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ANNEE UNIVERSITAIRE 2011-2012

IGA EL JADIDA

Mini Projet

TECHNOLOGIE DES CIRCUITS INTEGRES

Ralis par :
Tarik HADDADI Hamza BAHLAOUANE

Encadr par :
Mr.Mohammed Lkhaidar

Moncif BOUNIF
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Table des matires


I. II. 1. 2. 3. 4. 5. III. IV. 1. V. 1. 2.

IGA EL JADIDA

Historique : ...................................................................................................................................... 2 Le Silicium : ...................................................................................................................................... 2 Dfinition : ................................................................................................................................... 2 Caractristiques : ......................................................................................................................... 2 Utilisations et applications : ........................................................................................................ 2 Semi-conducteur pur : ................................................................................................................. 3 Les puces lectroniques : ............................................................................................................ 3 Introduction : Systme au Silicium : ............................................................................................ 4 Phnomne de l'oxydation:......................................................................................................... 4 Oxydation du silicium: ................................................................................................................. 5 Dopage: ........................................................................................................................................... 5 Dfinition: .................................................................................................................................... 5 Types de dopage:......................................................................................................................... 5 Dopage de type N: ........................................................................................................................... 5 Dopage de type P: ........................................................................................................................... 6

VI. VII. 1. 2. 3. 4. VIII.

Technologies de fabrication des circuits intgrs : ..................................................................... 6 Dfinition de circuit intgr :....................................................................................................... 6 Circuit intgr analogique : ......................................................................................................... 6 Circuit intgr numrique : ......................................................................................................... 7 Exemples de circuits intgrs : .................................................................................................... 7 Diffrentes familles de circuits intgrs : .................................................................................... 7 Prparation des plaquettes (wafers) : ......................................................................................... 7

1. Conditions remplir : ..................................................................................................................... 7 2. 3. 4. IX. Trononnage :.............................................................................................................................. 8 Rodage des faces : ....................................................................................................................... 8 Dcoupage des pastilles : ............................................................................................................ 8 Conclusion : ................................................................................................................................. 9

I.

Historique :

IGA EL JADIDA

Jack Kilby (1923 2005)1 est l'inventeur du circuit intgr. En 1958, cet Amricain, alors employ par Texas Instruments, crait le tout premier circuit intgr, jetant ainsi les bases du matriel informatique moderne.. l'poque, Kilby avait tout simplement reli entre eux diffrents transistors en les cblant la main. Il ne faudra par la suite que quelques mois pour passer du stade de prototype la production de masse de puces en silicium contenant plusieurs transistors. Ces ensembles de transistors interconnects en circuits microscopiques dans un mme bloc, permettaient la ralisation de mmoires, ainsi que dunits logiques et arithmtiques. Ce concept rvolutionnaire concentrait dans un volume incroyablement rduit, un maximum de fonctions logiques, auxquelles l'extrieur accdait travers des connexions rparties la priphrie du circuit. Le transistor est un composant lectronique apparu dans les annes 1940, qui remplaait avantageusement les lampes (tubes vides), encombrantes et peu fiables. Les premiers transistors formaient des composants spars. Les annes 1960 voient l'apparition des circuits intgrs

II.

Le Silicium :
1. Dfinition :

Le silicium est un lment chimique de la famille des cristallognes, de symbole "Si" et de numro atomique 14.

C'est l'lment le plus abondant dans la crote terrestre aprs l'oxygne, soit 25,7 % de sa masse. Il n'existe pas l'tat libre, mais sous forme de composs : sous forme de dioxyde de silicium (SiO2), la silice (dans le sable, le quartz, la cristobalite, etc.). 2. Caractristiques : Le silicium est un semi-conducteur, sa conductivit lectrique est trs infrieure celle des mtaux.

3. Utilisations et applications : Les proprits de semi-conducteur du silicium ont permis la cration de la deuxime gnration de transistors, puis les circuits intgrs (les puces ).

4. Semi-conducteur pur :

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Un matriau semi-conducteur la particularit de possder 4 lectrons priphriques, soit exactement la moiti d'une couche compltement sature. Cette particularit va lui donner un comportement particulier en ce qui concerne les phnomnes lectriques, entre autres.

