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Fsi a Experimental AI
1o Semestre / 2012
Sumrio
1 OSCILOSCPIO
3 CIRCUITOS RC
4 FILTROS PASSIVOS RL E RC
12
14
6 FONTES RETIFICADORAS
16
7 HISTERESE MAGNTICA
19
8 CARGA MASSA
22
9 EFEITO HALL
24
10 DIODOS SEMICONDUTORES
27
31
A.1
CIRCUITO RESISTIVO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
31
A.2
CIRCUITO INDUTIVO . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
33
A.3
CIRCUITO CAPACITIVO
. . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
34
A.4
CIRCUITO RLC . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .
35
37
SUMRIO
INFORMAES DO CURSO
obrigatria a presena das 6 horas-aula/semana. Os grupos podem ter 2 (dois) alunos no mximo. O
experimento deve ser estudado antes do in
io da aula.
RELATRIOS
Os relatrios devem ser
laros e podem ser su
intos. Anote os dados experimentais em uma folha que
dever ser assinada pelo professor no nal da prti
a e anexada ao relatrio. Os relatrios devem ser
entregues antes do in
io da prti
a seguinte.
Ser observada a
utilizao
orreta de unidades e a manipulao de desvios nas medidas. Leia 'Propagao de Erros' na
apostila de Introduo Fsi
a Experimental.
AVALIAO
Relatrios
50 pontos
Prova experimental
20 pontos
Prova teri a
30 pontos
COMPORTAMENTO EM LABORATRIO
As regras enumeradas abaixo visam a segurana e a preservao dos equipamentos do Laboratrio de
Fsi
a Experimental:
S ligue uma montagem eltri a aps autorizao do professor que onferiu o ir uito;
USO DE COMPUTADORES
Os
omputadores esto disponveis para o uso ex
lusivo das atividades no laboratrio.
Alm disso,
Captulo 1
OSCILOSCPIO
O que vo
deve saber para fazer esta experin
ia:
Montagem de
ir
uitos simples;
Lei de Ohm;
Utilizar um gerador de sinal.
Introduo
O instrumento bsi
o de teste eletrni
o de sinais
o os
ilos
pio. Alm de ser utilizado para obser-
Figura 1.1:
mostrada na g.1.2a.
Devido rapidez do
A intensidade do
a elerar os eltrons.
1000V
respe ti-
A tenso apli ada s pla as deetoras horizontais obtida do gerador de varredura, ou gerador
a poten iais de
2000V ,
CAPTULO 1.
OSCILOSCPIO
Mais re
entemente, foram inventados os os
ilos
pios digitais, nos quais a unidade de tratamento de sinal um mi
ropro
essador e a imagem mostrada em um display de
ristal lquido.
Estes os
ilos
pios so extremamente teis pois
nos permitem digitalizar e armazenar os sinais desejados para uma posterior anlise atravs de soft-
Imagem de (a) somente uma tenso alternada apli
ada s pla
as de deexo verti
al e (b)
uma tenso alternada s pla
as de deexo verti
al e
uma tenso dente-de-serra s pla
as horizontais.
Figura 1.2:
wares adequados. O os
ilos
pio nos permite observar a forma de uma tenso
omplexa bem
omo
medir o perodo T o valor pi
o a pi
o (Vpp) de
sinais peridi
os (Para um sinal senoidal o valor
pi
o a pi
o
orresponde ao dobro da amplitude).
Se a de-
2
Vef
1
=
T
f (t)2 dt.
(1.1)
so dado por:
Vef
Vpp
Vef = .
2 2
da ten-
(1.2)
Para a
Parte Experimental
Objetivo :
Material
1 gerador de udiofrequn ia
1 os ilos pio
1 multmetro
1 resistor de 10 k
2 ja ars.
2.
CAPTULO 1.
OSCILOSCPIO
PROCEDIMENTO
om
Vpp = 6V
e freqn ia de 1 kHz.
1/T).
