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Haute Ecole dIngnierie et de Gestion du canton du Vaud

SYSTEMES ELECTRONIQUES I
PREMIERE PARTIE

Marc Correvon

T A B L E

D E S

M A T I E R E S

PAGE

1. INTRODUCTION...........................................................................................................................................1-1 1.1 1.2 1.3 1.3.1 1.4 1.5 2.1 2.1.1 2.1.2 2.1.3 2.2 2.2.1 2.2.2 2.2.3 2.3 2.3.1 2.3.2 2.3.3 2.3.4 2.4 2.4.1 2.4.2 2.5 2.5.1 2.6 2.6.1 2.6.2 BUT ......................................................................................................................................................1-1 FILS CONDUCTEURS ET CHAPITRES DU COURS ........................................................................................1-1 CONSIDRATIONS TECHNOLOGIQUES .....................................................................................................1-3 Gnralits........................................................................................................................... 1-3 NOTES DAPPLICATIONS .........................................................................................................................1-4 AVERTISSEMENT ...................................................................................................................................1-4 INTRODUCTION ......................................................................................................................................2-1 Gnralit............................................................................................................................. 2-1 Rfrence de tension de type bandgap .......................................................................... 2-1 Rfrence de tension de type diode Zener enterre ...................................................... 2-1 RFRENCE DE TENSION ISSUE DUNE DIODE ZENER ..............................................................................2-3 Gnralits........................................................................................................................... 2-3 Diode Zener enterre (buried Zener).................................................................................... 2-4 Rfrences de tension intgre............................................................................................ 2-6 RFRENCE DE TENSION PAR EXPLOITATION DE LA BANDE INTERDITE ......................................................2-7 Gnralits........................................................................................................................... 2-7 Principe ................................................................................................................................ 2-7 Rfrence de tension bandgap de Widlar .......................................................................... 2-11 Rfrence de tension bandgap de Brokaw ........................................................................ 2-12 RFRENCE DE TENSION EN TECHNOLOGIE XFET................................................................................2-15 Gnralits......................................................................................................................... 2-15 Principe .............................................................................................................................. 2-15 DFINITIONS DES PARAMTRES PROPRE AUX TENSIONS DE RFRENCE ................................................2-17 Dfinition des paramtres .................................................................................................. 2-17 ETUDE DE LA RFRENCE DE TENSION REF02.....................................................................................2-20 Description du circuit .......................................................................................................... 2-20 Exemple de dimensionnement ........................................................................................... 2-21

2. RFRENCES DE TENSION. .....................................................................................................................2-1

3. RGULATEURS LINAIRES DE TENSION. .............................................................................................3-1 3.1 INTRODUCTION ......................................................................................................................................3-1 3.1.1 Fonctionnement standard..................................................................................................... 3-1 3.1.2 Fonctionnement en mode LDO ............................................................................................ 3-1 3.1.3 Boucle de rglage et stabilit ............................................................................................... 3-2 3.1.4 Importance de la rfrence de tension ................................................................................. 3-2 3.2 TOPOLOGIES DES RGULATEURS LINAIRES DE TENSION ........................................................................3-3 3.2.1 Description du fonctionnement............................................................................................. 3-3 SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

3.2.2 Structure de llment de ballast .......................................................................................... 3-4 3.2.3 Les rgulateurs standards.................................................................................................... 3-6 3.2.4 Les rgulateurs LDO ............................................................................................................ 3-7 3.3 STABILIT DES RGULATEUR LDO .......................................................................................................3-12 3.3.1 Introduction ........................................................................................................................ 3-12 3.3.2 Modle simplifi par accroissement des composants du rgulateur LDO .......................... 3-12 3.3.3 Modle petits signaux du rgulateur LDO .......................................................................... 3-13 3.3.4 Etude de la fonction de transfert en boucle ouverte. .......................................................... 3-14 3.3.5 Paramtres des rgulateurs LDO....................................................................................... 3-17 3.4 LIMITATION DU COURANT DE SORTIE .....................................................................................................3-19 3.4.1 Gnralits......................................................................................................................... 3-19 3.4.2 Caractristique rectangulaire de la limitation de courant.................................................... 3-19 3.4.3 Caractristique rentrante (foldback) de la limitation de courant........................................ 3-22 3.5 PROTECTION THERMIQUE ....................................................................................................................3-24 4. ALIMENTATIONS DCOUPAGE INDUCTANCE SIMPLE...............................................................4-1 4.1 4.1.1 4.1.2 4.1.3 4.2 4.2.1 4.3 4.3.1 4.4 4.4.1 4.4.2 4.4.3 4.4.4 4.4.5 4.4.6 4.4.7 4.5 4.5.1 4.5.2 4.5.3 4.5.4 4.5.5 4.5.6 4.5.7 4.6 4.6.1 4.6.2 4.6.3 4.6.4 4.6.5 4.6.6 4.6.7 INTRODUCTION ......................................................................................................................................4-1 Gnralits........................................................................................................................... 4-1 Dfinition des sources et des rcepteurs ............................................................................. 4-2 Semiconducteurs disponibles comme fonction interrupteur. ................................................ 4-3 NOTATIONS UTILISES ...........................................................................................................................4-4 Dfinition .............................................................................................................................. 4-4 ALIMENTATIONS DCOUPAGE NON RVERSIBLES LIAISON DIRECTE .....................................................4-5 Gnralits........................................................................................................................... 4-5 ALIMENTATION SRIE OU ABAISSEUSE DE TENSION..................................................................................4-6 Conduction continue............................................................................................................. 4-6 Ondulation du courant iL et de la tension uC. Choix de L et de C ......................................... 4-9 Analyse frquentielle .......................................................................................................... 4-10 Frontire entre le mode continu et intermittent................................................................... 4-11 Conduction intermittente .................................................................................................... 4-11 Caractristique statique avec tension de sortie constante. ................................................ 4-13 Diagramme structurel ......................................................................................................... 4-14 ALIMENTATION DE TYPE PARALLLE OU LVATRICE DE TENSION...........................................................4-15 Conduction continue........................................................................................................... 4-15 Ondulation du courant iL et de la tension uC. Choix de L et de C ....................................... 4-18 Ondulation de la tension uC. Choix de C ............................................................................ 4-18 Frontire entre le mode continu et intermittent................................................................... 4-19 Conduction intermittente .................................................................................................... 4-20 Caractristique statique avec tension sortie constante ...................................................... 4-21 Diagramme structurel ......................................................................................................... 4-23 ALIMENTATION DCOUPAGE NON RVERSIBLE A LIAISON INDIRECTE ....................................................4-24 Gnralits......................................................................................................................... 4-24 Hacheur stockage inductif ............................................................................................... 4-24 Conduction continue........................................................................................................... 4-25 Ondulation du courant iL et de la tension uC. Choix de L et de C ....................................... 4-28 Frontire entre le mode continu et intermittent................................................................... 4-29 Conduction intermittente .................................................................................................... 4-29 Caractristique statique avec tension de sortie constante ................................................. 4-31

4.6.8

Diagramme structurel ......................................................................................................... 4-33

5. TRANSFORMATEURS POUR ALIMENTATIONS DCOUPAGE.......................................................5-1 5.1 INTRODUCTION ......................................................................................................................................5-1 5.1.1 Relations de base................................................................................................................. 5-1 5.1.2 Circuits magntiques............................................................................................................ 5-6 5.2 MODLE DU TRANSFORMATEUR ...........................................................................................................5-10 5.2.1 Gnralits......................................................................................................................... 5-10 5.2.2 Transformateur idal .......................................................................................................... 5-11 5.2.3 Modlisation du transformateur idal ................................................................................. 5-11 5.2.4 Transformateur avec inductance magntisante.................................................................. 5-12 5.3 PERTES DANS LES CIRCUITS MAGNTIQUES ..........................................................................................5-16 5.3.1 Gnralits......................................................................................................................... 5-16 6. ALIMENTATIONS DCOUPAGE TRANSFORMATEUR..................................................................6-1 6.1 6.1.1 6.1.2 6.1.3 6.1.4 6.1.5 6.1.6 6.2 6.2.1 6.2.2 6.3 6.3.1 6.3.2 6.4 6.4.1 6.4.2 7.1 7.2 7.2.1 7.2.2 7.2.3 7.2.4 7.2.5 7.3 7.3.1 7.3.2 7.3.3 7.3.4 7.3.5 7.4 7.4.1 CONVERTISSEUR STOCKAGE INDUCTIF AVEC ISOLATION GALVANIQUE ...................................................6-1 Montage FLYBACK .............................................................................................................. 6-1 Conduction continue............................................................................................................. 6-3 Limite de la conduction continue .......................................................................................... 6-2 Fonctionnement en conduction intermittente........................................................................ 6-3 Considration sur le transfert dnergie................................................................................ 6-4 Dimensionnement du transformateur dun montage Flyback ............................................... 6-6 CONVERTISSEUR DE TYPE SRIE AVEC ISOLATION GALVANIQUE ...............................................................6-9 Montage FORWARD............................................................................................................ 6-9 Etude du fonctionnement ..................................................................................................... 6-9 CONVERTISSEUR DE TYPE SYMTRIQUE AVEC ISOLATION GALVANIQUE ..................................................6-15 Montage PUSH-PULL (pont complet) ................................................................................ 6-15 Etude de fonctionnement ................................................................................................... 6-15 VALUATION ET DIMENSIONNEMENT DES CONVERTISSEURS DC-DC .....................................................6-19 Gnralits......................................................................................................................... 6-19 Stress et taux dutilisation des semiconducteurs (transistor).............................................. 6-19 INTRODUCTION ......................................................................................................................................7-1 LES CONDENSATEURS...........................................................................................................................7-1 Principe de fonctionnement.................................................................................................. 7-1 Paramtres caractristiques dun dilectrique...................................................................... 7-2 Modle quivalent ................................................................................................................ 7-2 Les principales technologies ................................................................................................ 7-3 Les condensateurs dans les alimentations dcoupage. .................................................... 7-5 LES MATERIAUX MAGNETIQUES ..............................................................................................................7-6 Les matriaux....................................................................................................................... 7-6 Grandeurs caractristiques des matriaux magntiques ..................................................... 7-6 Les matriaux magntiques et les corps de bobines............................................................ 7-7 Dimensionnement dune inductance .................................................................................. 7-13 Dimensionnement dun transformateur .............................................................................. 7-14 LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE ...............................................................................................7-21 Les MOFSET ..................................................................................................................... 7-21

7. DIMENSIONNEMENT DES LMENTS DES ALIMENTATIONS DCOUPAGE ...............................7-1

7.4.2 7.4.3

Les IGBT ............................................................................................................................ 7-22 Les diodes.......................................................................................................................... 7-23

BIBLIOGRAPHIE [1] TRAITE DELECTRICITE Volume VIII : Electronique Auteurs : J.D. Chatelain et R.Dessoulavy ISBN : 2-604-00010-5 CIRCUIT ET SYSTEMES ELECTRONIQUES ELECTRONIQUE III, PARTIE I Auteur : M. Declercq THE ART OF ELECTONICS Auteurs : P. Horowitz, W. Hill ISBN : 0-521-37095-7 Linear and Switching Voltage Regulator Fundamentals National Semiconductor Chester Simpson Member of Technical Staff Power Management Applications Fundamental Theory PMOS Low Dropout Voltage regulator Application report SLVA068 AN-18 (PMI) Thermometer application of the REF02 Technical review of Low Dropout Voltage Regulator Operation and performance Application Report SLVA072 Understanding the Terms and Definitions of LDO Voltage Regulators Application Reports Texas Instruments, Incorporated SLVA079 Digital Designer's Guide to Linear Voltage Regulators & Thermal Mgmt Application Report SLVA118

[2]

[3]

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[10] Advantages of using PMOS-type low-dropout linear regulators in battery applications Analog applications, power management SLYT161

[11] LES CONVERTISSEURS DE L'LECTRONIQUE DE PUISSANCE Volume 3 : La conversion continue continue (2me dition) Auteurs : Robert Bausire, Francis Labrique, Guy Seguier Chapitre 3 ISBN : 2-7430-0139-9 [12] POWER ELECTRONICS Converters, Applications and Design Auteurs : Ned Mohan, Tore M. Undeland, William P. Robbins Chapitre 5 ISBN : 0-471-50537-4 [13] FUNDAMENTALS OF POWER ELECTRONICS Auteur : Robert W.Erickson Chapitre 2 & 5 ISBN : 0-412-08541-0

CHAPITRE 1 : INTRODUCTION

Page 1-1

Introduction
1.1 BUT
Le cours Systmes Electroniques I est une description des fonctions lmentaires de llectronique industrielle. En effet, pour pouvoir raliser un systme lectronique sur la base dun cahier des charges, il est ncessaire de bien matriser lensemble des fonctions constituant le systme. Il faut non seulement avoir de bonnes connaissances en lectronique mais galement de lensemble du problme rsoudre. Par exemple pour une commande de moteur, il faut tre capable de dimensionner les composants en fonction de la puissance fournir, du niveau de tension, de courant et pour finir des contraintes denvironnement (temprature, vibrations, humidit, ). Les progrs technologiques des circuits intgrs et des semiconducteurs de puissance permettent de rduire toujours plus lencombrement de llectronique, les contraintes thermiques et la tenue des dilectriques tant le dernier obstacle la miniaturisation. Le concepteur de cartes lectroniques doit avoir une trs bonne connaissance des composants disponibles, il est donc important quil sache, de manire efficace, ou chercher linformation sur les plus rcents dveloppements et produits des fabricants.

1.

1.2 FILS CONDUCTEURS ET CHAPITRES DU COURS


Toutes cartes lectroniques possdent aux moins une alimentation sous la forme dun rgulateur de tension ou dun convertisseur DC/DC. Lasservissement de ces composants ncessite lutilisation de rfrences de tension. Pour les composants travaillant en commutation, la commande des commutateurs lectroniques (semiconducteurs) est un point important comprendre et maitriser. Selon les contraintes, il peut savrer ncessaire de raliser une sparation galvanique entre divers fonctions. Dans ce cas, les signaux analogiques et logiques devront tre dcoupls de manires optolectronique, capacitive ou inductive. Pour les alimentations avec sparation galvanique, lutilisation dun transformateur est ncessaire. La pratique montre que la comprhension du transformateur et son dimensionnement sont en gnral mal connus et mal matriss. Afin de rpondre au mieux aux divers points soulevs ci-dessus, les chapitres du cours sont organiss selon la logique dcrite ci-dessous. Le chapitre 2 Rfrences de tension est une description du design permettant la ralisation dune rfrence de tension en tenant compte de sa sensibilit la temprature. Le chapitre 3 Rgulateurs de tension donne un aperu des composants ralisant un asservissement de la tension dalimentation et des limites thermiques lies la structure mme de ces composants. Le chapitre 4 Alimentations dcoupage inductance simple donne les bases thoriques du fonctionnement des convertisseurs DC/DC sans sparation galvanique.

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 1 : INTRODUCTION

Page 1-2

Type Courant impulsionnel de sortie Alimentation uni/bi-polaire Tenue en tension Protection ... Standard ou planar Type de matriau Taille du circuit magntique Nombre de spires ... Topologie Effet de la temprature Prcision ...

Transformateur

Opto-lectronique

Driver de gate Transformateur Rfrence de tension

Entre

Convertisseurs DC/DC

Rgulateurs linaires

Carte(s) lectronique(s)

Convertisseurs DC/DC

Tensions et courants dentre et de sortie Sparation galvanique Type de convertisseur Contraintes thermiques Protection ...

Tensions et courants dentre et de sortie Prcision de la tension de sortie Contraintes thermiques Protection Stabilit ...

Dcouplage des signaux

Transformateur
Type de dcouplage Vitesse Tenue en tension Protection ...

Opto-lectronique

Figure 1-1 : Structure de lalimentation dune carte lectronique

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 1 : INTRODUCTION

Page 1-3

Le chapitre 5 Transformateurs impulsions donne les bases ncessaires la ralisation non seulement des transformateurs utiliss pour les convertisseurs DC/DC avec sparation galvanique mais aussi pour la transmission dcouple de signaux analogiques ou logiques. Puis dans la logique du droulement du cours. Le chapitre 6 Alimentations dcoupage transformateur est une description non exhaustive des convertisseurs DC/DC avec sparation galvanique. Le chapitre 7 Composants des alimentations dcoupage concerne le dimensionnements dune inductance ou dun transformateur pour les alimentations dcoupage. Il donne galement une brve description des divers composants passifs utilisables pour ce type dapplication. Le chapitre 8 Commande des lments de commutation est une description des topologies les plus courantes pour raliser des commandes pour MOSFET et IGBT en tenant compte des contraintes de lapplication.

1.3 CONSIDRATIONS TECHNOLOGIQUES


1.3.1 Gnralits Llectronique peut tre soumise des contraintes svres. Chaque composant doit tre choisi de manire optimale au niveau de ces caractristiques, de son boitier, de sa disponibilit et de son cot. Lensemble de ces exigences nest pas simple maitriser. Cette section donne description succincte des contraintes auxquelles il faut faire face. Dans le cadre de ce cours, les composants suivants seront abords. Amplificateurs oprationnels. Rfrences de tension et de courant. Rgulateurs linaires (LDO) Circuits ddicacs aux abaisseurs (step-down) et aux lvateurs de tension (step-up) Circuits ddicacs aux alimentations Flyback, Forward, push-pull Driver de gate Circuits magntiques. Semiconducteurs ddis la commutation, MOSFET, IGBT, Diode

Chacun de ces composants doit rpondre des exigences dpendant de lapplication. Les rfrences de tension doivent fournir des tensions indpendantes de la tension alimentation et de la temprature. Les rgulateurs de tension et les convertisseurs DC/DC doivent tre stables (asservissement de tension) sous certaines conditions bien maitrise, ils doivent tre protgs contre les courts-circuits et contre les surcharges thermiques. Les transformateurs doivent travailler dans leur zone linaire, la saturation du circuit magntique ne doit jamais se produire Enfin la commande des semiconducteurs de puissance (driver de gate) doit tre ralise de manire optimiser le nombre et le cot des composants.

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 1 : INTRODUCTION

Page 1-4

1.4 NOTES DAPPLICATIONS


Le cours a pour but de vous faire dcouvrir la thorie qui se cache derrire chaque fonction constituant un systme lectronique. Des notes dapplications, bases sur des exemples concrets sont aussi disposition pour illustrer le cours par des aspects plus pratique.

1.5 AVERTISSEMENT
Ce cours se base sur les cours suivants : ENA : Electronique analogique SES : Signaux et systmes

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 2 : RFRENCES DE TENSION

Page 2-1

Rfrences de tension.
2.1 INTRODUCTION
2.1.1 Gnralit La majorit des rfrences de tension modernes sont construites selon trois principes diffrents. Les caractristiques principales dune rfrence de tension sont la prcision absolue de la tension, la drive en temprature, le niveau de bruit, la consommation et la stabilit au vieillissement. 2.1.2 Rfrence de tension de type bandgap La rfrence de tension de type bandgap est base sur lexploitation des caractristiques de la tension thermodynamique VT. La Figure 2-1 donne le schma de principe de ce type de rfrence

2.

Figure 2-1 : Architecture des rfrences de tension Bandgap

2.1.3

Rfrence de tension de type diode Zener enterre La rfrence tension de type diode Zener enterre est base sur lutilisation de Zener enterre (buried Zener diode) dans le but de minimiser le bruit, la drive thermique et damliorer la stabilit dans le temps. La Figure 2-2 illustre le principe de base de ce type de rfrence de tension

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 2 : RFRENCES DE TENSION

Page 2-2

Figure 2-2 : Architecture des rfrences de tension Zener enterre

2.1.3.1

Rfrence de tension de type XFET

La rfrence tension de type XFET est base sur lutilisation de la tension de pincement des transistors effet de champ (XFET : eXtra implanted FET). La Figure 2-3 met en vidence la structure de base dune rfrence de tension de type XFET.

Figure 2-3 : Architecture des rfrences de tension XFET

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 2 : RFRENCES DE TENSION

Page 2-3

2.2 RFRENCE DE TENSION ISSUE DUNE DIODE ZENER


2.2.1 Gnralits Une diode Zener prsente, dans le sens passant, des caractristiques identiques celles dune diode normale. Par contre dans le sens inverse, un courant peut circuler si la tension applique aux bornes de llment semiconducteur est suffisamment leve. La tension inverse permettant la conduction brusque de la diode est appele tension Zener. Pour obtenir une tension Zener, il faut fortement doper la jonction p-n de la diode de manire permettre un passage facile des lectrons de la bande de valence de la zone dope p la bande de conduction de la zone dope n. Les porteurs de charges (des lments de dopage) ainsi librs sont assez nombreux pour que le courant augmente brutalement et pour que la tension aux bornes de la diode ne varie pratiquement pas. Cet effet, appel effet Zener a t dcouvert par un physicien amricain du nom de Clarence Melvin Zener. Pour dautres diodes Zener, il est possible que sous laction du champ lectrique interne, les porteurs de charges minoritaires (du silicium) de la zone isolante acquirent une nergie telle quil puisse y avoir ionisation par choc, provoquant un effet davalanche, le courant crot extrmement vite. La tension aux bornes de la diode ne varie pratiquement pas non plus. Cest ce qui est appel effet davalanche. La Figure 2-4 montre clairement que le courant croit plus vite pour leffet avalanche. En ralit ces deux effets sont prsents dans une diode Zener. Pour une diode Zener au silicium, jusqu 5.1V, cest leffet Zener qui est qui est prdominant. Ces diodes prsentent une tension Zener avec une drive en temprature ngative. Au dessus de 5.1V, cest leffet avalanche qui devient le plus important et du mme coup la tension Zener prsente un drive en temprature positive
Effet Zener
I z [mA] 50 Tj = 25C
2.4V 2.7V 3.3V 3.9V 4.7V 5.6V 6.8V 8.2V

Effet davalanche

40

30

20 Courant de test 5mA

10

5 Vz [V]

10

Figure 2-4 : Caractristique de diodes Zener pour un courant de polarisation constant de 5mA

Leffet de la temprature sur la tension Zener peut tre annul, ou fortement diminu, en ajoutant une diode en srie (drive en temprature de -2.28mV/C @ T=27C) dans le sens passant. On parle alors de diode Zener compense en temprature. Dans ce cas la tension Zener est de 6.2V au lieu des 5.1V (correspondant au coefficient de temprature le plus faible). SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 2 : RFRENCES DE TENSION

Page 2-4

Vz [V] 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0.0 -0.1 -0.2
3.6V 4.7V 8V 7V 6.2V 5.9V 5.6V 5.1V Vz @ I z =5mA 25V 15V 10V

20

40

60

80 100 120 140 Tj [C]

Figure 2-5 : Drive de la tension Zener en fonction de la temprature.

2.2.2

Diode Zener enterre (buried Zener) La diode Zener est un lment abondamment utilis dans les applications non critiques. Les designers de circuits intgrs utilisent les jonctions Base Emetteur des transistors NPN, polarises en inverse, comme diode Zener de rfrence. Leffet Zener apparait la surface de la puce, l o les effets de contamination et les charges doxyde sont les plus importantes. Ces jonction sont bruyantes et souffrent de drives en temprature et dans le temps qui ne sont pas prdictibles. Les diodes Zener enterres placent la jonction en dessous de la surface du silicium, loin des effets de contamination et doxydation. Le rsultat est une diode Zener avec une grande stabilit dans le temps, un faible bruit et une bonne prcision initiale. La Figure 2-6 montre le dbut de la fabrication dune diode Zener enterre. Une rgion enterre dope n+ est situe sous la structure Zener afin de la protger des prochaines diffusions de contact avec le substrat. Aprs croissance de la couche pitaxiale n-, une diffusion p+ est rpandue par une petite ouverture au centre de la structure Zener. En mme temps, la diffusion p+ est rpandue la priphrie pour former un caisson isol contenant la structure Zener entire.
OUVERTURE DE LOXIDE + POUR DIFFUSION p ISO
p + ISO p + ISO

n EPI

p + ISO

n EPI

n + BURIED LAYER p SUBSTRAT

Figure 2-6 : Structure initiale lors de la fabrication dune diode Zener enterre

La diffusion p+ centrale est protge dun contact avec le substrat p- par la couche enterre n+, alors quon permet aux diffusions latrales p+ datteindre le substrat et de former un caisson disolement. SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 2 : RFRENCES DE TENSION

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Il est important de noter que la concentration la plus leve p+ se produit directement sous louverture du masque et que la concentration de dopant est la plus faible aux franges dune diffusion. Les dernires tapes incluent une diffusion de base p- et une diffusion dmetteur n+, situes au centre de la structure Zener (voir la Figure 2-7). Lmetteur n+ devient la cathode, tandis que lisolement combin et la diffusion de base p- sert danode. La jonction fortement dope se trouve au fond de la cathode, l o lmetteur n+ et la diffusion p+ prsentent les concentrations les plus riches. Les concentrations latrales, plus lgres ont comme consquence une tension Zener plus leve et par consquent ces zones ne sont pas actives. Le rsultat est une tension Zener extrmement stable de trs faible bruit et insensible aux effets extrieurs de contamination ou doxydation.
ZONE ACTIVE DE LA ZENER CATHODE

ISOLATION ANODE
p + ISO p BASE n EPI n + EMETTEUR p + ISO n + COUCHE ENTERREE p SUBSTRAT

Figure 2-7 : Structure dune diode Zener enterre

2.2.2.1

Exemple dune rfrence de tension base sur une diode Zener

Une diode Zener est polarise par une source de courant. Un diviseur rsistif permet dextraire une fraction de la tension Zener. Un amplificateur de tension gain positif permet dune part de prsenter une haute impdance du ct du diviseur de tension rsistif et dautre part de fournir une source de tension de rfrence avec une faible impdance de sortie. Pour avoir une faible drive en temprature, la diode Zener, de 6.2V, est compense en temprature (ajout dune diode srie).

Figure 2-8 : Structure de base dune rfrence de tension de type buried Zener

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 2 : RFRENCES DE TENSION

Page 2-6

Vout =

R2 R4 1 + VZ R1 + R2 R3

2.1

2.2.3

Rfrences de tension intgre Pour obtenir des rfrences de tension prcises, il existe des circuits intgrs dans lesquels on trouve une diode Zener compense en temprature, alimente par une source de courant. Pour des performances accrues, cette diode Zener est enterre afin de la protger des impurets, des contraintes mcaniques et des imperfections de surface qui contribuent accrotre le bruit et dgrader la stabilit long terme. Si les performances globales (prcision, bruit, coefficient de temprature, stabilit long terme) sont suffisamment bonnes pour autoriser leur emploi dans les systmes haute rsolution, elles sont plus coteuses que les rfrences de type bandgap. De plus, elles sont peu adaptes aux systmes basse tension, ce qui prend contresens la tendance gnrale des systmes lectroniques embarqus. Cela tient au fait que les meilleurs rsultats en stabilit dans le temps et en temprature sont obtenus avec des Zener de 6.2V, quil est ncessaire dalimenter partir dune source de tension dau moins 1.5V 2V suprieure. La tension de 6.2V est ensuite rapporte une valeur plus faible par le biais dun rseau rsistif, puis est ajuste la valeur souhaite par lintermdiaire dun amplificateur oprationnel, qui fait par ailleurs office dadaptation dimpdance. Des rseaux plus ou moins complexes sont chargs de compenser la variation non linaire de la tension de sortie en fonction de la temprature. Ainsi, dans ses diffrentes sries VRE diode Zener, Thaler fait usage dun rseau de compensation non linaire du troisime ordre form de thermistances et de rsistances ajustes au laser. Avec les rfrences diode Zener enterre, les caractristiques suivantes peuvent tre atteintes : prcision comprise entre 0.01 et 0.04%, drive en temprature de 1 10 ppm/C (dans la gamme commerciale 0 + 70C), drive sur le long terme entre 6 et 20ppm/1000hrs.

