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tel-00720123, version 1 - 23 Jul 2012

Universit Toulouse III Paul Sabatier (UT3 Paul Sabatier)


lectronique AntoineDelmas 27 Fvrier 2012

tude transitoire du dclenchement de protections haute tension contre les dcharges lectrostatiques
Gnie Electrique, Electronique et Tlcommunications (GEET) LAAS-CNRS Nicolas Nolhier, Professeur l'Universit Paul Sabatier, Toulouse Marise Bafleur, Directrice de recherche, LAAS-CNRS M. Dionyz Pogany, Professeur, Universit de Technologie de Vienne Philippe Benech, Professeur, IMEP, Grenoble M :

Alain Reinex, Directeur de recherche CNRS, XLIM, Limoge Patrice Besse, expert ESD, Freescale Semiconductor Patrick Austin, Professeur l'Universit Paul Sabatier, Toulouse

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Remerciements
Le travail de thse prsent dans ce mmoire a t ralis dans le cadre dune convention CIFRE (Convention Industrielle de Formation par la REcherche) tablie entre le LAAS-CNRS et la socit Freescale Semiconducteurs SAS. Au LAAS, jai rejoins lquipe de lIntgration des Systmes de Gestion de lEnergie (ISGE) et Freescale la division Technology Solutions Organization (TSO), puis le laboratoire du groupe Analog & Mixed Signal Product (AMPD). Ma thse a t initie dans le cadre du laboratoire commun Laboratoire dIntgration des systmes de Puissance Avance conclu entre le groupe TSO de Freescale et lquipe ISGE du LAAS de 2006 2009. A ce titre, je remercie Raja Chatila, Jean-Louis Sanchez ainsi que Jean Arlat, directeurs successifs du LAAS de mavoir accueilli dans leur laboratoire. Jai une pense particulire pour Jean-Louis Sanchez, qui nous a quitt en mai dernier. Je remercie galement Marise Baeur en tant que directrice du groupe ISGE, et Jean-Louis Chaptal, ancien manager de lquipe R&D de Freescale Toulouse. Je tiens remercier Dionyz Pogany et Philippe Benech davoir accept de lire et valuer mon manuscrit de thse. Merci galement aux examinateurs Alain Reinex et Patrice Besse. Merci Patrick Austin pour son rle dexaminateur et pour avoir accept de prsider le jury. Je remercie chaleureusement mon directeur de thse Nicolas Nolhier pour son soutien dans les moments de doute et lautonomie quil a su me laisser dans la prise en main de ma thse. Merci encore ma co-directrice de thse Marise Baeur. Je remercie Philippe Renaud, matre de stage puis encadrant industriel de ma thse durant les premiers mois, avant dtre appel de plus hautes fonction. Je retiendrai sa verve et son loquence. Je suis er de lui avoir fait connatre lexistence du air guitar . Un trs grand merci Amaury Gendron, ancien doctorant de Philippe, qui a pris le relai de lencadrement de ma thse depuis le milieu de lArizona. Ses grandes qualits tant professionnelles quhumaines mont t dun prcieux support. Jai toutefois d mettre de ct ladmiration quavait suscit en moi la lecture de sa thse pour pouvoir collaborer parfaitement. Merci Chai Gill, manager de lquipe ESD de Tempe pour la conance quelle ma accorde en macceptant dans son quipe ds la n 2008. Ma reconnaissance va particulirement David Trmouilles, vritable inventeur de la mthode transient-TLP , dont la curiosit, la disponibilit et la clairvoyance ont t dterminants pour ma thse. Je retiendrai les discutions passionnantes que nous avons eues et les nombreuses feuilles blanches que nous avons noircies de gribouillis indchirables. Je remercie Philippe Debosque de mavoir accueilli dans son quipe la n de mon contrat iii

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REMERCIEMENTS

CIFRE pour installer un banc de mesure transient-TLP au laboratoire, et Oscar De Barros pour voir prolong mon CDD. Un grand merci Alain Salles, ingnieur instrumentation au laboratoire pour sa patience et ses conseils. Merci Matthieu Aribaud pour les moment de dtente au caf, Rmy, Mylne, Thierry, Alain C., Philippe T., Barbara, Salim, Alexis, Pierre, Sailith et tous les autres du laboratoire. Merci Dominique pour ses photos de Chamonix de lpoque o il y avait encore des glaciers. Merci mes anciens voisins de bureau de TSO : Evgeniy, Ren, Jean-Michel, John et Bertrand. Merci Cline pour son amiti, qui ma aid tenir le coup pendant ces annes. Contrairement moi, tu es capable de parler ET travailler en mme temps. Merci Mikal pour avoir support nos bavardages. Merci Audrey, Aurlie, Nathalie, Julie et No pour les moments de dtente Freescale et lextrieur. Merci tous mes nouveaux collgues du design Freescale, et en premier lieu merci Patrice Besse, dont le rle dans mon embauche Freescale a t crucial. Je remercie Sylvette Cunnac pour sa ractivit et son ecacit dans la gestion des dossier CIFRE. Je remercie tous ceux que jai pu Nicolas Mauran, Alexandre, Nicolas Monnereau, Sandra, Jason, Yuan, Fabrice, Johan, Emmanuel, Benjamen, Emilie, Aude, Christophe, Laurent, Abdelakim, et tous ceux que je ne cite pas ici.

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Table des matires

Remerciements Introduction gnrale

iii xi 1 1 1 3 3 4 4 5 6 7 9 9 10 10

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1 Dcharges lectrostatiques et composants de protection 1.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.2 Fentre de conception . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3 Modles dvaluation de la robustesse . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.3.1 Robustesse des protections ESD et des circuits intgrs . . . . . . . . . . 1.3.2 Mthodes de test au niveau composant : normes JEDEC ESD . . . . . 1.3.2.1 Modle du corps humain ou human body model (HBM ) . . . . 1.3.2.2 Modle de machine, ou Machine model (M M ) . . . . . . . . . . 1.3.2.3 Modle du composant charg, ou Charged device model (CDM ) 1.3.3 Normes de test au niveau systme et vhicule pour lautomobile . . . . . 1.3.4 Human Metal Model (HM M ) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4 Outils dinvestigation . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4.1 Mesures impulsionnelles T LP/vf T LP . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4.1.1 Principe de la caractrisation quasi-statique . . . . . . . . . . . 1.4.1.2 Fonctionnement dun banc de mesure TLP/vf-TLP en conguration TDR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.4.2 CC-TLP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5 Etat de lart des composants de protection . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5.1 Les diodes . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5.2 Transistors bipolaires autopolariss . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5.2.1 Modes de dclenchement par dV/dt . . . . . . . . . . . . . . 1.5.2.2 Transistors bipolaires latraux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5.2.3 Transistors bipolaires verticaux . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5.3 Silicon Controlled Rectier SCR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.5.4 Composants base de MOS . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.6 Prsentation des composants de protection tudis . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.6.1 SCR haute tension . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.6.1.1 NPNR . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.6.1.2 NPNZ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.6.1.3 NPNB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.6.2 PNP/Diode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . v

11 12 13 14 14 16 16 17 18 18 20 21 21 22 24 25

vi 1.7 Conclusion

TABLE DES MATIRES . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 26

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2 tat de lart sur la caractrisation transitoire des protections ESD haute tension 2.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2 Principe de fonctionnement du vf-TLP Oryx . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.1 Matriel employ . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.1.1 Gnrateur dimpulsion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.1.2 Bote de mesure (measurement pod) . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.1.3 Cbles et pointes RF . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.1.4 Oscilloscope . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.2.1.5 Merge box . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.3 Limites du systme pour lanalyse transitoire. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.3.1 Rponse frquentielle des lments du banc de mesure . . . . . . . . . . . 2.3.1.1 Filtrage des sondes en courant et tension . . . . . . . . . . . . . 2.3.1.2 Attnuation apporte par les cbles coaxiaux . . . . . . . . . . . 2.3.1.3 Filtrage de la merge box . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.3.1.4 Bilan du ltrage du banc Oryx . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.3.2 Rglage du dlai de la merge box . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4 Mthode de mesure indirecte de la surtension au dclenchement : couplage avec un composant protger. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4.1 Principe de la mesure indirecte de pics de surtension . . . . . . . . . . . . 2.4.2 Application ltude de la surtension au dclenchement de protections ESD base de transistors PNP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.4.3 Limites de la mthode de mesure indirecte des pics de surtension . . . . . 2.5 Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3 Nouvelle mthodologie base sur la correction des donnes : le transientT LP (t-TLP) 3.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.2 Principe de la mthode . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3 Transformation de Fourier Discrte . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.3.1 Utilisation pratique de la Transformation de Fourier discrte sous M atlab 3.3.2 Algorithme de FFT . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.4 Dtermination du spectre frquentiel ncessaire . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.4.1 Limites des analyseurs de rseau . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.4.2 Limites de loscilloscope . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.4.3 Choix des limites frquentielles . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5 Traitement des donnes temporelles et frquentielles . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5.1 Signal non nul t < 0 : correction de loset . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5.2 Sparation des impulsions incidentes et rchies . . . . . . . . . . . . . . 3.5.3 Suppression des rexions parasites . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5.4 Compromis entre le temps de monte et la prcision des rsultats . . . . . 3.5.5 Traitement sur les coecients de paramtres -S mesurs . . . . . . . . . . 3.5.6 Calcul des formes dondes VDU T (t) et IDU T (t) . . . . . . . . . . . . . . . . 3.6 Rsultats de mesure t T LP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.6.1 Validation sur des cas simples . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.6.2 Application la mesure sur des composants ESD de librairie . . . . . . . 3.6.3 Limites de la mthode dtalonnage lanalyseur de rseau . . . . . . . . 3.7 Outil de mesure avanc avec talonnage loscilloscope . . . . . . . . . . . . . . .

27 27 27 27 27 28 30 30 30 32 32 34 35 36 36 39 40 40 41 44 44

45 45 45 49 49 51 52 52 52 53 55 55 55 57 61 63 63 64 64 67 69 71

TABLE DES MATIRES Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . Mesure des paramtres -S loscilloscope . . 3.7.2.1 Principe . . . . . . . . . . . . . . . . 3.7.2.2 Mise en uvre . . . . . . . . . . . . 3.7.2.3 Validit de la substitution de Sinc et 3.7.3 Problmatiques de d-convolution . . . . . . Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.7.1 3.7.2 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Sref par . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Sinc et Sref . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

vii 71 72 72 73 75 77 78 79 79 81 81 81 83 83 84 84 85 87 88 88 89 90 91 92 94 94 98

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4 Mthode dtalonnage pour des mesures transient T LP sur botier 4.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.2 Caractristiques physiques du banc de mesures T LP . . . . . . . . . . . . . . . . 4.2.1 Banc de mesures TLP . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.2.2 Modications du banc pour des mesures transitoires . . . . . . . . . . . . 4.3 talonnage du banc de mesure . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3.2 Parties coaxiales 50 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3.3 talonnage des pinces . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3.3.1 tape 1 : de P 2 P 4. Mesure du coecient de transmission de la partie coaxiale . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3.3.2 tape 2 : de P 4 P 5. Mesure de limpdance des ls et des pinces 4.3.4 talonnage des pistes de la carte P CB . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3.4.1 Expression de VDU T et IDU T en fonction des tensions et courants dans P5 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3.4.2 valuation de limpdance caractristique des pistes . . . . . . . 4.3.4.3 Mesure du paramtre l . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.3.5 Expression compacte pour la tension et le courant dans le plan du composant 4.3.6 Traitement des rexions multiples entre les plans 5 et 6 . . . . . . . . . . 4.3.7 Bilan des tapes dtalonnage du systme de mesure . . . . . . . . . . . . 4.4 Rsultats . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.5 Conclusion. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .

5 Analyse du dclenchement dun composant de protection ESD haute tension base de thyristor : le N P N B 101 5.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 101 5.2 Conditions ncessaires au retournement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 102 5.3 Corrlation entre les mesures transient T LP et les simulations T CAD . . . . 104 5.4 Analyse du dclenchement du composant protger . . . . . . . . . . . . . . . . 106 5.4.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106 5.4.2 Prsentation du composant protger . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 106 5.4.3 Rednition de la fentre de conception . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108 5.5 Prsentation du composant N P N B . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111 5.5.1 Principe de fonctionnement . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 111 5.5.2 Caractristiques quasi-statiques et dynamiques . . . . . . . . . . . . . . . 112 5.6 Dynamique du claquage par avalanche des diodes base-collecteur en inverse : comparaison P IN vs. P + /N + . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113 5.6.1 Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 113 5.6.2 Simulation de la dynamique du claquage par avalanche des deux diodes . 115 5.6.3 Expression analytique pour lvolution du courant davalanche lors du claquage . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 118 5.7 Dclenchement transitoire du N P N B . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 121

viii 5.7.1 5.7.2 5.7.3 5.7.4

TABLE DES MATIRES Introduction . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . De tBV =2.6 ns tEB =2.95 ns : courant de gnration . . . . . . . . . . . De tEB = 2.95 ns tN P N = 3.1 ns : dclenchement du N P N . . . . . . . De tN P N =3.1 ns tmax, N P N lat. = 3.6 ns : tude du repliement du N P N latral . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.7.5 Conduction du transistor P N P et de la diode verticale . . . . . . . . . . Solutions de dessin envisages . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.8.1 Rgles de dessin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.8.2 Application des rgles de dessin . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Conclusion . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 121 122 127 132 137 139 139 141 146 i v v vi vi vii ix x xvii xix

5.8

5.9

Conclusion gnrale A lments danalyse de Fourier A.1 Dcomposition en sries de Fourier (DSF) A.2 Transformation de Laplace . . . . . . . . . A.3 Transformation de Fourier complexe . . . A.4 nergie et densit spectrale dnergie . . .

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B Fonctionnement dun gnrateur dimpulsions T LP /vf T LP Bibliographie Liste des publications Rsum

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Lexprience nous apprend que lhomme napprend jamais rien de lexprience.

George Bernard Shaw.

Introduction gnrale
Le terme dcharge lectrostatique (Electrostatic Discharge, ou ESD) dsigne le transfert bref et intense de charges lectriques entre deux objets de potentiels dirents. Ce phnomne est la consquence du processus de charge des deux objets en question, durant lequel un dsquilibre de charges lectriques se cre entre les deux corps. Llectricit statique accumule ne peut cependant donner lieu une dcharge lectrique que si un chemin de conduction se cre

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entre les deux corps, par exemple par une mise en contact, ou encore par ionisation de la couche dair isolant les deux corps. Le dplacement des charges dun corps vers lautre cre alors un courant lectrique dont lintensit est dautant plus importante que la dcharge est brve. Ce phnomne intresse les scientiques depuis lantiquit. Dans la vie courante, il se manifeste sous la forme des chtaignes que lon peut ressentir par exemple en eeurant une poigne de porte, ou en sortant dune voiture. La foudre en est un autre exemple plus spectaculaire. Dans le domaine de la microlectronique, les dfaillances causes par les ESD constituent depuis les annes 1970 un sujet de proccupation de plus en plus important, avec la complexication des circuits intgrs (CI) et la rduction de leurs dimensions. En eet, les hautes tensions mises en jeu et la rduction des dimensions donnent lieu des champs lectriques de plus en plus levs et des densits de courant lectrique de plus en plus fortes, qui peuvent conduire au claquage des dilectriques ou la destruction thermique des CI. Historiquement, les eorts des industriels dans la protection des CI contre les ESD se sont dabord ports sur les risques encourus lors des tapes dlaboration industrielle (fabrication, test, assemblage). Le premier axe de travail a port sur la cration despaces protgs des ESD (Electrostatic Protected Area, EP A). En salle blanche, par exemple, la gnration de charges statiques peut tre limite par lutilisation de matriaux revtements antistatiques et dioniseurs dair pour neutraliser les charges. Lors des tapes de test et dassemblage, la probabilit pour un oprateur diniger une ESD un composant peut tre singulirement rduite si celui-ci se relie lectriquement au plan de masse par le biais dun bracelet conducteur. Ces programmes de prvention ont considrablement rduit les dangers daccumulation dlectricit statiques dans xi

les composants.

Les recherches actuelles portent sur la conception de stratgies de protections internes au CI. Celles-ci reposent sur laction de composants dits de protection dont la fonction est, la dtection dune ESD, dabsorber tout le courant de dcharge tout en maintenant la tension en-de dune valeur critique. Les composants de protection ESD doivent en outre tre conus de telle sorte que le fonctionnement du CI nest perturb ni par lESD ni par le composant de protection.

De nombreuses stratgies de protection ont t labores depuis que cette problmatique est prise en considration. Cependant, lintgration croissante de modules dirents sur un mme produit, la rduction des dimensions et la svrit croissante des normes internationales soulvent aujourdhui le problme de la rapidit de dclenchement des composants de protection.

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En eet, les quelques centaines de picosecondes ncessaires au dclenchement des composants les plus rapides susent parfois la dcharge lectrostatique pour gnrer une dfaillance irrversible dans le circuit protger. Cela est d au fait que la tension de dcharge ne peut pas tre contrle tant que le composant de protection ne sest pas dclench. Le pic de surtension qui stablit alors aux bornes du composant protger peut lui tre fatal. Le besoin des industriels pour des composants de protection plus rapides est donc bien rel.

Ma thse sinscrit dans cette problmatique, plus prcisment sur la protection dentres/sorties (ES) haute tension (40-90 V ) pour des technologies Smart P ower dveloppes F reescale Semiconductor. Deux axes majeurs se distinguent dans cette tude. Le premier, dordre exprimental, concerne la possibilit de mesurer des phnomnes lectriques extrmement rapides (plusieurs centaines de Volt sur quelques dizaines de picosecondes). Jai commenc travailler sur cette problmatique la n de lanne 2008 au LAAS, et une mthode de mesure a t labore, base sur le post-traitement de donnes mesures laide dun dispositif de mesures ESD classique. Le second axe de recherche concerne ltude physique, notamment par la simulation lectrothermique, de la dynamique de dclenchement de structures de protection existantes, et lamlioration de leurs performances en termes de rapidit.

Le travail prsent est organis en cinq chapitres. Le premier prsente le cadre dans lequel sinscrit ma thse. Le rle des composants de protection ESD intgrs dans les CI est dabord dni, travers la notion de fentre de conception . Puis les dirents modles permettant dvaluer la robustesse dun composant de protection soumis une agression ESD sont tudis. Les outils danalyse permettant de tester la capacit du composant respecter sa fentre de conception, et notamment le TLP sont prsents. Un tat de lart des composants de protection les plus couramment utiliss est tabli. Enn, les composants utiliss par Freescale pour

la protection des E/S haute tension en technologie SmartM os 8 M V sont prsents. Le second chapitre prsente deux des mthodes de mesure les plus couramment utilises pour valuer lamplitude du pic de surtension accompagnant le dclenchement des composants de protection haute tension. En premier lieu, une prsentation et une analyse du very-fast TLP est ralise, puis une mthode danalyse indirecte est dcrite. Les faiblesses de ces deux approches sont analyses. Dans le troisime chapitre, nous prsentons une nouvelle mthode de mesure sous pointes du comportement transitoire des composants de protection ESD, que nous avons nomme transient-TLP . Son principe est prsent dans une premire section. Les bases mathmatiques permettant son application sont ensuite brivement exposes. Le rglage des appareils de mesure pour une utilisation optimale est dtermin et justis. Le traitement mathmatique appliqu sur le signal est ensuite dtaill. Des rsultats de mesure sont exposs. Enn, une mthode dtalonnage alternative, ne ncessitant pas lemploi dun analyseur de rseau est prsente. Le quatrime chapitre tend la mthode prsente au troisime chapitre, et lapplique la mesure de composants encapsuls en botier. Le banc de mesure utilis est prsent dans une premier temps. Puis, la mthode dtalonnage employe est dtaille. Enn, des rsultats de mesure sont exposs. Dans le cinquime chapitre, une analyse du comportement transitoire dun composant de protection ESD haute tension utilis Freescale est ralise. Dans un premier temps, les conditions gnrales dcrivant le repliement dynamique de la tension aux bornes dun composant soumis une dcharge T LP sont tudies. Ensuite, la corrlation que lon peut tablir entre les mesures transient-TLP et les simulations T CAD est expose. Nous tudions alors le comportement du composant protger an de dterminer sa vulnrabilit aux ESD. Le composant de protection faisant lobjet de ce chapitre est ensuite prsent. Une analyse dtaille des tapes de son dclenchement est livre. Enn, nous prsentons des rgles de dessin permettant de rduire lamplitude du pic de surtension au dclenchement du composant.

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Chapitre

Dcharges lectrostatiques et composants de protection


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1.1

Introduction

La protection des circuits intgrs (CI) contre les dcharges lectrostatiques est un enjeu trs proccupant pour lindustrie de la microlectronique. Limpact quune ESD peut avoir sur un CI concerne la fois la destruction dun composant comme la perte de fonctionnalit temporaire du circuit. Pour cette raison, les stratgies de protection dveloppes par les concepteurs sont le fruit dune approche globale, partant du circuit entier jusquau composant de protection lui-mme. Nous allons dans ce chapitre introduire la problmatique industrielle dans laquelle sinscrit cette thse, en mettant en vidence les principaux ds et enjeux auxquels doivent faire face les fabricants de semi-conducteurs. Nous verrons dans une premire section de quelle manire sappliquent les contraintes de conception des composants de protection, par la dnition dune fentre de conception pour ces composants. Puis une classication des dirente types de dcharges pouvant sappliquer sur un circuit sera prsente, ainsi que les modles de test qui y sont associs. Des outils de mesure permettant dexaminer le comportement des composants et en particulier le respect de leur fentre de conception seront prsents. Nous examinerons ensuite les composants de protections ESD les plus couramment employs. Pour nir, les composants de protection ESD haute tension de la technologie SmartM os 8 M V de Freescale Semiconductor seront prsents.

1.2

Fentre de conception

La vulnrabilit des CI vis--vis des ESD ne cesse daugmenter face la rduction des dimensions technologiques et lintgration croissante des composants sur une mme puce. On 1

CHAPITRE 1. DCHARGES LECTROSTATIQUES ET COMPOSANTS DE PROTECTION

peut regrouper les processus de destruction dun composant lectronique par une ESD en deux types. Le premier est la destruction thermique, imputable aux fortes densits de courant pouvant circuler dans le composant. Le second est le claquage des dilectriques, qui est caus par les surtensions. Loxyde de grille dun transistor M OS, par exemple, est, de par sa faible paisseur, particulirement vulnrable aux surtensions. Pour raliser correctement son rle, une protection ESD doit donc absorber toute lnergie de dcharge lors dune ESD. La fonction dun composant de protection est celle dun interrupteur command parfait : place en parallle avec le circuit protger, son impdance doit tre innie en labsence de dcharge de manire ne pas perturber le circuit, et nulle ou trs faible ds quune dcharge est dtecte. La protection doit conduire le courant sur toute la dure de la dcharge et maintenir la tension une valeur inoensive pour le circuit. Le laps de temps ncessaire son dclenchement doit tre idalement nul, de sorte que la tension de dcharge ne puisse pas atteindre la valeur critique de destruction du CI pendant cette dure. La gure 1.1 montre un exemple dintgration de structures ESD protgeant lentre dun CI. Les protections 1 et 2 sont conues de telle sorte quelles se dclenchent quand la ddp leur borne dpasse la tension dalimentation. Ainsi lors dun stress ESD sur le plot de signal, si le potentiel de ce plot vient dpasser la tension dalimentation, la protection 1 se dclenchera, tandis quune tension ngative sur le plot de signal dclenchera la protection 2.

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Figure 1.1 Stratgie dintgration de protections ESD localises protgeant lentre dun CI. Les contraintes lies la protection du circuit imposent la protection ESD le respect dune fentre de conception : il sagit de la zone autorise du plan I V , lintrieur de laquelle doit sinscrire la courbe cactristique du composant de protection. Deux limites dnissent cette fentre de conception. La borne infrieure de cette fentre est xe par la tension dalimentation
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1.3. MODLES DVALUATION DE LA ROBUSTESSE

du circuit. En eet, la protection ESD ne doit pas se dclencher pour des tensions infrieures cette tension dalimentation, sans quoi elle risquerait de perturber le circuit en utilisation normale. Mais la tension ne doit non plus jamais dpasser la tension Vmax de destruction du circuit protger. Cest cette tension Vmax qui constitue donc la borne suprieure. A ces deux tensions limites sajoutent gnralement des marges de sret de quelques Volt. Toutes les protections ESD possdent les mmes deux tats de fonctionnement : un tat de haute impdance, ou tat bloqu, dans lequel le composant doit se trouver en labsence dagression ESD, et un tat de faible impdance, dit tat passant, durant lequel il conduit le courant de dcharge. La gure 1.2 montre la caractristique courant-tension typique dune protection ESD, mesure avec un outil ddi, le TLP , dont le fonctionnement sera expos dans la partie 1.4.1. Cet outil permet dextraire les paramtres caractristiques du fonctionnement de la protection ESD, parmi lesquels gurent : la tension de dclenchement Vt1 , aussi appele tension de repliement. Cest la tension partir de laquelle le courant commence crotre. La tension de maintien VH . Cest la tension laquelle le composant se stabilise faible courant, immdiatement aprs son dclenchement. Cette tension est dans la plupart des composants plus faible que la tension de dclenchement. Elle doit tre suprieure la tension dalimentation du circuit (borne infrieure de la fentre de conception). Cela permet de sassurer que la protection ne reste pas verrouille ltat passant lors dun dclenchement intempestif. Nous verrons plus en dtail dans les partie 1.5 les processus physiques gouvernant la valeur de VH . la rsistance dynamique RON : cest linverse de la pente de la caractristique I-V, une fois le composant dclench. La tension et le courant de destruction par claquage thermique : Vt2 , It2 . Nous verrons que certains composants de protection, comme les diodes polarises en inverse, ne prsentent pas de mcanisme de repliement. Leur tension de maintien VH est confondue avec leur tension de dclenchement Vt1 .

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1.3
1.3.1

Modles dvaluation de la robustesse


Robustesse des protections ESD et des circuits intgrs

Lune des proprits essentielles des circuits de protection contre les ESD est leur capacit conduire des courants trs importants sans se dgrader. Cette proprit, appele robustesse, doit tre value prcisment laide de testeurs ddis. Ces testeurs reproduisent la forme donde dune impulsion ESD relle et permettent un contrle de lintgrit du composant entre deux impulsions. La forme donde dune impulsion ESD agressant un composant est complexe car
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CHAPITRE 1. DCHARGES LECTROSTATIQUES ET COMPOSANTS DE PROTECTION

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Figure 1.2 Caractristique I-V TLP typique dune protection ESD et paramtres lectriques associs. Les ches noires reprsentent les marges de sret. elle dpend de nombreux paramtres tels que limpdance du gnrateur de dcharge, les caractristiques lectriques du chemin de dcharge, mais aussi lvolution dimpdance du composant lui-mme au cours de son dclenchement. Des normes ont t tablies, visant modliser et classier les dcharges lectrostatiques les plus courantes. chacun de ces modles est associ un dispositif de test permettant de reproduire ces conditions en laboratoire. On dnit alors la robustesse dun composant pour un modle donn comme tant la tension maximale du gnrateur de dcharge qui a pu lui tre applique sans dfaillance du composant. Les modles ESD les plus anciens se restreignent des tests au niveau du composant, mais les exigences actuelles sur le march des composants lectroniques poussent dsormais les fabricants de semiconducteurs tester leurs produits au niveau systme, voire mme des niveaux suprieurs. Dans lautomobile, les tests seectuent jusquau niveau vhicule.

1.3.2
1.3.2.1

Mthodes de test au niveau composant : normes JEDEC ESD


Modle du corps humain ou human body model (HBM )

Tous les modles de dcharge ESD sont constitus dun condensateur charg puis dcharg travers un circuit de dcharge. La norme HBM est la plus ancienne des normes ESD et vise simuler la dcharge que gnre un tre humain (typiquement un oprateur en laboratoire) manipulant un circuit [1] [2] [3]. Ltre humain peut tre modlis par une capacit denviron 100 pF , se dchargeant travers une rsistance de 1.5 k et une inductance de 3.5 H constitus par la peau et le corps. Le modle correspondant est reprsent la gure 1.3-a), et la forme
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1.3. MODLES DVALUATION DE LA ROBUSTESSE

donde obtenue sur un court-circuit pour une tension de prcharge de 2 kV est montr le gure 1.3-b).

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Figure 1.3 Modle lectrique quivalent du corps humain (a) et dcharge simule sur un court-circuit pour une tension de charge de 2 kV (b). Un condensateur de 100 pF est charg puis dcharg travers le composant sous test ou DU T (Device Under Test) la fermeture du relai R1. Le courant maximal impos est atteint vers 10ns, et suit ensuite une dcroissance exponentielle sur plusieurs centaines de nanosecondes. Lnergie du stress est de lordre de la dizaine de microjoules. La dfaillance des CI soumis des agressions de type HBM est gnralement cause par la fusion locale dun des lments du circuit (mtallisation, silicium etc) Pendant de nombreuses annes, lobjectif habituel de robustesse atteindre en HBM est rest constant et gal 2 kV HBM , niveau de dcharge maximal pouvant tre inig un composant par un oprateur en laboratoire. Mais tant donn les progrs ralis dans la prvention contre les ESD dans les laboratoires (bracelets antistatiques, matriaux adapts etc), des voix se sont rcemment leves pour proposer un abaissement de cette limite 1 kV [4].

1.3.2.2

Modle de machine, ou Machine model (M M )

Le modle M M est cens reproduire la dcharge dune machine (outils, fer souder) de faible rsistance travers un CI [5] [6], [7]. Le schma est trs similaire celui du modle HBM , mais la capacit est ici de 200 pF (gure 1.4-a) et la rsistance, correspondant la rsistance parasite de lappareil, y est trs faible (ici 10 ). La forme donde oscillatoire dune dcharge M M de 200 V sur un court-circuit est reprsente la gure 1.4-b. La particularit de ce type de dcharge est que le composant y est agress pour une polarit successivement positive et ngative, ce qui permet dvaluer les robustesses dun circuit de protection la fois en direct et en inverse, contrairement au modle HBM [8].
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CHAPITRE 1. DCHARGES LECTROSTATIQUES ET COMPOSANTS DE PROTECTION La valeur de 200 V a longtemps t la rfrence pour la qualication M M , mais comme pour

lHBM , labaissement de cette valeur voire llimination pure et simple de ltape de test M M a t rcemment discute [4].

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Figure 1.4 Modle lectrique quivalent dune machine (a) et forme donde simule sur un court-circuit pour une tension de charge de 200 V (b).

1.3.2.3

Modle du composant charg, ou Charged device model (CDM )

Ce modle (Charged Device Model) est trs dirent des deux premiers. Contrairement aux modles CDM et M M , il ne vise pas tudier lapplication dune dcharge de forme donde prdnie travers un composant, mais reproduire les conditions de charge puis de dcharge du CI lui-mme travers un plan de masse [9], [10], [11]. Les caractristiques dune dcharge CDM dpendent fortement du composant sous test, ce qui rend trs dicile lvaluation de la valeur des composant parasites [12] [13]. Direntes mthodes ont t proposes pour reproduire ce phnomne, mais la plus courante consiste charger le composant par induction en connectant une de ses broches lextrmit dun condensateur charg, puis, le dcharger en reliant la broche teste la masse (socketed CDM ). La capacit de charge est plus faible que celle dun oprateur ou dune machine, de mme que linductance et la rsistance parasite du circuit de dcharge (gure 1.5-a). La gure 1.5-b montre la forme donde en courant dune dcharge CDM de 500 V . La caractristique est oscillatoire, mais fortement amortie. Lagression est beaucoup plus courte que celle du HBM et du M M , mais le temps de monte est trs rapide (<1 ns). Lnergie dissipe par une telle dcharge est infrieure au microjoule, mais son temps de monte trs court peut, si le circuit de protection ne se dclenche pas susamment rapidement, occasionner une surtension transitoire fatale aux oxydes de grille des M OS. De ce fait, les phnomnes physiques occasionnant la dfaillance des CI par des dcharges CDM sont souvent trs dirents de ceux rgissant leur endommagement par les dcharges HBM et M M .
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1.3. MODLES DVALUATION DE LA ROBUSTESSE

Figure 1.5 Modle lectrique quivalent du composant charg (a) et forme donde obtenue 50 V de tension de charge. La gure 1.6 compare les formes donde en courant des trois dcharges HBM , M M et CDM

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aux tensions de prcharge gnralement requises pour la qualication des composants : respectivement 2 kV , 200 V et 500 V . On voit bien que les niveaux de tension ne sont pas corrls aux courants atteints lors de la dcharge : tant donn la forte rsistance srie du gnrateur HBM , le courant dune dcharge HBM de 2 kV ne dpasse pas 1.3 A alors quil atteint 10.5 A pour une dcharge CDM de 500 V . Par soucis de lisibilit, nous avons ajout un dlai articiel de 60 ns la courbe reprsentant la dcharge CDM .

Figure 1.6 Comparatif des formes dondes des trois modles de dcharge abords dans cette section : HBM , M M , CDM .

1.3.3

Normes de test au niveau systme et vhicule pour lautomobile

Les modles prsente ci-dessus sont limits aux dcharges que peuvent subir le composant durant les tapes de son laboration, depuis la fabrication en salle blanche jusqu lassemblage en laboratoire. Une fois assembls, ils restent cependant trs exposs aux ESD provenant de lenvironnement extrieur. Des normes ont t tablies pour encadrer le test ESD des produits
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8 Gun .

CHAPITRE 1. DCHARGES LECTROSTATIQUES ET COMPOSANTS DE PROTECTION

au niveau systme et vhicule, utilisant un gnrateur dimpulsion appel pistolet ESD , ou La gure 1.7 montre le schma quivalent souvent utilis pour dcrire le pistolet ESD dans les normes IEC 61000 4 2 [14] et ISO 10605 [15]. Les deux normes dirent par leurs capacits C1 et leurs rsistances srie R2. La capacit C2 en pointills, de lordre de la dizaine de pF , napparat pas dans les normes, mais est ncessaire pour dcrire le couplage entre la pointe de dcharge et le plan de masse. Dans la norme IEC 61000 4 2, la capacit C1 vaut 150 pF et la rsistance R2 330 . Dans la norme ISO 10605, la rsistance R2 est de 2 k, et la capacit C1 peut valoir 150 pF ou 330 pF suivant lapplication simule. La premire des deux normes reproduit le cas dun humain rentrant lintrieur dun vhicule, et la seconde celui dun humain assis lintrieur du vhicule. Les capacits C1 et C2 sont charges travers une forte rsistance R1. Des modles plus complets ont t proposs [16] [17], mais sont tous lis un appareil de test particulier.

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Figure 1.7 Modle lectrique simpli dun gnrateur Gun. Seules C1 et R2 sont spcis dans les normes. R1 est la rsistance de charge, typiquement de 1 M . C2 est une capacit parasite de lordre de 10 pF , reproduisant le couplage existant entre la pointe de dcharge et le plan de masse. La gure 1.8 montre une forme donde simule sur un court-circuit avec les lments de la norme IEC 61000 4 2 8 kV . La dcharge prsente deux pics successifs : le premier, trs rapide et intense, est d la dcharge du condensateur C2, et le second celle du condensateur C1 travers la rsistance R2 (1.7). Le courant atteint lors du premier pic dpend peu de la valeur de la rsistance R2, au contraire de celui atteint pendant le deuxime pic. Ainsi, une forte valeur de R2 limite le courant du deuxime pic sans modier la forme du premier pic. De mme, la valeur de C1 na deet que sur la forme du second pic, travers la constante de temps = R2C1. Les valeurs de ces deux rsistances dans les normes IEC 61000 4 2 et ISO 10605 permettent donc de modier limportance du second pic par rapport au premier. La robustesse de llment sous test peut dpendre des valeurs utilises. Si la dfaillance est due au courant de pic, les trois modles prsenteront le mme rsultat, mais si elle provient dun claquage thermique, leet de R2 et C1 est dterminant.
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1.4. OUTILS DINVESTIGATION

Figure 1.8 Forme donde dune dcharge pistolet 8 kV selon la norme IEC 61000-4-2.

1.3.4

Human Metal Model (HM M )

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Une nouvelle norme appele Human Metal Model est en cours de publication. Cette norme vise tablir une procdure de test normalise au niveau composant, reproduisant la dcharge dune personne tenant dans ses mains un outil en mtal. La forme donde correspondante sapproche de celle dun pistolet ESD [18]. Plusieurs procdures sont ltude, lune dentre elles prvoyant lutilisation dun pistolet ESD comme gnrateur de dcharge, et lautre se basant sur un systme dimpdance 50 de type T LP modi ( Transmission Line Pulsing , voir section 1.4.1). Lavantage de la premire solution est limpdance leve du gnrateur, qui la rapproche du cas rel de dcharge, celui dun humain tenant un outil mtallique. Mais de srieux doutes ont t mis quant sa reproductibilit pour des mesures sur composant discret [19]. Dimportantes disparits ont t constates sur le courant de pic, le courant 30 ns et 60 ns, ainsi que le spectre haute frquence de limpulsion gnre par dirents modles de pistolets respectant la norme IEC. Lutilisation dun outil de type T LP est galement envisag. La trs bonne rptabilit du systme et labsence de rayonnement parasites tels que peuvent en gnrer les pistolets ESD en font un bon candidat [20].

1.4

Outils dinvestigation

Les outils de caractrisation HBM , M M et CDM doivent tre vus comme de simples outils de mesure de la robustesse des composants. Ils napportent pas a priori dinformations sur la capacit du composant respecter sa fentre de conception. Des outils danalyse plus ne ont donc t dvelopps, reproduisant des formes donde semblables celles des impulsions HBM et CDM , mais permettant en plus de mesurer la tension et le courant du composant durant son
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CHAPITRE 1. DCHARGES LECTROSTATIQUES ET COMPOSANTS DE PROTECTION

fonctionnement. En eet, dans les testeurs HBM et CDM en particulier, lajout des sondes de courant et tension est possible mais peut apporter une importante rupture dimpdance dans le systme. Pour ces raisons, des mthodes de caractrisation alternatives ont t proposes. Elles orent lavantage dune meilleure reproductibilit de par la suppression des nombreuses sources de bruit prsentes dans les testeurs de robustesse (inductances parasites des ls, couplage entre les lignes etc.). Lnergie dissipe y est comparable celle dune dcharge lectrostatique. Mais lavantage dterminant de ces outils est la possibilit dextraire les formes donde de courant et tension du composant durant son fonctionnement pour les principaux types dagression.

1.4.1
1.4.1.1

Mesures impulsionnelles T LP/vf T LP


Principe de la caractrisation quasi-statique

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La mthode de Transmission Line Pulsing (TLP) est la plus employe dentre elles. Elle a t introduite en 1985 par T. Maloney [21], pour pouvoir mesurer la caractristique I-V des composants fort courant. Le gnrateur T LP envoie des impulsions carres dune dure limite (typiquement 100 ns). Cette faible dure permet de limiter lnergie dissipe dans le composant durant la mesure, et dlever le courant maximal pouvant tre inject sans dtruire le composant par chauement. Pour la grande majorit des composants, cette dure de 100 ns est galement suprieure la dure dtablissement du rgime permanent, ce qui permet aux formes dondes V(t) et I(t) dtre stabilises avant la n de limpulsion. Un moyennage des formes donde de courant et de tension sur les dernires nanosecondes de limpulsion, pour des niveaux de courant dintensit croissante, permet dobtenir une caractristique I-V dite quasi-statique du composant, car mi-chemin entre la mesure dynamique et la mesure statique (g 1.9). Il importe videmment de prendre garde au choix de la fentre de temps choisie pour le moyennage, de sorte que les phnomnes transitoires lis tant au fonctionnement du composant qu celui du dispositif de mesure soient bien termins. Une mesure statique I-V faible courant du composant entre chaque mesure impulsionnelle permet de vrier ltat du composant et dvaluer sa robustesse. On extrait de ces graphes I-V les grandeurs caractristiques de la protection, qui susent dcrire le fonctionnement quasi-statique de la structure : la tension de dclenchement Vt1 , de repliement VH de destruction thermique Vt2 , ainsi que les niveaux de courant associs (g 1.2). Le systme T LP gnre des impulsions rectangulaires de 1000 V 1000 V , dune dure de 100 ns, et dun temps de monte modulable variant entre 1 ns et 10 ns. Par sa forme donde, il se rapproche dun gnrateur dimpulsions HBM . Le temps de monte tr de limpulsion peut tre modi laide de ltres passe-bas en srie avec le gnrateur. Pour une bande passante
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1.4. OUTILS DINVESTIGATION

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Figure 1.9 Construction point par point dune caractristique I V T LP .

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f , le temps de monte tr en sortie peut se retrouver par la relation : tr = 0.35 f (1.1)

Un autre type de systme impulsionnel, le very fast-T LP (vf T LP ) a t introduit par H. Gieser en 1996 [22] pour reproduire les dcharges plus rapides, de types CDM. Les temps de monte gnrs sont compris entre 100 ns et 1 ns, et les dures dimpulsions entre 1.25 ns et 5 ns. Ce temps de monte trs faible permet dtudier leet de fronts de monte abrupts tels ceux rencontrs en CDM . Le vf T LP permet aussi de caractriser les composants de protections des niveaux de courants plus levs quen T LP , la plus courte dure dimpulsion garantissant une nergie dissipe plus faible dans le composant. Nombre de composants peuvent ainsi tre tests jusqu 20 A sans tre endommags. En revanche, le vf T LP nest pas un outil de mesure quasi-statique, la mesure ne seectuant quaux alentours de 3-4 ns (contre 70-80 ns en T LP ). Le comportement du composant est ce stade souvent gouvern par les processus dynamiques durant cette fentre temporelle.

1.4.1.2

Fonctionnement dun banc de mesure TLP/vf-TLP en conguration TDR

La mesure de la tension et du courant du composant sous test (DUT) se fait par la mthode de rectomtrie temporelle (Time Domain Reectometry). Une impulsion TLP cre par le gnrateur (limpulsion dite incidente ), est envoye dans le systme de mesure via le cble coaxial T L1 (g 1.10). Le fonctionnement du gnrateur T LP est dtaill dans lannexe B. Les tensions et courants incidents sont mesurs grce des sondes ddies et chantillonns par un
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CHAPITRE 1. DCHARGES LECTROSTATIQUES ET COMPOSANTS DE PROTECTION

oscilloscope haute bande passante. Pour pouvoir capturer les temps de monte spcis dans les normes, loscilloscope doit avoir une bande passante dau moins 400 MHz pour le T LP et dau moins 2 GHz pour le vf T LP . Aprs avoir t mesure par loscilloscope, limpulsion incidente se propage dans T L2 , jusqu atteindre le composant sous test (DU T ), sur lequel elle est partiellement rchie et partiellement absorbe, suivant limpdance du composant. Londe rchie est une image de limpdance temporelle du composant, donc de son comportement son dclenchement. Londe rchie se propage dans T L2 et est mesure nouveau par loscilloscope. Celui-ci fournit donc dans la mme acquisition une mesure des ondes incidentes et rchies la suite, spares par le dlai correspondant un aller-retour dans le cble T L2 . Le courant IDU T et tension VDU T du composant se retrouvent par la relation :

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VDU T = Vinc + Vref IDU T = Iinc + Iref

(1.2) (1.3)

avec Vinc , Iinc , respectivement les tensions et courants incidents, et Vref , Iref , les tensions et courants rchis. Le dlai sparant ces deux ondes incidentes et rchies est typiquement de quelques nanosecondes. Dans le cas dune impulsion TLP de largeur 100 ns, elles se superposent donc sur lcran de loscilloscope, ce qui facilite lextraction de VDU T et IDU T (technique du TDR-Overlap). En vf-TLP, en revanche, un traitement est ncessaire pour reconstituer les formes dondes vues par le composant (TDR-Separate).

