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Introduo:

Tiristores: Definio: Tiristor um nome genrico, atribudo a uma serie de componentes semicondutores de 4 camadas PNPN. Exemplos de Tiristores: - SCR - TRIAC - LASCR - PUT SCR Silicon Controlled Rectifier: Smbolo:
A G K

Onde: A Anodo K catodo G Gate

Estrutura interna:
A P1 N1 G P2 N2 K

Equivalente eltrico:
A

G K

Curva Caracterstica do SCR:

Ia

IL IH V B R
IG 1 IG 2 IG n
V B O

VA K

IL Corrente de Latching ( Corrente de inicializao): Para o SCR realmente entrar em conduo a corrente Ia tem que ser maior que IL. IH Corrente de Holding ( Corrente de Manuteno): Para o SCR bloquear a corrente Ia tem que ser menor que IH. Tenso VBR: Se a tenso VAK for maior que VBR o dispositivo entra em curto danificando o mesmo.

Estados de operao do SCR: Bloqueio reverso: O SCR comporta-se como uma chave aberta. O dispositivo esta com tenso reversa mas menor que VBR. Bloqueio direto: O SCR se comporta como uma chave aberta. O dispositivo esta polarizado diretamente mas no recebeu pulso no gate. Conduo: O SCR se comporta como uma chave fechada. O dispositivo esta polarizado diretamente e recebe um pulso no gate. Modalidades de disparo no usuais: H algumas situaes em que os tiristores entram em conduo sem que se deseje que isto acontea, ou seja, sem o disparo por gate. Nesta etapa veremos as mais comuns situaes onde isto pode ocorrer e o motivo pelo qual isto ocorre. Disparo por sobre tenso: Se observarmos a estrutura interna de um SCR, podemos observar que se assemelha a um resistor com uma resistncia fixa R. Se aumentarmos a tenso sobre Anodo e Katodo (VAK), as correntes de fuga internas aumentaram proporcionalmente, se a tenso sobre anodo e catodo se elevar a ponto destas correntes de fuga atingirem o valor IL, o dispositivo entrara em conduo sem a necessidade de disparo por gate. Esta tenso critica em que o dispositivo entra em conduo espontnea dada pelo manual do componente e denominada como VBO.

Disparo por d : t Neste caso disparo corre devido o dispositivo estar submetido a um rudo em alta freqncia ( d ).
t

dV

dV

Em alta freqncia o dispositivo se comporta como um capacitor, neste caso a corrente que atravesse o dispositivo dada pela expreo:
iC = C. dV dt

Como a capacitncia dos tiristores elevada e pode ser vista em manuais tcnicos, se o dispositivo sofrer uma variao brusca sobre anodo e catodo, ic pode atingir o valor de IL e entrar em conduo espontnea sem a necessidade de disparo por gate. Para evitar este tipo de problema aconselha-se a utilizar um circuito SNUBBER para proteo contra d .O circuito mostrado abaixo. t
dV

A G K
C

Disparo por Sobre temperatura: Da mesma forma que vimos anteriormente, podemos observar que a estrutura de um tiristor, composta de silcio e apresenta correntes de fuga internas geradas pelo prprio material que composto o dispositivo. Se aumentamos a temperatura em um cristal de silcio, maior ser a agitao molecular fazendo com que esta corrente de fuga aumente. Logo se esta temperatura for grande, fazendo com que a corrente de fuga interna do dispositivo cresa atingindo o valor de IL, o dispositivo entra em conduo sem a necessidade de disparo no Gate.
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Pelos manuais tcnicos a corrente de fuga dobra a cada 10C sobre o dispositivo. Para evitar este tipo de disparo basta resfriar o dispositivo com qualquer forma de dissipao trmica, tal como dissipadores de alumnio. Modalidades usuais de disparo: Disparo por CC: Polariza-se o SCR diretamente, aplica-se uma tenso contnua no gate. O problema neste mtodo que o pulso de gate pode ser muito longo, gerando aquecimento na juno de gate danificando a mesma. Disparo por AC: Disparo at 90:
RL
R