4. Compare os resultados.
Observao:
RV
(pino
resistn ia
RV
Vpp .
Mea
ias a ima.
no se estabilizam na tela?
Explique origem
Porque as guras
Questes
1. Desenhe a forma de onda resultante da apli
ao dos sinais da g. 1.5 nos
anais X e
Y:
CAPTULO 1.
OSCILOSCPIO
Bibliograa
Captulo 2
Introduo
Sinais senoidais (harmni
os) so frequentemente
usados para testar
ir
uitos eltri
os, no entanto,
tenses e
orrentes no senoidais tambm so bastante
omuns em
ir
uitos de aparelhos eletrni
os e de instrumentao. Um os
ilos
pio permite
a observao destas formas de onda bem
omo a
determinao de seu valor mdio ou de seu
omponente
ontnuo.
Na experin
ia anterior, vimos a denio de
valor e
az, que no se deve
onfundir
om o
valor mdio.
VDC = Vm
1
=
T
f (t) dt,
(2.1)
Questes
est na posio AC, um apa itor adi ional ltra a tenso ontnua.
Na g.
do os ilos pio. Desta maneira, s vemos a omponente os ilante do sinal na posio AC. J na
posio DC, o apa itor no est mais no ir uito do os ilos pio, e vemos o sinal ompleto.
CAPTULO 2.
valor mdio.
qu?
As formas de
senoidal nulo.
(ponto B) passe a have de AC para DC diversas vezes, medindo o deslo amento verti al da imagem (em Volts). Este deslo a-
Parte Experimental
Objetivo :
Vm = Vpp /2
para
Material
1 gerador deudiofrequn
ia
1 os ilos pio
1 multmetro
2.3).
Isto transformar a
1 resistor de 10 k
B para o terra).
2 ja ars.
Compare os
resultados.
Pro edimento
Observao:
Figura 2.3:
2. Monte o
ir
uito da g. 2.2 e ajuste o gerador de udio para uma tenso senoidal de
sada
om frequn
ia de 1 kHz e mxima
amplitude
Vpp 20
V.
Bibliograa
A. Risse.
Captulo 3
CIRCUITOS RC
LER O APNDICE A !
Introduo
Esta prti
a se destina ao estudo de
ir
uitos RC.
Na primeira parte, a determinao experimental
da diferena de fase entre a
orrente e a tenso em
um
ir
uito RC ser realizada. Este mtodo vale
Figura 3.1: Tenso e orrente senoidais. t a diferena de tempo entre os dois mximos.
Sendo assim
ena de fase
=
T
o perodo
2
t
T
nos anais X e
dado por:
onde
= arcsen
a
b
(3.1)
VR = R.I
para o os-
Figura 3.2:
Figura de Lissajous.
(3.2)
CAPTULO 3.
10
CIRCUITOS RC
Parte Experimental
Objetivos:
Material:
1 gerador de udio-frequn
ia;
1 os
ilos
pio;
1 painel de ligao
om 6
abos;
Resistores (1 de 80 a 120, 1 de 390 a 680);
1 D
ada de resistn
ia;
Capa
itor (1 de 22nF e 1 de 2,2nF);
Diodos;
Figura 3.3:
Cabos e ja ars.
Pro edimento
Cir uito RC
Questo
a) Cir uito RC
bem pequeno entre 80 a 120 (apenas para visualizar a orrente). Cal ule XC para erti ar-se
R XC = 1/(2f C).
os
ilos
pio.
3) Ajuste a tenso do gerador e os ganhos dos
anais do os
ilos
pio de modo a obter uma elipse
na tela
om uma frequn
ia de 2kHz.
4) Qual a defasagem entre a tenso total
VT OT
VX R I
VY VT OT .
Figura 3.4:
entre VT OT e I utilizando
R XC
este ir uito
CAPTULO 3.
11
CIRCUITOS RC
Bibliograa
3 - Cap.