1.4.2

CC-TLP

Nous avons vu quun des objectifs du vf T LP tait de reproduire les caractristiques des dcharges CDM , par leurs impulsions de faible dure et leurs fronts montants extrmement rapides. Gieser et al. ont donc tent dtablir une corrlation entre le test CDM et le test vf T LP en comparant les signatures de dfaillance dun mme circuit soumis aux deux tests [23]. La comparaison des seuils de dfaillance sur les trois entres du circuit employ pour les deux types de test na pas permis dtablir de corrlation franche. De plus, une analyse dtaille de topographie du circuit a montr que les chemins de courant suivi par les dcharges CDM et vf T LP taient radicalement dirents. Les auteurs concluent quaucune corrlation ne peut tre tablie entre un stress sur une broche, de type CDM , et le stress sur deux broches que constitue le vf T LP . Le vf T LP reste cependant une bonne mthode pour valuer la robustesse et les conditions de dclenchement dune protection ESD isole.

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1.5. ETAT DE LART DES COMPOSANTS DE PROTECTION

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Figure 1.10 Schma de principe de la caractrisation par rectomtrie. Exemple du vfTLP, dans lequel les impulsions incidentes et rchies apparaissent spares sur lcran de locilloscope.

Les mmes auteurs ont tabli une nouvelle mthode de mesure dans laquelle les impulsions sont directement injectes sur la broche tester, le composant tant par ailleurs reli la masse via un mulateur de botier ( package emulator ) conu spciquement pour chaque puce [24]. Cette mthode, appele capacity coupled TLP , ou CC T LP utilise un banc de mesure vf T LP pour gnrer la dcharge et lacheminer vers le composant et bncie donc de la bonne reproductibilit du gnrateur T LP . Une trs bonne corrlation a t obtenue avec le CDM sur des circuits monts en botier, tant sur le courant de pic quau niveau des signatures de dfaillance lectriques et physiques du composant [25] [26].

1.5

Etat de lart des composants de protection

Nous allons dans ce chapitre prsenter les principaux composants utiliss pour la protection contre les dcharges lectrostatiques. Une grande partie des composants les plus courant repose sur le principe du transistor bipolaire autopolaris (T BA). Le fonctionnement du transistor bipolaire latral, vertical, ainsi que le M OS utilis en ESD en sont de bons exemples. Ltude des T BA en conditions ESD a fait lobjet dun traitement abondant dans la littrature [13] [27] [28]. Une analyse pousse de la physique des composants bipolaires en rgime de forte injection a galement t mene dans [29], [30] et [31]. Nous tudierons galement dans le chapitre 5 le fonctionnement des diodes et des transistors bipolaires autopolariss, en apportant une contribution originale sur leurs dynamiques de dclenchement.

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CHAPITRE 1. DCHARGES LECTROSTATIQUES ET COMPOSANTS DE PROTECTION

1.5.1

Les diodes

Le composant le plus simple permettant de conduire le courant partir dun certain seuil de tension est la diode P N . Elle peut tre utilise tant en direct quen inverse, et a pour principal avantage la relative simplicit de conception et lconomie de place ralis par rapport des composants plus complexes. Polarise en direct, sa tension de seuil est gale 0.5 V en technologie Silicium. Son dclenchement en direct est relativement lent (de lordre de la nanoseconde), car li aux phnomnes de modulation de conductivit dans les zones quasi-neutres (voir chapitre 5). Cela peut devenir problmatique pour des applications CDM ou Gun, dont les fronts de monte sont abrupts. Polarise en inverse, son fonctionnement repose sur le phnomne davalanche. A une certaine tension appele tension de claquage, ou Breakdown Voltage (BV ), les porteurs de charge

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(lectrons et trous) acquirent susamment dnergie, sous leet du fort champ lectrique rgnant dans la zone de charge despace, pour ioniser les atomes du rseau cristallin par impact. Chaque porteur cre par ionisation peut gnrer son tour par collision une paire lectron-trou et alimenter le phnomne d avalanche . Ainsi, grce au grand nombre de porteurs prsents dans la zone davalanche, la diode en inverse peut conduire des courants trs levs. Elle trouve donc naturellement son application en lectronique de puissance, mme si sa forte rsistance ltat passant RON restreint son champ dapplication. La tension de claquage dune diode en inverse ne dpend que des concentrations en dopants de part et dautre de la jonction, ainsi que des prols de dopage, et peut donc tre modie selon le besoin.

1.5.2

Transistors bipolaires autopolariss

Le transistor bipolaire autopolaris (T BA) est un bipolaire dont les contacts dmetteur et de base sont relis soit par une rsistance externe, soit par un court-circuit (gure 1.11-a). La polarisation en direct de la jonction metteur base y est assure par la chute de potentiel stablissant travers la rgion de base (rsistance daccs) et ventuellement la rsistance externe RB . Nous prsenterons dans cette partie le comportement dun bipolaire N P N , plus couramment utilis que le P N P pour des applications ESD, mais le principe de fonctionnement de ces deux transistors sont similaires. Il sont gnralement constitus de trois rgions : un metteur court et fortement dop, une base courte et faiblement dope, et une rgion de collecteur longue et fortement dope.

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1.5. ETAT DE LART DES COMPOSANTS DE PROTECTION

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Figure 1.11 Schma reprsentatif dune mesure T LP sur transistor bipolaire autopolaris N P N (a). Courbe caractristique I V correspondante (b). On distingue les trois zones de fonctionnement : tat bloqu (1), avalanche de la diode base-collecteur (2), et fonctionnement repli (3). La caractristique T LP schmatique dun T BA typique est reporte en gure 1.11-b. Dans la conguration de la gure 1.11-a, une impulsion positive est applique sur le contact de collecteur, lmetteur tant reli la masse. La jonction collecteur-base est polarise en inverse. Pour des tensions infrieures sa tension de claquage par avalanche BVCB (zone 1 de la gure 1.11-b), le courant circulant dans le composant est trs faible. Il est en eet gal au courant de saturation de la diode collecteur-base en inverse, ngligeable par rapport aux courants mis en jeu lors dune ESD. Le claquage par avalanche de la jonction base-collecteur en inverse a lieu quand la tension applique au transistor atteint BVCB et un courant davalanche circule alors dans le composant. Ce dernier se comporte dans un premier temps comme une diode en inverse, avec une rsistance ltat passant RON leve (zone 2). Dans cette zone, le courant circulant dans rsistance de base et donc la chute de potentiel ses bornes sont encore trop faibles pour pouvoir polariser en direct la jonction metteur-base. A mesure que le niveau de courant I dans le composant augmente, la chute de potentiel travers la rsistance de base saccrot, et un certain niveau de tension V = Vt1 et de courant I = It1 , la tension base-metteur devient susamment importante pour annuler le potentiel de diusion de la diode metteur-base en direct. La barrire de diusion annule, les nombreux lectrons issus de lmetteur N fortement dop peuvent diuser librement travers la base P du N P N . En atteignant la zone davalanche de la jonction base-collecteur, ils subissent une multiplication par impact. Il sensuit une brutale augmentation du courant I et une brutale chute de limpdance du composant. La tension dcrot et se stabilise une faible valeur VH , dite tension
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CHAPITRE 1. DCHARGES LECTROSTATIQUES ET COMPOSANTS DE PROTECTION

de maintien. Ce phnomne est appel repliement . La tension dite de repliement Vt1 est la tension maximale atteinte par le composant avant dentrer en mode de repliement. Le courant correspondant est not It1 Dans la zone 3, le composant est dans un mode de fonctionnement faible impdance, caractris par une rsistance dynamique RON , et limit par le courant It2 de destruction du composant par les phnomnes demballement thermique. Plus la tension de maintien est basse, moins lnergie dissipe est importante. Le phnomne de repliement tend donc augmenter la limite suprieure It2 en permettant au composant de dissiper plus dnergie. Ce repliement ne doit pas tre trop important, pour viter de sortir de la fentre de conception.

1.5.2.1

Modes de dclenchement par dV/dt

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Nous avons vu que leet bipolaire senclenchait ds que le courant circulant dans la rsistance de base permettait la tension base-metteur datteindre sa tension de seuil VS . Dans le cas tudi ci-dessus, ce courant est un pur courant davalanche, rsultant du claquage de la jonction base-collecteur. Mais dans certains cas, en particulier lors de fronts de monte rapides, ce courant peut galement tre fourni par la charge de la capacit de jonction base-collecteur [32] [33]. Ce courant capacitif additionnel, sajoutant au courant davalanche, est dautant plus important que la pente dV/dt de limpulsion est leve. Ainsi, pour une tension de claquage base-collecteur BV donne, le courant permettant la tension metteur-base datteindre la tension VS peut tre atteint plus tt si la pente dV/dt est plus leve. Autrement dit, une augmentation du dV/dt incident provoque un abaissement de la tension de dclenchement Vt1 . Ce phnomne est communment dsign sous le nom de dclenchement par dV/dt [27]. Le dclenchement par dV/dt peut tre mis prot pour accrotre la rapidit de rponse dun composant soumis des impulsions front montant abrupt. Cependant il doit tre employ avec prcautions, et ce pour deux raisons. La premire est que la tension de dclenchement dun composant sujet au dclenchement par dV/dt dpend de la forme de limpulsion incidente et est donc dicile contrler. Ceci pose un vident problme au niveau du respect de la fentre de conception. La seconde raison est quun composant dont la capacit parasite est leve est en gnral plus susceptible aux perturbations CEM . 1.5.2.2 Transistors bipolaires latraux

Une structure bipolaire est dite latrale ou verticale selon la direction prise par le courant traversant la base. Une structure latrale N P N sur substrat P + est reprsente en gure 1.12. La base est constitue dun caisson P implant dans une couche pitaxie P . La tension de claquage dune telle structure peut tre contrle par la largeur de la zone P de la base situe
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1.5. ETAT DE LART DES COMPOSANTS DE PROTECTION

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entre les implantations dmetteur et de collecteur (Sp sur le schma) [31] [34]. En eet, avant le dclenchement du composant, la tension applique au composant stend principalement sur les zones les plus rsistives. Donc plus la zone peu dope P est courte, plus la tension se concentre sur la jonction base-collecteur, rduisant alors la tension quil est ncessaire dappliquer au composant entier pour obtenir le claquage de cette jonction. La faiblesse des bipolaires latraux tient leur robustesse, moins importante que celle des bipolaires verticaux. Cela est d au faible volume sur lequel se concentre le courant une fois le composant dclench.

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Figure 1.12 Coupe technologique 2D simplie dun transistor bipolaire latral.

1.5.2.3

Transistors bipolaires verticaux

Un exemple de structure verticale est reprsent la gure 1.13. Le courant traverse la base verticalement, le collecteur tant ici constitu par une couche enterre N +. La robustesse du composant peut tre augmente en allongeant la diusion N + dmetteur pour augmenter le volume dans lequel le courant se rpartit. En revanche, les tensions de dclenchement possibles, dtermines par le dopage et la profondeur du caisson P de base et de la couche enterre, sont limites par les possibilits oertes par la technologie. Il peut exister beaucoup plus de variantes possibles selon la technologie utilise pour xer la tension de dclenchement des transistors latraux. Une des solutions courantes consiste raliser une combinaison entre un bipolaire latral et un vertical. Tant que la tension de dclenchement latrale reste infrieure la tension de dclenchement verticale, on peut proter de la possibilit de rglage du BV latral pour ajuster la tension de dclenchement du composant. Nous verrons dans le chapitre 5 quune fois le bipolaire latral dclench, les eets de forte injection dans la
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CHAPITRE 1. DCHARGES LECTROSTATIQUES ET COMPOSANTS DE PROTECTION

Figure 1.13 Coupe technologique 2D simplie dun transistor bipolaire vertical. base tendent moduler sa conductivit, et abaisser la tension de claquage verticale, favorisant

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alors un dclenchement vertical. Le courant se rpartit ensuite sur les deux chemins de courant reprsente par les deux bipolaires dclenchs.

1.5.3

Silicon Controlled Rectier SCR

Le thyristor, ou Silicon Cotrolled Rectier (SCR) est form de lassociation dun transistor P N P et dun N P N imbriqus, de manire ce que la base de lun constitue le collecteur de lautre et rciproquement (gure 1.14). Les deux transistors partagent la mme jonction basecollecteur. Le claquage de cette jonction initie le dclenchement dun des deux transistors, qui provoque son tour le dclenchement de lautre transistor en injectant du courant dans sa base. Le SCR est trs utilis en technologie CM OS comme protection ESD, en particulier pour sa taille relativement rduite et sa faible capacit [35] [36]. En revanche, son temps de dclenchement est relativement important, car il ncessite le dclenchement successif des deux bipolaires. Cette lenteur a longtemps empch les concepteurs ESD de les utiliser pour protger les circuits contre les dcharges CDM . Des solutions ont t trouves pour pallier cette lenteur, bases la fois sur loptimisation dun circuit de dclenchement additionnel et sur des solutions au niveau du composant [37] [38].

1.5.4

Composants base de MOS

Les transistors M OS sont parfois utiliss comme dispositifs de protection contre les ESD, en particulier en technologie CM OS. Souvent, ce nest pas leet M OS qui est mis prot, mais le transistor bipolaire parasite qui lui est associ. La gure 1.15 prsente le cas dun transistor
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1.5. ETAT DE LART DES COMPOSANTS DE PROTECTION

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Figure 1.14 Schma lectrique reprsentatif dun SCR (a), compos dun N P N et dun P N P imbriqus. La structure P N P N correspondante est reprsente la gure (b). Les rsistances R1 et R2 sont les rsistances intrinsques des bases des deux transistors.

N M OS, dont le N P N parasite est utilis pour conduire la dcharge. Pour viter la formation dun canal dlectrons sous loxyde de grille, la rsistance de grille RG doit tre prise nulle. Ainsi, lors dun stress positif sur le drain, le dispositif se comporte comme un N P N latral, le drain jouant le rle de collecteur, la source dmetteur, et le substrat de base. Comme dans un T BA, cest la jonction base-collecteur (substrat-drain) qui aprs claquage par avalanche fournit le courant de polarisation de la jonction base-metteur (substrat-source) et dclenche leet bipolaire.

Un tel composant est assez sensible aux phnomnes de dclenchement par dV/dt voqus en section 1.5.2.1. Ici labaissement de la tension de dclenchement est li au courant de charge non seulement de la capacit de jonction base-collecteur (substrat-drain), mais galement de la capacit de grille, qui fournit une part importante du courant.

Il peut tre intressant de favoriser la formation transitoire dun canal dlectrons sous loxyde de grille pour driver le courant de dcharge pendant le laps de temps ncessaire au dclenchement du N P N parasite. On xe ici une valeur non nulle la rsistance de grille pour autoriser la formation dun canal. Lors dun stress positif abrupt sur le drain, le potentiel du substrat sous loxyde de grille augmente brutalement, et lensemble rsistance de grille -oxyde de grille se comporte alors comme un circuit RC soumis une rampe de tension. Un courant transitoire circule alors travers RG , permettant au potentiel de grille datteindre la tension de seuil douverture du canal. Un canal dlectrons se forme sous loxyde de grille et le composant conduit
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CHAPITRE 1. DCHARGES LECTROSTATIQUES ET COMPOSANTS DE PROTECTION

Figure 1.15 Coupe technologique simplie dun transistor N M OS utilis comme protection ESD, montrant le N P N parasite.

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le courant par eet M OS. Si la rsistance de grille est correctement choisie, le canal tend disparatre au cours de limpulsion, mesure que la pente dV/dt impose au composant devient moins abrupte.

1.6

Prsentation des composants de protection tudis

Les composants prsents dans cette section ont t dvelopps pour la protection dE/S haute tension en technologie SmartM os 8 M V 0.25 m. Cette technologie prsente une couche pitaxie peu dope P de 6 m dpaisseur sur un substrat P fortement dop. Une isolation latrale est obtenue au moyen de tranches profondes, et lisolation verticale est assure par une couche enterre N (N BL). Les critres auxquels doivent rpondre les protections ESD pour satisfaire aux exigences de lindustrie automobile sont multiples [39]. Premirement, la tension de dclenchement des composants de protection doit tre facilement contrlable pour pouvoir mieux sadapter ltendue des domaines de tension intgres sur la mme puce. La variation statistique des grandeurs caractristiques (Vt1 , VH , Vt2 , It2 etc.) sous direntes tempratures et orientations cristallines [40] doit tre la plus faible possible. Le courant de fuite doit rester bas pour que les composants de protection ninterfrent pas avec le circuit et ne consomment pas dnergie ltat bloqu. Une autre considration concerne leur immunit aux perturbations CEM , particulirement svres dans lenvironnement automobile [41]. Enn, le comportement transitoire des protections doit tre examin pour sassurer que le pic de surtension prsent leur dclenchement ne soit pas un danger pour le CI.
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1.6. PRSENTATION DES COMPOSANTS DE PROTECTION TUDIS

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Trois des composants que nous allons tudier dans cette section sont des SCR dclenchs par leur transistor N P N intrinsque, et le dernier composant dcrit est un P N P conu par Amaury Gendron durant sa thse [31].

1.6.1

SCR haute tension

Les SCR sont des composants trs intressants pour la protection des E/S haute tension, de par leur faible rsistance ltat passant et leur robustesse leve [42] [43] [44]. Les trois composants que nous allons tudier prsentent des similitudes (gures 1.16, 1.17, 1.18). Ils prsentent deux caissons P implants dans la couche pitaxie P , et trois implantations N de part et dautres de ces caissons P . Les caissons N , ottants, sont lectriquement relis les uns aux autres par la couche enterre. Des diusions peu profondes P ++ et N ++ sont eectues dans les caissons P pour raliser les contacts.

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1.6.1.1

NPNR

Le composant N P N R [45] est compos dun N P N dont la jonction base-metteur est dclenche par une rsistance externe RBE , et dun P N P imbriqu avec le N P N (gure 1.16). Chaque caisson P possde deux diusions P + et N + . Dans la conguration de la gure 1.16, le N P N a pour collecteur le caisson N central, pour base le caisson P situ du ct ngatif (gauche), et pour metteur la diusion N + de ce caisson. Le P N P , lui, a pour collecteur la base du N P N , et pour base le collecteur du N P N . Son metteur est constitu du caisson P reli au signal. Le premier des deux bipolaires se dclencher est le N P N , qui entrane ensuite le dclenchement du P N P . La tension de claquage base-collecteur du N P N est bien suprieure son Vt1 . Par consquent, la jonction metteur-base ne peut pas tre polarise par un courant davalanche, cest la chute de potentiel stablissant aux bornes de la forte rsistance RBE qui permet la jonction datteindre sa tension de seuil. La valeur de cette rsistance dtermine directement la tension Vt1 de dclenchement du dispositif. RBE peut varier de 0.5 k 60 k, permettant dobtenir des valeurs de Vt1 allant de 18 V 30 V . Des valeurs plus leves de la tension de dclenchement peuvent tre obtenues par la mise en srie de deux ou trois de ces composants. Le fait que sa tension de claquage soit si leve lui procure une marge de sret importante en rgime statique. En revanche, du fait de limportante rsistance metteur-base, le N P N R est trs sujet aux phnomnes de dclenchement par dV/dt (section 1.5.2.1) : sa tension de dclenchement peut dpendre de la pente de limpulsion ESD. De plus, son dclenchement trs lent cause lapparition dun large pic de surtension dans les premires nanosecondes des impulsions.
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CHAPITRE 1. DCHARGES LECTROSTATIQUES ET COMPOSANTS DE PROTECTION

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Figure 1.16 Coupe technologique reprsentative dun composant de protection N P N R (a) et schma quivalent (b). Enn, il a t dmontr que le N P N R tait particulirement susceptibles aux perturbations CEM . Pour toutes ces raisons, ce composant a t mis lcart de la librairie.

1.6.1.2

NPNZ

Le N P N Z [46] a t conu pour rpondre aux insusances du N P N R. Comme on peut le voir sur la gure 1.17, sa structure est trs similaire celle du N P N R. Les caissons N latraux ont t rapprochs des caissons P , et la rsistance metteur-base du P N P a t remplace par un court-circuit (gure 1.17). Des diusions P + ont t ralises aux bordures extrieures des caissons P Le dclenchement est initi par le claquage par avalanche de la diode Zener 1 (gure 1.17). Les trous gnrs par avalanche traversent le caisson P et sont vacus par le contact P + de base du N P N , reli la broche N EG. Ce courant de trous circulant dans la base permet daugmenter localement son potentiel et de polariser en direct la jonction metteur-base du
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1.6. PRSENTATION DES COMPOSANTS DE PROTECTION TUDIS

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Figure 1.17 Coupe technologique reprsentative dun composant de protection N P N Z (a) et schma quivalent (b).

N P N . Le N P N se dclenche, puis un eet SCR se met en route avec le dclenchement conscutif du P N P . Une deuxime diode Zener 2 est utilise galement lors du dclenchement du N P N , pour driver une partie du courant de dcharge.

Contrairement au N P N R, le dclenchement par avalanche permet ici dpargner au composant les principaux inconvnients lis au dclenchement par la rsistance metteur-base. La tension de repliement Vt1 est trs peu dpendante de la pente et de la largeur de limpulsion. Aussi, la jonction metteur-base du N P N Z est moins sensible aux agressions CEM . En revanche, la tension de dclenchement Vt1 varie trs vite avec les espacements Dz1 et Dz2, et est donc assez sensible aux erreurs dalignement de masques. De plus, les implantations choisies pour les caissons N et P dpendent de lorientation du composant, et la tension de dclenchement se trouve donc lgrement modie par lorientation du composant.

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24 1.6.1.3

CHAPITRE 1. DCHARGES LECTROSTATIQUES ET COMPOSANTS DE PROTECTION NPNB

Le N P N B [47] [39] [48] est devenu le composant de rfrence dans la librairie E/S haute tension pour la protection contre les ESD. Il est compos, lui aussi, dun N P N imbriqu avec un P N P . Llment dclencheur est le claquage de la jonction base-collecteur du N P N , qui fournit le courant de polarisation de sa jonction metteur-base et dclenche le N P N . Le courant fourni par le collecteur du N P N dclenche alors le P N P .

Ici, le rle du N P N est assum par le caisson P reli la borne N EG, la diusion N + implante dans ce caisson, et le caisson N central, qui jouent respectivement le rle de base, metteur et collecteur (gure 1.18). Une fois ce N P N latral dclench, un dclenchement en N P N vertical vient sajouter au N P N latral. Ce N P N vertical partage sa base et son metteur avec le latral, mais a pour collecteur la couche enterre (N BL). Le P N P , lui, partage sa jonction base-collecteur avec le N P N latral, et a pour metteur le caisson P reli au signal. Le fonctionnement et en particulier le dclenchement du N P N B sera tudi en dtails dans le chapitre 5.

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Figure 1.18 Coupe technologique reprsentative dun composant de protection N P N B.

La tension de dclenchement du composant est contrle par lespacement Sp entre le caisson P ct N EG et le caisson N central. Une des avances par rapport aux composants dcrits prcdemment est le retour relativement faible du P N P sur le N P N , qui permet dassurer une tension de maintien particulirement leve, et daccrotre la marge de sret vis--vis du latch-up. Par comparaison, la surtension au dclenchement du N P N B est galement plus faible que celle du N P N R et du N P N Z.
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1.6. PRSENTATION DES COMPOSANTS DE PROTECTION TUDIS

25

1.6.2

PNP/Diode

Le P N P/Diode a t conu par Amaury Gendron durant sa thse [49] [31]. Il sagit dun P N P latral plac en parallle avec une diode verticale en inverse (gure 1.19). Le collecteur du P N P est constitu dun large caisson P implant dans la couche pitaxie P . Un caisson N implant dans la mme couche pitaxie joue le rle de la base ottante, et un caisson P reli au signal, troit et fortement dop, joue le rle de lmetteur. La tension de dclenchement du P N P latral est contrl par lespacement Sp entre le caisson P de collecteur et N de base. Mais son RON est trop important pour quil soit utilis seul, sans lapport de la diode verticale. Cette diode se dclenche 35 V , 55 V ou 60 V selon les implantations de collecteur employes. La meilleure conguration consiste ajuster le Vt1 latral de manire ce quil soit gal la tension de dclenchement de la diode verticale. Le Vt1 du P N P/Diode ne peut donc prendre que les trois valeurs xes des tensions de claquage de la diode verticale.

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Figure 1.19 Coupe technologique reprsentative dun composant de protection P N P/Diode.

Une des caractristiques essentielles de ce composant est son absence de repliement quasistatique : Vt1 et VH sont confondus, et aprs dclenchement, la tension crot continument avec le niveau de courant. Cette tension de maintien leve assure une trs bonne marge face aux risques de latch-up. De plus, le P N P/Diode prsente une faible surtension au dclenchement sous forts dV/dt . En eet, avant le claquage, la diode verticale joue le rle dune capacit en parallle qui drive le courant de dcharge et rduit lamplitude du pic de surtension [50]. Cette capacit de jonction importante du P N P/Diode a pour inconvnient un courant de fuite plus important et une plus grande consommation de puissance ltat bloqu lors dvnements de type EM C.

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26

CHAPITRE 1. DCHARGES LECTROSTATIQUES ET COMPOSANTS DE PROTECTION

1.7

Conclusion

Dans ce chapitre, nous avons prsent le phnomne des dcharges lectrostatiques et son impact sur lindustrie de la microlectronique. Le dveloppement de stratgies de protections internes contre les dcharges lectrostatiques est une tape cruciale de la conception des circuits intgrs. Les composants de protection doivent pouvoir supporter des courants extrmement intenses, pouvant aller jusqu plusieurs centaines de Watt sur quelques centaines de nanosecondes. Une fois dclenchs, les composants de protection doivent maintenir leurs bornes une tension infrieure la tension de claquage des oxydes. Leur tension de repliement ne doit toutefois pas chuter en-de de la tension dalimentation du circuit, an dviter les risques de latch-up. Enn, la tension de dcharge doit tre replie au plus vite par les composants de protection, pour viter que la tension ne continue daugmenter et ne reprsente un danger pour le circuit. Pour cette

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raison, la vitesse de dclenchement des composants de protection doit tre optimise. Nous avons examin les direntes normes industrielles associes aux types de dcharges les plus frquents. Ces normes xent le cadre de la conception des stratgies de protection ESD. Les outils de mesure du comportement des composants de protections soumis des ESD ont t prsents. Loutil de mesure T LP , particulier, a t introduit comme lment dtude quasi-statique. Nous reviendrons plus longuement sur ses limites dans le chapitre suivant, avant dintroduire une mthode de mesure alternative dans le chapitre 3. Les composants de protection les plus couramment utiliss par les concepteurs ont t prsents. Un intrt particulier a t apport au transistor bipolaire autopolaris, composant central des protections ESD haute tension. Enn, les composants utiliss Freescale en technologie SmartM os 8 M V pour la protection des E/S haute tension ont t dcrits. Le composant le plus performant et polyvalent dentre eux est le N P N B, dont le dclenchement sera tudi au chapitre 5.

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Chapitre

tat de lart sur la caractrisation transitoire des protections ESD haute tension
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2.1

Introduction

La conception de protections ESD intgres haute tension dans lenvironnement svre de lindustrie automobile rend ncessaire llaboration doutils de caractrisation du comportement transitoire des composants pour les dcharges rapides de type CDM et Gun stress. Jusqu prsent, aucun dispositif de mesure nexistait pour accder de faon prcise au comportement au dclenchement des protections haute tension . Des dispositifs de mesures transitoires ont certes t rapports ces dernires annes [51], [52]. Mais lutilisation ncessaire de gnrateurs dimpulsion solid state les rend inapplicables pour les hautes tensions, du fait de la limitation 50 V de ces gnrateurs pour les plus volus dentre eux. Nous allons analyser dans ce chapitre les approches classiques utilises pour accder au comportement transitoire des protections ESD, que sont la visualisation directe en vf T LP et lapproche appele ici indirecte . Nous verrons les limites de ces deux approches.

2.2
2.2.1
2.2.1.1

Principe de fonctionnement du vf-TLP Oryx


Matriel employ
Gnrateur dimpulsion

Le banc de mesure TLP/vf-TLP commercial Oryx/Celestron utilis au LAAS fonctionne selon le principe nonc plus haut (1.4.1). Le gnrateur dimpulsion couvre une gamme de tensions allant de -1000 V + 1000 V, avec des dures dimpulsions de 1.25 ns, 2.5 ns, 5 ns pour le vf-TLP, et 100 ns pour le TLP. Les impulsions ont un temps de monte trs faible (infrieur 27

28

CHAPITRE 2. TAT DE LART SUR LA CARACTRISATION TRANSITOIRE DES PROTECTIONS ESD HAUTE TENSION

la centaine de picosecondes), li la dure de la dcharge ayant lieu dans le relai du gnrateur (annexe B). La rsolution temporelle nie des oscilloscopes ne permet pas de caractriser cette dure de dcharge, et donc le temps de monte de limpulsion. Il est seulement permis darmer quelle est infrieure ou gale 100 ns, temps de monte mesur par loscilloscope Tektronix TDS6604C utilis dans ces travaux. Des ltres passe-bas insrer la sortie du gnrateur permettent de ralentir le temps de monte de limpulsion, des valeurs connues : 175 ps, 300 ps, 1 ns et 10 ns. En gnrant un temps de monte connu, ces ltres permettent de sassurer que les frquences contenues dans le spectre de limpulsion ne sont pas plus leves que la bande passante des dirents lments du banc de mesure, limitant ainsi les risques de distorsion et garantissant en principe lintgrit du signal. Comme on peut le voir la gure 2.1, le gnrateur dimpulsion est form par la mise en srie du gnrateur statique haute tension, de la rsistance de charge (10 M ), ainsi que la ligne de charge (annexe B). Cette ligne est un cble coaxial de type RG 401 de Belden, conu pour rsister de hautes tension statiques (3 kV ). Les concepteurs du gnrateur ont insr un attnuateur de 6 dB (division par deux en tension) en srie avec la ligne, pour attnuer les rexions parasites en provenance du composant sous test et retournant vers le testeur. Ces impulsions sont donc attnues dun facteur deux en entrant dans le gnrateur, rchies nouveau sur la rsistance de charge R du gnrateur, et nouveau attnues dun facteur 2 en sortant du gnrateur. Cet attnuateur a donc pour eet de protger le composant et le systme de mesure contre les agressions multiples dues des allers-retours de limpulsion entre la rsistance de charge et le composant test. 2.2.1.2 Bote de mesure (measurement pod)

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Limpulsion produite par le gnrateur se propage ensuite travers un cble coaxial de 90 cm (T L1 ), et atteint la bote de mesure vf-TLP . Comme le montre la gure 2.2, cette bote de mesure contient trois lments : une sonde de tension et de courant pour les mesures T LP , ainsi quun systme permettant de mesurer la caractristique statique I-V du composant entre deux impulsions, an de vrier son tat. La sonde de tension est un t de prlvement ( pick-o tee ), constitu dune rsistance soude sur le cur de la ligne de transmission pour former un pont diviseur de tension (g 2.3). La rsistance Rpick , dune valeur de 1.5 k, assure une division par
Rpick +50 50

= 31 entre le point

de T L1 o la tension est prleve (point A), et le point B de T L3 , o elle est envoye vers lentre dimpdance 50 de loscilloscope. Seule une petite partie du signal est donc dvie du chemin de propagation principal form par les lignes T L1 et T L2 . La sonde en courant est un transformateur de courant CT6 , de la marque Tektronix, dont la bande passante stend de 250 kHz 2 GHz. Le principe des transformateurs de courant repose sur linduction magntique cre par le passage du courant dans le cur de la ligne
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2.2. PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT DU VF-TLP ORYX

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Figure 2.1 Principe de fonctionnement du banc de mesure vf-TLP Oryx. Les lignes de transmission ( Transmission Line ) T L1 , T L2 , T L3 et T L4 sont reprsentes, ainsi que le ltre de temps de monte. Le rle de la merge box sera dtaill plus loin.

Figure 2.2 La bote de mesure contient un relai pour commuter entre la mesure TLP et le traceur I-V. Les sondes de courant et de tension sont places en srie.

de transmission. Ce champ magntique induit lui-mme un courant qui est recueilli dans un circuit secondaire . Cest ce courant qui transite travers T L4 , vers loscilloscope (gure 2.1. Le coecient de couplage entre les circuits primaires et secondaires, cest--dire entre lentre et la sortie de la sonde est de 0.1, ce qui revient une sensibilit de 5 Volt par Ampre, dans
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CHAPITRE 2. TAT DE LART SUR LA CARACTRISATION TRANSITOIRE DES PROTECTIONS ESD HAUTE TENSION

Figure 2.3 Schma quivalent de la sonde en tension. notre cas, o le courant est collect par une ligne dimpdance 50 . 2.2.1.3 Cbles et pointes RF

La ligne T L2 reliant la boite de mesure au composant sous test a une longueur de 90 cm. Cette longueur dtermine le dlai entre limpulsion incidente et limpulsion rchie (voir section 2.1.2.3.1), ce dlai tant gal la dure ncessaire pour raliser un aller-retour dans la ligne T L2 , soit 9.1 ns. Les mesures sous pointes seectuent laide de pointes RF picoprobes , produites par GGB, dune bande passante de 18 GHz. 2.2.1.4 Oscilloscope

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Loscilloscope employ est un oscilloscope numrique TDS6604C de Tektronix, qui a une haute bande passante analogique (6 GHz), et un taux dchantillonnage de 20 GS/s, permettant deectuer des acquisitions impulsionnelles en temps rel. Il est particulirement adapt lobservation de phnomnes transitoires rapides. 2.2.1.5 Merge box

Comme on la vu dans la partie 1.4.1, le systme donne une image des impulsions incidentes et rchies sur le composant, spares par un dlai. La superposition entre londe incidente et londe rchie, qui a lieu sur le composant, doit donc tre re-cre de faon accder aux tensions et courants rellement vus par le composant. La tension aux bornes du composant et le courant le traversant peuvent tre calculs par les relations suivantes, aprs r-alignement des impulsions incidentes et rchies dans le temps : VDU T = Vinc + Vref IDU T = Iinc + Iref (2.1) (2.2)

avec Vinc , Iinc , respectivement les tensions et courants incidents, et Vref , Iref , les tensions et courants rchis sur le composant.
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2.2. PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT DU VF-TLP ORYX

31

La superposition entre londe incidente et londe rchie, qui a lieu sur le composant, doit donc tre re-cre de faon accder aux tensions et courants rellement vus par le composant. Avec le logiciel permettant de visualiser les impulsions acquises loscilloscope et de crer les courbes I-V quasi-statiques correspondantes, il est possible de slectionner des fentres de temps partir des impulsions incidentes et rchies, sur lesquelles un moyennage est fait. La somme ci-dessus est ensuite ralise (quations 2.1 et 2.2), pour obtenir les tensions et courants quasistatiques correspondants. Cette mthode est limite lextraction de caractristiques quasi-statiques. Pour pouvoir extraire des formes dondes compltes, un dispositif a t invent par Evan Grund [53] en 2006 pour eectuer ce r-alignement. La merge box a pour eet dintroduire un dlai dans la propagation du signal incident, de sorte que signaux incidents et rchis se retrouvent superposs sur loscilloscope. Ce dispositif est construit selon le schma suivant (gure 2.4) : il possde deux entres sur lesquelles sont branches les sondes de courant et de tension et deux sorties correspondantes. A lentre de chaque canal se trouve un diviseur de puissance, qui a pour eet de sparer le signal en deux composantes de mme amplitude. Une des deux composantes transite alors travers un systme constitu dune ligne retard ayant un retard xe de 9 ns en srie avec une seconde ligne retard, dont le retard est rglable. La premire ligne est un cble coaxial de 180 cm de longueur. La seconde ligne est un composant de type line stretcher , permettant dintroduire un dlai variant de 0 630 ps avec une prcision de 10 ps environ par quart de tour. La deuxime composante issue du diviseur de puissance nest pas retarde. Les deux composantes sont alors diriges vers un autre diviseur de puissance, analogue celui cit plus haut, mais utilis en combineur.

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Figure 2.4 Architecture dun canal de la merge box. Les deux canaux sont identiques.
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CHAPITRE 2. TAT DE LART SUR LA CARACTRISATION TRANSITOIRE DES PROTECTIONS ESD HAUTE TENSION Ainsi, le signal entrant dans la merge box est divis en deux signaux gaux spars par un

retard, puis re-combins, de sorte qu la sortie du dispositif, ces deux signaux apparaissent sur le mme cble coaxial, lun la suite de lautre. A cause de lattnuation par 6 dB des diviseurs de puissance, les impulsions mesures en sortie de merge box prsentent une amplitude divise dun facteur 4 par rapport aux impulsions arrivant lentre. Pour obtenir les formes dondes V (t) et I(t), il est ncessaire de rgler le dlai de la merge box, de sorte que sur loscilloscope, limpulsion incidente retarde sache en mme temps que limpulsion rchie non retarde. La correction par un facteur 4 donne alors accs aux formes donde en courant et tension. Ce dlai est rgl manuellement pour chaque canal de la merge box, en mesurant la tension sur un court-circuit suppos parfait et le courant sur un circuit ouvert galement parfait. En eet, dans les deux cas, la superposition des signaux incidents et rchis doit tre nulle. On considre que le dlai est bon quand le rsultat de cette superposition est le plus faible.

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2.3

Limites du systme pour lanalyse transitoire.

Ce systme est trs bon pour lanalyse quasi-statique en vf-TLP. Dans ce cas, les valeurs des tensions et courants sont values en eectuant une moyenne sur les dernires nanosecondes de limpulsion. La fentre de moyennage peut tre rgle par lutilisateur pour viter tout problme d au dsalignement des impulsions incidente et rchie. De plus, il est possible de saranchir partiellement de lerreur due lattnuation du signal dans le systme de mesure en eectuant un talonnage complet du banc de mesure. Cet talonnage peut tre eectu entre -1000 V et +1000 V partir de mesures sur un court-circuit et un circuit ouvert. La mesure des rsistances srie Rser et parallle Rpar chaque niveau de tension est utilise comme facteur de correction. Le paramtre Rser est dtermin par une mesure sur court-circuit, de sorte que la tension rsultante soit nulle. Rpar est calcul de manire analogue, en annulant le courant de fuite mesur sur un circuit ouvert. Bien que le vf-TLP ait t galement propos [53] pour lanalyse transitoire des protections ESD, nous allons voir dans les sections suivantes les nombreux facteurs derreur qui limitent la prcision de la mesure transitoire. Parmi ces erreurs, la plus importante concerne le ltrage du signal par le banc de mesure lui-mme lors de sa propagation depuis le gnrateur jusqu loscilloscope. Une seconde source derreur provient de la dicult rgler visuellement le dlai de la merge box.

2.3.1

Rponse frquentielle des lments du banc de mesure

La bande passante du banc de mesure est un paramtre prendre en compte lors de la mesure de transitoires rapides. En eet, les dirents lments du banc de mesure tels que les
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2.3. LIMITES DU SYSTME POUR LANALYSE TRANSITOIRE.

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sondes de tension et de courant, mais aussi les cbles coaxiaux et la merge box prsentent des caractristiques dattnuation frquentielle susceptibles de modier lallure des impulsions mesures de faon importante. De plus, le spectre typique des impulsions ESD peut stendre jusqu des frquences bien suprieures la frquence de coupure de ces lments. La gure 2.5 reprsente les densits spectrales dnergie (DSE) de trois impulsions vf T LP incidentes de mme intensit mais ayant des temps de monte dirents. La DSE dun signal peut tre vue comme lanalogue dans le domaine frquentiel de la puissance instantane dans le domaine temporel : lintgration sur toute la bande de frquence de la DSE est gale lnergie totale de limpulsion. Une dnition plus complte de cette grandeur est donne dans annexe A.4. Ces caractristiques sont assez similaires la DSE dune impulsion carre parfaite. La courbe bleue en trait plein reprsente la DSE dune impulsion vf T LP de 5 ns de largeur, sans aucun ltre de temps de monte la sortie du gnrateur. Les courbes rouges pointilles et en tirets verts reprsentent les DSE de la mme impulsion, mais aprs ltrage par les ltres passe-bas estampills respectivement 300 ps et 1 ns (frquences de coupure respectives de 1.2 GHz et 350 M Hz).

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Figure 2.5 Densits spectrales dnergie dimpulsions ESD de type vf-TLP de 5 ns de largeur dimpulsion. Rsultats obtenus partir de FFT du signal mesur loscilloscope. Ces courbes ont t obtenues par le calcul, partir de mesures loscilloscope. Elles sont le rsultat de lopration A.17 partir de la transformation de Fourier rapide (F F T ) de la tension v(t) acquise loscilloscope. On visualise ainsi la rpartition de lnergie sur toute ltendue du spectre. Plus le temps de monte est court, plus les composantes frquentielles leves sont importantes. En eet, on peut vrier par intgration des courbes sur la frquence que 99.8 % de
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CHAPITRE 2. TAT DE LART SUR LA CARACTRISATION TRANSITOIRE DES PROTECTIONS ESD HAUTE TENSION

lnergie du signal sont concentrs dans les 500 premiers MHz dans le cas du temps de monte de 1 ns, alors que ce pourcentage tombe 97.6 % dans le cas de limpulsion non ltre. Il est important de noter que limpulsion non ltre subit en ralit le ltrage de loscilloscope dont la bande-passante analogique est de 6 GHz.

2.3.1.1

Filtrage des sondes en courant et tension

Les sondes utilises ont un eet de distorsion important sur le signal, contribuant pour beaucoup son altration. La gure 2.6 montre les caractristiques frquentielles de transmission des sondes en courant et tension utilises. On retrouve, en basse frquence, le rapport de division par 31 (-30 dB) du pick-o tee constituant la sonde en tension, et la sensibilit de 5 mV /mA de la sonde en courant, correspondant une transmission de 0.1, soit -20 dB. La sonde en tension peut tre utilise jusqu 3 GHz, ce qui est acceptable pour des impulsions standard (gure 2.6). En revanche, la frquence de coupure (environ 2 GHz) de la sonde en courant est trop basse, et son attnuation trop importante en hautes frquences pour quelle puisse tre utilise en vf T LP comme un outil de caractrisation transitoire prcis.

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Figure 2.6 Mesure de la transmission frquentielle des sondes en courant et en tension utilises. La sonde en courant a une frquence de coupure de 2 GHz, et la sonde en tension de 3 GHz environ.