Le matriau semi-conducteur actuellement le plus utilis est le SILICIUM. Toutefois, pour utiliser du silicium en lectronique, il faut obtenir des plaquettes d'une puret extraordinaire. La puret est de l'ordre dun atome impur pour un million d'atomes de silicium. Le tout reste totalement stable si la temprature est trs basse. Pour illustrer non seulement un seul atome de silicium mais une plaquette entire, nous simplifions la reprsentation en ne faisant apparatre que les noyaux avec les couches atomiques intrieures par les cercles comme ci-dessus et avec des traits doubles pour illustrer les lectrons priphriques entre chaque atomes.

De plus, les atomes du silicium purifi s'organisent entre eux de manire trs rgulire, suite aux traitements subis, ce qui nous amne parler d'un cristal semi-conducteur, ou d'une structure cristalline. Cette organisation donne des proprits lectriques particulires au silicium lectronique. Grce l'organisation cristalline, chaque atome est entour de quatre atomes voisins qui vont combiner ensemble leurs lectrons de fait que chaque atome se trouve entourer de huit lectrons priphriques. Ce qui donne la proprit d'un isolant parfait: A TRES BASSE TEMPERATURE, AU VOISINAGE DU ZERO ABSOLU (0 KELVIN) LE SILICIUM PUR EST UN ISOLANT PARFAIT. 5. Les puces lectroniques : Les cristaux de silicium conviennent particulirement la fabrication de matriel microlectronique ; pour fabriquer une puce, il faut scier un cristal de silicium extrmement pur, en trs fines plaques ; de trs petits lments sont assembls sur ces plaques extra-fines, laide de procds physiques et chimiques ; 3

de petites lignes sont traces. Elles sont larges d peine 0,1 micromtre (m) ou IGA EL JADIDA 1/100.000me de centimtre; cest ainsi quapparat un appareil complet lchelle microscopique ; des puces lectroniques de la taille dun ongle assurent la bonne rception des missions de radio et de TV, de mme que la reproduction parfaite denregistreurs de cassettes et de vido. Elles jouent le rle de copilote dans les trains grande vitesse et dans les avions raction. Elles rglent les gaz dchappement des moteurs et les senseurs des airbags. Dans lindustrie, elles dirigent les machines et les robots les plus sophistiqus ou contrlent la production et sa qualit ; en informatique, les possibilits dutilisation ne connaissent pas de limites. La puce en silicium pur constitue le cur de chaque ordinateur et lui fournit une capacit mmoire impressionnante.

III.

Introduction : Systme au Silicium :

La micro-lectronique silicium est dj aujourd'hui et le sera encore davantage demain, un des moteurs essentiels dans la construction de la nouvelle socit de l'information et de la communication du 21me sicle. Le secteur des quipements et systmes lectroniques est un des premiers secteurs industriels mondial. L'industrie lectronique concerne plusieurs segments. Certains ncessitent des circuits intgrs trs performants : ce sont les secteurs qui concernent les technologies de l'informatique et les tlcommunications. Un circuit intgr conu de nos jours dans une technologie CMOS submicronique utilise plusieurs dizaines de millions de transistors de trs faibles dimensions sur une surface de quelques cm2. De plus, il fonctionne une frquence leve (plus de 1,5 GHz pour les processeurs actuels) et dissipe une puissance importante. Les performances techniques recherches pour les tlphones mobiles sont une bonne illustration des objectifs atteindre dans des marchs o la comptition est trs forte : faible poids, faible volume, grande autonomie, bonne couverture gographique, faible cot. Ces performances sont atteintes en intgrant lensemble des fonctions sur un ou deux circuits intgrs spcifiques. Le nombre de transistors par circuit intgr double tous les un an et demi. Cette volution dterministe a t prdite par la loi de "Moore" (du nom de G. Moore, cofondateur de la socit Intel) et s'est vrifie sur les trente dernires annes. Ce prodigieux essor a t rendu possible par les progrs concernant aussi bien l'architecture des transistors et leurs technologies de fabrication que l'architecture des circuits et les mthodes de conception assiste par ordinateur (CAO). La croissance exponentielle du nombre de transistors sur une seule puce (une puce est le morceau de silicium sur lequel est ralis le circuit intgr), consquence de l'volution des technologies de fabrication, permet d'y intgrer des fonctions de plus en plus complexes, avec de plus en plus de fonctionnalits, jusqu' l'intgration de systmes complets.

