Vous êtes sur la page 1sur 8

UNIVERSIDAD TECNOLGICA NACIONAL FACULTADO REGIONAL BUENOS AIRES DISPOSITIVOS ELECRNICOS 2013

TP N1: Simulacin con LTSpice


Extraccin de caractersticas fundamentales de semiconductores representativos.
Condiciones del trabajo: Grupos de tres o cuatro estudiantes mximo. La fecha de entrega es la acordada en clase. El plazo de correccin de cada entrega por el cuerpo docente es de 7 das, fijndose la siguiente fecha de entrega 7 das despus del plazo mximo de correccin. Dentro de un mximo de 3 entregas, el trabajo deber estar aprobado, de lo contrario se fija la recuperacin del mismo en fechas a convenir. El trabajo deber ser claro, conciso y correctamente redactado. Los grficos y tablas debern llevar ttulos y estar numerados. En lo posible, los ejes debern tener unidades, y explicar de manera sucinta qu se observa en cada grfico. El trabajo completo, incluyendo la cartula o primera pgina, deber tener 10 pginas o menos, y debe utilizarse tipografa Times New Roman o Calbri tamao 10. El informe deber ser entregado en formato digital .doc, .odt, o .pdf (nunca .docx) para evitar problemas de compatibilidad, y en formato de publicacin oficial (paper, utilizando como ejemplo el puesto a disposicin en el sitio de la materia). No es necesaria una cartula en una hoja aparte: en la primera pgina, adems del nombre de los autores, N de legajo, datos del curso y el resumen, puede presentarse tambin parte de los contenidos del trabajo. Objetivos Principales del trabajo: Aprender a usar simuladores basados en Spice, con nfasis en LTSpice, interfaz grfica y comandos de Netlist sencillos. Analizar, deducir y comprender las principales caractersticas de distintos dispositivos semiconductores representativos. Obtencin experimental simulada de parmetros caractersticos de dispositivos semiconductores comerciales. Objetivos Secundarios del trabajo: Aprender a leer hojas de datos de componentes. Hacer Interpretacin de curvas y resultados. Aprender la simbologa bsica de dispositivos utilizada en electrnica. Introducir conceptos elementales de MOSFETs en tecnologas VLSI. Puntos suplementarios: a) Resumen del trabajo. Si se considera necesario o procedente, el trabajo podr estar encabezado por un breve resumen (menos de 100 palabras) que detalle su contenido. El resumen debe ser escrito de forma tal de despertar el inters y la curiosidad del lector por el trabajo. En este resumen podrn tambin incluirse problemas surgidos, detalles, sugerencias, etc. b) Conclusiones. El trabajo deber estar acompaado de conclusiones, sin stas, se considerar reprobado. Las conclusiones debern ser simples, claras, concisas, y en lo posible, justificadas mediante alguna expresin sencilla o frmula matemtica vista en clase. Evitar en lo posible expresiones como se ve que al subir la temperatura la corriente aumenta. En su lugar, armar expresiones como se observa que una variacin de temperatura provoca una variacin exponencial en la corriente circulante, manteniendo los otros parmetros constantes. c) Consultas. Siempre que exista alguna duda, problema relativo a las presentaciones, o situacin extraordinaria, se podr discutir en clase, en los intermedios, va correo electrnico, a travs del grupo de Google de la materia, etc. El cuerpo docente dar tantas consultas como sea necesaria para que el/los alumno/s disipen todas sus dudas.

