrones (es decir Jn>>Jp). La relacin de la densidad de corriente de electrones frente a la densidad de corriente total, se llama eficiencia de la inyeccin iny.
B.5-5
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(B.5.6) Si el diodo es de tipo pn+, np>>pn y entonces como puede ser visto a partir de las frmulas anteriores la inyeccin de electrones en la zona p es mucho mayor que la de huecos en la n y Jn>>Jp. Si adems el material es de alta calidad de manera que la corriente de recombinacin en la regin espacial de carga es muy pequea, la eficiencia de la inyeccin valdr casi uno. Una vez se hayan inyectado los portadores minoritarios (electrones) en la regin dopada neutra (tipo p), electrones y huecos se recombinarn produciendo fotones. Estos tambin pueden recombinarse de forma no radiante debido a la presencia de defectos o mediante fonones. El proceso de recombinacin radiante fue introducido en el anterior tema y vamos a comentarlo de nuevo brevemente para semiconductores de gap directo. Como se coment, el proceso de recombinacin radiante es un proceso "vertical" en k, es decir, el valor de k para el electrn y el hueco en las bandas de conduccin y valencia respectivamente es el mismo. Como puede observarse en la siguiente figura, la energa del fotn est relacionada con las energas de electrn y hueco a partir de la expresin, (B.5.7) donde mr* es la masa reducida para el sistema electrn-hueco.
Fig. B.5.5: Diagrama E-k para las bandas de valencia y conduccin.
Las energas del electrn y del hueco se relacionan con la energa del fotn por las relaciones, (B.5.8)
B.5-6
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(B.5.9) Si tenemos un electrn en la banda de conduccin y un hueco en la banda de valencia con el mismo valor de k, los dos pueden recombinarse y emitir un fotn. Hay dos clases diferentes de procesos de emisin. El primero es la emisin espontnea (la cual vamos a tratar en este tema), en la que un electrn se recombina con un hueco, aunque no haya fotones presentes, y emite un fotn. La velocidad de este proceso de recombinacin radiante viene dada por la siguiente expresin: (B.5.10) donde nr es el ndice de refraccin del semiconductor, m0 la masa del electrn libre y pcv es el elemento de la matriz de momento entre la banda de valencia y la banda de conduccin. Se puede comprobar que pcv no vara mucho de un semiconductor a otro y tiene un valor que viene dado por (B.5.11) Por tanto, la velocidad de recombinacin radiante para el GaAs (nr = 3,66) vale, ~1,14109 (eV) s1 (B.5.12)
El segundo proceso de emisin es la emisin estimulada, de la cual hablaremos con mayor profundidad en el siguiente tema. En ste proceso, la presencia de fotones de frecuencia en una cavidad en el semiconductor, provoca un incremento en la velocidad de recombinacin que viene dada por: (B.5.13) Este incremento en la velocidad de recombinacin es pues proporcional a la concentracin de fotones ya presente en la cavidad nph. El tiempo de recombinacin de un electrn de momento k con un hueco con el mismo momento (en ausencia de fotones, es decir, emisin espontnea) se define como: (B.5.14) A partir de esta definicin su valor para el GaAs (nr = 3,66) ser ( en eV): (B.5.15)
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En la definicin de 0 se ha supuesto que el electrn siempre puede encontrar un hueco con el que recombinarse. Esto sucede cuando en la regin hay una alta concentracin de electrones y huecos, es decir, una alta inyeccin de electrones y huecos o cuando se inyectan portadores minoritarios en una regin que presenta una gran concentracin de portadores mayoritarios (altamente dopada). Si la probabilidad de encontrar un hueco es pequea, el tiempo de recombinacin radiante puede ser mucho mayor. Para materiales como el GaAs, el valor de 0 es de alrededor de 1ns mientras que para materiales indirectos el tiempo de recombinacin radiante puede llegar a ser del orden de 1s. Ya veremos que en el caso de emisin estimulada el tiempo de recombinacin electrn - hueco puede llegar a ser bastante ms pequeo que 0 dependiendo de la intensidad de fotones presente en la cavidad. En consecuencia, este tiempo de recombinacin radiante es el menor tiempo posible para el caso de emisin espontnea, ya que hemos supuesto que el electrn tiene una probabilidad unidad de encontrar un hueco con su mismo valor de k. Hemos supuesto tambin que la recombinacin electrn - hueco da lugar a un proceso de emisin espontnea. Esto implica que la concentracin de fotones emitidos es bastante baja de forma que la emisin estimulada no es significativa. Los fotones emitidos abandonan el volumen del dispositivo de forma que la concentracin de fotones nunca es alta en la regin en que se produce la recombinacin electrn-hueco. En un diodo lser la situacin ser diferente, como veremos en el siguiente tema. La frecuencia de emisin de fotones (por unidad de volumen) Rspon se obtiene de integrar la velocidad de recombinacin radiante, Wem sobre todas las energas (E=) considerando todos los pares electrn-hueco con las probabilidades de ocupacin de los estados energticos correspondientes. Determinacin de los pares electrn-hueco involucrados en el proceso: Para la obtencin de los pares electrn-hueco hay que tener en cuenta que el diagrama E-k de las bandas de energa nos dice que los electrones en la banda de conduccin Nn(E) y los huecos en la de valencia Np(E) presentan una distribucin segn su energa. La concentracin de electrones en la banda de conduccin en funcin de la energa es una funcin n(E), la cual viene dada por el producto: (B.5.16) donde Nn(E) es la densidad de estados energticos permitidos en un sistema tridimensional para el electrn dentro de la banda de conduccin y es la funcin de distribucin de Fermi-Dirac la cual nos proporciona la probabilidad de encontrar un electrn en un estado con energa E. Sus valores son:
(B.5.17)
(B.5.18)
B.5-8
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donde EF representa el llamado nivel energtico de Fermi, que es aquel cuya probabilidad de ocupacin es del 50% como puede observarse a partir de la expresin de e(E). En un semiconductor intrnseco est en el centro de la banda prohibida, en un semiconductor de tipo n est cercano a EC y en un semiconductor de tipo p est prximo a Ev. La funcin n(E) es la que est representada en la parte superior (banda de conduccin) de la siguiente figura (b) mientras que el rea sombreada representa la concentracin total de electrones en la banda de conduccin n, la cual no es ms que: (B.5.19) donde NC es lo que se llama densidad efectiva de estados en la banda de conduccin.
(a)
(b)
Fig. B.5.6: (a) Diagrama E-k de bandas de energa donde se muestran las funciones Nn(E) y Np(E) correspondientes a la densidad de estados energticos permitidos en las bandas de conduccin y de valencia (b)Representacin de las concentraciones de portadores (electrones y huecos) en las bandas de conduccin y de valencia en funcin de la energa.
La concentracin de huecos en la banda de valencia en funcin de la energa es una funcin p(E), la cual viene dada por el producto: (B.5.20) donde Np(E) es la densidad de estados energticos permitidos dentro de la banda de valencia y h(E) es la probabilidad de encontrar un hueco en un estado con energa E. Sus valores son:
(B.5.21)
B.5-9
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h(E)=1e(E) La concentracin total de huecos en la banda de valencia p, no es ms que:
(B.5.22)
(B.5.23) donde Nv es lo que se llama densidad efectiva de estados en la banda de valencia.
Determinacin de la frecuencia de emisin de fotones (por unidad de volumen) Rspon. Tal y como hemos visto e(Ee) es la probabilidad de ocupacin de un estado energtico de valor Ee en la banda de conduccin por parte de electrones y h(Eh) la probabilidad de que haya huecos con nivel energtico en la banda de valencia. Obviamente cuanto mayor sean dichas probabilidades, es decir, el producto e(Ee)h(Eh) mayor ser la probabilidad de emisin de fotones. La frecuencia de emisin de fotones (por unidad de volumen) Rspon se obtiene de integrar la velocidad de recombinacin radiante, Wem sobre todas las energas (E=) considerando todos los pares electrn-hueco con las probabilidades de ocupacin de los estados energticos correspondientes, es decir:
(B.5.24)
donde se ha hecho uso de que Wem = 1/0 y Ncv()es la densidad conjunta de estados (correspondiente a la interaccin de electrones y huecos de energa especfica) cuyo valor es: (B.5.25) El resultado de este proceso de integracin nos da los lmites ms importantes para el caso de emisin espontnea, i) Si la concentracin de electrones, n, y de huecos, p, es pequea la frecuencia de emisin de fotones vale, (B.5.26) La frecuencia de emisin de fotones depender del producto de las concentraciones de electrones y huecos. A partir de esta expresin, podramos definir la vida media de un nico electrn inyectado en una regin p ligeramente dopada (p=Na 1017cm-3) con concentracin de huecos p, que vendra dada por, B.5-10
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(B.5.27) El tiempo r en este rgimen es muy grande (cientos de nanosegundos) y disminuye conforme aumenta p. ii) En el caso de que se inyecten electrones en una zona p altamente dopada (o huecos en una zona de tipo n altamente dopada), la funcin h(Eh) (o e(Ee)) puede considerarse que vale la unidad y la frecuencia de emisin espontnea valdr, (B.5.28) para una concentracin n de electrones inyectados en la regin de tipo p altamente dopada y (B.5.29) para inyeccin de huecos en una regin altamente dopada de tipo n. Los tiempos de vida de los portadores minoritarios (es decir, n/Rspon y p/Rspon), que ya sabemos que juegan un papel muy importante en dispositivos de portadores minoritarios como el diodo o el transistor bipolar, tambin tienen gran importancia en los LEDs. En este rgimen de funcionamiento el tiempo de vida de un nico electrn (hueco) es independiente de los huecos (electrones) presentes, ya que la probabilidad de que el electrn (hueco) encuentre un hueco (electrn) es la unidad. Por tanto, el tiempo de vida es entonces en esencia 0 como se puede observar en la siguiente figura. iii) Rgimen de alta inyeccin. Este caso es importante cuando se produce la inyeccin de una alta concentracin tanto de electrones como de huecos (n = p) en una determinada regin. Podemos suponer que la probabilidad de ocupacin de los estados energticos de electrn y hueco en bandas de conduccin y de valencia es la unidad, h(Eh) = e(Ee) =1. En ese caso, la frecuencia de emisin vale, (B.5.30) y el tiempo de vida (n/Rspon=p/Rspon) radiante es 0.
B.5-11
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Fig. B.5.7: Tiempo de vida radiante de electrones o huecos en GaAs (semiconductor de gap directo) a 300K en funcin de la densidad de portadores. La densidad de portadores puede ser producida por inyeccin (n=p) o por dopado tipo n en cuyo caso el tiempo de vida radiante corresponde al del portador minoritario (hueco).
iv)
Un rgimen que es bastante importante para el funcionamiento de los diodos lser es cuando se inyectan suficientes electrones y huecos para provocar lo que se llama una inversin. En el caso del diodo lser los pares electrn - hueco que se recombinan emiten fotones que son absorbidos posteriormente. Por tanto, podemos definir una ganancia del material que depender de la diferencia entre los procesos de emisin y absorcin. Si la ganancia es positiva, un haz ptico crecer al moverse a travs del material en lugar de decaer. Tal y como hemos dicho anteriormente, la probabilidad de emisin de fotones ser mayor cuanto mayor sea el producto e(Ee)h(Eh). Por el contrario, la probabilidad de absorcin ser mayor cuanto mayor sea el producto (1e(Ee))(1h(Eh)). En consecuencia la ganancia g () es proporcional a la diferencia de ambas: (B.5.31) Si e(Ee)=0 y h(Eh)=0, es decir, no hay probabilidad de encontrar electrones en la banda de conduccin ni huecos en la banda de valencia a esas energas la probabilidad de emisin es cero y la de absorcin es la unidad por lo que la ganancia es negativa y de valor (), es decir, nicamente tenemos absorcin. Un valor positivo de la ganancia se tendr cuando se cumpla que:
(B.5.32) Esta condicin es llamada inversin de poblacin, ya que la probabilidad de ocupacin por parte de electrones de los estados energticos Ee en la banda de conduccin es mayor que la de que estn ocupados por electrones los estados energticos Eh en la banda de valencia. En este caso la luz que pase por el material tendr una dependencia espacial:
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(B.5.33) es decir, crece con la distancia en lugar de disminuir, lo que sucedera si, g() fuese negativa. Esta ganancia en la intensidad luminosa es la base del lser semiconductor. Cuando los procesos de emisin y absorcin se producen por igual se cumple que e(Ee)+h(Eh)=1 con lo que g()=0. Esto es lo que se llama condicin de inversin, pues indica el valor umbral para el caso de inversin de poblacin. Suponiendo el caso e(Ee)h(Eh)1/2 para todos los electrones y huecos en este caso de inversin, obtenemos el siguiente valor para la frecuencia de emisin espontnea, (B.5.34) y el tiempo de vida de recombinacin en este caso vale, (B.5.35) Este valor es una eleccin razonable para calcular la emisin espontnea de un lser de semiconductor ya que nos proporciona una estimacin de la corriente umbral para tales dispositivos. La recombinacin radiante depende de la vida media radiante, r, y de la vida media no radiante, nr. Para mejorar el rendimiento de la emisin de fotones se necesita un valor de r lo menor posible y de nr lo mayor posible. Para aumentar nr se debe reducir la densidad de defectos en el material mejorando la calidad de superficie e interfases. En un diodo LED, como hemos visto anteriormente, predominaba la inyeccin de electrones en una regin de tipo p, por lo que r se puede reducir aumentando el dopado tipo p en la regin donde los electrones inyectados se recombinen con los huecos. Sin embargo, esto disminuye la eficiencia de la inyeccin iny como puede comprobarse en las expresiones de Jn y iny. Al tratarse de una unin pn+, se cumple que np>>pn. Para el semiconductor de tipo p se cumple la ley de accin de masas segn la cual el producto de las concentraciones de electrones y huecos en equilibrio trmico es igual al cuadrado de la concentracin intrnseca: nppp= . Luego, un incremento en pp provoca una disminucin de np y, en consecuencia, de Jn y iny. La eficiencia cuntica interna total es, Qit = inyQi (B.5.36)
Por tanto para maximizar Qit, se necesita optimizar el dopado en la zona p, de forma que no sea tan bajo como para que Qi sea bajo, ni tan alto como para que iny sea bajo.
B.5.4.
Eficiencia cuntica externa
Ya hemos visto como se generan los fotones en un LED. Para que estos fotones emerjan del dispositivo hay que disear el LED con mucho cuidado. Hay tres mecanismos B.5-13
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fundamentales de prdidas de los fotones emitidos: i) los fotones emitidos pueden ser reabsorbidos por el semiconductor generando pares electrn-hueco; ii) una determinada fraccin de los fotones ser reflejada en la interfase semiconductor-aire (no emergen del semiconductor); y iii) algunos fotones incidirn sobre la superficie con ngulos superiores al ngulo crtico sufriendo por tanto un proceso de reflexin interna total. Para minimizar la absorcin de los fotones, es imprescindible que la emisin de los fotones se produzca cerca de la superficie de forma que tengan que viajar una distancia corta antes de emerger del semiconductor. Este criterio ya se tuvo en cuenta en nuestra discusin anterior de la eficiencia de la inyeccin iny. Hay que tener en cuenta que en un material de gap directo el fotn slo puede recorrer una distancia de alrededor de una micra antes de ser absorbido. Por otra parte no se puede situar todo el volumen de emisin activa demasiado cerca de la superficie, ya que si no se generarn procesos de recombinacin no radiante debido a la existencia de defectos superficiales que reducirn la eficiencia del dispositivo. Los fotones que incidan sobre la superficie semiconductor-aire pueden reflejarse y todos los que se reflejen son por tanto perdidos. Tal y como vimos en el tema dedicado a la propagacin de la luz en un medio la intensidad luminosa reflejada es proporcional a r2 por lo que si nr2 es el ndice de refraccin del semiconductor, y nr1 el del aire, el coeficiente de reflexin R para luz incidente vertical vale, (B.5.37)
Fig. B.5.8: a) Estructura de un LED con el esquema de reflexin y transmisin de la luz en la superficie del semiconductor. b) Encapsulado dielctrico para mejorar la transmisin de los fotones generados. El dielctrico disminuye las prdidas por reflexin en la interfase GaAs- aire.
Estas prdidas se llaman prdidas de Fresnel. Para un LED de GaAs, si nr2=3,66 y nr1=1, las prdidas son de un 33%, es decir, el 33% de los fotones se reflejan y no llegan al segundo medio (aire). Para reducir estas prdidas el dispositivo se recubre con una cpula dielctrica (encapsulado dielctrico) cuyo ndice de refraccin es de alrededor de 1,6 lo que B.5-14
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reduce el nmero de fotones reflejados permitiendo que una mayor cantidad de fotones emerja. Finalmente, se tienen las prdidas de fotones debida a la reflexin interna total. Si la incidencia de los fotones es con un ngulo mayor que el crtico se reflejarn totalmente. El ngulo crtico, si el ndice de refraccin del semiconductor es nr2, vale, (B.5.38) Para la superficie GaAs-aire el ngulo crtico es 15,9. La utilizacin de una cpula (encapsulado dielctrico) elimina casi por completo esta prdida. Para un material dielctrico con nr1=1,6, el ngulo crtico aumenta hasta 38,7. Adems de los tres mecanismos de prdidas vistos con anterioridad, en muchas aplicaciones los fotones han de ser acoplados a dispositivos especiales. Por ejemplo, en comunicaciones pticas, la luz debe ser acoplada a la fibra ptica. Si la luz es acoplada a la fibra ptica debe entrar con un ngulo adecuado para que sufra el proceso de reflexin interna total, como ya se vio en un tema anterior. Si nr1 es el ndice de refraccin de la fibra y nr2 el del recubrimiento, el mximo ngulo de "aceptacin" para que el rayo se refleje totalmente dentro de la fibra es, (B.5.39) siendo NA la apertura numrica de la fibra.
Fig. B.5.9: Estructura de la fibra ptica. Obsrvese la apertura numrica de la fibra por encima de la cual la luz no se acoplar a la fibra.
Si suponemos que los fotones que emergen del LED dan lugar a una distribucin angular lambertiana entre = 0 y = /2 , (B.5.40)
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se tiene que la probabilidad mayor corresponde al caso en que los fotones emergen perpendicularmente, es decir, por donde la distancia a recorrer a travs del semiconductor es mnima y por tanto las prdidas son tambin mnimas. En ese caso, la fraccin de luz acoplada a la fibra vale, (B.5.41)
Este valor de fibra es bastante pequeo (~10%) de forma que todava hay mucho que investigar para mejorar el acoplamiento, especialmente si se utilizan LEDs en sistemas de comunicacin de fibra ptica.
B.5.5.
Estructuras avanzadas de LEDs
Acabamos de ver que los aspectos ms importantes del LED son su eficiencia cuntica tanto interna como externa, la pureza espectral de la luz de salida y su tiempo de respuesta. Aunque es difcil de mejorar la pureza espectral y la respuesta temporal sin utilizar un lser, se han realizado muchos avances en lo que respecta a la tecnologa LED.
B.5.5.1.
LED a partir de una heterounin
Si el LED se fabrica de un solo semiconductor, existen algunos problemas que reducen la eficiencia del dispositivo. El primer problema es que en un LED homounin (es decir, un dispositivo basado en un nico semiconductor), el volumen de emisin de fotones debe estar cerca de la superficie de manera que los fotones emitidos no sean reabsorbidos. Como cerca de la superficie estamos en la interfase, la calidad del semiconductor normalmente no es muy buena por lo que existirn muchos defectos que producen recombinaciones no radiantes. El LED de heterounin resuelve este problema inyectando cargas desde un material de mayor anchura de la banda prohibida en una regin activa de material de menor anchura de la banda prohibida. Los electrones y huecos son inyectados desde regiones de tipo n y p de mayor anchura de la banda prohibida en la zona activa p de menor anchura de la banda prohibida donde quedan enclavados. Los electrones no pueden entrar en la regin de tipo p de ancha banda prohibida por debajo de la zona activa y, por tanto, no sufren de las pobres condiciones superficiales (interfase). Adems, los fotones emitidos no son absorbidos en las regiones superior o inferior pues la energa del fotn es menor que la anchuras de la banda prohibida de las regiones n o p. La regin activa suele tener un grosor de 0,1m a 0,2m y los materiales ms usados son GaAs/AlGaAs sobre substrato de GaAs y InGaAsP/InP y InGaAs/InGaAsP sobre substrato de InP.
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Fig. B.5.10: El LED de heterounin utiliza un semiconductor de gap estrecho para la regin activa. Los fotones emitidos no se absorben por las capas superior o inferior que son transparentes para la radiacin emitida.
B.5.5.2.
LEDs de emisin lateral
Ya hemos visto que es de suma importancia el acoplar una seal luminosa a una fibra ptica. Hemos discutido la eficiencia de este acoplamiento y visto la necesidad de un haz altamente colimado para un buen acoplamiento. Para conseguirlo se utiliza una heteroestructura que transmite por su lado o borde (LED de emisin lateral), como se muestra en la siguiente figura. Como veremos en el siguiente tema, la estructura se asemeja a la del diodo lser slo que en el lser se debe disear de forma que se obtenga una cavidad ptica de alta calidad que produzca realimentacin ptica.
Fig. B.5.11: Esquema de un LED de emisin lateral. La regin activa es In0,47Ga0,53As (Eg = 0,83eV) rodeada de capas de confinamiento de InGaAsP (Eg = 1eV). Las capas de confinamiento provocan que la luz salga al exterior por el borde del LED.
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En este tipo de LED se aaden capas (recubrimientos) de materiales de gran anchura de la banda prohibida lo cual no nicamente confina a electrones y huecos a la capa activa, sino que tambin provoca que los fotones emitidos viajen a lo largo del eje del LED y emerjan por el borde del componente. Una variacin escaln en el gap energtico provoca una variacin escaln de la constante dielctrica y del ndice de refraccin de forma que, si estos son los adecuados, la onda ptica queda confinada en la zona activa (de forma similar a lo que suceda en el caso de las guas de onda). La parte posterior de la zona activa es reflectante y as tambin evita la prdida de fotones por ella. Debido a la alta colimacin del haz (30 de anchura en la perpendicular a la capa activa y 120 en la paralela a la capa activa) se mejora en gran medida la eficiencia del acoplamiento de su luz a fibras pticas.
B.5.5.3.
LEDs de emisin superficial
Un tipo importante de LED es el de emisin superficial desarrollado por primera vez por Burrus y Dawson en 1970 y cuyo esquema se muestra en la siguiente figura. Al final del LED se acopla una fibra ptica practicando un orificio en el LED y adhirindola mediante la utilizacin de resina. El LED en s es una heteroestructura con una fina regin activa de bajo valor de anchura de la banda prohibida rodeada de regiones de ancha banda prohibida. Los fotones emitidos son directamente acoplados a la fibra ptica. En estructuras ms avanzadas, se sita sobre el LED una microlente para mejorar la eficiencia del acoplamiento.
Fig. B.5.12: Esquema de un LED de emisin superficial. El LED tiene una fibra pegada a su superficie.
Fig. B.5.13: (a) La luz es acoplada desde la superficie emisora del LED a la fibra multimodo mediante el uso de un material (resina) con ndice de refraccin adecuado. (b) Una microlente focaliza la luz divergente emergente desde la superficie del LED hacia la fibra ptica multimodo.
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B.5.6.
Caractersticas de los LEDs
El funcionamiento del LED depende del proceso de emisin espontnea para proporcionar luz a partir de los electrones y huecos inyectados. Como consecuencia, se tendrn simplificaciones en la fabricacin y diseo del LED si se compara con el caso del diodo lser, pero se paga el precio de que sus cualidades no son tan buenas. Las caractersticas ms importantes del LED son la caracterstica luz-corriente, la pureza espectral de la luz de salida, el tiempo de respuesta frente a seales elctricas externas y la dependencia de su salida con la temperatura. La pureza espectral (es decir, la separacin en distintas longitudes de onda del haz de salida) es un tema muy crtico desde el punto de vista de un sistema ptico de comunicaciones de alta calidad.
B.5.6.1.
Caracterstica luz-corriente
Cuando una corriente I pasa a travs de un diodo directamente polarizado, parte de esa corriente se convierte en luz. Si tot es la eficiencia total de esta conversin (que incorporara la eficiencia cuntica interna y externa), la corriente equivalente de fotones que emerge desde el diodo vale, Iph = nmero de fotones por segundo = (B.5.42)
En general, tot depende de la corriente inyectada ya que la vida media radiante de los portadores r depende del nivel de inyeccin de portadores por lo que la relacin Iph-I es no lineal. Sin embargo, en un LED esta dependencia es bastante dbil y la caracterstica Iph-I es casi lineal como se muestra en la siguiente figura. Para niveles muy altos de inyeccin, la luz de salida empieza a saturar ya que el componente comienza a calentarse y la eficiencia de la recombinacin radiante disminuye.
Fig. B.5.14: La potencia de salida del LED es lineal con la corriente inyectada.
En LEDs de emisin superficial, se produce una cada de la luz de salida a altas corrientes, efecto que ya no se puede explicar simplemente por el calentamiento del componente. Esto sucede porque con altas corrientes la densidad de fotones aumenta lo suficiente como para que se empiece a producir una emisin estimulada de fotones. Esta emisin se produce en el plano del LED por lo que la emisin perpendicular a la superficie del
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LED disminuye. Estos LEDs son llamados LEDs superluminiscentes y su comportamiento es similar al de un diodo lser.
B.5.6.2.
Pureza espectral de los LEDs
La pureza espectral de la radiacin emitida es muy importante y su importancia depende de la aplicacin. Si el LED va a utilizarse en un dispositivo visualizador no es importante su pureza espectral, pero si se va utilizar para comunicaciones pticas s lo es. Los pulsos de luz de diferente longitud de onda viajan por una fibra a diferentes velocidades por lo que la seal se distorsionar si el espectro que compone la seal es muy amplio. La energa de un fotn emitido por un LED no es simplemente igual a la anchura de la banda prohibida Eg ya que los electrones en la banda de conduccin y los huecos en la de valencia estn distribuidos segn su energa. En la siguiente figura (a) y (b) se representan el diagrama de bandas de energa y la distribucin energtica de electrones y huecos en las bandas de conduccin y de valencia respectivamente. La concentracin de electrones en la banda de conduccin en funcin de la energa es una funcin n(E), la cual viene dada por el producto como hemos visto con anterioridad. La distribucin energtica de los huecos en la banda de valencia se obtiene de forma similar.
(c)
(d)
(e)
Fig. B.5.15: (a) Diagrama de bandas de energa con posibles caminos de recombinacin. (b) Distribucin energtica de los electrones en la banda de conduccin y de los huecos en la banda de valencia. La concentracin de electrones ms alta est (1/2)kBT por encima de EC. (c) Representacin de los estados energticos permitidos para los electrones (Nn(E)) y huecos. Los electrones y huecos estn distribuidos sobre una anchura energtica de aproximadamente 2kBT.(d) Representacin de la intensidad relativa de la luz en funcin de la energa de los fotones. (e) Representacin de la intensidad relativa de la luz en funcin de la longitud de onda de los fotones.
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La concentracin de electrones en la banda de conduccin en funcin de la energa es una funcin asimtrica que tiene un pico en (1/2)kBT por encima de EC. De forma tpica, los electrones estn distribuidos en una anchura de alrededor de 2kBT desde EC como se observa en (b). La distribucin energtica de los huecos en la banda de valencia se produce en una anchura energtica similar desde EV. Recordemos que la velocidad de recombinacin directa es proporcional tanto a la concentracin de electrones como a la de huecos en las energas involucradas. Esto significar que el espectro de emisin va a quedar determinado bsicamente en funcin de: (B.5.43) donde y corresponden a las energas del electrn y del hueco involucrados en el proceso de recombinacin radiante, respectivamente, Eg es la anchura de la banda prohibida del semiconductor empleado y Ncv( ) es la densidad conjunta de estados (correspondiente a la interaccin de electrones y huecos de energa especfica). La transicin identificada como 1 en la figura anterior (a), involucra la recombinacin directa de un electrn en EC y un hueco en Ev. Pero las concentraciones de portadores cerca de los lmites de las bandas es muy pequea y, por tanto, este tipo de recombinacin no ocurre de forma frecuente. La intensidad relativa de la luz a este fotn de energa h1 es pequea (como se observa en (d)). Las transiciones que involucran las concentraciones de electrones y de huecos ms grandes ocurren con mayor frecuencia. Por ejemplo, la transicin 2 tiene la probabilidad mxima ya que a esas energas las concentraciones de electrones y de huecos son las mximas, como se observa en (b). La intensidad relativa de la luz correspondiente a esta transicin energtica h2, es por tanto mxima. Transiciones como la designada como 3 que producen la emisin de fotones altamente energticos h3, involucran energas para los electrones y huecos cuyas concentraciones son pequeas (b). Por tanto, la intensidad de la luz a estas energas fotnicas elevadas es pequea. La cada de la intensidad de la luz en funcin de las caractersticas energticas del fotn (espectro de salida) se muestra en (d). Podemos tambin obtener la representacin de la intensidad relativa de la luz en funcin de la longitud de onda (e) ya que . La anchura del espectro ( ) se define como la anchura entre los puntos de intensidad media, como se observa en (d) y (e). La longitud de onda correspondiente al pico de intensidad y la anchura del espectro estn obviamente muy relacionadas con la distribucin energtica de los electrones y huecos en las bandas de conduccin y valencia y, por tanto, dependen del semiconductor utilizado. La energa del fotn para el pico de emisin es prxima a Eg+kBT ya que sta corresponde a transiciones de mximo a mximo en las distribuciones de energa de electrones y huecos. La anchura vara de forma tpica entre 2,5kBT y 3kBT, como se muestra en (d). El espectro de salida, o representacin de la intensidad relativa en funcin de la longitud de onda, de un LED depende no solamente del material semiconductor sino tambin de la estructura de la unin p-n, incluyendo los niveles de dopado. El espectro representado en (e) representa un espectro idealizado en el que no se han tenido en cuenta efectos de alto dopado de las bandas energticas y se ha considerado un bajo nivel de inyeccin de portadores para la unin directamente polarizada. Si se considera un alto nivel de inyeccin, la anchura ser: B.5-21
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(B.5.44) donde Nc es la densidad efectiva de estados en la banda de conduccin. Teniendo en cuenta estos efectos, el espectro de salida de un LED presenta una asimetra menor que la obtenida para el espectro idealizado. En la siguiente figura se observan las caractersticas tpicas de un LED rojo (655nm) donde se observa esta menor asimetra y que la anchura del espectro es de alrededor de 24nm a temperatura ambiente, lo cual corresponde a una anchura de alrededor de 2,7kBT en la distribucin energtica de los fotones emitidos. Esto es un espectro muy ancho aunque para muchas aplicaciones puede ser ms que suficiente. De hecho el LED se puede utilizar prcticamente en comunicaciones pticas siempre que no se tenga que enviar la seal a largas distancias. A largas distancias ya ser necesario el uso de un diodo lser.
Fig. B.5.16: Espectro de salida tpico de un LED rojo de GaAsP.
B.5.6.3.
Respuesta temporal del LED
Un aspecto importante en la transmisin de informacin por medios pticos es la conversin de seales elctricas en luminosas. Una aplicacin tpica en la que se utiliza un LED para la generacin de las seales luminosas es el mostrado en la siguiente figura (a). El LED es bsicamente un diodo de unin p-n directamente polarizado en el que se inyectan portadores minoritarios en la regin activa de recombinacin. Para modular la salida del dispositivo se deben modular los portadores inyectados. Por tanto, dejando aparte los elementos parsitos externos, un punto crtico es la velocidad de extraccin de cargas del dispositivo. Esta velocidad est controlada por el tiempo de recombinacin de los portadores. Vamos a considerar un modelo sencillo para la respuesta del LED. En (b) se muestra la estructura tpica del LED, al cual se ha considerado para simplificar un sistema unidimensional. Los portadores son inyectados desde la zona n- a la zona p. La ecuacin de continuidad para estos portadores ser: (B.5.45) donde el primer trmino es debido a la recombinacin de portadores (incluyendo los procesos no radiantes) y el segundo trmino es la componente de la corriente debida a la B.5-22
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difusin de portadores. Como el campo elctrico en la unin (para el caso que est directamente polarizada) es pequeo, podemos despreciar la corriente debida al arrastre de portadores. Si ahora aplicamos una polarizacin en pequea seal al diodo, la concentracin de portadores resultante ser: (B.5.46) Sustituyendo esta expresin en la ecuacin de continuidad y comparando las componentes de dc y ac: dc: (B.5.47)
ac: Si definimos las longitudes:
(B.5.48)
(B.5.49) (B.5.50) llegamos a que: dc: (B.5.51)
ac: La respuesta temporal del LED la podemos definir de la siguiente forma:
(B.5.52)
(B.5.53) es decir, la relacin entre la componente ac de la corriente fotnica y la componente ac de la corriente electrnica. Vamos a suponer que los nicos responsables del flujo de corriente son los electrones. Bajo esa suposicin: (B.5.54) Supondremos tambin que todos los portadores se recombinan aproximadamente en el momento en que alcanzan el lmite de la regin activa d; es decir, Ln<<d (B.5.55)
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En ese caso la solucin de la ecuacin diferencial de la seal ac es de la forma: (B.5.56) La corriente fotnica ser: (B.5.57) Adems, (B.5.58) Lo cual nos da la funcin respuesta temporal definida con anterioridad: (B.5.59) Esta expresin muestra la importancia del tiempo de recombinacin a travs del ancho de banda lmite que puede ser alcanzado en los LEDs. El ancho de banda modulado fc se define como la frecuencia a la que la potencia ptica vale la mitad de la potencia ptica a frecuencia cero. (B.5.60) con (B.5.61) donde r y nr son los tiempos de recombinacin radiante y no radiante. Para dispositivos de alta calidad ~r. La respuesta en frecuencia del LED se muestra en (c).
B.5-24
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Fig. B.5.17: a) Circuito para la modulacin de la salida de un LED; b) geometra del LED utilizado para el estudio de la respuesta temporal intrnseca frente a una seal ac; c) cada de la respuesta del LED con la frecuencia.
En la siguiente figura se muestra la dependencia del tiempo de vida radiante con la concentracin de portadores o el dopado de la regin activa. Conforme aumenta la corriente del LED, el tiempo de recombinacin disminuye y el ancho de banda de modulacin aumenta. Esta relacin se puede demostrar experimentalmente como se puede observar en la misma figura. Hay que tener en cuenta que la concentracin de portadores en la regin activa es proporcional a J/d, donde J es la densidad de corriente y d el grosor de la regin activa.
Fig. B.5.18: Ancho de banda de modulacin en funcin de la densidad de corriente.
El ancho de banda de modulacin tambin se puede incrementar aumentando el dopado de la regin activa. Cuanto mayor es el dopado de la zona p menor es el tiempo necesario para la recombinacin de los electrones inyectados con huecos. En rgimen de alto nivel de inyeccin ( = =1) se tiene que r =0. En dicho caso se tiene el tiempo de recombinacin ms corto que se puede obtener que es de ~0,5ns por lo que podemos alcanzar frecuencias de corte cercanas al gigahercio. Los lmites que presenta la recombinacin radiante es una diferencia fundamental entre los LEDs y los diodos lser. Los diodos lser no operan bajo condiciones de emisin B.5-25
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espontnea sino de emisin estimulada. Como veremos en el siguiente tema, la emisin estimulada depende de la densidad de fotones presente y proporciona tiempos de recombinacin cercanos a 10ps.
B.5.6.4.
Dependencia con la temperatura de la emisin del LED
En una seccin anterior hemos visto la variacin de la salida luminosa en funcin de la corriente, comprobando como la potencia ptica de salida saturaba a alta corriente debido a un calentamiento del dispositivo. Si consideramos diodos de alta calidad con una concentracin de defectos despreciable que pueda afectar a la eficiencia de la recombinacin electrn-hueco, la temperatura afecta al componente de dos formas i) Prdidas de portadores inyectados en las regiones de los contactos a altas temperaturas; y ii) proceso de Auger que contribuye a una recombinacin no radiante. Como se muestra en la siguiente figura, en el LED, que es un diodo p-n polarizado directamente, se inyectan portadores de las zonas dopadas a la zona activa donde se recombinan para emitir fotones (caso ideal mostrado en (a)). Sin embargo, conforme aumenta la temperatura se generan ms portadores con lo que la distribucin energtica de carga inyectada es ms ancha como se muestra en (b). No todos estos portadores se recombinarn en la zona activa sino que algunos portadores podrn atravesarla dando lugar a una corriente de prdidas, de portadores que la atraviesan sin recombinarse y por tanto sin generar fotones. Si se aumenta la corriente inyectada en el LED, ste se calienta y como resultado aumenta su corriente de prdidas. Esta corriente depender del diseo del componente. Por ejemplo, si la regin activa es ancha, las prdidas podrn ser menores. La corriente de prdidas puede ser bastante grande en muchos dispositivos y contribuir de un 20% a un 30% en la corriente total. Para evitar el calentamiento del LED a altas corrientes se pueden utilizar corrientes pulsantes y as reducir la corriente eficaz con lo que disminuye el calentamiento del dispositivo.
Fig. B.5.19: a) Esquema de la inyeccin de carga en un LED a baja temperatura. Todos los portadores inyectados se recombinan en la regin activa; b) A mayores temperaturas debido a la dispersin de energa kBT de los portadores inyectados, un mayor nmero de portadores pueden perderse, reducindose la eficiencia radiante.
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Hemos visto en temas anteriores que la ionizacin por impacto ocurre cuando un electrn con suficiente energa cintica (electrn "caliente") colisiona con un electrn de la banda de valencia (ligado a la estructura cristalina) dando lugar a dos electrones en la banda de conduccin y un hueco en la de valencia. El proceso contrario tambin puede ocurrir cuando un electrn y un hueco se recombinan, proporcionando el exceso de energa a un electrn y produciendo de esa manera un electrn "caliente". El electrn "caliente" pierde su energa emitiendo fonones (es decir, proporcionando calor). Este proceso es llamado Proceso de Auger y es un importante proceso no radiante, especialmente en materiales de estrecha banda prohibida. La velocidad de la recombinacin de Auger es proporcional a np2 o pn2, dependiendo de si el portador "caliente" final es un electrn o un hueco. La recombinacin de Auger involucra a tres portadores en el estado inicial que pueden ser dos electrones y un hueco o dos huecos y un electrn, siendo el resultado final un electrn o hueco "caliente" sin emisin de un fotn. La velocidad de recombinacin depende fuertemente de la concentracin de portadores, el gap energtico del material a la temperatura dada y los detalles de la estructura de bandas. El resultado final es que para LEDs de materiales de gap estrecho (Eg<1,0eV), la recombinacin de Auger es un proceso no radiante importante que adems tiene una fuerte dependencia con la temperatura. El efecto conjunto de la prdida de portadores y de los procesos de Auger sobre la potencia ptica de un LED puede verse en la siguiente ecuacin segn la cual su corriente de fotones vale, (B.5.62) donde T1 es una temperatura que depende de la anchura de la banda prohibida del material y de parmetros del diseo fsico del LED. El valor de T1 debe ser lo mayor posible para asegurar la independencia de la temperatura del LED. Para LEDs de 1,3m de InAsGaP, T1 vale de 180K a 200K mientras que para LEDs de GaAs vale de 300K a 350K. Adems de la dependencia de la potencia ptica con la temperatura, no debemos olvidar que la anchura de la banda prohibida de todos los semiconductores disminuye con la temperatura. Por tanto, el pico del espectro de emisin del LED se correr hacia longitudes de onda mayores conforme aumente la temperatura. Este corrimiento es de 3,5/K para un LED de GaAs y 6/K para un LED de InGaAsP.
Fig. B.5.20: Variacin del espectro de salida de un LED de AlGaAs con la temperatura. El valor normalizado del pico de emisin es a 25C.
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B.5.6.5.
Construccin del LED
La construccin tpica de un LED se muestra en la siguiente figura.
Fig. B.5.21: Construccin de un LED.
En el ejemplo, el LED es construido sobre un substrato de GaP o GaAsP. En la parte superior de este substrato se ha producido el crecimiento de una fina capa de tipo p. La unin p-n, donde tiene lugar la recombinacin y se genera la radiacin est entre estas dos capas. Como la capa de GaP es transparente, la radiacin escapa a travs de la capa superior. Con un substrato de GaAs, el flujo dirigido hacia abajo es absorbido. Con un substrato de GaP que es transparente, se debe aadir una capa reflectante en el electrodo inferior para mejorar la eficiencia. El mecanismo por el cual el flujo escapa se muestra en la siguiente figura.
Fig. B.5.22: Diseo ptico de un LED.
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El flujo se escapa por la parte superior de la unin, a travs de la capa p. Aplicando la ley de Snell a la interfase aire-GaP encontramos que debido al proceso de reflexin interna total, solamente el flujo en un cono muy estrecho (ngulo del cono de 17) puede escapar (b). Para mejorar esto, la unin es encapsulada en plstico, incrementando el ngulo de escape a 26. El encapsulado no mejora nicamente la eficiencia ptica, sino que tambin permite mantener unidos todos los componentes del LED. El perfil del encapsulado plstico, o lente, tambin controla el patrn de radiacin del LED. En la siguiente figura se muestran algunas formas tpicas de LEDs conjuntamente con sus patrones de radiacin. A cada encapsulado se le da un nombre. As el mostrado en (a) es llamado T-1 3/4 y el mostrado en (b) T-1 donde el nmero que aparece despus de la T hace referencia al dimetro del LED en 1/8 de pulgada.
Fig. B.5.23: Ejemplos de LEDs clsicos.
B.5.6.6.
Caractersticas pticas y elctricas
El LED es un diodo p-n y como tal su curva caracterstica es parecida a la de un diodo normal de unin p-n. Su tensin de codo est entre 1,2V y 2V dependiendo del material semiconductor. Su resistencia dinmica vara desde unos pocos ohms hasta decenas de ohms. La tensin de ruptura es de unos 5V. En la siguiente figura se muestra un factor de limitacin B.5-29
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muy importante para los LEDs, la potencia mxima disipable (PMAX) y su dependencia con la temperatura.
Fig. B.5.24: Caractersticas iD/VD y mxima disipacin de potencia permisible.
El tercer parmetro a considerar, especialmente cuando el LED va a ser utilizado en un modo pulsado, es la mxima corriente de pico permisible (iMP). Para modo pulsado los parmetros se relacionan a partir de las ecuaciones que vamos a comentar. Ciclo de trabajo: (B.5.63)
La corriente promedio en un tren de pulsos est relacionada con la corriente mxima de pico a travs de la expresin: iavg = ip dc (B.5.64)
donde iavg: es la corriente promedio, ip: la corriente de pico y dc el ciclo de trabajo. La disipacin de potencia en estado estacionario viene dada por la expresin: B.5-30
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PD = iDVD Siendo iD la corriente por el diodo y VD la tensin de cada en el diodo. En condiciones pulsantes la potencia promedio disipada es: Pavg = iavg[VDO + RD(ip-iDO)]
(B.5.65)
(B.5.66)
donde VDO: tensin en el punto de operacin, iDO: corriente en el punto de operacin y RD: resistencia dinmica del LED. La resistencia dinmica del LED puede ser calculada a partir de la curva caracterstica del LED: RD = VD/iD (B.5.67)
Fig. B.5.25: Ciclo de trabajo y corrientes de pico y promedio en un tren de pulsos.
El parmetro ptico ms importante es la intensidad luminosa. La intensidad luminosa es una funcin no lineal de la corriente del LED, de manera que la intensidad luminosa relativa aumenta al aumentar la corriente. Esta no linealidad puede ser expresada de dos formas diferentes: representando IPR =f(ID) o definiendo una eficiencia relativa, PR = IPR/IPRO. La curva B (PR) de la siguiente figura muestra que a corrientes grandes la eficiencia del LED aumenta considerablemente. Este hecho favorece la utilizacin del LED en modo pulsante ya que el incremento de corriente en estado estacionario est limitado por la mxima disipacin de potencia. En modo pulsante se puede conseguir una mayor intensidad luminosa sin llegar al lmite de potencia disipable. En modo pulsante, la intensidad promedio puede ser calculada utilizando la siguiente ecuacin: (B.5.68) donde, IPRavg: intensidad luminosa promedio (cd, W/sr), IPRO: intensidad luminosa de referencia (cd, W/sr), iP: corriente de pico (A), i0: corriente de referencia (A), dc: ciclo de trabajo, PR: eficiencia relativa a la corriente de pico y PRO: eficiencia relativa de referencia (vale 1).
B.5-31
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Mencionar por ltimo que el espectro de salida no es monocromtico sino que presenta un ancho de banda considerable alrededor de la longitud de onda central. Otra caracterstica del LED (como ya hemos visto con anterioridad) es la dependencia con la temperatura de su intensidad luminosa. El coeficiente de temperatura de IPR es de alrededor de 1%/C. Un incremento de 25C disminuir la intensidad luminosa un 25% como puede ser visto en Fig. B.5.20. Este efecto no puede ser pasado por alto. La ltima, y ya ms favorable, caracterstica de un LED es su tiempo de respuesta, tpicamente de 90ns para LEDs amarillos y rojos y de 500ns para los verdes. Este pequeo valor del tiempo de respuesta hace que los LEDs sean tiles como fuentes en aplicaciones de comunicacin ptica. Adems las fuentes luminosas incandescentes, con un tiempo de respuesta grande, no tienen casi aplicacin en este campo.
Fig. B.5.26: Intensidad luminosa relativa y eficiencia.
Fig. B.5.27: Espectro de salida tpico de un LED.
B.5.6.7.
Circuitos de excitacin para los LEDs
El diseo de circuitos con LEDs debe tener en cuenta tres consideraciones: 1. Configuracin mecnica y patrn de radiacin apropiados. B.5-32
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2. Disipacin y variaciones con la temperatura en el LED. 3. Requisitos del circuito de excitacin del LED. La primera consideracin a tener en cuenta puede ser fcilmente solventada consultando los catlogos que proporciona el fabricante, donde se pueden encontrar una gran variedad de LEDs para todas las posibles configuraciones. La segunda consideracin en cuanto a las variaciones con la temperatura ya fue estudiada en su momento. El propsito de un circuito de excitacin es garantizar la intensidad luminosa deseada para el LED. Como la intensidad es funcin directa de la corriente por el LED el problema del diseo es crear un circuito de excitacin que conduzca a la corriente deseada a travs del diodo LED. En la siguiente figura se muestran algunos circuitos tpicos y muy empleados.
Fig. B.5.28: Circuitos de excitacin de LEDs.
El circuito de excitacin ms sencillo es de forma incuestionable el circuito de excitacin mediante la utilizacin de una resistencia. La desventaja de este circuito es que, debido a las tolerancias en las caractersticas de los LEDs, valor de la resistencia y variacin de la tensin de alimentacin, la corriente por el LED y, en consecuencia, la intensidad resultante puede presentar variaciones considerables. Este inconveniente puede no serlo cuando se utiliza un nico LED como indicador. Sin embargo, si se tienen varios LEDs B.5-33
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situados cerca el uno del otro, las variaciones de intensidad luminosa pueden resultar desagradables. El valor de la resistencia RB puede ser calculado a partir de la siguiente ecuacin, donde RD es la resistencia dinmica del diodo, como se observa en la grfica de (a). (B.5.69) Varios LEDs pueden ser conectados en serie utilizando este simple circuito con lo que la corriente por todos ellos es la misma. La conexin en paralelo de los LEDs debe ser evitada ya que las variaciones en las caractersticas de los LEDs causan diferencias inaceptables entre las corrientes que circulan por cada LED y, por tanto, en la iluminacin proporcionada por cada uno de ellos. Los valores de la resistencia dinmica del LED (RD) y de la corriente y tensin de referencia deben ser obtenidos a partir de la curva que da el fabricante para el diodo, pues normalmente no son proporcionados en los "data sheets". La solucin grfica, es por tanto, lo ms simple y rpido. Con unos pocos componentes ms y un transistor, es posible disear un circuito de excitacin (b) que garantiza una corriente estable y predecible a travs de un nico LED o de una combinacin de ellos. La ventaja de este circuito es que la corriente no est a merced de las posibles variaciones en las caractersticas del LED pues se trata de una fuente de corriente. Este circuito puede ser utilizado para varios LEDs en serie siempre y cuando la cada de tensin a travs de todos los LEDs no supere la tensin de colector disponible, VCC. El circuito puede ser diseado utilizando la siguiente relacin: (B.5.70) donde VCC es la tensin de alimentacin (V), VB es la tensin fijada por el diodo zner de referencia (V) e iR es la corriente a travs del diodo zner (A). (B.5.71) donde VBE es la cada de tensin base - emisor (VBE = 0,7V), iD es la corriente que se desea que circule por el LED (A). Para que el circuito funcione adecuadamente se ha de cumplir que: (B.5.72) donde n es el nmero de LEDs en serie y Vp la cada de tensin en cada uno de ellos. En (c) se muestran varios circuitos de excitacin que utilizan lgica digital, lo cual es una aplicacin muy comn. Todas las familias lgicas presentan una capacidad de corriente limitada en estado alto. Por tanto, no es posible proporcionar la corriente de excitacin al LED a partir de la corriente en estado alto. En estado bajo, la corriente es algo mayor (16mA para TTL) y un LED puede ser excitado con una corriente bastante modesta, como se muestra en el primer circuito de (c). Cuando se requiere una corriente mayor deben ser utilizados circuitos de excitacin especiales.
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B.5.7.
Aplicaciones de LEDs
Los LEDs tienen mltiples aplicaciones en sistemas de procesamiento ptico de la informacin. Entre estas aplicaciones podemos destacar los visualizadores, donde se utilizan uno o ms LEDs para generar seales pticas visibles al ojo humano. Los LEDs son tambin utilizados en sistemas de comunicaciones pticas para redes locales. Otra importante aplicacin de los LEDs es para proporcionar un aislamiento de tipo ptico, en el cual dos circuitos elctricos se "conectan" mediante la luz proveniente de un LED (optoacopladores). El LED como elemento de un visualizador Una importante aplicacin de los LEDs es en tecnologa de visualizadores. Un visualizador basado en LEDs es un visualizador activo ya que emite la luz, a diferencia de los visualizadores basados en cristales lquidos en los que la luz no es generada por la propia clula de cristal lquido. En consecuencia los visualizadores basados en LEDs pueden ser muy brillantes generando suficiente potencia como para ser utilizados en aplicaciones como las luces traseras de los automviles, semforos o incluso pantallas anunciadores diurnas. Como los visualizadores se deben ver por el ojo humano, la luz debera ser generada para cubrir todo el espectro visible si se quieren producir visualizadores que acten en todos los colores. La luz roja (~6600) se consigue a partir de LEDs de GaAs0,6P0,4 y aleaciones de AlGaAs. La luz verde (~5200) a partir de GaP. La luz azul es muy difcil de obtener ya que el gap energtico que necesitamos es de 2,1 a 2,4eV y la tecnologa de estos materiales an no est muy desarrollada. Se consiguen a partir de GaN y ZnSe aunque no son fciles de conseguir. El LED se puede utilizar como una sola lmpara (en la mayora de las ocasiones como indicador en un sistema electrnico) o en matrices. Las matrices (arrays) estn conectados de manera que permiten generar caracteres alfanumricos. En la siguiente figura podemos observar un visualizador tpico para caracteres en el que se utiliza una matriz de siete segmentos en el que cada segmento es un LED. Para su conexionado externo se utiliza un encapsulado de 14 pines (en realidad 4 no se conectan).
Fig. B.5.29: Esquema de un visualizador de 7 segmentos con punto decimal con LEDs. Se muestra un encapsulado de 14 bits, con las conexiones tpicas de cada pin.
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Los visualizadores basados en LEDs son especialmente tiles en aplicaciones en las que tiene importancia el brillo del visualizador. La potencia de salida del LED es bastante alta como para permitir a los visualizadores ser visibles a plena luz del da. Adems como el LED es un simple diodo p-n es muy fcil integrarlo con otros dispositivos semiconductores. Aunque el consumo de potencia y el coste son mayores que en los cristales lquidos y, por tanto, estos ltimos tienen ventaja en monitores de ordenadores porttiles, s que tienen un buen futuro en aplicaciones donde sustituyan a las bombillas clsicas (luces de automvil y seales de trfico). El LED en las comunicaciones Aunque la luz del LED aparece al ojo humano como de un solo color y por tanto de una sola longitud de onda, esto no es as. En realidad el espectro es bastante amplio y de unos ~200. Ya hemos dicho anteriormente que esto es un problema en comunicaciones a larga distancia ya que debido a que la velocidad de propagacin en una fibra depende de la longitud de onda, si un pulso est formado por mltiples longitudes de onda, entonces al viajar a lo largo de la fibra se deformar y se ensanchar en el tiempo (dispersin cromtica). El LED por tanto reduce su uso a comunicaciones de corta distancia donde la dispersin es despreciable. Otra limitacin es la velocidad de transmisin, ya que en un LED no puede ser modulada su intensidad a una velocidad mayor que 1GHz. En muchas aplicaciones esta velocidad puede ser suficiente pero en la actualidad necesitamos cada vez mayores velocidades, lo que implica el uso de diodos lser (LDs). El LED como optoacoplador Una aplicacin muy importante del LED es el optoacoplador. Este componente consiste en un emisor y en un sensor de luz. Permite transmitir seales con un alto aislamiento entre una parte y otra del circuito. Sustituye a componentes como el transformador, rels y condensadores de aislamiento (bloqueo).
Fig. B.5.30: Esquema de dos optoacopladores; con fotodiodo y con fototransistor.
El componente conectado a la entrada es un diodo LED y el sensor es un fotodiodo o un fototransistor. La seal luminosa se transmite a travs del aire proporcionando por tanto un B.5-36
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alto aislamiento. Sistemas que necesitan de tan alto aislamiento pueden ser, por ejemplo, fuentes de alimentacin, amplificadores para electrocardigrafos, etc. En estos ltimos existe alta tensin en primario y por la seguridad del paciente es imprescindible el aislamiento galvnico. Sobre la fiabilidad del LED Como a cualquier otro componente electrnico a los LEDs les exigimos fiabilidad. Es deseable que no falle el visualizador u otro circuito que contenga un LED. Los tres fallos ms comunes en un LED son: "fallo infantil" en los que el LED ha sufrido algn deterioro en el proceso de fabricacin y por tanto falla durante el proceso de "burn in" o quemado inicial. Este "burn in" consiste en hacer funcionar el LED a alta potencia durante 100 horas. Los LEDs que sobreviven este test de quemado tienen un alto MTBF. Tcnicas avanzadas de fabricacin permiten reducir estos fallos. Si despus del quemado inicial se produce algn fallo debido a una combinacin de defectos no aparentes hasta ese momento, este cmulo de casualidades y mala suerte se llama fallo por malformacin o "freak failure". La mayora de los LEDs sobreviven estos dos primeros tipos de fallos y llegan a tener un MTBF de hasta 106 horas en LEDs de GaAs y 109 horas en LEDs de InP. El MTBF se define de forma diferente segn la aplicacin. Para comunicaciones pticas la prdida de potencia implica el espaciado entre repetidores y por tanto es la cada de potencia la que determinar el envejecimiento del componente. En un sistema con tolerancia suficiente el MTBF se puede definir como el tiempo que tarda en disminuir la potencia a la mitad (3dB). Pero si el espaciado de repetidores es mayor, tal vez necesitemos un MTBF definido a partir de una cada de potencia del 20% (1dB). El fallo gradual es el ltimo tipo de fallo existente en los LEDs, donde se produce una degradacin progresiva. Esta degradacin incluye un aumento de la recombinacin no radiante. Debido a los defectos de fabricacin (dislocaciones) se genera un defecto que se conoce con el nombre de efecto de lnea oscura. Este defecto se debe a una migracin de las dislocaciones del substrato a la regin activa reduciendo as las recombinaciones radiantes. Aunque en los LDs este defecto es catastrfico no ocurre as en los LEDs donde slo se reduce gradualmente la luz emitida. Ocurre en los LEDs de GaAs pero no en los de InP por lo que estos ltimos tienen un mayor MTBF. El mejorar el MTBF de los componentes y poder predecirlo sin tener que realizar tests de larga duracin sigue siendo un rea de investigacin muy importante en la actualidad.
B.5.8.
Resumen
El LED es un componente de mltiples aplicaciones, siendo las ms importantes su utilizacin en visualizadores y sistemas de comunicacin ptica. Sus principales ventajas son su simplicidad de fabricacin y su fcil utilizacin (incorporacin a un circuito electrnico). Sus desventajas principales son su gran anchura espectral y su ancho de banda de modulacin limitada al GHz ms o menos.
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B.6. El diodo lser
B.6.1.
Introduccin
El LED que acabamos de ver es una de las fuentes de luz ms utilizadas tanto en comunicaciones pticas como en sistemas de visualizadores. Aun as el LED no es el dispositivo de mayores prestaciones siendo sus ventajas su fcil fabricacin y su fcil uso. Sus mayores desventajas son su amplio espectro de emisin y la imposibilidad de utilizarlo en sistemas para modular con frecuencias superiores al gigahercio. Ya conocemos a que se deben estas limitaciones. El diodo lser o LD supera estas desventajas del LED aprovechando caractersticas especiales de las cavidades pticas y de la emisin estimulada. El resultado es que el LD es capaz de emitir seales con un espectro dos rdenes de magnitud menor que el LED. Adems puede ser modulado con seales de hasta 50GHz y el haz luminoso del LD no se abre tanto como el LED pudiendo generar rayos de luz de alta intensidad y muy focalizados. Emisin de LED El espectro de salida es ancho ~kBT La respuesta temporal est limitada por el tiempo de emisin espontnea MEJORAS
Uso de una cavidad ptica para mejorar la emisin de los fotones de ciertos estados.
Uso de la emisin estimulada para aprovechar la recombinacin de los pares e-h.
DIODO LSER Recombinacin de e-h en una cavidad ptica de alta calidad.
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Tema B.6: El diodo lser
B.6.2.
Emisin espontnea y estimulada
El diodo lser se utiliza igual que un diodo LED, es decir, como un diodo p-n polarizado directamente. Sin embargo, aunque su estructura parece similar a la de un LED en lo que respecta a electrones y huecos, no lo es en lo referente a los fotones. Como en el caso del LED, inyectamos electrones y huecos en la zona activa polarizando directamente el diodo lser. Para bajos niveles de inyeccin, estos electrones y huecos se recombinan de forma radiante mediante el proceso de emisin espontnea, emitiendo fotones. Sin embargo, la estructura del diodo lser est diseada para que a altos niveles de inyeccin el proceso de emisin venga determinado por la emisin estimulada. La emisin estimulada permite obtener una alta pureza espectral de la seal, fotones coherentes y una alta velocidad de respuesta. La diferencia fundamental es pues la emisin espontnea en el LED y estimulada en el LD.
Fig. B.6.1: (a) En la emisin espontnea, el par electrn-hueco se recombina en ausencia de otros fotones para emitir un fotn. (b) En emisin estimulada, un par electrn-hueco se recombina en presencia de fotones de energa adecuada para emitir fotones coherentes. En la emisin coherente los fotones emitidos estn en fase con los ya existentes.
Supongamos un electrn con un vector de onda k y un hueco con un vector de onda k en las bandas de conduccin y de valencia del semiconductor respectivamente. Si no hay fotones en el semiconductor, el electrn y el hueco se recombinan emitiendo un fotn. Esto sera una emisin espontnea, la cual ya fue estudiada en el tema anterior del LED.
B.6-2
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Si existen fotones en el semiconductor y stos tienen la misma energa que la diferencia de energa entre electrn y hueco, adems de la emisin espontnea se produce otro tipo de proceso de emisin llamado emisin estimulada. El proceso de emisin estimulada es proporcional a la concentracin de fotones (de fotones con la energa adecuada para causar la transicin electrn-hueco). Los fotones emitidos tendrn la misma fase que los fotones incidentes causantes de la emisin, es decir, tendrn la misma energa y vector de onda. La frecuencia de generacin de fotones de forma estimulada viene dictada por la velocidad de recombinacin en este tipo de proceso: (B.6.1) donde nph() es la concentracin de fotones y Wem es la velocidad de recombinacin en el proceso de emisin espontnea. En el LED, cuando los fotones son emitidos de forma espontnea, stos son perdidos bien por reabsorcin o bien porque simplemente abandonan la estructura. Por tanto, nph() permanece en un valor muy pequeo y no puede iniciarse un proceso de emisin estimulada. Vamos a considerar ahora la posibilidad de que los fotones sean emitidos de forma espontnea y que seamos capaces de disear una cavidad ptica tal que los fotones que posean una energa bien definida sean confinados de forma selectiva en la estructura del semiconductor. Esto aumentara nph() y a su vez la emisin estimulada. El resultado sera una seal de salida con un espectro de emisin muy estrecho y que podra ser modulada a altas velocidades. El reto es por tanto conseguir una cavidad ptica que confine los fotones de una determinada energa para que provoquen la emisin estimulada.
B.6.3.
La estructura lser: la cavidad ptica
Al igual que en el LED en el LD generamos fotones a partir de la recombinacin de pares electrn-hueco, pero en el LD tendremos una cavidad ptica que gua los fotones generados. La cavidad ptica es bsicamente una cavidad resonante en la cual los fotones sufren mltiples reflexiones. Por tanto, cuando los fotones son emitidos slo se permite que una pequea fraccin de stos deje la cavidad. En consecuencia, la concentracin de fotones dentro de la cavidad empieza a crecer. Existen muchas cavidades para su utilizacin en diodos lser, siendo las ms importantes la cavidad de Fabry-Perot, cavidades con realimentacin distribuida con enrejados peridicos ("gratings") y cavidades de lseres de emisin superficial con reflectores diseados especialmente para ellas. La cavidad ms utilizada es la de FabryPerot cuyo elemento ms importante es una superficie pulida que hace de espejo reflejando los fotones generando modos resonantes. Estos modos resonantes son los que satisfacen la expresin, (B.6.2) donde q es un entero, L es la longitud de la cavidad y es la longitud de onda del fotn en el material. Su relacin con la longitud de onda en el vaco es B.6-3
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(B.6.3) donde nr es el ndice de refraccin de la cavidad. El espaciado entre los modos estacionarios es (B.6.4) Como puede observarse en la siguiente figura (a) slo se pulen dos caras opuestas de la cavidad (dos superficies que hacen de espejo). Las otras dos se dejan sin pulir de forma que los fotones emitidos no son reflejados en estas caras, es decir, no se generan modos resonantes por lo que no est permitido el crecimiento de la concentracin de fotones en esa direccin. En la direccin en la que s existen las caras pulidas es en donde se generan los modos resonantes que provocan el proceso de emisin estimulada. nicamente las ondas estacionarias sobreviven dentro de la cavidad. Estas ondas estacionarias se producen cuando una onda se superpone con su reflejada. Dichas ondas estacionarias estn formadas por aquellas longitudes de onda que garantizan que la amplitud del campo elctrico es cero en cada espejo.
Fig. B.6.2: (a) Estructura lser tpica donde se ven los espejos y la cavidad utilizada para confinar los fotones. (b) Estados estacionarios de la cavidad. Los espejos son los responsables de estos estados. (c) La variacin de la constante dielctrica es la responsable del confinamiento ptico. La estructura de la cavidad ptica de estas figuras es la de la cavidad de Fabry-Perot.
En el tema dedicado a las guas de onda ya vimos como los modos guiados quedaban confinados en el interior de la gua. En el estudio que se va a realizar a continuacin se van a utilizar algunos de los conocimientos adquiridos sobre dicho tema. Hay que, por otra parte, tener en cuenta que aunque la cavidad ptica confina los fotones de unas determinadas caractersticas, la regin activa donde se produce la recombinacin de pares electrn-hueco puede ocupar slo una pequea fraccin de toda la cavidad. En consecuencia, es importante disear la estructura lser para que la onda ptica tenga una alta probabilidad de estar en la B.6-4
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regin en la que tiene lugar la recombinacin de pares electrn-hueco, ya que esta onda es la responsable de la emisin estimulada. Si se escoge una gua de ondas plana como la mostrada en (c) para confinar la onda ptica en la direccin z, el campo elctrico de la onda ptica cumplir, como vimos en el tema de las guas de onda, la siguiente ecuacin: (B.6.5) La constante dielctrica (z) (y por tanto el ndice de refraccin) suponemos que tiene una variacin con el eje z de forma que la onda quede confinada en la direccin z. Est variacin de tipo escaln de la constante dielctrica exige que las capas de recubrimiento sean de un material con una banda prohibida muy ancha, lo cual nos lleva a una estructura similar a la vista para el LED de heteroestructura. La mayora de los avances conseguidos en los lseres semiconductores son a partir de mejoras en las cavidades pticas. As se ha comprobado en la anterior discusin que el confinamiento ptico se mejora gracias al empleo de heteroestructuras como recubrimiento. Esto es fcil de conseguir en procesos epitaxiales. Hasta ahora hemos visto el confinamiento en la direccin z. Para conseguir un confinamiento en la direccin y (plano del lser) podramos utilizar una variacin de la constante dielctrica en dicha direccin. Sin embargo, esto en la prctica es difcil de conseguir. Una solucin muy empleada para conseguir dicho confinamiento es la mostrada en la siguiente figura, en que se utiliza un contacto en forma de tira metlica estrecha por donde se alimenta el diodo lser. Esto restringe el flujo de corriente, es decir, confina los portadores de carga -electrones y huecos-, dentro de una estrecha regin por debajo de la tira metlica. La anchura de la tira suele variar entre 10m y 50m. Estas tiras se producen por atacado con cidos.
Fig. B.6.3: Confinamiento ptico en el eje y mediante el empleo de un contacto en forma de estrecha tira metlica.
Tambin se fabrican lseres "enterrados" (se llaman as porque la regin activa est "enterrada" entre varias capas) donde el confinamiento ptico en la direccin y se consigue dopando los materiales o introduciendo defectos ya que estos procesos pueden tambin variar la constante dielctrica. B.6-5
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Un parmetro importante para describir las cavidades pticas es el factor de confinamiento ptico, , que da la fraccin de la onda ptica existente en la regin activa. (B.6.6) Este factor de confinamiento vale casi la unidad para lseres de doble heteroestructura con una regin activa de ~1m, aunque slo vale un 1% en estructuras avanzadas de lseres de pozos cunticos. An teniendo un factor de confinamiento tan bajo los lseres de pozos cunticos tienen un comportamiento mucho mejor por sus propiedades electrnicas superiores. En dicho tipo de lseres, la regin activa tiene un espesor tan pequeo (de 4 a 10nm) que el electrn puede considerarse que ve un "mundo de 2 dimensiones". Esto afecta al valor de la densidad de estados energticos permitidos tanto para electrones como para huecos y hace que la energa potencial de ambos tipos de portadores sea menor y, por tanto, sea ms fcil conseguir que se recombinen.
B.6.3.1.
Absorcin ptica, prdidas y ganancia
La corriente fotnica (proporcional a la intensidad ptica) asociada a una onda electromagntica viajando por un semiconductor viene dada por (B.6.7) donde es el coeficiente de absorcin (positivo) y incidente en x = 0. La intensidad ptica que es la corriente de fotones multiplicada por la energa de los fotones, , cae conforme avanza la onda si es positivo. Sin embargo, si se inyectan electrones en la banda de conduccin y huecos en la banda de valencia, el proceso de recombinacin de pares electrn-hueco (emisin de fotones) puede llegar a ser ms fuerte que el de generacin de pares electrn-hueco (absorcin de fotones). En general, y como vimos en el tema anterior, es posible definir una ganancia a partir de la diferencia entre los procesos de emisin y absorcin. La probabilidad de emisin de fotones ser mayor cuanto mayor sea el producto mientras que la probabilidad de absorcin ser mayor cuanto mayor sea el producto . y estn relacionadas con la energa del fotn por la condicin de que las transiciones han de ser verticales: (B.6.8) es la corriente fotnica
(B.6.9) La ganancia, como diferencia entre los procesos de emisin y absorcin es, por tanto proporcional a B.6-6
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(B.6.10) La dependencia espacial de la intensidad de la onda ptica es, en general de la forma: (B.6.11) donde g es la ganancia. Si g es positiva, la intensidad crece porque se aaden ms fotones por emisin a la intensidad. Una ganancia positiva requiere un proceso de "inversin". La condicin para que se produzca la inversin y tener una ganancia positiva es: (B.6.12) La condicin de inversin nos dice que, en la zona activa (zona de agotamiento de la unin pn), la probabilidad de encontrar un electrn con energa en las proximidades del lmite de la banda de conduccin y un hueco con energa en las proximidades de la banda de valencia es mayor que la unidad, , es decir que hay ms electrones en la banda de conduccin en las proximidades de Ec que electrones en la banda de valencia en las proximidades de Ev (ms huecos o estados energticos no ocupados por electrones), de ah el nombre de inversin de poblacin. En el tema anterior vimos que la expresin de la ganancia era: (B.6.13) de forma que si y , es decir, nicamente tenemos absorcin. Teniendo en cuenta el valor de el caso de GaAs (nr = 3,66): y que , la ganancia es negativa y de valor
, encontramos que para
(B.6.14) con y Eg en eV.
Esta expresin para la ganancia puede representarse en funcin de la energa del fotn y de los niveles de inyeccin n (=p). Para bajos niveles de inyeccin, las probabilidades y de encontrar electrones y huecos cerca de los lmites de las bandas ( y ) son bastante pequeas y la ganancia es negativa. Sin embargo, conforme aumenta el nivel de inyeccin, dichas probabilidades y aumentan y la ganancia puede llegar a ser positiva. Pero, incluso a altos niveles de inyeccin, si >>Eg, la ganancia se hace negativa. El hecho de que a energas bien por encima de la anchura de la banda prohibida la ganancia se haga negativa, incluso para muy altos niveles de inyeccin, es debido a que dichos estados energticos siempre tienen probabilidades de ocupacin y pequeas. La siguiente figura muestra las curvas ganancia-energa para diferentes niveles de inyeccin. Como se puede observar, justo por encima de la anchura de la banda prohibida (1,42eV para GaAs) la B.6-7
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ganancia se hace positiva cuando se incrementa la inyeccin de portadores. Slo para niveles de energa por encima (aunque cercanos) de la anchura de la banda prohibida la ganancia es positiva y tanto ms positiva cuanto mayor sea el nivel de inyeccin.
Fig. B.6.4: Curvas de ganancia frente a la energa del fotn para varios niveles de inyeccin de portadores para GaAs a 300K. Las inyecciones de electrones y huecos son iguales. La concentracin de portadores inyectados se aumenta en etapas de 0,25x1018 cm3 desde el nivel ms bajo que se muestra.
Esta ganancia es la llamada ganancia del material y viene nicamente determinada por la zona activa que es donde se produce la recombinacin. A menudo, esta regin activa tiene unas dimensiones muy pequeas. En este caso, es necesario definir la ganancia de la cavidad la cual vendr dada por: Ganancia de la cavidad = g() donde es el factor de confinamiento ptico. suele valer casi la unidad para lseres de doble heteroestructura y para lseres de pozo cuntico vale ~0,01. En lseres de pozo cuntico la ganancia de toda la cavidad puede ser todava muy alta debido a que la ganancia en el pozo cuntico es muy grande para una densidad de corriente inyectada fija si comparamos con el caso anterior. Para que comience la oscilacin lser, es importante que cuando son emitidos los fotones en la cavidad lser, la ganancia inicial asociada a la cavidad sea suficiente para superar la prdida de fotones que se produzca. La prdida de fotones se debe a dos causas: i) prdida por absorcin de fotones en las regiones de recubrimiento de la cavidad y los contactos del lser y ii) prdida debida a los fotones que abandonan la cavidad. i) Las prdidas en la cavidad loss son principalmente debidas a la absorcin de la luz por portadores libres (absorcin intrabanda). Este proceso de absorcin es mucho menor que la absorcin ptica de banda a banda y en materiales de alta calidad puede llegar a valores tan pequeos como 10cm-1. Hay que tener en cuenta que las prdidas dependen del dopado y defectos en el material y, por tanto, la calidad del material debe ser muy buena sobre todo en la regin donde debe confinarse la onda ptica. Llamaremos gtot a la ganancia de la cavidad junto al trmino de prdidas loss, es decir, gtot = g - loss. B.6-8
(B.6.15)
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ii) Para estudiar las prdidas de fotones por reflexin y transmisin de la cavidad, vamos a considerar la cavidad de Fabry-Perot cuyos coeficientes de reflexin y transmisin se muestran en la siguiente figura. Consideremos una onda con un campo incidente E0 en una de los extremos de la cavidad y veamos cmo se propaga esta onda por la cavidad.
Fig. B.6.5: (a) Esquema de la cavidad de Fabry-Perot mostrando la reflectividad y transmitividad de las ondas, (b) Camino del rayo luminoso conforme viaja por la cavidad.
Los campos transmitidos y reflejados vienen dados por, Etrans = E4 + E10 + = (B.6.16)
Eref = E2 + E7 + =
(B.6.17)
donde r1 es la amplitud reflejada en la interfase semiconductor-aire, r2 es la amplitud reflejada en la interfase aire-semiconductor, t1 es la amplitud transmitida en la interfase semiconductor-aire, t2 es la amplitud transmitida en la interfase aire-semiconductor y en A se ha incorporado la ganancia de la onda cuando se desplaza una distancia L, (B.6.18) siendo gtot la ganancia de la cavidad junto al trmino de prdidas loss (gtot = g-loss). El efecto lser se produce cuando tenemos unos campos Etrans y Eref diferentes de cero y E0 vale cero y por tanto la generacin de fotones en la cavidad es suficiente como para que existan fotones en el exterior de la cavidad. Si E0=0 entonces vemos de (B.6.16) y (B.6.17) que tambin se tiene que anular el denominador de las expresiones para que Etrans y Eref sean B.6-9
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distintas de cero. Esto exige un cierto valor de gtot que llamaremos gtot(th) = gth loss. Para que el efecto lser comience se debe cumplir A 2 r1 2 = 1 (B.6.19)
A partir de esta condicin (y sin tener en cuenta el trmino de fase incorporado en A) combinando (B.6.18) y (B.6.19) resulta gtot(th) = gth loss = o (como R = r12) gth = loss (B.6.21) (B.6.20)
Si ahora consideramos la parte de fase de la ecuacin (B.6.19) - parte real-, se requiere para que comience el efecto lser que:
(B.6.22) donde m es un entero. Esta es la condicin para que comience el efecto lser para la cavidad de Fabry-Perot. Esta no es la nica cavidad ptica utilizada en lseres. En una seccin posterior veremos dos tipos de cavidad distintas en que las condiciones son otras. Para la interfase GaAs-aire, el coeficiente de reflexin vale (B.6.23) siendo el ndice de refraccin del GaAs nr = 3,66.
B.6.4.
El lser por encima y por debajo del umbral
En la siguiente figura se muestra la salida de luz (concentracin de fotones) en funcin de la densidad de corriente en un diodo lser. Si comparamos sta con la emisin de luz en un LED observamos una importante diferencia. La salida de luz en un diodo lser presenta un cambio muy abrupto en su comportamiento si comparamos entre valores por debajo y por encima del cumplimiento de la condicin "umbral". La condicin umbral se define como la condicin para la cual la ganancia de la cavidad es mayor que las prdidas de la cavidad para cualquier energa del fotn, es decir, cuando, gth() = loss (B.6.24)
B.6-10
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Fig. B.6.6: Emisin de luz tpica como funcin de la inyeccin de corriente en un lser semiconductor. Por encima del umbral, la presencia de una alta densidad de fotones hace dominar la emisin estimulada. La densidad de fotones y electrones es real.
Ya hemos dicho que en lseres de alta calidad loss~10cm1 y las prdidas por reflexin tienen una contribucin similar. Otra definicin til es la condicin de transparencia cuando la luz no sufre absorcin o ganancia, es decir: g() = 0 (B.6.25)
Cuando el diodo p-n que forma el diodo lser est directamente polarizado inyectamos electrones y huecos en la regin activa. Estos electrones y huecos se recombinan para emitir fotones. Podemos diferenciar entre dos regiones de funcionamiento del lser. A partir de la siguiente figura, observamos que cuando la corriente de polarizacin directa es pequea el nmero de electrones y huecos inyectado es pequeo y la ganancia en el dispositivo es demasiado pequea para superar las prdidas en la cavidad. Los fotones emitidos o son absorbidos por la cavidad o perdidos hacia el exterior. Por tanto, en este rgimen de funcionamiento no aumenta el nmero de fotones en la cavidad. Sin embargo, cuando aumenta la corriente directa aumentan los portadores inyectados hasta que se cumple la condicin umbral para alguna energa de fotn. Como consecuencia se produce un aumento del nmero de fotones en la cavidad. Si la corriente an aumenta ms, comienza la emisin estimulada y domina a la emisin espontnea. La luz emitida por los fotones por encima del umbral se hace muy potente. Por debajo del valor umbral el dispositivo se comporta bsicamente como un LED, excepto que hay mayores prdidas en la cavidad en el diodo lser ya que muchos fotones no pueden escapar del dispositivo debido a los espejos en los lados de la cavidad. Si loss es la fraccin de fotones que no salen de la cavidad, la intensidad luminosa (flujo de fotones) de salida vale (no confundirla con la corriente fotnica IL del fotodetector) Iph = (1 prdidas) (recombinaciones totales de pares e-h por segundo) Iph = (1 prdidas) (corriente de electrones)
B.6-11
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Iph = (1 loss) (RsponAdlas) = (1 loss)
(B.6.26)
donde A es el rea de la cavidad, dlas es el grosor de la capa activa donde se produce la recombinacin e I es la corriente inyectada. La luz emitida Iph es bastante baja, debido al mayor valor de la prdida de fotones loss.
Fig. B.6.7: (a) El lser por debajo del umbral. La ganancia es menor que las prdidas de la cavidad y la emisin de luz es como la de un LED. (b) El lser en el umbral. Unos pocos modos empiezan a dominar el espectro de emisin. (c) El lser por encima del umbral. El espectro de ganancia no cambia pero debido a la emisin estimulada, aparece un modo dominante que emite casi toda la luz.
Una vez la concentracin de electrones y huecos es lo suficientemente grande como para cumplir la condicin umbral, la intensidad correspondiente a los fotones generados en la cavidad lser aumenta. De todos los modos pticos permitidos en la cavidad, uno o dos tendrn ganancias mayores pues las curvas de ganancia presentan picos para determinados valores de la energa (b). Como la ganancia es positiva la densidad de fotones en la cavidad lser empieza a incrementarse rpidamente. En consecuencia, el proceso de emisin estimulada comienza a crecer. Como ya se coment anteriormente, la emisin estimulada se relaciona con la espontnea por la expresin, (B.6.27) donde nph() es la densidad de fotones del modo.
B.6-12
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Para estudiar las caractersticas del lser alrededor y por encima del valor umbral debemos encontrar una relacin simple entre la densidad de corriente inyectada, la vida media radiante, las dimensiones de la regin activa donde se produce la recombinacin y la concentracin de portadores (n = p) en la regin activa. La cadencia con que llegan los electrones (huecos) a la regin activa es
y la cadencia a la cual se produce la recombinacin radiante de un par electrn-hueco es
donde r(J) es la vida media radiante dependiente de la densidad de corriente. Si suponemos una eficiencia radiante igual a la unidad, obtenemos, (B.6.28) La concentracin de portadores en la regin activa aumenta al aumentar la densidad de corriente. En el valor umbral tenemos, (B.6.29) Como se obtuvo en una seccin anterior, la vida media radiante vale en el umbral r(Jth) ~ 40 (~ 2 ns para el lser de GaAs). Conforme la densidad de corriente sobrepasa Jth (J > Jth), la densidad de fotones del modo dominante aumenta y el valor de r disminuye. Como resultado, aunque la densidad de carga inyectada aumenta, la concentracin de portadores en la regin activa se satura cerca del valor umbral, nth. Esto es lo que se observa en Fig. B.6.6. La luz de salida vale (n = nth) suponiendo una eficiencia radiante igual a la unidad: (B.6.30) De esta expresin se observa que la luz emitida para la misma inyeccin de corriente es similar en un LED y en un diodo lser. Pero para el caso del diodo lser los fotones emergentes se concentran en uno o dos modos en vez de en un espectro de anchura kBT. Esta pureza espectral es una de las caractersticas del diodo lser. Adems, por similares razones la luz de salida est altamente colimada y es altamente coherente. La expresin de nth es de suma importancia ya que indica como mejorar el lser en funcin de dlas. Para lseres de baja densidad de corriente umbral debemos reducir dlas, aunque
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esto disminuye la intensidad luminosa (flujo de fotones), Iph. Dependiendo de la aplicacin, el lser semiconductor se tendr que disear de una u otra forma. Las siguientes grficas muestran la potencia ptica y corriente de salida del diodo lser. La caracterstica corriente-tensin es similar a la de cualquier diodo semiconductor. Por debajo del nivel umbral de corriente, el dispositivo acta como un LED.
Fig. B.6.8: Caractersticas de la corriente umbral y cada de tensin del diodo lser.
B.6.5.
El tiempo de respuesta del diodo lser
La salida ptica del diodo lser debe ser modulada para que sea til para transmitir informacin. La forma ms inmediata de hacerlo es la modulacin directa en la que se modula la corriente que circula por el diodo lser. Dependiendo de la aplicacin, podemos subdividir la modulacin en tres grandes categoras.
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Fig. B.6.9: Tres diferentes categoras de modulacin empleadas para modulacin directa en lseres.
Modulacin de gran seal En este tipo de modulacin el lser es puesto a ON y a OFF, es decir, la corriente pasa de estar por encima del valor umbral a estar por debajo del valor umbral. Este tipo de modulacin se puede utilizar para interconexiones pticas o para algunas aplicaciones lgicas. La respuesta del lser es bastante lenta con esta modulacin (~10ns). La modulacin de gran seal no se utiliza para comunicaciones pticas debido a la respuesta tan lenta y debido a la anchura espectral de la salida. De hecho la respuesta en gran seal de un lser no es mucho mejor que la de un LED. Modulacin de pequea seal En modulacin de pequea seal el lser est polarizado en un punto por encima del valor umbral y se le aplica una pequea seal ac. Este mtodo presenta la mayor respuesta en frecuencia pudindose alcanzar anchos de banda de hasta 50GHz. Modulacin de cdigo de pulsos Esta tcnica de modulacin es la ms utilizada en las comunicaciones pticas actuales. Es un hbrido entre la modulacin de gran seal y la de pequea seal. El lser est polarizado por encima de su valor umbral y se le aplican pulsos de corriente (o tensin) de forma que la corriente va de un valor superior a otro inferior pero siempre, incluso en el estado bajo, por encima del valor umbral. Con este tipo de modulacin se alcanzan anchos de banda de hasta 10GHz. B.6-15
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La respuesta general a los distintos mtodos de modulacin depende de factores intrnsecos y extrnsecos del lser. Los lmites extrnsecos son varios. Una restriccin importante es el sobrecalentamiento del lser debido a las altas corrientes de polarizacin del lser. Estas altas corrientes son necesarias para poder hacer funcionar el lser a altas velocidades. El sobrecalentamiento produce un deterioro de los parmetros del dispositivo como la ganancia, corriente umbral, etc. Otro aspecto importante en la polarizacin de lseres a alta potencia es la degeneracin "catastrfica" que se produce si se daan los espejos. Esto destruye el lser al estropearse los espejos de la cavidad. Por tanto el lser tiene un lmite superior de inyeccin, hasta el cual puede operar con seguridad y por encima del cual se destruye el lser. Un ltimo lmite extrnseco del lser que limita la velocidad de ste es debido a los elementos parsitos extrnsecos del diodo lser. El lser debe ser diseado con cuidado para que la resistencia, capacidad e inductancia no limiten la respuesta del dispositivo. Los lmites intrnsecos de modulacin son debidos al diseo de la cavidad, arrastre y difusin de los portadores que limitan la velocidad de la modulacin de pequea seal.
B.6.5.1.
Conmutacin del lser en gran seal
La modulacin del lser bajo gran seal significa inyectar corrientes por debajo y por encima del valor umbral. El valor inicial puede ser cero. Veamos el proceso fsico que ocurre cuando se aplica este tipo de modulacin. Antes del salto de corriente, la concentracin de portadores en la regin activa del lser vale cero. Cuando aparece el salto de corriente, la concentracin de portadores aumenta y la ganancia del dispositivo tambin empieza a aumentar. Sin embargo, hasta que la ganancia no alcance el valor de las prdidas en la cavidad, habr muy pocos fotones que sean emitidos fuera de la cavidad. Por tanto, durante un tiempo td no emergern fotones del dispositivo. Cuando la concentracin de portadores alcance nth comienza la emisin estimulada. La concentracin de portadores sobrepasa el valor de nth, aumentando la emisin de fotones por encima del valor estacionario. La mayor emisin de fotones a su vez reduce la concentracin de portadores mediante una mayor recombinacin estimulada de pares e-h. Se producen por tanto oscilaciones amortiguadas en la concentracin de portadores y en la emisin de fotones, hasta alcanzar el equilibrio. Este proceso puede ser visto en la siguiente figura. Calculemos ahora el tiempo de retraso td examinando la variacin de la concentracin de portadores. Para una concentracin de portadores bidimensional o por unidad de rea (n2D=ndlas) tenemos, (B.6.31) Donde es el tiempo total de recombinacin de pares e-h. El primer trmino de la parte derecha es la velocidad del flujo (en dos dimensiones o por unidad de rea) de partculas dentro de la regin activa; el segundo trmino representa la velocidad de prdida de portadores debida a la recombinacin espontnea y el tercer trmino representa la velocidad de prdidas debida a la emisin estimulada. Si la densidad de corriente pasa de 0 a J, durante B.6-16
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el tiempo en que n2D<n2D(th) no habr fotones en la cavidad y Rstim ~ 0. Si integramos la expresin de t=0 a t=tf teniendo en cuenta que n2D vara desde n2D=n2D(i) a n2D(f) obtenemos,
(B.6.32)
La densidad de fotones empieza a cambiar cuando n2D(f)=n2D(th). Por tanto el tiempo de retraso vale (para n2D(i)=0),
(B.6.33)
El tiempo es debido a procesos radiantes y no radiantes por debajo del nivel umbral. Si los procesos no radiantes son despreciables = r y por tanto existir un retraso de varios nanosegundos entre el tiempo en que se aplica el salto de corriente y el momento en que los fotones emergen de la cavidad. Junto a este problema estn las oscilaciones de relajacin o establecimiento que se producen cuando los fotones empiezan a emerger.
Fig. B.6.10: (a) Respuesta temporal de la salida de la luz del lser para conmutacin en gran seal desde debajo del umbral hasta por encima del umbral. La respuesta se caracteriza por un retraso td y oscilaciones de
B.6-17
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relajacin. (b) Respuesta en frecuencia tpica para un lser semiconductor funcionando muy por encima del umbral. Al contrario que el LED el LD no est limitado por el tiempo de recombinacin espontnea de huecos y electrones. La respuesta en pequea seal mejora conforme se inyectan ms portadores y por tanto se pasa a niveles de potencia superiores.
B.6.5.2.
Respuesta del lser en pequea seal
La siguiente respuesta temporal importante en un lser es la respuesta a una modulacin en pequea seal, la cual corresponde a una modulacin de la densidad de corriente. En la teora de pequea seal se aplica una seal de corriente de la forma: (B.6.34) donde >Jth y J es pequea.
Esto provoca una variacin en la concentracin de portadores y en la densidad de fotones:
(B.6.35) La respuesta en frecuencia del lser bajo este tipo de modulacin es de la forma: (B.6.36) donde r es la frecuencia de resonancia del lser, la cual nos proporciona su ancho de banda, (B.6.37)
con , la poblacin de fotones por unidad de rea en estado estacionario y ph es la vida media de los fotones. En R(), el trmino representa un factor de amortiguamiento. De esta expresin se pueden sacar las siguientes conclusiones. La corriente inyectada y la corriente umbral De la expresin se puede deducir que cuanto mayor sea la densidad de fotones mayor ser el ancho de banda. De igual manera, si el lser es polarizado a un valor de corriente de alta inyeccin la respuesta de ste ser mejor. Es deseable por tanto un lser de baja corriente umbral ya que para un mismo nivel de corriente, mayor ser la densidad de fotones.
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Por otra parte no podemos aumentar la corriente de inyeccin indiscriminadamente debido a los efectos extrnsecos. A alta inyeccin, el calentamiento y la alta densidad de fotones inducen efectos que pueden llegar a degradar el buen funcionamiento del lser. Efecto Auger La ya mencionada recombinacin de Auger da lugar a calor en vez de a fotones por lo que una fraccin de la corriente no estar disponible para la creacin fotones y, en consecuencia, habr que aumentar el nivel de inyeccin para alcanzar la misma densidad de fotones. Adems se produce un aumento del factor de amortiguamiento de la resonancia reduciendo el ancho de banda. Vida media de los fotones De la expresin de la frecuencia de resonancia podramos deducir que hay que reducir al mximo la vida media de los fotones para mejorar el ancho de banda, pero hay que ser cuidadoso ya que la vida media de los fotones est relacionada con la ganancia y la corriente umbral ya que esta vida media depende de la prdida de fotones por absorcin y por reflexin-transmisin. La vida media de los fotones se puede acortar reduciendo la longitud de la cavidad, pero esto aumenta las prdidas de fotones en la cavidad ( ) y, por
tanto, se necesita un mayor n2D(th) para obtener la misma ganancia. Existe una longitud ptima de la cavidad para un determinado lser. Esta longitud ptima para la mayora de los lseres es de 100m. Ganancia diferencial La aparicin de la ganancia diferencial en la expresin demuestra que se puede mejorar la respuesta del lser eligiendo una regin activa del lser que nos proporcione un valor superior de dicha ganancia diferencial. La cuestin que se plantea es cual ser la frecuencia de corte mxima que podemos alcanzar en el lser real. Desgraciadamente aunque las investigaciones han insistido mucho los anchos de banda alcanzados no se han aumentado lo que se esperaba. Se han podido alcanzar frecuencias de hasta 40GHz. Los ltimos lseres de pozo cuntico alcanzan frecuencias de hasta 35GHz. Aunque estos valores son impresionantes resultan algo ridculos frente a los valores obtenidos con dispositivos de microondas donde se han alcanzado frecuencias de hasta 300GHz en FETs basados en la tecnologa de InGaAs.
B.6.6.
Diseo de lseres semiconductores: diseo de estructuras electrnicas.
Segn lo visto hasta ahora lo ms importante para mejorar el uso del lser en comunicaciones pticas es reducir su corriente umbral y aumentar su ancho de banda. Adems tambin se buscarn lseres con frecuencias de emisin que sean importantes para aplicaciones concretas. As necesitaremos lseres de longitudes de onda largas para aplicacin
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en comunicaciones, lseres de longitud de onda corta para aplicaciones de memoria ptica, lseres de luz azul y verde para visualizadores, etc. Vamos ahora a ver algunas consideraciones de diseo importantes para un funcionamiento ptimo del lser.
B.6.6.1.
Corriente umbral baja
Los primeros lseres utilizaban una capa activa muy gruesa donde dlas era del orden o mayor de 1m. El factor de confinamiento ptico en esta capa era muy alto (~1). Hay que tener en cuenta que la concentracin tridimensional de electrones (huecos) requerida para producir la condicin de transparencia (la luz no sufre ni absorcin ni ganancia) es una concentracin n (transparencia) que es independiente del grosor de la capa activa si ~1. Dicho valor de n (transparencia) es cercano a nth en estructuras de alta calidad. Sin embargo, en nuestro caso la densidad de corriente necesaria en el umbral est relacionada con la concentracin de portadores bidimensional (n2D = ndlas) a partir de la ecuacin obtenida con anterioridad, Por tanto en estos dispositivos la corriente umbral depende directamente del grosor de la capa activa, como puede observarse en la siguiente figura. Una disminucin de la corriente umbral se consigue disminuyendo el grosor de la capa activa.
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Fig. B.6.11: Dependencia de la corriente umbral en lseres de doble heteroestructura con la anchura de la regin activa. La densidad de corriente umbral cae con el grosor de la regin activa. Para valores muy bajos del grosor de la capa activa (dlas 50) el factor de confinamiento ptico, , tiende a 0 de forma que la ganancia de la cavidad es casi cero.
Cuando dlas disminuye alcanzando valores sumamente pequeos (dlas 50), el grosor de la regin activa se hace mucho menor que la longitud de onda de emisin, por lo que el factor de confinamiento ptico comienza a disminuir tendiendo a cero y la ganancia de la cavidad es casi cero. En esta figura puede ser visto que la menor corriente umbral se obtiene en dispositivos con pozos cunticos de entre 50 y 100. Conforme el valor de dlas disminuye (sin llegar a ser 50) empiezan a tener importancia los efectos cunticos que hacen que Jth disminuya. En la siguiente figura se muestra una estructura tpica de un lser de pozo cuntico. En un pozo cuntico, el electrn est dentro de un "mundo bidimensional" lo cual causa una reduccin en la densidad de estados energticos permitidos con lo que es posible alcanzar la condicin de inversin para una menor inyeccin reducindose por tanto la corriente umbral. Un recubrimiento de un material de gran banda prohibida recubre el pozo cuntico para que la onda ptica est muy confinada cerca del pozo cuntico y as incrementar tanto como sea posible el factor de confinamiento ptico. Para pozos cunticos de GaAs/AlGaAs se obtienen corrientes umbral a temperatura ambiente de hasta 100A/cm2. Esto significa que una cavidad lser de 10m x 200m se puede activar por una corriente de 2mA. Tales niveles de corriente se pueden suministrar por dispositivos electrnicos que a su vez pueden ser modulados a altas velocidades para proporcionar una modulacin a alta velocidad de la salida ptica.
Fig. B.6.12: Estructura de un lser de pozo cuntico para lseres de baja corriente umbral. La densidad de estados en un pozo cuntico 2D permite alcanzar la inversin para corrientes menores. Un recubrimiento de un material de gran banda prohibida recubre el pozo cuntico para que la onda ptica est lo ms confinada posible cerca del pozo cuntico a fin de incrementar en lo posible el factor de confinamiento ptico.
Los ltimos avances en pozos cunticos se han obtenido con el desarrollo de pozos cunticos tensados. Esta tensin se produce aplicando una fina capa de material sobre un substrato de diferente constante de estructura cristalina. Finas capas con diferencias en la constante de la estructura del orden del 3% pueden obtenerse mediante tcnicas de B.6-21
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crecimiento epitaxial. Esta tensin reduce tambin la densidad de estados energticos permitidos pudiendo alcanzarse la condicin de inversin para una menor inyeccin y reducindose la corriente umbral hasta en un factor 3. Tambin se puede mejorar el comportamiento del lser dopando la regin activa de tipo p ya que esto permite alcanzar la condicin de inversin con menor densidad de inyeccin. Como ya hay huecos presentes en la regin activa no es necesaria la inyeccin de mucha carga para tener ganancia. Sin embargo, hay que tener en cuenta que un dopado p demasiado fuerte puede incrementar las prdidas en la cavidad. Lseres de pozo cuntico: Utilizando las tcnicas de crecimiento epitaxial es posible generar un tipo de heteroestructura en la que se tenga una capa muy fina (normalmente menor de 50nm) de un material con poca anchura de la banda prohibida rodeada de dos capas de material de mayor anchura de la banda prohibida. Esta estructura es conocida como "pozo cuntico". Dichos dos materiales han de tener estructuras cristalinas congruentes, es decir, la misma constante "a" para las dos estructuras cristalinas. De esta forma la cantidad de defectos superficiales en la interfase entre ambos materiales ser mnima debido a la congruencia entre los dos tipos de cristales semiconductores. Como la anchura de la banda prohibida Eg cambia en la interfase, existen discontinuidades (saltos) en los valores de Ec y Ev, es decir, que parte de la discontinuidad aparecer en la banda de conduccin y parte en la banda de valencia. Estas discontinuidades, Ec y Ev, dependen de los materiales semiconductores y su dopado. En el caso de la heteroestructura GaAs/AlGaAs mostrada en la siguiente figura, Ec es mayor que Ev. Las proporciones suelen ser del orden de: (B.6.38) es decir, del 60 al 65% de la diferencia entre las anchuras de las bandas prohibidas est en la banda de conduccin. Debido a la barrera de potencial Ec, los electrones en la banda de conduccin de la fina capa de GaAs estarn confinados en la direccin x aunque "libres" en el plano yz.
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Fig. B.6.13: Esquema de un pozo cuntico.
Para analizar el comportamiento de un electrn en la banda de conduccin podemos hacer la aproximacin de que el potencial V(x) al cual est sometido el electrn es cero en el pozo cuntico e infinito fuera de ste. Es decir, definiremos la barrera de potencial con respecto al valor de Ec dentro del pozo cuntico y supondremos que la altura de la barrera de potencial es infinita. Esto nos permitir obtener un modelo sencillo que corresponder a una buena aproximacin al caso real. La ecuacin de Schrdinger para el electrn: (B.6.39) Esta ecuacin puede ser separada en tres ecuaciones, una para cada uno de los ejes, x, y y z:
(B.6.40) Las soluciones en el plano y-z son muy sencillas y son de la forma:
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(B.6.41) Suponiendo que el potencial V(x) es cero en el pozo cuntico de anchura d e infinito fuera de ste, los valores de kx estn restringidos a con n= 1, 2, 3, ... y la solucin para el eje x ser de la forma sin(kxx) o cos (kxx), es decir: (B.6.42)
(B.6.43)
(B.6.44) con lo que la energa en esta direccin est cuantizada en funcin de n. La energa total de un electrn en el pozo cuntico ser la suma de los tres trminos Ex, Ey y Ez, al cual le deberemos aadir Ec, ya que la barrera de potencial la hemos definido con respecto a dicho valor. (B.6.45) Si tenemos en cuenta que, adems de la dimensin d en el eje x, las dimensiones del dispositivo en el pozo cuntico en los ejes y y z son Dy y Dz como se muestra en la siguiente figura:
Fig. B.6.14: Esquema ilustrativo de una estructura de pozo cuntico (QW) en la cual una fina capa de GaAs es colocada entre dos semiconductores de mayor anchura de la banda prohibida (AlGaAs).
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se tendr que cumplir la relacin: con n= 1, 2, 3, ... con ny = 1, 2, 3, ...
con nz= 1, 2, 3, ...
(B.6.46)
y la energa del electrn en la banda de conduccin podra obtenerse de forma anloga a partir de: (B.6.47) donde n, ny y nz son nmeros cunticos. Pero Dy y Dz son bastantes ordenes de magnitud mayores que d de forma que la mnima energa E1, est determinada por el trmino con n y d, es decir, la energa asociada al movimiento en el eje x. La separacin entre los niveles energticos determinados por ny y nz y asociados al movimiento en el plano yz es tan pequea que podemos suponer que el electrn es libre para moverse en dicho plano. Hay que observar, a partir de la expresin anterior, que para un electrn en la banda de conduccin de un material semiconductor de grandes dimensiones (Dx, Dy y Dz), la separacin entre los niveles energticos determinados por los tres nmeros cunticos es tan pequea que podemos suponer que la energa no est cuantizada sino que es un continuo y, por tanto, que el electrn es libre. Los huecos en la banda de valencia dentro del pozo cuntico estn confinados por la barrera de potencial determinada por Ev y su comportamiento es similar al visto para los electrones en la banda de conduccin. El resultado es que se tienen una serie de sub-bandas para n=1, 2, 3, ...y, cuando un electrn se encuentra en una de estas sub-bandas, ste se comporta como si estuviese en un mundo bidimensional. La densidad de estados N(E) para un sistema electrnico bidimensional no es el mismo que para un semiconductor de grandes dimensiones, en el cual el electrn est en un mundo tridimensional. La densidad de estados N(E) es el nmero de estados energticos permitidos para el electrn por unidad de volumen y de energa para el nivel energtico E. 3D (B.6.48)
2D
(B.6.49)
As, mientras en un sistema tridimensional hay una dependencia en E1/2; para un sistema bidimensional no hay dependencia con E como se muestra en la siguiente figura:
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Fig. B.6.15: Variacin que experimenta la densidad de estados energticos permitidos con la energa en un sistema tridimensional y en un sistema bidimensional.
Como dentro de cada sub-banda (para n=1, 2, 3, ...) el electrn se comporta como si estuviese en un mundo bidimensional, la densidad de estados en cada sub-banda es constante y de valor: con (B.6.50)
dando lugar a una representacin con un perfil de tipo escalonado como el mostrado en la siguiente figura. La densidad de estados en la banda de valencia, tambin mostrado en la figura, tiene un comportamiento similar.
Fig. B.6.16: Los electrones en la banda de conduccin dentro de la capa de GaAs quedan confinados (por Ec) en la direccin x a una pequea longitud d en donde su energa est cuantizada. La densidad de estados permitidos es constante en cada nivel energtico cuantizado.
Como en E1 hay un nmero finito y substancial de estados permitidos, los electrones en la banda de conduccin no tienen por que expandirse en valores de energa para encontrar estados energticos. En un semiconductor de grandes dimensiones, la densidad de estados es cero en Ec y se incrementa lentamente con la energa (como E1/2) lo cual significa que los electrones se expanden ms profundamente en la banda de conduccin en la bsqueda de estados. A diferencia de lo que sucede en un semiconductor de grandes dimensiones, en el nivel energtico E1 dentro del pozo cuntico podemos tener fcilmente una gran concentracin de electrones. De forma similar, la mayor parte de los huecos en la banda de valencia estarn en su nivel energtico mnimo ya que para dicho nivel energtico existen suficientes estados.
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Cuando es aplicada una tensin de polarizacin directa, son inyectados electrones en la banda de conduccin de la fina capa de GaAs que hace el papel de regin activa. Los electrones inyectados rpidamente pueblan un gran nmero de estados energticos en E1, lo cual significa que la concentracin de electrones en E1 se incrementa rpidamente con la corriente y, por tanto, la inversin de poblacin entre E1 y puede ocurrir sin la necesidad de una gran corriente que proporcione una gran cantidad de electrones. La recombinacin de un par electrn-hueco de forma estimulada con energas E1 y respectivamente conducir a la emisin estimulada de un fotn. En consecuencia, la corriente umbral para que se produzca la inversin de poblacin y, por tanto, el inicio de la emisin estimulada se reduce con respecto a dispositivos con semiconductores de grandes dimensiones. Por ejemplo, en un lser de un nico pozo cuntico (SQW) sta est normalmente en el rango de 0,5mA - 1mA mientras que en un lser de heteroestructura la corriente umbral est en el rango de 10mA 50mA. Otra ventaja del lser de pozo cuntico es que la mayor parte de los electrones estn en E1 y la mayor parte de los huecos estn en , con lo que la energa de los fotones emitidos es muy cercana a E1. En consecuencia, la anchura en longitudes de onda del espectro de salida es substancialmente ms pequea que en lseres de semiconductores de grandes dimensiones.
Fig. B.6.17: En un lser de un nico pozo cuntico (SQW) los electrones son inyectados por la corriente de polarizacin directa en la fina capa de GaAs la cual se utiliza como regin activa. La inversin de poblacin entre E1 y .es alcanzada incluso con una pequea corriente de polarizacin directa, producindose emisiones estimuladas.
En la estructura de un lser de mltiples pozos cunticos (MQW) se alternan capas muy finas de material semiconductor de pequea anchura de la banda prohibida con capas ms grandes de semiconductores de mayor anchura de la banda prohibida. Las capas de semiconductor de menor gap constituyen las regiones activas en las que tiene lugar el confinamiento de los electrones.
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Fig. B.6.18: En un lser de mltiples pozos cunticos (MQW) los electrones son inyectados por la corriente de polarizacin directa en las regiones activas las cuales son pozos cunticos.
B.6.7.
Estructuras avanzadas: cavidades a medida
B.6.7.1.
Aspectos de la cavidad de Fabry-Perot
La estructura de la cavidad de Fabry-Perot tiene una longitud L y una anchura dT. En esta cavidad hay un nmero de modos pticos que forman modos estacionarios como ya hemos visto. Cuando se inyectan portadores en el lser llega un momento en que la ganancia se hace positiva y se superan las prdidas. En ese instante un nmero determinado de los modos pticos longitudinales comenzar la emisin estimulada. Los vectores E y H de estos modos longitudinales son perpendiculares a la direccin de propagacin. Si se inyectan todava ms portadores, algunos modos cuyas frecuencias estn ms cercanas al pico de energa se hacen ms potentes. An as siempre hay ms de un modo que es emitido por el lser. Debido a esto la pureza modal de la cavidad de Fabry-Perot no es muy buena. El espaciado entre los modos en la cavidad de Fabry-Perot es (B.6.51) donde v es la velocidad de la luz. Es decir que los distintos modos longitudinales tendrn frecuencias de: m=1, 2, 3... con separacin entre modos: (B.6.53) (B.6.52)
