Electrnica

Industrial
Tema 3. Fundamentos de Electrnica Analgica
3.5. Transistor Bipolar (BJT). - Introduccin al anlisis en corriente alterna (ca) - Conguraciones de un amplicador con BJT: E.C., B.C., C.C. - Modelos para el anlisis en ca. Modelo de Ebers-Moll (re) - Teorema de Superposicin:
- - Circuito equivalente en DC Circuito equivalente en ac

- Expresiones de clculo de los parmetros de un amplicador (Zi, Zo, Av, Ai)


En clases anteriores hemos visto: Construccin bsica, apariencia y caractersticas del transistor bipolar. Justificacin de la polarizacin y descripcin del proceso para el anlisis de diversos circuitos de polarizacin, determinando a partir de los valores de las tensiones y corrientes del transistor, especialmente los que definen el punto de reposo (Q) (VCEQ, ICQ), la zona de trabajo del mismo. En la zona de trabajo ACTIVA, se cumple la relacin entre las corrientes de colector y base hFE = IC / IB existe amplificacin. El transistor puede ser utilizado como interruptor, en lugar de como amplificador. En este caso el transistor se mueve entre la zona de CORTE y la de SATURACIN.


En este curso nos vamos a centrar en el estudio del BJT como amplificador, dejando para la asignatura de Electrnica de Potencia (menciones de Electricidad y de Electrnica Industrial y Automtica) el estudio del BJT como interruptor. Dependiendo del terminal del transistor donde se conecta la seal alterna que se pretende amplificar (seal de entrada, Vi) y del terminal donde se obtiene la seal de salida (Vo), nos encontramos con las siguientes configuraciones para un circuito amplificador con BJT: a) Emisor Comn (E.C.): Entrada por Base Salida por Colector b) Base Comn (B.C.): Entrada por Emisor Salida por Colector c) Colector Comn (C.C.): Entrada por Base Salida por Emisor


a) Emisor Comn (E.C.): Entrada por Base Salida por Colector
+ VCC

R1

RC Co +

Rg Vg

Ci +

Q1 NPN

Rcarga Vo

1kHz

+
Ce

Vi

R2

RE


b) Base Comn (B.C.): Entrada por Emisor Salida por Colector
+ VCC

R1

RC Co + Rcarga Vo

Q1 NPN

Cb

R2

RE

Ci

Rg

Vi

Vg 1kHz


c) Colector Comn (C.C.): Entrada por Base Salida por Emisor
+ VCC

R1

Rg Vg

Ci +

Q1 NPN Co +

1kHz Vi R2 RE

Rcarga Vo


Para poder analizar el comportamiento de un transistor bipolar frente a una seal alterna es necesario conocer los modelos vlidos para representar el transistor en el dominio de seal alterna (ca) seniodal. La magnitud de la seal determinar si se aplican las tcnicas de seal grande o pequea seal. Aunque no existen lneas divisorias entre las dos, podemos considerar que la amplitud de pequea seal est en torno a los milivoltios (algunas referencias la comparan con el valor de la VT (26 mV) ). Existen tres modelos de uso frecuente en el anlisis de ca de pequea seal: el modelo re ; el modelo equivalente hbrido (parmetros h), y el modelo hbrido (para alta frecuencia).


Nos centramos en el estudio del modelo re (Modelo de Ebers-Moll). Recordamos el concepto de modelo: Un modelo es una combinacin de elementos de un circuito, apropiadamente seleccionados, que simula de forma aproximada el comportamiento real de un dispositivo semiconductor en condiciones especficas de operacin. Por lo tanto, podr sustituirse en el circuito el smbolo esquemtico del dispositivo por este circuito equivalente y utilizar los mtodos bsicos de anlisis de circuitos para determinar las cantidades deseadas de la red.


Modelo re (Modelo de Ebers-Moll) para el BJT: Para continua (DC): (en zona activa) Base-Emisor: Diodo Colector-Emisor: fuente de corriente (IC) ICQ = hFE IBQ Emisor: resistencia re Colector: fuente de corriente (iC) ic = hfe ib Para alterna (ac): Donde re = VT / ICQ = 26 mV / ICQ (25 C)


Recordamos la definicin de amplificador activo: aquellos que toman energa de alguna fuente externa, generalmente de la Fuente de Alimentacin, y la usan para aumentar la seal de entrada.

En el circuito amplificador se mezclan: La DC de polarizacin. La ac de la pequea seal Para el anlisis del circuito amplificador en continua (DC) y en alterna (AC - ac) se aplica el Teorema de Superposicin.


El Teorema de Superposicin permite separar el anlisis de las respuestas de DC y ac del sistema. Para ello se tiene que obtener , a partir del circuito amplificador, los correspondientes equivalentes en continua y en alterna.

