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Chapitre 3

Du semi-conducteur aux transistors


Remarque : ce chapitre est trs largement inspir de la partie correspondante du remarquable Cours dlectronique pour ingnieurs physiciens de lEcole polytechnique fdrale de Lausanne, accessible par Internet http://c3iwww.epfl.ch/teaching/3.1 Les semi-conducteurs Cette partie va prsenter quelques modles simples de semi-conducteurs, en vue dexpliquer rapidement le fonctionnement des dispositifs les utilisant, tels que diode, transistor effet de champ, transistor bipolaire, etc.

3.1.1 Semi-conducteurs intrinsques


3.1.1.1 Rseau cristallin Un cristal de semi-conducteur intrinsque est un solide dont les noyaux atomiques sont disposs aux noeux dun rseau gomtrique rgulier. La cohsion de cet difice est assure par les liens de valence qui rsultent de la mise en commun de deux lectrons appartenant chacun deux atomes voisins de la maille cristalline. Les atomes de semiconducteur sont ttravalents 3.1 et le cristal peut tre reprsent par le rseau de la figure suivante : = Lien de valence 3.1.1.2 Dfinitions Llectron qui possde une nergie suffisante peut quitter la liaison de valence pour devenir un lectron libre. Il laisse derrire lui un trou qui peut tre assimil une charge libre positive ; en effet, l lectron quittant la liaison de
3.1. Chaque atome peut former quatre liaisons de valence. Un atome trivalent peut former trois liaisons, et un atome pentavalent peut former cinq liaisons.

42 3.1. LES SEMI-CONDUCTEURS 43 valence laquelle il appartenait dmasque une charge positive du noyau correspondant. Le trou peut tre occup par un autre lectron de valence qui laisse, son tour, un trou derrire lui : tout se passe comme si le trou stait dplac, ce qui lui vaut la qualification de charge libre. La cration d une paire lectron libre-trou est appele gnration alors quon donne le nom de recombinaison au mcanisme inverse. La temprature tant une mesure de lnergie cintique moyenne des lectrons dans le solide, la concentration en lectrons libres et en trous en dpend trs fortement. 3.1.1.3 Exemples Le silicium a un nombre volumique d atomes de 5:1022 par cm3. A 300K (27rC), le nombre volumique des lectrons libres et des trous est de 1;5:1010 cm3, soit une paire lectron libre-trou pour 3;3:1012 atomes. Le nombre volumique des atomes dans le germanium est de 4;4:1022 par cm3. A 300K, le nombre volumique des lectrons libres et des trous est 2;5:1013 cm3, soit une paire lectron libre-trou pour 1;8:109 atomes.

3.1.2 Semi-conducteurs extrinsques de type n


3.1.2.1 Rseau cristallin Un semiconducteur dans lequel on aurait substitu quelques atomes ttravalents des atomes pentavalents est dit extrinsque de type n : ............................................................. . . . ................................................................................................. Atome (donneur) ionis Charge fixe positive Electron libre : Charge mobile ngative Quatre lectrons de la couche priphrique de latome pentavalent prennent part aux liens de valence alors que le cinquime, sans attache, est libre de se mouvoir dans le cristal. Llectron libre ainsi cr neutralise la charge positive, solidaire du rseau cristallin, quest latome pentavalent ionis.

3.1.2.2 Dfinitions Le dopage est laction qui consiste rendre un semiconducteur extrinsque. Par extension, ce terme qualifie galement lexistence dune concentration datomes trangers : on parle de dopage de type n. On donne le nom d impurets aux atomes trangers introduits dans la maille cristalline. Dans le cas d un semiconducteur extrinsque de type n, les impurets sont appeles donneurs car chacune dentre elles donne un lectron libre. 3.1.2.3 Modle Les dopages courants sont denviron 1016 1018 atomes par cm3. On peut admettre que le nombre volumique des lectrons libres est gal au nombre volumique des impurets et que le nombre volumique des trous (charges libres 44 CHAPITRE 3. DU SEMI-CONDUCTEUR AUX TRANSISTORS positives) est ngligeable. Etant donnes ces considrations, on tablit le modle de semiconducteur reprsent cidessous dans lequel napparaissent que les charges essentielles, savoir les lectrons libres et les donneurs ioniss. Les charges fixes sont entoures dun cercle. + + + ++ + + + Atome (donneur) ionis Charge fixe positive Electron libre : Charge mobile ngative

