THSE

pour obtenir le grade de Docteur

de lUniversit Paris-Est et de la Facult des Sciences de Tunis
Spcialit: lectronique

Soutenue le 18 Novembre 2011 par
Zied HAROUNI

Conception et caractrisation dune Rectenna double polarisation
Circulaire 2.45 GHz

Directeurs de thse
Ali GHARSALLAH
Laurent CIRIO
Jury
1. Odile PICON Professeur des Universits, UPEMLVESYCOM Prsidente & Examinatrice
2. Hichem TRABELSI Professeur LESTI (TUNIS) Rapporteur
3. Tan Phu VUONG Professeur des Universits, Grenoble INP Rapporteur
4. Ridha BOUALLEGUE Professeur SupCom de Tunis Examinateur
5. Ali GHARSALLAH Professeur des Universits, Tunis El Manar (FST) Co-Directeur de thse
6. Laurent CIRIO Matre de confrences, HDR, UPEMLVESYCOM Co-Directeur de thse
7. Henri BAUDRAND Professeur des Universits, Toulouse (ENSEEIHT) Invit
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REMERCIEMENTS


Mes premiers remerciements iront mes directeurs de thse, M. Laurent CIRIO et M. Ali
GHARSALLAH, qui mont accueilli dans leurs laboratoires respectifs ESYCOM et UCSHF et qui
ont accept dencadrer cette thse. Leurs prcieux conseils et leur enthousiasme mont permis de
valider ce travail de thse. Quils trouvent ici lexpression de mes sincres gratitudes.

Ce travail naurait jamais pu aboutir sans la confiance de Mme Odile PICON. Je la remercie
galement pour tous ses encouragements, ses conseils aviss et ses propositions pertinentes qui
mont permis de gagner un temps prcieux et aid progresser dans mes travaux de thse. Quelle
trouve ici le tmoignage de toute ma gratitude. Jexprime ma profonde reconnaissance M. Lotfi
OSMAN qui n'a jamais hsit me consacrer de son temps, me guider, me conseiller, me
transmettre les connaissances appropries et maider interprter les diffrents rsultats obtenus au
fur et mesure de l'avancement de ma thse.

Jexprime ma sincre reconnaissance aux membres du jury, M. Tan Phu VUONG et M.
Hichem TRABELSI pour avoir accept la charge dtre rapporteurs de ma thse ainsi qu M. Ridha
BOUALLEGUE qui me fait lhonneur dtre examinateur. Je remercie galement M. Henri
BAUDRAND davoir accept notre invitation. Je tiens aussi tmoigner toute ma reconnaissance
Mme Marjorie GRZESKOWIAK pour sa contribution cette recherche, riche denseignements.

Je remercie M. David DELCROIX pour la ralisation des prototypes des circuits ainsi que
pour son aide la mise en service de la chambre anchoque.

Je remercie vivement M. Stphane PROTAT pour son aide si prcieuse et ses conseils tout au
long du droulement de ce travail de thse. Je tiens galement remercier M. Kamel NAFKHA et
M. Lassad LATRACH avec lesquels jai eu le plaisir de partager mes connaissances ainsi que des
moments damiti et de complicit trs sincres.

Toute ma reconnaissance ira aussi mon ami Marouen que je remercie pour sa serviabilit,
son soutien et sa sympathie. Un grand merci Imen, Issam et Fatiha pour leur influence positive sur
mon chemin ainsi qu' toutes celles et tous ceux qui mont apport leurs aides et leurs
encouragements.
Je ne terminerai pas mes remerciements sans avoir une pense sympathique pour mes
camarades et amis du Doctorat qui savent si bien rendre agrable le cadre de travail.
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TABLE DES MATIERES

Liste des abrviations ............................................................................................................. 7
Liste des figures ..................................................................................................................... 8

INTRODUCTION GENERALE ........................................................................................ 11

CHAPITRE I : ETAT DE LART ....................................................................................... 15
I.1 INTRODUCTION ....................................................................................................................................... 16
I.2 LA TRANSMISSION DENERGIE SANS FIL PAR MICRO-ONDE. .................................................................... 17
I.2.1 Historique ......................................................................................................................... 17
I.2.2 Principe de la transmission dnergie sans fil .................................................................. 18
I.2.3 Structure de base dune rectenna ...................................................................................... 20
I.3 CIRCUIT DE CONVERSION ........................................................................................................................ 21
I.3.1 Diode Schottky ................................................................................................................. 21
I.3.2 Topologie srie ................................................................................................................. 22
I.3.3 Topologie parallle .......................................................................................................... 23
I.3.4 Topologie doubleur de tension ......................................................................................... 23
I.3.5 Topologie en pont de diodes modifi ............................................................................... 24
I.4 LES ANTENNES IMPRIMEES ..................................................................................................................... 24
I.4.1 Structure micro-ruban ...................................................................................................... 24
I.4.2 Les antennes patchs .......................................................................................................... 25
I.4.3 Techniques dexcitation dune antenne patch micro-ruban .............................................. 27
I.4.3.1 Introduction .................................................................................................. 27
I.4.3.2 Alimentation par ligne micro-ruban ............................................................. 27
I.4.3.3 Alimentation par sonde coaxiale .................................................................. 28
I.4.3.4 Alimentation par couplage par fente ............................................................ 28
I.4.3.5 Alimentation par couplage par proximit ..................................................... 29
I.5 QUELQUES TRAVAUX SUR LA CONCEPTION ET LA REALISATION DES RECTENNAS UTILISANT DES ANTENNES
PATCHS. ..30
I.5.1 Rectenna avec antenne microstrip rejection dharmoniques ......................................... 30
I.5.2 Rectenna double frquence polarisation circulaire ..................................................... 31
I.5.3 Rectenna double diode .................................................................................................. 31
I.6 PROBLEMATIQUE .................................................................................................................................... 32
I.7 CONCLUSION .......................................................................................................................................... 32
I.8 REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES ........................................................................................................... 33

CHAPITRE II : MODELISATION GLOBALE ET OPTIMISATION DES CIRCUITS
MICRO-ONDES ACTIFS NON LINEAIRES PAR LA METHODE ITERATIVE :
APPLICATION AUX RECTENNAS .................................................................................. 38
II.1 INTRODUCTION ........................................................................................................................................ 39
II.2 DEVELOPPEMENT DE LA METHODE ....................................................................................................... 40
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II.2.1 Formulation des conditions aux limites ............................................................................ 40
II.2.2 Le concept donde ............................................................................................................. 41
II.2.3 Oprateur de rflexion dans le domaine spectral .............................................................. 43
II.2.4 Oprateur de diffraction dans le domaine spatial ............................................................. 44
II.2.4.1 Domaine mtallique ............................................................................... 45
II.2.4.2 Domaine dilectrique ............................................................................. 45
II.2.4.3 Domaine de la source .............................................................................. 46
a Cas o la source dexcitation est bilatrale ...................................... 46
b Cas o la source dexcitation est unilatrale ................................... 47
c Cas de la rgion dune impdance de surface .................................. 48
II.2.5 Le processus itratif ............................................................................................................ 49
II.3 APPLICATION : ETUDE DUNE LIGNE MICRO-RUBAN .............................................................................. 52
II.4 CIRCUITS CONTENANT DES ELEMENTS LOCALISES ................................................................................. 53
II.5 ANALYSE DUNE RECTENNA AVEC LA METHODE ITERATIVE .................................................................... 56
II.6 CONCLUSION ........................................................................................................................................... 61
II.7 REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES ............................................................................................................ 62

CHAPITRE III : PRINCIPE DE FONCTIONNEMENT D'UNE ANTENNE A DOUBLE
POLARISATION CIRCULAIRE ALIMENTEE PAR COUPLAGE PAR FENTE. .............. 63
III.1 INTRODUCTION ...................................................................................................................................... 64
III.2 LANTENNE PATCH MICRO-RUBAN......................................................................................................... 65
III.3 TECHNIQUES DEXCITATION DUNE ANTENNE MICRO-RUBAN ................................................................ 65
III.3.1 Introduction ...................................................................................................................... 65
III.3.2 Excitation par couplage par fente ..................................................................................... 66
III.4 POLARISATION DUNE ANTENNE ........................................................................................................... 69
III.5 ETUDE DE LA STRUCTURE DE LANTENNE COUPLEE PAR FENTE COMPLETE ........................................... 71
III.5.1 Introduction ...................................................................................................................... 71
III.5.2 Etude de lantenne double polarisation circulaire couple par fente en croix ................ 71
III.6 ETUDE PARAMETRIQUE DE LANTENNE ................................................................................................ 73
III.6.1 Introduction ...................................................................................................................... 73
III.6.2 Influence de A sur le fonctionnement de lantenne .......................................................... 73
III.6.3 Influence de Ls sur le fonctionnement de lantenne ......................................................... 75
III.6.4 Influence de Ws sur le fonctionnement de lantenne ........................................................ 76
III.6.5 Influence du gap dair sur le fonctionnement de lantenne............................................... 77
III.7 CARACTERISTIQUES DE LANTENNE ETUDIEE ......................................................................................... 78
III.7.1 Coefficients de rflexion et disolation............................................................................. 78
III.7.2 Etude des caractristiques de rayonnement dans le plan azimutal.................................... 79
III.7.3 Etude des courants de surface ........................................................................................... 81
III.7.4 Caractristiques de polarisation circulaire ........................................................................ 82
III.8 OPTIMISATION ET VALIDATION DE LANTENNE PAR LA MESURE ............................................................. 83
III.8.1 Mesure des paramtres S
ij
................................................................................................. 83
III.8.2 Mesure des caractristiques de rayonnement ................................................................... 84
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III.9 ANTENNE A COUPLAGE PAR PROXIMITE A REJECTION DHARMONIQUES ................................................. 86
III.9.1 Introduction ...................................................................................................................... 86
III.9.2 Antenne alimente par proximit ..................................................................................... 86
III.9.3 Etude de la structure DGS sur une ligne micro-ruban ...................................................... 88
III.9.4 Antenne alimente par proximit avec DGS .................................................................... 89
III.9.5 Ralisation et mesure de lantenne ................................................................................... 92
III.10 CONCLUSION ........................................................................................................................................ 94
III.11 REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES ......................................................................................................... 95

CHAPITRE VI : ETUDE ET CONCEPTION DUNE RECTENNA A DOUBLE
POLARISATION CIRCULAIRE A 2.45 GHZ. .................................................................... 97
IV.1 INTRODUCTION ...................................................................................................................................... 98
IV.2 CONCEPTION ET REALISATION DUN SYSTEME DE CONVERSION RF-DC ................................................. 98
IV.3.1 Conception du redresseur ................................................................................................. 98
IV.2.1.1 Choix du substrat ....................................................................................... 98
IV.2.1.2 Choix de la diode ....................................................................................... 99
IV.2.1.3 Choix de la topologie ................................................................................ 99
IV.2.2 Simulation du circuit de redressement sous ADS ......................................................... 100
IV.2.2.1 Redresseur srie ....................................................................................... 100
IV.2.2.2 Etude de ladaptation du redresseur srie ................................................ 101
IV.2.2.3 Influence de la charge RL sur le rendement ............................................ 102
IV.2.2.4 Influence de la capacit C sur le rendement ............................................ 103
IV.2.2.5 Influence de la longueur de la ligne entre diode et capacit .................... 103
IV.2.2.6 Influence de la rsistance srie Rs de la diode sur le rendement ............. 104
IV.2.2.7 Influence de la capacit de jonction Cj0 sur le rendement ...................... 104
IV.2.2.8 Influence de la puissance RF sur le rendement ....................................... 105
IV.2.3 Ralisation du redresseur ............................................................................................... 105
IV.3 RESULTATS DE MESURE DE LA RECTENNA ........................................................................................... 107
IV.4 CONCLUSION ........................................................................................................................................ 112
IV.5 REFERENCES BIBLIOGRAPHIQUES ......................................................................................................... 113

CONCLUSION GENERALE. .114

ANNEXE A : DEFINITION DONDES INCIDENTES ET REFLECHIES ....................... 117

ANNEXE B : TRANSFORMATION RAPIDE EN MODE:
FAST MODE TRANSFORMATION (FMT) ............................................... 120

LISTE DES PUBLICATIONS ET COMMUNICATIONS ............................................ 124


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LISTE DES ABREVIATIONS


TESF : Transport dEnergie Sans Fil.
ISM : Industriel Scientifique et Mdical.
SPS : Solar Power Satellite.
WPT: Wireless Power Transportation.
HF : Hyperfrquences.
RF : Radio Frequency.
HB : Harmonic Balance.
RFID : Radio Frequency Identification.
IEEE : Institute of Electrical and Electronics Engineers.
NASA : National Aeronautics and Space Administration.
DC : Direct Current.
FDTD : Finite Difference Time Domain.
LSSP : Large Signal S-Parameter.
TLM : Transmission Line Matrix.
MoM : Method of Moment.
WCIP : Wave Concept Iterative Process.
AWPL : Antennas and Wireless Propagation Letters.
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LISTE DES FIGURES


Figure 1.1 Diagramme d'un systeme TESF. ................................................................................................................... 18
Figure 1.2 Rendement de transmission en fonction de . ............................................................................................... 19
Figure 1.3 Schma bloc dune rectenna. ......................................................................................................................... 20
Figure 1.4 Modle lectrique equivalent d'une diode schottky. ...................................................................................... 21
Figure 1.5 Schma synoptique de la topologie serie. ...................................................................................................... 22
Figure 1.6 Schma synoptique de la topologie parallle. ............................................................................................... 23
Figure 1.7 Schma synoptique de la topologie doubleur de tension. .............................................................................. 23
Figure 1.8 Schma synoptique de la topologie en pont de diodes modifi. .................................................................... 24
Figure 1.9 Structure d'une antenne micro-ruban. ............................................................................................................ 24
Figure 1.10 Trajectoires des rayons dans une antenne patch. ......................................................................................... 26
Figure 1.11 Alimentation par ligne micro-ruban dune antenne patch. .......................................................................... 27
Figure 1.12 Alimentation par sonde coaxiale dune antenne patch. ............................................................................... 28
Figure 1.13 Alimentation par couplage par fente. .......................................................................................................... 29
Figure 1.14 Alimentation par couplage par proximi. .................................................................................................... 30
Figure 1.15 Rectenna avec une simple antenne micro-ruban. ........................................................................................ 30
Figure 1.16 Rectenna double frequence ....................................................................................................................... 31
Figure 1.17 Rectenna double diode. ............................................................................................................................ 31

Figure 2.1 Domaine de rsolution des conditions aux limites. ....................................................................................... 40
Figure 2.2 Dfinition des ondes incidentes et des ondes rflchies ................................................................................ 42
Figure 2.3 Circuit quivalent de la source bilaterale ...................................................................................................... 46
Figure 2.4 Circuit quivalent de la source unilaterale dans le milieu 1 .......................................................................... 47
Figure 2.5 Processus iratif ............................................................................................................................................ 50
Figure 2.6 Organigramme dun processus itratif .......................................................................................................... 51
Figure 2.7 (a) Diffrentes regions de la structure dtude. (b) Diffrentes rgions du plan de discontinuit . ............ 52
Figure 2.8 Convergence des paramtres de la matrice [s] en fonction du nombre ditrations ...................................... 52
Figure 2.9 Circuit planaire contenant un lement localis. ............................................................................................. 53
Figure 2.10 Circuit quivalent du circuit planaire avec diode schottky ........................................................................... 55
Figure 2.11 Structure simple couche de la rectenna contenant une diode schottky ........................................................ 57
Figure 2.12 Schma de la rectenna discrtis en pixels. ................................................................................................. 57
Figure 2.13 Photo de la rectenna . .................................................................................................................................. 58
Figure 2.14 Distribution du champ lectrique |Ex| en V/m sur le plan de linterface 2.45 GHz. ................................. 59
Figure 2.16 Convergence de ladmittance vue par la source (Yin) en fonction de nombre des itrations 2.45GHz.... 60
Figure 2.17 Rendement : simulation (Itrative) et mesure...... 60

Figure 3.1 Configuration dune antenne micro-ruban. ................................................................................................... 65
Figure 3.2 Configuration dune antenne patch couplage par fente. ............................................................................. 66
Figure 3.3 Variation de limpdance dentre de lantenne en fonction de la longueur du stub. ................................... 67
Figure 3.4 Impdance dentre de lantenne pour diffrentes valeurs de la longueur de la fente. .................................. 68
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Figure 3.5 Ellipse de polarisation. .................................................................................................................................. 70
Figure 3.6 Antenne double polarisation circulaire alimente par couplage par fente en croix. ................................... 72
Figure 3.7 (a) Photo de la ligne dalimentation, (b) Photo de llment rayonnant, (c) Fente de couplage. ................. 73
Figure 3.8 Influence de A sur le fonctionnement de lantenne. ...................................................................................... 74
Figure 3.9 Influence de Ls sur le fonctionnement de lantenne. ..................................................................................... 76
Figure 3.10 Influence de Ws sur le fonctionnement de lantenne................................................................................... 77
Figure 3.11 Structure de lantenne avec la couche dair. ................................................................................................ 78
Figure 3.12 Coefficient de rflexion en fonction du gap dair et de lpaisseur du substrat. ......................................... 78
Figure 3.13 Coefficient de rflexion (a), coefficient disolation entre les deux ports (b). ............................................. 79
Figure 3.14 Composante E normalise en dB du champ rayonn lointain = 0. .................................................... 80
Figure 3.15 Diagramme de rayonnement, (a) E tta ( = 0), (b) E phi ( = 0). ......................................................... 81
Figure 3.16 Rpartition en fonction du temps du champ lectrique sur le patch. ........................................................... 82
Figure 3.17 Rapport axial (a) en fonction de la frquence, en fonction de llvation (b). ............................................ 83
Figure 3.18 Coefficients de rflexion mesurs et simuls en fonction de la frquence. ................................................. 84
Figure 3.19 Coefficient disolation entre les deux ports de lantenne. ........................................................................... 84
Figure 3.20 Rapport axial en fonction de la frquence. .................................................................................................. 85
Figure 3.21 Rapport axial en fonction de langle dlvation tta. ................................................................................. 85
Figure 3.22 Diagramme de rayonnement dans le plan E (xz) : (a) E teta, (b) E phi. .................................................... 86
Figure 3.23 Antenne couplage par proximit. .............................................................................................................. 87
Figure 3.24 Schma quivalent dune antenne couplage par proximit. ...................................................................... 87
Figure 3.25 Coefficient de rflexion pour diffrentes valeurs de L. ............................................................................... 87
Figure 3.26 Ligne micro-ruban avec DSG...................................................................................................................... 88
Figure 3.27 Coefficient de rflexion dune ligne micro-ruban avec et sans DGS. ......................................................... 88
Figure 3.28 Coefficient de rflexion pour diffrentes valeurs de L. ............................................................................... 89
Figure 3.29 Antenne couplage par proximit rejection dharmoniques. ................................................................... 89
Figure 3.30 Coefficient de rflexion de lantenne avec DGS. ........................................................................................ 90
Figure 3.31 Coefficient de rflexion pour diffrentes positions de la fente. ................................................................... 91
Figure 3.32 Distribution du champ lectrique pour les diffrentes frquences. ............................................................. 92
Figure 3.33 Ralisation et mesure de lantenne. ............................................................................................................. 92
Figure 3.34 Rsultats de simulation et de mesure de S11 de lantenne en fonction de la frquence. ............................. 93
Figure 3.35 Diagrammes de rayonnement de lantenne (plan E). .................................................................................. 93

Figure 4.1 Circuit de redressement srie sous Harmonic Balance. ............................................................................... 101
Figure 4.2 Le paramtre S11 du redresseur srie. ......................................................................................................... 102
Figure 4.3 Influence de la charge RL sur le rendement. ............................................................................................... 102
Figure 4.4 Influence de la capacit C sur le rendement. ............................................................................................... 103
Figure 4.5 Influence de la longueur de la ligne sur le rendement. ................................................................................ 103
Figure 4.6 Influence de la rsistance RS sur le rendement. .......................................................................................... 104
Figure 4.7 Influence de la capacit Cj0 sur le rendement. ............................................................................................ 104
Figure 4.8 Influence de la puissance RF sur le rendement. .......................................................................................... 105
Figure 4.9 Banc de mesure. .......................................................................................................................................... 105
Figure 4.10 Banc exprimental pour mesurer le circuit................................................................................................ 106
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Figure 4.11 Structure du circuit de redressement. ........................................................................................................ 107
Figure 4.12 Structure de la rectenna double polarisation circulaire. .......................................................................... 108
Figure 4.13 Banc de mesure de la rectenna dans une chambre anchoque.................................................................. 108
Figure 4.14 Tension DC mesure la sortie de la rectenna aux ports 1 et 2 pour une onde incidente polarisation
linaire. ..................................................................................................................................................... 110
Figure 4.15 Mesure du rendement de la rectenna en fonction de la densit de puissance pour une onde incidente
polarisation linaire. .................................................................................................................................. 111






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INTRODUCTION GENERALE


Durant les dernires dcennies, la transmission et la conversion de puissance solaire-micro-
onde de l'espace vers la terre (SPT
1
) et plus gnralement la transmission de puissance micro-onde
sans fil (WPT
2
) sont devenues de nouvelles technologies alternatives pour rsoudre les problmes
mondiaux de l'nergie avec notamment lpuisement des sources dnergies fossiles. Lide
consistait utiliser un faisceau micro-onde pour transmettre lnergie solaire rcupre et convertie
vers la terre. Les puissances mises en jeu taient ici importantes. Aujourdhui, avec lavnement des
dispositifs sans fils, une des proccupations majeures consiste amliorer lautonomie nergtique
des dispositifs communicants (capteurs, rseaux de capteurs). On souhaite en effet saffranchir de
lutilisation des batteries ou piles, coteuses dans les oprations de recharge, de remplacement et lors
du recyclage. Ces dispositifs sont certes beaucoup moins gourmands en nergie mais avec des
problmatiques similaires ceux voqus plus haut. En effet, l'une des principales exigences d'un
systme de transmission de puissance est le rendement de conversion entre la source (mcanique,
lectromagntique, solaire, vibratoire,) et la puissance convertie continue qui alimentera le
dispositif.
Dans le cadre de cette thse, nous nous sommes focaliss sur la rcupration et la conversion
dnergie hyperfrquence en puissance continue dans la bande ISM (Industrial Scientific Medical)
centre 2.45 GHz. Dans un premier temps du ct de lmetteur, lnergie lectrique DC est
convertie en nergie micro-onde laide dune source RF. Ensuite, cette nergie est rayonne dans
lespace libre par une antenne dmission adapte. Enfin, du ct du rcepteur, une partie de
lnergie rayonne est capte par un circuit spcifique appel Rectenna (Rectifying Antenna) qui
convertit lnergie RF en une puissance DC qui dbitera sur une charge rsistive, celle-ci modlisant
le circuit alimenter. De faon gnrale, un circuit rectenna conventionnel comprend une antenne de
rception suivie dun circuit de conversion RF-DC caractristique non-linaire puisquil intgre
une diode schottky. Ce circuit contient galement souvent un filtre dentre HF, un filtre de sortie
DC et une charge rsistive.
Traditionnellement, les diples ou les antennes patch imprimes sont utiliss comme lment
de captation dans la conception des rectennas. Les antennes imprimes sont compactes, de faibles
paisseurs, dun cot de fabrication modr et peuvent tre conformes sur des surfaces non planes.
En fonction de la forme et du nombre dlments rayonnants, il est possible de gnrer tout type de
polarisation, de diagramme de rayonnement et de gain.