AC

P G

A K

R=

Vin max .sen(t ) VG VD IG

Disparo at 180:
RL
R

D2 A G D1 K

AC

D1 Serve para proteger o gate. D2 Serve para carregar negativamente o capacitor no semiciclo negativo o que permite que o ciclo comece sempre a partir de um nvel constante de carga. Disparo por pulso: Neste caso usado pulsos em torno de s com cinco vezes a amplitude para disparo em CC. Geralmente so gerados trens de pulso onde o primeiro responsvel pelo disparo, ficando os demais pulsos para proteo do disparo. Comutao de um SCR: Para ocorrer a comutao de um SCR basta que a corrente Ia seja menor que IH. Comutao Natural: Quando se reduz a corrente de anodo abaixo de um valor mnimo IH, o SCR entra em comutao. Esta corrente de manuteno IH, tem valor muito baixo aproximadamente 1000 vezes menor que a corrente nominal do dispositivo. Em caso de operao em corrente CC, a forma de comutao se da abertura de chave, pelo aumento da resistncia de carga ou desviando parte da corrente que atravessa o dispositivo.

Transistor de Unijuno (UJT): Definio: um dispositivo semicondutor de trs terminais com apenas uma juno PN. Surgiu em 1953 e inicialmente era constitudo de germnio, evoluindo posteriormente para silcio. Por possuir apenas uma juno fundamentalmente um dispositivo de chaveamento com algumas caractersticas nicas. Caractersticas: - Opera em tenso contnua com tenso de disparo sendo uma parcela fixa da tenso de alimentao; - Necessita de baixos valores de corrente de disparo. ( Ip = 5A). - Resistncia interna, quando desativado, relativamente elevada ( 10K), dependendo da das dimenses e da dopagem. - Apresenta caracterstica de resistncia negativa quando ativado. - Fornece pulsos de corrente significativos ( at 2A) em sua sada ( B1). - Simplicidade e economia de um circuito oscilador. Estrutura interna:

B arra de al umnio ( Alta dopa gem) N R B2 B2 ( Base 2)

P E ( E miss or)

RB1 Bar ra de Sil cio ( Ba ixa dopagem) B1 ( Base 1)

RBB = RB1 + RB2

Smbolo:

B2 E

Bas e 2 ( B2 )

B1

B ase 1 ( B1)

Emissor (E)

Modelo Equivalente Eltrico do UJT:


B2 RB2 RBB E RB1 B1 Rs ( Resistncia Final Fixa) Rn ( Re sistncia Negativa)

RBB = RB1 + RB2 , para IE = 0 Obs: A Resistncia RB1 composta por uma resistncia fixa Rs somada a uma resistncia negativa significativa Rn. Resistncia negativa, significa uma resistncia que decresce a medida que a corrente que circula, atravs da mesma, aumenta. O diodo do emissor se comporta como um diodo normal, ou seja, se polarizado reversamente apresenta uma pequena corrente de fuga, polarizado diretamente, apresenta plena conduo.

Funcionamento:
B2 VRB2 RB2 E VE B1 RB1 VRB1 Vx + VBB -

Com VE = 0, RB1 e RB2 apresentam-se formando um divisor de tenso em relao VBB. A amplitude de VRB1 pode ser calculada da seguinte forma:
VRB1 = RB1.VBB R .V = B1 BB RB1 + RB 2 RBB

A letra grega (eta), chamada de relao intrnseca de equilbrio do dispositivo e definida por:
=
RB1 R = B1 RB1 + RB 2 RBB

varia entre 0,4 e 0,9 dependendo do tipo construtivo. Ento:


VRB1 = .VBB

A operao normal do UJT consiste em aumentar VE at que seja atingido o valor da tenso de disparo (Vp). A partir desta tenso o diodo conduzir, portando-se como um curto-circuito, e IE comear a fluir atravs de RB1.