Figure 2-9 : Zener avec rseau de compensation

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 2 : RFRENCES DE TENSION

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2.3 RFRENCE DE TENSION PAR EXPLOITATION DE LA BANDE INTERDITE


2.3.1 Gnralits Lutilisation dans les circuits intgrs de sources de tension de rfrence, stables en temprature, est capitale. Il existe des circuits de tension de rfrence appels bandgap trs stables vis--vis des variations de la temprature. 2.3.2 Principe Le principe dune rfrence de tension bandgap est de compenser le coefficient de temprature ngatif dune jonction pn par le coefficient de temprature positif de la tension thermodynamique donne par la relation

VT =
avec :

kT q

2.2

k = 1.380650310-23 J/K T q = 1.60217710-19 C

: constante de Boltzmann (8.62 10-5 eV/K) : temprature exprime en degrs Kelvin : charge lmentaire

Le schma synoptique dun tel circuit est donn en Figure 2-10. Le but est dobtenir une tension de rfrence avec une stabilit en temprature de lordre de 10ppm/C. Dans ce cas la drive en temprature de VBE doit tre connue de manire plus prcise que simplement VBE/T =-2mV/C.

kT q

VT =

Figure 2-10 : Schma synoptique dune rfrence de tension bandgap

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 2 : RFRENCES DE TENSION

Page 2-8

2.3.2.1

Dtermination de la drive en temprature

La densit de courant de collecteur JC est dfinie comme


JC = qDn n po WB e
VBE VT

2.3

avec : JC=I/AE Dn WB VBE n po = ni2 / N A


2 i 3 VG 0 VT

: densit de courant de collecteur, : constante moyenne de diffusion pour les lectrons, : largeur de la base, : tension Base Emetteur, : concentration dlectron lquilibre dans la Base, : concentration intrinsque de porteurs, : constante indpendante de la temprature, : tension bandgap pour le silicium, : concentration en dopage daccepteur.
VBE VG 0 VT

n = DT e D VG0=1.205V NA

qDn JC = DT 3e N AWB

= AET e kT

(VBE VG 0 )

2.4

avec =3.2 A la temprature de rfrence T0


q

JC

T = T0

= ST0 e

kT0

(V BE

T = T0

V G 0 )

2.5

Le rapport entre les densits de courant de collecteur une temprature quelconque T et la temprature de rfrence T0 scrit sous la forme suivante :

JC J C T =T
finalement
0

T k( = T e 0

q VBE VG 0 VBE T =T0 VG 0 ) T T0

2.6

J C ln JC T =T0

VG 0 V T q = ln VBE VG 0 BE T =T0 + T k T T 0 0

2.7

De la relation prcdente, il est possible dexprimer la tension Base Emetteur en fonction de la temprature.

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 2 : RFRENCES DE TENSION

Page 2-9

T JC kT T0 kT T 1 ln + ln VBE = V V + + T G 0 T BE T =T0 q T q J C T =T 0 0 0
On peut maintenant calculer la drive de VBE en fonction de la temprature

2.8

kT T0 1 1 VBE ln = VG 0 + VBE T =T + 0 T0 T0 q T T T
+ T kT T0 kT ln J C ln + q J T q T C T =T0
0

k J C + ln q JC T =T0

2.9

A la temprature de rfrence T = T0 J C = J C T =T
VBE T =
T =T0

kT0 1 1 ln T VG 0 + VBE T =T + 0 q T T0 T0 T0 T =T0 T =T0

kT0 ln J C + q T J C T =T 0

2.10

Notons que

T0 T T0 1 ln T = T T T = T 0

2.11

et, sachant que la densit de courant de collecteur est proportionnelle T.


T J ln C J C T =T0 J C T =T J C 0 = J C T J C T =T 0 = T

2.12

La drive en temprature de la tension Base Emetteur devient

VBE T

=
T =T0

1 1 k VG 0 + VBE T =T + ( ) 0 q T0 T0

2.13

Les valeurs typiques de et sont =1 et =3.2. En supposant que VBE T =T = 0.6V la


0

temprature ambiante de 27C (300K), on obtient :


VBE T = 2.222mV / C
T = 27 C

2.14

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 2 : RFRENCES DE TENSION

Page 2-10

2.3.2.2

Ralisation dune tension de rfrence compense en temprature

Soit deux jonctions pn de surfaces diffrentes AE1 et AE2. Ces jonctions sont traverses par des courants diffrents.

Figure 2-11 : Circuit de base permettant la mesure de la drive en temprature

A partir de la Figure 2-11, on peut crire


VBE = VBE1 VBE 2 = kT I1 I S 2 kT J1 AE1 I S 2 kT J1 ln ln = q ln J A I = q I I 2 S1 2 E 2 S1 q J 2

2.15

et pour la drive en temprature


VBE k J1 = ln T q J 2

2.16

Pour avoir une drive en temprature nulle la temprature nominale de travail, il faut satisfaire la relation suivante :

VREF VBE = T T

+ K ''
T =T0

VBE =0 T

2.17

O K ' ' est dfinir pour satisfaire lgalit. A partir des relations 2.13, 2.16 et 2.17 on peut crire

K''

VT

T =T0

T0

J1 VBE T =T0 VG 0 ln + VT J + T0 T0 2

T =T0

=0

2.18

J1 En posant K = K ' ' ln J , on obtient 2

K=

VG 0 VBE T =T ( )VT
0

T =T0

VT

2.19

T =T0

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 2 : RFRENCES DE TENSION

Page 2-11

J1 AE1 = = 10 , VBE T =T = 0.6V et T0=300K, on a K=25.469. La tension de sortie de la 0 J 2 AE 2 source de rfrence bandgap vaut donc
Pour

VREF T =T = VBE T =T + K VT
0 0

T =T0 T =T0

= VBE T =T + VG 0 VBE T =T ( )VT


0 0

T =T0

= VG 0 ( )VT

2.20

Soit pour une temprature de travail de 27C, VREF=1.205+0.025822.2=1.262V Pour une temprature de travail diffrente de T0, la drive en temprature de VREF ne sera pas nulle (VREF/T0).
Variation de la tension de rfrence en fonction de la temprature 1.28

1.275 T0=350K

VREF/T=0

1.27

VREF [V]

1.265

VREF/T=0
T0=300K

1.26

1.255

VREF/T=0
T0=250K

1.25

-100

-50

0 T [C]

50

100

150

Figure 2-12 : Variation de la tension de rfrence en fonction de la temprature de fonctionnement

2.3.3

Rfrence de tension bandgap de Widlar La Figure 2-13 illustre une source de tension classique appele Widlar. En observant cette figure, on peut crire la relation suivante :

VBE1 VBE 2 + I R 2 R3

2.21

La diffrence entre les tensions Base - Emetteur de Q2 et Q3 correspond la chute de tension aux bornes de R3

VBE = VBE1 VBE 2 = I R 2 R3

2.22

La tension Base Emetteur dun transistor est relie au courant dmetteur. Par consquent on peut crire :
I R1 I R2 I R1 I S 2 VBE = VT ln = ln ln V V T T I I I I S1 S2 R 2 S1

2.23

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 2 : RFRENCES DE TENSION

Page 2-12

Supposons la mme chute de tension aux bornes de R1 et R2 (IR1R1 IR2R2), alors VBE1VBE3. Par consquent
I R2 = VBE VT I R1 I S 2 VT R2 I S 2 = ln = ln R3 R3 I R 2 I S1 R3 R1 I S 1

2.24

et finalement la tension de rfrence vaut


VREF = I R 2 R2 + VBE 3 = R2 I S 2 R2 VT ln RI + VBE 3 = KVT + VBE 3 R3 1 S1

2.25

Figure 2-13 : Rfrence de tension Bandgap de Widlar

Exemple : Choisissons K=25 et IS2=10IS1 et par consquent R2=10R1=10k. On peut crire

R2 = R3

25 K = = 5.4287 R3 = 1.842k R2 I S 2 ln(100) ln RI 1 S1

2.26

2.3.4

Rfrence de tension bandgap de Brokaw La Figure 2-14 montre une autre structure de rfrence de tension dit de Brokaw. Dans cette structure, les deux transistors NPN sont raliss dans la mme puce de silicium et prsentent des caractristiques que lon peut considrer comme identiques. Lamplificateur impose des tensions de collecteur identiques VCQ1=VCQ2. On peut donc crire

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 2 : RFRENCES DE TENSION

Page 2-13

R1I R1 = R2 I R 2
La tension de rfrence est dfinie comme

2.27

VREF = VBE 2 + R4,5 ( I R1 + I R 2 )

2.28

Figure 2-14 : Rfrence de tension BandGap de Brokaw

La diffrence entre les tensions Base Emetteur est lie la chute de tension dans la rsistance R3. De plus, les transistors ayant des caractristiques identiques, leurs courants de saturation sont identiques IS1=IS2.
I R2 R1 VBE = R3 I R 3 = VBE 2 VBE1 = VT ln I = VT ln R R1 2

2.29

En ngligeant les courants de base, on peut dire que :

I R 3 = I R1
Finalement, la tension de rfrence vaut
VREF = VBE 2 + R4,5 R R1 1+ 1 ln VT = VBE 2 + KVT R3 R2 R2

2.30

2.31

et
VREF VBE 2 R4,5 R R1 k = + 1+ 1 ln T T R3 R2 R2 q

2.32

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 2 : RFRENCES DE TENSION

Page 2-14

Exemple : Choisissons R1=5R2 et sachant que VBE=0.6V, VBE/T=-2.222mV/C et VREF/T=0 T=300K, il est possible de dfinir le rapport entre R4,5 et R3.
VBE 2 T T =300 K = R3 R1 R1 k 1 + R ln R 2 2q

R4,5

( R4,5 = 2.4 R3 )

2.33

Puis la valeur de la tension de rfrence T=300K


VREF T =300 K = 1.2V

2.34

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 2 : RFRENCES DE TENSION

Page 2-15

2.4 RFRENCE DE TENSION EN TECHNOLOGIE XFET


2.4.1 Gnralits Introduite il y a cinq ans par Analog Devices, la technologie bipolaire baptise XFET (eXtra implanted FET) a pour ambition de raliser le meilleur compromis entre bruit et consommation. La technologie met en uvre des transistors effet de champ dont les drains sont parcourus par des courants identiques. La tension de pincement de lun des Fet est accentue par implantation dun canal additionnel. La tension de rfrence en sortie est proportionnelle la diffrence amplifie entre les tensions de pincement des deux transistors. Le coefficient de temprature intrinsque dun XFET (112ppm/C) est environ trente fois plus faible que celui dune rfrence bandgap , et la courbe de variation est pratiquement linaire jusquaux tempratures extrmes de la gamme industrielle tendue. Finalement, il en rsulte un design de correction en temprature simplifi et, par consquent, moins bruyant. Cette correction seffectue par le biais dun courant proportionnel la temprature absolue (IPTAT : Proportional To Absolute Temperature current). Largument de la linarit du coefficient de temprature, mis en exergue par le fabricant, est justifi par le fait quaux tempratures extrmes les phnomnes non linaires sont sans cohrence dun produit lautre. Ce qui exclut lutilisation dun circuit de compensation. Enfin, la diffrence dune rfrence Zener enterre, un circuit XFET se satisfait dune tension dalimentation rduite. Si les caractristiques gnrales des premiers composants XFET les situaient mi-chemin des bandgap et des Zener enterres, ils sont aujourdhui plus proches des secondes cites. Ainsi, les circuits de dernire gnration sont caractriss par un bruit en sortie digne des meilleures rfrences Zener enterre, tout en consommant un courant cinq fois plus petit. 2.4.2 Principe La topologie de base de la technologie XFET est illustre la Figure 2-15. Le cur de la rfrence de tension est constitue des transistors JFET Q1 et Q2. Deux sources de courants I1 et I2 appaires (matched current sources) alimentent les transistors JFET. Le transistor Q1 possde un second canal, ce qui explique la diffrence de 500mV entre les tensions de pincement Vp des deux transistors pour des courants I1 et I2 identiques.
VP = VP1 VP 2

2.35

avec

V GS I D = I DSS 1 V P

2.36

Lorsque la temprature de fonctionnement dun JFET augmente 2 effets antagonistes interviennent :

la tension de seuil des jonctions Grille-canal diminue, donc lpaisseur des zones dsertes diminue, le canal devient plus large, le courant ID augmente, ou dans le cas prsent la tension VGS diminue, la mobilit des porteurs n des porteurs diminue, donc le courant ID devrait diminuer.

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CHAPITRE 2 : RFRENCES DE TENSION

Page 2-16

VCC

I1 V=0V

I2

Q1

Q2

VP

R1

IPTAT VREF

R2 R3

Figure 2-15 : Topologie de base dune source de rfrence base sur la technologie XFET

Pour des faibles valeurs de courant de drain ID, cest le premier phnomne qui lemporte et par consquent la drive en temprature est ngative pour la tension de commande VGS/T < 0. Pour de plus fortes valeurs de courant de drain ID, cest le deuxime phnomne qui est prdominant et donc VGS/T > 0. Pour les rfrences de tension de type XFET, les courants de drains sont trs faible, la drive en temprature correspond donc un coefficient TC ngatif. Une source de courant proportionnelle la temprature compense les effets de la temprature sur les tensions de commande des JFET. Finalement, la tension de sortie est donne par la relation
R2 + R3 VREF = 1 + R V p + R3 I PTAT 1

2.37

La technologie XFET offre des amliorations sensibles par rapport aux technologies bandgap et de diodes zener enterres, en particulier pour des systmes o le courant de fonctionnement est critique De plus la drive thermique et le bruit prsentent dexcellentes caractristiques. Les valeurs typiques sont : drive en temprature linaire de lordre de 3 8 ppm/C, hystrsis thermique infrieur 50 ppm sur la plage -40C +125C, drive sur le long terme excellente, typiquement 0.2 ppm/1000 heures.

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CHAPITRE 2 : RFRENCES DE TENSION

Page 2-17

2.5 DFINITIONS DES PARAMTRES PROPRE AUX TENSIONS DE RFRENCE


2.5.1 Dfinition des paramtres Le Tableau 2-1 montre quelques paramtres pertinents dune rfrence de tension. Il permet notamment une comparaison entre les divers technologies de rfrences de tension Temperature Range40C To +85C Paramtres Tension de sortie Erreur initiale Coefficient de temprature Bruit (0.1 10Hz) Hystrsis thermique 25C 50C 25C Stabilit long terme Alimentation Temps de stabilisation lenclenchement Rgulation de ligne 8V Vin 10V Rgulation de charge 0mA Iout 15mA Thaler corp. VRE3050 5.0000 V 0.01 % 0.6 ppm/C 3.0 Vp-p 2 ppm 6.00 ppm/1000hrs 8.0V 36V 10 s 25 ppm/V 5 ppm/mA Maxim MAX6250 5.0000 V 0.04 % 3.0 ppm/C 3.0 Vp-p 20 ppm 20.0 ppm/1000hrs 8.0V 36V 10 s 35 ppm/V 7 ppm/mA Analog Devices ADR293 5.0000 V 0.06 % 8.0 ppm/C 15 Vp-p 15 ppm 0.20 ppm/1000hrs 6.0V 15V < 10 s 100 ppm/V 100 ppm/mA

Tableau 2-1 : Comparaison entre trois rfrences de tension

2.5.1.1

Erreur initiale (Initial error)

Correspond lerreur sur la valeur de la tension de sortie aprs la mise sous tension du circuit et la stabilisation de la temprature de fonctionnement. Cette mesure se fait sans charge. Dans la plupart des applications cette mesure est la plus importante des spcifications. 2.5.1.2 Coefficient de temprature (Temperature coefficient (TC))

Correspond une variation de la tension de sortie avec un changement de la temprature de fonctionnement exprime en ppm/C. Cette valeur est, aprs lerreur initiale, la seconde plus importante spcification donne par le fabricant. Parmi toutes les manires de dfinir le coefficient de temprature, la plus utilise tient compte des valeurs minimale, maximale et nominale de la tension de sortie ainsi que des extrmums de la temprature de fonctionnement.

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CHAPITRE 2 : RFRENCES DE TENSION

Page 2-18

TC =

VMAX VMIN 106 [ ppm / C ] VNOMINAL (TMAX TMIN )

2.38

Cette mthode permet de garantir les spcifications en termes derreur pour une plage de temprature donne. Nanmoins elle ne donne pas dindications sur la forme de la courbe derreur du composant test.
TMIN 5.0004 5.0003 5.0002
V REF [V]
Limite suprieure

TMAX

5.0001 5.0000 - 5.0001 - 5.0002 - 5.0003 - 5.0004 -50 -25 25 50 0 Temprature [C] 75 100
Limite infrieure

VMAX VNONIMAL VMIN

Figure 2-16 : Tension de rfrence en fonction de la temprature

A titre dexemple la Figure 2-16 montre le comportement en temprature dune source de tension de rfrence de 5V avec un coefficient de temprature de 0.6 ppm/C sur une plage de temprature correspondant la plage industrielle (-40C 85C). Pour un convertisseur A/N de 14 bits avec une temprature industrielle, le coefficient de temprature doit tre de 1ppm/C pour une erreur de conversion de 1 LSB. 2.5.1.3 Hystrse thermique (Thermal hysteresis)

Sans modification de la tension dalimentation et de la charge, un changement de la tension de sortie est provoqu par un changement de la temprature de fonctionnement. Lors dun cycle de temprature, cest--dire lorsque la temprature passe dune valeur initiale une temprature maximum et revient sa valeur initiale, la tension de sortie ne reprend pas toujours la valeur correspondant la temprature de dpart. Ce comportement correspond une hystrse thermique. Lhystrse thermique est difficile voir impossible corriger. 2.5.1.4 Bruit large bande en 1/f (Noise 1/f and broadband)

Le bruit thermique comprend une partie large bande et une partie en 1/d de bande troite. Le bruit thermique large bande peut tre filtr par un simple rseau RC. Le bruit en 1/f, invitable pour une rfrence de tension ne peut pas tre filtr. En gnral le bruit en 1/f est spcifi dans la bande 0.1Hz 10Hz. Ce paramtre est important pour le designer. 2.5.1.5 Drive sur le long terme (Long-term drift)

Correspond ne variation lente de la tension de sortie sur plusieurs mois de fonctionnement. La drive long terme est en gnral dfinie en ppm/1000hrs. Pour ces diodes Zener, la drive long terme est SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 2 : RFRENCES DE TENSION

Page 2-19

de lordre de 6ppm/1000hrs. Cette drive dcroit exponentiellement avec le temps. Des cycles thermiques sur le composant peuvent acclrer la stabilisation de la diode Zener de rfrence. Pour des rfrences de tension XFET, la drive long terme est de lordre de -0.2ppm/1000hrs. 2.5.1.6 Temps de stabilisation lenclenchement (Turn-on setting time)

Correspond au laps de temps ncessaire pour que la sortie atteigne sa valeur nominale (valeur finale) avec une tolrance dfinie. En gnral la tolrance est dfinie comme les 0.1 % de la valeur finale. 2.5.1.7 Rgulation de ligne (Line regulation)

Correspond une modification, continue dans le temps, de la tension de sortie lorsque la tension dentre (alimentation) est modifie. Cette spcification DC ninclut pas les transitoires ou les ondulations de la tension dentre. 2.5.1.8 Rgulation de la charge (Load regulation)

Correspond une modification, continue dans le temps, de la tension de sortie lorsque la charge est modifie. Cette spcification DC ninclut pas les transitoires lors de modifications de la charge. 2.5.1.9 Design du circuit imprim (PCB layout)

Une mauvaise qualit du routage du circuit imprim peut affecter les performances de la rfrence de tension en termes de bruit et de comportement thermique. Les contraintes sur le support du PCB peuvent provoquer une drive de la tension de sortie.

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CHAPITRE 2 : RFRENCES DE TENSION

Page 2-20

2.6 ETUDE DE LA RFRENCE DE TENSION REF02


2.6.1 Description du circuit PMI est lorigine du circuit intgr REF02. Le design de ce circuit a t repris par Analog Devices et Burr Brown (Texas Instruments). Le schma simplifi donn par le fabricant est donn la Figure 2-17. La base de la rfrence bandgap est constitue des transistors Q1 et Q2 ainsi que des rsistances R1, R2, R3, R4, R11 et R12. Les transistors Q3 et Q4 reprsente une paire diffrentielle suivi dun montage amplificateur. On peut donc remplacer la partie droite du schma par un amplificateur oprationnel classique. Un point intressant relever est lexistence dune capacit de compensation C1 permettant une bonne stabilit de la sortie de la rfrence. Le transistor Q15 et la rsistance R15 permettent de limiter le courant de sortie (limitation rectangulaire).
OUTPUT RESISTORS REF02 OPTION 883C PRODUCT R9 18k R11 2k 4.5k R12 6.1k 15k
Q8 Q7 Q14 Q13 R8 R7 R14 Q15 R15 2 INPUT

P, S, J, Z PACKAGES 18k

Q9 Q12 Q11 C1 Q10 R6 R3 R4 Q4 R5 Q1 3 R1 TEMP R2 Q2 Q20 Q3 1.23V Q6 Q5 R13 Q17 Q21

Q18 Q16 Q19

OUTPUT 6 R12* R9* TRIM 5 R11*

R10 GROUND *SEE OUTPUT RESISTORS 4

Figure 2-17 : REF02, schma simplifi donn par Analog Devices

Dans le but de facilit la comprhension, on peut encore simplifier le schma de la Figure 2-18.

Figure 2-18 : REF02 : schma simplifi

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CHAPITRE 2 : RFRENCES DE TENSION

Page 2-21

Le coefficient de temprature TC sur les tensions Base Emetteur des transistors Q1 et Q2 est de -2.222mV/C. Comme dmontr au 2.2.3, la diffrence entre les deux tensions Base Emetteur des transistors Q1 et Q2 prend la forme suivante :
VBE = VBEQ 2 VBEQ1 = kT J 2 ln q J1

2.39

Lorsque VBE est amplifie et ajoute VBE, on obtient une tension de rfrence VZ avec un coefficient de temprature nul (TC= 0mV/C) si :
kT VZ = VG 0 ( { { ) q = 1.262V =1 = 3.2

@ 25C

2.40

Le circuit simplifi de la Figure 2-18, montre que la densit de courant dmetteur dans Q2 est 16 fois suprieure celle de Q1, produisant une tension VBE de 71.2mV 25C. Cette tension, aux bornes de R1, est amplifie dun facteur 9.3 pour que le coefficient de temprature (-2.222mV/C) de VBEQ2 soit compens par le coefficient de temprature de +2.222mV/C de TCVTEMP. La tension VTEMP est alors gale 9.3 fois la tension VBE. La tension de rfrence de sortie VREF correspond la tension VZ amplifie du facteur 3.97. Le Tableau 2-2 donne un aperu des tensions en fonction de la temprature. Temprature ambiante Tension TA=-75C TA=25C TA=125C
VBE = kT ln(16) q

47.3mV 440mV 810mV 1.250V 4.95V

71.2mV 662mV 600mV 1.262V 5.00V

95.1mV 884mV 390mV 1.274V 5.045V

VTEMP = 9.30 VBE

VBE ( Q 2 )
VZ = VBE + VTEMP

VREF=3.96VZ

Tableau 2-2 : Tensions nominales

2.6.2

Exemple de dimensionnement A laide du circuit prsent ci-dessous, on dsire raliser une mesure de temprature dont les caractristiques sont les suivantes : Echelle de temprature de 10mv/C, 100mV/C ou 10mV/F Lien directe entre la tension mesure et la temprature, par exemple -0.55V correspond -55C, 0V 0C et 1.25V 125C.

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CHAPITRE 2 : RFRENCES DE TENSION

Page 2-22

Figure 2-19 : Mesure de temprature

Les potentiomtres permettent dajuster loffset et le gain.


Ra + Rb R 1 + Vout = Rc VTEMP c VREF Ra Rb Ra

2.41

Le Tableau 2-3 donne un exemple de valeurs pour les rsistances externes. Les drives en tempratures sont prises en compte lors de la calibration. Plage de temprature et sensibilit TA=-55C 125C 10mV/C Plage de Vout Offset Ra (1%) Rb0 (1%) RbP (potentiomtre) Rc (1%) -0.55V 1.25V 0V@0C 9.09k 1.5k 200 5.11k TA=-55C 125C 100mV/C -0.55V 1.25V 0V@0C 15k 1.82k 200 84.5k TA=-67F 257F 10mV/F -0.67V 2.57V 0V@0F 8.25k 1.0k 200 7.5k

Tableau 2-3 : Valeurs des composants (srie E96)

9 Note : conversion degrs Celsius Fahrenheit : F = C + 32 5

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CHAPITRE 3 : RGULATEURS LINAIRES DE TENSION

Page 3-1

Rgulateurs linaires de tension.


3.1 INTRODUCTION
3.1.1 Fonctionnement standard Les circuits lectroniques ne peuvent fonctionner que sous une ou plusieurs alimentations dlivrant des tensions continues. Les rgulateurs linaires de tensions sont des lments qui peuvent remplir ce rle. Le rgulateur linaire est constitu dune source de courant contrle en tension et dont la sortie est asservie de manire fournir une tension continue stable.

3.

Figure 3-1 : Asservissement de la tension sur une charge par asservissement dune source de courant

3.1.2

Fonctionnement en mode LDO Dans ce mode de fonctionnement, le rgulateur travaille comme une rsistance variable. La valeur de la rsistance est contrle en tension de manire garantir une tension continue stable aux bornes de la charge (diviseur rsistif).

Figure 3-2 : Asservissement de la tension sur une charge par asservissement dune rsistance srie

Ce mode de fonctionnement est appel LDO (Low Dropout) pour dsigner une faible diffrence de tension entre lentre et la sortie. Pour des charges demandant un courant faible, certains rgulateurs en mode de fonctionnement LDO peuvent avoir une chute tension entre 30mV et 100mV.

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 3 : RGULATEURS LINAIRES DE TENSION

Page 3-2

3.1.3

Boucle de rglage et stabilit Malgr sa facilit dutilisation, il ne faut pas perdre de vue quun rgulateur linaire de tension est dpendant de la qualit de sa boucle de rglage interne. Il est primordial de bien comprendre le fonctionnent de chaque lment de la boucle afin dassurer une contre-raction (raction ngative), condition indispensable pour assurer la stabilit dun systme asservi. Les variations de la tension dentre, du courant de sortie (variation de la charge) ainsi que la temprature de fonctionnement sont autant de perturbations agissant sur le rgulateur.

Figure 3-3 : Mise en vidence de la boucle de contre-raction dans un rgulateur linaire

3.1.4

Importance de la rfrence de tension La qualit de la tension de sortie en termes de stabilit est fortement dpendante de la qualit de la rfrence de tension. En effet cette dernire doit tre aussi indpendante que possible des variations de la tension dentre et de la temprature de fonctionnement. Pour plus dinformation, se rfrer au chapitre 2 Rfrences de tension.

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 3 : RGULATEURS LINAIRES DE TENSION

Page 3-3

3.2 TOPOLOGIES DES RGULATEURS LINAIRES DE TENSION


3.2.1 Description du fonctionnement La forme la plus gnrale dun rgulateur linaire de tension est illustre la Figure 3-4. A lentre du rgulateur est appliqu une tension variable dans le temps Vin. Le rgulateur dlivre sa sortie une tension stable et constante dans le temps. Un point commun entre lentre et la sortie montre quil ny a pas de sparation galvanique entre elles. La charge doit tre un lment dissipatif qui peut tre reprsent par une source de courant ou plus simplement par une rsistance. La puissance totale lectrique fournie au circuit est donne par la relation :

Pin = Vin I in = Vin ( I GND + I out )


La puissance fournie la charge vaut :

3.1

Pout = Vout I out


Et par consquent, la puissance dissipe dans le rgulateur :

3.2

PD = Pin Pout = (Vin Vout ) I out + Vin I GND

3.3

On voit que la puissance dissipe dans le rgulateur est directement proportionnelle la diffrence entre les tensions dentre Vin et de sortie Vout et le courant circulant dans la charge Iout. Le second terme de la relation 3.3 montre quune partie de la puissance dissipe est directement dpendante du courant de masse IGND, c'est--dire le courant de polarisation interne au rgulateur.