On note une augmentation du coecient de transmission de la sonde en tension dans les hautes frquences (> 3 GHz), qui est d un eet de couplage capacitif entre lentre et la sortie du dispositif, celui-ci tant constitu dune rsistance de 1.5 k soude entre le cur de la ligne de transmission formant l entre et de celle formant la sortie .
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2.3. LIMITES DU SYSTME POUR LANALYSE TRANSITOIRE. 2.3.1.2 Attnuation apporte par les cbles coaxiaux

35

Le principal dsavantage des cbles coaxiaux est un eet dattnuation frquentielle, due la grande longueur de cble utilise. Lattnuation, proportionnelle la longueur de cble, augmente avec la frquence : elle est de 0.6 dB/m 1 GHz et 1 dB/m 3 GHz (gure 2.7). Le ltrage rsultant sur ltendue du chemin de propagation est consquent, particulirement pour les composantes frquentielles leves. En eet, le signal arrivant au composant sous test est attnu par T L1 puis par T L2 (gure 2.1), soit 2 91 cm = 182 cm de cble si on ne tient compte que de ces deux lignes de transmission. Il en rsulte une attnuation de 1.1 dB 1 GHz, et de 2.04 dB 3 GHz (tableau 2.1). Cela se manifeste par une augmentation du temps de monte des impulsions.

Cette attnuation, du signal du gnrateur jusquau composant sous test, nest pas un pro-

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blme en soi sauf si lon souhaite agresser le composant avec des temps de monte trs courts. Le principal dsagrment provient de la dirence de forme donde entre le signal arrivant rellement au composant sous test, et le signal que lon mesure loscilloscope. En comparaison avec le signal incident au composant sous test, le signal incident mesur loscilloscope est attnu par T L1 , les cbles T L3 ou T L4 des sondes en tension ou courant selon le canal slectionn, puis la ligne retard de la merge box. Le signal est ensuite conduit vers une bote dattnuateurs (non reprsente sur le schma 2.1), et enn vers loscilloscope. Cela reprsente 4.14 m de cbles, soit une attnuation de 2.6 dB 1 GHz et 4.6 dB 3 GHz. Le signal rchi mesur ne suit pas le mme chemin de propagation, mais parcourt une longueur de cble quivalente, de manire ce que signaux incidents et rchis se superposent la sortie de la merge box. Lattnuation subie par le signal rchi est donc du mme ordre. La dirence dattnuation entre les signaux mesurs et les signaux vus par le composant est donc de 1.4 dB 1 GHz et 2.6 dB 3 GHz.

Figure 2.7 Caractristique de transmission frquentielle des cbles coaxiaux utiliss dans le vf-TLP Oryx.

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CHAPITRE 2. TAT DE LART SUR LA CARACTRISATION TRANSITOIRE DES PROTECTIONS ESD HAUTE TENSION Vinc,DU T , Vref,DU T (dB) Vinc,osc. , Vref,osc. (dB) 1 GHz 1.1 2.6 2 GHz 1.7 3.8 3 GHz 2.0 4.6

Tableau 2.1 Attnuation du signal travers les cbles coaxiaux, direntes frquences. Comparaison entre lattnuation du signal vu par le DUT et le signal mesur. 2.3.1.3 Filtrage de la merge box

La merge box est galement un lment de distorsion du signal. La documentation technique indique des pertes dinsertion allant jusqu 0.5 dB pour les frquences infrieures 4 GHz pour les diviseurs de puissance [54]. Les lignes retard ont galement un lger impact sur le signal. 2.3.1.4 Bilan du ltrage du banc Oryx

Domaine frquentiel

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La mesure de transmission frquentielle du banc entier est reprsent g 2.8. La gure 2.8-a) montre les rsultats obtenus avec la sonde en tension et la gure 2.8-b avec la sonde en courant. Le chemin de propagation correspondant limpulsion incidente, cest- dire issue du gnrateur et suivant le chemin retard de la merge box est reprsent en bleu fonc, et la transmission le long du chemin rchi , issu du composant et non retard est reprsent en orange clair. Les caractristiques de tension et courant incidents apparaissent assez proches, si ce nest une frquence de coupure lgrement infrieure pour le courant, due linuence de la sonde. Le chemin rchi semble prsenter une coupure plus prcoce que le chemin incident. Les pertes atteignent 4 et 5 dB 2 GHz respectivement sur la mesure de tension incidente et rchie, et apparaissent moins leves sur la mesure de courant. Pour des raisons pratiques, il na pas t envisageable de mesurer directement les paramtres S du systme de mesure entier (en incluant la merge box) laide dun analyseur de rseau vectoriel (V N A). Une des raisons est bien sr lencombrement du banc de mesure, mais la principale raison provient de la multiplicit des signaux gnrs par le systme, en particulier lors du passage successif de limpulsion dans les deux diviseurs de puissance. Ces donnes ont donc t obtenues sans outils extrieurs au banc de mesure, par une mthode qui sera dtaille et valide dans le partie 4. Cette technique est base sur le traitement numrique par lanalyse de Fourier des impulsions ESD mesures laide du gnrateur Oryx et de loscilloscope Tektronix du banc de mesure. Lajustement analytique (courbes t ) a t ralis sous matlab par des fonctions polynmiales, an de saranchir des artfacts de mesure (pics) et dobserver une tendance gnrale. Enn, la transmission correspondant au cas sans pertes a t trace, pour comparaison avec la correction uniforme queectue le logiciel Oryx. Les 42 dB dattnuation de la gure
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2.3. LIMITES DU SYSTME POUR LANALYSE TRANSITOIRE.

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Figure 2.8 Mesure de pertes frquentielles du systme de mesure vf-TLP, depuis le gnrateur jusqu loscilloscope. La transmission le long du chemin incident est reprsente en bleu fonc, et le long du chemin rchi en orange clair. 2.8-a correspondent aux 30 dB de division du t de prlvement (pick-o tee) constituant la sonde en tension et les 6 dB de sparation des deux diviseurs de puissance successifs. La sonde en courant quand elle, apporte une attnuation de 20 dB, et on retrouve les mmes 6 dB de sparation des diviseurs de puissance. Ces attnuations idales sont prises en compte par le logiciel, qui multiplie les signaux mesurs par une valeur xe. Les corrections quasi-statiques voques prcdemment anent ce rglage, mais seules les composantes frquentielles les plus basses entrent en ligne de compte.

Domaine temporel La gure 2.9 est une illustration dans le domaine temporel du ltrage voqu dans les prcdents paragraphes. Les gures 2.9-a et 2.9-b prsentent respectivement les tensions et courants VCO et ICC , obtenus sur un circuit ouvert et sur un court-circuit pour une impulsion de 10 V T LP . Sur chacun de ces schmas, on a trac une comparaison entre des courbes obtenues sparment. Les courbes orange clair montrent des mesures classiques avec tout le systme, cest--dire les sondes, les cbles et la merge box et les courbes bleu fonc des mesures de la tension et du
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CHAPITRE 2. TAT DE LART SUR LA CARACTRISATION TRANSITOIRE DES PROTECTIONS ESD HAUTE TENSION

courant rel vus par le composant test.

Figure 2.9 Formes donde en tension et courant mesures loscilloscope. Le ltrage du chemin de mesure prend la forme dune augmentation du temps de monte ainsi quune attnuation du pic de surtension.

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Ces dernires courbes relles ont t obtenues de la manire suivante : lextrmit du cble T L2 de la gure 2.1 a t relie loscilloscope. Le signal ainsi mesur correspond alors la tension incidente Vinc,DU T qui arriverait au composant dans une conguration de test classique. Sur un circuit ouvert parfait, cette tension se rchit lidentique, et la superposition de lincident et du rchi donne une tension VDU T gale deux fois limpulsion incidente. Sur un court-circuit, ce nest pas la tension mais le courant incident Iinc,DU T =
Vinc,DU T 50

qui se rchit

lidentique, et IDU T est alors gal au double du courant incident. Notre mesure de Vinc,DU T permet donc de calculer la tension relle de circuit ouvert et le courant rel de court-circuit en utilisant les relations :
V circuit ouvert = 2.Vinc,DU T Vinc,DU T I . court circuit = 2. 50

(2.3)

Comme dans le logiciel, la tension mesure avec le systme a t multiplie par un facteur 31 4 = 124 pour compenser lattnuation de la sonde et de la merge box. Le courant lui, a t multipli par
104 50

= 0.8 pour la mme raison, en divisant par limpdance de la ligne pour

convertir la tension mesure lextrmit de T L4 en courant.

Leet de ltrage est bien visible sur les courbes systme total : limpulsion rellement vue par le composant sous test prsente un pic de surtension (composantes frquentielles leves), qui disparait totalement des mesures lors de la propagation de limpulsion travers le banc de test. Les courbes obtenues se rapprochent alors de courbes du type charge de circuit R-C . On note que la valeur quasi-statique perd galement 3.4 % sur limpulsion en tension et 5.6 % sur limpulsion en courant.
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2.3. LIMITES DU SYSTME POUR LANALYSE TRANSITOIRE.

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2.3.2

Rglage du dlai de la merge box

Comme on la vu, lajustement du dlai du canal en tension de la merge box peut tre ralis en mesurant la tension de court-circuit. Une vis micromtrique permet un ajustement trs prcis, de lordre de 5 ps pour un quart de tour de la molette. On considre que le rglage est eectu quand les pics positifs et ngatifs rsultant dune superposition incomplte des impulsions incidentes et rchies sannulent.

Cependant, une partie du signal est noye dans le bruit de mesure, ce qui peut rendre dicile la tche de dtection des pics. Plus gnant encore, le gnrateur T LP est construit de telle sorte quune tension rsiduelle lentement dcroissante est souvent prsente parfois longtemps aprs la n de limpulsion (typiquement 6 ns environ pour une impulsion de 5 ns). Cette traine peut atteindre jusqu 10 % de lamplitude de limpulsion. Elle se superpose au bruit de mesure, et les deux phnomnes ensemble contribuent perturber lvaluation du dlai.

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A titre dexemple, considrons une impulsion de 100 V damplitude, altre par un bruit VB atteignant 1 V , avec une tension rsiduelle introduisant une incertitude VR de 10 %, soit 10 V , et un temps de monte de 1 ns. Lincertitude sur la lecture de la tension atteint donc 11 V . En terme de prcision temporelle, cela revient un dlai de rglage minimum t de : VR + |VB | = 110 ps dV /dt

t =

(2.4)

Il est donc impossible, dans cet exemple, dtre plus prcis que 110 ps dans le rglage du dlai.

Figure 2.10 Rglage du dlai de la merge box. En bleu, limpulsion incidente, et en vert limpulsion rchie. La superposition des deux impulsions se limite deux pics que lutilisateur tente dannuler.

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CHAPITRE 2. TAT DE LART SUR LA CARACTRISATION TRANSITOIRE DES PROTECTIONS ESD HAUTE TENSION

2.4

Mthode de mesure indirecte de la surtension au dclenchement : couplage avec un composant protger.

Outre la comprhension des mcanismes dynamiques luvre lors du dclenchement des structures de protection ESD, le principal objectif de lanalyse transitoire est de dterminer la capacit des protections ne pas dpasser les fentres de tension imposes par les concepteurs de circuits, et particulirement dans les premires nanosecondes de limpulsion. En eet, pour de courts temps de montes de limpulsion incidente, il arrive que le composant nait pas le temps dentrer en mode de basse impdance et de se replier avant que la tension de destruction des composants protger ne soit atteinte. Ce retard au dclenchement du composant de protection se traduit par un pic de surtension quil est important de surveiller, car dans certaines conditions, il peut lui seul induire le claquage dun oxyde de grille. Lobservation directe en vf T LP nest pas adapte la mesure de pics de surtension au dclenchement dune protection, car ce pic survient prcisment pendant le front de monte de limpulsion. Cela correspond au moment o les signaux varient le plus vite, et donc o les composantes frquentielles leves sont cruciales. Les pics mesurs risquent donc dtre peu dles la ralit. De plus, cet instant est galement celui pour lequel se manifeste leet du dsalignement des impulsions incidentes et rchies voqu dans la section prcdente. Dans lexemple cit plus haut,(quation 2.4), une erreur de 110 ps, (la prcision du rglage) dans lajustement provoque une incertitude de 11 V sur les 100 V de limpulsion.

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2.4.1

Principe de la mesure indirecte de pics de surtension

Une technique trs simple pour valuer lamplitude de cette surtension est de coupler la protection tudier avec un composant protger plac en parallle, si possible dans une conguration qui le rend particulirement vulnrable une agression par des pics trs courts, cest--dire quil se dtruit instantanment sil se dclenche. Ainsi, selon les niveaux de tension et courant de destruction des deux composants, et la tension de claquage BV du composant protger, on peut avoir trois congurations : Cas 1 La protection est endommage en premier. Cela signie que pour tous les niveaux de courant infrieurs au courant de destruction de la protection, celle-ci a convenablement rempli sa tche. Le pic de surtension nest donc pas une menace. Cas 2 Le composant protger est endommag en premier, une tension quasi-statique suprieure ou gale sa tension de destruction Vt2 . Dans ce cas, sa destruction est prvisible
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2.4. MTHODE DE MESURE  INDIRECTE  DE LA SURTENSION AU DCLENCHEMENT : COUPLAGE AVEC UN COMPOSANT PROTGER.

41

si lon connat la caractristique T LP des deux composants. Elle nest pas cause par un pic de surtension, mais par une trop forte rsistance dynamique RON de la protection. Il sagit dun phnomne quasi-statique. Cas 3 Le composant protger est endommag en premier, mais une tension quasi-statique infrieure sa tension de destruction Vt2 . Selon une logique quasi-statique, il est suppos rester intact. On en dduit lexistence dun pic de surtension dont lamplitude est au moins gale la dirence entre la tension quasi-statique Vt2 de dclenchement du composant et celle pour laquelle il est eectivement dtruit.

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Figure 2.11 Principe de la mesure indirecte du pic de surtension.

2.4.2

Application ltude de la surtension au dclenchement de protections ESD base de transistors PNP

Cette technique de caractrisation a t utilise pour dterminer le comportement au dclenchement de protections dvelopps par A. Gendron lors de sa thse [31]. Ces composants, appels PNP/Diode , sont forms par la mise en parallle au sein du mme composant dun transistor bipolaire P N P latral avec un P N P vertical. Le transistor vertical peut cependant tre assimil sa diode base/collecteur en inverse, du fait du trs faible rapport dinjection de sa jonction metteur/base. Une structure P N P/Diode se dclenche lors du claquage par avalanche de la jonction verticale base/collecteur, qui survient 35 V (chapitre 1.6.2). La protection est teste dans cet exemple avec le composant protger pour lequel il a t conu, un composant de puissance N LDM OS dont le claquage par avalanche survient aux alentours de BV = 60 V dans la conguration de la gure 2.12. Le N LDM OS est en eet stress entre le drain et la source, avec un stress ESD positif sur le drain, cette conguration tant
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CHAPITRE 2. TAT DE LART SUR LA CARACTRISATION TRANSITOIRE DES PROTECTIONS ESD HAUTE TENSION

favorable au dclenchement du transistor N P N parasite si la tension applique est susante. Le dclenchement du N LDM OS sera tudi plus en dtails dans le chapitre 5.4. Il est important cependant de noter que ce composant nest pas conu pour fonctionner en avalanche, et le claquage de la jonction base/collecteur de son N P N parasite entraine sa destruction en moins dune nanoseconde. Une rsistance RG dune valeur variant de 1 k jusqu 10 k est insre entre le contact de grille et la source. Une autre caractristique de ce composant est sa sensibilit la valeur de la rsistance RG et au temps de monte de limpulsion ESD. Une forte rsistance de grille et une forte pente
dV dt

de limpulsion entrainent une rduction signicative de la tension

de dclenchement drain/source Vt1 du composant.

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Figure 2.12 Test en conditions de lecacit de protection du P N P/Diode pour une entre 50 V. Le test a t eectu pour des tensions positives croissantes, jusqu ce que lun des deux composants soit dtruit. Le composant dtruit est identi par une observation au microscope, et par des mesures complmentaires I-V statiques. Direntes conditions ont t analyses, comme la dure de limpulsion (P W ), le temps de monte, tr , et la rsistance de grille RG . La dure dimpulsion varie entre 5 ns en vf T LP et 100 ns en T LP . Les temps de monte ont pour valeurs 175 ps, 300 ps, 1 ns et 10 ns. Les mmes mesures ont t rptes sur plusieurs chantillons dirents an dcarter les artfacts. Les rsultats sont reports dans le tableau 2.2. Les dirents cas voqus plus haut correspondent des conditions particulires. Le cas no 1, dans lequel le composant de protection P N P/Diode est dtruit en premier, est obtenu pour des temps de monte longs (1 ns, 10 ns), qui ne provoquent pas de surtensions importantes de la part du P N P/Diode, et ne dclenchent pas le NLDMOS. Ainsi, ce dernier est protg ecacement. Il est transparent pour le P N P/Diode, qui atteint donc son courant de claquage thermique It2 , 7 A environ pour des impulsions de 100 ns. Le cas no 2 (dclenchement quasi-statique du N LDM OS) est obtenu pour des impulsions dune dure plus courte, pour lesquelles le risque de dtruire le P N P/Diode est beaucoup
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2.4. MTHODE DE MESURE  INDIRECTE  DE LA SURTENSION AU DCLENCHEMENT : COUPLAGE AVEC UN COMPOSANT PROTGER. du N LDM OS.

43

plus faible (It2 = 16 A). On atteint donc la tension de dclenchement et de claquage thermique

Le cas no 3 est obtenu dans une conguration similaire la prcdente, mais avec des temps de monte courts et des rsistances de grilles leves, qui rendent le NLDMOS beaucoup plus susceptible aux pics de surtension provenant du PNP/Diode. Du point de vue du PNP/Diode, cette conguration nest pas dirente de la prcdente, et la surtension gnre est donc la mme. Cependant, si elle est invisible dans le cas 2, elle est ici capable de dclencher le NLDMOS du fait de la forte rsistance de grille, qui abaisse sa tension de dclenchement. Cas 1 100 ns 1 ns, 10 ns 1 k, 10 k Cas 2 5 ns 175 ps 10 ns 1 k Cas 3 5 ns, 100 ns 175 ps, 300 ps 10 k

PW tr RG

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Tableau 2.2 Bilan des congurations pour lesquelles les dirents cas voqus ont lieu sur la protection PNP/Diode et le composant NLDMOS. Le cas 3 nest observ que pour des temps de monte faibles et des fortes rsistances de grille. La gure ci-dessous montre les courbes TLP obtenues dans une conguration correspondant au cas no 3.

Figure 2.13 Calcul de la surtension gnre par le PNP/Diode laide dune mesure T LP indirecte. La largeur dimpulsion est de 100 ns, le temps de monte de 300 ps, et la rsistance de grille est de 10 k. La caractristique T LP de la structure couple protection//NLDMOS est reprsente en vert, et la comparaison avec une protection seule en bleu. La superposition des deux courbes montre que le NLDMOS ne se dclenche pas avant datteindre sa tension de dgradation.

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44

CHAPITRE 2. TAT DE LART SUR LA CARACTRISATION TRANSITOIRE DES PROTECTIONS ESD HAUTE TENSION

2.4.3

Limites de la mthode de mesure indirecte des pics de surtension

Un avantage de cette approche est quelle peut servir la fois de mthode dinvestigation, pour valuer les ventuelles surtensions, mais aussi de test de validation, car la protection est place directement dans la conguration dun CI protger. Mais lusage reste limit cause notamment de la dicult de mise en uvre de la mesure. En eet, il sagit de comparer des tensions mesures trs bas courant (tensions de dclenchement de composants seuls) avec dautres mesures fort courant (plusieurs Ampere pour le dclenchement de composants protger plac en parallle avec la protection). Une telle comparaison ncessite un trs bon talonnage du banc de mesure, qui doit tre eectu avant chaque srie de mesure. De plus, dans le cas prcdent comme dans de nombreux cas, la tension de dclenchement du composant protger varie en fonction de la pente du front montant de limpulsion ESD (phnomne de
dV dt

triggering ). Or, temps de monte gal, cette pente est proportionnelle

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la tension de limpulsion envoye. Il est donc dlicat de reproduire les conditions de dclenchement du composant protger en tenant compte de cette pente une fois le composant plac en parallle avec la protection. Enn, la mise en uvre de cette mthode est coteuse du fait de la ncessit dajouter, dans les vhicules de test silicium, des structures couples de chaque protection avec lensemble des composants protger. De plus, la qualication dune protection se trouve retarde par le nombre de tests eectuer, dautant quil est ncessaire de rpter les mesures plusieurs fois an de dterminer la prcision du rsultat.

2.5

Conclusion

Nous avons vu dans cette section les mthodes les plus couramment utilises pour valuer le pic de surtension atteint par les protections ESD lors de leur dclenchement. La visualisation en vf T LP est assez simple utiliser, mais a pour dsavantage principal un manque de prcision dans lalignement des impulsions incidentes et rchies, ainsi quune importante distorsion des signaux mesurs par les sondes de tension et courant. Les mesures indirectes ne sont pas abandonner totalement. Il est intressant de pouvoir tester les protections ESD en mme temps que les composants protger. Cela permet notamment de dterminer lventuelle tolrance que peut avoir le composant protger lorsque sa tension de seuil est dpasse pendant une dure trs courte, ce qui arrive frquemment lorsque la protection atteint son pic de surtension.

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Chapitre

Nouvelle mthodologie base sur la correction des donnes : le transient T LP (t-TLP)


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3.1

Introduction

La solution que nous avons dveloppe au LAAS reprend le principe du vf T LP en y intgrant un traitement mathmatique des donnes mesures loscilloscope. La prcision de la mesure sen trouve grandement amliore, si bien que la limitation de la mesure correspond alors aux 6 GHz de bande passante analogique de loscilloscope, soit une rsolution de 58 ps dans le domaine temporel. Cette mthode sapplique tant lextraction prcise de formes donde V(t) et I(t) qu lobtention de graphes I V T LP et vf T LP complets, comme on pourra le voir. Nous allons voir dans une premire partie le principe de la mthodologie, puis nous aborderons le traitement quil est ncessaire de faire subir aux signaux pour pouvoir lappliquer. Des rsultats de mesure sur quelques composants seront prsents. Enn, une mthode dtalonnage plus simple utiliser sera prsente.

3.2

Principe de la mthode

Le dispositif de mesure a t rduit aux lments mentionns sur la gure 3.1. Le gnrateur dimpulsions vf T LP est conserv, ainsi que loscilloscope. On carte la bote de mesure measurement pod pour la remplacer par sa sonde en tension, saranchissant ainsi des parasites apports par la sonde en courant et le relai (gure 2.2). La sonde en courant nest plus ncessaire, car comme on va le voir, les formes donde en courant se calculent partir des formes donde en tension. La merge box non plus nest plus ncessaire et est retire, ainsi que la bote dattnuateurs, contenant beaucoup dlments susceptibles de ltrer le signal. Les attnuateurs sont insrs manuellement lentre de loscilloscope. Trois cbles coaxiaux T L1 , T L2 et T L3 , 45

46

CHAPITRE 3. NOUVELLE MTHODOLOGIE BASE SUR LA CORRECTION DES DONNES : LE T RAN SIEN T T LP (T-TLP)

acheminent limpulsion respectivement vers la sonde en tension, le dispositif sous test (DUT) et loscilloscope.

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Figure 3.1 Banc de mesure simpli utilis pour les mesures transient T LP . Cette mthode est inspire de la technique propose par David Trmouilles sur un banc de mesure T LP [55], la dirence essentielle que la sparation temporelle des impulsions incidentes et rchies en vf T LP modie profondment le traitement appliquer aux donnes. Lemploi de pointes RF bande passante leve simplie galement le problme, car on saranchit ainsi des parasites apports par les pointes classiques, qui ont linconvnient dtre particulirement inductives. On rappelle que le signal mesur loscilloscope est constitu dune impulsion incidente et dune impulsion rchie, qui sont la consquence du passage de limpulsion issue du gnrateur pour la premire et de celle rchie sur le composant test pour la seconde. La tension vue par ce dernier se trouve tre la somme des deux impulsions dans le plan du composant. Dans le plan de loscilloscope en revanche, les deux impulsions apparaissent spares par un dlai, correspondant la propagation aller-retour dans la ligne T L2 (gure 3.1). La tension vue par le composant est alors obtenue en combinant correctement ces ondes incidente et rchie. Le principe est le suivant : le systme de mesure peut tre considr comme un systme RF trois ports (gure 3.2), le port 1 tant situ la sortie du gnrateur, ou de la ligne T L1 , le port 2 la sortie de T L2 et le port 3 lentre de loscilloscope. On peut mesurer les paramtres S du systme ainsi constitu en utilisant un analyseur de rseau vectoriel(V N A). Les informations dattnuation frquentielle et de dphasage sont entirement contenues dans les paramtres de transmission S31 , S32 et S21 correspondant aux chemins pris par limpulsion en vf T LP .
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3.2. PRINCIPE DE LA MTHODE

47

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Figure 3.2 Principe de la mthode de mesure transient T LP : mesure des trois paramtres de transmission S31 , S32 et S21 . Ces coecients peuvent ensuite tre utiliss pour recalculer les formes donde rellement vues par le composant sous test. Ce calcul, simplement ralis dans le domaine frquentiel, est ensuite transpos dans le domaine temporel grce lanalyse de Fourier [56]. Dans le domaine frquentiel, limpulsion issue du gnrateur Vgen (f ), les tensions incidentes et rchies vues par le composant, Vinc,DU T (f ) et Vref,DU T (f ) sont obtenues partir des impulsions incidentes et rchies acquises loscilloscope, Vinc,oscillo. (f ) et Vref,oscillo. (f ), et des coecients de paramtres S, S31 , S32 et S21 : Vinc,DU T (f ) = S21 .Vgen (f ). Avec Vgen (f ) = on en dduit : Vinc,DU T (f ) = De mme, Vref,DU T (f ) = Avec (quation 1.2) VDU T (f ) = Vinc,DU T (f ) + Vref,DU T (f ), on obtient la tension dans le plan du composant, dans le domaine frquentiel :
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(3.1)

1 .Vinc,oscillo. (f ), S31 S21 .Vinc,oscillo. (f ). S31 1 .Vref,oscillo. (f ). S32

(3.2)

(3.3)

(3.4)

(3.5)

48

CHAPITRE 3. NOUVELLE MTHODOLOGIE BASE SUR LA CORRECTION DES DONNES : LE T RAN SIEN T T LP (T-TLP) S21 1 .Vinc,oscillo. (f ) + .Vref,oscillo. (f ). S31 S32

VDU T (f ) =

(3.6)

Les courants incidents et rchis sont lis aux tensions correspondantes par les relations suivantes, avec ZC limpdance caractristique des cbles coaxiaux (ZC = 50) : Iinc,DU T (f ) = et Iref,DU T (f ) = Avec (quation 1.3) IDU T (f ) = Iinc,DU T (f ) + Iref,DU T (f ), (3.9) Vref,DU T (f ) . ZC (3.8) Vinc,DU T (f ) ZC (3.7)

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On obtient lexpression suivante, du courant dans le plan du composant sous test, dans le domaine frquentiel : S21 1 1 . .Vinc,oscillo. (f ) .Vref,oscillo. (f ) . ZC S31 S32

IDU T (f ) =

(3.10)

Les algorithmes de transformation de Fourier rapide (F F T ) et transformation de Fourier rapide inverse permettent de passer du domaine temporel au domaine frquentiel et vice-versa. Les formes donde mesures loscilloscope sont transformes par F F T en signal frquentiel, ce qui permet dappliquer les formules 3.6 et 3.10. Aprs traitement, les formes donde incidentes et rchies vues par le composant sous test sobtiennent par transformation inverse.

Remarque :

Les mesures de paramtres S faites lanalyseur de rseau donnent accs aux

coecients de transmission entre les dirents ports de la gure 3.2. Le port 1 pourrait tre situ nimporte o sur T L1 entre le gnrateur et la sonde en tension. En eet, le coecient de transmission de la ligne T L1 est prsent la fois au numrateur et au dnominateur de lexpression 3.3, et nentre donc pas en ligne de compte dans le calcul nal. Le port 2, lui, devrait idalement tre situ dans le plan de la plaquette de silicium. Or ce nest pas ralisable car le plan de la plaquette concide avec lextrmit des pointes RF , quil est impossible de relier lentre de lanalyseur de rseau. Les coecients de paramtres -S ne sont donc mesurs que jusqu lextrmit du cble T L2 . La caractristique de transmission frquentielle des pointes de mesure est value de faon spare et intgre dans le calcul. Il est trs dicile de les caractriser dans le domaine frquentiel, mais leur bande passante trs leve (12 GHz) nous autorise les assimiler un dlai pur pointes de 80 ps, mesur dans le domaine temporel. Ce dlai apparat simplement
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3.3. TRANSFORMATION DE FOURIER DISCRTE comme un terme de dphasage ei2f.pointes dans les coecients de paramtres -S.

49

Toutes ces oprations sont ralises par un script que jai dvelopp sous M atlab , qui prend en charge le traitement des donnes acquises loscilloscope, depuis la charge des chiers de points bruts jusqu lcriture et lachage des formes donde corriges. Une partie importante du traitement consiste en une manipulation des chiers de points pour quils puissent tre utiliss de manire optimale par les algorithmes eectuant la F F T sous M atlab. An de mieux en saisir les tenants et les aboutissants, nous allons nous intresser prsent aux oprations ralises par le logiciel lors des calculs de transformation de Fourier.

3.3
3.3.1

Transformation de Fourier Discrte


Utilisation pratique de la Transformation de Fourier discrte sous M atlab

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La transformation de Fourier continue dun signal v(t) temporel en un signal frquentiel V (f ) et son opration inverse sont respectivement dnies par les expressions suivantes (cf. annexe A)

V (f ) =

v(t).e2if t dt

(3.11)

et v(t) =

V (f ).e2if t df.

(3.12)

On voit que pour calculer V , il faudrait faire une acquisition de t = t = + loscilloscope avec une rsolution innie, ce qui est impossible en pratique. En mesures impulsionnelles de type vf T LP , loscilloscope ne peut queectuer un nombre ni N dacquisitions sur une fentre de temps TW , avec une dure t entre chaque acquisition, dnie par la frquence dchantillonnage de loscilloscope. On a : TW = N.t (3.13)

Une information dans le domaine frquentiel partir de cet ensemble ni de N mesures peut tout de mme tre obtenue, grce la transformation mathmatique dite transformation de Fourier discrte (DF T ). La DF T sapproche plus dune dcomposition en sries de Fourier (DSF ) que dune transformation de Fourier (Annexe A). Malgr son nom, il sagit en fait dune DSF dont chaque terme est dni de faon discrte, et non par une intgrale de +. Comme les signaux ne sont pas priodiques, la DF T considre le signal chantillonn comme un signal priodique de priode Tp = TW .

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50

CHAPITRE 3. NOUVELLE MTHODOLOGIE BASE SUR LA CORRECTION DES DONNES : LE T RAN SIEN T T LP (T-TLP) Les valeurs discrtes fk et tk de frquence et de temps peuvent sexprimer comme ci-dessous :
f = n.f = n = n n 0 TW N.t t = k.t
k

(3.14)

La DF T dun signal chantillonn v scrit alors, par dnition :


k=N 1

V (fn ) = Vn =
k=0

vk .e2i. N .

nk

(3.15)

La DF T inverse est dnie par : 1 N


n=N 1 n=0

v(tk ) = vk =

Vn .e2i. N ,

nk

(3.16)

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On note que ces quations peuvent se retrouver en partant de la DSF du signal v(t) (Annexe A), en remplaant An par
V (fn ) N

et en abrgeant v(tk ) en vk et V (fn ) en Vn dans lquation A.3.

Lquation 3.15 dnit un tableau V de N points dans le domaine frquentiel. Il est limage du tableau v dans le domaine temporel, chaque point du tableau correspondant une frquence fn = nf0 = n/TW , avec f0 la frquence fondamentale. On remarque aisment que la valeur correspondant la frquence nulle (n = 0),
k=N 1

V (0) =
k=0

vk = N., v

(3.17)

sexprime simplement partir de la valeur moyenne v du tableau v exprim dans le domaine temporel. Le tableau des temps est constitu de N points tels que TW = N t, tout comme les tableaux f et V du domaine frquentiel. La limitation constitue par la rsolution temporelle t sexprime donc en terme de spectre frquentiel par lexistence dune valeur maximale nie fny , dite frquence de Nyquist , ne dpendant que de t : fny = N 1 = .f0 . 2t 2 (3.18)

Le rang n pour lequel cette frquence atteint son maximum fny correspond la moiti du nombre de points n = N/2, si N est pair. Un tableau du domaine temporel v se transforme par DF T en un tableau V dont la premire moiti contient une composante DC suivie des N/2 harmoniques de f0 , de f0 fny . La seconde moiti est constitue des complexes conjugues des
N 2

premires valeurs sans le DC, ce qui se traduit par lapparition dharmoniques ngatives ,

depuis fny jusqu f0 .


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3.3. TRANSFORMATION DE FOURIER DISCRTE

51

En eet, considrons une valeur de V de rang N/2 + m, donc appartenant la deuxime moiti, avec m un entier positif infrieur N/2. On a, daprs 3.15 :

N 1

V N +m =
2

vk .e
k=0 N 1

2ik . N N 2

+m)

(3.19) (3.20) (3.21)

=
k=0 N 1

vk .eik .e vk .e
k=0
2ik . N N 2

2ikm N

V N +m =
2

m)

avec, eik = e+ik , car k est entier. Le complexe conjugu de cette somme est gal la somme des complexes conjugus de ses termes. Les termes vk tant rels, on a alors :

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N 1

V N +m =
2

vk .e
k=0

2ik . N N 2

m)

(3.22)

o la barre horizontale dsigne lopration de conjugaison. V N +m = V


2

N 2

(3.23)

Ainsi pour rsumer, les tableaux des temps t et des tension v se transforment en tableaux frquence f et tension V dans le domaine frquentiel, tels que :

(t1 ... tN ) (v ... v ) 1 N


DF T

DF T

(f1 ... fN ) = 0, f0 , 2f0 , ... f N = fny , ... f0


2

(V1 ... VN ) = V1 ... V N +1 , V


2

N 2

N 2

... V 2

(3.24)

3.3.2

Algorithme de FFT

Il est souvent ncessaire daugmenter le nombre de points N des tableaux v et t, notamment pour pouvoir abaisser la frquence fondamentale f0 , celle-ci tant dnie par : f0 = 1 . N.t (3.25)

Ainsi, selon le besoin de lutilisateur en termes de rsolution en basses frquences et les capacits de loscilloscope, ce nombre N peut facilement atteindre les 8000 points ou plus. Le temps de calcul pour valuer directement les N termes de lexpression 3.15 peut vite savrer trs long. En eet, le nombre doprations correspondantes slve N 2 multiplications et N 2 additions, soit 2.N 2 oprations.

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52

CHAPITRE 3. NOUVELLE MTHODOLOGIE BASE SUR LA CORRECTION DES DONNES : LE T RAN SIEN T T LP (T-TLP) On appelle transformation de Fourier rapide (Fast Fourier Transformation) toute m-

thode rduisant ce nombre doprations N log(N ) au lieu de 2N 2 . Parmi ces mthodes, la plus courante est de loin lalgorithme de Cooley-Tukey, qui rduit le nombre doprations 2.N log2 (N ) [57]. Il se base sur une technique algorithmique surnomme diviser pour rgner , qui consiste diviser un problme en deux ou plusieurs sous-problmes plus simples rsoudre. De faon pratique lalgorithme de Cooley-Tukey divise lquation 3.15 en deux sommes, lune contenant les termes de rang impairs et lautre les termes de rang pairs. Chacune de ces sommes peut ensuite tre divise de la mme manire en sous-sommes, jusqu ce que le nombre de termes de la somme obtenue ne soit plus divisible par deux. La conclusion immdiate de ce qui prcde est que le nombre de points doit tre une puissance de 2 pour que lalgorithme de Cooley-Tukey soit le plus puissant : N = 2m . (3.26)

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Si le nombre de points acquis ne respecte pas cette condition, il peut tre utile, avant deectuer le calcul de F F T , de rajouter articiellement des points au signal temporel chantillonn. Le double intrt de cette opration est dune part de rduire dautant la frquence fondamentale f0 = 1/N.t du spectre correspondant, et doptimiser la vitesse de calcul de la simulation en ajustant le nombre de points.

3.4

Dtermination du spectre frquentiel ncessaire

Le choix des paramtres de calcul (nombre de points N , dure dacquisition TW , frquence dchantillonnage fny etc. ) est limit par les performances de lquipement disponible au laboratoire. Lapplication de la mthode dcrite plus haut ncessite lutilisation dun oscilloscope et dun analyseur de rseau dont les bandes passantes sont les plus larges possible.

3.4.1

Limites des analyseurs de rseau

Aucun analyseur de rseau ne peut mesurer avec prcision les coecients de paramtres -S dun systme la fois dans les basses et les hautes frquences. Cependant, en combinant les mesures opres avec deux analyseurs de rseau dirents disponibles au LAAS, on a pu obtenir une mesure sur une plage de frquences allant de 9 kHz 4 GHz avec un pas de 9 kHz, puis jusqu 40 GHz avec un pas de 50 M Hz.

3.4.2

Limites de loscilloscope

Loscilloscope choisi pour le banc de caractrisation vf T LP est le modle TDS6604C de Tektronix. Sa frquence dchantillonnage est de 20 Gsamples/s, ce qui correspond un pas en
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3.4. DTERMINATION DU SPECTRE FRQUENTIEL NCESSAIRE

53

temps de 50 ps. Ces 50 ps ne constituent pas cependant la vraie limite physique de lappareil. Celle-ci est xe par le ltrage des composants internes loscilloscope, qui dterminent sa bande passante analogique, donne 6 GHz par le constructeur. Le temps de monte minimal mesurable est dni dans la littrature par la correspondance frquentielle suivante : tr = 0.35 , BW (3.27)

avec BW la bande passante de lappareil de mesure. Il est noter que cette formule est une approximation obtenue en assimilant le systme ltrant un circuit un ple. Dans le cas de loscilloscope choisi, cela correspond un temps de monte de 58 ps. La valeur donne par le constructeur est la plage 60 ps 100 ps.

3.4.3

Choix des limites frquentielles

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Limite suprieure Dans les hautes frquences, on voit que la limite est dtermine par loscilloscope, dont la bande passante est infrieure celle du VNA. Lutilisateur voulant calculer la DFT dun signal temporel a tout intrt tirer pleinement partie de la frquence dchantillonnage de loscilloscope en conservant son pas en temps t minimal. Le signal frquentiel nen sera que mieux dni dans les hautes frquences, car comme on la vu, les spectres du signal chantillonn stend alors jusqu fmax = fny = suivants : t = 50 ps, ce qui amne : fny = 10 GHz Limite infrieure Ltape qui suit consiste dterminer la dure dacquisition TW du signal loscilloscope, et le pas en frquence f0 = f de lacquisition au V N A, ces deux grandeurs tant lies par la relation f0 =
1 TW 1 2t .

On peut donc dores et dj sarrter aux paramtres

(3.28)

(3.29)

, comme on la vu plus haut. On pourrait choisir, pour proter de la bonne

rsolution frquentielle du V N A dabaisser la frquence fondamentale la rsolution de lanalyseur de rseau, cest--dire 9 kHz. Mais la dure de la fentre dacquisition loscilloscope correspondant un tel pas en frquence serait alors de 111 s, et le nombre de points serait suprieur 2.2 millions en conservant t = 50 ps. Si par chance, le nombre de points maximal que loscilloscope peut stocker en une acquisition est justement gal 2 millions, il est cependant inutile dans notre cas de dpasser les 400 ns
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54

CHAPITRE 3. NOUVELLE MTHODOLOGIE BASE SUR LA CORRECTION DES DONNES : LE T RAN SIEN T T LP (T-TLP)

de dure dacquisition. En eet, le gnrateur T LP nest pas conu pour crer des impulsions dune dure suprieure 100 ns. On verra plus loin 3.5.4) que la plage de temps ncessaire pour mesurer tout le signal ne dpasse pas 200 ou 300 ns.

Pour abaisser la frquence fondamentale f0 du spectre, plutt que de faire de trs longues acquisitions, on peut tendre manuellement le nombre de points des signaux temporels en ajoutant des points de valeur nulle la suite du signal. Cependant, on peut montrer quil est illusoire de vouloir augmenter la prcision en ralisant une telle opration, car en ralit les points ainsi ajouts aux tableaux du domaine frquentiel napportent aucune nouvelle information.

En conclusion, pour ce qui est du choix de la dure dacquisition, on peut se limiter la fentre de mesure contenant le signal utile. Il nest pas ncessaire de dpasser la valeur TW = 400 ns. Avec une rsolution t de 50 ps, le nombre de points correspondant est gal 8000.

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On rappelle cependant que le nombre de points sur lequel un signal doit tre chantillonn pour pouvoir eectuer le calcul de la DFT dun signal doit tre une puissance de deux pour que le calcul soit le plus ecace. On peut donc allonger lgrement la dure dacquisition de manire ramener N la puissance de deux la plus proche, soit 213 = 8192. Cette opration a pour eet dallonger TW 409.6 ns et de rduire f0 2.44 M Hz. Si loscilloscope ne permet pas de choisir manuellement le nombre de points des acquisitions, on comble les chiers de points avec autant de zros quil est ncessaire, de manire atteindre une puissance de 2. On peut maintenant xer le pas en frquence idal de lacquisition au V N A :

f0 = 2.44 M Hz, pour : TW = 409.6 ns

(3.30)

(3.31)

Bilan Pour rsumer, les paramtres optimaux dacquisition lanalyseur de rseau sont les suivants :
f = 2.44 M Hz 0

ny max N = 4096 points

=f

= 10 GHz

(3.32)

Les paramtres dacquisition loscilloscope sont quant eux :


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3.5. TRAITEMENT DES DONNES TEMPORELLES ET FRQUENTIELLES

55

t = 50 ps

W N = 8192 points

= 409.6 ns

(3.33)

3.5

Traitement des donnes temporelles et frquentielles

Comme on la vu, le calcul de DF T se base sur une approximation : un signal temporel unique est considr par la DF T comme un signal priodique dont la priode est gale la dure dacquisition TW . Cette dure dacquisition doit tre optimise pour amliorer la rsolution frquentielle des signaux obtenus et la vitesse de calcul des algorithmes. Mais aussi, il est indispensable que la valeur prise par le signal chantillonn soit gale aux instants t = 0 et t = TW , de manire ce que cette approximation dun signal priodique soit justie. Dans le cas contraire, les discontinuits cres dans les signaux priodiques seraient source de composantes parasites hautes frquences. Typiquement, en mesures impulsionnelles vf T LP /transient T LP , les signaux sont nuls avant limpulsion et nuls aprs, ce qui rend le calcul plus facile que dans le cas dune fonction chelon par exemple.

