UTH

Universidad Tecnolgica de Honduras

Tema: Informe proyecto Activacin de carga con sensibilidad auditiva

Asignatura: Circuitos Elctricos II

Catedrtico: Ingeniero Junior Medina Integrantes: Eddy Josu Carranza Amaya Jernimo Osman Meja Dilio Ren Lizardo --- 200711120013 --- 200711110026 --- xxxxxxxxxxxx

Fecha: 31/10/12

Contenido:

Las cargas elctricas que constituyen una corriente elctrica pasan de un punto que tiene mayor potencial elctrico a otro que tiene un potencial inferior. Para mantener permanentemente esa diferencia de potencial, llamada tambin voltaje o tensin entre los extremos de un conductor, se necesita un dispositivo llamado generador (pilas, bateras, dinamos, alternadores...) que tome las cargas que llegan a un extremo y las impulse hasta el otro. El flujo de cargas elctricas por un conductor constituye una corriente elctrica.

La seal de sonido recibido por el micrfono de condensador ser amplificada por IC1. TL071 es el amplificador de alta ganancia operativa utilizada en la seccin de preamplificador de radio y grabadora de cinta. La salida amplificada se utiliza para controlar el flip-flop JK IC CD4027 diseado en el modo de conmutacin. Cuando el pin de entrada de reloj 14 del IC2 recibe un pulso bajo a alto de IC1, su salida se pone en alta y permanece como tal. Cuando llega el siguiente impulso, la salida de IC2 se vuelve bajo. De este modo funciona como un interruptor de palanca. Variable VR resistencia ajusta la sensibilidad del micrfono en el nivel de sonido en particular. T1 controlador de rel se puede utilizar para accionar el rel.

FLIP-FLOP JK CD4027
El smbolo lgico para un flip-flop JK es el siguiente:

Figura 7: Smbolo lgico de un flip-flop JK Este flip-flop se denomina como "universal" ya que los dems tipos se pueden construir a partir de l. En el smbolo anterior hay tres entradas sncronas (J, K y CLK). Las entradas J y K son entradas de datos, y la entrada de reloj transfiere el dato de las entradas a las salidas. A continuacin veremos la tabla de la verdad del flip-flop JK: ENTRADAS Modo de operacin CLK Mantenimiento Reset Set Conmutacin S 0 0 1 1 R 0 1 0 1 0 1 Q Q SALIDAS

No cambia 1 0

Estado opuesto

Tabla de verdad para un flip-flop JK Observamos los modos de operacin en la parte izquierda y la tabla de la verdad hacia la derecha. La lnea 1 muestra la condicin de "mantenimiento", o inhabilitacin. La condicin de "reset" del flip-flop se muestra en la lnea 2 de la tabla de verdad. Cuando J=0 y K=1 y llega un pulso de reloj a la entrada CLK, el flip-flop cambia a 0(Q=0). La lnea 3 muestra la condicin de "set" del flip-flop JK. Cuando J=1 y K=0 y se presenta un pulso de reloj, la salida Q cambia a 1. La lnea 4 muestra una condicin muy difcil para el flip-flop JK que se denomina de conmutacin.

El Operacional TL071
J-FET de entrada de los amplificadores operacionales individuales que incorporan bien pareado, los transistores de alta tensin FET J-y bipolar en un circuito integrado monoltico. Los dispositivos se caracterizan por altas tasas mat, el sesgo de bajos insumos y compensar corrientes y bajo coeficiente de temperatura de la tensin de offset.

Amplificador operacional

741 con encapsulado metlico TO-5. Un amplificador operacional (comnmente abreviado A.O., op-amp u OPAM), es un circuito electrnico (normalmente se presenta como circuito integrado) que tiene dos entradas y una salida. La salida es la diferencia de las dos entradas multiplicada por un factor (G) (ganancia): Vout = G(V+ V)el mas conocido y comunmente aplicado es el UA741 o LM741. El primer amplificador operacional monoltico, que data de los aos 1960, fue el Fairchild A702 (1964), diseado por Bob Widlar. Le sigui el Fairchild A709 (1965), tambin de Widlar, y que constituy un gran xito comercial. Ms tarde sera sustituido por el popular Fairchild A741 (1968), de David Fullagar, y fabricado por numerosas empresas, basado en tecnologa bipolar. Originalmente los A.O. se empleaban para operaciones etc.)

matemticas (suma, resta, multiplicacin, divisin, integracin, derivacin, en calculadoras analgicas. De ah su nombre.