Figure 3-4 : Forme de base dun rgulateur de tension

Lors de lutilisation de transistor ballast bipolaire le courant de masse IGND peut devenir soudainement trs important lors de la saturation dudit transistor ballast. Par contre si le transistor ballast est un MOSFET, ce phnomne nexiste pas car les MOSFET sont commands en tension et non en courant. La Figure 3-5 montre plus en dtail le contenu dun rgulateur linaire de tension. Lensemble des lments constituant le rgulateur doit tre considr comme ncessaire, exception faire de la dtection de la surcharge (Overload Saturation Sensor) et de la commande dactivation / dsactivation (Shutdown Control) du rgulateur. Un point important dun rgulateur est la stabilit en tension. Il est donc primordial davoir une rfrence stable dans le temps, le plus indpendant possible de la temprature et de faible bruit (voir Chapitre 2 Rfrences de tension : 2.2). SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 3 : RGULATEURS LINAIRES DE TENSION

Page 3-4

Figure 3-5 : Structure de base dun rgulateur linaire

Lamplificateur derreur, qui joue le rle de rgulateur de tension est un amplificateur de tension classique ou un amplificateur transconductance. En fonctionnement statique normal, la tension de sortie est lie la tension de rfrence par la relation suivante :
R1 + Vout = 1 R VREF 2
3.4

On voit que la tension de sortie, en premire approximation, est indpendante de la tension dentre. Pour limiter le courant de masse IGND, il faut que le courant circulant dans le circuit donnant la tension de rfrence, le courant de commande du transistor ballast ainsi que le courant dans le diviseur rsistif soient les plus petits possibles. Pour la technologie bipolaire, le courant de masse est de quelques milliampres (mA) alors que pour du CMOS, ce courant est rduit quelques microampres (A). La commande de dsactivation du rgulateur doit permettre non seulement de supprimer le courant de charge mais galement de limiter au maximum le courant de masse IGND. La limitation de courant est en gnral constitu dune rsistance shunt pour la mesure suivi dun circuit permettant de limiter le courant une valeur maximum (limitation de courant rectangulaire) ou de rduire le courant maximum en fonction des conditions de charges (limitation rentrante (foldback). La mesure de la temprature lintrieur de semiconducteur peut se faire de plusieurs manires (voir Chapitre 2 Rfrences de tension : 2.2.6) 3.2.2 Structure de llment de ballast Llment de ballast (pass devices) est constitu de un ou plusieurs transistors bipolaires ou MOS. La Figure 3-6 donne, de manire non exhaustive, quelques topologies couramment utilises. Le Tableau 3-1 est une comparaison entre les diverses topologies dlments de ballast. On voit que les topologies NPN et Darlington NPN sont des lments suiveurs, ce qui signifie quils ont une relativement grande largeur de bande et sont peu sensibles aux caractristiques des condensateurs de sortie en raison de leur basse impdance de sortie. Par contre ils prsentent une chute de tension entre lentre et la sortie relativement leve. La raison est due la prsence de la tension Base Emetteur VBE en srie avec lentre. SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 3 : RGULATEURS LINAIRES DE TENSION

Page 3-5

NPN

Darlington NPN
Vin Vmin
PNP NPN

1.5V

Vout

PNP

PNP/NPN

MOSFET N
Figure 3-6 : Elments ballast

MOSFET P

Le montage inverseur propre aux topologies PNP et MOSFET permet llment de ballast de travailler la limite de la zone de saturation. Il est donc possible de minimiser la diffrence de tension entre lentre et la sortie et par consquent daugmenter les performances du rgulateur en termes de rendement. La topologie MOSFET permet dobtenir une tension minimale aux bornes de llment ballast. Le transistor MOSFET peut tre dimensionn pour travailler dans la rgion linaire. Darlington NPN Vin-Vout > 1 Vin-Vout > 2 I out < 1A I out > 1A Suiveur Suiveur Zout faible Zout faible Grande largeur de Grande largeur de bande bande Insensible Cout Insensible Cout NPN PNP Vin-Vout > 0.1 I out < 1A Inverseur Zout grande Faible largeur de bande Sensible Cout PNP/NPN Vin-Vout > 1.5 I out > 1A Inverseur Zout grande Faible largeur de bande Sensible Cout MOSFET P Vin-Vout > RDSONIout I out > 1A Inverseur Zout grande Faible largeur de bande Sensible Cout

Tableau 3-1 : Comparaison entre lments de ballast

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 3 : RGULATEURS LINAIRES DE TENSION

Page 3-6

Dans ce cas il est important de minimiser la rsistance RDSON. Pour des raisons doptimisation, il existe des circuits intgrs permettant le contrle dun MSOFET externe. Dans ce cas on parle de contrleurs de tension par opposition aux rgulateurs ou llment de ballast est intgr. Les topologies PNP, PNP/NPN et MOSFET, en fonctionnement normal (source de courant) prsentent des impdances de sortie leves, ncessitant la prsence dun condensateur sur la sortie. Les valeurs en termes de capacit et de rsistance srie quivalente (ESR : equivalent serial resistor) du condensateur de sortie doivent tre prises en considration par le designer afin dassurer la stabilit de la tension de sortie. Ce point est extrmement important et doit tre trait avec soin, ces valeurs dpendant de la temprature et des tolrances de fabrication. Lutilisation dun MOSFET N impose une tension VGS suprieure la tension de seuil VTH. Dans ce cas il est ncessaire davoir une tension de commande plus leve que la tension dentre Vin pour pouvoir travailler avec une faible diffrence de tension entre lentre et la sortie 3.2.3 Les rgulateurs standards Dans le cas des rgulateurs standards, le transistor de ballast (Q25, Q26 est un montage Darlington) travaille en source de courant contrle (zone sature) en tension. Le rgulateur linaire LM317, est un grand classique du genre. La Figure 3-7 reprsente le schma simplifi de ce rgulateur.

Figure 3-7 : Schma simplifi du rgulateur LM317

En examinant sa structure on voit que la rfrence est base sur la cellule de tension de rfrence bandgap de Brokaw (Q18,Q16, Q19, Q17, R15, R14). La tension de rfrence VREF est fixe 1.25V avec un courant de sortie de la cellule de IP = 50A. Les rsistances externe R1 et B2 permettent dajuster la tension de sortie la valeur dsire.
R2 Vout = 1 + R VREF + R2 I P 1
3.5

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 3 : RGULATEURS LINAIRES DE TENSION

Page 3-7

En choisissant un courant de polarisation de 5mA, dans le diviseur rsistif compos de R1 et R2, le courant de polarisation IP peut tre nglig dans les calculs. 3.2.4 3.2.4.1 Les rgulateurs LDO Description

La tension dit Dropout voltage correspond la diffrence de tension entre lentre et la sortie Vin-Vout du rgulateur pour laquelle lasservissement de la tension de sortie nest plus possible. Cette situation se produit lorsque la tension dentre dcroit pour sapprocher de la tension de sortie qui elle doit rester constante. La Figure 3-8 montre un rgulateur utilisant un transistor MOSFET P comme transistor ballast. Lutilisation dun MOSFET N nest pas possible car il faudrait alimenter le circuit de contrle avec une tension suprieure la tension dentre Vin.
-VDS=Vin-Vout Vin
MOSFET Canal P
S D

R1 CT C Vout Rch

Vin

Circuit de contrle

R2

Figure 3-8 : Schma simplifi dun rgulateur LDO

Le fonctionnement dun rgulateur LDO peut tre expliqu en observant la caractristique ID=f(VDS,VGS) dun transistor MOSFET canal P. La Figure 3-9 (a) illustre les deux rgions dans lesquelles le transistor MOSFET canal P peut travailler. Dans la rgion linaire, le transistor se comporte, en premire approximation, comme une rsistance variable. Dans la rgion sature, il peut tre assimil une source de courant commande. Les rgulateurs de tension ont leurs points de fonctionnement dans la rgion sature. La Figure 3-9 (b) reprsente le circuit quivalent du transistor lorsquil travaille dans la zone linaire alors que la Figure 3-9 (c) correspond un point de fonctionnement dans la zone sature. Dans la zone sature, le courant de drain est donn par la relation :
I D (VGS VTH )
2

3.6

Pour un transistor MOSFET canal P, , ID, VGS et VTH sont des valeurs ngatives. VTH reprsente la tension de seuil (threshold). Lorsque |VGS| < |VTH| le transistor est bloqu. On voit que pour une tension VGS donne, le transistor travaille comme une source de courant idale (pas de rsistance interne). La tension VGS sert donc de tension de commande pour la source de courant. Dans la zone linaire, on peut crire :
I D (VDS (VGS VTH ) ) + (VGS VTH ) 2
2

(VDS 2(VGS VTH ) )VDS

3.7

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 3 : RGULATEURS LINAIRES DE TENSION En fonctionnement standard, les points de fonctionnent se trouvent dans la zone sature.
-I DS
(Rgion linaire) (Rgion sature) Mode source de courant

Page 3-8

Mode rsistance

-I DS2 -I DS0 -IDS1 -IDSmin -V GS -VGSMax -VGS1 -VGSMin -VTH 0 -VDS1 P1


V(Dropout)

P2

-VGSMax

P0 -VDS0 -VDS2

-VGSMin -VDS =-(Vin -Vout )

(a) : Caractristique ID=f(VDS, VGS)

(b) : Rsistance variable (Rgion linaire)

(c) : Source de courant (Rgion sature)

Figure 3-9 : Caractristiques du MOSFET Canal P

Le transistor de ballast travaille dans le mode source de courant. En fonctionnement normal, la tension sortie Vout est constante. P0 reprsente un point de fonctionnement courant minimal. Le point de fonctionnement P2 correspond un courant de sortie maximum. La tension dentre Vin est suprieure pour le P2 en regard de P0. Le passage entre les points de fonctionnement P0 et P2 ne pose aucun problme except une augmentation de la puissance dissipe dans le transistor ballast. Si par contre, pour un courant de sortie compris dans la plage de fonctionnement, la tension dentre diminue, le nouveau point de fonctionnement peut se trouver dans la rgion linaire. Le transistor ballast travaille comme une rsistance variable. Ce cas est reprsent par le point de fonctionnement P1. Lorsque la tension VGS atteint sa valeur maximum, le circuit dasservissement ne peut maintenir la tension de sortie sa valeur nominale. Le rgulateur ne fonctionne donc plus correctement. 3.2.4.2 Trajectoire du point de fonctionnement en fonction de la tension dentre

La description qui suit se rfre la Figure 3-10. Comme point de dpart (P0), on admet que la tension dentre est gale la valeur maximale admissible. Le courant de sortie est fonction de la tension de sortie Vout, qui est constante, et de la rsistance de charge Rch, qui est galement constante. La tension dentre Vin est ensuite diminue, entranant une diminution de la tension VDS aux bornes du MOSFET P. Comme ce dernier travaille en mode source de courant, et que la tension de sortie Vout et la rsistance de charge de varient pas, la tension VGS ne change pas et par consquent le point de SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 3 : RGULATEURS LINAIRES DE TENSION

Page 3-9

fonctionnement se dplace horizontalement pour atteindre P1 puis P2. En P2 le point de fonctionnement se trouve la limite entre les modes source de courant et rsistance variable. Si la tension dentre Vin continue diminuer, il faut que la tension -VGS augmente pour maintenir le courant de sortie constant. En P3, la tension -VGS est gale la tension dalimentation Vin. Par consquent, une diminution de Vin provoque une diminution de -VGS. Le courant de sortie va diminuer et par consquent la tension de sortie aussi puisque la rsistance de charge est constante. Depuis P4, le courant de sortie est 2 proportionnel VGS . La tension de sortie diminue donc plus vite que la tension dentre. Il en rsulte une augmentation de la tension -VDS. Lorsque la tension dentre Vin atteint la valeur de la tension de seuil -VTH de la tension -VGS (POFF), le MOSFET P se bloque et la tension de sortie devient nulle.
-I DS
Mode rsistance variable Mode source de courant

-VGSMax P1 P0 -VGS3 -VGS{2,1,0} -VGS4

-IDS0

P3

P2 P4 P5 P5

-VGS5 POFF

-V DS2

-V DS1 -V DS =-VTH

-VDS =-(Vin -Vout )

Figure 3-10 : Dplacement du point de fonctionnement pour une diminution de la tension dentre Rch=cte

La Figure 3-11 montre lvolution des tensions de sortie Vout et Drain Source VDS en fonction de la tension dentre Vin. On voit sur cette figure que ds que la tension dentre est plus leve que la tension de seuil du MOSFET P (Vin > VTH), la tension de sortie suit la tension dentre jusqu ce quelle atteigne sa valeur nominale.
Vin ,V out ,-VDS VinMin Zone de blocage Vin -VDS Vout

Zone d'asservissement

-VDS

-VTH

Vin

Figure 3-11 : Tensions VDS,et de sortie Vout en fonction de la tension dentre Vin pour une rsistance Rch=cte

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 3 : RGULATEURS LINAIRES DE TENSION

Page 3-10

La diffrence de tension minimale entre lentre et la sortie correspond au point o la tension de sortie atteint sa valeur de rglage. Cette valeur dpend du courant traversant llment de ballast. 3.2.4.3 Exemple dun rgulateur LDO

La Figure 3-12 montre un rgulateur LDO utilisant un transistor MOFET P comme ballast. Le circuit peut tre dsactiv ( EN ). Dans ce cas sa consommation devient trs faible (0.5A). En fonctionnement, le courant propre au bon fonctionnement du circuit intgr est indpendant de la charge (340A). Le courant de sortie maximum est de 500mA. La tension -VDS minimale est de 35mV pour un courant de sortie de 100mA. Ce composant prsente une autre caractristique intressante puisquil fournit un signal nomm RESET permettant de maintenir un Reset stable sur les circuits intgrs numriques (microcontrleur, FPGA, ) durant le transitoire denclenchement. Cette sortie peut galement tre utilise pour crer une squence denclenchement des alimentations.
IN EN RESET
_ +

OUT
+ _

Vref

Delayed Reset

SENSE/FB R1 R2

GND

Figure 3-12 : Rgulateur LDO avec transistor ballast MOSFET P (TPS7350)

Lutilisation de MOSFET P impose un choix particulier du condensateur plac sur la sortie de lalimentation. La raison de cette contrainte est explique la section 3.3. La Figure 3-13 illustre le cas dun rgulateur avec un transistor PNP comme ballast.
IN THERMAL PROTECTION Q1 OUT CC DRIVER SD

ADP3333
gm

R1

BANDGAP REF

R2

GND

Figure 3-13 : Rgulateur LDO avec transistor ballast PNP (ADP3333)

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 3 : RGULATEURS LINAIRES DE TENSION

Page 3-11

Un condensateur de compensation CC permet garantir une bonne stabilit du circuit mme avec un condensateur dont la capacit est de lordre de 1F sur la sortie. Lutilisation dun transistor ballast de MOSFET N ou plus exactement un DMOS permet de diminuer encore la rsistance RDSON. De plus il est possible de travailler en suiveur et par consquent dobtenir un systme dasservissement stable, mme sans condensateur de sortie. Par contre la difficult majeure vient du fait quil est ncessaire davoir une tension de Gate suprieure de 1V au moins la tension de sortie (commande du DMOS par imposition de la tension Gate Source VGS). En mode low dropout (rgion linaire), la tension de Gate est mme suprieure la tension dentre Vin. Il est donc ncessaire de crer une alimentation interne dcoupage (sans inductance) sous la forme dune pompe de charge. Pour des raisons de place, la charge disposition pour la commande du DMOS est limite. Par consquent la rapidit de lasservissement est limite, lors de fortes variations de la tension dentre Vin ou de la charge.
V IN

NR (fixed output versions only)

Low-Noise Charge Pump C NR V REF (1.26V) N-Channel DMOS Output Over-Current Over Temp Protection V OUT R1 Adj (Adjustable version)

Enable

REG102

R2

Figure 3-14 : Rgulateur LDO avec transistor ballast MOSFET N (REG102)

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 3 : RGULATEURS LINAIRES DE TENSION

Page 3-12

3.3 STABILIT DES RGULATEUR LDO


3.3.1 Introduction Pour pouvoir raliser une tude de la stabilit des rgulateurs LDO, nous partirons dun rgulateur LDO intgr, utilisant un transistor MOSFET P. La structure de ce rgulateur est illustre la Figure 3-15.

Figure 3-15 : Rgulateur LDO, schma lectrique fonctionnel simplifi

Dans ce schma, le transistor ballast est un MOSFET canal P, les condensateurs de sortie sont dune part un condensateur lectrolytique de capacit leve (CT 10F) et un condensateur cramique de faible valeur (C < 470nF). La charge est reprsente par une source de courant Ich. 3.3.2 Modle simplifi par accroissement des composants du rgulateur LDO Selon le modle par accroissement choisi pour les divers composants constituant lalimentation, la complexit des calculs peut devenir inutilement complique. Nous allons donc choisir des modles simples mais reprsentatifs du fonctionnement rel du rgulateur. Le modle par accroissement dynamique du transistor MOSFET est reprsent la Figure 3-16.

Figure 3-16 : Modle dynamique petit signaux du transistor MOSFET canal P

Ce modle correspond au fonctionnement du MOSFET en source de courant. Le modle simplifi de lamplificateur diffrentiel est celui prsent la Figure 3-17. La fonction de transfert du gain en tension est du premier ordre.

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 3 : RGULATEURS LINAIRES DE TENSION

Page 3-13

Ra AVVdiff Vout Vdiff

Figure 3-17 : Modle simplifi de lamplificateur oprationnel

Le condensateur lectrolytique est prsent par un condensateur idal C et une rsistance quivalente srie RESR. Toujours dans un but de simplification, on admet que la linductance srie quivalente LESL est ngligeable. De mme la rsistance disolation Risol peut tre considre comme infinie.

Figure 3-18 : Modle du condensateur lectrolytique

3.3.3

Modle petits signaux du rgulateur LDO A partir des modles simplifis des composants du rgulateur LDO, il est possible de construire le modle petits signaux du rgulateur complet. On rappelle, si besoin est, que les sources non contrles peuvent tre :

remplac par un court-circuit sil sagit dune source de tension constante, remplac par un circuit ouvert sil sagit dune source de courant constant.

Figure 3-19 : Modle petits signaux du rgulateur LDO

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 3 : RGULATEURS LINAIRES DE TENSION

Page 3-14

Du modle petits signaux, on peut dterminer le schma bloc dasservissement (rgulation de maintien) du rgulateur LDO. La consigne de tension correspond la tension de rfrence alors que la grandeur rgler est la tension de sortie. Ltude de la stabilit du systme est ralise par lobservation de la fonction de transfert en boucle ouverte. Le signe (+) de la dans la boucle signifie quun des blocs contient un signe (-), soit un dphasage de 180.

Figure 3-20 : Schma bloc de la boucle dasservissement de la tension de sortie

3.3.4 3.3.4.1

Etude de la fonction de transfert en boucle ouverte. Fonction de transfert de lamplificateur oprationnel

La fonction de transfert liant la tension de sortie de lamplificateur diffrentiel la tension diffrentielle dentre correspond lamplification en tension dudit amplificateur.
Ga ( s ) = V0 ( s ) AV = Vdiff ( s ) 1 + sTC
3.8

3.3.4.2

Fonction de transfert liant IG VGS pour le MOSFET

La source de tension commande de lamplificateur diffrentiel est connecte la rsistance Ra en srie avec le condensateur CGS, la sortie correspond la tension VGS aux bornes du condensateur

GGS ( s) =

VGS ( s) 1 = V0 ( s) 1 + sRa CGS

3.9

3.3.4.3

Fonction de transfert de la transconductance du MOSFET

Le courant circulant dans le MOSFET est issu dune source de courant contrle par la tension VGS. Il sagit en fait de la transconductance gm du MOSFET. Attention pour un MOSFET P la conductance gm est ngative.

GMOS ( s) =

I D ( s) = gm VGS ( s )

3.10

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 3 : RGULATEURS LINAIRES DE TENSION

Page 3-15

3.3.4.4

Fonction de transfert liant IDS du MOSFET la tension de sortie Vout

Le courant issu de la source contrle du MOSFET passe aux travers des divers composants du circuit RDS//(R1+R2)//(1/SCT+RESR)//SC. Sachant que R1+R2 >> RDS, on peut crire

Z 0 ( s) = RDS

1 + sCT RESR 1 + s(CT RESR + (CT + C ) RDS ) + s 2 (RDS RESRCT C )

3.11

CT est un condensateur lectrolytique alors que C est un condensateur cramique. On peut donc affirmer que CT >> C. De plus la pratique montre que RDS > RESR. Par consquent la relation prcdente prend la forme suivante :

Z 0 ( s) RDS

1 + sCT RESR RDS RESR (1 + sCT ( RESR + RDS ) ) + sC 1 RESR + RDS

3.12

3.3.4.5

Fonction de transfert de lorgane de mesure

Lorgane de mesure correspond un diviseur de tension constitu des rsistances R1 et R2

Gm ( s) =

Vm ( s) R2 = Vout ( s ) R1 + R2

3.13

3.3.4.6

Fonction de transfert en boucle ouverte

La fonction de transfert en boucle ouverte est donne par la relation

G0 ( s ) =

Vm ( s ) = Ga ( s )GGS ( s )GMOS ( s ) Z 0 ( s )Gm ( s ) Vdiff ( s ) R2 RDS R1 + R2 1 + sCT RESR


3.14

AV g m

(1 + sRaCGS )(1 + sCT ( RESR + RDS )) 1 + sC

RDS RESR RESR + RDS

3.3.4.7

Exemple numrique

Pour illustrer les conditions de stabilit des rgulateurs LDO, on prendra un composant fabriqu par Texas Instruments. Il sagit du TPS76433, dont les caractristiques sont donnes ci-dessous : VREF RDS gm RESR CT C = 1.2V = 65 = -8 S = 10m 20 = 10F = 470nF : : : : tension de rfrence pour 300K, rsistance en srie avec la source de source quivalente, conductance du MOSFET P, rsistance quivalente en srie avec le condensateur tantale, : condensateur tantale de sortie, : condensateur cramique de sortie,

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 3 : RGULATEURS LINAIRES DE TENSION CGS Ra AV FC = 200pF = 300k = 56 = 160kHz : : : : condensateur Gate Source du MOSFET P, rsistance de sortie de lamplificateur, gain en tension de lamplificateur, frquence de coupure de lamplificateur de tension (systme du 1er ordre).

Page 3-16

La Figure 3-21 montre les diagrammes de Bode damplitude et de phase pour les valeurs extrmes et une valeur nominale de la rsistance RESR. On voit que pour des rsistances quivalentes sries de 10m et 20 et les marges de phase sont trop faibles. La stabilit de lasservissement nest pas garantie. Par contre pour une rsistance RESR de 2, la marge de phase est de plus de 60. Dans ce dernier cas la stabilit est assure. La Figure 3-22 met en vidence la rponse frquentielle du systme asservi (boucle ferme). On voit effectivement que des rsonnances se produisent pour les valeurs extrmes de la rsistance RESR alors que une valeur intermdiaire, la rponse est optimale. La Figure 3-23 fait partie intgrante des donnes fournies par le fabricant. On voit que les conditions de stabilit sont peu dpendantes du courant de sortie. Il en est de mme pour les valeurs des condensateurs cramiques.
Fonction de transfert G0(f) en boucle ouverte 50 |G0(f)| [dB] RESR=20 0 RESR=2
1

RESR=10m

-50
2 3

10 0 arg(G0(f)) [Degrs]

10

10

10

10

10

10

RESR=20 -90 RESR=2

-180 RESR=10m -270 1 10 10


2

10

10 f [Hz]

10

10

10

Figure 3-21 : Diagramme de Bode en boucle ouverte


Fonction de transfert G (f) en boucle ferme

40

20

RESR=20

0 |Gomega(f)| [dB]

-20

RESR=2

-40

RESR=10m

-60

-80 1 10

10

10

10 f [Hz]

10

10

10

Figure 3-22 : Diagramme de Bode en boucle ferme

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 3 : RGULATEURS LINAIRES DE TENSION

Page 3-17

TYPICAL REGIONS OF STABILITY

TYPICAL REGIONS OF STABILITY

COMPENSATION SERIES RESISTANCE (CSR) vs OUTPUT CURRENT


100

COMPENSATION SERIES RESISTANCE (CSR) vs ADDED CERAMIC CAPACITANCE


100

CSR Compensation Series Resistance

Region of Instability 10

CSR Compensation Series Resistance

Region of Instability 10

CO = 10 F

CO = 10 F

0.1 Region of Instability

0.1 Region of Instability 0.01

0.01 0 50 100 150 200 250 IO Output Current mA

0.1

0.2 0.3 0.4 0.5

0.6 0.7 0.8

0.9

Added Ceramic Capacitance F

Figure 3-23 : Condition sur la rsistance RESR pour assurer la stabilit de lasservissement

3.3.5 3.3.5.1

Paramtres des rgulateurs LDO Tension dentre

La tension dentre Vin minimale doit tre suprieure la tension de sortie Vout + VLDO, indpendamment de la valeur minimale donne dans le tableau de slection. 3.3.5.2 Rendement

En ngligeant le courant de repos (Iq) du LDO, le rendement peut se calculer ainsi : Vout/Vin. 3.3.5.3 Dissipation de puissance (PD)

PD = (Vin Vout) Iout; PD est limit par le botier, TA et Tjmax. Pour une dissipation de puissance suprieure ou des besoins de rendement plus lev, il est recommande dutiliser des convertisseurs/contrleurs abaisseurs CC/CC de tension (Buck). 3.3.5.4 Besoin en condensateurs

Certains LDO ncessitent des condensateurs polariss au tantale, avec ESR lev. Si un LDO est stable sans condensateur polaris ou avec des condensateurs polariss cramiques faible ESR, il est en gnral stable avec tous les modles de condensateurs. Les LDO les plus rcents sont stables avec des condensateurs polariss cramiques prix modiques. 3.3.5.5 Bruit et PSRR

Slectionner un LDO avec un taux de rjection des variations dalimentation lev (PSRR) pour une immunit au bruit provenant de lalimentation dentre et un faible bruit en sortie (< 50 Vrms). Certains LDO sont dots dune broche de bypass pour amliorer la performance de filtrage du bruit en sortie. 3.3.5.6 PG/SVS

Les circuits tels que les microprocesseurs, DSP et FPGA requirent une tension minimum pour fonctionner correctement. La fonction de contrle de lalimentation (SVS) surveille les tensions du systme et met un signal lorsque les tensions chutent au-dessous dune certaine valeur, permettant une rinitialisation du systme tout en vitant un dysfonctionnement. La fonction SVS confirme le signal SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 3 : RGULATEURS LINAIRES DE TENSION

Page 3-18

de ractivation aprs un laps de temps spcifi alors quune fonction PG (Power-Good) nintgre pas de temporisateur. 3.3.5.7 Protection du courant de fuite inverse

Dans des applications spciales, o la tension en sortie du LDO est suprieure la tension dentre, la fonction de protection du courant de fuite inverse empche le courant de passer de la sortie du LDO vers lentre ; ce qui peut endommager lalimentation dentre, en particulier dans le cas dune batterie.

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 3 : RGULATEURS LINAIRES DE TENSION

Page 3-19

3.4 LIMITATION DU COURANT DE SORTIE


3.4.1 Gnralits Pour des raisons videntes de fiabilit, les rgulateurs linaires de tension sont protgs par la limitation du courant de sortie. En principe le composant doit tre capable de supporter la charge thermique lors dune limitation de courant permanente. Le pire cas correspond un court circuit de la sortie. Si la temprature de jonction devient trop leve, la plupart des composants on une protection thermique permettant la dsactivation du composant. 3.4.2 3.4.2.1 Caractristique rectangulaire de la limitation de courant Premire mthode : Description de la limitation

La Figure 3-24 illustre un exemple de limitation de courant avec une caractristique rectangulaire. En effet lorsque le courant traversant la rsistance R1 provoque une chute de tension de 0.7V environ, le transistor Q1 se met conduire. Le potentiel de la source VS du MOSFET canal P va dcroitre alors que le potentiel de la grille VG augmente. La diminution rsultante de la tension VGS place le MOSFET en mode source de courant.

Figure 3-24 : Caractristique rectangulaire de la limitation de courant (I)

3.4.2.1.1

Dimensionnement

Les caractristiques externes du rgulateur sont les suivants :

Tension dentre Tension de sortie Tension de rfrence Courant maximum

: Vin =12V : Vout = 5V : VREF = 2.5V : 1A

La rsistance shunt (R1) est dimensionne de manire avoir une chute de tension de 0.7V ces bornes lorsque le courant maximum la traverse.

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 3 : RGULATEURS LINAIRES DE TENSION

Page 3-20

Rsh =

VJ 0.7 = = 0.7 / 1W I LIM 1

3.15

3.4.2.2

Deuxime mthode : Description de la limitation

La Figure 3-25 montre une autre possibilit de raliser une limitation rectangulaire. Dans ce cas, la tension aux bornes de la rsistance shunt (Rsh) est mesure laide dun amplificateur diffrentiel. Le comportement est approximativement le mme que pour la mthode prcdente mais la chute de tension aux bornes de la rsistance shunt peut tre limite une tension plus basse que la tension de jonction.

