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Aula 2: 1 O diodo bipolar ou genrico: O diodo o dispositivo retificador mais simples pois a sua estrutura apresenta apenas uma

a regio tipo P e uma regio tipo N. O diodo possui dois terminais: (i) o anodo ou terminal positivo, que encontra-se conectado regio tipo P; e, (ii) o catodo ou terminal negativo, que encontra-se conectado regio tipo N.

(a)

(b)

Figura 5 - Diodo. (a) Smbolo; (b) Estrutura.

A curva caracterstica (corrente e tenso) do diodo mostrada na Figura 6. Observa-se que a aplicao de uma tenso positiva maior que a barreira de potencial da juno faz com que circule corrente no sentido positivo de conduo. A aplicao de tenso reversa remove os portadores livres da juno (eltrons e lacunas), impedindo a circulao de corrente e permitindo que a juno suporte a tenso aplicada sem conduzir. Na prtica, a juno experimenta uma grande variao de potencial e, portanto pode ser considerada como tendo uma capacitncia. A agitao trmica rompe algumas ligaes da estrutura cristalina resultando em uma pequena corrente reversa chamada de corrente de fuga. Alguns livros chamam esta corrente reversa de corrente de saturao. Um aumento da tenso reversa levar a um aumento na taxa de acelerao dos portadores minoritrios atravs da juno at que os mesmos tenham energia suficiente para remover outros portadores por coliso, quando acontece o efeito avalanche, rompendo a juno e levando o diodo ruptura.

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Figura 6 Caracterstica de corrente e tenso do diodo.

Em resumo a curva caracterstica do diodo pode ser separada em trs regies, a regio de polarizao direta (vk > 0); a regio de polarizao reversa (vk < 0); e a regio de ruptura (vk < -vZK). 2 Outros tipos de diodos de potncia:

A. Recuperao Reversa A corrente na juno diretamente polarizada do diodo deve-se ao efeito dos portadores minoritrios e majoritrios. Uma vez que o diodo esteja no modo de conduo direta e a sua corrente seja reduzida a zero (em funo do comportamento do circuito onde o diodo encontra-se inserido), o diodo continuar em conduo devido aos portadores minoritrios que permanecem armazenados na juno. Os portadores minoritrios requerem um certo tempo para recombinar com as cargas opostas e ser neutralizados. Este tempo chamado de tempo de recuperao reversa. O tempo de recuperao reversa denotado como trr e mostrado na curva caracterstica de recuperao da Figura 7. O tempo trr medido a partir do instante em que ocorre o cruzamento da corrente por zero at o instante que a corrente reversa alcana 25% do seu valor mximo. O valor mximo da corrente reversa denotado como corrente reversa de pico, Irr. O tempo trr consiste de dois sub-intervalos, o intervalo ta e o intervalo tb. O intervalo ta deve-se ao armazenamento de cargas na regio de depleo da juno e representa o tempo entre o cruzamento da corrente por zero e o instante em que a corrente reversa alcana o seu valor mximo. O intervalo tb deve-se ao

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armazenamento de cargas no material semicondutor. A relao entre tb/ta conhecida como fator de suavidade.

(a)

(b)

Figura 7 Caracterstica de recuperao reversa terica.

O pico de corrente reversa pode ser expresso em funo da taxa de decaimento da corrente como,
I rr = ta d iD dt

(1.1)

Outro parmetro importante a carga de recuperao reversa, Qrr. A carga de recuperao reversa representa a quantidade de portadores de cargas que fluem atravs do diodo no sentido reverso devido mudana na condio de conduo direta para bloqueio do dispositivo. Seu valor pode ser estimado pela rea abrangida pela corrente de recuperao reversa em funo do tempo. Assim,
Qrr 1 1 I rr ta + I rr tb 2 2 (1.2)

Como, por definio trr = ta + tb , tem-se que Qrr 1 I rr trr 2 (1.3)

(a)

(b)

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(c) Figura 8 Caractersticas de recuperao reversa para diodo. (a) Relao entre Irr versus di/dt; (b) Relao entre Irr versus Vr; (c) Relao entre trr versus di/dt.

E assim, o tempo, o pico e a carga de recuperao reversa esto relacionados pela seguinte expresso.

I rr = Ou ainda, I rr = ta

2Qrr trr

(1.4)

d 2Q iD = rr dt trr

(1.5)

Para o caso em que tb >> ta (recuperao abrupta), pode-se fazer trr ta e portanto,
trr = 2Qrr d iD dt (1.6)

Ou ainda,

I rr = 2Qrr
B. Classificao dos diodos

d iD dt

(1.7)

Dependendo das caractersticas de recuperao reversa e das tcnicas de fabricao, os diodos podem ser classificados em trs grupos: diodos genricos, diodos de recuperao rpida e diodos Schottky. Os diodos retificadores genricos possuem tempo de recuperao reversa relativamente altos e, por este motivo so utilizados em aplicaes onde o bloqueio destes ocorra em baixas freqncias. Estes diodos so largamente utilizados na indstria em aplicaes onde so necessrios conversores CA-CC denominados de retificadores no-controlados, ou com comutao natural (comutao de linha).