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Curva caracterstica do UJT:


R e g i o d e C o rte Vp V E = . V B B R e g i o d e R e s is t n c ia N e g a tiv a
V E = . V B B + V d

R e g i o de S a tu ra o

Vv IE (n A ) Ip Iv IE

Oscilador de Relaxao:

R2 RT R2 B2 RB2 VB2 CT VE + VBB E RB1 B1 E RB1 B1 R1 B2 RB2

R1

VB1

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Forma de onda:

V p V v T

IB B . R 1 T V B B Ib b (R 1 + R B B )

Calculo da freqncia do oscilador:


F= 1 1 RT .CT .ln 1

Calculo dos resistores:


VBB VV V V RT BB P IP IV

Onde RT mnimo dado por:


VBB VV IV

E RT mximo por:
VBB VP IP

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Valores tpicos para R1 e R2:


27 R1 100 500 R2 1K

Funcionamento: O capacitor CT comea a se carregar, enquanto Vc < Vp, temos uma corrente de fuga circulando no emissor. Os resistores R1 e R2 formam, juntos com RBB, um divisor de tenso. Quando Vc = Vp, o capacitor comea a se descarregar sobre R1 surgindo IE. A resistncia RB1 vai diminuir quase que instantaneamente, crescendo a corrente. A corrente inicial de descarga sempre mnima, gerando uma queda acentuada em cima de R1. Ser aumentado tambm a corrente a corrente no terminal de base 2, aumentando VR2. Assim, teremos uma tenso no terminal de base 2 decrescente. Quando a tenso no capacitor atingir o valor Vv ocorre o corte do dispositivo e o ciclo reinicia. Clculo de VB1 e VB2 antes do disparo:
VB1 = VBB .R1 R1 + R2 + RBB VBB . ( RBB + R1 ) R1 + R2 + RBB

VB 2 =

Exerccios: 1) Para o oscilador onde VBB = 40V, = 0,6, Vv = 1V, Iv = 8mA e Ip = 10A. Determine a faixa de RT para o circuito de disparo. 2) Para o UJT com VBB = 20V, = 0,65, RB1 = 2K e VD = 0,7V. Determine: RB2; RBB; VRB1 e Vp

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3) Dado o oscilador de relaxao abaixo, calcule: - RB1 e RB2; - Vp; - Verifique se RT encontra-se dentro da faixa; - Determine a freqncia do oscilador. Dados: RBB = 10K; = 0,55; Vv = 1,2V; Iv = 5mA; Ip = 50A.

68K

220

0,1F

20V

100

4) Dado o circuito oscilador abaixo, calcule: Dados: ( 2N2646 ) 0,56 0,75 4,7K RBB 9,1K - A freqncia do oscilador; - Calcule a freqncia se RT for igual a 100K; -calcule VB1.
200K 15K 470

100nF

12V

100

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5) Projete um oscilador de relaxao usando um UJT 2N2646 na freqncia de 500Hz a partir de um resistor RB1 = 27 implemente o circuito com alimentao de 20V. Dados retirados do manual 0,56 0,75 4,7K RBB 9,1K Ip = 1A ( Tpico) Ip = 5A ( Mximo) Iv = 6mA (Tpico) Iv = 4mA (Mnimo) DIAC Diodo AC um dispositivo de quatro camada que pode conduzir nos dois sentidos. O dispositivo entra em conduo, Quando qualquer polaridade, e a tenso sobre o mesmo, ultrapassar uma certa tenso (Tenso de Breakover VBO). Para entrar em bloqueio basta esta tenso ou a corrente, sobre o dispositivo, ser menor que a de manuteno, VH ou IH. Smbolo:

Curva caracterstica de um DIAC:


Ia

IH
- VBO

- VH VH - IH
VBO

VA

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TRIAC Triode AC switch Ao contrario do SCR o TRIAC um tiristor bidirecional Bibliografia: Almeida, Jos Luiz Antunes, Eletrnica Industrial, editora Erica.

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