Captulo 4
FILTROS PASSIVOS RL E RC
O que vo
deve saber para fazer esta experin
ia:
Montagem de
ir
uitos simples;
Utilizar gerador de sinal e os
ilos
pio;
Con
eitos de reatn
ia
apa
itiva e indutiva.
Introduo
70% (ou
qn ia enquanto que a impedn ia de um apa itor inversamente propor ional freqn ia.
fc =
1
2RC
(4.1)
R
2L
(4.2)
fc =
Na Fig.
Resposta em freqn
ia de um ltro passivo
apa
itivo passa-baixa, (
omo o da Fig. 4.1(a)).
Figura 4.2:
Figura 4.1: (a) Filtro passa-baixa apa itivo; (b) Filtro passa-alta indutivo.
12
CAPTULO 4.
13
FILTROS PASSIVOS RL E RC
Questes
4) Faa um gr
o de
partir do mesmo..
Vo f
e determine
fC
1/ 2
na
Vo
para
f = fC .
b) Filtro passa-alta RL
6) Repita os itens (1) a (5) para o
ir
uito da
3)
fC
a tersti os
1/ 2C)
C = RCe L
fC = 1/( 2).
= L/R, isto
fC =
Bibliograa
Parte Experimental
Objetivo:
Montar e
ara
terizar ltros passivos de sinais
baseados em
ir
uitos
apa
itivos e indutivos
Material
1 gerador de udio-frequn
ia
1 os
ilos
pio
1 painel de ligao
om 6
abos
Resistor, R = 2 a 4k
Capa
itor, C = 10 a 33 nF
Indutor, L = 100 a 300 mH
Cabos
Pro
edimento
a) Filtro passa-baixa RC
1) Monte o
ir
uito da Fig. 4.1(a)
om os valores
R e C sugeridos a
ima. Cal
ule o valor esperado
para a frequn
ia de
orte, ele deve estar entre 1
e 5 kHz.
2) Aplique um sinal senoidal de VIN = 4 V (pi
o
a pi
o) na entrada do
ir
uito.
3) Varie a freqn
ia a partir de 50Hz, em intervalos iguais e mea Vo (pi
o-a-pi
o) para uma
A. Risse.
Captulo 5
108 .
dem de
Q=
onde
Introduo
fo
fo
o
=
(5.2)
a frequn ia de ressonn ia e
Pef (o
Pef (o )
Max
)=
= 50% Pef
2
2
(5.3)
XC = XL .
= 2f ,
a freqn ia
fo ,
denominada fre-
500
1,000
(5.1)
Observa-se uma inteira analogia entre a ressonn
ia de
ir
uitos RLC forados e os
iladores me
ni
os forados. A energia armazenada num
ir
uito
RLC
onstante, uma vez que, quando a tenso
Potncia efetiva
f = fo =
2 LC
80
60
40
20
fo
Q = 2fo L/R
200
torno de 500Hz.
A razo
0
0
Figura 5.1:
denominada fator de
ia.
400
600
800
Frequncia (1/s)
1,000
1,200
Questo
faz variando o valor da apa itn ia C de um apa itor varivel at que a frequn ia de ressonn ia
Pef ()
e a orrente
portadora enviada pela emissora. Os melhores re eptores de rdio tm fator de qualidade da or-
14
CAPTULO 5.
15
Parte Experimental
Objetivo:
Estudar o fenmeno de ressonn
ia em
ir
uitos
RLC em srie.
Material:
1 gerador de udio-frequn
ia
1 os
ilos
pio
1 painel de ligao
om 6
abos
Resistor
Capa itor
qn ia (i
Indutor
em funo de f.
Pro edimento
fo ,
e o fator de quali-
om base de madeira).
Obs.: Note que, para a
har Q a partir do gr
o de ressonn
ia da
orrente, a largura do
pi
o
deve ser determinada a uma altura de
1/ 2 do valor mximo, e no 1/2
omo no
aso
da g. 5.1.