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Wireless Power Transmission
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Parmi les polarisations utilises lors de la transmission dune onde lectromagntique, on
remarque que la polarisation circulaire (CP) est bien souvent retenue lors de la conception des
rectennas. Bien que plus complexe mettre au point, elle permet dans ce cas d'viter les variations
de la tension de sortie, et donc de la puissance, lors du dsalignement possible entre l'metteur ou le
rcepteur.
Dans le cadre de ce travail de thse, nous proposons de concevoir une rectenna double
polarisation circulaire ddie aux applications de rcupration et de conversion dnergie RF la
frquence de 2,45 GHz. Cette rectenna utilisera une antenne double polarisation circulaire gauche
et droite et comportera deux accs distincts selon le type de polarisation choisie. Elle sera constitue
de trois niveaux de mtallisation et de deux substrats. Llment rayonnant et la ligne dalimentation
imprime planaire seront spars par un plan de masse o une fente de couplage lectromagntique
sera grave de faon assurer lalimentation RF de lantenne. La rectenna comportera aussi un
circuit de redressement situ sur chaque accs de l'antenne afin de convertir les ondes RF captes en
une tension continue.

Le manuscrit comporte quatre chapitres. Nous donnerons dans le premier chapitre un tat de
lart sur la transmission dnergie sans fil par micro-onde ainsi que les diffrentes topologies des
circuits de rectification. Nous prsenterons galement le principe de fonctionnement des antennes
imprimes ainsi que les techniques dalimentation. Nous conclurons ce chapitre en prsentant
quelques exemples de travaux sur les rectennas qui utilisent une antenne imprime.

Nous verrons dans le deuxime chapitre une nouvelle mthode permettant la modlisation
globale de la rectenna en utilisant une mthode numrique itrative pour optimiser tout le circuit.
Une impdance de surface a t utilise pour modliser llment actif (diode Schottky). Nous
donnerons une formulation thorique de la mthode et de llment actif utilis. Nous mettrons
galement en avant dans ce chapitre la validation et la faisabilit de la thorie par rapport aux
rsultats de mesure obtenus.

Nous prsenterons dans le troisime chapitre le principe de fonctionnement de lantenne
double polarisation circulaire (droite ou gauche) alimente par couplage travers une fente grave
dans le plan de masse. Une tude du comportement lectromagntique de lantenne et la
caractrisation de la polarisation circulaire seront prsentes. Le dimensionnement de lantenne sera
effectu partir de cette analyse. Cette antenne sera ensuite exploite pour assurer la fonction
dlment de captation dans la rectenna. Nous prsenterons dans la dernire partie de ce chapitre une
variante de cette antenne. Il sagit d'une antenne alimente par couplage de proximit et rejection
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d'harmoniques. Elle utilise les structures DGS (Defect Ground Structure), ce qui permet de rejeter
les harmoniques 4.9 GHz et 7.35 GHz.

Le quatrime et dernier chapitre sera consacr ltude d'une rectenna double polarisation
circulaire. Nous ferons ltude isole du circuit de redressement configuration srie et insisterons
sur la prise en compte de tous les paramtres relatifs ce circuit et qui influenceront le rendement de
conversion. Ltude par la simulation sera effectue laide dun simulateur lectromagntique 3D
et d'un simulateur circuit (Harmonic Balance). Des mesures seront effectues et compares aux
rsultats obtenus par simulation de faon valider ltude.
Le circuit de rectification sera intgr lantenne et mesur en chambre anchoique. Nous
montrerons comment il est possible d'avoir une rectenna de dimensions rduites avec de bons
rendements sur chacun de ses deux accs.

Nous conclurons ce document en prsentant un certain nombre de perspectives futures ce
travail.
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Chapitre I

Etat de l'art





















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I.1 Introduction

A lheure actuelle, nous vivons dans un monde o la consommation dnergie ne cesse de
saccrotre, les besoins nergtiques augmentent de manire considrable tandis que les rserves
spuisent peu peu. La consommation dnergie mondiale dpend environ de 40% du ptrole, les
profits dgags par celui-ci sont donc au cur de la problmatique conomique et gopolitique.
Ainsi, une alternative ces nergies fossiles serait les nergies renouvelables, malheureusement en
faible mergence et ne couvrant actuellement quenviron 13% des besoins nergtiques mondiaux.
En effet, le soleil, leau, le vent, le bois et les autres produits vgtaux sont autant des ressources
naturelles capables de gnrer de lnergie grce aux technologies dveloppes par les hommes. En
outre, le soleil peut tre considr comme l'origine de la plupart des nergies renouvelables notre
disposition: nergie olienne, photovoltaque, etc. Le rayonnement solaire constitue une ressource
10000 fois suprieure la consommation mondiale d'nergie, ressource qui serait inpuisable et
disponible continuellement si lon se situait dans lespace. De ce fait, le principe de transport
dnergie sans fil, qui a vu le jour il y a de cela prs dun sicle, apparaissait dans ce contexte
comme une alternative intressante. Ce concept, dans le cadre dune fourniture dnergie propre et
cologique la plante, consiste collecter lnergie solaire disponible durablement en orbite
terrestre avant de la transfrer vers une station de rception via des ondes RF. Son relatif faible
impact sur lenvironnement en fait une nergie davenir face au problme de la gestion des dchets
du nuclaire et aux missions de gaz effet de serre.

Lide de la transmission dnergie sans fil par micro-onde a t introduite par W.C. Brown
[1], [2], spcialiste de la fabrication de tubes dmission micro-onde dans les annes 1960. Brown
participa dans le cadre dun projet RAMP
1
aux travaux de recherche et dveloppement pour la mise
en uvre dune plate-forme dobservations hliportes stationnaires [3] en haute altitude, dans la
bande ISM 2.45GHz. La premire ralisation a eu lieu en 1963 sur une maquette de plate-forme
guide en altitude par des cbles. Le rendement

(
DC / RF
)qui est le rapport de la puissance DC sur
la puissance RF, mesur tait de lordre de 13% [3]. En 1983 des travaux de conception et de
ralisation dune rectenna, avec un rendement de conversion de 85%, ont t mens avec succs [4].
En 1991, K. Chang et T.W. Yoo ont dvelopp une rectenna intgre 35 GHz avec un rendement
de 33 % pour des puissances dentre de lordre de 60 mW [5].

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1
Raytheon Airborn Microwave Plateform

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Les principales applications se situent dans les domaines suivants:

les prothses mdicales, organes artificiels, monitoring: une littrature abondante dcrit des
principes d'alimentation de pompes cardiaques par ce moyen [6];
la recharge d'un vhicule lectrique et plus gnralement de dispositifs "nomades":
tlphones mobiles, outillage lectroportatif, accessoires lectromnagers [7];
la robotique pour accrotre les degrs de libert et leur autonomie [8];
les applications telles que le chauffage par induction ou lclairage [9].

I.2 La transmission dnergie sans fil par micro-onde
I.2.1 Historique
Cela fait plus de 100 ans que la notion de transmission dnergie sans fil fut introduite par
Nicolas TESLA. Il avait exploit les ondes lectromagntiques pour transporter, sans ligne,
llectricit nimporte o dans le monde. Au dbut du 20
me
sicle, il fit construire une tour de
transmission Long Island (New York), mais l'poque, les connaissances en TESF (Transmission
dEnergie Sans Fil) n'taient qu'empiriques (au niveau des sources de puissances notamment) et le
projet fut abandonn.
Durant la premire et la seconde guerre mondiale, lutilisation des ondes HF pour les
transmissions radars ainsi que lvolution des technologies et des semi-conducteurs ont contribu
lessor de la recherche ddie au TESF. En 1969, Peter Glaser prsente le concept de SPS
2
qui,
associ celui de TESF, pourrait tre une solution de fourniture nergtique alternative et
cologique notre plante.
Dans cette voie, lexprimentation terrestre de GoldStone de 1975 mene par Raytheon Co
constitue une tape importante de validation du concept de TESF. La dmonstration dun systme
pilote, dont le fonctionnement en laboratoire avait abouti un rendement global de 54%, a t
certifie par le service de qualit de la JPL
3
.



_______________________
2 Solar Power Satellite
3 Acronyme anglais: J.P.L pour Jet Propulsion Laboratory (NASA).
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En outre, en 1980, le dpartement de lnergie amricain a manifest son intrt pour cette
technologie en initiant un travail de recherche sous la direction de Bill Brown. Toutefois, en dpit
dimportants travaux de recherche et de nombreuses publications, peu de prototypes ou de
dmonstrateurs ont t raliss. En Avril 1994, lors dune confrence au CNES Paris, Peter Glaser
a propos une voie dans la conduite du projet SPS.
Une des tapes de base est la ralisation de nouvelles dmonstrations terrestres originales et
cologiques de transport dnergie sans fil. A la lumire de ces propositions, le laboratoire
dElectronique, dEnergtique et des Procds "LEP" sest investi ds 1994 dans un projet
denvergure qui proposait de dmontrer dans un avenir proche la faisabilit chelle humaine d'un
transport d'nergie sans fil. En collaboration avec l'quipe japonaise de l'ISAS, ce projet dtude de
cas avait pour but dtudier toutes les consquences et toutes les contraintes relatives lutilisation
du TESF pour alimenter l'let de Grand Bassin situ au fond d'une valle encaisse de lle de La
Runion accessible uniquement en marche pied [10].
Pour se faire, un prototype de dmonstration fut labor et prsent la confrence
internationale WPT01 au campus du Tampon. Les caractristiques du prototype furent dfinies afin
de transmettre une puissance continue lmission de 800W sur une distance de propagation de
40m. En rception, la puissance tait collecte par un rseau de radio piles comprenant 2376
antennes diples rparties sur une surface de 11.76 m [11].

I.2.2 Principe de la transmission dnergie sans fil

Comme le montre le schma synoptique de la figure 1.1, un systme de transmission
dnergie sans fil est constitu dun bloc de conversion dnergie continue en nergie micro-onde
capable dassurer la transmission en espace libre par l'intermdiaire d'une antenne mettrice. La
rception est assure par une antenne rceptrice suivie dun systme de redressement RF-DC.
Chaque lment du systme TESF peut tre caractris par son efficacit.








Figure 1.1 Diagramme d'un systme TESF.


En 1975, les travaux publis par Brown et Dickinson [1] font tat dun rendement de
conversion exprimental de 54%. Les tailles et les dimensions des lments constituant un systme
de TESF sont en relation directe avec le rendement de conversion et lefficacit de transmission. En


Conversion
DC-RF

Antenne
mettrice

Antenne
rceptrice

Conversion
RF-DC
Espace libre
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effet, les travaux mens notamment par Goubau et kogelnik [12], [13] ont montr que lefficacit ou
le rendement de transmission tait li un paramtre dfini par :

d
A A
r t

=
o
A
t
: aire quivalente lmission;
Ar : aire quivalente la rception;
: distance sparant lmetteur et le rcepteur.

Le bilan de liaison dune chane de transmission peut tre dfini soit en utilisant le concept de
gain ou en utilisant le concept daire quivalent.

La puissance reue est donne par :
r t 2 2
t
r
A A
d
P
P

=


Le paramtre tant proportionnel au champ reu, la figure 1.2 montre la variation du
rendement en fonction du paramtre [1]. Plus augmente, plus le rendement (P
DC
/P
r
) est
important. Par consquent, est trs critique pour le dimensionnent des antennes.


Figure 1.2 Rendement de transmission en fonction de [1].

Dans ce travail, nous nous intresserons uniquement ltude de la partie rception, celle-ci
pouvant avoir plusieurs topologies.

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Antenne

Filtre HF

Circuit de
redressement

Filtre DC

Charge
I.2.3 Structure de base dune rectenna

Llment fondamental dun systme de rcupration dnergie sans fil est la rectenna
"rectifying antenna". Une rectenna est compose essentiellement dune antenne rceptrice suivie
dun circuit de redressement qui convertit lnergie micro-onde en une nergie continue DC.
Gnralement, les rectennas sont conues en technologie imprime, et cela pour des raisons de cot,
de compatibilit et de facilit de ralisation [14], [15], [16], [17], [18], [19], [20],[21]. Le schma
bloc dune rectenna classique est montr sur la figure 1.3 ci-dessous.





Figure 1.3 Schma bloc dune rectenna.

Pour la partie antenne, des diples et des patches polarisation circulaire et gain lev sont
les plus utiliss. La polarisation circulaire est une caractristique trs importante dans la conception
des rectennas, elle permet de garder une tension DC pratiquement inchange avec la rotation du
rcepteur (rectenna) ou de lmetteur [16], [18], [19], [20], [21].
Pour le circuit de redressement, diffrentes configurations peuvent tre utilises pour
convertir lnergie RF en nergie DC, comme les ponts et les demi-ponts de diodes, ainsi que les
diodes srie et shunt. Les diodes Schottky sont nanmoins les plus utilises dans ce type
d'applications [19].

Le filtre dentre HF est un filtre passe-bas double fonction. Il assure dune part la rejection
des harmoniques cres par le circuit de redressement (qui est un circuit non linaire), et ladaptation
de lantenne au circuit de redressement dautre part [14], [15], [22]. Ce filtre HF peut tre
directement intgr dans lantenne de rception, pour obtenir ce quon appelle une antenne
rejection dharmoniques [23], [24]. Ce type dantennes est notamment intressant du fait quil rduit
les dimensions de la rectenna ainsi que son cot.

Le filtre de sortie DC est un filtre passe-bas comprenant une capacit en parallle avec la
charge. Ce filtre laisse passer la puissance DC et bloque lnergie RF. La distance entre la diode et la
capacit de sortie est utilise pour ajuster la capacitance de la diode, ce qui est ncessaire pour
maximiser lefficacit de la diode.
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I.3 Circuit de conversion
I.3.1 Diode Schottky

Le circuit de redressement est bas sur une ou plusieurs diodes Schottky, il utilise une
jonction mtal/semiconducteur la place dune jonction PN comme pour les diodes
conventionnelles. Pour une polarisation directe (denviron 1mA), les diodes Schottky ont une
tension de seuil qui se situe dans la gamme de 0.15V 0.45V. Ils possdent un temps de transition
faible, ce qui les rend rapide en commutation. La diode Schottky que nous avons utilise est
optimise pour fonctionner entre 915 MHz et 5.8 GHz [25], son modle lectrique quivalent est
montr dans la figure 1.4 ci-dessous.

Figure 1.4 Modle lectrique quivalent d'une diode Schottky.

Le modle lectrique est constitu dune rsistance srie R
s
, dune capacit de jonction
variable C
j
et dune rsistance de jonction R
j
. Le botier de la diode est modlis par une inductance
srie L
p
et une capacit parallle C
p
. Le courant I
d
parcourant la diode est donn par la lexpression
suivante:

|
|

\
|
=
|
|

\
|

1 e I I
d
V
T . K . N
q
s d
o:
N: coefficient dmission;
q: charge de l'lectron (1.6 10
19
C);
T: temprature du circuit (K);
K: constante de Boltzmann (1.380662 10
23
JK
1
);
V
d
: tension aux bornes de la diode.
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La capacit C
d
de la diode reprsente les effets de stockage de charge de la jonction. Il existe
deux expressions pour cette capacit selon que la jonction est polarise en direct ou en inverse. En
polarisation inverse, la capacit peut se mettre sous la forme :
M
b
d
j d
P
V
C C

|
|

\
|
= 1
0

C
j0
: Capacit de jonction polarisation nulle (pF);
P
b
: Potentiel de jonction (V);
M : Coefficient de variation de jonction;

En polarisation directe, la capacit s'crit comme suit:

. .
.
. .
q
Vd
N k T
Is q
Cd tt e
N k T
=

o tt est le temps de transit.


I.3.2 Topologie srie

Dans cette configuration donne par la figure 1.5, la diode est connecte en srie entre le
circuit dadaptation et le filtre de sortie [26], [27], [28].








Figure 1.5 Schma synoptique de la topologie srie.

Lavantage de cette topologie est principalement li sa ralisation et sa conception. Elle est
mieux adapte aux lignes micro-rubans. En outre, la caractrisation et la modlisation de la diode en
srie sont plus aises que celles en parallle



Diode
Schottky
Filtre DC Gnrateur
RF
Filtre RF
+
Adaptation
Charge
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Diode
Schottky
Diode
Schottky
Filtre DC
Filtre RF
+
Adaptation
Gnrateur
RF
Charge
I.3.3 Topologie parallle

Dans cette configuration, la diode est place en parallle entre les deux filtres HF et DC, avec
lanode ou la cathode connecte au plan de masse [23], [29], [30], [31], [32]. La diode se retrouve
par consquent polarise par la tension DC gnre.

La figure 1.6 montre le schma bloc de cette topologie parallle.







Figure 1.6 Schma synoptique de la topologie parallle.


I.3.4 Topologie doubleur de tension

Le doubleur de tension comporte une capacit srie et deux diodes Schottky, Dans cette
topologie et en fonctionnement DC, les deux diodes se retrouvent en srie avec la charge, et la
tension de sortie peut par consquent tre double [24], [33] (figure 1.7).








Figure 1.7 Schma synoptique de la topologie doubleur de tension.

La dtection du rendement des deux diodes permet davoir un dtecteur avec une sensibilit
double de la tension habituelle.


Diode
Schottky
Gnrateur
RF
Filtre RF
+
Adaptation
Filtre DC
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I.3.5 Topologie en pont de diodes modifi

Dans cette topologie, le circuit de conversion est sous forme d'un pont de diode modifi 4
diodes. Le circuit en technologie micro-ruban [34].














Figure 1.8 Schma synoptique de la topologie en pont de diodes modifi.


I.4 Les antennes imprimes
I.4.1 Structure micro-ruban
La technique des circuits imprims, qui a rvolutionn le domaine de llectronique, sest peu
peu tendue celui des hyperfrquences. Elle y a dabord t employe pour raliser des lignes de
transmission, des circuits et un peu plus tard des antennes [35]. Un circuit imprim est form dun
substrat mince en matriau isolant (dilectrique) sur lequel sont dposes de fines couches
mtalliques. En hyperfrquences, il est usuel de mtalliser tout un ct du substrat (plan de masse),
tandis que lautre ct nest que partiellement recouvert de mtal (conducteur suprieur). Nous
parlons alors de structure micro-ruban (figure 1.9).







Figure 1.9 Structure d'antenne micro-ruban.

Plan de masse Substrat
Mtal
Charge
2 Diodes
Schottky
2 Diodes
Schottky
Gnrateur
RF
Stub
Stub
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La faible paisseur des substrats est un atout majeur pour les antennes qui sont destines aux
applications arospatiales. De plus, comme certains substrats sont flexibles, il est envisageable de
plaquer ces antennes sur la surface externe dun satellite ou dun avion. On parle alors dantennes
conformes [36], [37].

Lemploi de masques et de techniques photolithographies ou mcaniques permet de
reproduire en grand nombre des pices pratiquement identiques. Pour les antennes, on peut ainsi
assembler des lments rayonnants pour former des rseaux. Cette proprit de duplication est aussi
attrayante pour la production en grande srie dantennes destines la rception directe de tlvision
par satellite [38], [39]. Leur faible encombrement et leur poids rduit font galement de ces antennes
des bonnes candidates pour les applications ncessitant des petites antennes comme les systmes de
communication courte distance par exemple [40]. Pour ce type dapplication, lencombrement de
lantenne est un facteur plus important que le gain.