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Os diodos de recuperao rpida tm um tempo de recuperao muito mais baixo que os diodos genricos. Por este motivo so utilizados em aplicaes onde o tempo de recuperao seja um fator crtico, como em inversores e retificadores PWM, ou em conversores CC-CC. Os diodos Schottky eliminam o problema do armazenamento de cargas na juno atravs modificando a estrutura do diodo. A estrutura de um diodo Schottky consiste de uma camada de metal depositada em uma fina camada epitaxial de silcio do tipo n. A barreira de potencial formada simula o comportamento da juno pn. A ao de retificao depende apenas dos portadores majoritrios, e como resultado no h portadores minoritrios em excesso para se recombinarem. O efeito de recuperao deve-se exclusivamente capacitncia da prpria juno. A carga recuperada do diodo Schottky muito menor e tambm praticamente independente da taxa de decaimento da corrente (diD/dt). Como a corrente de fuga do diodo Schottky maior do que a de um diodo genrico, e esta proporcional a tenso de ruptura do dispositivo, os diodos Schottky encontram-se disponveis para tenses limitadas a aproximadamente 100V.

Figura 9 Estrutura bsica de um diodo Schottky.

3 Associao de diodos de potncia:


A. Associao srie de diodos Em aplicaes onde as tenses que os dispositivos devam suportar sejam muito elevadas, como por exemplo, em linhas de transmisso em corrente contnua, um diodo produzido comercialmente pode no atender aos requisitos de tenso requeridos. Nestes casos a associao srie de diodos faz-se necessria.

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(a)

(b)

Figura 10 Associao de diodos em srie. (a) Circuito; (b) Curvas caractersticas.

Considerando-se que devido a pequenas imperfeies e s tolerncias adotadas durante o processo de fabricao, dois diodos do mesmo lote podem apresentar curvas caractersticas ligeiramente diferentes. Na condio de polarizao direta, ambos os diodos conduzem a mesma corrente e a queda de tenso sobre cada diodo seria um pouco diferente, no afetando a operao do circuito. Todavia, na condio de bloqueio, cada diodo forado a conduzir a mesma corrente de fuga. Como conseqncia disto, as tenses de bloqueio sobre cada diodo ser diferente. Isto significa que dois diodos com capacidade de bloquear 600 V cada podem no ser suficientes para suportar uma tenso reversa de 1200 V. Uma soluo para este problema a utilizao de um divisor de tenso resistivo associado aos diodos. Com isto, a diviso de tenso assegurada atravs dos resistores que tambm fornecem um caminho para que a diferena entre as correntes de fuga de cada um dos diodos possa fluir. A corrente de fuga total pode ser encontrada aplicandose a Lei das correntes de Kircchoff, de onde obtem-se, is = is1 + iR1 = is 2 + iR 2 Como iR1 = tem-se, is = is1 + vD1 v = is 2 + D 2 R1 R2 (1.10) v D1 v ; iR 2 = D 2 R1 R2 (1.9) (1.8)

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(a)

(b)

Figura 11 Associao de diodos em srie com divisor resistivo. (a) Circuito; (b) Curvas caractersticas.

Para o caso em que os resistores forem iguais a R, is1 + vD1 v = is 2 + D 2 R R (1.11)

Como Vs = vD1 + vD 2 , os valores de vD1 e vD2 podem ser encontrados atravs das seguintes expresses. vD1 = e vD 2 = Vs R + ( is1 is 2 ) 2 2 (1.13) Vs R + ( is 2 is1 ) 2 2 (1.12)

Como as correntes is1 e is2 so da ordem de alguns poucos mili-amperes, as expresses (1.12) e (1.13) podem ser aproximadas por, vD1 e vD 2 Vs 2 (1.15) Vs 2 (1.14)