OPCIONAL
7) Dis
uta os efeitos sobre a
urva de ressonn
ia
ao se alterar: a resistn
ia; a
apa
itn
ia; e a
indutn
ia.
8) Cal
ule, para
ada freqn
ia, a reatn
ia indutiva e a reatn
ia
apa
itiva, usando os valFigura 5.2:
L (mH)
100-300
C (H )
0,01-0,02
R ()
390 a 680
Bibliograa
KHz.
30),
omeando de 400 Hz at 10
A. Risse.
Captulo 6
FONTES RETIFICADORAS
O que vo
deve saber para fazer esta experin
ia:
Montagem de
ir
uitos simples;
Utilizar gerador de sinal e os
ilos
pio;
Filtros
apa
itivos;
Fun
ionamento de diodos.
Esta os ilao
Introduo
esso usado em uma vasta gama de equipamentos ( omputadores, eletrodomsti os, rdios, instrumentos ient os, et .).
VDC = Vpp /2
Questo
VDC
so senoidal (nesse aso forne ida por um transformador) apli ada a um resistor ( arga). Du-
mostrado na g.
t = 0, Vo = 0V ,
6.2. Em
e o
Vin
de amplitude
A queda de tenso
Vin
Vin
supera
aumenta, no sub-
t = T1 .
16
CAPTULO 6.
17
FONTES RETIFICADORAS
Material:
- Diodo tipo 1N4007 (D)
Vo = Vh e
(tT1 )
RC
(6.1)
t = T2 .
Em outras palavras:
V1 = Vo (T2 ) = Vh e
Vr = Vh Vl = Vh (1e
onde
T = T2 T1 , e
RC T .
ida para
(T2 T1 )
RC
(6.2)
Vh Vl
) Vh
Pro edimento:
(T2 T1 )
RC
100(RL )
temos:
T
RC
(6.3)
ia
RL = 100
na arga.
Vr =
Vh
Vs 0.7V
=
f RC
60Hz.RC
(6.4)
Figura 6.3:
RL
Rd
Compare e ex-
Parte Experimental
Objetivo:
Rd de 100 a 5k.
Rd ,
variando
= RL + Rd )
Dis uta os
CAPTULO 6.
FONTES RETIFICADORAS
Vr =
Vh
Vs 0.7V
=
2f RC
120Hz.RC
(6.5)
2k.
Bibliograa
adores).
18
Captulo 7
HISTERESE MAGNTICA
O que vo
deve saber para fazer esta experin
ia:
Diamagnetismo, paramagnetismo, e ferromagnetismo;
Utilizar gerador de sinal e os
ilos
pio;
podemos es rever:
~r
~ r = o M
B
onde
Introduo
Mr
(7.2)
ferromagnti
os, existe um tipo espe
ial de interao entre tomos vizinhos
hamado de a
oplamento de tro
a que faz
om que os seus momentos
magnti
os quem alinhados. O
omportamento
de um material ferromagnti
o submetido a um
ampo magnti
o externo tem pe
uliaridades de
grande interesse
ient
o e te
nolgi
o. Consideremos um material ferromagnti
o ini
ialmente
no imantado e vejamos o seu
omportamento sob
apli
ao de um
ampo magnti
o externo H'. Na
g.7.1 mostramos uma
urva de histerese para o
ferro-do
e, que mostra a variao do
ampo B,
propor
ional a sua magnetizao, em funo do
ampo apli
ado. O
ampo B
res
e muito rapidamente
om H' (
urva a), ini
ialmente sendo
er
a
4
de 10 vezes maior do que o
ampo apli
ado. O
valor de B, entretanto, tende a saturar em um
valor um pou
o maior do que 15.000 G (Gauss)
ou 1,5 T. Se o
ampo apli
ado H' , ento, gradualmente de
res
ido, o
ampo B no refaz a
urva
de subida, mas de
res
e mais lentamente do que
res
eu, pela
urva b.