Figure 3-25 : Caractristique rectangulaire de la limitation de courant (II)

Le rseau de rsistances R1, R2, R3, R4 est choisi de manire ce que la tension diffrentielle entre les bornes (+) et (-) de lamplificateur U1 soit ngatif pour des courants infrieurs au courant limite et positif au-del. Par consquent, pour les faibles courants (I < ILIM), la sortie de lamplificateur est en limitation infrieure (saturation) et la diode D est bloque. Lasservissement de la tension de sortie fonctionne normalement. Au moment ou la tension sur les entres de lamplificateur change de signe (I ILIM), la diode devient conductrice et pas consquent la tension VGS du MOSFET canal P est limite provoquant du mme coup une limitation du courant de sortie. 3.4.2.2.1 Dimensionnement

Les caractristiques externes du rgulateur sont les suivants :

Tension dentre Tension de sortie Tension de rfrence Courant maximum Chute de tension maximale sur R1

: Vin =12V : Vout = 5V : VREF = 2.5V : ILIM = 1A : VR1MAX = 0.1V

La rsistance shunt (Rsh) est dimensionne de manire avoir une chute de tension de 0.1V ses bornes lorsque le courant maximum la traverse. SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 3 : RGULATEURS LINAIRES DE TENSION

Page 3-21

Rsh =

VRMMAX 0.1 = = 0.1 / 1 4W I LIM 1

3.16

Les rsistances R1, R3, R4 sont choisies de manire avoir un courant ngligeable par rapport au courant limiter, par exemple R1=R3=R4=10k. R2 est alors dtermin par la relation suivante

R2 =

1 2Vin Rsh I LIM R4 1 2Vin

( R2 = 9.8k)

3.17

En principe R5 doit tre le plus grand possible. En pratique cette valeur doit tre ajuste en fonction du type damplificateur oprationnel choisi. La limitation de courant est fonction de la tension dentre Vin. Il faut vrifier que pour les extrmes de Vin, la limitation de courant reste dans des limites acceptables. 3.4.2.3 Dsavantage de la caractristique rectangulaire de limitation de courant

Lors dun court-circuit permanent, la puissance dissipe par le MOSFET canal P est gale
PQ1 = Vin I LIM
3.18

Le transistor doit tre dimensionn pour tenir cette charge thermiquement. Il faudra donc choisir un boitier relativement gros ou ajouter un radiateur. Dans les cas ou la place disponible doit tre minimise, il est important dutiliser une autre approche pour la limitation de courant.
Caractristique rectangulaire de la limitation de courant 10 9 8 7 PQ1 [W] 6 5 4 3 2 1 0

PQ1MAX

Vout [V]

Vout=f(I)

PQ1=f(I)

0.2

0.4

0.6 I [A]

0.8

Figure 3-26 : Caractristique rectangulaire de la limitation de courant

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 3 : RGULATEURS LINAIRES DE TENSION

Page 3-22

3.4.3 3.4.3.1

Caractristique rentrante (foldback) de la limitation de courant Description de la limitation

En plaant la limitation sur la mesure de courant sur la sortie, la caractristique de la limitation est de type rentrante. En effet lorsque le courant de limitation est proportionnel la tension de sortie tension de sortie. Grce ce comportement, la puissance dissipe dans le transistor MOSFET canal P diminue.
S D

Rsh R1 R2 R5 C R8

R6

Q2

Vin U1

R7 U2 VREF

Vout

R3

R4

R9

Figure 3-27 : Caractristique rentrante de la limitation de courant

3.4.3.1.1

Dimensionnement

Les caractristiques du rgulateur sont identiques au cas de la limitation rectangulaire (3.4.2).

Tension dentre Tension de sortie Tension de rfrence Courant maximum Chute de tension maximale sur R1

: Vin : Vout : VREF : ILIM : VR1MAX

=12V = 5V = 2.5V = 1A = 0.1V

La rsistance shunt (Rsh) est dimensionne de manire avoir une chute de tension de 0.1V ces bornes lorsque le courant maximum la traverse.

Rsh =

VRMMAX 0.1 = = 0.1 / 1 4W I LIM 1

3.19

Les rsistances R1, R3, R4 sont choisies de manire avoir un courant ngligeable par rapport au courant limiter, par exemple R1=R3=R4=10k. R2 est alors dtermin par la relation suivante

R2 =

VoutNom Rsh I LIM R4 VoutNom + Rsh I LIM

( R2 = 9.6k)

3.20

avec VoutNOM=5V. SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 3 : RGULATEURS LINAIRES DE TENSION

Page 3-23

En principe R5 doit tre le plus grand possible. En pratique cette valeur doit tre ajuste en fonction du type damplificateur oprationnel choisi. En limitation, le lien entre le courant de limitation et la tension de sortie est donn par la relation suivante :

VoutLIM =

R4 R1 + R4 R3 Rsh I LIM R4 R1 R3 R2

3.21

3.4.3.2

Avantage de limitation rentrante du courant

On voit que dans le cas de la limitation rentrante, la puissance maximale dissipe par le transistor MOSFET est limite au point de fonctionnement normal maximum.
Caractrisitque rentrante de la limitation de courant 5.5 5 4.5 4 PQ1 [W] 3.5 3 2.5 2 1.5 1 0.5 0 0 0.2 0.4 0.6 I [A] 0.8 1 1.2

PQ1MAX PQ1=f(I)

Vout [V]

Droite de limitation

Figure 3-28 : Caractristique rentrante de la limitation de courant

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 3 : RGULATEURS LINAIRES DE TENSION

Page 3-24

3.5 PROTECTION THERMIQUE


En gnral les rgulateurs sont protgs contre les chauffements excessifs. Une possibilit est de jouer sur la drive thermique dune diode Zener (coefficient de temprature positif VZ > 5.1V). La Figure 3-29 montre un tel cas. On voit qua 160C, le transistor Q2 devient conducteur. Q2 drive le courant de base de Q1 et par consquent impose une diminution du courant dans le transistor de ballast, ceci jusqu ce quun quilibre thermique soit atteint.

Figure 3-29 : Principe de la protection thermique

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE INDUCTANCE SIMPLE

Page 4-1

Alimentations dcoupage inductance simple


4.1 INTRODUCTION
4.1.1 Gnralits On distingue en gnral deux classes de convertisseurs DC/DC :

4.

les convertisseurs qui dbitent sur un rcepteur destin tre aliment sous une tension continue variable, appels variateur de courant continu pulsation, les convertisseurs destins fournir leur sortie une tension continue constante pour servir d'alimentation rgule vis--vis de divers quipements.
Dans ce chapitre, nous nous intresserons la deuxime catgorie qui constitue les alimentations dcoupage. Les alimentations dcoupage se distinguent des variateurs non seulement par leurs conditions de fonctionnement (tension de sortie constante au lieu de tension de sortie variable), mais surtout par le fait qu'elles incorporent d'ordinaire un transformateur qui assure une isolation galvanique entre l'entre et la sortie, et qui souvent, intervient dans le principe mme de fonctionnement des alimentations dcoupage. Le principe de fonctionnement des alimentations dcoupage diffre totalement de celui des alimentations rgulateur continu srie. En effet dans une alimentation dcoupage, le transistor de rgulation fonctionne en interrupteur contrl (rgime de commutation) alors que pour une alimentation continue srie, le transistor de rgulation fonctionne en rgime linaire. Les avantages lis la commutation sont :

un rendement lev, quel que soit lcart de tension entre-sortie. Fonctionnement en abaisseur, lvateur ou inverseur de tension. Encombrement rduit.
Par contre les inconvnients sont :

circuit dasservissement plus complexe Ondulation rsiduelle plus leve Gnration de parasites en H.F. (RFI) Bruit rsiduel Rponse transitoire lente Ncessite obligatoirement une inductance ou un transformateur H.F.

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE INDUCTANCE SIMPLE

Page 4-2

Ncessite une charge minimale afin dviter le passage entre deux modes de fonctionnement que sont le mode continu et le mode intermittent
Ces alimentations dcoupage inductance simple sont les plus courantes. Elles sont simples concevoir et peuvent dbiter des puissances leves

Quatre lments fondamentaux sont utiliss : Une inductance Une diode Un contacteur statique

La frquence de travail, cest--dire la frquence de commutation du contacteur statique, est assez leve : 50kHz 500kHz. Une frquence de travail leve permet

de rduire lencombrement de linductance et de la capacit de filtrage de rduire londulation rsiduelle


La rgulation de tension seffectue en modulant le rapport cyclique des signaux de commutation. Elle fait souvent appel un circuit intgr spcifique. Ce chapitre est consacr la prsentation des structures des alimentations dcoupage sans transformateur intermdiaire. Nous supposerons tout au long de cette prsentation que nous avons faire

des sources parfaites des interrupteurs parfaits des commutations instantanes


4.1.2 Dfinition des sources et des rcepteurs Pour dterminer si une source ou un rcepteur rel doit tre considr comme tant une tension ou un courant et valuer dans quelle mesure son comportement se rapproche de celui d'une source ou d'un rcepteur parfait, il faut considrer deux chelles de temps :

la premire, qui est de l'ordre de la microseconde, correspond la dure des commutations des semiconducteurs d'un tat l'autre (fermeture ou ouverture), la deuxime, qui est de l'ordre de la centaine de microseconde, correspond la dure des cycles d'ouverture fermeture des semiconducteurs au sein de lalimentation dcoupage.
C'est l'chelle des temps correspondant aux commutations qui fixe la nature des sources et des rcepteurs

Une source ou un rcepteur est une source ou un rcepteur de courant si on ne peut pas interrompre le courant i qui y circule par une commande l'ouverture d'un semiconducteur. Cette interruption provoquerait des pics importants dans l'onde de la tension u. Ces pics (Ldi/dt) apparatraient ds que la source ou le rcepteur aurait une inductance interne non ngligeable compte tenu de la rapidit de variation du courant (di/dt). Une source ou un rcepteur est de tension si on ne peut pas faire varier brusquement la tension u ses bornes par une commande la fermeture d'un semiconducteur. Cet
SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE INDUCTANCE SIMPLE

Page 4-3

enclenchement entranerait des pics trop importants dans l'onde du courant i. Ces pics (C du/dt) apparatraient ds que la source ou le rcepteur aurait une capacit d'entre C non ngligeable vu la rapidit de variation de la tension (du/dt) L'chelle des temps lie la dure des cycles d'ouverture et fermeture des semiconducteurs au sein de des alimentations dcoupage, c'est--dire l'chelle des temps lie la frquence de commutation, indique dans quelle mesure on peut considrer une source ou un rcepteur comme parfait. En effet, c'est la frquence de commutation de lalimentation dcoupage qui fixe

la frquence de la composante parasite prsente sur la tension u aux bornes d'une source ou d'un rcepteur de courant. Celui-ci est d'autant plus parfait que son impdance est plus leve cette frquence, la frquence de la composante parasite prsente dans le courant qui traverse une source ou un rcepteur de tension. Celui-ci est d'autant plus parfait que son impdance est plus faible cette frquence.
4.1.3 Semiconducteurs disponibles comme fonction interrupteur. Les deux types de semiconducteurs les plus utiliss dans les alimentations dcoupage sont la diode et le transistor MOSFET associ une diode de conduction ou l'IGBT dont les caractristiques sont reprsentes la Figure 4.1

iQ
ouverture et fermeture spontane

iQ

fermeture commande ouverture comande

uQ

uQ

Diode

{MOSFET+Diode de conduction} ou IGBT

Figure 4.1: Reprsentation schmatique des interrupteurs disponibles

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE INDUCTANCE SIMPLE

Page 4-4

4.2 NOTATIONS UTILISES


4.2.1 Dfinition Dans l'analyse des alimentations dcoupage en rgime permanent (signaux priodiques), il est important de faire une distinction entre valeurs instantanes, valeurs moyennes (valeurs DC) et valeurs alternatives (valeurs AC). La Figure 4.2 illustre ces propos
x(t)

[te]

X X
[te] [td]

X x
[td]

X
te

td

te

td

Figure 4.2 : Reprsentation symbolique des divers paramtres d'une variable

Les notations choisies sont les suivantes :


X X [ti ] x x [ t i ] X x avec

valeur continue (DC) de la variable x : point de fonctionnement. valeur moyenne de la variable x sur un intervalle de temps ti. valeur alternative (AC) instantane de la variable x. variation de la variable x sur un intervalle de temps ti. Ondulation de la variable x. valeur instantane de la variable x : x = X + x
t +Tp Tp te x(t ) dt + x(t ) dt te 0

X= = =

1 Tp

x(t ) dt =
t

1 Tp

1 [T t ] t e X [ te ] + (T p t e ) X p e Tp

4.1

te t [ T t ] X [te ] + (1 e ) X p e = D X [te ] + (1 D) X [td ] Tp Tp


te et t d = T p t e Tp

D=

4.2

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE INDUCTANCE SIMPLE

Page 4-5

4.3 ALIMENTATIONS DCOUPAGE NON RVERSIBLES LIAISON DIRECTE


4.3.1 4.3.1.1 Gnralits Proprits communes

Les alimentations dcoupage liaison directe deux interrupteurs ont toutes le mme schma de fonctionnement

le premier interrupteur Q1 permet de relier l'entre la sortie, le second interrupteur Q2 court-circuite la source de courant quand Q1 est ouvert.
Les tats des deux interrupteurs doivent tre complmentaires pour que la source de courant ne soit jamais en circuit ouvert et que la source de tension ne soit jamais court-circuite. Pour rgler le transfert d'nergie, on applique aux interrupteurs une commande priodique. La priode de pulsation Tp de celle-ci peut-tre choisie arbitrairement dans la mesure o la source et le rcepteur que relie lalimentation dcoupage se comportent comme des circuits frquence de commutation nulle.

La tension aux bornes de la source ou du rcepteur. Cette tension est constante durant la priode de pulsation Tp de fonctionnement de lalimentation dcoupage Le courant relatif la source ou au rcepteur de tension. Le courant traversant la source ou le rcepteur de courant. Ce courant est constant durant la priode de pulsation Tp de fonctionnement de lalimentation dcoupage La tension relative la source ou au rcepteur de courant.
i iQ1 Q1 iQ2 U Q2 u' I'

Figure 4.3 : Reprsentation schmatique d'une alimentation dcoupage liaison directe deux interrupteurs

4.3.1.2

Hacheur srie

Le hacheur srie commande le dbit d'une source de tension U dans un rcepteur de courant I. 4.3.1.3 Hacheur parallle

Le hacheur parallle permet de varier le courant fourni par une source de courant I dans un rcepteur de tension U.

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE INDUCTANCE SIMPLE

Page 4-6

4.4 ALIMENTATION SRIE OU ABAISSEUSE DE TENSION


Cette alimentation (Buck converter ou step-down converter) utilise un contacteur statique srie qui doit tre aliment par une source de tension et dbiter sur une source de courant. La charge R et le condensateur C apparaissant comme un rcepteur de tension, il faut ajouter une inductance L srie pour rtablir le caractre de rcepteur de courant vis--vis de la sortie de lalimentation dcoupage proprement dite. On arrive ainsi au schma de la Figure 4.4
Source de tension i iD U Q D uD iL L C iC uC iR R Rcepteur de courant

Figure 4.4 : Reprsentation schmatique d'une alimentation abaisseuse de tension

4.4.1 4.4.1.1

Conduction continue Relations gnrale pour la conduction continue 0 t < te=DTP Q conduit, D ouvert
i iD U uD C iL L iC uC iR R U

DTP =te t < Tp Q ouvert, D conduit


i iD uD C iL L iC uC iR R

Hypothse : uc=UC uc=0, l'ondulation de la tension aux bornes du condensateur est nulle Tension aux bornes de l'inductance
[ te ] UL = U UC = L [ te ] iL te [ td ] UL = U C = L [ td ] iL td

Courant moyen dans le condensateur


UC U [ td ] [td ] [ td ] + IL IC = I R + IL = I R + I L = C + I L R R Courant moyen fournit par l'alimentation (courant moyen dans le transistor Q)
[ te ] [ te ] [ te ] IC = I R + IL = I R + I L =

[ te ] I [ te ] = I L = IL

I [ td ] = 0

Courant moyen dans la diode


[ te ] ID =0 [ td ] [ td ] ID = IL = IL

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE INDUCTANCE SIMPLE

Page 4-7

Valeurs moyennes pondres

1-D

[ te ] [td ] D U L + (1 D) U L = D (U U C ) (1 D) U C = 0 [ te ] [ td ] D IC + (1 D) I C = D ( I R + I L ) + (1 D) ( I R + I L ) = 0

U C = D U
IR = IL
I = D IL

I = D I [ te ] + (1 D) I [td ] = D I L
[ te ] [ td ] ID = D ID + (1 D) I D = (1 D) I L

I D = (1 D ) I L

4.4.1.2

Ondulation de courant dans le domaine de la conduction continue

Le courant circulant dans l'inductance prsente l'ondulation suivante : 0 t < te=DTP Q conduit, D ouvert
i iD U uD C iL L iC uC iR R U

DTP =te t < Tp Q ouvert, D conduit


i iD uD C iL L iC uC iR R

Ondulation de courant aux bornes de l'inductance


[ te ] iL = [ te ] U UC UL te = te L L [ td ] iL = [ td ] UC UL td = td L L

UL = 0

[ te ] [ td ] I L = i L = i L

I L = iL MAX iLMIN =

U Tp L

(1 D) D =

U C Tp L

(1 D)

La Figure 4.5 donne les formes d'ondes des principales grandeurs dans les conditions normales de fonctionnement, c'est--dire quand le courant iL diffre de zro tout au long de la priode de hachage ou quand on est en conduction continue.

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE INDUCTANCE SIMPLE

Page 4-8

uD
U

t
iMAX iMIN U-Uc

uL, iL

iR iL
t

-Uc

i
iMAX iMIN

t iD
iMAX iMIN

t iC

te Tp

Figure 4.5 : Conduction continue

En conduction continue, l'alimentation abaisseuse de tension est quivalente un transformateur DC ou le rapport du nombre de spires de ce transformateur peut tre continuellement contrl lectroniquement entre 0 et 1 par variation du rapport cyclique D. Pour un rapport cyclique donn, la tension de sortie est trs peu dpendante de la charge. SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE INDUCTANCE SIMPLE

Page 4-9

4.4.2 4.4.2.1

Ondulation du courant iL et de la tension uC. Choix de L et de C Ondulation du courant iL et choix de L

Grce la relation

I L = iL MAX iL MIN =

U Tp L

(1 D) D

4.3

donnant l'ondulation de courant dans l'inductance en conduction continue et du rapport cyclique D, et sachant que l'ondulation de courant est maximale pour D = 0.5 on peut crire pour un courant d'ondulation maximum dsir

T p U 4 I L max

4.4

La valeur maximum admissible pour IL rsulte d'un compromis :

une valeur trop faible de IL conduit une valeur excessive de l'inductance L, une valeur trop leve de IL augmente la valeur maximale de courant que les interrupteurs Q et D doivent supporter, le maximum correspond en outre au courant que Q doit pouvoir interrompre, une valeur trop leve de IL augmente aussi la largeur de la zone correspondant la conduction discontinue, c'est--dire de la zone o, rapport cyclique D donn, la tension de sortie de l'alimentation varie fortement en fonction du courant dbit.
4.4.2.2 Ondulation de la tension de sortie uC, choix de C

Dans l'analyse prcdente, nous avons fait l'hypothse que le condensateur de sortie C avait une capacit suffisamment grande pour assurer une tension de sortie constante, soit uC=U. Cependant, l'ondulation peut tre estime en admettant que le courant dans le condensateur est gal l'ondulation de courant de l'inductance. Autrement dit, on fait l'hypothse que l'ondulation dans la charge (R) est nulle. A l'aide de la Figure 4.6 on peut voir que pour chaque demi-priode de pulsation Tp, le condensateur emmagasine ou restitue une charge conduisant une variation de la tension aux bornes du condensateur estime

U C =
sachant que

Q 1 1 I L T p = C C 2 2 2

4.5

I L =
on peut crire

U Tp L

(1 D) D =

U C Tp L

(1 D )

4.6

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE INDUCTANCE SIMPLE

Page 4-10

U C =

U T p2 8C L

(1 D ) D

4.7

ou encore en valeur relative

Tp U C = (1 D) UC 8C L
2

4.8

l'ondulation absolue maximale a lieu pour un rapport cyclique D = 0.5

U C max =
et par consquent

U T p2 32 C L

4.9

U T p2 32 U c max L

4.10

La relation 4.8 montre que l'ondulation relative est indpendante de la charge.


iL
IL 2

Tp 2

IL = IR

t uC
UC

UC

Figure 4.6 : Ondulation de la tension de sortie uC

4.4.3

Analyse frquentielle En analysant attentivement l'alimentation abaisseuse de tension, on remarque que l'inductance et le condensateur forme un filtre du 2me ordre ou la rsistance de charge joue le rle d'amortissement. En posant pour la frquence de pulsation

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE INDUCTANCE SIMPLE

Page 4-11

fp =

1 Tp

4.11

et pour le filtre, une frquence de coupure donne par

fc =

1 2 L C

4.12

on obtient, l'aide de la relation 4.8, pour l'ondulation relative de tension


f U C 2 = (1 D ) c f 2 UC p
2

4.13

Cette relation montre que l'ondulation de tension peut tre minimise en fixant la frquence de coupure du filtre passe-bas une valeur trs infrieure la frquence de pulsation fp. 4.4.4 Frontire entre le mode continu et intermittent Lorsque le courant moyen dans la charge est gal la moiti de l'ondulation de courant dans l'inductance, on se trouve la limite entre la conduction continue et la conduction intermittente.

I RLIM =

I L U C T p = (1 D) 2 2 L

4.14

Le courant moyen maximum IRLIM(MAX) dans la charge est obtenu lorsque D = 0. On peut donc crire la relation

I RLIM ( MAX ) =
et

U C Tp 2 L

4.15

I RLIM = I RLIM ( MAX ) (1 D)


4.4.5 Conduction intermittente

4.16

Dans le cas de la conduction intermittente, le courant dans l'inductance s'annule pendant les intervalles de dclenchement de l'interrupteur Q. L'ondulation de courant dans l'inductance vaut

I L =
d'o l'on tire

U UC UC ' te = td L L

4.17

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE INDUCTANCE SIMPLE

Page 4-12

' td =(

U 1) t e UC

4.18

uD
U

uD

UC

t uL ,iL
U-UC iMAX

iL

iR
t

-UC

iMAX

t iD

iMAX

t iC

te

t'd Tp

Figure 4.7 : Conduction intermittente

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE INDUCTANCE SIMPLE

Page 4-13

Le courant moyen de sortie IR, correspondant au courant moyen dans l'inductance IL s'obtient en faisant un calcul de surface moyenne (amplitude temps) partir de la Figure 4.7

IR = IL =

1 U UC ' t e (t e + t d ) Tp 2L

4.19

en utilisant les relations 4.15 et 4.18, et aprs quelques calculs

t U IR = ( 1) e T 2 L UC p U Tp
4.4.6

= I RLIMMAX U ( U 1) D 2 UC UC

4.20

Caractristique statique avec tension de sortie constante. Dans des conditions normales d'utilisation, la tension de sortie UC est asservie par modification du rapport cyclique D et maintenue une valeur constante mme lors de fluctuation de la tension d'entre (par exemple sortie d'un pont redresseur monophas).De la relation 4.20 on peut crire

IR D= UC U I RLIM ( MAX ) U (1 C ) U
4.21

La Figure 4.8 illustre la caractristique statique correspondant au cas o la tension de sortie est maintenue constante
D
1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 Conduction intermittente 0.2 0.1 0 Conduction continue

UC = 0.8 U

I RLIM I RLIM ( MAX )

UC = 0.5 U

UC = 0.2 U

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

IR I RLIM ( MAX )

Figure 4.8 : Caractristique statique tension de sortie constante : UC=cte

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE INDUCTANCE SIMPLE

Page 4-14

En conduction intermittente, la tension de sortie est fortement dpendante de la charge pour un rapport cyclique D constant. Dans ce cas, c'est la boucle de rglage qui doit intervenir de manire efficace pour corriger le rapport cyclique D. 4.4.7 Diagramme structurel Dans un premier temps crivons les quations du systme dans les deux topologies dfinies par l'tat des contacteurs statiques.

Q : ON, D : OFF

di L (t ) = U u C (t ) L dt L du t u t ( ) ( ) i (t ) = C C + C L dt R

I ( 0) 1 iL ( s ) = (U u C ( s )) + L sL s u ( s ) = 1 (i (t ) u C ( s ) ) + U C (0) C L sC R s

4.22

Q : OFF, D : ON (iL(t)>0) on a U=0

di L (t ) = uC (t ) L dt L i (t ) = C du C (t ) + u C (t ) L dt R

I L ( 0) 1 i s = u s + ( ) ( ( )) L C sL s u ( s ) = 1 (i (t ) u C ( s ) ) + U C (0) C L sC R s

4.23

Q : OFF, D : OFF (iL(t)=0) on a uL(t)=0

i L (t ) = 0 diL (t ) L =0 u L (t ) = L dt du (t ) u (t ) i L (t ) = C C + C dt R
Tension d'entree U U(s)
d

iL ( s ) = 0 u L ( s ) = 0 u ( s ) U ( 0) 1 uC ( s ) = ( C ) + C sC R s

4.24

Courant initial dans l'inductance iL0 iL(0) uL'(s)=U(s)*d(s)-uC(s)

Tension initiale aux bornes du condensateur uC0 uC(0) iL(s) iC(s) 1 Cs uC(s) iR(s) 1 R

d(s)
d\

uL(s)

1 Ls

Generateur PWM

if (iL>0 or uL'>0) ON else OFF Diode

Figure 4.9 : Diagramme structurel

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE INDUCTANCE SIMPLE

Page 4-15

4.5 ALIMENTATION DE TYPE PARALLLE OU LVATRICE DE TENSION


Cette alimentation (Boost converter ou Step-up converter) utilise un contacteur statique parallle qui doit tre aliment par une source de courant et dbiter dans une source de tension. Le rcepteur proprement dit, constitu par la rsistance R et le condensateur de filtrage C mont en parallle ses bornes, a le comportement dune source de tension exige par lalimentation dcoupage. Par contre il faut placer une inductance L en srie avec la source d'alimentation de tension UC pour la transformer en source de courant. On aboutit ainsi au schma de la Figure 4.10
Source de courant i L U Q iQ uQ iD D C iC uC iR R Rcepteur de tension

Figure 4.10 : Reprsentation schmatique d'une alimentation lvatrice de tension

4.5.1 4.5.1.1

Conduction continue Relation gnrale en conduction continue 0 t < te=DTP Q conduit, D ouvert
i L iL iQ U uQ C iD iC uC iR R U i

DTP =te t < Tp Q ouvert, D conduit


L iL iQ uQ iD D C iC uC iR R

Hypothse : uc=UC uC=0, l'ondulation de la tension aux bornes du condensateur est nulle Tension aux bornes de l'inductance [ te ] [ td ] iL iL [ te ] [ td ] UL =U = L U L = U UC = L te td Courant moyen dans le condensateur U U [ te ] [ te ] [ td ] [td ] [td ] = I R = I R = C IC = I R + IL = I R + I L = C + I L IC R R Courant moyen fournit par l'alimentation
[ te ] I [ te ] = I L = IL [ td ] I [ td ] = I L = IL

Courant moyen dans la diode


[ te ] ID =0 [ td ] [ td ] ID = IL = IL

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE INDUCTANCE SIMPLE

Page 4-16

Valeurs moyennes pondres

1-D

[ te ] [ td ] D U L + (1 D) U L = D (U ) (1 D ) (U U C ) = 0 [ te ] [ td ] D IC + (1 D) I C = D ( I R ) + (1 D) ( I R + I L ) = 0

UC =

U 1 D

I R = (1 D ) I L
I = IL

I = D I [te ] + (1 D) I [td ] = D I L + (1 D) I L
[ te ] [ td ] ID = D ID + (1 D) I D = (1 D) I L

I D = (1 D ) I L

4.5.1.2

Ondulation de courant dans le domaine de la conduction continue

Le courant circulant dans l'inductance prsente l'ondulation suivante : 0 t < te=DTP Q conduit, D ouvert
i

DTP =te t < Tp Q ouvert, D conduit


i iC iR uC

iL iQ

iD

iL iQ

iD

D
uQ

iC

iR uC

uQ

Ondulation de courant aux bornes de l'inductance


[ te ] iL = [ te ] UL U te = te L L [ td ] iL = [ td ] U UC UL td = td L L

UL = 0

[ te ] [td ] I L = i L = i L

I L = iL MAX iL MIN =

U Tp L

D =

U C Tp L

(1 D) D

La Figure 4.11 donne les formes d'ondes des principales grandeurs dans les conditions normales de fonctionnement, c'est--dire quand le courant iL diffre de zro tout au long de la priode de hachage ou quand on est en conduction continue.