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3.5.1

Signal non nul t < 0 : correction de loset

Si cependant le signal nest pas nul t < 0, cela est gnralement rvlateur dun dfaut de synchronisation de loscilloscope. Ce dernier est en eet synchronis sur le front montant de limpulsion, et le temps t = 0 est choisi au moment o la tension atteint un certain seuil. Il arrive que les formes dondes fournies par loscilloscope soient aectes dun lger dcalage, positif ou ngatif, cause de la rsolution en tension non idale de loscilloscope. On peut facilement sen dbarrasser en retranchant chacun des signaux mesurs une valeur moyenne calcule sur les premires nanosecondes de lacquisition, avant lapparition de la premire impulsion.

3.5.2

Sparation des impulsions incidentes et rchies

Les expressions 3.6 et 3.10 traitent les ondes incidentes et rchies comme sil sagissaient de deux impulsions spares. Or, dans la ralit, ces deux impulsions apparaissent la suite dans la mme mesure, ou mme superposes si le retard dans T L2 est plus court que la dure des impulsions. En eet, une tension rsiduelle est toujours prsente la suite de limpulsion incidente mesure. Elle peut prendre la forme dune lente dcroissance ou dune rplique miniature de limpulsion ESD (gure 3.3), ce dernier phnomne tant probablement d une rexion parasite lintrieur du gnrateur dimpulsions. Dans tous les cas, elle se superpose limpulsion rchie sur lcran de loscilloscope.

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CHAPITRE 3. NOUVELLE MTHODOLOGIE BASE SUR LA CORRECTION DES DONNES : LE T RAN SIEN T T LP (T-TLP)

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Figure 3.3 Impulsions vf T LP mesures loscilloscope avec le dispositif de la gure 3.2. La tension rsiduelle prsente la suite de limpulsion incidente se superpose partiellement avec limpulsion rchie.

Ces tensions rsiduelles font partie intgrante de limpulsion incidente injecte dans le systme de mesure par le gnrateur T LP , et il est donc exclu de sen dbarrasser : elles se rpercutent sur les signaux rchis, et les supprimer reviendrait introduire une importante erreur dans le re-calcul des formes donde.

Il est donc ncessaire dutiliser des mthodes de sparation de ces deux impulsions. Deux solutions exprimentales ont t retenues pour rsoudre ce problme, solutions que dans la pratique on tente de combiner. La premire consiste allonger la ligne T L2 (gure 3.1) de manire augmenter le dlai entre les deux impulsions mesures, et la seconde procder en deux tapes pour acqurir le signal loscilloscope.

Solution 1 En allongeant la ligne T L2 , on retarde lapparition de la seconde impulsion sur loscilloscope, ce qui limite ltendue de la superposition entre les deux impulsions. Mais le rallongement du cble a galement pour eet dintroduire une attnuation frquentielle se traduisant par un ralentissement du front montant. Cette solution doit donc tre utilise en connaissance de cause, notamment en ce qui concerne le temps de monte que lon dsire appliquer au composant sous test.

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3.5. TRAITEMENT DES DONNES TEMPORELLES ET FRQUENTIELLES Solution 2

57

Lautre solution permet de limiter lattnuation frquentielle de Vref,oscillo due lallongement du cble. Elle consiste mesurer au pralable la totalit de limpulsion incidente Vinc,oscillo , visible loscilloscope, sans quelle ne soit perturbe par limpulsion rchie Vref,oscillo . Pour ce faire, on remplace simplement le DU T par une charge adapte de 50 . Ainsi, le signal incident est intgralement absorb et il ny a pas dimpulsion rchie. On ne mesure quun signal incident Vload,oscillo , et le signal rchi sobtient ensuite en retranchant au signal mesur sur le DUT ce signal incident complet : Vincident,oscillo. = Vload,oscillo. Vrf lchi,oscillo. = VDU T,oscillo. Vload,oscillo. (3.34) (3.35)

De cette manire, la sparation des signaux incidents et rchis mesurs est trs prcise,

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aucun des deux signaux ne venant interfrer sur lautre. De plus, dans le cas o les impulsions gnres sont si longues quelles se superposent sur loscilloscope (par ex. impulsions de type T LP ), cette approche devient le seul moyen de sparer les deux signaux. Dans le cas des impulsions vf T LP , il est judicieux, pour ce qui est de la dnition de Vinc,oscillo. de combiner les impulsions incidentes mesures sur 50 et sur le composant. En eet, le gnrateur T LP nest pas idalement rptitif, et autant que possible, on vitera dutiliser dans la formule 3.6 des impulsions mesures partir de deux agressions direntes la mme tension. On mesure successivement les impulsions obtenues sur une charge 50 (acquisition 1, gure 3.4-a) et sur le DU T (acquisition 2, gure 3.4-b). Vinc,oscillo. sera gal lacquisition 2 sur toute la dure de limpulsion incidente, puis lacquisition 1 sur le reste de la mesure. Connaissant limpulsion incidente, il est alors facile de remonter limpulsion rchie par soustraction du signal total par le signal incident. (gure 3.5).

3.5.3

Suppression des rexions parasites

Un autre cas plus proccupant est celui des rexions parasites ayant lieu dans le banc de mesure, typiquement sur la forte rsistance de charge R1 du gnrateur dimpulsions (gure B.1). Ce signal, artfact en modle rduit de limpulsion ESD dorigine, est issu de la rexion de limpulsion Vref sur le gnrateur, elle-mme rexion de limpulsion incidente sur le DU T (gures 3.4 et 3.5). Un attnuateur de 6 dB prvu cet eet (section 2.2.1.1) divise par deux
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Figure 3.4 Exemple dacquisitions successives sur une charge 50 (acquisition 1) et sur une protection ESD haute tension 40 V T LP (acquisition 2), aprs correction des osets . On construit ainsi le chier Vinc,oscillo , qui sera utilis par la suite. Lavantage de cette opration est de faire en sorte que les signaux incidents et rchis utiliss dans les calculs soient issus de la mme impulsion dorigine. Ils sont alors lis par une transformation mathmatique. Les valeurs non nulles dans lacquisition 2 aprs limpulsion rchie sont le rsultat de rexions parasites sur le gnrateur. On note qu ce stade, les amplitudes des impulsions nont pas encore t corriges.

Figure 3.5 Construction du chier de points Vref,oscillo. , dni comme tant la dirence entre la mesure eectue sur le DUT et le chier de points prcdemment construit Vinc,oscillo. .

ce signal parasite pour viter quil ne se rchisse indniment aux deux extrmits du banc de mesure. Malgr cette attnuation, lapparition et la superposition de ce signal sur le signal utile vient perturber le traitement quon applique aux impulsions mesures.
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3.5. TRAITEMENT DES DONNES TEMPORELLES ET FRQUENTIELLES Solution 1 : retarder lapparition des rexions parasites

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Un moyen ecace de sen dbarrasser est daugmenter la longueur de la ligne T L1 (gure 3.1), an de retarder le plus possible son apparition. Ainsi, on laisse un laps de temps susant aprs limpulsion rchie mesure Vref,osc. pour que la tension retombe zro sans tre perturbe par la rexion parasite. Les signaux parasites sont ensuite supprims des chiers de points bruts sans danger de suppression de signaux utiles .

Solution 2 : le fentrage des signaux En complment de lallongement de la ligne T L1 , il est ncessaire de trouver un moyen de se dbarrasser des impulsions rchies parasites. La solution consistant insrer un isolateur en srie avec le gnrateur dimpulsion pour saranchir des signaux revenant au gnrateur aprs rexion nest pas envisageable car aucun de ces dispositifs nest conu pour fonctionner sur une telle bande de frquences, en particulier pour les plus basses. Il reste donc la possibilit de supprimer de manire mathmatique ces signaux en multipliant les formes dondes par des fonctions dites de fentrage . Ces fonctions ont pour but de slectionner une fentre dtermine dun signal (fentre dobservation), tout en sassurant que le signal retombe zro sans discontinuits sur les bords de la fentre. On ralise ainsi une apodisation des signaux (littralement couper les pieds ). Les fonctions de fentrage sont donc gales 1 sur la fentre slectionner, et des fonctions dcroissantes sur les bords de la fentre. Elles prennent une valeur nulle en t = et t = +. Une des proccupations principales de ces fonctions est la gestion de leur impact frquentiel sur le signal chantillonn. En eet, si e(t) est le signal dorigine et h(t) la fonction de fentrage, le signal apodis s(t) est dni par : s(t) = h(t).e(t) (3.36)

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Cette opration de multiplication dans le domaine temporel correspond une convolution dans le domaine frquentiel : S(f ) = H(f ) E(f ) avec E(f ), H(f ) et S(f ) les transformes de Fourier respectives de e(t) h(t) et s(t).
+

(3.37)

S(f ) =

H(f f ).E(f )df ,

(3.38)

On voit alors quidalement, pour que la fonction de fentrage ait un impact minimal sur le signal chantillonn, elle doit autant que possible se rapprocher de la distribution de Dirac dans le domaine frquentiel. La fonction de Dirac est reprsente dans le domaine temporel par
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CHAPITRE 3. NOUVELLE MTHODOLOGIE BASE SUR LA CORRECTION DES DONNES : LE T RAN SIEN T T LP (T-TLP)

une fonction constante innie, cest--dire ne ralisant aucun fentrage. Donc dans la pratique, le choix dune bonne fonction de fentrage est guid par deux aspects principaux : Lecacit du fentrage : dans notre cas prcis, on sassure que les motifs parasites sont bien supprims. Le spectre frquentiel de la fonction : les composantes frquentielles doivent au maximum tre regroupes dans les basses frquences. La transforme de Fourier de ces fonctions se prsente sous la forme dun lobe principal centr sur la frquence nulle, que lon souhaite le plus troit possible, et de lobes secondaires, que lon souhaite les plus faibles possibles. La fonction de fentrage la plus lmentaire est la fonction de fentrage rectangulaire, ou fonction porte , gale 1 sur la fentre slectionne et nulle en-dehors. Cette fonction est reprsente la gure 3.6-a. Si T est la largeur de la fentre, on a :

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1 si t [0, T ] h(t) = 0 sinon.

(3.39)

Elle a lavantage dtre la plus simple rgler, mais ses fortes discontinuits sur les bords de la fentre en font un mauvais candidat en termes dimpact frquentiel. En eet, son spectre, reprsent gure 3.6-b, se prsente sous la forme dun sinus cardinal. Il montre une srie doscillations dont lamplitude dcroit progressivement pour atteindre 1 % de la valeur DC au bout de quelques GHz. Elle peut cependant tre intressante si lon arrive faire en sorte que le signal traiter soit nul aux aux instants correspondant aux discontinuits. Une autre fonction lmentaire est la fonction triangulaire, dnie comme suit :

2t T 2.(T t) T

si t [0, T ] 2 si t [ T , T ] 2 sinon. (3.40)

h(t) =

Une combinaison des fonctions rectangulaires et triangulaires est reprsente gure 3.6-a. La fonction est gale 1 sur la fentre de mesure et retombe zro en 5 ns de faon linaire. Ici encore, les discontinuits aux raccordements ont un impact sur les signaux convolus. La fonction de Tukey est constitue dune combinaison de la fonction porte et de fonctions cosinus dcroissantes. La dure pendant laquelle elle est gale 1 est rglable par le paramtre , de mme que la dure de retour zro, par le paramtre T . On a ici x la dure de retour zro 5 ns comme dans le cas prcdent. Mais la drive nulle du signal aux bords de la fentre ainsi quaux retours zro assurent un bien meilleur raccordement que dans les cas prcdents. On note que ses harmoniques sont galement bien plus faibles (division par respectivement 104
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3.5. TRAITEMENT DES DONNES TEMPORELLES ET FRQUENTIELLES et 103 3 GHz par rapport aux deux cas prcdents).

61

h(t) =

T 2 1+cos[ T .(t 2 )] 2

si t [0, T [ 2 si t [ T , T 2 si t [T
T 2 [

1
2

(3.41)

1+cos 2 .(t1+ T ) [ T 2 ]

T 2 , T ].

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Figure 3.6 Exemple de fonctions de fentrage (a) et leurs spectres frquentiels respectifs (b). Les fonctions de fentrage utilises dans le script M atlab que jai dvelopp sont les fonctions de Tukey . Le rsultat du fentrage est reprsent dans la gure 3.7. On choisit de couper limpulsion peu avant lapparition des rexions parasites. Les impulsions Vinc,oscillo ne sont pas concernes par les problmes de rexions parasites, et cette tape ne leur est donc pas ncessaire.

3.5.4

Compromis entre le temps de monte et la prcision des rsultats

Lallongement des lignes T L1 et T L2 , quil vise respectivement carter les rexions parasites (section 3.5.3) ou sparer les impulsions incidentes et rchies, (section 3.5.2) doit rsulter dun compromis entre le temps de monte dsir en bout de ligne, aux bornes du composant test, et la prcision des rsultats. En eet, comme on la vu, lincidence sur le signal des
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Figure 3.7 Opration de fentrage sur le chier de points Vref,oscillo prcdemment construit. En noir, limpulsion dorigine avant le fentrage, en rouge pointill, la fentre de Tukey employe et en orange le rsultat de la multiplication des deux.

fonctions mathmatiques dapodisation est loin dtre anodine et on tente den rduire lutilisation. De mme, lutilisation de deux mesures spares (sur 50 et sur le DU T ) pour obtenir la sparation de lincident et du rchi est source derreur sil savre que le gnrateur nest pas susamment rptitif. Ainsi, plus les lignes T L1 et T L2 sont longues et moins limpact de ces deux oprations sur le signal est important, car elles sappliquent alors sur des signaux presque nuls.

Dun autre ct, ces allongements sont galement responsables de lattnuation frquentielle des impulsions en bout de ligne, et en particulier du temps de monte. Supposons par exemple que lon veuille faire apparatre un dlai de 1 = 5 ns la suite de limpulsion rchie pour retarder les rexions parasites, et un second dlai 2 de la mme valeur entre les deux impulsions an de limiter leur superposition. La longueur de cble rajouter correspond un aller-retour dans T L1 et un aller retour dans T L2 : L= 0.66c.(1 + 2 ) .(1 + 2 ) = 2 2 L = 1 m, (3.42) (3.43)

avec la vitesse de phase de limpulsion dans le cble coaxial, gale 0.66c dans le cas de cbles coaxiaux isolant en polythylne.

valuons limpact de cet allongement en termes dattnuation frquentielle. A 3 GHz, par exemple, lattnuation des cbles est de 1 dB/m. On obtient donc une attnuation totale de 1 dB.
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3.5. TRAITEMENT DES DONNES TEMPORELLES ET FRQUENTIELLES

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Le meilleur compromis raliser consiste xer la longueur des lignes de telle sorte que le temps de monte obtenu corresponde naturellement celui dsir sans quil soit ncessaire dinsrer un ltre passe-bas en srie. Les mthodes de fentrage et de soustraction dimpulsions incidentes ne sont alors utilises quen complment.

3.5.5

Traitement sur les coecients de paramtres -S mesurs

Les chiers de points comportant les coecients de paramtres -S sont galement optimiss, de manire ce que le nombre de points, le pas en frquence et la frquence maximale respectent les conditions des quations (3.32) si ce nest pas dj le cas aprs lacquisition au V N A. Une interpolation est ralise sur les courbes pour rajuster le pas en frquence et le nombre de points. On construit ensuite de nouveaux chiers de points S31 , S32 , S21 , et f partir de ces co-

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ecients de paramtres -S et du tableau des frquences. En eet, comme on la vu plus haut (quations 3.24), le rsultat dune DF T dun tableau de N points dans le domaine temporel est un tableau de N points dont les
N 2

+ 1 premiers points contiennent la composante continue


N 2

et les composantes frquentielles positives , et les

1 points restant les composantes fr-

quentielles ngatives . La premire moiti correspond donc au chier de points obtenu par la mesure au V N A, tandis que la seconde moiti est constitue de ses complexes conjugus. Pour ce qui est du tableau des frquences, on construit sa seconde moiti partir des valeurs opposes aux frquences de la premire moiti. En procdant ainsi, on fait en sorte que les coecients de paramtres S et les transformes de Fourier des tableaux du domaine temporel soient de la mme forme.

3.5.6

Calcul des formes dondes VDU T (t) et IDU T (t)

On est prsent en mesure dappliquer les algorithmes de F F T aux tableaux Vinc,oscillo (t) et Vref,oscillo (t). Les rsultats Vinc,oscillo (f ) et Vref,oscillo (f ) de ces oprations sont reports dans les quations 3.6 et 3.10 pour le calcul de VDU T (f ) et IDU T (f ). Les formes donde correspondantes dans le domaine temporel sont calcules par algorithmes de F F T inverse. Le rsultat de transformation inverse correspond un vnement physique et doit donc obligatoirement tre rel. La partie imaginaire qui subsiste est due lerreur de mesure lors des acquisitions lanalyseur de rseau et loscilloscope. Elle doit tre supprime dans les formes dondes nales. La gure 3.8 montre le rsultat nal du calcul des formes dondes dans le plan du composant, pour un composant de protection haute tension N P N Z (section 1.6.1.2) destin la protection des E/S 20 V . Les mesures ont t eectues pour une impulsion vf T LP de 100 V , une des premires tensions de pr-charge pour laquelle la protection se replie. Les phnomnes physiques sont encore relativement lents ce niveau de tension, et on voit bien travers les
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CHAPITRE 3. NOUVELLE MTHODOLOGIE BASE SUR LA CORRECTION DES DONNES : LE T RAN SIEN T T LP (T-TLP)

formes donde lvolution de limpdance instantane du composant, passant de ltat bloqu ltat passant. ltat bloqu, son impdance est suprieure celle du gnrateur, qui se comporte alors comme un gnrateur de tension. Le courant, essentiellement capacitif, est constant et proportionnel la pente de la tension impose. Aprs dclenchement, limpdance du composant devient infrieure celle du gnrateur, qui se transforme alors en gnrateur de courant. La tension de repliement quasi-statique Vt1 est de 25.4 V , et la tension maximale atteinte ici de 29.8 V environ. La surtension est donc de tout de mme de plus de 4 V malgr la faible tension T LP injecte, si lon dnit la surtension comme tant la dirence entre la tension maximale du pic et la tension de repliement quasi-statique.

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Figure 3.8 Rsultat du calcul de VDU T (t) (en bleu fonc) et IDU T (t) (en orange clair) sur une protection ESD haute tension pour 100 V vf T LP , avec 1 ns de temps de monte. Les deux impulsions dbutent au mme moment, ce qui indique que les dlais de propagation dans le systme de mesure sont correctement corrigs.

3.6
3.6.1

Rsultats de mesure t T LP
Validation sur des cas simples

Formes dondes La faon la plus simple de tester la prcision de la mthode de mesure est de la valider sur des cas dont le rsultat est connu, typiquement un court-circuit et un circuit ouvert. On vrie que les impulsions incidentes et rchies sont bien gales et superposes sur le circuit ouvert (coecient de rexion gal 1), et opposes sur le court-circuit (coecient de rexion gal 1). Les rsultats sont montrs dans les gures 3.9, pour le circuit ouvert et 3.11, pour le court-circuit. Sur le circuit ouvert, la bonne superposition de ces deux courbes donne un aperu
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3.6. RSULTATS DE MESURE T T LP

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de la prcision de la mesure. En eet, il est noter que les impulsions incidentes et rchies sont calcules en utilisant des coecients de paramtres -S dirents, correspondant des chemins de propagation indpendants (gure 3.10), et il ny a donc aucune redondance dans lobtention des rsultats. Lerreur maximale obtenue sur ce circuit ouvert est de lordre de 1 %, calcule daprs lexpression suivante, pour une tension de prcharge VT LP de 100 V :

ErreurCO (%) = 100.

Vincident Vrf lchi VT LP

(3.44)

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Figure 3.9 Mesure des impulsions incidentes (bleu) et rchies (orange pointills) sur un circuit ouvert (pointes RF laisses en lair) 200 V T LP , 5 ns de dure dimpulsion et 300 ps de temps de monte. La dirence entre les deux est trace en vert ple sur laxe de droite.

Figure 3.10 Calcul des impulsions incidentes et rchies sur un circuit ouvert parfait. Dans ce cas, les deux formes donde doivent tre identiques et parfaitement alignes dans le temps. Concernant le court circuit, lerreur est calcule daprs : ErreurCC (%) = 100. Vincident + Vrf lchi VT LP (3.45)

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Figure 3.11 Impulsions mesures sur un court circuit 200 V T LP , tr = 1 ns, 5 ns de dure dimpulsion. Limpulsion rchie (orange pointills) a t multiplies par 1 pour comparaison avec lincident (bleu). La somme de lincident et du rchi est trace en vert ple, et sa moyenne est reporte en trait noir continu.

Lerreur maximale est de lordre de 2 %, soit deux fois plus que dans le cas du circuit ouvert. Mais si le circuit ouvert peut tre considr comme parfait (il est obtenu avec les pointes en lair), le court-circuit mesur est une ligne de mtal trace sur wafer entre deux plots de contact. La chute de potentiel visible aux bornes de cette ligne de mtal peut lors sexpliquer par plusieurs facteurs, comme la non-idalit des contacts (rsistances de contact), la rsistance intrinsque de la ligne de mtal, et les capacits parasites ramenes par lensemble plots+lignes .

Mode quasi-statique T LP/vf T LP

On peut galement tester la pertinence des rsultats sur les mmes court-circuits et circuits ouverts par des mesures quasi-statiques entre 1 V et 1000 V . Une moyenne eectue dans les dernires nanosecondes de limpulsion permet, comme en mesures T LP classiques de tracer les graphes I V correspondant. La gure 3.12 montre la valeur absolue du courant et de la tension obtenus sur court-circuit et circuit ouvert dans ces conditions. La rsistance du circuit ouvert apparat suprieure 7 k et celle du court-circuit infrieure 300 m entre 0 et 1000 V T LP . Le moyennage sur plusieurs nanosecondes permet ici de rduire fortement les erreurs lies au bruit de mesure.

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3.6. RSULTATS DE MESURE T T LP

67

Figure 3.12 Valeur absolue des caractristiques quasi-statiques obtenues avec loutil de mesure transient T LP sur un court-circuit (a) et un circuit ouvert (b).

3.6.2

Application la mesure sur des composants ESD de librairie

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Dans la gure 3.13, on a trac les caractristiques de tension et courant en fonction du temps pour une structure de protection N P N Z (section 1.6.1.2), ddie aux E/S 20 V . La tension de prcharge T LP est de 250 V dans les trois cas, seul change le temps de monte (< 100 ps, 300 ps, 1 ns) ajust au moyen de ltres passe-bas insrs en sortie du gnrateur. Le temps de monte infrieur 100 ps correspond au cas sans ltre. Le ltrage est alors celui de loscilloscope, qui ne permet pas de mesurer des temps de monte infrieurs 100 ps. Pour des temps de monte dcroissants, on observe une augmentation de lamplitude du pic de surtension au dclenchement de la protection, variant de 60 V 95 V environ par rapport la tension de retournement quasi-statique Vt1 , qui est de 25.4 V . Ce rsultat, intuitif, sera expliqu en dtails laide de rsultats de simulation (chapitre 5). On note que le temps de monte na pas dimpact sur la tension et le courant de stabilisation, qui apparaissent superposs dans les trois cas.

Figure 3.13 Mesure transient T LP sur un N P N Z ddi aux E/S 20 V pour des impulsions de 5 ns et 250 V de tension de charge avec trois temps de monte dirents. La tension est reporte gure a) et le courant gure b).

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CHAPITRE 3. NOUVELLE MTHODOLOGIE BASE SUR LA CORRECTION DES DONNES : LE T RAN SIEN T T LP (T-TLP)

Courbes I Vmax On peut rpter ces mmes mesures plusieurs niveaux de tension, et en extrayant pour chaque impulsion la tension de pic Vmax , on construit des courbes I Vmax . Vmax est report en abscisse et le courant de stabilisation quasi-statique, mesur en T LP de faon classique est report sur laxe des ordonnes. La courbe I V quasi-statique est gnralement reporte sur le mme graphe pour comparaison [58]. Ainsi, pour chaque niveau de courant, le comportement du composant est dcrit simplement et de faon complte. Le dessin de ces structures est facilit par la possibilit de superposer ces courbes avec la fentre de conception. La gure 3.14 montre les courbes I Vmax obtenues sur des composants N P N B ddis aux E/S 20 V (section 1.6.1.3) jusqu 6 A de courant quasi-statique, pour deux temps de montes de 1 ns et 10 ns. On remarque que pour toutes les tensions infrieures Vt1 , les tensions de pic Vmax sont gales aux tensions quasi-statiques, ce qui signie que la surtension est nulle.

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Les surtensions ne commencent crotre quaux niveaux de courant suprieurs, et augmentent dautant plus vite que le temps de monte est court.

Figure 3.14 Courbes I Vmax obtenues par caractrisation transient T LP sur des N P N B ddis aux E/S 20 V avec des temps de monte de 1 ns et 10 ns. On note que les valeurs de Vmax pour le temps de monte de 10 ns ont t obtenues avec une largeur dimpulsion de 100 ns, et non 5 ns comme pour les autres temps de monte. Le dispositif de mesure nest alors pas fondamentalement dirent du dispositif dcrit dans les paragraphes prcdents, si ce nest que lon a rallong la ligne de charge du gnrateur dimpulsion pour augmenter la dure dimpulsion, et les lignes T L1 et T L2 de la gure 3.1 pour respectivement loigner les rexions parasites et sparer au mieux les impulsions incidentes et rchies. Le
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3.6. RSULTATS DE MESURE T T LP

69

choix de rallonger ces deux dernires lignes est justi par le fait que le temps de monte dsir est susamment lent pour ntre que peu aect par lattnuation frquentielle lie la longueur des cbles coaxiaux.

Comparaison avec des mesures transitoires vf T LP La gure 3.15 montre une comparaison entre des mesures (Vmesur
1

et Vmesur 2 ) eectues

avec le dispositif vf T LP dOryx incluant la merge box (section 2.2.1.5), et les donnes du transientT LP (Vcorrig ). Les deux acquisitions brutes correspondent deux rglages dirents du dlai de la merge box, spars de 150 ps, ce qui correspond la prcision approximative de rglage (section 2.4). Vmesur
1

et Vmesur

donnent un bon aperu des eets de ltrage

frquentiel du signal : la pente dV /dt de 240 V /ns des donnes brutes est augmente de 25 % dans les donnes corriges, et la tension de stabilisation est rduite de 15 %. Lerreur de tension

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de stabilisation peut certes tre corrige par ltalonnage pour des mesures quasi-statiques, mais pas le temps de monte. Par ailleurs, la dirence dajustement du dlai de la merge box conduit dimportantes erreurs sur la mesure de la surtension (erreur de 15 %).

Figure 3.15 Mesure de formes donde en tension obtenues avec la mthode dcrite (Vcorrig ), et comparaison avec loutil standard vf T LP Oryx (Vmesur1 et Vmesur2 ). Un dlai de 150 ps a t introduit entre les deux mesures vf T LP dans le rglage de la merge box pour visualiser son eet sur le pic de tension.

3.6.3

Limites de la mthode dtalonnage lanalyseur de rseau

Nous allons examiner ici deux des principales limites de la mthode prsente. Problmes de linarit en puissance La pertinence des rsultats pourrait tre limite par dventuels problmes de linarit du banc de mesure pour des puissances croissantes. En eet, la mesure des coecients de paramtres
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CHAPITRE 3. NOUVELLE MTHODOLOGIE BASE SUR LA CORRECTION DES DONNES : LE T RAN SIEN T T LP (T-TLP)

-S est eectue lanalyseur de rseau, qui injecte des signaux sinusodaux dont la puissance nexcde pas 1 mW , alors que les signaux ESD concerns peuvent, eux, atteindre des puissances instantanes de 20 kW . Pour valider la mthode transient T LP , il est ncessaire de tester lhypothse selon laquelle les coecients de paramtres -S mesurs basse puissance sont valables forte puissance. Celle-ci ne peut bien sr pas tre valide par des mesures au V N A, mais une autre approche peut tre employe pour tester la linarit en puissance du systme des niveaux correspondant des impulsions T LP . Le montage simple propos en gure 3.16 permet de comparer les tensions envoyes aux direntes extrmits du systme. La comparaison des spectres de Vch1 et Vch2 aux dirents niveaux de tension permet de visualiser la rpartition de puissance entre les deux chemins de propagation. Les ventuels problmes de puissance ne semblent pas provenir des cbles coaxiaux, mais de la sonde en tension (t de pick-o) utilise. Pour les mesures prsentes sur la gure 3.17, le t utilis est constitu de cbles coaxiaux relis par une rsistance CM S de 1.3 k. La rpartition de la puissance est teste de 1 V 180 V , soit de 20 mW 648 W . Un attnuateur est plac lentre de Ch 2 pour protger loscilloscope. Les spectres des tensions mesures sont calculs par F F T , et le rapport de ces deux spectres est trac pour les dirents niveaux de tension. Les rsultats pour les dirents niveaux de tension sont identiques, ce qui semble indiquer quil est pertinent dutiliser des mesures basse puissance (V N A) pour traiter les formes donde vf T LP et T LP .

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Figure 3.16 Dispositif de test de la rpartition en puissance des deux sorties des ts de picko. Lattnuateur de 30 dB en srie avec lentre 2 de loscilloscope est ncessaire pour rester dans la plage de tension spcie. Dans dautres cas non dtaills ici, des eets de non-linarit en puissance ont cependant t constats, notamment en utilisant un t de pick-o imprim sur P CB. Ces non-linarits
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3.7. OUTIL DE MESURE AVANC AVEC TALONNAGE LOSCILLOSCOPE

71

Figure 3.17 Mesure de la linarit en puissance entre 1 V et 180 V , de 340 M Hz 3 GHz sur le systme utilis le plus frquemment. Les mesures sont eectues dans le domaine temporel (impulsions vf T LP ), puis transfres dans le domaine frquentiel par F F T .

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peuvent sans doute tre attribuables une dsadaptation des pistes 50 forte puissance.

Modulabilit du set-up En plus dventuels problmes de linarit en puissance, viennent sajouter des proccupations dordre pratique. Il est en eet dicile dans cette conguration, de modier les lments du banc, car chaque changement modie les coecients de paramtres -S. Lutilisateur peut pourtant y tre amen pour diverses raisons. La principale est la ncessit dadapter la longueur des cbles coaxiaux pour raliser le meilleur compromis longueur de ligne/temps de monte (section 3.5.4). Une autre raison provient du fait que le matriel utilis au laboratoire nest pas spciquement ddi aux mesures transient T LP , et doit donc tre rutilisable pour dautres systmes de mesure. Enn, linstabilit du matriel employ dans le temps (cbles, sondes) oblige lutilisateur de frquentes caractrisations des coecients de paramtres -S, devant idalement tre eectues avant chaque sance de mesures transient T LP , comme pour toute procdure dtalonnage. Pour toutes ces raisons, une nouvelle approche dans lacquisition des coecients de paramtres -S est propose dans la section suivante.

3.7
3.7.1

Outil de mesure avanc avec talonnage loscilloscope


Introduction

Cette partie traite dune mthode dtalonnage du banc de mesure ne faisant pas intervenir de mesures lanalyseur de rseau. En eet, les tapes dtalonnage faites lanalyseur de rseau peuvent tre galement ralises avec un oscilloscope pourvu que sa bande passante soit
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CHAPITRE 3. NOUVELLE MTHODOLOGIE BASE SUR LA CORRECTION DES DONNES : LE T RAN SIEN T T LP (T-TLP)

susamment leve. Tous types de gnrateurs peuvent tre utiliss, mais les signaux cres doivent avoir une tendue spectrale au moins gale celle des impulsions T LP . Le plus simple est de faire ltalonnage avec le gnrateur T LP lui-mme : ltendue spectrale est alors la mme pour ltalonnage et la mesure, et on vite galement davoir changer de gnrateur entre ltalonnage et la mesure, ce qui simplie grandement la procdure.

3.7.2
3.7.2.1

Mesure des paramtres -S loscilloscope


Principe

On a vu au chapitre 3 que la tension VDU T aux bornes du composant et le courant IDU T le traversant sexprimaient entirement dans le domaine frquentiel partir des tensions incidentes Vinc,DU T et rchies Vref,DU T , par les relations :

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V DU T (f ) = Vinc,DU T (f ) + Vref,DU T (f ) I (f ) V (f )), (f ) = 1 (V


DU T ZC inc,DU T ref,DU T

(3.46)

avec ZC = 50 limpdance caractristique de la ligne de transmission T L2 (gure 3.2). Ces tensions incidentes et rchies dans le plan du composant sont elles-mme le rsultat des oprations suivantes :
S21 V inc,DU T (f ) = S31 .Vinc,oscillo (f ) = Sinc .Vinc,oscillo (f ) V (f ) = 1 .V (f ) = S .V (f ),
ref,DU T S32 ref,oscillo ref ref,oscillo

(3.47)

avec Sinc = 3.47 :

S21 S31

et Sref =

1 S32

les deux grandeurs valuer pour caractriser compltement

le systme en vue de lapplication de la mthode t T LP . Inversons les expressions du systme

Sinc = S21 = Vinc,P 2 (f ) S31 Vinc,P 3 (f ) V (f ) 1 S = = ref,P 2


ref S32 Vref,P 3 (f )

(3.48)

Cette quation montre que lon peut calculer Sinc partir de nimporte quelles mesures simultanes des tensions incidentes Vinc,P 3 et Vinc,P 2 respectivement dans les plans 3 de loscilloscope et 2 du composant (gure 3.2), et Sref partir de nimporte quelles mesures simultanes des tensions rchies Vref,P 3 et Vref,P 2 . Ceci fait, pour une impulsion incidente quelconque mesure dans le plan 3, on peut ensuite calculer la tension incidente dans le plan du composant partir de Sinc en utilisant la premire ligne du systme 3.47. De mme, on calcule limpulsion rchie dans le plan du composant partir de Sref et limpulsion Vref,3 mesure en P 3.

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3.7. OUTIL DE MESURE AVANC AVEC TALONNAGE LOSCILLOSCOPE 3.7.2.2 Mise en uvre

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Dans la pratique, des mesures simultanes dans les plans 2 et 3 sont impossibles. On ne peut pas eectuer de mesures dimpulsions incidentes ou rchies dans le plan 2, car celui-ci concide avec lextrmit des pointes, que lon ne peut pas connecter telles quelles loscilloscope. On eectue alors les mesures lentre des pointes, dans le plan appel 4 dans la gure 3.18. On montrera dans la section suivante que les mesures obtenues de cette manire sont quivalentes des mesures en P 2.

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Figure 3.18 Plans de propagation 1, 2 et 3 mis en jeu pour lapplication de la mthode dtalonnage transient-TLP . Le plan 4 concide avec lextrmit du cble coaxial T L2 . Le plan 2 ne peut pas tre connect lentre de loscilloscope, mais une mthode alternative est propose en en utilisant le plan 4 la place du plan 2. On note Sinc et Sref les coecients mesurs de cette manire. Sinc et Sref peuvent tre utiliss la place de Sinc et Sref dans les quations 3.47 pour calculer les tensions incidentes et rchies dans le plan du composant. On verra que le seul eet de cette substitution est davancer Vinc,DU T et Vref,DU T dun mme dlai correspondant la propagation dans les pointes RF . Mesure 1 : mesure de Sinc Le paramtre Sinc est dni par : Sinc = Vinc,P 4 S41 = Vinc,P 3 S31 (3.49)

Il se mesure tel que montr dans la gure 3.19 : le cble coaxial T L3 est reli la voie 1 de loscilloscope, et le cble T L2 la voie 2. Limpulsion envoye par le gnrateur est mesure
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CHAPITRE 3. NOUVELLE MTHODOLOGIE BASE SUR LA CORRECTION DES DONNES : LE T RAN SIEN T T LP (T-TLP)

simultanment dans le plan 3, donnant accs Vinc,P 3 et dans le plan 4, donnant accs Vinc,P 4 . Le paramtre Sinc correspond simplement au rapport de leurs transformes de Fourier (quation 3.49). Les formes donde acquises doivent au pralable subir les traitements de la section 3.5 (correction doset, extrapolation, fentrage, DFT etc ...).

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Figure 3.19 Procdure de mesure du paramtre Sinc .

Mesure 2 : mesure de Sref La dnition de Sref est la suivante : il sagit du rapport entre limpulsion incidente en P 4 par limpulsion rchie sur P 2, mesure dans le plan 3, avec un circuit ouvert en P 2 (conguration de la gure 3.20).

Sref =

Vinc,P 4 (Vref,P 3 )P 2=OP EN

(3.50)

Vinc,P 4 a dj t mesur lors de ltape prcdente, il sut donc de rcuprer la forme donde correspondante et de lintgrer dans lquation 3.50. Quant la mesure de (Vref,P 3 )P 2=OP EN , elle seectue sur un circuit ouvert, selon le schma de la gure 3.20. Remarques : Sref se calcule partir des impulsions acquises lors de deux mesures spares, et non simultanes comme cest le cas pour Sinc . On fait lhypothse que le gnrateur dimpulsion est susamment rptitif pour que le paramtre calcul ne soit pas trop fauss. Cette hypothse est vrie avec une erreur de lordre de 2 %. On note que lon pourrait mesurer simultanment les impulsions incidentes et rchies dans le plan 3 en insrant un buer haute impdance en srie avec T L2 . Mais la bande passante de ces appareils se limite en gnral 500 M Hz dans le meilleur des cas, ce qui
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3.7. OUTIL DE MESURE AVANC AVEC TALONNAGE LOSCILLOSCOPE

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Figure 3.20 Procdure de mesure du paramtre Sref . Le set-up sapparente celui dune mesure transient T LP sur un circuit ouvert parfait. Le cble coaxial T L3 est reli comme prcdemment la voie 1 de loscilloscope, et le cble T L2 aux pointes RF , ces dernires tant laisses en lair.

nest pas susant dans notre application.

3.7.2.3

Validit de la substitution de Sinc et Sref par Sinc et Sref

Nous allons montrer ici pourquoi la connaissance des paramtres Sinc et Sref sut caractriser le systme. Nous verrons que lon peut utiliser les paramtres Sinc et Sref la place de Sinc et Sref dans les quations 3.47 sans introduire derreur.

Sinc scrit, par dnition (quation 3.49) : Sinc = S41 S31 (3.51)

Avec S24 la fonction de transfert des pointes RF pour un signal se propageant du plan 4 au plan 2, S21 1 . S24 S31 Sinc S24

Sinc = Soit

(3.52)

Sinc =

(3.53)

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CHAPITRE 3. NOUVELLE MTHODOLOGIE BASE SUR LA CORRECTION DES DONNES : LE T RAN SIEN T T LP (T-TLP) De mme, le paramtre Sref sexprime comme ci-dessous (quation 3.50) : Sref = Vinc,P 4 (Vref,P 3 )P 2=OP EN (3.54)

Or limpulsion incidente traverse les pointes du plan 4 vers le plan 2, avec le coecient de transmission S24 correspondant : Vinc,P 2 = S24 .Vinc,P 4 Donc Sref = Vinc,P 2 1 . S24 (Vref,P 3 )P 2=OP EN (3.56) (3.55)

Soit, avec Vinc,P 2 = (Vinc,P 2 )P 2=OP EN = (Vref,P 2 )P 2=OP EN , pour une rexion sur le plan P 2,

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Sref =

1 (Vref,P 2 )P 2=OP EN . S24 (Vref,P 3 )P 2=OP EN Sref S24

(3.57)

Sref =

(3.58)

Pour rsumer, les paramtres Sinc et Sref sexpriment partir de Sinc et Sref selon les relations :
Sinc S inc = S24 S S = ref
ref S24

(3.59)

Rintgres dans les quations 3.47, ces expressions donnent :

V inc,DU T = S24 .Sinc .Vinc,oscillo V ref,DU T = S24 .Sref .Vref,oscillo

(3.60)

On a vu au chapitre prcdent que ces dernires pouvaient tre approximes par un dlai pur, cest--dire que leur attnuation pouvait tre nglige dans la bande de frquence concerne (DC-3 GHz). On pourrait caractriser ce dlai pointes loscilloscope, avec une prcision de lordre de 50-60 ps. La fonction de transfert des pointes serait alors reprsente dans les calculs par un terme de dphasage ei2f.pointes . On voit quen fait il nest pas utile de connatre ce dlai, car les impulsions Vinc,DU T et Vref,DU T de lquation ci-dessus sont dphases du mme dlai, et se retrouvent donc toujours superposes. Or la phase de chacune des impulsions nest pas intressante en soi, seul compte le fait quelles soient correctement superposes. On peut donc eectuer les mesures 1 et 2 dcrites plus haut, et remplacer sans problmes Sinc et Sref par Sinc et Sref dans les calculs de 3.6 et 3.10.
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3.7. OUTIL DE MESURE AVANC AVEC TALONNAGE LOSCILLOSCOPE

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3.7.3

Problmatiques de d-convolution

Le problme du calcul des paramtres Sinc et Sref partir des quations 3.49 et 3.50 semble extrmement simple et direct. Pourtant, la solution est loin dtre simple. Le problme est li lopration de division dans le domaine frquentiel. Quand le dnominateur devient trs faible et se rapproche du bruit de mesure, les divisions
Vinc,P 4 Vinc,P 3

et

Vinc,P 4 (Vref,P 3 )P 2=OP EN

tendent vers linni.

Pour nous, ce problme survient dans deux types de conguration : le numrateur et le dnominateur de ces divisions sont tous deux des transformes de Fourier dimpulsions T LP/vf T LP . Dans le domaine frquentiel, le module de telles impulsions se rapproche de fonction sinus cardinal, dont lenveloppe dcrot en 1/x (gure 2.5). Donc le bruit du dnominateur tend devenir prpondrant quand la frquence augmente, et les paramtres Sinc et Sref prennent des valeurs articiellement leves. De plus, ces transformes de Fourier ont la particularit de sannuler de faon priodique, avec une pseudo-priode gale linverse de la largeur de limpulsion T LP dans le domaine temporel, comme on peut le voir dans la gure 2.5. Le problme du dnominateur nul ou trs faible se prsente donc aussi de faon priodique pour des valeurs discrtes de la frquence.

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Ces valeurs divergentes de Sinc et Sref ont un impact important sur le signal calcul. Le rsultat du calcul 3.60 donne, aprs F F T inverse, des formes donde extrmement bruites. Le processus permettant dobtenir Sinc partir de Vinc,P 4 et Vinc,P 3 (formule 3.49), et Sref partir de Vinc,P 4 et (Vref,P 3 )P 2=OP EN (formule 3.50) se ramne au problme de dconvolution [59]. La dconvolution est en eet la problmatique consistant dterminer la fonction de transfert dun systme partir des signaux mesurs en entre et en sortie. Lopration mathmatique ralise ici est bien une dconvolution, mme si le signal au dnominateur nest pas un signal dentre.