Br ,
denominado
vez que:
~ = o (H
~ +M
~)
~ =H
~ + o M
B
(7.1)
19
CAPTULO 7.
(10
20
HISTERESE MAGNTICA
Isto no apro-
VC . Observe a
urva de
Campo(B) Campo(H ), utilizando o
permanente, quando se deseja uma alta remann ia e alta oer ividade. Entretanto, o ferro do e
Parte Experimental
VC
no apa itor de
VR1 e no CANAL
10F .
Objetivo:
Medir a
urva de histerese magnti
a de um ma-
H =
N o I
2r
(7.3)
de um solenide (N = NP , H = Hmax e I =
Material:
1 gerador de udiofrequn
ia da Pas
o
IP max ),
1 os ilos pio
Hmax
.
6) Demonstre que:
R1 = 56, R2 = 680
C = 10F
B=
VC R2 C
NS A
(7.4)
Pro edimento:
bobina se
undria
1) Monte o
ir
uito da g.7.2
om as bobinas,
IS
onde:
no ir uito
VS = NS
B
B
.
t
t
(7.5)
B =
BdA = BA
(7.6)
Bmax
XC R .
do material
VR1 (56),
CAPTULO 7.
HISTERESE MAGNTICA
Bibliograa
21
Captulo 8
CARGA MASSA
O que vo
deve saber para fazer esta experin
ia:
Fora de Lorentz;
Campo magnti
o gerado por bobinas de Helmholtz.
ten ial
Introduo
Substituindo o valor de
forma:
eV =
1
mv 2
2
Desta
(8.5)
8.5, obtemos:
eV =
2
1
eBr
.
m
2
m
(8.6)
2V
e
= 2 2
m
B r
(8.7)
~v
~
B
Parte Experimental
~
F~m = q(~v B),
onde
F~m , ~v
~
B
so vetores.
Objetivo:
(8.1)
Considerando um
Material:
-bobina de Helmholtz
Fm = evB,
(8.2)
-
abos
em que
e a arga do eltron.
Aparato
Fm = Rc
(8.3)
(8.4)
evB =
em que
Rc
do eltron,
eBr
mv
v=
r
m
a resultante entrpeta,
eltrons).
a massa
o raio da tra-
jetria.
22
CAPTULO 8.
23
CARGA MASSA
ajustada no reostato.
veri ar as ligaes.
ten iais positivos de grade (G) e pla a (P) (poten iais positivos em relao ao atodo), ujos val-
1.5 e 2.0 m.
B1 e B2, ujos raios so iguais distn ia entre elas. A orrente destas bobinas, i, ajustada
No ul-
medida.
Figura 8.2:
Figura 8.1:
Questo
Demonstre que o
ampo magnti
o B produzido
no meio das bobinas dado por:
B=
onde
N o i
(5/4)3/2 a
(8.8)
a or-
o raio da bobina.
Pro edimento:
Bibliograa
A. Risse.
Captulo 9
EFEITO HALL
O que vo
deve saber para fazer esta experin
ia:
Fora de Lorentz;
Prin
pios bsi
os de transporte em materiais
semi
ondutores.
~.
F~ = q~v B
e)
Introduo
=
~
B
no sentido
no sen-
tido de
direo
de
os semi ondutores.
= +e), Fy
y .
A fora
Fy
p).
Ey
Ey
qEy
Fy
e a fora
Ey = vx Bz
(9.1)
UH = Ey a.
(9.2)
Figura 9.1:
de arga
da polaridade da tenso Hall. Para isto basta onhe er a direo da orrente e a direo do ampo
24
CAPTULO 9.
25
EFEITO HALL
magnti
o.
Segundo o modelo de Drude, pode-se supor
terminada por
= RH
Jx = qe vx n
(9.3)
RH =
RH .
vx Bz
1
Ey
=
=
B z Jx
Bz qe vx n
qe n
Parte Experimental
Objetivo:
Estudar o efeito Hall em um material semi
ondutor;
(9.4)
ondutor.