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE INDUCTANCE SIMPLE

Page 4-17

uQ
Uc

uQ

t uL, iL
iMAX iMIN
U

iL

U-Uc

iQ
iMAX iMIN

t iD
iMAX iMIN

iR
t iC

t
te Tp

Figure 4.11 : Conduction continue

En conduction continue, l'alimentation lvatrice de tension est quivalente un transformateur DC ou le rapport du nombre de spires de ce transformateur peut tre continuellement contrl lectroniquement entre 1 et "" par variation du rapport cyclique D. Pour un rapport cyclique donn, la tension de sortie est indpendante de la charge.

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE INDUCTANCE SIMPLE

Page 4-18

4.5.2 4.5.2.1

Ondulation du courant iL et de la tension uC. Choix de L et de C Ondulation du courant iL et choix de L

Grce la relation

I L = iL MAX iL MIN =

U Tp L

4.25

donnant l'ondulation de courant dans l'inductance en conduction continue et du rapport cyclique D, et sachant que l'ondulation de courant est maximale pour D = 1 on peut crire pour un courant d'ondulation maximum dsir

T p U I L max

4.26

La valeur maximum admissible pour IL rsulte d'un compromis identique celui de l'alimentation srie ou abaisseuse de tension (voir 4.4.2.1) 4.5.3 Ondulation de la tension uC. Choix de C L'ondulation de la tension de sortie (tension aux bornes du condensateur) peut tre calcule en considrant que le courant IR dans la charge est constant et gal au courant moyen dans la diode ID. Il est donc possible de tracer la forme du courant iC circulant dans le condensateur. La forme du courant circulant dans le condensateur et de la tension ses bornes sont illustrs la Figure 4.12.
iC
Q Q

t
Tp

te

uC
UC

UC
te Tp

Figure 4.12 : Ondulation de la tension de sortie

En rgime permanent, l'ondulation de tension aux bornes du condensateur vaut SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE INDUCTANCE SIMPLE

Page 4-19

U c =

Q I R t e U c D T p = = C C R C

4.27

L'ondulation relative dcoule directement de la relation prcdente

U c D T p = Uc R C
4.5.4 Frontire entre le mode continu et intermittent

4.28

Lorsque le courant moyen IL dans l'inductance L est gal la moiti de l'ondulation IL, on atteint la limite de la conduction continue. On peut crire pour le courant limite moyen dans L

1 1 U C Tp I L LIM = I L = D (1 D) 2 2 L

4.29

Le courant moyen maximum ILLIM(MAX) dans l'inductance est obtenu lorsque D = 0.5. On peut donc crire la relation

I LLIM ( MAX ) =

U C Tp 8 L

4.30

Sachant que le courant dans l'inductance est identique au courant d'entre, il est possible de calculer la valeur du courant moyen de sortie IR la limite de la conduction continue. A l'aide de la relation liant le courant dans la rsistance de charge au courant dans l'inductance et de la relation 4.29, on a

1 U C Tp I R LIM = I L LIM (1 D) = D (1 D) 2 2 L

4.31

Le courant moyen maximum IRLIM(MAX) dans la charge est obtenu lorsque D = 1/3. On peut donc crire la relation

I RLIM ( MAX ) =

2 U C T p 27 L

4.32

En terme de leur maximum, les courants la limite de la conduction continue s'expriment par les relations suivantes

I LLIM = 4 D (1 D ) I LLIM ( MAX )

4.33

I R LIM =

27 D (1 D ) 2 I R LIM ( MAX ) 4

4.34

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE INDUCTANCE SIMPLE

Page 4-20

4.5.5

Conduction intermittente La conduction est dite intermittente lorsque le courant s'annule dans l'inductance pendant le laps de temps o le transistor Q est ouvert. Ce cas se produit lorsque pour un rapport cyclique donn, la charge reprsente par R diminue (R augmente). Le courant moyen IR diminue alors que l'ondulation reste constante, ceci jusqu' ce que le courant s'teigne dans l'inductance avant la fin de la priode de pulsation.
uQ
Uc

t uL , iL
iLMAX
U

iL
t

U-Uc

iQ

iLMAX

t iD

iLMAX

iR
t iC

t
te Tp t'd

Figure 4.13 : Conduction intermittente

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE INDUCTANCE SIMPLE

Page 4-21

Comme pour le cas de la conduction continue, en rgime permanent la tension moyenne aux bornes de l'inductance UL est nulle
' te td U + (U U C ) = 0 Tp Tp

4.35

et donc on obtient pour le temps d'extinction


' td =

1 UC 1 U

te

4.36

Le courant moyen dans la charge peut tre exprim l'aide de la relation suivante
' td 1 1 IR = i L (t ) dt = i LMAX T p t 2 Tp e Tp

4.37

avec
i LMAX = U te L
4.38

et finalement

IR =

' ' iL MAX t d te U C Tp 1 U td U D2 = = 2 Tp 2 L Tp 2 L UC UC 1 U

4.39

4.5.6

Caractristique statique avec tension sortie constante Dans la plupart des applications utilisant des alimentations lvatrices de tension, la tension de sortie UC est maintenue constante. Par consquent, avec UC constante, on peut tracer les courant ILLIM et IRLIM en fonction du rapport cyclique. La variation du rapport cyclique est en relation directe avec les variations de la tension d'entre U. La Figure 4.13 montre donc les courants moyens correspondant la limite de la conduction continue. Les courants moyens suprieurs aux courbes respectives de ILLIM et IRLIM pour IL et IR entrane un fonctionnement en conduction continue alors que des valeurs infrieures correspondent une conduction discontinue. De la relation 4.39 on peut crire

IR =

27 U 1 I RLIM ( MAX ) D2 UC 4 UC 1 U

4.40

puis

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE INDUCTANCE SIMPLE

Page 4-22

D=

IR 4 UC UC ( 1) U I RLIM ( MAX ) 27 U

4.41

IRLIM I , LLIM UCTp/2L UCTp/2L 0.25 ILLIM =D(1-D) UCTp/2L 0.2

0.15

1/4 0.1 4/27 0.05

IRLIM =D(1-D)2 UCTp/2L

0.1

0.2

0.3

0.4

0.5

0.6

0.7

0.8

0.9

Figure 4.14 : Courants moyens dans l'inductance et dans la charge correspondant la limite de la conduction continue pour UC=cte

D
1 0.9 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 Conduction intermittente 0.2 0.1 Conduction continue

UC =4 U

I R LIM I R LIM ( MAX )

UC =2 U

UC = 1.25 U

IR
0 0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2

I R LIM ( MAX )

Figure 4.15 : Caractristique statique tension sortie constante UC=cte

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE INDUCTANCE SIMPLE

Page 4-23

Comme pour l'alimentation abaisseuse de tension, la tension de sortie est fortement dpendante de la charge pour un rapport cyclique D constant. Dans ce cas, c'est la boucle de rglage qui doit intervenir de manire efficace pour corriger le rapport cyclique D. 4.5.7 Diagramme structurel Dans un premier temps crivons les quations du systme dans les deux topologies dfinies par l'tat des contacteurs statiques

Q : ON, D : OFF

di L (t ) L =U dt L ( ) ( ) du t u t 0 = C C + C dt R

I ( 0) 1 iL ( s) = U + L sL s u ( s ) = 1 ( uC ( s ) ) + U C (0) C sC R s

4.42

Q : OFF, D : ON (iL(t)>0) on a U=0

di L (t ) L = U u C (t ) dt L i (t ) = C du C (t ) + u C (t ) L dt R

I L ( 0) 1 ( ) ( ( )) i s U u s = + L C sL s u ( s ) = 1 (i (t ) u C ( s ) ) + U C (0) C L sC R s

4.43

Q : OFF, D : OFF (iL(t)=0) on a uL(t)=0

iL (t ) = 0 diL (t ) L =0 u L (t ) = L dt du (t ) u (t ) 0=C C + C dt R
Tension d'entree U U(s)
d

i L ( s ) = 0 u L ( s ) = 0 u ( s ) U (0) 1 uC ( s ) = ( C ) + C sC R s

4.44

Courant initial dans l'inductance iL0 iL(0) Diode

Tension initiale aux bornes du condensateur uC0 uC(0) iC(s) 1 Cs iL(s) iR(s) 1 R uC(s)

d(s)
d\

uL'(s)=U(s)-uC(s)*d\(s)

uL(s)

1 Ls

Generateur PWM

if (iL>0 or uL'>0) ON else OFF Diode

Figure 4.16 : Diagramme structurel

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE INDUCTANCE SIMPLE

Page 4-24

4.6 ALIMENTATION DCOUPAGE NON RVERSIBLE A LIAISON INDIRECTE


4.6.1 Gnralits Les alimentations dcoupage indirect ne sont gures utilises en moyenne et en forte puissance. Leur domaine d'application quasi exclusif est celui des alimentations dcoupage de faible puissance fonctionnant des frquences ultrasonores. Par consquent, nous nous limiterons l'tude de lalimentation dcoupage stockage inductif. 4.6.2 Hacheur stockage inductif La structure du hacheur stockage inductif exige que les circuits connects ses accs soient des sources de tension, on peut directement relier

son entre, la source d'alimentation, sa sortie, l'ensemble filtre capacitif-rcepteur.


La principale imperfection considrer est lie l'ondulation du courant dans l'inductance de stockage L. Cette alimentation (Buck-Boost converter ou step-down/up converter) peut tre obtenue par une connexion en cascade d'une alimentation abaisseuse de tension suivie d'une alimentation lvatrice de tension. En rgime permanent, le rapport de conversion de tension entre la sortie et l'entre est le produit des rapports de conversion de tension des deux alimentations en cascade, ceci en supposant que le rapport cyclique de commutation des transistors est identique pour les deux alimentations.
UC 1 = D U 1 D
4.45

Un tel rapport de conversion permet la tension de sortie d'tre suprieure ou infrieure la tension d'entre, ceci en fonction de la valeur du rapport cyclique D La mise en cascade de ces deux alimentations (abaisseuse et lvatrice) peut tre remplace par une alimentation dite stockage inductif
L L

U L

Figure 4.17 : Combinaison des alimentations abaisseuse et lvatrice de tension

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE INDUCTANCE SIMPLE De la combinaison mentionne au-dessus, on obtient le schma de la Figure 4.18
Source de tension i iL Q U L uL C iD D iC uC iR Rcepteur de tension

Page 4-25

Figure 4.18 : Reprsentation schmatique d'une alimentation stockage inductif

4.6.3 4.6.3.1

Conduction continue Relations gnrales en conduction continue 0 t < te=DTP Q conduit, D ouvert
i iL U L uL C iD iC uC iR R U L i iL uL C

DTP =te t < Tp Q ouvert, D conduit


iD iC uC iR R

Hypothse : uc=UC uc=0, l'ondulation de la tension aux bornes du condensateur est nulle Tension aux bornes de l'inductance i [te ] [ te ] =U = L L UL te
[td ] = UC = L UL [ td ] iL td

Courant moyen dans le condensateur U U [ te ] [ te ] [td ] [td ] [ td ] = I R = I R = C IC = I R IL = I R I L = C I L IC R R Courant moyen fournit par l'alimentation (courant moyen dans le transistor Q)
[ te ] I [ te ] = I L = IL

I [ td ] = 0

Courant moyen dans la diode


[ te ] ID =0 [ td ] [ td ] ID = IL

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE INDUCTANCE SIMPLE

Page 4-26

Valeurs moyennes pondres

1-D

[ te ] [ td ] D U L + (1 D) U L = D (U ) + (1 D) U C = 0
[ te ] [ td ] D IC + (1 D) I C = D ( I R ) + (1 D) ( I R I L ) = 0

UC =

D U 1 D

I R = (1 D ) I L I = D IL

I = D I [te ] + (1 D) I [td ] = D I L
[ te ] [ td ] ID = D ID + (1 D) I D = (1 D) I L

I D = (1 D ) I L

4.6.3.2

Ondulation de courant dans le domaine de la conduction continue

Le courant circulant dans l'inductance prsente l'ondulation suivante : 0 t < te=DTP Q conduit, D ouvert
i iL U L uL C iD iC uC iR R

DTP =te t < Tp Q ouvert, D conduit


i iL U L uL C iD iC uC iR R

Ondulation de courant aux bornes de l'inductance


[ te ] iL = [ te ] UL U te = te L L [td ] iL = [ td ] U UL td = C td L L

UL = 0

[ te ] [ td ] I L = i L = i L

I L = iL MAX iL MIN =

U Tp L

D =

U C Tp L

(1 D)

La Figure 4.19 donne les formes d'ondes des principales grandeurs dans les conditions normales de fonctionnement, c'est--dire quand le courant iL diffre de zro tout au long de la priode de hachage ou quand on est en conduction continue.

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE INDUCTANCE SIMPLE

Page 4-27

uQ
U-UC

t uL ,iL
U

iL
t

Uc

iQ t iD t

iR
iC

t
te Tp
Figure 4.19 : Conduction continue

En conduction continue, l'alimentation stockage inductif est quivalente un transformateur DC ou le rapport du nombre de spires de ce transformateur peut tre continuellement contrl lectroniquement entre 1 et "" par variation du rapport cyclique D. Pour un rapport cyclique donn, la tension de sortie est indpendante de la charge.

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE INDUCTANCE SIMPLE

Page 4-28

4.6.4 4.6.4.1

Ondulation du courant iL et de la tension uC. Choix de L et de C Ondulation du courant iL et choix de L

Grce la relation

I L = iL MAX iL MIN =

U Tp L

4.46

donnant l'ondulation de courant dans l'inductance en conduction continue et du rapport cyclique D, et sachant que l'ondulation de courant est maximale pour D = 1 on peut crire pour un courant d'ondulation maximum dsir

T p U I L max

4.47

Ce rsultat est identique celui de l'alimentation lvatrice de tension La valeur maximum admissible pour IL rsulte d'un compromis identique celui des alimentations srie et parallle (voir 4.4.2.1, 4.5.2.1) 4.6.4.2 Ondulation de la tension uC. Choix de C

L'ondulation de la tension de sortie (tension aux bornes du condensateur) peut tre calcule en considrant que le courant IR dans la charge est constant et gal au courant moyen dans la diode ID. Il est donc possible de tracer la forme du courant iC circulant dans le condensateur. La forme du courant circulant dans le condensateur et de la tension ses bornes sont illustrs la Figure 4.20.
iC
Q Q

te Tp

uC t
UC

UC
te Tp

Figure 4.20 : Ondulation de la tension de sortie

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE INDUCTANCE SIMPLE En rgime permanent, l'ondulation de tension aux bornes du condensateur vaut

Page 4-29

U c =

I t U D Tp Q = R e = c C C R C

4.48

L'ondulation relative dcoule directement de la relation prcdente

D Tp U c = Uc R C
La situation est identique celle de l'alimentation lvatrice de tension. 4.6.5 Frontire entre le mode continu et intermittent

4.49

Lorsque le courant moyen IL dans l'inductance L est gal la moiti de l'ondulation IL, on atteint la limite de la conduction continue. Le courant moyen limite dans l'inductance vaut

1 1 U C Tp I L LIM = I L = (1 D) 2 2 L

4.50

De l'expression donnant la relation entre le courant moyen dans l'inductance et le courant de sortie (dans la charge), il est possible de calculer la valeur du courant moyen de sortie IR la limite de la conduction continue, soit

1 U C Tp I R LIM = I L LIM (1 D) = (1 D) 2 2 L
4.6.6 Conduction intermittente

4.51

La conduction est dite intermittente lorsque le courant s'annule dans l'inductance pendant le laps de temps o le transistor Q est ouvert. Comme pour le cas de la conduction continue, en rgime permanent la tension moyenne aux bornes de l'inductance UL est nulle
UL =U te t' +UC d = 0 Tp Tp
4.52

et donc on obtient pour le temps d'extinction


' td =

U te UC

4.53

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE INDUCTANCE SIMPLE

Page 4-30

uQ
U-UC

t uL ,iL
U

iL
t

Uc

iQ t iD

iR
t iC t
te Tp t'd

Figure 4.21 : Conduction intermittente

Le courant moyen dans la charge peut tre exprim l'aide de la relation suivante

IR =
avec

t' 1 1 iL (t ) dt = iLMAX d 2 Tp T p te

Tp

4.54

i LMAX =

U te L

4.55

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE INDUCTANCE SIMPLE et finalement


' U te U C Tp U td IR = = D2 U 2 L Tp 2 L C

Page 4-31

4.56

4.6.7

Caractristique statique avec tension de sortie constante Le courant moyen maximum dans l'inductance et la sortie en fonction de UC est obtenu lorsque D = 0

I L LIM ( MAX ) = I R LIM ( MAX ) =

U C Tp
2 L

4.57

En terme de leur maximum, les courants la limite de la conduction continue s'expriment par les relations suivantes

I LLIM = (1 D ) I LLIM ( MAX )

4.58

I RLIM = (1 D ) 2 I RLIM ( MAX )

4.59

Dans la plupart des applications utilisant des alimentations lvatrices de tension, la tension de sortie UC est maintenue constante. Par consquent, avec UC constante, on peut tracer les courants ILLIM et IRLIM en fonction du rapport cyclique. La variation du rapport cyclique est en relation directe avec les variations de la tension d'entre U. La Figure 4.22 montre donc les courants moyens correspondant la limite de la conduction continue. Les courants moyens suprieurs aux courbes respectives de ILLIM et IRLIM pour IL et IR entrane un fonctionnement en conduction continue alors que des valeurs infrieures correspondent une conduction discontinue. De la relation 4.56 on peut crire

I R = I RLIM ( MAX )
puis

U U C

2 D

4.60

D=

UC IR U I RLIM ( MAX )

4.61

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE INDUCTANCE SIMPLE

Page 4-32

IR I R LIM ( MAX )
1.2

IL I L LIM ( MAX )

0.8

I L LIM
0.6

I L LIM ( MAX )

0.4

0.2

I R LIM I R LIM ( MAX )

D
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7 0.8 0.9 1

Figure 4.22 : Courants moyens dans l'inductance et dans la charge correspondant la limite de la conduction continue pour UC=cte

D
1 0.9 Conduction continue 0.8 0.7 0.6 0.5 0.4 0.3 0.2 0.1 0 Conduction intermittente

UC = 3.0 U

UC = 1.0 U

I R LIM I R LIM ( MAX )

UC = 1 / 3 U

IR
0 0.2 0.4 0.6 0.8 1 1.2

I R LIM ( MAX )

Figure 4.23 : Caractristique statique tension d'entre constante UC=cte

Comme pour les alimentations abaisseuse et lvatrice de tension, la tension de sortie est fortement dpendante de la charge pour un rapport cyclique D constant. Dans ce cas, c'est la boucle de rglage qui doit intervenir de manire efficace pour corriger le rapport cyclique D.

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 4 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE INDUCTANCE SIMPLE

Page 4-33

4.6.8

Diagramme structurel Dans un premier temps crivons les quations du systme dans les deux topologies dfinies par l'tat des contacteurs statiques

Q : ON, D : OFF

di L (t ) L =U dt L 0 = C du C (t ) + u C (t ) dt R

I ( 0) 1 iL ( s) = U + L sL s u ( s ) = 1 ( uC ( s ) ) + U C (0) C sC R s

4.62

Q : OFF, D : ON (iL(t)>0) on a U=0

di L (t ) L = uC (t ) dt L ( ) ( ) du t u t i (t ) = C C C L dt R

I ( 0) 1 iL ( s ) = uC ( s ) + L sL s u ( s ) = 1 (i (t ) u C ( s ) ) + U C (0) C L sC R s

4.63

Q : OFF, D : OFF (iL(t)=0) on a uL(t)=0

i L (t ) = 0 di L (t ) L =0 u L (t ) = L dt du (t ) u (t ) 0=C C + C dt R

i L ( s ) = 0 u L ( s ) = 0 u ( s ) U (0) 1 u C ( s ) = ( C ) + C sC R s

4.64

Tension d'entree U U(s)


d

Courant initial dans l'inductance iL0 iL(0) Diode

Tension initiale aux bornes du condensateur uC0 uC(0) iC(s) 1 Cs iL(s) iR(s) 1 R uC(s)

d(s)
d\

Generateur PWM

uL'(s)=U(s)*d(s)-uC(s)*d\(s)

uL(s)

1 Ls

if (iL>0 or uL'>0) ON else OFF Diode

Figure 4.24 : Diagramme structurel

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 5 : TRANSFORMATEURS POUR ALIMENTATIONS DCOUPAGE

Page 5-1

Transformateurs pour alimentations dcoupage


5.1 INTRODUCTION
Cette section, est consacre une revue des bases ncessaires la modlisation des transformateurs d'impulsions utiliss dans le domaine des alimentations dcoupage 5.1.1 Relations de base La force magntomotrice entre deux points x1 et x2 est donne par l'intgrale du produit scalaire du champ magntique H sur un chemin quelconque liant les deux points.
F = H dl
x1 x2

5.

5.1

o dl est un vecteur de longueur lmentaire tangent au chemin allant de x1 x2 en un point donn x. Si le champ magntique H est uniforme et parallle au chemin de longueur l, la relation devient

F = H l

5.2

Le flux magntique totalis passant au travers d'une surface S d'aire Ac est gal l'intgrale du produit scalaire du champ d'induction magntique B par unit de surface lmentaire reprsente par un vecteur normal n cette dernire.

B dA
SurfaceS

5.3

Si le champ d'induction magntique est uniforme et perpendiculaire la surface, on peut crire

= B Ac

5.4

La loi de Faraday permet d'exprimer la tension induite dans une spire en fonction du flux (t) traversant l'aire Ac dlimite par la spire
u(t ) = d ( t ) dt
5.5

o les polarits de u(t) et (t) sont dfinies la Figure 5-1. SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 5 : TRANSFORMATEURS POUR ALIMENTATIONS DCOUPAGE

Page 5-2

nAc
Flux (t) _

u(t)
+

Figure 5-1 : Tension induite dans une spire

Pour une distribution uniforme du champ d'induction magntique perpendiculaire la surface, on peut crire
u (t ) = Ac dB (t ) dt
5.6

La loi de Lenz tabli que la tension u(t) induite par la variation de flux (t) a une polarit qui tend induire un courant dans la spire concerne de manire s'opposer la variation du flux. La tension divise par l'impdance de la spire conductrice induit un courant i(t). Ce courant i(t) induit son tour un flux '(t) , lequel tend s'opposer la variation de (t) .
i(t) : courant induit Spire court-circuite

Flux (t) _

u(t)
+ Flux induit '(t)

Figure 5-2 : Illustration de la loi de Lenz

La loi d'Ampre relie le courant circulant dans une spire la force magntomotrice F. La FMM sur un contour ferm de longueur lm est gale au courant totalis passant au travers du contour ferm.

contourferm

H dl =

i
Surface d lim ite par le contour ferm

5.7

Si le champ magntique est uniforme et d'amplitude H, l'intgrale prcdente de vient


F (t ) = H (t ) l m = i (t )
5.8

Ainsi le champ magntique H(t) est une fonction du courant de circulation i(t)

SYSTMES LECTRONIQUES I, 1RE PARTIE

CHAPITRE 5 : TRANSFORMATEURS POUR ALIMENTATIONS DCOUPAGE

Page 5-3

H(t)

i(t)
Contour ferm lm

Figure 5-3 : Illustration de la loi d'Ampre

La relation liant le champ d'induction B au champ magntique H est fonction des caractristiques magntiques du milieu considr. Dans l'air on a

B = 0 H

5.9

o 0 est la permabilit de l'air (4 10-7 [Henry/m] ). La Figure 5-4 illustre la caractristique B-H typique d'un matriau magntique utilis pour la fabrication des transformateurs HF. Cette caractristique est non linaire puisqu'elle prsente la fois une hystrse et de la saturation.
B

Figure 5-4 : Caractristique B-H d'un matriau magntique classique

Pour l'analyse, la caractristique du matriau est modlise par sa partie linaire seulement. La caractristique B H est donc donne par

B = H = r 0 H

5.10

La permabilit du matriau peut-tre exprime comme le produit de la permabilit relative r par 0. Les valeurs typiques de r sont comprises entre 103 et 105. La Figure 5-5 rsume les relations existantes entre les grandeurs lectriques et magntiques d'un matriau. La tension induite u(t) est relie au flux (t) et au champ d'induction magntique B(t) par la SYSTMES LECTRONIQUES I, 1RE PARTIE

CHAPITRE 5 : TRANSFORMATEURS POUR ALIMENTATIONS DCOUPAGE

Page 5-4

loi de Faraday. Le courant circulant dans les spires du bobinage est reli au champ magntique du matriau reliant B H.

u(t) Caractristiques lectriques i(t)

Loi de Faraday

B(t), (t) Caractristiques du noyau magntique H(t), F(t)

Loi d'Ampre
Figure 5-5 : Etapes pour la dtermination des caractristiques lectriques d'un noyau magntique

Il est possible maintenant de dterminer la caractristique lectrique d'une simple inductance. Un bobinage de n spires est plac autour d'un noyau magntique de permabilit , la loi de Faraday permet d'crire la relation liant le flux (t) dans le noyau magntique la tension induite sur chaque spires du bobinage
u (t ) spire = d ( t ) dt
5.11

La tension induite totalise sur l'ensemble du bobinage vaut


u (t ) = n u (t ) spire = n d ( t ) dt
5.12

que l'on peut crire en fonction du champ d'induction magntique


u (t ) = n Ac dB (t ) dt
5.13

o B(t) est la valeur moyenne du champ d'induction magntique sur la section transversale du noyau magntique

B(t ) =

(t ) Ac

5.14

La loi d'Ampre est illustre la Figure 5-6. Un chemin ferm est choisi de manire suivre le parcours moyen d'une ligne de champ magntique l'intrieur du noyau magntique. Ce chemin une longueur nomme lm. Si le champ H(t) est uniforme, en se rfrant la relation 5.8, on peut crire

H (t ) l m = n i (t )

5.15

SYSTMES LECTRONIQUES I, 1RE PARTIE

CHAPITRE 5 : TRANSFORMATEURS POUR ALIMENTATIONS DCOUPAGE

Page 5-5

i(t) u(t) n spires Noyau

(t)
Section AC du noyau Noyau de permabilit

H(t)
i(t) u(t) n spires Contour ferm lm

Figure 5-6 : Structure d'une inductance

En ngligeant l'hystrse, mais en tenant compte de la saturation du noyau magntique choisi, on a


B=

Bsat

pour H Bsat / pour H < Bsat / pour H Bsat /


5.16

H
Bsat

La pente de la caractristique B H dans le cas de la saturation est gale 0. La pente tant beaucoup plus petite que , on peut l'ignorer.