Ces divers avantages sont assortis dinconvnients non ngligeables. Les substrats utiliss
pour la conception dantennes micro-rubans (appeles aussi antennes imprimes ou antennes patchs)
sont pertes. Il en rsulte une perte de rendement car les lignes de champs se concentrent dans le
substrat dilectrique qui se caractrise par sa tangente de pertes. Les pertes dans le mtal sont une
source de problme pour les applications trs hautes frquences. La prsence dondes de surface peut
produire des couplages parasites entre lments, ce qui rend difficile le contrle des lobes
secondaires dune antenne rseau. Comme on fait le plus souvent usage de structures rsonnantes, la
bande passante obtenue nest que de quelques pourcents. Pour llargir, il faut combiner plusieurs
rsonances. Il est important de noter galement que la ralisation dantennes patchs grande puret
de polarisation nest pas une opration facile mettre en uvre.

I.4.2 Les antennes patchs

Pour comprendre comment fonctionne une antenne patch, considrons la coupe donne sur la
figure 1.10. Au point a du conducteur suprieur, on considre une source ponctuelle (densit de
courant de surface) qui rayonne dans toutes les directions, une partie du signal mis est rflchie par
le plan de masse, puis par le conducteur suprieur et ainsi de suite. Certains des rayons aboutissent
sur larrte du conducteur (point b) qui les diffracte.

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Figure 1.10 Trajectoires des rayons dans une antenne patch.

Cette figure peut tre divise en trois rgions distinctes:

A. Dans le substrat, entre les deux plans conducteurs, les rayons sont les plus concentrs. Le
champ lectromagntique saccumule dans cette rgion de lespace. Cette proprit est trs utile pour
la propagation du signal le long dune ligne micro-ruban.

B. Dans lair, au-dessus du substrat, le signal se disperse librement dans lespace et contribue au
rayonnement de lantenne. Comme les courants de surface circulent surtout sur la face infrieure du
conducteur suprieur (ct dilectrique), le rayonnement est surtout mis par le voisinage immdiat
des artes. Certains modles simplifis mettent profit cette constatation: ils considrent le
rayonnement dun ensemble de fentes fictives situes sur le pourtour de lantenne.

C. Certains rayons atteignent les surfaces de sparation avec une incidence rasante et restent
pigs lintrieur du dilectrique. Il sagit du mcanisme de la rflexion totale dont font usage les
fibres optiques. Une onde de surface est alors guide par le bord du dilectrique, ne contribuant pas
directement au rayonnement de lantenne. Toutefois, quand cette onde atteint le bord du substrat
(point c), elle est diffracte et gnre un rayonnement parasite. Dans le cas dune antenne en rseau,
londe de surface cre un couplage entre les lments du rseau. Le diagramme de rayonnement de
lantenne peut tre perturb par la prsence donde de surface, notamment au niveau de lobes
secondaires.

La mthode des rayons, emprunte loptique gomtrique, donne une illustration simple des
phnomnes dont lantenne patch est le sige. Elle nest en revanche pas utilisable pour leurs calculs,
les dimensions de lantenne tant de lordre de la longueur donde.


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I.4.3 Techniques dexcitation dune antenne patch micro-ruban
I.4.3.1 Introduction
Lantenne patch micro-ruban peut tre alimente par plusieurs techniques qui peuvent
tre classes en deux catgories: avec contact et sans contact. Dans la premire technique, la
puissance RF est alimente directement au patch rayonnant en utilisant un lment de liaison comme
une ligne micro-ruban. Dans la deuxime technique, un couplage de champ lectromagntique est
fait pour le transfert de puissance entre la ligne micro-ruban et le patch rayonnant. Les quatre
techniques dalimentations les plus utilises sont la ligne micro-ruban, la sonde coaxiale, le couplage
par fente et le couplage par proximit.
I.4.3.2 Alimentation par ligne micro-ruban
Dans ce type de technique dalimentation, une ligne micro-ruban est relie directement au
bord du pav micro-ruban comme le montre la figure 1.11. La largeur de la ligne ajustera
l'impdance caractristique de la ligne d'alimentation. En effet, cette technique d'alimentation
prsente un avantage puisque l'antenne et le circuit d'alimentation sont gravs sur le mme substrat.
Le but de lencoche grave sur le patch est de faire correspondre l'impdance caractristique de la
ligne d'alimentation l'impdance d'entre du patch sans avoir besoin d'lments supplmentaires.
Ceci est ralis en contrlant la bonne profondeur de lencoche.

Figure 1.11 Alimentation par ligne micro-ruban dune antenne patch.

Il s'agit donc d'une technique d'alimentation relativement simple car elle offre une facilit
de fabrication, une simplicit de modlisation et une bonne adaptation d'impdance. Cependant, en
raison de l'augmentation possible de l'paisseur du substrat dilectrique utilis, les ondes de surface
Plan de masse


Ligne dalimentation micro-ruban
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et le rayonnement parasite de l'alimentation augmentent aussi, ce qui a pour effet la dgradation de la
bande passante de l'antenne [41]. En outre, le rayonnement parasite de l'alimentation donne lieu un
rayonnement indsirable d la polarisation croise.
I.4.3.3 Alimentation par sonde coaxiale
L'alimentation par sonde coaxiale est une technique trs couramment utilise pour
l'alimentation des antennes patchs micro-rubans. Comme le montre la figure 1.12, le conducteur
interne du connecteur coaxial s'tend travers le dilectrique pour tre soud au patch, tandis que le
conducteur extrieur est reli au plan de masse. Le principal avantage de ce type d'alimentation est la
possibilit de placer la sonde coaxiale n'importe quel endroit l'intrieur du patch afin de
rechercher l'adaptation. Cette mthode d'alimentation est simple concevoir.

Figure 1.12 Alimentation par sonde coaxiale dune antenne patch.


I.4.3.4 Alimentation par couplage par fente

Dans ce type de technique dalimentation, le plan de masse spare le patch rayonnant et
la ligne d'alimentation, figure 1.13. Le couplage entre les deux lments est obtenu grce une fente
ou une ouverture dans le plan de masse. La fente de couplage est gnralement centre sous le patch
entranant ainsi une baisse de polarisation croise cause de la symtrie de la configuration. Le
couplage entre la ligne d'alimentation et le patch est dtermin par la forme, la taille et
l'emplacement de l'ouverture ou de la fente. Dans cette technique dalimentation, le rayonnement
parasite est rduit au minimum.
En rgle gnrale, afin doptimiser le rayonnement du patch, une constante dilectrique
leve est utilise pour le substrat infrieur, tandis qu'une paisseur plus grande et une constante
dilectrique faible sont utilises pour le substrat suprieur [41]. L'inconvnient majeur de cette
configuration rside dans la difficult de fabrication due la prsence de plusieurs couches, ce qui a
pour effet d'augmenter l'encombrement de l'antenne et le cot.
Patch
Substrat
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Figure 1.13 Alimentation par couplage par fente.


I.4.3.5 Alimentation par couplage par proximit

Il s'agit en fait d'une technique dalimentation par couplage lectromagntique. Comme le
montre la figure 1.14, deux substrats dilectriques sont utiliss de sorte que la ligne d'alimentation se
situe entre les deux substrats, tandis que le patch se retrouve au dessus du substrat suprieur. Le
principal avantage de cette technique d'alimentation est qu'elle limine le rayonnement parasite de
l'alimentation et fournit une bande passante leve due l'augmentation globale de l'paisseur de
l'antenne [41]. Ce systme offre aussi le choix entre deux milieux dilectriques, l'un pour le patch et
l'autre pour la ligne d'alimentation afin d'optimiser les performances de lantenne. Ladaptation peut
tre obtenue en contrlant la profondeur de la ligne d'alimentation sous le patch et la largeur du
patch. L'inconvnient majeur de ce type d'alimentation est la difficult de fabrication due la
superposition de deux couches dilectriques, et donc limprcision au niveau de l'alignement des
couches. Notons enfin qu'il y a une augmentation de l'paisseur globale de l'antenne et du cot.


Patch
Fente de couplage
Plan de masse

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Figure 1.14 Alimentation par couplage par proximit.


I.5. Quelques travaux sur la conception et la ralisation des rectennas utilisant des antennes
patchs

I.5.1 Rectenna avec une antenne micro-ruban rejection d'harmoniques

La figure 1.15 montre le schma d'une rectenna en topologie parallle connecte un patch
circulaire la frquence 2.4 GHz. La rectenna, grave sur le RT/ Duroid 5870, utilise une diode
Schottky HSMS 2820 pour le circuit de redressement. Cette rectenna dveloppe par J. Y. Park est
capable d'liminer les harmoniques gnres par la diode avec la forme spcifique de lantenne [23].
Son rendement de conversion est de 77.8% pour une charge de 150 .









Figure 1.15 Rectenna avec une simple antenne micro-ruban.
Patch

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Plan de masse
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I.5.2 Rectenna double frquence polarisation circulaire

La figure 1.16 prsente une rectenna conue par Jouko Heikkinen [43] et travaillant deux
frquences 2.45 GHz et 5.8 GHz. Cette rectenna se compose de deux fentes en anneaux formant
llment rayonnant, et de deux circuits de redressement gravs de lautre ct du substrat.

Figure 1.16 Rectenna double frquence.

La diffrence de dimensions sur les fentes en anneaux et les lignes et leurs positions
orthogonales font que la rectenna possde deux frquences de travail et que lantenne gnre une
polarisation circulaire. La rectenna est ralise sur un substrat RO4232, une tension DC de sortie de
2V et de 1V sont respectivement obtenues aux 2 frquences 2.45 GHz et 5.8 GHz. Les rendements
de conversion pour les deux frquences sont respectivement 62% et 19%.

I.5.3 Rectenna double diode

Dans ce travail, une nouvelle structure de rectenna polarisation circulaire tait prsente par
Yu-Jiun Ren [44] dont le circuit comporte une ou deux diodes, figure 1.17. La rectenna se compose
dune ligne coplanaire, d'une antenne carre tronque et d'un filtre passe-bande pour bloquer les
harmoniques gnres par le circuit de conversion.








Figure 1.17 Rectenna double diode.
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La rectenna est imprime sur un substrat Rodgers Duroid 5880, elle peut fournir au moins
deux fois la tension continue de sortie qu'une rectenna traditionnelle avec seulement une diode. Le
dispositif double diode atteint un rendement de conversion RF-DC de 76% 5.8 GHz. Une
structure en rseau a t dveloppe de faon fournir une tension de sortie plus leve.

I.6 Problmatique

En ce qui concerne la partie rception et malgr plusieurs travaux mens et valids par de
nombreux rsultats [45], [46] et [47], d'autres pistes de recherches concernant loptimisation des
systmes de redressement restent encore explorer et dvelopper, en particulier :
Loptimisation de la rectenna complte sous un mme environnement de simulation;

Le choix de la structure dantenne la plus approprie et du type de polarisation pour une
efficacit d'antenne optimise;

La modlisation exacte du redresseur (diode Schottky) pour plusieurs puissances RF;

Avoir une structure la plus compacte possible pour application dans les systmes de
communications mobiles.

C'est pourquoi, nous aborderons au travers des chapitres suivants ces diffrentes pistes de
recherches en confrontant chaque tape de modlisation les rsultats de simulation obtenus avec les
rsultats de mesures effectues.

I.7 Conclusion

Nous avons rappel dans ce chapitre les principales topologies des circuits de conversion et
les antennes patchs utilises en tant qulment de captation du champ lectromagntique. Nous
avons galement prsent quelques travaux sur les rectennas. Celles-ci utilisent des antennes patch
double frquence, polarisation circulaire et intgrant une ou deux diodes. Dans les chapitres
suivants, nous montrerons que notre contribution portera sur les systmes de rcupration dnergie
RF qui comporteront des lments actifs (diode Schottky) utilisant la technologie micro-ruban. Nous
indiquerons que la technique dalimentation par couplage par fente est la solution la plus approprie
pour notre application. En effet, avec ce type dalimentation, nous pouvons facilement rduire
linterfrence de rayonnement entre llment rayonnant et llment actif.

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Chapitre II


Modlisation globale et optimisation des
circuits micro-ondes actifs non linaires
par la mthode itrative : Application aux
rectennas.












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II.1 Introduction


La simulation des circuits micro-ondes devient, de plus en plus, une tape cl de leur
conception. En effet, le cot lev des technologies et le temps mis uvre pour la ralisation dune
fonction de llectronique analogique (oscillation, mlange, dphasage, commutation, amplification,
balayage de frquence, ) rendent impossible lapproche classique qui consiste tester plusieurs
maquettes dessai pour y apporter les amliorations ncessaires. Le concepteur doit disposer dun
outil de simulation pour prvoir les performances dun composant ou dun circuit fonctionnant sous
diffrentes conditions.

Depuis plusieurs annes, les chercheurs se sont penchs sur llaboration des logiciels de CAO
permettant la simulation de diffrents circuits actifs oprant dans le domaine des micro-ondes.
Llaboration dun logiciel performant rpondant aux besoins des concepteurs passe forcment par :

- Le dveloppement des modles permettant de simuler les caractristiques du circuit dans
diffrents modes de fonctionnement;
- Llaboration des techniques dextraction des paramtres de ces modles;
- La matrise des mthodes de calcul permettant de rsoudre les quations dcrivant le
comportement du systme tudi.

Plusieurs mthodes numriques ont t dveloppes pour modliser et tudier des circuits
micro-ondes en technologie micro-ruban savoir les mthodes intgrales et diffrentielles. Face la
complexit de ces circuits, ces mthodes ont t rajustes pour la mise en uvre dune approche
itrative en ondes transverses. De nombreuses tudes ont t menes avec cette approche pour
tudier des circuits planaires simples ou multicouches de forme arbitraires et comportant des
lments passifs et des circuits planaires intgrant des lments actifs (diode, transistor).

Cest dans ce contexte et dans le but de rpondre aux nouveaux besoins de la modlisation
des circuits planaires intgrant des lments actifs que se situe notre travail de recherche. Notre
approche portera ainsi sur la modlisation globale dune rectenna qui contient un lment non
linaire (diode Schottky). Nous introduisons une nouvelle mise en quation de la mthode itrative
pour tudier des circuits micro-ondes actifs.

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La mthode itrative note "WCIP" (Wave Concept Iterative Process) est une mthode
intgrale base sur le concept donde, pour la rsolution des problmes de diffraction
lectromagntique et lanalyse des circuits planaires. Elle fait appel la transforme de Fourier
Rapide en Mode (FMT) (Annexe B). Cette mthode repose sur la manipulation des ondes incidentes
et rflchies au lieu du champ lectromagntique [1], [2], [3], [4], [5]. Ainsi, la mthode dfinit deux
oprateurs, un dans le domaine spatial et lautre dans le domaine spectral. Elle est diffrente des
autres mthodes intgrales (Mthodes des moments, Mthode de Galerkin,), diffrentielles
(F.D.T.D) [6-7], et lment finis, et ne fait usage ni du produit scalaire, ni dinversion matricielle.
Applique en espace guid, elle permet de dfinir limpdance vue par la source dun guide donde
rectangulaire comportant des discontinuits mtalliques.

II.2 Dveloppement de la mthode

II.2.1 Formulation des conditions aux limites

Considrons un plan dinterface (P) (figure 2.1). Ce plan est partiellement mtallis et
contient une source de champ (lectrique ou magntique).









Figure 2.1 Domaine de rsolution des conditions aux limites.

Sur les diffrents sous domaines, les conditions de continuit scrivent selon lquation
(2.1). Le champ magntique H est nul sur le dilectrique (D). Le champ lectrique E est nul sur le
mtal (M).

Sur le domaine de la source, nous pouvons crire : ) (
0 0
H n z E E = (2.1)
o E et H sont les deux composantes du champ lectromagntique.


Source







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Dans tout ce qui suit, nous notons la face suprieure du plan (P) par (1) et la face infrieure par (2).

Si nous considrons ces deux faces du plan (P), nous pouvons crire:

+ =
= +
= =
) ( ) (
) ( 0
) ( 0
2 1 0 0
2 1
2 1
P J J z E E
D J J
M E E
(2.2)


i
J est dfini par le produit vectoriel suivant:
i i i
H n J = o
i
n est le vecteur unitaire
normal
i
P

et orient du plan P vers lextrieur (soit vers la rgion 1 ou 2 en fonction de la rgion
considrer). De part et dautre de (P), nous pouvons crire:

=
=

2 2 2
1 1 1
E Y J
E Y J
(2.3)
o

2 1
Y et Y sont deux oprateurs donns dans [2].

La traduction des conditions aux limites en termes dquation donde permet dtendre la
formulation du problme aux limites au cas plus complexe des conditions aux limites. Ainsi, les
variables ne sont plus les deux composantes du champ lectromagntique, mais une combinaison
linaire de celles-ci.

II.2.2 Le concept donde

Soient deux rgions distinctes caractrises par ) , , (
1 1 1

r
et ) , , (
2 2 2

r
spares par un
plan P dpaisseur ngligeable ) ( = sur laquelle est imprim un circuit. Nous dfinissions les deux
plans fictifs
1
P et
2
P , infiniment voisins de plan P , figure 2.2. Ces deux plans symbolisent la
sparation entre le domaine spatial et le domaine spectral pour les deux milieux (1) et (2).
En excitant la structure par une source de champ lectrique E
0
, on pourra gnrer les ondes
) (
) 0 (
2
) 0 (
1
B et B de part et dautre du plan P. Ces ondes seront rflchies par les moitis suprieure et
infrieure du botier pour donner naissance aux ondes ( )
) 1 (
2
) 1 (
1
A et A . Ces dernires constituent les
ondes incidentes de litration suivante. Elles se diffractent sur le plan du circuit donnant naissance
aux ondes ( )
) 1 (
2
) 1 (
1
B et B . Celles-ci seront leurs tours rflchies par les moitis infrieure et
suprieure du botier pour donner ensuite des ondes incidentes de la deuxime itration notes
( )
) 2 (
2
) 2 (
1
A et A

et ainsi de suite jusqu la convergence [8].
t
e
l
-
0
0
6
8
2
8
9
8
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2
7

M
a
r

2
0
1
2
42
Avec
i
Z
E
0
0 (0)
i
2
B = : vecteur dexcitation relative la source utilise. Lexpression de
(0)
i
B dpend
de la nature de la source.















Figure 2.2 Dfinition des ondes incidentes et rflchies.

Les amplitudes de ces ondes incidentes et rflchies sur linterface sont exprimes en
fonction des champs lectriques et de la densit des courants par les relations suivantes :

i
i
i
i
i
i
i
i
J
E
Z
Z
Z
Z
B
A
(
(
(
(
(

=
2
2
1
2
2
1
0
0
0
0
(2.4)


i
A et
i
B sont respectivement les ondes incidentes et rflchies dans le plan
i
P (Annexe (A)).
i
Z
0
dsigne limpdance donde du milieu i, (i est lindice de milieu (i=1 ,2)), et a pour expression
0
0
0

i
i
Z = , cette valeur est calcule partir du rapport
i
i
H
E
. Elle est relle dans le cas particulier
o le milieu est sans pertes et elle est complexe dans le cas gnral de milieu pertes.
i
E et
i
H dsignent respectivement le champ magntique et lectrique tangentiels la surface (P).


) 0 (
1
B
r





) 1 (
2
k
B
r

1
n
r

2
n
r

1
P
2 r

1 r

Domaine spectral

Domaine spectral

Milieu (1)
Milieu (2)
t
e
l
-
0
0
6
8
2
8
9
8
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2
7

M
a
r

2
0
1
2
43
Les expressions des grandeurs lectromagntiques sont dfinies partir de lquation (2.5) et
se mettent sous la forme suivante :

i
i
i i
i i
i
i
B
A
Z Z
Z Z
J
E
(
(
(

=
0 0
0 0
1 1 (2.5)

II.2.3 Oprateur de rflexion dans le domaine spectral

A chaque demi-espace de part et dautre du plan P, on associe une relation de fermeture
donne par lquation suivante :
i i i
E Y J

= (2.6)

i
Y est loprateur admittance associ au demi-espace entourant la surface (P) du ct du milieu i.
Un dveloppement spectral est donn par lquation (2.7).


+ =

mn
TM
mn
TM
i mn
TM
mn
mn
TE
mn
TE
i mn
TE
mn i
f Y f f Y f Y
, ,
(2.7)

Daprs lquation (2.5) on peut dduire la relation suivante :

=
+ =
i
i
i
i
i
i i i i
Z
B
Z
A
J
Z A B Z E
i
0 0
0 0
(2.8)

En combinons lquation (2.8) avec lquation de relation de fermeture (2.6), on peut crire :

+ =
+ =
)
1
( )
1
(
) (
0
0 0
0
0
0 0
i
i i i
i
i
i i i
i
i
i
i
Z
Z Y B Z Y
Z
A
A B Z Y
z
B
Z
A
(2.9)

La relation entre les ondes incidentes et rflchies est dduite par lquation suivante :
i
i
i
i
A
Y Z
Y Z
B
0
0
1
1
+

= (2.10)
Lorsque le guide donde est court-circuit la hauteur h par un plan de masse, lexpression
de loprateur rflexion est donne par la relation (2.11) :
t
e
l
-
0
0
6
8
2
8
9
8
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2
7

M
a
r

2
0
1
2
44
0 0
0 0
0 , ,
0 , ,
, TE
mn,i ,
,
1- ( )
1 ( )
Y = , , = TE,TM
i mn i mn i i
i
i mn i mn i i
mn i TM
mn i
mn i
Z Y Coth h
Z Y Coth h
j
Y
j

(2.11)
et si le guide est infini (sans capot), c'est--dire la structure est ouverte, lexpression devient :
0 ,
0 ,
2 2
2
, 0
1-
1
i mn i
i
i mn i
mn i ri
Z Y
Z Y
m n
k
a b

| | | |
= +
| |
\ \

(2.12)
k
0
tant le nombre dondes dans le vide la frquence de travail et
, mn i
la constante de propagation
dans le milieu i.
m, n : dsignant lindice relatif aux modes ;
a : correspondant la dimension du circuit suivant laxe (ox) ;
b : Correspondant la dimension du circuit suivant laxe (oy) ;
0

: Permittivit magntique du vide ;

0

: Permittivit lectrique du vide ;

ri

: Permittivit relative du milieu i ;

: Pulsation angulaire gale f . . 2 .