La mthode de dconvolution que nous avons retenue consiste appliquer aux rapports
Vinc,P 4 Vinc,P 3

et

Vinc,P 4 (Vref,P 3 )P 2=OP EN

calculer des ltres mathmatiques de type Nahman-Guillaume

[60] [61]. Ces ltres sont optimiss pour les signaux impulsionnels, car ils maintiennent la causalit des signaux lors de lopration de dconvolution. Les signaux impulsionnels ont en eet la particularit dtre causaux , cest--dire nuls t < 0, et ils requirent lutilisation de mthodes de dconvolution causales, sans quoi dimportantes erreurs sont introduites. En pratique, leet des ltres de Nahman-Guillaume est dattnuer les valeurs aberrantes que sont les pics observs dans les spectres de Sinc et Sref chaque zro du dnominateur.

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78

CHAPITRE 3. NOUVELLE MTHODOLOGIE BASE SUR LA CORRECTION DES DONNES : LE T RAN SIEN T T LP (T-TLP)

3.8

Conclusion

La nouvelle mthode de mesure prsente permet de caractriser des impulsions T LP et vf T LP allant jusqu 1000 V T LP (20 A sur un court-circuit), avec des dures dimpulsion de 1.25 100 ns, et des temps de monte de 175 ps 10 ns. Un des avantages de cette mthode est son applicabilit aux systmes standard vf T LP , sans ajout de matriel. La possibilit de raliser ltalonnage et la mesure aux mmes niveaux de tension permet dassurer la mme abilit sur toute la plage de tension. En outre, ltalonnage peut tre rpt avant chaque sance de mesure si besoin. Le travail de ltrage sur les spectres des signaux manipuls permet entre autres de diminuer fortement le bruit de mesure, rendant inutile le moyennage des signaux acquis loscilloscope. Les mesures mono-coup ont pour avantage, outre un gain de temps de pouvoir visualiser des phnomnes instables, comme la dgradation dun composant soumis un stress T LP .

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La principale limite provient de la bande passante analogique 6 GHz de loscilloscope, qui dtermine la rsolution temporelle de 60 ps. Par ailleurs, les signaux mesurs sont cods sur 8 bit, soit 256 valeurs pour lensemble de la plage de mesure. En transient T LP , cette plage doit stendre sur une largeur gale la tension de prcharge T LP du gnrateur pour pouvoir visualiser lincident et le rchi sur une mme fentre, ce qui amne la rsolution en tension VT LP /256. Les tapes dtalonnage et de mesure ont t automatises par Nicolas Mauran, ingnieur instrumentation au LAAS. Une interface Labview a t dveloppe, ralisant les fonctions dacquisition et de stockage des donnes, guidant lutilisateur pas pas travers les tapes de mesure, et lanant le script M atlab.

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Chapitre

Mthode dtalonnage pour des mesures transient T LP sur botier


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4.1

Introduction

A la n de lanne 2010, le laboratoire de validation de Freescale Semiconducteurs Toulouse a souhait se doter dun banc de mesure transient T LP an de complter les tapes de test des produits par des mesures de surtension de protections ESD. Jai rejoins cette quipe pour assumer cette tche en y concevant un banc de mesure similaire celui cr au LAAS. Une des demandes qui mont t faites fut de napporter au banc T LP existant quun minimum de modications dans la conception du banc transient T LP . La mthode dveloppe a donc d se concentrer sur un important travail de post-traitement pour pouvoir compenser les faiblesses du banc de mesure. Contrairement au dispositif dcrit dans les prcdents chapitre, le banc de mesures T LP de Freescale est ddi des caractrisations sur botier uniquement, pour la validation des composants nis. Les composants valider sont des puces montes en botiers plats de type R-PQFP (Rectangular Plastic Quad FlatPack). Comme on peut le voir sur la photo de la gure 4.1, les botiers sont monts sur des cartes P CB via un socket , permettant ainsi le test de toutes les broches des produits. Chaque broche est relie par une ligne micro-ruban une prise de contact pouvant tre utilise pour des mesures TLP. La connexion entre le cble coaxial par lequel arrive limpulsion TLP et les prises de contact de la carte P CB se fait laide dun systme de grip-ls monts directement sur un connecteur coaxial. Le nombre de broches des puces tester en ESD est extrmement variable, allant de 2 128 selon les produits. Ainsi, une carte de test spcique est cre pour chaque produit, cette carte des test servant aussi bien pour les mesures ESD que pour les autres types de test. tant 79

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CHAPITRE 4. MTHODE DTALONNAGE POUR DES MESURES T RAN SIEN T T LP SUR BOTIER

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Figure 4.1 Systme utilis en caractrisations T LP pour relier le cble coaxial dacheminement de limpulsion T LP au composant sous test. Les pinces sont constitues de ls relis lun lme et lautre la gaine du connecteur coaxial, et termins par des pinces grip-l .

donn la spcicit des mesures transient T LP , la solution la plus simple aurait t de crer de nouvelles cartes P CB ddies ces mesures. Cette solution a t carte pour des raisons pratiques (rapidit et facilit dutilisation) et de cots, la caractrisation transitoire ne devant venir quen complment des mesures ESD standard. Dans la mesure du possible, il a donc t demand dutiliser les cartes existantes.

Cette demande est trs contraignante, les cartes en question ntant pas conues pour des mesures transitoires ni frquentielles. En eet, limpdance caractristique des pistes microruban daccs au composant varie de 68 120 , et sont donc fortement dsadaptes par rapport aux cbles coaxiaux 50 par lesquels sont achemines les impulsions T LP . De plus, contrairement aux cartes ddies aux mesures CEM ou certaines cartes de mesure T LP au niveau botier, ces cartes ne comportent pas de port RF (SM A ou coaxial) pour y connecter les cbles coaxiaux. La connexion avec les cbles coaxiaux se fait par de simples ls lectriques (grip-ls) trs inductifs, qui sont source dimportantes erreurs en frquence. Linductance de chacun de ces ls est de lordre de 90 nH, et le module de leur impdance atteint 56 100 M Hz. Chacune de ces ruptures dimpdance (ls, piste micro-ruban) est une source de rexion partielle des impulsions T LP . De plus, des rexions multiples peuvent avoir lieu entre deux plans de rexion, comme par exemple entre le plan du composant sous test et celui de lentre de la piste micro-ruban.

On voit donc que les conditions de mesure sont trs direntes de celles prvalant au LAAS, et que le traitement appliqu au banc vf T LP du LAAS ne peut tre simplement reproduit
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4.2. CARACTRISTIQUES PHYSIQUES DU BANC DE MESURES T LP ici. Une mthode de caractrisation originale doit donc tre invente.

81

Nous allons nous intresser dans une premire partie aux caractristiques du banc de mesure T LP de F reescale, puis la mthode dtalonnage sera prsente en dtails, et enn quelque rsultats seront prsents.

4.2
4.2.1

Caractristiques physiques du banc de mesures T LP


Banc de mesures TLP

Le banc de mesure T LP du laboratoire de validation de Freescale Toulouse a t conu par Nicolas Mauran sur la base de celui quil a dvelopp au LAAS pendant son projet de n dtude [62]. Il nest pas fondamentalement dirent du banc dcrit dans les prcdents chapitres.

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Comme on peut le voir dans la gure 4.2, le gnrateur dimpulsions est constitu dune ligne de transmission charge travers une rsistance de 100 M par une alimentation haute tension. Cette ligne de charge est termine par une srie de diodes en inverse et une rsistance de 50 , permettant en principe dabsorber les rexions ngatives lors du retour de limpulsion vers le gnrateur aprs rexion sur le composant. Les impulsions gnres ont un temps de monte de lordre de 4 ns, et une dure xe 100 ns. Lutilisateur peut insrer sil le souhaite une rsistance en srie avec le gnrateur dimpulsion pour rduire lintensit du courant inject, et donc augmenter la sensibilit bas courant (mesure de Vt1 ). La sonde en tension est une sonde active dune impdance dentre de 10 M et la sonde en courant un transformateur de courant CT 1 de T ektronix. Un systme de relais permet dactiver/dsactiver les direntes fonctions du systme : mesure de tension, ajout ou non dune rsistance srie, et de mesurer la rponse I V statique entre deux impulsions.

4.2.2

Modications du banc pour des mesures transitoires

Des modications mineures ont t apportes au systme pour pouvoir appliquer une mthode de traitement. En particulier, la longueur des impulsions a t rduite 20 ns et une ligne de dlai de 100 ns a t introduite entre la bote de mesure et le composant sous test. Ces deux modications visent sparer les impulsions incidentes et rchies, et ainsi simplier le traitement (voir section 3.5.2). Une deuxime ligne de dlai de 100 ns a galement t insre entre le gnrateur dimpulsions et la bote de mesure, de manire retarder lapparition des rexions parasites sur lcran de loscilloscope (voir section 3.5.3). La pente dV /dt des impulsions est assez peu aecte par la propagation travers les cbles, tant relativement faible lorigine. En revanche, lensemble de limpulsion est attnu denviron 25 % lors de sa propagation dans la ligne de dlai. Mais cette attnuation nest pas problmatique dans la mesure o elle est connue
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CHAPITRE 4. MTHODE DTALONNAGE POUR DES MESURES T RAN SIEN T T LP SUR BOTIER

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Figure 4.2 Schma global du systme de mesure T LP utilis Freescale [62]. et prise en compte.

Figure 4.3 Pinces fabriques pour remplacer les pinces dorigine, trop inductives et instables. La sonde active de 10 M en tension est remplace par un simple cble coaxial connect sur lentre 50 loscilloscope (ligne T L2 de la gure 4.4). Les cbles T L1 et T L2 acheminant limpulsion respectivement vers le DU T et vers loscilloscope sont relis au mme point en sortie du gnrateur. Le cble coaxial issu du gnrateur, la ligne T L1 et la ligne T L2 (gure 4.4) forment un t de pick-o dont les entres/sorties sont dsadaptes : limpdance vue depuis chacune de ces entres/sorties est en eet rduite 25 . Par consquent, limpulsion incidente issue du gnrateur se spare en trois composantes dgale amplitude en arrivant au t de pick-o. Lune
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4.3. TALONNAGE DU BANC DE MESURE

83

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Figure 4.4 Schma quivalent reprsentant les plans de propagation retenus pour dcomposer le systme dirents segments, chacun des segment pouvant tre caractris indpendamment des autres. dentre elles est rchie vers le gnrateur avec un coecient de rexion gal 1/3, et les deux autres sont conduites de manire gale sur les lignes T L1 et T L2 . Les rexions parasites supplmentaires induites par cette dsadaptation ne posent pas problme. Elles sont en eet traites de la mme manire que celles ayant lieu sur le gnrateur : les lignes de 100 ns voques plus haut permettent de les retarder de manire ne pas perturber le signal utile sur loscilloscope. Les pinces reliant le cble coaxial la carte PCB, visibles sur la gure 4.1, ont t remplaces par des pinces moins inductives (gure 4.3), de par leur plus grande section et leur longueur moins importante. Leur plus grande rigidit leur confre par ailleurs une meilleure stabilit dans le temps de leur caractristiques lectriques. Les grip-ls ont t remplacs par des pinces crocodile, galement moins inductives.

4.3
4.3.1

talonnage du banc de mesure


Introduction

Le schma de la gure 4.2 est reprsent de manire simplie la gure 4.4). Les lments situs en amont du t de pick-o nont pas tre pris en compte dans ltalonnage et peuvent tre considrs comme faisant partie du gnrateur (voir la remarque de la section 3.2). En particulier, on va voir dans ce qui suit que la sonde en courant est devenue inutile. Elle nest donc pas reprsente ici. Ltalonnage du banc de mesure seectue en trois tapes (voir schma 4.4) :
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CHAPITRE 4. MTHODE DTALONNAGE POUR DES MESURES T RAN SIEN T T LP SUR BOTIER 1. Mesure des paramtres Sinc et Sref tels que dnis dans les quations 3.48. Les impulsions incidentes et rchies mesures dans le plan 3 (oscilloscope) peuvent alors tre calcules dans le plan 2 partir de ces deux paramtres. Cette tape est similaire celle dcrite dans la section 3.7.2. 2. Mesure des paramtres caractristiques des pinces. Cette tche comporte deux tapes : Mesure du coecient de transmission de la partie en cble coaxial des pinces. Du plan 2, on se ramne alors au plan 4. tant donne la faible attnuation de cette portion de cble coaxial, elle peut tre modlise par une ligne de dlai sans pertes, de dlai . Mesure de limpdance Zpinces des ls et des pinces crocodile. Cette donne permet daccder aux ondes de tension et courant dans le plan 5. La connaissance de limpdance caractristique ZC2 de la ligne micro-ruban de la carte P CB permet den dduire les impulsions incidentes et rchies dans le mme plan. 3. Mesure du paramtre l de la ligne de transmission micro-ruban de la carte P CB,

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tant le paramtre de propagation dans la piste, et l la longueur de ces pistes. Limpdance caractristique ZC2 de ces lignes peut, lui se calculer partir des paramtres gomtriques et physiques donns par le layout de la carte. La connaissance de l donne alors accs aux impulsions incidentes et rchies dans le plan 6, cest--dire dans le plan du DU T . Connaissant ZC2 , on en dduit les tensions et courants VDU T et IDU T du composant.

4.3.2

Parties coaxiales 50

Lacquisition des paramtres Sinc et Sref a dj t trait en dtails dans la partie 3.7.2. Elle seectue en deux tapes : Sinc sobtient en mesurant simultanment les tensions incidentes dans les plans 2 et 3. On en dduit le paramtre Sinc basculant dans le domaine frquentiel : Sinc = Vinc,P 2 (f ) S21 = S31 Vinc,P 3 (f ) (4.1)

Pour calculer Sref , on termine la ligne T L1 par un circuit ouvert. Les impulsions incidentes et rchies tant gales sur un tel circuit, on en dduit le paramtre qui nous intresse : Sref = Vref,P 2 (f ) Vinc,P 2 (f ) 1 = = S32 Vref,P 3 (f ) Vref,P 3 (f ) (4.2)

4.3.3

talonnage des pinces

Les pinces sont constitues dune portion de cble coaxial et de deux ls relis lun lme du cble, et lautre la gaine (gure 4.5), et termins par des pinces crocodile . Dun point de vue lectrique, il est pertinent de dcomposer le dispositif en deux sections : lune, reprsente par le connecteur et la portion de cble, et lautre par lensemble des deux ls et des pinces. En eet, si la premire section peut tre entirement caractrise par son coecient de transmission
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4.3. TALONNAGE DU BANC DE MESURE

85

S42 et son impdance caractristique (ZC1 = 50 ), la seconde ne peut pas tre traite de cette manire, car il ny a pas dans les ls de phnomne de propagation comme il peut y en avoir dans une ligne de transmission. Cette dernire section doit donc tre traite comme un lment localis, reprsente par une impdance Zpinces .

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Figure 4.5 Reprsentation schmatique des pinces. Les deux tapes dtalonnage permettent de calculer les tensions et courants en P 5 partir des tensions incidentes en P 2. Dans le cas o les pinces sont connectes une ligne de transmission, comme dans la gure 4.4, on peut calculer les tensions incidentes et rchies dans la ligne en P 5.

4.3.3.1

tape 1 : de P 2 P 4. Mesure du coecient de transmission de la partie coaxiale

La mesure seectue selon le schma de la gure 4.6-a : les pinces sont laisses lair libre (circuit ouvert). De cette manire le courant circulant travers les ls est nul, ainsi que la diffrence de potentiel le long des ls. La rexion a donc lieu sur le plan 4, avec une coecient de rexion gal 1. On peut mesurer le coecient de rexion lentre du dispositif (plan 2), soit avec un analyseur de rseau, soit loscilloscope. Dans le cas de mesures temporelles loscilloscope, le coecient de rexion (P 2) =
Vref,P 2 (f ) Vinc,P 2 (f )

sobtient par des transformations de Fourier. Le

rsultat permet dextraire la fonction de transfert de cette partie et donc le dlai de propagation travers la partie coaxiale. On suppose ce coecient de transmission gal dans les deux directions de propagation : S42 = S24 . (4.3)

On peut exprimer le coecient de rexion au plan 2 dans la conguration de la gure 4.6-a par : (P 2)P 4=OP EN = S42 .(P 4)P 4=OP EN .S24
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(4.4)

86

CHAPITRE 4. MTHODE DTALONNAGE POUR DES MESURES T RAN SIEN T T LP SUR BOTIER

Figure 4.6 Etapes dtalonnage des pinces. Mesure du coecient de transmission du cble coaxial (a) et de linductance Zpinces des ls (b)

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2 (P 2)P 4=OP EN = S42

(4.5)

avec (P 4)P 4=OP EN = 1. On obtient ainsi le coecient de transmission de la partie coaxiale : S42 = [(P 2)P 4=OP EN ] 2
1

(4.6)

Connaissant S42 , Vinc,P 2 et Vref,P 2 , on en dduit simplement les tensions incidentes et rchies dans le plan 4 : Vinc,P 4 = S42 .Vinc,P 2 (4.7)

Vref,P 4 =

1 1 . (Vref,P 2 )P 4=OP EN = . (Vinc,P 2 )P 4=OP EN S24 S42

(4.8)

Remarque : Comme voqu plus haut, la faible longueur de la partie coaxiale autorise lapproximer sans trop derreur par un dlai pur , qui se calcule par : () = arg((P 2)P 4=OP EN ) 2 (4.9)

et rcrire le coecient de transmission : S42 = S24 = ej . (4.10)

On note quil est galement possible dliminer ltape de mesure du paramtre S42 ou du paramtre en remplaant la mesure de Sref (section 4.3.2) par celle du paramtre Sref tel que
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4.3. TALONNAGE DU BANC DE MESURE

87

dcrit la section 3.7.2.2. Le paramtre Sinc peut tre conserv car conforme la procdure dcrite dans cette section. Ainsi, les impulsions incidentes et rchies mesures dans le plan 3 sont calcules dans le plan 4 laide de ces deux paramtres. Elles sont cependant dphases dun facteur e+j par rapport aux impulsions relles (voir section 3.7.2.3). Ce dphasage nest pas gnant, car la phase en elle-mme de chacun des signaux incidents et rchis nest daucune importance : seule compte la dirence de phase entre ces deux signaux.

4.3.3.2

tape 2 : de P 4 P 5. Mesure de limpdance des ls et des pinces

On la vu, on considre les ls et les pinces comme des lments localiss, dont la somme des impdances est note Zpinces . Selon cette approche, les ls, les pinces, et le composant connect lextrmit des pinces (plan 5), sont tous situs dans le plan 4, dans lequel a lieu la rexion. En termes de plans de propagation, le plan 5 nest pas distinct du plan 4. La direntiation

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entre les plans 4 et 5 doit tre considre comme une notation dintrt pratique. Quel que soit le dispositif que lon connecte lextrmit des pinces (plan 5), il se retrouve en srie avec les ls, et on peut crire : IP 5 = IP 4 . La tension dans le plan P5 scrit : VP 5 = VP 4 Zpinces .IP 4 (4.12) (4.11)

Or, les tensions et courants totaux dans le plan 4 sont calcules partir des tensions incidentes et rchies Vinc,P 4 et Vref,P 4 dans ce mme plan :
V =V P4 inc,P 4 + Vref,P 4 Vinc,P 4 Vref,P 4 I =
P4 ZC1

(4.13)

avec ZC1 = 50 limpdance caractristique du cble coaxial. Limpdance Zpinces , quant elle, peut se mesurer en ralisant le schma de la gure 4.6-b : on relie lextrmit des pinces un court-circuit, et on mesure dans le plan 3 les impulsions injectes dans le systme. Limpdance recherche sobtient de faon immdiate partir des tensions et courants recalculs dans le plan 4 : (VP 4 )P 5=SHORT (IP 4 )P 5=SHORT

Zpinces =

(4.14)

On a alors tous les lments ncessaires pour calculer les tensions et courants dans le plan 5 avec les formules 4.11 et 4.12.
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88

CHAPITRE 4. MTHODE DTALONNAGE POUR DES MESURES T RAN SIEN T T LP SUR BOTIER

4.3.4
4.3.4.1

talonnage des pistes de la carte P CB


Expression de VDU T et IDU T en fonction des tensions et courants dans P5

Les lignes de transmission que constituent les pistes de la carte P CB peuvent tre entirement dcrites par deux paramtres : leur impdance caractristique ZC2 et le produit l de leur longueur l par le paramtre de propagation complexe . est le coecient qui dcrit la propagation des ondes progressives et rgressives travers une ligne de transmission. Le coecient de transmission S65 des pistes microruban sexprime partir de ce dernier de la manire suivante : S65 = el (4.15)

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S65 = el .ejl

(4.16)

Avec et des coecients rels. Le facteur el , rel, est une fonction exponentielle dcroissante de l. Il dcrit les pertes dattnuation travers la ligne de transmission. ejl est le facteur de phase. Il contient linformation du dlai de propagation des ondes travers la piste (l = ). En considrant les coecients de transmission gaux dans les deux directions de propagation (S65 = S56 ), on peut calculer les tensions incidentes et rchies dans le plan 6 partir de celles du plan 5 et du paramtre l de la manire suivante :
l .V V inc,P 6 = e inc,P 5 +l .V V ref,P 6 = e ref,P 5

(4.17)

Calculons alors les tensions et courants totaux dans le plan du composant en fonction des tensions et courant du plan 5. Le composant tant situ sur une ligne dimpdance caractristique ZC2 , VDU T et IDU T , sont donnes par :
V DU T = VP 6 = Vinc,P 6 + Vref,P 6 , Vinc,P 6 Vref,P 6 I DU T = IP 6 = Z
C2

(4.18)

soit
l .V +l .V V DU T = e inc,P 5 + e ref,P 5 . l .V +l .V e inc,P 5 e ref,P 5 I =
DU T ZC2

(4.19)

On a prsent une expression de VDU T et IDU T en fonction des tensions incidentes et rchies dans le plan 5. Pour valuer Vinc,P 5 et Vref,P 5 , on part de VP 5 et IP 5 :
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4.3. TALONNAGE DU BANC DE MESURE

89

V =V P5 inc,P 5 + Vref,P 5 I = Vinc,P 5 Vref,P 5


P5 ZC2

(4.20)

En inversant le systme, on obtient :


VP 5 +ZC2 IP 5 V inc,P 5 = 2 V = VP 5 ZC2 IP 5
ref,P 5 2

(4.21)

On injecte alors 4.21 dans 4.19 :


VDU T = el . VP 5 +ZC2 IP 5 + e+l . VP 5 ZC2 IP 5 2 2 IDU T = 1 . el . VP 5 +ZC2 IP 5 e+l . VP 5 ZC2 IP 5 Z 2 2
C2

(4.22)

Soit, aprs dveloppement :

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V DU T = VP 5 .cosh(l) ZC2 IP 5 .sinh(l) . VP 5 I DU T = IP 5 .cosh(l) Z .sinh(l)


C2

(4.23)

4.3.4.2

valuation de limpdance caractristique des pistes

Limpdance caractristique ZC2 des pistes micro-ruban peut tre calcule partir des paramtres gomtriques de la ligne et du substrat, et de la constante dilectrique du substrat. Un article a t publi en 1967, qui constitue une trs bonne introduction aux lignes de transmission microruban [63]. Lauteur dbute avec les quations de propagation travers un l au-dessus dun plan de masse. En y incorporant un travail thorique et exprimental, il calcule les quations dcrivant un circuit rectangulaire spar dune ligne de cuivre par un dilectrique. Lquation suivante donne limpdance caractristique dune telle ligne en fonction de lpaisseur H du substrat, lpaisseur T de la ligne mtallique, sa largeur W , et la permittivit relative du substrat (gure 4.7) Zc = 5.98H 87 .ln 0.8W + T r + 1.41 (4.24)
r

On peut facilement extraire ces paramtres du layout de la carte, et calculer limpdance caractristique correspondante. On note quil nous serait galement possible de retrouver cette valeur par le calcul, mais seulement au prix dune tape dtalonnage supplmentaire. En eet lajout dune inconnue rend ncessaire celui dune quation supplmentaire. Une mesure sur un court-circuit dans le plan 6 pourrait apporter cette quation. Mais dans notre cas, limpdance caractristique est en gnral la mme pour toutes les pistes dune mme carte P CB. Il sut deectuer ce calcul une fois pour toutes les pistes de la carte.
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90

CHAPITRE 4. MTHODE DTALONNAGE POUR DES MESURES T RAN SIEN T T LP SUR BOTIER

Figure 4.7 Paramtres gomtriques et physiques des lignes de transmission microruban permettant le calcul de leur impdance caractristique.

4.3.4.3

Mesure du paramtre l

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Pour valuer le paramtre l, on choisit deectuer une mesure sur circuit ouvert, cest--dire avec tout les lments de la gure 4.4, sans composant. En utilisant les rsultats des sections 4.3.2 et 4.3.3, on calcule les tensions et courants dans P5, P6 tant ouvert. l sera exprim en fonction de ces grandeurs. On connait galement les tensions incidentes et rchies dans le plan 5 grce lquation 4.21. Lquation 4.17 nous donne alors lexpression des impulsions incidentes et rchies dans le plan 6 du DUT. Sur un circuit ouvert (P 6), les impulsions incidentes et rchies sont gales, ce qui conduit, daprs 4.17 : el .(Vinc,P 5 )P 6=OP EN = el .(Vref,P 5 )P 6=OP EN Soit, avec = + j, et , rels, e
2l

(4.25)

.e

2jl

(Vinc,P 5 )P 6=OP EN j.arg = .e (Vref,P 5 )P 6=OP EN


l = 1 .ln 2 l = 1 .arg 2

(Vinc,P 5 )P 6=OP EN (Vref,P 5 )P 6=OP EN

(4.26)

Soit : 1 l = .ln 2

(Vinc,P 5 )P 6=OP EN (Vref,P 5 )P 6=OP EN (Vinc,P 5 )P 6=OP EN (Vref,P 5 )P 6=OP EN

(4.27)

(Vinc,P 5 )P 6=OP EN (Vref,P 5 )P 6=OP EN

1 + .j.arg 2

(Vinc,P 5 )P 6=OP EN (Vref,P 5 )P 6=OP EN

(4.28)

En utilisant 4.21 dans 4.28, on obtient :


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4.3. TALONNAGE DU BANC DE MESURE

91

l = +

1 2 .ln

(VP 5 )P 6=OP EN +ZC2 (IP 5 )P 6=OP EN (VP 5 )P 6=OP EN ZC2 (IP 5 )P 6=OP EN

(4.29)
1 2 .j.arg (VP 5 )P 6=OP EN +ZC2 (IP 5 )P 6=OP EN (VP 5 )P 6=OP EN ZC2 (IP 5 )P 6=OP EN

4.3.5

Expression compacte pour la tension et le courant dans le plan du composant

On a prsent dcompos les tapes permettant de caractriser les direntes parties du banc de mesure. On se propose de synthtiser ces rsultats en une expression plus globale. Lquation 4.23 exprime les tensions et courants de composant partir des formes donde ramenes dans le plan 5, values grce aux tapes prcdentes. Ces mmes formes donde sexpriment galement en fonctions de celles des plans prcdents. Nous allons trouver une formulation donnant directement VDU T et IDU T partir des impulsions mesures loscilloscope et des paramtres

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du systme. On peut rcrire lquation 4.23 avec VP 5 = VP 4 Zpinces .IP 4 (quation 4.12) et IP 5 = IP 4 (quation4.11) :
V DU T = (VP 4 Zpinces .IP 4 ).cosh(l) ZC2 IP 4 .sinh(l) (VP 4 Zpinces .IP 4 ) I .sinh(l) DU T = IP 4 .cosh(l) Z
C2

(4.30)

valuons VP 4 Zpinces .IP 4 laide des dcompositions du systme dquations 4.13 en ondes incidentes et rchies en P 4. Aprs dveloppement, on a : VP 4 Zpinces .IP 4 = 1 Zpinces Zpinces .Vinc,P 4 + 1 + .Vref,P 4 , ZC1 ZC1 (4.31)

Report dans 4.30, cela donne, aprs calculs : VDU T = + et : Zpinces ZC2 cosh(l) sinh(l) Vinc,P 4 ZC1 ZC1 Zpinces ZC2 1+ cosh(l) + sinh(l) Vref,P 4 ZC1 ZC1 1 (4.32) (4.33)

IDU T

cosh(l) + ZC1 cosh(l) + ZC1

Zpinces 1 sinh(l) Vinc,P 4 ZC1 .ZC2 ZC2 Zpinces 1 + sinh(l) Vinc,P 4 ZC1 .ZC2 ZC2

(4.34) (4.35)

On rappelle que par dnition des paramtres Sinc et Sref :


V inc,P 2 = Sinc .Vinc,P 3 V ref,P 2 = Sref .Vref,P 3
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(4.36)

92

CHAPITRE 4. MTHODE DTALONNAGE POUR DES MESURES T RAN SIEN T T LP SUR BOTIER Avec les quations ci-dessus et les formules 4.7 et 4.8 exprimant les tensions incidentes et

rchies dans le plan 4 en fonction de celles du plan 2, on a :


V inc,P 4 = S42 Sinc .Vinc,P 3 S V = ref .V
ref,P 4 S42 ref,P 3

(4.37)

On en dduit alors lexpression des tensions et courants de composant en fonction des impulsions mesures loscilloscope et des paramtres du systme de mesure : ZC1 , Sinc , Sref , S42 , Zpinces , ZC2 et l :
VDU T IDU T

= Sinc S42 .
S + Sref . 42

1 1+

Zpinces ZC1

cosh(l) cosh(l) +

ZC2 ZC1 sinh(l)

Vinc,P 3 (4.38)

Zpinces ZC1

ZC2 ZC1 sinh(l)

Vref,P 3

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Zpinces Sinc S42 . cosh(l) + ZC1 .ZC2 Z1 ZC1 C2 Sref Zpinces cosh(l) 1 S42 . ZC1 + ZC1 .ZC2 + ZC2

sinh(l) Vinc,P 3 sinh(l) Vref,P 3

4.3.6

Traitement des rexions multiples entre les plans 5 et 6

Les possibles rexions de Vref,DU T sur le plan 5 puis nouveau le plan 6 nont pas t abordes dans les sections prcdentes. Elles existent pourtant et ne doivent pas tre ngliges. Elles sont dues la rupture dimpdance reprsente par les pinces et le cble coaxial dimpdance caractristique ZC1 = 50 par rapport limpdance caractristique des lignes microruban. Vu depuis la ligne microruban, le coecient de rexion sur le plan des pinces est gal : S55 = ZC1 + Zpinces ZC2 ZC1 + Zpinces + ZC2 (4.39)

Plus linductance des pinces est leve, mais surtout plus la dsadaptation |ZC1 ZC2 | est grande, et plus la rexion sur le plan 5 est importante. Par exemple, mme en ngligeant limpdance Zpinces des pinces et des ls, une impdance caractristique de 61 de la ligne microruban surait introduire un coecient de rexion de 10 % linterface pinces-piste, vue depuis la piste. On montre cependant quen fait, les rexions multiples sont prises en compte implicitement dans toutes les tapes de calcul prcdentes, et en particulier ltape 4.3.4. Ainsi, dans lquation 4.21, londe incidente Vinc,P 5 est en ralit la somme exprime dans P 5 de toutes les ondes progressives issues des rexions multiples entre les plans 5 et 6, et londe rchie la somme des ondes rgressives dans le mme plan. Il convient alors deectuer une prcision : contrairement aux ondes incidentes calcules dans les plans 2, 3 et 4, Vinc,P 5 nest pas une image directe de londe gnre dans le plan 1. En eet,
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4.3. TALONNAGE DU BANC DE MESURE

93

elle est aussi fonction des rexions successives sur le composant, qui elles-mmes dpendent de son impdance instantane ZDU T . Il en rsulte que limpulsion incidente totale arrivant sur le composant un instant donn dpend de sa rponse antrieure. Il reste cependant pertinent de parler ici aussi donde incidente pour qualier Vinc,P 5 , car en dnitive, cest bien cette superposition dondes progressives qui vient rellement agresser le composant. De mme, on parle dans la suite donde rchie Vref,P 5 pour la superposition dondes rgressives dans P 5. Dans le paragraphe suivant, on tablit une formulation mathmatiquement quivalente de Vinc,P 6 et Vref,P 6 mettant en vidence la contribution des rexions multiples dans les calculs de la partie 4.3.4. La matrice de paramtres S dcrivant le passage du plan 4 au plan 5 est dnie par : Vref,P 4 Vinc,P 5 Vinc,P 4 , Vref,P 5

= [S45 ]

(4.40)

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avec

. [S45 ] = S54 S55

S44 S45

(4.41)

On peut montrer en utilisant les relations 4.11, 4.12, 4.13 et 4.20 que cette matrice scrit :

ZC2 +Zpinces ZC1 ZC2 +Zpinces +ZC1 2.ZC1 ZC2 +Zpinces +ZC1 ZC1 +Zpinces ZC2 ZC2 +Zpinces +ZC1

[S45 ] =

(4.42)

2.ZC2 ZC2 +Zpinces +ZC1

La tension incidente dans le plan 5 se dcompose de la manire suivante : Vinc,P 5 = S54 .Vinc,P 4 + S55 .Vref,P 5 (4.43)

On peut galement crire Vinc,P 5 comme tant la somme dune onde incidente primaire Vinc,P 5 (0) et dune innit de rexions secondaires Vinc,P 5 (k) sur le plan 5 :

Vinc,P 5 = Vinc,P 5 (0) +


k=1

Vinc,P 5 (k)

(4.44)

Londe primaire non encore perturbe par les rexions sur le DU T et sur les pinces est une image de londe incidente mesure loscilloscope. Par identication, on obtient : Vinc,P 5 (0) = 2.ZC2 .Vinc,P 4 ZC1 + ZC2 + Zpinces (4.45)

Vinc,P 5 (0) =

2.ZC2 .S42 .Sinc .Vinc,P 3 ZC1 + ZC2 + Zpinces

(4.46)

et le second terme de 4.44 est gal londe rchie en P 5, Vref,P 5 , rduite dun facteur S55 :
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94

CHAPITRE 4. MTHODE DTALONNAGE POUR DES MESURES T RAN SIEN T T LP SUR BOTIER

Vinc,P 5 (k) = S55 .Vref,P 5


k=1

(4.47)

avec S55 le coecient de rexion sur P 5 vu depuis la ligne microruban.

4.3.7

Bilan des tapes dtalonnage du systme de mesure

Les cinq paramtres mesurer pour pouvoir eectuer des mesures dans le plan 6 et les tapes dtalonnage associes ces paramtres sont rsumes dans la gure 4.8. Toutes les oprations sur les formes dondes menant au calcul des tension et courant aux bornes du composant partir des tensions acquises loscilloscope sont traites par des fonctions M atlab que jai implmentes. Un important travail a t fourni par Alain Salles, ingnieur instrumentation ESD Freescale, pour automatiser ces tapes dtalonnage et de mesure. Un

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programme Labview a t dvelopp par ses soins pour guider lutilisateur pas pas travers les tapes de mesures, et appeler les fonctions M atlab.

4.4

Rsultats

Comme dans la partie 3.6, on peut valuer lerreur associe la mthode dtalonnage en eectuant des mesures sur des structures connues : typiquement des circuits ouverts et courtcircuits. Les mesures transient T LP doivent pouvoir sadapter deux types de botiers : le cas de botier le plus simple est celui des botiers DIL , dont les broches sont susamment grandes pour que lon puisse venir y connecter directement les pinces. Dans ce cas, ltalonnage sarrte au plan 5, qui concide avec le plan du composant sous test. On peut tester lecacit des tapes dtalonnage correspondantes en mesurant, comme dans la gure 4.9 le courant sur un circuit ouvert et la tension sur un court-circuit. Contrairement au cas de la partie 3.6, le plan de mesure nest ici pas situ dans une ligne de transmission, mais sur un lment localis (pinces). Il ny a pas dans ce cas de propagation dondes incidentes et rchies, et on ne peut donc pas dnir lerreur partir de la superposition ou non de ces deux impulsions. La dnition retenue pour lerreur instantane sur un circuit ouvert est la suivante : ErreurCO (%) = 100. ZC1 .ICO max(VCO ) (4.48)

Dans le cas du court-circuit, le pourcentage derreur est donn par : ErreurCC (%) = 100. VCC ZC1 .max(ICC ) (4.49)

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4.4. RSULTATS

95

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Figure 4.8 Bilan des tapes de mesure permettant ltalonnage du banc T LP . Les cinq tapes de mesure prsentes permettent dapporter les quations ncessaires la dtermination des cinq inconnues que sont les paramtres Sinc , Sref , , Zpinces et l. Le cas de limpdance caractristique ZC2 des pistes microruban est trait part, celle-ci tant extraite des paramtres de layout de la carte. On recalcule ensuite les tensions et courants dans les plans successifs en utilisant chacun de ces paramtres.

Lerreur obtenue est infrieure 3 % dans un cas comme dans lautre. La deuxime conguration tester concerne la mesure sur P CB pour des botiers de type
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CHAPITRE 4. MTHODE DTALONNAGE POUR DES MESURES T RAN SIEN T T LP SUR BOTIER

Figure 4.9 Mesure de la tension et du courant sur un circuit ouvert (a) et sur un court-circuit (b) en bout des pinces (plan 5) pour une impulsion de 10 V T LP . Le courant de circuit ouvert et la tension de court-circuit servent calculer le pourcentage derreur dans chacun des cas. Celui-ci est de lordre de 2.5 % et atteint sa valeur maximale pendant le front montant de limpulsion.

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R P QF P , qui met en jeu toutes les tapes dtalonnage. Dans ce cas-l, le plan de mesure est situ sur un ligne de transmission, travers laquelle se propagent une impulsion incidente et une impulsion rchie. Ces dernires sont comme on le sait gales en P 6 si le composant sous test est un circuit ouvert, et opposes sil sagit dun court-circuit. On se sert de ceci pour dnir le pourcentage derreur. Sur un circuit ouvert, on le calcule par : Vinc,P 6 Vref,P 6 , max(Vinc,P 6 + Vref,P 6 )

ErreurCO (%) = 100. et sur un court-circuit par : ErreurCC (%) = 100.

(4.50)

Vinc,P 6 + Vref,P 6 max(Vinc,P 6 Vref,P 6 )

(4.51)

La gure 4.10 dcrit le rsultat dune mesure sur un circuit ouvert et sur un court-circuit dans le plan 6. Le court-circuit est obtenu au moyen dune bande adhsive conductrice (cuivre) colle sur la face arrire de la carte, l o ressortent les contacts mtalliques de chaque broche. Le contact entre la broche teste et la masse est ralis par lintermdiaire de cette bande adhsive, et nest donc pas parfait. Sur le circuit ouvert en P 6, on obtient une erreur de 1 % environ. Ce rsultat, infrieur celui obtenu avec un circuit ouvert en P 5 peut paratre surprenant. Il est en ralit comprhensible, puisque le paramtre extrait lors de ltalonnage de la carte P CB est lui aussi calcul partir dune mesure sur circuit ouvert en P 6. Ainsi, lors dune mesure sur un autre circuit ouvert, il est normal, par rciprocit de la formule 4.29 que les tensions mesures apparaissent correctes. Lerreur obtenue ne peut tre imputable qu une rptitivit non parfaite du gnrateur et du
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4.4. RSULTATS systme.

97

Lerreur obtenue sur le court-circuit, en revanche est plus leve : elle est de lordre de 5 %. Trois facteurs peuvent expliquer ce rsultat : Premirement, ltalonnage des pistes de la carte P CB nest pas ralis sur un court-circuit mais sur un circuit ouvert, et donc on ne bncie pas ici de leet dcrit au-dessus. Aussi, le rsultat sur un circuit ferm est beaucoup plus aect par les ventuelles erreurs dans la mesure de limpdance Zpinces des pinces que ne lest le circuit ouvert, la dirence de potentiel aux bornes des pinces tant dans ce cas bien plus importante. Enn, comme on la vu, le court-circuit ralis nest pas parfait.

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Figure 4.10 Tension incidentes et rchies calcules dans le plan du composant lors de mesures sur un circuit ouvert (a) et ferm (b) dans le plan 6. La tension de prcharge est ici de 10 V T LP . Dans le cas du court-circuit, la tension rchie a t inverse an de mieux visualiser sa superposition avec la tension incidente. Les erreurs correspondantes sont calcules au moyen des formules 4.50 et 4.51 La gure 4.11 montre les formes dondes en tension et en courant obtenues sur des composants N P N B P ad40 V (section 1.6.1.3) de deux longueurs direntes : 75 m et 250 m. Ces composants sont des structures de tests isoles, sans que soit mis en parallle un circuit protger. Cela permet de sassurer que lon mesure bien la protection et non la rponse du circuit. Le botier sur lequel sont montes les protections est de type DIL, et la mesure seectue donc dans le plan 5. Lagrandissement du composant rduit la surtension de 5 % environ. Cette dirence peut tre attribue une injection de jonction metteur/base suprieure dans le composant le plus grand. En ritrant cette mesure plusieurs niveaux de tension, on trace les courbes I-Vmax voques dans les prcdentes chapitres. Ces courbes sont compares dans la gure 4.12 aux courbes quasi-statiques T LP mesures sur les mmes composants avec des dures dimpulsion de 100 ns. Cette dirence de 5 % entre les surtensions du composant de 250 m et celui de 75
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CHAPITRE 4. MTHODE DTALONNAGE POUR DES MESURES T RAN SIEN T T LP SUR BOTIER

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Figure 4.11 Mesure de la tension (trait plein) et du courant (pointills) sur des composants de protection N P N B P ad20 V , de deux longueurs dmetteur direntes, 300 V T LP (6 A). m est visible sur lensemble de la courbe.

Figure 4.12 Comparaison entre les courbes I V obtenues par des mesures T LP standard (courbes IT LP VT LP ) et les courbes I V max des N P N B P ad40 des deux dimensions direntes.

4.5

Conclusion.