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Los modos de fotones que se pueden emitir en la recombinacin de pares electrnhueco en una cavidad de Fabry-Perot son esencialmente los mismos que en un semiconductor normal. Esto es debido al tamao tan grande de la cavidad comparado con la longitud de onda de la luz. La cavidad de Fabry-Perot es una de las estructuras ms sencillas utilizadas en lseres de semiconductores. Las longitudes tpicas van desde los 150m a 1mm dependiendo de la aplicacin. La cavidad presenta tambin una dimensin lateral, dT, la cual determina la existencia de modos transversales de la luz emitida. En estos, los campo E y H son perpendiculares al eje de la cavidad. Como consecuencia, no nicamente se tienen presentes modos longitudinales sino tambin algunos modos transversales como se muestra en la siguiente figura.
Fig. B.6.19: Parmetros geomtricos de la cavidad de Fabry-Perot y su importancia para la emisin del rayo. Esquema de varios modos laterales.
Conforme aumenta la corriente inyectada, la potencia relativa de los distintos modos cambia. El modo longitudinal que tiene la mayor densidad de fotones es el que tiene una longitud de onda ms parecida al pico en el espectro de la ganancia. Como este pico se desplaza con la inyeccin de portadores el modo mximo tambin se desplaza. Si la dimensin transversal dT es suficientemente pequea, nicamente se tiene el modo transversal de orden inferior llamado TEM00 cuyo perfil se asemeja al de una gaussiana como se observa en la anterior figura. Sin embargo, si el confinamiento ptico transversal es pequeo (es decir dT es grande), tendremos presentes modos pticos transversales con frecuencias muy cercanas ya que 1/dT determina el espaciado en frecuencia. La salida puede tener varios de estos modos cuando la inyeccin de corriente se incremente. Esto puede resultar en algunos "codos" en la curva de potencia de salida frente a corriente inyectada. Estos "codos" producen ruido en las comunicaciones pticas y los debemos evitar, aumentando para ello el factor de confinamiento ptico utilizando cavidades guiadas por ganancia o cavidades guiadas por ndice, de las que hablaremos a continuacin.
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Fig. B.6.20: La aparicin de modos laterales en el rayo produce "codos" en la curva luz-corriente.
Fig. B.6.21: Estructura tpica de una cavidad de Fabry-Perot.
El patrn de radiacin es similar al de un ELED salvo en que los semiejes ancho y estrecho del cono elptico se invierten y los ngulos de apertura son menores.
Fig. B.6.22: Diagrama de radiacin tpico de un diodo lser.
Cavidades guiadas por ganancia La tcnica ms comn para confinar la onda ptica y dirigirla a lo largo de la cavidad es fabricar lseres con geometra de tiras. La estructura del semiconductor es recubierta de una fina capa de xido (SiO2) en la cual se produce por atacado una fina tira de anchura dT entre 2m y 10m. El contacto se realiza a travs de esta tira como se muestra en la siguiente figura. Esto permite que la corriente inyectada, y por tanto la onda ptica, quede confinada en dicha regin tan estrecha. Un efecto similar se consigue con el lser de perfil rectangular mostrado en (b). La corriente se inyecta a travs de la estrecha apertura de anchura dT y se esparce por debajo de ella debido al carcter difusivo del flujo de corriente. Esta difusin se puede controlar a travs del diseo del dispositivo. La concentracin de portadores debajo de la tira no es uniforme. Como el ndice de refraccin del material depende de dicha concentracin de portadores, tambin se distribuye de forma no uniforme. Finalmente, la ganancia del dispositivo tampoco es uniforme. B.6-30
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En consecuencia, no solo la parte real del ndice de refraccin es no uniforme en la direccin sino que tambin la ganancia es altamente no uniforme. De hecho el salto en el valor del ndice de refraccin es bastante pequeo como para que pueda ser considerado determinante en el comportamiento transversal mientras el perfil de ganancia en y es altamente no uniforme. Debido a esto, es la ganancia la que produce el efecto de guiado. Como es la circulacin de la corriente, la causante de la ganancia en la regin activa a este tipo de diodos lser se les llama guiados por ganancia. Es difcil producir un funcionamiento en que se tenga un nico modo transversal en un lser de este tipo en que es la ganancia la que determina el efecto de guiado a menos que se tenga una tira muy estrecha (~2m). Pero para estas tiras tan estrechas, la corriente umbral del dispositivo se hace muy alta ya que una gran parte de esta corriente se esparce y no se aprovecha. Por ello se utilizan cavidades guiadas por ndice para lseres de un solo modo transversal.
Fig. B.6.23: (a) Lser de geometra de tiras, (b) el lser de perfil rectangular, (c) inyeccin de corriente en el lser, (d) perfil de densidad de corriente, (e) perfil de densidad de electrones, (f) perfil de ndice de refraccin, (g) perfil de ganancia y prdidas.
Cavidades guiadas por ndice Las cavidades guiadas por ndice se basan en una variacin escaln del ndice de refraccin en direccin lateral. Dicha estructura es llamada diodo lser "enterrado" de heteroestructura y su fabricacin es mucho ms compleja. Para producir este salto en el ndice de refraccin, se requieren procesos de crecimiento y atacado a fin de obtener regiones de pocas micras. En este tipo de cavidad la zona activa queda rodeada de materiales de mayor anchura de la banda prohibida.
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Si este tipo de lser se fabrica correctamente, no sufre de "codos" en su curva de potencia frente a la corriente inyectada. Su salida es monomodal y su corriente umbral muy baja. Por supuesto, para obtener los mximos beneficios de esta estructura, debemos tener pozos cunticos en la regin activa.
Fig. B.6.24: Cavidades lseres guiadas por ndice.
B.6.7.2.
Lseres de realimentacin distribuida
La cavidad lser de Fabry-Perot, aunque es fcil de fabricar tiene una serie de inconvenientes que hay que evitar. Dado que se utilizan dos espejos no se selecciona ningn modo en particular en la cavidad y el modo emergente y dominante dependern del espectro de la ganancia que depende de las propiedades electrnicas de la regin activa. Como la distancia entre modos es de slo 4 o 5 y el espectro de ganancia es bastante plano en dicho rango, tendremos varios modos emergiendo de la cavidad de Fabry-Perot. A altas potencias los modos laterales sern menores en relacin con el modo dominante, pero aun as la anchura del espectro es de unos 20 aunque cada modo es muy estrecho. La pregunta es: podemos con la misma cavidad seleccionar un modo? Despus de todo, en circuitos electrnicos es posible disear cavidades resonantes con gran selectividad en lo que respecta a los modos. De hecho en microondas s que tenemos capacidad de crear cavidades resonantes altamente selectivas. Aunque en componentes fotnicos, no es tan sencilla la obtencin de cavidades tan sumamente selectivas, podemos encontrar algunas soluciones. Una cavidad selectiva respecto a los modos es la estructura de realimentacin distribuida (DFB) que se basa en la propagacin de ondas en estructuras peridicas. En la estructura DFB se incorpora un enrejado peridico en la estructura del lser en las proximidades de la regin activa. Como vamos a ver este enrejado, llamado enrejado de Bragg acta como un espejo, reflejando de forma selectiva segn la longitud de onda. Este B.6-32
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tipo de enrejado est compuesto por una especie de "arrugas" con una periodicidad . De forma intuitiva se puede obtener que las reflexiones parciales de las ondas provenientes de las arrugas interferirn constructivamente (se reforzarn la una a la otra) para dar una nica onda reflejada slo en el caso de que la longitud de onda corresponda a dos veces la periodicidad del enrejado. Por ejemplo en el esquema simplificado de la siguiente figura, las ondas parcialmente reflejadas A y B tienen una diferencia de camino ptico de valor 2. Interferirn constructivamente nicamente si 2 es un mltiplo de la longitud de onda en el medio: (B.6.54) donde n es el ndice de refraccin del material del enrejado.
Fig. B.6.25: Las ondas parcialmente reflejadas en las arrugas interferirn constructivamente constituyendo una onda reflejada cuando la longitud de onda satisfaga la condicin de Bragg.
Una expresin ms aproximada para las longitudes de onda de Bragg la podemos obtener a partir de la condicin: (B.6.55) donde neff = nsin. Todas las magnitudes, incluido el ngulo estn ilustradas en la siguiente figura.
Fig. B.6.26: Diodo laser de realimentacin distribuida (DFB) (a) Un diodo lser DFB. (b) Como trabaja la realimentacin distribuida. (c) Espectro de la radiacin de salida.
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Slo las longitudes de onda B, interferirn constructivamente al reflejarse y, por tanto, existirn en la cavidad. La palabra "distribuido" hace referencia a que la reflexin no tiene lugar en un nico lugar (espejo) sino que ocurre en muchos puntos que estn dispersos. El resultado de todo esto es que se puede conseguir una anchura espectral de la radiacin extremadamente estrecha (c). Esta estructura debe estar lo ms cerca posible de la capa activa de forma que la onda ptica interacciona fuertemente con el enrejado. Pero como la colocacin del enrejado crea defectos en la red cristalina, no puede acercarse demasiado a la regin activa. La dificultad en la fabricacin de los lseres DFB hace que su coste sea del orden de mil veces mayores que las cavidades de Fabry-Perot.
Fig. B.6.27: Estructura de realimentacin distribuida que incorpora un enrejado peridico.
B.6.7.3.
Lseres de emisin superficial
Hasta ahora slo hemos visto lseres de emisin lateral. En ellos el rayo es paralelo al substrato donde crece el cristal. Como hemos visto con anterioridad, la condicin que se ha de cumplir para que se produzca el rayo lser es: (B.6.56) donde L es la longitud de la cavidad. R suele tener un valor de 0,3, de forma que para asegurar una corriente umbral razonablemente baja L debe ser mayor de 100m. El lser de emisin lateral es pues un dispositivo fsicamente bastante grande comparado con otros dispositivos microelectrnicos como por ejemplo transistores. Adems es difcil de conseguir un gran nmero de lseres integrados en un solo chip lo que es una limitacin para los chips de ordenador con interconexin ptica. Los lseres de emisin superficial (SEL) o lseres de emisin superficial con cavidad vertical (VCSEL) resuelven estos problemas. Se pueden producir en gran nmero sobre una oblea y el rayo emerge perpendicularmente a la oblea. Los dispositivos se pueden hacer tambin muy pequeos de forma que la corriente umbral es del orden de microamperios.
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En el SEL los espejos estn en la parte superior e inferior del dispositivo. El grosor de la cavidad no puede exceder los 10m. Si la reflectividad se mantiene alrededor de 0,3, las prdidas por reflexin sern del orden de 103cm1 o mayores. Esto significa una corriente umbral muy elevada. Para evitarlo se utilizan espejos de alta reflectividad. Si la reflectividad de los espejos se puede hacer del orden de 0,99, las prdidas sern slo de 10cm1 lo que es muy aceptable para lseres de baja corriente umbral. En un SEL la regin activa es como la de una cavidad de Fabry-Perot pero vara el recubrimiento. En la seccin anterior hemos mencionado, como una estructura peridica puede utilizarse para reflejar efectivamente una onda acorde con la periodicidad espacial. Este concepto de reflectores distribuidos de Bragg (DBRs) se utiliza en el SEL para obtener espejos de alta calidad. Los reflectores son espejos dielctricos realizados alternando finas capas de alto u bajo ndice de refraccin. Estos espejos dielctricos proporcionan un alto grado de reflectividad a la longitud de onda 0 en el espacio libre siempre y cuando los grosores de las capas que se alternan d1 y d2 con ndices de refraccin nr1 y nr2 cumplan la condicin (B.6.57) La longitud de onda se elige de forma que coincida con la energa de los fotones del pico de ganancia. La reflectividad de la estructura DBR es muy alta cuando se cumple la condicin de Bragg (=0) y cae bruscamente para otras longitudes de onda. Para realizar un anlisis detallado del SEL hay que calcular cuidadosamente la reflectividad de los DBRs. Estos clculos han arrojado como resultado que para dispositivos de dimetros laterales mayores que 100 la reflectividad vale
(B.6.58)
siendo nr1 menor que nr2 y d1 = d2. N es el nmero de periodos utilizados en el DBR. Se puede alcanzar fcilmente un valor de R cercano al 99% si se escoge la relacin adecuada entre N y nr1/nr2. La reflectividad disminuye si el dimetro de la cavidad se asemeja a algunas veces . Se pueden construir matrices de lseres a partir del SEL pudindose alcanzar potencias de hasta 1W. An as existen algunos problemas con esta estructura comparada con las de emisin lateral. i) Inyeccin de carga: La presencia de los espejos DBR dificulta considerablemente la inyeccin de carga en el SEL. Se tiene que tener especial cuidado en desarrollar caminos de baja resistencia hasta la regin activa. Si la carga se debe inyectar a travs del DBR ste se debe dopar y un DBR presenta bastante resistencia al flujo de corriente. Si se utilizan conectores anulares que eviten los DBRs, se producen efectos de concentracin de corriente. En este B.6-35
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caso la corriente se concentra en los extremos mientras que el centro tiene muy poca corriente. Mejoras en el SEL se obtendrn cuando se resuelvan estos problemas. ii) Calentamiento del dispositivo: La alta resistencia del SEL calienta mucho el dispositivo. Por tanto es difcil hacer funcionar el SEL con altas corrientes ya que el calentamiento reduce el rendimiento debido a prdidas de corriente y la recombinacin de Auger (para materiales de banda prohibida pequea) y la salida ptica tiende a saturarse.
El SEL adquiere importancia por su capacidad de formar parte de un chip no slo para ser incluido en circuitos integrados si no tambin para fabricar lseres de potencia (1W). Las limitaciones fsicas de la construccin de semiconductores hacen que no se puedan obtener potencias superiores a los 10mW para un solo lser. Aunque la potencia de un lser puede ser elevada es difcil de controlar la fase de los diferentes lseres de una matriz siendo este uno de los puntos ms investigados en la actualidad.
Fig. B.6.28: (a) Esquema de la localizacin de los reflectores DBR en un lser de emisin superficial. Se muestra esquema de la reflectividad. (b) Estructura tpica de un DBR de GaAs / AlAs. (c) Estructura de DBR utilizando apilamientos de materiales amorfos.
B.6.7.4.
El lser DBR
En la estructura peridica que hemos visto hasta ahora la periodicidad es fija y por tanto la longitud de onda del lser tambin. En el lser DBR las capas reflectantes se colocan B.6-36
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fuera de la zona activa y adems el ndice de refraccin de la zona reflectante se puede modificar mediante la inyeccin de corriente. El DBR es el responsable de reflejar la luz emitida por la zona activa y la longitud de onda que tiene la mayor realimentacin debe cumplir B = 2qa donde q es un entero positivo y a es la periodicidad de la estructura a = nr1d1 + nr2d2 (B.6.60) (B.6.59)
Los valores de nr1 y nr2 se pueden modificar electrnicamente y el lser puede sintonizar su longitud de onda en un rango de unos 30.
Fig. B.6.29: Lser DBR, donde el reflector de Bragg est fuera de la regin activa. La periodicidad ptica del DBR se puede modificar electrnicamente.
B.6.8.
Dependencia con la temperatura de la emisin del lser
Como en el LED la dependencia de la temperatura de la emisin de un lser es de suma importancia. Tal y como hemos visto en una seccin anterior, para aplicaciones de muy alta velocidad necesitamos altas corrientes de inyeccin lo cual puede producir un calentamiento del dispositivo an con buena refrigeracin. Los factores de mayor importancia en el estudio de la dependencia con la temperatura son; i) efecto de la temperatura sobre la corriente umbral y la intensidad ptica y ii) efecto de la temperatura sobre la frecuencia de emisin.
B.6.8.1.
Dependencia de la corriente umbral con la temperatura
Conforme aumenta la temperatura del lser, su corriente umbral tambin aumenta y para un nivel de inyeccin determinado, la salida de fotones cae. Esto se debe a tres razones: i) El incremento de la temperatura provoca que las funciones y se expandan y en consecuencia, se necesita una mayor inyeccin de portadores para que se llegue a cumplir la condicin de inversin de poblacin . Por tanto, la corriente umbral aumenta con la temperatura. Este efecto se produce en todos los tipos de lseres B.6-37
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ii)
El incremento de temperatura causa que puedan existir electrones y huecos con energas mayores. En consecuencia, una mayor fraccin de la carga inyectada podr cruzar la regin activa y entrar en el recubrimiento o regin de los contactos. Esta corriente de prdidas ya la vimos para el LED. La corriente de prdidas depende del diseo del lser y se puede minimizar utilizando una regin activa ms ancha o una estructura con variacin gradual del ndice en el caso de lseres de pozo cuntico. A mayor temperatura hay ms electrones y huecos con energas superiores al valor energtico umbral necesario para que se produzca la recombinacin de Auger. Esto, junto junto con el incremento en la densidad de portadores umbral hace que la recombinacin de Auger crezca exponencialmente con la temperatura. Los procesos de Auger son especialmente importantes en materiales de estrecha banda prohibida.
iii)
El resultado de estos tres efectos es que la densidad de corriente umbral en un lser puede, en general, ser descrita a travs de la siguiente expresin (B.6.61) Es deseable un valor grande de T0. Para lseres de GaAs este valor es 120K y para longitudes de onda grandes ( = 1,55m), T0 suele ser menor (del orden de 50K).
Fig. B.6.30: Potencia ptica de salida en funcin de la corriente por el diodo lser a tres temperaturas diferentes. La corriente umbral aumenta al aumentar la temperatura.
El incremento de la corriente umbral es del orden del 1,5% por C. El dispositivo tiene, por tanto, la capacidad de pasar automticamente a OFF al calentarse. Para evitar esto, el diodo lser debe o bien estar refrigerado o bien ser atacado por una fuente de potencia a corriente constante, controlada por un fotodetector utilizando un circuito de realimentacin apropiado. Un circuito tpico para tal fin es el mostrado en la siguiente figura:
B.6-38
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Fig. B.6.31: Fuente de alimentacin de un diodo lser con un fotodetector interno para poder regular la luz de salida.
B.6.8.2.
Dependencia con la temperatura de la frecuencia de emisin
Para la mayora de las aplicaciones es deseable que la frecuencia de emisin permanezca estable. Pero en realidad si cambia la temperatura cambia la frecuencia de emisin del lser. Hay dos efectos que controlan esta variacin de la frecuencia: i) La variacin de la banda prohibida hace desplazarse el espectro de ganancia completo a energas menores conforme aumenta la temperatura. Esta variacin de la banda prohibida es del orden de 0,5meV/K en la mayora de los semiconductores. Esto hace variar al espectro de ganancia en 3 o 4 por K si no hay efectos adicionales como se muestra en la siguiente figura (a). Sin embargo, en el lser la emisin no depende slo de la posicin del pico de ganancia si no tambin del modo Fabry-Perot ms cercano a este pico de ganancia. Esto nos conduce al segundo efecto. Conforme vara la temperatura, la expansin trmica de la cavidad lser y la variacin del ndice de refraccin altera la posicin de los modos resonantes. Los modos resonantes vienen dados por (q es un entero) (B.6.62) donde q es la longitud de onda en el material y q0 la longitud de onda en el vaco. Si la longitud efectiva de la cavidad aumenta con la temperatura, la posicin de los modos se desplazar con respecto al espectro de ganancia que a su vez se est desplazando debido a la temperatura. Esto se muestra esquemticamente en (b). Para la mayora de los semiconductores, el efecto
ii)
B.6-39
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total ser un desplazamiento de la longitud de onda resonante de alrededor de 1/K. Como resultado de ambos efectos, la longitud de onda de emisin de la cavidad de Fabry-Perot vara desplazndose a 4/K hasta que un modo adyacente se convierte en el ms prximo al pico de ganancia, momento en el que se produce un salto de un modo a otro. Sin embargo, en el caso de lser DFB, al no depender el efecto lser del pico de ganancia si no del espaciado del enrejado, no se producen saltos de modo y la variacin de la longitud de onda es de alrededor de 1/K en un amplio margen de temperaturas.
Fig. B.6.32: (a) Corrimiento del espectro de ganancia y los modos resonantes de la cavidad con la temperatura. (b) Desplazamiento de la longitud de onda de emisin con la temperatura.
B.6.9.
Aplicaciones del diodo lser
Ante todo lo primero que hay que decir es que todos los lseres tienen una propiedad en comn: son dispositivos altamente peligrosos. Esto es debido a la alta concentracin de potencia. Incluso un nivel de un milivatio puede producir daos irreversibles en el ojo humano si se mira directamente. Por ello hay que cumplir algunas medidas de seguridad: B.6-40
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1. Utilizar gafas especiales diseadas para cada uno de los lseres que se vayan a manipular. 2. Nunca mirar al rayo lser directamente ni tampoco a una imagen especular del rayo. 3. Para rayos de alta potencia siempre es conveniente terminarlos con un material absorbente y a ser posible en un contenedor cerrado. 4. Se debe proteger la piel para lseres de altos niveles de potencia. Ropa blanca de grosor medio (bata de laboratorio) reduce la exposicin del rayo lser en un factor 100. 5. Un rayo invisible produce los mismos daos que uno visible. Hay que tomar por tanto precauciones especiales al trabajar con rayos lser fuera del espectro visible. Los lseres han tenido un impacto significativo en aplicaciones militares y en fusin termonuclear, aplicaciones muy especializadas de las cuales no vamos a hablar. Aparte de estas, las aplicaciones del lser se pueden dividir en cuatro reas: (a) aplicaciones industriales y de trabajo con materiales, (b) procesado de informacin y comunicaciones pticas, (c) aplicaciones mdicas y biolgicas, (d) aplicaciones cientficas y de medida. (a) Aplicaciones industriales y de trabajo con materiales: esta aplicacin es una de las ms desarrolladas ya que el rayo lser ha permitido una precisin mucho mayor en los cortes y tratamiento de materiales. El rayo lser no calienta los materiales a tratar por lo que stos no se deforman. Las aplicaciones del lser son tambin muy importantes en trabajos de miniatura y de precisin. Su desventaja es el coste, tanto la inversin inicial como el mantenimiento. En estas aplicaciones los lseres ms utilizados son obviamente los de alta potencia. (b) Procesado de informacin y comunicaciones pticas: las memorias pticas como los DVD y los CD-ROM son hoy en da de uso diario. El disco ptico consiste en grabar la superficie con pequeos agujeros o muescas de profundidad de un cuarto de longitud de onda con un lser. A su vez la lectura se hace detectando la reflexin de un lser al incidir sobre estas muescas. Otra aplicacin es el cdigo de barras en la que se hace incidir un lser de He-Ne sobre el cdigo y las reflexiones se traducen en un cdigo de 10 dgitos. En las impresoras lser tambin se utiliza el rayo lser para detectar y reproducir imgenes con una muy alta resolucin. Gracias a las comunicaciones pticas y debido al ancho de banda que nos ofrece el rayo lser se pueden mandar grandes cantidades de informacin a travs de una sola fibra ptica.
B.6-41
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Fig. B.6.33: Lector de CD.
(c) Aplicaciones mdicas y biolgicas: el rayo lser se utiliza como herramienta para operar y como herramienta para obtener diagnsticos. El rayo lser se utiliza como escalpelo gracias a su precisin. El lser de CO2 calienta el agua la cual al evaporarse corta la clula. Se pueden hacer incisiones de alta precisin dirigidas por microscopio; operar reas muy inaccesibles como dentro del ojo u odo. Adems el dao producido a tejidos adyacentes es mnimo y se reduce el sangrado debido a la cauterizacin de la herida. Las desventajas son una vez ms el elevado coste de los equipos, la lenta velocidad de las operaciones y las medidas de seguridad. (d) Aplicaciones cientficas y de medida: el rayo lser de He-Ne permite hacer medidas con absoluta precisin y as determinar una lnea horizontal hacindolo incidir sobre un espejo en rotacin. Con un rayo lser y gracias a su perfecta linealidad se pueden hacer alineaciones con una precisin de 25m sobre 25m. Por interferometra se pueden hacer medidas de distancias al medir el dibujo de interferencia producida entre el rayo emergente y el que retorna reflejado. La precisin es de una parte por milln. Para largas distancias se modula el rayo y se comparan fases del rayo emergente y el reflejado obteniendo medidas con una precisin de una parte por milln. Para distancias an mayores se emiten pulsos y se mide el tiempo de ida y vuelta. Este mtodo se utiliza para localizar la distancia de satlites e incluso de la luna con un error de 20cm. Como el lser es altamente monocromtico es fcil determinar corrimientos de frecuencia por efecto Doppler y as medir velocidades. Otra aplicacin muy interesante es la holografa donde se crea un holograma el cual recoge toda la informacin necesaria para que a partir de l se pueda crear una imagen tridimensional de un objeto. Para ello se ilumina un objeto con un rayo lser a travs de un espejo semitransparente. Parte del rayo reflejado por el espejo B.6-42
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incide sobre una placa fotogrfica la cual graba un diagrama de interferencias debido al rayo reflejado por el objeto con el rayo reflejado por el espejo. Si ahora eliminamos el objeto cuando pase el rayo lser a travs de la pelcula, el observador ver una imagen tridimensional que adems cambia conforme se vaya moviendo.
Fig. B.6.34: Funcionamiento esquemtico de la holografa.
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B.7. Dispositivos de visualizacin y modulacin
B.7.1.
Introduccin
La invencin en el siglo diecinueve del tubo de rayos catdicos o CRT ha influido nuestras vidas hasta lo inimaginable. Tambin los ordenadores utilizan el monitor de televisin como medio de comunicacin con el exterior. Esta importancia del monitor de televisin es debido a que realmente una imagen vale ms que mil palabras y nuestro cerebro es capaz de asimilar toda la informacin gracias a las imgenes. Comparado con un circuito integrado un monitor es un elemento muy hambriento de energa. Este desequilibrio entre el visualizador y el ordenador se est arreglando con la evolucin de los visualizadores de cristal lquido o LCDs. Despus de su debut en relojes y calculadoras ahora ya pisan fuerte en monitores porttiles y en monitores de televisin. Los monitores de LCD son los que ms futuro tienen en la actualidad. No slo se encuentran ya en todos los ordenadores porttiles, si no que ya se utilizan en monitores a bordo de aviones y en televisores basados en LCD. El mercado de esta nueva tecnologa promete ser similar al de circuitos integrados multiplicando por diez el capital que mueve. En un tema anterior ya se coment el funcionamiento del cristal lquido. El paso de una simple clula de cristal lquido a un visualizador completo es una difcil tarea de complejidad similar a la fabricacin de complicados circuitos integrados. Los LCD se clasifican en dos tipos: el LCD de matriz pasiva y el LCD de matriz activa. Estudiaremos ambos dispositivos. Lo ms interesante de un visualizador LCD es que no utiliza ningn tipo de fuente luminosa, es decir, que el LCD no emite la luz para transmitir la informacin sino que ms bien la absorbe. La clula de cristal lquido es principalmente un dispositivo de modulacin de luz. Es posible modificar la polarizacin de la luz que lo atraviesa, controlando de esta forma la transmisin luminosa. Este control puede realizarse mediante la aplicacin de una diferencia de potencial externa que modifica la posicin del eje ptico del cristal. Ya se coment en un tema anterior que cuando el cristal lquido era situado entre dos polarizadores era posible controlar la intensidad de la luz de salida, es decir, la transmitancia del sistema mediante la aplicacin de un campo elctrico. Sin embargo, como modulador no puede ser utilizado en sistemas de modulacin a alta velocidad. Las velocidades de conmutacin de un LCD estn entre los milisegundos y los microsegundos. A estas lentas velocidades no se puede utilizar el dispositivo para comunicaciones pticas, donde se necesitan frecuencias del orden del gigahercio o mayores. En tales aplicaciones, se utilizan dispositivos electro - pticos basados en niobato de litio o arseniuro de galio. Los tiempos de conmutacin en estos dispositivos alcanzan los 10 picosegundos. Tambin trataremos los dispositivos electro-pticos en este tema. En la siguiente figura se muestran los tres modos diferentes en que una clula de cristal lquido puede ser aplicada a visualizadores prcticos. En (a) se muestra el visualizador de transmisin, el cual requiere una fuente luminosa por debajo del visualizador. Este tipo de B.7-1
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Tema B.7: Dispositivos de visualizacin y modulacin
visualizador es posible emplearlo bajo condiciones de escasa luz ambiental. En (b) se muestra el visualizador de reflexin, cuyo funcionamiento depende de la luz ambiental que se refleja en un reflector situado en la parte posterior del visualizador. En consecuencia, no puede ser utilizado en condiciones de poca luz ambiental. El tercer tipo (c) es una mezcla de ambos y es posible utilizarlo bajo un amplio rango de iluminacin ambiental.
Fig. B.7.1: Modos de funcionamiento de un visualizador de cristal lquido.
Si comparamos con los visualizadores que emplean fuentes activas, el LCD presenta las siguientes ventajas y desventajas: Ventajas 1. Consumo muy bajo, del orden de 20nA/mm2. Se puede utilizar el dispositivo alimentndolo con bateras. 2. Las tensiones requeridas son muy bajas, entre 1,5V y 5V. 3. Compatible con CMOS. 4. Se puede leer a plena luz solar. 5. Flexibilidad; se puede utilizar el dispositivo para matrices de puntos, grficos y otras aplicaciones. Desventajas 1. El visualizador por reflexin (muy popular) no se puede utilizar en condiciones de baja iluminacin ambiental. 2. La respuesta es demasiado lenta para muchas aplicaciones. 3. El ngulo de visin del visualizador es muy limitado. 4. El dispositivo es muy sensible a la temperatura. Las clulas de cristal lquido responden tanto a tensiones de continua como de alterna. Sin embargo, la aplicacin de una tensin continua puede llegar a causar deterioro por electrolisis. Si hay impurezas inicas presentes en la clula de cristal lquido, la utilizacin de una tensin de continua la destruir rpidamente. Por ello, normalmente son utilizadas seales alternas bien sinusoidales bien cuadradas con una componente mnima de continua. La respuesta de la clula a la tensin aplicada se muestra en la siguiente figura. Para activar la clula se requiere un valor RMS superior a V10 (o V90 en el caso de un visualizador invertido). Como puede observarse, la tensin necesaria para activar la clula depende de la temperatura. Cuanto menor es la temperatura mayor tensin se requiere.
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Fig. B.7.2: Caracterstica transmisin/tensin de un cristal lquido nemtico girado en funcin de la temperatura.
El contraste del visualizador depende del ngulo de visin . Por lo tanto, la tensin requerida para la activacin es tambin funcin del ngulo de visin, como se muestra en la siguiente figura. La tensin requerida para la visualizacin de la imagen es mnima si el ngulo de visin es de 45 y es mxima cuando la visin es perpendicular a la superficie del visualizador, =0. En (c) se muestra el mapa de contraste tpico de un visualizador LCD. El rea central con mayor contraste representa la mejor direccin de visin. Est ligeramente fuera de la perpendicular, hacia el alineamiento de los polarizadores.
Fig. B.7.3: Caractersticas direccionales del cristal lquido.
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B.7.1.1.
Factores humanos a tener en cuenta en los visualizadores
Los visualizadores estn hechos para poder percibir mediante la vista informacin. Para ello tenemos que tener en cuenta las limitaciones del ojo humano. Los tres factores a tener en cuenta en un buen visualizador son: (1) legibilidad, (2) brillo y (3) contraste. La legibilidad es la propiedad de los smbolos alfanumricos que los hace fciles de leer con velocidad y precisin. Hay dos factores que contribuyen a la legibilidad: el estilo y el tamao. Para fuentes impresas hay una multitud de estilos habiendo disponibles fuentes con buena resolucin y alta claridad. Sin embargo, esto no sucede en electrnica, donde una buena resolucin es muy costosa. Esto es debido a que los caracteres se componen de un nmero mnimo de elementos, barras o puntos por lo que los smbolos electrnicos no dan lugar a perfectos nmeros o letras. En situaciones en que se requiera un reconocimiento rpido de los smbolos, podra utilizarse un visualizador que nos proporcionase una mayor claridad (ms elementos). Si se utilizan caracteres pequeos hay que tener en cuenta que la mxima resolucin del ojo humano son 15 minutos de arco, definidos como, (B.7.1) donde es ngulo de visin en grados, H la altura del carcter (m) y D la distancia desde donde se mira (m). Esta ecuacin tambin puede ser escrita de la forma: (B.7.2) donde ahora es el ngulo de visin en minutos. Teniendo en cuenta el lmite de 15 minutos de arco de resolucin del ojo humano los lmites de los visualizadores deberan ser, visualizador de LED visualizador de LCD de transmisin visualizador de LCD de reflexin La proporcin de los caracteres recomendada es Anchura/altura Espaciado/altura Anchura del segmento/altura Mximo ngulo de visin/ngulo normal 50% a 100% 26% a 63% 13% a 20% 0 a 19 20 minutos 26 minutos 30 minutos
Lo anguloso y la forma de los caracteres tambin son factores importantes, aunque es difcil asignar valores cuantitativos a dichas cualidades. El brillo es nuestra percepcin de la luminancia. El brillo determina nuestra percepcin del mundo y es el elemento ms importante de nuestra visin. Desgraciadamente B.7-4
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es un fenmeno psico-fsico extremadamente difcil de medir de forma objetiva o tcnicamente. Es por ello que no se disponga de tablas de esta magnitud aunque se puede medir fcilmente la luminancia (el estmulo del brillo) asociada a una determinada fuente de luz y asociarla a ste. Un instrumento tpicamente utilizado para la medida de la luminancia se muestra en la siguiente figura:
Fig. B.7.4: Aparato para la medida de la luminancia.
El instrumento proyecta la imagen del objeto (en este caso un segmento de un LED) en un plano. Dicha imagen puede ser vista por un observador a travs de un ocular. Una punta de prueba de fibra ptica se sita en el rea bajo investigacin. sta mide la iluminacin del rea, la cual es convertida a luminancia del objeto teniendo en cuenta esta rea. La relacin luminancia/brillo es compleja dependiendo del nivel de luminancia, el color del objeto, y de otros factores difciles de determinar. Afortunadamente, la facilidad para la visin de un visualizador no depende del brillo del carcter sino de la relacin entre el brillo del objeto y el brillo del fondo, llamada relacin de contraste. Esta relacin puede ser determinada a travs de medidas de luminancia. El contraste se define de dos formas. Para visualizadores pasivos como los de LCD, el contraste se define como: (B.7.3) donde C es el contraste, L0 la luminancia del objeto (cd/m2) y LB la luminancia del fondo (cd/m2). Para visualizadores activos (como LEDs y otros) se usa la siguiente ecuacin para determinar la relacin de contraste, (B.7.4) El contraste puede tener valores entre 0 y 1. Un contraste cero corresponde al caso en que objeto y fondo tengan la misma luminancia y un contraste 1 a cuando el fondo tiene una B.7-5
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luminancia cero. La relacin de contraste, sin embargo, toma valores entre 1 e infinito. Para un valor 1, objeto y fondo tienen la misma luminancia y, por tanto, el visualizador no es en absoluto visible. Para un valor infinito, la luminancia del fondo es cero y el visualizador tiene la mejor visibilidad. Una representacin contraste-relacin de contraste con los lmites recomendados se muestra en la siguiente figura:
0.9
Fig. B.7.5: Relacin entre el contraste y la relacin de contraste y sus valores ptimos.
La tarea de un buen diseador de visualizadores es disear un visualizador con el mximo contraste o relacin de contraste. Un bajo contraste reduce la agudeza visual del ojo afectando a la facilidad para la visin del visualizador. En la anterior figura se muestran tambin los lmites mnimos de contraste y relacin de contraste. Para incrementar el contraste, en el caso de visualizadores pasivos LCD, debera incrementarse la luminancia del fondo, bien aumentando la iluminacin bien seleccionando un visualizador de transmisin. Para incrementar la relacin de contraste de un visualizador activo (por ejemplo, un LED), se requiere lo contrario: debe disminuirse la luminancia del fondo. Para ello se reduce la iluminacin ambiental mediante el uso de "capuchas", cubiertas cerradas, y similares, o ahuecando el visualizador. Un factor que permite alcanzar un correcto contraste, ms complejo que el simple ajuste de la relacin de luminancias, es la seleccin adecuada de los colores de visualizador y fondo. La seleccin de un apropiado color de fondo puede realzar la facilidad de visin incluso a bajas relaciones de contraste. La utilizacin de filtros es el mejor mtodo para sacar partido de los colores de visualizador y fondo para el incremento de la facilidad de visin. El filtro, ya sea pasa-banda o pasa-baja, transmite la longitud de onda emitida por el visualizador y bloquea todas las dems longitudes de onda. En consecuencia, la luminancia del fondo se reduce incrementndose la relacin de contraste. Existen una gran variedad de filtros plsticos o de vidrio disponibles para tal aplicacin. La mayor parte de visualizadores activos emplean filtros.
B.7.2.
Cristales lquidos: principios de funcionamiento.
Aunque los cristales lquidos se conocen desde hace ms de un siglo, su primera aplicacin prctica como visualizadores la hicieron G. H. Heilmeier, L. A. Zanoni y L. A. B.7-6
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Barton en 1968. El principio fsico usado entonces fue distinto al usado hoy en da en los visualizadores LCD. Entonces se basaba en el efecto de "dispersin dinmica" de la luz cuando una corriente elctrica pasaba a travs del cristal lquido. En ausencia de seal elctrica, se mantiene el orden a gran escala permitiendo la transmisin de luz. El paso de una corriente elctrica provoca la generacin de pequeos dominios de molculas ordenadas que presentan una orientacin aleatoria y, en consecuencia, la luz se dispersa haciendo que el cristal sea ms opaco (mayor cantidad de luz es reflejada). En 1971 M. Schadt y W. Helfrich describieron los cristales nemticos girados. Los dispositivos basados en los cristales nemticos girados se basan en la variacin del eje ptico del cristal lquido mediante un campo elctrico. En un tema anterior ya vimos la propagacin de la luz en un medio anistropo, conocimientos que sern necesarios en este tema. Los cristales lquidos presentan notables caractersticas que les han permitido ser un material muy empleado en la fabricacin de paneles visualizadores planos. Gracias al avance de la tecnologa hoy en da disponemos de paneles cuyo comportamiento es parecido al de un visualizador basado en tubo de rayos catdicos (CRT). Los avances de la tecnologa permitirn en un futuro que las pantallas de cristal lquido se apliquen a televisores y ordenadores normales. Ya discutimos la anisotropa de las propiedades pticas en cristales, en particular, los conceptos de ndices de refraccin ordinario y extraordinario y del eje ptico. En este tema hablaremos de dispositivos que explotan el hecho de que las propiedades pticas de los cristales pueden alterarse mediante la aplicacin de campos elctricos. En cristales slidos el efecto del campo elctrico es alterar la anisotropa entre nre y nro, de forma que se modifique la diferencia de fase entre los rayos ordinario y extraordinario y, por tanto, la polarizacin de la seal ptica. El campo elctrico consigue estos cambios al variar ligeramente la distribucin de electrones en cada tomo del cristal. No existe distorsin fsica o reorientacin de los tomos ya que la fuerza creada por el campo elctrico es demasiado pequea para provocar el movimiento de los tomos. Los dispositivos basados en este efecto se discutirn ms delante en este tema. Los cristales lquidos por el contrario no son rgidos y por ello sus fuerzas interatmicas caractersticas son lo suficientemente pequeas como para poder causar una realineacin de sus tomos con un campo elctrico relativamente pequeo. Esto permite cambiar tambin el eje ptico del cristal lquido y es la base de los actuales LCDs. Existen tres tipos de distorsiones que se pueden producir en un cristal lquido nemtico. Se caracterizan por i) divergencia, donde una fuerza produce una distorsin de las molculas en forma de barra como la mostrada en la siguiente figura (a), ii) giro, que es causado por la rotacin en el alineamiento de las molculas y iii) curvatura, donde el cristal lquido es distorsionado de forma que se produce una curvatura en el alineamiento de las molculas. Las constantes elsticas que definen la energa por unidad de longitud para crear estas distorsiones se llaman K1, K2 y K3. Los valores tpicos de estas constantes elsticas estn entre 105 y 107 dina (1 dina = 105 N).
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Fig. B.7.6: Las tres distorsiones que aparecen en un cristal lquido nemtico. Estas distorsiones pueden aparecer por las fuerzas aplicadas a las dos paredes de vidrio.
Cuando aplicamos un campo elctrico al cristal lquido, acta una fuerza sobre el cristal que provoca una distorsin en la orientacin del eje ptico. Esto se aprovecha en cristales lquidos para modular la luz que pasa a travs de la clula. Un cristal lquido es un cristal unixico de forma que de las tres constantes dielctricas principales que nos proporcionan los semiejes del elipsoide de Fresnel, dos de ellas son iguales y de valor y la tercera es diferente y de valor . En los ejes de dicho elipsoide los vectores desplazamiento elctrico y campo elctrico son paralelos y estn relacionados entre s a travs de las constantes dielctricas principales. La direccin correspondiente a la constante dielctrica desigual corresponde al eje ptico, mientras que las otras dos de valor estn en direcciones perpendiculares al eje ptico. Esto significa que la constante dielctrica ser para campos elctricos que apunten en la direccin de alineamiento de las molculas (eje ptico) y para campo elctricos que apunten en direccin perpendicular a dicho eje ptico. Podemos definir la anisotropa dielctrica como = (B.7.5)
Vamos a ponernos en el caso de que el eje ptico sea el eje z, con lo que x=y= y z=. Cuando aplicamos un campo elctrico constante al cristal lquido, se inducen dipolos elctricos y las fuerzas de tipo elctrico resultante producen un par sobre las molculas, como se muestra en la siguiente figura. La energa de las molculas al estar sujetas a dicho campo elctrico es igual al valor negativo de la energa electrosttica pues es esta energa la que hay que proporcionar a las molculas para que se puedan "liberar" de dicho campo y quedar libres. Las molculas rotarn en un sentido tal que su energa sea mnima. Si el cristal lquido es un cristal unixico positivo con lo cual z= > x=y= (>0), para cualquier direccin del campo elctrico aplicado, la energa mnima se tiene cuando las molculas se alinean con el campo, es decir Ex=Ey=0, = (0, 0, E) y la energa es entonces . Por tanto, la
configuracin de menor energa para las molculas es cuando el eje ptico est alineado paralelamente al campo elctrico aplicado. Cuando la alineacin se ha completado el eje molecular apunta en la direccin del campo elctrico. B.7-8
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Fig. B.7.7: Las molculas de un cristal lquido unixico positivo rotan y se alinean con el campo elctrico aplicado.
Si el cristal lquido es un cristal unixico negativo, es decir, z= < x=y= (<0), la configuracin de menor energa para las molculas corresponde a aquella en que el eje ptico es perpendicular al campo. Una clula de cristal lquido (LCD) est constituida por una fina capa de cristal lquido situada entre dos placas paralelas de vidrio. Vamos a suponer que las placas de vidrio han sido previamente frotadas de forma que las molculas tienen siempre la misma orientacin. El material se comporta como un cristal unixico cuyo eje ptico es paralelo a la orientacin de las molculas. Cuando una onda electromagntica penetra en el cristal lquido (sustancia anistropa) se descompone en dos ondas linealmente polarizadas y perpendiculares: la onda ordinaria y la onda extraordinaria. Cada una de ellas se propaga a diferente velocidad, la ordinaria a c/nro y la extraordinaria a c/nre generando un desfase y, por tanto, la onda electromagntica de salida tendr una polarizacin diferente a la de entrada. Para un dispositivo de grosor d el desfase introducido es: (B.7.6)
Fig. B.7.8: Orientacin molecular en una clula de cristal lquido en ausencia de campo elctrico aplicado.
Si se aplica un campo elctrico en la direccin z (aplicando una diferencia de potencial V a travs de dos electrodos situados en el interior de las placas de vidrio), las fuerzas elctricas resultantes (para el caso >0) tendern a hacer que las molculas se alineen con el campo, pero las fuerzas de tipo elstico de las superficies de las placas de vidrio (cuyas constantes elsticas han sido introducidas con anterioridad) se opondrn a este movimiento.
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Por tanto, existir un campo elctrico mnimo que se habr de aplicar para vencer dichas fuerzas y conseguir dicho alineamiento. Para explotar la capacidad de un campo elctrico para alterar el eje ptico, existen varias configuraciones de clulas de cristal lquido. El funcionamiento de estas clulas puede ser comprendido si se tiene en cuenta que: i) cuando la luz viaja a lo largo del eje ptico, no hay cambio en la polarizacin de la luz debido a cambios en nre y nro ya que, para este tipo de propagacin, ambos ndices de refraccin son iguales (=0); ii) cuando la luz se propaga perpendicularmente al eje ptico, la diferencia entre nre y nro puede cambiar la polarizacin de la luz. En particular la polarizacin puede cambiar en =90 si el grosor de la clula es escogido adecuadamente; iii) cuando la luz se propaga en un cristal lquido cuyo eje ptico gira lentamente (cristal lquido nemtico girado) la polarizacin de la luz sigue el giro del cristal. Basndonos en estos hechos utilizaremos dos polarizadores cruzados para modular la luz. El primer polarizador prepara la polarizacin de la luz cuando sta entra en la clula de cristal lquido, de forma que la luz que entra a la clula est linealmente polarizada en la direccin de este polarizador. Cuando la luz pasa a travs de la clula su polarizacin puede variar dependiendo del estado del cristal. El segundo polarizador slo permitir pasar la componente de la luz que est polarizada en su misma direccin.
Fig. B.7.9: Utilizacin de dos polarizadores cruzados junto con una clula de cristal lquido. En este caso concreto se tiene una clula de cristal lquido nemtico girado.
Veamos las tres posibles configuraciones de cristales lquidos y sus tensiones umbrales necesarias para cambiar su eje ptico. Orientacin paralela Esta configuracin la podemos utilizar si es positiva. En ausencia de campo elctrico las placas de vidrio estn dispuestas de forma que el eje ptico es paralelo a las placas. Cuando aplicamos un campo elctrico, las molculas tienden a alinearse en direccin paralela al campo, de forma que el eje ptico quede paralelo a ste. Se puede calcular una
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tensin umbral por encima de la cual el campo elctrico es lo suficientemente fuerte como para contrarrestar la fuerza de tipo elstico ejercida por las superficies de las placas de vidrio, (B.7.7) Los valores tpicos de esta tensin estn entre 2 y 6 voltios.
Fig. B.7.10: Posibles configuraciones de cristales lquidos para aprovecharlas como "vlvulas de luz". (a) En la orientacin paralela el eje ptico es paralelo a las placas de vidrio en ausencia de polarizacin elctrica y paralela al campo elctrico aplicado en su existencia; (b) en la orientacin perpendicular, el eje ptico es perpendicular a las placas de vidrio antes de aplicar el campo y paralelo a ellas despus de aplicar el campo elctrico; (c) en la configuracin girada, el giro est presente en ausencia de campo elctrico y desaparece con el campo elctrico.
Orientacin perpendicular Esta orientacin es para negativa. La tensin umbral necesaria para reorientar el eje ptico del cristal lquido vale,
B.7-11
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(B.7.8) Orientacin girada Esta es la orientacin ms utilizada en la tecnologa de los visualizadores. Ya hemos explicado como el giro en el cristal lquido provoca una rotacin en la polarizacin de la luz incidente. Este giro molecular se consigue frotando las placas de vidrio en dos direcciones particulares. Es posible anular dicho giro mediante la aplicacin de un campo elctrico. La tensin umbral necesaria para destruir el giro vale, (B.7.9) Una clula de cristal lquido basada en un cristal lquido nemtico girado se muestra en la siguiente figura. El giro en el cristal se produce preparando las dos placas de vidrio que son frotadas previamente con un pao para establecer las direcciones de orientacin a lo largo de las cuales las molculas de cristal lquido se alinean. Las dos placas son entonces orientadas con las direcciones de frotamiento perpendiculares (giro de 90) la una a la otra y con un pequeo espacio entre ellas. El espaciado entre placas suele ser de 4 a 10 micras. Cuando se rellena este espacio con cristal lquido las molculas cercanas a las placas de vidrio se orientan en la direccin del frotamiento y as se consigue el giro del cristal.
B.7-12
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Clula inactiva
Clula activa
Transparente (luz pasa)
No pasa la luz
Fig. B.7.11: Funcionamiento de una clula de cristal lquido nemtico girado. En la parte superior se observa la localizacin de los diferentes elementos de la clula y en la parte inferior se observan los cambios de polarizacin producidos en la clula.
Sin tensin aplicada, la luz atraviesa el dispositivo, es decir, que ste es tansparente. Por tanto, cuando la clula est inactiva (OFF), tenemos la imagen iluminada sobre el fondo negro. Al aplicar una tensin, la clula se activa (ON), se anula el giro y la luz es bloqueada, difundida y, en consecuencia, tenemos una imagen oscura. La tensin umbral antes descrita, no produce un cambio brusco en el eje ptico de un estado a otro. El cambio es no lineal pero no completamente abrupto. No hay que olvidar, que incluso en el estado de transparencia cuando la luz atraviesa la clula existe una considerable absorcin en el cristal lquido. Profundizando ms en la clula de cristal lquido nemtico girado, la cual es la ms ampliamente utilizada, si consideramos el caso ideal la transmitancia del cristal lquido debera cambiar bruscamente en Vth como se muestra en la lnea discontinua de la siguiente figura. Sin embargo, en la clula de cristal lquido real esto no sucede debido a que el giro desaparece gradualmente y por tanto la transmitancia tambin cambia suavemente. La transicin gradual nos proporciona un tramo donde es parcialmente activa (escala de grises) que hay que evitar. Por otra parte, esta transicin suave es una desventaja para el uso de cristales lquidos girados a 90 para visualizadores pasivos de gran tamao, como se ver ms adelante.
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Fig. B.7.12: Transmitancia de un cristal lquido en funcin de la tensin aplicada. Se comparan la respuesta ideal y la respuesta real.
En el caso de que el polarizador de salida tuviese la misma orientacin que el de entrada, la transmitancia del sistema variara y sera como se muestra en la siguiente figura. En dicho caso, cuando la clula estuviese activa, estara iluminada.
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Fig. B.7.13: Transmitancia de un cristal lquido en funcin de la tensin aplicada para el caso en que ambos polarizadores tengan la misma orientacin. Se comparan la respuesta ideal y la respuesta real.
En 1984 se descubrieron cristales lquidos que permitan un giro de 270 en vez de 90, los llamados cristales nemticos supergirados (STN). Estos cristales no son puramente nemticos ya que en estos ltimos el ngulo estable de giro es el de 90. Sin embargo, una pequea adicin de componente colestrica puede conseguir una estabilizacin del ngulo en 270. Como ya se coment, los cristales colestricos tienen ya un giro natural en su eje ptico (orientacin de las molculas) lo que permite la estabilizacin del giro en 270. La ventaja de la clula STN es que cuando se le aplica un potencial a la clula, se produce un cambio brusco del giro de 270 a la ausencia de giro. Como consecuencia, la curva de transmitancia frente a tensin es muy abrupta. Esta respuesta permite ir desde un estado de baja transmitancia a un estado de alta transmitancia y viceversa con una pequea variacin en la tensin aplicada. En la actualidad se utilizan una gran variedad de cristales STN con giros que van desde 180 a 270. La atraccin fundamental de todas estas estructuras es la extremadamente abrupta caracterstica transmitancia-tensin.
B.7-15
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Fig. B.7.14: (a) Comparacin de un cristal lquido girado 90 y uno girado 270. (b) Relacin transmitancia/tensin de una clula de cristal lquido nemtico supergirado.
Aunque el funcionamiento de una nica clula de cristal lquido es muy sencilla, el proceso de escalado para producir un visualizador con alrededor de un milln de clulas es un enorme reto. En una seccin posterior estudiaremos estos retos y como estn siendo resueltos.
B.7.2.1.
Cmo activar clulas de cristal lquido
El circuito equivalente de una clula de cristal lquido es un condensador en paralelo con una resistencia de prdidas. Los valores de estas componentes dependen del rea y construccin de la clula. Los valores de la resistencia son normalmente mucho mayores que la reactancia del condensador. La tensin que se le suele aplicar a la clula es alterna ya que la tensin continua deteriora el cristal lquido ya que se produce un efecto de electrlisis. La tensin no debe tener un valor DC mayor que 50mV para no degradar la clula por esta razn. Es la tensin eficaz la que controla entonces la clula. Su frecuencia debe ser superior a 30Hz para evitar efectos de parpadeo siendo el valor mximo 1kHz. Para frecuencias mayores empieza a aumentar el consumo (mayor corriente) debido al condensador equivalente.
B.7-16
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Se tienen dos modos posibles de alimentacin: alimentacin directa o multiplexada. La alimentacin directa es ms sencilla pero requiere un contacto para cada elemento del visualizador, siendo por tanto utilizada nicamente en visualizadores poco complejos. Pero en visualizadores ms complejos (matrices), como veremos en el punto siguiente, es necesaria la multiplexacin de la seal aplicada. Alimentacin directa En la siguiente figura se muestra un circuito tpico de alimentacin de un visualizador de "siete-segmentos" mediante el uso de una seal cuadrada. Cada segmento tiene un electrodo y luego tienen un electrodo comn. A este ltimo se le aplica la seal cuadrada VD con una amplitud de pico a pico VP-P adecuada. El otro electrodo de cada segmento est conectado a la salida de una puerta XOR, de cuyas entradas una es la seal cuadrada y la otra una seal de control la cual puede estar a nivel alto (uno lgico) o a nivel bajo (cero lgico). Cuando esta seal de control est a "uno" lgico, la salida de la puerta tiene la seal cuadrada comn invertida VB y cuando la seal es un "cero" lgico, la salida de la puerta es la misma seal comn, VA. El resultado es que el segmento ve por un lado una seal de cero voltios (VD-VA=0) o una seal cuadrada del doble de la amplitud (2 VP-P) de la seal cuadrada comn. Como la clula de cristal lquido responde al valor RMS de la forma de onda, hay que tener en cuenta que el valor eficaz o RMS de una seal cuadrada es igual a su tensin de pico a pico partido por dos. (B.7.10) donde VRMS = Valor RMS de la onda cuadrada (V) VP-P = Valor de pico a pico de la onda cuadrada (V)
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Fig. B.7.15: Alimentacin directa de un visualizador de cristal lquido de 7 segmentos. En la figura podemos observar los estados de ON y de OFF.
Alimentacin multiplexada Si tenemos una matriz de puntos con N filas y M columnas debemos multiplexar la alimentacin ya que no es posible darle una conexin directa a cada una. El problema surge cuando hay que darle tensiones alternas a una fila o columna que den como resultado un valor eficaz deseado para activar o desactivar la clula correspondiente por medio del valor eficaz y adems que su valor medio (componente de continua) sea cero. Para conseguir un valor medio igual a cero es necesario utilizar ondas rectangulares bipolares. Esto puede ser visto en la siguiente figura, en donde se compara con los pulsos de disparo empleados en otros visualizadores, los cuales pueden pueden pasar a ON o a OFF simplemente aplicando o no una tensin al elemento.
Fig. B.7.16: Pulsos para alimentar (a) circuitos normales; (b) circuitos de LCD (el valor medio, su valor de continua, es cero).
Para una matriz de tamao medio la generacin y diseo de las formas de onda se convierte en una tarea muy compleja y se deben utilizar los circuitos integrados existentes ya en el mercado. En el ejemplo que mostramos a continuacin, se aplican alternativamente dos pulsos que son los inversos uno del otro para as cancelar la componente residual de continua disponiendo de un sistema de cuatro niveles de tensin. Se observa como el valor eficaz aplicado a cada clula oscila entre 1,17V y 1,70V que representarn los estados altos y bajos respectivamente. Lo que se busca es obtener siempre una relacin entre estos estados altos y bajos lo mayor posible. En el punto siguiente demostraremos que esta relacin depende del tamao de la matriz, es decir del nmero de columnas.
B.7-18
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Fig. B.7.17: Ondas de disparo de 4 niveles para un visualizador de 8 filas y 3 columnas.
B.7.3.
Retos para pasar de la clula a la pantalla de cristal lquido
La mayor atraccin de los cristales lquidos es su aplicacin en grandes pantallas donde se utilizaran hasta una milln de clulas de cristal lquido. Esto presenta algunos importantes retos tanto fsicos como en lo referente al procesamiento. El primer reto que vamos a examinar es el de direccionar cada uno de los pixels o clulas particulares de la pantalla.
B.7.3.1.
El direccionamiento de pixels
Si la tecnologa LCD quiere competir con la de CRT, debe ofrecer una resolucin y una calidad de imagen comparable a esta ltima. Debera ser capaz de mostrar imgenes en color as como una gran variacin en la escala de grises del visualizador. Esto requiere que debe ser capaz de tener ms de un milln de pixels (elementos de imagen) en una pantalla. Cmo se direccionan tantos pixels y se presenta una imagen libre de destellos al ojo humano? El problema es parecido al que se tiene en el caso de un dispositivo de memoria dinmica o DRAM donde se tienen un nmero parecido de elementos a direccionar. Pero en la pantalla tenemos una dificultad adicional y es que las caractersticas tensin-transmitancia del cristal no son abruptas. Adems al contrario que en las DRAM no slo tenemos dos estados, 0 y 1, si no que toda una escala de grises adems de color. Si se necesitan los tres colores bsicos, rojo, verde y azul (RGB), se colocarn tres pixels, uno para cada color uno muy cerca de otro. Todos estos pixels deben estar direccionados y se deben refrescar 30 veces por segundo para presentar una imagen continua al ojo. Hay que tener en cuenta que hay que mantener un nivel de tensin en bornes de la clula para activar el pixel. B.7-19
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Una posibilidad para el direccionamiento de una matriz de pixels NxN podra ser acceder a cada pixel individualmente (alimentacin directa), pero esto es imposible cuando la matriz supera el tamao de unos cientos de pixels. Lo que se hara es colocar cada pixel en una matriz de conexiones y aplicar la tensin apropiada a cada fila y columna (alimentacin multiplexada).
Fig. B.7.18: Aproximacin para el direccionamiento de una matriz de pixels mediante alimentacin multiplexada.
Para darnos cuenta de las limitaciones de este sistema vamos a describir la curva T-V (supondremos el caso en que ambos polarizadores tengan la misma orientacin).
Fig. B.7.19: Curva esttica transmitancia-tensin, T-V para una tpica clula de cristal lquido.
La curva T-V se caracteriza, simplificando, por una tensin umbral Vth por debajo de la cual el dispositivo est apagado y un nivel de tensin Vth+ por encima del cual est encendido. Esto es una imagen esttica, es decir, para el caso en que la tensin aplicada y la transmitancia correspondan a una polarizacin continuada de valores eficaces. En una pantalla B.7-20
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en la que las imgenes deben cambiar rpidamente y, por tanto, las clulas deben ser direccionadas con rapidez, no se puede mantener un nivel de tensin para un pixel que satisfaga la condicin de tensin continua. En dicho caso lo que se aplica a la clula es una seal pulsante. Supondremos, para comprender los clculos que se van a seguir a continuacin, el ejemplo de una matriz NxN que debe ser direccionada aplicando unos pulsos secuenciales de tensin a N filas y N columnas. Vamos a suponer tambin que la pantalla se debe refrescar cada cierto tiempo trefresh (tpicamente 20ms). En cada fila se suministra una de las seales de referencia (strobe) V(X1)-...-V(XN), que corresponden a pulsos de tensin de duracin trefresh/N cuya amplitud ser Vs o -Vs. En cada columna se introducen unas seales de informacin V(Y1)-...-V(YN) de valor constante en el intervalo de tiempo trefresh y que puede valer VD o VD. La tensin aplicada a la clula ser V(Xi)-V(Yj) y tendr dos posibilidades. En una primera posibilidad, los lmites mximo y mnimo son VS+VD y -(VS+VD) que ocurren durante tiempos trefresh/N con valores VD o VD el resto del tiempo. En la segunda posibilidad los lmites mximo y mnimo son VS-VD y -(VS-VD) que ocurren durante tiempos trefresh/N con valores VD o VD el resto del tiempo. En el primer caso, como se ver a continuacin el valor RMS de la seal es mayor y el pixel est a ON. En el segundo caso el valor RMS es menor y el pixel est a OFF. El resultado es que cada pixel slo recibe un pulso de tensin durante un tiempo trefresh/N. Durante el resto del tiempo (trefresh trefresh/N) el pixel soporta una tensin constante.
Fig. B.7.20: Alimentacin multiplexada de una matriz NxN.
Obviamente, en tal esquema, si el tamao de la matriz aumenta (N) entonces la diferencia entre los estados ON y OFF tambin disminuye (es decir, disminuye la diferencia entre los valores RMS de las seales a ON y a OFF) y por tanto necesitaremos una curva T-V B.7-21
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cuyo parmetro sea muy pequeo si queremos direccionar matrices muy grandes. Esta idea intuitiva puede ser confirmada matemticamente. Pasemos ahora a analizar matemticamente la relacin entre y N. Como se coment anteriormente el dispositivo responde de forma muy aproximada segn el valor eficaz (RMS) del pulso de tensin. A las tensiones eficaces les colocaremos una barra encima para distinguirlas. Basndonos en las formas de onda que se muestran en la siguiente figura los pulsos de tensin para un estado ON y para un estado OFF durante un periodo T (con T=2trefresh) tendrn unos valores eficaces que vendrn dados a partir de las siguientes expresiones: (B.7.11)
(B.7.12)
Fig. B.7.21: Tensiones de OFF y ON en bornes de un pixel.
Para que los dispositivos funcionen se debe cumplir que (B.7.13) (B.7.14) Restando las dos primeras ecuaciones obtenemos, (B.7.15) Sumando las dos primeras ecuaciones y sustituyendo VS, obtenemos,
B.7-22
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(B.7.16) Para encontrar el mximo de N, (B.7.17) De donde se obtiene, (B.7.18) Esto nos da el mximo nmero de filas y columnas (B.7.19)
Utilizando los valores
y definiendo un nuevo parmetro, (B.7.20)
o (B.7.21)
(B.7.22)
(B.7.23) Obsrvese que VD tiene un valor muy parecido a la tensin umbral , pero si N crece el valor de VS crece rpidamente. El valor de Nmax depende crticamente de la relacin P. Para un valor grande de Nmax necesitamos un valor de pequeo.
B.7-23
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Fig. B.7.22: Representacin de Nmax, la relacin entre las tensiones umbral y la mxima y mnima frente a P en un cristal lquido.
si
De todos estos clculos se deduce que es bastante difcil de aumentar el valor de Nmax tiene un valor de 0,1 por ejemplo, que es el valor tpico para un cristal nemtico
girado a 90. Por el contrario cristales nemticos supergirados tienen valores de mucho menores y se puede aumentar Nmax mucho ms (hasta un valor de varias centenas).
B.7.3.2.
La solucin del interruptor
La solucin a este problema se obtiene colocando un simple interruptor en cada pixel. Si se colocase un interruptor adecuadamente, la tensin aplicada (VSVD para OFF o VS+VD para ON) durante un tiempo T/2N podra mantenerse durante todo el intervalo T/2. La idea es utilizar un elemento activo como un transistor o un diodo para poder aplicar la tensin necesaria a la clula y adems luego mantenerla durante el resto del periodo. Este procedimiento no sufre de ninguna limitacin proveniente de los valores de /Vth. El problema viene ahora de cmo colocar millones de interruptores, uno por pixel, en una pantalla.
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Fig. B.7.23: Tensiones de OFF y ON en bornes de un pixel con el empleo de un interruptor.
Los visualizadores de cristal lquido que no utilizan interruptores por pixel se llaman visualizadores de cristal lquido pasivos. Los que s incorporan los interruptores se llaman activos (AMLCD - active matrix LCD).
Fig. B.7.24: Tensiones aplicadas a un pixel desde su fila y columna y tensin presente en el pixel con interruptor.
B.7-25
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B.7.4.
Visualizadores de cristal lquido con matriz pasiva
En los visualizadores pasivos de cristal lquido se pasa la informacin a las clulas a travs de filas y columnas de la matriz. No existen elementos no-lineales en cada clula de forma que se aplica la seal durante un pequeo intervalo del periodo de refresco, como se coment con detalle con anterioridad. En una matriz pasiva tpica los electrodos para las filas estn en una placa de la clula y los electrodos para las columnas estn en la otra placa. Veamos los diferentes componentes de este sistema de visualizacin.
Fig. B.7.25: Visualizador pasivo de cristal lquido. En ausencia de tensin, existe un giro del cristal lquido y si se aplica tensin desaparece este giro.
Substrato de vidrio Los substratos de vidrio utilizados para los visualizadores tienen que estar muy pulidos y limpios. Adems y especialmente para los visualizadores pasivos, deben ser extremadamente planos. Esto es as porque los cristales STN tienen un gran ngulo de giro y son muy sensibles a cualquier minscula abolladura o irregularidad en el substrato. Estas irregularidades pueden causar un "desenrollamiento" del giro. Los substratos se frotan con un tejido de terciopelo para provocar que el cristal lquido se alinee en la direccin preescogida de frotamiento. Electrodos transparentes Por razones obvias, los electrodos deben ser transparentes. Es una tecnologa ya conocida y utilizada a menudo en detectores de semiconductor. El compuesto ms utilizado es un cierto tipo de xido basado en Indio (ITO). Cristal lquido STN El cristal lquido nemtico supergirado (STN) se coloca entre los substratos despus de que los extremos se hayan sellado con un tipo especial de epoxy (resina semiconductora). Se B.7-26
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usan unos minsculas bolas espaciadoras para obtener la separacin requerida entre las placas. La distancia de alineamiento suele ser de 4m a 6m. Esta distancia es muy crtica en cristales STN y no se pueden permitir desviaciones mayores de 0,1m. Luz de fondo El cristal lquido no produce luz como el LED o LD, slo modula la luz. Por tanto es necesario proporcionar una luz de fondo al visualizador. El polarizador de entrada nicamente permite que la luz polarizada a lo largo de su direccin permitida pase a travs de l. El resto de la luz se pierde. La luz de fondo es una de las fuentes de consumo de potencia mayores en un visualizador de cristal lquido. Filtros de colores Si el visualizador debe ser en color, hay que aadir filtros de color frente a cada pixel. Se utilizan filtros rojo, verde y azul. Los tres pixels, uno para cada color, se controlan individualmente y estn muy prximos uno de otro de forma que el ojo humano slo aprecia un color. Estos tres colores bsicos pueden producir cualquier color que se desee. Los visualizadores pasivos de cristal lquido se utilizan en muchas aplicaciones. Si se utilizan cristales STN se puede aumentar el nmero de N a varios centenares y crear aplicaciones de monitores de ordenador de 640x480 pixels.
B.7.5.
Visualizadores de cristal lquido de matriz activa (AMLCD)
Ya hemos dicho que la diferencia entre un visualizador activo y uno pasivo est en el uso de un dispositivo interruptor para cada uno de los pixels. El interruptor permite que la tensin de control aplicada a la clula de cristal lquido permanezca en bornes del cristal durante todo el tiempo de refresco. Como se coment anteriormente, esto permite una mejora en el comportamiento de las clulas y el uso de cristales nemticos girados a 90.
Fig. B.7.26: Esquema de una matriz de cristal lquido activa.
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A diferencia de la matriz pasiva en el AMLCD las lneas de las filas y las columnas se colocan sobre el mismo substrato lo que simplifica mucho el proceso de fabricacin. El pixel va acompaado de un transistor de pelcula fina (thin film transistor - TFT). Se aplica un pulso a la puerta del transistor de forma que ste se pone a conducir. Por la lnea de datos se manda la informacin deseada por la columna de la matriz al drenador del transistor. El surtidor est conectado a un condensador de almacenamiento que conserva la tensin aplicada una vez desaparece la tensin aplicada a la puerta. El TFT debe tener una resistencia muy baja cuando est a ON y una resistencia muy alta cuando est a OFF. Esto permite al condensador, CS, que se cargue durante el tiempo que la seal est disponible en la lnea. Adems las capacidades del circuito, Cgs (puerta-surtidor), Cgd (puerta-drenador), CLC (clula de cristal lquido) y Cparsita (con las lneas adyacentes) deben ser tales que la prdida de carga durante el tiempo de refresco sea mnima. Es evidente que el buen funcionamiento del AMLCD depende crticamente del TFT, por lo que vamos a examinar este dispositivo con ms detalle.
Fig. B.7.27: (a) Esquema de una matriz de pixels de AMLCD; (b) detalle de un pixel; (c) circuito equivalente del TFT y del condensador de almacenamiento de la clula.
El transistor de pelcula fina (TFT) El elemento fundamental en el AMLCD es el transistor de pelcula fina (TFT). Para una pantalla en color harn falta ms de un milln de TFTs por lo que la complejidad del circuito es muy alta y comparable a una DRAM. Sin embargo, en realidad la complejidad es an mayor pues a diferencia de la DRAM, estos transistores no se fabrican sobre materiales cristalinos. Se utiliza o polisilicio o Silicio amorfo (a-Si) para fabricar el dispositivo que es un transistor de efecto de campo con puerta aislada. El Silicio policristalino tiene un mejor B.7-28
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comportamiento por disfrutar sus electrones de una mayor movilidad. Pero el proceso de fabricacin de los dispositivos requiere altas temperaturas que resultan incompatibles con el substrato de vidrio. Por ello se utilizan substratos de cuarzo ms caros para los FETs de polisilicio. Visualizadores de pequeo tamao utilizan AMLCDs basados en polisilicio. Pero visualizadores de mayor tamao utilizan substratos de vidrio y por tanto TFTs de a-Si. En las estructuras invertidas se deposita la puerta primero, mientras que en la estructura normal lo primero que se deposita es el semiconductor. El problema del TFT es el control de la calidad de los materiales. El uso de a-Si determina que el dispositivo no est caracterizado por bandas si no por reas de movilidad. La posicin de estas reas de movilidad, as como la densidad de estados "localizados" donde se encuentran los electrones esencialmente atrapados, depende del proceso de fabricacin. En la actualidad la relacin entre el proceso de fabricacin y los valores exactos de la estructura de bandas an se est investigando y es nicamente conocida de forma cualitativa. Como la tensin umbral del MOSFET depende de forma crtica de los defectos y estados localizados de las interfases, es todo un reto fabricar dispositivos con una tensin umbral determinada y controlable.
Fig. B.7.28: Esquemas de varios TFTs usados en AMLCDs.
Otro problema de los TFTs es la baja movilidad de los electrones en su canal. En el MOSFET cristalino la movilidad vale ~600cm2V1s1 (en silicio puro es ~1100cm2V1s1) pero en a-Si TFTs slo vale entre 1cm2V1s1 y 10cm2V1s1. Adems, la movilidad tiene una gran dependencia de la concentracin de portadores en el canal. Debido a la baja movilidad se produce una gran cada de tensin en el canal del TFT el cual es de unas 3m a 5m. Por tanto no toda la tensin de la lnea de datos es aplicada al condensador de almacenamiento. Esto, por supuesto, produce un mayor consumo de potencia. En la actualidad, se estn llevando a cabo investigaciones con el fin de mejorar el funcionamiento del TFT. Aunque el proceso de fabricacin de MOSFETs cristalinos y TFTs es similar todava quedan algunos temas por mejorar. Los problemas aparecen debidos a las caractersticas electrnicas tan pobres que presenta el a-Si, aunque su uso parece inevitable en pantallas de gran tamao.
B.7-29
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B.7.6.
Retos de la tecnologa de los visualizadores
La tecnologa de visualizadores de cristal lquido (y otros materiales) es la clave para un futuro crecimiento del potencial de dicho mercado de visualizadores, que de acuerdo con algunos pronsticos podra ser mayor que el mercado de circuitos integrados de silicio en la primera parte del siglo 21. En un ordenador porttil el elemento ms caro es la pantalla de cristal lquido, mucho ms que la RAM, el procesador, los discos o el teclado y evidentemente la pantalla es un elemento indispensable. Pero todava hay que mejorar: i) el alto consumo de energa para alimentar el visualizador, ii) transmisin de luz pobre cuando el visualizador est a ON lo que resulta en una imagen muy dbil o en la necesidad de una luz de fondo muy potente, iii) ngulo de visin muy reducido y iv) limitaciones de tamao de pantallas. Todos estos retos requieren un empuje de la investigacin en nuevos materiales, as como mejoras en los dispositivos y en el proceso de fabricacin. Con estas mejoras el cristal lquido ya se est utilizando en la televisin reemplazando al venerable CRT. En la siguiente figura podemos ver un resumen de los distintos retos o reas a mejorar para mejorar la tecnologa de visualizadores. Retos para las pantallas de gran tamao de cristal lquido.
Relacionados con materiales y dispositivos Nuevos cristales lquidos: con caractersticas T-V ms abruptas, tensiones umbrales y consumos menores; absorcin menor en el estado de ON. Relacionados con la fabricacin La tecnologa de fabricacin debe ser compatible con substratos mayores.
Transistores mejorados u otra tecnologa de conmutador compatible con substratos de vidrio de gran superficie: mayor movilidad en a-Si o Si policristalino.
Deteccin de fallos o errores fatales durante el proceso para abortarlo a tiempo.
Nuevos materiales electro-pticos, tal vez con cristales slidos que se puedan utilizar para pantallas. Nuevos materiales que puedan modular luz no polarizada para as reducir prdidas.
Fig. B.7.29: Retos presentes en la tecnologa de visualizadores.
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Vamos ahora a comentar brevemente cada uno de estos retos, los cuales caracterizaremos segn si estn relacionados con los materiales y los dispositivos o con el proceso de fabricacin. Retos relacionados con los materiales y los dispositivos Las mejoras a acometer en esta rea incluyen, Nuevos cristales lquidos: El comportamiento del cristal lquido es obviamente crtico para el comportamiento de todo el visualizador. Se necesitan materiales con baja tensin umbral Vth y una fuerte no-linealidad (/Vth pequea). Se estn haciendo grandes esfuerzos para encontrar nuevos materiales para cristal lquido con estas propiedades y altamente estables. Adems de una baja /Vth los cristales lquidos no deberan absorber ellos mismos la luz. Esta luz absorbida es perdida, por lo que se requiere una luz de fondo ms potente. Otro aspecto importante es la resistividad del material. Para los AMLCD, las clulas de LCD deben tener una alta constante de tiempo RC de forma que la tensin aplicada permanezca almacenada hasta el siguiente periodo (~20ms). Pelculas policristalinas y amorfas mejoradas: Para mejorar el comportamiento de los TFT hay que investigar estos materiales y as poder conseguir controlar la tensin umbral y mejorar la movilidad de los electrones. Nuevos materiales para los visualizadores: Los cristales lquidos utilizados en la actualidad se deben verter entre las dos placas de vidrio. Si se pudiesen tener cristales slidos que se evaporasen simplemente sobre el substrato, el proceso de fabricacin se simplificara considerablemente. En la actualidad no existen materiales de este tipo que puedan competir en costes y consumo con el cristal lquido. Nuevos materiales que tengan una respuesta independiente de la polarizacin: La luz de fondo no est polarizada. Como el LCD depende de la seleccin de una polarizacin determinada, se desaprovecha mucha luz. Adems se necesitan polarizadores tanto delante como detrs de la clula. Si se encontrasen materiales que modulasen la intensidad de la luz independientemente de la polarizacin de la luz, se mejorara mucho el rendimiento de los visualizadores.
Retos relacionados con el proceso de fabricacin Los pasos en la fabricacin son muy parecidos a los de cualquier circuito integrado. La diferencia radica en el tamao del substrato. En los chips de Si el tamao del substrato rara vez supera los 15cm. Pero para visualizadores podemos necesitar tamaos de ms de 30cm. Si adems vamos a aplicar los LCD para televisores, el tamao ser an mayor que 50cm. Esto requiere la mejora de todas las herramientas actuales para que puedan trabajar con estos tamaos. Adems es conocido que la eficacia del proceso o porcentaje de xito en la fabricacin de substratos cae con el tamao de stos. Por ejemplo, mientras una densidad de defectos de 102cm2 proporciona un porcentaje de xito del 80% para un visualizador de 10cm, este porcentaje de xito cae al 10% si el tamao crece hasta 30cm. Hay por tanto que mejorar B.7-31
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tambin los mtodos de test para detectar errores o defectos fatales durante el proceso de fabricacin y as abandonarlo antes de acabar todo el proceso.
B.7.6.1.
Visualizadores basados en emisores de luz electrnicos o fsforos.
Ya hemos visto algunos de los defectos de la tecnologa de cristal lquido en su uso como visualizadores. Una de sus mayores desventajas es la falta de brillo, ya que en ningn caso se produce una emisin de luz a nivel de pixel. Por ello se estn buscando en la actualidad otras alternativas basadas en emisores de luz electrnicos o fsforos. Empleo de fsforos en la fabricacin de CRTs y visualizadores de emisin de campo (FED) Cuando se inyectan electrones y huecos en las bandas de conduccin y valencia respectivamente, estos pueden recombinarse para emitir luz. La inyeccin puede ser debida a una seal elctrica o a una seal ptica. La idea general de emisin luminosa despus de una excitacin puede ser extendida a semiconductores con impurezas (materiales inorgnicos) y a materiales orgnicos. El proceso general de emisin de luz como consecuencia de una excitacin puede ser representado por un sistema de tres niveles como el mostrado en una de las siguientes figuras.
Fig. B.7.30: Caractersticas principales de fluorescencia y fosforescencia. La absorcin en cualquier caso implica mayor energa que la emisin y por tanto el espectro de emisin est a una frecuencia menor que el de absorcin. En la fosforescencia la perdida de energa se produce por encontrar el sistema niveles de energa todava menores (triplete) desde donde se produce la emisin. En cualquier caso la fosforescencia se alarga habitualmente en el tiempo frente a la fluorescencia.
Tanto la fluorescencia como la fosforescencia se caracterizan por disponer de electrones en niveles excitados (generalmente llevados all por absorcin de fotones, habitualmente del espectro ultravioleta) que dentro del nivel excitado (singlete) pierden energa en forma de fonones, hasta que finalmente se recombinan, emitiendo de nuevo un fotn, pero de menor energa (mayor longitud de de onda). En la fosforescencia se solapan dos niveles de energa, de un singlete y de un triplete, permitiendo una prdida de energa todava mayor al electrn excitado. El electrn habitualmente puede quedar atrapado un tiempo en estos estados excitados por lo que la diferencia principal entre fluorescencia y fosforescencia, a parte del proceso en s, es la duracin en el tiempo. La fosforescencia se extiendo mucho ms en el tiempo comparada con la fluorescencia. B.7-32
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Los fsforos utilizados en aplicaciones comerciales estn formados bien por materiales orgnicos, bien por materiales inorgnicos. Estos ltimos son los empleados en los tubos de rayos catdicos (CRT) y pantallas de TV. En la mayor parte de los fsforos inorgnicos, la longitud de onda de emisin est determinada por las impurezas introducidas en el material. Estas impurezas provocan la aparicin de estados energticos bien definidos en la banda prohibida. Cuando, debido a la excitacin, se generan electrones y huecos, el portador (electrn o hueco) es atrapado en el nivel energtico del defecto desde el cual se inicia el proceso de recombinacin radiante. Un importante fsforo inorgnico es el basado en el semiconductor ZnS que tiene una anchura de la banda prohibida de alrededor de 3,8eV. Cuando este material es dopado con impurezas de cobre, el nivel energtico intermedio generado es aprovechado para emitir luz verde, mientras que si se dopa con plata es posible generar luz azul. Estos materiales son muy empleados en tecnologa de pantallas de TV, junto con otro tipo de fsforo para producir el rojo y as generar visualizadores en color. En la siguiente tabla se muestra el color de respuesta de algunos fsforos importantes utilizados en la tecnologa moderna de visualizadores.
Fig. B.7.31: Caractersticas de algunos fsforos utilizados en tecnologa de visualizadores para pantallas. Las impurezas utilizadas son especificadas entre parntesis.
El uso de fsforos ya se aplica en los propios CRT (como se ha comentado previamente), donde recubren el fondo de la pantalla. Estos visualizadores basados en fsforos prometen mayor contraste y ngulos de visin mucho mejores. Las tecnologas ms avanzadas se basan en polmeros que se pueden fabricar a la medida para emitir luz. Las investigaciones siguen en busca de una matriz direcionable de pixels de polmeros emisores de luz. El inconveniente mayor que presentan es la necesidad de excitar a los fsforos con la inyeccin de portadores. Para ello se requiere el empleo de una "can" emisora de electrones lo que hace que el sistema sea excesivamente voluminoso. En un CRT convencional, el haz de electrones es emitido desde un ctodo y despus de pasar por regiones en que se focaliza o se desva, incide sobre la pantalla de fsforo. En los CRTs se tiene o bien un nico can de electrones (pantalla blanco y negro) o tres caones (para color) lo cual requiere que el ctodo est situado a determinada distancia de la pantalla. Adems, el sistema debe estar contenido en un alto vaco para evitar la dispersin ("scattering") de los electrones. Esto requiere el uso de fuertes y pesadas cubiertas para la pantalla.
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Fig. B.7.32: Diagrama esquemtico del CRT.
Fig. B.7.33: Color en un CRT.
Para generar una imagen en un CRT se ha de realizar una exploracin o escaneo de toda la pantalla, el cual se realiza por lneas. Los CRTs convencionales tienen 625 lneas en Europa y 525 en Amrica, aunque existen visualizadores de alta definicin de 1125 lneas. La imagen sobre la pantalla debe ser renovada al menos 45 veces por segundo para evitar el parpadeo. Sin embargo, la necesidad de renovar la pantalla por completo a esa velocidad puede ser evitada utilizando un sistema de escaneo que divide la pantalla en dos mitades entrelazadas. En la primera mitad, se renuevan las lneas 1, 3, 5,... y en la segunda, las lneas 2, 4, 6,... .Esto superpone de forma efectiva las imgenes de dos escaneos consecutivos, y el cerebro lo trata como si la imagen hubiese sido renovada a dos veces la velocidad a la cual lo ha sido en realidad. Esto significa que la imagen completa necesita nicamente ser renovada al menos 22 veces y media por segundo. En la prctica estas velocidades son de 25 veces por segundo en Europa y de 30 veces por segundo en Amrica. El brillo de la pantalla puede ser controlado cambiando la cantidad de electrones incidentes. El mximo brillo est limitado por el hecho de que para alta incidencia la pantalla de fsforo puede llegar a degradarse. El fsforo tambin se degrada cuando la pantalla es iluminada durante largo tiempo. Estos daos pueden ser temporales o permanentes y son la razn del empleo de los "salvapantallas" que producen una imagen que se mueve constantemente o apagan la pantalla. B.7-34
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Fig. B.7.34: Creacin de una imagen en un CRT.
En el visualizador de emisin de campo (FED), cada pixel de fsforo tiene su propia fuente de electrones. La emisin de electrones se consigue por una tensin aplicada entre la puerta y la placa de base. Las consideraciones del circuito de alimentacin son similares a las de un LCD. La emisin de electrones se consigue a partir de la extraccin de electrones del interior de un material que son llevados a un estado de libertad o de "vaco" fuera del material. Se estn investigando varios tipos de puntas emisoras, desde micro puntas metlicas, de silicio y de diamante. La corriente de electrones se debe al efecto tnel de los electrones desde la punta emisora al nivel de vaco. El emisor tiene forma muy afilada para conseguir un alto rendimiento de emisin. Un gran nmero de puntas podra ser empleado para excitar un nico pixel. Aunque los FED parecen muy atractivos frente a los AMLCD an hay que resolver algunos problemas como son un alto rendimiento de las puntas y una larga vida con bajo consumo energtico. La fabricacin de las puntas y su integracin con el pixel tambin es algo que queda por desarrollar. La nueva generacin de FED se denomina SED y ya consigue una reduccin del consumo de un 33% frente a monitores de plasma y un 50% frente a monitores de CRT. Visualizador de plasma En la actualidad ya est comercializndose tambin el visualizador de plasma. En estos visualizadores se aplica una tensin entre 2 electrodos transparentes en la pantalla de vidrio delantera. Estos electrodos estn separados por una capa dielctrica de MgO y rodeados por una mezcla de gases de Neon y Xenon. Cuando la tensin aplicada alcanza el nivel de ruptura se produce una descarga de plasma en la superficie del dielctrico lo que provoca una emisin de luz ultravioleta. Esta luz ultravioleta excita los fsforos depositados en el fondo de la celda que a su vez emiten luz visible. Cada celda tiene fsforos rojos, azules y verdes. La intensidad de la luz se consigue variando el nmero y la anchura de los pulsos de tensin aplicados a cada color durante un barrido. El mecanismo es PWM digital y evita la necesidad de una conversin digital-analgica. El resultado es una pantalla fina (40mm) de poco peso, alto brillo y un gran ngulo de visin (>160). Aunque su gran problema es su rpido agotamiento, lo que ha hecho que pierda mercado frente a las pantallas de LCD.
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Fig. B.7.35: Celda bsica de un visualizador de plasma de Fujitsu.
B.7.7.
La necesidad de la modulacin de la luz a alta velocidad
La clula de cristal lquido que acabamos de ver es esencialmente una vlvula de luz o un modulador de luz. Sin embargo, aunque este dispositivo es muy til en aplicaciones de visualizadores (monitores), no puede ser utilizado en aplicaciones de comunicaciones pticas. Esto es debido a las limitaciones en el tiempo de respuesta. En aplicaciones de visin la respuesta del ojo humano es la que pone el lmite a la mayor velocidad de respuesta necesaria (entre 20ms y 30ms). El cristal lquido tiene un tiempo de respuesta que vara de microsegundos a milisegundos y, por tanto, es bastante adecuado para tales aplicaciones. Sin embargo, para comunicaciones pticas la respuesta del dispositivo debera ser tan rpida como fuese posible. La razn es que en dichas aplicaciones se necesita mandar millones de bits de informacin de un ordenador a otro a travs de una misma lnea. Adems, aunque la respuesta de nuestro ojo es lenta, nosotros somos capaces de procesar informacin en paralelo de forma muy eficiente. De esa forma, podemos seguir una pelcula de video con bastante facilidad aunque una hora de pelcula pueda tener varios gigabits de datos. En comunicaciones pticas la fibra ptica es capaz de transmitir datos a velocidades del orden de terabits por segundo. Para aprovechar plenamente este enorme ancho de banda (gran velocidad de transmisin), debemos ser capaces de desarrollar dispositivos de modulacin a alta velocidad. En los ltimos captulos hemos visto materiales que pueden detectar y generar luz pero ninguno de ellos es inteligente a la hora de procesar la informacin. La inteligencia aparece a partir de manipular la informacin, es decir, conmutar, modular y realizar operaciones matemticas y lgicas. En el dominio de la electrnica son los flip-flops, registros y puertas lgicas (todos ellos basados en la tecnologa del transistor) los que realizan estas operaciones y crean los mecanismos inteligentes como son los ordenadores. Supongamos una seal ptica portadora de bits de datos y que viaja desde Nueva York a Tokio. Obviamente no existe una fibra ptica dedicada nicamente a tal comunicacin y la seal luminosa debe pasar por varios repetidores e intercambiadores conforme va viajando. La funcin de los repetidores es compensar la prdida de potencia ptica sufrida en la transmisin. En la actualidad los repetidores convierten el pulso ptico en un pulso elctrico, B.7-36
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lo amplifican y luego lo reconvierten en una seal ptica ya realzada. Lo mismo hacen los intercambiadores conmutados. Por tanto todas las modificaciones de la informacin la realizan los mismos circuitos electrnicos que tenemos en nuestros ordenadores. Todo esto quiere decir, aunque resulte embarazoso para los defensores de un procesamiento ptico, que actualmente no existen componentes fotnicos que puedan competir con el transistor en la manipulacin de datos. Sin embargo, los componentes fotnicos inteligentes estn mejorando de forma rpida y estn empezando a tener impacto sobre la tecnologa. An queda bastante tiempo antes de que estos dispositivos encuentren su lugar en el interior de nuestros ordenadores, pero en un futuro cercano los veremos en sistemas de comunicacin a alta velocidad. En comunicaciones pticas, el contenido de la informacin es codificado empleando dispositivos fotnicos a travs de la variacin de algn aspecto de la seal ptica de salida de o bien un LED o bien un diodo lser (LD). La propiedad de la luz que es modulada depende de la aplicacin particular y de la tecnologa disponible en cada momento, y puede ser por ejemplo la amplitud de la seal ptica, la fase de esta seal, la anchura de los pulsos enviados, etc. Independientemente de la codificacin empleada, est claro que la modulacin de la luz es un punto crtico en tecnologa optoelectrnica. En dicho aspecto los componentes fotnicos estn en desventaja frente a los electrnicos. En los dispositivos electrnicos (MOSFET, MESFET, MODFET, BJT, HBT, etc) la seal elctrica la modulamos fcilmente con una seal de base o de puerta, donde la base o puerta es una parte integrante del dispositivo. Las dimensiones del dispositivo son bastante pequeas y se permiten frecuencias de modulacin de hasta 20GHz en tecnologas avanzadas de silicio y de varios cientos de GHz en heteroestructuras avanzadas. Comparados con los componentes electrnicos, los componentes fotnicos tienen un tamao mucho ms grande. Ya hemos visto las limitaciones del LED en aplicaciones de alta velocidad. El diodo lser puede, en principio, superar alguno de los problemas pero an as, sigue estando limitado a frecuencias de 20GHz a 30GHz. Adems el diodo lser (LD) no tiene una simple "puerta" mediante la cual modular la seal ptica. Existen dos esquemas para modular las seales pticas en LEDs o LDs. La primera es la modulacin directa en la que un circuito electrnico es diseado para modular la corriente inyectada en el dispositivo. Como la luz est controlada por la corriente inyectada, podemos obtener la modulacin deseada. Para tal fin se suele emplear un FET o un HBT. Debido a la diferencia en la estructura del LD y del transistor no es una tarea sencilla fabricar estos dispositivos sobre un mismo chip. Por tanto, tales circuitos se fabrican a partir de una tecnologa hbrida (OEIC). En la actualidad se estn llevando a cabo investigaciones que tienen como propsito la integracin en un mismo substrato de transistor y fuente luminosa y desarrollar de esa forma la tecnologa OEIC. La modulacin directa del diodo lser es simple lo que la hace muy atractiva. Sin embargo, hay que tener en cuenta que tal simplicidad slo existe si se compara con otras formas de modulacin de dispositivos pticos. Si se compara con dispositivos electrnicos, la modulacin no es tan simple ni tan fcil de implementar. Los problemas de la modulacin directa incluyen las frecuencias superiores de modulacin que no pueden superar los 40GHz y el desplazamiento en la frecuencia de emisin.
B.7-37
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Modulacin directa Modulacin externa + Circuito relativamente simple y compacto. Circuito "grande" para estndares microelectrnicos. Disposicin de elementos complicada. Difcil de ajustar. La velocidad del dispositivo se controla + Las velocidades del dispositivo son por procesos internos del lser; e.d. bastante rpidas y se controlan mediante recombinacin e-h, longitud de la cavidad. las propiedades del modulador. La frecuencia de emisin se puede alterar + Frecuencia de emisin inalterada con la corriente de funcionamiento. Aunque se puede alterar fcilmente la + La fase se puede alterar intensidad de salida, no es tan fcil de modular la fase, la amplitud o la frecuencia.
Fig. B.7.36: Ventajas y desventajas de la modulacin interna o externa de diodos lser.
El otro esquema de modulacin de un diodo lser (LD) es la modulacin externa. sta ofrece otras ventajas y desventajas. La desventaja ms importante es que el modulador es grande comparado con otros dispositivos electrnicos y normalmente no es una parte de un circuito integrado sencillo. Tambin su fabricacin se hace con materiales no compatibles con la tecnologa de semiconductores. Aunque recientemente se estn empezando a utilizar sistemas basados en pozos cunticos en cuya composicin intervienen los mismos semiconductores que se utilizan en diodos lser. En la modulacin externa la luz de salida pasa a travs de un material cuyas propiedades pticas pueden ser modificadas por medios externos. Dependiendo de los medios empleados, podemos tener moduladores electro-pticos, acusto-pticos o magneto-pticos. El efecto electro-ptico es el ms utilizado en aplicaciones de alta velocidad y es el ms compatible con la electrnica moderna.
B.7.7.1.
Caractersticas de los moduladores
El modulador ptico es un dispositivo que utilizamos para codificar informacin en una seal ptica alterando su amplitud, fase o intensidad. Dependiendo de la aplicacin, los moduladores se deben caracterizar segn varios aspectos importantes para poder seleccionarlos. Bsicamente son: el rendimiento de modulacin, ancho de banda de la modulacin, prdidas de insercin, consumo y aislamiento entre canales. Rendimiento de modulacin: Para definir el rendimiento de modulacin, , debemos conocer el tipo de modulacin a utilizar. Para la modulacin de intensidad donde la intensidad vara entre su valor mximo, Imax, y mnimo, Imin, el rendimiento vale, (B.7.24) La profundidad de modulacin se define en decibelios como, B.7-38
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(B.7.25) Si el modulador se utiliza para modulacin de fase, el rendimiento vale como se coment en el tema dedicado a la propagacin de la luz en un medio, (B.7.26) donde es el valor extremo del cambio de fase producido debido a la modulacin. Ancho de banda de la modulacin: Como con otros dispositivos electrnicos u optoelectrnicos, cuando aumenta la frecuencia de funcionamiento, el rendimiento de modulacin cae. La frecuencia a la cual el rendimiento de modulacin cae 3dB con respecto a su valor a baja frecuencia se llama el ancho de banda de la modulacin. El ancho de banda puede estar limitado por elementos parsitos (constantes de tiempo RC) o constantes de tiempo intrnsecas (por ejemplo, tiempo de trnsito de portadores) del dispositivo. Prdidas de insercin: Cuando se acopla una seal ptica a un modulador habr prdidas de potencia. Si Pout es la potencia de salida de un sistema ptico cuando no hay modulador y Pin es la potencia transmitida por el sistema con el modulador y ajustado para mxima transmitancia, las prdidas de insercin sern, (B.7.27) Las prdidas de insercin aparecen por la dispersin, reflexin y absorcin que aparecen al colocar el modulador. Consumo de potencia: El consumo de potencia, como su nombre indica, es el consumo de potencia durante el proceso de modulacin. Se define mediante la potencia por unidad de ancho de banda necesaria para la modulacin de intensidad. Aislamiento: En muchos casos el modulador tiene varios canales. Se puede utilizar el modulador para transmitir una seal ptica desde una entrada a N salidas diferentes. El aislamiento describe la intensidad ptica que aparece en el canal de entrada j cuando es enviada una seal a travs del canal i, (B.7.28) En la mayora de los sistemas pticos se requiere un aislamiento de ms de 40dB. Despus de definir estas caractersticas de todos los moduladores, veamos ahora algunos moduladores y sus principios fsicos de funcionamiento.
B.7-39
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B.7.8.
Moduladores electro-pticos
Un modulador electro-ptico puede modular la amplitud, la frecuencia o la fase de una seal ptica a partir del efecto electro-ptico, en el que modificamos las caractersticas pticas de un cristal a partir de un campo elctrico. Existen muchos cristales que poseen estas propiedades. Entre ellos el fosfato de dihidrgeno potasio (KDP), perosquitas ferroelctricas como el LiNbO3 y LiTaO3 y semiconductores como el GaAs y CdTe. En general el ndice de refraccin de un cristal no es istropo y se describe por su elipsoide de ndices. La ecuacin del elipsoide de ndices a lo largo de sus ejes principales xi, es (B.7.29) donde nri son los ndices de refraccin principales. Cuando se aplica un campo elctrico a lo largo de una direccin particular, los ndices de refraccin se ven afectados. Sin embargo, debido a la anisotropa del cristal, los distintos ndices se ven afectados de forma diferente. En cristales unixicos, hay dos ejes, x1 y x2, a lo largo de los cuales el ndice de refraccin es el mismo, es decir nro, y uno a lo largo del cual el ndice de refraccin vale nre. Estos son los ndices de refraccin ordinario y extraordinario respectivamente.
Fig. B.7.37: Uso de un dispositivo electro-ptico para modular una seal ptica. La tensin aplicada introduce un desfase entre las dos componentes de diferente polarizacin de la luz y as la luz emergente estar modulada.
Cuando una luz linealmente polarizada entra en el modulador se descompone en dos componentes. En general ambas direcciones tienen un ndice de refraccin diferente y aparece un desfase entre ambas componentes cuando se han propagado un tramo L. Consideremos una seal de entrada linealmente polarizada que vendr dada por, (B.7.30)
(B.7.31) Despus de pasar por el modulador la onda emerger con una polarizacin general dada por, B.7-40
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(B.7.32)
(B.7.33) La diferencia de fase viene dada por = 2 1. Si vale /2, el rayo emergente estar polarizado circularmente y si vale , polarizado linealmente y girado 90 con respecto al rayo de entrada. Si el rayo de salida pasa por un polarizador de 90 con respecto al polarizador de la entrada, la relacin de intensidades es, (B.7.34) Por tanto si podemos controlar mediante un campo elctrico, podremos modular la intensidad. Para GaAs la fase dependiente del campo elctrico vale, (B.7.35) donde es la longitud de onda de la luz, L es la longitud del dispositivo, nro el ndice de refraccin ordinario del GaAs, r41 el coeficiente electro-ptico para el GaAs, V la tensin transversal aplicada y d el grosor del modulador. Un anlisis similar para materiales del tipo KDP muestra que el desfase entre ambas componentes de la onda a la salida es, (B.7.36) donde r63 es el coeficiente electro-ptico de KDP y E el campo elctrico aplicado (V/d). Si se utilizan polarizadores cruzados, la mxima transmitancia se da cuando el cambio de fase son 180 ya que sin2(/2)=1. Material GaAs Cuarzo LiNbO3 KDP (m) 0,8 - 1,0 0,6 0,5 0,5 rij (1012 m/V) r41 = 1,2 r11 = 0,47 r41 = 0,2 r13 = 9,0; r22 = 6,6 r42 = 30 r41 = 8,6; r63 = 9,5
Fig. B.7.38: Coeficientes electro-pticos de algunos materiales.
Debe tenerse en cuenta que el campo elctrico se puede aplicar de forma transversal o longitudinal al modulador. Cuando se aplica un campo transversal, el efecto es llamado efecto Kerr. Por otra parte, cuando el campo aplicado es longitudinal el efecto es llamado efecto Pockel.
B.7-41
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De las expresiones vistas parece claro que si tenemos un material con un gran coeficiente electro-ptico podremos conseguir una modulacin grande con un componente ms corto para el mismo campo elctrico aplicado. Aunque los coeficientes electro-pticos de la mayora de los materiales son bastante pequeos (~1012m/V) de forma que para valores de polarizacin reales se necesitan longitudes muy grandes (de milmetros o ms). Estos tamaos tan grandes hacen estos moduladores incompatibles con los ordenes de magnitud manejados en la microelectrnica actual. Algunas mejoras se estn consiguiendo con estructuras basadas en pozos cunticos. Materiales electro-pticos y grabacin de imgenes El efecto electro-ptico que acabamos de describir no slo es til para moduladores, si no que adems sirve para grabar imgenes pticamente. Los materiales ferroelctricos que tienen un efecto electro-ptico acentuado se utilizan para grabar imgenes, obtener contraste de imgenes, etc. El material ms utilizado para estas aplicaciones es el PLZT policristalino cermico. Al ser policristalino este material se puede fabricar en grandes dimensiones y a bajo coste. Ya vimos que los materiales ferroelctricos tienen una polarizacin espontnea o dipolo elctrico diferente de cero. Cuando les aplicamos un campo elctrico su dipolo elctrico o polarizacin cambia al modificarse la orientacin de las molculas. En particular si aplicamos un campo elctrico llamado campo elctrico coercitivo podemos anular su polarizacin. El campo coercitivo necesario puede ser alterado si se crea un campo interno mediante portadores fotogenerados. Este es el principio para la grabacin de imgenes pticas. El dispositivo fotoferroelctrico para crear imgenes (PFE) consiste en una fina capa (0,1mm a 0,3mm) de PLZT cermico con electrodos transparentes aplicados a sus caras mayores. Se ilumina con la imagen a almacenar una de las caras del material con luz del ultravioleta cercano y a la vez se le aplica una tensin al dispositivo. Cuando iluminamos el material fotosensible PLZT se produce una fotogeneracin de portadores con una concentracin local proporcional a la intensidad local de la imagen con la que iluminamos. Los portadores (electrones y huecos) se separan debido al campo elctrico y quedan atrapados en defectos del material. Entonces, un campo elctrico local se superpone al externo cambiando el campo coercitivo y, por tanto, la polarizacin local del material. Esto da lugar a variaciones locales de las tensiones mecnicas internas en la placa PLZT. La imagen es por tanto grabada sobre la placa y puede ser vista a travs de un dispositivo de proyeccin. Por medio de tcnicas de fabricacin avanzadas se pueden conseguir cermicas de PLZT cuyo tamao de grano es del orden de 2m. Estas placas pueden almacenar imgenes con resoluciones de hasta 100 lneas por centmetro. Las imgenes se pueden borrar iluminando la placa uniformemente con luz del ultravioleta cercano y aplicando a la vez un pulso de tensin para llevar la polarizacin ferroelctrica a su estado remanente inicial.
B.7.9.
Moduladores interferomtricos
Acabamos de ver como el cambio de fase producido por el efecto electro-ptico se puede utilizar para modular seales. A parte de la configuracin que hemos visto podemos B.7-42
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utilizar otras que no necesitan polarizadores y modulan la seal por medio de efectos interferomtricos.
B.7.9.1.
Moduladores de Fabry-Perot
El modulador de Fabry-Perot (llamado tambin el etaln) consiste en dos espejos semi transparentes que encierran un material electro-ptico. Si nr es el ndice refraccin del material electro-ptico y L su longitud, la transmisin a travs del etaln es mxima (0 es la longitud de onda en el vacio y q un entero) cuando, (B.7.37) El coeficiente de transmisin de un etaln con una reflectividad R en sus espejos vale, (B.7.38)
De esta expresin se deduce que la selectividad del etaln aumenta con R, como se muestra en la siguiente figura. En esta figura se muestra la variacin del coeficiente de transmisin en funcin del cambio que experimenta la fase de la onda en una vuelta completa, es decir . Como vemos tenemos picos de transmisin para desfases de 0, 180 y 360.
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Fig. B.7.39: Modulador de Fabry-Perot. En algunas estructuras construidas por crecimiento epitaxial las superficies parcialmente reflectantes son reflectores distribuidos de Bragg. Tambin se muestra el coeficiente de transmisin de la cavidad de Fabry-Perot en funcin del cambio de fase. R es la reflectividad del espejo.
El principio de funcionamiento del modulador de Fabry-Perot es la variacin de nr con un campo elctrico. Esto modificar el cambio de fase y finalmente variar la transmisin de la seal ptica. Lo que se busca es que el dispositivo vare su transmitancia entre Tmax y Tmin por medio de un campo elctrico. B.7-43
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La diferencia en frecuencia entre dos mximos sucesivos en la transmisin de la estructura de Fabry-Perot se llama el rango de espectro libre, FSR, y vale, (B.7.39) Un parmetro importante del etaln es la precisin (F) que da la relacin entre el FSR y la anchura mxima de cualquier pico de transmisin medida a la mitad del mximo. Su valor es, (B.7.40) donde R1 y R2 son los coeficientes de reflexin de los espejos delantero y trasero del etaln. Estos moduladores han llegado a modular seales de hasta 10GHz con relaciones de contraste de hasta 10dB.
B.7.9.2.
Moduladores de Mach-Zender
La modulacin de fase por efecto electro-ptico se puede utilizar para modular la intensidad en un interfermetro de Mach-Zender. El principio consiste en dividir una seal proveniente de una gua de onda monomodo en dos, con una relacin 50:50. Esta divisin se consigue con un acoplador en Y o divisor que, por razones obvias, es llamado acoplador de 3dB (la potencia ptica en cada rama es la mitad de la de la inicial). Los dos rayos resultantes viajarn por guas diferentes (en general de diferente longitud) para luego volverse a unir para producir la salida.
Fig. B.7.40: Interfermetro de Mach-Zender usado como modulador. Se utilizan dos acopladores de 3dB para separar y unir luego la seal entrante.
Si los caminos pticos de ambos trazados son mltiplos enteros de la longitud de onda, las dos ondas llegarn al segundo acoplador de 3dB en fase e interferirn constructivamente produciendo una alta intensidad ptica. Si se utiliza un campo elctrico para crear una B.7-44
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diferencia de fase entre ambas ondas se podr reducir la intensidad de la onda. Si la diferencia de fase total entre las dos ondas viajando por los dos caminos diferentes es 180 la intensidad resultante ser mnima. Debido a las prdidas de seal ptica debidas a los acopladores, los moduladores de Mach-Zender sufren de rendimientos bastante bajos.
B.7.10. El acoplador direccional

