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42 3.1. LES SEMI-CONDUCTEURS 43 valence laquelle il appartenait dmasque une charge positive du noyau correspondant. Le trou peut tre occup par un autre lectron de valence qui laisse, son tour, un trou derrire lui : tout se passe comme si le trou stait dplac, ce qui lui vaut la qualification de charge libre. La cration d une paire lectron libre-trou est appele gnration alors quon donne le nom de recombinaison au mcanisme inverse. La temprature tant une mesure de lnergie cintique moyenne des lectrons dans le solide, la concentration en lectrons libres et en trous en dpend trs fortement. 3.1.1.3 Exemples Le silicium a un nombre volumique d atomes de 5:1022 par cm3. A 300K (27rC), le nombre volumique des lectrons libres et des trous est de 1;5:1010 cm3, soit une paire lectron libre-trou pour 3;3:1012 atomes. Le nombre volumique des atomes dans le germanium est de 4;4:1022 par cm3. A 300K, le nombre volumique des lectrons libres et des trous est 2;5:1013 cm3, soit une paire lectron libre-trou pour 1;8:109 atomes.
3.1.2.2 Dfinitions Le dopage est laction qui consiste rendre un semiconducteur extrinsque. Par extension, ce terme qualifie galement lexistence dune concentration datomes trangers : on parle de dopage de type n. On donne le nom d impurets aux atomes trangers introduits dans la maille cristalline. Dans le cas d un semiconducteur extrinsque de type n, les impurets sont appeles donneurs car chacune dentre elles donne un lectron libre. 3.1.2.3 Modle Les dopages courants sont denviron 1016 1018 atomes par cm3. On peut admettre que le nombre volumique des lectrons libres est gal au nombre volumique des impurets et que le nombre volumique des trous (charges libres 44 CHAPITRE 3. DU SEMI-CONDUCTEUR AUX TRANSISTORS positives) est ngligeable. Etant donnes ces considrations, on tablit le modle de semiconducteur reprsent cidessous dans lequel napparaissent que les charges essentielles, savoir les lectrons libres et les donneurs ioniss. Les charges fixes sont entoures dun cercle. + + + ++ + + + Atome (donneur) ionis Charge fixe positive Electron libre : Charge mobile ngative
est approximativement gal au nombre volumique des impurets. Le nombre volumique des lectrons libres est alors considr comme ngligeable. Il sensuit un modle, reprsent la figure ci-dessous, dans lequel napparaissent que les charges prpondrantes : les trous et les accepteurs ioniss. -+ + + + + + + + Atome (accepteur) ionis Charge fixe ngative Trou libre : Charge mobile positive 3.2. LA JONCTION PN 45 Remarque : il faut remarquer que le semiconducteur extrinsque, type p ou type n, est globalement neutre. On peut le comparer un rseau gomtrique dont certains noeuds sont chargs et dans lequel stagne un (( gaz )) de charges mobiles qui neutralise les charges fixes du rseau. On largit, par la suite, la notion de semiconducteur de type n un semiconducteur dont le nombre volumique des donneurs lemporte sur celui des accepteurs et celle de semiconducteur de type p un semiconducteur dans lequel le nombre volumique des accepteurs est prpondrant.
3.2 La jonction PN
3.2.1 Introduction
Le dopage non uniforme dun semiconducteur, qui met en prsence une rgion de type n et une rgion de type p, donne naissance une jonction pn. Une telle jonction est aussi appele diode. Dans la prsente section, on tudie, qualitativement, les phnomnes qui ont pour sige la jonction pn. On donne galement la relation exponentielle qui lie courant et tension dans une telle jonction.
3.2.2 Description
Soit le semiconducteur dopage non uniforme ci-dessous qui prsente une rgion p nombre volumique datomes accepteurs constant, suivie immdiatement d une rgion n nombre volumique de donneurs constant galement. Accepteurs Donneurs Rgion p Jonction Rgion n 0 x Nombre volumique dimpurets La surface de transition entre les deux rgions est appele jonction pn abrupte. Du fait de la continuit du rseau cristallin, les (( gaz )) de trous de la rgion p et dlectrons de la rgion n ont tendance uniformiser leur concentration
dans tout le volume disposition. Cependant, la diffusion des trous vers la rgion n et des lectrons libres vers la rgion p provoque un dsquilibre lectrique si bien que, dans la zone proche de la jonction, la neutralit lectrique nest plus satisfaite. On trouve, dans la rgion p, des atomes accepteurs et des lectrons, soit une charge locale ngative, et dans la rgion n, des atomes donneurs et des trous, soit une charge locale positive. Il s est donc cr un diple aux abords de la jonction et, conjointement, un champ lectrique. Une fois lquilibre atteint, ce champ lectrique est tel quil soppose tout dplacement global de charges libres.