El A.O. ideal tiene una ganancia infinita, una impedancia de entrada infinita, un ancho de banda tambin infinito, una impedancia de salida nula, un tiempo de respuesta nulo y ningn ruido. Como la impedancia de entrada es infinita tambin se dice que las corrientes de entrada son cero. El smbolo de un amplificador es el mostrado en la siguiente figura:

Los terminales son:

V+: entrada no inversora V-: entrada inversora VOUT: salida VS+: alimentacin positiva VS-: alimentacin negativa

Los terminales de alimentacin pueden recibir diferentes nombres, por ejemplos en los A.O. basados en FET VDD y VSS respectivamente. Para los basados en BJT son VCC y VEE. Normalmente los pines de alimentacin son omitidos en los diagramas elctricos por claridad.

Resistencia elctrica
La resistencia elctrica de un objeto es una medida de su oposicin al paso de corriente. Descubierta por Georg Ohm en 1827, la resistencia elctrica tiene un parecido conceptual a la friccin en la fsica mecnica. La unidad de la resistencia en el Sistema Internacional de Unidades es el ohmio (). Para su medicin en la prctica existen diversos mtodos, entre los que se encuentra el uso de un ohmnmetro. Adems, su cantidad recproca es la conductancia, medida en Siemens. La resistencia de cualquier objeto depende nicamente de su geometra y de su resistividad, por geometra se entiende a la longitud y el rea del objeto mientras que la resistividad es un parmetro que depende del material del objeto y de la temperatura a la cual se encuentra sometido. Esto significa que, dada una temperatura y un material, la resistencia es un valor que se mantendr constante. Adems, de acuerdo con la ley de Ohm la resistencia de un material puede definirse como la razn entre la cada de tensin y la corriente en dicha resistencia, as:

donde R es la resistencia en ohmios, V es la diferencia de potencial en voltios e I es la intensidad de corriente en amperios. Segn sea la magnitud de esta medida, los materiales se pueden clasificar en conductores, aislantes y semiconductor. Existen adems ciertos materiales en los que, nulo. en determinadas condiciones de temperatura, aparece un fenmeno denominado superconductividad, en el que el valor de la resistencia es prcticamente

Comportamientos ideales y reales

Una resistencia ideal es un elemento pasivo que disipa energa en forma de calor segn la ley de Joule. Tambin establece una relacin de proporcionalidad entre la intensidad de corriente que la atraviesa y la tensin medible entre sus extremos, relacin conocida como ley de Ohm:

donde i(t) es la corriente elctrica que atraviesa la resistencia de valor R y u(t) es la diferencia de potencial que se origina. En general, una resistencia real podr tener diferente comportamiento en funcin del tipo de corriente que circule por ella. Comportamiento en corriente continua Una resistencia real en corriente continua (CC) se comporta prcticamente de la misma forma que si fuera ideal, esto es, transformando la energa elctrica en calor por efecto Joule. La ley de Ohm para corriente continua establece que:

donde R es la resistencia en ohmios, V es la diferencia de potencial en voltios e I es la intensidad de corriente en amperios. Comportamiento en corriente alterna

Figura 3. Diagrama faso rial. Como se ha comentado anteriormente, una resistencia real muestra un comportamiento diferente del que se observara en una resistencia ideal si la intensidad que la atraviesa no es continua. En el caso de que la seal aplicada sea senoidal, corriente alterna (CA), a bajasfrecuencias se observa que una resistencia real se comportar de forma muy similar a como lo hara en CC, siendo despreciables las diferencias. En altas frecuencias el comportamiento es diferente, aumentando en la medida en la que aumenta la frecuencia aplicada, lo que se explica fundamentalmente por los efectos inductivos que producen los materiales que conforman la resistencia real. Por ejemplo, en una resistencia de carbn los efectos inductivos solo provienen de los propios terminales de conexin del dispositivo mientras que en una resistencia de tipo bobinado estos efectos se incrementan por el devanado de hilo resistivo alrededor del soporte cermico, adems de aparecer una cierta componente capacitiva si la frecuencia es especialmente elevada. En estos casos, para analizar los circuitos, la resistencia real se sustituye por una asociacin serie formada por una resistencia ideal y por una bobina tambin ideal, aunque a veces tambin se les puede aadir un pequeo condensador ideal en paralelo con dicha asociacin serie. En los conductores, adems, aparecen otros efectos entre los que cabe destacar el efecto pelcula.

Transistor de unin bipolar

Transistor de unin bipolar. El transistor de unin bipolar (del ingls Bipolar Junction Transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrnico de estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada bastante baja. Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y se usan generalmente en electrnica analgica aunque tambin en algunas aplicaciones de electrnica digital, como la tecnologa TTL o BICMOS. Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:

Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar fuertemente dopada,

comportndose como un metal. Su nombre se debe a que esta terminal funciona como emisor de portadores de carga.

Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el emisor del colector. Colector, de extensin mucho mayor.

La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial. En su funcionamiento normal, la unin base-emisor est polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa. Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la base, porque es muy angosta, hay poca recombinacin de portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y estado de actividad.