En la seccin anterior hemos visto como el efecto electro-ptico se puede utilizar para modular una seal ptica. Alterando el ndice de refraccin del material podemos introducir una modulacin de fase, una modulacin de la polarizacin o, a travs de interferencias de dos rayos, una modulacin de la intensidad. El mismo concepto se puede aplicar para aplicaciones de conmutacin. Uno de los conmutadores ms importantes es el acoplador direccional. Su funcionamiento ya lo hemos visto en temas anteriores y aqu nos vamos a restringir a explicar su uso como modulador o conmutador de luz. El acoplador direccional en su constitucin bsica acopla dos seales pticas de entrada I1 e I2 a dos salidas O1 y O2. El dispositivo debe ser capaz de conectar una seal entrante a una de las dos salidas, O1 u O2. Este dispositivo es muy importante en comunicaciones pticas, ya que permite direccionar seales. Ya vimos que su funcionamiento se basa en que la potencia de la seal pasa de una gua a otra conforme va avanzando. La transferencia completa de potencia se dar cuando la seal se haya propagado una distancia, (B.7.41) donde K es el coeficiente de acoplamiento debido al solape en los modos de ambas guas.
B.7-45
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Fig. B.7.41: (a) Acoplador direccional donde dos guas estn separadas por un gap g a lo largo de una distancia L. (b) Transferencia de energa ptica de una gua a otra cuando la seal entra inicialmente por la gua 1.
Si las guas no estn en fase (1 2), no toda la luz se acoplar de una gua a otra. Si escribimos, (B.7.42) Se puede demostrar que si A1(0)=1, A2(0)=0 donde A1 y A2 son los campos en ambas guas (la seal entra inicialmente por la gua 1), se obtiene, (B.7.43) Si 2 >> K2, no habr acoplamiento de luz. El funcionamiento del acoplador direccional se basar en variar con un campo elctrico. Para el caso de que = 0, la longitud a partir de la que se produce la primera transferencia de energa es, (B.7.44) Si aplicamos una tensin para que vare a sw de forma que se cumpla, (B.7.45) entonces no habr luz que emerja por la gua 2 y la luz re-emerjer por la gua 1 como se muestra en la siguiente figura (a). La conmutacin se controla a travs del coeficiente de acoplamiento K, la intensidad o fuerza que tenga el efecto electro-ptico y la tensin de polarizacin aplicada (dependencia que aparece a travs de ). Para que la tensin a aplicar sea pequea, el material debe tener un efecto electro-ptico grande. El coeficiente de acoplamiento depende exponencialmente de la B.7-46
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separacin g de ambas guas de onda, ya que el acoplamiento se debe a las ondas evanescentes en cada gua. Para que la tensin aplicada sea baja se suele aplicar una configuracin tipo "pushpull" para los electrodos como se muestra en (b). El desplazamiento total es entonces el doble y viene dado por, (B.7.46) donde reff es el coeficiente electro-ptico efectivo. Para GaAs el valor utilizado es r41. El factor 2Ey es debido a la configuracin "push-pull" de los electrodos. Para acopladores direccionales de materiales como LiNbO3, GaAs, LiTaO3, etc; el tamao del dispositivo es bastante grande, ya que el efecto electro-ptico no es tan grande. Normalmente los dispositivos requieren una longitud de interaccin de alrededor de 1cm y una tensin de 5V a 10V. El uso de pozos cunticos est permitiendo estructuras de menor tamao debido al efecto electro-ptico mejorado relacionado con las caractersticas excitnicas que veremos en un apartado posterior.
Fig. B.7.42: (a) Acoplador direccional de longitud tal que la transferencia completa se produce en ausencia de tensin aplicada. Si vara la tensin aplicada se puede modificar el acoplo de luz. (b) Electrodos en "push-pull" en un acoplador direccional para doblar el desfase entre las guas.
B.7.11. Dispositivos avanzados de modulacin y conmutacin