Dans cette partie, nous avons prsent une mthode dtalonnage du banc de mesure T LP du laboratoire de validation de Freescale. Le banc de mesure en lui-mme na t que peu modiAntoine Delmas Universit de Toulouse

4.5. CONCLUSION.

99

, seule une ligne de transmission (T L1 de la gure 4.4) a t allonge pour obtenir un bonne sparation des impulsions incidentes et rchies loscilloscope, et la sonde (haute impdance) en tension a t remplace par un cble coaxial. Le systme gnre des impulsions dune largeur de 20 ns, avec un temps de monte de 3.3 ns environ de limpulsion incidente sur le composant. Les tensions T LP pouvant tre traites vont de 1 V 1500 V (6 A). Ltalonnage et la mesure peuvent seectuer des niveaux de tension dirents, les paramtres du systme tant linaires en puissance, mais une attention particulire a due tre porte leet des diodes en inverse prsentes lextrmit de la ligne de charge pour absorber les rexions ngatives. En eet, ces diodes constituent le seul lment non-linaire du systme, et il convient de sassurer que les ventuelles ondes rchies sur le relai atteignant ces diodes ne viennent pas perturber le signal utile. Lerreur mesure ne dpasse pas 5 %. On peut attribuer cette erreur de multiples facteurs : La rsolution temporelle de loscilloscope est de 100 ps, dtermine par sa frquence dchantillonnage de 10 GHz. Cependant sa bande passante analogique de 3 GHz ne permet pas de mesurer des temps de monte infrieurs 120 ps. La rsolution en tension de loscilloscope est dtermine par le codage sur 8 bit de sa voie verticale, ce qui donne une prcision gale VT LP /256, soit 0.4 % pour une fentre en tension stalant sur une largeur gale VT LP . Mais lincertitude sur le temps se rpercute sur la tension de par le manque de prcision dans lalignement des impulsions incidentes et rchies. Dans notre cas, avec un temps de monte de 3.3 ns environ, un dcalage de 120 ps entre les deux impulsions conduit une erreur de 1.7 % de la mesure de la tension de circuit ouvert. On voit donc que pour chaque acquisition, les seules rsolutions horizontales et verticales de loscilloscope apportent une erreur sur la tension de 2.1 % de VT LP . En revanche, on note que le jitter de loscilloscope est trs faible, de lordre de la picoseconde seulement, et ne vient donc pas perturber les mesures. Cette erreur est rpte sur toutes les acquisitions ncessaires ltalonnage du banc de mesure et aux tapes de mesure en elles-mmes. Laccumulation des erreurs se rpercute sur le rsultat nal. Les paramtres dtalonnage sont le fruit doprations sur des formes dondes qui ont la plupart du temps t mesures sparment et dont les impulsions incidentes ne sont pas exactement identiques. Cette non-rptitivit du gnrateur et du systme (cbles, connecteurs ..) est galement source derreur dans ltalonnage. Tous ces paramtres contribuent limiter la prcision des mesures.

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CHAPITRE 4. MTHODE DTALONNAGE POUR DES MESURES T RAN SIEN T T LP SUR BOTIER

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Chapitre

Analyse du dclenchement dun composant de protection ESD haute tension base de


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thyristor : le N P N B
5.1 Introduction

Ltude mene dans les chapitres prcdents nous a conduit proposer et valider une nouvelle mthode de mesure de la rponse transitoire de protections ESD soumises une dcharge T LP . Son application sur des composants de protection a permis entre autres de conrmer la ralit physique du pic de tension observ en simulation T CAD pendant le dclenchement de la protection.

Cest ce pic de tension que nous allons nous intresser dans ce chapitre. Nous verrons que sa forme dpend autant des caractristiques du gnrateur que des paramtres physiques propres au composant. Aprs avoir expos la relation entre les paramtres du gnrateur et le courant dans le composant quand la tension entame son repliement, nous tudierons la corrlation entre les mesures transient T LP et les simulations T CAD. Nous nous intresserons ensuite au comportement transitoire du composant protger, dans le but daner la fentre de conception ESD. Le dclenchement du N P N B sera ensuite tudi en dtails, et un ensemble de rgles de dessin sera propos pour rduire lamplitude du pic en tension. Note : pour des raisons de condentialit, dans ce chapitre, les units de distances seront donnes en units de mesure (udm). 101

102

CHAPITRE 5. ANALYSE DU DCLENCHEMENT DUN COMPOSANT DE PROTECTION ESD HAUTE TENSION BASE DE THYRISTOR : LE N P N B

5.2

Conditions ncessaires au retournement

Dans cette section, nous allons tablir une relation qui caractrise linteraction de deux des paramtres du gnrateur dimpulsion, savoir sa rsistance interne et la pente de limpulsion gnre, avec la pente du courant IDU T circulant dans le composant, qui caractrise sa rponse limpulsion. Nous verrons quelle relation doit tre vrie par ces grandeurs pour que le composant puisse se replier.

Le banc de mesure T LP fonctionne comme rappel en gure 5.1-a) : un gnrateur dimpulsions T LP dlivre une onde incidente Vinc,gn . Le fonctionnement interne du gnrateur dimpulsions est voqu plus en dtail dans lannexe B. Cette onde incidente se propage travers la ligne de transmission dimpdance caractristique ZC = 50 , et arrive dans le plan du composant aprs avoir subi lattnuation et la distorsion propre au systme de mesure. On rappelle que la tension et le courant du composant sexpriment par :

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V DU T = Vinc,DU T + Vref,DU T , V V I = inc,DU T ref,DU T


DU T ZC

(5.1)

avec Vinc,DU T et Vref,DU T les ondes en tension incidentes et rchies dans le plan du composant. De ces quations, on tire : VDU T = 2Vinc,DU T (Vinc,DU T Vref,DU T ),

(5.2)

VDU T = 2Vinc,DU T ZC .IDU T

(5.3)

On peut alors reprsenter le systme de mesure par un circuit lectrique quivalent (gure 5.1-b), constitu de limpdance caractristique relle ZC de la ligne de transmission et dun gnrateur de tension gnrant une impulsion T LP damplitude 2.Vinc,DU T (t). Ce circuit quivalent est celui utilis pour les simulations lectrothermiques T CAD. On voit quil nest pas utile de simuler la ligne de transmission pour pouvoir reproduire avec exactitude les conditions de mesures T LP . Il est cependant ncessaire de connatre la forme donde de limpulsion incidente Vinc,DU T dans le plan du composant. Cette impulsion peut tre mesure en T LP en reliant lextrmit de la ligne de transmission loscilloscope.

Examinons prsent, en se basant sur le modle de la gure 5.1-b) les conditions ncessaires pour que la tension aux bornes du composant puisse commencer dcrotre. Le repliement a lieu quand la tension atteint son maximum. Cette condition se traduit mathmatiquement par lquation :
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5.2. CONDITIONS NCESSAIRES AU RETOURNEMENT

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Figure 5.1 quivalence entre le modle du banc de caractrisation T LP (a) et le modle utilis en simulation (b).

dVDU T = 0. dt Daprs lquation 5.3, cela quivaut : d(2.Vinc,DU T ) d(ZC .IDU T ) = 0, dt dt soit : d(ZC .IDU T ) d(2.Vinc,DU T ) = . dt dt

(5.4)

(5.5)

(5.6)

Cette condition signie que le repliement a lieu lorsque laugmentation de tension impose par le gnrateur est compense par laugmentation de la chute de potentiel travers la rsistance ZC (gure 5.1-b). Deux constatations peuvent tre tires de ce rsultat : La premire est que la forme donde de limpulsion incidente et en particulier sa pente instantane
dVinc,DU T dt

a un impact direct sur la surtension de la protection au moment de

son dclenchement. La deuxime constatation concerne leet de la rsistance srie ZC . On voit qu pente
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104

CHAPITRE 5. ANALYSE DU DCLENCHEMENT DUN COMPOSANT DE PROTECTION ESD HAUTE TENSION BASE DE THYRISTOR : LE N P N B incidente gale, plus cette rsistance est importante et plus le retournement sera atteint tt, et donc moins la surtension sera leve. Une consquence directe de ces deux constatations est quil est particulirement dicile de

comparer des pics de tension obtenus en transient T LP et en HBM . En eet, mme si leurs temps de monte sont similaires, la dirence importante entre les impdances des gnrateurs T LP et HBM (50 en T LP contre 1.5 k en HBM ) modie les conditions pour lesquelles lquation 5.6 est atteinte dans les deux cas. Il en rsulte direntes valeurs de surtensions. Lutilit du transient T LP se justie cependant en tant que moyen danalyse du comportement transitoire des protections ESD. En eet, dune part, les phnomnes qui contrlent le retournement dun composant de protection ESD sont les mmes pour une dcharge HBM et en T LP . Dautre part, plus limpdance de gnrateur est leve, et plus celui-ci a tendance forcer le courant dans le composant. A contrario, la faible impdance de gnrateur du transient T LP permet de laisser les variations de courant au dclenchement soprer plus librement , ce qui facilite lanalyse physique.

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5.3

Corrlation entre les mesures transient T LP et les simulations T CAD

Pour pouvoir analyser le comportement physique des composants lors de la surtension, on a recours aux outils de simulation T CAD de Synopsis (sprocess et sdevice). Le prol 2D du composant est dabord gnre par simulation du procd technologique. Puis, une attention particulire a t porte lors de la slection de certains modles physiques. En particulier pour les simulations lectrothermiques, les dures de vie des lectrons et des trous ont t calibres pour simuler avec prcision la tension de maintien bas courant, comme recommand dans [64]. Examinons la corrlation que lon peut tablir entre les mesures transient T LP et les simulations T CAD 2D. Les mesures et simulations sont faites sur le composant N P N B P ad 20 V (Vt1 = 28.9 V ), dont le dclenchement sera tudi en dtails dans les sections suivantes. On eectue dabord les mesures transient T LP pour une charge de 100 V , avec des temps de monte de 300 ps, 1 ns, et 10 ns, et des largeurs dimpulsions de 5 ns et 100 ns. De ces mesures, on extrait les formes donde incidentes Vinc,DU T dans le plan du composant. Ces formes donde sont ensuite utilises pour reproduire en simulation les conditions de mesure transient T LP , conformment au schma de la gure 5.1-b. Les corrlations sont trs bonnes durant les phases de dclenchement, et ce jusquau pic de
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5.3. CORRLATION ENTRE LES MESURES T RAN SIEN T T LP ET LES SIMULATIONS T CAD

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Figure 5.2 Comparaison entre les mesures transient T LP (trait plein) et les simulations T CAD (tirets). Figure a) : mesure et simulations sur le composant pour une impulsion de 5 ns de longueur, avec 300 ps de temps de monte (bleu fonc) et 1 ns (trait vert clair). Figure b) : mesures et simulations sur une impulsion de 100 ns de long avec 10 ns de temps de monte. Figures c) et d) : agrandissements des gures a) et b) autour du pic de tension.

tension. La dirence entre les tensions maximales Vmax simules et mesures est gale 7 %, 2,3 % et 1 % respectivement pour les temps de monte de 300 ps, 1 ns, et 10 ns.

La pente dVDU T /dt est elle aussi assez bien simule. Mais la dirence de Vmax , les carts entre les valeurs mesures et simules saccrot quand le temps de monte sallonge. Elles sont respectivement de 5 %, 9 % et 20 % pour les temps de monte de 300 ps, 1 ns et 10 ns.

La corrlation se dgrade quand le composant entame son repliement, la tension ne chutant pas aussi vite en simulation quen mesure (jusqu 30 % derreur). Cette divergence peut tre attribuable des eets tridimensionnels non simuls, qui prennent de plus en plus dimportance mesure que le composant entre en rgime de forte injection. Cependant, tant que lon se concentre sur les phnomnes physiques contrlant le pic de tension, on peut raisonnablement
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106

CHAPITRE 5. ANALYSE DU DCLENCHEMENT DUN COMPOSANT DE PROTECTION ESD HAUTE TENSION BASE DE THYRISTOR : LE N P N B

faire conance aux simulations.

5.4
5.4.1

Analyse du dclenchement du composant protger


Introduction

La structure de protection dont nous tudierons le dclenchement dans la partie 5.7 est conue pour protger les E/S 20 V dans la technologie SmartM os 8 M V (section 1.6). Le composant quil est amen protger de faon privilgie est un LDM OS de puissance (gure 5.3-a)), avec source et body P court-circuits (N BL isolant le substrat). Cest sur ce LDM OS que nous allons porter notre attention dans cette section, et plus particulirement sur son comportement dynamique lors dun stress positif sur le drain. Le but est

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de connatre sa tolrance des agressions de type pic de tension an de pouvoir ventuellement re-dnir la fentre de conception ESD, en y incluant les donnes dynamiques. Une tude similaire a t mene en 2009 par Liou et. al., introduisant la notion de zone de fonctionnement sr transitoire (Transient Safe Operating Area), qui tend la notion classique de zone de fonctionnement sr (Safe Operating Area) aux phnomnes dynamiques [65].

5.4.2

Prsentation du composant protger

Le LDM OS protger nest pas conu pour fonctionner en avalanche, et la protection a pour fonction dempcher la tension de drain de dpasser la tension de claquage drain-body. La conguration dans laquelle sont places la protection NPNB et le composant protger est schmatis dans la gure 5.3-b). Limpdance du circuit de pilotage de la grille est modlise par une rsistance pouvant varier de 0 10 k. La caractristique T LP du LDM OS avec 10 ns de temps de monte est reporte sur la gure 5.4. Dans ce cas prcis, le contact de grille a t court-circuit la source. On note que le LDM OS est endommag ds quil se replie, ce qui conrme la ncessit pour la protection de limiter la tension en-dessous du Vt1 du N LDM OS.

Tension de maintien et robustesse La cause de cette faible robustesse du LDM OS lorsquil fonctionne en avalanche drain-body est chercher du ct des caractristiques de la zone N formant le drain. En eet, le repliement est initi par le dclenchement du N P N parasite constitu par la source, le body P et le drain,
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5.4. ANALYSE DU DCLENCHEMENT DU COMPOSANT PROTGER

107

Figure 5.3 Prol 2D du LDM OS protger (a), et conguration dans laquelle sont places la protection N P N B et le LDM OS (b).

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Figure 5.4 Caractristique I V T LP du LDM OS protger, avec une rsistance grillesource nulle et un temps de monte de 10 ns. En bleu fonc sont reprsents les points I V , et en vert clair le courant de fuite entre chaque mesure.

la source jouant alors le rle de lmetteur, le body de la base, et le drain de collecteur. Le faible dopage N du caisson de drain le rend particulirement sensible aux eets de forte injection : lorsque le N P N parasite se dclenche, les fortes densits de courant circulant dans le drain tendent repousser la jonction collecteur-base depuis la jonction mtallurgique vers la zone N + /N sous le contact de drain [29] (gure 5.5-b). Cette jonction N + /N possde une tension de claquage trs basse, ce qui explique la faible tension de maintien du composant, comme constat par Mergens ( extraordinary strong snapback [66]). La densit de courant sous la diusion N + de drain atteint alors sa valeur critique Jcrit = qND vsat 1.105 A.cm2 (gure 5.5-a)) au-del de laquelle le niveau de dopage nest plus susant pour supporter le courant, ce qui mne un second claquage par avalanche. Ce claquage par avalanche entrane un repliement fort courant conduisant la destruction du LDM OS.

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CHAPITRE 5. ANALYSE DU DCLENCHEMENT DUN COMPOSANT DE PROTECTION ESD HAUTE TENSION BASE DE THYRISTOR : LE N P N B

Figure 5.5 Densit de courant (a) et champ lectrique (b) simuls dans la rgion de drain aprs repliement de la tension. On note lapparition dune zone de fort champ lectrique la jonction N + /N sous le contact de drain. Tension de repliement : dclenchement par dV/dt

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Ce composant est par ailleurs assez sensible aux phnomnes de dclenchement par dV/dt abords dans la section 1.5.2.1, qui se manifestent par un abaissement de la tension de repliement Vt1 sous leet des courants transitoires. Ces courants transitoires sont dautant plus importants que la pente dV /dt est forte et que la rsistance de grille RG est leve. On peut constater, dans le tableau 5.1, leet de la pente impose et de la rsistance de grille sur la tension de repliement quasi-statique du composant.

RG

0 1 k 10 k

Pente dV/dt 6 V /ns 200 V /ns 62.5 53,7 62.5 52.7 62.3 51.1

Tableau 5.1 Tensions de repliement quai-statique du LDM OS pour deux pentes dVGnrateur /dt : 6 V /ns et 200 V /ns, correspondant respectivement des temps de monte de 10 ns et 300 ps environ, et pour trois valeur de la rsistance de grille : 0 , 1 k et 10 k.

5.4.3

Rednition de la fentre de conception

Nous avons vu au-dessus que le LDM OS tait dtruit ds son repliement, la tension Vt1,LDM OS . Par consquent il faut veiller, lors de la conception de la protection, ce quelle se replie avant datteindre la tension Vt1,LDM OS . Or, on voit daprs le tableau 5.1 que cette tension de repliement du LDM OS dpend de la pente dV /dt applique et de la rsistance grille-source RG . La fentre de conception des protections doit donc tre adapte de manire intgrer ces particularits. A premire vue, on peut dnir la borne suprieure de la fentre de conception de la manire suivante : il faut sassurer que quelque soit la pente de lagression ESD, la forme
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5.4. ANALYSE DU DCLENCHEMENT DU COMPOSANT PROTGER

109

donde gnre par la protection natteigne jamais la plus basse des tensions de repliement du LDM OS (tableau 5.1). Cette dnition est trs contraignante, puisquelle concerne lintgralit de la forme donde VN P N B (t) aux bornes de la protection, y compris le pic de tension. Or on ne sait pas a priori si le LDM OS est sensible des surtensions brves telles que celles constates aux bornes du N P N B. Examinons cette question, et tentons de voir sil est possible dassouplir la rgle dicte au prcdent paragraphe. Quelle est la dure associe la destruction du LDM OS ? Le composant va-t-il se dgrader si sa tension de repliement est dpasse pendant quelques nanosecondes ? Autrement dit, la surtension est-elle susamment longue pour que le LDM OS ait le temps de se dclencher et de se dgrader ?

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Pour le savoir, nous avons fait subir une srie dagressions vf T LP des composants dont la rsistance de grille a t choisie RG = 10 k, an quils soient particulirement vulnrables aux eets dynamiques. Le temps de monte est de 300 ps, et la tension est celle correspondant au premier point I V T LP aprs repliement pour ce temps de monte particulier et cette rsistance de grille. Cela correspond une tension dimpulsion de 55 V T LP , pour laquelle la pente est denviron 200 V /ns. Nous avons utilis les possibilits du banc de mesure Oryx permettant de gnrer des impulsions de 1.25 ns, 2.5 ns et 5 ns, laide des direntes lignes de charge. La largeur dimpulsion la plus courte, 1.25 ns, est de lordre de grandeur de la largeur du pic de surtension du N P N B. Les formes dondes incidentes sont releves en gure 5.6. On peut voir que les impulsions de 1.25 et 2.5 ns ne sannulent pas immdiatement aprs la n de limpulsion, mais retombent zro par paliers successifs. En eet, contrairement la ligne de 5 ns, elles ne sont pas conues comme la ligne T L1 de la gure B.1 (annexe B). Dans le cas des impulsions de 1.25 ns et 2.5 ns, la ligne T L1 est scinde en deux parties relies entre elles par une rsistance de 50 . Ainsi, les ondes se rchissent sur deux rsistances successives, avec des coecients de rexion de 1 et
1 2.

Cette rexion multiple explique la prsence de cette dcroissance par paliers, dont on peut

apercevoir les deux premiers dans la gure 5.6. Les trois mesures ont bien videmment t faites sur des composants distincts, et la caractristique I V statique mesure aprs lagression dans chacun des trois cas a t compare (gure 5.7). On constate que quelle que soit la dure de limpulsion, la caractristique statique du composant nest plus la mme aprs lagression ESD, ce qui dnote une dgradation. De
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CHAPITRE 5. ANALYSE DU DCLENCHEMENT DUN COMPOSANT DE PROTECTION ESD HAUTE TENSION BASE DE THYRISTOR : LE N P N B

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Figure 5.6 Formes dondes utilises pour tester la robustesse du LDM OS sous direntes largeurs dimpulsion. Pour les impulsions 1.25 et 2.5 ns, on peut voir les paliers correspondant aux rexions multiples entre la rsistance R1 (gure B.1) et la rsistance de 50 . En bleu fonc est trace limpulsion incidente 1.25 ns, en vert clair celle 2.5 ns et en rouge pointills celle 5 ns. plus, le dfaut cr semble dautant plus important que limpulsion est longue. Ce dfaut, sans doute situ dans la rgion de drain, apparat en moins de 1.25 ns, puis crot mesure que le composant schaue. On voit donc que la dure ncessaire au LDM OS pour se replier et tre endommag est de lordre de grandeur de la largeur du pic de tension prsent lors du dclenchement dun N P N B. On ne peut donc pas compter sur la brivet du pic pour ignorer son eet sur le LDM OS.

Figure 5.7 Courbes I V statiques mesures avant lagression ESD (en noir), aprs limpulsion de 5 ns (en trait plein vert clair), aprs celle de 2.5 ns (rouge pointills) et aprs limpulsion de 1.25 ns (tirets oranges). Une limitation de 1 A a t applique lors de la mesure. De plus, on verra dans la section 5.7 que le courant circulant dans le N P N B avant son dclenchement est trs faible et que par consquent, la tension du gnrateur se reporte quasiintgralement sur le composant. Ainsi, on peut considrer comme gales les pentes dVN P N B /dt
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5.5. PRSENTATION DU COMPOSANT N P N B

111

et dVGnrateur /dt avant repliement du N P N B. On ne peut donc pas compter non plus sur une rduction de la pente applique sur le LDM OS par laction du N P N B, ni sur une augmentation de sa tension de repliement du fait de labaissement de cette pente dV /dt (voir tableau 5.1). En conclusion, la rgle nonce plus haut ne peut pas tre assouplie. Il faut que le pic de tension du N P N B soit toujours infrieur la plus faible des tensions de repliement du LDM OS sous direntes pentes et rsistances de grille.

5.5
5.5.1

Prsentation du composant N P N B
Principe de fonctionnement

Le composant N P N B (voir section 1.6.1.3) est dvelopp partir de transistors bipolaires (gure 5.8). Il est destin la protection contre les dcharges tant positive que ngatives .

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Nanmoins, dans cette tude, nous nous limiterons au cas des dcharges positives.

Figure 5.8 Prol du composant N P N B et schma quivalent. Il est compos de deux caissons P isols lun de lautre par un caisson N profond reli une couche enterre N + (N BL). Des diusions peu profondes et trs dopes de N + et P + sont ralises dans chacun des caissons P . Tout le composant est entour par un caisson N disolation. Trois transistors bipolaires doivent tre considrs dans le cas dune dcharge positive. Le premier est un N P N dont le caisson P reli la masse constitue la base, la diusion N + de ce mme caisson lmetteur, et le caisson N du milieu le collecteur. Ce N P N partage sa base et son metteur avec un N P N vertical, dont le collecteur est constitu de la couche enterre N + (N BL). Le troisime transistor est un P N P ayant le caisson P reli au signal comme metteur, le caisson N du milieu comme base et le caisson P reli la masse comme collecteur. Le N P N
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CHAPITRE 5. ANALYSE DU DCLENCHEMENT DUN COMPOSANT DE PROTECTION ESD HAUTE TENSION BASE DE THYRISTOR : LE N P N B

latral et le P N P sont connects en conguration SCR, dans laquelle le courant de collecteur de lun des deux transistors constitue le courant de base de lautre. ces trois transistors vient sajouter une diode verticale constitue par lmetteur du P N P et la couche enterre. La protection est dclenche par leet dautopolarisation du N P N latral. Quand la tension atteint la tension de claquage de la jonction base/collecteur en inverse, un courant de trous est inject dans la base, qui tend polariser en direct la jonction metteur-base. Lmetteur injecte alors des lectrons dans la base, et leet bipolaire se dclenche quand ceux-ci atteignent la jonction base-collecteur, o ils sont multiplis par eet davalanche. La jonction metteur-base du N P N vertical est commune avec celle du N P N latral, et le N P N vertical se dclenche son tour quand les lectrons injects par lmetteur atteignent sa jonction collecteur-base en inverse. Le courant inject par ces deux transistors N P N augmente alors rapidement, et la tension aux bornes de la protection peut se retourner quand la condition de repliement de lquation 5.6 est atteinte. La tension de dclenchement quasi-statique Vt1 , fortement lie la tension de claquage, peut tre ajuste travers le paramtre Sp, distance entre les masques du caisson P et N . Le dclenchement des N P N latraux et verticaux tend polariser le P N P latral et induire un eet SCR. Cependant, le gain du P N P est trop faible bas courant, sa base tant plus dope que son metteur, pour que leet SCR puisse tre complet. Ce gain maintenu volontairement faible bas courant permet dviter les risques de latch-up propres aux SCR, en conservant une tension de maintien (VH ) leve. Il se dclenche cependant sous fortes densits de courant, permettant dabaisser la rsistance ltat passant RON et damliorer la robustesse du N P N B.

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5.5.2

Caractristiques quasi-statiques et dynamiques

Des caractrisations T LP et transient T LP ont t menes sur un composant N P N B de 75 m de long en technologie SmartM os 8M V (gure 5.9). La courbe T LP correspond la caractristique quasi-statique sous des impulsions de 100 ns de dure, avec un temps de monte de 10 ns. Les mesures de tensions maximales ont t eectues avec 1 ns et 10 ns de temps de monte. Les rsultats montrent un Vt1 de 28.9 V et un VH de 12.5 V. Le composant est dtruit pour un courant (It2 ) de 6.9 A, comme on peut le constater par laugmentation du courant de fuite. La tension de pic crot continument depuis Vt1 jusqu 37 V 6 A pour le temps de monte de 10 ns et 50 V pour 1 ns de temps de monte. Compares au Vt1 , ces tensions maximales correspondent des surtensions de 8 V et 21 V , qui doivent tre prises en compte dans la fentre
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5.6. DYNAMIQUE DU CLAQUAGE PAR AVALANCHE DES DIODES BASE-COLLECTEUR EN INVERSE : COMPARAISON P IN VS. P + /N +

113

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Figure 5.9 Caractrisation T LP du composant (courbe bleu fonc) et transient T LP avec 10 ns et 1 ns de temps de monte (courbes vert ple et violette). Le courant de fuite est reprsent en rouge, permettant didentier le courant It2 6.9 A. de conception.

5.6

Dynamique du claquage par avalanche des diodes base-collecteur en inverse : comparaison P IN vs. P + /N +

5.6.1

Introduction

Quand une jonction P N est polarise en inverse, un phnomne dionisation par impact peut avoir lieu. Il survient lorsque les porteurs libres dans la zone de charge despace acquirent une nergie cintique susante, sous laction du champ lectrique, pour extraire des lectrons depuis la bande de valence jusqu la bande de conduction. Limpact entre un porteur libre et un lectron de valence donne lieu la cration dune paire lectron-trou. Chaque porteur ainsi cr est acclr par le champ lectrique, et peut gnrer son tour dautres paires lectron-trou si la longueur de la ZCE est susante. Ce phnomne est appel "avalanche". Nous nous proposons dans cette partie 5.6 dvaluer le temps associ ltablissement du courant davalanche lorsquune tension constante gale la tension de claquage BV est applique sur le composant.

Singularit des deux diodes tudies Nous avons dcid disoler les deux diodes qui constituent la jonction base-collecteur, an dtudier sparment leur dynamique de dclenchement.
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114

CHAPITRE 5. ANALYSE DU DCLENCHEMENT DUN COMPOSANT DE PROTECTION ESD HAUTE TENSION BASE DE THYRISTOR : LE N P N B

En eet, les deux jonctions sont trs direntes : la jonction latrale est une jonction abrupte P + /N + , constitue de deux zones de dopage quivalent, tandis que la jonction verticale peut tre assimile une diode P IN . Elle est compose de deux zones P + et N + de mmes dopages que dans la jonction latrale, mais espaces par une large zone de faible dopage P , se comportant comme un zone intrinsque par rapport aux deux autres (gure 5.10). Ces deux diodes se distinguent galement par le prol de champ lectrique en inverse. La jonction latrale tant symtrique, le champ lectrique se rpartit de faon gale dans les zones N et P et se prsente comme un pic localis sur la jonction mtallurgique. Pour la jonction verticale, du fait de la forte dissymtrie du dopage, la zone de champ lectrique stend principalement du ct P , moins dop, o il peut tre considr comme constant sur ltendue de la zone.

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Figure 5.10 Concentrations en atomes donneurs (bleu fonc), accepteurs (vert ple), dopage total (noir) et prol de champ lectrique bas courant (rouge pointills) pour la diode latrale (a) et la diode verticale (b) formant les deux jonctions base-collecteur du N P N B.

Phnomne davalanche : notion dintgrale dionisation Le phnomne dionisation par impact senclenche quand le champ lectrique dans le silicium atteint localement sa valeur critique (Ecrit = 3.105 V.cm1 ), pour laquelle lnergie des porteurs leur permet dioniser les atomes du rseau cristallin. Cependant, il ne sut pas que le champ critique soit atteint pour dclencher le phnomne davalanche, il est galement ncessaire que les porteurs acclrs par le champ lectrique le soient sur une distance susante pour
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5.6. DYNAMIQUE DU CLAQUAGE PAR AVALANCHE DES DIODES BASE-COLLECTEUR EN INVERSE : COMPARAISON P IN VS. P + /N +

115

avoir une chance de rentrer en collision avec un autre porteur, et ainsi gnrer une autre paire lectron-trou. Cette notion est reprsente par les paramtres e et h , les coecients dionisation associs respectivement aux lectrons et aux trous. Ils reprsentent le nombre moyen de paires lectron-trou cres par unit de distance par un lectron (respectivement un trou) traversant la zone de charge despace. Ils peuvent galement tre vus comme linverse de la distance moyenne parcourue par le porteur avant de gnrer une paire lectron-trou. La condition davalanche peut tre exprime par la relation suivante, avec L la largeur de la zone de charge despace :

= 1 ou

= 1,

(5.7)

o
L e x

=
0 L

e .exp
L

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(e h ).dx

dx

(5.8)

et
h

=
0

h .exp

(e h ).dx

dx

(5.9)

sont les intgrales dionisation des lectrons et des trous. En rgime permanent, on dnit un facteur de multiplication par avalanche de la faon suivante :

Me =

1 1 1 1

(5.10)
e

Mh =

(5.11)
h

Me est le facteur par lequel est multipli le courant dlectrons lors de sa traverse de la zone davalanche, et Mh le facteur par lequel est multipli le courant de trous.

5.6.2

Simulation de la dynamique du claquage par avalanche des deux diodes

Nous nous sommes limits dans un premier temps une situation simplie dans laquelle la tension applique est constante dans le temps, et le courant susamment faible pour que lon puisse saranchir des eets de forte injection, qui sinon moduleraient lextension de la ZCE. Ainsi, on peut considrer le prol de champ lectrique et la largeur de la ZCE comme tant constants dans le temps. Pour simplier les conditions aux limites, nous avons galement rduit une quantit ngligeable les courants de dplacement issus de lapplication dune rampe de tension dV /dt aux bornes de la capacit quivalente de jonction base-collecteur avant claquage. Pour obtenir une telle situation en simulation, nous avons appliqu aux deux diodes des rampes de tension trs lentes de 0 V jusqu la tension de claquage BV , (avec 100 ns de temps de
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116

CHAPITRE 5. ANALYSE DU DCLENCHEMENT DUN COMPOSANT DE PROTECTION ESD HAUTE TENSION BASE DE THYRISTOR : LE N P N B

monte), suivies dun plateau V = BV (gure 5.11), comme ralis dans [67].

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Figure 5.11 Conditions de simulation employes pour tudier la dynamique du processus de claquage par avalanche. Une rampe de tension est applique travers une charge de 50 avec un temps de monte de 100 ns jusqu la tension de claquage, puis la tension est maintenue constante. Les diodes latrales et verticales ont des tensions de claquage respectives BVlat et BVvert de 24.4 V et 62.8 V . Cette dirence de tension est due la dirence des largeurs de la zone intrinsque. Avec E = dV , plus la zone intrinsque est large, plus la dirence de potentiel dx doit tre leve pour atteindre le champ critique Ecrit = 3.105 V /cm. Les prols de champ lectrique la tension de claquage sont reports en gure 5.10. On peut constater que si la diode verticale se dclenche E = Ecrit , ce nest pas le cas de la diode latrale, pour laquelle le champ lectrique atteint 4.5 105 V /cm. Cela est d la faible largeur de la zone de charge despace de la jonction latrale : la probabilit pour un porteur libre dioniser un atome du rseau pendant son passage travers la ZCE est trop faible E = Ecrit , rendant ncessaire une augmentation du champ lectrique pour que la condition dionisation 5.7 soit respecte. La gure 5.12 montre les coecients dionisation des porteurs le long de la ZCE pour les deux jonctions tudies. Les coecients dionisation ont un prol similaire celui du champ lectrique : on verra dans la suite que leur volution en fonction du champ lectrique est en E 7 . Les intgrales dionisations correspondantes sont respectivement gales 0.7 et 1.0 pour les trous et les lectrons dans la jonction latrale, contre 0.3 et 0.9 pour les trous et les lectrons dans la jonction verticale. La gure 5.13 montre une comparaison de lvolution du courant davalanche dans les deux diodes, chacune sa tension de claquage. Aux temps infrieurs au temps de monte (100 ns),
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5.6. DYNAMIQUE DU CLAQUAGE PAR AVALANCHE DES DIODES BASE-COLLECTEUR EN INVERSE : COMPARAISON P IN VS. P + /N +

117

Figure 5.12 Coecients dionisation des lectrons (bleu fonc) et des trous (vert clair) travers la diode latrale (a) et verticale (b).

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on note la prsence de courants constants non nuls. Ces courants sont la somme des courants de dplacement C dV ds la charge de la capacit de transition des jonctions et des courants dt de saturation en inverse de la diode. Les courants de dplacement sannulent quand la tension atteint le plateau, V = BV . Une fois la tension de claquage atteinte, le courant gnr suit
t clairement une loi exponentielle en exp( ), dont le paramtre varie de 80 ps 140 ps entre

la jonction latrale et la jonction verticale. Le temps dtablissement du rgime permanent est, lui, de 700 ps et 2 ns respectivement les jonctions latrales et verticales.

Figure 5.13 Rsultats de lexprience dcrite en gure 5.11 pour la diode latrale (bleu fonc) et verticale (vert clair). En a), les tensions appliques, en b) les courants circulant dans chacune des diodes en chelle logarithmique. On constate une pente plus importante pour la jonction latrale que verticale, suivie dun plateau correspondant un rgime permanent.

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118

CHAPITRE 5. ANALYSE DU DCLENCHEMENT DUN COMPOSANT DE PROTECTION ESD HAUTE TENSION BASE DE THYRISTOR : LE N P N B

5.6.3

Expression analytique pour lvolution du courant davalanche lors du claquage

valuons lvolution de la densit de courant dans la zone de charge despace au moment du claquage par avalanche. Lvolution de la population de trous et dlectrons est rgie par les quations de continuit, en une dimension :
n(x,t) = 1 Jn (x,t) + G(x, t) t q x p(x,t) = 1 Jp (x,t) + G(x, t)
t q x

(5.12)

avec G(x, t) le taux de gnration par avalanche.


e h Les lectrons et les trous voyageant leur vitesse de saturation respective vsat et vsat . G scrit : e h G(x, t) = e vsat n(x, t) + h vsat p(x, t).

(5.13)

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On note que lon a nglig le taux de recombinaisons par rapport au taux de gnration par avalanche. On nglige galement les courants de diusion dans la ZCE, et alors les densits de courant dlectrons et de trous scrivent :
e Jn (x, t) = qvsat n(x, t)

(5.14)

et
h Jp (x, t) = qvsat n(x, t).

(5.15)

On peut alors rcrire les quations 5.12 :



1 Jn (x,t) e qvsat t 1 Jp (x,t) h t qvsat

= =

1 Jn (x,t) + e Jn (x, t) + h Jp (x, t) q x q q J (x,t) 1 p + e Jn (x, t) + h Jp (x, t) q x q q

(5.16)

La somme des deux lignes de ce systme donne, multiplies par q :

e vsat

1 Jn (x, t) 1 Jp (x, t) (Jn (x, t) Jp (x, t)) + h = + 2 [e Jn (x, t) + h Jp (x, t)] t t x vsat

(5.17)

Dans la suite, on fait lapproximation suivante : on considre les vitesses de saturation des
e h lectrons et des trous gales de mme que leurs coecients dionisation : vsat = vsat = vsat et

e = h = . On rcrit alors lquation prcdente, en multipliant par vsat : J(x, t) (Jn (x, t) Jp (x, t)) = 2vsat J(x, t) + vsat t x (5.18)

La densit totale de courant totale est suppose constante le long de la zone de charge
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5.6. DYNAMIQUE DU CLAQUAGE PAR AVALANCHE DES DIODES BASE-COLLECTEUR EN INVERSE : COMPARAISON P IN VS. P + /N + despace. Par intgration sur x entre 0 et L, on obtient :
L 0

119

dJ(t) dx = 2vsat J(t) dt


L

L 0

(x)dx + vsat [Jn (x, t) Jp (x, t)]L 0

(5.19) (5.20)

dJ(t) L = 2vsat J(t) dt

(x)dx + vsat [Jn (L, t) Jp (L, t) Jn (0, t) + Jp (0, t)]


0

valuons ce dernier terme Jn (L, t) Jp (L, t) Jn (0, t) + Jp (0, t). La densit de courant V = BV avant claquage par avalanche est gale : J(0) = JS (e soit J(0) = JS , (5.22)
qBV kT

1) + JGR ,

(5.21)

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car on peut ngliger le terme exponentiel aux tensions considres et le courant de gnrationrecombinaisons JGR . Ce courant JS se dcompose en un courant de trous et un courant dlectrons : JS = JnS + JpS . (5.23)

Les lectrons arrivant en bordure de la ZCE depuis la zone P nont pas encore subi la multiplication par impact, et on peut donc considrer le courant dlectrons en x = L comme gal au courant de saturation des lectrons : Jn (L, t) = JnS . De mme, Jp (0, t) = JpS . Le courant total, sexprime donc, en x = 0 et x = L de la manire suivante :
J(t) = J (0, t) + J n pS J(t) = J (L, t) + J
p

(5.24)

(5.25)

(5.26)

nS

La somme des deux lignes nous donne : 2J(t) = Jn (0, t) + Jp (L, t) + JpS + JnS = Jn (0, t) + Jp (L, t) + JS . On dduit alors de 5.24, 5.25 et 5.27 : Jn (L, t) Jp (L, t) Jn (0, t) + Jp (0, t) = 2 [JS J(t)] . Lquation 5.20 se rcrit donc, en divisant par L :
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(5.27)

(5.28)

120

CHAPITRE 5. ANALYSE DU DCLENCHEMENT DUN COMPOSANT DE PROTECTION ESD HAUTE TENSION BASE DE THYRISTOR : LE N P N B dJ(t) dt 2vsat L
L

(x)dx J(t) +
0

2vsat 2vsat J(t) JS = 0 L L

(5.29)

Lquation direntielle rgissant lvolution de la densit de courant davalanche est donc : dJ(t) 2vsat dt L La solution est : JS 1
L 0 (x)dx L
2vsat L

(x)dx 1 J(t)
0

2vsat JS = 0. L

(5.30)

J(t) =

. 1
0

(x)dx.e

L 0

(x)dx t

(5.31)

Daprs lquation 5.31, la densit de courant suit une courbe exponentielle croissante, avec une constante de temps ava gale :

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ava = On reconnat lintgrale dionisation dans les quations 5.8 ou 5.9.

L 2vsat 1 =
L 0 (x)dx

(5.32)

L 0 (x)dx

dans le cas particulier o e = h =

On voit bien que ltablissement du courant davalanche est dautant plus rapide que la ZCE est courte (L faible) et que lintgrale dionisation est leve, cest--dire que les coecients dionisation des porteurs sont susamment levs pour compenser une faible longueur de ZCE. Rgime permanent Cette volution exponentielle caractrise le rgime transitoire. En rgime permanent, la densit de courant circulant travers la diode peut se trouver en crivant que la drive temporelle de la densit de courant sannule, dans lquation direntielle 5.30. On obtient alors la valeur suivante : J(+) = Le facteur M= 1 1
L 0 (x)dx

JS . L 0 (x)dx

(5.33)

(5.34)

est le facteur de multiplication par avalanche (quations 5.10 et 5.10) dans le cas o e = h = et
e

= .

Le paramtre varie trs fortement avec le champ lectrique. Sa dpendance avec le champ lectrique a fait lobjet dtudes empiriques et thoriques. Pour les simulations, on utilise le
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5.7. DCLENCHEMENT TRANSITOIRE DU N P N B

121

modle de Van Overstraeten et de Man [68]. Dans le cas du silicium, il donne, temprature ambiante :
6 (E) = 3, 8.106 .e( 1,8.10 ) E e 3,3.106 7 ( E )

(5.35)

h (E) = 2, 2.10 .e

Une dcomposition en sries entires donne une approximation des coecients dionisation des porteurs [69] : ef f = a E 7 , Avec ef f = 1, 8.1035 cm6 V 7 pour le silicium. On peut alors rcrire la densit de courant en rgime permanent (quation 5.33) : (5.36)

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J(+) =

JS . L 7 0 a E dx

(5.37)

Pour simplier, on se place dans le cas o le champ lectrique est constant le long de la VDiode , VDiode tant la tension aux bornes de la ZCE, comme dans la diode P IN . Avec E = L jonction L la longueur de la ZCE, lquation 5.37 se rcrit : JS 1 a L( Vdiode )7 L

J(+) = et M=

(5.38)

1 1 a L( Vdiode )7 L

(5.39)

5.7
5.7.1

Dclenchement transitoire du N P N B
Introduction

Dans cette section, nous allons porter notre attention sur les phases de dclenchement du N P N B. Nous nous placerons dans le cas particulier dun temps de monte de 10 ns 100 V T LP . La dure associe chacune de ces tapes de dclenchement est analyse, depuis le claquage par avalanche jusquau repliement de la tension. En revanche les phnomnes associs au comportement du composant aprs le repliement ne sont tudis que de manire qualitative, car comme on la vu les simulations deviennent moins prcises une fois pass le pic de tension (section 5.3). La tension et le courant aux bornes du composant sont reprsents la gure 5.14. Les
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122

CHAPITRE 5. ANALYSE DU DCLENCHEMENT DUN COMPOSANT DE PROTECTION ESD HAUTE TENSION BASE DE THYRISTOR : LE N P N B

instants tBV , tEB , tN P N et tmax correspondent respectivement aux instants du claquage par avalanche de la jonction base-collecteur, du dclenchement de la jonction metteur-base en direct, du dclenchement du N P N latral, et du repliement de la tension. Linstant tr correspond au temps de monte de limpulsion. A t < tBV = 2.6 ns, aucun courant ne circule dans le composant, et la tension VDU T suit exactement la rampe de tension impose VT LP . Le claquage par avalanche de la jonction latrale a lieu tBV . Leet bipolaire senclenche tN P N =3.1 ns, mais ce nest qu 4.3 ns que le courant cre augmente assez rapidement pour que la condition de repliement (quation 5.6) soit respecte et que la tension puisse commencer dcrotre. Il scoule donc 1.7 ns entre le claquage par avalanche et le repliement, durant lesquelles la tension slve de plus de 8 V .

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Figure 5.14 Formes donde simules en tension (bleu fonc) et courant (vert clair) du composant sous une rampe T LP de 10 ns de temps de monte.

5.7.2

De tBV =2.6 ns tEB =2.95 ns : courant de gnration

Deux rgimes de fonctionnement Quand la tension atteint la valeur BV , les phnomnes dcrits dans la section 5.6 entrent en jeu. La gure 5.15 dcrit lvolution de la valeur maximale du taux de gnration par impact G dans lensemble de la ZCE. On observe un rgime transitoire dont la dure est de lordre de 100 ps (voir section 5.6), puis le taux de gnration de paires lectrons-trous atteint un plateau. Le courant gnr suit les deux mmes rgimes (gure 5.16). En rgime transitoire, le courant est dcrit par la formule 5.31, tandis que sur le plateau du taux de gnration G, on peut considrer quil est en chaque point solution de lquation 5.38. Dans cette quation, la tension VDiode
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5.7. DCLENCHEMENT TRANSITOIRE DU N P N B dpend elle-mme du courant, par la relation : VDiode = VT LP (Rof f + Rser ).IDU T ,

123

(5.40)

avec Rof f la somme des rsistances de collecteur, de base et dmetteur, et Rser la rsistance interne de 50 du gnrateur T LP (gure 5.1-b).