Circuito Amplicador


Aplicacin del Teorema de Superposicin: - Procedimiento para obtener el circuito equivalente en continua: Los condensadores se comportan como un circuito abierto.
+ VCC + VCC

R1

RC Co +

R1

RC Co

Rg Vg

Ci +

Q1 NPN

Rcarga Vo Vg

Rg

Ci

Q1 NPN

Rcarga Vo

1kHz

Vi

R2

RE

1kHz Ce

Vi

R2

RE

Ce


Resultado del procedimiento equivalente DC:
+ VCC

+ VCC

R1

RC Co +

R1

RC

Rg Vg

Ci +

Q1 NPN

Rcarga Vo

Q1 NPN

1kHz

Vi

R2

RE

R2

RE

Ce

Red de polarizacin


Aplicacin del Teorema de Superposicin: - Procedimiento para obtener el circuito equivalente en alterna: Los condensadores se comportan como un circuito cerrado. Las fuentes de tensin se sustituyen por un cortocircuito
+ VCC
VCC

R1

RC Co +

R1

RC Co

Rg Vg

Ci +

Q1 NPN

Rcarga Vo
Vg

Rg

Ci

Q1 NPN

Rcarga Vo

1kHz

Vi

R2

RE

1kHz

Vi

R2

RE Ce

Ce


Consideraciones sobre el resultado inicial obtenido al aplicar el Teorema de Superposicin para obtener el circuito equivalente en ac:
R1 RC

VCC

R1

RC Co
Vg

Rg

Ci

Rcarga Q1 NPN R2 Vo

Rg Vg

Ci

Q1 NPN

Rcarga Vo

1kHz

Vi

1kHz

Vi

R2

RE Ce

Rg Vg Vi R1 R2

Q1 NPN

RC Vo

Rcarga

1kHz


ltimo paso: sustitucin del smbolo de transistor por su modelo equivalente Ebers-Moll:
Rg Vg Vi R1 R2 Q1 NPN RC Vo Rcarga 1kHz

c Rg Vg Vi R1 R2 b

ib ie

ic hfe ib re RC e Vo Rcarga

1kHz


Mediante el anlisis del circuito equivalente ac del amplificador podemos obtener las expresiones de clculo de: Impedancia de entrada (Zi) Impedancia de salida (Zo) Ganancia de tensin (Av) Ganancia de corriente (Ai)
c Rg Vg Vi R1 R2 b

ib ie

ic hfe ib re RC e Vo Rcarga

1kHz


* Impedancia de entrada (Zi) del amplificador: es la que ve la fuente de seal de entrada entre los bornes o terminales donde se aplica (Vi):
c Rg Vg Vi R1 R2 b

ib ie

ic hfe ib re RC e Vo Rcarga

1kHz

Zi

Zitr

Su valor es el resultado de la asociacin en paralelo de R1, R2 y Zitr: Zi = ( R1 // R2 // Zitr) Donde Zitr representa el valor de la Impedancia de Entrada del transistor


* Impedancia de entrada (Zitr) del transistor: es la que se ve entre los terminales del transistor donde se aplica la fuente de seal de entrada (Vi):
c Rg Vg Vi R1 R2 b

ib ie

ic hfe ib re RC e Vo Rcarga

1kHz

Zitr

En el circuito de la figura, la impedancia del transistor es la que hay entre los terminales de base y emisor. Resistencia que se ve desde la base la que est en el emisor (re) Impedancia reflejada del emisor en la base (hfe re) = Zitr


* Impedancia de entrada (Zi) del amplificador:
c Rg Vg Vi R1 R2 b

ib ie

ic hfe ib re RC e Vo Rcarga

1kHz

Zi

Zitr

Zi = ( R1 // R2 // (hfe re)


* Impedancia de salida (Zo) del amplificador: es la que ve la carga (Rcarga) entre los terminales del amplificador donde se obtiene (Vo), estando la seal de entrada (Vi) cortocircuitada:
c Rg Vg Vi R1 R2 b

ib ie

ic hfe ib re RC e Vo Rcarga

1kHz

Zotr

Zo

Su valor es el resultado de la asociacin en paralelo de RC y Zotr: Zo = ( RC // Zotr) Donde Zotr representa el valor de la Impedancia de Salida del transistor


* Impedancia de salida (Zotr) del transistor: es la que se ve entre los terminales del transistor donde se obtiene la seal de salida (Vo):
c Rg Vg Vi R1 R2 b

ib ie
re

ic hfe ib RC e Rcarga Vo

1kHz

Zotr

En el circuito de la figura, la impedancia del transistor es la que hay entre los terminales de colector y emisor. Resistencia que se ve desde el colector prcticamente infinita al encontrarse la fuente de corriente (ic) en el terminal de colector (circuito abierto). Zotr = ohms


* Impedancia de salida (Zo) del amplificador:
c Rg Vg Vi R1 R2 b

ib ie

ic hfe ib re RC e Vo Rcarga

1kHz

Zotr

Zo

Zo = RC


* Ganancia de Tensin (Av) del amplificador: ( Vo / Vi )
c Rg Vg Vi R1 R2 b

ib ie

ic hfe ib re RC e Vo Rcarga

1kHz

Para el clculo de Vo se aplica la Ley de Ohm: Resistencia: (RC // Rcarga) Av = - ( RC // Rcarga) / re Intensidad: (-ic ) = - ( hfe ib ) El signo negativo indica Para el clculo de Vi se aplica Ley de Ohm: desfase de 180 entre seal Resistencia: ( re ) de entrada y de salida Intensidad: ( ie ) = ( hfe ib )


* Ganancia de Corriente (Ai) del amplificador: ( io / ii )
c Rg Vg Vi R1

ii
iR1//R2

ib ie

ic hfe ib re

io

1kHz

R1//R2

R2

RC e

Rcarga Vo

La corriente de salida es (ic) (hfeib) La corriente de entrada (ii) ii= iR1//R2 + ib

iR1//R2= Vi / (R1//R2) Vi = ie re = (hfeib) re

ii = [(hfeib) re / (R1//R2)] + ib = ib {[(hfere) + (R1//R2)] / (R1//R2)}

Ai = [hfe(R1//R2)] / [(hfere) + (R1//R2)]