En la anterior seccin hemos visto como el coeficiente electro-ptico en la mayor parte de los materiales es bastante pequeo, por lo que o bien los dispositivos son bastante grandes o bien se requieren altas tensiones. El uso de estructuras basadas en pozos cunticos B.7-47
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est permitiendo mejorar esta situacin. Los pozos cunticos se consiguen a partir de colocar una estructura de banda prohibida estrecha entre dos de banda prohibida ancha.
B.7.11.1. Motivaciones de los pozos cunticos Con la fabricacin de los primeros pozos cunticos a mitad de los aos 70 se llev a cabo la fabricacin y el estudio de gran cantidad de nuevos dispositivos. Muchos de los conceptos estudiados han tenido utilidad en la implementacin de dispositivos electrnicos y optoelectrnicos. Vamos a examinar las motivaciones que llevan al empleo de estructuras basadas en pozos cunticos en el rea de moduladores pticos. Modificacin de la densidad de estados Sabemos que la densidad de estados en un sistema 2D (pozo cuntico) tiene un comportamiento como la funcin escaln. Dentro de las bandas de conduccin y de valencia existen unas subbandas con densidades de estados tipo variando en forma escalonada. Esto contrasta con la densidad de estados 3D que crece montonamente en los limites de sus bandas. Como los procesos pticos como por ejemplo la absorcin dependen de la densidad de estados, estos procesos se modifican en los pozos cunticos. Efectos del excitn Para explicar la absorcin vimos que el fotn es absorbido generando un par electrnhueco. El caso es que electrn y hueco son partculas de carga opuesta, por lo que una pregunta que uno puede hacerse es si la atraccin elctrica entre ellos puede llegar a alterar el proceso de absorcin ptica. En realidad esa atraccin juega un papel importante en interacciones luz-semiconductor. Para hacernos una idea de las implicaciones de esta interaccin electrn-hueco vamos a ver lo que sucede en un tomo. En este hay una interaccin electrn-protn que conduce a unos niveles energticos posibles para el electrn (conocidos por los smbolos 1s, 2s, 2p, etc.). En la absorcin ptica estos niveles dan lugar a la presencia de picos en la representacin de la absorcin en funcin de la energa. Un fenmeno similar ocurre con los pares electrn-hueco. Estos pares electrn-hueco atrados por su interaccin de tipo elctrico son llamados excitones. Estos excitones causan picos en el espectro de absorcin como se muestra esquemticamente en la siguiente figura. En pozos cunticos, la intensidad de estos picos es mucho mayor que en materiales de mayores dimensiones, debido al fuerte solape entre las funciones de onda de electrn y hueco. Modificacin de las propiedades pticas por campos aplicados Otra importante caracterstica de las estructuras de pozo cuntico es que en presencia de un campo elctrico, las propiedades pticas (coeficiente de absorcin, ndice de refraccin) del material pueden variar mucho, como se muestra en la siguiente figura. Este gran cambio que experimenta el coeficiente de absorcin puede ser utilizado para la modulacin de la luz.
B.7-48
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Fig. B.7.43: Las diferencias entre sistemas tridimensionales (3D) y bidimensionales (2D) se aprovechan para disear mejores moduladores pticos. Los efectos del excitn son muy importantes en pozos cunticos y el espectro de absorcin se puede modificar fcilmente mediante un campo elctrico.
B.7.11.2. Moduladores de electro-absorcin Cuando se aplica un campo elctrico a un pozo cuntico, el espectro de absorcin se desplaza hacia frecuencias inferiores. Como resultado si la luz de frecuencia incide sobre el dispositivo, la luz transmitida puede ser modulada por medio de este campo elctrico. El desplazamiento del espectro de absorcin se llama el efecto cuntico de confinado de Stark (QCSE). La respuesta de los dispositivos QCSE puede ser muy rpida (del orden de los 10ps) y por tanto se pueden conseguir modulaciones de alta velocidad. En la siguiente figura se muestra un diodo p-i-n de pozo cuntico mltiple, el cual puede ser utilizado como modulador de electro-absorcin.
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Fig. B.7.44: (a) Desplazamiento de la absorcin ptica con el campo aplicado. (b) Modulador de efecto cuntico confinado de Stark. Al aplicar la polarizacin, la intensidad luminosa de salida puede ser modulada.
B.7-50
B.0. Introduccin y unidades de medida
B.0.1.
La era de la informacin
En la ltima dcada el mundo ha cambiado mucho y tambin sus necesidades. Estos cambios tambin se han producido en el rea de la tecnologa. Dado que el mercado se est expandiendo hasta cubrir la totalidad del globo la importancia de las comunicaciones es cada vez mayor. Las tecnologas que hacen factible estas mejoras de la comunicacin se pueden subdividir entre otras en componentes electrnicos de estado slido y componentes fotnicos. Nosotros vamos a estudiar ahora esta ltima parte. La optoelectrnica es la tcnica de procesar la informacin mediante la luz y ya lleva muchos aos en desarrollo, pero ha sido en los ltimos 15 aos cuando ha adquirido un mayor auge. As por ejemplo, las cmaras de vdeo, los lectores de discos pticos ("compact disc"), los relojes digitales, los paneles solares y las impresoras lser han evolucionado gracias a esta nueva tecnologa. Se espera que para el ao 2010 la industria de la optoelectrnica ocupe una parcela del mercado similar a la industria de los circuitos integrados. Esto se traduce en un aumento de 20 veces del dinero manejado en 1995. Esto hace imprescindible estudiar esta familia de componentes que hasta ahora o no se vea o se vea de forma muy superficial. La era de la informacin como ya hemos dicho necesita de medios muy eficaces de intercambio de informacin debido a que la economa mundial depende de esta informacin y de la velocidad con que se transmite. Los componentes fotnicos han contribuido activamente a este crecimiento de la velocidad de procesamiento y transmisin de la informacin. Aunque la televisin y la bombilla entre otros tambin se pueden contemplar como dispositivos fotnicos slo estudiaremos aqu aquellos dispositivos aparecidos en los ltimos 20 aos. Adems ha sido en esta ltima dcada cuando los componentes fotnicos han comenzado a jugar un importante papel junto a los componentes electrnicos en el procesado y transmisin de la informacin.
B.0.2.
Necesidades en la era de la informacin