Bsat

-Bsat
Figure 5-7 : Approximation de la caractristique B - H

SYSTMES LECTRONIQUES I, 1RE PARTIE

CHAPITRE 5 : TRANSFORMATEURS POUR ALIMENTATIONS DCOUPAGE La valeur du courant de saturation Isat peut tre trouve par substitution de H=Bsat/. Soit

Page 5-6

I sat =

Bsat l m n

5.17

Pour I < Isat , B=H et on peut crire


u (t ) = n Ac dH (t ) dt
5.18

et en remplaant H(t) par

n i (t ) on obtient lm

u (t ) =

n 2 Ac di(t )
lm dt

5.19

ou encore sous la forme


u (t ) = L di (t ) dt
5.20

avec

L=

n 2 Ac
lm

5.21

Ainsi le matriau magntique entour de n spires se comporte comme une inductance pour I<Isat. Lorsque I>Isat , le champ d'induction B(t)=Bsat est constant et la tension induite aux bornes du bobinage vaudra
u (t ) = n Ac dBsat =0 dt
5.22

Lorsque le noyau magntique est satur, le comportement de l'inductance approche un court-circuit. En pratique la saturation provoque une forte diminution de l'impdance de l'inductance, provoquant du mme coup un accroissement important du courant. 5.1.2 Circuits magntiques La Figure 5-8 montre un circuit magntique de permabilit , de longueur finie l et de section AC parcouru par un flux et un champ magntique H, tous deux uniformes. La force magntomotrice entre les deux extrmits de ce matriau vaut

F = H l
puisque H =

5.23

et B =

, on peut exprimer F par Ac

SYSTMES LECTRONIQUES I, 1RE PARTIE

CHAPITRE 5 : TRANSFORMATEURS POUR ALIMENTATIONS DCOUPAGE

Page 5-7

F=

l Ac

5.24

Cette relation est de la forme

F =
avec

5.25

l Ac

5.26

FMM : F l Section transversale Ac

Flux (t) noyau de permabilit H(t) (t) F R


Figure 5-8 : Elment de circuit magntique

R=

l Ac

La relation 5.25 est similaire la loi d'Ohm. Cette relation montre que le flux magntique traversant un matriau magntique est proportionnel la FMM aux bornes de l'lment. La constante de proportionnalit, appele rluctance est analogue la rsistance d'un conducteur lectrique. Dans un circuit magntique, tension et courant sont remplacs par FMM et flux. Les quations de Maxwell et plus particulirement divB=0 montre que les lignes de champ magntique sont continues et n'ont pas de terminaison. Par consquent, la somme des flux entrant en un nud est nulle. Pour un circuit magntique complexe, on peut donc appliquer les mmes lois de Kirchoff que pour un circuit lectrique. Considrons une inductance avec un entrefer, illustre la Figure 5-9. Le chemin moyen au travers du noyau magntique et de l'entrefer est constitu d'un matriau de permabilit et de longueur Lm et d'un entrefer de permabilit 0 et de longueur .

SYSTMES LECTRONIQUES I, 1RE PARTIE

CHAPITRE 5 : TRANSFORMATEURS POUR ALIMENTATIONS DCOUPAGE

Page 5-8

Noyau de permabilit

(t)
i(t) Section AC du noyau

u(t) u(t)

n spires

Entrefer

Contour ferm lm

Figure 5-9 : Inductance avec entrefer dans son circuit magntique

En faisant l'hypothse que la section normale au champ magntique est identique pour le matriau et pour l'entrefer, l'application de la loi d'ampre sur le chemin ferm conduit la relation

Fc + F = n i
avec Fc et F les FMM aux bornes respectivement du noyau et de l'entrefer.
(t) Rc

5.27

Fc

ni(t)

Figure 5-10 : Modle lectrique

Le noyau et l'entrefer peuvent tre reprsents par les rluctances respectives

c =

lc Ac

5.28

5.29

Les rluctances du noyau c et de l'entrefer sont en srie. On peut donc crire

SYSTMES LECTRONIQUES I, 1RE PARTIE

CHAPITRE 5 : TRANSFORMATEURS POUR ALIMENTATIONS DCOUPAGE

Page 5-9

n i = ( c + )
Pour le flux au travers du bobinage, on peut grce la loi de Faraday, crire
u (t ) = n d ( t ) dt

5.30

5.31

en liminant (t)

u (t ) =

n2 di(t ) c + dt

5.32

par consquent l'inductance L vaut

n2 L= c +

5.33

L'entrefer accrot la rluctance totale du circuit magntique et diminue l'inductance rsultante. L'entrefer est utilis en pratique pour deux raisons. Sans entrefer, l'inductance est directement proportionnelle la permabilit du matriau, laquelle est fortement dpendante de la temprature et du point de fonctionnement et par consquent est difficile contrler. Ladjonction d'un entrefer de rluctance suprieure c rend la valeur de l'inductance moins sensible aux variations de . De plus l'entrefer permet de travailler avec des courants i(t) plus levs sans atteindre la saturation. La Figure 5-11 illustre ces propos.
= BAc
BsatAc 1/Rc 1/(Rc+Rg)

nIsat1

nIsat2

ni

-BsatAc

Figure 5-11 : Effet d'un entrefer sur la caractristique (ni)

En effet lorsque le noyau est satur, le flux est gal

sat = Bsat Ac
et le courant de saturation Isat prend la forme SYSTMES LECTRONIQUES I, 1RE PARTIE

5.34

CHAPITRE 5 : TRANSFORMATEURS POUR ALIMENTATIONS DCOUPAGE

Page 5-10

I sat =

Bsat Ac ( c + ) n

5.35

On peu donc voir que Isat a t augment grce l'entrefer.

5.2 MODLE DU TRANSFORMATEUR


5.2.1 Gnralits Considrons le transformateur de la Figure 5-12.

i1(t) u1(t)

i2(t)

n1 spires

n2 spires

u2(t)

noyau

Figure 5-12 : Transformateur deux bobinages

Le noyau magntique une section transversale Ac, une longueur moyenne des lignes de champ lm et une permabilit .
Rc

Fc

n1i1

n2i2

Figure 5-13 : Modle du transformateur

Comme le montre la Figure 5-13 le circuit quivalent du transformateur, la rluctance du noyau magntique vaut Les FMM sont sommes car les courants i1 et i2 passent la surface de la fentre dans le mme sens. La Figure 5-13 conduit la relation
= n1 i1 + n2 i2
5.36

SYSTMES LECTRONIQUES I, 1RE PARTIE

CHAPITRE 5 : TRANSFORMATEURS POUR ALIMENTATIONS DCOUPAGE

Page 5-11

5.2.2

Transformateur idal Dans un transformateur idal, la rluctance du noyau magntique est proche de zro. La FMM, Fc = est donc nulle en premire approximation
0 = n1 i1 + n 2 i2
5.37

Par la loi de Faraday, on a

d dt d u 2 (t ) = n 2 dt u1 (t ) = n1
Il est noter que le flux est identique pour les deux bobinages, l'limination du flux conduit

5.38

d u1 (t ) u 2 (t ) = = dt n1 n2
En rsum, on a les deux relations principales d'un transformateur idal

5.39

u1 (t ) u2 (t ) = n1 n2

et

n1 i1 + n2 i2 = 0

5.40

Le transformateur idal peut tre illustr par la Figure 5-14 et la relation 5.40
i1

n1 : n2

i2

u1

u2

Idal
Figure 5-14 : Transformateur idal

5.2.3

Modlisation du transformateur idal Le transformateur idal peut tre reprsent par un modle (utile pour la simulation) dont la structure est celle de la figure suivante

SYSTMES LECTRONIQUES I, 1RE PARTIE

CHAPITRE 5 : TRANSFORMATEURS POUR ALIMENTATIONS DCOUPAGE

Page 5-12

Source de tension contrle en tension

n i1 = 2 i2 n1

n1:n2

n i2 = 1 i1 n2

i1

i2

V
u1 = n1 u2 n2
n u 2 = 2 u1 n1

u1

n2 i2 n1

n2 u1 n1

u2

Source de courant contrle en courant

Figure 5-15 : Transformateur idal : modle de simulation

5.2.4

Transformateur avec inductance magntisante Dans le cas rel, la rluctance du noyau magntique est non nulle. On peut crire les relations
(t ) = n1 i1 (t ) + n2 i2 (t ) et u1 (t ) = n1 d (t ) dt
5.41

Llimination du flux conduit


u1 (t ) = n12 d n i1 (t ) + 2 i2 (t ) dt n1
5.42

Cette quation est de la forme


u1 (t ) = Lh dih (t ) dt
5.43

o
2 n1 Lh = R

n ih = i1 + 2 i2 n1

5.44

sont l'inductance magntisante et le courant magntisant rapports au primaire du transformateur. Le circuit quivalent est illustr la Figure 5-16.

SYSTMES LECTRONIQUES I, 1RE PARTIE

CHAPITRE 5 : TRANSFORMATEURS POUR ALIMENTATIONS DCOUPAGE

Page 5-13

i1

n2 i n1 2 i1+ n2 i2 n1

n1 : n2

i2

u1

Lh =

n12 R

u2

Idal
Figure 5-16 : Modle du transformateur avec inductance magntisante

L'existence du courant magntisant entrane un rapport des courants primaire et secondaire diffrent du rapport du nombre de spires. La saturation du transformateur apparat lorsque le champ d'induction magntique B(t) excde le niveau de saturation Bsat dfini pour le noyau donn. Dans ce cas le courant magntisant ih (t) augmente car l'impdance de l'inductance magntisante diminue. Les bobinages du transformateur deviennent des courts-circuits. Il convient de noter qu'une grande augmentation des courants i1(t) et i2(t) n'entrane pas ncessairement l'apparition d'une saturation. La saturation d'un transformateur est plutt une fonction du produit volt-secondes appliqu aux bobinages. En effet le courant magntisant est donn par

ih (t ) =

1 u1 (t ) dt Lh

5.45

ou encore, en terme de champ d'induction

B(t ) =

1 u1 (t ) dt n1 Ac

5.46

Le champ d'induction et le courant magntisant deviennent suffisamment grands pour saturer le noyau magntique lorsque l'intgrale volt-secondes 1 devient trop grande.

1 = u1 (t ) dt
t1

t2

5.47

Pour un niveau de saturation donn, le champ d'induction devrait diminuer en accroissant le nombre de spires, ou la section transversale du noyau magntique. Ajouter un entrefer n'a aucun effet sur la saturation puisqu'il ny a pas modification de la relation 5.46. Un entrefer rendra simplement le transformateur moins idal car l'inductance de magntisation Lh va dcrotre, entranant un accroissement du courant magntisant ih(t) sans changement de B(t). Le mcanisme de saturation d'un transformateur diffre de celui d'une inductance car pour le transformateur la saturation est dtermine par la forme de la tension applique aux bobinages plutt que le courant comme c'est le cas pour une inductance. SYSTMES LECTRONIQUES I, 1RE PARTIE

CHAPITRE 5 : TRANSFORMATEURS POUR ALIMENTATIONS DCOUPAGE

Page 5-14

5.2.4.1

Inductances de fuites

En pratique la totalit du flux coupl a chaque bobinage ne passe pas entirement au travers des autres bobinages. Chaque bobinage est donc entour de flux de fuite conduisant une inductance de fuite, laquelle est en srie avec le bobinage. La Figure 5-17 illustre ce comportement.
i1(t) u1(t) 1 i2(t)

u2(t)

Figure 5-17 : Transformateur avec flux de fuite et couplage partiel

La Figure 5-18 montre le modle lectrique quivalent du transformateur intgrant les inductances de fuite L1 et L2. Ces inductances de fuites font que le rapport u1 (t)/u2(t) diffre du rapport du nombre de spires entre les deux bobinages n1/n2. Reste ajouter les rsistances des bobinages primaire R1 et secondaire R2.
i1 R1 L1 n2 i n1 2

n1 : n2

L2

R2

i2

u1

Lh =

n1 L n2 12 i1+ n2 i2 n1

u2

Idal
Figure 5-18 : Modle du transformateur avec inductance magntisante et inductances de fuites (1)

Ou aprs transformation, c'est dire en ramenant l'inductance de fuite L2 et la rsistance de bobinage R2 du secondaire au primaire, on obtient le schma quivalent de la Figure 5-19. avec :

n1 R = R2 n 2
' 2

n1 L'2 = L2 n 2

5.48

SYSTMES LECTRONIQUES I, 1RE PARTIE

CHAPITRE 5 : TRANSFORMATEURS POUR ALIMENTATIONS DCOUPAGE

Page 5-15

i1

R1

L1

n2 i n1 2

L'2

R'2

n1 : n2

i2

u1

Lh =

n1 L n2 12 i1+ n2 i2 n1

u2

Idal
Figure 5-19 : Modle du transformateur avec inductance magntisante et inductance de fuite (2)

Les lments L12 = L21 sont appels inductances mutuelles et sont donnes par la relation

L12 = L21 =

n1 n2 n2 = Lh n1

5.49

Les lments L11 et L22 sont appels inductances propres du primaire respectivement du secondaire et obissent la relation
L11 = L1 + L22 = L2 n1 L12 n2

n + 2 L12 n1

5.50

Ces relations ne donnent pas explicitement le rapport de transformation n1/n2. Le rapport de transformation effectif est donn par la relation
ne = L22 L11
5.51

et le coefficient de couplage par

k=

L12 L11 L22

5.52

Le coefficient de couplage k se trouve dans l'intervalle 0 k 1 et reprsente le degr de couplage magntique entre le primaire et le secondaire du transformateur. Dans un transformateur couplage parfait, les inductances de fuite L1 et L2 sont nulles, le coefficient de couplage k est gal 1. La construction de transformateurs basse tension ayant un coefficient de couplage k jusqu' 0.99 sont parfaitement ralisables. Lorsque le coefficient de couplage est proche de 1, le rapport de transformation effectif ne est approximativement gal au rapport du nombre de spires n1/n2.

SYSTMES LECTRONIQUES I, 1RE PARTIE

CHAPITRE 5 : TRANSFORMATEURS POUR ALIMENTATIONS DCOUPAGE

Page 5-16

5.3 PERTES DANS LES CIRCUITS MAGNTIQUES


5.3.1 Gnralits L'apport d'nergie est ncessaire pour effectuer une modification de la magntisation d'un noyau magntique. La totalit de cette nergie n'est pas convertie en nergie lectrique, une fraction de cette dernire constitue des pertes par effet joule. La puissance correspondant une partie de cette nergie est dissipe dans le parcours du cycle d'hystrse de la caractristique B-H. Considrons une inductance constitue de n spires parcourues par un courant prsentant une priodicit de frquence f. L'nergie transitant dans le noyau magntique sur un cycle est

W=

u(t ) i(t ) dt
Un cycle

5.53

En utilisant les caractristiques B-H du noyau magntique et ne substituant B(t) u(t) et H(t) i(t), on peut crire W= dB(t ) H (t ) l m dt n Ac dt n Un cycle

= ( Ac l m )

H dB
Un cycle

5.54

Le terme Aclm reprsente le volume du noyau magntique, alors que l'intgrale n'est rien d'autre que la surface du cycle d'hystrse parcouru.

( Energie perdue par cycle) = ( volume du noyau magntique) ( surface du cycle B H )

5.55

Les pertes par hystrse B-H sont gales l'nergie perdue par cycle multiplie par la frquence de parcours du cycle

PH = ( f ) ( Ac l m )

H dB
Un cycle

5.56

SYSTMES LECTRONIQUES I, 1RE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS A DECOUPAGE A TRANSFORMATEUR

Page 6-1

Alimentations dcoupage transformateur


6.1 CONVERTISSEUR STOCKAGE INDUCTIF AVEC ISOLATION GALVANIQUE
6.1.1 6.1.1.1 Montage FLYBACK Gnralits

6.

Le montage Flyback est bas sur celui du hacheur stockage inductif (Buck-Boost converter ou stepdown/up converter), comme lillustre la Figure 6.1
D

Q U L C R

(a)
D

Q U L 1:1 C R

(b)
D

Q U Lh 1:1 C R

(c)

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS A DECOUPAGE A TRANSFORMATEUR

Page 6-2

D n1 : n2

(d)
Figure 6.1 : Drivation du hacheur Flyback

La fonction de base de linductance est inchange et la mise en parallle des bobinages (Figure 6.1 (b)) est quivalente un bobinage unique. A la Figure 6.1 (c), la connexion entre les deux bobinages est rompue. Un des bobinages est utilis lorsque le transistor Q conduit tandis que le second est actif lorsque la diode D est conductrice. Le courant totalis est inchang entre les Figure 6.1 (b) et (c), cependant le courant est distribu de manire diffrente. Le courant magntisant dans le matriau magntique est en tout point identique dans les deux cas. La Figure 6.1 (d) est fonctionnellement identique la Figure 6.1 (c). Pour des raisons de simplification pratique, le transistor Q est plac de manire pouvoir utiliser le retour de lalimentation comme rfrence. De plus, pour facilit la comprhension, le bobinage secondaire est retourn ainsi que la polarit de la diode. Pour lanalyse de ce montage, on utilisera le modle dfini dans la section prcdente, illustr la Figure 6.2.
i=i1 ih u1

n1 : n2
n2 n1 i2

D1
i2 iD iC u2 uC iR

Lh

U Transformateur

Q1

Figure 6.2 : Montage Flyback avec modle du transformateur rel

Lorsque le transistor Q1 conduit, lnergie dlivre par la source est stocke dans linductance magntisante Lh. Lorsque la diode conduit, lnergie stocke est transfre la charge avec une tension et un courant dont le niveau est dfini par le rapport de transformation n1/n2.

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS A DECOUPAGE A TRANSFORMATEUR

Page 6-3

6.1.2 6.1.2.1

Conduction continue Relations gnrales en conduction continue 0 t < te=DTP Q conduit, D ouvert
i=i1 ih u1 Lh n1 : n2
n2 n1 i2

DTP =te t < Tp Q ouvert, D conduit


i=i1 iC iR u1 ih Lh n1 : n2
n2 n1 i2

i2

D : OFF iD

i2

D : ON

iD iC iR

u2

uC

u2

uC

U
Transformateur

U
Transformateur

Q : ON

Q : OFF

Hypothse : uc=UC uc=0, londulation de la tension aux bornes du condensateur est nulle Tension aux bornes de linductance magntisante

[t e ] 1

=U

[t e ] Lh

[te ] ih = U = Lh te

[t d ] 1

=U

[t d ] Lh

[t d ] n1 ih = U C = Lh n2 td

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS A DECOUPAGE A TRANSFORMATEUR

Page 6-4

Courant moyen dans le condensateur


[ te ] [ te ] IC = I R = I R
[td ] IC =

n1 [td ] Ih IR n2

Courant moyen fournit par lalimentation (courant moyen dans le transistor Q)

I = Ih
Courant moyen dans la diode
[ te ] ID =0

I =0

[td ] ID =

n1 Ih n2

Valeurs moyennes pondres

1-D

[te ] [t d ] D U Lh + (1 D) U Lh = D (U ) + (1 D) (

n1 UC ) = 0 n2
n1 Ih ) = 0 n2

UC = IR =

n2 D U n1 1 D

[ te ] [td ] D IC + (1 D ) I C = D ( I R ) + (1 D ) ( I R +

n1 (1 D) I h n2

I = D I [te ] + (1 D) I [td ] = D I h
[ te ] [ td ] ID = D ID + (1 D) I D = (1 D) I L

I = D Ih
ID = n1 (1 D ) I h n2

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS A DECOUPAGE A TRANSFORMATEUR 6.1.2.2 Ondulation de courant dans le domaine de la conduction continue 0 t < te=DTP Q conduit, D ouvert
i=i1 ih u1 Lh i1 U
Transformateur

Page 6-5

DTP =te t < Tp Q ouvert, D conduit


i=i1 iC iR u1 ih Lh n1 : n2
n2 n1 i2

n1 : n2
n2 n1 i 2

i2

D : OFF iD

i2

D : ON

iD iC iR

u2

uC

u2

uC

U
Transformateur

Q : ON

Q : OFF

Ondulation de courant aux bornes de linductance


[te ] ih =

U U te = t e Lh Lh
U Lh = 0
[ te ] [td ] ih = ih = ih

[te ] Lh

[t d ] ih =

[t d ] U Lh n U td = 1 C t d Lh n2 Lh

ih = ih MAX ih MIN =

U Tp Lh

D =

n1 U C T p (1 D) n2 L

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE TRANSFORMATEUR

Page 6-1

La Figure 6.3 montre les divers courants et tensions apparaissant dans le montage Flyback en conduction continue.
u1(t) U t -n1 n2 UC ih(t) ihMAX ihMIN t iQ(t) ihMAX ihMIN iD(t) n1 i n2 hMAX n1 i n2 hMIN t uQ(t) n U+ n1 uC 2

t uD(t) t n uC- n2 U 1

uC(t) uCMAX uCMIN

t
Figure 6.3 : Conduction continue

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE TRANSFORMATEUR

Page 6-2

Pour des raisons de choix de transistor, il est galement important de connatre la tension maximum aux bornes de ce dernier. On peut dire que durant lintervalle te t < Tp uQ = U + n1 U UC = n2 1 D
6.1

6.1.3

Limite de la conduction continue Les rsultats peuvent tre obtenus par similitude avec le cas du hacheur stockage inductif. Notons quil existe un fonctionnement en rgime dauto-oscillation. Dans ce mode, le transistor est ouvert lorsque le courant magntisant du transformateur atteint une valeur dtermine. La prochaine fermeture du transistor aura lieu lorsque le courant dans la diode sera nul. Ce mode prsente deux avantages et deux inconvnients. La mise en conduction du transistor et le blocage de la diode se font courant nul. Cela rduit les pertes de commutation du transistor et les perturbations induites par la charge de recouvrement de la diode. Les valeurs du flux et, par-l, du courant magntisant sont rduites. Lnergie stocke dans linductance de magntisation est moins importante, ce qui permet la rduction de la taille du transformateur. Londulation du courant magntisant est plus forte, ce qui augmente le facteur de dimensionnement du transformateur Le fonctionnement frquence variable rend plus difficile le filtrage

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE TRANSFORMATEUR

Page 6-3

6.1.4

Fonctionnement en conduction intermittente Dans ce cas galement, il existe une similitude avec le hacheur stockage inductif
u1(t) U t -n1U n2 C ih(t) ihMAX t iQ(t)

ihMAX iD(t)

n1 n2 ihMAX uQ(t) n U+ n1 uC 2 U

t uD(t) t n uC- n2 U 1 uC uC(t) uCMAX uCMIN

Figure 6.4 : Conduction intermittente

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE TRANSFORMATEUR

Page 6-4

6.1.5

Considration sur le transfert dnergie Le montage Flyback travaille selon deux phases distinctes. La premire correspond un stockage dnergie sous forme de champs magntique dans le transformateur, le secondaire de ce dernier tant ouvert. La seconde correspond une restitution de cette nergie au secondaire du transformateur. Deux modes opratoires sont clairement identifiables. Transfert complet dnergie (mode de conduction intermittent), mode dans lequel lnergie stocke lors de la fermeture du transistor est compltement restitue (aux pertes prs) au secondaire lors de la phase douverture du transistor. Transfert partiel dnergie (mode de conduction continue), mode dans lequel seule une partie de lnergie stocke dans le transformateur est restitue au secondaire

6.1.5.1

Phase de stockage de lnergie

Lorsque le transistor Q est ferm, le primaire du transformateur est aliment par la source de tension U. La diode D place la sortie du secondaire est en polarisation inverse et par consquent aucun courant ne circule dans le bobinage secondaire. Durant cette phase de stockage, seul le bobinage primaire est actif et le transformateur peut tre trait comme une simple inductance. Le temps denclenchement du transistor tant beaucoup plus petit que la constante de temps lectrique du bobinage primaire, on peut admettre une croissance linaire duc courant dans ce dernier. Le champ dinduction magntique B va donc crotre de Br (Induction rmanente) Bmax (correspondant au courant maximum dans le bobinage primaire). La Figure 6.5 illustre cette phase

ih

te B Bsat Bmax

Br H
Figure 6.5 : Phase de stockage dnergie

6.1.5.2

Phase de transfert de lnergie

Lorsque le transistor est ouvert, le courant dans le bobinage primaire du transformateur est nul. Le courant magntisant circule maintenant dans secondaire du transformateur, la diode place sur la SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE TRANSFORMATEUR

Page 6-5

sortie tant conductrice. Le niveau de ce courant dpend du rapport de transformation alors que son sens est celui dfini par la loi de Lenz. Durant la phase Flyback , le courant magntisant va dcrotre jusqu la quil atteigne zro dans le cas du transfert complet dnergie ou jusquau moment de la fermeture du transistor dans le cas dun transfert dnergie partielle. La Figure 6.6 illustre cette phase
ih

td B Bsat Bmax

Br H
Figure 6.6 : Phase de transfert dnergie

6.1.5.3

Transfert complet dnergie

Pour un mode de transfert complet dnergie, le courant magntisant sannule, lors de la phase de transfert, avant la fermeture du transistor (origine de la priode de commutation suivante). Le champ dinduction magntique B passe de sa valeur maximum Bmax sa valeur rmanente Br (valeur correspondant un courant magntisant nul). 6.1.5.4 Transfert partiel dnergie

En rgime permanent (U = cte et UC = cte), la croissance et la dcroissance du courant magntisant ne peuvent pas varier. Par contre, lors dune phase transitoire correspondant par exemple un accroissement du courant de charge, le temps denclenchement du transistor Q1 augmente et par voie de consquence, le temps de transfert dnergie diminue. Le courant magntisant ne sannule plus la fin dune priode de pulsation. Le mode de conduction est continu et lors du retour en rgime permanent, lnergie transfre de lentre vers la sortie est augmente. Il est important de ne pas faire une confusion sur le terme de transfert partiel dnergie. En mode de conduction continue, lnergie fournie par la source est transfre aux pertes prs la sortie. Par contre, le courant magntisant ntant jamais nul on peut dire quune nergie magntique subsiste dans le transformateur. La valeur de cette nergie rsiduelle est identique chaque fin de priode de pulsation. Elle sera restitue lors du passage du mode de conduction continue au mode de conduction intermittent, par exemple lors dune diminution du courant de charge.

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE TRANSFORMATEUR

Page 6-6

6.1.5.5

Capacit de transmission dnergie dun transformateur

Le courant magntisant dun montage Flyback est unipolaire. Le transformateur travaille donc dans le quadrant I uniquement. On peut montrer que pour un mme transformateur, il est possible daugmenter le transfert dnergie. La Figure 6.7 montre quen ajoutant un entrefer, il est possible pour un transformateur de transmettre plus de puissance en conduction continue (transfert partiel dnergie) que ce mme transformateur sans entrefer le ferait en conduction discontinue (transfert complet dnergie).
B Bmax1 Energie transfere Energie dissipe dans le noyau magntique Bmin2 Br H
Figure 6.7 : Influence dun entrefer sur le transfert dnergie

B Bmax2

6.1.6

Dimensionnement du transformateur dun montage Flyback Dans ce paragraphe, nous allons utiliser une approche itrative pratique pour le dimensionnement du transformateur utilis dans un montage Flyback. Les points principaux sont la slection du noyau magntique (taille et matriau), dimensionnement de linductance de champ principal, de lentrefer, le nombre de spires au primaire.

6.1.6.1

Paramtre du noyau et effet de lentrefer

La Figure 6.8 montre lallure typique du cycle dhystrse B/H pour un noyau en ferrite, sans et avec entrefer. Il faut noter que la permabilit (pente) du cycle dhystrse varie avec la longueur de lentrefer. Par contre le niveau de saturation du champ dinduction magntique Bsat reste le mme. Le niveau du champ magntique H est beaucoup plus lev et le champ dinduction magntique rmanent est beaucoup plus petit dans le cas dun entrefer non nul. Ladjonction dun entrefer est donc largement profitable dans le cas dun transformateur pour montage Flyback, lequel travaille uniquement dans le premier quadrant de la caractristique B/H.