La relation entre les ondes dans le domaine spectral sera :
|
|

\
|
|
|

\
|

=
|
|

\
|
TM
i
TE
i
TM
i
TE
i
TM
i
TE
i
A
A
B
B
0
0
(2.13)
i =1,2 est lindice de milieu, TE et TM : indice des modes.

II.2.4 Oprateur de diffraction dans le domaine spatial

La relation dans le domaine spatial est dtermine par loprateur de diffraction qui
gnralise les conditions aux limites et les conditions de continuit sur les diffrents domaines
constituant linterface de discontinuit (P) de la structure. Dans ce sens, nous pouvons dfinir trois
oprateurs relatifs aux trois domaines (mtal, dilectrique et source).
Pour bien dcrire le circuit dans le domaine spatial, nous allons discrtiser linterface sous
forme de pixels et nous introduisons les chelons dHeaviside, H
m
, H
d
et H
s
sachant que H
m
= 1 sur
le mtal et 0 ailleurs, H
d
= 1 sur le dilectrique et 0 ailleurs, et H
s
= 1 sur la source et 0 ailleurs.
t
e
l
-
0
0
6
8
2
8
9
8
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2
7

M
a
r

2
0
1
2
45
II.2.4.1 Domaine mtallique

Le champ lectrique tangentiel de part et dautre de la discontinuit est nul sur le mtal,
ce qui sexprime par :

= +
= =
0 2 1
2 1
0
J J J
E E

(2.14)
En remplaant ces grandeurs par leurs expressions donnes en (2.5), lgalit prcdente
devient alors :
0 ) ( ) (
2 2 02 1 1 01
= + = + B A Z B A Z
(2.15)
Ce qui permet den dduire que:
1 1
2 2
B A
B A
=

(2.16)
Les deux relations prcdentes peuvent se mettre sous la forme dun systme matriciel liant
les ondes incidentes et les ondes rflchies au niveau de (P) en fonction de la fonction gnratrice de
domaine mtallique H
m
:
1 1
2 2
0
0
B A Hm
B A Hm
| | | | | |
=
| | |

\ \ \
(2.17)

II.2.4.2 Domaine dilectrique

Les conditions de continuit et les conditions aux limites des champs lectromagntiques
transverses sur le domaine dilectrique impliquent que la densit de courant totale est nulle et que le
champ lectrique de part et dautre de la discontinuit est identique, do la relation :

= +
=
0
2 1
2 1
J J
E E
(2.18)
En termes dondes, les quations du systme (2.18) deviennent :
1 1 2 2
01 02
01 1 1 02 2 2
1 1
( ) ( )
( ) ( )
A B A B
Z Z
Z A B Z A B

+ = +

(2.19)

Pour satisfaire les proprits lectromagntiques sur le domaine dilectrique, lquation
(2.15) doit tre rsolue simultanment afin dtablir le systme liant les ondes rflchies et les ondes
incidentes. Ce systme est exprim en fonction de la gnratrice dilectrique Hd et les composantes
relatives au milieu, il est dcrit par les relations suivantes :
t
e
l
-
0
0
6
8
2
8
9
8
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2
7

M
a
r

2
0
1
2
46
2
2 2
1 1
2
2 2
2 2
1 2
1 1
2 1
1 1
n n
Hd Hd
B A
n n
B A
n n
Hd Hd
n n
| |

|
| | | |
+ +
|
=
| |
|
\ \
|
+ + \
(2.20)
Avec:
02
01
Z
Z
n =



II.2.4.3 Domaine de la source


a Cas o la source dexcitation est bilatrale

La relation liant les ondes rflchies aux ondes incidentes sur le domaine de la source
est tablie partir des conditions qui seront dfinies en considrant deux types dexcitation
distinctes. Si la source gnre des ondes de part et dautre de linterface de discontinuit de telle
sorte que les champs soient identiques dans les deux milieux, cette source est appele source
bilatrale. Le schma lectrique quivalent ce type dexcitation est illustr par la figure 2.3.

Limpdance quivalente de deux milieux prend lexpression suivante :
02 01
02 01
0
Z Z
Z Z
Z
+
= (2.21)










Figure 2.3 Circuit quivalent de la source bilatrale.

Les conditions aux limites sur le domaine de la source sont dduites partir du circuit quivalent :
1 2 0 0 1 2
( ) E E E Z J J = = +
(2.22)

J
1
J
2
E
1
E
2
Z
0

E
0

t
e
l
-
0
0
6
8
2
8
9
8
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2
7

M
a
r

2
0
1
2
47
En exprimant cette quation en termes dondes, on obtient :
01 1 1 0 0 1 1 2 2
01 02
02 2 2 0 0 1 1 2 2
01 02
1 1
( ) ( ) ( )
1 1
( ) ( ) ( )
Z A B E Z A B A B
Z Z
Z A B E Z A B A B
Z Z
(
+ = + (
(

+ = +
(

(

(2.23)

La relation entre les ondes incidentes et les ondes rflchies sera :

1 2
01 1 2 1 2 1 1
2 2 1 2 02
1 2 1 2
0
01
01
02 0 1 2
02
1 2
1 1
1 2
1 1
1
1
s s
s s
n n n
H H
B n n n n B A
B A n n B n
H H
n n n n
E
Z
B
B E n n
Z
+ + | |
|
+ + + + | | | | | |
|
= +
| | |
| +
\ \ \
|
+ + + +
\

| |

| |
|
=
|
|
+ +
\
|
|
\
(2.24)
avec
0
0 0
1 2
01 02 01 02
, ,
Z Z Z
n n n
Z Z Z Z
= = = , o Z
01
et Z
02
sont les impdances intrinsques de deux
milieux.

b Cas o la source dexcitation est unilatrale

Une source planaire peut gnrer des ondes dans un seul milieu, cest une source unilatrale,
la face de la source qui ne produit pas des ondes sera mtallise dans ce cas. Le circuit quivalent
dans le cas o la source gnre des ondes dans le premier milieu est illustr dans la figure 2.4.









Figure 2.4 Circuit quivalent de la source unilatrale dans le milieu 1.
E
1
J
1
E
2
=0
Z
0

E
0

t
e
l
-
0
0
6
8
2
8
9
8
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2
7

M
a
r

2
0
1
2
48
Les conditions aux limites seront :
1 0 0 1
2
0
E E Z J
E
=

(2.25)
La relation entre les ondes incidentes et rflchies sera:
0
1 1
01
2 2
0 0
0
0
s
E
B A
Z
H B A
| |
| | | | | |
|
= +
| | |
|

\ \ \
|
\
(2.26)
De la mme faon, pour une source unilatrale qui rayonne dans le milieu 2, nous aurons :
1 1
0
2 2
01
0
0
0 0
s
B A H
E
B A
Z
| |
| | | | | |
|
= +
| | |
|
\ \ \
|
\
(2.27)
Dans le cas dune polarisation perpendiculaire aux murs magntiques, la source agit comme un
mtal, la relation entre les ondes sera :
1 1
2 2
0
0
s
s
H B A
H B A
| | | | | |
=
| | |

\ \ \
(2.28)
En regroupant les relations entre les ondes incidentes et rflchies pour chaque domaine, on
trouve lexpression de loprateur de diffraction
P
au niveau de linterface () qui contient le
circuit.

2
1 2
2 2
1 2 1 2
2
1 2
2 2
1 2 1 2
1 1 2 2
1 1 1 1
1 2 2 1
1 1 1 1
m s d d s
d s m s d
n n N N n
H H H H H
n n N N n n
n n N n N
H H H H H
N n n n n N

| | + +
+ +
|
+ + + + + +
|
=
|
+
+ + |
|
+ + + + + +
\
(2.29)

Ainsi, nous avons dtermin loprateur diffraction au niveau de linterface dans le domaine
spatial, il nous reste dterminer la relation entre les ondes dans le domaine spectrale.

c cas de la rgion dune impdance de surface

Par dfinition, limpdance de surface Z
S
permet gnralement de mettre en relation le champ
E avec le courant J sur tout domaine de linterface de discontinuit , ce qui se traduit en quation
par :

J . Z E
S
r r
= (2.30)
Pour les cas particuliers, cette quation donne Z
S
=0 sur le domaine mtallique, et Z
S
= sur
le domaine dilectrique.
t
e
l
-
0
0
6
8
2
8
9
8
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2
7

M
a
r

2
0
1
2
49
Sur la rgion occupe par une impdance de surface, les conditions aux limites et de
continuit des champs tangentiels permettent dcrire:

+ =
= = =
2 1
S 2 1
J J J
J . Z E E E
r r r
r r r r
(2.31)

En remplaant
1
E
r
,
2
E
r
,
1
J
r
et
2
J
r
par les quations de la relation (2.31), on peut crire:
( ) ( )
( )

|
|

\
|

+

= +
+ = +
02
2 2
01
1 1
S 1 1 01
2 2 02 1 1 01
Z
B A
Z
B A
. Z B A Z
B A Z B A Z
r r r r
r r
r r r r
(2.32)

ce qui donne en reprsentation matricielle:

( )
( ) ( )
( )
( )
( )
(

(
(
(
(

+
+
+
+ +
+
=
(

2
1
Z
02 01 02 01 S
02 01 02 01 S
Z
02 01 02 01 S
02 01 S
Z
02 01 02 01 S
02 01 S
Z
02 01 02 01 S
02 01 01 02 S
2
1
B
B
.
H

Z Z Z Z . Z
Z Z Z Z . Z
H

Z Z Z Z . Z
Z Z Z 2
H

Z Z Z Z . Z
Z Z Z 2
H

Z Z Z Z . Z
Z Z Z Z . Z
A
A
(2.33)


tant lchelon de Heaviside dfini comme suit:

=
ailleurs 0
surface de impdance rgion la sur 1
H

Z



Lexpression de loprateur de diffraction reliant les ondes rflchies aux ondes incidentes
sur la rgion de limpdance de surface est dduite de la relation (2.33), soit:


( )
( ) ( )
( )
( )
( )
(
(
(
(
(

+
+
+
+ +
+
=

02 01 02 01 S
02 01 02 01 S
02 01 02 01 S
02 01 S
02 01 02 01 S
02 01 S
02 01 02 01 S
02 01 01 02 S
Z Z Z Z . Z
Z Z Z Z . Z
Z Z Z Z . Z
Z Z Z 2
Z Z Z Z . Z
Z Z Z 2
Z Z Z Z . Z
Z Z Z Z . Z
(2.34)


II.2.5 Le processus itratif

Le processus itratif consiste tablir une relation de rcurrence entre les ondes incidentes et
rflchies dans deux domaines diffrents comme lindique le systme dquations suivant :

0

B A B
A B

= +
=
r r v
r r
(2.35)
Z
H

t
e
l
-
0
0
6
8
2
8
9
8
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2
7

M
a
r

2
0
1
2
50
Le passage dun domaine lautre est assur par FMT et FMT
-1
. La figure 2.5 rsume le
processus itratif.











Figure 2.5 Processus itratif

A linitialisation (k=0), la structure est suppose tre excite par une source unitaire
(chelon) bilatrale qui gnre des ondes de part et dautre de la discontinuit (P), la source
considre est polarise suivant la direction (ox). Initialement, nous supposons quil nexiste pas
dondes incidentes dans les rgions 1 et 2, ce qui se traduit par A
1

(0)
= A
2

(0)
= 0.

Ainsi, nous pouvons exprimer les composantes de la source selon les quations suivantes :

(0) 0
1
1 2 02
(0) 0
2
1 2 01
(0) (0)
1 2
(1 )
(1 )
0
x
x
y y
E
B
n n Z
E
B
n n Z
B B

+ +

+ +

= =

(2.36)
A la premire itration et aprs avoir subi la Transformation Rapide en Mode (F.M.T), ces
ondes seront rflchies sur les parties suprieure et infrieure du botier donnant naissance de
nouvelles ondes incidentes A
1

(1)
et A
2

(1)
. Exprimes dans le domaine spectral, ces ondes sont
dtermines par les expressions de (2.37) :

(1), ( 0 ),
1, 1 1,
(1), ( 0 ),
2 , 2 2 ,
mn mn
mn mn
A B
A B

(2.37)
avec TM ou TE = .

B A
r r
=
FMT
-1
FMT

Domaine spatial
Domaine spectral
0
B A B
r r v
+ =

t
e
l
-
0
0
6
8
2
8
9
8
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2
7

M
a
r

2
0
1
2
51
Aprs avoir subi la (F.M.T)
-1
, ces dernires sont diffractes par (P) et donnent leurs tours
naissance aux ondes B
1

(1)
et B
2

(1)
formules par :
(1) (1)
1 01 1
(1) (1)
02 2 2
B B A
B A B

| | | | | |
= +
| | |
|
\ \ \
(2.38)
A la 2
me
itration, loprateur de rflexion

1
(resp.

2
) agit sur les ondes
) 2 (
1
B ,
(resp.
) 2 (
2
B ) pour gnrer les ondes
) 1 (
1
+ k
A (resp.
) 1 (
2
+ k
A ) orientes vers la discontinuit (P). Cette tape
est exprime par les relations suivantes :

=
=

1
2
2
) 2 (
2
1
1
1
) 2 (
1
B A
B A

(2.39)

Pour gnraliser, le processus itratif se rsume par lalgorithme donn par la figure 2.6.




















Figure 2.6 Organigramme du processus itratif.

Dbut
Valeurs Initiales
Domaine spatial
0 ) , ( ) , (
B A B
y x y x
+ =

r r

Convergence=?
Fin
) (
) , ( ) , ( y x n m
B FMT A
r r
=
Domaine spectral

) , ( ) , ( n m n m
B A
r r

=
) (
) , (
1
) , ( n m y x
A FMT A
r r

=


Oui
Non
t
e
l
-
0
0
6
8
2
8
9
8
,

v
e
r
s
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n

1

-

2
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M
a
r

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0
1
2
52
II.3 Application : Etude dune ligne micro-ruban

Nous proposons d'appliquer la mthode itrative FMTWCIP l'tude d'une ligne micro-
ruban termine par un court-circuit (figure 2.7).











Figure 2.7 (a) Diffrentes rgions de la structure dtude.
(b) Diffrentes rgions du plan de discontinuit .

Bien qu'elle soit simple, cette structure nous permettra de tester l'efficacit de la mthode et
de dgager les points forts qui vont nous permettre par la suite de caractriser des structures de
gomtrie plus complexes. La structure possde les caractristiques suivantes: a=b=20mm, largeur
de la ligne W=1.25mm, hauteur du dilectrique h
2
=0.79mm, hauteur du dilectrique h
1
=10.h
2
,
r
=3
et longueur de la ligne L=8.3mm. La figure 2.8 reprsente la convergence en fonction du nombre
ditrations. Nous remarquons que la convergence est atteinte partir de 150 itrations. Le temps de
calcul pour atteindre la convergence dans la bande [3-10] GHz avec un pas de 0.5 GHz est de 1mn
22s.


Figure 2.8 Convergence des paramtres de la matrice [S] en fonction du nombre ditrations.
(a) (b)
Botier
mtallique

0

w
a

h
1

h
2

z
x
o
Milieu 1
Plan
Milieu 2
L b
x
y Mtal

Rgion source
Dilectrique
o
Botier
mtallique
t
e
l
-
0
0
6
8
2
8
9
8
,

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n

1

-

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M
a
r

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0
1
2
53
II.4 Circuits contenant des lments localiss

Dans cette partie, nous nous intressons ltude des structures planaires micro-ondes
intgrant des diodes pour pouvoir assurer des fonctions spcifiques. Plusieurs travaux de recherches
ont t mens pour caractriser ce type de structures. A titre dexemple, nous pouvons citer les
travaux utilisant la mthode FDTD [6], [7] et ceux faisant appel la mthode TLM. La figure 2.9
prsente un lment localis insr dans un circuit planaire.



















Soit Z
L
limpdance de circuit quivalent de llment, le champ lectrique dans le domaine
de llment est li la tension V
L
par lquation :

=
R
L
0
L
dx ). y , x ( E V (2.40)

La densit de courant tangentiel est lie lintensit de courant par :

=
R
W
0
L
dy ). y , x ( J I (2.41)
Les dimensions de llment localis sont trs petites devant la longueur donde de travail
g

(
g R g R
W et L ), on peut supposer alors que E et J sont uniformes dans le domaine de llment.
(2.40) et (2.41) deviennent :
R L
R L
W . J I
L . E V
=
=

Domaine mtallique
Source
Dilectrique
Elment localis
Figure 2.9 Circuit planaire contenant un lment localis.
L
R
W
R
E
1

E
2

t
e
l
-
0
0
6
8
2
8
9
8
,

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s
i
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n

1

-

2
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M
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0
1
2
54
Ainsi, on peut dfinir limpdance de surface Z
S
par :
L
R
R
L
L
R
R
S
Z
L
W
I
V
L
W
J
E
Z = = =
(2.42)
R
R
L
W
est le facteur de forme de llment localis et Z
L
est limpdance de son circuit
quivalent.
Pour tudier un circuit contenant un tel lment par la mthode itrative qui est base sur le
concept dondes, il faut dterminer la relation entre les ondes incidentes et les ondes rflchies dans
son domaine, et lajouter dans lexpression de loprateur diffraction dans le domaine spatial.
Soit H
z
la matrice relative au domaine de llment, les conditions aux limites sur ce domaine
sont : J Z E
s
= .
En termes dondes, nous aurons :
|
|

\
|
+ = + ) B A (
Z
1
) B A (
Z
1
Z ) B A ( Z
2 2
02
1 1
01
s 1 1 01
(2.43)

Loprateur diffraction sur ce domaine sera :

(

=
(

1
1
Z Z
Z Z
2
1
B
A
H H
H H
B
B

(2.44)

Avec :
02 01 02 01 s
02 01 02 01 s
02 01 02 01 s
02 01 s
02 01 02 01 s
02 01 s
02 01 02 01 s
02 01 02 01 s
Z Z ) Z Z ( Z
Z Z ) Z Z ( Z
Z Z ) Z Z ( Z
Z Z Z 2
Z Z ) Z Z ( Z
Z Z Z 2
Z Z ) Z Z ( Z
Z Z ) Z Z ( Z
+ +
+
=
+ +
=
+ +
=
+ +
+
=


Loprateur diffraction donn par (2.34) devient :

(2.45)
H H
N 1
N 1
H
n n 1
n n 1
H H H
n n 1
n 2
H
N 1
N 2
H H
n n 1
n 2
H
N 1
N 2
H H
N 1
N 1
H
n n 1
n n 1
H
z d 2
2
s
2 1
2 1
m z s
2 1
d 2
z s
2 1
d 2 z d 2
2
s
2 1
2 1
m
|
|
|
|

\
|
+
+

+
+ +
+
+
+ +
+
+
+
+ +
+
+
+
+

+
+ +
+ +

=

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0
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Elment localis non-linaire: la diode Schottky

Le circuit quivalent du circuit avec la diode Schottky est illustr sur la figure 2.10.















pF 0,05 Cp = tant une capacit parasite et nH 0,5 Lp = une inductance parasite,
C
j
(V) est une capacit variable,

=
V
1
) 0 ( C
) V ( C
j
j
O 1pF Cj(0) = est la capacit de jonction la
polarisation nulle et 7 , 0 = s'appelle le potentiel intgr ( builtin potentiel).

Les conditions aux limites dans le domaine de la diode Schottky donnes par le circuit
quivalent sont :









or :
|
|

\
|

2
V
1
V
1 1
V
pp
Pour cette diode, le facteur de forme est gal 1.
) J J ( Z E E
J
C j
1
E
J
R
C
1
C
R
R L j E
2 1 s 2 1
2
p
2
1
2
2
j
j
j
s p 1
2
1
+ = =

=
|
|
|
|
|
|
|

\
|
|
|
|

\
|
+
|
|

\
|

+ + =
R
j

E
1

E
2
J
2 J
1

L
p


R
s



C
j
(V)

Figure 2.10 Circuit quivalent du circuit planaire avec diode Schottky.

Cp
t
e
l
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0
0
6
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8
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,

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Loprateur diffraction pour le domaine de la diode sera :





(2.46)
avec :













II.5 Analyse dune rectenna avec la mthode itrative

Nous proposons dans ce dernier paragraphe lanalyse dun circuit rectenna 2.45 GHz en
technologie micro-ruban pralablement tudi par Alexandre Douyre et al. [9]. Il est form dune
antenne patch rectangulaire polarisation linaire et dun circuit de conversion srie diode
Schottky. Les deux parties de la rectenna ont t adaptes sur des impdances de 50 . De plus, la
ligne dalimentation entre lantenne et le circuit de conversion a une largeur W1 = 2 mm et prsente
une impdance caractristique de 50 . La diode Schottky a t rigoureusement modlise par une
impdance de surface et introduite dans le calcul de la mthode. Pour pouvoir reconstituer le
processus de la mesure dune rectenna complte illumine par une onde plane incidente lintrieur
dune chambre anchoque, la simulation globale base sur la mthode itrative a t utilis. Les
distributions du champ lectrique et du courant surfacique ont t calcules. Elles seront prsentes
et exploites afin de montrer les performances du circuit rectenna en termes de rendement et de
compacit. Les rsultats obtenus seront systmatiquement compars aux mesures. Dans ce cas, la
structure est excite par une onde plane incidence normale ) 0 ( = = avec une polarisation suivant
(ox).
2
1
2
2
j
j
j
s p
02 p
02 p
02 p
3
01
01
01
2
01
01
01
1
R
C
1
C
R
R L j
Freq 2
Z C j 1
Z C j 2
Z C j
1
K
Z
2 Z
Z
K
Z
2 Z
Z
K
|
|

\
|
+
|
|

\
|

+ + =
=
|
|

\
|
+

=
|
|

\
|
+

=
|
|

\
|
+ +

=
(

(
(
(
(

=
(

2
1
L
02 p
02 p
L
1
3
L
1
2
2
1
A
A
H
Z C j 1
Z C j 1
0
H
K
K
H
K
K
B
B
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La figure 2.11 prsente la rectenna utilisant une diode Schottky. Le circuit est compos
dune antenne patch carre polarisation linaire et un circuit de conversion srie. De plus, un
circuit dadaptation entre lantenne et le circuit de conversion a t conu. La rectenna est imprime
sur un substrat verre tflon (
r
=3.2, tg =0.003 et h=0.762 mm). Les dimensions du botier sont
a=91mm et b=99 mm. Le nombre ditrations ncessaires la convergence des rsultats est obtenu
partir de 200 itrations.