Las funciones bsicas a realizar en la era de la informacin son las siguientes:
Deteccin y recepcin de la informacin: Es una de las funciones ms importantes. Nuestros sentidos, por ejemplo son imprescindibles para poder desarrollar una vida sin esfuerzos adicionales. De igual manera necesitamos dispositivos sensores / detectores con una respuesta a una entrada externa bien definida. Estos dispositivos sensores / detectores deben convertir la informacin y de forma que se pueda procesar por otros medios a continuacin.
B.0-1
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Tema B.0: Introduccin
Amplificacin de la informacin: Si la informacin recibida no dispone de suficiente seal deberemos amplificarla para poder trabajar con ella. Para ello el dispositivo debe poseer una determinada ganancia. Manipulacin de la informacin: Necesitamos manipular esa informacin para poder sacar de ella la informacin que realmente nos interesa y desechar la que no nos interesa. Para ello puede ser necesario realizar operaciones aritmticas con la informacin o cualquier otro tipo de operacin. Memoria: La memoria tambin es esencial ya que el proceso de aprender, comparar, seleccionar y volver a usar esta informacin, hace necesarios dispositivos de almacenamiento de la informacin. Transferencia de informacin: Una funcin muy importante es ser capaz de transferir informacin o resultados obtenidos despus de la manipulacin de dicha informacin a un dispositivo de memoria. Ser necesario en muchos casos codificar dicha informacin para simplificar la transferencia de la informacin. Generacin de la informacin: Es el paso imprescindible en la tecnologa de la informacin. Sin ella la era de la informacin no existira.
Visualizacin de la informacin: El dicho "Una imagen vale ms que mil palabras" ya lo dice todo. La tcnica de los visualizadores es una de las que ms ha avanzado en los ltimos aos. De entre estas tcnicas cabe destacar los visualizadores LCD y los ya veteranos LEDs.
Generacin de la informacin Deteccin y recepcin de la informacin Amplificacin de la informacin Manipulacin de la informacin Transferencia de informacin Visualizacin la informacin
Lectura de la informacin de la memoria
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B.0.3.
Dispositivos electrnicos frente a dispositivos fotnicos
Los dispositivos electrnicos y toda la electrnica que les acompaa y que tanto ha revolucionado la tcnica en los ltimos 40 aos tienen algunas limitaciones. Por una parte se tienen que interconectar mediante cables o conexiones metlicas. Esto limita la capacidad de interconexin de los dispositivos que requieren interconexin masiva. Los componentes fotnicos no sufren esta limitacin ya que no se deberan conectar mediante interconexiones metlicas. Otro problema aparece en la transmisin de la informacin. Si se utilizan cables, el sistema es caro, no es capaz de transmitir muchos canales y necesita repetidores cada cierta distancia. En este terreno la fibra ptica, los diodos lser y los fotodetectores han conseguido un gran avance. Los equipos electrnicos tambin sufren de los problemas derivados de las interferencias electromagnticas mientras que no existen problemas de EMI en sistemas pticos. Finalmente los electrones no se ven, por lo que necesariamente debemos utilizar visualizadores. Esta parcela ya est por necesidad copada por los componentes fotnicos.
B.0.4.
Las ventajas de un sistema de procesado de la informacin basado en la luz
1. Inmunidad frente a las interferencias electromagnticas: Dado que las partculas luminosas no estn cargadas no se ven afectadas por campos electromagnticos de forma importante. 2. No-interferencia de dos seales luminosas que se cruzan: Dos rayos de luz se pueden cruzar sin que ninguno de ellos se vea afectado de forma significativa. Esto permite aumentar la densidad de informacin a tratar. 3. Posible alto paralelismo: El proceso de informacin ptica en paralelo para as tomar decisiones en tiempo real es actualmente una de los temas candentes en el rea de la robtica. 4. Alta velocidad / alto ancho de banda: Se han llegado a generar pulsos pticos de una duracin de slo unos femtosegundos (1fs = 10-15s). Esto puede permitir una velocidad de proceso muy elevada. 5. Los haces de luz se pueden dirigir con relativa facilidad mediante lentes u hologramas: Esto puede llegar a permitir el reconfigurar un interconexionado de forma activa y dar una flexibilidad increble a un sistema ptico. B.0-3
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6. Dispositivos de funciones especiales: Con lentes, por ejemplo, se pueden llegar a generar transformadas de Fourier de una imagen o hacer anlisis espectrales utilizando las caractersticas de difraccin de la luz. 7. Facilidad de acoplamiento con un sistema electrnico: Esta facilidad ha permitido una mayor integracin en dispositivos optoelectrnicos y ha desarrollado en gran medida dispositivos como el lser, el detector o el modulador. Por todo ello es necesario el conocer los componentes fotnicos. Empezando desde su composicin y funcionamiento fsico hasta su aplicacin circuital o electrnica. Nosotros vamos a intentar dar una explicacin de su funcionamiento fsico y de su fabricacin y composicin.
B.0.5.
El comportamiento de la luz.
B.0.5.1.
Tipos de ondas
La luz puede ser considerada como una onda electromagntica viajando por el espacio a una gran velocidad. Existen dos tipos de ondas posibles: longitudinales y transversales. En las ondas longitudinales, hay un movimiento oscilatorio en la direccin de propagacin (es el caso de las ondas sonoras); en las ondas transversales, el movimiento oscilatorio es en direccin perpendicular a la direccin de propagacin (como el caso de las ondas formadas en la superficie del agua). Una onda electromagntica es una onda transversal en la que las componentes de los campos elctrico y magntico son perpendiculares entre s y perpendiculares a la direccin de propagacin.
(a)
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(b)
(c) Fig. B.0.1: (a) Onda longitudinal. (b) Onda transversal. (c) Onda transversal electromagntica.
Para la mejor comprensin del fenmeno ondulatorio es til recordar los trminos ms comnmente utilizados para describirlo. El periodo (T) es el intervalo de tiempo necesario para completar un ciclo de la oscilacin. La frecuencia (f) es el nmero de oscilaciones en un segundo. Una magnitud es la inversa de la otra: (B.0.1) donde T = periodo (s) y f = frecuencia (Hz). La tercera caracterstica de la oscilacin es la amplitud, la cual es el valor absoluto mximo de una onda. La amplitud en el caso de una onda electromagntica es una combinacin compleja de las componentes de los campos elctrico y magntico que no puede ser determinada mediante una medida directa. En el caso de radiacin electromagntica, la potencia propagada por la onda oscilatoria, es proporcional al cuadrado de dicha amplitud.
B.0.5.2.
Relaciones y ecuaciones.
Cuando una oscilacin se propaga en un medio, forma una onda como la que se muestra esquemticamente en la siguiente figura:
B.0-5
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Fig. B.0.2: Amplitud y periodo.
La longitud de onda (), es la distancia que la onda recorre en un periodo: (B.0.2) donde = longitud de onda (m) y v = velocidad de la luz en el medio (m/s). La velocidad de la luz en el vaco: c = 2,997924574 x 108 (m/s) es una de las constantes fundamentales de la naturaleza. (B.0.3)
B.0.5.3.
El espectro electromagntico
El espectro electromagntico mostrado en la siguiente figura va desde ondas de radio de muy baja frecuencia (VLF) hasta los rayos csmicos. De todo este amplio espectro, la optoelectrnica nicamente se ocupa de la luz infrarroja, la luz visible (entre 400nm y 700nm) y la radiacin ultravioleta.
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Fig. B.0.3: El espectro electromagntico.
B.0.5.4.
Radiometra y fotometra
La optoelectrnica es la ciencia que estudia la radiacin electromagntica y el campo energtico electromagntico generado por las fuentes de radiacin. La radiometra estudia las propiedades y caractersticas de la radiacin electromagntica, describe el campo de radiacin, cmo interacta la radiacin con dispositivos y receptores, y las caractersticas de las fuentes de radiacin y receptores. Limitaremos nuestra discusin a frecuencias y longitudes de onda desde el infrarrojo hasta el ultravioleta, aunque la radiometra cubre un espectro frecuencial mucho mas ancho. En radiometra medimos radiacin y los resultados de tales medidas los obtenemos en las unidades fsicas que se emplean comnmente para tal efecto (vatios, vatios por metro cuadrado, etc.). Esta ciencia es relativamente nueva pues se origin a inicios del siglo XX con el auge de la tecnologa electrnica. En el espectro de la radiometra estn incluidas las longitudes de onda entre 400nm y 700nm correspondientes a la luz visible. Dentro de este rango existen gran cantidad de dispositivos optoelectrnicos cuyo principal propsito es la interaccin y comunicacin con los humanos. Por tanto, el principal receptor en el rango de la luz visible es el ojo humano. La ciencia que estudia la luz visible y su percepcin por el ojo humano es llamada fotometra. La fotometra, a diferencia de la radiometra, es una ciencia mucho ms antigua, pues tiene su origen en el siglo XIX. Existen diferencias fundamentales entre la radiometra y la fotometra. Una diferencia significativa es el receptor o dispositivo de medida. En radiometra, las medidas se realizan con instrumentos electrnicos; en fotometra, la medida llega al ojo humano. Otra diferencia es que, en fotometra, se utilizan unidades diferentes para caracterizar la radiacin. B.0-7
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B.0.6.
La naturaleza de la visin humana
Muchos consideran que la visin es uno de nuestros sentidos ms importantes. Nos permite reconocer los peligros que afrontamos, realizar nuestras tareas diarias, y disfrutar del esplendor y la belleza de nuestro entorno. Todas estas tareas se consiguen por un sistema de reconocimiento muy complejo, del que el ojo humano es la conexin inicial con el mundo. En nuestros ojos se forma una imagen representativa usando la luz, con una radiacin electromagntica entre 400nm y 700nm (luz visible) como medio de propagacin de la imagen. Por qu nuestra visin se restringe a un rango tan pequeo? La razn es que la radiacin del sol tiene un mximo en estas longitudes de onda y nos proporciona una gran cantidad de energa dentro de este rango de longitudes de onda. Por lo que el diseo de un sistema complejo de visin para este particular rango de longitudes de onda es mucho ms sencillo que para cualquier otro. La visin humana es un fenmeno extremadamente complicado de tipo psico-fsico, ya que combina procesos pticos, biolgicos, qumicos, neurolgicos y fisiolgicos. Aqu describiremos algunas caractersticas de la visin humana en un lenguaje para ingenieros electrnicos, fijndonos slo en algunas propiedades que pueden aplicarse a los dispositivos fotnicos.
B.0.6.1.
El ojo humano
El ojo humano puede asimilarse a una cmara CCD (charge coupled device). Una cmara CCD es parecida a una cmara normal, excepto por el medio de grabacin. La cmara que solemos usar graba sobre una cinta; una cmara CCD graba sobre una matriz de celdas fotosensibles que generan y almacenan carga elctrica, que es proporcional a la iluminacin de la imagen. La matriz de la CCD se lee peridicamente y la informacin se enva a un dispositivo de almacenamiento y evaluacin. El ojo humano trabaja de la misma manera. En la siguiente figura se describe el ojo humano junto con algunos datos importantes.
Fig. B.0.4: El ojo humano.
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B.0.6.1.1.
Formacin de la imagen
La formacin de la imagen en el ojo humano se consigue a travs de dos tipos de lentes: una de longitud focal fija, la cornea, y la lente de longitud focal variable, el cristalino. El ojo enfoca una imagen ajustando la longitud focal del cristalino. La curvatura del cristalino puede cambiar por la accin del msculo ciliar y la znula. El ojo puede compararse con una cmara auto-focus donde el enfoque se consigue con cambios en la longitud focal de las lentes, para compensar el cambio de la distancia de la imagen a la lente, que es lo que ocurre en cualquier cmara. En el ojo, situado entre la crnea y el cristalino, hay un diafragma automtico llamado iris, que se cierra o se abre dependiendo del nivel de la iluminacin del objeto observado. El iris regula la cantidad de energa luminosa que pasa a travs de las lentes. La imagen se forma en la retina, que es la parte posterior del ojo. En la retina hay alrededor de unos 130 millones de clulas fotodetectoras que convierten la imagen en seales elctricas proporcionales, que son conducidas a travs de los nervios pticos al cerebro. All las seales elctricas son analizadas y se genera nuestra percepcin de la imagen. En la fvea es donde se concentra la mayor cantidad de fotodetectores, y la separacin de uno a otro es poco mayor que una longitud de onda. Adems la potencia de definicin o agudeza del ojo es muy grande. De hecho, de media, el ojo humano puede distinguir una lnea de una anchura de 0,1mm a la distancia de lectura habitual de 250mm. Lo que corresponde a un ngulo de un minuto.
B.0.6.1.2.
Bastones y conos
La mayora de las caractersticas de nuestra visin como agudeza, respuesta al color, amplitud del campo de sensibilidad y respuesta temporal, estn determinadas por la compleja estructura de la retina. La superficie de la retina est cubierta por dos tipos de clulas fotodetectoras llamadas conos y bastones. Estas dos estructuras difieren en tres niveles bsicos: sensibilidad, respuesta al color y localizacin. Los bastones tienen una sensibilidad unas 1.000 veces superior a la de los conos. Los bastones nos proporcionan una visin a niveles muy bajos de luz (visin nocturna). Durante el da, los bastones estn tan saturados con la luz diurna que no contribuyen a la percepcin de la imagen. El amplio campo de sensibilidad de nuestra visin se debe a nuestros receptores de alta sensibilidad y de baja sensibilidad, junto con la actuacin del iris. La respuesta al color de los bastones es monocromtica y mxima a 505nm que corresponde al color azul. Por lo que, de noche, todos los objetos parecen azules y los objetos rojos parecen casi negros. En contraste, los conos responden a tres colores: rojo, verde y azul. La sensibilidad relativa de las curvas de los tres tipos de conos se ve en la siguiente figura.
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Fig. B.0.5: Sensibilidad al color de los conos.
El funcionamiento de los conos explica por qu las tcnicas modernas de pelculas y televisin usan el rojo, el verde y el azul como colores primarios en vez del rojo, el amarillo y el azul usados por los artistas. Un increblemente sofisticado proceso bioqumico determina como los conos responden al color. Este proceso es relativamente lento y afecta a la respuesta temporal del ojo (se ver en el apartado siguiente). La tercera diferencia entre los conos y los bastones es su situacin en la retina. Los conos se encuentran principalmente localizados en la fvea, una superficie del tamao aproximado de una cabeza de alfiler situado en el eje ptico del ojo. El eje ptico es una lnea imaginaria a travs del centro de la superficie de las dos lentes. Nuestra visin consigue su mxima resolucin y la mejor respuesta al color en la fvea. La concentracin de conos es considerablemente menor en el resto del ojo, lo que explica por qu nuestra visin perifrica es limitada. Los bastones estn repartidos en una concentracin mucho menor alrededor de la retina. Los bastones y los conos convierten su respuesta luminosa en seales elctricas en forma de un complejo cdigo de tren de pulsos modulados, en vez de seales analgicas con una amplitud proporcional al estmulo luminoso. Los pulsos de los nervios son de amplitud constante de 0,1V y una duracin de 1ms. La velocidad de repeticin cambia y es proporcional al logaritmo del estmulo.
B.0.6.2.
Caractersticas de la visin humana
Una descripcin completa de la visin humana involucrara la descripcin de docenas de caractersticas. Aqu, slo vamos a centrarnos en las caractersticas que son ms importantes para el diseador de dispositivos fotnicos: la amplitud de respuesta, la frecuencia de respuesta y el tiempo de respuesta de la visin humana. Tal y como dijimos en los apartados anteriores usaremos un lenguaje ms habitual para electrnicos que para pticos.
B.0.6.2.1.
Respuesta en amplitud
En primer lugar, con respecto a la respuesta en amplitud, debemos decir que el ojo humano es un instrumento asombroso. Los bastones tienen una sensibilidad suficiente para responder a un solo fotn y el ojo es capaz de trabajar a niveles de densidad de radiacin superiores a unos pocos kilovatios por metro cuadrado. Describindolo en trminos de B.0-10
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iluminacin, el ojo puede operar a niveles desde la luz de las estrellas con 0,002lx hasta la luz brillante del sol de 100.000lx, lo que engloba un rango de amplitud de 1 a 50.000.000. El ojo no cubre slo un rango tan increblemente amplio, si no que es un instrumento que se autoajusta al nivel adecuado en cada situacin. Es fcil de entender que, para cubrir un rango tan amplio, una respuesta lineal es imposible. Por eso el ojo tiene una respuesta logartmica. La consecuencia de ello es que el ojo no es un buen instrumento para juzgar niveles absolutos de iluminacin, lo que explica por qu incluso los ms experimentados fotgrafos no confan en sus ojos para corregir la exposicin y siempre usan un fotmetro. La situacin es diferente cuando el ojo se usa para comparar niveles de iluminacin que son parecidos unos a otros. Bajo esas condiciones, el ojo puede detectar diferencias de unas cuntas centsimas de lux. De hecho, las primeras medidas fotomtricas realizadas con instrumentacin usaron el ojo humano para contrastar la fiabilidad de las medidas tomadas por los aparatos. Esta condicin tambin es importante en los visualizadores optoelectrnicos donde hay luces muy parecidas unas al lado de otras. Una diferencia de intensidad del 10% puede ser detectada fcilmente por el ojo humano.
B.0.6.2.2.
Respuesta en frecuencia
En lo que se refiere a la respuesta en frecuencia de la visin humana tambin es nica Nuestros ojos no slo responden a la amplitud de la radiacin que reciben, si no que tambin lo hacen a la frecuencia de la seal interpretando las diferentes longitudes de onda como colores diferentes. El ojo es tambin un analizador de espectros de la radiacin electromagntica en un rango de 400nm a 700nm. La respuesta del ojo sobre estas longitudes de onda no es exactamente uniforme. Los conos responden a tres colores como ya se ha visto en la figura anterior. Los conos combinan un mximo de sensibilidad a 555nm; y los bastones a 505nm.
Fig. B.0.6: C.I.E. Curvas de sensibilidad relativa estndar (Standard observer relative sensitivity curves).
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De modo que la respuesta en frecuencia de nuestros ojos depende del nivel de iluminacin, y lo definen dos curvas, una durante el da o visin fotpica y otra por la noche o visin escotpica. Estas curvas describen la sensibilidad relativa del ojo para diferentes longitudes de onda, normalizadas a la unidad para las longitudes de onda de mxima sensibilidad. Por ejemplo a 500nm la curva fotpica tiene un valor de 0,4, lo que significa que la respuesta visual (fotomtrica) para el mismo estmulo radimetrico o sea la misma potencia (W) es el 40% de la respuesta a 555nm. La curva fotpica es extremadamente importante porque es la clave de la conversin de unidades radiomtricas a fotomtricas. Por este motivo la curva fotpica, que se ha estandarizado por la International Standards Organization (C.I.E.), tiene un nombre especial: C.I.E. Standard Observer Curve.
B.0.6.2.3.
Respuesta temporal
La tercera caracterstica en la que nos fijamos es la respuesta temporal. Precisamente porque en la transmisin ptica de imgenes al cerebro intervienen reacciones qumicas, la respuesta temporal del ojo humano es relativamente lenta. Hay dos tipos de respuesta que son interesantes para un diseador optoelectrnico. Una es la capacidad del ojo de adaptarse de un nivel de iluminacin alto a otro bajo, un proceso que se llama adaptacin del ojo. El otro es la habilidad del ojo de responder a cambios rpidos en la iluminacin, lo que llamamos respuesta al parpadeo. La adaptacin del ojo a la variacin de los niveles de iluminacin involucra un proceso que es lento y de naturaleza exponencial, con una constante de tiempo de 2 minutos para los conos y 6 minutos para los bastones. Este efecto es menor en los equipos optoelectrnicos. El efecto ms importante es el parpadeo, que est definido por la frecuencia crtica de fusin (critical fusion frequency), definida como la menor frecuencia posible de una seal luminosa cuyo 50% del ciclo de trabajo hace que el ojo vea una luz estable. El ojo notar una variacin de la luz que determinar el parpadeo de la luz a cualquier frecuencia inferior a la frecuencia crtica de fusin. En otras palabras, la deteccin del parpadeo es una medida de la inercia del ojo. La frecuencia crtica de fusin para la visin diurna es de 40Hz (40 destellos por segundo) y para los bastones est alrededor de 16Hz. El parpadeo tiene un papel importante en muchos dispositivos pticos. Por ejemplo, nuestra visin de una pelcula o de la televisin como una fotografa en movimiento estable es posible gracias al parpadeo. En una pelcula no advertimos el parpadeo, porque la pelcula se mueve a una velocidad de 48 fotogramas por segundo aunque cada fotograma se proyecta dos veces y por lo que est por encima de la frecuencia de parpadeo. Como muchos dispositivos optoelectrnicos usan el multiplexado y tcnicas estroboscpicas, es muy importante que los diseadores optoelectrnicos entiendan este efecto.
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B.0.7.
Unidades radiomtricas y fotomtricas y sus relaciones
Una fuente radiante emite energa electromagntica en el espacio, generando un campo de energa. Las disciplinas de radiometra y fotometra exploran y estudian este campo de energa definiendo las unidades y cantidades que lo describen, desarrollando las relaciones que existen entre estas unidades e introduciendo mtodos e instrumentos para las medidas radiomtricas y fotomtricas. Antes de introducir las unidades radiomtricas vamos a repasar el concepto de ngulo slido, tambin llamado campo angular.
B.0.7.1.
El ngulo slido
La fotometra y la radiometra trabajan con la distribucin de la energa electromagntica en el espacio. Por eso necesitamos medir la distribucin. El ngulo slido es una cantidad geomtrica que nos permite hacerlo. En una superficie de dos dimensiones, un ngulo se suele medir en grados, donde un grado es igual a una parte entre 360 de un crculo. En la actualidad se usa una unidad ms sencilla de definir que es el radian. La definicin de radin se observa en la siguiente figura junto a la definicin de ngulo slido. Un crculo completo de 360 grados corresponde a 2 radianes y un radian es igual a 57,29578.
Fig. B.0.7: Definicin de radin y estereorradin.
El mismo principio puede usarse para medir la distribucin en el espacio. La unidad de medida del ngulo slido es el estereorradin. El ngulo slido se define como: (B.0.4) donde : ngulo slido en estereorradianes o sr, A: rea de la superficie de la esfera, r: radio de la esfera. B.0-13
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El estereorradin es adimensional y el campo mximo alrededor de un punto o el mximo valor del ngulo slido es: (B.0.5) El ngulo slido se usa normalmente para calcular el acoplamiento entre fuente y receptor. Un ejemplo tpico, que se muestra en la siguiente figura, podra ser encontrar la potencia emitida por una fuente puntual S a un receptor de rea A.
Fig. B.0.8: Acoplamiento fuente-receptor.
El acoplamiento depende del ngulo slido de la fuente S en el rea A. Para calcular el ngulo slido, necesitamos conocer el rea esfrica en la superficie del receptor (AS). En la mayora de los casos conocemos el rea plana en la superficie del receptor (AP). Obviamente se introduce un pequeo error cuando usamos una superficie o rea plana, en lugar de una superficie esfrica pero simplifica los clculos.
Fig. B.0.9: Calculo de campo angular a partir de una superficie esfrica y una superficie plana.
El ngulo slido de un cono circular con un semingulo es (ver figura B.0.9) (B.0.6) Este es el valor correcto del campo angular. Cuando usamos un rea plana AP para el clculo, el ngulo slido aproximado vale:
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= tan2
(B.0.7)
que es mayor que el valor correcto. Calculando el valor mximo de para un error de 1% y del 10%, encontramos que el mtodo simplificado nos da un error inferior al 1% cuando <6,59 o 0,0415rad y es menor del 10% cuando <20,15 o 0,385rad. Para un rango de ngulos de conos mayor debemos usar el valor correcto de la ecuacin exacta.
B.0.7.2.
Flujo radiomtrico y fotomtrico
Una fuente radiante emite energa electromagntica en el espacio, generando un campo energtico. Las disciplinas de la radiometra y la fotometra exploran y estudian este campo de energa definiendo unidades y cantidades que lo describen, desarrollando las relaciones entre estas unidades e introduciendo mtodos e instrumentacin para la medida de cantidades radiomtricas y fotomtricas. En fsica el trmino flujo a menudo se usa para describir un fenmeno de flujo o una condicin de un campo que ocurre en el espacio. El flujo se muestra con lneas de campo alrededor del origen mostrando la direccin y amplitud de un campo con ellas. La direccin en cualquier punto del espacio est indicada por la direccin de la lnea de fuerza; la magnitud o intensidad est indicada por la densidad de las lneas. El flujo radiomtrico representa el nmero de fotones emitido por la fuente por segundo. Como cada fotn es un cuanto de energa, esto equivale a un flujo energtico por unidad de tiempo. Por tanto representa la potencia emitida por la fuente. El smbolo para el flujo es ; el smbolo para el flujo radiomtrico es R y para el flujo fotomtrico es P. En algunas ecuaciones de este texto veremos que los subndices de R y P se omiten, esto significa que la ecuacin ser aplicable tanto en expresiones de radiometra como de fotometra. La unidad de medida para el flujo radiomtrico es el vatio (W), para el flujo fotomtrico la unidad de medida es el lumen (lm). La potencia o el flujo medido en vatios no necesitan explicacin. El lumen, sin embargo, necesita una pequea aclaracin. Las unidades fotomtricas describen el efecto psico-fsico de la radiacin en el ojo humano, es decir miden cmo vemos la luz. La respuesta del ojo depende de la longitud de onda que estamos viendo. Por tanto, para formular una nica definicin de lumen, no slo tenemos que establecer una relacin entre potencia radiomtrica y respuesta fotomtrica, si no que tambin tendremos que determinar la longitud de onda en la que se hizo la observacin. Considerando estos factores, el lumen, de acuerdo con el estndar C.I.E. se define como: a 555nm, en el pico de respuesta de la sensibilidad fotpica, 1 vatio de flujo radiomtrico produce 683 lumens de flujo fotomtrico, o: 1 lumen = 1/683 W a 555nm (B.0.8)
B.0-15
CEF
Tambin se puede definir el lumen a travs de la mecnica cuntica; esto es, en trminos de flujo de fotones y energa del fotn. La energa del fotn (E) a 555nm es: E = hf = hc/ = 3,582 x 1019J Energa de un fotn a 555nm (B.0.9)
donde h: cte. de Planck (6,62610-34Js), f: frecuencia de la radiacin, c: velocidad de la luz (3108m/s) y : longitud de onda de la radiacin (m). Por tanto para un flujo de 1 lumen, el flujo de fotones equivalente para una longitud de onda de 555nm es: n= 4,087 x 1015 fotones/s (B.0.10)
Esta definicin junto con al C.I.E. Standard Observer Curve, nos permite convertir cualquier flujo radiomtrico en flujo fotomtrico o luminosidad usando un factor de conversin llamado eficiencia.
B.0.7.3.
Eficiencia y conversin de flujo radiomtrico en flujo fotomtrico
Eficiencia se define como la relacin entre el flujo fotomtrico o luminosidad respecto al flujo total radiomtrico emitido por la fuente: (B.0.11)
donde K: eficiencia (lm/W), P: flujo fotomtrico (lm), R: flujo radiomtrico (W) Conversin. Se puede convertir radiacin monocromtica en flujo fotomtrico usando el C.E.I. Standard Observer Curve. Eficiencia en este caso se designa por K y, en dicho caso, P = R K. K se calcula de la siguiente manera: (B.0.12) donde K: eficiencia a la longitud de onda en lm/W, V: sensibilidad relativa del ojo a la longitud de onda (obtenida del C.E.I. Standard Observer Curve). Por ejemplo, la sensibilidad relativa del ojo para la luz verde a 520nm es V= 0,71. Por tanto, la eficiencia para esta longitud de onda es = 0,71683 = 484,9 lm/W.
B.0-16
CEF
B.0.7.3.1.
Eficiencia de los radiadores trmicos
Las fuentes calientes de luz ms comunes son los radiadores trmicos. Tambin conocidos en fsica como los cuerpos negros radiantes. Prcticamente todo metal caliente, incluyendo el filamento de tungsteno, produce un espectro de radiacin continuo de cuerpo negro. Su patrn de radiacin espectral depende de la temperatura del radiador. Algunos patrones de radiacin de cuerpo negro los podemos ver en la siguiente figura. Aqu podemos ver que los radiadores de baja temperatura emiten ms rojo, y a altas temperaturas los radiadores emiten ms en longitudes de onda azules. As, la luz radiada depende de la temperatura del cuerpo negro. Por este motivo, el trmino temperatura de color, que se expresa en Kelvin, se usa para identificar a los radiadores trmicos. Para una determinada temperatura de color, el patrn de radiacin de la fuente est bien definido y su correspondiente eficiencia puede calcularse.
Fig. B.0.10: Espectro de radiacin de un cuerpo negro.
En la siguiente figura se observa que para la temperatura de color de 6.000K, la eficiencia alcanza un mximo ya que a esa temperatura el mximo del patrn de radiacin se encuentra en el rango visible. Para otras temperaturas este mximo est por debajo o por encima de este rango.
Fig. B.0.11: Eficiencia de cuerpo negro radiante (black body radiator).
B.0-17
CEF
B.0.7.3.2.
Eficiencia de los radiadores con espectros no continuos (de lneas)
Cuando se conoce el patrn de radiacin de una fuente, su flujo fotomtrico (luminosidad de salida) y eficiencia pueden calcularse con la Standard Observer Curve. Esto se simplifica en gran medida si la fuente de luz no tiene un espectro continuo si no un espectro discreto, ya que permite calcular la conversin de flujo radiomtrico a fotomtrico para cada lnea del espectro y sumar el flujo total. Si el espectro es continuo el clculo es mucho ms complicado. As por ejemplo una lmpara de mercurio no emite un espectro continuo sino que radia nicamente en determinadas direcciones de onda discretas (ver tabla). Se puede calcular el flujo fotomtrico a partir del radiomtrico utilizando la siguiente expresin: P = R K (B.0.13)
En la siguiente tabla se muestra el clculo realizado para cada una de las lneas del espectro de una lmpara de vapor de mercurio de 1.000W. Conversin de Flujo radiante a flujo luminoso en una lmpara de vapor de mercurio [nm] 365 408 436 546 578 Flujo radiante R [W] 78 45 70 85 96 Sensibilidad del ojo V 0,000 0,001 0,019 0,978 0,886 Eficiencia espectral Flujo luminoso K =V 683 [lm/W] P = R K [lm] 0,00 0 0,68 31 13,00 908 668,00 56.778 605,10 58.090
La mayor parte de la radiacin de esta lmpara est fuera del espectro visible. Considerando que la bombilla radia sobre el 90% de la potencia que se le suministra (900W), podemos calcular la eficiencia total de la fuente, sabiendo que el flujo fotomtrico es la suma de los flujos fotomtricos de cada una de las lneas: (B.0.14)
La bombilla de mercurio tiene una eficiencia mayor que las fuentes de luz fluorescentes e incandescentes y por esta razn se usa para iluminar las vas pblicas a pesar de su desagradable color caracterstico.
B.0-18
CEF
B.0.7.4.
Energa radiomtrica y fotomtrica
Energa es el producto de la potencia por el tiempo. De modo que, la energa radiomtrica es: NR = R t [Wh] donde NR: energa radiomtrica, t: tiempo. De igual manera la energa fotomtrica es: NP = P t [lmh] donde NP: energa fotomtrica, t: tiempo. Una gran parte de nuestra factura de la luz se usa para pagar la energa fotomtrica. Una generacin eficiente de esta energa puede proporcionarnos un considerable ahorro. Esta es una de las razones por las que se utilizan tubos fluorescentes en vez de bombillas en locales pblicos. (B.0.16) (B.0.15)
B.0.7.5.
Intensidad radiomtrica y fotomtrica
B.0.7.5.1.
Definicin de trminos
Las intensidades radiomtrica y fotomtrica describen la distribucin del flujo en el espacio y se definen de la siguiente manera: Intensidad radiomtrica (IR) es la densidad de flujo radiomtrico por estereorradin, expresado en vatios por estereorradin (W/sr): [W/sr] (B.0.17)
Intensidad luminosa o fotomtrica (IP) es la densidad de flujo luminoso por estereorradin, expresado en candelas (cd): [cd] (B.0.18)
Una candela es igual a la densidad de flujo luminoso de un lumen por estereorradin. Realmente, la definicin correcta de intensidad radiante/lumnica es I=d/d. Por lo tanto, las B.0-19
CEF
ecuaciones simplificadas se aplican slo cuando la distribucin de flujo sobre el campo angular es uniforme. Esta suposicin de uniformidad es cierta principalmente cuando el campo angular es pequeo. Veamos una pequea introduccin histrica sobre la candela. Candela es una palabra italiana que literalmente significa candela = vela para alumbrar. No hace mucho, la intensidad luminosa era la unidad fotomtrica primaria de la que se derivaban todas las dems unidades afines. Durante el siglo diecinueve, una candela actual (vela) era el estndar, pero debido a su escasa repetibilidad, el estndar se bas en la llama de un candil (una lmpara) de aceite, llamado lmpara de Heffner, que, a su vez, fue remplazada por una bombilla elctrica, y ms recientemente se remplaz por un horno de platino incandescente a temperatura controlada. El problema con todos estos estndares era que cada uno tena una mezcla diferente de longitudes de onda (ver informacin sobre la temperatura de color) lo que las haca difciles de comparar. Por lo que cuando los avances en electrnica hicieron posible la medida precisa de flujos, el estndar fotomtrico se redefini a partir de la candela como el flujo a 555nm y el C.I.E. Standard Observer Curve, que explica el por qu de ese factor de conversin tan extrao -683 lmenes por vatio-.
B.0.7.5.2.
Intensidad radiomtrica
La unidad de medida de intensidad radiomtrica se usa para caracterizar fuentes de radiacin, especialmente la distribucin del flujo desde la fuente. Es apropiada para fuentes de radiacin con un rea (fuente puntual) relativamente pequea. Para fuentes con un rea grande, como un tubo fluorescente, el clculo es algo ms complejo. Como el trmino implica, esta unidad define la densidad de flujo emitido por la fuente. En el rango visual, describe la luminosidad (el brillo) de la fuente. Una bombilla de 100W para iluminacin y una bombilla de 100W de faro delantero de automvil, proporcionan el mismo flujo radiomtrico. Sin embargo, la bombilla de faro tiene una intensidad deslumbrante porque su flujo est concentrado en un ngulo slido mucho ms pequeo.
Fig. B.0.12: (a) Angulo slido de radiacin de una bombilla de iluminacin. (b) Patrn de radiacin de una bombilla de faro de automvil.
B.0-20
CEF
B.0.7.5.3.
Intensidad luminosa
Definitivamente nuestro ojo nota la diferencia de intensidad luminosa, lo que nosotros conocemos como brillo. Una fuente que tiene el doble de intensidad luminosa que otra, sin embargo, no se ve el doble de brillante debido a la respuesta logartmica de nuestros ojos ante una excitacin luminosa. En la siguiente tabla se muestran las intensidades luminosas tpicas de algunas de las fuentes ms usuales. Intensidades luminosas tpicas de algunas de las fuentes ms usuales. Fuente LED normal LED sper luminiscente Bombilla incandescente de 100W Luz larga de automvil Faro Intensidad Luminosa 2mcd 120mcd 150cd 100.000cd 300.000cd
Para describir la intensidad radiante se utiliza una grfica que la representa. La intensidad radiante es una herramienta muy til para caracterizar una fuente y si se mide la intensidad de la fuente en todas direcciones se podr describir con bastante precisin el patrn de radiacin de esa fuente. Como la mayora de las fuentes tienen una simetra rotacional alrededor de su eje central, podemos hacer las medidas y dibujarlas en un plano, generando as la grfica de radiacin. Se suelen utilizar los perfiles de radiacin polar y de radiacin lineal. En las siguientes figuras se muestran algunos perfiles de radiacin.
Fig. B.0.13: Flujo y perfiles de intensidad de una vela.
B.0-21
CEF
El perfil indica la intensidad radiante en la direccin del ngulo medido desde el eje de simetra. La escala de la intensidad puede estar en candelas, pero es ms habitual expresarla en una escala relativa, donde la intensidad mxima est normalizada a la unidad (o 100%), y las intensidades en todas direcciones estn referidas a ella. Este ltimo es con mucho el mtodo ms prctico, ya que el perfil correspondiente a menudo depende del tipo de reflector o lmpara en el que est montada la fuente y no depende de los valores absolutos de intensidad de la fuente. En la siguiente figura se muestra esta dependencia con los montajes de los perfiles de radiacin.
Fig. B.0.14: Perfiles de intensidad para algunos soportes de bombillas.
La forma polar es la ms descriptiva de los patrones de radiacin, pero la forma lineal es la ms ampliamente usada porque el flujo total de la fuente es ms fcil de calcular a partir de una grfica lineal.
B.0.7.6.
Perfiles habituales de radiacin en optoelectrnica
En la siguiente figura tenemos tres perfiles especiales que merecen una mayor atencin porque tienen mltiples aplicaciones en optoelectrnica.
Fig. B.0.15: Perfiles de intensidad de las fuentes tpicas en optoelectrnica.
B.0-22
CEF
Adems siendo habituales en aplicaciones optoelectrnicas, estas fuentes tambin tienen una ventaja importante: La forma de su perfil de radiacin puede describirse en trminos matemticos y analizarse matemticamente. Tener un buen modelo matemtico para el patrn de radiacin es importante porque permite calcular el flujo total de la fuente a partir del patrn de radiacin.
B.0.7.6.1.
Fuente puntual
La fuente puntual, como hemos visto en la figura anterior, es la fuente ms habitual: un pequeo filamento en un envoltorio transparente es un ejemplo tpico. Esta fuente radia con igual intensidad en todas direcciones: I= I0 = constante (B.0.19)
donde I: intensidad en la direccin del ngulo , I0: intensidad en la direccin de los ejes de simetra.
B.0.7.6.2.
Fuente lambertiana
La segunda fuente, dibujada en la figura anterior, se llama fuente lambertiana, llamada as por el cientfico francs Johann Lambert. Este tipo de perfil se genera cuando la luz atraviesa un material transparente que la difunde, o es reflejada desde una superficie rugosa. La luz en este caso se difunde de acuerdo con la ley del coseno de Lambert: I = I0 cos (B.0.20)
El perfil de radiacin de acuerdo con esta ecuacin es un crculo. Comparando este perfil con el de la fuente puntual, podemos ver que el campo de radiacin es ms estrecho. Toda la radiacin est dirigida slo para ngulos entre =0 a =90 (en realidad la radiacin va dirigida entre 180 y 180, pero la simetra respecto al eje central -debida a la simetra de la funcin coseno- permite restringir su estudio entre 0 y 90). La direccionalidad del patrn de radiacin es la clave caracterstica de este patrn. Para medir la anchura del campo, se ha desarrollado un trmino especial: el ngulo 1/2. ste es el ngulo para el que la intensidad ha disminuido a la mitad. Cuanto menor es el ngulo medio, ms estrecho y ms puntual es el patrn de radiacin. En el caso del patrn lambertiano, el ngulo 1/2 es: I =0,5 I0 = I0 cos de aqu (B.0.21)
B.0-23
CEF
1/2 = arccos 0,5 = 60
(B.0.22)
B.0.7.6.3.
Fuente de intensidad exponencial
La fuente de intensidad exponencial, cuyo patrn de radiacin se aproxima al haz de un LED, tiene un perfil definido por la siguiente expresin matemtica: I = I0 cosn donde n: exponente del patrn de radiacin. Aqu el ngulo medio es, 1/2 = arccos 0,51/n (B.0.24) (B.0.23)
Usando el valor adecuado para el exponente n, se pueden obtener con bastante exactitud los perfiles ms usuales de los LED. El exponente n puede calcularse fcilmente a partir del conocimiento de 1/2,
(B.0.25)
B.0.7.7.
Relaciones entre intensidad radiante y flujo
Un ingeniero optoelectrnico debe poder controlar y manipular el flujo radiante. Desgraciadamente la medida del flujo, especialmente sobre un espacio amplio, es bastante difcil. Por el contrario la medida de la intensidad es sencilla. Por este motivo muchas fuentes optoelectrnicas se especifican por su intensidad en vez de por su flujo, que es lo ms importante. El derivar el flujo a partir de un cierto perfil de intensidad es algo habitual. Como veremos a continuacin, esta transformacin es sencilla para una fuente que tiene un patrn de radiacin que tenga una simetra rotacional, es decir, la fuente tiene un eje central alrededor del cual el perfil de radiacin permanece invariante cuando se rota. Afortunadamente la mayora de las fuentes cumplen esta caracterstica.
B.0.7.7.1.
Determinacin del flujo en un caso sencillo
Encontrar el flujo total o parcial para un cono es cuestin de hacer una integral, como vemos en la siguiente figura.
B.0-24
CEF
Fig. B.0.16: Clculo del flujo a partir de un perfil de intensidad.
El flujo en una porcin de cono d es: d = I d donde, (B.0.26)
(B.0.27) Como r=I sin, el flujo en la porcin de cono es: d = I d = I 2 sin d As el flujo total en un ngulo es: (B.0.29) Slo podremos resolver la integral si conocemos la expresin matemtica de I. Se han realizado clculos similares para fuentes puntuales o para fuentes con perfiles de intensidad exponencial. Los resultados estn recopilados en la siguiente tabla. Adems del flujo total, se han calculado el flujo con un ngulo lmite y el flujo para el ngulo medio 1/2. Esta tabla contiene toda la informacin necesaria para trabajar con las fuentes ms usuales y sirve para resolver la mayora de los problemas de flujo. (B.0.28)
B.0-25
CEF
Fuente Puntual Lambertiana Exponente n
Ecuaciones de flujo para fuentes comunes Perfil de ngulo mitad Flujo dependiendo del intensidad ngulo I=I0 2I0(1cos) 60 I=I0 cos I0sin2 arccos 0,51/n I=I0 cosn
Flujo total 4I0 I0
B.0.7.7.2.
Determinacin del flujo en un caso complejo
El problema se complica cuando el perfil de intensidad tiene una forma que no puede describirse con una simple ecuacin matemtica. En este caso, es necesario utilizar un mtodo numrico para realizar la integracin y encontrar el flujo total o parcial. En la integracin numrica, el flujo en una porcin cnica d que vale d = I 2 sin d se reemplaza por la expresin = I 2 sin , donde representa el flujo emitido en la porcin con una anchura en el ngulo . Usando el perfil de intensidad lineal, dividimos el ngulo en porciones de anchura . I para cada porcin puede leerse sobre el perfil, y el flujo en la porcin calcularse y sumarlo al flujo total. El procedimiento est descrito grficamente en la siguiente figura, que nos muestra el clculo del flujo total mediante integracin numrica, de un LED HP HLMP-135 con un perfil de intensidad I = I0 cos6 (aunque en este caso no hara falta utilizar integracin numrica pues tiene una ecuacin matemtica descriptora).
Fig. B.0.17: Clculo del flujo a travs de la integracin numrica.
B.0.7.8.
Funcin de la transferencia ptica y apertura numrica
En un diseo se debe controlar el flujo radiante para dirigirlo de una fuente a un receptor de la manera ms eficiente posible. En muchos casos, lo que se pretende es acoplar tanto flujo como se pueda de una fuente a un receptor. La funcin de transferencia ptica (OTF, Optical Transfer Function) es un trmino que expresa la eficiencia del acoplamiento; la apertura numrica (NA, Numerical Aperture) es un trmino que se usa para calcular el OTF. Estrictamente hablando, ninguno de estos conceptos pertenece a la discusin de unidades y relaciones radiomtricas y fotomtricas pero se utilizan en la distribucin de flujo. OTF se define como:
B.0-26
CEF
(B.0.30)
donde s: flujo total de una fuente, r: flujo asociado al receptor (no confundir con P y R). El OTF es una cantidad adimensional con un rango de 0 a 1. Cero significa que no hay flujo procedente de la fuente en el receptor; 1 significa que todo el flujo de la fuente se acopla al receptor.
B.0.7.8.1.
Clculo del OTF
En casos donde el perfil de intensidad polar del emisor es conocido, OTF puede calcularse rpidamente usando las ecuaciones que hemos dado anteriormente. Para una fuente con un perfil I=I0cosn, el OTF puede calcularse fcilmente a partir del ngulo de acoplo : OTF = 1cosn+1 (B.0.31)
El clculo del OTF es uno de los ms frecuentes en el diseo optoelectrnico. Para simplificar los clculos, se usa la apertura numrica (Numerical Aperture) NA = sin donde es la mitad del ngulo del cono del receptor (grados o radianes). La apertura numrica tambin es una cantidad adimensional que puede tomar valores entre 0 y 1. Como para ngulos pequeos el seno y el ngulo en radianes son prcticamente iguales, el valor aproximado de la apertura numrica puede calcularse a travs de la ecuacin simplificada: (B.0.33) donde D es el dimetro de un receptor circular, d: Distancia de la fuente al receptor. Cuando el ngulo es menor de 8, el error en el clculo es inferior al 1%, lo que representa una aproximacin bastante aceptable. Tambin hay casos en que la apertura numrica tiene que calcularse para un rea circular del receptor como: (B.0.32)
B.0-27
CEF
(B.0.34) donde A es el rea circular del receptor (m2).
Fig. B.0.18: Acoplamiento fuente-receptor.
La principal aplicacin para la apertura numrica es la simplificacin del clculo de la funcin de transferencia ptica. Es especialmente til en el caso de una fuente con un perfil Lambertiano en cuyo caso vale, (B.0.35)
Para una fuente puntual, (B.0.36)
Para un ngulo pequeo,
por lo que (B.0.37) Las fuentes con un perfil I = I0 cosn no permiten la simplificacin del clculo usando la apertura numrica. Como regla en la mayora de las aplicaciones optoelectrnicas se pretende conseguir el uso ms eficiente del flujo radiante. De modo que obtener el mximo OTF es el objetivo a B.0-28
CEF
conseguir por el diseador. El conseguir el mayor OTF posible implica aumentar la NA, que est determinada por las dimensiones del rea del receptor y la distancia entre la fuente y el receptor. A menudo hay limitaciones fsicas que limitan sus valores. No obstante, usando las lentes adecuadas entre el receptor y el emisor, se puede aumentar el OTF.
B.0.7.9.
Incidencia radiante e iluminacin
B.0.7.9.1.
Definicin de trminos
La intensidad radiante define la distribucin de flujo en el espacio, su distribucin en una superficie es la incidencia radiante (ER, radiant incidance): (B.0.38) donde ER: incidencia radiante (W/m2), R: flujo radiante (W), A: rea de la distribucin de flujo (m2). Esta definicin asume que el flujo est uniformemente distribuido sobre el rea. En el caso del flujo luminoso la cantidad se llama iluminacin (EP, illuminance) y se le aplica la misma definicin, excepto que la iluminacin tiene asignada una unidad especial, el lux (lx). As, (B.0.39) donde EP: iluminacin [lm/m2 lux], P: flujo luminoso. El lux es una iluminacin en la que un lumen de flujo luminoso es distribuido uniformemente sobre un rea de un metro cuadrado. Adems de lux, el pie-candela (fc, foot-candle) se usa habitualmente como unidad para la iluminacin, especialmente entre ingenieros de iluminacin. El pie-candela es una antigua unidad inglesa y es la iluminacin de un lumen de flujo luminoso distribuido uniformemente en un rea de un pie cuadrado. 1 lux=0,0929 pie-candelas 1 pie-candela=10,764 lux.
B.0-29
CEF
B.0.7.9.2.
Medida de la iluminacin
La iluminacin indica la distribucin de flujo sobre un rea. Es el trmino que define la visibilidad de los objetos: un cirujano necesita ms iluminacin que la que se necesita en un parking. Su funcin es hacer visibles los objetos y crear impresiones visuales. La siguiente tabla muestra las iluminaciones tpicas de algunos lugares y condiciones usuales. Esta tabla no slo muestra la diversidad de la iluminacin, tambin muestra la adaptacin de la visin humana, ya que somos capaces de responder a todas las situaciones que se muestran en ella. Niveles de iluminacin tpicos Condicin Luz solar Da nublado Visualizador publicitario Zona de lectura Aparcamiento Luz de luna Luz de las estrellas Iluminacin [lx] 100.000 1.000 1.000 500 50 0,4 0,002
La iluminacin es una de las cantidades fotomtricas ms sencillas de medir. Para medir este parmetro se necesita un luxmetro. El luxmetro se sita en la superficie a medir con el rea sensora del luxmetro encarada a la fuente luminosa y la iluminacin se lee en el indicador analgico o digital del luxmetro. Un luxmetro es fcil de disear: en el caso ms simple slo se necesita un fotodiodo y un microampermetro. La medida de la iluminacin es una de las funciones optomtricas ms habituales y fcil de realizar, y a partir de ella se pueden obtener otras cantidades radiomtricas y optomtricas, por ejemplo el flujo que incide sobre un rea, =EA (B.0.40)
B.0.7.9.3.
Relaciones entre medidas
Las relaciones entre incidencia o iluminacin e intensidad radiante para una fuente puntual las vemos en la siguiente figura.
B.0-30
CEF
Fig. B.0.19: Iluminacin desde una fuente puntual.
La iluminacin de una superficie A es: (B.0.41) donde s: flujo desde la fuente, A: rea de la superficie. El flujo s para un ngulo slido dado que I0 = (s/) viene dado por la expresin:
(B.0.42) As, (B.0.43) donde d: distancia de fuente a superficie (m), : ngulo entre el rayo de luz y la superficie normal, I0: intensidad de la fuente puntual (W/sr cd). En el caso de que el flujo de la fuente sea perpendicular a la superficie cos=1 y se tiene que: (B.0.44) Donde E: incidencia o iluminacin (W/m2 lx).
B.0-31
CEF
La incidencia o iluminacin es proporcional a la fuente de intensidad e inversamente proporcional al cuadrado de la distancia entre la fuente y la superficie. La ecuacin es especialmente importante porque nos da una relacin simple entre la intensidad y la incidencia o iluminacin. Lo que nos permite obtener el valor de la intensidad a partir de la medida de la incidencia o iluminacin y la distancia. La ecuacin se aplica a condiciones donde el rea de la fuente es pequea comparada con la distancia d, que es la distancia en la que la fuente se comporta como una fuente puntual. El hecho de que la iluminacin decrezca proporcionalmente con el cuadrado de la distancia es bastante importante. Nos indica que desde el punto de vista de un acoplamiento eficiente, la fuente y el receptor deberan estar lo ms cerca posible.
B.0.7.10. Esterancia radiante y luminancia. El aspecto ms importante de la radiacin, especialmente en la radiacin en el espectro visible, es el hecho de que nos permite ver los objetos. En realidad, lo que vemos no es el flujo luminoso de la fuente, no es la iluminacin o la intensidad del flujo sobre la superficie, si no el flujo que se refleja o radia desde la fuente y es captado por nuestro ojo. En este sentido llamaremos "fuente extendida" cuando se de el primero de los casos y lo que veamos sea el flujo reflejado en dicha fuente. Esta reflexin o radiacin nos permite identificar los objetos por su brillo, color y estructura de la superficie. Esta reflexin o radiacin se llama esterancia radiante (LR, radiant sterance) o, en el caso de la luz visible la luminancia (Lp, luminance). De hecho la mayora de los dispositivos pticos que usan lentes incluyendo el ojo humano, responden a la luminancia o esterancia. Cuando fotografiamos una escena con una cmara cargada con una pelcula en blanco y negro, grabamos la luminancia de los objetos de la escena. A menudo este trmino es intercambiable con el trmino brillo. Los trminos son bastante similares, la diferencia est en que el brillo se refiere a la respuesta psico-fsica de nuestro ojo y nuestro cerebro a la luminosidad, que es logartmica en vez de lineal.
B.0.7.10.1.
Medidas de esterancia radiante y luminancia
Las unidades de medida para la esterancia radiante y la luminancia son: esterancia radiante, (LR): W/sr/m2 luminancia, (LP): cd/m2 o lm/sr/m2 Las unidades son parecidas a la intensidad, que se mide en W/sr o lm/sr y que se describe tambin como el brillo de una fuente puntual. El trmino luminancia o esterancia radiante lleva esta idea a una superficie emisora o reflectante ms amplia, o "fuente extendida" como se ha comentado anteriormente. Por eso se definen como brillo por rea.
B.0-32
CEF
B.0.7.10.2.
Luminancia de una superficie.
La pregunta de cunto brilla o cunta luminancia tiene una superficie iluminada A para un observador situado en O se contestara de la siguiente manera. Primero, consideremos el caso en el que la superficie es una fuente emisora activa.
Fig. B.0.20: Luminancia de una superficie con un patrn Lambertiano.
La luminancia o esterancia se define como: (B.0.45) donde L: luminancia (cd/m2 o lm/sr/m2) o esterancia (W/sr/m2) de la superficie A, A: rea radiante (m2), A': rea percibida por el observador O (m2), I: intensidad en la direccin del observador (cd o W/m2).
B.0.7.10.3.
Fuente lambertiana
En el caso de que la fuente de radiacin tenga un perfil lambertiano, I = I0 cos, la ecuacin de la luminancia puede reescribirse como: (B.0.46) Cmo la intensidad de una fuente lambertiana y tambin el rea de la superficie percibida decrecen proporcionalmente con cos, su proporcin o la esterancia o la luminancia es la misma en todas direcciones. Esta ecuacin explica porqu la superficie del sol o la superficie de una bombilla mate o la luz de un tubo fluorescente tienen el mismo brillo en toda su superficie: el perfil de distribucin de la luz para cada una de estas fuentes es lambertiano. Esto es lo normal para la mayora de las fuentes radiantes. La siguiente tabla nos muestra los valores de luminancia para alguno de los objetos ms habituales. Valores de luminancia de objetos comunes B.0-33
CEF
Fuente Sol Bombilla incandescente transparente (500W) Bombilla incandescente mate (500W) Tubo fluorescente Llama de una vela
Luminancia [cd/m2] 1,6 109 11 106 300 103 10 103 5 103
El trmino luminancia tambin se aplica a fuentes pasivas que son iluminadas, lo que se conoce con el nombre de fuentes extendidas. La luminancia de estas fuentes o superficies se debe a la reflexin del flujo incidente. Las propiedades de reflexin de las superficies tambin dependen de su color. En una superficie azul, todas las longitudes de onda excepto la azul sern absorbidas y slo las longitudes representativas del azul se reflejarn. La luminancia de una fuente extendida adems depende de dos factores: la iluminacin y el coeficiente de reflexin de la superficie. Las relaciones entre la iluminacin y la luminancia son fciles de deducir para superficies que tienen un patrn de reflexin lambertiano. El coeficiente de reflexin se define como: (B.0.47)
donde R: coeficiente de reflexin, REF: flujo reflejado (W o lm), INC: flujo incidente (W o lm). El flujo incidente puede calcularse a partir de la iluminacin de la superficie: INC = AE donde A: rea de la superficie (m2) y E: iluminacin (W/m2 o lm/m2). As el flujo reflejado es, REF = RINC = RAE (B.0.49) (B.0.48)
Usando la ecuacin del flujo total irradiado por una fuente lambertiana (patrn de reflexin lambertiano), podemos calcular la intensidad a partir de dicho flujo total, (B.0.50) y usando la ecuacin, podemos calcular la luminancia perpendicular a la superficie:
B.0-34
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(B.0.51) Cuando el patrn de reflexin es lambertiano, la luminancia en todas direcciones es la misma. Como la mayora de las superficies son reflectores lambertianos, podemos confirmar esta regla observando las fuentes extensas que hay a nuestro alrededor. Un ejemplo tpico es la superficie de la luna, que tiene una luminancia uniforme. La misma ecuacin tambin explica por qu la luminancia o brillo de los objetos no cambia con la distancia o la direccin del observador.
B.0.7.11. Excitancia Radiante y Luminosa
B.0.7.11.1.
Excitancia (M)
La excitancia describe la densidad de flujo desde un rea radiante. Tiene las mismas dimensiones, W/m2 o lm/m2, que la incidencia radiante o iluminacin. La diferencia es que la excitancia se aplica a un rea radiante activa y la incidencia a un rea receptora pasiva. As, y (B.0.52)
donde MR: excitancia radiante (W/m2), MP: excitancia fotomtrica (lm/m2), A: rea emisora (m2). B.0.7.11.2. Relaciones derivadas de la Excitancia.
A partir de la excitancia pueden obtenerse otras caractersticas como por ejemplo, el flujo de una superficie Lambertiana que es, S = MA Y para cualquier fuente Lambertiana, (B.0.54) La siguiente figura muestra una fuente Lambertiana iluminando una superficie. En este caso, se pueden desarrollar las siguientes relaciones. La intensidad en la direccin del receptor es, (B.0.53)
B.0-35
CEF
I = I0cos El flujo en el receptor es:
(B.0.55)
r = I R, As,
donde
(B.0.56)
(B.0.57) donde r: flujo en el receptor (W o lm), S: flujo de la fuente (W o lm), I0: intensidad de la fuente perpendicular a la superficie de la fuente (W/sr o lm/sr), : direccin del receptor desde la perpendicular de la fuente, AR: rea del receptor (m2), : ngulo del receptor desde la perpendicular, d: distancia de la fuente al receptor (m).
Fig. B.0.21: Iluminacin producida por una fuente extendida Lambertiana.
La ecuacin de r se aplica cuando la distancia entre fuente y receptor es mucho mayor que las dimensiones de la fuente o el receptor. Como la iluminacin sobre la superficie del receptor es Er=r/AR, podemos escribir, (B.0.58) Si el rea del receptor y la fuente son perpendiculares a la lnea que los conecta cos=1 y cos=1 (B.0.59)
(B.0.60)
B.0-36
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A menudo las fuentes directas o por reflexin con superficies de reas grandes se definen por su luminancia o esterancia (L), lo que puede expresarse como L=I0/AS o I0=L AS. De modo que las ecuaciones r y Er quedan como, (B.0.61)
(B.0.62) Cuando la superficie de la fuente y el receptor son paralelas y perpendiculares al eje del flujo cos=1 y cos=1, como hemos visto antes, las ecuaciones anteriores se simplifican, (B.0.63) donde S: ngulo slido de la fuente subtendido por el receptor (sr).
B.0-37
B.1. Materiales para estructurales
componentes
fotnicos:
propiedades
B.1.1.
Introduccin
Existen dos razones fundamentales por las que hemos optado por utilizar fotones para la transmisin de informacin. La primera de ellas es por sus caractersticas muy peculiares que ya hemos descrito (ver Tema B.0) y la segunda es por que el ser humano es sensible justamente a fotones entre las longitudes de onda de =4.000 y =8.000. Nuestro cerebro es capaz de procesar esta informacin ptica a una gran velocidad. Incluso existen algunos colores que preferimos, hecho explotado por la industria del automvil y la industria cosmtica entre otras. La primera razn es puramente objetiva ya que la eleccin de la longitud de onda depender de la optimizacin del sistema para una aplicacin determinada. La segunda razn es subjetiva ya que est muy restringida por el margen de fotones que aprecia el ojo humano. Por todo ello, los materiales utilizados para generar, manipular y procesar fotones para el procesado de informacin son muy variados y van desde los semiconductores cristalinos hasta el cristal lquido. En este captulo vamos a examinar la estructura de materiales optoelectrnicos. Esta estructura que depende de cmo estn distribuidos los tomos en el material est ntimamente relacionada con las propiedades pticas y electrnicas del material. Para la mayora de los materiales optoelectrnicos la estructura debe cuidarse con sumo detalle para que su calidad sea excelente.
B.1.2.
Estados de la materia: orden
Sabemos que se pueden distinguir en principio tres estados de la materia: slido, lquido y gaseoso. Para nuestro propsito caracterizaremos el material por el orden existente entre sus tomos. Este orden se puede definir como la caracterstica del material tal que si conocemos la posicin espacial exacta de unos cuantos tomos podemos predecir la posicin y naturaleza qumica de todos los dems tomos. En ese caso diremos que la estructura tiene un orden de largo alcance. Los slidos que presentan este tipo de orden los llamaremos cristales. Llamaremos slidos policristalinos a los que presentan una gran regin de tomos ordenados pero existen diferentes regiones en el mismo slido. Adems las regiones estn separadas por lo que se llama un borde o frontera. En dicho borde o frontera tendremos unos cuantos tomos desordenados sin orden alguno. El tamao de dichas regiones con orden se llama tamao del grano siendo este tamao del orden de algunas micras. B.1-1
CEF
Tema B.1: Materiales para componentes fotnicos: propiedades estructurales
Tambin existen materiales cuyo orden en los tomos se pierde al cabo de unos cuantos tomos. En dichos casos estaremos ante un material amorfo. Otro estado de la materia es el cristal lquido. El cristal lquido se comporta como un lquido en el sentido en que adopta la forma del contenedor donde se encuentra aunque sus molculas o tomos forman regiones de orden de largo alcance. Este orden se puede romper mediante un campo elctrico y de esta manera alterar sus propiedades pticas.
B.1.3.
Materiales cristalinos
La mayora de los materiales utilizados en la fabricacin de componentes fotnicos son cristalinos. Bsicamente son semiconductores los que se utilizan para la fabricacin de dispositivos, pero tambin existen algunos materiales ferroelctricos y dielctricos. Materiales optoelectrnicos: Cristales slidos semiconductores ferroelctrico / dielctrico
Dispositivos electrnicos para el Modulacin de luz / interruptores control de luz Dispositivos de deteccin de luz Dispositivos de emisin de luz Dispositivos de modulacin de luz / interruptores de luz Almacenamiento de informacin ptico
Los materiales semiconductores se encuentran en la naturaleza formando una llamada estructura cristalina. Segn esta estructura, los tomos del material semiconductor se encuentran distribuidos espacialmente formando una estructura regular (celosa, enrejado o lattice). Sin embargo, los tomos no ocupan en el espacio posiciones fijas, sino que debido a las vibraciones trmicas estn situados o localizados alrededor de esta posicin. Para un material semiconductor dado, hay una estructura bsica llamada celda unidad, a partir de la cual es posible mediante repeticin tridimensional construir la estructura propia del cristal. En la siguiente figura se recogen tres tipos diferentes de celdas unidad en un cristal de tipo cbico.
B.1-2
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Fig. B.1.1: Tres tipos diferentes de celdas unidad en un cristal cbico. (a) Celda de cubo simple. (b) Celda cbica centrada en el centro. (c) Celda cbica centrada en las caras.
2.a) Celda de cubo simple: En ella cada tomo del material ocupa los ocho vrtices (aristas) del cubo. La cantidad a es llamada constante de la estructura. El Polonio cristaliza en esta forma. 2.b) Celda cbica centrada en el centro: En esta estructura, adems de los ocho tomos de las aristas hay uno ocupando el centro de la celda. Es la celda tipo (bcc) (bodycentered-cubic). Ejemplos son el sodio y el wolframio o tungsteno. 2.c) Celda cbica centrada en las caras: En este tipo de celda, adems de los ocho tomos de las aristas se encuentran seis tomos ms, localizados en el centro de cada cara. Es la celda de tipo (fcc) (face-centered cubic). Cada tomo tiene 12 vecinos. Ejemplos son el aluminio, cobre, oro y platino. Los elementos semiconductores tales como el germanio y el silicio presentan una estructura cristalina del tipo del diamante. Dicha estructura puede ser vista como dos estructuras (fcc) encajadas con un desplazamiento de una con respecto a la otra de 1/4 de la distancia a lo largo de la diagonal del cubo (( /4)a). En este caso, cada tomo del semiconductor est rodeado de cuatro tomos equidistantes configurando los vrtices de un tetraedro. La estructura del zinc es idntica a la del diamante salvo que cada estructura (fcc) constituyente est formada por tomos de valencia diferente. A dicha estructura pertenecen materiales semiconductores del tipo del arseniuro de galio (AsGa) en que una de las estructuras (fcc) tiene tomos de Ga (III columna) y la otra de As (V columna).
B.1-3
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Fig. B.1.2: (a) Estructura cristalina del tipo del diamante. (b) Estructura cristalina del tipo del zinc.
Una clase importante de materiales utilizados en optoelectrnica son los llamados cristales ferroelctricos. Un material ferroelctrico se caracteriza por la presencia de un momento dipolar elctrico incluso en ausencia de un campo elctrico externo. Por tanto, en cristales ferroelctricos, el centro de la carga positiva del cristal no coincide con el centro de la carga negativa. En un material con la estructura cristalina de tipo zinc como el GaAs (un material optoelectrnico importante), debido a la transferencia de carga, el tomo de Ga (del grupo III de la tabla peridica) est cargado negativamente (por lo que se le llama anin) mientras que el tomo de As (del grupo V de la tabla peridica) est cargado positivamente (por lo que se le llama catin). Sin embargo, no existe un dipolo elctrico neto en el cristal debido a que en esta estructura los aniones y cationes estn situados de tal forma que el centro de la carga positiva y el de la carga negativa coinciden al considerar todos los tomos. Podra presentarse un dipolo neto si, por ejemplo, la subestructura de Ga entera se moviese con respecto a la de As. Dicho desplazamiento no ocurre en el GaAs pero s en determinados materiales. Los cristales ferroelctricos se producen principalmente debido a dos efectos: 1) La situacin de los iones es tal que se produce un dipolo elctrico neto. 2) El desplazamiento de una subestructura con respecto a la otra produce un dipolo neto. Algunos materiales ferroelctricos tienen presente hidrgeno o deuterio. El movimiento del protn en el hidrgeno o deuterio puede ser la causa del efecto ferroelctrico. Una clase importante de cristales ferroelctricos es la categora de la estructura "perovskita" presente en materiales como el titaniato de bario (BaTiO3). Se trata de una estructura cbica con iones Ba2+ en las esquinas del cubo, iones O2 en los centros de las seis caras del cubo y un in de Ti4+ en el centro del cubo. En ausencia de cualquier deformacin y campo elctrico, el material no tiene dipolo elctrico neto pero se puede desarrollar un dipolo si hay un desplazamiento de los iones. En la siguiente figura se muestra cmo puede tener lugar dicho desplazamiento. El desplazamiento neto puede variar del orden de 0,1 a 1.
B.1-4
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Fig. B.1.3: Desplazamiento de cargas lo que provoca un dipolo elctrico. Esto se llama efecto ferroelctrico.
Hasta ahora slo hemos descrito estructuras naturales. Como las propiedades pticas y electrnicas del semiconductor estn totalmente determinadas por la estructura cristalina se ha estudiado la posibilidad de generar estructuras cristalinas artificiales para conseguir propiedades pticas y electrnicas determinadas. Los estudios que ms han avanzado son los de hetero-epitaxis que son crecimientos de materiales diferentes uno sobre el otro. Esto permite crecimientos de heteroestructuras de dos materiales A y B alternativamente con grosores determinados dA y dB (superestructuras). La precisin en los valores de dA y dB es tal que se han conseguido capas con grosor de un solo tomo. Debemos resaltar que las heteroestructuras ms ampliamente utilizadas no son superestructuras sino que son utilizadas para conseguir un pozo de potencial cuntico. En estas, una nica capa de semiconductor se coloca entre dos capas de material con una mayor anchura de la banda prohibida. Dichas estructuras permiten utilizar los efectos cunticos, lo cual puede ser muy til en dispositivos electrnicos y optoelectrnicos.
Fig. B.1.4: Una superestructura de tomos de (GaAs)2(AlAs)2 con crecimiento a lo largo de la direccin (001) (eje z).
B.1-5
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B.1.4.
Interfases
Las superficies de las interfases son una parte muy importante del dispositivo. Ya se ha visto el concepto de heteroestructuras y superestructuras, las cuales estn relacionadas con interfases entre dos semiconductores. Estas interfases suelen ser de alta calidad, sin apenas enlaces rotos (excepto posibles dislocaciones). An as existe una discontinuidad en dichas interfases de una o dos capas de tomos, la cual es producida por la no idealidad del proceso de crecimiento o a un control impreciso en la conmutacin entre las dos especies de semiconductor. El esquema general de dicha discontinuidad se muestra en la siguiente figura para interfases de crecimiento epitaxial. La cristalinidad y periodicidad se mantiene en la estructura subyacente, pero las especies qumicas estn desordenadas en la superficie de la interfase. Dicho desorden es bastante importante en muchos dispositivos fotnicos y electrnicos.
Fig. B.1.5: Esquema de una interfase entre materiales con la misma red cristalina como GaAs / AlAs. La interfase se caracteriza por las islas de altura y anchura .
Una de las interfases ms importantes en electrnica es la interfase Si/SiO2. Esta interfase y su calidad es la principal responsable de la revolucin que ha sufrido la electrnica de consumo moderna. Esta interfase representa una situacin en que dos materiales con estructuras cristalinas muy diferentes se unen. A pesar de estas grandes diferencias, la calidad de la interfase es bastante buena. Dicha interfase presenta una regin amorfa o desordenada de unas pocas capas de tomos en que hay presentes fluctuaciones en las especies qumicas (y consecuentemente en la energa potencial) a lo largo de la interfase. Esta discontinuidad es la responsable de la reduccin de la movilidad de los electrones y los huecos en los dispositivos MOS. Por ltimo tenemos las interfases entre los metales y los semiconductores. Dichas interfases se producen a elevadas temperaturas mediante complejas reacciones qumicas que producen la difusin de elementos metlicos. Este tipo de interfases cubren regiones de anchura superior a varios cientos de Angstroms formando una compleja estructura no cristalina.
B.1.5.
Materiales policristalinos
Los materiales policristalinos son ampliamente utilizados en tecnologa electrnica y optoelectrnica. Las estructuras policristalinas se producen cuando un material se deposita B.1-6
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sobre un substrato que no tiene una estructura cristalina similar. Por ejemplo, si se deposita una pelcula metlica sobre un semiconductor, la pelcula crece en una forma policristalina. Las pelculas policristalinas se caracterizan por el tamao promedio del grano. Dentro de un grano los tomos se sitan como en un cristal, es decir, perfectamente ordenados. Sin embargo, cada grano est limitado por una regin con gran cantidad de defectos. Estos defectos se deben a roturas de enlaces o enlaces entre tomos no completados. Los diferentes granos en el policristal no tienen en esencia ningn tipo de orden entre los tomos que los constituyen. Dependiendo del proceso de crecimiento y diferencias entre el substrato y la pelcula depositada, el tamao del grano del policristal puede variar desde 0,1m hasta 10m o incluso ms. Si el tamao del grano supera los 10m, para determinadas aplicaciones el material podra ser considerado como cristalino. La presencia de estas regiones lmite o bordes del grano afecta directamente a las propiedades elctricas y pticas del material. De hecho, determinados dispositivos como diodos emisores de luz (LEDs) o diodos lser (LDs) no pueden ser fabricados a partir de materiales policristalinos. Sin embargo, algunos transistores utilizados para el control de visualizadores s se pueden fabricar a partir de estos materiales. La ventaja fundamental de los materiales policristalinos es su precio ms econmico. Esto es debido al bajo coste del proceso de deposicin de la pelcula y a la gran rea que sta puede llegar a tener. Por tanto, la tecnologa policristalina es importante en visualizadores (TV, ordenadores personales y porttiles, etc).
Fig. B.1.6: Estructura policristalina. Est compuesta por regiones en que los tomos estn ordenados llamadas granos, no existiendo orden entre los distintos granos. Los lmites del grano son regiones con defectos producidos por enlaces rotos o incompletos.
Debemos mencionar el PLZT (PbZrO3-PbTiO3-La2O3) un material policristalino extremadamente importante en aplicaciones optoelectrnicas. Este material es un xido B.1-7
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cermico con propiedades ferroelctricas. Mientras materiales electro-pticos cristalinos sencillos como el KDP, BaTiO3 y Gd(MoO4)3 que son muy importantes, estn limitados por su coste, tamao y sensibilidad a la humedad, los materiales cermicos policristalinos no se ven afectados por estas limitaciones. La tecnologa de fabricacin del PLZT est altamente desarrollada en la actualidad y el material se utiliza para muchos componentes fotnicos.
B.1.6.
Materiales amorfos
En materiales amorfos el orden entre tomos es aun menor que en los materiales policristalinos. Los materiales amorfos ms importantes en tecnologa optoelectrnica son los basados en el SiOx (con diferentes sustancias dopantes) y los semiconductores amorfos como el Silicio amorfo (a-Si). Los materiales amorfos se caracterizan por un buen orden a corto rango, pero un pobre orden a gran escala. Es decir, en los materiales amorfos los tomos vecinos an estn sujetos a perfecto orden cristalino, mientras que tres tomos ms all el orden ya se ha perdido. La disposicin de los tomos es impredecible cuando nos alejamos hasta el tercer tomo vecino o ms all. Adems el material amorfo puede tener una gran cantidad de enlaces rotos. El material amorfo ms importante en ptica es, por supuesto, el vidrio que es la materia prima para las lentes, prismas, fibra ptica, etc. El vidrio est fabricado a partir de algunos de los elementos ms abundantes en la corteza terrestre, como es el oxigeno (62% de la corteza terrestre) y el silicio (21% de la corteza terrestre). En el vidrio, los tomos de silicio y oxgeno forman una estructura no cristalina pero que tienen un buen orden entre los tomos vecinos ms prximos. El vidrio generalmente est formado por un componente que constituye la base de la red - el formador de red- y un componente que puede introducir sutiles cambios en las propiedades del vidrio - el modificador de la red. En la siguiente tabla se muestran algunos importantes formadores y modificadores de la red: Formador bsico Modificador de la de la red red SiO2 B2O3 Al2O3 Na2O3 K2 O MgO CaO PbO
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As, en el caso del vidrio, basado en SiO2, la introduccin de una u otra sustancia dopante puede modificar su ndice de refraccin. Los silicatos (vidrios que tienen silicio en su composicin) son los materiales ms utilizados debido a los altos niveles de pureza que se pueden obtener sobretodo en lo que respecta a la fibra ptica. Los vidrios basados en B2O3 y N2O3 se utilizan en otras aplicaciones industriales. Los modificadores de la red se pueden utilizar para modificar el ndice de refraccin del vidrio y mediante su introduccin controlada se pueden conseguir variaciones espaciales del perfil de dicho ndice. Materiales Optoelectrnicos: Slidos no cristalinos
Semiconductores policristalinos
Transistores de pelcula fina y gran rea para controlar dispositivos fotnicos Fsforos para pantallas Material fotosensible para almacenamiento de imgenes
Semiconductores amorfos
Transistores de pelcula fina para controlar otros dispositivos Clulas solares de gran tamao.
Conductores de luz Vidrio (Dielctrico) Guas de onda
Otra estructura de gran importancia que ya hemos mencionado es el silicio amorfo o aSi debido a su uso en la tecnologa de las clulas solares y visualizadores. En la siguiente figura podemos comparar las estructuras del silicio cristalino y del a-Si.
B.1-9
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Fig. B.1.7: Orden del silicio cristalino y el silicio amorfo. Al silicio amorfo se han aadido tomos de hidrgeno para que no pierda sus propiedades elctricas.
El silicio cristalino posee 4 enlaces con sus cuatro tomos vecinos, muchos de los cuales estn rotos en el caso del silicio amorfo. Una gran cantidad de enlaces rotos puede hacer que el material sea inactivo elctricamente. Para evitar que estos enlaces rotos hagan intil el material en su aplicacin a componentes optoelectrnicos se incorporan gran cantidad de tomos de hidrgeno (o flor) dentro de la pelcula en el proceso de crecimiento del a-Si. La presencia de estos tomos de H hace desaparecer estos enlaces rotos mejorando las propiedades del a-Si. El silicio amorfo hidrogenado se llama a-Si:H. Una importante diferencia entre materiales amorfos y cristalinos es en lo que respecta a la simetra macroscpica del material. Los cristales son anistropos (sus propiedades dependen de la direccin) mientras que los materiales amorfos son istropos. A algunos materiales policristalinos como el PLZT se les puede dar propiedades optoelectrnicas anistropas. La anisotropa de los cristales se caracteriza por la existencia de planos a lo largo de los cuales es fcil partir el cristal.
B.1.7.
Cristales lquidos
El cristal lquido es uno de los materiales ms fascinantes de la naturaleza. Por una parte tiene las propiedades de los lquidos (tales como baja viscosidad y capacidad de adoptar la forma de su contenedor) y por otra parte las de un cristal slido. Su habilidad para modular la luz cuando se le aplica un campo elctrico lo ha hecho insustituible en las tecnologas de visualizadores planos. Ya hemos visto que los materiales cristalinos tienen propiedades anistropas (se ven diferentes segn desde donde se miren) mientras que los materiales no cristalinos y los B.1-10
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lquidos son istropos. El cristal lquido tiene propiedades anistropas anistropas similares a las de los cristales slidos debido a la forma en la que algunas de las molculas constituyentes se ordenan. Sin embargo, el cristal lquido presenta una baja viscosidad y puede fluir. El cristal lquido es, esencialmente, una fase estable de la materia llamada "mesofase" entre la fase slida y la lquida. Existen multitud de cristales lquidos que se puedan fabricar y estn formados bsicamente por molculas orgnicas en forma de barra o de disco de longitudes entre los 20 y los 100. En la siguiente figura se muestra una molcula orgnica tpica, el p-azoxyanisol (PAA). Esta molcula en forma de barra tiene una longitud de alrededor de 20 y una anchura de 5. Una ordenacin perfecta de dicho tipo de molculas da lugar a un cristal slido (b). Por otra parte, a altas temperaturas se pierde ese orden pasando a un estado lquido. La orientacin de las molculas define el "director" del cristal lquido. Las diferentes formas de organizarse de las molculas nos lleva a definir tres tipos diferentes de cristales lquidos.
Fig. B.1.8: Compuesto clsico de una molcula de cristal lquido. Esquema de un cristal perfecto y un lquido.
La primera categora agrupa a las molculas que adoptan una estructura de tipo esmctica. En este caso las molculas estn ordenadas en capas y dentro de cada capa existe un orden de largo alcance. En una capa determinada todas las molculas estn orientadas en la misma direccin. Aparte de esto, las molculas presentan un orden posicional. Por tanto, en los cristales esmcticos existe tanto orden en la orientacin como en la posicin.
B.1-11
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La segunda categora es la estructura nmatica. En esta estructura el orden en la orientacin se mantiene pero el orden posicional entre las capas de molculas se pierde. La tercera categora de cristales lquidos se llama colestrica. En estos cristales lquidos las molculas de una capa estn orientadas con un ngulo diferente una respecto a las de otra capa. El orden en la orientacin se mantiene dentro de cada capa.
Fig. B.1.9: Las tres categoras de cristal lquido (a) esmctico, (b) nemtico y (c) colestrico.
Adems del orden en la orientacin en cada capa existe otra caracterstica en los cristales esmcticos y es la girabilidad que permite definir subcategoras. Esta caracterstica hace referencia al giro relativo entre molculas. La actividad ptica de los cristales depende de su orientacin as como del giro presente en las capas moleculares. Para que el cristal lquido sea til en aplicaciones pticas y optoelectrnicas, es importante que la anisotropa presente en el cristal de lugar a una anisotropa ptica y que seamos capaces de controlar dicha anisotropa mediante seales elctricas externas. En B.1-12
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dispositivos optoelectrnicos de baja potencia es importante que las molculas constituyentes del cristal lquido presenten alguna propiedad que les proporcione una interaccin fuerte con la luz. Con este propsito se utilizan materiales ferroelctricos en la preparacin de cristales lquidos. Como se coment con anterioridad dichos materiales presentan un dipolo elctrico neto incluso en ausencia de aplicacin de un campo elctrico. Como consecuencia, presentarn una fuerte interaccin con la luz. Para explotar completamente el potencial de los cristales lquidos hay que comprender la interaccin del lquido con las superficies cercanas. Se ha observado que si la superficie de una placa de vidrio es frotada en una determinada direccin (con un pao por ejemplo), las molculas de la superficie de la placa se alinean en la direccin de frotamiento. Consideremos ahora que se frota una segunda placa de vidrio y se sita a una distancia entre 5m y 20m de la anterior. La orientacin de las molculas superficiales de las dos placas puede ser seleccionada previamente a partir de la direccin de frotamiento. El resultado es un giro de las molculas del cristal lquido cuando se va desde una placa a la otra. Tales sistemas se llaman sistemas nemticos girados y se pueden conseguir giros de hasta 90. Si el ngulo de giro se incrementa, la pelcula es inestable si se utilizan cristales nemticos. En dicho caso, si se desea por ejemplo un giro de 270, el estado estable utilizando cristales nemticos es con un giro de 90. Sin embargo, si se utilizan cristales lquidos colestricos en los cuales ya hay un giro incorporado, el giro de 270 s es posible. Tales estructuras son llamadas estructuras supergiradas. La orientacin de las molculas del cristal lquido adems puede ser modificada por un campo elctrico. Esto de hecho modifica sus propiedades pticas haciendo que se puedan utilizar como vlvulas pticas.
Fig. B.1.10: Sistema nemtico girado.
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Defectos en los materiales
En los apartados anteriores se han comentado las propiedades de una estructura cristalina perfecta. En materiales reales, la invariabilidad de la estructura cristalina tiene algunos defectos (nada en la vida es perfecto) que son introducidos debido o bien a consideraciones termodinmicas o bien a la presencia de impurezas durante el proceso de crecimiento cristalino. En general, los defectos en los semiconductores cristalinos pueden ser clasificados en: i) defectos puntuales, ii) defectos lineales, iii) defectos superficiales y iv) defectos volumtricos. Estos defectos van en detrimento del buen funcionamiento de los disositivos electrnicos y fotnicos y han de ser evitados en la medida de lo posible. i) Defectos puntuales Un defecto puntual es un defecto altamente localizado que afecta la periodicidad del cristal en una sola o unas pocas celdas unitarias. Hay varios defectos puntuales definidos, como se muestra en la siguiente figura. Uno de ellos es la ausencia de un tomo de la estructura. Otro defecto puntual es la sustitucin. As por ejemplo, en semiconductores compuestos tales como el GaAs un tomo de Ga puede sustituir a uno de As en la subestructura de arsnico en lugar de estar en la subestructura de galio. Esto afecta directamente al buen funcionamiento del material. Otros defectos puntuales son los llamados defectos intersticiales en que un tomo se sita entre los puntos de la estructura, por lo que en algunos casos deforma la red a su alrededor afectando a varias celdas contiguas.
Fig. B.1.11: Esquema donde se muestran varios de los defectos puntuales posibles.
ii) Defectos de lnea o dislocaciones En contraposicin a los defectos puntuales, los defectos de lnea, tambin llamados dislocaciones, involucran a un gran nmero de tomos conectados en lnea. Las dislocaciones se producen si, por ejemplo, un semiplano extra de tomos es insertado (o eliminado) del cristal. Tales dislocaciones son llamadas dislocaciones de borde ya que a los tomos del extremo o borde del plano extra les falta un enlace.
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Las dislocaciones pueden ser un problema serio en heteroestructuras en que la estructura es diferente en la capa superior que en el substrato. En dispositivos optoelectrnicos, las dislocaciones pueden arruinar el funcionamiento del dispositivo siendo de gran importancia su control.
Fig. B.1.12: Esquema de una dislocacin. Este defecto de lnea se produce cuando se aade un semiplano extra de tomos. A los tomos del borde (extremo) del plano extra les falta un enlace.
iii) y iv) Defectos superficiales y volumtricos Los defectos superficiales y volumtricos no son importantes en materiales cristalinos sencillos pero s en materiales policristalinos. Esto es debido a que estos defectos aparecen al unir materiales amorfos (como el vidrio) con cristales. Si, por ejemplo, sobre un substrato de vidrio se produce el crecimiento del silicio, se producir silicio policristalino. En el material policristalino, tenemos pequeas regiones de pocas micras de dimetro perfectamente cristalinas llamadas granos las cuales podemos considerar como "microcristales". Los distintos "microcristales" presentan distintas orientaciones. La interfase entre estos "microcristales" constituye los lmites del grano. Estos lmites del grano pueden ser vistos como un conjunto de dislocaciones que constituyen los llamados defectos superficiales. Los defectos volumtricos se producen cuando el proceso de crecimiento es de baja calidad. El cristal puede contener regiones que sean amorfas o puede contener vacos (burbujas). En la mayora de las tcnicas de construccin actuales (epitaxiales), estos defectos no son un problema. Sin embargo, el desarrollo de nuevos materiales tales como el diamante (C) o el SiC est obstaculizado por dichos defectos.
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B.1.9.
Nuevas tcnicas y nuevos materiales
En este apartado se van a comentar brevemente los importantes retos que se plantean los cientficos en los distintos campos descritos en este captulo. Semiconductores cristalinos En esta rea, materiales como Si y GaAs han sido estudiados durante muchos aos y, como consecuencia, sus tecnologas estn bastante avanzadas. El reto en semiconductores permanece en materiales tales como el GaN, SiC y C (diamante), los cuales tienen una gran anchura de la banda prohibida. Dichos materiales se pueden utilizar en aplicaciones de alta potencia (en la actualidad la mayor parte de las transmisiones de radar, radio y satlite siguen producindose todava mediante el uso de vlvulas). Estos materiales pueden tambin producir luz de longitud de onda muy corta, la cual podra ser utilizada para la lectura de unos "tamaos caractersticos" ms pequeos en CDs pudiendo obtener una mayor densidad de informacin. El problema de estos materiales es la falta de buenos substratos (slo los substratos del Si, GaAs y InP son de alta calidad) con redes cristalinas congruentes con las suyas, y tambin debido a las dificultades en el dopado y la gran cantidad de defectos. Hay muchos retos tambin en lo que respecta a materiales con una anchura de la banda prohibida pequea tales como aleaciones de InAs, InSb, HgCdTe, etc. Estos materiales pueden ser utilizados para la deteccin del infrarrojo lejano (con longitudes de onda del orden de 14m) para "visin nocturna" y otras aplicaciones relacionadas con imgenes trmicas. Estos materiales son muy "ligeros" haciendo difcil su fabricacin con pocos defectos. En el rea de la heteroepitaxis se han producido numerosos nuevos dispositivos tanto electrnicos como optoelectrnicos. En estos nuevos materiales donde ms se intenta avanzar es en producir interfases de alta calidad al unir dos materiales diferentes. Hay un inters considerable en producir estructuras en que un trozo de material de aproximadamente 100 de grosor est rodeado por otro tipo de material (pozos cunticos). El objetivo fundamental del estudio de dichas estructuras es la produccin de excelentes lseres. Tambin existe un gran inters en la produccin de estructuras en que un hilo fino (del orden de 100 x 100) de un determinado tipo de material es rodeado por otro material (hilo cuntico). Tales estructuras tienen previsiblemente propiedades pticas mucho mejores aunque todava no se hayan podido observar. Tambin existe inters en producir puntos cunticos donde un semiconductor de dimensiones aproximadamente 100 x 100 x 100 es rodeado completamente de otro tipo de material. En la actualidad, nicamente los pozos cunticos pueden ser fabricados con facilidad. Las dems estructuras estn en su infancia y no se han podido comprobar las previsiones en lo que respecta a sus caractersticas pticas. Otro importante reto en tecnologa de semiconductores es el crecimiento de materiales de alta calidad sobre un substrato con diferentes propiedades cristalinas. Un ejemplo importante es el crecimiento de GaAs o InP sobre Si. El substrato de silicio es barato y puede ser producido en grandes tamaos (por encima de 12 pulgadas). Sin embargo, los lseres de semiconductor y detectores de alta velocidad no pueden ser fabricados a partir de silicio. Si materiales tales como GaAs pudiesen ser depositados sobre un substrato de silicio, el coste de los dispositivos optoelectrnicos podra ser reducido drsticamente. Desgraciadamente, es
B.1-16
CEF
muy difcil el crecimiento de un material sobre otro material con una constante de la estructura diferente sin obtener una gran cantidad de dislocaciones. Materiales policristalinos y amorfos Estos materiales se utilizan principalmente cuando se desea un bajo coste y un funcionamiento medianamente bueno. Esto se refiere a clulas solares de gran tamao as como los transistores de pelcula fina ("thin film") para visualizadores. Las mejoras en estos materiales es poder reducir cada vez ms los defectos, mejorando las cualidades de los materiales sin por ello aumentar los costes.
B.1-17
B.2. Propagacin de la luz en un medio
B.2.1.
Introduccin
El procesado de la informacin por medio de componentes fotnicos se basa en la propagacin, generacin y modulacin (conmutacin) de la informacin mediante haces de luz. Debemos conocer como se propaga la luz a travs de un medio y como afectan las propiedades de estos medios a la propagacin. Veremos la propagacin en un medio uniforme y a continuacin discutiremos las frmulas de Fresnel que nos describen la reflexin y refraccin. Ya hemos visto materiales cristalinos con estructuras anistropas y materiales amorfos con estructuras istropas. Veremos que la anisotropa o isotropa de dichos materiales afecta profundamente a sus propiedades pticas. Para comprender bien la propagacin de ondas pticas debemos comenzar con las ecuaciones de Maxwell y la ecuacin de ondas que de ah se deriva.
B.2.2.
Ecuaciones de Maxwell y la ecuacin de ondas
Recordemos que la luz o las ondas de luz son un subconjunto de las ondas electromagnticas que cubren todo el espectro desde la longitud de onda kilomtrica hasta la longitud de onda de dcimas de Angstroms. Aunque la fsica de las ondas electromagnticas es toda la misma, independientemente de la longitud de onda, cada longitud de onda tiene una aplicacin determinada (rayos X, rayos UV, espectro visible, etc). La banda ptica del espectro electromagntico hace referencia a longitudes de onda desde 0,3m a 15m. Donde est incluida la banda visible. Recordemos adems que la ptica se puede estudiar desde el punto de vista geomtrico suponiendo que el rayo de luz es una lnea que se desplaza a travs de una lente y sufre una refraccin. Pero si el ndice de refraccin vara a lo largo de una distancia comparable a la longitud de onda ya no es vlida la ptica geomtrica y debemos utilizar la teora de ondas electromagnticas. En nuestro caso utilizaremos ambas teoras siempre que nos sea posible.
Fig. B.2.1: Espectro electromagntico; la radiacin ptica va desde = 0,3m a 15m.
B.2-1
CEF
Tema B.2: Propagacin de la luz en un medio
Las propiedades de los campos electromagnticos en un medio se describen por las cuatro ecuaciones de Maxwell. Estas ecuaciones representan el comportamiento del campo elctrico ( medido en V/m) y del campo magntico ( medido en A/m). Las ecuaciones de Maxwell son: (Ley de Faraday) (B.2.1)
(Ley de Ampere) (Ley de Gauss elctrica) (Ley de Gauss magntica)
(B.2.2) (B.2.3) (B.2.4)
donde y son la densidad de corriente (A/m2) y de carga (C/m3) respectivamente, es el 2 desplazamiento del campo elctrico (C/m ) y el flujo del campo magntico o induccin magntica (Wb/m2 o T -Tesla-). Las ecuaciones de Maxwell se completan con otras tres ecuaciones donde intervienen los parmetros que caracterizan a los distintos medios materiales en donde estn presentes los campos, como son la constante dielctrica (F/m), la permeabilidad magntica (H/m) y la conductividad elctrica (-1 o S): = = = (B.2.5) (B.2.6) (B.2.7)
Cuando en un punto del espacio se produce un campo elctrico variable con el tiempo, dichas variaciones originan como se puede observar en la segunda ley de Maxwell un campo magntico tambin variable. A su vez, como se ve en la primera ley de Maxwell, este campo magntico variable da origen a un campo elctrico. Estos campos elctrico y magntico variables, consecuencia uno del otro, sin que pueda existir ninguno de ellos aisladamente, se propagan por el espacio constituyendo las ondas electromagnticas. Todo lo que conocemos sobre ondas electromagnticas se deduce a partir de estas ecuaciones. Nosotros slo queremos conocer la ecuacin que describe la propagacin de las ondas electromagnticas en un material. Tengamos en cuenta la relacin entre la densidad de corriente y el campo elctrico = . Tomando el rotacional de la primera ecuacin de Maxwell obtenemos: (B.2.8) y teniendo en cuenta que, (B.2.9)
B.2-2
CEF
y que para un material neutro (=0) se cumple que sustituir por la segunda ecuacin de Maxwell:
, obtenemos despus de
(B.2.10) Esta expresin representa una onda propagndose con disipacin y cuya solucin general es (hemos supuesto que los materiales a tratar no tienen propiedades magnticas por lo que su permeabilidad es igual a la del vaco 0): (B.2.11) donde k viene dada por:
k2 = 020i
o
(B.2.12)
(B.2.13) es la velocidad de la luz, y r es la constante dielctrica relativa (
donde c=
),
Aunque estamos usando la notacin compleja los campos son reales y vienen representados por la parte real de la onda compleja. En general, k ser un nmero complejo y en el espacio libre (vaco) donde =0 y = (r = 1): (B.2.14) En un medio, la velocidad de fase v ( = ) se modifica al dividir la velocidad de luz en el vaco c por un ndice de refraccin complejo, nr: (B.2.15) Donde nr viene dado por: (B.2.16) con lo que:
(B.2.17)
B.2-3
CEF
Podemos representar el ndice de refraccin complejo por su parte real y su parte imaginaria nr = nr' + inr'' de forma que (B.2.19) De esta forma el campo elctrico propagndose en direccin z se puede poner como: (B.2.20) Por tanto la velocidad de la onda se reduce por n'r de forma que vale c/n'r y su amplitud tambin se amortigua por la segunda exponencial con argumento real (se atena un factor igual a exp(-2n''r) por longitud de onda). La atenuacin de la onda est relacionada con la absorcin de energa electromagntica. El coeficiente de absorcin (tambin llamado constante de atenuacin) se define como: (B.2.21) En ausencia de absorcin (n''r=0), n'r = nr, y el ndice de refraccin se denominar simplemente nr. El coeficiente de absorcin se puede medir para todos los materiales y da informacin sobre n''r. En ausencia de absorcin la parte real de k, kreal coincide con k: (B.2.22) Repitiendo los mismos pasos sobre la tercera ecuacin de Maxwell podemos calcular la ecuacin de ondas del campo magntico . La expresin obtenida es: (B.2.23) y cuya solucin es similar a la del campo elctrico: (B.2.24) La fase tanto en la expresin de E como de H, (kr t) puede escribirse de distintas formas equivalentes. En dicha expresin el trmino kr corresponde al producto escalar de dos vectores, , un vector llamado vector de onda (cuyo mdulo es k = /c = 2/ en el vaco o k = /cnr en un medio) orientado en la direccin de propagacin y el vector de posicin , (x, y, z). Tomando , como un vector unitario tambin en la direccin de propagacin: (B.2.25) B.2-4
(B.2.18)
CEF
De esa forma el trmino de fase podr escribirse tambin como (krs t) donde ahora k representa el mdulo del vector de onda y rs es el producto escalar de los vectores y . La fase tambin puede escribirse como (t kr) pues la parte real (que es la que nos interesa pues los campos son reales) es un coseno, el cual es independiente del signo del argumento. Por la misma razn, el trmino de fase (t krealz), tambin podra escribirse como (krealz t).
B.2.2.1.
Transversalidad de las ondas luminosas.
Vamos a aplicar la primera y la segunda ley de Maxwell a los campos elctrico y magntico obtenidos anteriormente tomando, para simplificar, Eo y Ho constantes. Supondremos el caso de una onda plana propagndose en la direccin indicada por el vector unitario . Si aplicamos la segunda ley de Maxwell y teniendo en cuenta la definicin del rotacional:
(B.2.26)
La componente x se podr escribir: (B.2.27) Las distintas componentes de los campos elctrico y magntico tienen las siguientes expresiones: (B.2.28) (B.2.29) (B.2.30) con expresiones similares para las dems componentes. A partir de las expresiones del campo elctrico y magntico y teniendo en cuenta que llegamos a que: (B.2.31) B.2-5
CEF
Para las componentes y y z: (B.2.32)
(B.2.33)
Por lo que operando de la misma forma se llega a que:
(B.2.34)
(B.2.35)
Las tres ecuaciones a las cuales hemos llegado se pueden rescribir en una nica ecuacin, si se tiene en cuenta que los primeros miembros son las componentes del producto vectorial cambiadas de signo, donde es el vector unitario en la direccin de propagacin:
(B.2.36)
por lo que las tres ecuaciones equivalen a la ecuacin vectorial: (B.2.37)
O bien teniendo en cuenta que: (B.2.38)
(B.2.39)
B.2-6
CEF
Si se parte de la primera ley de Maxwell y se sigue el mismo procedimiento se llega a que: (B.2.40)
O, en funcin de
: (B.2.41)
Las ecuaciones obtenidas indican que en la propagacin, y son siempre perpendiculares entre s, y que ambos lo son a la direccin de propagacin , lo que demuestra que las ondas electromagnticas son transversales, formando los vectores , y un triedro trirrectngulo directo. De las mismas ecuaciones se deduce que y van en fase ya que ambos se anulan y se hacen mximos simultneamente como se indica en la siguiente figura:
Fig. B.2.2: Los vectores
forman un triedro trirrectngulo directo.
B.2.2.2.
Otras relaciones importantes.
Se pueden demostrar varias relaciones entre el campo elctrico y magntico y la energa y potencia asociadas a las ondas electromagnticas. La densidad de energa asociada al campo elctrico y magntico viene dada por: (B.2.42) donde es la densidad de energa asociada al campo elctrico y la
asociada al campo magntico. B.2-7