Dr. Flix Palumbo Ing. Emilio lvarez - Sebastin Pazos

1|

UNIVERSIDAD TECNOLGICA NACIONAL FACULTADO REGIONAL BUENOS AIRES DISPOSITIVOS ELECRNICOS 2013

TP N1a: Diodo
Introduccin: El diodo de juntura es el dispositivo ms bsico e introductorio para el estudio de los dispositivos semiconductores. Hoy en da sus campos de aplicacin son diversos, pero su principal caracterstica es la de rectificador: la corriente a travs del diodo circula, a fines prcticos, nicamente en un sentido. Del estudio de los semiconductores, se ha demostrado en las clases tericas la caracterstica exponencial de la corriente, cules son sus componentes y que aproximaciones se puede hacer para hallar modelos sencillos de la misma. As se obtuvo la ecuacin de Shockley que representa el comportamiento del diodo en directa. Sin embargo, existen diversos diseos de diodos que permiten comportamientos diferentes que se ajustan mejor a distintas aplicaciones: los diodos LED, las junturas Shottky, son algunos ejemplos de estos tipos de estructuras a las cuales se les dedicar una clase terica completa para presentarlas. En el presente Trabajo, deber realizar las simulaciones de la obtencin experimental y el ajuste matemtico de las caractersticas Tensin-Corriente, as como tambin sus respectivas capacidades de juntura, de distintos modelos de diodos comerciales representativos en el mercado de con aplicaciones particulares. Se busca que compruebe los conceptos tericos y cuantifique diferencias entre distintos dispositivos, indague sobre las posibles causas de estas diferencias y se apoye en los datos proporcionados por el fabricante en las hojas de datos y por las expresiones deducidas en clase para ello. La prctica se desarrolla en el entorno LTSpice, con lo cual es indispensable que realice previamente el Tutorial de LTSpice puesto a disposicin por la ctedra.

Desarrollo:
A) Crear el circuito de la figura.

1elevar la curva V-I caracterstica del diodo, para distintas temperaturas. Elegir los parmetros de la fuente de manera que haya un nmero suficiente de puntos, que se cubran bien los Puntos de Inters (POI). Asegurarse que no sea superada la corriente mxima del diodo (simulacin realista). Apyese con las hojas de datos del dispositivo. 2Obtener de la simulacin la corriente de saturacin y ajustar el coeficiente de emisin n para la Ecuacin Shockley del diodo ideal. B) Modificar el circuito anterior, de tal manera que la fuente sea una oscilacin sinusoidal, de 1MHz de frecuencia, 200mV de amplitud y 0v de offset. Colocar en serie con el diodo una resistencia de 100k ohm o menor, segn el diodo que utilice.

Dr. Flix Palumbo Ing. Emilio lvarez - Sebastin Pazos

2|

UNIVERSIDAD TECNOLGICA NACIONAL FACULTADO REGIONAL BUENOS AIRES DISPOSITIVOS ELECRNICOS 2013
1En base a las mediciones de tensin presentes, calcular la Capacidad de Vaciamiento de la juntura. Apyese en las hojas de datos para constatar estos valores, justificando las posibles diferencias. NOTA: Este circuito permite reemplazar al diodo por un capacitor equivalente de valor Cj, conformando un circuito RC serie en Rgimen Senoidal Permanente. Es importante destacar que slo ser vlido cuando la resistencia serie colocada sea comparable con la reactancia capacitiva que presentar la Cj para la frecuencia dada (para apreciar la accin reactiva del capacitor). Por eso deber variar la resistencia segn el diodo a medir. C) Realizar los circuitos A y B, y las mismas mediciones en cada paso, pero usando un diodo Zener. Tener en cuenta que ahora los puntos de simulacin deben abarcar desde la ruptura en polarizacin negativa o inversa, hasta el codo de conduccin en polarizacin directa, y no deben superarse las corrientes mximas del diodo. NOTA: El diodo zener de la librera es un subcircuito. La manera de especificar el modelo es diferente. Apyese en el Tutorial de LTSpice provisto por la ctedra.

D) Realizar los circuitos A y B, y las mismas mediciones en cada paso, usando esta vez un diodo Schottky. Tener en cuenta que este tipo de diodo tiene un umbral de conduccin mas bajo. No deben superarse las corrientes mximas del diodo

E) Realizar los circuitos A y B, y las mismas mediciones en cada paso, usando esta vez un diodo LED. Tener en cuenta que este tipo de diodo tiene un umbral de conduccin ms alto. No deben superarse las corrientes mximas del diodo

F) Comparar y discutir brevemente todas las mediciones, justificando con las ecuaciones vistas en clase. Interprete las diferencias entre mediciones de los distintos diodos y ascielas a sus caractersticas fsicas.