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE TRANSFORMATEUR

Page 6-7

BDC

AC

BAC

BDC

Cycle d'hysterese du noyau magntique sans entrefer

Cycle d'hysterese du noyau magntique avec entrefer

HDC1

HDC1 AC

Figure 6.8 : Caractristiques magntiques typiques dun transformateur utilis dans un montage Flyback

6.1.6.2

Effet dun entrefer sur les conditions AC

La Figure 6.9 montre clairement que laugmentation de lentrefer entrane une diminution de la pente de la caractristique B/H mais ne change pas la valeur crte-crte du champ dinduction magntique BAC. En effet BAC est proportionnel au produit de la tension applique au primaire par le temps denclenchement du transistor, et par consquent BAC est dfini par les conditions AC extrieures, et non pas par la taille de lentrefer. Par contre cette augmentation de lentrefer provoque une augmentation de la valeur crte-crte du champ magntique HAC. Ceci correspond une diminution effective de la permabilit du circuit magntique et par consquent une diminution de linductance de champ principal.. On peut donc dire que les conditions AC appliques agissent sur laxe vertical des caractristiques B/H, provoquant une modification du champ magntique HAC. Dans ce cas H doit tre considr comme une variable dpendante. Une erreur classique est de croire quun circuit magntique satur, suite un nombre de spires primaire insuffisant ou un produit Ute excessif, peut tre corrig par ladjonction dun entrefer. Ceci est faux car lentrefer ne modifie pas le niveau du champ dinduction magntique de saturation Bsat. Par contre lintroduction dun entrefer rduit la valeur du champ dinduction magntique rmanent Br et par consquent permet daugmenter la plage de travail de BAC, ce qui peut tre intressant dans le cas de la conduction intermittente. SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE TRANSFORMATEUR 6.1.6.3 Effet dun entrefer sur les conditions DC

Page 6-8

Un courant continu dans le bobinage (conduction continue) produit un champ magntique HDC proportionnel. Pour un courant de charge donn, HDC est parfaitement dfini. On voit donc que pour les conditions DC, BDC doit tre considre comme une variable dpendante. La Figure 6.8 montre que ladjonction dun entrefer permet au circuit magntique de supporter un champ magntique HDC beaucoup plus important sans apparition de saturation. Par consquent, un entrefer est trs efficace pour prvenir la saturation du circuit magntique lorsque quil y a une composante de courant DC (amlioration de la plage de conduction continue). 6.1.6.4 Conclusions

Le produit de la tension applique au primaire par le temps denclenchement du transistor Q1 et la section du circuit magntique Ae dfinissent la valeur AC crte-crte du champ dinduction magntique BAC. Le courant continu (charge), le nombre de spires et la longueur quivalente du circuit magntique dfinissent la valeur du champ magntique HDC. Ou en dautres mots, un nombre de spires et une section du circuit magntique suffisante doivent tre assurs pour supporter les conditions AC alors quun entrefer suffisant permet dviter la saturation du circuit magntique en accord avec les conditions DC.

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE TRANSFORMATEUR

Page 6-9

6.2 CONVERTISSEUR DE TYPE SRIE AVEC ISOLATION GALVANIQUE


6.2.1 Montage FORWARD Le montage Forward est driv du montage Buck. La continuit du courant de sortie, comme pour tous les montages drivs du montage Buck, fait que le convertisseur Forward est trs bien adapt aux applications demandant de fort courant de sortie.
i n1 : n2 : n3 iD2
D2 L

i iC iR

u1
U

u3

D3

uD3 uC

D1

Figure 6.9 : Montage Forward

6.2.2

Etude du fonctionnement La Figure 6.10 illustre le montage Forward avec le modle quivalent du transformateur
i ih u1 U
Lh

n1 : n2 : n3 i1

D2

iD2

iL iC iR
R C

u3 i2 i3

D3

uD3 uC

D1

Figure 6.10 : Montage Forward avec modle du transformateur rel

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE TRANSFORMATEUR

Page 6-10

6.2.2.1

Intervalle de conduction du transistor

Durant le premier intervalle de la priode de pulsation Tp, le transistor Q1 est conducteur. La diode D2 est polarise dans le sens passant alors que les diodes D1 et D3 sont bloques. La tension U de la source est applique aux bornes du bobinage primaire du transformateur et le courant magntisant ih crot linairement pour atteindre un maximum la fin du temps denclenchement

ihMAX = ih (t e ) =

U Tp U te = D Lh Lh

6.2

la tension aux bornes de D3 vaut uD3 = n3 U n1


6.3

i ih u1 Lh U

n1 : n2 : n3

i1

iD2 D2 : ON

i iC iR
R C

u3 i2
D1 : OFF

D3 : OFF

uD3

uC

i3

Q : ON

Figure 6.11 : Montage Forward avec Q1 et D2 conducteurs

6.2.2.2

Extinction du courant magntisant

Le second intervalle commence lorsque le transistor Q1 est dclench. La Figure 6.12 illustre les parties actives dans cet intervalle. Le courant magntisant ih(t) est positif et doit continuer de circuler. Puisque le transistor Q1 est ouvert, le circuit quivalent montre que le courant magntisant ih en conjonction avec le sens des bobinages primaire et auxiliaire entrane la polarisation de la diode D1 dans le sens direct et par consquent la circulation dun courant dans le bobinage auxiliaire. Le courant dans le bobinage auxiliaire vaut

i2 (t ) =

n1 ih ( t ) n2

6.4

La tension aux bornes du bobinage auxiliaire est gale

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE TRANSFORMATEUR

Page 6-11

u 2 (t ) = U 2 = U

6.5

et par consquent, la tension aux bornes de linductance magntisante, rfre au primaire du transformateur est exprime par la relation

u1 (t ) =

n1 n u 2 (t ) = 1 U n2 n2

6.6

Cette tension ngative aux bornes de linductance magntisante entrane une dcroissance de courant magntisant dont la drive vaut

n U d ih (t ) = 1 dt n2 Lh
La tension aux bornes du bobinage connect au circuit de sortie est galement ngative

6.7

u 3 (t ) =

n3 n u 2 (t ) = 3 U n2 n2

6.8

puisque la diode D2 est bloque, cest la diode D3 qui assure la continuit du courant dans linductance L.
i ih u1 Lh U u3
D3 : ON

n1 : n2 : n3 i1

D2 : OFF

iL iC iR
R C

uD3 uC

i3
n1 i2 = n ih 2
Q : OFF D1 : ON

Figure 6.12 : Montage Forward avec D1 et D3 conducteurs

6.2.2.3

Intervalle courant magntisant nul

Lorsque le courant magntisant sannule, la diode D1 se trouve en polarisation inverse. Les semiconducteurs Q1, D1 et D2 se trouve dans ltat bloqu. Le courant magntisant reste nul jusqu la fin de la priode de pulsation. En appliquant le principe que la valeur moyenne de la tension aux bornes de linductance magntisante est nulle en rgime permanent, on peut affirmer que la tension moyenne aux bornes du primaire du transformateur (cest dire aux bornes de linductance magntisante) est nulle

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE TRANSFORMATEUR

Page 6-12

U 1 = D U + D2 (

n1 U ) + D3 (0) = 0 n2

6.9

Avec D, rapport cyclique denclenchement, D1, temps dextinction du courant rapport la priode de pulsation Tp et D3 temps pendant lequel le courant magntisant est nul, rapport la priode de pulsation Tp. De la relation 6.9 on en dduit le rapport cyclique dextinction du courant D2

D2 =

n2 D n1

6.10

Le courant magntisant doit imprativement est nul avant le prochain enclenchement du transistor. En effet, afin dviter la saturation du circuit magntique du transformateur, linductance de champ principal Lh, en conjonction avec la diode D1, doit travailler dans en mode de conduction discontinu. Par consquent, le rapport cyclique D3 ne peut pas tre ngatif. Sachant que

D3 = 1 D D2 0
on peut crire

6.11

D3 = 1 D (1 +

n2 )0 n1

6.12

et donc la condition sur le rapport cyclique denclenchement de Q1 devient

1 n 1+ 2 n1

6.13

Linductance de sortie L relation avec la diode D3 peut fonctionner en mode continu ou discontinu.
i ih u1
U Lh

n1 : n2 : n3 i1
D2 : OFF L

iL iC iR
R C

u3 i2 i3

D3 : ON

uD3 uC

Q : OFF

D1 : OFF

Figure 6.13 : Montage Forward avec Q1, D1, D2, D3 bloqus

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE TRANSFORMATEUR 6.2.2.4 Allures temporelles des tensions et courants

Page 6-13

La Figure 6.14 illustre les allures des principales grandeurs lectriques du montage FORWARD. Les grandeurs de sortie, cest--dire les courants dans la charge IR, dans le condensateur ic, dans linductance iL ainsi que les tensions correspondantes se calculent de la mme manire que pour le montage BUCK.
u1
U

t
n1 n2 U

ih

U Lh

n1 U n2 L h

t uD3
n3 n1 U

DTp Tp

D2Tp

D3Tp

Figure 6.14 : Montage Forward : allures des grandeurs lectriques principales

6.2.2.5

Rapport de transformation global

Pour obtenir la tension de sortie du montage Forward, il suffit dappliquer le principe de la tension moyenne nulle aux bornes de linductance L du filtre de sortie en rgime permanent

u D3 = U C = U 3 D =

n3 D U n1

6.14

Cette relation est valable pour le mode de conduction continue. 6.2.2.6 Facteur dimensionnant du transistor Q1

La relation 6.14 montre que le rapport cyclique D maximum pourrait tre augment en diminuant le rapport du nombre de spires n2/n1. En effet dans ce cas la dcroissance du courant magntisant durant la phase dextinction se trouve augmente. Malheureusement, une diminution de n1/n2 entrane une augmentation de la tension aux bornes du transistor Q1. La tension maximum applique aux bornes du transistor durant lintervalle dextinction du courant magntisant est exprime par la relation SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE TRANSFORMATEUR

Page 6-14

uQ1 = U (1 +

n1 ), n2

6.15

ce qui corrobore laffirmation qui prcde.

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE TRANSFORMATEUR

Page 6-15

6.3 CONVERTISSEUR DE TYPE SYMTRIQUE AVEC ISOLATION GALVANIQUE


6.3.1 Montage PUSH-PULL (pont complet) Comme pour le montage Forward, le montage Push-Pull est driv du montage Buck. Ce type de convertisseur est particulirement bien adapt pour les basses tensions de sortie avec forts courants. Le bobinage secondaire avec point milieu peut tre vu comme deux bobinages spars et donc tre trait comme un transformateur trois bobinages dont le rapport du nombre de spires est dfini comme n1:n2:n2.

Q1

D1 Q3

D3 i

n1:n2:n2

D5

iD5 us

iL iC uC iR

u2 U u1 u2 D6 iD6

Q2

D2 Q4

D4

Figure 6.15 : Montage Push-Pull

6.3.2

Etude de fonctionnement Lorsque le transformateur est remplac par son modle quivalent rel, on obtient le schma illustr la Figure 6.16.

Q1

D1 Q3

D3 i

i1 n1:n2:n'2 i2 ih

D5

iD5 us

iL iC uC iR

u2 u'2
Idal

u1 Lh i'2 D6 iD6

Q2

D2 Q4

D4 Transformateur

Figure 6.16 : Montage Push-Pull avec modle du transformateur rel

Lallure des grandeurs lectriques principales sont montres la Figure 6.17.

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE TRANSFORMATEUR

Page 6-16

ih(t)

u1(t)
U

iL(t)
iL I

t us(t)
n2 n1 U

t iD5(t)
i(t) 0.5 i(t)

t iD6(t)
i(t) 0.5 i(t)

t
DTP TP Q1 Q4 D5 D5 D6 Q2 Q3 D6 D5 D6

Figure 6.17 : Montage Push-Pull : allures des grandeurs lectriques principales

La sortie du convertisseur est similaire un montage Buck si lon compare la tension us(t) et i(t) uD(t) et iL(t). SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE TRANSFORMATEUR

Page 6-17

Durant le premier intervalle 0 t < DTp, Q1 et Q4 sont conducteurs et la tension U se trouve aux bornes du primaire du transformateur, soit
u1 (t ) = U
6.16

Le courant magntisant ih va donc crotre selon la relation

ih ( t ) =

U t Lh

6.17

La tension apparaissant au secondaire entre le point milieu et chaque sortie vaut

u 2 (t ) =

n n2 u1 (t ) = 2 U n1 n1

6.18

ceci avec le signe dfini par les points de polarit. La diode D5 est donc conductrice, alors que D6, polarise dans le sens inverse, est bloque. La tension de sortie vaut donc

uC ( t ) = u 2 ( t ) =

n2 U . n1

6.19

Le courant i circulant dans linductance du filtre de sortie passe par D5. Plusieurs scnarios sont possibles pour le second intervalle DTp t < Tp. Dans la plupart des cas, les quatre transistors sont ouverts fixant la tension aux bornes de linductance magntisante Lh
u1 ( t ) = 0 .
6.20

Durant ce second intervalle, le courant dans les diodes D5 et D6 est fonction du courant circulant dans linductance L du filtre de sortie et su courant magntisant ih. Dans le cas idal (sans courant magntisant), les courants iD5 et iD6 sont gaux (i1(t)=0). Ils assurent la continuit du courant dans linductance L

iD 5 (t ) + iD 6 (t ) = iL (t )

6.21

En pratique, les courants circulant dans les diodes D5 et D6 sont lgrement diffrents si lon tient compte du courant magntisant. La partie idale du transformateur obit la loi

n1 i1 (t ) n2 iD 5 (t ) + n2 iD 6 (t ) = 0
La somme des courants au nud dentre du transformateur vaut

6.22

i(t ) = ih (t ) + i1 (t )
En liminant i1(t) des deux quations prcdentes, on obtient

6.23

n1 i (t ) n2 iD 5 (t ) + n2 iD 6 (t ) = n1 ih (t )

6.24

Cette relation dcrit, dans le cas gnral, la liaison entre les courants circulant de part et dautre du transformateur durant le second intervalle. La rpartition du courant magntisant dans les trois SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE TRANSFORMATEUR

Page 6-18

bobinages du transformateur dpend des caractristiques i,v des transistors conducteurs et des diodes. Dans le cas ou i(t)=0, on peut crire en admettant que les caractristiques des diodes D5 et D6 sont identiques
iD 5 (t ) =
1 1 n iL (t ) 1 ih (t ) 2 2 n2

1 1 n iD 6 (t ) = iL (t ) + 1 ih (t ) 2 2 n2

6.25

Dans un cas de charge nominal, le courant dans la charge et par consquent dans linductance L du filtre de sortie est beaucoup plus grand que le courant magntisant. La prochaine priode de pulsation Tp est similaire la prcdente, exception faite que la tension applique au primaire du transformateur est de polarit oppose. En effet durant lintervalle Tp t < (Tp+DTp), ce sont les transistors Q2 et Q3 et la diode D6 qui sont conducteurs. La tension applique au primaire vaut u1(t) = -U, laquelle provoque une dcroissance du courant magntisant ih selon la pente U/Lh. Les diodes D5 et D6 redeviennent les deux conductrices durant lintervalle (Tp+DTp) t < 2Tp. La frquence de londulation de courant dans linductance est gale fp alors que celle du courant magntisant est de fp, rduisant du mme coup les pertes fer du transformateur. En appliquant le principe de la tension moyenne nulle aux bornes de linductance magntisante du transformateur en rgime permanent, on peut crire

(U {U Q1 + U Q4 }) (D T p ) (U {U Q2 + U Q3 }) (D T p ) = 0 .

6.26

En pratique, les asymtries du pont (dispersion des caractristiques des composants) font quil est difficile voir impossible dassurer une tension moyenne nulle aux bornes du transformateur. Il y a donc risque de voir le courant magntisant moyen augmenter et donc provoquer la saturation du noyau magntique du transformateur. Un moyen dviter ce phnomne est dajouter un condensateur en srie avec le primaire du transformateur. Puisquen rgime permanent, le courant moyen aux bornes du condensateur est nul, nous avons la certitude que dernier aura ces bornes la tension rsultante des asymtries du pont.. Il existe une topologie de demi-pont o une branche du pont du montage push-pull est remplace par deux condensateurs. Le montage Push-Pull est en principe utilis pour des puissances suprieures 750W. Pour des puissances infrieures on lui prfre des montages moins gourmands en composants.

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE TRANSFORMATEUR

Page 6-19

6.4 VALUATION ET DIMENSIONNEMENT DES CONVERTISSEURS DC-DC


6.4.1 Gnralits Il nexiste pas de choix dfinitif et absolu de topologie de convertisseurs DC-DC qui conviennent toutes les applications. Pour chaque application et ses spcifications propres, une tude comparative devrait tre effectue avant le choix dune topologie. Plusieurs solutions dont le rsultat est conforme aux spcifications doivent tre considres, pour chaque approche, il est important de dfinir des critres tels que la tension maximum apparaissant aux bornes du transistor, le courant efficace, la taille du transformateur, etc Ce type de comparaison quantitatif peut conduire la slection de la meilleure topologie en vitant lavis subjectif du concepteur. 6.4.2 Stress et taux dutilisation des semiconducteurs (transistor) Ce sont souvent les semiconducteurs qui reprsentent le cot le plus lev des convertisseurs DC-DC. De plus, les pertes associes la conduction et la commutation des semiconducteurs sont dominantes. Ces affirmations suggrent donc une valuation du niveau de stress impos aux semiconducteurs. La minimisation du stress de ces derniers conduit une rduction de la surface totale de silicium lors de la ralisation. Il est dusage de comparer la somme totale du stress impos chaque semiconducteur. Dans un bon design, les tensions et courants ddicacs chaque semicondcteur doivent tre minimiss, alors que la puissance est maximise. Si un convertisseur DC-DC contient k semiconducteurs, le stress global S peut tre dfini par
S = U j ( peak ) I j ( rms )
j =1 k

6.27

o Uj(peak) est la pointe de tension applique aux bornes du semiconducteur et Ij(rms) le courant efficace qui le traverse. Si la puissance consomme par la charge est vaut Pcharge, le taux dutilisation du composant est dfini comme

TC =

Pch arg e S

6.28

Le taux dutilisation TC est plus petit que 1 dans les convertisseurs DC-DC et sa valeur doit tre maximise. 6.4.2.1 Pointe de tension sur les transistors pour les montages tudis

Les pointes de tension rencontres pour chaque montage avec isolation galvanique sont rappeles cidessous. 6.4.2.1.1 Montage Flyback

uQ1( peak ) = U +

n1 D U = UC = U +U 1 D 1 D n2

6.29

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE TRANSFORMATEUR

Page 6-20

6.4.2.1.2

Montage Forward

uQ1( peak ) = U (1 +

n1 ) n2

6.30

6.4.2.1.3

Montage Push-Pull

uQ1,2,3,4 ( peak ) = U
6.4.2.2 Courant efficace sur les transistors pour les montages tudis

6.31

Pour la dtermination des courants efficaces on peut ngliger londulation de courant dans les inductances. En effet on peut montrer que pour un courant continu avec ondulation superpose croissance et dcroissance linaire
i(t)
I i

t
DTp Tp

Figure 6.18 : Courant continu avec ondulation superpose

I ( rms ) = I 1 +

1 i 12 I

6.32

pour un courant puls avec croissance linaire du courant

i(t)
I

t
DTp Tp
Figure 6.19 : Courant puls avec ondulation superpose

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE TRANSFORMATEUR

Page 6-21

I ( rms )

= I D 1+

1 i 12 I

6.33

Le tableau comparatif ci-dessous permet destimer lerreur faite lorsque lon saffranchit de londulation superpose Ondulation de courant Courant continu avec ondulation Courant puls rapporte au courant I i = 0 I I D I i = 0.2 I 1.00167 I 1.00167 D I i = 0.5 I 1.01036 I 1.01036 D I i = 1 I 1.04083 I 1.04083 D I i = 2 I 1.15470 I 1.15470 D I 6.4.2.2.1 Montage Flyback
Tp DT p

I Q ( rms )

1 1 = iQ 2 dt = Tp 0 Tp 1 Tp
=
DT p

(iQ (t ))
0 2

dt
6.34

n2 1 I R dt n 1 D 1

n2 D IR n1 1 D

6.4.2.2.2

Montage Forward
Tp DT p

I Q ( rms )

1 1 = iQ 2 dt = Tp 0 Tp 1 Tp =
DT p 2

(iQ (t ))
0

dt
6.35

n3 n IR dt 1

n3 D IR n1

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE TRANSFORMATEUR

Page 6-22

6.4.2.2.3

Montage Push-Pull
2T p DT p

I Q1,2,3,4 ( rms )

1 = 2 Tp
DT p

iQ
0

1 dt = 2 Tp
2

(iQ (t ) )
0

dt
6.36

1 2 Tp =

n2 I R n dt 1

n2 D IR 2 n1

6.4.2.3 6.4.2.3.1

Taux dutilisation des transistors pour les montages tudis Montage Flyback

Le stress global sexprime par la relation

S=

U D U n2 D IR = C IR = 1 D n1 1 D D 1 D

PLOAD D (1 D )

6.37

et par consquent le taux dutilisation peut tre dfini comme


TC = PLOAD = D (1 D ) S
6.38

6.4.2.3.2

Montage Forward

Le stress global sexprime par la relation


S = U (1 + U n 2 n3 n ) D I R = C (1 + 2 ) D I R n1 n1 D n3

n 1 = (1 + 2 ) PLOAD n1 D

6.39

et par consquent le taux dutilisation peut tre dfini comme

TC =

PLOAD = S

1 D n2 1+ n1

6.40

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 6 : ALIMENTATIONS DCOUPAGE TRANSFORMATEUR

Page 6-23

6.4.2.3.3

Montage Push-Pull

Le stress global sexprime par la relation

S =U

U P n2 D D IR = C I R = LOAD n1 D 2 2 2 D

6.41

et par consquent le taux dutilisation peut tre dfini comme


TC = PLOAD = 2D S
6.42

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES LMENTS DUNE ALIMENTATION DCOUPAGE

Page 7-1

Dimensionnement des lments des alimentations dcoupage


7.1 INTRODUCTION
Les alimentations dcoupage sont essentiellement constitues, en dehors des interrupteurs statiques, de composants magntiques fonctionnant en haute frquence et de condensateurs. Le choix et le bon dimensionnement de ces composants est un lment essentiel lors de lavant projet dune alimentation dcoupage.

7.

7.2 LES CONDENSATEURS


7.2.1 Principe de fonctionnement Deux conducteurs spars par un isolant constituent un condensateur.
dielectrique (r)

anode

cathode S

Figure 7-1 : Structure du condensateur

La valeur de ce condensateur, ou sa capacit, s'exprime de faon gnrale par :

C = r 0

S d =r0 S d

7.1

avec :

: permittivit dilectrique ou constante dilectrique 0=8.8510-8 [As/Vm] : surface des armatures : paisseur de lisolant (distance entre les plaques)

La valeur de capacit tant directement proportionnelle r, il est de premire importance de rechercher des isolants forte constante dilectrique.

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES LMENTS DUNE ALIMENTATION DCOUPAGE

Page 7-2

7.2.2

Paramtres caractristiques dun dilectrique Les principaux paramtres dun dilectrique sont les suivants :

la permittivit relative du dilectrique: r = 0 , la rigidit dilectrique (k) La rigidit dilectrique ainsi que l'paisseur de l'isolant vont limiter la tension maximale d'utilisation: Umax= k d. Ce paramtre est directement li au niveau d'humidit du milieu o fonctionne le composant. L'nergie maximale stocke dans un dilectrique ne dpend que des caractristiques du volume du dilectrique.
1 1 2 Wmax = CU max = r 0 S d k2 { 2 2 Volume

7.2

les pertes dilectriques : elles sont reprsentatives des pertes dans le dilectrique lors de son utilisation en rgime alternatif, la rsistance d'isolement : le dilectrique n'a pas une rsistance statique infinie (impuret, humidit...). De plus l'enveloppe du composant influe sur ce paramtre. la stabilit du dilectrique vis--vis : de la temprature : elle dpend de la nature du dilectrique, de l'humidit : elle dpend de la nature du dilectrique, du temps : les proprits du dilectrique varient dans le temps.
7.2.3 Modle quivalent Les remarques prcdentes nous amnent modliser le condensateur de la faon suivante :

C est la valeur du condensateur idal, LESL est l'inductance des armatures et des connections. Elle est lie la technologie de fabrication, RESR est la rsistance des armatures et connections. Elle rend compte galement des pertes dilectriques, Risol est la rsistance reprsentant les dfauts d'isolement. Elle dpend de la technologie de fabrication.

L ESL

R ESR

Risol
Figure 7-2 : Schma quivalent du condensateur

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES LMENTS DUNE ALIMENTATION DCOUPAGE

Page 7-3

LESL RESR + s 2 LESL C + s R C ESR + R +1 R 1 isol isol = Z = sLESL + RESR + 1 1 sC + sC + Risol Risol s 2 LESLC + sRESR C + 1 sC

7.3

Il est alors possible de tracer la caractristique de limpdance en fonction de la frquence, o

f0 =

1 2 LC

7.4

Z
C RESR LESL

RESR @-25C RESR @+25C

Fr

F [kHz]

Figure 7-3 : Rponse harmonique dun condensateur

7.2.4

Les principales technologies Elles dpendent de la nature du dilectrique utilis.

Figure 7-4 : Plage de capacit en fonction de la technologie

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES LMENTS DUNE ALIMENTATION DCOUPAGE 7.2.4.1 Dilectriques plastiques.

Page 7-4

Les armatures sont constitues par deux feuilles d'tain ou d'aluminium dont l'paisseur (de 5 40 ) est dtermine en fonction du courant traversant. Les dilectriques composites associent des films de nature diffrente dont les caractristiques spcifiques se compltent. Les condensateurs films possdent d'excellentes proprits lectriques notamment une bonne tenue en tension et en frquence. 7.2.4.1.1 Condensateurs films mtalliss

Les armatures sont constitues par une couche trs fine ( 0.02 ) de zinc ou d'aluminium dpose par vaporation sous vide sur le dilectrique film synthtique ou papier (1,5 25 ). L'autocicatrisation est une proprit essentielle de ces condensateurs. Lorsqu'un amorage se produit entre les armatures d un dfaut du dilectrique, l'arc lectrique vaporise localement la mtallisation en formant un oxyde mtallique isolant. Le condensateur ainsi rgnr redevient oprationnel. La qualit des films plastiques permet de les utiliser en faible paisseur ( e = 2 m 20m). Il est possible d'obtenir des rsistances d'isolement trs leves et constantes dans la gamme d'utilisation de temprature. De plus les pertes dilectriques frquence leve sont faibles. Il existe quatre types de films plastiques :

polystyrne, polyester (mtallis ou non), polycarbonate (mtallis ou non), polypropylne (mtallis ou non). Facteur de Vol. dissipation factor [%] @ 25C/1kHz 0.83 0.47 0.30 0.45 0.1 0.25 0.05 0.1 RI [M/F]@25 C 50000 25000 100000 100000 200000 200000 Tmax Proprits typiques [C] 150 125 125 125 105 105 Haute temprature Petite taille Haute rsistance disolation Haute stabilit Apte pour le haute frquence Haute rsistance disolation Faibles pertes Haute stabilit Apte pour le haute frquence Haute rsistance disolation Haute rsistance disolation Faible variation de la capacit en fonction de la temprature

Dilectrique Polyester Polyester mtallis

Polycarbonate 3.3 Polycarbonate 0.47 mtallis Polypropylne 4 Polypropylne 0.67 mtallis

Polystyrne

4.7

0.025

2500000

85

Tableau 7-1 : Proprits principales des dilectriques plastiques

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES LMENTS DUNE ALIMENTATION DCOUPAGE

Page 7-5

7.2.4.2

Condensateurs dilectrique chimique.

Les deux armatures en aluminium pur 99,99 % du condensateur sont places dans une solution lectrolytique. Lorsqu'on applique une tension, une couche d'alumine isolant de trs faible paisseur se forme (e = 0,01 m), d'o la possibilit de fortes capacits. Le condensateur est polaris, les lectrodes ne jouant pas le mme rle dans l'lectrolyse (Anode, Cathode). Il existe deux types d'lectrolytes. 7.2.4.2.1 Electrolyte Aluminium

Les constructeurs lheure actuelle conoivent deux grandes familles de condensateurs, les condensateurs dits classiques et ceux dits faible rsistance srie. Ces derniers sont notamment utiliss en lectronique de puissance de par leur meilleure tenue en frquences et leurs pertes joules beaucoup plus faibles. 7.2.4.2.2 Electrolyte Tantale

Le mtal de base est une poudre de Tantale de trs fine granulomtrie. Les anodes sont obtenues par compression dans des moules dont la forme la plus usuelle est cylindrique. Le corps poreux ainsi ralis prsent une grande surface par unit de volume. Ces condensateurs ont pour particularit principale une bonne tenue en frquence. 7.2.5 Les condensateurs dans les alimentations dcoupage. Les condensateurs que nous rencontrons dans les alimentations dcoupage remplissent deux rles distincts : ils servent de rservoir dnergie lors des variations de commande ou de charge, et ils servent galement de condensateur de dcouplage ou de filtrage vis vis du fonctionnement haute frquence de lalimentation. Cest pourquoi certains constructeurs ont dvelopp une gamme de condensateurs spcifiques pour les alimentations dcoupage et autres systmes dlectronique de puissance. Ce sont les condensateurs chimiques dits faible rsistance srie, qui prsentent des valeurs de capacit importantes, tout en ayant une excellente tenue en frquence. Si toutefois les performances de ces condensateurs se trouvaient insuffisantes, il est possible dassocier deux condensateurs de technologies diffrentes, par exemple un condensateur aluminium en parallle avec un condensateur polypropylne.