CEF
La densidad de potencia asociada a la radiacin viene dada por el vector de Poynting, : (B.2.43) Las propiedades macroscpicas de un material se representan por el ndice de refraccin real e imaginario. En general, conforme se propaga la onda estos parmetros pueden variar al atravesar un cambio de material. Para resolver los campos elctricos y magnticos al atravesar un contorno necesitamos conocer las condiciones de contorno. Si z es perpendicular al plano que separa las dos regiones, entonces las componentes normales de D y B en el lmite entre las dos regiones estn relacionadas de la siguiente manera (dos ltimas ecuaciones de Maxwell): ( ( (z+) (z)) (z+) (z)) = s =0 (B.2.44) (B.2.45)
donde es el vector unitario y z+ y z son los puntos a un lado y a otro de la regin de contorno. Aqu s es la densidad de carga superficial sobre el contorno. Adems las componentes tangenciales de los campos elctrico y magntico se relacionan (primeras dos ecuaciones de Maxwell) segn las siguientes expresiones: ( ( donde (z+) (z)) = 0 (z+) (z)) = (B.2.46) (B.2.47)
es la densidad de corriente circulando a lo largo de esa superficie.
Si tenemos un frente de ondas plano viajando en direccin z, entonces los campos E y B estn en el plano x-y (Ez =Hz =0) y se relacionan por la primera ecuacin de Maxwell segn las siguientes expresiones: (B.2.48) (B.2.49)
B.2.3.
Polarizacin de la luz
Hasta ahora slo hemos visto al resolver la ecuacin de ondas que el campo magntico y elctrico son perpendiculares a la direccin de propagacin. La orientacin precisa del campo elctrico es lo que se conoce como polarizacin de la onda electromagntica. Para todos los componentes fotnicos la polarizacin es de vital importancia ya que el funcionamiento del dispositivo depender del control de dicha polarizacin.
B.2-8
CEF
Supongamos una onda plana monocromtica propagndose en direccin z. La polarizacin se define para el campo elctrico que en notacin compleja ser: (z, t) = Re[ exp(i(tkz))] (B.2.50)
donde es un vector complejo en el plano x-y. Para ver la evolucin temporal del campo elctrico veamos sus dos componentes Ex y Ey: Ex = Ax cos(tkz+x) Ey = Ay cos(tkz+y) donde el vector es: (B.2.53) y donde Ax y Ay son nmeros reales positivos. Desarrollando los cosenos y aplicando relaciones trigonomtricas llegamos a: cos2(tkz+x)+ cos2(tkz+y) 2 cos cos(tkz+x) cos(tkz+y)=sin2 (.2.54) donde =yx. En esta expresin trigonomtrica podemos sustituir las expresiones de los campos elctricos Ex y Ey: (B.2.55) (B.2.51) (B.2.52)
(a)
(b)
Fig. B.2.3: (a) Elipse de polarizacin. (b) Cambio de ejes de x-y a x'- y'.
Esto es la ecuacin de una elipse y representa la elipse de polarizacin. Diremos que la onda est polarizada elpticamente. Los ejes principales de dicha elipse no estarn sobre los ejes x e y. Podemos girar el eje coordenado de forma que los nuevos ejes x' e y' coincidan con los de la elipse. Entonces la ecuacin de la elipse se simplifica y queda como:
B.2-9
CEF
(B.2.56) donde a y b son los ejes principales de la elipse y Ex' y Ey' son las componentes del campo elctrico en dichos ejes. El ngulo entre x y x' nos permite calcular la longitud de los semiejes a y b y as obtener la siguiente relacin: (B.2.57) Dado que Ex y Ey dependen del tiempo, el vector Tendremos las siguientes posibilidades. =0 o : En ese caso la luz est polarizada linealmente y la elipse degenera en una lnea. >0: El vector campo elctrico gira en el sentido de las agujas del reloj. Si la magnitud de Ex y Ey es la misma la luz estar polarizada circularmente. Un observador que vea venir el rayo de luz hacia si dir que el rayo tiene polarizacin levgira. <0: El vector campo elctrico gira en contra del sentido de las agujas del reloj. Si la magnitud de Ex y Ey es la misma la luz estar polarizada circularmente. Un observador que vea venir el rayo de luz hacia si dir que el rayo tiene polarizacin dextrgira. gira en el plano x-y.
Fig. B.2.4: Estados de polarizacin para diferentes ondas. Las amplitudes del campo elctrico son Ex = Ax cos(tkz) y Ey = Ay cos(tkz+).
Para comprender mejor la diferencia entre estos distintos tipos de polarizacin en la siguiente figura se muestran los campos elctrico y magntico de una onda electromagntica plana linealmente polarizada (a) y una onda polarizada circularmente (b) ambas propagndose en la direccin de eje z.
B.2-10
CEF
(a)
(b) Fig. B.2.5: (a) Polarizacin lineal. (b) Polarizacin circular.
En el ejemplo que ilustra el caso de polarizacin lineal el campo elctrico oscila en el plano XZ y el magntico en el plano YZ. La representacin de la variacin temporal del campo elctrico sobre el plano XY es una lnea recta. En el caso de polarizacin circular los campos elctrico y magntico giran alrededor de la direccin de propagacin siguiendo una trayectoria circular. Segn el sentido de rotacin de los campos, la polarizacin circular ser dextrgira o levgira. La polarizacin elptica se obtiene cuando las amplitudes de las dos componentes ortogonales de cada campo son distintas. Los componentes fotnicos aprovechan la polarizacin de la luz para su propio beneficio. Algunos de los dispositivos son capaces de aadir un desfase entre Ex y Ey mediante un pequeo campo elctrico lo que altera la polarizacin de la luz que atraviesa ese dispositivo. Podremos modular la luz modificando su polarizacin. El cristal lquido modifica la intensidad de un haz luminoso cambiando su polarizacin de forma que la luz con una polarizacin determinada es transmitida a travs del dispositivo y la de cualquier otra polarizacin reflejada.
B.2.4.
Propagacin en el medio: frmulas de Fresnel.
Vamos a analizar brevemente las leyes de reflexin y refraccin que describen la propagacin de la luz de un medio dielctrico no conductor a otro. Cada medio posee un ndice de refraccin diferente ( diferente), no poseen propiedades magnticas (1=2=0) y el B.2-11
CEF
plano que separa ambos medios es el plano y = 0. Estudiaremos el caso en que una onda plana linealmente polarizada proveniente del semiespacio y>0 incide sobre la superficie lmite entre ambos medios. El plano de incidencia es el plano x-y. Estudiaremos dos casos i) cuando el campo elctrico es perpendicular al plano de incidencia y ii) cuando el campo elctrico est en el plano de incidencia.
Fig. B.2.6: Propagacin de una onda luminosa de un medio menos denso a uno ms denso. El campo elctrico es perpendicular al plano del dibujo (plano de incidencia). Las amplitudes del campo magntico son A', B' y C' para la onda incidente, refractada y reflejada. Los tres vectores correspondientes al campo elctrico de amplitudes A, B y C (que no se muestran) estn en la direccin positiva del eje z, es decir, dirigidos hacia el lector.
i) El campo elctrico es perpendicular al plano de incidencia En este caso el campo elctrico est en la direccin de z. Esto se llama una onda transversal elctrica o TE ya que el campo elctrico es normal al plano de incidencia. Tendremos una onda incidente y una reflejada en el semiespacio y>0 (medio 1) y una onda refractada en el semiespacio y<0 (medio 2). En el medio 1 podemos decir: (B.2.58) y en el medio 2 (B.2.59) y donde , ' y son los ngulos de incidencia, reflexin y refraccin respectivamente. Dado que el plano y = 0 es el plano que separa ambas regiones, las componentes tangenciales (z) del campo elctrico en uno y otro medio debern ser iguales al llegar a dicho plano, es decir, x (E(z+)E(z)) = 0. Por tanto, aplicando dicha condicin de contorno en y = 0:
Como esta expresin es cierta para cualquier x debern igualarse todos los trminos de fase, es decir: = ' (B.2.60)
B.2-12
CEF
k1sin = k2 sin
(.2.61)
La primera de estas expresiones nos da la ley de la reflexin y la segunda la ley de refraccin (Ley de Snell), sabiendo que 1=2=0: (B.2.62) Adems: A+C=B La segunda condicin de contorno para resolver las incgnitas A, B y C se obtiene aplicando la condicin de contorno para las componentes tangenciales del campo magntico (eje x). Teniendo en cuenta que , y forman un conjunto de tres vectores perpendiculares dextrgiro podemos obtener la componente x del campo magntico de cada una de las ondas (incidente, reflejada y refractada) aplicando la relacin entre el campo magntico y el elctrico vista anteriormente ( ) y teniendo en cuenta el sentido
de las proyecciones de los vectores H sobre el eje x podemos escribir: (B.2.63)
(B.2.64) donde se ha aplicado que = ' y que k1sin = k2 sin. La condicin de contorno para el campo magntico aplicada al plano y=0 que separa ambos medios: (B.2.65) o (B.2.66) A partir de ambas condiciones de contorno podemos deducir la primera frmula de Fresnel para los valores de A, B y C correspondientes a las amplitudes del campo elctrico: (B.2.67)
B.2-13
CEF
(B.2.68) Esta primera frmula de Fresnel nos da la intensidad del campo transmitido y reflejado para el caso de tener un campo elctrico perpendicular al plano de incidencia. ii) El campo elctrico est en el plano de incidencia (el campo magntico es perpendicular al plano de incidencia).
Fig. B.2.7: Propagacin de una onda luminosa de un medio menos denso a uno ms denso. El campo magntico es perpendicular al plano de incidencia. Las amplitudes correspondientes del campo elctrico son A, B y C.
En este caso el vector de campo magntico est en la direccin z. A este tipo de onda se la llama transversal magntica o TM. La solucin para el problema de la reflexin y la refraccin sigue el mismo procedimiento, salvo que las condiciones de contorno las aplicamos a Hz en y = 0 y a Ex en y = 0. Si llamamos a las amplitudes del campo magntico de la onda incidente, reflejada y refractada A', B' y C', entonces obtenemos de la primera condicin de contorno: (B.2.69) Si igualamos los trminos de las fases entonces obtenemos las leyes de la reflexin y de la refraccin, = ' y k1sin = k2 sin. Adems se cumple, A' + C' = B' (B.2.70)
Para el campo elctrico y teniendo en cuenta las relaciones entre las amplitudes del campo elctrico (A, B, C) y las del campo magntico (A', B', C') obtenemos, (B.2.71) La segunda condicin de contorno para resolver las incgnitas A, B y C se obtiene aplicando la condicin de contorno para las componentes tangenciales del campo elctrico (eje x). Teniendo en cuenta que , y forman un conjunto de tres vectores
B.2-14
CEF
perpendiculares dextrgiro (
) podemos obtener la componente x del campo
elctrico de cada una de las ondas (incidente, reflejada y refractada). Teniendo en cuenta el sentido de las proyecciones de los vectores E sobre el eje x podemos escribir: (B.2.72)
(B.2.73) donde se ha aplicado que = ' y que k1sin = k2 sin. Si aplicamos las condiciones de contorno sobre el campo elctrico Ex para el plano y=0 (que separa ambos medios): (.2.74) Teniendo en cuenta las relaciones entre las amplitudes del campo elctrico (A, B, C) y las del campo magntico (A', B', C') obtenemos, (AC) cos = B cos (.2.75)
Obsrvese que se produce un cambio de signo (C) y esto se debe a un cambio de fase de 180 en la onda reflejada. A partir de ambas expresiones podemos deducir la relacin entre los valores de A, B y C correspondientes a las amplitudes del campo elctrico que nos proporcionar la segunda frmula de Fresnel: (B.2.76)
(B.2.77)
O bien teniendo en cuenta que
y aplicando relaciones trigonomtricas la
segunda frmula de Fresnel se puede rescribir de la siguiente forma: (B.2.78)
B.2-15
CEF
De las dos frmulas de Fresnel deducimos que aunque las leyes de reflexin y refraccin son las mismas con lo que respecta a los ngulos, existe una importante diferencia con lo que respecta a las amplitudes entre ambos tipos de polarizacin. Esto afecta directamente a efectos de polarizacin cuando un haz de luz incide sobre una superficie que separa dos medios.
B.2.4.1.
Efectos de la polarizacin: Ley de Brewster
Vamos a considerar que un haz de luz incide de un medio menos denso a otro ms denso (nr2 > nr1 o bien 2>1) y queremos conocer como afecta el ngulo de incidencia a las amplitudes de las ondas reflejada y refractada (transmitida). La relacin de amplitudes es: Transmitida: Reflejada: t= r= (B.2.79) (B.2.80)
Si consideramos luz polarizada tipo TE, a partir de las ecuaciones obtenidas anteriormente y tenemos en cuenta que :
(B.2.81) y para ngulos de incidencia pequeos donde y, por tanto, la Ley de Snell se reduce a : , , ,
(B.2.82) Como nr2 > nr1 este valor es negativo. En el ngulo lmite donde 90, tenemos que rTE 1. La relacin de amplitudes para la luz refractada es: (B.2.83) Para el caso de luz polarizada TM, a partir de las ecuaciones obtenidas anteriormente: (B.2.84) B.2-16
CEF
rTM para ngulos pequeos: (B.2.85)
Luego, para ngulos pequeos el valor de rTM es el mismo que el de rTE salvo el signo. Como nr2 > nr1 este valor es positivo. La relacin de amplitudes para la luz refractada es: (B.2.86)
Fig. B.2.8: Relacin de amplitudes de la onda reflejada y transmitida para los modos TE y TM en funcin del ngulo de incidencia para nr2 > nr1.
Se puede comprobar que rTM comienza, como hemos visto, con un valor positivo para =0 y va disminuyendo conforme aumenta acabando en rTM = 1 para =90. Existe por tanto un ngulo intermedio pol para el cual rTM =0. Dicho ngulo pol se llama ngulo de polarizacin. En pol, la expresin de rTM debe cambiar de signo por lo que se ha de producir un cambio de signo en el denominador de rTM, ya que en ningn caso el numerador puede cambiar de signo ( < /2). Por tanto: pol+ = /2 => sin = cos pol (B.2.87) (B.2.88)
De la ley de la refraccin tambin sabemos que (B.2.89)
B.2-17
CEF
de donde se deduce la Ley de Brewster (B.2.90) Para luz no polarizada pasando de aire a vidrio encontramos (para el vidrio nr2 = 1,5 y para el aire nr1 = 1), pol = 57, para agua (nr2 = 1,33) pol = 53. Adems como en ese ngulo rTM = 0, el campo elctrico de la onda reflejada no tiene componente paralela al plano de incidencia por lo que la onda reflejada est totalmente polarizada en un plano perpendicular al de incidencia. Adems, como pol+=/2, la onda reflejada y la refractada son perpendiculares. En consecuencia: cuando los rayos reflejado y refractado son perpendiculares, el rayo reflejado est totalmente polarizado, siendo el campo elctrico perpendicular al plano de incidencia. La onda reflejada est linealmente polarizada ya que contiene oscilaciones del campo elctrico contenidas dentro de un plano bien definido, perpendicular a la direccin de propagacin y al plano de incidencia. Las oscilaciones del campo elctrico de una luz no polarizada, por otra parte, pueden producirse en cualquiera de un infinito nmero de direcciones que son perpendiculares a la direccin de propagacin. Los sistemas TE y TM son ortonormales de forma que cualquier onda puede descomponerse como suma de una componente paralela al plano de incidencia (TM) y otra perpendicular al plano de incidencia (TE). Como, para = pol se cumple que rTM = 0, la onda reflejada tiene nicamente componente perpendicular (rTE). Por otra parte la onda transmitida tendr una componente perpendicular al plano de incidencia (tTE) y una componente paralela al plano de incidencia (tTM). Los valores de rTE, tTE y tTM pueden obtenerse utilizando la grfica anterior. Esto nos indica que podemos generar luz polarizada a partir de un haz de luz no polarizada hacindola incidir sobre una superficie con ngulo pol. Aunque esto es cierto y la luz reflejada estar completamente polarizada, su intensidad, la cual ser proporcional a r2TE es pequea. Por ejemplo, para luz no polarizada pasando de aire a vidrio, pol = 57, por lo que = 33 y r2TE = (0,4)2 = 0,16.
B.2-18
CEF