Material:
-sensor Hall
-milivoltmetro
RH =
(9.9)
-voltmetro
UH .d
B.I
(9.5)
-
abos
-
apa
itor eletrolti
o, resistores, poten
imetro
RH ,
-fontes de tenso
Aparato
denida omo
vx = Ex
(9.6)
onde
(9.7)
R0 ,
via
l
R0 A
one tada em
330
J = E,
Uma resistn ia de
(9.8)
560
CAPTULO 9.
26
EFEITO HALL
Comprimento (l)
Largura (a)
Espessura (d)
Resistn
ia (R0 )
0.35mm
0.35mm
0.30m
1.0k
Figura 9.2:
e a on entrao de por-
5) Compare os valores de
Pro
edimento:
a) Medida da tenso hall versus
ampo magnti
o
Esta parte da experin
ia
onsta em medir a tenso Hall de um
ristal de arseneto de glio, GaAs
(sensor Hall KSY 14), em funo do
ampo magnti
o (B) temperatura ambiente, mantendo-se
onstante a
orrente de
ontrole em 5mA.
1) Mea a tenso transversal em funo do
ampo
magnti
o para ambas as direes de B (para isso
inverta o sentido da
orrente de alimentao da
bobina). Faa um gr
o da tenso Hall versus
ampo magnti
o B.
2) A partir destas medidas,
al
ule a mobilidade
e a
on
entrao de portadores no material analisado. As dimenses e a resistn
ia do sensor so
Bibliograa
Captulo 10
DIODOS SEMICONDUTORES
O que vo
deve saber para fazer esta experin
ia:
Fora de Lorentz;
Prin
pios bsi
os de transporte em materiais
semi
ondutores.
ligam fortemente (ligao
ovalente) aos dos tomos vizinhos, e temperatura ambiente somente
alguns se tornam eltrons livres. A
on
entrao
intrnse
a de
argas livres (de
onduo) numa
dada temperatura mais elevada no germnio do
que no sil
io, porque a largura da banda de en-
Introduo
Dispositivos baseados eletrni os baseados em materiais semi ondutores in luem, dentre outros, transistores, reti adores (diodos), moduladores, dete tores, termistores, foto lulas.
De um modo
geral, o que se
ontrola em um dispositivo semi
ondutor a sua resistividade. O exemplo mais
simples seria o diodo semi
ondutor, o qual apresenta uma resistn
ia muito baixa quando polarizado numa direo e resistn
ia muito elevada
(
omportando-se
omo isolante) quando polarizado
inversamente.
Um semi
ondutor altamente puro
onhe
ido
por semi
ondutor intrnse
o. A
ondutividade intrnse
a (para distingui-la da
ondutividade provo
ada por impurezas) prati
amente nula a tem-
Figura 10.1:
Tanto os
O semi ondu-
Os semi ondutores mais utilizados pela indstria eletro-eletrni a so o germnio (Ge) e o sil-
lente (p.
Os
27
ex.:
B, Ga, In).
A ausn ia de um
CAPTULO 10.
28
DIODOS SEMICONDUTORES
Em um
PN (g.
10.2).
N P
e de bura os na direo
P N,
om
Ed
(d = doador)
Ed
signi-
O Si intrnse o,
P N,
omo na g. 10.3(b), ou seja, apli armos um poten ial positivo no lado P em relao ao lado N,
Esquema de uma juno P-N
om gr
os esquemti
os para a distribuio de
argas,
ampo
eltri
o, poten
ial ao longo da juno.
Figura 10.2:
atravs da juno.
joritrios aumentar exponen
ialmente
om o aumento da polarizao direta,
omo ser veri
ado
experimentalmente.
A polarizao ser reversa
omo na g. 10.3(
)
CAPTULO 10.
29
DIODOS SEMICONDUTORES
I = IS (ekV /T 1)
I V
para
IV
(10.1)
onde:
e 2 para o Si.