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES LMENTS DUNE ALIMENTATION DCOUPAGE

Page 7-6

7.3 LES MATERIAUX MAGNETIQUES


7.3.1 Les matriaux Les matriaux utiliss en lectrotechnique et en lectronique de puissance sont principalement :

l'air, rserv au domaine des trs hautes frquences et des faibles puissances, les tles de fer magntique lamines et assembles pour constituer des circuits magntiques, utiliss aux frquences dites industrielles (16.66, 50, 60 et 400 Hz), les ferrites : Cramiques magntiques, moules selon la forme dsire du circuit magntique, utilises en lectronique de puissance haute frquence.
7.3.2 7.3.2.1 Grandeurs caractristiques des matriaux magntiques La caractristique magntique (BH)

Un matriau magntique est dfini par sa caractristique B=f(H) dinduction magntique en fonction du champ magntique], sa courbe de 1re aimantation, ses diffrents cycles d'hystrsis (en fonction de la frquence). La caractristique typique dun matriau est la suivante :
B [T] Bsat Br A
Zone de fonctionnement satur B [T]

H c 0

+H c H [A/m]

H [A/m] Zone de fonctionnement satur

Br
B

sat

Zone de fonctionnement non satur

Figure 7-5 : Caractristique BH

avec :

Br HC OA

: induction rmanente : champ coercitif : courbe de premire aimantation

Cette caractristique est frquemment idalise. On spare la zone de fonctionnement dite non sature de la zone de fonctionnement sature. Dans la zone de fonctionnement non sature, on dfinit alors la permabilit relative du matriau r tel que :

B = r 0 H

7.5

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES LMENTS DUNE ALIMENTATION DCOUPAGE 7.3.2.2 Les pertes magntiques

Page 7-7

Un matriau ferromagntique soumis un champ magntique variable est source de pertes ayant deux origines :

Les pertes par courant de Foucault Le matriau est soumis un champ magntique variable, il apparat alors dans ce matriau des tensions induites, donc des courants induits, et donc des pertes joules. Ces pertes sont proportionnelles :

Pf =

(Bmax S f )2

7.6

avec :

Bmax S f

: induction maximale : section du circuit magntique : frquence de fonctionnement : rsistivit du matriau

Pertes hystrtiques. Elles sont dues l'nergie mise en jeu pour parcourir le cycle d'hystrsis. Leur expression est donne par PH = VACH f
avec : V ACH f : volume de circuit magntique : surface du cycle dhystrsis du matriau : frquence de fonctionnement
7.7

7.3.3

Les matriaux magntiques et les corps de bobines Les alimentations dcoupage fonctionnant des frquences leves, il est impossible dutiliser des tles pour la ralisation des composants magntiques, les pertes devenant trop importantes. Les fabricants utilisent donc des ferrites, mieux adaptes au fonctionnement haute frquence. Ce sont des cramiques magntiques haute rsistivit (de 102 108 cm), donc prsentant des pertes par courant Foucault particulirement faible, et haute permabilit (de 2000 10000 environ). Leur fabrication par moulage permet de raliser toutes formes de gomtrie, permettant de raliser une grande varit de circuits magntiques. L'induction de saturation des ferrites est de l'ordre de 0.4T 0.5 T. On les emploie gnralement hors saturation et lon retient Bmax = 0.3 T. Les enroulements sont bobins sur des corps mouls dont les tailles sont directement en relation avec les circuits magntiques

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES LMENTS DUNE ALIMENTATION DCOUPAGE

Page 7-8

Figure 7-6 : Elment de base pour la cration dune inductance ou dun transformateur

7.3.3.1

Paramtres dimensionnels pour les enroulements

Si le courant traversant les enroulements constituants des inductances ou des transformateurs haute frquence est alternatif, le courant a tendance circuler la priphrie du conducteur, dans une zone caractrise par son paisseur, appele paisseur de peau. Une valeur couramment admise pour lpaisseur de peau est donne par :
ep =

0 f

7.8

Pour un fil de cuivre e p 70

f [mm ] , si lon souhaite utiliser de faon correcte le conducteur, il ne

faut pas que son rayon excde lpaisseur de peau. On peut alors calculer pour diffrentes frquences lintensit maximale admissible dans un fil, en effet la section du fil tant donn par

S fil = r 2 =
Ce qui signifie que

I RMS J

7.9

I RMS [ MAX ] = J e 2 p

7.10

J reprsente la densit de courant (gnralement fixe autour de 5 A/mm) F [kHz] 5 10 20 50 100 ep [mm] 1.0 0.7 0.5 0.3 0.22 IRMS[MAX] [A] 15 7.5 4 1.5 0.8

Tableau 7-2 : Relation entre frquence, paisseur de peau et courants efficaces

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES LMENTS DUNE ALIMENTATION DCOUPAGE

Page 7-9

Si le courant efficace circulant dans le bobinage est suprieur ces valeurs limites, il est ncessaire de prvoir lutilisation de fils diviss (ou fils de litz, fils multi brins dont chaque brin est isol), de fils mplats ou encore de feuillard. Chaque enroulement occupe une partie de la surface totale de la fentre.
Emplacement de lenroulement 1 1S w Emplacement de S 2 w lenroulement 2 e tc .
Figure 7-7 : Enroulement et remplissage

{
{

Surface totale de la fentre Sw

Il existe donc une contrainte sur ces surfaces

j =1

=1

0<j <1

7.11

Il est impossible de remplir totalement la fentre, notamment lorsque le nombre de spires est peu lev. On dfinit un coefficient dit de bobinage ou de remplissage (Kbj) pour chaque enroulement j

K bj =

S cuj S wj
Sw Swj j nj IjRMS Jj SCuj

S cuj

nj =

I j RMS Jj
7.12

j Sw

j Sw

avec :

: surface de la fentre pour lensemble des enroulements, : surface de la fentre de lenroulement j, : coefficient de contrainte sur la surface de lenroulement j, : nombre de spires du lenroulement j (il peut y en avoir plusieurs dans le cas de transformateur ou dinductances couples), : courant efficace de lenroulement j considr, : densit de courant dans lenroulement j, : section du fil de lenroulement j.

Le facteur de remplissage Kbj est dpendant de plusieurs paramtres. On citera notamment :

Pour des conducteurs ronds, le coefficient de remplissage Kbj varie entre 0.7 et 0.55. La valeur dpend de la technique de bobinage utilise. Lpaisseur de lisolant autour du conducteur provoque une diminution de Kbj de 65% 95% selon le diamtre et le type disolant.
Le corps de la bobine supporte les enroulements. Les dimensions donnes permettant de dfinir la section de la fentre (Sw) et par consquent la surface totale prvue pour lensemble des enroulements.

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES LMENTS DUNE ALIMENTATION DCOUPAGE

Page 7-10

9.25 max. 4.5 1.2 3.2 min.

7.9 max. 6.5

12.7 6.35 max. min.

7.6

CBW006

SW Surface de bobinage (mm 2) 15.4

Largeur de bobinage (mm) 6.5

lm Longueur moyenne dune spi re (mm) 32.0

Figure 7-8 : Caractristique du corps de bobine

7.3.3.2

Paramtres dimensionnels pour le circuit magntique

Un circuit magntique quelconque est dfini partir des grandeurs suivantes : Sw Sf B H N : surface prvue pour loger les enroulements, : sections du circuit magntique, : champ dinduction magntique, : champ dexcitation magntique, : paisseur de lentrefer dans le cas dune inductance, : nombre de spires.

Sw

Sf1=S

S f2

Sf3

Figure 7-9 : Rponse ne frquence dun condensateur

La gomtrie du circuit magntique est ralise de manire avoir une amplitude du champ dinduction B constante dans tout le matriau. Les grandeurs quivalentes donnes par les fabricants sont les suivantes : Ae : surface quivalente du circuit magntique, le : longueur quivalente du circuit magntique, Ve : volume quivalent du circuit magntique, SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES LMENTS DUNE ALIMENTATION DCOUPAGE

Page 7-11

: permabilit quivalente du circuit magntique.

La reluctance quivalente du circuit magntique est donne par la relation

e =

le 0 e Ae

7.13

Plus formellement, pour un circuit magntique non uniforme

e =

1 1

0 e

A
0 n 2 j
1

7.14

Linductance propre un enroulement j est alors tre dtermine selon la relation

Lj =

n2 j e

7.15

La surface quivalente est utilise pour dterminer le flux dans le circuit magntique provoqu par un courant ij circulant dans lenroulement j.

Bj =

j
Ae

j
n j Ae

L ji j nj

0 n j
l e A Ae

ij =

0 e n j
le

ij

7.16

Le dernier terme de la relation 7.16 ne reprsente rien dautre que la loi dAmpre

n j i = H j le =

Bj

0 e

le

7.17

Si la section du circuit magntique est non uniforme il faut dfinir lendroit ou la section est minimum. Cette section est dfinie comme Amin et est utilise pour le calcul du champ dinduction magntique maximum Bmax et par consquent pour sassurer que la saturation nest pas atteinte. Cest aussi aux endroits o la section est minimum que les pertes par hystrsis sont maximums. Pour rendre le calcul de linductance encore plus simple, les fabricants donnent un facteur d'inductance du circuit magntique AL

AL =

0
l A e 1

106 [nH ]

7.18

Linductance est donc dfinie comme


Lj = n2 j AL [ nH ]
7.19

On peut montrer que lessentiel de lnergie est stocke dans lentrefer. Par dfinition, lexpression de lnergie lectromagntique volumique stocke dans un volume V est donne par la relation : SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES LMENTS DUNE ALIMENTATION DCOUPAGE

Page 7-12

Wmag = BHV

7.20

Les fabricants de ferrite ralisent, sauf cas spciaux, leurs circuits magntiques de telle sorte que le champ dinduction soit constant dans tout le circuit. On peut alors en dduire lnergie stocke dans la ferrite et lnergie stocke dans lentrefer :

dans la ferrite : W f mag = BHV f = dans lentrefer : W mag = BHV = 1 B2 V 2 0


7.22

1 B2 1 B2 V f Vf = 2 r 0 2 0 r

7.21

Lnergie magntique totale sexprime donc par la relation suivante :


Wmag = W f mag + W mag = 1 B2 1 B2 V f V + = 2 Ve 2 0 0 e r
7.23

En pratique Vf/r<<V, ce qui signifie que la majorit de lnergie magntique se trouve dans lentrefer. Les caractristiques des circuits magntiques sont donnes par les fabricants. Un exemple est illustr la Figure 7-10. La permabilit quivalente est dfinie en fonction de lentrefer sur la partie centrale du circuit magntique.
Symbole (I/A) Ve Ie Ae Amin m Paramtre Facteur gomtrique Volume quivalent Longueur quivalente Surface quivalente Surface minimum Masse dun demi circuit AL (nH) 63 5% 100 8% 160 8% 250 20% 315 20% 1950 25% Valeur 1.37 559 27.7 20.2 20.2 1.4 Entrefer (m) 560 310 175 100 75 0
6.4 0.13

Unit mm-1 mm 3 mm mm 2 mm 2 g
12.7 0.25 9.5 0.25 3.2 0.13 4.1 0.13

5.7 0.13

e 70 110 175 275 340 2130

Figure 7-10 : Caractristiques du circuit magntique

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES LMENTS DUNE ALIMENTATION DCOUPAGE

Page 7-13

7.3.4 7.3.4.1

Dimensionnement dune inductance Energie maximale stockable dans un circuit magntique

Par dfinition, lnergie magntique, pour un systme linaire, est dfinie comme

Wmag MAX =

1 2 1 1 L I MAX = MAX IiMAX = NMAX I MAX 2 2 2

7.24

En se reportant la Figure 7-9, on peut dterminer le flux dans lentrefer

MAX = BMAX S f

7.25

Le courant dans lenroulement est fonction de la surface totale de cuivre KbSw, du nombre N de spires de lenroulement et de la densit de courant J
I MAX = 1 Kf { Kb Sw J N

Facteur de forme I K f = RMS I MAX

7.26

Par consquent
1 2 1 1 LI MAX = B MAX K b S f S w J 2 2 Kf

W mag MAX =

7.27

Le terme SfSw est reprsentatif du volume du circuit magntique.

S f Sw =

Kf BMAX K b J

2 LI MAX =

I RMS LI MAX BMAX K b J

7.28

Pour tre sr de choisir le bon circuit magntique, il suffit de slectionner un pot dans le produit SfSw est lgrement suprieur celui ncessaire. 7.3.4.2 Procdure de recherche dun circuit magntique

Pour le dimensionnement dun circuit magntique, les grandeurs spcifies sont les suivantes :

IMAX L J Kb BMAX

[m] [A] [H] [A/m2] [1] [T]

: : : : : :

rsistivit du conducteur, courant maximum dans lenroulement, inductance, densit de courant, coefficient de remplissage pour lenroulement, champ dinduction de saturation.

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES LMENTS DUNE ALIMENTATION DCOUPAGE Nombre de spires de lenroulement
N= SCu J K b S w = S fil I RMS

Page 7-14

7.29

Section du circuit magntique (relation 7.28)


Ae = S f = I RMS 1 L I MAX = L I MAX { BMAX K b S w J K b S w J = NI RMS N BMAX
7.30

Permabilit quivalente du circuit magntique e, L doit tre donn en [nH], l en [mm] et A en [mm2]

e =

L 106 l 2 N 0 A

7.31

La rsistance de lenroulement est donne par la relation suivante :

J Nl J Nlm = R= m = I SCu I RMS RMS


7.3.5 7.3.5.1

J = K S l b w m I RMS

VCu

7.32

Dimensionnement dun transformateur Alimentation Forward ou Push-pull

Pour un transformateur, la contrainte premire est directement lie la tension aux bornes de lenroulement primaire et au temps pendant lequel la tension est applique. Cette intgrale donne la variation totale de flux dans le circuit magntique (de la valeur minimum la valeur maximum). Le champ dinduction magntique variera de Bmax +Bmax ou de 0 Bmax. Plus gnralement on crit Bmax.

1 = I h1max Lh1 = u1 (t )dt = Bmax n1 Ae


t1

t2

7.33

Les grandeurs connues lors du dimensionnement du transformateur sont : U1 BMAX UjRMS IjRMS Pj 1 [V] [T] [V] [A] [W] [Vs] : : : : : : tension aux bornes de lenroulement primaire variation maximum du champ dinduction magntique tension efficace aux bornes de chaque enroulement courant efficace dans chaque enroulement Puissance moyenne de chaque secondaire Produit tension temps appliqu lenroulement primaire

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES LMENTS DUNE ALIMENTATION DCOUPAGE

Page 7-15

v1(t)

t2

1 = v1 (t ) dt
t1

t1

t2

Figure 7-11 : Intgrale de la tension pour la slection ou le dimensionnement dun transformateur

De la relation 7.33 on en dduit la section quivalente du fer

Ae =

1
n1Bmax

7.34

Les nombres de spires des autres enroulements sont donns par les niveaux des tensions secondaires

U U1 U 2 U 3 = = = ... = k n1 n2 n3 nk

7.35

La section du fils de chaque enroulement dpend du courant efficace et de la densit de courant. En supposant que la densit de courant est la mme pour chaque enroulement (J=Jj), on peut crire

S Cuj =

I j RMS J

7.36

La section totale du cuivre, prend donc la forme suivante :

SCu = n j SCuj =
j =1 j =1

n j I j RMS J

n1 U1 RMS

j =1

U j RMS I j RMS J

n1 U1RMS

J
j =1

Pj

7.37

Connaissant la surface totale de cuivre, il est possible de dterminer, laide du coefficient de remplissage, la surface de la fentre pour lensemble des enroulements. En supposant un coefficient de remplissage identique pour tous les enroulements

SW = K b SCu = K b

n1 U 1 RMS

J
j =1

Pj

7.38

Le choix dun circuit magntique et le corps de bobine adapt est obtenu par le produit des surfaces de la fentre SW et du fer Sf.

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES LMENTS DUNE ALIMENTATION DCOUPAGE

Page 7-16

S f SW = Ae SW = K b

1
U1 RMS Bmax

J
j =1

Pj

7.39

Une fois le circuit magntique slectionn, On peut dterminer le nombre de spires de lenroulement primaire n1 puis le nombre de spires n2, n3, de chaque secondaires.

n1 =

1
Bmax Ae

7.40

Linductance magntisante au primaire L1h est directement dpendante du nombre de spires de lenroulement et de
Lj = n2 j AL [ nH ]
7.41

Pour une alimentation Flyback, le circuit magntique slectionn prsente un entrefer dans lequel est stock la majeure partie de lnergie magntique. Linductance est donc la plus petite possible (voir relation 7.24). Pour lalimentation Forward, le transfert dnergie est direct. Dans ce cas il faut minimiser lnergie magntique en supprimant tout entrefer et par consquent en choisissant linductance magntisante maximale. La rpartition des surfaces de cuivre pour chaque enroulement est dfinie par

m =

nm I m RMS

n I
j =1 j

U m RMS I m RMS

j RMS

U
j =1

j RMS

I j RMS

Pm Ptot

7.42

et finalement, la rsistance de lenroulement j est donne par la relation suivante :


Rj = n j le j S Cuj = J n j lej I j RMS J = Ij RMS K b j S w lej = J Ij RMS
2

jVCu

7.43

7.3.5.2

Alimentation Flyback

La Figure 7-12 illustre le cas dune alimentation flyback gnrale. Lenroulement primaire (indice 1) est connect une source de tension et un transistor permettant la mise sous tension de lenroulement. Les enroulements secondaires (indices 2 k) permettent la cration de tensions continues (DC) spares galvaniquement les une des autres. Lenroulement (indice 0) sert dorgane de mesure des tensions de sorties.

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES LMENTS DUNE ALIMENTATION DCOUPAGE

Page 7-17

ID2
GND(PWR) V2 (P2)

(mesure 0mW) V0

ID3
Vm V3 (P3)

I1
(P1) V1

IDk
(Pk)

GND(PWR)

Vk

GND(PWR)

Figure 7-12 : Alimentation flyback

Pour une alimentation flyback, deux modes de fonctionnement existent. En transfert total dnergie (mode intermittent) il y a extinction du courant magntisant chaque priode de commutation. Dans ce cas le calcul est identique celui des alimentations Forward et Push-pull. Par contre en transfert dnergie partiel (conduction continue) le courant magntisant ih(t) ne sannule pas. On se trouve dans une situation identique celle du calcul dune inductance. La Figure 7-13 donne la forme du courant au primaire et le courant magntisant lors du transfert partiel dnergie.
Q : ON = i1 (t ) N ih (t ) = nk Q OFF = : ik (t ) k = 2 n1

7.44

n
k =2

nk
1

ik (t )

Courant (magntisant) au primaire (Q : ON)

Courant magntisant (Q=OFF)

Figure 7-13 : Courant magntisant dans le transformateur

En gnral, les paramtres dentre dune alimentation flyback sont les suivants : V1MAX V1NOM V1MIN Vk [V] [V] [V] [V] : : : : tension continue minimum au primaire tension continue nominale au primaire tension continue maximum au primaire tension continue nominale sur chaque secondaire

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES LMENTS DUNE ALIMENTATION DCOUPAGE Pk J Kb BDC BAC F [W] [%] [A/m2] [1] [T] [T] [Hz] : : : : : : :

Page 7-18

puissance maximum sur chaque secondaire rendement du transformateur densit de courant dans les conducteurs primaires et secondaires coefficient de remplissage pour les enroulements, champ dinduction continu (valeur moyenne) champ dinduction alternatif (valeur moyenne nulle) Frquence de commutation

La fonction de conversion en transfert partiel dnergie (conduction continue) est donne par la relation ci-dessous :

Vk nk D = V1 n1 1 D

7.45

o k reprsente le kme enroulement secondaire. Le courant moyen au primaire lorsque le transistor est enclench (Q : ON) dpend du rapport cyclique.

I1 = DI h

7.46

Les courants dans les enroulements secondaires ne circulent que lorsque le transistor est dclench (Q : OFF).

n I
k =1 1

nk

Dk

= Ih

7.47

ou encore

I Dk =

1 1 Pk Ik = 1 D 1 D Vk

7.48

Les courants efficaces circulant dans les k enroulements peuvent tre calculs en fonction des paramtres dentre de lalimentation flyback.
Pk I1 P 1 I h 1 k =2 D 1+ I h D = D D V D = V D 12 Ih 1 1
2 N

I RMS 1 = I h

7.49

Pour les enroulements secondaires


I RMS Dk = I Dk
1 I k 1 D 1+ 12 I Dk

Ik Pk I Dk 1 D = 1 D 1 D = V 1 D k

7.50

Le champ dinduction magntique dans le matriau magntique peut tre dcompos en deux parties, soit une grandeur continue BDC et une partie alternative (valeur moyenne nulle) BAC.

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES LMENTS DUNE ALIMENTATION DCOUPAGE

Page 7-19

Figure 7-14 : Champ dinduction magntique dans le transformateur

t + DT p

BAC =

v (t )dt
1 t

n1 Ae

V1DTP V DT n1 = 1 P n1 Ae BAC Ae

7.51

La partie AC du champ dinduction magntique va permettre de dfinir le nombre de spires au primaire. En effet BAC, pour un matriau magntique en ferrite, est gnralement compris entre 50mT et 100mT.

n1 =

Vin DTP BAC Ae

7.52

La partie DC du champ dinduction magntique va permettre de dfinir, pour un circuit magntique donn, la valeur de lentrefer donn sous la forme dune permabilit quivalente e. Pour de la ferrite, la valeur usuelle du champ dinduction magntique DC est de lordre de 200mT.
BDC =

e
le

n1I h =

e
le

nk I Dk =
k =1

e
le

n
k =1

1 Pk 1 D Vk

7.53

On a donc pour e

e =

BDC le = n1I h

BDC l 1 Pk e nk 1 D Vk k =1
N

7.54

La surface totale de cuivre (primaire + secondaire) est donne par la relation


N Pk N n1 k = 2 nk Pk = + J V1 D k = 2 n1 Vk 1 D

SCu = SCu k = n1
k =1

I I RMS 1 N + nk RMS Dk J J k =2

7.55

Le nombre de spires au primaire nest pas connu. En utilisant la relation 7.52

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES LMENTS DUNE ALIMENTATION DCOUPAGE

Page 7-20

SCu

N Pk N V1DTP k = 2 nk Pk = + JBAC Ae V1 D k = 2 n1 Vk 1 D

7.56

La surface de la fentre ncessaire pour les enroulements est proportionnelle la surface active totale de cuivre et inversement proportionnelle au facteur de remplissage. On peur donc crire

Aw =

SCu Kb

7.57

et finalement on peut dterminer le produit AwAe


N Pk N V1DTP k =2 nk Pk = TP + Aw Ae = K b JBAC V1 D k = 2 n1 Vk 1 D K b JBAC D D 1 D

P
k =2 k

7.58

En fixant lamplitude AC du champ dinduction magntique BAC, de la relation 7.58 il est possible dextraire le produit AwAe. Enfin, le produit AwAe permet de dterminer le type de circuit magntique. Une fois le type de circuit magntique choisi et par consquent Ae et le connu, le nombre de spires n1 au primaire peut tre dtermin laide de la relation 7.52. Il est dfinir la permabilit quivalente, en dautre terme la valeur de lentrefer partir de la relation 7.54. Lensemble des autres paramtres dimensionnels sont ensuite faciles calculer.

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES LMENTS DUNE ALIMENTATION DCOUPAGE

Page 7-21

7.4 LES SEMICONDUCTEURS DE PUISSANCE


Les alimentations dcoupage sont constitues, pour la partie puissance, de un ou plusieurs semiconducteurs. Les uns sont commands (transistors) les autres sont ouverture spontane (diode) 7.4.1 7.4.1.1 Les MOFSET Grandeurs nominales de slection.

Dans le but de facilit la slection d'un composant, trois paramtres et une brve description du composant sont mises en vidence.

Figure 7-15 : Description gnrale

7.4.1.2

Tension Drain-Source : UDS.

La valeur UDS@TJmax est donne pour une tension UGS nulle (court-circuit). Cette valeur est indicative car cette tension diminue fortement avec la temprature de jonction TJ. 7.4.1.3 Rsistance Drain-Source l'tat passant: RDSON.

RDSON est une valeur typique, les conditions de mesure ne sont pas donnes 7.4.1.4 Courant de Drain en DC : ID.

Le courant de Drain ID est galement une indication. En principe cette valeur est donne pour une temprature de botier de TC=25C. 7.4.1.5 Rfrence sur les caractristiques des MOSFET

Pour plus de renseignement sur les caractristiques des diodes de puissance voir cours dlectronique de puissances : chapitre 7 : LE MOSFET http://www.iai.heig-vd.ch/cours.php?cours=ep Chapitre 7 - Les semiconducteurs de puissance, le MOSFET.pdf

SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE

CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES LMENTS DUNE ALIMENTATION DCOUPAGE

Page 7-22

7.4.2 7.4.2.1

Les IGBT Grandeurs nominales et caractristiques importantes de slection.

Dans le but de facilit la slection d'un composant, trois paramtres et une brve description du composant sont mises en vidence.

Figure 7-16 : Description gnrale de l'IGBT

7.4.2.2

Tension Collecteur-Emetteur : VCE.

La valeur VCE@TJmax est donne pour une tension VGE nulle (court-circuit). Contrairement au MOSFET, la tension de claquage est peut dpendante de la temprature de jonction TJ. 7.4.2.3 Courant de Collecteur en DC : IC.

Le courant de Collecteur IC est galement une indication. Cette valeur est donne pour une temprature de jonction TJ=150C, soit la temprature maximum de travail. 7.4.2.4 Tension Collecteur-Emetteur en conduction VCE(sat).

Par la nature mme de l'IGBT, cette tension VCE(sat) est fortement dpendante du courant de Collecteur. Sa dpendance en fonction de la temprature est faible. 7.4.2.5 Rfrence sur les caractristiques des IGBT

Pour plus de renseignement sur les caractristiques des diodes de puissance voir cours dlectronique de puissances : chapitre 8 : LIGBT http://www.iai.heig-vd.ch/cours.php?cours=ep Chapitre 8 - Les semiconducteurs de puissance, l'IGBT.pdf

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CHAPITRE 7 : DIMENSIONNEMENT DES LMENTS DUNE ALIMENTATION DCOUPAGE

Page 7-23

7.4.3

Les diodes A partir de la topologie de lalimentation, il est relativement simple de dterminer les courants moyens, efficaces et maximum circulant dans les diodes. Il en est de mme pour les tensions aux bornes de chacune des diodes. Les diodes doivent commuts trs rapidement, il faut donc les choisir dans la catgorie ultrafast . La charge de recouvrement doit tre aussi faible que possible.

7.4.3.1

Grandeurs nominales et caractristiques importantes de slection.

Dans le but de facilit la slection d'un composant, les paramtres principaux et une brve description du composant sont mises en vidence.

Figure 7-17 : Description gnrale de la diode

Ces donnes sont insuffisantes pour la slection dfinitive d'un composant. La description s'apparente plus du marketing qu' de la technique, nanmoins il est possible avec un peu d'habitude de dfinir quelle catgorie appartient le composant et d'en faire une rapide comparaison avec les autres fabricants. 7.4.3.2 Courant moyen dans le sens direct : IF(AV).

Il s'agit ici du courant moyen (DC) admissible dans la diode en relation avec la puissance dissipe correspondante permettant de rester, sous certaines conditions, dans l'aire de scurit. 7.4.3.3 Tenue en tension inverse : VRRM.

Cette tension correspond la limite de la tenue en tension d'une diode polarise en inverse avant l'apparition du phnomne d'avalanche due une ionisation par impact. 7.4.3.4 Temps de recouvrement trr.

La valeur donne par le temps de recouvrement permet une rapide estimation du comportement de la diode face aux pertes de commutation. 7.4.3.5 Tension dans le sens direct : VF.

La tension de passage dans le sens direct est donne pour un courant correspondant au courant moyen IF(AV). 7.4.3.6 Rfrence sur les caractristiques des DIODES

Pour plus de renseignement sur les caractristiques des diodes de puissance voir cours dlectronique de puissances : chapitre 6 : LA DIODE http://www.iai.heig-vd.ch/cours.php?cours=ep Chapitre 6 - Les semiconducteurs de puissance, la diode.pd SYSTMES LECTRONIQUES I , 1RE PARTIE