Fig. B.2.9: Polarizacin de una onda electromagntica por reflexin.
La luz refractada est parcialmente polarizada pero tendr una mayor intensidad. Si luz no polarizada atraviesa una placa de vidrio en aire incidiendo con pol, entonces: (B.2.91) Por tanto despus de un nico paso (nr=1,5) la relacin entre las intensidades de las dos componentes, paralela (TM) y perpendicular al plano de incidencia (TE) es (B.2.92) Esta relacin puede ser incrementada si la onda electromagntica se transmite a travs de una serie de lminas delgadas y paralelas, con un ngulo de incidencia igual al de polarizacin. La onda transmitida tiene una componente perpendicular al plano de incidencia (TE) mucho menor, porque esta componente tiende a irse con la onda reflejada cada vez que sta se refleja al pasar de una lmina a la siguiente. Luego la onda transmitida est casi totalmente polarizada y el campo elctrico oscila en el plano de incidencia.
Fig. B.2.10: Polarizacin de una onda electromagntica por refracciones sucesivas.
Como se observa en la figura anterior, cuando una onda pasa a travs de un medio limitado por caras planas paralelas, por simple aplicacin de la Ley de Snell, la direccin de propagacin del rayo emergente es paralela a la del rayo incidente. Si se tienen varias placas paralelas (como es nuestro caso), los rayos incidente y emergente siguen siendo paralelos.
B.2.4.2.
Reflexin interna total y campos evanescentes
Supongamos ahora que la luz pasa de un medio ms denso a uno menos denso (por simplicidad supondremos que es aire, nr2 = 1 y nr1 = nr > nr2). Entonces se cumple: (B.2.93)
B.2-19
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Como > (nr > 1) y si se cumple que nr sin > 1, entonces sin > 1 y en ese caso ser imaginaria. Los signos de rTE y rTM para pequeos valores de son contrarios al caso nr2 > nr1, de manera que rTE empieza en un valor positivo y rTM en uno negativo. Se puede comprobar que tanto rTE como rTM alcanzan 1 antes de =90, exactamente en tot, que cumple, (B.2.95) Para seguir despus de tot necesitamos que el ngulo de refraccin tenga un valor complejo (ver B.2.95). Si el ngulo de incidencia es menor que tot entonces va de 0 a 90. Para ngulos mayores que tot, deber tomar valores complejos que sern de la forma: = 90 i' Para ngulos > tot tenemos sin = sin(90 i') = cos( i') = cosh ' > 1 (B.2.97) (B.2.96) (B.2.94)
Esto es consistente con la ley de refraccin donde sin = nr sin debe ser mayor que 1 cuando es mayor que tot. Para rTE y rTM de las ecuaciones anteriores, tenemos que, (B.2.98)
(B.2.99) Ambos coeficientes rTM y rTE tienen mdulo unidad pero desfase variable. Este desfase es el cambio de fase de la onda reflejada totalmente. Como se puede observar en la siguiente figura, hay una diferencia entre los desfases producidos en el caso en que tengamos luz polarizada TE o luz polarizada TM. Esta diferencia de desfases puede ser aprovechada para generar luz polarizada elpticamente. La reflexin total es de suma importancia en la propagacin en guas de onda.
B.2-20
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Fig. B.2.11: Relacin de amplitudes en funcin del ngulo de incidencia para nr1 = nr > nr2 =1. Tambin se muestra el cambio de ngulo producido con reflexin total.
En el caso de reflexin interna total, no existe un haz refractado y la totalidad de la energa electromagntica es reflejada. Sin embargo, los campos en el medio de menor ndice de refraccin (menos denso) no se anulan inmediatamente en la interfase. Existen unos campos evanescentes que penetran en el medio menos denso amortigundose rpidamente, como vamos a ver a continuacin. Para luz polarizada TE bajo condiciones de reflexin total hemos visto que: = 90 i' sin = cosh' = nrsin cos = i sinh' El campo elctrico en general ser (B.2.103) Slo el signo negativo (que da como resultado k2ysinh) tiene significado fsico, ya que si no el campo tendera a infinito cuando y . Por tanto el campo en el medio menos denso vale: (B.2.104) Esta es la onda evanescente que decrece exponencialmente conforme se aleja de y=0 (y es negativo en el medio menos denso). Como k2 sinh' es del orden de 1, la onda desaparece en unos pocas longitudes de onda. Aun as esta onda se aprovecha en dispositivos como acopladores, interruptores, etc. (B.2.100) (B.2.101) (B.2.102)
B.2.5.
La propagacin de ondas en cristales
Ya hemos visto que un cristal posee propiedades anistropas. Esto se traduce en que si la luz se propaga en diferentes direcciones ver diferentes ndices de refraccin y se propagar con diferente velocidad. Estas propiedades anistropas se utilizan en gran cantidad de dispositivos pticos, tanto pasivos como activos. Como elementos pasivos cabe destacar las placas de cuarto de onda que modifican la polarizacin de la luz. Los elementos activos que B.2-21
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aprovechan la anisotropa de los cristales son los cristales lquidos, dispositivos acsticopticos, etc. Vamos a ver en este apartado la propagacin de la luz en medios anistropos. En un medio istropo la propagacin de ondas de luz se caracteriza por una constante dielctrica independiente de la direccin. En cristales esto no es as. El desplazamiento elctrico y el campo elctrico se relacionan por el tensor de constante dielctrica dado a continuacin. Dx = xxEx + xyEy + xzEz Dy = yxEx + yyEy + yzEz Dz = zxEx + zyEy + zzEz o, de forma abreviada: (B.2.106) cumplindose que ij = ji, por lo que sus nueve componentes se reducen a seis independientes. Un concepto muy utilizado para describir la propagacin de una onda es el elipsoide de Fresnel. La densidad de energa asociada al campo elctrico viene dada por donde: (B.2.107) (B.2.105)
(B.2.108) Si en la ecuacin anterior prescindimos de factores dimensionales y ponemos Ex = X, Ey = Y y Ez = Z tendremos la ecuacin: (B.2.109) que referida a un sistema cartesiano X, Y, Z es una elipsoide. Como este elipsoide slo tiene en su ecuacin trminos de 2 grado, est referida a ejes con origen en su centro. Por tanto, mediante un simple giro del triedro de referencia podemos referirla a sus propios ejes de simetra X', Y' y Z', modificndose todos los coeficientes del primer miembro pero no el trmino independiente, con lo que la ecuacin tomar la forma: (B.2.110) donde X' Y' Z' representan las componentes de E respecto a estos nuevos ejes, y , y las componentes del tensor de constante dielctrica una vez diagonalizado. Las relaciones entre el desplazamiento elctrico D y el campo elctrico E en este sistema de referencia se simplifican, convirtindose en:
B.2-22
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DX' = xEX' DY' = yEY' DZ' = zEZ' Las constantes , y
(B.2.111)
se llaman constantes dielctricas principales. En las
direcciones de los ejes del elipsoide, que siempre existen fsicamente en cualquier punto del cristal, los vectores D y E son paralelos, como se deduce de la ecuacin anterior. Si, en el elipsoide anterior hacemos una reduccin de escala tomando como nueva , y anlogamente para las dems coordenadas, se obtiene un elipsoide homottico del anterior: (B.2.112) que se llama elipsoide de Fresnel, de semiejes Si ahora tenemos en cuenta la relacin , y . y en lugar de tomar las
coordenadas cartesianas en sustitucin de las componentes de E, se toman las de D teniendo en cuenta que E = []-1 D, siendo las componentes de []-1 las recprocas 1/x, 1/y, 1/z, con los correspondientes cambios de escala se llegara al elipsoide: (B.2.113) donde nrx, nry y nrz son los ndices de refraccin principales. Dicha elipsoide que tiene como semiejes los ndices de refraccin principales nxr, nry y nrz recibe el nombre de elipsoide de ndices. Tanto los experimentos como la teora (basada en las ecuaciones de Maxwell y en la discusin anterior) muestran que en un medio anistropo, a cada direccin de propagacin de una onda electromagntica plana corresponden dos posibles estados de polarizacin mutuamente perpendiculares, cada uno de los cuales se propaga con diferente velocidad. De este modo, cualquiera que sea el estado inicial de polarizacin, cuando una onda electromagntica penetra en una sustancia anistropa, se separa en dos ondas, polarizadas en direcciones perpendiculares y que se propagan con diferentes velocidades. No ocurre as en un material istropo en que podemos tener una polarizacin arbitraria en el plano perpendicular a la direccin de propagacin. A continuacin vamos a ver cmo se puede determinar la velocidad y estado de polarizacin de la luz propagndose en un cristal en una direccin determinada a partir del elipsoide de ndices. Para hacerlo se utiliza un mtodo geomtrico sugerido por el fsico francs Agustn Fresnel.
B.2-23
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Para calcular la polarizacin dibujamos un plano perpendicular a la direccin de propagacin k por el centro C del elipsoide de ndices. La interseccin del plano con el elipsoide es una elipse. Las direcciones de ejes principales de la elipse AA' y BB' determinan los planos de polarizacin de la onda para la direccin de propagacin dada siendo paralelas a las componentes Da y Db del vector de desplazamiento elctrico. Las longitudes de los semiejes de la elipse CA y CB dan los ndices de refraccin na y nb para cada polarizacin y, por tanto, la velocidad de la luz con ambas polarizaciones que ser c/na y c/nb. Si la luz se propaga a lo largo del eje x la luz estar polarizada a lo largo de los ejes y y z con velocidades c/nry y c/nrz.
(a)
Fig. B.2.12: (a) Construccin geomtrica para obtener la polarizacin de la onda. (b) Direcciones de polarizacin permitidas. Estas son paralelas a las componentes Da y Db del vector de desplazamiento elctrico.
Los medios istropos se caracterizan por el hecho de que los tres ndices principales de refraccin son iguales, es decir, nrx = nry = nrz. El elipsoide de ndices es una esfera y el ndice de refraccin es el mismo en todas las direcciones. Por consiguiente, no existe una direccin especial de polarizacin, ya que todas las intersecciones son circunferencias. Otro caso especial es aquel en que dos de los tres ndices de refraccin principales son iguales, por ejemplo nry = nrz nrx. La direccin que corresponde al ndice desigual nrx, se llama eje ptico; ste es un eje de simetra del cristal. Por esta razn estas sustancias se denominan cristales unixicos. Cuando nry = nrz < nrx, el cristal se llama positivo; cuando nry = nrz > nrx se llama negativo. El elipsoide de ndices de un cristal unixico es un elipsoide de B.2-24
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revolucin alrededor del eje ptico. Por las propiedades geomtricas de un elipsoide de revolucin sabemos que la interseccin con un plano que pasa por su centro C y es perpendicular a la direccin de propagacin k, es una elipse, uno de cuyos ejes (CO) es siempre igual a n = nry = nrz y est dirigido perpendicularmente a la direccin de propagacin y al eje ptico, mientras que el otro eje (CE) tiene una longitud ne que vara entre n y nrx y est en el plano determinado por la direccin de propagacin y el eje ptico. En este caso podemos definir dos ondas: ordinaria y extraordinaria.
Fig. B.2.13: Direcciones de polarizacin de los rayos ordinario y extraordinario en un cristal unixico para una direccin arbitraria de propagacin.
La onda ordinaria est polarizada linealmente en el plano determinado por CO y k y es por lo tanto perpendicular al plano determinado por la direccin de propagacin y el eje ptico. La onda ordinaria se propaga en todas las direcciones con la misma velocidad c/n. Por tanto, se comporta como una onda en un medio istropo siendo sta la razn de su denominacin. La onda extraordinaria est polarizada linealmente en el plano determinado por CE y k (lo que es lo mismo) por la direccin de propagacin y el eje ptico; pero su velocidad ve depende de la direccin de propagacin, variando entre c/n y vx = c/nrx (correspondientes a ndices de refraccin n y nrx respectivamente) al variar dicha direccin, mantenindose siempre en el plano perpendicular a sta. Cuando las ondas se propagan segn el eje ptico, la elipse de interseccin es una circunferencia de radio n y las dos ondas se propagan con la misma velocidad c/n. Esto puede considerarse como otra definicin de eje ptico; el eje ptico es la direccin segn la cual hay una sola velocidad de propagacin. Cuando las ondas se propagan perpendicularmente al eje ptico, la elipse de interseccin tiene por semiejes nrx y n y la onda extraordinaria tiene la velocidad vx.
B.2-25
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Fig. B.2.14: Direcciones de polarizacin de los rayos ordinario y extraordinario en un cristal unixico para una propagacin (a) paralela, (b) perpendicular al eje ptico,
Los componentes fotnicos sern en general materiales unixicos. Estos materiales son los ms utilizados para la modulacin de la luz. Si en un cristal unixico, la luz se propaga en una direccin diferente de la del eje ptico, se generar un desfase entre las dos polarizaciones debido a que la velocidad de propagacin es diferente. Este retraso se puede aprovechar para disear dispositivos que puedan modificar la polarizacin de la luz. Si adems podemos modificar el ndice de refraccin activamente entonces podremos modular la seal luminosa. Si tenemos una onda luminosa propagndose en una direccin k (dentro del plano x-y) y con una ngulo con el eje ptico (eje x) del material entonces las dos componentes del desplazamiento estarn alineadas a lo largo de los semiejes principales de la elipse de corte con el elipsoide de ndices del material. La onda polarizada en direccin z es la onda ordinaria y la onda polarizada perpendicularmente a ella es la extraordinaria. Se cumple que: (B.2.114) Si la onda se propaga a lo largo del eje x (eje ptico, = 0), ne() = n y si se propaga a lo largo del eje y, ne() = nrx.
Fig. B.2.15: Polarizacin de un haz ptico propagndose en direccin k y formando un ngulo con el eje ptico.
En el caso ms general de tres ndices de refraccin diferentes (nry nrz, nrx nrz y nrx nry), se puede probar que hay dos direcciones para las cuales las velocidades de B.2-26
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propagacin de dos ondas polarizadas son iguales. Estas direcciones, tambin llamadas ejes pticos, son perpendiculares a los planos cuyas intersecciones con el elipsoide de ndices son circunferencias. Las sustancias en las cuales estos ejes existen se llaman bixicas.
B.2.6.
Modulacin de la luz por control de la polarizacin
En optoelectrnica es de vital importancia el control de la intensidad de la luz. Estamos todos familiarizados con el uso de transparencias sobre las cuales es posible escribir. En aquellos sitios en que escribimos estamos modulando (o modificando) la intensidad de la luz que atraviesa la transparencia por lo que nuestra escritura puede ser vista como un sistema ptico sencillo. La necesidad de "transparencias programables" cae dentro del rea de la tecnologa de visualizacin. Las pantallas de cristal lquido (utilizadas por ejemplo en calculadoras) son dispositivos ya conocidos que funcionan como transparencias programables. Los moduladores de luz tambin se pueden utilizar para comunicaciones pticas y para comparar imgenes. Existen adems sugerencias para utilizar estos dispositivos para multiplicar matrices por matrices y matrices por vectores. La tcnica ms utilizada es la utilizacin conjunta de polarizadores con un dispositivo activo que modifica la polarizacin de la luz. Podemos por ejemplo colocar dos polarizadores a ambos lados de un elemento activo. Este elemento activo es un cristal (o cristal lquido) que tiene dos ndices de refraccin, nre y nr0, diferentes para las ondas ordinaria y extraordinaria. Adems mediante una perturbacin externa se puede modificar la diferencia entre nre y nr0. Esta alteracin puede producirse aplicando un campo elctrico externo y utilizando un efecto llamado efecto electro-ptico que ser tratado con posterioridad en este tema. Vamos a considerar primeramente el caso de un modulador electro-ptico basado en cristales tales como el niobato de litio. Ms adelante consideraremos el caso de un cristal lquido nemtico girado. Supongamos que entra luz linealmente polarizada en el cristal y que los ejes x e y son los ejes de polarizacin. En general las dos direcciones tienen ndices de refraccin diferente y por tanto se genera una diferencia de fase entre ambas polarizaciones. Supongamos que las dos seales de entrada vienen dadas por: (B.2.115)
(B.2.116)
Fig. B.2.16: Esquema de cmo el cambio en la polarizacin producido por un cristal puede modificar la intensidad de un haz luminoso.
B.2-27
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Despus de la transmisin a travs del modulador, la onda que emerge tendr una polarizacin general dada por (B.2.117)
(B.2.118) con una diferencia de fase dada por = 2 1. Si = 90, el haz de salida estar polarizado circularmente y si = 180 estar polarizado linealmente con un ngulo de 90 con respecto al haz de entrada. Si el haz de salida pasa entonces por un polarizador a 90 con respecto al polarizador de entrada, la relacin de modulacin vendr dada por (si suponemos que no hay prdidas por absorcin), (B.2.119) Por tanto si podemos controlar con un campo elctrico, podemos modular la intensidad. Propiedades de modulacin y polarizacin de un nemtico girado. Tal y como se estudio con anterioridad, el cristal lquido es un material que posee un orden de largo alcance a lo largo de alguna direccin. Adems, como el material est constituido por molculas con forma de barra o de disco, presenta una fuerte anisotropa entre nre y nr0. Tal y como se coment, en un cristal lquido nemtico, es posible introducir un giro en el orden en que las molculas estn alineadas utilizando dos placas transparentes previamente frotadas en una direccin determinada. Como consecuencia, el eje ptico del cristal lquido cambia de un punto a otro, cambiando tambin la direccin de las polarizaciones correspondientes a los rayos ordinario y extraordinario. Para describir como se propaga la luz (es decir, cmo cambia la polarizacin) a travs de un cristal nemtico girado se utiliza la llamada aproximacin adiabtica. Esta aproximacin supone que el giro se produce de forma suave. La aproximacin se puede suponer correcta ya que un giro de 90 se produce a lo largo de varias micras (distancia grande comparada con la longitud de onda) y por tanto la luz responde teniendo en cuenta los ndices de refraccin y los ejes de polarizacin locales. Por tanto la polarizacin de la luz va variando de forma suave conforme viaja a lo largo del cristal. A partir de la aproximacin adiabtica, podemos observar que existen dos causas del cambio en la polarizacin en un cristal lquido nemtico girado: i) como consecuencia de la diferencia entre nre y nr0, la diferencia de fase entre los dos rayos provoca un cambio de la polarizacin. Este efecto lo hemos descrito en el punto anterior y produce una modulacin de la luz descrita por la expresin que ya hemos visto; ii) adems, debido al giro en el cristal se produce una rotacin de la polarizacin. Es este ltimo efecto el que ms se aprovecha en dispositivos de cristal lquido.
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De acuerdo con la aproximacin adiabtica, si el ngulo de giro es de 90 (o 270) de la placa frotada superior a la inferior y si la luz incidente est polarizada como una de las dos ondas, la extraordinaria o la ordinaria, tendremos las siguientes posibilidades: i) ii) Si el polarizador de salida est en la misma direccin que el polarizador de entrada la intensidad de salida ser cero. Si el polarizador de salida est girado 90 con respecto al de entrada la luz atraviesa el sistema.
Fig. B.2.17: Esquema de un cristal lquido nemtico girado. Con la aproximacin adiabtica si el giro es suave la polarizacin de la luz simplemente sigue el giro.
Un estudio ms detallado para el caso ms general de que la luz no est polarizada como onda ordinaria o extraordinaria, si no como combinacin de ambas, da como resultado que la transmitancia viene dada por la siguiente expresin para un giro de 90,
(B.2.120) donde es la diferencia de fase producida debido a la diferencia entre los ndices de refraccin nre y nr0 y para un dispositivo de grosor d, (B.2.121) Si es mucho mayor que 180 entonces T tiende a cero. Ya vimos que en un cristal unixico el eje ptico es el eje a lo largo del cual se propaga la luz con la misma velocidad independientemente de la polarizacin. El visualizador de cristal lquido depende de la capacidad de variar el eje ptico (tambin conocido como el director del cristal lquido) por medio de una perturbacin externa (campo elctrico). Consideremos los siguientes casos: a) el eje ptico es paralelo al polarizador de entrada (el ndice de refraccin es nre para luz polarizada paralelamente al eje ptico). En este caso el valor de es mximo y la transmitancia T, para el caso que el polarizador de salida est en paralelo con el polarizador de entrada, es mnima; b) una perturbacin externa obliga al eje B.2-29
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ptico a orientarse a lo largo de la direccin de propagacin de forma que no hay retraso en la propagacin de la luz polarizada en diferentes direcciones. En este caso el cristal lquido es transparente, ya que la luz se propaga con su polarizacin inicial. Esto tambin se cumple para = 0 en la ecuacin anterior. Por tanto alterando el eje ptico podemos cambiar el dispositivo de opaco a transparente, lo cual es lo que se supone hacen los dispositivos visualizadores de cristal lquido.
Efecto electro-ptico en cristales. Acabamos de ver como dos polarizadores se pueden utilizar para bloquear o transmitir seales pticas. Esto es de suma importancia en dispositivos pticos inteligentes en los que se pueden cambiar sus propiedades pticas (ndice de refraccin) mediante un estmulo externo. En principio, una gran variedad de estmulos externos tales como campos elctricos, campos magnticos, presin etc., pueden modificar las propiedades pticas tales como el ndice de refraccin. Sin embargo, para aplicaciones pticas la que ms nos interesa es la utilizacin de campos elctricos.
Fig. B.2.18: Posibles disposiciones de polarizadores y un dispositivo para controlar la intensidad luminosa mediante la polarizacin.
La idea es colocar dos polarizadores cruzados o paralelos delante y detrs de un dispositivo fotnico. Con un campo elctrico podemos modificar el ndice de refraccin de nuestro componente (en realidad la diferencia de los ndices de refraccin nrenr0) y as cambiar la polarizacin de la luz que lo atraviesa. De esta manera controlamos la intensidad de la luz que atraviesa todo el sistema. El efecto del campo elctrico sobre las propiedades pticas depende de la simetra del cristal y si las molculas se pueden girar o no como en cristales lquidos. En cristales slidos los tomos de la estructura estn fijos y no se mueven fsicamente, pero la nube electrnica en la capa ms externa se distorsiona al aplicarle un
B.2-30
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campo elctrico externo. Esta distorsin se manifiesta como pequeos cambios de los ndices de refraccin.
B.2-31
B.8. Dispositivos para sistemas de comunicaciones pticas
B.8.1.
Introduccin
Hemos visto en los captulos anteriores todas las familias de dispositivos que conforman los componentes optoelectrnicos. La pregunta es si todos ellos son capaces de aportar una mejora sustancial a la era de las comunicaciones. Aunque los ordenadores pticos que realizan los clculos a velocidad de la luz no son realidad todava, s que existen muchas aplicaciones donde los componentes fotnicos han sobrepasado a los componentes electrnicos. Un ejemplo claro son las comunicaciones pticas. Las redes de comunicaciones pticas han sobrepasado a las redes electrnicas y se han establecido como redes de alto rendimiento. Aunque el uso de la luz para transmitir informacin comenz probablemente con el descubrimiento del fuego, en la edad moderna las comunicaciones pticas nacieron con el LED y el LD y la aparicin de fibras pticas de bajas prdidas. Siendo las fibras pticas elementos imprescindibles en las comunicaciones pticas se exige que los dispositivos que hacen uso de estas fibras sean completamente compatibles con ellas. Uno de los desarrollos ms grandes se est dando en los componentes pticos para aplicaciones de comunicaciones pticas va fibra ptica. Es en estas aplicaciones donde las exigencias a los componentes es ms grande. Despus de ver las caractersticas de LEDs, LDs y detectores pticos la pregunta clara es si de verdad se necesitan LDs de slo 3 de ancho de espectro y no es suficiente con un LED con un ancho de espectro de 200 a una longitud de onda de 8800 y con 100W para un sistema de transmisin a 1Gbps. Para responder a esta pregunta hay que conocer los fundamentos de los sistemas de comunicacin en general y de los sistemas de comunicaciones basados en fibra ptica en particular.
B.8.2.
El sistema de comunicacin ptica
Las comunicaciones pticas es el rea que ms est evolucionando en los ltimos tiempos y esto a pesar de que an no existen los componentes pticos que nos permitan explotar al mximo todas las posibilidades que nos ofrecen estas comunicaciones. En la actualidad slo se utiliza una pequea parte de la capacidad del sistema lo que sugiere que an nos queda un gran desarrollo por delante. Las principales ventajas de las comunicaciones pticas vienen de la fibra ptica y sus propiedades. La informacin se transmite a travs de una fibra ptica. Para ello se codifica la seal electrnica y se convierte en seal ptica, se inyecta en la fibra, se transmite, tal vez a cierta distancia se conmuta y/o se amplifica y finalmente se detecta y se demodula. En sistemas reales la seal ptica se atena y es pues necesaria su amplificacin (repetidores). Los circuitos para conmutar las seales y as dirigirlas de un canal a otro son B.8-1
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Tema B.8: Dispositivos para sistemas de comunicaciones pticas
dispositivos bastante complejos que incluyen detectores, LDs y electrnica digital para tomar decisiones. Estos dispositivos ya los hemos visto en el tema anterior.
Fig. B.8.1: Componentes de un sistema de comunicacin ptica.
El sistema ptico de comunicaciones es muy similar al electrnico (microondas). Las diferencias estn en la longitud de onda y el uso de fibra ptica en vez de cables metlicos. El uso de fibras tiene cuatro ventajas principales que son: i) menor necesidad de repetidores, ya que la atenuacin de una fibra es mucho menor que la de un cable; ii) se tiene una mucho mayor capacidad de informacin debido al uso de frecuencias pticas; iii) el sistema es de bajo coste y bajo peso y iv) los efectos de interferencias electromagnticas son mnimas. En la actualidad debido a las limitaciones de los componentes no se aprovecha todo el ancho de banda de la fibra ptica.
Fig. B.8.2: Comparacin de las capacidades de transmisin de los medios ms usados. Se muestran las capacidades aprovechadas y las disponibles. Tambin se muestran las velocidades de transmisin necesarias para algunos tipos de informacin. Adems la compresin de datos puede reducir mucho el ancho de banda necesario.
B.8-2
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B.8.3.
Contenido de informacin y capacidad de canal
En los sistemas de comunicacin ptica modernos, la informacin a enviar se codifica de forma digital. Es decir el pulso pasa de un estado alto a uno bajo. Una vez acabada la transmisin, se debe poder convertir la seal ptica para recuperar la seal original. La pregunta en este caso es: si una seal analgica tiene un contenido mximo de frecuencia fm, a qu frecuencia se debe muestrear para que la seal se reciba completamente a la salida? Segn el teorema del muestreo la seal debe muestrearse a una frecuencia el doble que la mxima frecuencia a transmitir para poder recuperar toda la seal original. Por tanto la frecuencia de transmisin depende de la frecuencia de la informacin a enviar. Una conversacin telefnica necesita una frecuencia de transmisin de 64kbps, mientras que una seal musical de alta fidelidad requiere 620kbps. Para un canal de televisin necesitamos ~75Mbps. La capacidad usual de un sistema de fibra ptica est por encima de los terabits (~10% de la frecuencia ptica), de forma que para mejorar el uso del sistema se multiplexan seales de mltiples fuentes antes de enviarse.
Fig. B.8.3: Multiplexacin realizada para aprovechar la gran capacidad de un canal de transmisin de informacin. En la actualidad no se puede realizar una multiplexacin en frecuencia o longitud de onda en sistemas pticos, por lo que no se aprovecha todo el potencial de la fibra ptica. La multiplexacin se hace en serie.
En la actualidad no existen circuitos pticos prcticos que utilicen multiplexacin por divisin de frecuencia (FDM) en la cual se usan unos cuantos canales de frecuencia como frecuencias portadoras y se codifica la informacin sobre estas frecuencias. Este sera el sistema ptimo pero en la actualidad es difcil desarrollar sistemas de deteccin que realicen una deteccin "coherente" para que se decodifique de forma selectiva la informacin sobre las frecuencias portadoras. Las investigaciones se dirigen hacia fuentes de lseres con estrechos y estables anchos de banda con el deseo de obtener sistemas pticos coherentes, sistemas que permitan detectar la fase o la frecuencia de una seal. B.8-3
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Otra posible multiplexacin es la multiplexacin de divisin de longitud de onda (WDM) donde las fuentes emiten la informacin codificada en diferentes "colores" o "longitudes de onda" luminosas. Estos colores pueden viajar por la fibra ptica sin interferirse. En la actualidad este esquema est investigndose, habiendo muchos retos en lo que se refiere a fuentes pticas sintonizables de confianza que sean capaces de emitir a diferentes longitudes de onda prximas en el espectro. Debido a la falta de dispositivos que puedan emplearse en los esquemas FDM o WDM, las posibilidades de la fibra ptica de transmitir seales en paralelo no se aprovechan completamente. Por ello en la actualidad la informacin capaz de ser transmitida por las fibras pticas no supera a la de las microondas. Las ventajas son slo debido a coste, fiabilidad y reduccin de tamao. En la actualidad se utiliza la multiplexacin por divisin temporal (TDM) donde la informacin se manda en serie durante diferentes intervalos de tiempo. Esta multiplexacin no aprovecha completamente la capacidad de la fibra ptica. Volvemos por tanto al problema de que las exigencias planteadas sobre los componentes fotnicos vienen de la capacidad de las fibras pticas.
B.8.4.
Tcnicas de modulacin y deteccin
Los detectores optoelectrnicos se utilizan para mltiples aplicaciones, siendo una de las ms importantes dentro del rea de las comunicaciones. Ya hemos dicho que la informacin que va a ser transmitida, se codifica en el haz de luz portador (un haz ptico para comunicaciones), el cual luego es transmitido por un medio apropiado. El sistema detector es el responsable de la decodificacin de la informacin enviada y su diseo y funcionamiento est ntimamente ligado al sistema de codificacin empleado. Debido a las limitaciones de los componentes semiconductores en la actualidad no se pueden utilizar todos los sistemas de codificacin existentes. Vamos a analizar los sistemas de codificacin ms importantes ya que tarde o temprano se utilizarn todos ellos para la transmisin de informacin. El rayo de luz que "lleva" la informacin se caracteriza por su amplitud, frecuencia o longitud de onda y fase as como su intensidad (que viene determinada por su amplitud). Podemos modular todas estas magnitudes para codificar la informacin.
B.8.4.1.
Modulacin de amplitud
La modulacin de la amplitud (AM) es una de las tcnicas ms utilizadas para transmitir informacin va microondas. El campo de la onda portadora es representado por Fc = Fco sinct y el de la seal moduladora Fm = Fmo sinmt (B.8.2) (B.8.1)
B.8-4
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En la modulacin de amplitud, la amplitud mxima Fco de la onda portadora es proporcional al campo modulador instantneo Fmo sinmt. Se define el ndice de modulacin como, (B.8.3) La amplitud modulada de la seal portadora ser, A = Fco + Fm = Fco + Fmo sinmt = Fco + mFco sinmt = Fco(1 + m sinmt) El campo asociado a la portadora modulada es entonces, F = A sinct = Fco(1 + m sinmt) sinct = (B.8.5) (B.8.4)
La portadora de amplitud modulada contiene tres trminos: i) el trmino correspondiente a la portadora no modulada; ii) la banda lateral superior (USB) con frecuencia c + m; iii) la banda lateral inferior (LSB) con frecuencia c m.
Fig. B.8.4: Amplitud de una onda portadora modulada en amplitud y sus componentes frecuenciales.
Hay que tener en cuenta que las frecuencias portadoras pticas estn en el rango de 1014Hz y 1015Hz mientras que las frecuencias moduladoras son del orden de 1010Hz debido a que estn limitadas por la electrnica y los transmisores pticos (lseres). Para decodificar esta informacin debemos ser capaces de construir un sistema de deteccin que pueda aislar B.8-5
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las bandas laterales (USB o LSB). Esto no es fcil en el rgimen de seales luminosas aunque se haga continuamente con seales de radio.
B.8.4.2.
Modulacin de frecuencia
Otra tcnica de modulacin muy utilizada en transmisin de seales es la modulacin de frecuencia (FM). Como su nombre indica en este procedimiento se modula la frecuencia de la seal portadora. De nuevo, el campo de la portadora no modulada puede escribirse como, Fc = Fco sin(ct + ) Donde el desfase es para tener un caso ms general. Si la seal moduladora es, Fm = Fmo cosmt (B.8.7) (B.8.6)
donde hemos elegido un trmino coseno por simplicidad, la frecuencia de la seal modulada ser, f = fc (1 + k Fmo sinmt) (B.8.8)
donde k es la constante de proporcionalidad, que depende de cmo se realiza la modulacin. Las frecuencias extremas son, f = fc (1 k Fmo) (B.8.9)
Como resultado, la seal no solo tiene la frecuencia de la portadora c si no tambin otros trminos de frecuencia. La seal de FM requiere una mayor anchura de espectro para la transmisin. Esta necesidad de un mayor ancho de banda se compensa con un menor ruido posible en sistemas de deteccin de FM. La modulacin de fase o PM est intimamente relacionada con la modulacin FM, salvo que ahora la seal moduladora modula la fase de la seal portadora. Hasta ahora hemos visto tcnicas de modulacin pero de seales analgicas. En la actualidad se utilizan cada vez ms codificaciones digitales. En estos casos las magnitudes amplitud, frecuencia o fase se modulan no de forma continua si entre dos estados que se corresponden con el bit 0 y 1. Estas modulaciones se llaman entonces ASK, FSK y PSK ("amplitud-, frequency-, phase shift keying"). Para utilizar estas tcnicas los transmisores pticos deben ser muy estables en amplitud, frecuencia y fase. Adems de existir estas premisas para la fuente el detector tambin debe ser muy preciso. El trmino deteccin "coherente" es empleado para seales codificadas AM o FM debido a la necesidad de tener fuentes y sistemas de deteccin de frecuencia (fase) estables. Estas tcnicas parecen muy prometedoras por el bajo ruido introducido y por la posibilidad de poder multiplexar por divisin de frecuencia y obtener un gran ancho de banda. De todos modos estas tcnicas coherentes de modulacin no son muy utilizadas por su alto coste debido principalmente a no disponer de componentes fotnicos con calidad necesaria. Se compara a veces el estado de estos sistemas con el de la radio antes de 1930. B.8-6
CEF
B.8.4.3.
Modulacin de intensidad
Como ya hemos visto los dispositivos existentes en la actualidad no estn todava preparados para las tcnicas de modulacin que acabamos de describir. Por ello la tcnica ms utilizada es la modulacin de intensidad (IM). En esta tcnica se modula la potencia ptica de una fuente para enviar una seal. La seal se detecta entonces directamente. Pero existen dos desventajas en la modulacin de intensidad que son los niveles de ruido que se producen y el desaprovechamiento del ancho de banda disponible del sistema.
B.8.5.
Propiedades de las fibras pticas
La motivacin de las comunicaciones pticas viene de las grandes ventajas existentes en el uso de fibra ptica frente a cables metlicos. Las fuentes de luz ms utilizadas son LDs y LEDs tenindose que acoplar su luz a la fibra ptica en la mayora de las aplicaciones. En un tema anterior ya vimos algunas de las caractersticas ms importantes de la fibra ptica como el ngulo de entrada, la apertura numrica, los modos, etc. A continuacin vamos a ver otras caractersticas muy importantes de las fibras.
B.8.5.1.
Prdidas de la fibra
En una fibra ideal, las ondas pticas se propagan por el ncleo de la fibra cubierto por el recubrimiento sin prdidas. Pero en fibras reales existen prdidas de varios orgenes. i) Prdidas por absorcin: La luz puede excitar ciertas transiciones en el material que compone la fibra. Las prdidas de absorcin son eL donde es el coeficiente de absorcin y L es el camino ptico. El valor de suele ser de 0,02km1. Las prdidas de absorcin son muy importantes ya que determinan qu distancia puede recorrer la seal ptica antes de que deba ser regenerada por un repetidor. En la siguiente figura se muestra la dependencia de las prdidas con la longitud de onda en fibras de silicio.
Fig. B.8.5: Atenuacin en fibras pticas en funcin de la longitud de onda. Las longitudes de onda ms apropiadas son 1,3m y 1,55m. Las prdidas se reducen cada vez ms con el avance de la tcnica.
B.8-7
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ii)
Prdidas por dispersin (scattering): Estas prdidas son debidas principalmente a irregularidades en la fibra que se producen durante el proceso de fabricacin. La mejora de las tcnicas reduce tales prdidas. Prdidas por doblamiento: Si se dobla la fibra demasiado (circunferencias de radio de varios milmetros), la luz no puede seguir el camino marcado por el interior de la fibra y parte no se reflejar si no que se refractar, perdindose esa luz.
iii)
Ms adelante analizaremos las consecuencias de estas atenuaciones.
B.8.5.2.
Dispersin multi-camino o modal
La dispersin multi-camino (modal) en fibras pticas es muy importante, especialmente en fibras de ncleo ancho. Este problema es debido al hecho de que un haz ptico tiene varios caminos para recorrer una determinada distancia L por el interior de la fibra. Supongamos que inciden en una fibra seales luminosas con ngulos entre = 0 (rayo axial) y = A (rayo extremo). Los dos caminos estn definidos por el rayo axial y el rayo oblicuo que entra con un ngulo 1c.
Fig. B.8.6: Esquema empleado para la explicacin de la dispersin modal en una fibra ptica.
Los rayos viajan a una velocidad v igual a, (B.8.10) y por tanto el rayo axial tarda un tiempo ta en realizar su recorrido a travs de la fibra ptica de longitud L, (B.8.11) El rayo extremo, sin embargo, debe recorrer una distancia mayor que viene dada por L/sin1c. El tiempo que tarda es, (B.8.12) Por tanto si una fuente inyecta ambos rayos existir una diferencia temporal hasta que aparezca el rayo extremo comparado con el rayo axial. B.8-8
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(B.8.13) donde nr = (nr1 nr2). La dispersin multi-camino o modal se suele dar en funcin de la dispersin temporal por unidad de longitud, (B.8.14)
Fig. B.8.7: Dispersin de un pulso debido a los retrasos multi-camino en una fibra ptica. Esta dispersin limita el mximo ancho de banda para la transmisin en serie para una distancia determinada.
Esto se traduce que un pulso de entrada se deforma debido a esta dispersin y emerge con una anchura tmodal. Esta dispersin est muy relacionada con el ancho de banda de la fibra para una distancia determinada. Una buena aproximacin de la limitacin del ancho de banda (BWmodal) para la dispersin multi-camino o modal es, (B.8.15) El producto de ancho de banda - distancia vale entonces, (B.8.16) Para un alto producto ancho de banda - distancia, el valor de nr debe ser pequeo. Como la apertura numrica es proporcional a nr, esto significa que para la transmisin a altas frecuencias, la apertura numrica debe ser pequea. Pero no hay que olvidar que si reducimos tmodal reduciendo la apertura numrica esto puede tener efectos negativos en el acoplamiento del rayo de luz a la fibra, especialmente si el rayo de luz no est muy colimado (caso de un LED). Por tanto, para recoger suficiente luz necesitamos una fibra ptica con una apertura numrica grande, pero esto reduce el producto ancho de banda - distancia. Con fuentes lser podemos generar rayos muy colimados y utilizar as fibras con un gran producto ancho de banda - distancia. B.8-9
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Para mejorar el producto ancho de banda - distancia de una fibra se pueden tomar algunas medidas especiales. La primera es el empleo de fibras con un cambio de ndice de refraccin gradual. Esta graduacin permite obtener productos ancho de banda - distancia mucho mayores comparados con las fibras de ndices con cambio escaln. Una fibra que est tomando cada vez ms importancia es la fibra monomodo. Cuando el dimetro de la fibra empieza a ser comparable a la longitud de onda de la luz, ya no podemos aplicar la ptica geomtrica para estudiar estas fibras y hay que recurrir a las ecuaciones de Maxwell. Cuando las dimensiones de la fibra se reducen lo suficiente llegar un momento en el que slo se podr propagar un modo por la fibra ptica. Las fibras que tienen estas caractersticas se llaman fibras monomodo. La condicin para una fibra con un cambio de ndice escaln y un radio de ncleo a sea una fibra monomodo es, (B.8.17) Si se elige un ncleo con el dimetro lo suficientemente pequeo podemos fabricar una fibra monomodo. El dimetro del recubrimiento se sigue manteniendo entre 60m y 100m para preservar la rigidez de la fibra. Como slo viajar un modo por la fibra no existir dispersin multi-camino.
B.8.5.3.
Dispersin por el material
A parte del problema que acabamos de describir existe otra limitacin en la capacidad de la fibra debido a la dispersin del propio material de la fibra. Esta dispersin surge de la variacin del ndice de refraccin de la fibra ptica con la longitud de onda. Debido a esta variacin, radiaciones de diferente longitud de onda recorren diferentes caminos pticos y por tanto aparecen retrasos. Obviamente esta dispersin no aparecer si tenemos una sola longitud de onda. Pero an las fuentes de luz ms puras tienen un espectro de emisin. En un material donde el ndice de refraccin depende de la longitud de onda podemos definir la velocidad de fase, vp, que define el cambio de fase de una seal y la velocidad de grupo, vg, que define la velocidad de transferencia de energa por parte de la seal. Ambas valen, (B.8.18) y (B.8.19) Si el material no tiene dispersin, la velocidad de grupo y la de fase son la misma. Tambin se definen el ndice de refraccin ordinario, nr, para la velocidad de fase y el ndice de refraccin de grupo, ng. Se relacionan con las velocidades respectivas de la forma,
B.8-10
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(B.8.20) y (B.8.21) En general nr y ng son funcin de la longitud de onda . Podemos escribir, (B.8.22) Tambin tenemos que
Como, para una longitud de onda en el espacio libre (B.8.23) podemos obtener a partir de las ecuaciones anteriores, (B.8.24) lo que da una velocidad de grupo igual a, (B.8.25)
Un impulso de luz a una fija recorre una distancia L de la fibra durante un tiempo, (B.8.26) Si la seal ptica del impulso luminoso tiene un espectro finito de longitudes de onda aparecer un ensanchamiento temporal debido a los diferentes intervalos de tiempo que necesitan las diferentes longitudes de onda para atravesar la fibra. Si es el espectro de longitudes de onda, el ensanchamiento temporal ser (haciendo la derivada), (B.8.27)
B.8-11
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Una caracterstica importante de una seal ptica es la anchura espectral de longitudes de onda en la que se encuentra el 50% o ms de la potencia de la seal luminosa. Se define la anchura espectral relativa de la fuente como, (B.8.28) Un impulso, despus de viajar una distancia L a travs de la fibra tendr una dispersin temporal de potencia mitad (tmaterial) igual a, (B.8.29) Un parmetro muy importante es la dispersin temporal por unidad de longitud, (B.8.30) donde Ym es la dispersin del material (B.8.31) Podemos definir aproximadamente por 1/4tmaterial el ancho de banda de la seal que puede transmitir un sistema de fibra a lo largo de una distancia L. La relacin exacta depende del perfil espectral de la luz de salida. En ese caso tenemos,
(B.8.32) Esta relacin destaca la importancia de la calidad de la fuente ptica y la dispersin en la fibra en la determinacin de la capacidad del canal y la distancia hasta donde la seal se puede transmitir. Una pequea dispersin en el espectro de la fuente ptica es crtica y es la razn del uso de LDs en vez de LEDs en sistemas de comunicaciones pticas de alta calidad. Los valores tpicos para este tipo de dispersin en fibras de silicio se muestran en la siguiente figura ( los valores mostrados en la figura no son para Ym, para ello se habr de multiplicar el valor obtenido por c)
B.8-12
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Fig. B.8.8: Curva de dispersin tpica para una fibra de silicio. La dispersin se anula en 1,3m. Recordar que segn Fig. B.8.5 la atenuacin ms baja en la fibra de silicio es para 1,55m, aunque no es demasiado alta en 1,3m.
Es interesante comparar la capacidad de un sistema fibra-fuente a una longitud de onda sin dispersin frente al caso de la longitud de onda de mnima atenuacin (es decir, 1,3m frente a 1,55m). La seal se puede enviar ms lejos a 1,55m, pero el ancho de banda de transmisin no es tan grande como a 1,3m. El sistema ptimo debe considerar adems las propiedades del detector y la dispersin modal de la fibra. En esta seccin y en la anterior hemos examinado dos importantes limitaciones para la capacidad de transmisin de la fibra, que son la dispersin modal y la dispersin del material. En general, ambas limitaciones estarn presentes en una fibra. Se define entonces un factor de ensanchamiento ttot que, aunque para su correcta definicin necesita tener en cuenta el perfil del pulso ptico, se puede aproximar por, (B.8.33) donde ttot es la anchura total del pulso, tin la anchura inicial antes de entrar en la fibra, tmodal la anchura debida a la dispersin multi-camino o modal y tmaterial la anchura debida a la dispersin del material. En fibras monomodo, tmodal = 0.
B.8.5.4.
Atenuacin de la seal y requisitos del detector
Una consideracin muy importante es la atenuacin que sufre la luz al viajar por la fibra. La primera propuesta de utilizar fibras como guas de onda se debe a Kao y Hockham que calcularon que, para que la fibra fuese competitiva, la atenuacin deba ser menor de 20dB/km. La atenuacin en dB/km viene dada por,
B.8-13
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(B.8.34) donde Pi es la potencia ptica inicial y Pf la potencia emergente despus de viajar una distancia L (en km). Obsrvese que el coeficiente de absorcin tambin define la relacin entre la potencia de entrada y la de salida, (B.8.35) As, una atenuacin de 20dB/km se corresponde a un coeficiente de absorcin de 4,6km . Las fibras pticas modernas tienen una atenuacin menor de 0,2dB/km a ciertas longitudes de onda. Algunas fibras de atenuaciones mayores se siguen utilizando en aplicaciones especiales debido a que pueden emplearse en medios hostiles, como por ejemplo bajo altas dosis de radiacin. Bajo altas radiaciones algunas fibras se degradan ms que otras.
1
La atenuacin en la fibra se debe a varios procesos de dispersin de la luz al viajar por la fibra. Las mejoras de las fibras han venido con una mejor comprensin del proceso de absorcin. Todas las fibras tienen mnimos en sus curvas de atenuacin a longitudes de onda determinadas. La seleccin de la fuente ptica y el sistema de deteccin se ver muy influida por estas longitudes de onda. Las fibras ms conocidas, las de silicio, tienen un mnimo en 1,55m y otro relativo en 1,3m. La seleccin de la longitud de onda est condicionada por la dispersin de la fibra, atenuacin, pureza espectral de la fuente as como los requisitos impuestos al sistema. As para un sistema de red de rea local (LAN), se puede escoger una fuente de GaAs ( 0,88m) gracias a los avanzados componentes existentes de este material. Pero para largas distancias, la dispersin y la atenuacin son mucho ms importantes.
B.8.5.5.
Amplificadores de fibra
Hemos visto como una seal ptica se degrada al viajar por una fibra ptica. Sera deseable, pues que existiese una fibra ptica con ganancia positiva que amplificase la luz conforme viaja por ella. Estas fibras se llaman amplificadores de fibra, siendo el ms importante el amplificador de fibra dopado de erbio. La fsica de los amplificadores de fibra es similar a la de los lseres de semiconductor. En el amplificador de fibra dopado de erbio (EDFA), se insertan iones de erbio en el ncleo de la fibra durante el proceso de fabricacin. Estos iones tiene asociados niveles energticos a diferentes longitudes de onda. Los niveles que se aprovechan son el 4l15/2 y el 4l13/2. Los portadores se excitan mediante un lser semiconductor de 1,48m por medio de bombeo ptico (inyeccin de fotones). Los portadores que se relajan pueden producir emisin y ganancia en un amplio espectro que va desde 1,5m a 1,56m. El uso de iones de otras tierras raras puede dar lugar a amplificadores para otras regiones espectrales. El desarrollo de EDFAs ha revolucionado los sistemas de comunicacin ptica. Las prdidas de la seal ptica cuando esta viaja pueden ser compensadas mediante estos
B.8-14
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amplificadores de fibra, eliminando por tanto la necesidad de convertir a seales elctricas y luego reconvertir a seales pticas.
Fig. B.8.9: El diagrama de energa de los iones de erbio en fibras de silicio. La ganancia se consigue por bombeo ptico de forma que electrones del nivel 4l15/2 pasan al 4l13/2.
B.8.6.
Resumen de los requisitos de los dispositivos
Las comunicaciones pticas presentan una serie de requisitos sobre los componentes fotnicos, tales como fuentes de luz, detectores, conmutadores, etc. Acabamos de ver alguno de estos requisitos y aunque muchos ya son cumplidos en parte por los componentes existentes en la actualidad an quedan muchos requisitos por cumplirse. Fuentes de luz: Las fuentes pticas todava no estn lo suficientemente desarrolladas como para que su fase y frecuencia sean lo suficientemente estables, para ser utilizadas en deteccin coherente. La deteccin coherente se basa en el mantenimiento de la fase de una seal a lo largo de un periodo de tiempo. Debido a esta falta de coherencia de fase (y frecuencia) las seales pticas no pueden aprovechar el tremendo potencial existente de mandar billones de seales pticas en paralelo por una nica fibra. El siguiente requisito sobre las fuentes es la emisin estable a una longitud de onda con una muy pequea anchura espectral. Este requisito, an no necesitando de gran coherencia es difcil de cumplir por los lseres modernos. La anchura espectral de los lseres es relativamente grande y su estabilidad no es muy satisfactoria. Por supuesto, se estn realizando avances en este tema y en la actualidad ya se pueden enviar hasta 20 seales pticas ("colores") en paralelo por una fibra. Las fuentes pticas de la actualidad se utilizan comercialmente para aplicaciones donde slo se enva una seal por la fibra. Para este tipo de aplicaciones, la pureza espectral B.8-15
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del LED ya es suficiente nicamente para una LAN. Para comunicaciones a gran distancia, ya se necesitan diodos lser y preferentemente diodos lser de DFB. Hasta ahora no se ha aprovechado la posibilidad de transmisin en paralelo de las fibras pticas. La transmisin de datos se puede acelerar slo por medio de fuentes ms rpidas. Las velocidades de modulacin del LED en la actualidad son menores de 5GHz (con pocas posibilidades de mayores mejoras) mientras que los diodos lser operan por debajo de los 30GHz. No es de esperar que los diodos lser alcancen los tiempos de respuesta que ya es posible alcanzar en dispositivos electrnicos (ms de 300GHz). Por tanto, est claro que el futuro de las comunicaciones pticas est ntimamente ligado a fuentes de lseres muy estables y sintonizables que puedan ser utilizadas en aplicaciones WDM y FDM. Detectores: Los detectores actuales no son capaces de detectar longitud de onda o frecuencia de forma selectiva. Por tanto, an si tuvisemos fuentes que pudiesen emitir a diferentes longitudes de ondas muy prximas, los detectores no seran capaces de distinguir estas seales. Sin embargo, los detectores son bastante adecuados y estn muy bien desarrollados para las aplicaciones de transmisin de una nica seal. Mediante el empleo de heteroestructuras y aleaciones, es posible cubrir bastante bien todas las longitudes de onda importantes en deteccin, los 0,88m de las LAN, los 1,3m y 1,55m para aplicaciones de larga distancia. Componentes fotnicos inteligentes: Los repetidores, conmutadores y guiadores ocupan un lugar muy importante en las comunicaciones pticas. Los repetidores se forman de dispositivos capaces de regenerar la seal cuando sta se degrada cayendo a un valor bajo. La mayora de los repetidores convierten la seal ptica en electrnica, la amplifican y la utilizan para excitar diodos lser volvindola por tanto a convertir en luz. Un avance muy importante se est haciendo con los "amplificadores pticos", de forma especial en los ya comentados con anterioridad amplificadores de fibra. Los conmutadores y guiadores son elementos crticos en un sistema de comunicacin. La mayora de ellos utilizan o componentes electrnicos o materiales de LiNbO3. Aunque se estn haciendo avances con el empleo como conmutadores de dispositivos basados en pozos cunticos. Vemos pues que an queda un gran camino por recorrer por los componentes fotnicos lo que convierte esta rea en un rea en pleno desarrollo.
B.8.7.
Dispositivos avanzados: circuito integrados optoelectrnicos (OEICs)
La gran ventaja de integrar muchos componentes electrnicos en un mismo chip hace buscar la misma integracin para componentes fotnicos incluyendo incluso componentes electrnicos. Los OEICs no parecen ser algo fcil de conseguir. La integracin de transistores, resistencias y capacidades no era difcil debido a la compatibilidad en el proceso de fabricacin. Sin embargo, la integracin del lser con su circuito de excitacin (con un transistor FET o bipolar) o de un fotodetector con un amplificador tiene el problema de las incompatibilidades inherentes en estos dispositivos. Para el ejemplo del diodo lser, ste requiere una estructura p-i-n muy diferente de la estructura de cualquier transistor. Esta incompatibilidad necesita que si adems se debe mantener un perfil bajo (estructura planar), B.8-16
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se deben hacer profundos atacados con cido y repetir crecimientos. La tcnica de crecimiento est todava en su infancia por lo que no est muy desarrollada. Adems, cuando un material es atacado con cido, quedan defectos sobre la superficie de forma, despus del recrecimiento, se tienen estados energticos en la banda prohibida que pueden "atrapar" electrones. Se est realizando un gran esfuerzo en tecnologa OEIC para obtener atacados menos dainos y mejorar las tcnicas de recrecimiento. Si se quiere evitar el empleo de las tcnicas de recrecimiento, se pueden integrar los dispositivos a diferentes niveles (es decir, a diferentes alturas respecto de la oblea). Esto, aunque sin embargo no es ptimo por el tamao considerablemente mayor, proporciona circuitos con los que se puede trabajar. Casi todos los dispositivos tanto electrnicos como fotnicos han sido integrados, y resultados recientes indican niveles de funcionamiento que se aproximan a los de las tecnologas hbridas. Por supuesto, se espera que este progreso continue, que los OEICs alcancen mejores prestaciones y ciertamente una mejor fiabilidad que los circuitos hbridos. Los avances en tecnologa OEIC son fundamentales para el avance de la optoelectrnica.
B.8.8.
Ejemplo de un sistema de transmisin de datos por fibra ptica
Vamos a disear un sistema de transmisin de datos digitales muy sencillo para mostrar los principios a tener en cuenta. Existen otras consideraciones tales como mtodos de modulacin, mtodos de deteccin, y consideraciones de ruido que sin embargo no vamos a tener en cuenta y que s debern serlo en diseos ms avanzados. Hay que tener en cuenta tres factores: el ancho de banda, los niveles de potencia, y el error permitido. Desafortunadamente, los parmetros que influyen en uno de estos factores tambin influyen en los dems. Al estar interrelacionados los parmetros una solucin ptima para uno de ellos puede no serlo para otro. Hay que buscar un compromiso. Vamos a conectar dos ordenadores a una distancia de 10km. La velocidad de transmisin en baudios (Bd), que es el mayor nmero de unos o ceros que el sistema puede transmitir en un segundo, es de 30Mb/s. El error permitido (bit error rate, BER) es de 1012. Este ltimo trmino ser explicado ms adelante. Debemos elegir la fibra, la fuente y el detector y calcular los niveles de potencia y los errores que se esperan. Lo primero es elegir los componentes y a continuacin considerar los tiempos de subida y los consumos de potencia de todos ellos para poder evaluar la calidad de la conexin. La especificacin de ancho de banda depende del mtodo empleado para la modulacin de pulsos. En todos los mtodos la transmisin digital de informacin es gobernada por la seal de reloj, observar la siguiente figura (a). El mtodo ms sencillo (b) de representacin es el formato NRZ (non-return-to-zero) en que un nivel lgico "1" es un impulso de una determinada amplitud A y duracin y el nivel lgico "0" es representado por 0V durante un intervalo de tiempo de la misma duracin . Este cdigo tan sencillo parece muy natural y conveniente pero tiene una pobre capacidad de transmisin y, adems, presenta una componente dc que no contiene informacin y que hace que tanto el emisor como el receptor consuman ms potencia elctrica que la que deberan consumir.
B.8-17
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Otro cdigo empleado es el cdigo Manchester (c). En ste un nivel lgico "1" es representado por la transicin de una seal elctrica desde un nivel positivo A/2 a uno negativo -A/2 y el nivel lgico "0" es representado por la transicin opuesta. Este cdigo no presenta componente dc, pero tiene el inconveniente de que necesita dos veces el ancho de banda que requiere el NRZ para la transmisin. Otro cdigo es el RZ (return-to-zero) en que un nivel lgico "1" es un impulso de amplitud A y duracin /2 mientras que el nivel lgico "0" es representado por una seal cero. Los sistemas de comunicaciones basados en fibra ptica emplean principalmente el cdigo NRZ.
Fig. B.8.10: Cdigos empleados para la transmisin de datos: (a) Seal de reloj. (b) Cdigo NRZ. (c) Cdigo Manchester. (d) Cdigo RZ.
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Si suponemos por tanto que el cdigo empleado es el NRZ, entonces la duracin del pulso y el periodo de repeticin ser: T = 1/(frecuencia de pulsos); en nuestro caso 1/30 x 106 = 33,3ns. Para detectar este pulso el tiempo de subida debe ser como mximo el 70% de la anchura del pulso, por tanto 33,3 x 0,7 = 23,3ns, por lo que el tiempo total de subida debe ser s<23,2ns y es la suma de, (B.8.36) Los componentes sern: Emisor LED 820nm de GaAsAl; acopla 12W o 19dBm a una fibra de 50m de dimetro de ncleo. Los tiempos de subida y bajada son 11ns. Fibra: Cambio de ndice escaln con un dimetro del ncleo de 50m de fibra de vidrio; NA = 0,24; atenuacin de 5,0dB/km; dispersin 1,0ns/km Detector: Fotodiodo PIN, RE = 0,38A/W; NA = 0,40; capacidad de difusin CD = 1,5pF; tiempo de subida tR = 3,5ns, corriente de oscuridad iDD = 10pA. Fuente: El tiempo de subida total ser por tanto: tiempo total de subida (s) tiempo de subida de la fuente (fuente) tiempo de subida de la fibra (fibra) tiempo restante para el detector 23,3ns 11,0ns 10 x 1 = 10ns = 17,9ns Ahora podemos calcular la resistencia de carga del fotodiodo y para ello debemos conocer la constante de tiempo, c=RLCD,
y de aqu,
El consumo de potencia tiene en cuenta la potencia de la fuente y las prdidas en la transmisin de datos. Supongamos que tenemos cuatro conectores con 1dB de prdidas por conector, Potencia inyectada en la fibra Prdidas del sistema: Atenuacin en la fibra: 4 conectores a 1 dB: Total: Potencia disponible en el detector: 19dBm 5,0dB/km x 10km = 50.0 dB 4 x 1dB = 4dB 54dB 73dBm
La potencia luminosa disponible para el detector es,
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Ps = 1,00mW x 107,3 = 50,1pW y con la capacidad de respuesta, RE, del fotodiodo PIN obtenemos, iD = Ps RE = 0,38 x 50,1 x 1012 = 19,0pA y la tensin de salida del fotodiodo ser, VL = iD RL = 19,0 x 1012 5,32 x 103 = 101,1nV y la potencia de salida ser, PL = iD VL = 19,0 x 1012 101,1 x 109 = 1,93 x 1018W = 0,002fW Para determinar la calidad del sistema tenemos que realizar el anlisis de fallos donde se compara la salida del detector con el ruido del sistema. Siempre habr ruido presente a la salida del detector y debemos ser capaces de discernir la seal que nos interesa del ruido. En sistemas digitales tendremos un nivel de decisin por encima del cual diremos que hay estado alto y por debajo estado bajo. El ruido no solo es aleatorio si no que adems puede generar picos que pueden llevar al sistema a confundir un estado alto con una bajo y a la inversa. Si conocemos la amplitud del ruido y la de la seal podemos calcular la probabilidad de la ocurrencia de errores. El resultado es la repeticin de bits errneos (BER) y es siempre una fraccin. Un BER = 0,01 significa que de cada 100 bits transmitidos hay uno errneo. Cuanto menor sea el BER, mejor. Un BER de 109 es aceptable para un sistema de telecomunicaciones y 1012 para transmisin de datos entre ordenadores.
Fig. B.8.11: Error de un bit producido por el ruido aleatorio.
En nuestro caso transmitimos 30 x 106 bits por segundo, por lo que los errores probables ocurrirn cada 109/30 x 106 = 33,3s para un BER de 109. Esto es un tiempo corto pero no significa que slo se puedan mandar mensajes de duracin menor de 33,3s. Todos los sistemas digitales tienen mtodos de chequeo de errores (chequeo de paridad por ejemplo) que detectan los errores y retransmiten la seal. Un sistema con un alto BER ser por tanto menos eficiente. Las principales fuentes de ruido en sistemas de fibra ptica son el ruido trmico y el ruido "shot". Las ecuaciones que nos permiten cuantificarlos son las siguientes: (B.8.37)
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(B.8.38) donde iTrms es el valor RMS de la corriente de ruido trmico, iSrms es el valor RMS de la corriente de ruido "shot", kB es la constante de Boltzmann, T la temperatura absoluta, RL la resistencia de carga, f el ancho de banda del sistema, e la carga del electrn, iD la corriente de seal por el diodo, iDD la corriente de oscuridad. En nuestro caso, T = 300K, f = 0,35/ts = 0,35/23,3ns = 15MHz: iTrms = 6,83nA y la potencia de ruido trmico vale,
La corriente de ruido "shot" vale, iSrms = 373pA y la potencia de ruido "shot"
En nuestro caso PTn >> PSn y por tanto el sistema est limitado por el ruido trmico. Esto es lo normal para sistemas de baja potencia. Para sistemas de potencia el sistema es limitado por el ruido "shot" (o limitado cunticamente). El mtodo empleado para calcular el BER es diferente para cada uno de los tipos de ruido, siendo el clculo mucho ms complejo para el caso de un sistema limitado cunticamente. Como regla general, el ruido en un sistema limitado por el ruido "shot" proporciona un mejor BER que en un sistema limitado por el ruido trmico, pero su clculo es mucho ms complejo. Nosotros vamos a calcular el BER de un sistema limitado por el ruido trmico y para ello determinamos la relacin seal ruido (SNR), [dB] (B.8.39)
El valor de BER para la relacin seal-ruido (SNR) hay que leerlo de la grfica mostrada en la siguiente figura. Esta grfica muestra como hasta un SNR de 15dB, el BER mejora muy poco, por encima de 15dB la pendiente de la representacin cambia y una pequea mejora del SNR da lugar a una mejora considerable del BER. Para un BER=10-12, es necesario un SNR de 23dB. Nuestro sistema llega justo a alcanzar este valor. En un buen diseo se han de tener en cuenta los efectos de temperatura y envejecimiento, as como las tolerancias de los componentes.
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Los sencillos clculos mostrados aqu pretenden dar una idea de las etapas a seguir en el diseo. Para sistemas con tcnicas de modulacin ms elaboradas y redes de fibra ptica se requiere un anlisis mucho ms detallado.
Fig. B.8.12: Relacin seal ruido en sistemas limitados por ruido trmico en funcin de la probabilidad de error (BER).
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Propagación Óptica

