TRANSISTOR

El transistor es un dispositivo electrnico semiconductor que cumple funciones

de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El trmino "transistor" es
la contraccin en ingls de transfer resistor ("resistencia de transferencia").
Actualmente se encuentran prcticamente en todos los aparatos domsticos de
uso diario: radios, televisores, grabadoras, reproductores de audio y video,
hornos de microondas, lavadoras, automviles, equipos de refrigeracin,
alarmas, relojes de cuarzo, ordenadores, calculadoras, impresoras, lmparas
fluorescentes, equipos de rayos X, tomgrafos, ecgrafos, reproductores mp3,
telfonos celulares, etc.
TRANSISTOR DE UNIN BIPOLAR (BJT)
El transistor de unin bipolar, o BJT por sus siglas en ingls, se fabrica
bsicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio,
que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio
entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el
sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de
las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones
NP.
La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona
P de aceptadores o "huecos" (cargas positivas). Normalmente se utilizan como
elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N
al Arsnico (As) o Fsforo (P).
La configuracin de uniones PN, dan como resultado transistores PNP o NPN,
donde la letra intermedia siempre corresponde a la caracterstica de la base, y
las otras dos al emisor y al colector que, si bien son del mismo tipo y de signo
contrario a la base, tienen diferente contaminacin entre ellas (por lo general, el
emisor est mucho ms contaminado que el colector).
El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor depender de
dichas contaminaciones, de la geometra asociada y del tipo de tecnologa de
contaminacin (difusin gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuntico
de la unin.

CARACTERISTICAS DEL TRANSISTOR BJT

REGIN DE CONDUCCIN:
El diodo BC polarizado directamente y el diodo BE polarizado inversamente
REGIN DE CORTE:
Las uniones BC y BE polarizadas inversamente
REGIN DE SATURACIN:
Las uniones BC y BE polarizadas directamente

SIMBOLOGA


Representacin del punto de trabajo con la recta en carga esttica
En la figura se muestra la representacin grfica del punto de trabajo
Q del transistor, especificado a travs de tres parmetros: ICQ, IBQ y la
VCEQ.
Este punto se encuentra localizado dentro de una recta denominada recta de
carga esttica: si Q se encuentra en el lmite superior de la recta
el transistor estar saturado, en el lmite inferior en corte y en los puntos
intermedios en la regin
lineal.
Esta recta se obtiene a
travs de la ecuacin del
circuito que relaciona la IC
con la VCE que,
representada en las curvas
caractersticas del
transistor de la figura
corresponde a una recta.
En primera instancia, se tom el modelo
presentado a la izquierda como base para
comenzar la etapa de clculos y as poder
determinar el valor de Re que nos ofrecera
un punto de operacin ideal (en el centro de
la recta de carga).
Haciendo uso de la calculadora TI-Nspire,
logramos obtener el valor para el cual
nuestro transistor trabajara con mxima
transferencia simtrica. Observe las
siguientes tomas.

Se hacen las declaraciones de las
frmulas.

Se asignan valores a algunas variables
y se despeja la que queda
enmascarada.


Con el nuevo valor obtenido para Re, se comprueban los valores para
SAT
C
I
e
Q
C
I
.

Tales resultados nos sugieren que de conseguir el resistor de valor aproximado
a , el transistor estara en el punto que se mostrar en el siguiente
diagrama.
R1
38.4k
Q1
VCC
15V
R2
4.64k
Re
Rc
1.2k
C1
100uF
C2
100uF
C3
1000uF
150O


En la prctica, se descubri que aunque se haya tenido mucho cuidado en el
anlisis en CD donde todos los capacitores se comportan como circuitos
abiertos, una vez alimentando con la pequea seal de alterna, esto cambia.
Sin el capacitor que se encuentra en paralelo con la resistencia de emisor, el
circuito nos ofreca una amplificacin de 9 veces aproximadamente. Sin
embargo, tras colocarlo esto cambiaba y aumentaba la amplificacin hasta 75
veces, slo que sucedi algo inesperado. Mientras que sin el capacitor, la seal
que obtenamos no tena deformacin alguna, una vez acoplado el capacitor se
presentaba deformacin, recortada en su valle. Se quiere pensar que este
fenmeno sucede debido a la contribucin que presenta el capacitor en alterna,
cambiando los niveles de impedancia dependiendo de la frecuencia a la que se
est trabajando. Observe lo explicado en las prximas capturas del
osciloscopio.



