Radioaficionado

R ADIOAFICIONADO

Problemas en Amplificadores de RF
Las muy bajas impedancias necesarias en los amplificadores de potencia de RF pueden producir altas corrientes y prdidas excesivas en los componentes pasivos de acoplamiento. En esta nota veremos cmo calcularlos y qu valores pueden tolerarse.
Por Arnoldo Galetto de GA Electrnica
a red de acoplamiento de entrada de un amplificador de potencia de RF debe intercambiar voltaje por corriente al bajar la impedancia normalizada de 50W a los 1 2 de la entrada del transistor. Esta disposicin hace que circulen corrientes de RF muy intensas por los componentes pasivos de la red adaptadora de entrada. Por ejemplo, el capacitor C3, en el circuito de la Fig.1, el que es ampliamente usado, puede tener una corriente de RF de 1 A o ms fluyendo a travs de l, para una potencia de entrada de 3 W. Esto, a su vez, ocasiona prdidas de potenxia (I2.R) en C3 lo que puede degradar seriamente la ganancia del amplificador y aun derretir la soldadura que mantiene a C3 sobre el circuito. Este problema se ve agravado para las frecuencia que superan los 100MHz debido al pequeo tamao fsico del capacitor y al hecho de que el factor de disipacin de la mayora de los dielctricos aumenta con la temperatura y la frecuencia. El diseador, en su intento por conseguir una adaptacin ptima entre la lnea de 50W y el transistor, a menudo tiende a ignorar estas corrientes y su efecto trmico. Puede tambin, sin intencin, tener un Q cargado demasiado alto a la entrada del transistor QL, lo que incrementar la corriente circulante y el calentamiento del capacitor. Aun si mantiene un Q razonable, puede elegir un capacitor con una resistencia serie demasiado elevada. Procedimiento paso a paso. El circuito y los valores de los dispositivos representan una prctica comn. 1- Configuracin del circuito (vea la figura 1) 2- Potencia de entrada: 3W 3- Prdida admitida en el capacitor: 0,05dB (1,1%) 4- Frecuencia central de operacin, fo: 300 MHz 5- Caractersticas de entrada del transistor a fo: 2 + j 5 Rin = 2 ohm XLin = 5 ohm Paso I Se calcula Reff, la resistencia paralelo efectiva de entrada de la red sintonizada en paralelo, y que contiene al capacitor C3 a la frecuencia central especificada. La ecuacin es: Reff = (QL2 + 1) . Rin [1]

Figura 1

Rin es conocida porque est dada para la frecuencia de operacin y por las condiciones de polarizacin (no se muestran en la Fig.1). EsSaber Electrnica N 158

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Paso IV Calcular el valor mximo de la resistencia serie equivalente del capacitor segn la disipacin admisible I2 R Pdiss Rs = I2circ Segn las especificaciones iniciales, la disipacin permitida, o Pdiss, era de 0,05dB 1,1%. Esto significa que el capacitor puede disipar solamente 33mW. Entonces: 0,033 Rs = = 0,023 ohm (1,2)2 Paso V Calcular el mnimo Q no cargado requerido del capacitor: Xc Qmin = Rs La reactancia capacitiva, Xc, requerida por C3 a 300MHz est dada por la siguiente ecuacin: Reff 14,5 Xc = = = 5,8 QL 2,5 Entonces tenemos: 5,8 Qmin = = 252 0,023 valor que se puede redondear en 300. Paso VI Elegir un capacitor apropiado. Ahora que la resistencia serie Rs permitida es conocida, el diseador puede investigar qu tipo de capacitor emplear. La capacitancia se obtiene fcilmente. Reff 14,5 1 Xc = = = 5,8 = QL 2,5 2fC Despejando y operando matemticamente:

Fig. 2
ta Rin debe ser la apropiada para la seal de entrada de 3W con el transistor debidamente polarizado como para poder manejar este nivel de seal. Se obtiene mediante mediciones, ya que cualquier transistor que trabaja con esta magnitud de seal de entrada, lo est haciendo en forma alineal. Hoy en da, los fabricantes de transistores de RF suministran estos datos en sus hojas de especificaciones. El Q del circuito cargado (QL) se obtiene de la relacin: XL 5 QL = = = 2,5 Rin 2 Poniendo estos valores en [1]: Reff = (2,52 + 1)2 = (6,25 + 1)2 = 14,5 Paso II Hallar la corriente de entrada, como se define en la Fig.1. Para esto empleamos el grfico de la figura 2. Este grfico resuelve la ecuacin: P Reff = I2in Donde P es la potencia de entrada dada como de 3W. Entrando al grfico con estos valores conocidos, encontramos que la corriente de RF de entrada es de 0,46A. Paso III Encontrar la corriente circulante en la etapa 3 multiplicando la corriente de entrada de RF hallada en el Paso II, por el Q del circuito cargado (QL) hallado en el Paso I. Icirc = Iin . QL = 0,46 . 2,5 = 1,15A Los valores de estos tres primeros pasos pueden encontrarse tambin mediante el grfico de la Fig.3.

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Problemas en Amplificadores de RF
C = 91,5pF Ya que los transistores de potencia de RF suelen tener dos aletas o conexiones de emisor para reducir la inductancia parsita, una buena prctica para C3 sera conectar dos capacitores separados, uno en cada aleta. Esto ayuda a mantener las corrientes en ambas conexiones de emisor balanceadas y relaja un tanto las especificaciones del capacitor. En lugar de uno de 91,5pF se podran emplear dos de 47pF. El diseador debe obtener ahora informacin real de los capacitores. Para ello debe obtener las hojas tcnicas del fabricante o debe hacer mediciones por su cuenta en dispositivos similares. La Fig.4 representa el tipo de informacin que se obtiene. Entrando al grfico a 300MHz e interpolando a 90pF se ve que la resistencia serie es de alrededor de 0,038W a dicha frecuencia. Teniendo el valor de la Rs medida y su relacin con la capacitancia permite seleccionar al capacitor correcto o qu compromiso tomar. Por ejemplo, un capacitor de 47pF tiene una Rs de 0,055. Dos en paralelo tienen una capacidad de 94pF y una Rs de solamente 0,027W. Ya que el clculo hecho en Paso IV permite solamente 0,023W. Estos dos capacitores de 47pF en paralelo se quedan algo cortos. Una mejor solucin sera emplear tres capacitores de 33pF en paralelo. Paso VII Comprobar los efectos de la temperatura. Los valores de Qmin y Rs que se obtienen de la Fig.4, se aplican solamente a una temperatura, la que normalmente es la temperatura ambiente. Ahora bien, los amplificadores de RF raramente trabajan a temperatura ambiente. Normalmente son unidades compactas y blindadas para evitar la irradiacin de RF y la entrada de humedad, por lo que es normal que su temperatura de operacin sea mucho ms alta, tal vez 125C. La temperatura en la vecindad

Figura 3

Figura 4
del transistor, ser todava ms alta. Este calor seguramente llegar a los capacitores, de montaje superficial y son realmente muy pequeos, ya que en un diseo tpico de rf estn apretados contra el transistor. El calor trabajar en contra del diseo, y del diseador, ya que el Qmin bajar con la temperatura. Esto, a su vez, significa que la Rs aumentar, con lo que tenemos lo necesario para iniciar una corrida trmica que terminar en un desastre. Para apreciar mejor la delicadeza de la situacin consideremos que el volumen de estos capacitores est en el orden de un milsimo de una pulgada cbica; y que si bien su disipacin es de solamente 30mW, su densidad de potencia es de 30W/in3, esto se aproxima a los 30w/in3 que se encuentra en la punta de un soldador como el Ungar. El objetivo de este paso final debe ser estimar o hacer mediciones, de modo que permitan prever el deterioro del Qmin y de la Rs de un capacitor . Bibliografa: The RF Capacitor Handbook. ATC Corp.

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