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Propagacin de la luz en guas de onda

Fig. B.3.1: Frentes de onda en una onda plana.

Propiedades fsicas de las guas de onda

Tema B.3: Propagacin de la luz en guas de onda

Fig. B.3.2: Diferentes estructuras de guas de onda.

Tema B.3: Propagacin de la luz en guas de onda

Propiedades de las fibras pticas

Guas planas: Un estudio de ptica geomtrica

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y operando de igual forma para luz polarizada TM: (B.3.4)

(B.3.5) El ngulo crtico es aquel que cumple que: (B.3.6)

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Modos guiados en una gua de onda plana

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Esta correccin no es de importancia si h >> , pero si h y son comparables la correccin es necesaria.

Fibra ptica: anlisis basado en ptica geomtrica

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nro sin = nr1sin1 = nr1 cos1 11c,

La reflexin total en la interfase entre el ncleo y el recubrimiento se produce cuando

(B.3.28) o (B.3.29) El mximo ngulo de entrada ser por tanto, (B.3.30)

se la llama apertura numrica, NA, de la fibra.

Limitaciones de polarizacin en guas de onda.

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Las relaciones son: Modos TE (Ez=0), involucran a Ey, Hx y Hz: B.3-12

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Modos TM (Hz=0), involucran a Ex, Ez y Hy:

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Modos guiados en guas planas: aplicacin de la teora ondulatoria.

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. En consecuencia, para el espesor para el

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Factor de confinamiento ptico

Fig. B.3.14: Factor de confinamiento en funcin del grosor de la gua de onda.

Modos guiados en fibras pticas. Aplicacin de la teora ondulatoria.

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Fig. B.3.15: Coordenadas cilndricas y su relacin con las coordenadas cartesianas.

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Propagacin de paquetes de onda: dispersin y velocidad de grupo

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Movimiento de un paquete de ondas.

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(B.3.95) El valor de la integral es

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Si multiplicamos y dividimos por (1 it(k)2)

(B.3.96) La probabilidad ||2 tiene la siguiente dependencia temporal y espacial,

Dispersin en una gua de onda

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Fig. B.3.20: Relacin de dispersin de un modo guiado con frecuencia de corte c.

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Dispersin en fibras pticas

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