3.1.3 Semi-conducteurs extrinsques de type p


3.1.3.1 Rseau cristallin Si lon introduit des atomes trivalents dans le rseau cristallin du semiconducteur, les trois lectrons de la couche priphrique de limpuret prennent part aux liens de valence, laissant une place libre. Ce trou peut tre occup par un lectron dun autre lien de valence qui laisse, son tour, un trou derrire lui. Latome trivalent est alors ionis et sa charge ngative est neutralise par le trou (voir figure ci-dessous). Le semi-conducteur est alors dit extrinsque de type p. Les impurets, pouvant accepter des lectrons, sont appeles accepteurs. ......................................................................... . . . . . . . .............................................................................. Atome (accepteur) ionis Charge fixe ngative Trou libre Charge mobile positive 3.1.3.2 Dfinition Les impurets, dans un semi-conducteur extrinsque de type p, sont appeles accepteurs au vu de leur proprit daccepter un lectron situ dans un lien de valence. 3.1.3.3 Modle On peut faire les mmes considrations quau paragraphe 3.1.2.3 concernant le nombre volumique des trous : il

est approximativement gal au nombre volumique des impurets. Le nombre volumique des lectrons libres est alors considr comme ngligeable. Il sensuit un modle, reprsent la figure ci-dessous, dans lequel napparaissent que les charges prpondrantes : les trous et les accepteurs ioniss. -+ + + + + + + + Atome (accepteur) ionis Charge fixe ngative Trou libre : Charge mobile positive 3.2. LA JONCTION PN 45 Remarque : il faut remarquer que le semiconducteur extrinsque, type p ou type n, est globalement neutre. On peut le comparer un rseau gomtrique dont certains noeuds sont chargs et dans lequel stagne un (( gaz )) de charges mobiles qui neutralise les charges fixes du rseau. On largit, par la suite, la notion de semiconducteur de type n un semiconducteur dont le nombre volumique des donneurs lemporte sur celui des accepteurs et celle de semiconducteur de type p un semiconducteur dans lequel le nombre volumique des accepteurs est prpondrant.

Ce quil faut retenir


la nature dun semi-conducteur intrisque ; le dopage (type n et p) et ses consquences.

3.2 La jonction PN
3.2.1 Introduction
Le dopage non uniforme dun semiconducteur, qui met en prsence une rgion de type n et une rgion de type p, donne naissance une jonction pn. Une telle jonction est aussi appele diode. Dans la prsente section, on tudie, qualitativement, les phnomnes qui ont pour sige la jonction pn. On donne galement la relation exponentielle qui lie courant et tension dans une telle jonction.

3.2.2 Description
Soit le semiconducteur dopage non uniforme ci-dessous qui prsente une rgion p nombre volumique datomes accepteurs constant, suivie immdiatement d une rgion n nombre volumique de donneurs constant galement. Accepteurs Donneurs Rgion p Jonction Rgion n 0 x Nombre volumique dimpurets La surface de transition entre les deux rgions est appele jonction pn abrupte. Du fait de la continuit du rseau cristallin, les (( gaz )) de trous de la rgion p et dlectrons de la rgion n ont tendance uniformiser leur concentration

dans tout le volume disposition. Cependant, la diffusion des trous vers la rgion n et des lectrons libres vers la rgion p provoque un dsquilibre lectrique si bien que, dans la zone proche de la jonction, la neutralit lectrique nest plus satisfaite. On trouve, dans la rgion p, des atomes accepteurs et des lectrons, soit une charge locale ngative, et dans la rgion n, des atomes donneurs et des trous, soit une charge locale positive. Il s est donc cr un diple aux abords de la jonction et, conjointement, un champ lectrique. Une fois lquilibre atteint, ce champ lectrique est tel quil soppose tout dplacement global de charges libres.