La ganancia para la seal una vez
implementado el capacitor de
sobretencin se obtiene de la siguiente
razn:
14
100
0.140
O
V
i
V
A
V
= = =

Sorpresivamente se obtuvo lo
asentado como requerimiento mnimo
para esta segunda experiencia con el
amplificador BJT polarizado por divisor de tensin.


Tras analizar los lmites de frecuencia para los cuales el amplificador
conservaba su ganancia sin alterarse, encontramos que su cota superior del
ancho de banda se colocaba alrededor de los 8 MHz, mientras que la inferior
se situaba en 20 Hz.


Fsicamente, el circuito armado en
tablilla de experimentacin
presentaba la apariencia que se
observa en la figura de a lado.
Tras haber obtenido la informacin necesaria
del anlisis de cd para encontrar la resistencia
r
e,
se puede proceder a tomar el anlisis en ca.
Cabe la aclaracin que estaremos trabajando
sobre el circuito que no presenta capacitor en
emisor, por lo que podremos ignorar los
efectos de cortocircuitar el resistor de emisor
para este caso.
El circuito de la derecha
muestra la equivalencia
hbrida del circuito de arriba
para el anlisis en alterna.
Ntese que R3 se presenta
como el paralelo de R1 y R2,
y R4 se encuentra de operar
e
r |
.
Presente el diagrama equivalente, procedemos a encontrar las impedancias
tanto de entrada como de salida, resultando
( ) 3|| 4 5 1
i
Z R R R | = + + (

y
6
o
Z R =
. Adems,
( ) ( ) ( ) & 1309.32 1 150
o b i b
V I V I I | | = = + +
b
, por ende la ganancia
de voltaje se presenta como la razn del voltaje de salida entre el de entrada;

( )( )
( )( )
281 1200
' 7.732292
1309.32 282 150
A v

= =
+

Con lo que se observa que la implementacin del circuito fue correcta, al tan
slo variar en 16% con respecto a lo obtenido en la prctica con respecto a lo
encontrado por medio de clculo.
En el afn de conseguir un punto de referencia ms para comparar los
resultados obtenidos por medio del clculo, se decidi implementar la
simulacin del modelo previamente presentado de arreglo emisor comn sin
capacitor de bypass.

R1
38.4k
Q1
VCC
15V
R2
4.7k
Re
150
Rc
1.2k
C1
100uF
C2
100uF
R3
4.19k
R4
1.3k
R5
150k
R6
1.2k
281(Ib)

Result muy grata la sensacin que
se obtuvo al descubrir que la razn
de salida contra entrada de la
simulacin se acercaba bastante a lo
que nosotros encontramos por medio
de clculos:
3
1.52
' 7.63
199 10
A v
x

= =

En la realizacin de prcticas en el laboratorio, resulta bastante sustancial en
cuestiones de aprendizaje el surgimiento de situaciones no deseadas o
inesperadas, puesto que ello te invita a la reflexin y anlisis ms a detalle de
lo que podra estar pasando o incitando tal o cual tipo de respuesta. No
obstante la aplicacin cuidadosa de los procedimientos sugeridos por los libros
de teora sobre transistores, resulta prcticamente imposible recrear con total
exactitud las condiciones ideales consideradas en el mismo para la
presentacin de un procedimiento ms digerible ante el lector aprendiz de
electrnica.
De cualquier manera, asumiendo que el aprendizaje es un proceso de
complementacin secuencial, no se debe caer en la desesperacin de no poder
encontrar el modelado matemtico ms exacto sobre un circuito y por ello se
debe seguir trabajando en estudiar el contenido terico para poco a poco
comenzar a hacer ms rico y detallado el proceso de anlisis aplicado a los
diferentes arreglos de polarizacin del transistor.
Brian Giovanny Ayala Aquino
Al elaborar la practica me di cuenta que aunque se haya tenido mucho cuidado
en el anlisis en CD donde todos los capacitores se comportan como circuitos
abiertos, una vez alimentando con la pequea seal de alterna, esto cambia.
pero llego un momento en el que la seal en el osciloscopio cambio cuando se
redujo la frecuencia a 8 MHz y se permaneca estable asta cuando se
incrementaba asta 14 MHz, despus de ay esta cortaba la onda y pues en
realidad me sorprenden cada da mas las practicas ya que en esta podemos
observar los funcionamientos del FET.
German Robles Martnez