Dr. Flix Palumbo Ing. Emilio lvarez - Sebastin Pazos

3|

UNIVERSIDAD TECNOLGICA NACIONAL FACULTADO REGIONAL BUENOS AIRES DISPOSITIVOS ELECRNICOS 2013
G) Conclusiones de los datos relevados, relacionndolos con conceptos vistos en clase. Analice los valores de capacidad de juntura obtenidos y los coeficientes de emisin de cada diodo, obtenga conclusiones de estos datos y de los provistos por el fabricante.

TP N 1b: Transistor de Unin


Introduccin: El Transistor de Unin o Transistor Bipolar de Juntura fue el primer gran reemplazo masivo de las vlvulas de vaco: muy utilizado en circuitos de radio, su desarrollo permiti pasar de equipos enormes a las tan nombradas SPIKA en muy poco tiempo. Inicialmente descubierto por Shockley como un transistor de contacto, su nombre se debe a la posibilidad de controlar corrientes de salida importantes con muy bajas corrientes de base: un amplificador. Muy utilizado en otros tiempos para los primeros circuitos digitales, fue perdiendo terreno frente al MOSFET en este y muchos otros tipos de aplicaciones, debido a la complejidad de su fabricacin con las tecnologas que dominan el mercado de la integracin de circuitos hoy en da. En este trabajo, deber relevar mediante simulaciones las caractersticas de un TBJ representativo del mercado, tanto su curva de entrada como de salida, y deber extraer de las mismas parmetros caractersticos del dispositivo tal como se realizara en un ensayo de laboratorio, y deber a su vez constatar los datos obtenidos con los proporcionados por el fabricante en la hoja de datos, justificando cada punto mediante los conceptos y expresiones tericas vistos en clase. Es indispensable la realizacin del Tutorial de LTSpice provisto por la ctedra. Desarrollo: A) Crear el circuito de la figura.

1) Relevar las curvas de corriente de colector versus tensin colector-emisor, para distintas corrientes de Base. Interpretar las distintas zonas de funcionamiento del transistor (Corte, activo, saturacin). Elegir una curva, y relevarla para 3 temperaturas distintas. 2) Elegir una curva, y calcular la impedancia de base y la impedancia de salida con los datos de esa curva, para el transistor en zona activa y en saturacin. 3) Elegir una curva y calcular la Tensin de Early. la ganancia esttica de corriente, la variacin de la misma al variar la corriente de base.

Dr. Flix Palumbo Ing. Emilio lvarez - Sebastin Pazos

4|

UNIVERSIDAD TECNOLGICA NACIONAL FACULTADO REGIONAL BUENOS AIRES DISPOSITIVOS ELECRNICOS 2013
4) Calcular las ganancias estticas de corriente para cada una de las curvas del punto 1, para una misma tensin VCE del transistor en zona activa. Armar un grafico con la variacin de ganancia respecto de la corriente de colector.

B) Comparar y discutir brevemente todas las mediciones, justificando con las ecuaciones vistas en clase. Interprete las diferencias entre mediciones de los distintos diodos y ascielas a sus caractersticas fsicas. C) Conclusiones de los datos relevados, relacionndolos con conceptos vistos en clase. Analice los valores de las impedancias y de la variacin de ganancia, obtenga conclusiones de estos datos y de los provistos por el fabricante.

NOTA: Todos los modelos de transistores necesarios, otros opcionales, comentarios, y algunas direcciones de internet tiles, pueden encontrarse en el archivo modelos_spice.txt