Figure 2.11 Structure simple couche de la rectenna contenant une diode Schottky.


Figure 2.12 Schma de la rectenna discrtise en pixels.

Antenne
Filtre HF dentre
Diode
Schottky
Filtre DC de sortie
Retour la masse
b
Charge
x
y
a
t
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0
0
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La structure totale est synthtise laide dun maillage de 128*128 pixels dont les
dimensions lmentaires sont x=0,71mm et y=0,77mm. La discrtisation du plan du circuit est
donne la figure 2.12.
Le domaine spatial contient essentiellement deux sous-domaines, savoir le domaine spatial
contenant le mtal, le dilectrique et la charge, et le domaine frquentiel qui contient le domaine de
la source qui forme londe plane incidente. Nous devons dterminer loprateur de diffraction dans
chaque domaine en se basant sur les conditions aux limites relatives chaque domaine. Le maillage
du domaine spatial se fait en divisant linterface contenant le circuit en pixels rectangulaires, par
consquent, nous pouvons dfinir une matrice relative chaque domaine. (H
m
: domaine mtallique,
H
d
: domaine dilectrique et H
s
: domaine de la diode et Hc: domaine de la charge) qui prend la
valeur 1 dans les pixels qui reprsentent le domaine et la valeur 0 ailleurs. La photo de la rectenna
est expose sur la figure 2.13.



Figure 2.13 Photo de la rectenna [9].


Les reprsentations en 3D des champs lectriques (figure 2.14) et des densits de courant
(figure 2.15) la frquence 2.45 GHz obtenus aprs un temps de calcul de 1mn 05s montrent que les
conditions aux limites sont respectes en tout point de linterface contenant le circuit puisque la
somme des densits de courant est nulle sur le dilectrique et la densit des champs est nulle sur le
mtal.
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Figure 2.14 Distribution du champ lectrique |Ex| en V/m sur le plan de linterface 2.45GHz.

Figure 2.15 Distribution de la densit courant lectrique |Jx| en Ampre/m sur le plan de
linterface 2.45GHz.


Pour quun dispositif lectrique (hyperfrquence R.F basse frquence ou autre) soit
exploitable, il faut quil prsente un tat stable au cours de sa simulation. Ainsi, grce ltude de
convergence de ladmittance vue par la source (Yin) en fonction de nombre ditration, nous
pouvons conclure que la stabilit lectrique est obtenue.
La courbe de la figure 2.16 montre que la convergence de ladmittance vue par la source
(Yin) est atteinte assez rapidement, en moins de 200 itrations.
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Figure 2.16 Convergence de ladmittance vue par la source (Yin) en fonction de nombre des
itrations 2.45GHz.

Lanalyse se termine en comparant les rsultats de simulation aux rsultats de mesure.
Daprs les courbes prsentes sur la figure 2.17, le rendement maximum de la rectenna est obtenu
pour une puissance de 15dBm et pour une charge de 200. Les rsultats de simulation obtenus avec
la mthode itrative sont compars aux rsultats de mesure de la rfrence [9]. Le rendement de la
rectenna relev pour des densits de puissance allant de 0 35 mW est trac sur la figure 2.17. Nous
remarquons quil y a une bonne concordance entre les deux allures. Le bon accord entre WCIP et les
rsultas de mesures est indniable.














Figure 2.17 Rendement : simulation (Itrative) et mesure [9].
R
e
n
d
e
m
e
n
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(
%
)

Puissance incidente (mW)
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II.6 Conclusion

La premire partie de ce chapitre a t rserve la prsentation et au dveloppement de la
mthode itrative pour ltude des structures planaires. Nous avons utilis la mthode pour
dterminer une caractrisation globale dun circuit de rcupration dnergie (Rectenna) intgrant un
lment actif non-linaire (diode Schottky).

La mthode itrative utilise pourrait tre applique pour modliser la diode par une
impdance de surface. Un programme en Matlab a t labor pour la simulation de la mthode. La
comparaison de nos rsultats avec ceux de la littrature valide notre approche.
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II.7 Rfrences bibliographiques


[1] A. Gharsallah, A. Gharbi and H. Baudrand, "Efficient analysis of multiport passive circuits
using iterative technique," Electromagnetics, vol. 21, 2001, pp. 7384.

[2] N. Sboui, "Contribution ltude des circuits planaires par une mthode itrative, Thse de
doctorat, Facult des Sciences de Tunis, Tunisie, 2002.

[3] H. Baudrand, R.S. Ngongo, "Applications of wave concept iterative procedure", Recent RE.
Devel. Microwave an Tech vol 1, pp 187197, 1999.

[4] N. Sboui, A. Gharsallah, H. Baudrand, A. Gharbi, "Global Modeling of Microwave Active
Circuits by an Efficient Iterative Procedure", IEE Proc.Microw. Antennas Propag., Vol. 148, No. 3.
June 2001.

[5] Z. Harouni, L. Osman, M. Yeddes, A. Gharsallah et H. Baudrand, "Efficient Electromagnetic
Modeling of DualGate Transistor with Iterative Method using Auxiliary Sources", World
Aacademy of science, engineering and technology issue 70, pp 611 614, Oct. 2010.

[6] W.Sui, D.A.Christensen, and C.H.Durney "Extending the two dimensional FDTD method to
hybrid electromagnetic systems with active and passive lumped elements" IEEE Trans Microwave
Theory Techn. 40, pp 724730, 1992.

[7] P.Ciampolini, P.Mezzanotte, L.Roselli, D.Sereni, R.Sorrentino and P.Torti "Simulation of HF
circuits with FDTD technique including non ideal lumped elements" IEEE MTTS Symp Dig, pp
361364, 1995.
[8] N. Sboui, A. Gharsallah, H. Baudrand, A. Gharbi, "Design and Modeling of RF MEMS Switch
by Reducing the Number of Interfaces," Microw. and Opt. Technol. Lett vol. 49,No. 5, pp 1166-
1170, May 2007.

[9] A. Douyre, J.D. Lan Sun Luk and F. Alicalapa, "High efficiency microwave rectenna circuit:
modelling and design," Elect. lett. Vol. 44, No. 24, pp 1409 1410, November 2008.


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Chapitre III


Principe de fonctionnement de lantenne
double polarisation circulaire alimente par
couplage par fente.













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III. 1 Introduction

Ce chapitre a pour but de prsenter une antenne en technologie micro-ruban dont loriginalit
est de gnrer une double polarisation circulaire partir de deux niveaux de mtallisation, dune
seule ligne dalimentation 2 accs et dun patch parfaitement carr. Lapplication vise par cette
antenne est la rception des frquences radio dans la bande ISM centre 2.45GHz. Pour ce type
dapplication, nous avons opt pour les antennes technologie planaire (antennes patchs) car leurs
procds de fabrication sont bien connus et, en plus, ils sont de faible cot (ralisation par
photolithographie ou par micro gravure). Un encombrement rduit et un faible poids sont les deux
autres avantages de cette technologie. Dautre part, nous avons prfr utiliser une antenne patch
alimente par couplage lectromagntique car ce type dalimentation offre des bandes passantes plus
importantes compares une alimentation contact direct sur un des bords de lantenne via une
ligne imprim et de plus, il y a une isolation du circuit de conversion.

Dans une optique de miniaturisation des circuits rectennas et damlioration de leur
rendement, le filtre dentre HF peut tre directement intgr dans lantenne de rception en utilisant
des antennes rejection dharmoniques [1], [2], [3], [4]. Cela permet de diminuer les dimensions du
circuit ainsi que les pertes.

Lantenne qui sera prsente dans ce chapitre conserve lutilisation de 3 niveaux de
mtallisation. Elle utilisera par ailleurs le couplage lectromagntique qui existe entre la ligne
dalimentation et llment rayonnant pour gnrer la polarisation circulaire travers une fente en
croix dans le plan de masse sans toutefois perturber la forme de llment rayonnant. Nous
utiliserons un patch parfaitement carr car il est capable de gnrer des polarisations rectilignes
suivant nimporte quelle direction en fonction du point dexcitation. Ce patch carr sans perturbation
gomtrique permettra galement de conserver la symtrie du diagramme de rayonnement.

Enfin, nous nous intresserons au fonctionnement de lantenne et prsenterons ensuite les
rsultats de mesures obtenus, et nous terminerons ce chapitre par l'tude de quelques structures
dantennes couplage lectromagntique notamment une antenne couple par proximit utilisant les
structures DGS (Defect Ground Structure) pour la rejection dharmoniques [5].




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III.2 Lantenne patch micro-ruban

Comme nous l'avons dj prcis, lantenne patch micro-ruban se compose dun patch
constitu dune couche mtallique trs mince (gnralement en cuivre) dune fraction de longueur
donde, place au-dessous dun plan de masse spar par un substrat dilectrique. Les antennes
patchs micro-rubans prsentent de nombreux avantages, elles sont lgres et peuvent, en plus, tre
conues pour fonctionner sur une large gamme de frquences (1 40 GHz). Elles peuvent galement
tre combines pour former des rseaux linaires ou planaires pouvant ainsi gnrer des
polarisations linaire, double et circulaire. Ces antennes sont peu coteuses, elles sont fabriques par
de simples gravures, ce qui les rend trs utiles en tant quantennes actives intgres offrant ainsi
l'opportunit de fabriquer des antennes micro-rubans metteur et rcepteur compactes selon
diffrentes formes et configurations. Cependant, seules des antennes micro-rubans de forme carre
seront considres dans notre travail.

Llment de base de lantenne est un conducteur mince de dimension LW situ sur un
substrat dilectrique soutenu par un plan de masse conducteur. Cette configuration, expose dans la
figure 3.1 est largement exploite dans la littrature [6].












Figure 3.1 Configuration dune antenne micro-ruban.

III.3 Techniques dexcitation dune antenne micro-ruban
III.3.1 Introduction

Ladaptation dimpdance est une opration trs importante dans lalimentation dune
antenne quelque soit la technique utilise, car c'est elle qui garantit que la plupart de la puissance est
transfre de lalimentation vers llment rayonnant, cest--dire le patch. En plus de ladaptation
dimpdance, il y a les rayonnements parasites et les pertes par ondes de surface qui sont causs par
des discontinuits comme les raccords de coudes dadaptation et des transformateurs dimpdance.
L
Murs magntiques pertes
W
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Nous avons dj prcis dans le chapitre I que les types dalimentation dantennes patchs les
plus connus sont lexcitation par cble coaxial, par ligne coplanaire, par proximit, par ligne micro-
ruban et par couplage par fente. Cette dernire sera dtaille dans la partie suivante puisque nous
utiliserons cette technique pour la conception de notre antenne.

III.3.2 Excitation par couplage par fente

Dans cette technique, la ligne dalimentation est spare du patch par un plan de masse
commun. Llment rayonnant est grav sur le substrat suprieur de lantenne tandis que la ligne
dalimentation est grave sur le substrat infrieur. Lnergie est couple de manire lectro-
magntique travers une ouverture (fente) dans le plan de masse. Lpaisseur et les constantes
dilectriques de ces deux substrats peuvent ainsi tre choisies de faon indpendante pour optimiser
les fonctions distinctes de rayonnent et de circuit. La fente de couplage rectangulaire est la plus
utilise pour ce genre de structures. Cette fente est gnralement centre par rapport au patch o le
champ magntique est maximum. Pour un maximum de couplage, il a t suggr qu'une fente
rectangulaire rayonnante, parallle aux deux bords, soit utilise [7], [8]. Deux mcanismes de
couplage trs semblables sont crs, l'un entre la ligne d'alimentation et la fente et lautre entre la
fente et llment rayonnant. La figure 3.2 montre la configuration de lantenne patch couplage par
fente.











Figure 3.2 Configuration dune antenne patch couplage par fente.

L'antenne micro-ruban couple par fente prsente un nombre important davantages
notamment dans le dimensionnement et loptimisation des paramtres. Les figures 3.3 et 3.4
Substrat infrieur

Patch
Fente de couplage
Ligne dalimentation
Plan de masse
Substrat suprieur
H
E
L
ap

L
s

t
e
l
-
0
0
6
8
2
8
9
8
,

v
e
r
s
i
o
n

1

-

2
7

M
a
r

2
0
1
2
67
montrent labaque de Smith typique pour ce genre d'antennes indiquant respectivement les rsultats
de la variation de la longueur du stub (L
s
) et de la fente (L
ap
) [8].

Afin de comprendre le fonctionnement de lantenne, une tude paramtrique a t faite sur :
la constante dilectrique du substrat de lantenne : elle affecte principalement la bande
passante et lefficacit du rayonnement de l'antenne. Pour une faible valeur de permittivit, on peut
avoir une bande passante plus large avec une rduction d'ondes de surface.

lpaisseur du substrat de lantenne : elle affecte la bande passante et le niveau de couplage.
Il en rsulte quun substrat plus pais donne naissance une bande passante plus large, mais avec
moins de couplage pour une fente donne.

la longueur du patch : elle fixe la frquence de rsonance de l'antenne.

la largeur du patch : elle fixe la rsistance de rsonance de l'antenne. Plus le patch est grand,
plus cette rsistance est faible.

la constante dilectrique du substrat de la ligne dexcitation : elle est lie la qualit de
circuit micro-ruban, sa valeur varie typiquement entre 2 10.

lpaisseur du substrat de la ligne dexcitation : Plus cette paisseur est grande, moins les
rayonnements sont engendres par la ligne dalimentation. Par contre, les pertes sont plus
importantes. Un compromis de 0,01 0,02 est gnralement recommand.











Figure 3.3 Variation de limpdance dentre de lantenne en fonction de la longueur du stub.
Ls=0.4 cm
Ls=0.8 m
freq (2.150GHz to 2.275GHz)
A
p
2
c
m
_
m
o
m
_
a
.
.
S
(
1
,
1
)
A
p
1
P
8
c
m
_
m
o
m
_
a
.
.
S
(
1
,
1
)
A
p
0
P
8
c
m
_
m
o
m
_
a
.
.
S
(
1
,
1
)
A
p
0
0
P
4
_
m
o
m
_
a
.
.
S
(
1
,
1
)
Ls=2 cm
Ls=1.8 cm
t
e
l
-
0
0
6
8
2
8
9
8
,

v
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r
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n

1

-

2
7

M
a
r

2
0
1
2
68
la longueur du stub (L
s
) : Nous remarquons, daprs les courbes de labaque de Smith
reprsent la figure 3.3, que plus le rayon du cercle augmente, plus le couplage augmente [8]. Nous
voyons bien que pour L
s
= 2 cm, nous avons un couplage important. En outre, la frquence de
travail, nous avons une bonne adaptation proche de 50 .

la largeur de la fente : La largeur de la fente affecte galement le niveau de couplage, mais
pas comme sa longueur. Le rapport de la longueur et de la largeur de cette fente est gnralement de
1/10.

la position de la ligne d'excitation par rapport la fente : Pour un maximum de couplage,
la ligne d'excitation doit tre positionne perpendiculaire l'axe de la fente. L'inclinaison de la ligne
d'excitation par rapport la fente provoque une rduction du couplage, de mme pour le
positionnement de la ligne d'excitation au bord de la fente.

la position du patch par rapport la fente : Pour un couplage maximum, le patch doit tre
centr sur la fente. Le dplacement du patch par rapport la fente dans la direction du plan H a peu
d'effet. Par contre, en le dplaant par rapport la fente dans la direction du plan E (rsonance), il
diminue le niveau de couplage.











Figure 3.4 Impdance dentre de lantenne pour diffrentes valeurs de la longueur de la fente.


la longueur de la fente (L
ap
) : Le niveau de couplage est principalement dtermin par la
longueur de la fente, ainsi que le niveau de rayonnement arrire. Nous constatons daprs la figure
3.4 ci-dessus que la rduction de la longueur de la fente entrane la diminution du rayon du cercle de
freq (2.150GHz to 2.275GHz)
S
(
1
,
1
)
L
a
p
1
c
m
_
m
o
m
_
a
.
.
S
(
1
,
1
)
L
a
p
1
P
2
c
m
_
m
o
m
_
a
.
.
S
(
1
,
1
)
L
a
p
1
P
4
c
m
_
m
o
m
_
a
.
.
S
(
1
,
1
)
L
ap
=1.4cm
L
ap
=0.9cm
L
ap
=1cm
L
ap
=1.2cm
t
e
l
-
0
0
6
8
2
8
9
8
,

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n

1

-

2
7

M
a
r

2
0
1
2
69
limpdance et le dplacement de son centre vers un court-circuit. Ceci reflte par consquent la
dgradation du facteur de couplage entre la ligne et lantenne [8].

Depuis la premire apparition d'antennes micro-rubans couples par fente, plusieurs go-
mtries ont t proposes. Lavantage de ce type d'antennes est de sadapter la technologie
d'antennes imprimes et leurs structures multicouches.

Nous prsentons ci-aprs quelques modles existants depuis lapparition de la gomtrie de base:

llment rayonnant : Lantenne couple par fente utilisant un patch rectangulaire a t
prsente en dtail par P.L. Sullivan et D.H. Schaubert [8]. Depuis lors, dautres formes comme les
patchs circulaires [9], les patchs empils [10] et les patchs avec des fentes de charge [11] ont t
conues. La plupart de ces modifications ont pour but de fournir une plus large bande passante.

la forme de la fente : La forme de la fente de couplage a un impact significatif sur le couplage
entre la ligne dexcitation et le patch. Dans la majorit dantennes micro-rubans couples par fente,
une fente de couplage rectangulaire est utilise donnant ainsi un meilleur couplage quavec les fentes
rondes. Des fentes avec des extrmits largies telles que os de chien [12], nud papillon [12] ou en
forme de H [13] peuvent en outre amliorer le couplage.

les types de ligne dalimentation : La ligne dalimentation micro-ruban peut tre remplace
par d'autres lignes planaires comme strip-line, coplanaire, guide d'ondes dilectriques et autres. Par
contre, le niveau de couplage peut tre rduit avec ce genre de lignes.

III.4 Polarisation dune antenne

Une antenne rayonne une onde qui, en champ lointain, prsente localement les proprits
dune onde plane. La polarisation de cette onde est par dfinition caractrise par la projection, dans
le plan orthogonal la direction de propagation, de la courbe dcrite dans le temps par lextrmit du
vecteur champ lectrique de londe rayonne en zone lointaine. Le champ lectrique lointain peut
scrire, en un point fix, comme suit [14] :


0 sin
E E
) t ( E ) t ( E
cos 2
E
) t ( E
E
) t ( E
2
m m m
2
m
2
=

(3.1)

Cette quation dfinit lellipse de polarisation du champ rayonn, figure 3.5.
t
e
l
-
0
0
6
8
2
8
9
8
,

v
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r
s
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n

1

-

2
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M
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r

2
0
1
2
70








Figure 3.5 Ellipse de polarisation.

Pour caractriser une polarisation, le taux dellipticit ou rapport axial est pris en compte. Il
est dfini par:

b
a
ellipse ' l de diamtre petit
ellipse ' l de diamtre grand
T = =
(3.2)

qui est un paramtre gnralement exprim en dB par la relation:

|

\
|
=
b
a
log 20 ) dB ( T
10
(3.3)

Grce ce critre, il est possible de dterminer la nature de la polarisation.

la polarisation rectiligne ou linaire (T ou T = 0) est obtenue quand le champ reste
parallle une direction au cours du temps: lellipse devient un segment de droite.

la polarisation circulaire (T = 1) droite ou gauche est obtenue lorsque les deux champs sont de
mme amplitude (E
m
= E
m
) et en quadrature de phase: lellipse devient alors un cercle.

Dans notre cas, seule la polarisation circulaire nous intresse. Dans la plupart des cas, il est
trs difficile dobtenir une polarisation circulaire parfaite, le terme de polarisation elliptique est alors
employ.

Comme pour la polarisation circulaire, la polarisation elliptique correspond la somme des
deux ondes planes dont les champs lectriques ne sont pas de mme amplitude mais perpendiculaires
et dphass de /2 ou dont les champs sont de mme amplitude mais de dphasage diffrent de
/2.
Petit axe
de lellipse
Grand axe
de lellipse
t
e
l
-
0
0
6
8
2
8
9
8
,

v
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r
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n

1

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2
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M
a
r

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0
1
2
71
III.5 Etude de la structure de lantenne couple par fente complte

III.5.1 Introduction

Pour avoir une polarisation circulaire partir dun patch parfaitement carre, il faut
gnralement utiliser deux alimentations qui vont gnrer deux modes polarisation rectiligne,
orthogonaux entre eux et en quadrature de phase. Il est possible de gnrer une polarisation gauche
ou droite selon la phase applique chacun des ports dexcitation. En ce qui nous concerne, nous
allons tudier une structure dantenne utilisant une ligne double accs couple par une fente en
croix.
III.5.2 Etude de lantenne double polarisation circulaire couple par fente en croix

Le but de cette tude est la conception dune antenne patch fonctionnant dans la bande ISM
2.45 GHz. Pour cela, une tude dtaille sera mene dans ce paragraphe afin de comprendre le
fonctionnement de lantenne. En effet, le couplage par fente prsente un avantage en termes de
puret de polarisation. Ceci est d la sparation par le plan de masse de llment rayonnant et de
la ligne dalimentation, ce qui permet de limiter linterfrence du rayonnement parasite sur le
diagramme de rayonnement et par consquent augmenter les performances de lantenne, notamment
le gain. La structure de lantenne est montre sur la figure 3.6.