Questes:
1) Quais diferenas vo
en
ontra entre esse diodo
real (g.10.5) e o diodo ideal (g. 10.4)?
2) Com relao
urva
I V
(g.10.5), explique
usso.
Figura 10.4:
Parte Experimental
Objetivo
Cara
terizao eltri
a de diodos baseados em materiais semi
ondutores.
Material
H diversos tipos de diodo,
ada qual
om sua
funo: reti
ador, reti
ador
ontrolado (SCR),
Zener, emissor de luz (LED), de
apa
itn
ia varivel (vari
ap), tnel et
. Nesta aula sero vistos
os seguintes diodos:
- diodo de sil
io;
- diodo de germnio;
- diodo emissor de luz LED;
- diodo Zener.
Pro
edimento
1) Utilize um multmetro analgi
o e verique
(anote) a ordem de grandeza das resistn
ias direta e inversa dos quatro diodos a
ima des
ritos.
Varie a es
ala do multmetro, observe e explique.
2) Monte o
ir
uito em srie da g. 10.6
om um
diodo de sil
io e um resistor de 1
k.
Aplique
ultrapasse 5 V.
CAPTULO 10.
DIODOS SEMICONDUTORES
CANAL
V, determine o valor da
Bibliograa
Captulo 14 do vol.
30
Apndi e A
INTRODUO TERICA A
CIRCUITOS DE CORRENTE
ALTERNADA
extremamente re
omendvel que
antes de ini
iar os experimentos en-
Chaves.
(A.1)
= 2f
(A.2)
onde
APNDICE A.
32
az dada por:
i2ef
2Z T
i
sen2 (.t)dt.
= o
T
0
(A.6)
2
=
io = 0.707io
2
(A.7)
Figura A.1:
(A.4)
(A.5)
2
Vo = 0.707Vo
=
2
(A.8)
APNDICE A.
33
diL
dt
(A.9)
diL
= L[.io cos(t)]
dt
(A.10)
(A.11)
APNDICE A.
34
dQ
dVC
=C
.
dt
dt
(A.12)
(A.13)
(A.14)
iC = CVosen(t + 90o ).
(A.15)
APNDICE A.
Exer io 1:
35
(A.16)
nos dando:
V = Vr sen(.t) + (VL VC )cos(.t)
(A.17)
(A.18)
Exer io 2:
Figura A.4:
V
Z
(A.19)
Z=
R2 + (XL XC )2
(A.20)
onde XL = L e XC = (C)1 so as
reatn
ias indutiva e
apa
itiva do
ir
uito
(medidas em Ohms), respe
tivamente.
Exer
io 4: Verique que nos extremos
do indutor ou
apa
itor tem-se sempre que:
I=
VC
VL
V
=
=
Z
XL
XC
(A.21)
APNDICE A.
XL XC
R
(A.22)
36
Apndi e B
Carga elementer
Velo
idade da luz no v
uo
Massa de repouso do eltron
Constante de permissividade do v
uo
A
elerao da gravidade no laboratrio
Constante de permeabilidade do v
uo
Constante de Plan
k
Constante molar dos gases
Nmero de Avogrado
Constante de Boltzmann
h
R
NA
9, 11 1031 Kg
8, 85 1012 F/m
(9, 78 0, 01)m/s2
1, 26 106 H/m
6, 63 1034 J.s
8,31 J/mol.K
6, 02 1023 /mol
1, 38 1023 J/K
ALGUNS PREFIXOS
Fator
1
10
102
103
106
109
1012
1015
1018
Prexo Smbolo
De
a
d
He
to
h
Quilo
k
Mega
M
Giga
G
Tera
T
Peta
P
Exa
E
Fator
1
10
102
103
106
109
1012
1015
1018
37
Prexo Smbolo
De
i
D
Centi
Mili
m
Mi
ro
Nano
n
Pi
o
p
Femto
f
Atto
A