Dr. Flix Palumbo Ing. Emilio lvarez - Sebastin Pazos

5|

UNIVERSIDAD TECNOLGICA NACIONAL FACULTADO REGIONAL BUENOS AIRES DISPOSITIVOS ELECRNICOS 2013

Trabajo Prctico N1c: MOSFET


Introduccin: La patente del transistor MOSFET fue previa a la del TBJ, pero por cuestiones tecnolgicas, su fabricacin era, en un principio, prcticamente inviable. Los avances tecnolgicos permitieron, con el paso de los aos, que las tcnicas de fabricacin emigraran de la construccin de TBJ a transistores MOS, puesto paso a ser mucho ms econmico y, por sobre todas las cosas, escalable. Hoy en da, contamos con circuitos integrados que involucran cientos hasta miles de millones de transistores en un mismo componente. Es por eso que casi la totalidad de la industria microelectrnica se maneja con MOSFET. Inclusive en la actualidad, el diseo de circuitos integrados es un mbito laboral e industrial accesible incluso para un pas como el nuestro, tercerizando la fabricacin de los dispositivos diseados a un puado de fbricas diseminadas alrededor del mundo. El Departamento de Electrnica de la Universidad, cuenta, a travs del Grupo de Diseo en Silicio que se desempea en el Laboratorio de Microelectrnica, con una cuenta de investigacin y estudiantil de MOSIS (visitar www.mosis.com) que le permite enviar a fabricar los diseos de circuitos integrados realizados en la casa, para su posterior prueba y puesta en funcionamiento para aplicaciones especficas. En el presente trabajo, deber relevar mediante simulaciones las caractersticas principales de un MOSFET discreto comercial, como as tambin las de un transistor de la tecnologa AMISC05 de MOSIS con la que cuenta la Facultad para el trabajo en investigacin. Deber comprobar efectos de canal corto y efectos de body. Es indispensable realizar el Tutorial de LTSpice provisto por la ctedra. Desarrollo: A) Crear el circuito de la figura. Usar el modelo de MOSFET 2N7000.

Dr. Flix Palumbo Ing. Emilio lvarez - Sebastin Pazos

6|

UNIVERSIDAD TECNOLGICA NACIONAL FACULTADO REGIONAL BUENOS AIRES DISPOSITIVOS ELECRNICOS 2013

1) Relevar las curvas de corriente de drenador versus tensin drenador-fuente, para distintas tensiones de gate, cuidando de no superar tensiones o corrientes maximas. Identificar las distintas zonas de funcionamiento del transistor (Corte; ohmica, lineal o triodo; saturacin). Elegir una curva, y relevarla para 3 temperaturas distintas. 2) Elegir una curva y calcular la impedancia de salida (drenador-fuente) en las zonas de trodo y saturacin. 3) Elegir un valor de VDS y relevar la curva de transferencia del dispositivo (corriente de drenador versus tensin de gare) y calcular, en forma experimental, la transconductancia en saturacin y la tensin de umbral Vth. B ) Modificar el circuito anterior de la siguiente manera, reemplazar el componente 2N7000 por un NMOS4 y asignarle el modelo de Mosis de un transistor NMOS de tecnologa 0,5 micras.

1) Relevar las mismas curvas que en A ), para relaciones de aspecto W/L=100u/100u (1), W/L=100u/20u (5) y W/L=20u/100u (0.5). Tener en cuenta que las tensiones VDS y VGS no pueden superar los 5 volts. Elegir una curva y relevarla para 3 temperaturas distintas. 2) Relevar las curvas para 10u/0,6u, 15u/0.9u, 25u/1.5u y 100u/6u. A partir de que tamao de canal comienzan a notarse los efectos de canal corto? Extrapolar el Vth para cada una de las curvas. 3) Calcular la transconductancia para un mismo VGS, y la impedancia de salida para un mismo VDS para los transistores W/L=0.6u/0.6u, W/L=1u/1u, y W/L=100u/100u. 4) Para un transistor de 10u/10u variar la tensin de Bulk, teniendo cuidado que sea negativa respecto de GND, y no supere los -5v. Obtenga un juego de curvas de transferencia y extrapole el Vth para 3 Vbs distintos.
B) Comparar y discutir brevemente todas las mediciones, justificando con las ecuaciones vistas en clase. Interprete las diferencias entre mediciones de los distintos diodos y ascielas a sus caractersticas fsicas.

Dr. Flix Palumbo Ing. Emilio lvarez - Sebastin Pazos

7|

UNIVERSIDAD TECNOLGICA NACIONAL FACULTADO REGIONAL BUENOS AIRES DISPOSITIVOS ELECRNICOS 2013
C) Conclusiones de los datos relevados, relacionndolos con conceptos vistos en clase. Analice los valores de las impedancias y de la variacin de ganancia, obtenga conclusiones de estos datos y de los provistos por el fabricante.

NOTA: Todos los modelos de transistores necesarios, otros opcionales, comentarios, y algunas direcciones de internet tiles, pueden encontrarse en el archivo modelos_spice.txt

Dr. Flix Palumbo Ing. Emilio lvarez - Sebastin Pazos

8|