Lantenne double polarisation circulaire alimente par couplage par fente comprend une
fente en croix. Les quatre points de couplage sont dphass dune distance de
g
/4 crant ainsi un
dphasage de 90 tout au long de la ligne dalimentation. Lavantage de cette structure rside dans la
simplicit de la gnration de la polarisation circulaire dans les deux sens, gauche et droite, avec
une slection de lun des ports pour lalimentation et en reliant lautre une charge 50 .


En choisissant, comme substrat infrieur de la ligne, du Arlon 25 N de permittivit relative

r1
= 3.38 et dpaisseur h
1
= 1.524 mm, et pour le substrat suprieur du patch du RT/DUROID 5880
de permittivit relative
r2
= 2.2 et dpaisseur h
2
= 3.175mm, il est possible de dterminer les
dimensions approximatives de lantenne pour pouvoir rsonner 2 .45 GHz. Aprs optimisation
avec HFSS [15] qui est un logiciel commercial utilisant la mthode des lments finis.

Les dimensions de lantenne sont les suivantes, elles sont exprimes en millimtres :
A= 33.6, W
L
=3.45, L
s
=24.32, W
s
=0.625, h
1
=1.524, h
2
=3.175, W=100, L=100.

t
e
l
-
0
0
6
8
2
8
9
8
,

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1

-

2
7

M
a
r

2
0
1
2
72















Figure 3.6 Antenne double polarisation circulaire alimente par couplage par fente en croix.
La figure 3.7 montre la photo de lantenne ralise au laboratoire ESYCOM lUniversit
Paris-Est Marne-la-Valle.










(a)












(b)
Antenne
L
Plan de masse Ligne dalimentation
Fente de couplage
Antenne
A

(Port1)
y
y
h2
WL

/4
Ws

(Port2)
Line dexcitation
50

Ls
h1
Fente de
couplage

Point de
couplage
Plan ( = 90 )
Patch carr
Ligne dalimentation
Charge 50
Durod 5880
Arlon 25N
x
z
t
e
l
-
0
0
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2
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8
,

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n

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-

2
7

M
a
r

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0
1
2
73


(c)

Figure 3.7 (a) Photo de la ligne dalimentation, (b) photo de llment rayonnant,
(c) fente de couplage.


III.6 Etude paramtrique de lantenne
III.6.1 Introduction

Un des paramtres qui permet de bien comprendre le fonctionnement de lantenne
polarisation circulaire duale alimente par couplage par fente est limpdance d'entre. Nous
prsenterons uniquement la partie relle de cette impdance. Comme nous l'avons indiqu dans le
chapitre prcdent, le comportement de lantenne est dfini partir de certains paramtres. Les
paisseurs et les constantes dilectriques des deux substrats resteront fixes car il nest pas possible,
sur le plan exprimental, de les faire varier avec un pas rgulier.

Linfluence de la largeur de la ligne micro-ruban (w
L
) ne sera pas non plus prise en compte
dans cette tude car elle modifierait de faon trop importante le fonctionnement de lantenne
(modification de limpdance caractristique), ce qui fausserait linterprtation des rsultats.

III.6.2 Influence de A sur le fonctionnement de lantenne

La taille du patch est certainement le paramtre le plus important en ce qui concerne la
frquence de rsonance. Le changement de la longueur du patch s'accompagne d'une modification de
la frquence de lantenne, figure 3.8. Nous remarquons que lorsque la longueur du patch augmente,
il en rsulte un dcalage vers les basses frquences des coefficients de rflexion et de transmission
entre les deux ports. Il en est de mme pour la partie relle de limpdance dentre de lantenne.
Fente de couplage
t
e
l
-
0
0
6
8
2
8
9
8
,

v
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1

-

2
7

M
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r

2
0
1
2
74


(a)



(b)


(c)

Figure 3.8 Influence de A sur le fonctionnement de lantenne.
t
e
l
-
0
0
6
8
2
8
9
8
,

v
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n

1

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r

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0
1
2
75
III.6.3 Influence de Ls sur le fonctionnement de lantenne

Nous nous intressons maintenant au paramtre Ls qui dfinit la longueur de la fente de
couplage. Le comportement de lantenne en fonction de ce paramtre est reprsent sur la figure 3.9.
Nous pouvons y voir que la bande passante reste quasiment constante avec plus de 40%, et que par
rapport au coefficient de transmission, l'influence de ce paramtre est inversement proportionnelle
lisolation entre les deux ports car celui-ci se dcale lgrement vers la droite lorsque Ls augmente.

(a)


(b)
t
e
l
-
0
0
6
8
2
8
9
8
,

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2
0
1
2
76

(c)
Figure 3.9 Influence de Ls sur le fonctionnement de lantenne.

L'augmentation de Ls entrane un dcalage de la partie relle de l'impdance vers la gauche.


III.6.4 Influence de Ws sur le fonctionnement de lantenne

La figure 3.10 nous montre lvolution du fonctionnement de lantenne en fonction du
paramtre Ws. Nous remarquons que l'antenne reste adapte (<10 dB) tout au long la bande 2 3
GHz. Le coefficient d'isolation est moins sensible pour les variations de Ws.


(a)

t
e
l
-
0
0
6
8
2
8
9
8
,

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1

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2
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M
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r

2
0
1
2
77


(b)


(c)

Figure 3.10 Influence de Ws sur le fonctionnement de lantenne.


III.6.5 Influence du gap dair sur le fonctionnement de lantenne
Dans la pratique, et lors de la ralisation de lantenne multicouche, il existe une couche dair
de 120m qui apparat au dessus de plan de masse cot Durod, figure 3.11.
t
e
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0
0
6
8
2
8
9
8
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2
7

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r

2
0
1
2
78






Figure 3.11 Structure de lantenne avec la couche dair.

Cest pourquoi, une tude paramtrique sur linfluence de cette couche dair sur lantenne
savre ncessaire. Comme le montre la figure 3.12, plus cette couche dair (Air) augmente, plus la
frquence de rsonance se dcale vers les hautes frquences.


Figure 3.12 Coefficient de rflexion en fonction du gap dair et de lpaisseur du substrat.

III.7 Caractristiques de lantenne tudie

III.7.1 Coefficients de rflexion et disolation

Les rsultats de simulation de lantenne, en termes de coefficient de rflexion et disolation
sont prsents sur les figures 3.13 (a) et (b) respectivement (h
air
=120 m). Lantenne reste adapte
entre 2 et 3 GHz (les dimensions de lantenne sont donnes par la figure 3.6).

Plan de masse
Ligne dalimentation
Couche dair
y Duroid
Arlond 25N
z
Antenne
t
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l
-
0
0
6
8
2
8
9
8
,

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1

-

2
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M
a
r

2
0
1
2
79

(a)


(b)

Figure 3.13 Coefficient de rflexion (a), coefficient disolation entre les deux ports (b).

Il y a une bonne isolation entre les deux ports dalimentation la frquence de travail 2.45
GHz, sa valeur est denviron 20 dB.

III.7.2 Etude des caractristiques de rayonnement dans le plan azimutal

La figure 3.14 montre la distribution de la composante E du champ lectrique sur le patch.
Cette composante, normalise en dB, du champ rayonn lointain pour = 0 et variant de 0
360, figures 3.14 () et (c), atteint un maximum de champ dans une direction et un champ trs faible
90 de la position du maximum.

t
e
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-
0
0
6
8
2
8
9
8
,

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1

-

2
7

M
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r

2
0
1
2
80
2.00
4.00
6.00
8.00
10.00
12.00
90
60
30
0
-30
-60
-90
-120
-150
-180
150
120
2.00
4.00
6.00
8.00
10.00
12.00
90
60
30
0
-30
-60
-90
-120
-150
-180
150
120
m1
135.0000 12.5593
2.00
4.00
6.00
8.00
10.00
12.00
90
60
30
0
-30
-60
-90
-120
-150
-180
150
120
m1
45.0000 12.7736
Les directions obtenues correspondent des rsultats attendus. En effet, en excitant lantenne
via le port 1 et avec une seule fente, nous obtenons une polarisation linaire dans les directions de
45 et 135 respectivement, figures 3.14 (a) et 3.14 (b). Dans le cas o les deux fentes sont
superposes et croises, nous aurons une polarisation circulaire, la composante E dcrit presque un
cercle, figure 3.14 (e).


(a)



(b)

(c)



(d)



(e)



(f)


Figure 3.14 Composante E normalise en dB du champ rayonn lointain =0.

Le diagramme de rayonnement simul pour la frquence 2.45GHz dans le plan E (xz) est
donn par la figure 3.15. Nous remarquons que le rayonnement arrire atteint 12.5dB, ce
rayonnement parasite est d la ligne dalimentation et la fente de couplage.
=0
=45
=0
=135
port 1
port 1

Port 2 : Polarisation
droite

Port 1 :
Polarisation gauche

t
e
l
-
0
0
6
8
2
8
9
8
,

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n

1

-

2
7

M
a
r

2
0
1
2
81


(a)


(b)

Figure 3.15 Diagramme de rayonnement, (a) E tta (=0), (b) E phi (=0).

III.7.3 Etude des courants de surface
Une autre faon de valider le fonctionnement de lantenne avec les deux fentes rectangulaires
croises est dobserver la rpartition du champ lectrique sur le patch pour la polarisation circulaire.
A la frquence de rsonance centrale (2.45GHz), nous retrouvons la polarisation circulaire. Une
reprsentation du champ lectrique sur la surface du patch en fonction du temps, figure 3.16, nous
permet dobserver le phnomne de rotation du champ. Cette rotation se fait dans le sens horaire, ce
qui correspond bien une polarisation circulaire droite. Ceci permet de valider toute ltude qui a t
effectue prcdemment. Les rsultats de la polarisation circulaire gauche ne sont pas montrs sur
cette figure vue la symtrie de la structure de lantenne.

(a) wt=wt
0

(b) wt=wt
0
+/4
t
e
l
-
0
0
6
8
2
8
9
8
,

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n

1

-

2
7

M
a
r

2
0
1
2
82

(c) wt=wt0+/2

(d) wt=wt0+3/4
Figure 3.16 Rpartition en fonction du temps du champ lectrique sur le patch.

Il est donc possible de gnrer une polarisation circulaire gauche en excitant lantenne par le
port 1 dalimentation, et une polarisation droite en changeant lautre port, figure 3.14 (b).


III.7.4 Caractristiques de la polarisation circulaire

Les rsultats de simulation de lantenne, en termes rapport axial, sont prsents sur les figures
3.17 (a) et (b).











(a)


(a)

t
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0
0
6
8
2
8
9
8
,

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n

1

-

2
7

M
a
r

2
0
1
2
83

(b)

Figure 3.17 Rapport axial (a) en fonction de la frquence, en fonction de llvation (b).

Lantenne est alimente par une ligne qui possde une impdance caractristique de 50 . Le
rapport axial reste au dessous de 3 dB entre 2 et 3 GHz. A cause de la symtrie de lantenne, seuls
les rsultats pour lun des ports sont prsents. La valeur du gain simul en polarisation circulaire de
cette antenne est de 6.8 dB.


III.8 Optimisation et validation de lantenne par la mesure
III.8.1 Mesure des paramtres Sij


Il est ncessaire de vrifier les rsultats fournis par le simulateur. Le meilleur moyen tant la
mesure, lantenne a t dimensionne pour rpondre des applications dans la bande ISM centres
2.45 GHz.

Les coefficients de rflexion mesurs et simuls sont superposs sur la figure 3.18, les
valeurs sont releves dans la bande de frquence [1-8] GHz. Les rsultats de mesure et de simulation
la frquence 2.45 GHz sont respectivement 18.7 dB et 16.4 dB. La rejection de la seconde
harmonique, soit 4.9 GHz, est de 1.62 dB.

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Figure 3.18 Coefficient de rflexion mesur et simul en fonction de la frquence.

Lisolation S
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mesure entre les deux ports dalimentation 1 et 2 est de 20 dB, figure 3.19.
Compte-tenu de cette valeur, on constate que les deux ports sont correctement isols la frquence
2 .45 GHz. Le dcalage entre les rsultats de simulation et de mesure est principalement d au gap
dair prsent entre les diffrentes couches des substrats de lantenne et limperfection du processus
de fabrication.

Figure 3.19 Coefficient disolation entre les deux ports de lantenne.

III.8.2 Mesure des caractristiques de rayonnement

La mesure du rapport axial de la polarisation circulaire gauche est donne par la figure 3.20,
sa valeur est de moins de 3 dB entre les frquences 2015 et 2730 MHz, ce qui correspond une
bande passante denviron 30%. En raison de la symtrie de la structure, les rsultats obtenus par la
polarisation circulaire droite ne seront pas prsents.
-1,62dB
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Figure 3.20 Rapport axial en fonction de la frquence.

La figure 3.21 montre le rapport axial mesur et simul en fonction de langle dlvation
tta pour le cas de la polarisation circulaire gauche. Le rapport axial reste pratiquement infrieur 3
dB entre 80 et + 80.



Figure 3.21 Rapport axial en fonction de langle dlvation tta.



Le diagramme de rayonnement des composantes Etta et Ephi est mesur dans une chambre
anchoque la frquence 2.45 GHz dans le plan E (xz) en utilisant en mission une antenne cornet
polarisation linaire de gain gal 12.2 dB. Le gain mesur dans une chambre anchoque est de
5.7dB 2.45GHz contre 6.8dB en simul. Les rsultats de mesure et de simulation des deux
composantes de champs, E tta et E phi, sont superposs et prsents sur la figure 3.22.
Frquences (GHz)
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(a) (b)


Figure 3.22 Diagramme de rayonnement dans le plan E (xz) : (a) Eteta, (b) Ephi.


Lantenne prsente ici possde des proprits de rejection dharmoniques notamment 4,9
GHz. A 7,35 GHz, le niveau de rflexion reste infrieur -10 dB, ce qui pourrait ne pas tre
suffisant mme si le niveau de cette harmonique reste faible. Dans ce contexte, nous proposons une
variante de lantenne couplage travers une fente. Il sagit dune antenne couple par proximit
utilisant la longueur de la ligne dalimentation et les structures DGS (Defected Ground Structure ou
structure dfaut dans le plan de masse) de faon assurer la rejection des deux harmoniques qui
suivent la frquence fondamentale 2,45 GHz.


III.9 Antenne couplage par proximit rejection dharmoniques

III.9.1 Introduction

Nous prsentons dans ce paragraphe un autre type dantenne multicouche caractris par une
alimentation par couplage par proximit [17], [18], [19], [20], et par une longueur de pntration L
ncessaire la fois ladaptation de lantenne et la rejection de la seconde harmonique (4.8 GHz).

III.9.2 Antenne alimente par proximit

Dans cette tude, nous prsenterons une antenne patch couple par proximit, donne par la
figure 3.23 et tudie par L. I-S Sanchez et al. [17].

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Figure 3.23 Antenne couplage par proximit.
Le schma quivalent de cette antenne est donn par la figure 3.24 [21]. Le type de couplage
entre la ligne dexcitation et le patch est de nature capacitive. En effet, cette capacit est ajuste afin
dassurer une bonne adaptation de lantenne.





Figure 3.24 Schma quivalent dune antenne couplage par proximit.

La profondeur de pntration (L) est utilise pour contrler la dsadaptation de la 2
me

harmonique 4.8 GHz. Le meilleur compromis en terme dadaptation 2.4 GHz et de rejection
dharmonique 4.8 GHz est L=29 mm. La figure 3.25 prsente le coefficient de rflexion de
lantenne simule pour les deux harmoniques suprieures (4.8 GHz et 7.2 GHz) sous CST
Microwave Studio 2006 software [22].














Figure 3.25 Coefficient de rflexion pour diffrentes valeurs de L [17].
L
Ligne dalimentation
50

Patch
Plan de masse
Patch
Frquences (GHz)
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III.9.3 Etude de la structure DGS sur une ligne microruban

Les structures DGS sont de plus en plus utilises en raison de leurs simplicits de fabrication
[23], [24], [25], [26]. Elles consistent apporter une modification dans le plan de masse. Elles
permettent de rejeter une ou plusieurs frquences pour les circuits micro-ondes. Nous avons men
une tude sur le comportement dune structure DGS partir dune ligne dalimentation, comme le
montre la figure 3.26.





Figure 3.26 Ligne micro-ruban avec DGS.

Les dimensions de la fente sont donc fixes de manire liminer la 3
me
frquence de
rsonance, et cela en crant une bande interdite centre la frquence 7.35GHz, figure 3.27.











Figure 3.27 Coefficient de rflexion dune ligne micro-ruban avec et sans DGS.


Daprs la figure 3.28, nous remarquons que la variation de la longueur L de la fente a un
effet sur le dcalage de la bande interdite.

Ligne dalimentation
50 50
DGS
0.255mm
2.1mm
2.95mm
7.35 GHz
Frquences (GHz)
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L


Figure 3.28 Coefficient de rflexion pour diffrentes valeurs de L.


III.9.4 Antenne alimente par proximit avec DGS
Lantenne rejection dharmoniques consiste intgrer un filtre dans lantenne pour assurer
la rduction dharmoniques gnrs par tout lment actif (diode Schottky dans notre cas). Nous
proposons de combiner les deux techniques pour les adapter notre antenne propose afin de rejeter
la 2
me
et la 3
me
harmonique. La structure globale de lantenne propose est montre sur la figure
3.29.









Figure 3.29 Antenne couplage par proximit rejection dharmoniques.

Patch
Ligne
dalimentation
DGS
Plan de masse
L
0.255mm
2.1mm
2.95mm
L
L
p
Wp

Frquences (GHz)
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L'application des structures DGS consiste graver un motif dans le plan de masse. Aprs une
tude thorique sur les antennes couplage par proximit sur ce type dalimentation, nous arrivons
supprimer la 2
me
harmonique en ajustant la longueur de pntration L de la ligne dalimentation
dimpdance caractristique 50 et la 3
me
harmonique en se servant de la bande interdite cre par
la structure.

Les dimensions de lantenne exprimes en millimtres sont les suivantes :
Wp = 34.9, Lp = 34.2, L = 18.4, W
L
= 2.845.

La modification de la forme grave sur le plan de masse permet de crer une bande interdite
centre une frquence fixe partir des dimensions de la fente. Pour cela, nous avons grav une
fente dans le plan de masse. La figure 3.30 montre le coefficient de rflexion simul de lantenne.
Nous constatons quen optimisant la valeur de L 18.4 mm et en gravant la fente dans le plan
de masse, nous arrivons dsadapter la 2
me
et la 3
me
harmonique correspondant respectivement aux
frquences 4.9 GHz et 7.35 GHz.


Figure 3.30 Coefficient de rflexion de lantenne avec DGS.
La figure 3.31 montre que le dplacement de la position de la fente dans la direction de la
ligne dalimentation entrane non seulement une dgradation de ladaptation la frquence de travail
de 2.45 GHz, mais provoque lapparition des minimas des frquences autre que 7.35 GHz, mais la
dsadaptation est conserve cette frquence.
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Figure 3.31 Coefficient de rflexion pour diffrentes positions de la fente.
La figure 3.32 prsente la distribution du champ lectrique total normal au pav pour les trois
frquences 2.45, 4.9 et 7.35 GHz. Nous constatons, dans figure 3.32 (a), que le champ lectrique se
propage vers le patch et lantenne rayonne. Par contre, dans figure 3.32 (b), cest la longueur de la
ligne dexcitation qui bloque la frquence 4.9 GHz, tandis que pour la frquence 7.35 GHz, le champ
lectrique est bloqu par la fente, figure 3.32 (c).

(a) f = 2.45 GHz

(b) f = 4.9 GHz
0mm
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(c) f = 7.35 GHz
Figure 3.32 Distribution du champ lectrique pour les diffrentes frquences.
III.9.5 Ralisation et mesure de lantenne

Les figures 3.33 reprsentent les photos de lantenne ralise ESYCOM. Lantenne patch
rectangulaire est grave sur du Duroid 5880 de constante dilectrique
r
=2.2 et d'paisseur 1.575
mm, tandis que la ligne est grave sur du TMM4 avec
r
=4.5 et une paisseur de 1.524 mm.








.


Figure 3.33 Ralisation et mesure de lantenne.
(a) Antenne patch.

(d) Banc de mesure.
(c) Mesure de S11 sur lanalyseur de rseaux.
(b) Ligne dalimentation

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Nous avons utilis HFSS pour toutes les simulations de lantenne propose. Daprs la figure
3.34, nous pouvons conclure quil y a une bonne concordance entre les rsultats de mesure et les
rsultats simuls pour la position de la fente de 0 mm. Nous remarquons galement la dsadaptation
des frquences suprieures: de 1.9 dB 4.9 GHz, et de 1.75 dB 7.37 GHz.

Le tableau 3.1 rsume les valeurs du module de S11 mesur et simul pour les trois
frquences 2.45, 4.9 et 7.35 GHz et pour 0 mm pour la position de la fente.