Estructura

Un transistor de unin bipolar consiste en tres regiones semiconductoras dopadas: la regin del emisor, la regin de la base y la regin del colector. Estas regiones son, respectivamente, tipo P, tipo N y tipo P en un PNP, y tipo N, tipo P, y tipo N en un transistor NPN. Cada regin del semiconductor est conectada a un terminal, denominado emisor (E), base (B) o colector (C), segn corresponda.

Corte transversal simplificado de un transistor de unin bipolar NPN. Donde se puede apreciar como la unin base-colector es mucho ms amplia que la base-emisor. La base est fsicamente localizada entre el emisor y el colector y est compuesta de material semiconductor ligeramente dopado y de alta resistividad. El colector rodea la regin del emisor, haciendo casi imposible para los electrones inyectados en la regin de la base escapar de ser colectados, lo que hace que el valor resultante de se acerque mucho hacia la unidad, y por eso, otorgarle al transistor un gran . El transistor de unin bipolar, a diferencia de otros transistores, no es usualmente un dispositivo simtrico. Esto significa que intercambiando el colector y el emisor hacen que el transistor deje de funcionar en modo activo y comience a funcionar en modo inverso. Debido a que la estructura interna del transistor est usualmente optimizada para funcionar en modo activo, intercambiar el colector con el emisor hacen que los valores de y en modo inverso sean mucho ms pequeos que los que se podran obtener en modo activo; muchas veces el valor de en modo inverso es menor a 0.5. La falta de simetra es principalmente debido a las tasas de dopaje entre el emisor y el colector. El emisor est altamente dopado, mientras que el colector est ligeramente dopado, permitiendo que pueda ser aplicada una gran tensin de reversa en la unin colectorbase antes de que esta colapse. La unin colector-base est polarizada en inversa durante la operacin normal. La razn por la cual el emisor est altamente dopado es para aumentar la eficiencia de inyeccin de portadores del emisor: la tasa de portadores inyectados por el emisor en relacin con aquellos inyectados por la base. Para una gran ganancia de corriente, la mayora de los portadores inyectados en la unin base-emisor deben provenir del emisor.

El bajo desempeo de los transistores bipolares laterales muchas veces utilizados en procesos CMOS es debido a que son diseados simtricamente, lo que significa que no hay diferencia alguna entre la operacin en modo activo y modo inverso. Pequeos cambios en la tensin aplicada entre los terminales base-emisor genera que la corriente que circula entre el emisor y el colector cambie significativamente. Este efecto puede ser utilizado para amplificar la tensin o corriente de entrada. Los BJT pueden ser pensados como fuentes de corriente controladas por tensin, pero son caracterizados ms simplemente como fuentes de corriente controladas por corriente, o por amplificadores de corriente, debido a la baja impedancia de la base. Los primeros transistores fueron fabricados de germanio, pero la mayora de los BJT modernos estn compuestos de silicio. Actualmente, una pequea parte de stos (los transistores bipolares de hetera juntura) estn hechos de arseniuro de galio, especialmente utilizados en aplicaciones de alta velocidad. NPN

El smbolo de un transistor NPN. NPN es uno de los dos tipos de transistores bipolares, en los cuales las letras "N" y "P" se refieren a los portadores de carga mayoritarios dentro de las diferentes regiones del transistor. La mayora de los transistores bipolares usados hoy en da son NPN, debido a que la movilidad del electrn es mayor que la movilidad de los "huecos" en los semiconductores, permitiendo mayores corrientes y velocidades de operacin. Los transistores NPN consisten en una capa de material semiconductor dopado P (la "base") entre dos capas de material dopado N. Una pequea corriente ingresando a la base en configuracin emisor-comn es amplificada en la salida del colector. La flecha en el smbolo del transistor NPN est en la terminal del emisor y apunta en la direccin en la que la corriente convencional circula cuando el dispositivo est en funcionamiento activo.

Diodo Rectificador

Un diodo rectificador es uno de los dispositivos de la familia de los diodos ms sencillos. El nombre diodo rectificador procede de su aplicacin, la cual consiste en separar los ciclos positivos de una seal de corriente alterna. Si se aplica al diodo una tensin de corriente alterna durante los medios ciclos positivos, se polariza en forma directa; de esta manera, permite el paso de la corriente elctrica. Pero durante los medios ciclos negativos, el diodo se polariza de manera inversa; con ello, evita el paso de la corriente en tal sentido. Durante la fabricacin de los diodos rectificadores, se consideran tres factores: la frecuencia mxima en que realizan correctamente su funcin, la corriente mxima en que pueden conducir en sentido directo y las tensiones directa e inversa mximas que soportarn. Una de las aplicaciones clsicas de los diodos rectificadores, es en las fuentes de alimentacin; aqu, convierten una seal de corriente alterna en otra de corriente directa.

Bibliografa
www.google.com www.monografias.com Conocimientos personales