IV.

Phnomne de l'oxydation:

Loxydation est une raction chimique au cours de laquelle une substance perd des lectrons au profit dune autre substance (appele oxydant). Cest souvent loxygne qui joue le rle de loxydant. Parfois on remarque qu'il y a aussi une perte de proton.

1. Oxydation du silicium: IGA EL JADIDA L'opration d'oxydation consiste donc oxyder le Silicium depuis la surface du substrat. Les ractions principales sont les suivantes : Si solide + O2 ---> SiO2 solide Si solide + 2 H2O ---> SiO2 solide+ 2H2 Le Silicium s'oxyde temprature ambiante en prsence de l'atmosphre (qui contient de l'oxygne) ; mais ds que la couche d'oxyde atteint 2 ou 3 couches atomiques, le phnomne d'oxydation se bloque. Afin d'obtenir un oxyde de qualit lectronique satisfaisante, on prfre l'oxydation thermique soit avec de l'oxygne, soit en prsence de vapeur d'eau. La croissance de l'oxyde avec de l'oxygne donne une croissance plus lente de l'oxyde qui lui permet d'avoir des bonne caractristiques lectroniques, au contraire de l'eau. Cette opration s'effectue en gnral dans des fours similaires ceux de diffusion dans lesquels on fait circuler de l'oxygne, sec ou humide, ou de la vapeur d'eau.

V.

Dopage:

Tout d'abord, pour comprendre le Dopage, il faut savoir ce que c'est un semi-conducteur. Un semiconducteur, est un matriau possdant les mmes caractristiques d'un isolant. Il possde une conductivit lectrique situe entre celle des mtaux et celle des isolants. Cette conductivit peut tre contrle par dopage, e introduisant une petite quantit d'impuret dans le matriau afin de produire un excs d'lectrons. On peut trouver cette notion utilise pour le fonctionnement de quelques composants lectronique: Diodes, transistors. 1. Dfinition: C'est le fait de rajouter une impuret, afin de changer les caractristiques de conductivit d'une substance (matriaux...). Il consiste introduire des atomes d'un autre matriau afin de crer une raction avec les atomes initiaux, et introduire d'avantage d'lectrons. 2. Types de dopage: Dopage de type N: Le dopage de type N consiste produire un excs d'lectrons ngativement chargs.

Dopage de type P: Le dopage de type P consiste produire un excs d'lectrons positivement chargs.

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VI.

Technologies de fabrication des circuits intgrs :

Un systme lectronique fait appel plusieurs fonctions de l'lectronique et comporte de faon gnrale des circuits analogiques et/ou des circuits numriques. Jusqu'au milieu des annes 60, les fonctions de l'lectronique taient ralises l'aide de composants discrets, des tubes vide puis, aprs l'invention du transistor en 1948, l'aide de ces derniers. L'invention du transistor a t la premire tape de la rvolution apporte par la micro-lectronique (prix Nobel de physique en 1956 pour J. Bardeen, W. Brattain, et W. Schockley). C'est un composant de petites dimensions (micromtres), fabriqu partir de matriaux semi-conducteurs (essentiellement du silicium) par une succession de photo-lithogravures de diffusions d'espces chimiques (les dopants) et de dpts de couches minces. La deuxime tape a t l'invention du circuit intgr (prix Nobel de physique en 2000 pour J. Kilby inventeur en 1958 du circuit monolithique intgr). Un circuit intgr est un circuit lectronique ralisant une fonction et comportant plusieurs transistors fabriqus de faon collective. Les techniques de fabrication collective (successions d'tapes dpts lithographies gravures - dopages) sont trs sophistiques et trs coteuses, mais elles permettent de raliser sur une mme tranche de silicium un grand nombre de circuits intgrs qui comportent euxmmes un grand nombre de transistors.

VII.