Frquence (GHz) 2.45 4.9 7.35
S11 dB (mesur) 18 1.9 1.75
S11 dB (simul) 20 1.95 1,5
Tableau 3.1 Module de S11.













Figure 3.34 Rsultats de simulation et de mesure de S11 de lantenne en fonction de la frquence.


La figure 3.35 montre les rsultats de mesure des diagrammes de rayonnement dans le plan
E (yz) de lantenne pour la frquence de rsonance 2.45 GHz et ses harmoniques suprieures 4.9
GHz et 7.35 GHz. La rduction des deux harmoniques est denviron 40 dB.

Figure 3.35 Diagrammes de rayonnement de lantenne (plan E).
f = 2.45 GHz
f = 4.9 GHz
f = 7.35 GHz

(sim)
40dB
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III.10 Conclusion

Une tude complte dune antenne double polarisation circulaire duale a t mene et
exprimente dans ce chapitre. Une ligne micro-ruban a t utilise pour alimenter lantenne par
couplage travers une fente. Le logiciel HFSS a permis de simuler et dimensionner lantenne dans la
bande ISM centre 2.45 GHz. Des mesures en adaptation et en rayonnement ont valid les
simulations.

Nous avons galement caractris une antenne rejection dharmoniques par utilisation des
structures DGS de faon liminer lharmonique 7,35 GHz. Les rsultats de mesure sont en bonne
concordance avec les rsultats de simulation. Ces antennes couples par fente ou par proximit sont
destines tre utilises pour la rcupration dnergie radio-frquence dans la mesure o elles
possdent des proprits de rejection dharmoniques. Cest dans ce cadre quune tude sur les
rectennas (rectifying antennas) sera dveloppe dans le prochain chapitre.

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III.11 Rfrences bibliographiques

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Chapitre IV

tude et conception dune rectenna double
polarisation circulaire 2.45 GHz






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IV.1 Introduction

Ce chapitre a pour objectif la conception d'une rectenna double polarisation circulaire
alimente par fente. Comme nous l'avons signal dans le chapitre prcdent, cette antenne prsente
plusieurs avantages notamment au niveau de l'angle douverture de la polarisation circulaire qui est
comprise entre 80 +80, et une bande passante de plus de 40%. En plus, lantenne est compacte
car l'ajustement de la phase est intgr dans l'antenne. Cette antenne travaillant la frquence 2.45
GHz permet aussi de rejeter la 2
me
harmonique 4.9 GHz. C'est pourquoi, elle pourra tre intgre
aussi bien dans un systme de rcupration dnergie RF ou dans un systme de transmission
dnergie sans fil qui est une des applications appropries ce genre d'antennes. Les principales
caractristiques de notre antenne pour cette application sont :
Structure compacte;
Facilit dintgration des composants actifs tels que les diodes car l'alimentation est
assure par une ligne micro-ruban;
Possibilit dune adaptation dimpdance de lantenne avec le circuit de redressement;
Gain en polarisation circulaire de 5.7dB;
Sensibilit de dtection quel que soit l'orientation du champ incident;
Isolation entre llment rayonnant et les composants actifs.

Dans ce 4
me
chapitre, nous prsenterons la rectenna qui est constitue de l'antenne double
polarisation et d'un systme de conversion.

IV.2 Conception et ralisation dun systme de conversion RF-DC
IV.2.1 Conception du redresseur
IV.2.1.1 Choix du substrat

Le choix dune technologie micro-onde et de son procd de fabrication est li la fonction
raliser et au niveau dintgration dsir. Pour notre tude, le niveau de complexit de la rectenna
reste simple et se situe dans le domaine des MIC qui intgre des lignes de transmission sur le
substrat ainsi que des lments passifs et actifs. Le type de ligne de transmission utilis pour la
ralisation de ces circuits micro-ondes est la ligne micro-ruban. Il existe plusieurs types de matriaux
qui entrent dans la composition dun substrat quelconque. Les facteurs qui dterminent le choix du
matriau sont:


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Facteur de dissipation, il rend compte des pertes dans le matriau: pertes en rayonnement,
en conduction et dans le dilectrique afin dobtenir un bon rendement;
Un choix correct de la constante dilectrique, elle devrait tre suffisamment leve pour
rduire les dimensions de la carte;
Robustesse et facilit dusinage;
Faible cot.

Nous avons choisi de raliser nos circuits sur un substrat Arlon 25N, car il a un bon
compromis cot/ pertes, une rduction des pertes par rayonnement et une rduction des dimensions
du circuit. De plus, la stabilit du matriau de ce substrat garantit une permittivit
r
= 3.38
constante 0.05, une tangente de pertes tan = 0.0025 sur une bande de frquence allant jusqu
10 GHz.


IV.2.1.2 Choix de la diode

La rfrence choisie pour nos travaux en laboratoire qui sont caractriss par de faibles
densits de puissance est la diode Schottky de la srie HSMS 286X dAgilent Technologies. La
particularit de cette diode est sa capacit de dtecter les faibles puissances, ses principaux
paramtres sont les suivants: R
S
= 5 , C
J0
= 0,18 pF et V
BR
= 7V [1]. Son utilisation est optimise
dans l'intervalle [0.915-5.8] GHz. Elle est aussi approprie pour des applications RFID [2], pour les
dtections large bande et pour la modulation ou la conversion RF-DC [3].

Par ailleurs, grce sa faible rsistance srie R
S
qui est de 5 , les pertes localises dans la
diode se trouvent rduites. Sa faible tension inverse de claquage lautorise fonctionner de faibles
densits de puissance permettant un rendement de conversion lev bas niveau de puissance.


IV.2.1.3 Choix de la topologie

Daprs lanalyse effectue sur les diffrentes topologies dcrites au chapitre 1 et de la
technologie adopter pour la conception de lantenne dcrite au chapitre 3, notre choix sest port
sur une configuration dite srie qui prsente les avantages suivants [4], [5], [6] :

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En technologie micro-ruban, la ralisation des filtres pour la topologie srie est relativement
simple car ils ncessitent juste des capacits parallles pouvant tre ralises l'aide des lignes
basse impdance caractristique. Tandis que pour la topologie parallle, la configuration des
filtres est de type srie. Les capacits devant tre places en srie, il ne sera pas possible de les
raliser avec des lignes.

Concernant la topologie parallle, la diode est relie la masse. En outre, pour assurer le contact
avec le plan de masse, il faut percer le substrat, ce qui augmente ainsi les pertes. De mme, la
modlisation de la diode avec une impdance de surface que nous avions dveloppe au chapitre
2 serait plus dlicate dans cette configuration.

IV.2.2 Simulation du circuit de redressement sous ADS

La configuration du circuit de redressement est effectue l'aide du simulateur Harmonic
Balance, du logiciel ADS [7]. Elle a permis de visualiser les rponses temporelle et frquentielle. Le
simulateur LSSP (Large Signal S-Parameters) est aussi utilis pour vrifier ladaptation de ces
circuits de conversion dans le cas d'une intgration des composantes actifs. Ce simulateur est
particulirement adapt ce type de circuits. Le dispositif de redressement comporte une diode srie
sur une ligne micro-ruban termine sur une capacit (filtre passe-bas) en parallle avec une charge
rsistive.

IV.2.2.1 Redresseur srie
La figure 4.1 prsente le schma de simulation sous ADS du circuit mono-diode avec un
rcapitulatif des diffrents paramtres utiliss.
Dans ce circuit, la diode est insre sur une ligne micro-ruban dimpdance caractristique 50
ralise sur un substrat Arlon 25N de permittivit effective 3.38 et de hauteur 1.524 mm. La ligne
de longueur 3.175 mm prcdant la diode ninflue pas sur le rendement de conversion. Par contre, la
ligne de longueur 11.075 mm situe entre la diode et la capacit est choisie de manire maximiser
le rendement de conversion.
Le circuit de conversion est optimis pour une puissance de 10 dBm 2.45 GHz. La capacit
de valeur 100 pF utilise dans ce circuit na pas une grande influence sur le rendement de
conversion. Cependant, la rsistance de charge de 1.5 K est celle qui garantit le maximum de
rendement de conversion atteignant 68,83 %. Ce rendement peut tre considrablement amlior en
insrant un filtre rejecteur dharmoniques entre le gnrateur de puissance et le circuit de
t
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0
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8
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2
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M
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r

2
0
1
2
101
redressement. Il aura pour rle d'assurer une bonne adaptation dimpdance au niveau du gnrateur
et de permettre la rcupration de lnergie qui est contenue dans les harmoniques et qui sont
gnres par la diode.

V_in
VIA2
V2
R
R4
VIA2
V1
VIA2
V3
MSTEP
Step7
MLIN
TL10
MLIN
TL1
MTEE_ADS
Tee2
sc_av x_ACCU-F_08053K_J_19960828
C2
MGAP
Gap1
MLIN
TL3
MSTEP
Step6
MSTEP
Step2
di_hp_HSMS2850_20000301
D3
MLIN
TL8
MTEE_ADS
Tee3
MLIN
TL2
MSTEP
Step8
MLIN
TL7
C
C3
MTEE_ADS
Tee4
P_1Tone
POR1

Figure 4.1 Circuit de redressement srie sous Harmonic Balance.

En ce qui nous concerne, le filtre sera intgr dans lantenne double polarisation circulaire
(voir Chapitre 3). Notons enfin que le rendement de conversion donn par lquation 4.1 est dfini
par le rapport de la puissance continue disponible au niveau de la charge sur la puissance RF
applique l'entre.

HF
DC
P
P
=
(4.1)

IV.2.2.2 Etude de ladaptation du redresseur srie

Dans cette partie, nous avons utilis le simulateur LSSP afin de manipuler les paramtres de
rpartition du circuit. La figure 4.2 montre que l'adaptation obtenue est approximativement de 11.5
dB 10 dBm.

Pour dterminer les lments du circuit susceptibles de conduire l'amlioration du
rendement de conversion, nous avons effectu une tude paramtrique dont les rsultats optimaux
sont exposs dans le tableau 4.1. Pour cela, nous avons fait varier, chaque fois, un seul paramtre
tout en gardant les autres paramtres inchangs.







Filtre HF










Filtre DC
Diode
Ligne
(L)
t
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l
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0
0
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2
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9
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0
1
2
102


P








Figure 4.2 Le paramtre S11 du redresseur srie.

Charge R
L
1.5 K
Capacit C du filtre passebas 100 pF
Longueur L
2
de la ligne aprs redresseur 11.075 mm
Puissance RF 10 dBm
Rsistance R
S
srie de la diode 5
Capacit C
j0
sans polarisation 0.18 pF

Tableau 4.1 Paramtres optimaux du redresseur.

IV.2.2.3 Influence de la charge R
L
sur le rendement

Nous constatons daprs la figure 4.3 que le rendement de conversion est optimal pour une
seule valeur de la charge.


Figure 4.3 Influence de la charge R
L
sur le rendement.

Charge (ohms)
R
e
n
d
e
m
e
n
t

(
%
)

Puissance RF (dBm)
S
1
1

(
d
B
)

t
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0
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2
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0
1
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103
IV.2.2.4 Influence de la capacit C sur le rendement

La figure 4.4 montre que la capacit du filtre de sortie DC pour une puissance dentre de 10
dBm na plus dinfluence sur le rendement partir de la valeur 5 pF o le rendement reste quasiment
constant.












Figure 4.4 Influence de la capacit C sur le rendement.



IV.2.2.5 Influence de la longueur de la ligne entre diode et capacit

La figure 4.5 montre la variation du rendement en fonction de la longueur de la ligne (L)
(figure 4.1) aprs la diode pour diffrentes densits de puissance.




Figure 4.5 Influence de la longueur de la ligne sur le rendement.

R
e
n
d
e
m
e
n
t

(
%
)

Capacit C (pF)
R
e
n
d
e
m
e
n
t

(
%
)

Longueur de la ligne L (mm)
t
e
l
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0
0
6
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8
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8
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Les rsultats obtenus montrent que la longueur de la ligne micro-ruban entre la diode et la
capacit est critique pour le rendement de conversion. Nanmoins, cette longueur optimale ne
dpend pas du niveau de puissance.

IV.2.2.6 Influence de la rsistance srie R
s
de la diode sur le rendement

Comme le montre la figure 4.6, le rendement de conversion diminue lorsque la rsistance
srie de la diode augmente. Cela montre que le choix de la diode utiliser doit contribuer
minimiser cette rsistance parasite.














Figure 4.6 Influence de la rsistance R
S
sur le rendement.


IV.2.2.7 Influence de la capacit de jonction C
j0
sur le rendement

On constate sur la figure 4.7 que C
j0
doit tre minimise pour optimiser le rendement de
conversion RF-DC.














Figure 4.7 Influence de la capacit C
j0
sur le rendement.
Rsistance R
S
()
R
e
n
d
e
m
e
n
t

(
%
)

C
j0
(pF)
R
e
n
d
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m
e
n
t

(
%
)

t
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IV.2.2.8 Influence de la puissance RF sur le rendement

La figure 4.8 montre linfluence de la puissance RF dentre sur le rendement de conversion
RF-DC qui atteint un maximum 10 dBm avant de s'attnuer brutalement cause de la tension
inverse de la diode Schottky [8]. La puissance maximale thorique est donne par lquation 4.2.

L
br
MAX
R
V
P
4
2
= (4.2)









Figure 4.8 Influence de la puissance RF sur le rendement.


IV.2.3 Ralisation du redresseur
Le banc de mesure illustr dans la figure 4.9 a t utilis pour la caractrisation
exprimentale des circuits de conversion. Il contient une source de puissance RF (E8251A
dAgilent), une charge rsistive variable R
L
, un voltmtre et un bolomtre (E4418A de HEWLETT
PACKARD). La mesure se fait en deux temps. Tout dabord, la puissance RF de rfrence que le
gnrateur dbite sur une charge de 50 est mesure laide du bolomtre. Ensuite, le circuit de
conversion est connect la source RF et la tension DC est mesure par le voltmtre.


Figure 4.9 Banc de mesure.
R
e
n
d
e
m
e
n
t

Puissance RF (dBm)
Circuit de
conversion
RF-DC

Bolomtre

~

Voltmtre
t
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La structure du redresseur est reprsente sur la figure 4.10. Elle se compose d'une diode
Schottky en srie avec un filtre la sortie du circuit pour supprimer la composante RF indsirable au
niveau de la charge.

La diode est un lment essentiel pour fixer le rendement de conversion RF-DC. Pour la
conception et la ralisation de la rectenna, nous rappelons que nous avons utilis une diode Schottky
de type HSMS2860 dont les principaux paramtres sont les suivant : R
S
= 5 , C
J0
= 0,18 pF et
V
BR
= 7V. Il s'agit d'une technique d'analyse effectue dans le domaine frquentiel qui tient compte
des effets non linaires de la diode.

Le circuit redresseur est optimis pour une puissance d'entre RF gale 10 dBm. Aprs la
ralisation de ce circuit et la mesure, figure 4.10, nous avons dtermin la valeur de la charge
rsistive optimal 1.6 K.




Figure 4.10 Banc exprimental pour la mesure du circuit de conversion.



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Schottky diode
HSMS-2860
Le circuit srie final optimis ainsi que ses dimensions sont donns dans la figure 4.11.

Figure 4.11 Structure du circuit de redressement.


IV.3 Rsultats de mesure de la rectenna

La figure 4.12 prsente la structure globale de notre systme (rectenna) qui se compose dune
antenne suivie d'un circuit de redressement connect sur l'un des deux ports et d'une charge 50 sur
l'autre port. Le circuit de redressement est branch sur l'antenne en utilisant une transition SMA [10].

Le banc de mesure de la figure 4.13 a t exploit pour caractriser exprimentalement la
rectenna que nous avons dveloppe. Des mesures de tension de sortie en fonction de la densit
surfacique de puissance (DSP) ont t effectues lintrieur dune chambre anchoque. La partie
dmission contient un gnrateur RF (E8251A dAgilent) qui dlivre une puissance allant de -20
16 dBm, et une antenne cornet de 12.2 dB de gain gal 2.45 GHz. De plus, pour augmenter la
densit de puissance au niveau de la rectenna, un amplificateur de puissance de gain gal 37 dB a
t insr entre la source RF et le cornet. Pour dterminer avec prcision la puissance (Pt) transmise
au cornet, les pertes dans les cbles coaxiaux RF (n 1, 2 et 3) qui relient le gnrateur lantenne
cornet et le gain de lamplificateur ont t mesurs. Les pertes dans les cbles ont t estimes 2.4
dB (3*0,8 dB).


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Figure 4.12 Structure de la rectenna double polarisation circulaire.













Figure 4.13 Banc de mesure de la rectenna dans une chambre anchoque.

y
z
y
x
plan de masse


fentes de couplage
Durod 5880
Arlon 25 N
h2
h1
W
(Port1)





Redresseurs

Via

Via


Diode Schottky
HSMS 2860
Via
C
C
Port2)
W
L


Fente 1 de
Couplage
/4
A

Point de
couplage

S
L

L
S
W



R
R


Antenne patch carre
Antenne patch carre

lignes microruban 50
et redresseurs

ligne
microruban
50

Port 2
Port 1

fente 2 de
Couplage


Cble n3 Cble n1
Cble n2
Charge
()
Voltmtre
0.7 m

Source dnergie
2.45 GHz


Amplificateur
Cornet
t
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A la rception, le banc de mesure contient la rectenna caractriser, une charge variable et
un voltmtre conventionnel connect en parallle avec la charge R
L
. Comme la puissance RF
rellement capte par la rectenna est difficile dterminer, nous avons exploit lquation de Friis
(4.3) pour dterminer la puissance Pr que lantenne, toute seule, est capable de rcuprer dans le
meilleur des cas.

2
r t t r
d 4
G G P P |

\
|

= (4.3)
o:
G
t
est le gain linaire de l'antenne d'mission;
G
r
est le gain linaire de l'antenne de rception;
P
t
est la puissance dlivre l'antenne d'mission;
P
r
est la puissance collecte sur l'antenne de rception;
d est la distance sparant les deux antennes;
longueur donde dans lespace libre (m).

Le rendement () de la rectenna est calcul par lquation (4.4).

L r
2
DC
r
DC
R P
V
P
P
= = (4.4)

Le rendement () peut galement tre calcul partir de la densit surfacique de puissance
[8]. A une distance (d) de lantenne dmission, la densit surfacique de puissance est dfinie par
lquation (4.5).

2
t t
d 4
G P
sp D

= (4.5)

Connaissant le gain de lantenne de rception, sa surface effective S
eff
peut tre dtermine
par lquation (4.6). La puissance Pr est dfinie, dans ce cas, comme tant le produit entre S
eff
et la
densit de puissance (Dsp).

=
4
G S
2
r eff
(4.6)

En utilisant l'ouverture effective de l'antenne, la distance entre l'antenne cornet mettrice
polarisation linaire de gain 12.2 dB et la rectenna est ajuste d = 70 cm.


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Le rendement de conversion global est calcul selon l'quation (4.7) :

Dsp S R
V
P
P
eff L
2
DC
RF
DC
r
= =
(4.7)
o :
S
eff
est l'ouverture effective de l'antenne;
Dsp est la densit surfacique de puissance;
V
DC
est la tension continue de sortie;
R
L
est la charge.

Le redresseur peut indiffremment tre connect au port 1 ou au port 2, tandis que lautre
port doit tre connect une charge 50 . Le niveau de la tension continue de sortie mesure et le
rendement de conversion de la rectenna sont prsentes sur les figures 4.14 et 4.15, et cela pour des
densits de puissance comprises de 0.0455 mW/cm
2
(E
eff
=13,1 V/m) 0.525 mW/cm
2
(E
eff
=44,5
V/m). Pour une charge rsistive optimale de 1.6 K et une densit de puissance de 0.525 mW/cm
2
,
les valeurs maximales de la tension continue et du rendement sont respectivement 2.82 V et 63 %
pour le port 1, et 2.75 V et 59 % pour le port 2.



Figure 4.14 Tension DC mesure la sortie de la rectenna aux ports 1 et 2 pour une onde
incidente polarisation linaire.

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Figure 4.15 Mesure du rendement de la rectenna en fonction de la densit de puissance
pour une onde incidente polarisation linaire.

Le rendement de conversion thorique maximal optimis 10 dBm est de 68%. Afin de
comparer cette valeur avec celle mesure qui est de 63%, il faut vrifier par un simple calcul que la
puissance au niveau de la sortie de lantenne est proche de 10 dbm. Pour une densit de puissance de
0.525 mW/cm
2
, un gain en polarisation linaire mesur G
r
= 1.86

et en utilisant lquation 4.6, la
puissance reue la sortie de lantenne est de 10,7 dBm. Par consquent, nous constatons que les
valeurs du rendement mesur et simul sont comparables puisquils sont obtenus pour une mme
valeur de puissance incidente, soit 10 dBm.

Notons que pour une de puissance comprise de 0.225 0.525 mW/cm
2
,

le rendement de
conversion est quasiment constant de 60 63 % pour le port 1 et de 57 59 % pour le port 2. En
raison de la symtrie de la structure, les courbes exprimentales que nous avons superposes sur la
figure 4.18 sont pratiquement superposes. Les mesures ont t effectues partir dune onde
incidente polarisation linaire. Notons que les densits de puissance dans les figures 4.14 et 4.15
doivent tre divises par 2 lorsque la rectenna est illumine par une onde polarisation circulaire.
Par consquent, le maximum d'efficacit et la tension continue ne seront pas modifis.