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Figure 5.15 Valeur maximale du taux de gnration par avalanche dans la zone davalanche de la jonction base-collecteur latrale en fonction du temps. On distingue deux rgimes, lun correspondant un rgime transitoire, dune dure de 100 ps environ, suivi dune stabilisation une valeur constante (rgime permanent). Pour le courant, on peut qualier ce rgime de quasi-permanent car sa valeur instantane ne dpend que de la tension applique aux bornes du composant. On note que dans la gure 5.16, le courant de trous au point B1 a t obtenu par intgration de la densit de courant de trous sur toute lpaisseur du faisceau de courant latral. Les courants relevs dans les gures suivantes ont tous t obtenus de la mme manire.

Continuit du courant Le courant gnr par avalanche est un courant de trous du ct P de la jonction basecollecteur, et dlectrons du ct N . On considre que ds le claquage, le courant augmente brutalement dans tout le composant de la mme manire que dans la ZCE. En eet, il ne peut y avoir que continuit du courant le long du composant. Laugmentation du courant aux lectrodes nest pas li un dplacement de porteurs, mais un dplacement de linformation . Le phnomne est analogue la propagation dune onde, et la dure associe cette propagation
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124

CHAPITRE 5. ANALYSE DU DCLENCHEMENT DUN COMPOSANT DE PROTECTION ESD HAUTE TENSION BASE DE THYRISTOR : LE N P N B

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Figure 5.16 Intgrales dionisation des lectrons (bleu fonc) et des trous (vert clair) calculs le long de la jonction base-collecteur latrale en fonction du temps. Le courant davalanche est trac en rouge pointills. est de lordre de grandeur du temps de relaxation dilectrique diel = . Pour le Silicium, cette constante vaut environ 1 ps et est donc ngligeable par rapport aux autres phnomnes. La gure 5.17 montre les courants de trous en deux points de la base : un point B1, en bordure de ZCE et un point B2 au bord de lmetteur (gure 5.18). On voit queectivement les courants davalanche augmentent de faon simultane en ces deux points.

Polarisation de la jonction metteur-base Le courant davalanche nest pas susant lui seul pour initier un repliement de la tension, et cette dernire continue de crotre. A ce stade, la jonction base-metteur nest pas encore polarise en direct. Cependant, mesure que le courant davalanche augmente, une chute de potentiel apparat travers la zone P formant la base. Lorsque cette dirence de potentiel est susante pour polariser en direct la jonction metteur-base, cette dernire commence mettre un courant signicatif. tant donne la disposition de la diode base-metteur (5.18), la diode se dclenche dabord en un point B2, lextrmit droite de la diusion dmetteur, puis la zone dmission stend toute la jonction mesure que le courant augmente. Pour mieux saisir leet de la rsistance de base sur le temps de dclenchement du N P N latral, considrons le circuit quivalent reprsent sur la gure 5.18. Ce dernier, bas sur un modle dEbers-Moll [70] [71] [37], dcrit le comportement du composant entre linstant tBV
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5.7. DCLENCHEMENT TRANSITOIRE DU N P N B

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Figure 5.17 Courants davalanche (courant de trous) relevs dans la base en deux points : lun, B1 est situ prs de la ZCE, et lautre, B2, jouxte la zone de transition de la jonction base-metteur. Les deux courants sont gaux depuis le claquage 2.6 ns jusquau dclenchement en direct de la jonction metteur-base 2.95 ns. pour lequel le claquage a lieu et linstant tEB pour lequel la jonction metteur-base commence mettre du courant. Les contacts de base et dmetteurs sont court-circuits, et sont symboliss par le seul contact dmetteur E. La jonction metteur-base est symbolise par sa capacit de jonction CJ . La rsistance de base est scinde en deux parties : RB2 reprsente la rsistance de la portion de base reliant le point B2 au contact de base, RB1 reprsente la rsistance du la portion de la base situe entre B2 et B1. Le courant davalanche Iava , le courant IB2 dans la rsistance B2 et la tension aux bornes de la capacit de jonction CJ vrient la relation : IB2 = Iava CJ dVB2 E . dt (5.41)

Compte-tenu de la faible valeur de la capacit de jonction lorsquelle est polarise en direct, on peut ngliger le terme capacitif devant le courant davalanche. Le circuit de la gure 5.18 se rduit celui prsent en (gure 5.19) : Consquemment, la tension aux bornes de la rsistance RB2 devient directement proportionnelle au courant davalanche Iava . On dduit que le courant davalanche pour lequel la jonction metteur-base est polarise en direct est atteint linstant t = tEB , tel que : Iava (tEB ) = Vbi RB2 (5.42)

La validit du modle simpli propos en gure 5.19 est vri par lvolution du courant
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CHAPITRE 5. ANALYSE DU DCLENCHEMENT DUN COMPOSANT DE PROTECTION ESD HAUTE TENSION BASE DE THYRISTOR : LE N P N B

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Figure 5.18 Schma quivalent du N P N latral entre tBV et tEB . Ltablissement de la chute de potentiel aux borne de RB2 contrle le dclenchement en direct de la jonction metteur-base. Le composant est polaris suivant les conditions de la gure 5.8 : metteur et base court-circuits, et collecteur ottant. Limpulsion est applique ct collecteur.

Figure 5.19 Modle simpli du N P N avant le dclenchement bipolaire. La capacit de jonction CJ de la gure 5.18 a t supprime. davalanche travers la rsistance RB1 et du potentiel lectrostatique au point B2 (gure 5.20). On constate un rapport de proportionnalit entre le courant et la tension, correspondant la rsistance RB2 , que lon value environ 25 . Ceci nest valable qu t < tEB . Le dclenchement de la jonction metteur-base est donc un phnomne qui ne dpend que du courant instantan, qui, comme on la vu, ne dpend lui-mme, t = tEB , que de la tension applique sur la jonction en inverse (quation 5.38), qui elle-mme, si on nglige les courants de dplacement, ne dpend que de la tension applique sur le composant (quation 5.40). Toutes ces tapes, depuis le claquage par avalanche jusqu la polarisation en direct de la jonction metteur-base, peuvent tre considres comme quasi-statiques. Linstant tEB est le temps pour lequel la tension de composant atteint la tension de repliement quasi-statique Vt1 = 28.9 V et le courant Iava atteint It1 . Cette approximation quasi-statique nest valable que si le temps de monte de limpulsion est susamment lent pour que les eets transitoires lis au claquage par avalanche soient stabiliss
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5.7. DCLENCHEMENT TRANSITOIRE DU N P N B

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Figure 5.20 Courant dans la rsistance de base RB1 (noir pointills) et potentiel dans la base au point B2 (trait continu vert clair). Le rapport de proportionnalit entre les deux grandeurs valide lhypothse selon laquelle la capacit de jonction metteur-base est ngligeable.

quand le courant atteint sa valeur It1 . Cette condition sur la pente de limpulsion T LP scrit : Vt1 BV > ava . d(VT LP )/dt
Vt1 BV d(VT LP )/dt

(5.43)

Dans le cas prsent dune impulsion de 10 ns de temps de monte 100 V T LP , le rapport est de lordre de 400 ps, ce qui est suprieur aux 100 ps ncessaires pour installer le rgime permanent de la gnration par avalanche. De fait, on peut constater sur la gure 5.14, qu linstant tEB =2.95 ns, la tension aux bornes du composant est bien gale sa tension de dclenchement quasi-statique Vt1 = 28.9 V . La pente incidente partir de laquelle il est ncessaire de prendre en compte la dure dinstauration du rgime permanent pour le courant davalanche est de 40 V /ns, correspondant la pente pour laquelle la tension de gnrateur passe de BV Vt1 en 100 ps.

5.7.3

De tEB = 2.95 ns tN P N = 3.1 ns : dclenchement du N P N

A linstant tEB , mme si la tension a atteint le seuil Vt1 , le transistor bipolaire N P N nest pas encore dclench. On a vu que ce transistor bipolaire tait scind en deux transistors, lun latral et lautre vertical, partageant la mme jonction base-metteur. Le transistor N P N ne se dclenche que quand le courant dlectrons issus de lmetteur aura atteint lune ou lautre des jonctions base-collecteur.

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CHAPITRE 5. ANALYSE DU DCLENCHEMENT DUN COMPOSANT DE PROTECTION ESD HAUTE TENSION BASE DE THYRISTOR : LE N P N B

Dclenchement du N P N latral Dans un transistor bipolaire N P N , une fois la jonction metteur-base ltat passant, le paramtre limitant la rapidit de dclenchement est le temps de diusion B,e des lectrons travers la base. Il est donn par la relation suivante [72], [73], tenant compte des eets de forte injection : B,e =
2 NA WB 1+ , 4Dn NA + p0

(5.44)

o NA est la concentration en atomes accepteurs, WB la largeur de la base, Dn le coecient de diusion des lectrons dans la base, et p0 la concentration de trous en excs dans la base. Ainsi, en faible injection, quand lexcs de trous natteint pas la concentration en accepteurs, on retrouve lexpression connue :
2 WB 2Dn

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B,e =

(5.45)

alors quen forte injection, celle-ci se rapproche de : B,e =


2 WB . 4Dn

(5.46)

A linstant du dclenchement du N P N , la base est en faible injection sur tout son volume. On considre que linstant tN P N correspondant est :

tN P N = tEB + B,e = 3.1 ns.

(5.47)

B,e tant dni par la relation 5.45. Petit petit cependant, la concentration en lectrons augmente dans la base, et lors du repliement de la tension, la base est en mode de forte injection sur la moiti de son volume environ.

Dclenchement du N P N vertical : eets de forte injection dans la zone intrinsque A partir de tEB , les lectrons diusent dans la base, prfrentiellement suivant les forts gradients de concentration. Un certain nombre dentre eux sont donc amens diuser vers la zone intrinsque de la diode P IN formant la jonction base-collecteur verticale. On a vu que le champ lectrique y tait constant en faible injection (gure 5.10-b). Or ds linstant tEB , la zone intrinsque entre en rgime de forte injection. La charge induite par le courant dlectrons vient alors moduler le prol de champ lectrique. Suivant lquation de Gauss : dE = , dx
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(5.48)

5.7. DCLENCHEMENT TRANSITOIRE DU N P N B

129

avec la densit de charges, induite dans notre cas par le courant dlectrons. Cette densit de charges ngatives a pour eet de diminuer la pente
dE dx

du ct P et laugmenter du ct

N . Ce phnomne, communment dsign sous le nom d eet Kirk a tendance concentrer le champ lectrique sur une plus courte distance, du ct du collecteur. On peut constater ce phnomne sur la gure 5.21, qui montre lvolution du prol de champ lectrique de la jonction verticale entre t = 3 ns et t = 10 ns.

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Figure 5.21 Modulation du prol de champ lectrique dans la base du N P N vertical. Le zone de fort champ lectrique adopte peu peu le prol dune jonction abrupte. La zone de fort champ lectrique, vient progressivement se concentrer sur une largeur infrieure 0.5 udm, pour adopter le prol triangulaire , centr sur la jonction mtallurgique, propre aux jonctions abruptes. Cette rduction dans lespace va de pair avec une augmentation du champ lectrique maximal, et donc des coecients dionisation des porteurs. Les intgrales dionisation peuvent ainsi atteindre des valeurs allant jusqu 0.39 et 0.18 respectivement pour les lectrons et les trous, correspondant des facteurs de multiplication de 1.64 et 1.21 (gure 5.22). Les lectrons injects par lmetteur sont multiplis, et le N P N vertical peut tre considr comme dclench. Contrairement au N P N latral, ce nest pas prioritairement le claquage par davalanche qui entrane le dclenchement du transistor bipolaire, mais linjection dmetteur qui abaisse la tension de claquage de la jonction base-colleteur verticale, permettant un dclenchement bipolaire. Le temps de dclenchement est x ici aussi par le temps de transit des lectrons inject dans la base verticale, qui est de lordre de 150 ps. Cependant, il faut attendre que les eets de forte injection aient modi le prol de champ lectrique pour que le dclenchement soit complet.
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CHAPITRE 5. ANALYSE DU DCLENCHEMENT DUN COMPOSANT DE PROTECTION ESD HAUTE TENSION BASE DE THYRISTOR : LE N P N B

Figure 5.22 volution des intgrales dionisation des lectrons (bleu fonc) et des trous (vert clair) sous laction de la forte injection. Le maximum est atteint entre 5 et 6 ns environ.

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Il est noter que la jonction base-collecteur latrale tant abrupte, elle est moins inuence par les modulations du prol de champ lectrique en forte injection.

N P N latral vs. N P N vertical Les courants des N P N latraux et verticaux sont reprsents la gure 5.23. Les transistors bipolaires se dclenchent peu prs au mme moment, tant donn les temps de transit BE voisins dans leurs bases respectives. Cependant, le coecient de multiplication la jonction base-collecteur verticale tant faible 3.2 ns, le courant latral augmente plus rapidement. Le courant davalanche continue daugmenter, et la jonction metteur-base, qui stait dclenche au point B2 (gure 5.18), met alors des lectrons sur une largeur de plus en plus importante. Ces lectrons mis loin du point B2 ont une probabilit plus faible de rejoindre la jonction base-collecteur latrale que verticale et ont tendance diuser verticalement. A mesure que la zone dinjection de la jonction base-metteur stend et que le facteur de multiplication la jonction verticale augmente sous leet des phnomnes de forte injection, le courant vertical augmente plus rapidement (gure 5.23). La gure 5.24 montre lvolution des temps de transit B,e,lat et B,e,vert dans les bases latrales et verticales entre 3 et 4 ns. La base latrale tant plus longue que la base verticale, B,e,lat est suprieur B,e,vert . On constate galement une lgre augmentation de B,e,vert dans le temps, due llargissement de la base eective.

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5.7. DCLENCHEMENT TRANSITOIRE DU N P N B

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Figure 5.23 Courant du N P N latral (vert), vertical (rouge pointill) et courant total (trait plein bleu).

Figure 5.24 volution des temps de transit des lectrons dans la base latrale (bleu fonc) et verticale (vert clair). Pour la base latrale, le calcul a t fait le long de lignes de courant rejoignant la zone davalanche depuis lextrmit droite de lmetteur (trajet [B2 B1]). Les valeurs releves ne prennent donc pas en compte laugmentation moyenne du temps de transit due llargissement de la zone dinjection dmetteur le long de la jonction metteur-base.

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CHAPITRE 5. ANALYSE DU DCLENCHEMENT DUN COMPOSANT DE PROTECTION ESD HAUTE TENSION BASE DE THYRISTOR : LE N P N B

5.7.4

De tN P N =3.1 ns tmax, latral

N P N lat.

= 3.6 ns : tude du repliement du N P N

Les phnomnes responsables du repliement du N P N latral sont intimement lis la dynamique de diusion des lectrons de lmetteur vers la jonction base-collecteur. En eet, nous allons voir que laugmentation du courant dlectrons au point B1 conditionne la fois la modulation de conductivit de la base et celle du prol de champ lectrique la jonction base-collecteur. En dautre termes, la rapidit daugmentation du courant en B1 dtermine directement la surtension observe la fois aux bornes de la base et la jonction base-collecteur. La dynamique de ce phnomne est rgie par lquation de contrle de charge, que nous allons examiner dans un premier temps. Puis nous allons analyser sparment la surtension apparaissant dans les deux rgions sur lesquelles elle se concentre principalement : la base et la jonction base-collecteur.

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quation de contrle de charge Lquation de contrle de charge dcrit la dynamique de la diusion des porteurs minoritaires dans la zone quasi-neutre. Jn (B2) Jn (B1) = QS dQS + , dt n (5.49)

avec Jn (B2) et Jn (B2) les densits dlectrons aux points B2 et B1 respectivement, n la dure de vie des lectrons dans la base, et QS la charge stocke par la population dlectrons par unit de surface :
B2

Qs = q
B1

n.dx,

(5.50)

Lquation 5.49 crit que la dirence du courant dlectrons entre la jonction metteur-base et la jonction base-collecteur ne peut sexpliquer que par un stockage de charges ou par la recombinaison des lectrons. Dans notre cas, la dure de vie des lectrons dans la base tant de lordre de 100 ns, on nglige le courant de recombinaisons :

Jn (B2) Jn (B1) =

dQS . dt

(5.51)

Avant que le N P N vertical ne se dclenche et ne commence gnrer un courant signicatif, on peut considrer que la majorit du courant passe par le collecteur latral. Et avant que le
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5.7. DCLENCHEMENT TRANSITOIRE DU N P N B

133

P N P ne se dclenche, ce courant est principalement un courant dlectrons. Autrement dit, avec Jtot la densit de courant totale dans le composant et Me le coecient de multiplication des lectrons dans la jonction metteur-base, on peut crire : Jn (B1) = Jtot Jn (Collecteur) = . Me Me (5.52)

De plus, au point B2, on peut relier le courant dlectrons au rapport dinjection de la jonction metteur-base. Le rapport dinjection tant par dnition le rapport de la densit dlectrons traversant la jonction par la densit de courant totale, on peut en eet crire : Jn (B2) = Jtot Lexpression 5.51 scrit alors : (5.53)

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1 dQS Jtot = . Me dt

(5.54)

Lquation 5.54 est une quation direntielle linaire du premier ordre. Malgr son apparente simplicit, elle na pas de solution analytique simple, ses coecients tant tous dpendant du temps, et la charge stocke tant dnie par une intgrale sur la largeur de la base (quation 5.50). On note cependant que la charge stocke dans la base, et donc sa conductivit, augmente avec le courant. De plus, la conductivit dquilibre est atteinte dautant plus rapidement que le rapport dinjection de la jonction metteur-base et le coecient de multiplication des lectrons dans la zone davalanche sont levs. A lquilibre, lquation 5.54 exprime lgalit entre le rapport dinjection et linverse du coefcient de multiplication des lectrons. On retrouve lquation dnissant la tension de maintien VH dun N P N dans [31] :

1 . Me

(5.55)

La gure 5.25 compare les courants dlectrons aux points B1 et B2 dans le temps. On note un dlai denviron 200 ps entre llvation de courant aux deux extrmits de la base, correspondant au temps de transit B,e . La dirence entre les deux courbes, ensuite provient du stockage de charges dans la base (quation 5.51).

Repliement de la tension aux bornes de la base A tN P N =3.1 ns, le N P N latral est dclench, mais sa base est encore en rgime de faible injection. La conductivit = q(nn + pp ) de la base augmente progressivement sous laux
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CHAPITRE 5. ANALYSE DU DCLENCHEMENT DUN COMPOSANT DE PROTECTION ESD HAUTE TENSION BASE DE THYRISTOR : LE N P N B

Figure 5.25 Courants dlectrons relevs aux points B1 et B2 de la base. La charge stocke totale correspond laire entre les courbes Ie,B2 et Ie,B1 .

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des lectrons et des trous. La chute de rsistance de la base provoque un repliement de la tension ses bornes. Nous nous proposons destimer la dure ncessaire au repliement de la tension VB aux bornes de la base. Pour un courant total I(t) et une rsistance de base instantane RB (t), cette tension scrit : VB (t) = RB (t).I(t). (5.56)

Ici, I est une fonction croissante du temps, et RB est une fonction dcroissante du courant, et donc du temps. Fixons lorigine des temps en t = tN P N . Pour simplier, considrons le courant comme nul avant cet instant. Le courant impos est une rampe, et lon crit : I= et VB (t) = RB (t). avec
dI dt

dI .t, dt

(5.57)

dI .t, dt

(5.58)

constant. La drive de la tension par rapport au temps est : dRB dI dI dVB = t + RB . dt dt dt dt dVB dI dRB = t + RB (t) . dt dt dt (5.59)

(5.60)
dRB dt t

La tension VB ne pourra commencer dcrotre que quand le terme ngatif


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sera de-

5.7. DCLENCHEMENT TRANSITOIRE DU N P N B

135

venu susamment important et R(t) susamment faible pour que les deux termes sannulent mutuellement. Le repliement de la tension VB aux bornes de la base a lieu un instant R tel que : RB (R ) R = dR B dt (R ) mettons alors lhypothse selon laquelle le rapport
RB (t) dRB (t) dt

(5.61) varie peu pendant la dure R .

Cela revient alors rsoudre lquation direntielle suivante au voisinage de R : dRB RB (t) (t) = dt R La solution est de la forme :
t

(5.62)

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RB (t) = RB,of f .e

(5.63)

avec RB,of f la valeur de la rsistance de base non module. Si la concentration en accepteurs est constante dans la base, on a : 1 lB L
B1 B2

RB,of f = soit :

dx , (x)

(5.64)

RB,of f =

WB . q.lB L.NA p

(5.65)

avec lB la profondeur du caisson P de base, L la longueur du doigt, et WB la largeur de base. Lquation 5.63 scrit alors : WB t .e R . q.lB L.NA p

RB (t) =

(5.66)

Si lhypothse 5.62 est valide, la rsistance de base est une fonction exponentielle dcroissante du temps. La tension aux bornes de la base est dnie par lexpression 5.58, et se replie en t = R . La gure 5.26 montre lvolution de la tension et de la rsistance de la base partir de tBV . Tant que le transistor nest pas dclench (t < tN P N ), la rsistance de la base reste gale Rof f 27 , puis la base stocke petit petit des charges, et RB chute de faon exponentielle. La constante de temps associe cette dcroissance correspond environ la dure scoulant entre le dclenchement du N P N latral tN P N et le repliement de la base tmax,base , ce qui valide le rsultat 5.66. La surtension accumule sur la base pendant ce laps de temps est de 0.4 V.
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CHAPITRE 5. ANALYSE DU DCLENCHEMENT DUN COMPOSANT DE PROTECTION ESD HAUTE TENSION BASE DE THYRISTOR : LE N P N B

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Figure 5.26 volution de la tension aux bornes de la base (tension VB1B2 , en bleu fonc) et de la rsistance de cette portion (en vert clair) en fonction du temps. Le temps scoulant entre le dclenchement de leet bipolaire tN P N et le repliementde la tension tmax correspond approximativement la constante de temps caractristique R de la dcroissance exponentielle de la rsistance. Repliement de la chute de potentiel aux bornes de la ZCE Examinons prsent la surtension qui se cre aux bornes de la ZCE. On va voir quelle rsulte directement du temps ncessaire pour charger la base. En eet, le processus provoquant le repliement de la jonction base-collecteur dcoule de leet Kirk, autrement dit de la modulation du champ lectrique par le courant dlectrons. On a vu prcdemment comment dans le N P N vertical, la charge despace ngative induite par le courant dlectrons dans la base inuait sur la pente dE/dx du champ lectrique (quation 5.48). Le phnomne est le mme ici, bien que de moins grande ampleur. La charge despace induite par le courant dlectrons a tendance concentrer le champ lectrique sur une plus faible largeur, et la tension aux bornes de la jonction base-collecteur, dnie par :
xn

VBC =
xp

E.dx,

(5.67)

sen trouve diminue, avec xp et xn les bornes de la zone de charge despace. A mesure que lmetteur injecte des lectrons, laugmentation de la densit dlectrons dans la base rduit la charge despace au voisinage du point B1, ce qui tend rduire lextension de la zone de fort champ lectrique et la tension VBC . Paralllement, lexcs dlectrons injects dans la base peut participer lavalanche, ce qui permet galement de rduire le facteur de multiplication, donc la tension VBC . Quand ces eets deviennent susamment importants, un repliement de la tension VBC aux bornes de la ZCE peut avoir lieu.

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5.7. DCLENCHEMENT TRANSITOIRE DU N P N B

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La gure 5.27 montre une comparaison entre la tension aux bornes de la base VB et celle aux bornes de la jonction base-collecteur VBC en fonction du temps. En labsence deets transitoires, ces deux tensions nauraient pas d dpasser leur valeur quasi-statique, atteinte t = tEB . On dnit la surtension dans la base et sur la jonction base-collecteur par rapport ces valeurs quasi-statiques. La surtension totale de 1.3 V aux bornes du N P N latral par rapport son Vt1 se rpartit en 0.9 V sur la tension base-collecteur et 0.4 V sur la base.

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Figure 5.27 Tension aux bornes de la base (vert clair) et aux bornes de la jonction basecollecteur (bleu fonc) en fonction du temps. La valeur atteinte pour chacune des parties linstant tEB sert de point de rfrence pour le calcul de la surtension. On note que la plus grande partie de la surtension est prise en charge par la jonction base-collecteur, et que celle-ci se replie en premier.

5.7.5

Conduction du transistor P N P et de la diode verticale

La partie du composant connecte la borne positive est constitue de deux transistors bipolaires P N P (gure 5.8). Lun, latral, a sa jonction base-collecteur commune avec celle du N P N latral, le caisson P reli au signal constituant lmetteur. Lautre, vertical est constitu du mme caisson P (metteur), de la couche enterre N + (base) et partage la jonction base-collecteur du N P N vertical. Du fait du fort dopage de la couche enterre, les trous sy recombinent rapidement, ce qui empche le dclenchement du transistor. Le gain bipolaire du P N P vertical est trs faible, et il se comporte comme une diode en direct P N + . Le P N P latral, en revanche, peut se dclencher et forme un thyristor avec le N P N latral. Du fait de la forte dissymtrie de dopage de la diode verticale, le rapport dinjection de la N BL dans le caisson P est lev, et cest elle qui se dclenche en premier, prenant en charge le
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CHAPITRE 5. ANALYSE DU DCLENCHEMENT DUN COMPOSANT DE PROTECTION ESD HAUTE TENSION BASE DE THYRISTOR : LE N P N B

courant, ensuite relaye par le P N P latral. Diode verticale Au claquage de la jonction base-collecteur du N P N latral, un important courant dlectrons circule travers le collecteur latral et la couche enterre N BL. Ce courant transite ensuite travers la diode P N + en direct, puis rejoint le contact sur lequel est applique la dcharge lectrostatique. Un dlai de 400 ps est ncessaire partir de t = tBV pour dclencher la diode en direct, aprs quoi elle conduit le courant, et la tension ses brones est maintenue constante et gale 0.7 V . La gure 5.28 montre le courant circulant dans la zone P de la diode, et le rapport dinjection en fonction du temps. On peut identier le courant inject par le N P N , augmentant brusquement partir de linstant tBV .

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Figure 5.28 Courant circulant dans la diode P + N et rapport dinjection = IIe en fonction du temps. Laugmentation du rapport dinjection partir de linstant tBV montre le dclenchement de la diode en direct.

P N P latral La polarisation en direct de sa jonction metteur-base induit le dclenchement du transistor P N P 3.4 ns par eet thyristor (gure 5.29). Le courant de trous circulant alors travers le collecteur ottant du N P N contribue galement leet davalanche dans la jonction basecollecteur. Leet thyristor est fortement limit par la longueur et le dopage lev de la base du PNP. La gure 5.29 prsente le courant de trous dans la base du P N P , au bord de la jonction metteur-base : on voit ce courant augmenter partir de 3.4 ns, tmoignant du dclenchement de la jonction metteur-base.
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5.8. SOLUTIONS DE DESSIN ENVISAGES

139

Figure 5.29 Courant de trous dans la base du P N P latral. La jonction metteur-base commence injecter des trous partir de 3.4 ns.

5.8
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Solutions de dessin envisages

Dans cette partie, nous allons exposer quelques rgles de dessin applicables au layout du N P N B pour favoriser son dclenchement et rduire la surtension. Nous avons vu que durant son dclenchement, la tension maximale avant repliement ne pouvait pas tre infrieure sa tension de repliement quasi-statique Vt1 . Il est donc naturel de choisir Vt1 comme valeur de rfrence par rapport laquelle on dnit la surtension. La surtension ST scrit donc : ST = Vmax Vt1 , avec Vmax la tension maximale atteinte lors du pic de surtension. En consquence, les rgles de dessin permettant dabaisser la tension de claquage BV ou de repliement quasi-statique Vt1 ne seront pas abordes, celles-ci nabaissant pas la surtension. (5.68)

5.8.1

Rgles de dessin

Optimiser la jonction collecteur-base latrale Cette rgle concerne soit laugmentation du courant davalanche Iava , soit la diminution de la dure du rgime transitoire du claquage par avalanche latral. Augmenter le facteur de multiplication par avalanche de la jonction latrale permettrait daugmenter le courant conduit par le N P N latral et le P N P , ds leur dclenchement. On peut obtenir une augmentation du facteur de multiplication en modiant la gomtrie de la jonction base-collecteur latrale de manire tendre la zone de fort champ lectrique. Pour la jonction verticale, en revanche, le facteur de multiplication est plus dicile contrler tant donn quil dpend des caractristiques de la technologie utilise, telles que lpaisseur de lpiAntoine Delmas Universit de Toulouse

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CHAPITRE 5. ANALYSE DU DCLENCHEMENT DUN COMPOSANT DE PROTECTION ESD HAUTE TENSION BASE DE THYRISTOR : LE N P N B

taxie et le dopage de la couche enterre. On a vu dans la partie Polarisation de la jonction metteur-base de la section 5.7.2 que la dure du rgime transitoire ninuait sur la surtension que pour des pentes incidentes dpassant 40 V /ns. Rduire cette dure pourrait se faire cependant en rapprochant les zones P + et N + de base et collecteur pour concentrer la zone de fort champ lectrique sur une plus petite distance (formule 5.32).

Optimiser la jonction metteur/base du N P N Augmenter le rapport dinjection de la jonction metteur-base du N P N augmente le courant dlectrons injects dans la base, et donc diminue le temps ncessaire pour moduler sa conductivit et initier le repliement (quation 5.54). Le dopage pour cela doit tre trs dissymtrique entre lmetteur et la base (base peu dope, metteur trs dop).

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Dopage et gomtrie de la base du N P N La base du N P N latral est essentielle pour son dclenchement. Elle doit tre faiblement dope, courte et peu profonde. Un dopage faible permet daugmenter le coecient de diusion des lectrons dans la base, et donc de diminuer leur temps de transit (quation 5.44). Or, un faible temps de transit autorise un dclenchement rapide de leet bipolaire (quation 5.47), ainsi quun faible temps de stockage des charges dans la base (section 5.7.4). Rduire le temps de transit des lectrons dans la base peut se faire en rduisant sa largeur. De manire gnrale, le volume de la base doit tre faible. Ainsi, les charges y sont stockes rapidement, ce qui permet dabaisser sa rsistance et la chute de potentiel ses bornes. De plus, cela permet dabaisser le temps de transit dans la base (quations 5.45 et 5.46).

Diminuer la rsistance des parties ohmiques du composant Les zones purement rsistives du N P N B sont responsables pour une part signicative de la surtension. Principalement, la couche enterre N BL, bien que fortement dope prsente une rsistance denviron 70 du fait de sa longueur (20 udm). Or, avant que le P N P latral ne se dclenche, un partie du courant traverse la couche enterre pour rejoindre la diode verticale. La solution la plus simple pour diminuer cette rsistance consiste rduire lespace entre les connecteurs. Une autre solution consiste augmenter la taille totale du composant en allongeant les doigts, ou par un dessin multidoigts . Ces solutions ont pour eet de diminuer le RON du composant, ce qui est globalement bnque en termes de rduction de la surtension.
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5.8. SOLUTIONS DE DESSIN ENVISAGES Augmenter la rapidit de dclenchement du P N P et de la diode verticale

141

Une solution pour acclrer le repliement du N P N B consiste renforcer leet SCR en augmentant la rapidit de dclenchement du P N P . Les rgles de dessin associes portent principalement sur la longueur de base et dmetteur. La concentration du dopage de la base varie de 1017 1018 cm3 , et la dure de vie des trous y est de 10 ns, soit dix fois plus faible que celle des lectrons dans la base du N P N . Rduire la longueur de la base du P N P permet donc de diminuer le taux de recombinaisons. Lmetteur est long (environ 10 udm) et faiblement dop, ce qui le rend trs rsistif (75 ) avant que les eets de forte injection ne viennent moduler sa conductivit. De plus, le processus de modulation de conductivit est dautant plus lent que lmetteur est long. Donc rduire la longueur de lmetteur du P N P peut galement favoriser le repliement du composant.

5.8.2

Application des rgles de dessin

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Cette section prsente des rsultats de mesures transient T LP sur des composants optimiss suivant les rgles de dessin proposes. Celles-ci sont souvent les mmes que celles permettant de diminuer la rsistance ltat passant et la tension de maintien. Si la rduction du RON est souhaitable, il nen est pas de mme pour la tension de maintien. Une faible tension VH augmente le risque de latch-up pour le composant. Une premire srie de mesures a t eectue sur botier, avec loutil de mesure transient T LP dvelopp F reescale (chapitre 4), gnrant des fronts de monte de 3.3 ns. Les sries de mesures suivantes ont t ralises avec loutil dvelopp au LAAS (chapitre 3), pour un temps de monte de 10 ns. Taille du composant La gure 5.30 montre les rsultats pour direntes longueurs de doigt, 75 m et 250 m dun N P N B P ad40 en technologie SmartM os 8 M V . On remarque que la tension de repliement est identique pour les deux composants, ce qui simplie la comparaison de leurs surtensions (formule 5.68). Laugmentation dun facteur 3.3 de laire du composant se traduit par une rduction dun facteur 2 du RON , et dun facteur entre 1.2 et 1.5 pour la surtension. La rduction du RON nest pas proportionnelle laugmentation de laire du fait dun phnomne de focalisation du courant. Le RON plus faible du composant long autorise la tension se replier plus bas que celle du composant court. Pour ce qui est de la surtension, elle est abaisse par la diminution de la rsistance ltat passant. Mais cette rduction est limite, du fait de la diminution de la densit de courant et donc des eets de forte injection. A cela vient sajouter le fait quune partie de la surtension provient de dlais indpendants de la longueur des doigts, tels que le temps de transit
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CHAPITRE 5. ANALYSE DU DCLENCHEMENT DUN COMPOSANT DE PROTECTION ESD HAUTE TENSION BASE DE THYRISTOR : LE N P N B

des lectrons dans la base du N P N .

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Figure 5.30 Caractristiques I V quasi-statiques de composants N P N B P ad40 pour deux longueurs de doigt : 75 m et 250 m (courbes bleue fonc et vert clair respectivement). Les tensions maximales sont reportes en abscisses, avec le courant quasi-statique en ordonne (carrs rouges et croix violettes). Les deux composants ayant la mme tension Vt1 , leurs surtensions se comparent directement partir des valeurs de Vmax .

Suppression de la tranche disolation peu profonde (ST I) La rduction du temps associ au stockage de charges dans la base est limite par les caractristiques de la technologie. Le dopage de la base, par exemple ne peut pas tre modi. Il nest pas possible non plus daugmenter la profondeur de lmetteur an de rduire le volume de la base et diminuer le temps de stockage des charges. En revanche, il est possible de rduire la longueur de la base et sa concentration en dopants en supprimant la tranche disolation situe au-dessus de la jonction base-collecteur latrale (gure 5.8). Cette tranche rallonge le trajet des lectrons dans la base de 0.2 udm environ. De plus, elle se substitue une zone de la base plus faiblement dope. La rduction du temps de transit li la suppression de cette tranche a pour eet de favoriser la diusion des lectrons vers la jonction base-collecteur latrale, dont le facteur de multiplication est plus important que celui de la jonction verticale. Par ailleurs, cette rduction de la largeur de base a pour eet de rduire le Vt1 denviron 4 V .

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5.8. SOLUTIONS DE DESSIN ENVISAGES

143

La gure 5.31 montre les caractristiques T LP dun composant de rfrence avec tranche disolation et dun composant sans tranche disolation, en technologie SmartM os 8 M V S. La technologie SmartM os 8 M V S est une version low cost de SmartM os 8 M V , orant un panel rduit de solutions technologiques. On remarque que le Vt1 du N P N B de rfrence est plus faible en 8 M V S quen 8 M V . La dirence entre les tensions de repliement quasi-statiques des composants avec et sans la tranche doxyde est de 4 V et celle entre leur tension de maintien de 1.3 V . La faible tension de maintien du composant sans tranche est prjudiciable vis--vis du latch-up. La gure 5.32 montre une comparaison des surtensions ST pour des tensions de gnrateur croissantes. La rduction de la surtension ne devient apparente qu partir de 80 V T LP environ, et atteint 40 % environ 160 V . Notons que la robustesse nest que peu aecte par la suppression de la tranche. Le courant de dfaillance est de 7.2 A pour le composant de rfrence contre 7 A pour le composant sans tranche.

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Figure 5.31 Caractristiques T LP des N P N B standard (courbe bleu fonc) et sans tranche (vert clair) en technologie SmartM os 8 M V S. Un dirence de 4 V est visible entre leurs tensions de repliement.

Longueur de la base du P N P La gure 5.33 montre une comparaison entre les caractristiques T LP de deux composants en technologie SmartM os 8 M V S, ne dirant que par la longueur de la base de leur P N P . La base du P N P , dans le N P N B P ad20 de rfrence a une longueur de 4.7 udm, contre 3.3 udm dans lautre layout test. Leet sur le Vt1 comme sur le VH est trs faible (moins de 0.5 V de dirence). Cela est probablement d la faiblesse de leet SCR bas courant, le P N P
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CHAPITRE 5. ANALYSE DU DCLENCHEMENT DUN COMPOSANT DE PROTECTION ESD HAUTE TENSION BASE DE THYRISTOR : LE N P N B

Figure 5.32 Mesure des surtensions des deux composants prcdents de 20 V LP 200 V T LP . La dirence entre les deux surtensions au-del de 200 V T LP est de lordre de grandeur de la prcision de loutil de mesure, et elles ne sont donc pas reprsentes ici.

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ne se dclenchant que sous de fortes densits de courant. La gure 5.34 montre lvolution de la surtension ST pour les deux mmes composants, pour des tensions de gnrateur croissantes. La diminution de la surtension atteint presque 50 %.

Figure 5.33 Caractristiques T LP de deux N P N B en technologie SmartM os 8 M V S pour deux longueurs de base du P N P direntes.

Longueur de lmetteur du P N P On a vu la section 5.8.1 que la longueur de lmetteur du P N P , de par sa rsistivit leve pouvait avoir un eet important sur la surtension. Deux Pads 15 V N P N B de longueurs dmetteur direntes sont compars pour la technologie SmartM os 8 M V . Ceux-ci sont trs proches des P ad 20, mais ont une tension de repliement quasi-statique plus faible, de par la distance rduite entre les implantations de base et de collecteur du N P N . Les autres paramtres, et en particulier ceux inuant sur le comportement du SCR sont inchangs.
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5.8. SOLUTIONS DE DESSIN ENVISAGES

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Figure 5.34 Surtensions compares des deux N P N B prcdents entre 20 V et 200 V .

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Figure 5.35 Courbes quasi-statiques de deux P ad15 N P N B en technologie SmartM os 8 M V , pour des longueurs dmetteur du P N P de 8 udm (bleu fonc) et de 5 udm (vert clair).

Figure 5.36 Surtensions mesures sur les deux composants de la gure 5.35.
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CHAPITRE 5. ANALYSE DU DCLENCHEMENT DUN COMPOSANT DE PROTECTION ESD HAUTE TENSION BASE DE THYRISTOR : LE N P N B La seule dirence entre les deux P ad15 tudis est la longueur de lmetteur du P N P . Le

P ad15 de rfrence possde un metteur de 8 udm et lautre P ad15 un metteur de 5 udm. Le changement a t obtenu en permutant les diusions N + et P + relis au signal. La gure 5.35 montre les caractristiques T LP de ces deux N P N B P ad15. Une rduction dun peu moins de 1 V est observe sur la tension Vt1 , et de 0.5 V sur la tension de maintien VH . La rsistance ltat passant, en revanche, est nettement plus faible pour le composant avec une longueur dmetteur de 5 udm. La gure 5.36 montre leet de la longueur dmetteur du P N P sur la surtension : la rduction de surtension atteint 33 % 300 V .

5.9
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Conclusion

Dans un premier temps, nous avons dtermin linuence de paramtres tels que la rsistance interne du gnrateur et la pente de limpulsion incidente sur la dure de la surtension. Ensuite, nous avons montr une bonne corrlation entre les simulations T CAD et les mesures transient T LP pendant le dclenchement dune protection ESD. Une brve tude sur le composant protger a montr que le temps ncessaire pour lendommager tait du mme ordre que la dure du pic de surtension gnr par le N P N B. Do limportance de la rduction de lamplitude de ce pic. Une analyse dtaille des tapes de dclenchement du N P N B a t mene, dbutant par le dclenchement transitoire des deux jonctions en inverse, suivi des N P N latraux et verticaux et enn du P N P latral et de la diode verticale. Autant que possible, une valuation quantitative des dures associes chaque processus a t propose. Le repliement des N P N est directement contrl par les phnomnes de stockage de charges dans la base. Le repliement du N P N latral initie ensuite le dclenchement des autres parties du composant : N P N vertical, P N P et diode verticale. Nous avons pu constater que la contribution principale la surtension provenait de la forte rsistance ltat passant des parties du composant connectes au signal, et principalement la couche enterre et le P N P latral. Bas sur ces constatations, un certain nombre de rgles de dessin ont pu tre proposes. Celles-ci portent sur la rapidit de repliement des N P N que la rsistance des parties passives, la rapidit de dclenchement et la rsistance ltat passant du P N P . La validation de ces rgles sur des composants optimiss a montr que la rduction la plus importante de la surtension tait obtenue par loptimisation de la base et de lmetteur du P N P .