Dfinition de circuit intgr :

Un circuit intgr dsigne un bloc constitu par un monocristal de silicium ( Puce ) de quelques millimtres carrs lintrieur duquel se trouve inscrit en nombre variable des composants lectroniques lmentaires ( Transistors, diodes, rsistances, condensateurs, ... ).

1. Circuit intgr analogique : Les composants les plus simples peuvent tre de simples transistors encapsuls les uns ct des autres sans liaison entre eux, jusqu' des assemblages complexes pouvant runir toutes les fonctions requises pour le fonctionnement d'un appareil dont il est le seul composant. 6

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Les amplificateurs oprationnels sont des reprsentants de moyenne complexit de cette grande famille o l'on retrouve aussi des composants rservs l'lectronique haute frquence et de tlcommunication.

2. Circuit intgr numrique : Les circuits intgrs numriques les plus simples sont des portes logiques (et, ou, non), les plus complexes sont les microprocesseurs et les plus denses sont les mmoires. On trouve de nombreux circuits intgrs ddis des applications spcifiques (ASIC pour Application Specific Integrated Circuit), notamment pour le traitement du signal (traitement d'image, compression vido...) on parle alors de DSP (pour Digital Signal Processor). Une famille importante de circuits intgrs est celle des composants de logique programmable (FPGA, CPLD). Ces composants sont amens remplacer les portes logiques simples en raison de leur grande densit d'intgration. 3. Exemples de circuits intgrs :

4. Diffrentes familles de circuits intgrs : Circuits Logiques : Oprateurs Logiques, Bascules et Compteurs, Multiplexeurs et De multiplexeurs, Circuits Arithmtiques, Mmoires, Registres, microprocesseur etc... Circuits Analogiques ou Linaires : Amplificateurs Oprationnels, Rgulateurs De Tension, Comparateurs etc... Circuits hybrides : Convertisseurs Numrique Analogique et Analogique Numrique, DSP (Digital Signal Processing : Processeur Numrique de Signal), micro contrleurs (certains possdent des E/S analogiques).

VIII.

Prparation des plaquettes (wafers) :


1. Conditions remplir :

Du fait du prix trs lev du silicium monocristallin, il faut viter la perte de matire pendant la prparation des wafers. Celles-ci sont trs fragiles ; il faut donc viter toute contrainte pouvant les dformer ou les briser. Par ailleurs, l'tat de surface des wafers doit tre aussi parfait que possible. Enfin le traitement ne doit pas polluer le monocristal. 7

2. Trononnage :

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Le silicium est dcoup en plaquettes (wafers) de 0,2 0,3 mm d'paisseur au moyen d'une scie circulaire diamante de grande prcision. Le travail s'effectue dans l'eau afin d'viter tout chauffement et toute pollution. Les dchets tant importants, les boues sont filtres et la poudre de silicium est rcupre et utilise nouveau. 3. Rodage des faces : Il a pour but d'liminer les irrgularits de surface provoques par les grains de poudre de diamant lors du trononnage ; il s'effectue avec de la poudre de carbure de silicium. Aprs le rodage mcanique, un rodage chimique vient supprimer les dernires irrgularits sur la couche superficielle qui peut avoir t pollue. cet effet, on utilise des bains d'acides (acides fluorhydrique et nitrique) ; puis les wafers sont rinces soigneusement et sches. Cette attaque chimique peut tre remplace ou complte par un polissage lectrolytique. 4. Dcoupage des pastilles : On dcoupe les plaquettes (wafers) en un trs grand nombre de pastilles, avec prcision, la largeur du trait de dcoupe tant aussi faible que possible (0,125 0,15 mm). Les bavures de dcoupage sont ensuite limines par attaque chimique suivie d'un rinage.

IX.

Conclusion :

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Nous avons trouv que le mini-projet qui nous a t propos, a enrichi notre culture propos de llectronique, et de ses bases en ce qui concerne lintgration lectronique et de lutilit de la matire premire utilise en lectronique. Au terme de ce projet dtude consacr llectronique, nous possdons une vue densemble sur le sujet grce la quantit volumineuse darticles rencontres lors de notre recherche sur internet. Nous connaissons maintenant les bases de lintgration lectronique.

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