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IV.4 Conclusion

Une rectenna double polarisation circulaire oprant 2,45 GHz a t dveloppe dans ce
chapitre. Les deux polarisations sont obtenues en utilisant deux fentes croises graves dans un plan
de masse et couples une ligne d'alimentation micro-ruban. Deux accs permettent de recevoir soit
le sens LHCP, soit le sens RHCP.

Grce la technique d'alimentation par couplage lectromagntique, il n'est pas ncessaire
d'insrer un filtre dentre entre l'antenne et le redresseur. En effet, le filtre est intgr dans l'antenne
qui possde des proprits de rejection dharmoniques 4,9 GHz. La rectenna diode srie prsente
un maximum d'efficacit de 63 % et une tension continue de sortie de 2.82 V pour une densit de
puissance de 0.525 mW/cm
2
(E
eff
=44,5 V/m).

Grce une double polarisation circulaire et un rapport axial infrieur 3 dB dans une large
gamme dangle d'lvation, cette rectenna s'avre bien adapte des applications de rcupration et
de transmission d'nergie sans fil.
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IV.5 Rfrences biobibliographiques

[1] HSMS-286x, HSMS-282x series. Surface Mount Microwave Schottky Detector Diodes. Available:
http://www.avagotech.com/

[2] Kazimirchik, V. Nelayev, V. Sjakerskii, V, "Simulation of Schottky diode technology and
performances for RFID application", CAD Systems in Microelectronics, 2009. CADSM 2009.
10th International Conference The Experience of Designing and Application, 2009, Page(s):
3738.

[3] Jamel Zbitou, "Etude et conception dun systme de conversion RFDC", Thse de doctorat,
Universit de Nante, anne 2005.

[4] H. Takhedmit, B. Merabet, L. Cirio, B. Allard, F. Costa, C. Vollaire and O. Picon, Design of a
2.45 GHz Rectenna using a global analysis technique, Proc. 3
rd
European Conference on
Antennas and Propagation, EuCAP 2009, March 2327, 2009, Berlin, pp 23212325.

[5] H. Takhedmit, B. Merabet, L. Cirio, B. Allard, F. Costa, C. Vollaire and O. Picon, Analyse et
conception de rectennas 2.45 GHz par une technique danalyse globale, Journes Nationales
Microondes, JNM 2009, 2729, Mai 2009, Grenoble.

[6] Zied Harouni, Lotfi Osman, Laurent Cirio, Ali Gharsallah, Odile Picon,"Design Analysis of
Rectenna for 2.45 GHz Wireless Power Transmission". 6th, International Conference on
Electrical Systems and Automatic Control. 26-28 Mars 2010, Hammamet, Tunisie.

[7] The Advanced Design System. [Online]. Available : http://www.ece.uci.edu/eceware/ads_docs/

[8] James O. McSpadden, Lu Fan, and Kai Chang, Design and Experiments of a High-
Conversion-Efficiency 5.8-GHz Rectenna, IEEE Transactions On Microwave Theory And
Techniques, Vol. 46, No. 12, December 1998.

[9] L.W. Epp, A.R. Khan, H.K. Smith and R.P. Smith, A Compact DualPolarized 8.51 GHz
Rectenna for HighVoltage (50 V) Actuator Applications, IEEE Trans. On Microwave Theory
and Techniques, vol. 48, no. 1
st
Jan. 2000, pp 111120.

[10] Harouni, Z.; Cirio, L.; Osman, L.; Gharsallah, A.; Picon, O, A Dual Circularly Polarized 2.45-
GHz Rectenna for Wireless Power Transmission, Antennas and Wireless Propagation Letters,
IEEE , Vol. 10, pp. 306 309, April 2011.
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CONCLUSION GENERALE
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CONCLUSION GENERALE


La conception et la caractrisation exprimentale dune rectenna compacte double
polarisation circulaire a fait l'objet du travail prsent dans ce manuscrit. La rectenna, dimensionne
pour fonctionner la frquence de 2,45 GHz, est constitue dune antenne planaire et dun circuit de
redressement srie.

Pour raliser une antenne double polarisation circulaire, nous avons opt pour une structure
compacte et multicouche partir dune excitation par couplage lectromagntique entre la ligne
dalimentation micro-ruban double accs et llment rayonnant. En effet, ce type dexcitation a
t prfr de faon ne pas modifier la forme de llment rayonnant tout en reportant le circuit de
rectification en regard de lantenne en dessous du plan de masse. Les points de couplage au niveau
des fentes graves dans le plan de masse sont spars dune distance de /4 crant ainsi un
dphasage de 90 entre chaque point. Cette disposition permet de gnrer une onde polarise
circulairement droite ou gauche selon laccs excit. Une autre particularit de cette antenne est
quelle possde des proprits de rejection dharmoniques. En effet, la nature de cette alimentation
par couplage offre la possibilit dattnuer fortement la 2
me
harmonique qui correspond la
frquence 4.9 GHz.

Une partie de cette thse a t consacre une nouvelle formulation base sur la mthode
itrative qui permet de modliser la rectenna. En effet, cette mthode s'avre trs rapide par rapport
l'utilisation de certains logiciels comme HFSS par exemple. En plus, elle se distingue par sa
simplicit du point de vue calcul notamment au niveau de la modlisation de llment actif (diode
Schottky) par une impdance de surface.

Afin dexpliquer le fonctionnement de la structure, nous avons effectu une tude
paramtrique dtaille des lments qui constituent lantenne (ligne micro-ruban, fente de couplage
et patch). Linfluence du gap dair entre les couches de substrat a t mise en vidence et prise en
compte dans les simulations. Une antenne fonctionnant 2.45 GHz a ensuite t dveloppe,
optimise et ralise pour faire partie du systme complet qui est la rectenna. Ce systme utilise la
suite de lantenne un circuit de redressement constitu dune diode Schottky dispose en srie.

Pour amliorer les proprits de rejection dharmoniques et attnuer la composante 7,35
GHz en plus de lharmonique 4,9 GHz, une variante lantenne couplage par fente a galement
t tudie. Il sagit dune antenne imprime polarisation linaire alimente par proximit. Un
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dispositif de DGS (Defected Ground Structure) a t introduit dans le plan de masse. Cette
configuration a permis dattnuer la fois les deux harmoniques indsirables cres par la diode de
rectification.

Lantenne double polarisation circulaire et le circuit de redressement ont t ensuite
combins pour former une rectenna fonctionnant 2.45 GHz. Au pralable, le circuit de
redressement a galement t soigneusement optimis car les paramtres qui ont une influence sur
son comportement et son rendement sont nombreux. Des mesures du rendement de conversion
RFDC et de la tension de sortie ont t effectues dans une chambre anchoque. Un rendement de
conversion de 63% associ une tension de 2,82 Volts ont t obtenus pour une densit de puissance
de 0,525 mW/cm
2
(E=44,5 V/m).

La rectenna prsente dans ce manuscrit est principalement destine tre exploite dans des
applications de transmission dnergie sans fil o une polarisation circulaire est exige.

Les perspectives ce travail sont multiples.

Pour augmenter le niveau de puissance reue au niveau de la charge, une recombinaison des
puissances DC la sortie de chaque accs semble judicieuse. La configuration parallle pourra tre
retenue compte-tenu de la topologie du systme antennaire. Une tude sur la faisabilit dune
recombinaison de signaux RF pourra tre mene de faon saffranchir de lutilisation de deux
circuits de rectification. Linfluence sur le rendement du dsquilibre en amplitude et en phase entre
les accs devra tre value.

Il serait intressant dtudier la validit de polariser la diode de rectification de faon
augmenter sa sensibilit. Cette topologie nest que rarement utilise pour des raisons videntes de
commodit et de rendement. La polarisation devant ici tre fournie par lantenne elle-mme.
Lintgration du systme dajustement des phases au sein mme de lantenne polarisation
circulaire a permis de rduire sensiblement lencombrement. Pour diminuer davantage les
dimensions de la structure, il faudra sattacher rapprocher le circuit de rectification au plus prt de
lantenne, voire lintgrer dans lantenne. La plupart des topologies de rectenna reportent le circuit
diode en dehors du systme antennaire ce qui a pour effet daugmenter les dimensions du circuit
global. Cette dmarche ncessitera de vrifier au pralable la faible influence du champ
lectromagntique proximit de lantenne sur les diodes de rectification de faon ne pas modifier
le comportement des composants, ce qui se traduirait par une altration du rendement de conversion.
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Annexe A
Dfinition dondes incidentes et rflchies


La figure 1 reprsente une surface (S) de forme arbitraire. Nous pouvons dfinir les ondes
entrantes et sortantes de la manire suivante :








(a) (b)


Figure 1 Surface de forme arbitraire, (a) dfinition du champ, (b) concept dondes



(A .1)

1
1 1

= Y Z est la matrice impdance de mode.

Si 0 ,
1
= = B J Z E , seule existe la fonction ) , ( y x A , et inversement, pour un mode se
propageant dans le sens des z dcroissants, J Z E
1
= , seule existe ) , ( y x B .

Le flux de puissance est donn par lintgrale :

( ) J E R dS J E R S d H E R P
S S
= = =

r r r r r
*
(A .2)

Par ailleurs, on posera que cette puissance est gale :

1 1 1 1
B B A A P = (A .3)

(S)
n
r

p

Y
T
E
v

T
H
v

p
(S)

A
r

B
r

( )
( )

=
+ =
J Z E K B
J Z E K A
1 1
1 1
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Supposons que
1
Z rel (mode propagatif), alors on trouve :
1
1
2
1
Z
K =
Si le mode est la coupure, la puissance transporte est nulle. On prend alors
conventionnellement :
( )
( )

=
+ =
J Z E
Z
B
J Z E
Z
A
1
1
1
1
2
1
2
1
(A .4)
( )
( )

=
+ =
B A
Z
Z
J
B A Z E
1
1
1
(A .5)
Il est aussi possible de poser dans ce cas, conventionnellement :
( )
( )

=
+ =
J Z E
Z
B
J Z E
Z
A
1
1
1
1
2
1
2
1
(A .6)
( )
( )

=
+ =
B A
Z
J
B A Z E
1
1
1
(A .7)

Si les guides damene ne sont pas identiques de part et dautre de la discontinuit, les
impdances de modes ne seront pas les mmes, posons :

1
1
0
0
Z
Z
Z
m
= ,
'
1
1
A
A
A = et
'
1
1
B
B
B = (A .8)

1
Z est caractristique du premier guide et
'
1
Z du deuxime guide.

Les grandeurs A, B, E, J sont maintenant les amplitudes correspondantes chaque fonction.
La matrice impdance rduite se dfinit ainsi :
m m
m
Z
E
y J
Z
Z
= (A .9)
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C'est--dire :

) ( B A y B A + = . Si SA B = , on obtient les relations suivantes :

y
y
S
+

=
1
1
et
S
S
y
+

=
1
1
(A .10)

La matrice calcule prcdemment Y, scrit :

m
m
m
Z
y
Z
Z
Y
1
= ou
m
m
m
Z Y
Z
Z
y = (A .11)

Si
m
Z est une matrice diagonale relle, alors Y est une matrice imaginaire pure symtrique,
il en est de mme de y, donc S est une matrice unitaire puisque S est de la forme :
jX
jX
S
+

=
1
1
.






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Annexe B
Transformation rapide en mode: Fast mode transformation (FMT)

Soit E(x,y) un champ complexe dfini dans le domaine spatial tel que :
( )

=
) y , x ( e
) y , x ( e
y , x E
y
x
(B-1)
La dcomposition de E(x,y) suivant la base des modes d'un guide rectangulaire est :

+ =
mn
TM
mn
TM TE
mn
TE
f e f e E (B-2)
avec :

=
=
) y , x ( E f e
) y , x ( E f e
TM
mn
TM
TE
mn
TE

Tenant compte de la dcomposition suivant les modes du botier, nous pouvons crire :

+ = =
+ = =
) y , x ( e f ) y , x ( e f
) y , x ( e
) y , x ( e
f e
) y , x ( e f ) y , x ( e f
) y , x ( e
) y , x ( e
f e
y
TM
mny x
TM
mnx
y
x
TM
mn
TM
y
TE
mny x
TE
mnx
y
x
TE
mn
TE
(B-3)
avec :

\
|
|

\
|
=
|

\
|
|

\
|
=
b
y n
sin
a
x m
cos N f
b
y n
cos
a
x m
sin N f
1
TE
mny
2
TE
mnx
(B-4)
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=
|

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|

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|
=
b
y n
sin
a
x m
cos N f
b
y n
cos
a
x m
sin N f
2
TM
mny
1
TM
mnx
(B-5)
Nous noterons dans ce qui suit :

\
|
|

\
|
=
|

\
|
|

\
|
=
b
y n
sin
a
x m
cos f
b
y n
cos
a
x m
sin f
mny
mnx
(B-6)
Ainsi, nous pouvons dduire la relation matricielle suivante :
(
(

=
(
(

y mny
x mnx
2 1
1 2
TM
TE
e f
e f
N N
N N
e
e
(B-7)
En discrtisant les variables x et y, nous pouvons effectuer le changement de variables:
b
y
N
j
a
x
M
i
et = =
Les deux produits scalaires deviennent:

\
|
|

\
|
=
|

\
|
|

\
|
=

N
j n
cos
M
i m
cos ) j , i ( e e f
N
j n
sin
M
i m
cos ) j , i ( e e f
N , M
j , i
x y mny
N , M
j , i
x x mnx
(B-8)
Les deux sommes ne sont autres que les transformations de Fourier en termes de sinus et
cosinus. Si nous notons :
(
(
(
(
(

\
|
|

\
|
|

\
|
|

\
|
=
(

N
j n
cos
M
i m
sin ) j , i ( e
N
j n
sin
M
i m
cos ) j , i ( e
e
e
FFT D 2
N , M
j , i
y
N , M
j , i
x
y
x
cos sin
(B-9)
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Ainsi, nous pouvons dfinir la transformation rapide en modes FMT de
(

y
x
e
e
par :
(

=
(

y
x
cos sin
2 1
1 2
y
x
e
e
FFT D 2
N N
N N
e
e
FMT . (B-10)

Calcul de la transformation de Fourier en sinus et cosinus : ( ) y , x E FFT D 2
cos sin
.
Pour calculer la transformation de Fourier en sinus et cosinus en fonction de la
transformation de Fourier usuelle (exponentielle), Il faut tenir compte du fait que la fonction sinus
est une fonction impaire alors que la fonction cosinus est paire.
La transformation de Fourier usuelle de E(x,y) s'crit :
( )
b
ny
j 2
a
mx
j 2
N 2 , M 2
j , i
y , x
j
i
e e E n , m ' e

= (B-11)
Supposons que la fonction est impaire suivant x. Nous pouvons crire alors :
E(x
i
,y
j
)=-E(2a-x
i
,y
j
)
( )
b
ny
j 2
a
mx
j 2
m j 4
a
mx
j 2
N 2 , M
j , i
y , x
j i i
e e e e E n , m ' e

=

(B-12)
( )
b
ny
j 2
a
mx
j 2
m j 2
a
mx
j 2
m j 2 m j 2
N 2 , M
j , i
y , x
j i i
e e e e e e E n , m ' e

=

(B-13)
( )
b
ny
j 2
m
a
mx
j 2
m j 2
m
a
mx
j 2
m j 2
N 2 , M
j , i
y , x
j i i
e e e e e E n , m ' e

|
|

\
|

+

|
|

\
|

=

(B-14)
( )
b
ny
j 2
i m j 2
N 2 , M
j , i
y , x
j
e
a
mx 2
sin e E j 2 n , m ' e

\
|
=

(B-15)

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Supposons maintenant que la fonction est paire suivant y, nous pouvons alors crire :
E(x
i
,y
j
)=E(x
i
,2b-y
j
)
( )

+ |

\
|
=

b
ny
j 2
n j 4
b
ny
j 2
i m j 2
N , M
j , i
y , x
j j
e e e
a
mx 2
sin e E j 2 n , m ' e (B-16)
( )

+ |

\
|
=

b
ny
j 2
n j 2
b
ny
j 2
n j 2 n j 2 i m j 2
N , M
j , i
y , x
j j
e e e e e
a
mx 2
sin e E j 2 n , m ' e (B-17)
( )

+ |

\
|
=
|
|

\
|
+

|
|

\
|
+

n
b
ny
j 2 n
b
ny
j 2
n j 2 i m j 2
N , M
j , i
y , x
j j
e e e
a
mx 2
sin e E j 2 n , m ' e (B-18)
( )

+ |

\
|
=
|
|

\
|
+

|
|

\
|
+

n
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j 2 n
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ny
j 2
n j 2 i m j 2
N , M
j , i
y , x
j j
e e e
a
mx 2
sin e E j 2 n , m ' e (B-19)
( )
|
|

\
|
|

\
|
=

b
ny 2
cos
a
mx 2
sin e e E j 4 n , m ' e
j
i n j 2 m j 2
N , M
j , i
y , x
(B-20)
En tenant compte de l'quation (E-9), nous pouvons exprimer la transformation de Fourier en
sinus cosinus en fonction de la transformation de Fourier usuelle :
( ) ) n , m ( ' e e e
4
j
n , m e
n j 2 m j 2
= (B-21)










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LISTE DES PUBLICATIONS ET COMMUNICATIONS


A. Publications dans des revues internationales


1 - Zied Harouni, Laurent Cirio, Lotfi Osman, Ali Gharsallah and Odile Picon, A Dual Circu-
larly Polarized 2.45-GHz Rectenna for Wireless Power Transmission IEEE Antennas And
Wireless Propagation Letters, VOL. 10, 2011, pp 306 - 309.


2 - Zied Harouni, Lotfi Osman and Ali Gharsallah, IJCSI: International Journal of Computer
Science Issues: Efficient 2.45 GHz Rectenna Design with high Harmonic Rejection for Wireless
Power Transmission, Vol. 7, Issue 5, September 2010, ISSN (Online): 1694-0814, pp 424 - 427.


3 - Z. Harouni , L. Osman, M. Yeddes, A. Gharsallah and H. Baudrand, Efficient Electromag-
netic Modeling of Dual-Gate Transistor with Iterative Method using Auxiliary Sources, ICECS
2010: International Conference on Electronics, Circuits and Systems, WASET 2010, World
Academy of Science, Engineering and Technology, Issue 70, 2010 , pp 611 - 614.



B. Communications dans des confrences internationales

1 - Zied Harouni, Lotfi Osman, Laurent Cirio, Ali Gharsallah, Odile Picon: The 6
th
International
Conference on Electrical and Automatic Control Engineering. Design Analysis of Rectenna for
2.45 GHz Wireless Power Transmission, Hammamet - Tunisie, 26-28 Mars 2010.


2 - Zied Harouni, Lotfi Osman et Ali Gharsallah, International renewable energy & environment
conference, IREC 2010, Efficient 2.45 GHz proximity coupled microstrip patch antenna design
including harmonic rejecting device for microwave energy transfer, Sousse, Tunisie, 5-7
Novembre 2010, pp 73-75.


3 - Zied Harouni, Lotfi Osman et Ali Gharsallah, IEEE Conferences, 8
th
International Multi-
Conference on Systems signals & Devices, SSD 2011, Efficient 2.45 GHz CPW Patch Antenna
Including Harmonic Rejecting Device for Wireless Power Transmission, Sousse - Tunisie, 22-
25 Mars 2011.





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Titre: Conception et caractrisation dune Rectenna double
polarisation circulaire 2.45 GHz


Rsum

Les travaux prsents dans ce mmoire sinscrivent dans la thmatique de la transmission
dnergie sans fil, applique lalimentation distance de capteurs, de rseaux de capteurs et
dactionneurs faible consommation. Cette tude porte sur la conception, la caractrisation, et la
mesure dun circuit Rectenna (Rectifying antenna) double polarisation circulaire 2.45 GHz,
compact et rendement de conversion RF-DC optimis.

Un outil danalyse globale bas sur la mthode itrative a t dvelopp et exploit pour
valider la faisabilit de cette analyse. La diode Schottky a t modlise en utilisant une impdance
de surface. La rectenna double polarisation circulaire, ralise en technologie micro-ruban, a t
valide exprimentalement. Elle est caractrise par la rejection de la 2
me
harmonique et une
possibilit de recevoir les deux sens de polarisation LHCP et RHCP par lintermdiaire de 2 accs.
Le rendement mesur avec une densit de puissance de 0.525 mW/cm est de lordre de 63%, tandis
que la tension DC obtenue aux bornes dune charge optimale de 1.6 k est de 2.82 V.
Mots cls :
Rectenna; Transmission dEnergie Sans Fil (TESF); Double polarisation circulaire; Rejection
dharmoniques; Rendement de conversion RF-DC; Mthode itrative; Diode Schottky; Antenne
micro-ruban.




Title: Design and characterization of a dual circularly polarized
2.45 Ghz Rectenna


Abstract

The work presented in this thesis is within the subject of wireless power transmission, power
applied to the remote sensors, networks of sensors and actuators with low power consumption. This
study focuses on the design, characterization, and measurement of a rectenna circuit (rectifying
antenna) with dual circular polarization at 2.45 GHz, and optimisation of the conversion efficiency.

A global analysis tool, based on the iterative method was developed and used to validate the
feasibility of this concept by this method. The Schottky diode was modeled using surface
impedance. The dual circular polarization rectenna with microstrip technology has been optimized
and characterized experimentally operating at 2.45 GHz. It includes the property of harmonic
rejections. Two accesses can receive either direction LHCP or RHCP sense. The conversion
efficiency of 63% has been measured with a power density of 0.525 mW/cm. A DC voltage of 2.82
V was measured across an optimum load of 1.6 k.

Index Terms:
Rectenna; Wireless Power Transmission; Dual circular polarization; Harmonic rejections; RF-to-
DC conversion efficiency; Iterative method; Schottky diode; Microstrip antenna.
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