Fuentes pticas: En esencia solo hay dos dispositivos que usan frecuencia para generar luz en sistemas de comunicacin

con fibra ptica: diodo emisores de luz (LED) y diodos de laser de inyeccin (ILD) Ambos dispositivos se fabrican con materiales semiconductores, y tienen sus ventajas y desventajas. Los LED normales tienen anchos espectrales de 30 a 50 nm, mientras que los lseres de de inyeccin solo tienen anchos espectrales de 1 a 3 nm (1 nm corresponde a una frecuencia aproximada de 178 GHz) por consiguiente una fuente luminosa de 1320 nm con ancho de raya espectral de 0,00556 nm tiene una amplitud de banda de frecuencia aproximada de 1GHz- El ancho de raya es el equivalente, en longitudes de onda, del ancho de banda. La preferencia hacia un dispositivo emisores de luz respecto a otro se determina con los requisitos econmicos y de funcionamiento del sistema. El mayor costo de los diodos de laser se compensa con mayor eficiencia, mientras que los diodos emisores de luz, normalmente tienen menor costo y menor eficiencia.

Diodo emisor de luz: Un diodo emisor de luz LED (light emitting diode) es un diodo de unin p-n, fabricado casi siempre con un material semiconductor como el arseniuro de aluminio y galio (AIGaAs) o el arseniuro fosfuro de galio (GaAsP). Los LED emiten luz por emisin espontanea: la luz se emite como resultado de la recombinacin de electrones con huecos. Cuando tienen polarizacin directa, los portadores minoritarios se inyectan a travs de la unin p-n. Una vez atravesada la unin, esos portadores minoritarios se recombinan con portadores mayoritarios y desprenden energa en forma de luz. Este proceso es esencialmente el mismo diodo semiconductor convencional, pero en los LED se eligen ciertos materiales semiconductores y dopantes tales que el proceso es radiativo; esto es, que se produce un fotn. Este es el cuadro de energa de onda electromagntica. Los fotones son partculas que viajan a la velocidad de la luz, pero que en reposo no tienen masa. En los diodos de semiconductores convencionales (por ejemplo de germanio y de silicio), el proceso es principalmente no radiativo, y no se generan fotones. La banda prohibida del material que se usa para fabricar un LED determina el color de la luz que emite, y si la luz es visible al ojo humano

LED de homounion. Una unin p-n con dos mezclas deistintas de igual tipo de atomos se llama estructura de homounion. Las estructuras mas sencillas de LED son las de homounion y de crecimiento epitaxial, o dispositivossemiconductores de un solo semicunductor difundido LED de heterounion. Los LED de heterounion se fabrican con materiales semiconductot tipo p de un conjunto de atomos y material semiconductor yipo n, de otro conjunto. Los dispositivos de heterounion estn esteatificados (normalmete 2 capas) de tal manera que se amplia el efecto de concentracin. Asi se produce un dispositivo que confina a los electrones, los huecos portadores y la luz, en un area mucho menor. La unin se suele fabricar sobre un substrato de material de respaldo, para deespues emparedarse entre contactos metalicos con los que se conecta el dispositivo s una fuente de electricidad. Con los dispositivos de heterounion, la luz se emite desde la orilla del material y en consecuencia, se llama emisor de borde

Diodo de lser de inyeccin Los lseres se fabrican con muchos y diversos materiales, que incluyen gases, lquidos y slidos, aunque e l tipo de lser que se usa con ms frecuencia para comunicaciones con fibra ptica es el lser de semiconductor. El diodo laser de inyeccin (ILD de injetion laser diode) se parece al LED. De hecho. por debajo de cierta corriente umbral un ILD funciona en forma parecida a un LED. Arriba de la corriente de umbral un ILD oscila y se produce ha emisin laser.