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Conclusion gnrale
Nous avons prsent dans le chapitre 1 la problmatique associe la protection des circuits intgrs contre les ESD. Les modles dcrivant les principaux types de dcharges ont t introduits, et les instruments de mesure permettant dtudier le comportement dun composant soumis une ESD ont t exposs. Une attention particulire a t apporte aux outils T LP et vf T LP , permettant de gnrer des impulsions carres de temps de monte et dure dim-

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pulsion rglables. Les types de composants de protection ESD les plus couramment employs dans lindustrie ont t prsents, ainsi quune partie de ceux utiliss Freescale en technologie SmartM os 8 M V . Le fonctionnement du N P N B est ici abord, avant dtre tudi plus profondment dans le chapitre 5. Dans le chapitre 2, nous nous sommes intress aux mthodes de mesure les plus couramment utilises pour analyser le comportement transitoire des protections ESD haute tension, ou du moins pour valuer lamplitude du pic de surtension leur dclenchement. Les limites du systme de mesure vf T LP pour des mesures transitoires ont t mises jour. En particulier, la forte attnuation frquentielle des composants du banc de mesure est responsable dune distorsion importante du signal mesur. Les dicults lies lalignement des impulsions incidentes et rchies loscilloscope sont une source dincertitude supplmentaire. Une seconde mthode est tudie. Il sagit de la mthode indirecte , consistant placer le composant de protection tester en parallle avec un composant dont la tension de destruction est connue, et tudier la robustesse de lensemble. Cette opration permet de mettre en vidence lexistence dun pic de surtension et den valuer lamplitude. Cette mthode soure de nombreuses limitations dordre pratique (cot des structures ajouter sur les vhicules de test, ncessit de rpter les mesures plusieurs fois pour conrmer les rsultats). Elle ncessite en outre un excellent talonnage du banc de mesure, puisque des mesures T LP ralises bas courant sont compares des mesures haut courant. Elle est en outre relativement mal adapte la caractrisation de composants sensibles aux eets de dclenchement par dV/dt . Dans le chapitre 3, nous avons prsent la mthode de mesure originale, nomme transient T LP , permettant de capturer les formes donde en courant et tension dun composant soumis une agression de type T LP/vf T LP . Le principe de cette mthode est relativement simple, mais i

ii

CONCLUSION GNRALE

sa mise en uvre ncessite un travail complexe de post-traitement. Une mthodologie est tout dabord propose pour la dtermination des paramtres optimaux dacquisition de loscilloscope (rsolution temporelle, dure dacquisition) et de lanalyseur de rseau (rsolution frquentielle, fentre de frquences), an de tirer le meilleur parti des possibilits de ces appareils tout en limitant la taille des chiers traiter. On voit par exemple quil est inutile dabaisser la rsolution frquentielle du V N A en-de de 2.4 M Hz, les points correspondant se trouvant en dehors du spectre frquentiel des impulsions T LP et vf T LP . A linverse, la bonne rsolution temporelle de loscilloscope doit tre exploite : le pas en temps est x 50 ps. Le traitement appliqu au signaux mesurs est ensuite expos en dtails. Le signal acquis loscilloscope doit tre nul avant et aprs limpulsion de manire respecter lapproximation du signal priodique, fondamental pour lapplication des algorithmes de DF T . Une tape cruciale du traitement concerne la sparation des impulsions incidentes et rchies mesures loscilloscope. Deux mthodes sont proposes pour isoler ces deux signaux superposs. Lune consiste allonger la ligne de transmission responsable du dlai entre les deux impulsions. Lautre consiste mesurer sparment limpulsion incidente, et la retrancher au signal total pour obtenir limpulsion rchie. Dans la pratique, nous avons tir parti de ces deux approches. La premire mthode a pour inconvnient daccentuer le ltrage impos limpulsion incidente de par la plus grande longueur de cble coaxial, et en particulier attnuer son front montant. Lallongement de la ligne de transmission doit donc prendre en compte le temps de monte maximal que lon souhaite appliquer au composant sous test. La seconde mthode requiert, pour tre applique, un gnrateur dimpulsion aussi rptitif que possible. Une alternative est propose cependant pour pallier leet dun gnrateur non parfait. Les signaux parasites, issus de la rexion de limpulsion rchie sur le gnrateur sont galement supprims. Pour ce faire deux approches sont ici aussi combines. Lune consiste allonger la ligne de transmission situe en amont de la sonde en tension, de manire retarder lapparition de ces parasites. Cette mthode soure de linconvnient voqu plus haut, li lattnuation du front montant de limpulsion travers une plus grande longueur de cble coaxial, et est donc employe avec prcautions. Le signal parasite est ainsi isol, puis supprim laide de fonctions de fentrage, choisies de manires ce que leur incidence sur le spectre soit minimale. Les rsultats de mesure prsents sur des structures de calibration (court-circuit, circuit ouvert) montrent une erreur infrieure 2 %. Le transient T LP est galement utilisable pour des mesures quasi-statiques, pour lesquelles il prsente une prcision bien suprieure aux mesures T LP et vf T LP . Des exemples de mesure sont ensuite prsents sur des composants de protection ESD de F reescale. Enn, une mthode dtalonnage avance est prsente, dans laquelle les tapes de mesure lanalyseur de rseau sont remplaces par une srie de mesures loscilloscope. Outre les aspects pratiques lis la rduction de lquipement ncessaire, cette mthode permet de pallier les ventuels problmes de linarit des coecients de paramtres -S pour des niveaux courant

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iii croissants. De plus, ltalonnage plus facile du banc de mesure peut tre ralis avant chaque tape de mesure, et les lments du banc peuvent tre plus aisment remplacs.

Le chapitre 4 montre une application de la mthode transient T LP pour des composants monts en botier. La problmatique est plus complexe que pour les mesures sur plaque de silicium, car le systme de mesure nest pas dans ce cas adapt 50 jusque dans le plan du composant. Chaque rupture dimpdance est source de rexions multiples qui doivent tre prises en compte dans le calcul. Le problme peut tre prsent comme un systme cinq inconnues, ncessitant au moins cinq quations pour pouvoir tre rsolu. Ces cinq quations sont fournies par une srie de cinq mesures eectues laide de loscilloscope, le banc de mesure tant plac dans direntes congurations. Ces tapes dtalonnage ralises, la mesure sur un composant en conditions T LP classique permet, par le calcul, de retrouver les tensions et courants vus par le composant.

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Les mesures sur des structures dtalonnage montrent une erreur comprise entre 1 % et 5 %.

Le chapitre 5 est une tude du dclenchement du N P N B et des phnomnes donnant lieu ltablissement dun pic de surtension son dclenchement. Tout dabord nous dmontrons que les conditions pour lesquelles la tension aux bornes dun composant entame son repliement ne concernent pas seulement le comportement du composant, mais galement la pente de limpulsion incidente et limpdance du gnrateur. Il en rsulte quune valeur de surtension mesure ou simule sur un composant doit toujours tre associe non seulement un niveau de tension appliqu, mais aussi au type de dcharge choisi (T LP , HBM ) et au temps de monte de limpulsion. Une corrlation entre les mesures transientT LP et les simulations T CAD est ensuite eectue sur un composant de protection ESD en conditions T LP pour dirents temps de monte. La corrlation savre bonne jusquau sommet du pic, puis se dgrade singulirement. Entre autres, ces rsultats permettent de conrmer la ralit physique du pic de surtension dj observ en simulations : ce pic nest pas un artfact de simulation, et il est donc pertinent dtudier les tapes conduisant son apparition. Une analyse de la robustesse vis--vis de pics de tension du composant que le N P N B doit protger est livre. Nous voyons que le laps de temps ncessaire pour dtruire ce composant est de lordre de grandeur de la dure du pic de surtension aux bornes du N P N B. On ne peut donc pas considrer le pic de surtension comme inoensif pour le composant protger du fait de sa brivet. La section suivante prpare ltude du dclenchement du N P N B, en proposant une analyse de la dynamique du processus davalanche dans ses deux jonctions P N en inverse. Une tude analytique est propose, et lexpression en fonction du temps de la densit de courant dans les jonctions en avalanche est livre, permettant didentier les facteurs gouvernant cette dyna-

iv

CONCLUSION GNRALE

mique. Nous voyons qu la fois la longueur de la zone davalanche comme la valeur de lintgrale dionisation sont des paramtres dterminants. En rgime permanent, une relation entre la densit de courant et la tension applique est donne. Nous eectuons ensuite une analyse des tapes du dclenchement du N P N B soumis un stress T LP depuis le claquage par avalanche de sa jonction base-collecteur latrale jusquau sommet du pic de surtension. Nous dmontrons entre autres que pour peu que la pente incidente reste infrieure 40 V /ns, les phnomnes ayant lieu avant linstant de polarisation de la jonction metteur-base du N P N latral nont aucun impact sur la rapidit de dclenchement du composant. Nous montrons que les facteurs rgissant le dclenchement transitoire du N P N B sont dune part la rapidit de charge de la base du N P N latral, et dautre part lecacit de leet SCR du N P N avec le P N P . Le premier des deux facteurs peut tre contrl par le dopage et la gomtrie de la zone de base du P N P (base peu dope et courte). Le second est amlior signicativement par la rduction de la longueur de la base et de lmetteur du P N P .

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Ces travaux ouvrent direntes perspectives. La mthode de mesure dveloppe pour des impulsions T LP/vf T LP doit pouvoir tre applique pour des dcharges de type HBM , permettant ainsi de tester le comportement du composant dans des conditions relles. Des mesures HM M transitoires sont galement envisageables pour peu que le gnrateur utilis soit un gnrateur 50 de type T LP modi. Lapplication au test pistolet reste pour linstant plus hypothtique, cause, notamment de la mauvaise rptabilit du dispositif. Il serait galement intressant dintgrer les simulations T CAD transitoires du composant de protection dans un modle plus global du circuit intgr, prenant en compte la propagation de limpulsion depuis la broche teste jusquau composant lui-mme.

Annexe

lments danalyse de Fourier


Les mathmaticiens Fourier et Laplace ont t les premiers, au XVIIIe sicle, thoriser les

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direntes relations de transformations rciproques existant entre le domaine frquentiel et le domaine temporel.

A.1

Dcomposition en sries de Fourier (DSF)

La dcomposition en sries de Fourier peut sappliquer aux signaux inniment priodiques, cest--dire des signaux temporels dnis de t = t = +, et qui rptent le mme signal un nombre inni de fois avec une priode Tp . Fourier a montr quun tel signal pouvait tre dcompos en une somme de sries de fonctions sinus et cosinus, quon nomme sries de Fourier . Chaque terme de rang n de cette somme reprsente une frquence fn unique. Le spectre frquentiel stend de la frquence f0 , la plus basse aprs la composant continue, gale linverse de la priode : f0 = 1 , Tp (A.1)

jusqu f = +. Les frquences intermdiaires sont composes des harmoniques de la frquence fondamentale, cest--dire de tous les multiples de cette frquence : fn = n.f0 = n Tp (A.2)

Les termes des sries de Fourier forment un ensemble de composantes dnies par leur amplitude et leur phase, pour des valeurs discrtes de la frquence (quation A.2). Sur un analyseur de spectre, les amplitudes de ces termes forment un ensemble de pics. Une fonction v de t vriant les conditions ci-dessus est dcompose de la manire suivante, selon la formulation complexe :
n=+ n=+

v(t) =
n=

An .e2if t =
n=

An .e

i. 2n .t T
p

(A.3)

vi

ANNEXE A. LMENTS DANALYSE DE FOURIER en exprimant la frquence comme dnie dans lexpression A.2. Le coecient An est dnit

comme suit : 1 An = Tp
+

Tp 2

Tp 2

v(t).e

i. 2n .t T
p

dt.

(A.4)

A.2

Transformation de Laplace

La dcomposition en sries de Fourier est un outil puissant pour les signaux priodiques, mais ne peut pas sappliquer aux signaux temporels uniques sans priodicit. La transformation de Laplace sapplique des tels signaux, la condition cependant quils soient causals, cest--dire nuls pour t < 0, comme on le voit dans lquation A.5. Cependant, comme prcdemment, ces signaux doivent tre dnis jusqu t = +.

L [v(t))] (s) =
0

v(t).est dt

(A.5)

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La transformation de Laplace convertit les donnes du domaine temporel un domaine frquentiel complexe. Le rsultat de la transformation est une fonction continue, contrairement au rsultat dune dcomposition en srie de Fourier, qui fournit un ensemble discret de pics .

A.3

Transformation de Fourier complexe

La transformation de Fourier est une gnralisation de la dcomposition en sries de Fourier complexe pour une largeur de priode tendant vers linni : Tp , rsolvant le problme pos par la non-priodicit des signaux en mesures impulsionnelles. En remplaant An par une formulation continue V (f )df , la formule A.3 devient :
+

v(t) =

V (f ).e2if t df

(A.6)

et
+

V (f ) =

v(t).e2if t dt.

(A.7)

Lopration dnie par lquation A.6 est appele transformation de Fourier inverse , et celle dnie par lquation A.7 transformation de Fourier directe ou transformation de Fourier . Du point de vue de llectronicien, la transformation de Fourier est un intermdiaire entre les sries de Fourier et la transformation de Laplace. Si le signal dans le domaine temporel nest pas un signal priodique stendant de t = Tp /2 t = +Tp /2, alors on peut eectuer une transformation de Fourier, en tendant ces limites et +. Ici encore, le rsultat dans le domaine frquentiel est une fonction continue, et non un ensemble discret de pics , comme on peut lobtenir avec un signal priodique.

A.4. NERGIE ET DENSIT SPECTRALE DNERGIE

vii

A.4

nergie et densit spectrale dnergie

Lnergie porte par un signal temporel se calcule en intgrant sa puissance instantane p(t) de + : E=
+

p(t)dt
+

(A.8) (A.9)

E= avec

1 . R

v 2 (t)dt

p(t) =

v 2 (t) , R

(A.10)

si le signal est mesur sur une rsistance de charge R. Daprs le thorme de Plancherel, le signal v(t) et sa transforme de Fourier [F(v)](f ) vrient la relation :

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|[F(v)](f )|2 df =

|v(t)|2 dt

(A.11)

ou encore : 1 R
+

|[F(v)](f )|2 df =

1 R

v 2 (t)dt

(A.12)

car v(t) est rel. On en dduit une formulation de lnergie du signal dans le domaine frquentiel : 1 R
+

E=

|[F(v)](f )|2 df

(A.13)

Du point de vue du physicien, le thorme de Plancherel nexprime donc rien dautre que la conservation de lnergie lors de la transformation du domaine temporel au domaine frquentiel La grandeur : (f ) = |[F(v)](f )|2 , R (A.14)

est appele densit spectrale dnergie , et sexprime en J/Hz.

Formulation discrte pour E et :


La transforme de Fourier continue F(v)(f ) =
+ 2if t dt v(t).e

du signal v(t) sexprime

en V.s, ou V /Hz. Or la DF T dun signal chantillonn (quation 3.15) sexprime elle en Volt, et ne constitue donc pas proprement parler la formulation discrte de la transforme de Fourier continue. Pour calculer la densit spectrale dnergie dun signal chantillonn partir de sa DF T , une quivalence discrte de lquation A.7 doit tre dnie :

viii

ANNEXE A. LMENTS DANALYSE DE FOURIER

k=N 1

Vn =
k=0

vk .e2i. N .t = Vn .t

nk

(A.15)

avec Vn le terme de rang n, Vn la DF T dnie par lquation 3.15, et t le pas en temps du signal chantillonn. Cette grandeur sexprime en V /Hz tout comme son quivalente continue. La densit spectrale dnergie, dnie de manire continue par lquation A.14, peut alors sexprimer selon une formulation discrte : n = n = |V n |2 R (A.16) (A.17)

|Vn .t|2 R

Selon la mme logique, lnergie contenue dans le signal sexprime alors selon une formulation discrte :

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n=N 1

E=
n=0

n .f

(A.18)

Soit :
n=N 1

E=
n=0

|Vn |2 .t2 .f R

(A.19)

Annexe

Fonctionnement dun gnrateur dimpulsions T LP /vf T LP


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Les gnrateurs dimpulsion T LP comme vf T LP sont bass sur le mme principe. Une ligne de transmission 50 de longueur dtermine est charge par une source de tension statique haute tension travers une forte rsistance. La fermeture dun interrupteur connecte brutalement cette ligne au reste du systme, et une dcharge est alors envoye travers des cbles coaxiaux dans le systme. Dans lexemple de la gure B.1, avant la fermeture du relai REL1 , tous les points du cur du cble coaxial T L1 sont charg au potentiel V et tous les points du cur de T L2 sont au potentiel zro. La fermeture du relai REL1 entraine une mise en contact de ces deux lignes. T L1 commence alors se dcharger dans T L2 , et le potentiel se stabilise V /2 de part et dautre du relai. Du ct droit du relai (T L2 ), cette brusque augmentation du potentiel gagne petit petit la ligne de transmission, et une onde de tension positive, damplitude V /2 se propage vers la droite avec une vitesse de phase .

Figure B.1 Schma reprsentatif dun gnrateur dimpulsion TLP/vf-TLP Dans le mme temps, un processus identique sopre du ct gauche du relai (T L1 ). Il sagit ix

xANNEXE B. FONCTIONNEMENT DUN GNRATEUR DIMPULSIONS T LP /V F T LP ici dune diminution du potentiel, de V V /2. Cette diminution de V /2 gagne progressivement tous les points du cur de T L1 , de la droite vers la gauche, telle une onde de tension ngative damplitude V /2. Cette onde de tension se rchit sur la rsistance R1 , dune valeur typique de 10 M . Le coecient de rexion sur une telle rsistance est trs proche de 1, et londe se rchit telle quelle, superposant alors au potentiel V /2 prcdemment tabli, un potentiel V /2. Le potentiel de T L1 est alors petit petit ramen zro. Cette onde damplitude V /2 se propage de gauche droite travers T L1 , puis T L2 et le reste du systme, ramenant zro le potentiel sur tous les points qui avaient t chargs V /2 par londe de tension. La dure de limpulsion correspond donc un aller-retour REL1 R1 . Londe de tension TLP gnre est donc une impulsion rectangulaire, damplitude V /2, et dune dure gale = 2L (B.1)

avec L la longueur de la ligne, et la vitesse de propagation dans cette ligne. est gal 0.66.c

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pour des cbles coaxiaux ayant une gaine en polythylne, comme ceux utiliss au laboratoire. Le temps de monte de limpulsion est infrieur 100 ps. Il est fonction de la rsistance de larc lectrique gnr lors de la fermeture du relai REL1 , et des inductances parasites ramenes par ce relai. Ce temps de monte peut tre augment par lajout de ltre passe-bas la sortie du gnrateur, comme expliqu plus haut. Les largeurs dimpulsions sont xes directement par la longueur du cble de charge, et on ne peut donc gnrer quun nombre limit de largeurs dimpulsions. Les valeurs standard pour la largeur dimpulsion sont respectivement 100 ns pour le TLP, 5 ns et 2.5 ns pour le vf-TLP.

Bibliographie

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Liste des publications


Confrences internationales Antoine Delmas, David Trmouilles, Nicolas Nolhier, Marise Baeur, Nicolas Mauran, Amaury Gendron : Accurate transient behavior measurement of High-Voltage ESD Protections Based on a Very Fast Transmission-Line Pulse system, EOS/ESD Symposium Proceedings, 2009.

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Antoine Delmas, Amaury Gendron, Maryse Baeur, Nicolas Nolhier, Chai Gill : Transient voltage overshoots of high voltage ESD protections based on bipolar transistors in smart power technology, IEEE Bipolar/BiCMOS Circuits and Technology Meeting (BCTM), 2010 Confrences nationales Antoine Delmas, David Trmouilles, Nicolas Nolhier : Mthode prcise de mesure du comportement transitoire de protections ESD haute tension, base sur un systme vf-TLP, Poster, journe GEET, mars 2010.

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LISTE DES PUBLICATIONS

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Antoine Delmas Universit de Toulouse

Rsum
Rsum Les travaux prsents dans ce mmoire visent analyser et optimiser le comportement des composants de protection haute tension contre les dcharges lectrostatiques (ESD) leur dclenchement. Pour cela, deux approches ont t suivies : Un outil de mesure ddi, le transient-TLP , a t dvelopp. Cet outil est bas sur la cor-

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rection mathmatique des donnes mesures loscilloscope avec un systme de mesure vf-TLP standard. Lerreur de mesure est infrieure 2 %. La mthode, dabord conue pour des mesures sur wafer, a ensuite t applique pour mesurer des composants sur botier. A laide de cet outil, le comportement transitoire des protections ESD utilises F reescale a pu tre analys. En particulier, la simulation physique a permis de mieux comprendre lorigine physique de lapparition dun pic de surtension au dclenchement de ces composants et des solutions de dessin ont t proposes pour en rduire lamplitude. Mots cls : ESD, T LP , vf T LP , surtension, transitoire, instrumentation, T CAD. Abstract The research work presented in this thesis is aimed to analyze and optimize the triggering behavior of high voltage devices against electrostatic discharges (ESD). Two approaches were used : A dedicated tool was created. The transient-TLP tool is based on mathematical postprocessing of oscilloscope raw data, measured using a standard vf-TLP system. Measurement error is less than 2 %. This method, rst designed for on-wafer measurement were then adapted to packaged device measurements. The transient behavior of ESD devices used at F reescale was analyzed using this tool. TCAD simulations were then performed to analyze the turning-on of high voltage ESD devices. The physical origins of the strong voltage overshoot peak observed at the triggering of this component was explained, and design solutions were proposed to signicantly reduce the magnitude of this peak. Keywords : ESD, T LP , vf T LP , overshoot, transient, instrumentation, T CAD.

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RSUM

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Antoine Delmas Universit de Toulouse

Table des gures

1.1 1.2

Stratgie dintgration de protections ESD localises protgeant lentre dun CI. Caractristique I-V TLP typique dune protection ESD et paramtres lectriques associs. Les ches noires reprsentent les marges de sret. . . . . . . . . . . .

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1.3

Modle lectrique quivalent du corps humain (a) et dcharge simule sur un court-circuit pour une tension de charge de 2 kV (b). . . . . . . . . . . . . . . . . 5

1.4

Modle lectrique quivalent dune machine (a) et forme donde simule sur un court-circuit pour une tension de charge de 200 V (b). . . . . . . . . . . . . . . . 6

1.5

Modle lectrique quivalent du composant charg (a) et forme donde obtenue 50 V de tension de charge. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

1.6

Comparatif des formes dondes des trois modles de dcharge abords dans cette section : HBM , M M , CDM . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 7

1.7

Modle lectrique simpli dun gnrateur Gun. Seules C1 et R2 sont spcis dans les normes. R1 est la rsistance de charge, typiquement de 1 M . C2 est une capacit parasite de lordre de 10 pF , reproduisant le couplage existant entre la pointe de dcharge et le plan de masse. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8 9 11

1.8 1.9

Forme donde dune dcharge pistolet 8 kV selon la norme IEC 61000-4-2. . . Construction point par point dune caractristique I V T LP . . . . . . . . . . .

1.10 Schma de principe de la caractrisation par rectomtrie. Exemple du vf-TLP, dans lequel les impulsions incidentes et rchies apparaissent spares sur lcran de locilloscope. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.11 Schma reprsentatif dune mesure T LP sur transistor bipolaire autopolaris N P N (a). Courbe caractristique I V correspondante (b). On distingue les trois zones de fonctionnement : tat bloqu (1), avalanche de la diode base-collecteur (2), et fonctionnement repli (3). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.12 Coupe technologique 2D simplie dun transistor bipolaire latral. . . . . . . . . 1.13 Coupe technologique 2D simplie dun transistor bipolaire vertical. . . . . . . . xxi 15 17 18 13

xxii

TABLE DES FIGURES

1.14 Schma lectrique reprsentatif dun SCR (a), compos dun N P N et dun P N P imbriqus. La structure P N P N correspondante est reprsente la gure (b). Les rsistances R1 et R2 sont les rsistances intrinsques des bases des deux transistors. 19 1.15 Coupe technologique simplie dun transistor N M OS utilis comme protection ESD, montrant le N P N parasite. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.16 Coupe technologique reprsentative dun composant de protection N P N R (a) et schma quivalent (b). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.17 Coupe technologique reprsentative dun composant de protection N P N Z (a) et schma quivalent (b). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 1.18 Coupe technologique reprsentative dun composant de protection N P N B. . . . 1.19 Coupe technologique reprsentative dun composant de protection P N P/Diode. 2.1 Principe de fonctionnement du banc de mesure vf-TLP Oryx. Les lignes de transmission ( Transmission Line ) T L1 , T L2 , T L3 et T L4 sont reprsentes, ainsi que le ltre de temps de monte. Le rle de la merge box sera dtaill plus loin. 29 2.2 2.3 2.4 2.5 2.6 La bote de mesure contient un relai pour commuter entre la mesure TLP et le traceur I-V. Les sondes de courant et de tension sont places en srie. . . . . . . Schma quivalent de la sonde en tension. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Architecture dun canal de la merge box. Les deux canaux sont identiques. . . . . Densits spectrales dnergie dimpulsions ESD de type vf-TLP de 5 ns de largeur dimpulsion. Rsultats obtenus partir de FFT du signal mesur loscilloscope. Mesure de la transmission frquentielle des sondes en courant et en tension utilises. La sonde en courant a une frquence de coupure de 2 GHz, et la sonde en tension de 3 GHz environ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.7 2.8 Caractristique de transmission frquentielle des cbles coaxiaux utiliss dans le vf-TLP Oryx. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . Mesure de pertes frquentielles du systme de mesure vf-TLP, depuis le gnrateur jusqu loscilloscope. La transmission le long du chemin incident est reprsente en bleu fonc, et le long du chemin rchi en orange clair. . . . . 2.9 Formes donde en tension et courant mesures loscilloscope. Le ltrage du chemin de mesure prend la forme dune augmentation du temps de monte ainsi quune attnuation du pic de surtension. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.10 Rglage du dlai de la merge box. En bleu, limpulsion incidente, et en vert limpulsion rchie. La superposition des deux impulsions se limite deux pics que lutilisateur tente dannuler. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 2.11 Principe de la mesure indirecte du pic de surtension. . . . . . . . . . . . . . . 2.12 Test en conditions de lecacit de protection du P N P/Diode pour une entre 50 V. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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29 30 31 33

34 35

37

38

39 41 42

TABLE DES FIGURES 2.13 Calcul de la surtension gnre par le PNP/Diode laide dune mesure T LP indirecte. La largeur dimpulsion est de 100 ns, le temps de monte de 300 ps, et la rsistance de grille est de 10 k. La caractristique T LP de la structure couple protection//NLDMOS est reprsente en vert, et la comparaison avec une protection seule en bleu. La superposition des deux courbes montre que le NLDMOS ne se dclenche pas avant datteindre sa tension de dgradation. . . . . 3.1 3.2 Banc de mesure simpli utilis pour les mesures transient T LP . . . . . . . .

xxiii

43 46

Principe de la mthode de mesure transient T LP : mesure des trois paramtres de transmission S31 , S32 et S21 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 47

3.3

Impulsions vf T LP mesures loscilloscope avec le dispositif de la gure 3.2. La tension rsiduelle prsente la suite de limpulsion incidente se superpose partiellement avec limpulsion rchie. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 56

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3.4

Exemple dacquisitions successives sur une charge 50 (acquisition 1) et sur une protection ESD haute tension 40 V T LP (acquisition 2), aprs correction des osets . On construit ainsi le chier Vinc,oscillo , qui sera utilis par la suite. Lavantage de cette opration est de faire en sorte que les signaux incidents et rchis utiliss dans les calculs soient issus de la mme impulsion dorigine. Ils sont alors lis par une transformation mathmatique. Les valeurs non nulles dans lacquisition 2 aprs limpulsion rchie sont le rsultat de rexions parasites sur le gnrateur. On note qu ce stade, les amplitudes des impulsions nont pas encore t corriges. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58

3.5

Construction du chier de points Vref,oscillo. , dni comme tant la dirence entre la mesure eectue sur le DUT et le chier de points prcdemment construit Vinc,oscillo. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 58 61

3.6 3.7

Exemple de fonctions de fentrage (a) et leurs spectres frquentiels respectifs (b). Opration de fentrage sur le chier de points Vref,oscillo prcdemment construit. En noir, limpulsion dorigine avant le fentrage, en rouge pointill, la fentre de Tukey employe et en orange le rsultat de la multiplication des deux. . . . . . .

62

3.8

Rsultat du calcul de VDU T (t) (en bleu fonc) et IDU T (t) (en orange clair) sur une protection ESD haute tension pour 100 V vf T LP , avec 1 ns de temps de monte. Les deux impulsions dbutent au mme moment, ce qui indique que les dlais de propagation dans le systme de mesure sont correctement corrigs. . . . 64

3.9

Mesure des impulsions incidentes (bleu) et rchies (orange pointills) sur un circuit ouvert (pointes RF laisses en lair) 200 V T LP , 5 ns de dure dimpulsion et 300 ps de temps de monte. La dirence entre les deux est trace en vert ple sur laxe de droite. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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65

xxiv

TABLE DES FIGURES

3.10 Calcul des impulsions incidentes et rchies sur un circuit ouvert parfait. Dans ce cas, les deux formes donde doivent tre identiques et parfaitement alignes dans le temps. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.11 Impulsions mesures sur un court circuit 200 V T LP , tr = 1 ns, 5 ns de dure dimpulsion. Limpulsion rchie (orange pointills) a t multiplies par 1 pour comparaison avec lincident (bleu). La somme de lincident et du rchi est trace en vert ple, et sa moyenne est reporte en trait noir continu. . . . . . 3.12 Valeur absolue des caractristiques quasi-statiques obtenues avec loutil de mesure transient T LP sur un court-circuit (a) et un circuit ouvert (b). . . . . . . . . . 3.13 Mesure transient T LP sur un N P N Z ddi aux E/S 20 V pour des impulsions de 5 ns et 250 V de tension de charge avec trois temps de monte dirents. La tension est reporte gure a) et le courant gure b). . . . . . . . . . . . . . . . . 67 67 66 65

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3.14 Courbes I Vmax obtenues par caractrisation transient T LP sur des N P N B ddis aux E/S 20 V avec des temps de monte de 1 ns et 10 ns. . . . . . . . . . 3.15 Mesure de formes donde en tension obtenues avec la mthode dcrite (Vcorrig ), et comparaison avec loutil standard vf T LP Oryx (Vmesur1 et Vmesur2 ). Un dlai de 150 ps a t introduit entre les deux mesures vf T LP dans le rglage de la merge box pour visualiser son eet sur le pic de tension. . . . . . . . . . . . 3.16 Dispositif de test de la rpartition en puissance des deux sorties des ts de picko. Lattnuateur de 30 dB en srie avec lentre 2 de loscilloscope est ncessaire pour rester dans la plage de tension spcie. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.17 Mesure de la linarit en puissance entre 1 V et 180 V , de 340 M Hz 3 GHz sur le systme utilis le plus frquemment. Les mesures sont eectues dans le domaine temporel (impulsions vf T LP ), puis transfres dans le domaine frquentiel par FFT. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.18 Plans de propagation 1, 2 et 3 mis en jeu pour lapplication de la mthode dtalonnage transient-TLP . Le plan 4 concide avec lextrmit du cble coaxial T L2 . Le plan 2 ne peut pas tre connect lentre de loscilloscope, mais une mthode alternative est propose en en utilisant le plan 4 la place du plan 2. . 3.19 Procdure de mesure du paramtre Sinc . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.20 Procdure de mesure du paramtre Sref . Le set-up sapparente celui dune mesure transient T LP sur un circuit ouvert parfait. Le cble coaxial T L3 est reli comme prcdemment la voie 1 de loscilloscope, et le cble T L2 aux pointes RF , ces dernires tant laisses en lair. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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TABLE DES FIGURES 4.1 Systme utilis en caractrisations T LP pour relier le cble coaxial dacheminement de limpulsion T LP au composant sous test. Les pinces sont constitues de ls relis lun lme et lautre la gaine du connecteur coaxial, et termins par des pinces grip-l . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.2 4.3 4.4 Schma global du systme de mesure T LP utilis Freescale [62]. . . . . . . . .

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Pinces fabriques pour remplacer les pinces dorigine, trop inductives et instables. 82 Schma quivalent reprsentant les plans de propagation retenus pour dcomposer le systme dirents segments, chacun des segment pouvant tre caractris indpendamment des autres. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 83

4.5

Reprsentation schmatique des pinces. Les deux tapes dtalonnage permettent de calculer les tensions et courants en P 5 partir des tensions incidentes en P 2. Dans le cas o les pinces sont connectes une ligne de transmission, comme dans la gure 4.4, on peut calculer les tensions incidentes et rchies dans la ligne en

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P 5. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.6 Etapes dtalonnage des pinces. Mesure du coecient de transmission du cble coaxial (a) et de linductance Zpinces des ls (b) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 4.7 Paramtres gomtriques et physiques des lignes de transmission microruban permettant le calcul de leur impdance caractristique. 4.8 . . . . . . . . . . . . . . . .

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90

Bilan des tapes de mesure permettant ltalonnage du banc T LP . Les cinq tapes de mesure prsentes permettent dapporter les quations ncessaires la dtermination des cinq inconnues que sont les paramtres Sinc , Sref , , Zpinces et l. Le cas de limpdance caractristique ZC2 des pistes microruban est trait part, celle-ci tant extraite des paramtres de layout de la carte. On recalcule ensuite les tensions et courants dans les plans successifs en utilisant chacun de ces paramtres. 95

4.9

Mesure de la tension et du courant sur un circuit ouvert (a) et sur un court-circuit (b) en bout des pinces (plan 5) pour une impulsion de 10 V T LP . Le courant de circuit ouvert et la tension de court-circuit servent calculer le pourcentage derreur dans chacun des cas. Celui-ci est de lordre de 2.5 % et atteint sa valeur maximale pendant le front montant de limpulsion. . . . . . . . . . . . . . . . . 96

4.10 Tension incidentes et rchies calcules dans le plan du composant lors de mesures sur un circuit ouvert (a) et ferm (b) dans le plan 6. La tension de prcharge est ici de 10 V T LP . Dans le cas du court-circuit, la tension rchie a t inverse an de mieux visualiser sa superposition avec la tension incidente. Les erreurs correspondantes sont calcules au moyen des formules 4.50 et 4.51 . . . . . . . . 4.11 Mesure de la tension (trait plein) et du courant (pointills) sur des composants de protection N P N B P ad20 V , de deux longueurs dmetteur direntes, 300 V T LP (6 A). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
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TABLE DES FIGURES

4.12 Comparaison entre les courbes I V obtenues par des mesures T LP standard (courbes IT LP VT LP ) et les courbes I V max des N P N B P ad40 des deux dimensions direntes. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.1 quivalence entre le modle du banc de caractrisation T LP (a) et le modle utilis en simulation (b). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 103 5.2 Comparaison entre les mesures transient T LP (trait plein) et les simulations T CAD (tirets). Figure a) : mesure et simulations sur le composant pour une impulsion de 5 ns de longueur, avec 300 ps de temps de monte (bleu fonc) et 1 ns (trait vert clair). Figure b) : mesures et simulations sur une impulsion de 100 ns de long avec 10 ns de temps de monte. Figures c) et d) : agrandissements des gures a) et b) autour du pic de tension. 5.3 . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 105 98

Prol 2D du LDM OS protger (a), et conguration dans laquelle sont places la protection N P N B et le LDM OS (b). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 107

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5.4

Caractristique I V T LP du LDM OS protger, avec une rsistance grillesource nulle et un temps de monte de 10 ns. En bleu fonc sont reprsents les points I V , et en vert clair le courant de fuite entre chaque mesure. . . . . . . 107

5.5

Densit de courant (a) et champ lectrique (b) simuls dans la rgion de drain aprs repliement de la tension. On note lapparition dune zone de fort champ lectrique la jonction N + /N sous le contact de drain. . . . . . . . . . . . . . . 108

5.6

Formes dondes utilises pour tester la robustesse du LDM OS sous direntes largeurs dimpulsion. Pour les impulsions 1.25 et 2.5 ns, on peut voir les paliers correspondant aux rexions multiples entre la rsistance R1 (gure B.1) et la rsistance de 50 . En bleu fonc est trace limpulsion incidente 1.25 ns, en vert clair celle 2.5 ns et en rouge pointills celle 5 ns. . . . . . . . . . . . . . 110

5.7

Courbes I V statiques mesures avant lagression ESD (en noir), aprs limpulsion de 5 ns (en trait plein vert clair), aprs celle de 2.5 ns (rouge pointills) et aprs limpulsion de 1.25 ns (tirets oranges). Une limitation de 1 A a t applique lors de la mesure. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 110

5.8 5.9

Prol du composant N P N B et schma quivalent. . . . . . . . . . . . . . . . . . 111 Caractrisation T LP du composant (courbe bleu fonc) et transient T LP avec 10 ns et 1 ns de temps de monte (courbes vert ple et violette). Le courant de fuite est reprsent en rouge, permettant didentier le courant It2 6.9 A. . . . 113

5.10 Concentrations en atomes donneurs (bleu fonc), accepteurs (vert ple), dopage total (noir) et prol de champ lectrique bas courant (rouge pointills) pour la diode latrale (a) et la diode verticale (b) formant les deux jonctions basecollecteur du N P N B. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 114
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TABLE DES FIGURES 5.11 Conditions de simulation employes pour tudier la dynamique du processus de claquage par avalanche. Une rampe de tension est applique travers une charge de 50 avec un temps de monte de 100 ns jusqu la tension de claquage, puis

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la tension est maintenue constante. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 116 5.12 Coecients dionisation des lectrons (bleu fonc) et des trous (vert clair) travers la diode latrale (a) et verticale (b). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 117 5.13 Rsultats de lexprience dcrite en gure 5.11 pour la diode latrale (bleu fonc) et verticale (vert clair). En a), les tensions appliques, en b) les courants circulant dans chacune des diodes en chelle logarithmique. On constate une pente plus importante pour la jonction latrale que verticale, suivie dun plateau correspondant un rgime permanent. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 117 5.14 Formes donde simules en tension (bleu fonc) et courant (vert clair) du composant sous une rampe T LP de 10 ns de temps de monte. . . . . . . . . . . . . . . 122

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5.15 Valeur maximale du taux de gnration par avalanche dans la zone davalanche de la jonction base-collecteur latrale en fonction du temps. On distingue deux rgimes, lun correspondant un rgime transitoire, dune dure de 100 ps environ, suivi dune stabilisation une valeur constante (rgime permanent). . . . . . . . 123 5.16 Intgrales dionisation des lectrons (bleu fonc) et des trous (vert clair) calculs le long de la jonction base-collecteur latrale en fonction du temps. Le courant davalanche est trac en rouge pointills. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 124 5.17 Courants davalanche (courant de trous) relevs dans la base en deux points : lun, B1 est situ prs de la ZCE, et lautre, B2, jouxte la zone de transition de la jonction base-metteur. Les deux courants sont gaux depuis le claquage 2.6 ns jusquau dclenchement en direct de la jonction metteur-base 2.95 ns. . . . 125 5.18 Schma quivalent du N P N latral entre tBV et tEB . Ltablissement de la chute de potentiel aux borne de RB2 contrle le dclenchement en direct de la jonction metteur-base. Le composant est polaris suivant les conditions de la gure 5.8 : metteur et base court-circuits, et collecteur ottant. Limpulsion est applique ct collecteur. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 126 5.19 Modle simpli du N P N avant le dclenchement bipolaire. La capacit de jonction CJ de la gure 5.18 a t supprime. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 126 5.20 Courant dans la rsistance de base RB1 (noir pointills) et potentiel dans la base au point B2 (trait continu vert clair). Le rapport de proportionnalit entre les deux grandeurs valide lhypothse selon laquelle la capacit de jonction metteurbase est ngligeable. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 127 5.21 Modulation du prol de champ lectrique dans la base du N P N vertical. Le zone de fort champ lectrique adopte peu peu le prol dune jonction abrupte. . . . 129
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TABLE DES FIGURES

5.22 volution des intgrales dionisation des lectrons (bleu fonc) et des trous (vert clair) sous laction de la forte injection. Le maximum est atteint entre 5 et 6 ns environ. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130 5.23 Courant du N P N latral (vert), vertical (rouge pointill) et courant total (trait plein bleu). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131 5.24 volution des temps de transit des lectrons dans la base latrale (bleu fonc) et verticale (vert clair). Pour la base latrale, le calcul a t fait le long de lignes de courant rejoignant la zone davalanche depuis lextrmit droite de lmetteur (trajet [B2B1]). Les valeurs releves ne prennent donc pas en compte laugmentation moyenne du temps de transit due llargissement de la zone dinjection dmetteur le long de la jonction metteur-base. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 131 5.25 Courants dlectrons relevs aux points B1 et B2 de la base. La charge stocke totale correspond laire entre les courbes Ie,B2 et Ie,B1 . . . . . . . . . . . . . . . 134

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5.26 volution de la tension aux bornes de la base (tension VB1B2 , en bleu fonc) et de la rsistance de cette portion (en vert clair) en fonction du temps. Le temps scoulant entre le dclenchement de leet bipolaire tN P N et le repliementde la tension tmax correspond approximativement la constante de temps caractristique R de la dcroissance exponentielle de la rsistance. . . . . . . . . . . . . . 136 5.27 Tension aux bornes de la base (vert clair) et aux bornes de la jonction basecollecteur (bleu fonc) en fonction du temps. La valeur atteinte pour chacune des parties linstant tEB sert de point de rfrence pour le calcul de la surtension. On note que la plus grande partie de la surtension est prise en charge par la jonction base-collecteur, et que celle-ci se replie en premier. . . . . . . . . . . . . 137 5.28 Courant circulant dans la diode P + N et rapport dinjection =
Ie I

en fonction

du temps. Laugmentation du rapport dinjection partir de linstant tBV montre le dclenchement de la diode en direct. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 138 5.29 Courant de trous dans la base du P N P latral. La jonction metteur-base commence injecter des trous partir de 3.4 ns. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 139 5.30 Caractristiques I V quasi-statiques de composants N P N B P ad40 pour deux longueurs de doigt : 75 m et 250 m (courbes bleue fonc et vert clair respectivement). Les tensions maximales sont reportes en abscisses, avec le courant quasi-statique en ordonne (carrs rouges et croix violettes). Les deux composants ayant la mme tension Vt1 , leurs surtensions se comparent directement partir des valeurs de Vmax . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 142 5.31 Caractristiques T LP des N P N B standard (courbe bleu fonc) et sans tranche (vert clair) en technologie SmartM os 8 M V S. Un dirence de 4 V est visible entre leurs tensions de repliement. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 143
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TABLE DES FIGURES 5.32 Mesure des surtensions des deux composants prcdents de 20 V LP 200 V T LP . La dirence entre les deux surtensions au-del de 200 V T LP est de lordre de grandeur de la prcision de loutil de mesure, et elles ne sont donc pas

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reprsentes ici. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 144 5.33 Caractristiques T LP de deux N P N B en technologie SmartM os 8 M V S pour deux longueurs de base du P N P direntes. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 144 5.34 Surtensions compares des deux N P N B prcdents entre 20 V et 200 V . . . . . 145 5.35 Courbes quasi-statiques de deux P ad15 N P N B en technologie SmartM os 8 M V , pour des longueurs dmetteur du P N P de 8 udm (bleu fonc) et de 5 udm (vert clair). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 145 5.36 Surtensions mesures sur les deux composants de la gure 5.35. . . . . . . . . . . 145 B.1 Schma reprsentatif dun gnrateur dimpulsion TLP/vf-TLP . . . . . . . . . . ix

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TABLE DES FIGURES

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Liste des tableaux

2.1 2.2

Attnuation du signal travers les cbles coaxiaux, direntes frquences. Comparaison entre lattnuation du signal vu par le DUT et le signal mesur. . . . . . 36 Bilan des congurations pour lesquelles les dirents cas voqus ont lieu sur la protection PNP/Diode et le composant NLDMOS. Le cas 3 nest observ que pour des temps de monte faibles et des fortes rsistances de grille. . . . . . . . 43

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5.1

Tensions de repliement quai-statique du LDM OS pour deux pentes dVGnrateur /dt : 6 V /ns et 200 V /ns, correspondant respectivement des temps de monte de 10 ns et 300 ps environ, et pour trois valeur de la rsistance de grille : 0 , 1 k et 10 k. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 108

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