B. Associao paralela de diodos

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Em muitas aplicaes de altas potncias os diodos so conectados em paralelo para aumentar a capacidade de conduo de corrente. Uma vez que a tenso sobre os diodos a mesma, a diviso uniforme de corrente nos diodos esta associada s quedas de tenso em cada diodo. Portanto, as imperfeies e s tolerncias adotadas durante o processo de fabricao faro com que os diodos possuam curvas caractersticas diferentes e, deste modo, quedas de tenso distintas. Assim, na associao em paralelo sempre existir uma diferena de corrente. Isto significa que dois diodos com capacidade de conduo de 20 A cada podem no ser suficientes para suportar uma corrente direta de 40 A. Aplicando o princpio da dualidade soluo utilizada para associao em srie de diodos onde um divisor de tenso resistivo foi includo no circuito, pode-se incluir um divisor de corrente no circuito. Assim, a diviso de corrente assegurada atravs dos resistores que tambm fornecem uma impedncia para que a diferena entre as quedas de tenso de cada um dos diodos possa ser aplicada. A tenso total (Vg) pode ser encontrada aplicando-se a Lei das tenses de Kircchoff, de onde obtem-se,
Vg = vD1 + iD1 R1 = vD 2 + iD 2 R2

(1.16)

Para o caso em que os resistores forem iguais a R,


vD1 + iD1 R = vD 2 + iD 2 R

(1.17)

(a)

(b)

Figura 12 Associao de diodos em paralelo. (a) Circuito; (b) Curvas caractersticas.

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Considerando-se que I g = iD1 + iD 2 , os valores de iD1 e iD2 podem ser encontrados atravs das seguintes expresses.
iD1 = Ig

1 ( vs 2 vs1 ) 2R

(1.18)

e
iD 2 = Ig

1 ( vs1 vs 2 ) 2R

(1.19)

Como a diferena entre vs1 e vs2 da ordem de alguns poucos mili-volts, as expresses (1.18) e (1.19) podem ser simplificadas como,
iD1 Ig

(1.20)

e
iD 2 Ig

(1.21)

(a)

(b)

Figura 13 Associao de diodos em paralelo com divisor resistivo. (a) Circuito; (b) Curvas caractersticas.

4 Modelos estticos dos diodos de potncia:


Para se compreender o impacto das caractersticas dos diodos no circuito no qual esteja inserido necessrio a utilizao de um modelo do mesmo. Existem vrios tipos de modelos e qualquer um pode ser escolhido para representao do diodo, entretanto deve-se ter em mente que o modelo deve ser simples o bastante, porm deve representar

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com fidelidade as caractersticas que desejamos que sejam evidenciadas. Os modelos mais utilizados para representao estticas do diodo so mostrados na Figura 14. O modelo da Figura 14(a) representa o diodo por uma simples queda de tenso direta e constante. O modelo da Figura 14(b) um pouco mais sofisticado e representa o diodo no s pela queda de tenso constante, mas tambm pelo efeito que a corrente direta exerce sobre a queda de tenso. Portanto, para polarizao direta, a queda de tenso no diodo dada pela seguinte expresso,
v(t ) = VTo

(1.22)

Ou
v(t ) = VTo + rD i (t )

(1.23)

Assim, a energia perdida em conduo por um diodo ser calculada atravs da seguinte expresso,
WD (t ) = v(t )i (t )dt = VTo i (t )dt Ou WD (t ) = v(t )i (t )dt = (VTo + rD i (t ) )i (t )dt (1.25) (1.24)

(a)

(b)

Figura 14 Modelos estticos para diodos. (a) Queda de tenso constante; (b) Queda de tenso em funo da corrente.

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Exerccios para fixao do contedo: Aula 1:

1. Como operam os dispositivos semicondutores em Eletrnica Industrial? 2. Defina um dispositivo retificador. 3. O que silcio intrnseco e extrnseco? 4. O que so semicondutores dopados ? Quais so os tipos de dopagem ? 5. Para o silcio tipo N quais so os portadores majoritrios e quais so os minoritrios ? 6. Para o silcio tipo P quais so os portadores majoritrios e quais so os minoritrios ?

Aula 2: 7. Desenhe a curva caracterstica de um diodo e descreva as regies que a compem. 8. O que tempo de recuperao reversa de um diodo. Esboar graficamente. 9. Explique qual a diferena entre diodos rpidos e diodos genricos. 10. O tempo de recuperao reversa de um diodo trr=3s e a taxa de decaimento da corrente do diodo di/dt=30 A/s. Determinar: (a) A carga armazenada Qrr; (b) A corrente reversa de pico. 11. Quais so os problemas na conexo srie de diodos. Descreva uma soluo. 12. Quais so os problemas na conexo paralela de diodos. Descreva uma soluo. 13. Dois diodos so conectados em srie para dividir uma tenso VD = 5 kV. As correntes de fuga dos dois diodos so, IS1=30 mA e IS2=35 mA, respectivamente. (a) Encontrar as tenses em cada diodo se a resistncia associada a cada diodo seja dada por, R1=R2=R=100 k; (b) Encontrar os valores de R1 e R2 para que a tenso sobre cada diodo seja igual metade da tenso sobre ambos, VD1=VD2=VD/2.

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